JP7231521B2 - 照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、照明装置に関し、特に半導体レーザ素子を用いた照明装置に関する。

近年、放電ランプよりも寿命が長く、発光ダイオード（「ＬＥＤ」とも称される、）よりも高出力で光の指向性の良い、半導体レーザ素子（「ＬＤ」とも称される、）を用いた照明装置の開発が進められている。そして、本出願人は、下記特許文献１に記載されている、半導体レーザ素子と蛍光素子を組み合わせた照明装置等の開発を行っている。

特開２０１８－６１３３号公報

一般的な半導体レーザ素子は、活性層に対して電流を供給することで自然放出により光（自然放出光）を発する領域（ＬＥＤ領域）と、閾値電流以上の電流を供給して誘導放出により光（誘導放出光）を発する領域（ＬＤ領域）を有している。誘導放出によりフォトンが増幅される。さらに、この誘導放出によって生じた光（誘導放出光）に対して、共振器を構成するミラーで反射を繰り返させることで、誘導放出を繰り返し実行させる。フォトンの増幅に伴うエネルギーの増加が共振器内の損失エネルギーを超えると、レーザ発振が生じ、レーザ光が得られる。

図７は、半導体レーザ素子に供給される電流と光出力との関係を示すグラフである。図７に示すように、半導体レーザ素子は、閾値電流（Ｉ_th）以上の電流が供給されない場合は、レーザ光のような高い光出力が得られない。なお、閾値電流（Ｉ_th）以下の領域でも光出力が発生しているのは、自然放出光によるものであり、ＬＥＤのように動作していることによる。

半導体中のキャリア濃度（Ｎ）は、バンドギャップエネルギーをＥｇ、温度をＴ、ボルツマン定数をｋとすると、Ｎ＝Ｎ_0・ｅｘｐ（－Ｅｇ／２ｋＴ）で表されることが知られている。ここで、Ｎ₀は定数である。すなわち、Ｔの値が小さい低温環境では、キャリア濃度が低くなるため、半導体層内の抵抗成分が大きくなる。したがって、半導体レーザ素子がレーザ光を出射するためには、より大きな電圧を印加しなければならなくなる。なお、閾値電流（Ｉ_th）は、温度依存性を有しており、温度が低くなるにつれて小さくなるが、抵抗成分の増大分と比較すると無視できる程度に十分小さい。

また、特に、ＧａＮ系材料を用いた青色や青紫のような高エネルギーのレーザ光を出射する半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ系材料を用いた赤色のレーザ光を出射する半導体レーザ素子と比較すると、エネルギー準位が深いため、誘導放出光が活性層に入射されるまでにキャリアの確保が間に合わなくなる場合がある。

つまり、低温環境下で半導体レーザ素子からレーザ光を出射させるためには、室温環境下で使用する場合よりも高い電圧を印加しなければならない。ところが、半導体レーザ素子に対して、いきなり高い電圧を印加してしまうと、過電圧印加、抵抗成分による発熱、局所的な電流集中、光出力の異常による端面破壊等によって、半導体レーザ素子が壊れてしまうおそれがある。

そのため、市販されている半導体レーザ素子、特にＧａＮ系材料を用いた半導体レーザ素子の多くは、上記のような不具合が発生しないように、印加できる電圧範囲の上限値が規定され、さらに、動作保証温度範囲が０℃～６５℃付近に規定されている。またＧａＡｓ系材料を用いた半導体レーザ素子として、動作保証温度の下限値が－１０℃までとした素子の存在も確認されている。

従来、半導体レーザ素子は、主にプロジェクタ等の室内で用いる機器や照明に用いられているため、せいぜい５℃～４０℃といった範囲で動作させるため、特に上記のような課題は発生していなかった。

しかしながら、上述のように、寒冷地といった低温環境下での利用にも耐え得る、半導体レーザ素子を用いた照明装置が検討されている。特に、０℃を下回るような環境、さらには、気温が－１０℃を下回るような環境は、従来の半導体レーザ素子の動作保証温度範囲外であり、無理矢理レーザ光を出力させるために高い電圧を印加して半導体レーザ素子を破壊してしまう可能性がある。

本発明は、上記課題に鑑み、寒冷地等においても、安全に使用可能な半導体レーザ素子による照明装置を提供することを目的とする。

本発明の照明装置は、
複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子の周辺温度を測定するための温度センサと、
前記半導体レーザ素子への電流供給を制御する電流制御部とを備え、
前記電流制御部は、
前記温度センサの測定値が所定の第一閾値温度以下である場合には、前記測定値が前記第一閾値温度を上回るまで、前記半導体レーザ素子に対して、レーザ光を出射するために必要な閾値電流以上の電流を供給することを行わず、
前記測定値が所定の第一閾値温度を上回っている場合には、前記半導体レーザ素子に対して、前記閾値電流以上の電流を供給することを特徴とする。

上記構成によれば、複数配置された半導体レーザ素子の周辺温度を測定する温度センサによって、半導体レーザ素子の温度、あるいは、半導体レーザ素子周辺の雰囲気温度が測定される。電流制御部は、温度センサによって測定された温度が、所定の第一閾値温度を上回るまでは、閾値電流以上の電流供給を行わない。

したがって、過電圧の印加、抵抗成分による発熱、局所的な電流集中、光出力の異常による端面破壊等によって、半導体レーザ素子を破壊してしまう可能性が低くなり、安全に照明装置を動作させることができる。ここで、所定の第一閾値温度は、例えば、使用する半導体レーザ素子に規定されている動作保証温度範囲の下限値等に設定される。

温度センサは、例えば、サーミスタ、熱電対、半導体温度センサ、放射温度計等を採用することができ、半導体レーザ素子の温度と大きな誤差を生じることなく計測できるのであれば、半導体レーザ素子が配置されている基板の温度、半導体レーザ素子から所定の距離離れた位置の雰囲気温度等のいずれの温度を計測するように配置されていても構わない。

上記照明装置において、
前記第一閾値温度は、０℃以上の値であるものとしても構わない。

市販されている可視光領域の光を出射する半導体レーザ素子は、動作保証温度範囲が－１０℃～０℃付近で規定されていることが多い。したがって、少なくとも０℃を上回ったことを確認して電流を供給するように制御すれば、半導体レーザ素子の動作保証温度範囲が遵守され、より安全に照明装置を動作させることができる。

上記照明装置は、
ヒータを備え、前記温度センサの測定値が、前記第一閾値温度以下の所定の第二閾値温度を下回っている場合は、前記ヒータによって前記半導体レーザ素子を加熱するものであっても構わない。

上記構成とすることで、所定の第一閾値温度を下回る環境下において、温度センサの測定値が第二閾値温度を下回っている場合に、強制的、かつ、迅速に半導体レーザ素子の温度を第一閾値温度まで上昇させることができる。ここで、所定の第二閾値温度は、例えば、使用する半導体レーザ素子に規定されている動作保証温度範囲の下限値等に設定される。なお、第一閾値温度と第二閾値温度は、同じ温度に設定されていても構わない。

なお、温度センサの測定値が、第一閾値温度以上の所定の温度に達すると、ヒータからの加熱を停止させるものとしても構わない。かかる構成によれば、第二閾値温度を下回る場合にのみ、ヒータによって加熱を行うため、例えば、室内環境で動作を開始する場合や通常動作の場合において、不必要にヒータで半導体レーザ素子を加熱してしまうことを防止することができる。このヒータを停止させる所定の温度は、第一閾値温度に対して１０～２０℃程度余裕を見た温度に設定することができる。

上記照明装置は、
前記温度センサの測定値が、所定の第二閾値温度を下回っている場合は、前記電流制御部が前記半導体レーザ素子に対して、前記閾値電流以下の電流を供給するものであっても構わない。

半導体レーザ素子は、レーザ発振は生じないものの、閾値電流以下の電流を流すことはできる。そして、閾値電流以下の電流を流すことで、抵抗成分に応じて半導体レーザ素子が自己発熱する。

そこで、半導体レーザ素子の自己発熱を利用することで、所定の第一閾値温度を下回る環境下において、温度センサの測定値が第二閾値温度を下回っている場合に、ヒータ等の加熱機構を別途追加することなく、強制的、かつ、迅速に半導体レーザ素子の温度を第一閾値温度まで上昇させることができる。

上記照明装置において、
前記電流制御部は、前記温度センサの測定値が、前記第二閾値温度を下回っている場合は、前記半導体レーザ素子に対して、前記閾値電流以下の範囲で電流を徐々に増加させるように供給するものであっても構わない。

上述のように、半導体レーザ素子は、閾値電流以下の電流を流すと、レーザ発振は生じないものの、電流を流すことはできる。しかしながら、例えば、急激に閾値電流に近い電流や高電圧を供給してしまうと、抵抗成分による急激な発熱や局所的な電流集中が発生し、半導体レーザ素子が破壊してしまうおそれがある。

そこで、上記のように、半導体レーザ素子に供給する電流を徐々に増加させることで、抵抗成分による急激な発熱、局所的な電流集中の発生を抑制し、より安全に照明装置の動作を開始させることができる。

上記照明装置において、
前記第二閾値温度は、０℃以下の値であるものとしても構わない。

上記のように、少なくとも０℃を上回ったことを確認して電流を供給するように制御する構成であれば、半導体レーザ素子の動作保証温度範囲が遵守され、より安全に照明装置の動作を開始させることができる。

上記照明装置は、
前記半導体レーザ素子に供給される総電力値が３００Ｗ以上となるように構成されていても構わない。

上記構成とすることで、高出力な光源装置が実現でき、夜中やトンネルの中といった、暗闇の中で行われる工事や線路の点検作業等の高出力の照明装置が要求されるところに使用することができる。

上記照明装置において、
前記半導体レーザ素子は、窒化物半導体発光素子であっても構わない。

上述したように、ＧａＮ系材料（ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等）等が使用される半導体レーザ素子である窒化物半導体発光素子は、低温環境下において、キャリア濃度が低下しやすく抵抗値が大きくなりやすい。そのため、上述した不具合によって、半導体レーザ素子が破壊されてしまう可能性が高い。

本発明の構成によれば、少なくとも第一閾値温度以下において、閾値電流以上の電流が供給されることがないため、半導体レーザ素子を問題なく駆動できる温度範囲でのみ電流を供給する。したがって、本発明の照明装置は、半導体レーザ素子を破壊してしまう危険性が低く、光源として窒化物半導体発光素子をも採用し得る。

本発明によれば、寒冷地等においても、安全に使用可能な半導体レーザ素子による照明装置が実現される。

照明装置の使用態様の一例を示す模式的な図面である。 照明装置の一実施形態の模式的な全体斜視図である。 図２の照明装置を別方向から見たときの模式的な全体斜視図である。 図２の照明装置をＺ方向から出射窓に向かって見たときの断面図である。 図２の照明装置をＸ方向に向かって見たときの断面図である。 照明装置の一実施形態をＸ方向から見たときの断面図である。 半導体レーザ素子に供給される電流と光出力との関係を示すグラフである。

以下、本発明の照明装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図面は、いずれも模式的に図示されたものであり、図面上の寸法比や個数は、実際の寸法比や個数と必ずしも一致していない。

［第一実施形態］
図１は、照明装置１の使用態様の一例を示す模式的な図面である。図１に示す車両は、電車や新幹線等の運行が終了した深夜帯に、線路を走行して異常がないかを点検するための点検車両である。点検車両を用いて行う点検作業は、点検作業員が当該点検車両に乗車し、線路上を走行しながら、主に目視確認によって行われる。

そのため、点検車両に搭載する照明装置１は、深夜でも前方の線路の異常等を目視確認できる程度に明るくする必要があり、高出力な照明装置１が要求される。本発明の照明装置１は、高出力を実現するために、多数の半導体レーザ素子が配置されており、大きな電流を供給するための大型の電流制御部を搭載している。したがって、図１に示すように、装置全体が非常に大型となっている。

なお、図１に示すような、深夜の点検作業等に用いる照明装置１は、半導体レーザ素子１０に供給される総電力値が少なくとも３００Ｗ以上であることが好ましい。また、灯台等のように長距離にわたって光を投光する光源に用いる場合には、半導体レーザ素子１０に供給される総電力値が少なくとも６００Ｗ以上であることが好ましい。

図２は、照明装置１の一実施形態の模式的な全体斜視図である。図２に示すように、第一実施形態の照明装置１は、円筒形状の筐体２と、筐体２から光Ｌ１を出射するための出射窓３と、照明装置１を固定するための支持台４を備える。

以下説明において、鉛直方向をＹ方向、光の出射方向をＺ方向とし、Ｙ方向とＺ方向に直交する方向をＸ方向として説明する。また、本明細書では、方向を表現する際に、正負の向きを区別する場合には、「＋Ｚ方向」、「－Ｚ方向」のように、正負の符号を付して記載される。また、正負の向きを区別せずに方向を表現する場合には、単に「Ｚ方向」と記載される。

筐体２は、内部に光源となる複数の半導体レーザ素子（後述する半導体レーザ素子１０）を搭載しており、出射窓３から光Ｌ１を出射する。なお、筐体２の形状は、円筒形状には限られず、楕円筒形状や角筒形状、さらには、出射窓３に向かって拡がるような円錐形状、角錐形状等としてもよく、出射窓３も、楕円形状や、多角形状としても構わない。

支持台４は、図１に示すように、車両等に照明装置１を固定するための土台である。支持台４は、Ｘ方向を軸として筐体２を回動させる第一回動部４ａと、Ｙ方向を軸として筐体２を回動させる第二回動部４ｂとを備えている。これにより、出射窓３を任意の方向に向けることができ、あらゆる方向に向かって光Ｌ１を照射することができる。

図３は、図２の照明装置１を別方向から見たときの模式的な全体斜視図である。図３に示すように、筐体２の出射窓３の反対側は、高温となった空気を筐体２内から逃がすための排熱口５ａを有する蓋５が備えられている。

図４は、図２の照明装置１をＺ方向から出射窓３に向かって見たときの断面図である。図５は、図２の照明装置１をＸ方向に向かって見たときの断面図である。図４及び図５に示すように、照明装置１は、筐体２内に複数の半導体レーザ素子１０が載置された基板１１と、温度センサ１２と、電流制御部１３と、蛍光体１４と、半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光Ｌ２を蛍光体１４へと導光するためのミラー１５と，ダイクロイックミラー１６と、蛍光体１４から出射された光Ｌ１を出射窓３から平行光として出射させるための、第一集光レンズ１７と、第二集光レンズ１８と、アパーチャ１９と、コリメートレンズ２０を備える。

第一実施形態において、半導体レーザ素子１０は、蛍光体１４から蛍光を発生させるための励起光を出射する、励起光源である。半導体レーザ素子１０は、高出力の照明装置１を実現するため、すなわち、蛍光体１４から高出力の光Ｌ１を得るために、基板１１上に複数配置されている。例えば、図１に示すような、深夜の点検作業に用いる照明装置１であれば、上述したように、半導体レーザ素子１０に供給される総電力値が３００Ｗ以上となるように、数十個から数百個程度の半導体レーザ素子１０が配置される。

なお、第一実施形態における半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体発光素子であり、可視光領域のレーザ光Ｌ２を出射する発光素子である。このとき、半導体レーザ素子１０の出射面に蛍光剤が塗布されているものとしても構わない。

半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光Ｌ２は、ミラー１５とダイクロイックミラー１６によって反射されて、第一集光レンズ１７に入射する。第一集光レンズ１７に入射されたレーザ光Ｌ２は、第一集光レンズ１７の焦点位置に配置された蛍光体１４に向かって集光される。集光されたレーザ光Ｌ２が蛍光体１４に入射されると、蛍光体１４は、蛍光である光Ｌ１を出射する。

蛍光体１４から出射された光Ｌ１は、第一集光レンズ１７によって平行光化され、第二集光レンズ１８に入射される。第二集光レンズ１８に入射された光Ｌ１は、第二集光レンズ１８の焦点位置に配置されたアパーチャ１９の小さな開口部１９ａに向かって集光されるように変換される。

アパーチャ１９の開口部１９ａを通過した光Ｌ１は、点光源から出射された光のように進行する。したがって、アパーチャ１９の開口部１９ａを通過した光Ｌ１は、コリメートレンズ２０に入射し、平行光となって出射窓３から筐体２の外部に向かって出射される。このようにして、高出力で、長距離にわたって投光することができる照明装置が実現される。なお、照明装置１は、蛍光体１４を備えず、半導体レーザ素子１０から出射されるレーザ光Ｌ２を平行光化して、そのまま出射窓３から出射するものであっても構わない。

第一実施形態における温度センサ１２は、半導体レーザ素子１０から出射されるレーザ光Ｌ２の進行を妨げないように、基板１１の半導体レーザ素子１０が配置されている面とは反対側に配置され、半導体レーザ素子１０の周辺温度を測定する。温度センサ１２は、電流制御部１３に対し、測定した温度の値に応じた電圧、電流、あるいは信号を出力する。

また、図５に示すように、第一実施形態における温度センサ１２は、筐体２や基板１１とは離れた位置に配置されているが、筐体２や基板１１と接触するように配置されていてもよく、基板１１の側部等に配置されていても構わない。

電流制御部１３は、温度センサ１２が測定した温度の値に基づく信号が入力されると、当該測定値に応じて、半導体レーザ素子１０への電流供給を制御する。より詳細には、電流制御部１３は、温度センサ１２の測定値が、第一閾値温度Ｔ１を上回っている場合には、半導体レーザ素子１０に対して、レーザ光Ｌ２を出射するために必要な閾値電流以上の電流を供給するように制御する。ここで、第一閾値温度Ｔ１は、０℃以上の値に設定されていることが好ましい。

上述したように、ＧａＮ系材料を用いた半導体レーザ素子１０の多くは、動作保証温度範囲が０℃～６５℃に設定されている。つまり、０℃よりも低い温度の環境下で閾値電流以上の電流を供給しようとすると、半導体レーザ素子１０を破壊してしまうおそれがある。

これに対し、照明装置１が備える電流制御部１３は、温度センサ１２による測定値が第一閾値温度Ｔ１以上、好ましくは０℃以上である場合にのみ、閾値電流以上の電流を供給する、すなわち、半導体レーザ素子１０の動作保証温度範囲を遵守するように制御することで、半導体レーザ素子１０の破壊を抑止することができる。

なお、第一実施形態において、電流制御部１３は、温度センサ１２の測定値が、第二閾値温度Ｔ２を下回っている場合には、半導体レーザ素子１０に対して、閾値電流以下の電流を供給するように制御する。半導体レーザ素子１０は、閾値電流以下であっても、レーザ発振を生じないだけで電流が流れる。したがって、半導体レーザ素子１０は、内部を流れる電流によって自己発熱する。

この現象を利用し、第一閾値温度Ｔ１よりも低い温度の環境下において、温度センサ１２の測定値が第二閾値温度Ｔ２を下回っている場合に、半導体レーザ素子１０に対して閾値電流以下の電流を流して自己発熱させることで、半導体レーザ素子１０を加熱することができ、第一閾値温度Ｔ１よりも温度が高い状態とすることができる。つまり、半導体レーザ素子１０の自己発熱によって、別途加熱用の装置等を用いることなく、強制的、かつ、迅速に半導体レーザ素子１０の温度を第一閾値温度Ｔ１まで上昇させることができる。

上記構成とすることで、照明装置１は、第一閾値温度Ｔ１以下では閾値電流以上の電流を供給することがなく、第一閾値温度Ｔ１以下の低い温度の環境下においても、半導体レーザ素子１０を破壊してしまうおそれがない。したがって、安全な半導体レーザ素子１０を光源とした照明装置１が実現される。また、照明装置１は、第一閾値温度Ｔ１以上に達するように半導体レーザ素子１０を加熱する手段を有するため、寒冷地において、半導体レーザ素子１０の動作保証温度範囲を遵守するように動作することができる。

［第二実施形態］
本発明の照明装置１の第二実施形態の構成につき、第一実施形態とは異なる箇所を中心に説明する。

図６は、照明装置１の一実施形態をＸ方向から見たときの断面図である。図６に示すように、第二実施形態の照明装置１は、基板１１の表面に接触するように、半導体レーザ素子１０を加熱するためのヒータ２１が備えられている。

ヒータ２１は、照明装置１を動作させている場合に、温度センサ１２の測定値が、第二閾値温度Ｔ２を下回っている場合には、基板１１を介して半導体レーザ素子１０を加熱する。これにより、強制的、かつ、迅速に半導体レーザ素子１０の温度を第一閾値温度Ｔ１まで上昇させることができる。

なお、ヒータ２１は、例えば、セラミックヒータ、シリコンラバーヒータ、スペースヒータ、ペルチェ素子等を採用し得る。また、第二実施形態におけるヒータ２１は、図６に示すように、基板１１に接触するように配置されているが、基板１１と離れた位置に配置されていてもよく、筐体２の内壁面等に接触して配置されていても構わない。

上記構成とすることでも、照明装置１は、寒冷地において、半導体レーザ素子１０の動作保証温度範囲を遵守するように動作することができる。

［別実施形態］
以下、別実施形態につき説明する。

〈１〉 照明装置１は、半導体レーザ素子１０の温度が第一閾値温度Ｔ１よりも高くなるように、ストーブ、エアコンやドライヤ等で加熱しても構わない。なお、半導体レーザ素子１０の温度が第一閾値温度Ｔ１を上回って、閾値電流以上の電流が供給されている間は、自己発熱によって第一閾値温度Ｔ１以上の温度を維持することができる。したがって、起動する際に、第一閾値温度Ｔ１よりも高い温度になるまで加熱するだけで、その後は、外部からの加熱を必要とすることはない。

なお、半導体レーザ素子１０に閾値電流以上の電流が供給されている間は、自己発熱によって、高温状態となってしまう場合がある。したがって、照明装置１は、半導体レーザ素子１０に当該自己発熱によって生じた熱を排熱させるためのヒートシンクを備えていても構わない。ヒートシンクは、例えば、基板１１の表面に配置される。

〈２〉 上述した照明装置１は、常温環境下においても使用することができ、低温環境下の使用に限られるものではない。

〈３〉 上述した照明装置１が備える構成は、あくまで一例であり、本発明は、図示された各構成に限定されない。

１ ： 照明装置
２ ： 筐体
３ ： 出射窓
４ ： 支持台
４ａ ： 第一回動部
４ｂ ： 第二回動部
５ ： 蓋
５ａ ： 排熱口
１０ ： 半導体レーザ素子
１１ ： 基板
１２ ： 温度センサ
１３ ： 電流制御部
１４ ： 蛍光体
１５ ： ミラー
１６ ： ダイクロイックミラー
１７ ： 第一集光レンズ
１８ ： 第二集光レンズ
１９ ： アパーチャ
２０ ： コリメートレンズ
２１ ： ヒータ
Ｌ１ ： 光
Ｌ２ ： レーザ光
Ｔ１ ： 第一閾値温度
Ｔ２ ： 第二閾値温度

Claims (8)

1. 複数の半導体レーザ素子と、
   前記複数の半導体レーザ素子の周辺温度を測定するための温度センサと、
   前記半導体レーザ素子への電流供給を制御する電流制御部とを備え、
   前記電流制御部は、
   前記温度センサの測定値が所定の第一閾値温度以下である場合には、前記測定値が前記第一閾値温度を上回るまで、前記半導体レーザ素子に対して、レーザ光を出射するために必要な閾値電流以上の電流を供給することを行わず、
   前記測定値が前記第一閾値温度を上回っている場合には、前記半導体レーザ素子に対して、前記閾値電流以上の電流を供給することを特徴とする照明装置。
2. 前記第一閾値温度は、０℃以上の値であることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
3. ヒータを備え、前記温度センサの測定値が、所定の第二閾値温度を下回っている場合は、前記ヒータによって前記半導体レーザ素子を加熱することを特徴とする請求項１又は２に記載の照明装置。
4. 前記温度センサの測定値が、所定の第二閾値温度を下回っている場合は、前記電流制御部が前記半導体レーザ素子に対して、前記閾値電流以下の電流を供給することを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の照明装置。
5. 前記電流制御部は、前記温度センサの測定値が、前記第二閾値温度を下回っている場合は、前記半導体レーザ素子に対して、前記閾値電流以下の範囲で電流を徐々に増加させるように供給することを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
6. 前記第二閾値温度は、０℃以下の値であることを特徴とする請求項３～５のいずれか一項に記載の照明装置。
7. 前記半導体レーザ素子に供給される総電力値が３００Ｗ以上となるように構成されていることを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の照明装置。
8. 前記半導体レーザ素子は、窒化物半導体発光素子であることを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の照明装置。

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