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JP7257675B2 - Method for dividing brittle material substrate - Google Patents

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JP7257675B2
JP7257675B2 JP2019138752A JP2019138752A JP7257675B2 JP 7257675 B2 JP7257675 B2 JP 7257675B2 JP 2019138752 A JP2019138752 A JP 2019138752A JP 2019138752 A JP2019138752 A JP 2019138752A JP 7257675 B2 JP7257675 B2 JP 7257675B2
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Description

本発明は、脆性材料基板の分断による個片化に関し、特に、スクライブ処理とブレーク処理により大きさの異なる2種類の個片を得る方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to singulation by dividing a brittle material substrate, and more particularly to a method of obtaining two kinds of pieces having different sizes by scribing and breaking.

脆性材料基板を複数の箇所で分断して多数の個片(チップ)を得る個片化(チップ化)の方法として、当該基板の一方主面のそれぞれの分断予定位置にあらかじめスクライブラインを形成するスクライブ処理を行ったうえで、他方主面側から当該分断予定位置に対してブレークバーを当接させ、さらに該ブレークバーを押し込むことにより、スクライブラインからクラックを基板厚み方向に伸展させるブレーク処理を行う、という手法が、すでに公知である(例えば、特許文献1参照)。 As a method of singulating (chipping) to obtain a large number of individual pieces (chips) by dividing a brittle material substrate at a plurality of locations, scribe lines are formed in advance at respective planned division positions on one main surface of the substrate. After performing the scribing process, a break bar is brought into contact with the position to be cut from the other main surface side, and the break bar is further pushed in, thereby extending the crack from the scribe line in the thickness direction of the substrate. is already known (see Patent Document 1, for example).

係る手法は例えば、ガラスウェハを下地基板とし、該下地基板上に樹脂や金属などを用いて所定のデバイス構造を形成してなるデバイス母基板を分断して、デバイスチップ(個片)を得る場合に適用される。すなわち、ガラスウェハ上にデバイス構造パターンを二次元的に繰り返し配置することで作製されたデバイス母基板を、上述したスクライブ処理とブレーク処理により分断することで、多数個のデバイスチップが得られる。 Such a method is, for example, a case of obtaining device chips (individual pieces) by dividing a device mother substrate in which a glass wafer is used as a base substrate and a predetermined device structure is formed on the base substrate using resin, metal, or the like. Applies to That is, a large number of device chips can be obtained by dividing a device mother substrate, which is produced by two-dimensionally repeating device structure patterns on a glass wafer, by the above-described scribing process and breaking process.

特開2016-30364号公報JP 2016-30364 A

上述したデバイス母基板において、例えばTEGのような、デバイス構造が備わるデバイスチップ用の領域(通常サイズ領域)よりも平面サイズが大きいサイズの領域(大サイズ領域)が、一または複数の箇所に形成される場合がある。そして、このような場合においても、スクライブ処理とブレーク処理により個片化を好適に行って、デバイスチップを得たいというニーズがある。 In the device mother substrate described above, a region (large size region) having a planar size larger than a device chip region (normal size region) having a device structure, such as a TEG, is formed at one or more locations. may be Even in such a case, there is a need to obtain device chips by suitably performing individualization by scribing and breaking.

しかしながら、一般に、ブレーク処理に用いられるブレークバーにおける刃先の長さ(刃渡り)は、分断対象物の外周の任意の二点間において分断が行えるよう、分断対象物のサイズよりも大きい。それゆえ、例えば、上述のように大サイズ領域と通常サイズ領域とが混在するデバイス母基板を分断しようとする場合、両領域の配置態様によっては、分断不要な大サイズ領域にもブレークバーが当接してしまうことが起こり得る。係る場合、クラックが大サイズ領域にまで伸展し、さらには当該クラックが他の通常サイズ領域にまで伸展し、本来とは異なる場所にて分断されてしまうという、不具合が発生する可能性がある。 However, in general, the length of the cutting edge (blade length) of the break bar used in the breaking process is larger than the size of the object to be divided so that the object can be divided between any two points on the circumference of the object to be divided. Therefore, for example, when trying to divide a device mother board in which a large-sized area and a normal-sized area coexist as described above, depending on the layout of both areas, a break bar may apply to the large-sized area that does not need to be divided. contact may occur. In such a case, there is a possibility that the crack may extend to the large-size region, further extend to other normal-size regions, and be broken at a location different from the original.

分断順序を工夫することでそのようなクラックの発生を抑制する対応も考えられるが、ブレークバーとデバイス母基板との相対移動が煩雑となり、生産性が悪くなるほか、分断箇所の位置ずれが生じる可能性が高くなるため、好ましくない。そもそも、大サイズ領域と通常サイズ領域の配置関係によっては、大サイズ領域へのブレークバーの当接が不可避な場合もある。 It is conceivable to suppress the occurrence of such cracks by devising the cutting order, but the relative movement between the break bar and the device mother board becomes complicated, which reduces productivity and causes misalignment of the cutting points. Unfavorable because it increases the probability. In the first place, depending on the positional relationship between the large-size area and the normal-size area, it may be inevitable that the break bar comes into contact with the large-size area.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、脆性材料基板を異なるサイズの個片に好適に分断することができる方法を提供することを、目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method for suitably dividing a brittle material substrate into individual pieces of different sizes.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、あらかじめ定められた分断予定位置に沿って、脆性材料基板を小サイズ個片と前記小サイズ個片よりもサイズが大きい大サイズ個片とに分断する方法であって、前記脆性材料基板の一方主面側において、分断後に前記小サイズ個片となる領域と前記大サイズ個片となる全ての領域の周囲に定められた前記分断予定位置に沿ってスクライブラインを形成する、スクライブ工程と、前記脆性材料基板の他方主面側から少なくとも前記スクライブラインの形成位置の上方位置を含むブレークバー当接位置にてブレークバーを所定の押し込み量にて押し込むことを、全ての前記ブレークバー当接位置に対し行うことで、前記脆性材料基板を前記小サイズ個片と前記大サイズ個片とに分断するブレーク工程と、を備え、前記ブレーク工程においては、(a)前記ブレークバーの刃先角θを50°~90°とし、(b)前記ブレークバーの刃先先端の曲率半径Rを100μm~300μmとし、(c)前記押し込み量を60μm~100μmとし、(d)前記ブレークバーを前記基板に押し込む際の前記ブレークバーの下降速度を10mm/s~100mm/sとする、ことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the first aspect of the invention divides a brittle material substrate into small-sized pieces and large-sized pieces larger than the small-sized pieces along predetermined cutting positions. In the dividing method, on one main surface side of the brittle material substrate, at the planned dividing positions defined around all the regions that will become the small-sized individual pieces and the large-sized individual pieces after division. a scribing step for forming scribe lines along the brittle material substrate; a breaking step of dividing the brittle material substrate into the small-sized pieces and the large-sized pieces by pushing in all of the break bar abutting positions, wherein the breaking step includes: (a) the cutting edge angle θ of the break bar is 50° to 90°, (b) the curvature radius R of the cutting edge tip of the break bar is 100 μm to 300 μm, (c) the pushing amount is 60 μm to 100 μm, (d) A descending speed of the break bar when pushing the break bar into the substrate is 10 mm/s to 100 mm/s.

請求項2の発明は、請求項1に記載の脆性材料基板の分断方法であって、前記ブレーク工程においては、一の前記ブレークバー当接位置に対するブレーク動作の完了後、次の前記ブレークバー当接位置に対するブレーク動作を行うための前記基板のシフト送りを、前記ブレークバー当接位置が所定ピッチで配列する方向の一の向きにおいてのみ行う、ことを特徴とする。 According to a second aspect of the invention, there is provided the method for cutting a brittle material substrate according to the first aspect, wherein in the breaking step, after the breaking operation for one of the break bar abutment positions is completed, the next break bar abuts. The shift feed of the substrate for performing the breaking operation with respect to the contact position is performed only in one direction in which the break bar contact positions are arranged at a predetermined pitch.

請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載の脆性材料基板の分断方法であって、前記脆性材料基板の上に、分断後に前記小サイズ個片となる領域に設けられた小サイズパターンと前記大サイズ個片となる領域に設けられた大サイズパターンとからなるパターンとが設けられてなり、前記スクライブ工程においては、前記パターン同士の間から露出する前記脆性材料基板に対して、前記スクライブラインを形成する、ことを特徴とする。 The invention of claim 3 is the method for dividing a brittle material substrate according to claim 1 or claim 2, wherein a small-size piece is provided on the brittle material substrate in a region that will become the small-size piece after division. A pattern consisting of a size pattern and a large size pattern provided in the region to be the large size piece is provided, and in the scribing step, the brittle material substrate exposed from between the patterns is subjected to , forming the scribe line.

請求項1ないし請求項3の発明によれば、脆性材料基板を、小サイズの個片と大サイズの個片とに、好適に分断することができる。 According to the inventions of claims 1 to 3, a brittle material substrate can be suitably divided into small-sized pieces and large-sized pieces.

特に、請求項2の発明によれば、優れた汎用性および生産性にて、脆性材料基板を小サイズの個片と大サイズの個片とに分断することができる。 In particular, according to the second aspect of the invention, the brittle material substrate can be divided into small-sized pieces and large-sized pieces with excellent versatility and productivity.

母基板10の概略平面図である。2 is a schematic plan view of a mother substrate 10; FIG. 母基板10のある部分領域REの様子を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a state of a partial region RE on the mother substrate 10; 母基板10に対するスクライブ処理の様子を模式的に示す図である。4A and 4B are diagrams schematically showing how a mother substrate 10 is subjected to a scribing process; FIG. 母基板10に対するブレーク処理の様子を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing how a mother substrate 10 is subjected to a breaking process; ブレーク処理に供される母基板10の部分領域REを下地基板1の側から見た平面図である。2 is a plan view of a partial region RE of a mother substrate 10 subjected to a breaking process, viewed from the base substrate 1 side; FIG. 母基板10に対しブレーク処理を行っている途中の、部分領域REの様子を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing the state of the partial region RE while the mother substrate 10 is being subjected to the breaking process; 母基板10に対し良好にブレーク処理が行われた後の部分領域REを示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing the partial region RE after the mother substrate 10 has been successfully subjected to the breaking process;

<分断対象>
図1は、本実施の形態に係る分断の対象である母基板10の概略平面図である。図2は、図1に示す母基板10のある部分領域REの様子を示す図である。図1においては、母基板10の一方主面内においてオリフラ10fに沿った方向と当該方向に垂直な方向をそれぞれx軸方向、y軸方向とし、当該主面に垂直な方向をz軸方向とする、右手系のxyz座標を付している。以降の図においても、当該座標系に従うものとする。
<Target of division>
FIG. 1 is a schematic plan view of a mother substrate 10 to be cut according to this embodiment. FIG. 2 is a diagram showing a state of a partial region RE on the mother substrate 10 shown in FIG. In FIG. 1, the direction along the orientation flat 10f and the direction perpendicular to the orientation flat 10f in one main surface of the mother substrate 10 are defined as the x-axis direction and the y-axis direction, respectively, and the direction perpendicular to the main surface is defined as the z-axis direction. , with right-handed xyz coordinates. This coordinate system shall also be followed in subsequent figures.

また、図2(a)は部分領域REの平面図(xy平面図)であり、図2(b)は、図2(a)のA-A’断面図(zx断面図)である。 2(a) is a plan view (xy plan view) of the partial region RE, and FIG. 2(b) is a cross-sectional view (zx cross-sectional view) taken along line A-A' in FIG. 2(a).

図2に示すように、母基板10は、下地基板1の一方主面上に樹脂や金属などからなる1または複数の層にて所定のパターン2が2次元的に配置された構成を有する。換言すれば、母基板10は、一方主面側にパターン2を有する。また、パターン2の設けられていない下地基板1の他方主面は、母基板10の他方主面ともなっている。 As shown in FIG. 2, mother substrate 10 has a configuration in which predetermined patterns 2 are two-dimensionally arranged on one main surface of base substrate 1 in one or more layers made of resin, metal, or the like. In other words, mother substrate 10 has pattern 2 on one main surface side. The other main surface of base substrate 1 on which pattern 2 is not provided also serves as the other main surface of mother substrate 10 .

下地基板1は、平面サイズ(直径)が20cm~30cm程度で厚みが0.1mm~1.0mm程度の脆性材料基板であり、例えばガラスウェハが例示される。 The base substrate 1 is a brittle material substrate having a planar size (diameter) of about 20 cm to 30 cm and a thickness of about 0.1 mm to 1.0 mm, and is exemplified by a glass wafer.

パターン2は、所定のサイズの小サイズパターン2aを基本パターンとしつつも、母基板10の一部には、小サイズパターン2aよりも平面サイズが大きい大サイズパターン2bも備わる。大サイズパターン2bは、母基板10の少なくとも1つの箇所において、小サイズパターン2aに囲繞される態様にて配置されてなる。部分領域REは、その様子を例示している。例えば、小サイズパターン2aは所定のデバイス構造をなすパターンであり、大サイズパターン2bはTEGである。係る場合、パターン2の上面には半田ボールが形成されていてもよい。 The pattern 2 has a small-sized pattern 2a of a predetermined size as a basic pattern, but also includes a large-sized pattern 2b having a plane size larger than that of the small-sized pattern 2a on a part of the mother substrate 10.例文帳に追加The large-sized pattern 2b is arranged in at least one portion of the mother substrate 10 so as to be surrounded by the small-sized pattern 2a. The partial area RE exemplifies this situation. For example, the small size pattern 2a is a pattern forming a predetermined device structure, and the large size pattern 2b is a TEG. In such a case, solder balls may be formed on the top surface of the pattern 2 .

隣り合う個々のパターン2同士は離隔しており、両者の間隙であるストリートSTにおいては、下地基板1が露出している。母基板10においては、ストリートSTとして、小サイズパターン2a同士の間隙である第1ストリートST1と、大サイズパターン2b同士の間隙である第2ストリートST2と、小サイズパターン2aと大サイズパターン2bとの間隙である第3ストリートST3とが存在する。 The individual patterns 2 adjacent to each other are separated from each other, and the base substrate 1 is exposed in the streets ST that are the gaps between the patterns 2 . On the motherboard 10, the streets ST include a first street ST1 that is the gap between the small-sized patterns 2a, a second street ST2 that is the gap between the large-sized patterns 2b, the small-sized pattern 2a, and the large-sized pattern 2b. There is a third street ST3 which is a gap between .

なお、図2においては図示の簡単のため、小サイズパターン2aと大サイズパターン2bの双方ともに平面視矩形状としているが、実際には、両パターンの形状はその限りではなく、その場合、ストリートSTは、それぞれのパターン2に外接する矩形同士の間隙として観念される。 In FIG. 2, both the small-size pattern 2a and the large-size pattern 2b are rectangular in plan view for the sake of simplicity of illustration. ST can be thought of as the space between rectangles circumscribing each pattern 2 .

小サイズパターン2aと大サイズパターン2bの双方がとも平面視矩形状であるとする場合、小サイズパターン2aの短辺のサイズは0.5mm~2.0mm程度であり、長辺のサイズは0.5mm~2.0mm程度である。また、大サイズパターン2bの短辺のサイズは1.0mm~4.0mm程度であり、長辺のサイズは1.5mm~6.0mm程度である。 When both the small-size pattern 2a and the large-size pattern 2b are rectangular in plan view, the size of the short side of the small-size pattern 2a is about 0.5 mm to 2.0 mm, and the size of the long side is 0. 0.5 mm to 2.0 mm. The size of the short side of the large-sized pattern 2b is about 1.0 mm to 4.0 mm, and the size of the long side is about 1.5 mm to 6.0 mm.

また、第1ストリートST1の幅は30μm~100μm程度であり、第2ストリートST2の幅は20μm~200μm程度であり、第3ストリートST3の幅は30μm~200μm程度である。 The width of the first street ST1 is approximately 30 μm to 100 μm, the width of the second street ST2 is approximately 20 μm to 200 μm, and the width of the third street ST3 is approximately 30 μm to 200 μm.

母基板10は、ストリートSTのところにあらかじめ定められた分断予定位置に沿って、個々のパターン2を含む個片に分断される。換言すれば、分断予定位置は、分断後に個片となる全ての領域の周囲に設けられる。 The mother substrate 10 is divided into individual pieces each including the individual patterns 2 along predetermined dividing positions on the streets ST. In other words, the planned division positions are provided around all the regions that will become individual pieces after division.

なお、母基板10のうち、分断が行われることで小サイズパターン2aを含む個片となる領域を小サイズ個片化領域10aと称し、大サイズパターン2bを含む個片となる領域を大サイズ個片化領域10bと称する。換言すれば、本実施の形態に係る方法において行う母基板10の分断は、当該母基板10を複数の小サイズ個片化領域10aと複数の大サイズ個片化領域10bとに切り分ける処理である。 A region of the mother substrate 10 that becomes individual pieces including the small-sized pattern 2a by being divided is referred to as a small-sized singulated region 10a, and a region that becomes individual pieces including the large-sized pattern 2b is referred to as a large-sized singulated region 10a. This is referred to as singulation region 10b. In other words, the division of the mother substrate 10 performed in the method according to the present embodiment is a process of dividing the mother substrate 10 into a plurality of small-sized singulated regions 10a and a plurality of large-sized singulated regions 10b. .

より詳細には、本実施の形態においては、パターン2は互いに直交するx軸方向とy軸方向のそれぞれにおいて繰り返し配置されていることから、母基板10は、x軸方向に沿ったx分断予定位置Pxとy軸方向に沿ったy分断予定位置Pyにて分断される。x分断予定位置Pxおよびy分断予定位置Pyは、第1ストリートST1と第2ストリートST2においてはそれぞれのストリートSTの中央に定められる。 More specifically, in the present embodiment, the pattern 2 is repeatedly arranged in each of the x-axis direction and the y-axis direction, which are orthogonal to each other. It is divided at the position Px and the y division planned position Py along the y-axis direction. The x planned division position Px and the y planned division position Py are determined in the center of each street ST in the first street ST1 and the second street ST2.

また、x分断予定位置Pxのうち、その延在方向に大サイズパターン2bが存在しないものを第1x分断予定位置Px1と称し、大サイズパターン2bが存在するものを第2x分断予定位置Px2と称することとする。同様に、y分断予定位置Pyのうち、その延在方向に大サイズパターン2bが存在しないものを第1y分断予定位置Py1と称し、大サイズパターン2bが存在するものを第2y分断予定位置Py2と称することとする。 Further, among the x planned division positions Px, the position where the large-sized pattern 2b does not exist in the extending direction is referred to as the 1st x planned division position Px1, and the position where the large-sized pattern 2b exists is referred to as the 2nd x planned division position Px2. It is assumed that Similarly, among the y planned division positions Py, the position where the large-sized pattern 2b does not exist in the extending direction is referred to as the first y planned division position Py1, and the position where the large-sized pattern 2b exists is referred to as the second y planned division position Py2. We will call it.

<分断処理の概要>
次に、本実施の形態において行う分断処理についてその概要を説明する。分断処理は、スクライブ処理とこれに続くブレーク処理とを行うことで実現される。
<Summary of division processing>
Next, the outline of the division processing performed in this embodiment will be described. The division processing is realized by performing scribe processing and subsequent break processing.

図3は、母基板10に対するスクライブ処理の様子を模式的に示す図である。スクライブ処理は、公知のスクライブ装置100を用いて行うことができる。 FIG. 3 is a diagram schematically showing how the mother substrate 10 is subjected to the scribing process. The scribing process can be performed using a known scribing device 100 .

スクライブ装置100は、スクライブ対象物を水平姿勢にて下方支持可能なステージ101と、外縁部に刃先102eを有する円板状部材であるスクライビングホイール(カッターホイール)102とを、主として備える。スクライビングホイール102は、垂直面内において回転自在な態様にてスクライブ装置100に保持される。 The scribing device 100 mainly includes a stage 101 capable of supporting a scribing object downward in a horizontal posture, and a scribing wheel (cutter wheel) 102 which is a disk-shaped member having a cutting edge 102e on the outer edge. The scribing wheel 102 is held by the scribing device 100 in a rotatable manner in the vertical plane.

より詳細には、スクライビングホイール102は、直径が2mm~3mmの円板状の部材(スクライビングツール)であり、外周面に断面視二等辺三角形状の刃先102eを有する。また、少なくとも刃先102eはダイヤモンドにて形成されてなる。また、刃先102eの角度(刃先角)αは100°~135°であるのが好適である。 More specifically, the scribing wheel 102 is a disk-shaped member (scribing tool) with a diameter of 2 mm to 3 mm, and has a cutting edge 102e having an isosceles triangular cross-sectional view on its outer peripheral surface. At least the cutting edge 102e is made of diamond. The angle (edge angle) α of the cutting edge 102e is preferably 100° to 135°.

母基板10が分断対象とされる場合、母基板10は、パターン2が備わる一方主面側を上面(スクライブ対象面)とし、他方主面側をステージ101に対する載置面とする態様にて、ステージ101に載置固定され、位置決めされる。 When the mother substrate 10 is to be cut, one main surface of the mother substrate 10 on which the pattern 2 is provided is the upper surface (the surface to be scribed), and the other main surface is the mounting surface for the stage 101. It is placed and fixed on the stage 101 and positioned.

より詳細には、母基板10は、スクライブ処理に先立ち、その他方主面を、あらかじめ略環状のリング(例えばダイシングリング)RGに張設された保持テープ(例えばダイシングテープ)DTに貼付させた状態とされる。そして、係る態様にて母基板10が保持テープDTに貼付されてなる該リングRGがステージ101に載置固定されることで、母基板10がステージ101に載置固定される。 More specifically, prior to the scribing process, the other main surface of the mother substrate 10 is adhered to a holding tape (eg, dicing tape) DT stretched over a substantially annular ring (eg, dicing ring) RG in advance. It is said that Then, the mother substrate 10 is placed and fixed on the stage 101 by placing and fixing the ring RG formed by attaching the mother substrate 10 to the holding tape DT in such a manner on the stage 101 .

また、図3においては、あるy分断予定位置Pyがスクライブ対象とされるときの様子を示している。 In addition, FIG. 3 shows a state when a certain y-partition planned position Py is targeted for scribing.

y分断予定位置Pyに沿ったスクライブ動作を行う場合、個々のy分断予定位置Pyとスクライビングホイール102の回転面とが並行となるように、母基板10がステージ101に載置固定される。そして、それぞれのy分断予定位置Pyについて、当該y分断予定位置Pyとスクライビングホイール102の回転面とが同一の鉛直面(図面に垂直な面)内に位置するように位置決めがなされたうえで、スクライビングホイール102が、所定の荷重(スクライブ荷重と称する)を印加しつつ、母基板10上において(厳密にはストリートSTにて露出する下地基板1上において)当該y分断予定位置Pyに沿って圧接転動させられる。係る圧接転動は例えば、図示しない駆動機構によりステージ101をスクライビングホイール102に対して相対的に水平移動させることにより実現される。すると、ストリートSTにて露出する下地基板1において、当該y分断予定位置Pyに沿ってスクライブラインが形成される。スクライブラインは、下地基板1の表面から基板の厚さに対して20~50%程度の深さまで垂直クラックが達するように形成されるのが好ましい。係る態様にてスクライブラインを形成する場合、スクライブ速度(スクライビングホイール102をステージ101に対して相対移動させる速度)は、100mm/s~300mm/sであるのが好適である。 When performing a scribing operation along the y planned cutting positions Py, the mother substrate 10 is mounted and fixed on the stage 101 so that the individual y planned cutting positions Py and the rotating surface of the scribing wheel 102 are parallel to each other. Then, each y planned division position Py is positioned so that the y planned division position Py and the rotation plane of the scribing wheel 102 are positioned in the same vertical plane (a plane perpendicular to the drawing), The scribing wheel 102 applies a predetermined load (referred to as a scribing load) to the mother substrate 10 (strictly speaking, on the underlying substrate 1 exposed at the streets ST) along the y-dividing position Py. be rolled. Such pressure-contact rolling is realized, for example, by horizontally moving the stage 101 relative to the scribing wheel 102 by a driving mechanism (not shown). Then, a scribe line is formed along the y planned division position Py on the base substrate 1 exposed in the street ST. The scribe line is preferably formed so that the vertical crack reaches from the surface of the base substrate 1 to a depth of about 20 to 50% of the thickness of the substrate. When forming a scribe line in such a manner, the scribing speed (the speed at which the scribing wheel 102 is moved relative to the stage 101) is preferably 100 mm/s to 300 mm/s.

本実施の形態においては、このような位置決めとスクライビングホイール102の圧接転動の組み合わせであるスクライブ動作を、x軸方向において所定のピッチにて離隔する全てのy分断予定位置Pyに対し、x軸方向の一方端部側から順次に行う。すなわち、一のy分断予定位置Pyに対するスクライブ動作の完了後、次のy分断予定位置Pyに対するスクライブ動作を行うための母基板10のシフト送り(スクライブ処理完了後のy分断予定位置Pyから次にスクライブ処理の対象となるy分断予定位置Pyへのスクライビングホイール102の相対移動)は、x軸方向の一の向きにおいてのみ行われる。 In the present embodiment, the scribing operation, which is a combination of such positioning and the press-contact rolling of the scribing wheel 102, is performed on all y-dividing positions Py separated by a predetermined pitch in the x-axis direction. It is performed sequentially from one end side of the direction. That is, after the scribing operation for one y planned division position Py is completed, the mother substrate 10 is shifted to perform the scribing operation for the next y planned division position Py. The relative movement of the scribing wheel 102 to the y dividing position Py to be subjected to the scribing process) is performed only in one direction in the x-axis direction.

x分断予定位置Pxに沿ったスクライブ動作を行う場合も、同様の態様にて行われる。 A scribing operation along the x-predetermined division position Px is performed in a similar manner.

なお、図2に示す第2x分断予定位置Px2や第2y分断予定位置Py2がスクライブ対象である場合は、その延在方向において大サイズ個片化領域10bが(大サイズパターン2bが)介在する。それゆえ、スクライブ動作の際には、大サイズ個片化領域10bにスクライブラインが形成されることのないよう、第1ストリートST1に定められた第2x分断予定位置Px2または第2y分断予定位置Py2に沿って圧接転動させられていたスクライビングホイール102は、それらに直交する第3ストリートST3に定められた第1y分断予定位置Py1または第1x分断予定位置Px1に到達する直前、または到達した時点で、いったん上昇させられて、大サイズ個片化領域10bの上方でx軸方向またはy軸方向へと移動させられる。そして、その前方の第2x分断予定位置Px2または第2y分断予定位置Py2が設けられてなる箇所で、再び下降させられて、それら第2x分断予定位置Px2または第2y分断予定位置Py2に沿って圧接転動させられる。 When the 2x-predetermined division position Px2 and the 2y-th predetermine division position Py2 shown in FIG. 2 are to be scribed, the large size singulation region 10b (the large size pattern 2b) intervenes in the extending direction. Therefore, during the scribing operation, the 2x-predetermined dividing position Px2 or the 2y-predetermined dividing position Py2 determined in the first street ST1 is used so that the scribe line is not formed in the large-sized singulated region 10b. The scribing wheel 102 that has been pressed and rolled along the scribing wheel 102 reaches the 1y-predetermined cutting position Py1 or the 1x-predetermined cutting position Px1 defined on the third street ST3 orthogonal to them, immediately before or at the time of reaching , is once lifted and moved in the x-axis direction or the y-axis direction above the large-sized singulated region 10b. Then, at the location where the 2x-predetermined cutting position Px2 or the 2y-predetermined cutting position Py2 is provided in front of it, it is lowered again and pressed along the 2x-predetermined cutting position Px2 or the 2nd y-predetermined cutting position Py2. be rolled.

全ての分断予定位置に対するスクライブ処理が終了した母基板10は続いて、ブレーク処理に供される。図4は、母基板10に対するブレーク処理の様子を模式的に示す図である。ブレーク処理は、公知のブレーク装置200を用いて行うことができる。 The mother substrate 10 for which the scribing process for all the planned cutting positions has been completed is subsequently subjected to the breaking process. FIG. 4 is a diagram schematically showing how the mother substrate 10 is subjected to the breaking process. Break processing can be performed using a known break device 200 .

ブレーク装置200は、少なくとも表面部分が弾性体からなり、ブレーク対象物を水平姿勢にて下方支持可能な支持体201と、鉛直下方に断面視三角形状の刃先202eを有する板状部材であるブレークバー202とを、主として備える。 The breaking device 200 comprises a support 201 whose surface is at least made of an elastic material and which can support the object to be broken in a horizontal position downward, and a break bar which is a plate-like member having a cutting edge 202e having a triangular cross-sectional view vertically downward. 202 are mainly provided.

支持体201としては、例えば、上面が平坦な金属製の部材の当該上面に板状の弾性体を載置固定した構成などが、採用可能である。 As the support 201, for example, a configuration in which a plate-like elastic body is placed and fixed on the upper surface of a metal member having a flat upper surface can be employed.

ブレークバー202は、断面視二等辺三角形状の刃先202eが刃渡り方向に延在するように設けられてなる板状の金属製(例えば超硬合金製)部材である。図4においては、刃渡り方向が図面に垂直な方向となるように、ブレークバー202を示している。また、一度のブレーク動作によって刃渡り方向全般に渡るブレークを行えるよう、ブレークバー202の刃渡りは、母基板10の平面サイズよりも大きい。 The break bar 202 is a plate-like metal (for example, cemented carbide) member provided with an isosceles triangular cutting edge 202e extending in the cutting edge direction. In FIG. 4, the break bar 202 is shown such that the blade extension direction is perpendicular to the drawing. In addition, the blade length of the break bar 202 is larger than the plane size of the mother substrate 10 so that the breaking can be performed in the entire blade length direction by one breaking operation.

図4においては、スクライブ処理によってスクライブラインSLが形成されてなる、あるy分断予定位置Pyが、ブレーク処理の対象とされるときの様子を示している。 FIG. 4 shows a state in which a certain y-partition planned position Py on which a scribe line SL is formed by scribing is targeted for break processing.

スクライブ処理後の母基板10は、リングRGに張設された保持テープDTに貼付された状態でブレーク処理に供される。ただし、図4に示すように、ブレーク処理に際しては、スクライブ処理の際には露出していた一方主面側が保護フィルムPFによって被覆される。保護フィルムは、その端縁部がリングRGに貼付される態様にて、パターン2を被覆する。スクライブ処理後の母基板10は、他方主面側が上方となり、一方主面側が下方となる姿勢にて、換言すれば、リングRG、保持テープDT、および保護フィルムPFともども支持体201上に載置固定される。すなわち、保護フィルムPFが支持体201と接触する態様にて、載置固定される。 After the scribing process, the mother substrate 10 is applied to the holding tape DT stretched over the ring RG and subjected to the breaking process. However, as shown in FIG. 4, during the breaking process, the one main surface side exposed during the scribing process is covered with the protective film PF. The protective film covers the pattern 2 in such a manner that its edges are attached to the ring RG. The mother substrate 10 after the scribing process is placed on the support 201 together with the ring RG, the holding tape DT, and the protective film PF, with the other main surface facing upward and the one main surface facing downward. Fixed. That is, the protective film PF is placed and fixed in a state of contact with the support 201 .

そして、y分断予定位置Pyに沿ったブレーク動作を行う場合は、個々のy分断予定位置Pyとブレークバー202の刃渡り方向とが並行となるように、母基板10が支持体201に載置固定される。そして、それぞれのy分断予定位置Pyについて、当該y分断予定位置Pyとブレークバー202が同一の鉛直面(図面に垂直な面)内に位置するように位置決めがなされたうえで、ブレークバー202が、矢印AR1にて示すように、当該y分断予定位置Pyに向けて下降させられる。ブレークバー202は、その刃先202eが保持テープDTに当接した後もさらに、所定距離(押し込み量と称される)zだけ押し込まれる。 When performing a breaking operation along the y planned breaking positions Py, the mother substrate 10 is placed and fixed on the support 201 so that the respective y planned breaking positions Py and the blade length direction of the break bar 202 are parallel to each other. be done. Then, each y planned division position Py is positioned so that the y planned division position Py and the break bar 202 are positioned in the same vertical plane (a plane perpendicular to the drawing), and then the break bar 202 is , and is lowered toward the y division planned position Py as indicated by an arrow AR1. After the cutting edge 202e of the break bar 202 abuts on the holding tape DT, the break bar 202 is further pushed in by a predetermined distance (referred to as a pushing amount) z.

このように、スクライブラインSLを下方に位置させた姿勢の母基板10のy分断予定位置Pyに向けて、ブレークバー202を下降させ、さらに所定の押し込み量にて押し込むと、スクライブラインSLからy分断予定位置に沿って厚み方向に(母基板10の周面に垂直に)クラックが伸展し、上面となっている母基板10の他方主面にまで、より具体的には下地基板1の保持テープDTに対する被貼付面にまで、到達する。 In this way, when the break bar 202 is lowered toward the planned y-dividing position Py of the mother substrate 10 in the posture where the scribe line SL is positioned downward, and is further pushed by a predetermined amount, the y line is separated from the scribe line SL. The crack extends in the thickness direction (perpendicular to the peripheral surface of the mother substrate 10) along the planned division position and extends to the other main surface of the mother substrate 10, which is the upper surface, more specifically, the base substrate 1 is held. It reaches the adhered surface of the tape DT.

ただし、ブレークバー202の刃渡りは母基板10のサイズよりも大きいことから、ブレーク動作の際、ブレークバー202は、下方にスクライブラインが形成されておらず分断不要である大サイズ個片化領域10bにも当接することがある。換言すれば、ブレークバー202の当接位置は、少なくともスクライブラインの形成位置の上方を含むほか、スクライブラインが形成されていない大サイズ個片化領域10bの範囲内をも、含む場合がある。本実施の形態においては、そのような場合において、大サイズ個片化領域10bに不要な分断が生じることのないように、ブレーク動作が行われる。その詳細については後述する。 However, since the blade length of the break bar 202 is larger than the size of the mother substrate 10, during the breaking operation, the break bar 202 does not have a scribe line formed thereunder and does not need to be divided into large-sized singulation regions 10b. may also come into contact with In other words, the contact position of the break bar 202 includes at least the area above the scribe line formation position, and may also include the range of the large singulated region 10b where the scribe line is not formed. In this embodiment, in such a case, the breaking operation is performed so as not to cause unnecessary division of large-sized singulated region 10b. The details will be described later.

なお、本実施の形態においては、このような位置決めとブレークバー202の下降と組み合わせであるy分断予定位置Pyを対象としたブレーク動作を、x軸方向において所定のピッチにて離隔する全てのブレークバー当接位置に対し、x軸方向の一方端部側から順次に行う。すなわち、一のy分断予定位置Pyを含むブレークバー当接位置に対するブレーク動作の完了後、次のy分断予定位置Pyを含むブレークバー当接位置に対しブレーク動作を行うための母基板10のシフト送り(ブレーク処理完了後のブレークバー当接位置から次にブレーク処理の対象となるブレークバー当接位置へのブレークバー202の相対移動)は、x軸方向の一の向きにおいてのみ行われる。 In the present embodiment, the breaking operation targeting the y planned breaking position Py, which is a combination of such positioning and lowering of the break bar 202, is applied to all breaks spaced apart at a predetermined pitch in the x-axis direction. With respect to the bar abutment position, it is performed sequentially from one end side in the x-axis direction. That is, after completing the breaking operation with respect to the break bar abutting position including one y planned breaking position Py, the mother board 10 is shifted to perform the breaking operation with respect to the break bar abutting position including the next y planned breaking position Py. Feeding (relative movement of the break bar 202 from the break bar abutment position after the break processing is completed to the break bar abutment position to be next subjected to the break processing) is performed only in one x-axis direction.

x分断予定位置Pxに沿ったブレーク処理を行う場合も、同様の態様にて行われる。 Break processing along the x-division planned position Px is also performed in a similar manner.

好適にブレーク処理がなされた後の母基板10は、それぞれの小サイズ個片化領域10aと大サイズ個片化領域10bとが隣り合う領域との間で分断されつつも互いに接触した状態で、保持テープDTに保持されている。係る状態の母基板10に対しては、保持テープDTを伸張させることによって隣り合う領域を離隔させるエキスパンド処理が行われる。これにより、それぞれの小サイズ個片化領域10aと大サイズ個片化領域10bとが離隔し、それぞれが個片として得られる。以上により、母基板10が所望のサイズの個片に分断されたことになる。 In the mother substrate 10 after the breaking process, the small-sized singulated regions 10a and the large-sized singulated regions 10b are separated from each other and are in contact with each other. It is held by the holding tape DT. The mother substrate 10 in such a state is subjected to an expanding process for separating the adjacent regions by stretching the holding tape DT. As a result, the small-sized singulated regions 10a and the large-sized singulated regions 10b are separated from each other and obtained as individual pieces. As described above, the mother substrate 10 is divided into individual pieces of a desired size.

<ブレーク処理の詳細>
図5は、スクライブ処理の終了後、ブレーク処理に供される母基板10の部分領域REを、他方主面側から(パターン2の備わる一方主面とは反対側から)見た平面図である。つまり、図5は、図4に示すような姿勢にてブレーク装置200の支持体201上に載置された母基板10を、鉛直上方から見た様子を示している。
<Details of break processing>
FIG. 5 is a plan view of the partial region RE of the mother substrate 10 subjected to the breaking process after the scribing process, viewed from the other main surface side (from the side opposite to the one main surface provided with the pattern 2). . In other words, FIG. 5 shows the mother substrate 10 placed on the support member 201 of the breaking device 200 in the attitude shown in FIG. 4, viewed from above vertically.

ただし、図5においては便宜上、一方主面側に備わるパターン2(小サイズパターン2aおよび大サイズパターン2b)を破線にて示している。 However, in FIG. 5, for the sake of convenience, the patterns 2 (the small size pattern 2a and the large size pattern 2b) provided on one main surface side are indicated by dashed lines.

さらに、図5には、スクライブ処理によって当該面側のx分断予定位置Pxに沿って形成されたxスクライブラインSLxとy分断予定位置Pyに沿って形成されたyスクライブラインSLyとを、二点鎖線にて示している。より詳細には、前者のうち第1x分断予定位置Px1に沿って形成されてなるものを第1xスクライブラインSLx1とし、第2x分断予定位置Px2に沿って形成されてなるものを第2xスクライブラインSLx2としている。また、後者のうち第1y分断予定位置Py1に沿って形成されてなるものを第1yスクライブラインSLy1とし、第2y分断予定位置Py2に沿って形成されてなるものを第2yスクライブラインSLy2としている。 Further, in FIG. 5, an x scribe line SLx formed along the x planned division position Px and a y scribe line SLy formed along the y planned division position Py on the surface side by the scribing process are shown at two points. It is indicated by a dashed line. More specifically, of the former, the line formed along the 1x planned dividing position Px1 is defined as the 1x scribe line SLx1, and the line formed along the 2x planned dividing position Px2 is defined as the 2x scribe line SLx2. and Among the latter, the first y scribe line SLy1 is formed along the first y planned dividing position Py1, and the second y scribe line SLy2 is formed along the second y planned dividing position Py2.

第1xスクライブラインSLx1と第1yスクライブラインSLy1はそれぞれ、x軸方向およびy軸方向の全般にわたって形成されてなる。一方、第2xスクライブラインSLx2と第2yスクライブラインSLy2はそれぞれ、それらに直交する第1yスクライブラインSLy1および第1xスクライブラインSLx1との交点または第1yスクライブラインSLy1および第1xスクライブラインSLx1と交差する直前の位置が終端部となっている。図5に示す部分領域REにおいては、第1xスクライブラインSLx1と第2yスクライブラインSLy2との交点I1~I6と、第1yスクライブラインSLy1と第2xスクライブラインSLx2との交点I7~I12が示されている。 The first x scribe line SLx1 and the first y scribe line SLy1 are formed over the entire x-axis direction and y-axis direction, respectively. On the other hand, the second x scribe line SLx2 and the second y scribe line SLy2 are at intersections with the first y scribe line SLy1 and the first x scribe line SLx1 orthogonal to them, respectively, or just before crossing the first y scribe line SLy1 and the first x scribe line SLx1. is the terminal end. In the partial region RE shown in FIG. 5, intersections I1 to I6 between the first x scribe line SLx1 and the second y scribe line SLy2 and intersections I7 to I12 between the first y scribe line SLy1 and the second x scribe line SLx2 are shown. there is

上述したように、ブレーク動作の際、ブレークバー202は、下方にスクライブラインが形成されておらず分断不要である大サイズ個片化領域10bにも当接する。図5においては、このような、下方にスクライブラインの存在しないブレークバー202の当接位置を、x軸方向については点線Lxにて、y軸方向については点線Lyにて、示している。例えば、第2xスクライブラインSLx2の形成位置がブレーク処理の対象とされる場合であれば、図面視左右に位置する一対の第2xスクライブラインSLx2の形成位置の上方のみならず、両者の間の点線Lxの位置もが、ブレークバー当接位置となる。 As described above, during the breaking operation, the break bar 202 also abuts on the large-size singulation region 10b, which does not have a scribe line formed therebelow and does not need to be divided. In FIG. 5, such a contact position of the break bar 202 with no scribe line below is indicated by a dotted line Lx in the x-axis direction and a dotted line Ly in the y-axis direction. For example, if the formation position of the second x scribe line SLx2 is to be subjected to the break processing, not only above the formation position of the pair of second x scribe lines SLx2 located on the left and right in the drawing, but also the dotted line between them The position of Lx is also the break bar contact position.

また、図6は、図5に示した母基板10に対しブレーク処理を行っている途中の、部分領域REの様子を示す平面図である。さらに、図7は、図5に示した母基板10に対し良好にブレーク処理が行われた後の部分領域REを示す平面図である。 FIG. 6 is a plan view showing the state of the partial region RE while the mother substrate 10 shown in FIG. 5 is being subjected to the breaking process. Furthermore, FIG. 7 is a plan view showing the partial region RE after the mother substrate 10 shown in FIG. 5 has been subjected to a good breaking process.

図6は、具体的には、yスクライブラインSLyの形成位置を含むブレークバー当接位置を対象とする(つまりはy分断予定位置Pyを対象とする)ブレーク処理が、図面視左側に位置するyスクライブラインSLyを含むブレークバー当接位置から順に実行されるときの、途中の様子を示している。図6には、yスクライブラインSLyから伸展したクラックが他方主面にまで伸展した結果として母基板10に形成される分断線DLを、太実線にて示している。 Specifically, in FIG. 6, the break processing targeting the break bar abutting position including the forming position of the y scribe line SLy (that is, targeting the y division planned position Py) is located on the left side in the drawing view. It shows a state in the middle when it is executed in order from the break bar abutment position including the y scribe line SLy. In FIG. 6, a thick solid line indicates the parting line DL formed in the mother substrate 10 as a result of the crack extending from the y scribe line SLy extending to the other main surface.

まず、第1y分断予定位置Py1において母基板10を分断するべく、第1yスクライブラインSLy1の形成位置を含むブレークバー当接位置を対象にブレーク動作を行う場合は、当然ながら、y軸方向全般にわたって分断線DLが形成されればよい。図6には、係る態様にて第1y分断予定位置Py1に形成された分断線DLを、(第1)分断線DL1として示している。 First, in order to cut the mother substrate 10 at the first y-predetermined cutting position Py1, when performing the breaking operation targeting the break bar contact position including the formation position of the first y scribe line SLy1, naturally, It is sufficient that the dividing line DL is formed. In FIG. 6, the dividing line DL formed at the first y-predetermined dividing position Py1 in such a manner is shown as a (first) dividing line DL1.

一方、第2y分断予定位置Py2において母基板10を分断するべく、第2yスクライブラインSLy2の形成位置を含むブレークバー当接位置を対象にブレーク動作を行う場合は、下方に当該スクライブラインが形成されている位置のみならず、形成されてはいない点線Lyの位置にもブレークバー202が当接し、刃渡り方向全般にわたって、所定の押し込み量zにて押し込まれる。 On the other hand, in order to divide the mother substrate 10 at the second y-predetermined dividing position Py2, when the breaking operation is performed targeting the break bar abutting positions including the formation position of the second y scribe line SLy2, the scribe line is formed downward. The break bar 202 abuts not only on the position where it is formed, but also on the position indicated by the dotted line Ly where it is not formed, and is pushed by a predetermined pushing amount z over the entire length of the blade.

それゆえ、本来であれば図6において(第2)分断線DL2として示すように、分断線DLは第2yスクライブラインSLy2の形成位置のみに形成されるべきところ、第2yスクライブラインSLy2の形成位置からのクラック伸展が、第1xスクライブラインSLx1との交点I1~I6の位置を超えて大サイズ個片化領域10bの方にまで生じてしまい、第2yスクライブラインSLy2の形成位置のみならず大サイズ個片化領域10bにまで至る分断線DLが、形成されてしまうことがある。図6においては、このような分断線DLを分断線DL2αとして例示している。 Therefore, originally, the dividing line DL should be formed only at the position where the second y scribe line SLy2 is formed, as shown as the (second) dividing line DL2 in FIG. Crack extension from the 1x scribe line SLx1 extends beyond the positions of intersections I1 to I6 with the 1x scribe line SLx1 to the large size singulated region 10b, and not only the formation position of the 2nd y scribe line SLy2 but also the large size A dividing line DL reaching the singulation region 10b may be formed. In FIG. 6, such a dividing line DL is illustrated as a dividing line DL2α.

なお、分断線DL2αは、第2yスクライブラインSLy2の形成位置においては当該スクライブラインに沿って、つまりは刃渡り方向でもある第2y分断予定位置Py2に沿って、形成されたとしても、スクライブラインが形成されていない大サイズ個片化領域10bにおいては必ずしも、刃渡り方向に沿って形成されるとは限らない。 Note that even if the dividing line DL2α is formed along the second y scribe line SLy2 at the position where the second y scribe line SLy2 is formed, that is, along the second y planned dividing position Py2, which is also the blade span direction, the scribe line is not formed. The large-size singulated regions 10b that are not cut are not necessarily formed along the blade length direction.

本実施の形態においては、ブレーク処理の条件を好適に定めることにより、それぞれのyスクライブラインSLyの形成位置に沿ったブレークを、ブレークバー202のシフト送りをx軸方向の一の向きのみとしつつ連続的に行う場合において、第1yスクライブラインSLy1の形成位置をブレーク当接位置とするブレークを好適に実現し、かつ、第2yスクライブラインSLy2の形成位置を含むブレーク当接位置を対象とするブレークの際にも、大サイズ個片化領域10bを区画する第1xスクライブラインSLx1との交点I1~I6を超えることなく分断線が形成されるようにする。また、xスクライブラインSLxの形成位置に沿ったブレークを、ブレークバー202のシフト送りをy軸方向の一の向きのみとしつつ連続的に行う場合についても同様に、第1xスクライブラインSLx1の形成位置をブレーク当接位置とするブレークを好適に実現し、かつ、第2xスクライブラインSLx2の形成位置を含むブレーク当接位置を対象とするブレークの際にも、大サイズ個片化領域10bを区画する第1yスクライブラインSLy1との交点I7~I12を超えることなく分断線が形成されるようにする。 In the present embodiment, by suitably determining the conditions of the breaking process, the breaking along the forming position of each y scribe line SLy is performed while the shift feed of the break bar 202 is set to only one direction in the x-axis direction. In the case of continuous breaking, the break is suitably realized with the formation position of the first y scribe line SLy1 as the break contact position, and the break contact position including the formation position of the second y scribe line SLy2 is targeted. Also at this time, the dividing lines are formed so as not to cross the intersections I1 to I6 with the first x scribe line SLx1 that divides the large singulated region 10b. Likewise, when breaking along the formation position of the x scribe line SLx is continuously performed while the break bar 202 is shifted and fed only in one direction in the y-axis direction, the formation position of the first x scribe line SLx1 is similarly applied. and the break contact position including the formation position of the second x scribe line SLx2. The dividing line is formed without crossing the intersections I7 to I12 with the first y scribe line SLy1.

具体的には、以下の条件にてブレーク処理を行うようにする:
(a)刃先202eの角度(刃先角)θ:50°~90°;
(b)刃先202e先端の曲率半径R:100μm~300μm;
(c)押し込み量z:60μm~100μm;
(d)ブレークバー202の下降速度:10mm/s~100mm/s。
Specifically, break processing is performed under the following conditions:
(a) the angle of the cutting edge 202e (cutting edge angle) θ: 50° to 90°;
(b) Curvature radius R of tip of cutting edge 202e: 100 μm to 300 μm;
(c) pushing amount z: 60 μm to 100 μm;
(d) Lowering speed of break bar 202: 10 mm/s to 100 mm/s.

これらの条件(a)~(d)を満たすことで、母基板10においては、図7に示すように、第1x分断予定位置Px1および第1y分断予定位置Py1においてはそれらに沿って第1分断線DL1が形成され、第2x分断予定位置Px2および第2y分断予定位置Py2においては、それらに沿う一方で大サイズ個片化領域10bに対しては延在していない第2分断線DL2が形成される。これは、刃先202e先端の曲率半径Rが基板の厚さに対して比較的大きいことにより、基板を横に拡げる力がより大きくなり、ブレークバー202の過度の押し込みによる大サイズ個片化領域10bの変形を抑制することができるためであると考えられる。 By satisfying these conditions (a) to (d), in the mother substrate 10, as shown in FIG. A break line DL1 is formed, and a second break line DL2 is formed along the 2x-predetermined division position Px2 and the 2nd y-predetermined division position Py2 but does not extend to the large-sized singulated region 10b. be done. This is because the radius of curvature R of the tip of the cutting edge 202e is relatively large with respect to the thickness of the substrate, so that the force for spreading the substrate laterally becomes greater, and the excessive pressing of the break bar 202 causes the large-sized singulated region 10b. It is considered that this is because the deformation of can be suppressed.

その後、これら第1分断線DL1と第2分断線DL2とが形成された母基板10に対し上述したエキスパンド処理を行うことで、小サイズパターン2aを含む個片と大サイズパターン2bを含む個片とが得られる。 After that, by performing the above-described expanding process on the mother substrate 10 on which the first dividing line DL1 and the second dividing line DL2 are formed, the individual pieces including the small-sized pattern 2a and the individual pieces including the large-sized pattern 2b are formed. is obtained.

刃先角θや曲率半径Rが上記の範囲よりも小さい場合、および、押し込み量zおよびブレークバー202の下降速度が上記範囲よりも大きい場合、ブレークバー202の押し込みによる大サイズ個片化領域10bの変形が大きく、第2分断線DL2が大サイズ個片化領域10bにまで形成されてしまうことになり、好ましくない。 When the cutting edge angle θ and the radius of curvature R are smaller than the above ranges, and when the pushing amount z and the descending speed of the break bar 202 are larger than the above ranges, the break bar 202 is pressed to separate the large-sized singulated region 10b. The deformation is large, and the second dividing line DL2 is formed even in the large-sized singulated region 10b, which is not preferable.

一方、刃先角θや曲率半径Rが上記の範囲よりも大きい場合、および、押し込み量zおよびブレークバー202の下降速度が上記範囲よりも小さい場合、スクライブラインから伸展するクラックが反対面にまで達せず、分断がなされないことになり、好ましくない。 On the other hand, when the cutting edge angle θ and the radius of curvature R are larger than the above ranges, and when the pushing amount z and the descending speed of the break bar 202 are smaller than the above ranges, cracks extending from the scribe line do not reach the opposite surface. This is not preferable because it means that there is no division.

以上、説明したように、本実施の形態によれば、複数の小サイズパターンと複数の大サイズパターンとが混在してなる母基板を、前者を含む小サイズの個片と後者を含む大サイズの個片とに分断する処理を、分断予定位置に沿ったスクライブ処理とこれに続く条件(a)~(d)を満たしたブレーク処理とによって、好適に実現することができる。 As described above, according to the present embodiment, a mother substrate in which a plurality of small-sized patterns and a plurality of large-sized patterns are mixed is divided into small-sized individual pieces including the former and large-sized pieces including the latter. The process of dividing into individual pieces can be suitably realized by a scribing process along the planned dividing position and a subsequent breaking process that satisfies the conditions (a) to (d).

特に、ブレーク処理に際しては、分断不要な位置にブレークバーを当接させつつも、大サイズの個片に不要な分断を生じさせてしまうことが、好適に抑制される。 In particular, during the breaking process, it is possible to preferably prevent large-sized individual pieces from being unnecessarily split while the break bar is brought into contact with a position where splitting is unnecessary.

なお、基板の厚さ及び種類によっては、スクライブ処理の後、大サイズ個片化領域の個片の周囲においてのみ先行してブレーク処理を行うことで、上述のような大サイズ個片化領域の分断を抑制できる対応も考えられる。しかしながら、母基板に対するブレークバーの相対移動動作が煩雑となるほか、位置決め精度が悪くなる可能性があり、生産性という点で本実施の形態に係る手法に劣っている。また、そもそも、母基板における大サイズ個片化領域の配置態様によっては、ある大サイズ個片化領域の周囲に設定された分断予定位置の延長線上に、他の大サイズ個片化領域が存在する場合もあり、そのような場合には、上述のような先行ブレークは行い得ない。 Note that depending on the thickness and type of the substrate, after the scribing process, the breaking process may be performed only around the individual pieces of the large-sized singulated area as described above. Measures that can suppress division are also conceivable. However, the relative movement operation of the break bar with respect to the mother board becomes complicated, and there is a possibility that the positioning accuracy may deteriorate. In the first place, depending on the layout of the large-sized singulated regions on the mother board, other large-sized singulated regions exist on the extension line of the planned division position set around a certain large-sized singulated region. In such cases, the anticipatory break as described above cannot occur.

これに対し、本実施の形態に係る手法は、母基板における大サイズ領域の配置態様によらず、分断予定位置のシフト送りを一の向きにのみ行いつつも、全ての分断予定位置において好適に分断を行えるので、汎用性および生産性の点で優れているといえる。 On the other hand, according to the method according to the present embodiment, regardless of the layout of the large-sized region on the mother substrate, the shift feed of the planned division position is performed only in one direction, while the position to be divided is preferably shifted at all the planned division positions. Since it can be divided, it can be said to be excellent in terms of versatility and productivity.

1 下地基板
2 パターン
2a 小サイズパターン
2b 大サイズパターン
10 母基板
10a 小サイズ個片化領域
10b 大サイズ個片化領域
100 スクライブ装置
101 ステージ
102 スクライビングホイール
102e (スクライビングホイールの)刃先
200 ブレーク装置
201 支持体
202 ブレークバー
202e (ブレークバーの)刃先
DL 分断線
DT 保持テープ
PF 保護フィルム
Px x分断予定位置
Py y分断予定位置
RG リング
SL スクライブライン
ST ストリート
1 base substrate 2 pattern 2a small size pattern 2b large size pattern 10 mother substrate 10a small size singulation region 10b large size singulation region 100 scribing device 101 stage 102 scribing wheel 102e cutting edge (of scribing wheel) 200 breaking device 201 support Body 202 Break bar 202e Cutting edge (of break bar) DL Parting line DT Holding tape PF Protective film Px x planned parting position Py y parting planned position RG ring SL scribe line ST street

Claims (3)

あらかじめ定められた分断予定位置に沿って、脆性材料基板を小サイズ個片と前記小サイズ個片よりもサイズが大きい大サイズ個片とに分断する方法であって、
前記脆性材料基板の一方主面側において、分断後に前記小サイズ個片となる領域と前記大サイズ個片となる全ての領域の周囲に定められた前記分断予定位置に沿ってスクライブラインを形成する、スクライブ工程と、
前記脆性材料基板の他方主面側から少なくとも前記スクライブラインの形成位置の上方位置を含むブレークバー当接位置にてブレークバーを所定の押し込み量にて押し込むことを、全ての前記ブレークバー当接位置に対し行うことで、前記脆性材料基板を前記小サイズ個片と前記大サイズ個片とに分断するブレーク工程と、
を備え、
前記ブレーク工程においては、
(a)前記ブレークバーの刃先角θを50°~90°とし、
(b)前記ブレークバーの刃先先端の曲率半径Rを100μm~300μmとし、
(c)前記押し込み量を60μm~100μmとし、
(d)前記ブレークバーを前記基板に押し込む際の前記ブレークバーの下降速度を10mm/s~100mm/sとする、
ことを特徴とする、脆性材料基板の分断方法。
A method of dividing a brittle material substrate into small-sized pieces and large-sized pieces larger than the small-sized pieces along predetermined cutting positions, the method comprising:
A scribe line is formed along the predetermined dividing position around all the regions that will become the small-sized pieces and the large-sized pieces after division on one main surface side of the brittle material substrate. , a scribing step, and
Pushing the break bar by a predetermined push amount from the other main surface side of the brittle material substrate at the break bar contact position including at least the position above the formation position of the scribe line is defined as all the break bar contact positions. a breaking step of dividing the brittle material substrate into the small size pieces and the large size pieces by performing
with
In the break step,
(a) setting the edge angle θ of the break bar to 50° to 90°;
(b) setting the radius of curvature R of the cutting edge tip of the break bar to 100 μm to 300 μm;
(c) the pressing amount is 60 μm to 100 μm,
(d) setting the descending speed of the break bar to 10 mm/s to 100 mm/s when pushing the break bar into the substrate;
A method for dividing a brittle material substrate, characterized by:
請求項1に記載の脆性材料基板の分断方法であって、
前記ブレーク工程においては、一の前記ブレークバー当接位置に対するブレーク動作の完了後、次の前記ブレークバー当接位置に対するブレーク動作を行うための前記基板のシフト送りを、前記ブレークバー当接位置が所定ピッチで配列する方向の一の向きにおいてのみ行う、
ことを特徴とする、脆性材料基板の分断方法。
The method for dividing a brittle material substrate according to claim 1,
In the breaking step, after completing the breaking operation for one of the break bar abutting positions, the substrate is shifted to perform the breaking operation for the next break bar abutting position. performed only in one direction of the direction in which they are arranged at a predetermined pitch,
A method for dividing a brittle material substrate, characterized by:
請求項1または請求項2に記載の脆性材料基板の分断方法であって、
前記脆性材料基板の上に、分断後に前記小サイズ個片となる領域に設けられた小サイズパターンと前記大サイズ個片となる領域に設けられた大サイズパターンとからなるパターンとが設けられてなり、
前記スクライブ工程においては、前記パターン同士の間から露出する前記脆性材料基板に対して、前記スクライブラインを形成する、
ことを特徴とする、脆性材料基板の分断方法。
The method for dividing a brittle material substrate according to claim 1 or claim 2,
A pattern is provided on the brittle material substrate, which consists of a small-sized pattern provided in a region that will become the small-sized individual pieces after division and a large-sized pattern provided in a region that will become the large-sized individual pieces. become,
In the scribing step, the scribe line is formed on the brittle material substrate exposed between the patterns.
A method for dividing a brittle material substrate, characterized by:
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