JP7252956B2 - pressure sensor device - Google Patents
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Description
本発明は、ダイアフラムにより流体の圧力を感知する圧力センサ装置に関し、特に、ダイアフラムとともに半導体圧力センサ素子を構成する台座を圧力センサ装置のハウジング又はケースに固定するための接着剤層が剥がれることのない圧力センサ装置に関する。 The present invention relates to a pressure sensor device that senses the pressure of a fluid with a diaphragm, and in particular, an adhesive layer for fixing a pedestal constituting a semiconductor pressure sensor element together with a diaphragm to a housing or case of the pressure sensor device without peeling off. It relates to a pressure sensor device.
図5は、特許第4281178号公報(特許文献1)の図1に示された従来の半導体圧力センサ装置の分解斜視図である。また図6は、特許第4281178号公報(特許文献1)の図2に示された従来の半導体圧力センサ装置の断面図である。この従来の半導体圧力センサ装置は、半導体圧力センサ素子が配設され樹脂成形されたセンサケース20と、このセンサケース20から一部が露出するように該センサケース20にインサート成形されるとともにセンサ素子と電気的に接続されたリード30と、センサケース20に組み付けられてセンサ素子を覆う外側ケース40と、外側ケース40に形成されリード30の露出部を囲う囲い部42とを備えている。そして、リード30の露出部と囲い部42とにより、リード30の露出部を外部端子に接続可能なコネクタ部を構成している。センサケース20と外側ケース40は、スライド動作により嵌合されており、センサケース20と外側ケース40との間に設けた係合構造(25,47)により抜け止めが図られている。またセンサケース20には、被測定流体が流入する圧力導入ポート21が一体に設けられている。
FIG. 5 is an exploded perspective view of the conventional semiconductor pressure sensor device shown in FIG. 1 of Japanese Patent No. 4281178 (Patent Document 1). FIG. 6 is a sectional view of the conventional semiconductor pressure sensor device shown in FIG. 2 of Japanese Patent No. 4281178 (Patent Document 1). This conventional semiconductor pressure sensor device comprises a resin-molded
図6に示すように、センサケース20は、その一側にセンサ素子10等が配設された開口部20aを有し、この開口部20aの底面より反対側に突出した圧力導入ポート21を有する。この圧力導入ポート21の先端部は、例えば給湯器の流路の適所にOリング等を介して取付け可能となっている。圧力導入ポート21の内部には、上記流路からの圧力を導入するための導入孔22が設けられている。
As shown in FIG. 6, the
センサケース20における開口部20aの底面には、その平坦部から凹んだ凹部23が形成され、この凹部23内に、センサ素子10の台座11が固定されている。センサ素子10は、図示しないが、ピエゾ抵抗効果を有した半導体材料(例えば単結晶シリコン)よりなるダイアフラム上に複数個の拡散抵抗を形成して、これら拡散抵抗をブリッジ接続した構成となっており、このダイアフラムの変形に応じた拡散抵抗の抵抗値変化をブリッジ回路から電気信号として取り出すようになっている。
A
センサ素子10のダイアフラムは台座11にガラス接合等にて接着されており、この台座11の内部には、導入孔22と連通する貫通孔が形成されている。流路からの圧力は導入孔22から台座11の貫通孔を経て、センサ素子10のダイアフラムに伝達される。台座11は、凹部23の底面に接着剤層を介して接合されている。また、凹部23内にはガラスよりなる台座11の貫通孔と導入孔22との気密性を高めるために、封止剤24が充填されている。
A diaphragm of the
センサケース20の開口部20a内には、センサ素子10からの出力信号を増幅する増幅回路としてのバイポーラトランジスタ素子12、これらセンサ素子10からの出力信号やバイポーラトランジスタ素子12の信号等を調整する調整回路としてのMOSトランジスタ素子13が、接着剤により固定されている。
In the opening 20a of the
センサ素子10、バイポーラトランジスタ素子12、MOSトランジスタ素子13、及び、リード30は、ワイヤボンディングにより形成されたワイヤ14により、適宜互いに電気的に接続されている。センサ素子10からの電気信号(出力)は、これらワイヤ14を通して、各素子12、13及びリード30、リードの露出部から外部へ取り出される。
The
特許文献1の半導体圧力センサ装置では、台座11が凹部23の底面に接着剤層を介して接合されているが、台座の貫通孔に進入する流体の圧力で、接着剤層が剥がれる可能性がある。特に流体が接着剤を溶かした場合には、接着剤層が剥がれる可能性が高くなる。
In the semiconductor pressure sensor device of
本発明の目的は、台座を固定するための接着剤層が剥がれることのない圧力センサ装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pressure sensor device in which an adhesive layer for fixing a pedestal does not come off.
本発明は、センサ回路が形成されるダイアフラム部を備えた半導体圧力センサ素子と、該ダイアフラム部の外周部を支持する筒状の台座と、流体導入路を通して台座の内部通路に導入された流体の圧力が作用するように半導体圧力センサ素子が取り付けられる被取付壁部を有する電気絶縁性を有するケースを備えた圧力センサ装置を改良の対象とする。本発明においては、台座は半導体圧力センサ素子の周囲に取付部を備えた形状を有している。そして台座の取付部がケースの被取付壁部に接着剤で接合されている。 The present invention comprises a semiconductor pressure sensor element having a diaphragm portion in which a sensor circuit is formed, a cylindrical pedestal supporting the outer peripheral portion of the diaphragm portion, and a fluid introduced into an internal passage of the pedestal through a fluid introduction passage. An object of improvement is a pressure sensor device provided with an electrically insulating case having a mounted wall portion to which a semiconductor pressure sensor element is mounted so that a pressure acts thereon. In the present invention, the pedestal has a shape with a mounting portion around the semiconductor pressure sensor element. The mounting portion of the pedestal is bonded to the mounted wall portion of the case with an adhesive.
本発明の構造によれば、ダイアフラムに流体から加わる圧力が、台座の取付部をケースの被取付壁部に押し付ける方向に作用する。その結果、流体の圧力で接着剤の層が剥がれることを阻止することができる。 According to the structure of the present invention, the pressure applied to the diaphragm from the fluid acts in the direction of pressing the attachment portion of the pedestal against the attached wall portion of the case. As a result, it is possible to prevent the adhesive layer from peeling off due to the pressure of the fluid.
具体的な構造では、半導体基板の中央部に半導体圧力センサ素子が形成されてなる加工済み半導体基板が、台座の上面に接合されている。そして台座に接合された状態の加工済み半導体基板には、半導体圧力センサ素子とその周囲部分とを分離する溝部が形成されている。さらに周囲部分が台座の取付部を構成している。この溝部は、台座の取付部に加わる応力が半導体圧力センサ素子に伝わることを阻止している。したがって接着剤を用いた取付によっても圧力の検出精度が低下することがない。 In a specific structure, a processed semiconductor substrate having a semiconductor pressure sensor element formed in the central portion of the semiconductor substrate is bonded to the upper surface of the pedestal. A groove is formed in the processed semiconductor substrate bonded to the pedestal to separate the semiconductor pressure sensor element from its surrounding portion. Further, the peripheral portion constitutes a mounting portion for the pedestal. This groove prevents the stress applied to the mounting portion of the pedestal from being transmitted to the semiconductor pressure sensor element. Therefore, the pressure detection accuracy is not degraded even when the adhesive is used for attachment.
なお溝部は台座の内部まで入り込んでいるのが好ましい。このようにするとより確実に応力の伝達を阻止することができる。 In addition, it is preferable that the groove part enters into the inside of the pedestal. By doing so, the transmission of stress can be prevented more reliably.
ケースの流体導入路の内部には、台座の内部通路の入口部を囲む環状の下面との間にO-リングを挟む環状面が形成されているのが好ましい。O-リングの存在によって、流体が台座の表面側に侵入することを阻止することができる。 It is preferable that an annular surface sandwiching an O-ring is formed inside the fluid introduction path of the case and an annular lower surface surrounding the inlet of the internal passage of the pedestal. The presence of the O-ring can prevent fluid from entering the surface side of the pedestal.
なお流体導入路を内部に有する第1のケース部と、半導体圧力センサ素子と回路基板を収納し且つ被取付壁部を備え、第1のケース部との間に半導体圧力センサ素子を収納する収納空間を形成する第2のケース部と、第1のケース部の本体と第2のケース部を収納する第3のケース部からハウジングを構成してもよい。このハウジングを採用した場合、第1のケース部には、流体導入路と同心的に形成され、O-リングを収納し且つ底部に前記環状面を備えた環状の凹部が形成されているのが好ましい。この構造によれば、O-リングの位置決めを簡単に実現できる。 A housing for housing the semiconductor pressure sensor element between the first case portion having the fluid introduction path therein and a mounting wall portion for housing the semiconductor pressure sensor element and the circuit board and for housing the semiconductor pressure sensor element. The housing may be composed of a second case portion forming the space and a third case portion accommodating the main body of the first case portion and the second case portion. When this housing is employed, the first case portion is formed concentrically with the fluid introduction path, and is formed with an annular recess that accommodates the O-ring and has the annular surface at the bottom. preferable. With this structure, the positioning of the O-ring can be easily achieved.
以下図面を参照して、本発明の圧力センサ装置の実施の形態について説明する。図1(A)乃至(D)は、第1の実施の形態の半導体圧力センサ装置の平面図、右側面図、底面図及び正面図であり、図2は図1の圧力センサ装置の分解組立図であり、図3は図1(C)のIII-III線断面図である。 Embodiments of the pressure sensor device of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A to 1D are a plan view, a right side view, a bottom view and a front view of the semiconductor pressure sensor device of the first embodiment, and FIG. 2 is an exploded assembly of the pressure sensor device of FIG. FIG. 3 is a sectional view taken along line III--III of FIG. 1(C).
第1の実施の形態の圧力センサ装置は、第1のケース1と、リード端子3と、第2のケース5(図2、図3)と、第3のケース7とを備えている。なお従来の構造と同様の部分には、図5及び図6に付した符号と同じ符号を付してある。第1のケース1は、図2に示すように外形が平板な直方体状本体1Aの上面中央に環状凹部9が設けられ、下面からは下方に向けて圧力導入ポート21が突出している。圧力導入ポート21内部の導入孔22は環状凹部9の底部中央に貫通している。
The pressure sensor device of the first embodiment includes a
第2のケース5は直方体状の外形を有し、リード端子3が埋め込まれて前面から露出している。第2のケース5の上下の面にはそれぞれ上面凹陥部15と下面凹陥部16が設けられている。下面凹陥部16の中には半導体圧力センサ素子17が収納され、上面凹陥部15の中には半導体圧力センサ素子17の出力信号を処理する集積回路2と、電源回路及び調製回路を含み、リード端子3を通じて外部に圧力値に応じた電気信号を出力する回路基板18が収納される。上面凹陥部15と下面凹陥部16との間は一部が貫通しており、下面凹陥部16の上面の一部が被取付壁部19を構成する。
The
第1のケース1、第2のケース5、第3のケース7及びコネクタカバー4はいずれも電気絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂製であり、相互に係合して固定される係合構造が相応する位置に形成されている。第3のケース7は前面が開放した直方体形状であり、その中に相互に係合された第1のケース1の本体と第2のケース5を収納することができる。リード端子3にはコネクタカバー4が被せられてコネクタを形成する。
The
図3に示すように、本実施の形態における半導体圧力センサ素子17は、センサ回路が形成されるダイアフラム26を備えている。半導体圧力センサ素子17は、ダイアフラム26の外周部を支持する筒状の台座28に固定されている。第2のケース5は、第1のケース1の内部の流体導入路である導入孔22及び円筒型凹陥部9を通して台座28の内部通路32に導入された流体の圧力が作用するように半導体圧力センサ素子17が取り付けられる被取付壁部19を有する。台座28は半導体圧力センサ素子17の周囲に取付部29を備えた形状を有している。後述するように、本実施の形態の取付部29は、半導体圧力センサ素子17を形成するために用いられた加工済み半導体基板SSの一部によって構成されている。
As shown in FIG. 3, the semiconductor
台座28の取付部29が第2のケース5の被取付壁部19に、流体によって溶けることがない接着剤で接合されている。被取付壁部19と取付部29との間の接着剤層(厚みが薄いため図示していない)は、ダイアフラム26が受ける圧力の方向に対しほぼ直角に延びている。すなわち、ダイアフラム26と接着剤層とはほぼ面一又は平行な位置と姿勢の関係にある。
The mounting
流体によって溶けることがない接着剤とは、例えば流体が水性であれば水に実質的に溶解しない材質であり、流体が有機溶液であれば有機物に実質的に溶解しない材質であり、あるいは流体が酸又はアルカリ溶液の場合にはこれに実質的に冒されない材質であることを意味し、測定対象となる流体の性質や温度やpHや圧力の範囲等に応じて、溶解度、耐酸/アルカリ性、耐熱性、耐薬品性等を考慮の上、適当な接着剤が選択される。 The adhesive that does not dissolve in a fluid is, for example, a material that is substantially insoluble in water if the fluid is aqueous, a material that is substantially insoluble in organic matter if the fluid is an organic solution, or a material in which the fluid is In the case of an acid or alkaline solution, it means a material that is substantially unaffected by this. Depending on the properties, temperature, pH and pressure range of the fluid to be measured, solubility, acid/alkaline resistance, and heat resistance An appropriate adhesive is selected in consideration of properties, chemical resistance, and the like.
また台座28は十分な剛性と流体に対する耐腐食性等を有する材料、例えばガラス製であり、接着剤はガラス製の台座28と合成樹脂製の第2のケース5を被接着材として良好な接着性能を発揮するものでなければならないのはもとよりである。
The
さらに具体的な構造では、半導体基板の中央部に半導体圧力センサ素子17が形成されてなる加工済み半導体基板SSが、台座28の上面に接合されている。そして台座28に接合された状態の加工済み半導体基板SSには、半導体圧力センサ素子17とその周囲部分とを分離する溝部33が形成されている。すなわち溝部33は半導体圧力センサ素子17の方形の上面を井桁状に区切る4本の直線状に延びており、中央のダイアフラム26が4本の溝部33により周囲部分と分離されている。さらに周囲部分が台座28の取付部29を構成している。この溝部33は、台座28の取付部29に加わる応力が半導体圧力センサ素子17に伝わることを阻止している。したがって接着剤を用いた取付によっても圧力の検出精度が低下することがない。
In a more specific structure, a processed semiconductor substrate SS having a semiconductor
なお溝部33は台座28の内部まで入り込んでいる。このようにするとより確実に応力の伝達を阻止することができる。
Note that the
第1のケース1の流体導入路を構成する環状凹部9の内部には、台座28の内部通路32の入口部を囲む環状の下面との間にO-リング27を挟む環状面34が形成されている。O-リング27の存在によって、流体が台座28の表面側に侵入することを阻止することができる。O-リング27は弾力性を有し、環状凹部9の深さよりもやや大きい太さに形成されているので、第1のケース1と第2のケース5とが組み立てられたときに、台座28の底面と環状面34とに密着して流体を密封する。O-リング27の材料も取り扱う流体に対する耐性を有するものが選ばれ、汎用性のある材料としては例えばシリコーンゴムが挙げられる。
An
なお本実施の形態は、導入孔22と環状凹部9とから構成される流体導入路を内部に有する第1のケース1と、半導体圧力センサ素子17と回路基板18を収納し且つ被取付壁部19を備え、第1のケース1との間に半導体圧力センサ素子17を収納する収納空間を形成する第2のケース5と、第1のケース1の本体と第2のケース5を収納する第3のケース7からハウジングが構成されている。このようなハウジングを採用したので、第1のケース1には、流体導入路と同心的に形成され、O-リング27を収納し且つ底部に環状面34を備えた環状凹部9が形成されており、O-リング27の位置決めを簡単に実現できる。
In this embodiment, the
次に第1の実施の形態の作用について説明する。図2に示すように、第1の実施の形態に係る圧力センサ装置は、第1のケース1の環状凹部9内の環状面34上にO-リング27を載置し、さらにその上に半導体圧力センサ素子17を載置する。次に半導体圧力センサ素子17の台座28の取付部29に接着剤を塗布し、続いて第2のケース5の被取付壁部19がその上に載るように、第2のケース2の下面凹陥部16内に半導体圧力センサ素子17を収納するために、第1のケース1と第2のケース5とを相互に近づけていき、嵌合構造により嵌合する。このとき、可撓性を有するO-リング27は、環状面34と台座28の底面との間で応力を受けて変形し、環状面34と台座28の底面に密着して流体が漏れないように密封するとともに、半導体圧力センサ素子19を上方に付勢して台座28の取付部29を第2のケース5の被取付壁部19に向かう方向に押し付けて、接着剤による接着を確実なものにする。
Next, operation of the first embodiment will be described. As shown in FIG. 2, in the pressure sensor device according to the first embodiment, an O-
次に第2のケース5の上面凹陥部15内に配置した集積回路2と回路基板18、及び半導体圧力センサ素子17とリード端子3それぞれの間で必要な配線が行われたら、第1のケース1本体と第2のケース5を第3のケース7内に収納し、リード端子3を覆うようにコネクタカバー4が嵌合されて、圧力センサ装置が組み立てられる。
Next, after necessary wiring is performed between the
以上のような圧力センサ装置において、半導体圧力センサ素子17は、ダイアフラム26に導入孔22、環状凹部9及び内部通路32を通じて外部の圧力が作用すると、ダイアフラム26が変形して抵抗素子の抵抗値が変化し、抵抗値の変化を抵抗ブリッジ回路(図示していない)により検知して、圧力に比例した信号を出力する。信号は集積回路2により処理され、回路基板18を経てリード端子3から外部に出力される。
In the pressure sensor device as described above, when external pressure is applied to the
計測される流体の圧力は、ダイアフラム26に作用するが、ダイアフラム26に流体を介して加わる圧力が、台座28の取付部29を第2のケース5の被取付壁部19に押し付ける方向に作用する。その結果、流体の圧力で接着剤の層が剥がれることを阻止することができる。
The pressure of the fluid to be measured acts on the
図4は本発明の第2の実施の形態の車載用の圧力センサ装置の製造途中の状態の断面図を示す。この圧力センサ装置は、センサ回路が形成されるダイアフラム35を備えた半導体圧力センサ素子37と、ダイアフラム35の外周部を支持する筒状の台座36と、流体導入路38を通して台座36の内部通路39に導入された流体の圧力が作用するように半導体圧力センサ素子37が取り付けられる被取付壁部41を有する電気絶縁性を有する素子ケース43を備えている。
FIG. 4 shows a cross-sectional view of a vehicle-mounted pressure sensor device according to a second embodiment of the present invention, which is in the middle of manufacturing. This pressure sensor device comprises a semiconductor
台座36はダイアフラム35の周囲に取付部44を備えた形状を有している。そして台座36の取付部44が素子ケース43の被取付壁部41に、流体によって溶けることがない接着剤で接合されている。
The
素子ケース43は、流体導入路38を有する雌型ケース45と、リード端子46が突き出た雄型ケース47との間に挟まれて固定される。素子ケース43の外周面と雌型ケース45の内周面との間には、O-リング48が配置されている。このO-リング48は、流体が雄型ケース47内に入り込むのを阻止する。
The
本実施の形態では、雌型ケース45の被カシメ部46を雄型ケース47の肩部に向かってカシメ加工することにより、雌型ケース45と雄型ケース47は、一体化される。
In this embodiment, the
本発明によれば、ダイアフラムに流体から加わる圧力が、台座の取付部をケースの被取付壁部に押し付ける方向に作用するので、流体の圧力で接着剤の層が剥がれることを阻止できる。 According to the present invention, the pressure applied to the diaphragm from the fluid acts in the direction of pressing the mounting portion of the pedestal against the mounted wall portion of the case, thereby preventing the adhesive layer from peeling off due to the pressure of the fluid.
1 第1のケース
2 集積回路
3 リード端子
4 コネクタカバー
5 第2のケース
7 第3のケース
9 円筒形凹陥部
15 上面凹陥部
16 下面凹陥部
17 半導体圧力センサ素子
18 回路基板
19 被取付壁部
21 圧力導入ポート
22 導入孔
26 ダイアフラム部
27 O-リング
28 台座
29 取付部
32 内部通路
33 溝部
34 環状面
35 ダイアフラム
36 台座
37 半導体圧力センサ素子
38 流体導入路
39 内部通路
41 被取付壁部
43 素子ケース
44 取付部
45 雌型ケース
46 リード端子
47 雄型ケース
REFERENCE SIGNS
Claims (4)
前記ダイアフラム部の外周部を支持する筒状の台座と、
流体導入路を通して前記台座の内部通路に導入された流体の圧力が作用するように前記半導体圧力センサ素子が取り付けられる被取付壁部を有する電気絶縁性を有するケースを備えた圧力センサ装置であって、
前記台座は前記半導体圧力センサ素子の周囲に取付部を備えた形状を有しており、
前記台座の前記取付部が前記ケースの前記被取付壁部に接着剤で接合されており、
半導体基板の中央部に前記半導体圧力センサ素子が形成されてなる加工済み半導体基板が、前記台座の上面に接合されており、
前記台座に接合された状態の前記加工済み半導体基板には、前記半導体圧力センサ素子とその周囲部分とを分離する溝部が形成されており、
前記周囲部分が前記台座の前記取付部を構成していることを特徴とする半導体圧力センサ装置。 a semiconductor pressure sensor element having a diaphragm portion in which a sensor circuit is formed;
a cylindrical pedestal that supports the outer peripheral portion of the diaphragm;
A pressure sensor device comprising an electrically insulating case having a mounted wall portion on which the semiconductor pressure sensor element is mounted so that the pressure of the fluid introduced into the internal passage of the base through the fluid introduction passage acts on the pressure sensor device, ,
The pedestal has a shape with a mounting portion around the semiconductor pressure sensor element,
the mounting portion of the pedestal is bonded to the mounted wall portion of the case with an adhesive ;
A processed semiconductor substrate having the semiconductor pressure sensor element formed in the center of the semiconductor substrate is bonded to the upper surface of the pedestal,
The processed semiconductor substrate bonded to the pedestal is formed with a groove for separating the semiconductor pressure sensor element from its surrounding portion,
The semiconductor pressure sensor device , wherein the peripheral portion constitutes the mounting portion of the base .
前記半導体圧力センサ素子と回路基板を収納し且つ前記被取付壁部を備え、前記第1のケース部との間に前記半導体圧力センサ素子を収納する収納空間を形成する第2のケース部と、
前記第1のケース部の本体と前記第2のケース部を収納する第3のケース部から構成されるハウジングを有し、
前記第1のケース部には、前記流体導入路と同心的に形成され、前記O-リングを収納し且つ底部に前記環状面を備えた環状の凹部が形成されている請求項3に記載の半導体圧力センサ装置。
a first case portion having the fluid introduction path therein;
a second case portion that accommodates the semiconductor pressure sensor element and the circuit board, has the attached wall portion, and forms a storage space that accommodates the semiconductor pressure sensor element between itself and the first case portion;
a housing composed of a main body of the first case portion and a third case portion that houses the second case portion;
4. The first case part according to claim 3 , wherein an annular recess is formed concentrically with the fluid introduction path, accommodates the O-ring, and has the annular surface at the bottom. Semiconductor pressure sensor device.
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