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JP7252871B2 - SUBSTRATE STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE USING SUBSTRATE STRUCTURE - Google Patents

SUBSTRATE STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE USING SUBSTRATE STRUCTURE Download PDF

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JP7252871B2
JP7252871B2 JP2019175138A JP2019175138A JP7252871B2 JP 7252871 B2 JP7252871 B2 JP 7252871B2 JP 2019175138 A JP2019175138 A JP 2019175138A JP 2019175138 A JP2019175138 A JP 2019175138A JP 7252871 B2 JP7252871 B2 JP 7252871B2
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本開示は、基体構造体及び基体構造体を用いた電子デバイスに関する。 The present disclosure relates to a base structure and an electronic device using the base structure.

例えば、弾性波チップを用いた電子デバイスとして特許文献1(弾性表面波装置)が知られている。特許文献1に開示される弾性表面波装置は、回路配線基板と、この回路配線基板に実装された弾性表面波素子と、この弾性表面波素子の側面を囲い回路配線基板に接合された封止樹脂と、を有している。回路配線基板と弾性表面波素子との間には、空間が位置している。 For example, Patent Document 1 (surface acoustic wave device) is known as an electronic device using an acoustic wave chip. The surface acoustic wave device disclosed in Patent Document 1 includes a circuit wiring board, a surface acoustic wave element mounted on the circuit wiring board, and a seal enclosing the side surface of the surface acoustic wave element and joined to the circuit wiring board. and a resin. A space is located between the circuit wiring board and the surface acoustic wave element.

特開2017-175427号公報JP 2017-175427 A

耐久性のある基体構造体及び電子デバイスの提供が待たれている。 There is a need for durable substrate structures and electronic devices.

本開示の一態様にかかる基体構造体は、
第1面と、前記第1面上に位置する第1パッドと、を有する基体と、
前記第1面に重ねられ、前記第1パッドを囲う第1開口部があけられた接合部材と、
を有し、
前記接合部材は、補強材と、前記補強材に含浸された母材と、を有している。
A base structure according to one aspect of the present disclosure includes:
a substrate having a first surface and a first pad located on the first surface;
a joining member overlaid on the first surface and provided with a first opening surrounding the first pad;
has
The joining member has a reinforcing material and a base material impregnated with the reinforcing material.

本開示の一態様にかかる電子デバイスは、
第1面と、前記第1面上に位置する第1パッドと、を有する基体と、
前記第1面に重ねられ、前記第1パッドを囲う第1開口部があけられた接合部材と、
前記第1開口部を介して前記第1面と対向している第1チップと、
前記第1チップ及び前記第1パッドを接合している第1バンプと、
前記第1チップの外周面を覆うと共に、前記接合部材によって前記基体に接合されている封止部と、
を有し、
前記接合部材は、補強材と、前記補強材に含浸された母材と、を有している。
An electronic device according to one aspect of the present disclosure includes:
a substrate having a first surface and a first pad located on the first surface;
a joining member overlaid on the first surface and provided with a first opening surrounding the first pad;
a first chip facing the first surface through the first opening;
a first bump bonding the first chip and the first pad;
a sealing portion that covers the outer peripheral surface of the first chip and is joined to the base by the joining member;
has
The joining member has a reinforcing material and a base material impregnated with the reinforcing material.

上記構成によれば、基体構造体及び電子デバイスの耐久性を向上させることができる。 According to the above configuration, the durability of the base structure and the electronic device can be improved.

実施形態による基体構造体の斜視図である。1 is a perspective view of a base structure according to embodiments; FIG. 図1に示された基体構造体のII-II線断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of the base structure shown in FIG. 1; 図2に示されたIII拡大図である。3 is an enlarged view of III shown in FIG. 2; FIG. 図4Aは、複数のセラミックグリーンシートを積層した積層体を焼成することによって作成された基体を示す図であり、図4Bは、第1開口部及び第2開口部があけられた接合部材を作成することを説明する図であり、図4Cは、基体に接合部材を重ねることによって作成された基体構造体を示す図である。FIG. 4A is a diagram showing a substrate produced by firing a laminate in which a plurality of ceramic green sheets are laminated, and FIG. 4B shows a joining member having first and second openings. FIG. 4C is a diagram illustrating a substrate structure created by overlaying a bonding member on a substrate; FIG. 図5Aは、基体構造体と対象物とを接触させることを示した図であり、図5Bは、基体構造体及び対象物を圧着することを示した図であり、図5Cは、図5BのVc拡大図である。FIG. 5A is a diagram showing contacting the base structure and the object, FIG. 5B is a diagram showing crimping the base structure and the object, and FIG. It is a Vc enlarged view. 図2に示された基体構造体の変形例である。3 is a modification of the base structure shown in FIG. 2; 図1に示された基体構造体を用いた電子デバイスの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of an electronic device using the base structure shown in FIG. 1; 図7に示された電子デバイスのVIII-VIII線断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of the electronic device shown in FIG. 7 taken along line VIII-VIII; 図8に示された第1チップ又は第2チップの斜視図である。9 is a perspective view of a first chip or a second chip shown in FIG. 8; FIG. 図8に示されたX拡大図である。9 is an X enlarged view shown in FIG. 8; FIG. 図11Aは、第1変形例における電子デバイスの第1チップ周辺を説明する図であり、図11Bは、第2変形例における電子デバイスの第1チップ周辺を説明する図である。FIG. 11A is a diagram illustrating the periphery of a first chip of an electronic device in a first modification, and FIG. 11B is a diagram illustrating the periphery of a first chip of an electronic device in a second modification.

本開示の実施形態を添付図を用いて以下説明する。前後左右上下の各方向は、図1を基準として、Frは前、Rrは後、Leは左、Riは右、Upは上、Dnは下を示している。尚、参照する各図面は模式的に示されており、細部が省略されていることもある。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the accompanying drawings. 1, Fr indicates front, Rr indicates rear, Le indicates left, Ri indicates right, Up indicates upper, and Dn indicates lower. It should be noted that each drawing to be referred to is shown schematically, and details may be omitted.

[実施形態]
(基体構造体)
図1を参照する。例えば、基体構造体10には、電子部品Pa1、Pa2を含んでいる対象物Obが接合される。例えば、基体構造体10は、電子部品Pa1、Pa2のパッケージの一部を構成し、電子部品Pa1、Pa2と不図示の回路基板との電気的な接続の仲介に寄与する。尚、基体構造体10に接合される対象物Obは、基体構造体10よりも大きくてもよいし、基体構造体10よりも小さくてもよい。
[Embodiment]
(Base structure)
Please refer to FIG. For example, an object Ob including electronic components Pa1 and Pa2 is joined to the base structure 10 . For example, the base structure 10 constitutes a part of the package of the electronic components Pa1 and Pa2, and contributes to the mediation of electrical connection between the electronic components Pa1 and Pa2 and a circuit board (not shown). The object Ob to be joined to the base structure 10 may be larger than the base structure 10 or smaller than the base structure 10 .

図1及び図2を参照する。例えば、基体構造体10は、基体20と、この基体20に重ねられた接合部材40と、を有している。 Please refer to FIGS. For example, the base structure 10 has a base 20 and a joining member 40 overlaid on the base 20 .

(基体)
基体20の形状は、任意である。図1に示す基体20は、平板形状を呈した基板である。平板形状を呈する基体20は、平面視において、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよいし、楕円形状を呈していてもよい。更に、基体20は、その全体が立方形状または円柱形状等を呈していてもよい。
(substrate)
The shape of the substrate 20 is arbitrary. The substrate 20 shown in FIG. 1 is a flat substrate. The substrate 20 having a flat plate shape may have a rectangular shape, a circular shape, or an elliptical shape in plan view. Furthermore, the base body 20 may have a cubic shape, a cylindrical shape, or the like as a whole.

基体20のヤング率は、例えば、250~420GPaである。基体20の熱膨張係数は、例えば、5~12ppm/Kである。 The Young's modulus of the substrate 20 is, for example, 250-420 GPa. The coefficient of thermal expansion of the substrate 20 is, for example, 5-12 ppm/K.

1つの態様として、基体20は、上面及び下面のみに合計2つの導体層を有する両面板である。1つの態様として、基体20は、上面にのみ導体層を有する単層基板である。1つの態様として、基体20は、3層以上の導体層を有する多層板である。本実施形態においては、多層板の基板が示されている。 As one aspect, the substrate 20 is a double-sided board having a total of two conductor layers only on the top and bottom surfaces. As one aspect, the substrate 20 is a single-layer substrate having a conductor layer only on the top surface. As one aspect, the substrate 20 is a multi-layer board having three or more conductor layers. In this embodiment, a multi-layer substrate is shown.

図2に示す基体20は、絶縁性の基体本体部21と、この基体本体部21の内部及び表面(外部)に位置する導体30と、を有している。 The substrate 20 shown in FIG. 2 has an insulating substrate main body 21 and conductors 30 positioned inside and on the surface (outside) of the substrate main body 21 .

基体本体部21の材料は、任意である。例えば、基体本体部21の材料は、無機材料であってもよいし、有機材料であってもよい。無機材料としては、例えば、セラミック、複数の無機粒子を互いに結合したアモルファス状態の材料を挙げることができる。有機材料としては、例えば、樹脂を挙げることができる。樹脂は、例えば、フィラーを含んでいてもよい。本実施形態では、基体本体部21の材料が無機材料である場合を例に取る。 The material of the base body portion 21 is arbitrary. For example, the material of the base body portion 21 may be an inorganic material or an organic material. Examples of inorganic materials include ceramics and amorphous materials in which a plurality of inorganic particles are bonded together. Examples of organic materials include resins. The resin may contain fillers, for example. In this embodiment, the case where the material of the base body portion 21 is an inorganic material is taken as an example.

図2に示す基体本体部21は、接合部材40が重ねられた第1面21aと、この第1面21aの反対側に位置する第2面21bと、これら第1面21a及び第2面21bを繋いでいる第3面21cと、を有している。 The base body 21 shown in FIG. 2 has a first surface 21a on which the joining member 40 is superimposed, a second surface 21b located on the opposite side of the first surface 21a, and the first surface 21a and the second surface 21b. and a third surface 21c connecting the

導体30は、基体本体部21の第1面21aに位置する複数のパッド31A~31Dと、第2面21bに位置する複数の端子32A~32Fと、これらパッド31A~31D及び端子32A~32Fを繋ぐと共に基体本体部21の内部に位置している内部導体33と、を有している。以下、複数のパッド31A~31Dの中から任意に選択した1つを単にパッド31と呼び、複数の端子32A~32Fの中から任意に選択した1つを単に端子32と呼ぶこともある。 The conductor 30 includes a plurality of pads 31A-31D positioned on the first surface 21a of the base body 21, a plurality of terminals 32A-32F positioned on the second surface 21b, and these pads 31A-31D and terminals 32A-32F. and an internal conductor 33 that connects and is positioned inside the base body portion 21 . Hereinafter, one arbitrarily selected from among the plurality of pads 31A to 31D will be simply referred to as pad 31, and one arbitrarily selected from among the plurality of terminals 32A to 32F will be simply referred to as terminal 32.

パッド31A~31Dの大きさ及び形状は、任意である。例えば、パッド31A~31Dの厚さは、1μm以上30μm以下である。パッド31A~31Dは、その厚さが全て同一であってもよいし、その厚さがそれぞれ異なっていてもよいし、一部のパッド31Aのみが他のパッド31B、31C、31Dとの関係で厚さが異なっていてもよい。平面視におけるパッド31A~31Dの形状は、例えば、円形状であってもよいし、楕円形状であってもよいし、矩形状であってもよい。パッド31A~31Dは、その全ての形状が同一であってもよいし、その一部のパッド31Aのみが他のパッド31B、31C、31Dとの関係で形状が異なっていてもよい。 The size and shape of the pads 31A-31D are arbitrary. For example, the thickness of the pads 31A-31D is 1 μm or more and 30 μm or less. The thicknesses of the pads 31A to 31D may all be the same, or the thicknesses may be different. Different thicknesses are possible. The shape of the pads 31A to 31D in plan view may be circular, elliptical, or rectangular, for example. The pads 31A to 31D may all have the same shape, or only some of the pads 31A may have different shapes in relation to the other pads 31B, 31C, and 31D.

パッド31の数は、任意に設定することができる。例えば、パッド31の数は、4以上であってもよいし、8以上であってもよい。パッド31の数は、端子32の数に合わせて設定してもよい。尚、端子32の数は、任意に設定することができる。 The number of pads 31 can be set arbitrarily. For example, the number of pads 31 may be four or more, or may be eight or more. The number of pads 31 may be set according to the number of terminals 32 . The number of terminals 32 can be set arbitrarily.

端子32A~32Fの大きさ及び形状は、任意である。1つの態様として、端子32A~32Fは、矩形の平板形状を呈していてもよい。1つの態様として、端子32A~32Fは、上下方向に所定の長さを有する針形状を呈していてもよい。複数の端子32A~32Fは、その全てが同一の大きさであってもよいし、それぞれ大きさが異なっていてもよいし、大きさが異なる端子及び大きさが同一の端子が混在していてもよい。 The size and shape of the terminals 32A-32F are arbitrary. As one aspect, the terminals 32A-32F may have a rectangular flat plate shape. As one aspect, the terminals 32A to 32F may have a needle shape with a predetermined length in the vertical direction. The plurality of terminals 32A to 32F may all have the same size, may have different sizes, or may include terminals with different sizes and terminals with the same size. good too.

内部導体33は、ビア導体及び導体パターンによって構成されている。これらビア導体及び導体パターンは、互いに連続している。ビア導体の径は、例えば、60μm以上200μm以下としてもよい。ビア導体は、例えば、その断面の形状が円形状であってもよいし、矩形状であってもよい。導体パターンは、層状を呈している。導体パターンの厚さは、例えば、10μm以上100μm以下としてもよい。 The internal conductor 33 is composed of via conductors and conductor patterns. These via conductors and conductor patterns are continuous with each other. The diameter of the via conductor may be, for example, 60 μm or more and 200 μm or less. The via conductor may have, for example, a circular cross-sectional shape or a rectangular cross-sectional shape. The conductor pattern is layered. The thickness of the conductor pattern may be, for example, 10 μm or more and 100 μm or less.

尚、上記構成以外に、基体20の上面には、ソルダレジストが塗布されていてもよい。 In addition to the above configuration, the upper surface of the substrate 20 may be coated with a solder resist.

(接合部材)
図1を参照する。接合部材40は、基体20に重ねられており、基体20と対象物Obとの接合に寄与する。接合部材40は、基体20に接合された状態で重ねられていてもよいし、基体20に接合されていない状態で重ねられていてもよい。
(joining member)
Please refer to FIG. The bonding member 40 is superimposed on the base 20 and contributes to bonding between the base 20 and the object Ob. The bonding member 40 may be stacked while being bonded to the base 20 or may be stacked without being bonded to the base 20 .

接合部材40の形状は、任意である。図1に示す接合部材40は、層状(平板形状を含む)を呈している。接合部材40は、平面視にいて、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよい。接合部材40は、接合部材40が重ねられる基体20の面の形状に合わせて、その形状を変更してもよい。 The shape of the joining member 40 is arbitrary. The joining member 40 shown in FIG. 1 has a layered shape (including a flat plate shape). The joining member 40 may have a rectangular shape or a circular shape in plan view. The shape of the joining member 40 may be changed according to the shape of the surface of the base 20 on which the joining member 40 is placed.

平面視において、接合部材40は、第1面21aよりも僅かに大きくてもよいし、基体20の第1面21aよりも小さくてもよい。平面視における接合部材40の大きさは、第1面21aの大きさと同一であってもよい。接合部材40の厚さは、基体20の厚さの1/2以下であってもよいし、1/4以下であってもよいし、1/8以下であってもよいし、1/2以上であってもよい。接合部材40の厚さは、例えば、15μm以上100μm以下である。 In plan view, the joining member 40 may be slightly larger than the first surface 21 a or smaller than the first surface 21 a of the base 20 . The size of the joining member 40 in plan view may be the same as the size of the first surface 21a. The thickness of the joining member 40 may be 1/2 or less, 1/4 or less, 1/8 or less, or 1/2 the thickness of the base 20. or more. The thickness of the joining member 40 is, for example, 15 μm or more and 100 μm or less.

接合部材40(後述する母材60)は、硬化状態の部材であってもよいし、半硬化(未硬化)状態の部材であってもよい。半硬化状態の接合部材40は、例えば、熱が加えられることによって硬化する部材である。例えば、溶融した接合部材40に対象物Obを当接させ、対象物Obが当接された状態で接合部材40が硬化することによって、接合部材40に対象物Obが接合される。 The bonding member 40 (base material 60 to be described later) may be a cured member or a semi-cured (uncured) member. The semi-cured bonding member 40 is, for example, a member that is cured by applying heat. For example, the object Ob is joined to the joining member 40 by bringing the object Ob into contact with the joining member 40 that has melted and hardening the joining member 40 while the object Ob is in contact with the joining member 40 .

一方、硬化状態の接合部材40は、溶融した対象物Obが接合部材40と接触した状態で硬化することによって、対象物Obと接合する部材である。尚、硬化状態の接合部材40は、熱が加えられることによって溶融し、溶融した状態で対象物Obと接触され、その後硬化することにより対象物Obと接合する部材であってもよい。 On the other hand, the cured bonding member 40 is a member that is bonded to the object Ob by hardening while the molten object Ob is in contact with the bonding member 40 . Note that the hardened bonding member 40 may be a member that is melted by the application of heat, brought into contact with the object Ob in the molten state, and then hardened to be bonded to the object Ob.

接合部材40のヤング率は、例えば、15~150GPaである。接合部材40のヤング率は、例えば、セラミックを含む基体20のヤング率よりも小さい。接合部材40の熱膨張係数は、例えば、1~8ppm/Kである。接合部材40の熱膨張係数は、例えば、セラミックを含む基体20の熱膨張係数よりも小さい。 Young's modulus of the joint member 40 is, for example, 15 to 150 GPa. The Young's modulus of the joining member 40 is smaller than the Young's modulus of the substrate 20 containing ceramic, for example. The thermal expansion coefficient of the joining member 40 is, for example, 1-8 ppm/K. The thermal expansion coefficient of the joining member 40 is smaller than that of the substrate 20 containing ceramic, for example.

接合部材40は、補強材50と、この補強材50に含浸された母材60と、を有している。 The joining member 40 has a reinforcing material 50 and a base material 60 impregnated with this reinforcing material 50 .

図2を参照する。接合部材40には、接合部材40の上面及び下面に開口する2つの開口部40a、40bがあけられている。尚、一方の開口部40a(図2において左側に位置する開口部40a)を第1開口部40aと呼び、他方の開口部40b(図2において右側に位置する開口部40b)を第2開口部40bと呼ぶ。第1開口部40aは、補強材50にあけられた貫通穴50a(後述する第1穴部50a)、及び、母材60にあけられた貫通穴61(後述する第1貫通穴61)が重なることによって構成されている。一方、第2開口部40bは、補強材50にあけられた貫通穴50b(後述する第2穴部50b)、及び、母材60にあけられた貫通穴62(後述する第2貫通穴62)が重なることによって構成されている。第1開口部40aの内面は、パッド31A、31Bを囲っており、第2開口部40bの内面は、パッド31C、31Dを囲っている。 Please refer to FIG. The joining member 40 has two openings 40 a and 40 b that open to the upper and lower surfaces of the joining member 40 . One opening 40a (the opening 40a located on the left side in FIG. 2) is called the first opening 40a, and the other opening 40b (the opening 40b located on the right side in FIG. 2) is called the second opening. 40b. In the first opening 40a, a through hole 50a (first hole portion 50a described later) formed in the reinforcing member 50 and a through hole 61 formed in the base material 60 (first through hole 61 described later) overlap. It is composed by On the other hand, the second opening 40b includes a through hole 50b (second hole 50b described later) formed in the reinforcing member 50 and a through hole 62 formed in the base material 60 (second through hole 62 described later). are composed by overlapping The inner surface of the first opening 40a surrounds the pads 31A and 31B, and the inner surface of the second opening 40b surrounds the pads 31C and 31D.

第1開口部40a及び第2開口部40bの大きさ及び形状は、任意である。第1開口部40a及び第2開口部40bは、それぞれ大きさが同一であってもよいし、大きさが異なっていてもよい。平面視における第1開口部40a及び第2開口部40bは、矩形状であってもよいし、円形状であってもよいし、楕円形状であってもよい。平面視における第1開口部40a及び第2開口部40bは、それぞれ同一の形状を呈していてもよいし、異なる形状を呈していてもよい。 The size and shape of the first opening 40a and the second opening 40b are arbitrary. The first opening 40a and the second opening 40b may have the same size, or may have different sizes. The first opening 40a and the second opening 40b in plan view may be rectangular, circular, or elliptical. The first opening 40a and the second opening 40b in plan view may have the same shape, or may have different shapes.

(補強材)
接合部材40を構成する補強材50について説明する。1つの態様として、補強材50は布である。布は、織布であってもよいし、不織布であってもよい。図2には、織布である補強材50が示されている。補強材50の密度は、任意に設定される。例えば、縦糸密度及び横糸密度は、それぞれ10~100本/25mmの範囲内に設定されてもよい。
(reinforcing material)
The reinforcement member 50 that constitutes the joint member 40 will be described. In one aspect, stiffener 50 is a fabric. The fabric may be woven or non-woven. FIG. 2 shows a reinforcing material 50 which is a woven fabric. The density of the reinforcing material 50 is set arbitrarily. For example, the warp density and the weft density may each be set within a range of 10 to 100 threads/25 mm.

補強材50の大きさ及び形状は、任意である。平面透視において、補強材50は、母材60よりも大きくてもよいし、母材60と同一の大きさであってもよいし、母材60よりも小さくてもよい。更に、補強材50の厚さ は、例えば、母材60の厚さの1以下であってもよいし、母材60の厚さの2/3以下であってもよいし、母材60の厚さの1/3以下であってもよい。尚、補強材50は、母材60より厚くてもよい。補強材50の厚さは、例えば、15μm以上100μm以下である。補強材50は、平面透視において、例えば、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよい。 The size and shape of the reinforcing member 50 are arbitrary. The reinforcing material 50 may be larger than the base material 60 , may be the same size as the base material 60 , or may be smaller than the base material 60 when viewed through the plane. Further, the thickness of the reinforcing material 50 may be, for example, 1 or less of the thickness of the base material 60, or may be 2/3 or less of the thickness of the base material 60. It may be 1/3 or less of the thickness. Note that the reinforcement member 50 may be thicker than the base member 60 . The thickness of the reinforcing member 50 is, for example, 15 μm or more and 100 μm or less. The reinforcing member 50 may have, for example, a rectangular shape or a circular shape when viewed through a plane.

図2に示す補強材50は、前後方向に延びている縦糸51と、この縦糸51に交差し左右方向に延びている横糸52と、を有している。図3を併せて参照する。縦糸51は、前後方向に延びる繊維部51aが複数集まって構成されている。一方、横糸52は、左右方向に延びる繊維部52aが複数集まって構成されている。 The reinforcing material 50 shown in FIG. 2 has warp yarns 51 extending in the front-rear direction and weft yarns 52 crossing the warp yarns 51 and extending in the left-right direction. Also refer to FIG. The warp yarn 51 is formed by gathering a plurality of fiber portions 51a extending in the front-rear direction. On the other hand, the weft thread 52 is formed by gathering a plurality of fiber portions 52a extending in the left-right direction.

縦糸51及び横糸52は、例えば、ガラス繊維のみによって構成されていてもよいし、炭素繊維のみによって構成されていてもよい。更に、縦糸51及び横糸52は、一部がガラス繊維で構成され、残部がガラス以外の素材(例えば、炭素繊維)によって構成されていてもよい。縦糸51及び横糸52がガラス繊維を含んでいる場合、補強材50(布)は、ガラスクロスである、と言うことができる。ガラスクロスは、例えば、二酸化ケイ素(SiO)を主成分とするガラスを含んでいてもよい。 The warp yarns 51 and the weft yarns 52 may be composed of, for example, only glass fibers, or may be composed only of carbon fibers. Furthermore, the warp yarns 51 and the weft yarns 52 may be partly made of glass fiber and the rest made of a material other than glass (for example, carbon fiber). If the warp yarns 51 and weft yarns 52 contain glass fibers, it can be said that the reinforcing material 50 (fabric) is glass cloth. The glass cloth may contain, for example, glass containing silicon dioxide (SiO 2 ) as a main component.

縦糸51は、縦糸51が延びる方向に垂直な断面を見て、水平方向に繊維部51aが複数並んだ細長い形状をしていてもよい。一方、横糸52は、横糸52が延びる方向に垂直な断面を見て、水平方向に繊維部52aが複数並んだ細長い形状をしていてよい。縦糸51及び横糸52がこのような形状をしていることにより、ガラスクロス(布)を薄くすることができる。これにより、基体構造体10がコンパクトになる。 The warp yarn 51 may have an elongated shape in which a plurality of fiber portions 51a are arranged in the horizontal direction when viewed in a cross section perpendicular to the direction in which the warp yarn 51 extends. On the other hand, the weft thread 52 may have an elongated shape in which a plurality of fiber portions 52a are arranged in the horizontal direction when viewed in a cross section perpendicular to the direction in which the weft thread 52 extends. The glass cloth (cloth) can be thinned by forming the warp yarn 51 and the weft yarn 52 in such a shape. This makes the base structure 10 compact.

図2に示す補強材50は、その大部分が母材60によって覆われている。別の観点では、補強材50は、その大部分が母材60の内部に位置し、一部を母材60の表面から外部に露出させている。例えば、補強材50は、その上面が母材60の上面から外部に露出していてもよいし、その側面が母材60の側面から外部に露出していてもよい。但し、その他の態様において、補強材50は、その全体が母材60の内部に位置していてもよい。 Most of the reinforcing material 50 shown in FIG. 2 is covered with the base material 60 . From another point of view, most of the reinforcement member 50 is located inside the base material 60 and part of the reinforcement member 50 is exposed outside from the surface of the base material 60 . For example, the upper surface of the reinforcing member 50 may be exposed to the outside from the upper surface of the base material 60 , or the side surface thereof may be exposed to the outside from the side surface of the base material 60 . However, in other aspects, the reinforcing member 50 may be wholly located inside the base member 60 .

補強材50における母材60の外部に位置する部位の割合は、補強材50における母材60の内部に位置する部位の割合よりも大きくてもよいし、補強材50における母材60の内部に位置する部位の割合よりも小さくてもよい。補強材50は、全体の体積における1%以下を外部に露出させていてもよいし、全体の体積における5%以下を外部に露出させていてもよいし、全体の体積における10%以下を外部に露出させていてもよいし、全体の体積における50%以下を外部に露出させてもよいし、全体の体積における50%以上を外部に露出させていてもよい。 The proportion of the portion of the reinforcing material 50 located outside the base material 60 may be greater than the proportion of the portion of the reinforcing material 50 located inside the base material 60 , or the proportion of the portion of the reinforcing material 50 located inside the base material 60 It may be smaller than the ratio of the site located. The reinforcing material 50 may expose 1% or less of the total volume to the outside, may expose 5% or less of the total volume to the outside, or expose 10% or less of the total volume to the outside. , 50% or less of the total volume may be exposed to the outside, or 50% or more of the total volume may be exposed to the outside.

図2に示すように、補強材50には、補強材50の上面及び下面に開口する2つの貫通穴50a、50bがあけられている。以下、第1開口部40aを構成する貫通穴50aを第1穴部50a(図2において左側に位置する貫通穴)と呼び、第2開口部40bを構成する貫通穴50bを第2穴部50b(図2において右側に位置する貫通穴)と呼ぶ。パッド31A、31Bは、第1穴部50aの内側に位置しており、パッド31C、31Dは、第2穴部50bの内側に位置している。 As shown in FIG. 2 , the reinforcing member 50 is provided with two through holes 50 a and 50 b that open to the upper and lower surfaces of the reinforcing member 50 . Hereinafter, the through hole 50a forming the first opening 40a is referred to as the first hole 50a (through hole located on the left side in FIG. 2), and the through hole 50b forming the second opening 40b is referred to as the second hole 50b. (the through hole located on the right side in FIG. 2). The pads 31A and 31B are positioned inside the first hole 50a, and the pads 31C and 31D are positioned inside the second hole 50b.

ところで、図2に示す母材60には、第1穴部50aが位置する部位を上下に貫通する第1貫通穴61、及び、第2穴部50bが位置する部位を上下に貫通する第2貫通穴62があけられている。第1貫通穴61は、第1穴部50aと共に第1開口部40aを構成しており、第2貫通穴62は、第2穴部50bと共に第2開口部40bを構成している。これら第1穴部50a及び第2穴部50bは、例えば、第1貫通穴61及び第2貫通穴62と共にレーザー又は打ち抜きによってあけられる。尚、母材60における第1貫通穴61及び第2貫通穴62があけられた以外の部分(母材60を構成する材料で満たされている部分)を中実部63と呼ぶ。 By the way, the base material 60 shown in FIG. A through hole 62 is provided. The first through hole 61 forms the first opening 40a together with the first hole 50a, and the second through hole 62 forms the second opening 40b together with the second hole 50b. These first hole portion 50a and second hole portion 50b, along with the first through hole 61 and the second through hole 62, are formed by laser or punching, for example. A portion of the base material 60 other than the first through hole 61 and the second through hole 62 (a portion filled with the material forming the base material 60) is called a solid portion 63. As shown in FIG.

再び、補強材50(第1穴部50a及び第2穴部50b)の説明に戻る。第1穴部50a及び第2穴部50bの大きさ及び形状は、任意である。例えば、第1穴部50aは、第1貫通穴61よりも小さくてもよいし、第1貫通穴61と同一の大きさであってもよいし、第1貫通穴61よりも大きくてもよい。図2に示す第1穴部50aは、第1貫通穴61よりも小さい。具体的には、平面視において、第1穴部50aの周縁に囲われる領域の面積は、第1貫通穴61の周縁に囲われる領域の面積よりも小さい。更に、図2に示す第2穴部50bは、第2貫通穴62よりも小さい。具体的には、平面視において、第2穴部50bの周縁に囲われる領域の面積は、第2貫通穴62の周縁に囲われる領域の面積よりも小さい。 Let us return to the description of the reinforcing member 50 (the first hole portion 50a and the second hole portion 50b). The size and shape of the first hole portion 50a and the second hole portion 50b are arbitrary. For example, the first hole portion 50a may be smaller than the first through hole 61, may be the same size as the first through hole 61, or may be larger than the first through hole 61. . The first hole portion 50 a shown in FIG. 2 is smaller than the first through hole 61 . Specifically, in plan view, the area of the region surrounded by the periphery of the first hole portion 50 a is smaller than the area of the region surrounded by the periphery of the first through hole 61 . Further, the second hole portion 50b shown in FIG. 2 is smaller than the second through hole 62. As shown in FIG. Specifically, in plan view, the area of the region surrounded by the periphery of the second hole portion 50b is smaller than the area of the region surrounded by the periphery of the second through hole 62 .

図2及び図3を参照する。図2に示す補強材50は、その一部が母材60にあけられた第1貫通穴61及び/又は第2貫通穴62それぞれの内壁61a、62aから母材60の外部に露出している。図3に示す例において、内壁61a、62aから母材60の外部に露出した補強材50の部位は、縦糸51の繊維部51aと横糸52の繊維部52aとが接合している。つまり、補強材50における母材60の外部に露出した部位は、複数の繊維部が互いに接合している箇所を有している、ということができる。 Please refer to FIGS. A part of the reinforcing material 50 shown in FIG. . In the example shown in FIG. 3, the fiber portions 51a of the warp yarns 51 and the fiber portions 52a of the weft yarns 52 are joined at the portions of the reinforcing member 50 exposed to the outside of the base material 60 from the inner walls 61a and 62a. That is, it can be said that the portion of the reinforcing member 50 exposed to the outside of the base material 60 has a portion where a plurality of fiber portions are joined to each other.

尚、複数の繊維部が互いに接合している箇所を有しているとは、広義に解釈され、例えば、横糸52の繊維部52a及び横糸52の繊維部52aのみが接合している場合も含み、縦糸51の繊維部51a及び縦糸51の繊維部51aのみが接合している場合も含む。 In addition, having a portion where a plurality of fiber portions are joined to each other is interpreted in a broad sense, and includes, for example, the case where only the fiber portion 52a of the weft 52 and the fiber portion 52a of the weft 52 are joined. , the case where only the fiber portion 51a of the warp yarn 51 and the fiber portion 51a of the warp yarn 51 are joined.

次に、補強材50における内壁61a、62aから外部に露出した部位の全体を見る。1つの態様として、補強材50における内壁61a、62aから露出した部位は、内壁61a、62aに沿って連続しており、その全体が枠状を呈している。1つの態様として、補強材50における内壁61a、62aから露出した部位は、その全体が不連続であり、平面視において内壁61a、62aの中央に向かって突出する繊維部51a及び/又は繊維部52aを所々に有している。 Next, the entire portion of the reinforcing member 50 exposed to the outside from the inner walls 61a and 62a will be seen. As one aspect, the portions of the reinforcing member 50 exposed from the inner walls 61a, 62a are continuous along the inner walls 61a, 62a, and the entirety thereof has a frame shape. As one aspect, the portions of the reinforcing material 50 exposed from the inner walls 61a and 62a are entirely discontinuous, and the fiber portions 51a and/or the fiber portions 52a protrude toward the center of the inner walls 61a and 62a in plan view. have everywhere.

内壁61a、62aから母材60の外部に露出した補強材50の部位における幅(水平方向の長さ)は、例えば、20μm以下であってもよいし、その幅が10μm以下であってもよいし、5μm以下であってもよいし、1μm以下であってもよいし、20μm以上であってもよい。上記幅は、周方向に亘って同一であってもよいし、周方向の各部位で大きさが異なっていてもよい。尚、内壁61a、62a以外における母材60の表面から露出した部位(補強材50の部位)の大きさについても同様である。 The width (horizontal length) of the portion of the reinforcing member 50 exposed to the outside of the base material 60 from the inner walls 61a and 62a may be, for example, 20 μm or less, or may be 10 μm or less. However, it may be 5 μm or less, 1 μm or less, or 20 μm or more. The width may be the same in the circumferential direction, or may be different in each portion in the circumferential direction. The same applies to the size of the portion exposed from the surface of the base material 60 (the portion of the reinforcing member 50) other than the inner walls 61a and 62a.

最後に、補強材50とパッド31A~31Dとの関係について述べる。図3に示す補強材50においては、内壁61a、62aから露出した補強材50の部位は、その上面がパッド31A~31Dよりも上方に位置している。しかしながら、例えば、内壁61a、62aから露出した補強材50の部位は、その上面がパッド31A~31Dよりも上方に位置していなくてもよい。 Finally, the relationship between the reinforcing member 50 and the pads 31A-31D will be described. In the reinforcing member 50 shown in FIG. 3, the portions of the reinforcing member 50 exposed from the inner walls 61a and 62a have upper surfaces located above the pads 31A to 31D. However, for example, the portions of the reinforcing member 50 exposed from the inner walls 61a and 62a do not have to be located above the pads 31A to 31D.

(母材)
図2に示す接合部材40においては、母材60は、概ね接合部材40の外形を構成している。このため、例えば、母材60の大きさ及び形状については、接合部材40の大きさ及び形状を援用することができる。
(base material)
In the joint member 40 shown in FIG. 2 , the base material 60 generally forms the outer shape of the joint member 40 . Therefore, for the size and shape of the base material 60, for example, the size and shape of the joining member 40 can be used.

図2を参照する。母材60は、例えば、樹脂によって構成されている。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、尿素樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化樹脂を挙げることができる。母材60は、硬化した状態であってもよいし、未硬化(例えば、半硬化)の状態であってもよい。なお、母材60が未硬化状態の場合、母材60と補強材50との組み合わせ(接合部材40)は、プリプレグである。
Please refer to FIG. The base material 60 is made of resin, for example. Examples of resins include thermosetting resins such as epoxy resins, phenol resins, melamine resins, bismaleimide triazine resins, urea resins and unsaturated polyester resins. The base material 60 may be in a cured state or in an uncured (for example, semi-cured) state. When the base material 60 is in an uncured state, the combination of the base material 60 and the reinforcing material 50 (joining member 40) is prepreg.

繰り返しになるが、接合部材40にあけられた第1開口部40a及び第2開口部40bの内側には、パッド31A~31Dが位置している。第1開口部40aの内側には、パッド31A、31B(以下、第1パッド31A、31Bと呼ぶ)が位置し、第2開口部40bの内側には、パッド31C、31D(以下、第2パッド31C、31Dと呼ぶ)が位置している。第1パッド31A、31Bは、第1開口部40aを構成する第1貫通穴61の内壁61aに囲われており、第2パッド31C、31Dは、第2開口部40bを構成する第2貫通穴62の内壁62aに囲われている。 Again, the pads 31A to 31D are positioned inside the first opening 40a and the second opening 40b formed in the joint member 40. As shown in FIG. Pads 31A and 31B (hereinafter referred to as first pads 31A and 31B) are located inside the first opening 40a, and pads 31C and 31D (hereinafter referred to as second pads) are located inside the second opening 40b. 31C and 31D) are located. The first pads 31A and 31B are surrounded by the inner wall 61a of the first through hole 61 forming the first opening 40a, and the second pads 31C and 31D are surrounded by the second through hole forming the second opening 40b. 62 is surrounded by an inner wall 62a.

次に、基体構造体の製造方法における1つの例について説明する。 Next, one example of a method for manufacturing a base structure will be described.

図4Aを参照する。基体20は、複数のセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成した後、これを焼成することによって作成することができる。図4Bを併せて参照する。接合部材40は、例えば、内部にガラスクロス等の布を有するシート状の部材にレーザーまたはパンチング等によって貫通穴(第1開口部40a及び第2開口部40b)をあけることによって作成することができる。第1開口部40a及び第2開口部40bをレーザーであける場合、レーザーの熱によって、内部に位置するガラスクロスを構成する複数の繊維部を接合させてもよい。尚、 See FIG. 4A. The substrate 20 can be produced by laminating a plurality of ceramic green sheets to form a laminate and then firing the laminate. See also FIG. 4B. The joining member 40 can be produced, for example, by making through-holes (first opening 40a and second opening 40b) in a sheet-like member having cloth such as glass cloth therein by laser or punching. . When the first opening 40a and the second opening 40b are opened with a laser, the heat of the laser may bond a plurality of fiber portions constituting the glass cloth located inside. still,

図4Cを併せて参照する。基体20及び接合部材40を作成したら、基体20の上面に接合部材40を重ねる。この時、基体20の上面に接合部材40を接合してもよいし、基体20の上面に接合部材40を接合しなくてもよい。 See also FIG. 4C. After the substrate 20 and the joining member 40 are prepared, the joining member 40 is placed on the upper surface of the substrate 20 . At this time, the joining member 40 may be joined to the upper surface of the base 20 or may not be joined to the upper surface of the base 20 .

次に、対象物を基体構造体に接合する方法における1つの例について説明する。 An example of a method of bonding an object to a base structure will now be described.

図1及び図2を参照する。図1には、基体構造体10に実装される、1つの例による対象物Obが分解斜視図によって示されている。例えば、対象物Obは、パッド31A~31Dに接続される電子部品Pa1、Pa2(後述するチップ70、80)と、これら電子部品Pa1、Pa2の一部(下面)を露出させ残部(上面及び側面)を覆っている封止部90と、を有している。電子部品Pa1、Pa2は、パッド31A~31Dに接続される下面が封止部90から露出している。封止部90は、例えば、樹脂であってよい。 Please refer to FIGS. In FIG. 1, an example object Ob mounted on a base structure 10 is shown in exploded perspective view. For example, the object Ob includes electronic components Pa1 and Pa2 (chips 70 and 80 to be described later) connected to the pads 31A to 31D, and a part (lower surface) of these electronic components Pa1 and Pa2, and the remaining portions (upper surface and side surface). ) and a sealing portion 90 covering the . The electronic components Pa1 and Pa2 have their lower surfaces connected to the pads 31A to 31D exposed from the sealing portion 90. As shown in FIG. The sealing portion 90 may be resin, for example.

図5を参照する。対象物Obを基体構造体10に接合する方法の1つの例を説明する。例えば、図5Aに示すように、基体構造体10のパッド31A~31Dにバンプ3A~3Dを形成すると共に、バンプ3A~3Dに電子部品Pa1、Pa2が接触するよう対象物Obを基体構造体10の上面に載置する。次に、図5Bに示すように、バンプ3A~3Dを溶融し電子部品Pa1、Pa2とパッド31A~31Dとを電気的に接続する。この時、半硬化状態の接合部材40を硬化させ、対象物Obを基体構造体10に接合する。但し、封止部90を溶融することによって、対象物Obと基体構造体10とを接合してもよい。 Please refer to FIG. One example of a method of bonding the object Ob to the base structure 10 will be described. For example, as shown in FIG. 5A, bumps 3A to 3D are formed on pads 31A to 31D of the base structure 10, and the object Ob is placed on the base structure 10 so that the electronic components Pa1 and Pa2 are in contact with the bumps 3A to 3D. placed on top of the Next, as shown in FIG. 5B, the bumps 3A to 3D are melted to electrically connect the electronic components Pa1 and Pa2 to the pads 31A to 31D. At this time, the semi-cured bonding member 40 is cured to bond the object Ob to the base structure 10 . However, the object Ob and the base structure 10 may be joined by melting the sealing portion 90 .

尚、図5A及び図5Bでは、電子部品Pa1、Pa2及び封止部90を一体的に基体構造体10に対し接合することによって、対象物Obを基体構造体10に接合する方法について説明した。しかしながら、例えば、バンプ3A~3Dを介して電子部品Pa1、Pa2とパッド31A~31Dとを電気的に接続し、その後、電子部品Pa1、Pa2が覆われるよう接合部材40の上面に溶融した樹脂を供給し、これを硬化させることにより対象物Obを基体構造体10に接合してもよい。接合部材40の上面への樹脂の供給は、例えば、スクリーン印刷又はディスペンサによって行ってもよい。尚、樹脂は、未硬化(液体又は半硬化)の状態であってもよいし、硬化した状態であってもよい。樹脂は、粉末であってもよい。 5A and 5B, the method of bonding the object Ob to the base structure 10 by integrally bonding the electronic components Pa1 and Pa2 and the sealing portion 90 to the base structure 10 has been described. However, for example, the electronic components Pa1 and Pa2 are electrically connected to the pads 31A to 31D via the bumps 3A to 3D, and then the molten resin is applied to the upper surface of the bonding member 40 so as to cover the electronic components Pa1 and Pa2. The target object Ob may be joined to the base structure 10 by supplying and curing this. The resin may be supplied to the upper surface of the joining member 40 by, for example, screen printing or a dispenser. The resin may be in an uncured (liquid or semi-cured) state or in a cured state. The resin may be powder.

更には、上記方法以外にも、例えば、バンプ3A~3Dを介して電子部品Pa1、Pa2とパッド31A~31Dとを電気的に接続し、その後、電子部品Pa1、Pa2に被さるようシート状の樹脂を接合部材40の上面に配置し、これを加圧及び加熱することによって樹脂を硬化させ、対象物Obを基体構造体10に接合してもよい。尚、シート状の樹脂を溶融及び/又は硬化させる際に、加圧して樹脂を接合部材40に密着させていてもよい。 Furthermore, in addition to the above method, for example, the electronic components Pa1 and Pa2 are electrically connected to the pads 31A to 31D via the bumps 3A to 3D, and then a sheet-like resin is formed so as to cover the electronic components Pa1 and Pa2. may be placed on the upper surface of the joining member 40 and pressurized and heated to cure the resin and join the object Ob to the base structure 10 . In addition, when the sheet-like resin is melted and/or cured, the resin may be adhered to the bonding member 40 by applying pressure.

図5Cを参照する。基体構造体10に対象物Obを接合するために、封止部90(樹脂)を溶融させることがある。このように封止部90(樹脂)を溶融させる場合、溶融した樹脂は、例えば、第1開口部40a及び第2開口部40b(図2参照)に流れ込もうとしたりする。例えば、溶融した樹脂が第1開口部40a及び第2開口部40bに流れ込むと、流れ込んだ樹脂は、母材60にあけられた第1貫通穴61の内壁61a及び/又は第2貫通穴62の内壁62a(図2参照)に沿って進む。その後、溶融した樹脂は、内壁61a、62aから露出した補強材50の部位に到達する。これにより、溶融した樹脂が基体20に向かうことが軽減される。 See FIG. 5C. In order to join the object Ob to the base structure 10, the sealing portion 90 (resin) may be melted. When the sealing portion 90 (resin) is melted in this manner, the melted resin tends to flow into, for example, the first opening 40a and the second opening 40b (see FIG. 2). For example, when molten resin flows into the first opening 40a and the second opening 40b, the resin that has flowed into the inner wall 61a of the first through hole 61 and/or the second through hole 62 formed in the base material 60 It proceeds along the inner wall 62a (see FIG. 2). After that, the melted resin reaches the portions of the reinforcing member 50 exposed from the inner walls 61a and 62a. This reduces the flow of molten resin toward the base 20 .

繰り返しになるが、対象物Obとの接合前における接合部材40は、未硬化状態の部材であってもよいし、硬化状態の部材であってもよい。別の観点では、基体構造体10は、接合部材40が未硬化の状態で流通されてもよいし、接合部材40が硬化した状態で流通されてもよい。但し、未硬化状態の接合部材40であっても、接合部材40は、対象物Obと接合すると硬化状態になる。尚、未硬化状態の接合部材40は、対象物Obとの接合において、接合部材40の上面に供給(配置)された溶融状態の樹脂よりも先に硬化してもよいし、接合部材40の上面に供給された溶融状態の樹脂よりも後に硬化してもよい。 Again, the joining member 40 before being joined to the object Ob may be an uncured member or a cured member. From another point of view, the base structure 10 may be distributed with the bonding member 40 in an uncured state, or may be distributed with the bonding member 40 in a cured state. However, even if the bonding member 40 is in an uncured state, the bonding member 40 will be in a cured state when it is bonded to the object Ob. Note that the uncured bonding member 40 may be cured before the molten resin supplied (arranged) on the upper surface of the bonding member 40 when bonding to the object Ob. It may be cured later than the molten resin supplied to the upper surface.

図5A~図5Cを参照する。図5A~図5Cには、1つの基体構造体10に対し1つの対象物Obを接合する図がしめされている。しかしながら、基体構造体10が複数配列された状態において、これら複数設けられた基体構造体10に対し複数の対象物Obを同時に接合してもよい。 Please refer to FIGS. 5A-5C. 5A to 5C show diagrams of bonding one object Ob to one base structure 10. FIG. However, in a state in which a plurality of base structures 10 are arranged, a plurality of objects Ob may be simultaneously bonded to the plurality of base structures 10 provided.

図2を参照する。接合部材40は、補強材50と、補強材50に含浸された母材60と、を有している。これにより、接合部材40が母材60のみによって構成されている場合と比べ、接合部材40の強度を向上させることができる。結果、耐久性のある基体構造体10を提供するできる。 Please refer to FIG. The joining member 40 has a reinforcing material 50 and a base material 60 impregnated with the reinforcing material 50 . As a result, the strength of the joint member 40 can be improved as compared with the case where the joint member 40 is composed only of the base material 60 . As a result, a durable base structure 10 can be provided.

接合部材40の強度が大きくなることによって、基体構造体10の強度を確保しつつ接合部材40にあけられた第1開口部40aを大きくすることができる。これにより、第1開口部40aの内側に位置する第1パッド31A、31Bの配置位置の自由度を向上させることができる。更には、第1パッド31A、31Bに電気的に接続される電子部品Pa1、Pa2の大きさ及び形状の自由度を向上させることもできる。 By increasing the strength of the bonding member 40, the first opening 40a formed in the bonding member 40 can be enlarged while ensuring the strength of the base structure 10. FIG. As a result, it is possible to improve the degree of freedom in positioning the first pads 31A and 31B positioned inside the first opening 40a. Furthermore, it is possible to improve the degree of freedom in size and shape of the electronic components Pa1 and Pa2 electrically connected to the first pads 31A and 31B.

図1及び図2を参照する。加えて、接合部材40は、第1パッド31A、31Bを囲う第1開口部40aを有している。これにより、接合部材40にあけられた第1開口部40aの内側に第1パッド31A、31Bを位置させつつ、第1パッド31A、31Bを基体構造体10の外部に露出させることができる。結果、第1パッド31A、31Bを囲う補強材50を有する基体構造体10において、対象物Obと第1パッド31A、31Bとの電気的な接続を容易に行うことができる。これにより、基体構造体10への対象物Obの接合において、生産性を向上させることができる。 Please refer to FIGS. In addition, the joint member 40 has a first opening 40a surrounding the first pads 31A, 31B. As a result, the first pads 31A and 31B can be exposed to the outside of the base structure 10 while the first pads 31A and 31B are positioned inside the first opening 40a formed in the bonding member 40 . As a result, in the base structure 10 having the reinforcing member 50 surrounding the first pads 31A, 31B, the object Ob and the first pads 31A, 31B can be electrically connected easily. Thereby, productivity can be improved in bonding the object Ob to the base structure 10 .

図2及び図3を参照する。補強材50は、繊維部が複数交わった布(織布又は不織布)である(図2には、縦糸51の繊維部51aと横糸52の繊維部52aとが交わった織布が示されている)。補強材50が布であることにより、連続した複数の繊維部が補強材50に母材60が含浸されることになる。結果、補強材50が不連続である場合と比べ、接合部材40の強度を向上させることができる。これにより、より耐久性のある基体構造体10を提供することができる。 Please refer to FIGS. The reinforcing material 50 is a cloth (woven fabric or non-woven fabric) in which a plurality of fiber portions intersect (Fig. 2 shows a woven fabric in which the fiber portions 51a of the warp yarns 51 and the fiber portions 52a of the weft yarns 52 intersect). ). Since the reinforcing material 50 is cloth, the base material 60 is impregnated into the reinforcing material 50 with a plurality of continuous fiber portions. As a result, the strength of the joining member 40 can be improved as compared with the case where the reinforcing member 50 is discontinuous. Thereby, a more durable base structure 10 can be provided.

補強材50は、ガラスクロスである。補強材50がガラスクロスであることにより、より接合部材40の強度を向上させることができる。結果、より強度のある基体構造体10を提供できる。 The reinforcing material 50 is glass cloth. By using glass cloth as the reinforcing material 50, the strength of the joining member 40 can be further improved. As a result, a stronger base structure 10 can be provided.

補強材50は、少なくとも一部が母材60の表面から外部に露出している。これにより、接合部材40は、表面粗さが大きくなる。表面粗さが大きくなることにより、例えば、対象物Obと接合部材40とがアンカー効果によって接合される場合、より両者が密着して接合されることになる。結果、対象物Obを強く接合可能な基体構造体10を提供できる。 At least a portion of the reinforcing material 50 is exposed outside from the surface of the base material 60 . As a result, the surface roughness of the joint member 40 is increased. As the surface roughness increases, for example, when the object Ob and the joining member 40 are joined by the anchor effect, the two are brought into closer contact with each other. As a result, it is possible to provide the base structure 10 capable of strongly bonding the object Ob.

図5を参照する。補強材50は、第1貫通穴61の内壁61aから母材60の外部に露出した部位を有している。例えば、接合部材40に対象物Obを接合する前に対象物Obを溶融させる場合、対象物Obが第1貫通穴61に流れ込み、第1パッド31A、31Bに向かう虞がある。しかしながら、補強材50が内壁61aから母材60の外部に露出している部位を有していることにより、第1貫通穴61に流れ込んだ溶融した対象物Obは、補強材50における内壁61aから露出した部位に接触することになる。これにより、溶融した対象物Obが第1パッド31A、31Bに向かうことを軽減できる。 Please refer to FIG. The reinforcing member 50 has a portion exposed to the outside of the base material 60 from the inner wall 61 a of the first through hole 61 . For example, when the object Ob is melted before being joined to the joining member 40, the object Ob may flow into the first through hole 61 and go toward the first pads 31A and 31B. However, since the reinforcing material 50 has a portion exposed to the outside of the base material 60 from the inner wall 61a, the melted object Ob that has flowed into the first through-hole 61 is separated from the inner wall 61a of the reinforcing material 50 Touch exposed areas. As a result, it is possible to reduce the tendency of the melted object Ob to move toward the first pads 31A and 31B.

加えて、第1貫通穴61に流れ込んだ対象物Obを、内壁61aから露出した補強材50の部位に接触させた状態で硬化させることができる。これにより、対象物Obは、補強材50とも接合することになる。結果、対象物Obに対しより強く接合される基体構造体10を提供できる。 In addition, the object Ob that has flowed into the first through hole 61 can be cured while being in contact with the portion of the reinforcing material 50 exposed from the inner wall 61a. As a result, the object Ob is also joined to the reinforcing material 50 . As a result, it is possible to provide the base structure 10 that is more strongly bonded to the object Ob.

図3を参照する。母材60から露出した補強材50の部位は、複数の繊維部が互いに接合している箇所を有している。これにより、溶融した対象物Ob(図1参照)が第1パッド31A、31Bに向かうことをより軽減することができる。 Please refer to FIG. A portion of the reinforcing material 50 exposed from the base material 60 has a portion where a plurality of fiber portions are joined together. This makes it possible to further reduce the melted object Ob (see FIG. 1) from moving toward the first pads 31A and 31B.

[変形例]
図6を参照する。図6には、本開示の変形例における基体120(基体構造体110)が示されている。実施形態の基体20(基体構造体10)と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。
[Modification]
Please refer to FIG. FIG. 6 shows a base 120 (base structure 110) in a modified example of the present disclosure. Reference numerals are used for parts common to the base 20 (base structure 10) of the embodiment, and detailed description thereof is omitted.

(基体)
図6に示す基体120は、絶縁性の基体本体部121と、この基体本体部121の内部に位置する繊維体22と、基体本体部121の内部及び表面に位置し電子部品Pa1、Pa2(図1参照)に接続される導体30と、を有している。基体20のヤング率は、例えば、12~40GPaである。接合部材40の熱膨張係数は、例えば、4~12ppm/Kである。
(substrate)
The substrate 120 shown in FIG. 6 includes an insulating substrate body portion 121, a fiber body 22 positioned inside the substrate body portion 121, and electronic components Pa1 and Pa2 (FIG. 6) positioned inside and on the surface of the substrate body portion 121. 1) and a conductor 30 connected thereto. The Young's modulus of the substrate 20 is, for example, 12-40 GPa. The thermal expansion coefficient of the joining member 40 is, for example, 4-12 ppm/K.

基体本体部121の材料は、例えば、熱硬化樹脂である。熱硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、尿素樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。 The material of the base body portion 121 is, for example, a thermosetting resin. Thermosetting resins include, for example, epoxy resins, phenol resins, melamine resins, bismaleimide triazine resins, urea resins and unsaturated polyester resins.

繊維体22は、例えば、不織布又は織布である。繊維体22は、例えば、ガラス繊維のみによって構成されていてもよいし、炭素繊維のみによって構成されていてもよい。更に、繊維体22は、一部がガラス繊維で構成され、残部がガラス以外の素材(例えば、炭素繊維)によって構成されていてもよい。繊維体22にガラス繊維が含まれている場合、繊維体22は、ガラスクロスである、ということができる。ガラスクロスは、例えば、二酸化ケイ素(SiO)を主成分とするガラスを含んでいてもよい。 The fibrous body 22 is, for example, non-woven fabric or woven fabric. The fibrous body 22 may be composed only of glass fibers, or may be composed only of carbon fibers, for example. Further, the fibrous body 22 may be partially composed of glass fiber and the rest composed of a material other than glass (for example, carbon fiber). When the fibrous body 22 contains glass fibers, it can be said that the fibrous body 22 is a glass cloth. The glass cloth may contain, for example, glass containing silicon dioxide (SiO 2 ) as a main component.

尚、変形例における基体構造体110に含まれる繊維体22は、基体120を構成するための必須の構成要素ではない。このため、基体構造体110においては、必要に応じて、基体120から繊維体22を廃すこともできる。 It should be noted that the fibrous body 22 included in the base structure 110 in the modified example is not an essential component for forming the base 120 . Therefore, in the base structure 110, the fiber body 22 can be eliminated from the base 120 as needed.

次に、対象物が基体構造体に接合された電子デバイスについて説明する。 Next, an electronic device in which an object is bonded to a base structure will be described.

(電子デバイス)
図7を参照する。図7には、対象物Ob(図1参照)の一例としての実装体2が基体構造体10に接合された、実施形態における電子デバイス1が示されている。図8を併せて参照する。図8に示す電子デバイス1は、上記で説明した実施形態の基体構造体10を含んでいる。実施形態で説明した内容と共通する部分については、詳細な説明を省略する。尚、符号については、実施形態で用いられた番号を流用する。
(electronic device)
Please refer to FIG. FIG. 7 shows an electronic device 1 according to an embodiment, in which a mounting body 2 as an example of an object Ob (see FIG. 1) is bonded to a base structure 10 . Also refer to FIG. The electronic device 1 shown in FIG. 8 includes the base structure 10 of the embodiment described above. A detailed description of the parts that are common to the contents described in the embodiment will be omitted. In addition, about a code|symbol, the number used by embodiment is diverted.

電子デバイス1は、例えば、端子32A~32Fがはんだ等により外部の装置に接続されることにより、外部の装置に実装される。 The electronic device 1 is mounted on an external device, for example, by connecting the terminals 32A to 32F to the external device by soldering or the like.

(基体構造体)
基体構造体10は、既に説明した通りの構成をしている。但し、基体構造体10(電子デバイス1)が有する接合部材40は、硬化状態の部材である。尚、平面透視において、接合部材40は、実装体2よりも大きくてもよいし、実装体2と大きさが同一であってもよいし、実装体2よりも小さくてもよい。
(Base structure)
The base structure 10 has the structure already explained. However, the bonding member 40 included in the base structure 10 (electronic device 1) is a cured member. Note that the joint member 40 may be larger than the mounting body 2 , may have the same size as the mounting body 2 , or may be smaller than the mounting body 2 when seen through a plane.

(実装体)
実装体2は、接合部材40を介して基体構造体10に実装(接合)されている。図8に示す実装体2は、第1パッド31A、31Bに接続された第1チップ70と、第2パッド31C、31Dに接続された第2チップ80と、これら第1チップ70及び第2チップ80を覆うと共に接合部材40(基体構造体10)に接合された封止部90と、を有している。
(implementation body)
The mounting body 2 is mounted (bonded) to the base structure 10 via the bonding member 40 . The mounting body 2 shown in FIG. 8 includes a first chip 70 connected to the first pads 31A and 31B, a second chip 80 connected to the second pads 31C and 31D, and the first chip 70 and the second chip and a sealing portion 90 that covers 80 and is joined to the joining member 40 (base structure 10).

第1チップ70及び第2チップ80は、例えば、電気信号が入力されることにより弾性波が伝搬するという特性を利用し、所定の電気信号を出力可能な弾性波チップである。弾性波は、例えば、SAW(Surface Acoustic Wave)であってもよいし、BAW(Bulk Acoustic Wave)であってもよい。弾性波チップは、例えば、弾性波共振子を有するチップであってもよいし、弾性波フィルタを有するチップであってもよい。尚、第1チップ70及び第2チップ80は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)であってもよい。図9を併せて参照する。図9には、1ポートSAW共振子を有するチップが模式的に示されている。例えば、このような第1チップ70及び第2チップ80が第1パッド31A、31B及び第2パッド31C、31Dに接続され基体構造体10に実装される。 The first chip 70 and the second chip 80 are, for example, elastic wave chips capable of outputting a predetermined electric signal by utilizing the characteristic that an elastic wave propagates when an electric signal is input. The elastic wave may be SAW (Surface Acoustic Wave) or BAW (Bulk Acoustic Wave), for example. The acoustic wave chip may be, for example, a chip having an acoustic wave resonator or a chip having an acoustic wave filter. The first chip 70 and the second chip 80 may be MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). Also refer to FIG. FIG. 9 schematically shows a chip with a 1-port SAW resonator. For example, such a first chip 70 and a second chip 80 are connected to the first pads 31A, 31B and the second pads 31C, 31D and mounted on the base structure 10 .

(第1チップ)
図8を参照する。第1チップ70は、接合部材40にあけられた第1開口部40aの上方に位置(接合部材40に当接した状態で位置)し、第1開口部40aを介して第1面21aに対向すると共にバンプ3A、3B(後述する第1バンプ3A、3B)を介して第1パッド31A、31Bに接合されている。第1チップ70と第1面21aとの間には、バンプ3A、3B及び第1パッド31A、31Bが介在する空間が設けられている。
(first chip)
Please refer to FIG. The first chip 70 is positioned above the first opening 40a formed in the joint member 40 (positioned in contact with the joint member 40) and faces the first surface 21a through the first opening 40a. At the same time, they are joined to first pads 31A and 31B via bumps 3A and 3B (first bumps 3A and 3B to be described later). A space in which the bumps 3A, 3B and the first pads 31A, 31B are interposed is provided between the first chip 70 and the first surface 21a.

図8に示す第1チップ70は、接合部材40(補強材50)の厚さ方向に見て、母材60にあけられた第1貫通穴61の外側に位置する部位を有している。第1チップ70の側面70aは、接合部材40の厚さ方向に見て、第1貫通穴61の外側に位置する部位を有している、ということもできる。尚、第1チップ70の第1貫通穴61の外側に位置する部位は、第1チップ70の厚さ方向に見て、母材60の中実部63に重なっている。 The first chip 70 shown in FIG. 8 has a portion positioned outside the first through hole 61 formed in the base material 60 when viewed in the thickness direction of the joining member 40 (reinforcing material 50). It can also be said that the side surface 70 a of the first chip 70 has a portion located outside the first through hole 61 when viewed in the thickness direction of the joining member 40 . A portion of the first chip 70 located outside the first through hole 61 overlaps the solid portion 63 of the base material 60 when viewed in the thickness direction of the first chip 70 .

第1チップ70の側面70aと中実部63とにのみ着目した場合、第1チップ70の側面は、接合部材40の厚さ方向に見て、その全てが中実部63に重なっていてもよいし、全体の70%以上が中実部63に重なっていてもよいし、全体の40%以上が重なっていてもよいし、中実部63に重なっている割合が40%以下でもよい。例えば、第1チップ70の側面の全てが中実部63が重なっている場合、第1チップ70は、母材60にあけられた第1貫通穴61を塞いでいる。尚、第1チップ70は、第2チップ80と共に、下面以外が封止部90に覆われている。 When focusing only on the side surface 70 a of the first chip 70 and the solid portion 63 , even if the side surface of the first chip 70 overlaps the solid portion 63 when viewed in the thickness direction of the bonding member 40 , Alternatively, 70% or more of the whole may overlap with the solid portion 63, 40% or more of the whole may overlap, or the ratio of overlapping with the solid portion 63 may be 40% or less. For example, when the solid portion 63 overlaps the entire side surface of the first chip 70 , the first chip 70 closes the first through hole 61 formed in the base material 60 . The first chip 70 and the second chip 80 are covered with the sealing portion 90 except for the bottom surface.

図9を参照する。例えば、第1チップ70は、チップ基板71と、このチップ基板71に位置するIDT電極73(励振電極73)と、このIDT電極73を挟んでいる一対の反射器74、75と、IDT電極73とは離れて位置する2つの電極部76、77と、これらの電極部76、77及びIDT電極73を接続している接続部78、79と、を有している。 See FIG. For example, the first chip 70 includes a chip substrate 71, an IDT electrode 73 (excitation electrode 73) located on the chip substrate 71, a pair of reflectors 74 and 75 sandwiching the IDT electrode 73, and the IDT electrode 73 and connection portions 78 and 79 connecting the electrode portions 76 and 77 and the IDT electrode 73 .

チップ基板71の大きさ及び形状は、任意である。チップ基板71は、矩形の平板形状を呈していてもよいし、円形の平板形状を呈していてもよい。チップ基板71の厚さは、例えば、100μm以上500μm以下である。 The size and shape of the chip substrate 71 are arbitrary. The chip substrate 71 may have a rectangular flat plate shape, or may have a circular flat plate shape. The thickness of the chip substrate 71 is, for example, 100 μm or more and 500 μm or less.

チップ基板71は、例えば、その全体が圧電体によって構成された部材であってもよいし、基板に圧電膜が形成された部材であってもよい。図9に示すチップ基板71は、ベース部71aと、このベース部71aの上面に位置する圧電部71bと、を有している。 The chip substrate 71 may be, for example, a member whose entirety is made of a piezoelectric material, or may be a member having a piezoelectric film formed on a substrate. A chip substrate 71 shown in FIG. 9 has a base portion 71a and a piezoelectric portion 71b positioned on the upper surface of the base portion 71a.

ベース部71aの材料は、任意にである。ベース部71aは、例えば、シリコン等を含む半導体によって構成されてもよいし、酸化アルミニウムを含むセラミックによって構成されてもよいし、サファイア等の単結晶材料によって構成されてもよい。ベース部71aは、例えば、1つの材料のみの基板であってもよいし、それぞれ異なる材料を含む複数の基板が重ねられた部材であってもよい。例えば、ベース部71aの熱膨張係数は、圧電部71bの熱膨張係数よりも小さい。 The material of the base portion 71a is arbitrary. The base portion 71a may be made of, for example, a semiconductor containing silicon or the like, a ceramic containing aluminum oxide, or a single crystal material such as sapphire. The base portion 71a may be, for example, a substrate made of only one material, or may be a member in which a plurality of substrates each containing a different material are stacked. For example, the coefficient of thermal expansion of the base portion 71a is smaller than that of the piezoelectric portion 71b.

図9に示す圧電部71bは、平板状の基板である。圧電部71bは、IDT電極73に信号が入力されると(電圧が印加されると)表面に弾性波が生じる基板である。尚、圧電部71bは、例えば、有機材料又は無機材料を含む接着剤によってベース部71aに接着されてもよいし、直接ベース部71aに貼り合わされていてもよい。 The piezoelectric portion 71b shown in FIG. 9 is a flat substrate. The piezoelectric portion 71b is a substrate that generates elastic waves on the surface when a signal is input to the IDT electrode 73 (when a voltage is applied). The piezoelectric portion 71b may be adhered to the base portion 71a with an adhesive containing an organic material or an inorganic material, or may be directly attached to the base portion 71a.

圧電部71bは、例えば、ベース部71aよりも薄くてもよいし、ベース部71aよりも厚くてもよい。例えば、圧電部71bの厚さは、ベース部71aの厚さの1/2以下であってもよいし、1/10以下であってもよいし、1/30以下であってもよいし、1/2以上であってもよい。 The piezoelectric portion 71b may be, for example, thinner than the base portion 71a or thicker than the base portion 71a. For example, the thickness of the piezoelectric portion 71b may be 1/2 or less, 1/10 or less, or 1/30 or less of the thickness of the base portion 71a. It may be 1/2 or more.

図9に示す圧電部71bは、チップ基板71の厚さ方向に見て、ベース部71aと大きさが同一になっている。但し、圧電部71bは、平面視において、ベース部71aよりも小さくてもよいし、ベース部71aよりも大きくてもよい。圧電部71bの材料は、例えば、水晶(SiO2)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)単結晶又はタンタル酸リチウム(LiTaO3)単結晶等である。 The piezoelectric portion 71b shown in FIG. 9 has the same size as the base portion 71a when viewed in the thickness direction of the chip substrate 71. As shown in FIG. However, the piezoelectric portion 71b may be smaller than the base portion 71a or larger than the base portion 71a in plan view. The material of the piezoelectric portion 71b is, for example, crystal (SiO2), lithium niobate (LiNbO3) single crystal, lithium tantalate (LiTaO3) single crystal, or the like.

図9に示すIDT電極73は、互いに噛み合う、2つの櫛歯状(すだれ状)の電極(金属層)によって構成されている。これら2つの櫛歯状の電極は、接続部78、79を介して電極部76、77に接続されている。 The IDT electrode 73 shown in FIG. 9 is composed of two interdigitated comb-like electrodes (metal layers). These two comb-shaped electrodes are connected to electrode portions 76 and 77 via connection portions 78 and 79 .

IDT電極73の材料は、例えば、アルミニウム、銅又はこれらの合金等である。IDT電極73は、例えば、1層の層状電極であってもよいし、層状の電極が複数重ねられた電極であってもよい。 The material of the IDT electrode 73 is, for example, aluminum, copper, or an alloy thereof. The IDT electrode 73 may be, for example, a single-layered electrode, or may be an electrode in which a plurality of layered electrodes are stacked.

図9に示すIDT電極73は、所定の方向(例えば、弾性波の伝搬方向)に延びると共に両端のそれぞれが一対の反射器74、75に臨んでいる2つのバスバー73a、73bと、これら2つのバスバー73a、73bに直交する電極指73c、73dと、を有している。 The IDT electrode 73 shown in FIG. 9 includes two bus bars 73a and 73b extending in a predetermined direction (for example, the propagation direction of elastic waves) and facing a pair of reflectors 74 and 75 at both ends, and these two bus bars 73a and 73b. It has electrode fingers 73c and 73d perpendicular to the busbars 73a and 73b.

電極指73cは、バスバー73aからバスバー73bに向かって延びており、電極指73dは、バスバー73bからバスバー73aに向かって延びている。電極指73cは、バスバー73aのみに繋がっており、電極指73dは、バスバー73bのみに繋がっている。 The electrode fingers 73c extend from the busbar 73a toward the busbar 73b, and the electrode fingers 73d extend from the busbar 73b toward the busbar 73a. The electrode finger 73c is connected only to the busbar 73a, and the electrode finger 73d is connected only to the busbar 73b.

電極指73c、73dの数は、任意である。複数設けられた電極指73c、73dは、それぞれ互いが噛み合うよう、交互に配列されている。隣接する電極指73cと電極指73dとの間の距離(ピッチ)は、任意である。尚、この距離(ピッチ)を変更することにより、圧電部71bを伝搬する弾性波の周波数が変わる。具体的には、電極指73cと電極指73dとの距離を半波長とする弾性波が、圧電部71bを伝搬するようになる。このため、電極指73cと電極指73dとの距離は、所望の周波数における弾性波が生じるよう適宜設定してもよい。 The number of electrode fingers 73c and 73d is arbitrary. The plurality of electrode fingers 73c and 73d are arranged alternately so as to mesh with each other. The distance (pitch) between adjacent electrode fingers 73c and 73d is arbitrary. By changing this distance (pitch), the frequency of the elastic wave propagating through the piezoelectric portion 71b changes. Specifically, an elastic wave whose wavelength is half the distance between the electrode fingers 73c and 73d propagates through the piezoelectric portion 71b. Therefore, the distance between the electrode finger 73c and the electrode finger 73d may be appropriately set so as to generate an elastic wave at a desired frequency.

反射器74、75は、IDT電極73から伝搬した弾性波をIDT電極73に向かって反射可能である。反射器74、75によって反射された弾性波は、IDT電極73に到達し信号に変換され、第1チップ70の外部に出力される。反射器74、75は、IDT電極73と共に、圧電部71bの下面に位置している。即ち、反射器74、75及びIDT電極73は、それぞれ封止部90(図8参照)の外側に位置している。 The reflectors 74 and 75 can reflect the elastic waves propagated from the IDT electrodes 73 toward the IDT electrodes 73 . The elastic waves reflected by the reflectors 74 and 75 reach the IDT electrode 73 , are converted into signals, and are output to the outside of the first chip 70 . The reflectors 74 and 75 are positioned together with the IDT electrode 73 on the lower surface of the piezoelectric portion 71b. That is, the reflectors 74 and 75 and the IDT electrode 73 are positioned outside the sealing portion 90 (see FIG. 8).

図9に示す反射器74、75は、それぞれ所定方向(弾性波が伝搬する方向)に延びる2つのバスバー74a、74bと、これら2つのバスバー74a、74bに直交し2つのバスバー74a、74bに繋がっているストリップ電極74cと、を有している。反射器74、75には、それぞれストリップ電極74cが複数設けられている。 Reflectors 74 and 75 shown in FIG. 9 include two busbars 74a and 74b extending in a predetermined direction (direction in which elastic waves propagate), and two busbars 74a and 74b perpendicular to these two busbars 74a and 74b and connected to the two busbars 74a and 74b. and a strip electrode 74c. Each of the reflectors 74 and 75 is provided with a plurality of strip electrodes 74c.

図8を併せて参照する。IDT電極73及び一対の反射器74、75は、平面透視において、第1開口部40aと重なっている。これにより、IDT電極73及び反射器74、75は、チップ基板41と基体20との間にできた空間に位置することになる。結果、圧電部71bでの弾性波の伝搬が容易になる。尚、IDT電極73及び反射器74、75は、それぞれ絶縁性の保護膜によって覆われていてもよい。 Also refer to FIG. The IDT electrode 73 and the pair of reflectors 74 and 75 overlap the first opening 40a when viewed through the plane. As a result, the IDT electrode 73 and the reflectors 74 and 75 are positioned in the space created between the chip substrate 41 and the substrate 20 . As a result, propagation of elastic waves in the piezoelectric portion 71b is facilitated. Incidentally, the IDT electrode 73 and the reflectors 74 and 75 may each be covered with an insulating protective film.

尚、図9には、IDT電極73及び一対の反射器74、75を1つのみ有する第1チップ70が示されている。しかしながら、第1チップ70は、IDT電極73及び一対の反射器74、75を複数有していてもよい。更には、複数設けられたIDT電極によって、ラダー型フィルタまたは多重モード型フィルタが構成されてもよい。後述する第2チップ80についても同様である。 Note that FIG. 9 shows the first chip 70 having only one IDT electrode 73 and one pair of reflectors 74 and 75 . However, the first chip 70 may have multiple IDT electrodes 73 and pairs of reflectors 74 and 75 . Furthermore, a plurality of IDT electrodes may constitute a ladder filter or a multimode filter. The same applies to the second chip 80, which will be described later.

(第2チップ)
図8を参照する。第1チップ70の説明は、第2チップ80に援用されてよい。この際、チップ基板71はチップ基板81に、IDT電極73はIDT電極83に、反射器74、75は反射器84、85に、電極部76、77は電極部86、87に、接続部78、79は接続部88、89に読み替えることができる。更に、IDT電極73を構成するバスバー73a、73b及び電極指73c、73dについては、バスバー83a、83b及び電極指83c、83dと読み替えることができ、反射器74、75を構成するバスバー73a、73b及びストリップ電極74cについては、バスバー83a、83b及びストリップ電極84cと読み替えることができる。尚、第2チップ80は、第2貫通穴62の上方に位置し、第1面21aに対向すると共にバンプ3C、3D(後述する第2バンプ3C、3D)を介して第2パッド31C、31Dに接合されている。
(Second chip)
Please refer to FIG. The description of the first chip 70 may be incorporated into the description of the second chip 80 . At this time, the chip substrate 71 is connected to the chip substrate 81, the IDT electrode 73 is connected to the IDT electrode 83, the reflectors 74 and 75 are connected to the reflectors 84 and 85, the electrode portions 76 and 77 are connected to the electrode portions 86 and 87, and the connection portion 78 is connected. , 79 can be read as connecting portions 88 and 89 . Further, the busbars 73a, 73b and the electrode fingers 73c, 73d constituting the IDT electrodes 73 can be read as the busbars 83a, 83b and the electrode fingers 83c, 83d. The strip electrode 74c can be read as the busbars 83a, 83b and the strip electrode 84c. The second chip 80 is located above the second through hole 62, faces the first surface 21a, and connects the second pads 31C and 31D via bumps 3C and 3D (second bumps 3C and 3D to be described later). is joined to

第1チップ70の形状及び寸法、及び、第2チップ80の形状及び寸法は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。 The shape and dimensions of the first chip 70 and the shape and dimensions of the second chip 80 may be the same or different.

尚、1つの態様として、第1チップ70及び第2チップ80は、端子32B(図8参照)を介して電気的に接続されていてもよい。の端子32Bを介して第1チップ70及び第2チップ80が接続されることにより、電子デバイス1は、例えば、分波器(例えば、デュプレクサ)を構成することができる。例えば、第1チップ70を、送信用の通過帯領域の周波数を有する電気信号のみを通過させるフィルタとし、第2チップ80を、受信用の通過帯領域の周波数を有する電気信号のみを通過させるフィルタとしてもよい。尚、送信用の通信帯域及び受信用の通信帯域は、互いに重ならない。 In one aspect, the first chip 70 and the second chip 80 may be electrically connected via terminals 32B (see FIG. 8). By connecting the first chip 70 and the second chip 80 via the terminals 32B, the electronic device 1 can configure, for example, a branching filter (eg, duplexer). For example, the first chip 70 is a filter that passes only electrical signals having frequencies in the passband region for transmission, and the second chip 80 is a filter that passes only electrical signals having frequencies in the passband region for reception. may be The communication band for transmission and the communication band for reception do not overlap each other.

第1チップ70及び第2チップ80は、それぞれバンプ3A~3Dを介して第1パッド31A、31B及び第2パッド31C、31Dと電気的に接続されている。以下、第1チップ70及び第1パッド31A、31Bを繋いでいるバンプ3A、3Bを第1バンプ3A、3Bと呼び、第2チップ80及び第2パッド31C、31Dを繋いでいるバンプ3C、3Dを第2バンプ3C、3Dと呼ぶ。 The first chip 70 and the second chip 80 are electrically connected to the first pads 31A, 31B and the second pads 31C, 31D via bumps 3A to 3D, respectively. The bumps 3A and 3B connecting the first chip 70 and the first pads 31A and 31B are hereinafter referred to as first bumps 3A and 3B, and the bumps 3C and 3D connecting the second chip 80 and the second pads 31C and 31D are referred to as first bumps 3A and 3B. are called second bumps 3C and 3D.

(第1バンプ)
図8に示す第1バンプ3A、3Bは、母材60にあけられた第1貫通穴61(接合部材40にあけられた第1開口部40a)の内側に位置している。第1バンプ3A、3Bは、第1貫通穴61の内壁61aに囲われた領域内に位置している、ということもできる。第1バンプ3A、3Bは、第1チップ70の電極部76、77(図9参照)、及び、基体構造体10の第1パッド31A、31Bを繋いでいる。第2バンプ3C、3Dは、第1チップ70の基体構造体10への実装に寄与している。
(first bump)
The first bumps 3A and 3B shown in FIG. 8 are located inside the first through holes 61 (the first openings 40a formed in the bonding member 40) formed in the base material 60. As shown in FIG. It can also be said that the first bumps 3A and 3B are positioned within a region surrounded by the inner wall 61a of the first through-hole 61 . The first bumps 3A, 3B connect the electrode parts 76, 77 (see FIG. 9) of the first chip 70 and the first pads 31A, 31B of the base structure 10 . The second bumps 3C and 3D contribute to the mounting of the first chip 70 on the base structure 10. As shown in FIG.

第1バンプ3A、3Bの大きさは、任意である。例えば、電極部76、77及び/又は第1パッド31A、31Bの大きさに応じて適宜に変更してもよい。第1バンプ3A、3Bの厚さは、接合部材40の厚さよりも小さい。これにより、第1バンプ3A、3Bは、基体構造体10、第1貫通穴61の内壁61a及び第1チップ70によって囲われた領域内に収容される。この領域内は、真空であってもよいし、所定のガス(例えば、窒素等を含む不活性ガス又は二酸化炭素等)によって満たされていてもよい。 The size of the first bumps 3A and 3B is arbitrary. For example, the sizes of the electrode portions 76, 77 and/or the first pads 31A, 31B may be changed as appropriate. The thickness of first bumps 3A and 3B is smaller than the thickness of bonding member 40 . As a result, the first bumps 3A and 3B are accommodated within the area surrounded by the base structure 10, the inner wall 61a of the first through hole 61, and the first chip . This region may be in a vacuum or may be filled with a predetermined gas (for example, an inert gas containing nitrogen or the like, carbon dioxide, or the like).

第1バンプ3A、3Bは、例えば、はんだである。はんだは、鉛を含んでいてもよいし、鉛を含んでいなくてもよい。鉛を含んでいるはんだとしては、例えば、Pb-Sn合金はんだが挙げられる。鉛を含んでいないはんだとしては、例えば、Au-Sn合金はんだ、Au-Ge合金はんだ、Sn-Ag合金はんだ、Sn-Cu合金はんだ等が挙げられる。尚、第1バンプ3A、3Bは、導電性のフィラーを熱硬化樹脂等に混ぜ込まれてなる、導電性の接着材であってもよい。 The first bumps 3A, 3B are, for example, solder. The solder may or may not contain lead. Solders containing lead include, for example, Pb—Sn alloy solders. Examples of lead-free solder include Au--Sn alloy solder, Au--Ge alloy solder, Sn--Ag alloy solder, and Sn--Cu alloy solder. Incidentally, the first bumps 3A and 3B may be a conductive adhesive material in which a conductive filler is mixed with a thermosetting resin or the like.

(第2バンプ)
第2バンプ3C、3Dは、母材60にあけられた第2貫通穴62(接合部材40にあけられた第2開口部40b)の内側に位置している。第2バンプ3C、3Dは、第2貫通穴62の内壁62aに囲われた領域内に位置している、ということもできる。第2バンプ3C、3Dは、第2チップ80の電極部86、87、及び、基体構造体10の第2パッド31C、31Dを繋いでいる。第2バンプ3C、3Dは、第2チップ80の基体構造体10への実装に寄与している。
(second bump)
The second bumps 3C and 3D are located inside the second through holes 62 (the second openings 40b formed in the bonding member 40) formed in the base material 60. As shown in FIG. It can also be said that the second bumps 3C and 3D are positioned within the area surrounded by the inner wall 62a of the second through hole 62. As shown in FIG. The second bumps 3C and 3D connect the electrode portions 86 and 87 of the second chip 80 and the second pads 31C and 31D of the base structure 10, respectively. The second bumps 3C and 3D contribute to the mounting of the second chip 80 on the base structure 10. As shown in FIG.

第1バンプ3A、3Bの大きさ、形状及び材料は、第2バンプ3C、3Dに援用してもよい。但し、第2バンプ3C、3Dの大きさ、形状及び材料は、第1バンプ3A、3Bの大きさ、形状及び材料と異なっていてもよい。 The size, shape and material of the first bumps 3A, 3B may be applied to the second bumps 3C, 3D. However, the size, shape and material of the second bumps 3C and 3D may differ from the size, shape and material of the first bumps 3A and 3B.

(封止部)
図8に示す封止部90は、第1チップ70及び第2チップ80それぞれの下面が露出するよう、これらチップ70、80を覆っている。封止部90の材料は、有機材料又は無機材料を含んでいる。有機材料としては、例えば、樹脂(熱硬化樹脂)を挙げることができる。熱硬化樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、尿素樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等を挙げることができる。無機材料としては、複数の無機粒子を互いに結合したアモルファス状の材料を挙げることができる。尚、封止部90の材料は、母材60の材料と同一であってもよいし、母材60の材料と異なっていてもよい。更に、封止部90は、フィラーを含んでいてもよい。
(sealing part)
A sealing portion 90 shown in FIG. 8 covers the first chip 70 and the second chip 80 so that the lower surfaces of the first chip 70 and the second chip 80 are exposed. The material of the sealing portion 90 contains an organic material or an inorganic material. Examples of organic materials include resins (thermosetting resins). Thermosetting resins include epoxy resins, phenolic resins, melamine resins, bismaleimide triazine resins, urea resins, unsaturated polyester resins, and the like. Examples of inorganic materials include amorphous materials in which a plurality of inorganic particles are bonded together. The material of the sealing portion 90 may be the same as the material of the base material 60 or may be different from the material of the base material 60 . Furthermore, the sealing portion 90 may contain a filler.

封止部90のヤング率は、例えば、20GPa以下である。例えば、封止部90のヤング率は、接合部材40のヤング率よりも小さい。封止部90の熱膨張係数は、例えば、4~70ppm/Kである。例えば、封止部90の熱膨張係数は、接合部材40の熱膨張係数よりも大きい。 The Young's modulus of the sealing portion 90 is, for example, 20 GPa or less. For example, the Young's modulus of the sealing portion 90 is smaller than the Young's modulus of the joining member 40 . The thermal expansion coefficient of the sealing portion 90 is, for example, 4-70 ppm/K. For example, the thermal expansion coefficient of the sealing portion 90 is greater than that of the joining member 40 .

図8及び図10を参照する。図8に示す封止部90は、接合部材40に接合された下面部91と、この下面部91の反対側に位置する上面部92と、これら下面部91及び上面部92を繋ぐ側面部93と、下面部91から上面部92に向かって窪んでいると共に内部に第1チップ70が位置している第1凹部94と、下面部91から上面部92に向かって窪んでいると共に内部に第2チップ80が位置している第2凹部95と、下面部91から第1貫通穴61の内壁61aに沿って基体構造体10に向かっている第1垂れ部96と、下面部91から第2貫通穴62の内壁62aに沿って基体構造体10に向かっている第2垂れ部97と、を有している。 Please refer to FIG. 8 and FIG. The sealing portion 90 shown in FIG. 8 includes a lower surface portion 91 joined to the joining member 40, an upper surface portion 92 located on the opposite side of the lower surface portion 91, and a side surface portion 93 connecting the lower surface portion 91 and the upper surface portion 92. a first recess 94 recessed from the lower surface portion 91 toward the upper surface portion 92 and in which the first chip 70 is located; A second concave portion 95 where two chips 80 are located, a first hanging portion 96 extending from the lower surface portion 91 along the inner wall 61a of the first through hole 61 toward the base structure 10, and a second and a second hanging portion 97 extending toward the base structure 10 along the inner wall 62 a of the through hole 62 .

接合部材40に接合されている下面部91の割合は、任意に設定できる。下面部91は、その全体が接合部材40に接合されていてもよいし、全体の80%以上が接合部材40に接合されていてもよいし、全体の60%以上が接合部材40に接合されていてもよいし、全体の60%以下が接合部材40に接合されていてもよい。 The proportion of the lower surface portion 91 joined to the joining member 40 can be set arbitrarily. The lower surface portion 91 may be entirely joined to the joint member 40, 80% or more of the whole may be joined to the joint member 40, or 60% or more of the whole may be joined to the joint member 40. Alternatively, 60% or less of the whole may be joined to the joining member 40 .

第1垂れ部96及び第2垂れ部97は、それぞれ母材60にあけられた第1貫通穴61及び第2貫通穴の内壁61a、62aから露出した補強材50の部位に密着している。図8に示す例において、第1垂れ部96及び第2垂れ部97を有する封止部90は、補強材50における母材60から露出した部位まで延びると共に補強材50に接合している箇所を有している、ということができる。 The first hanging portion 96 and the second hanging portion 97 are in close contact with portions of the reinforcing member 50 exposed from the inner walls 61a and 62a of the first through hole 61 and the second through hole formed in the base material 60, respectively. In the example shown in FIG. 8 , the sealing portion 90 having the first hanging portion 96 and the second hanging portion 97 extends to a portion of the reinforcing member 50 exposed from the base material 60 and extends to a portion joined to the reinforcing member 50 . It can be said that it has

接合部材40は、補強材50と、補強材50に含浸された母材60と、を有している。これにより、接合部材40が母材60のみの場合と比べ、接合部材40の強度を向上させることができる。これにより、封止部90に熱が加わった場合でも、接合部材40によって封止部90の変形が軽減される。封止部90の変形が軽減されると、第1チップ70に加わる応力(負荷)が軽減される。又は、封止部90の変形が軽減されると、第1チップ70に意図しない応力が加わる虞を低減することができる。結果、耐久性のある電子デバイス1の提供ができる。これにより、第1チップ70の特性が低下する虞を低減できる。 The joining member 40 has a reinforcing material 50 and a base material 60 impregnated with the reinforcing material 50 . Thereby, the strength of the joint member 40 can be improved as compared with the case where the joint member 40 is made of only the base material 60 . Accordingly, even when heat is applied to the sealing portion 90 , deformation of the sealing portion 90 is reduced by the bonding member 40 . When the deformation of the sealing portion 90 is reduced, the stress (load) applied to the first chip 70 is reduced. Alternatively, if the deformation of the sealing portion 90 is reduced, it is possible to reduce the risk of applying unintended stress to the first chip 70 . As a result, a durable electronic device 1 can be provided. As a result, the possibility that the characteristics of the first chip 70 are degraded can be reduced.

尚、第1チップ70は、第1パッド31A、31Bと共に第1貫通穴61の内側に位置する第1バンプ3A、3Bを介して、第1パッド31A、31Bに接続されている。これにより、第1パッド31A、31B及び第1バンプ3A、3Bは、補強材50にあけられた第1貫通穴61の内壁61aに囲われることになる。結果、第1バンプ3A、3B及び第1パッド31A、31Bに加わる負荷を軽減することもできる。 The first chip 70 is connected to the first pads 31A and 31B via the first bumps 3A and 3B located inside the first through holes 61 together with the first pads 31A and 31B. As a result, the first pads 31A, 31B and the first bumps 3A, 3B are surrounded by the inner walls 61a of the first through holes 61 formed in the reinforcing material 50. As shown in FIG. As a result, the load applied to the first bumps 3A, 3B and the first pads 31A, 31B can also be reduced.

接合部材40の線膨張係数は、封止部90の線膨張係数よりも小さい。これにより、接合部材40及び封止部90に熱が加わった際のそれぞれの熱膨張の大きさは、接合部材40の方が小さくなる。結果、封止部90の膨張は、接合部材40を介して、より軽減される。即ち、より耐久性のある電子デバイス1の提供ができる。 The linear expansion coefficient of the joining member 40 is smaller than that of the sealing portion 90 . As a result, when heat is applied to the bonding member 40 and the sealing portion 90, the bonding member 40 is smaller in thermal expansion. As a result, expansion of the sealing portion 90 is further reduced through the joint member 40 . That is, it is possible to provide the electronic device 1 with more durability.

封止部90は、補強材50における母材60から露出した補強材50の部位に接合している部位を有している。封止部90の一部が補強材50に接合していることにより、接合部材40と封止部90とがより密着し、両者がより強く接合される。結果、より耐久性のある電子デバイス1の提供ができる。 The sealing portion 90 has a portion joined to a portion of the reinforcing member 50 exposed from the base material 60 of the reinforcing member 50 . Since a part of the sealing portion 90 is joined to the reinforcing member 50, the joining member 40 and the sealing portion 90 are brought into closer contact with each other, and the two are joined more strongly. As a result, a more durable electronic device 1 can be provided.

第1面21aの平面透視において、第1チップ70は、母材60にあけられた第1貫通穴61の外側に位置する部位を有している。これにより、例えば、基体構造体10に第1チップ70を載置することができる。結果、例えば、電子デバイス1の生産において、第1貫通穴61に第1チップ70が落下する虞を軽減できる。結果、生産効率の高い電子デバイス1の提供ができる。 The first chip 70 has a portion positioned outside the first through hole 61 formed in the base material 60 in a plan perspective view of the first surface 21a. Thereby, for example, the first chip 70 can be mounted on the base structure 10 . As a result, for example, in the production of the electronic device 1, the risk of the first chip 70 falling into the first through hole 61 can be reduced. As a result, it is possible to provide the electronic device 1 with high production efficiency.

接合部材40には、第2チップ80が位置する箇所に第2開口部40bがあけられている。更に、第2チップ80は、第2バンプ3C、3Dを介して第1面21aに位置している第2パッド31C、31Dと接合している。これにより、第2パッド31C、31Dは、接合部材40にあけられた第2開口部40bの内側に位置することになる。結果、第2パッド31C、31D及び第2バンプ3C、3Dに加わる負荷を軽減できる。 The joint member 40 has a second opening 40b at a location where the second chip 80 is positioned. Furthermore, the second chip 80 is bonded to the second pads 31C, 31D located on the first surface 21a via the second bumps 3C, 3D. As a result, the second pads 31C and 31D are positioned inside the second opening 40b formed in the joint member 40. As shown in FIG. As a result, the load applied to the second pads 31C, 31D and the second bumps 3C, 3D can be reduced.

加えて、接合部材40に第2開口部40bがあけられていることにより、例えば、第1パッド31A、31B及び第2パッド31C、31Dの全てを第1開口部40aの内側に配置するために、第1開口部40aを大きくする必要がない。結果、第1パッド31A、31B及び第2パッド31C、31Dの配置に合わせて接合部材40に貫通穴をあけることができる。これにより、接合部材40の体積の減少を抑制することができる。即ち、より耐久性のある電子デバイス1の提供ができる。 In addition, since the joint member 40 has the second opening 40b, for example, all of the first pads 31A, 31B and the second pads 31C, 31D can be arranged inside the first opening 40a. , there is no need to increase the size of the first opening 40a. As a result, through holes can be formed in the joint member 40 in accordance with the arrangement of the first pads 31A, 31B and the second pads 31C, 31D. Thereby, reduction in the volume of the joint member 40 can be suppressed. That is, it is possible to provide the electronic device 1 with more durability.

次に、第1変形例における電子デバイスの説明をする。 Next, an electronic device in the first modified example will be described.

図11Aを参照する。図11Aには、本開示の第1変形例における電子デバイス201が示されている。実施形態の電子デバイス1と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。 See FIG. 11A. FIG. 11A shows an electronic device 201 according to the first modified example of the present disclosure. For the parts common to the electronic device 1 of the embodiment, reference numerals are used and detailed explanations are omitted.

(第1貫通穴及び第2貫通穴)
図11Aに示された第1貫通穴261及び第2貫通穴262は、母材260の厚さ方向に見て、それぞれ第1チップ70及び第2チップ80(図8参照)と大きさが同一である。別の観点では、第1チップ70の側面は、第1面21aの平面透視において、その全体が第1貫通穴261の内壁261aに重なっている、ということができる。また、第2チップ80の側面は、第1面21aの平面透視において、その全体が第2貫通穴262の内壁262aに重なっている、ということができる。例えば、上記のように第1チップ70の側面が第1貫通穴261の内壁261aに重なっていることにより、接合部材240から第1チップ70に直接的な負荷が加わることを抑制すると共に、封止部90に対する接合部材240の接合面積を増やすことができる。結果、より耐久性のある電子デバイス201の提供ができる。尚、第1面21aの平面透視において、第1チップ70及び第2チップ80の側面と第1貫通穴261及び第2貫通穴262の内壁261a、262aが重なっているとは、例えば、それぞれのずれが10μm以下である場合をいう。
(First through hole and second through hole)
The first through hole 261 and the second through hole 262 shown in FIG. 11A have the same size as the first chip 70 and the second chip 80 (see FIG. 8), respectively, when viewed in the thickness direction of the base material 260. is. From another point of view, it can be said that the side surface of the first chip 70 entirely overlaps the inner wall 261a of the first through hole 261 when the first surface 21a is viewed through the plane. Further, it can be said that the side surface of the second chip 80 entirely overlaps the inner wall 262a of the second through-hole 262 when viewed through the first surface 21a. For example, since the side surface of the first chip 70 overlaps the inner wall 261a of the first through hole 261 as described above, the direct load applied from the bonding member 240 to the first chip 70 is suppressed and the sealing is prevented. The joint area of the joint member 240 with respect to the stop portion 90 can be increased. As a result, a more durable electronic device 201 can be provided. In addition, when the first surface 21a is viewed through the plane, the side surfaces of the first chip 70 and the second chip 80 and the inner walls 261a and 262a of the first through hole 261 and the second through hole 262 overlap each other. This means that the deviation is 10 μm or less.

次に、第2変形例における電子デバイスの説明をする。 Next, an electronic device in the second modified example will be described.

図11Bを参照する。図11Bには、本開示の第2変形例における電子デバイス301が示されている。実施形態の電子デバイス1と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。 See FIG. 11B. FIG. 11B shows an electronic device 301 according to the second modified example of the present disclosure. For the parts common to the electronic device 1 of the embodiment, reference numerals are used and detailed explanations are omitted.

(第1貫通穴及び第2貫通穴)
図11Bに示された第1貫通穴361及び第2貫通穴362は、母材360の厚さ方向に見て、それぞれ第1チップ70及び第2チップ80よりも大きい。別の観点では、第1チップ70は、第1面21aの平面透視において、母材360にあけられた第1貫通穴361の内側に位置し、第1貫通穴361の内壁261aに囲われている、ということができる。また、第2チップ80は、第1面21aの平面透視において、母材360にあけられた第2貫通穴362の内側に位置し、第2貫通穴362の内壁362aに囲われている。これにより、第1チップ70及び第2チップ80の接合部材340への当接を避けることができる。
(First through hole and second through hole)
A first through hole 361 and a second through hole 362 shown in FIG. 11B are larger than the first tip 70 and the second tip 80, respectively, when viewed in the thickness direction of the base material 360. As shown in FIG. From another point of view, the first chip 70 is located inside the first through hole 361 formed in the base material 360 and is surrounded by the inner wall 261a of the first through hole 361 when viewed from above the first surface 21a. It can be said that there is The second chip 80 is positioned inside the second through hole 362 formed in the base material 360 and surrounded by the inner wall 362 a of the second through hole 362 when viewed through the first surface 21 a from above. As a result, contact between the first tip 70 and the second tip 80 and the joining member 340 can be avoided.

尚、本開示における基体構造体及び電子デバイスは、上記に述べた実施形態及び変形例に限定されず、様々な形態で実施されてよい。以下、基体構造体及び電子デバイスの形態が変形された例を幾つか紹介する。 Note that the base structure and the electronic device in the present disclosure are not limited to the above-described embodiments and modifications, and may be implemented in various forms. Some examples in which the forms of the base structure and the electronic device are modified are introduced below.

例えば、実施形態では、接合部材は、対象物の下面に接合された。しかしながら、接合部材は、対象物の下面以外の面(例えば、上面及び/又は側面)に接合されてもよい。更には、接合部材40が重ねられる基体の部位は、基体の側面(側面部)であってもよいし、基体の下面(下面部)であってもよい。 For example, in embodiments the joining member was joined to the underside of the object. However, the bonding member may be bonded to surfaces other than the bottom surface of the object (eg, top surface and/or side surface). Furthermore, the portion of the base on which the joining member 40 is superimposed may be the side surface (side surface portion) of the base or the lower surface (lower surface portion) of the base.

実施形態では、補強材及び母材によって構成されている接合部材の例について説明した。しかしながら、接合部材には、これらの他にフィラー等が含まれていてもよい。また、接合部材40においては、1つの布(ガラスクロス)に母材が含浸されている例について説明した、しかしながら、接合部材40は、複数の布(ガラスクロス)が積層された状態の部材に母材が含浸されていてもよい。即ち、接合部材の内部には、複数の布が位置していてもよい。 In the embodiment, an example of the joint member configured by the reinforcing material and the base material has been described. However, the joining member may contain filler or the like in addition to these. In the bonding member 40, an example in which one cloth (glass cloth) is impregnated with the base material has been described. The base material may be impregnated. That is, a plurality of cloths may be positioned inside the joining member.

実施形態では、第1開口部及び第2開口部があけられた補強材の例について説明した。しかしながら、補強材には、開口部が3つ以上あけられていてもよい。開口部の数は、基体構造体に実装されるチップ(弾性波チップ)の数に応じて適宜変更することができる。尚、母材にあけられた貫通穴の数についても同様である。電子デバイスがチップを1つだけ有する場合において、接合部材に2つ以上の貫通穴があけられていてもよいし、電子デバイスがチップを2つ以上有する場合において、接合部材にあけられた貫通穴が1つのみであってもよい。 In the embodiment, an example of the reinforcing member with the first opening and the second opening has been described. However, the reinforcing member may have three or more openings. The number of openings can be appropriately changed according to the number of chips (acoustic wave chips) mounted on the base structure. The same applies to the number of through holes formed in the base material. When the electronic device has only one chip, the bonding member may have two or more through holes, or when the electronic device has two or more chips, the bonding member has through holes. may be only one.

実施形態では、第1チップ及び第2チップがそれぞれ第1開口部及び第2開口部の上方に位置している場合について述べた。しかしながら、第1チップ及び第2チップは、一部が第1開口部及び/又は第2開口部の内側に位置している部位を有していてもよい。このような場合においても、第1チップ及び第2チップは、第1開口部及び/又は第2開口部を介して第1面に対向している、ということができる。 In the embodiments, the case where the first chip and the second chip are positioned above the first opening and the second opening has been described. However, the first chip and the second chip may have a part located inside the first opening and/or the second opening. Even in such a case, it can be said that the first chip and the second chip face the first surface through the first opening and/or the second opening.

尚、本実施形態では、電子デバイスが2つの弾性波チップを含んでいる例について説明した。しかしながら、電子デバイスが有する弾性波チップの数は、1つのみであってもよいし、3つ以上であってもよい。更に、実施形態では、第1チップ及び第2チップが1ポート共振子である弾性波チップについて説明した。しかしながら、第1チップ及び/又は第2チップは、2ポート共振子であってもよい。つまり、第1チップと第2チップとが必ずしも同一の弾性波チップである必要はない。また、本開示における電子デバイスは、弾性波以外の電子部品(電子素子)を含んでいてもよい。 In this embodiment, an example in which the electronic device includes two acoustic wave chips has been described. However, the number of acoustic wave chips included in the electronic device may be only one, or may be three or more. Furthermore, in the embodiments, the elastic wave chip in which the first chip and the second chip are 1-port resonators has been described. However, the first chip and/or the second chip may also be two-port resonators. That is, the first chip and the second chip do not necessarily have to be the same elastic wave chip. Further, the electronic device in the present disclosure may include electronic components (electronic elements) other than elastic waves.

1、101、201、301…電子デバイス
3A、3B…第1バンプ
3C、3D…第2バンプ
10、110、210、310…基体構造体
20…基体
31A、31B…第1パッド
31C、31D…第2パッド
40、240、340…接合部材
40a、240a、340a…第1開口部
40b、240b、340b…第2開口部
50…補強材
51a…繊維部
52a…繊維部
60、260、360…母材
61、261、361…第1貫通穴
61a、261a、361a…内壁
70…第1チップ
80…第2チップ
90…封止部
Ob…対象物
1, 101, 201, 301... electronic device 3A, 3B... first bump 3C, 3D... second bump 10, 110, 210, 310... base structure 20... base 31A, 31B... first pad 31C, 31D... second 2 pads 40, 240, 340... Joining member 40a, 240a, 340a... First opening 40b, 240b, 340b... Second opening 50... Reinforcing member 51a... Fiber part 52a... Fiber part 60, 260, 360... Base material 61, 261, 361 First through hole 61a, 261a, 361a Inner wall 70 First chip 80 Second chip 90 Sealing part Ob Object

Claims (13)

第1面と、前記第1面上に位置する第1パッドと、を有する基体と、
前記第1面に重ねられ、前記第1パッドを囲う第1開口部があけられた接合部材と、
前記第1開口部を介して前記第1面と対向している第1チップと、
前記第1チップ及び前記第1パッドを接合している第1バンプと、
前記第1チップの外周面を覆う封止部と、
を有し、
前記接合部材は、補強材と、前記補強材に含浸された母材と、を有し、
前記補強材は、少なくとも一部が前記母材の表面から露出し、前記封止部に覆われていない
電子デバイス。
a substrate having a first surface and a first pad located on the first surface;
a joining member overlaid on the first surface and provided with a first opening surrounding the first pad;
a first chip facing the first surface through the first opening;
a first bump bonding the first chip and the first pad;
a sealing portion that covers the outer peripheral surface of the first chip;
has
The joining member has a reinforcing material and a base material impregnated with the reinforcing material,
At least a portion of the reinforcing member is exposed from the surface of the base material and is not covered with the sealing portion.
electronic device.
前記一部が、前記第1開口部の内壁から露出している
請求項記載の電子デバイス。
The part is exposed from the inner wall of the first opening
The electronic device of claim 1 .
前記第1チップは、前記第1開口部が構成する空間を介して前記基体と対向する、弾性波が生じる領域を有しており、 The first chip has a region in which an elastic wave is generated, facing the base through a space formed by the first opening,
前記一部は、平面視において前記空間を囲んでいる The part surrounds the space in plan view
請求項2に記載の電子デバイス。 3. The electronic device according to claim 2.
前記補強材は、繊維部が複数交わった布である
請求項1~請求項3のいずれか1項記載の電子デバイス。
The electronic device according to any one of claims 1 to 3, wherein the reinforcing material is a cloth in which a plurality of fiber portions intersect.
前記補強材は、ガラスクロスである
請求項記載の電子デバイス。
The electronic device according to claim 4 , wherein the reinforcing material is glass cloth .
前記補強材における前記母材の外部に露出した部位は、前記複数の繊維部がそれぞれ接合している箇所を有している
請求項4又は請求項5記載の電子デバイス。
6. The electronic device according to claim 4, wherein the portion of the reinforcing member exposed to the outside of the base material has portions where the plurality of fiber portions are joined.
前記接合部材の線膨張係数は、前記封止部の線膨張係数よりも小さい
請求項1~請求項6のいずれか1項記載の電子デバイス。
The electronic device according to any one of claims 1 to 6 , wherein the linear expansion coefficient of the joining member is smaller than the linear expansion coefficient of the sealing portion.
前記封止部は、前記接合部材によって前記基体に接合されており、かつ前記封止部は、前記補強材における前記母材から露出した部位に接合している箇所を有している
請求項1~請求項7のいずれか1項記載の電子デバイス。
2. The sealing portion is bonded to the base by the bonding member, and the sealing portion has a portion bonded to a portion of the reinforcing material exposed from the base material . The electronic device according to any one of claims 1 to 7 .
前記第1面の平面透視において、前記第1チップは、前記第1開口部の外側に位置する部位を有している
請求項~請求項のいずれか1項記載の電子デバイス。
9. The electronic device according to any one of claims 1 to 8 , wherein the first chip has a portion positioned outside the first opening when viewed from above the first surface.
前記第1面の平面透視において、前記第1チップの側面は、前記第1開口部の内壁に重なっている
請求項~請求項のいずれか1項記載の電子デバイス。
9. The electronic device according to any one of claims 1 to 8 , wherein the side surface of the first chip overlaps the inner wall of the first opening when seen from above the first surface.
前記第1面の平面透視において、前記第1チップは、前記第1開口部の内壁に囲われている
請求項~請求項のいずれか1項記載の電子デバイス。
The electronic device according to any one of claims 1 to 8 , wherein the first chip is surrounded by the inner wall of the first opening when viewed through the first surface.
前記第1面に位置している第2パッドと、
前記第1面に対向している第2チップと、
前記第2チップ及び前記第2パッドを接合している第2バンプと、
を有し、
前記接合部材には、前記第2チップが位置する箇所に第2開口部があけられている
請求項~請求項11のいずれか1項記載の電子デバイス。
a second pad located on the first surface;
a second chip facing the first surface;
a second bump bonding the second chip and the second pad;
has
The electronic device according to any one of claims 1 to 11 , wherein the joining member has a second opening at a location where the second chip is positioned.
請求項1~請求項12のいずれか1項記載の電子デバイスの作製に用いられる基体構造体であって、
前記基体と、
硬化後の前記接合部材、又は前記母材が未硬化状態の、前記接合部材となるプリプレグと、
を有している基体構造体。
A base structure used for manufacturing the electronic device according to any one of claims 1 to 12,
the substrate;
The bonding member after curing , or a prepreg to be the bonding member in which the base material is in an uncured state ;
A base structure having a
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