JP7218055B2 - チャックテーブル - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハを保持するチャックテーブルに関する。

デバイスチップの製造工程においては、分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等でなるデバイスが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えるウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。

ウェーハの分割には、例えば、ウェーハを保持するチャックテーブルと、ウェーハを切削する円環状の切削ブレードが装着される切削ユニットとを備える切削装置が用いられる。切削ブレードを回転させ、チャックテーブルによって保持されたウェーハに切り込ませることにより、ウェーハを切断して複数のデバイスチップに分割できる。

一方、レーザー加工装置によってウェーハを加工する手法も広く用いられている。レーザー加工装置は、ウェーハを保持するチャックテーブルと、ウェーハにレーザービームを照射するレーザー照射ユニットとを備える（特許文献１参照）。

チャックテーブルの保持面上にウェーハを配置し、該保持面に吸引源の負圧を作用させることにより、ウェーハがチャックテーブルによって吸引保持される。そして、レーザー照射ユニットからチャックテーブルで保持されたウェーハに向かってレーザービームを照射することにより、ウェーハに所定の加工が施される。このレーザー加工装置によって、例えば、ウェーハの表面に溝を形成する加工や、ウェーハを分割する際の起点となる改質層をウェーハの内部に形成する加工等が行われる。

また、近年では、電子機器の小型化、薄型化に伴い、デバイスチップにも薄型化が求められている。そこで、分割前のウェーハを研削して薄化する技術が提案されている。ウェーハの研削には、例えば、ウェーハを保持するチャックテーブルと、研削砥石が固定された研削ホイールが装着される研削ユニットとを備える研削装置が用いられる。ウェーハをチャックテーブルで保持し、チャックテーブルと研削ホイールとをそれぞれ回転させながら研削砥石をウェーハの裏面側に接触させることにより、ウェーハが研削され、薄化される。

ウェーハを研削して薄化すると、ウェーハの剛性が低下し、ウェーハに反りが発生しやすくなる。ウェーハに反りが生じると、ウェーハの研削後に所定の工程（ウェーハの搬送、ウェーハの裏面を金属膜で被覆する工程等）を実施することが困難になる場合がある。そこで、ウェーハを薄化する際、ウェーハの裏面側のうちデバイス領域に対応する中央領域のみを研削する手法が提案されている（特許文献２参照）。この手法を用いると、ウェーハの外周部が薄化されないため、ウェーハの剛性の低下が抑えられ、ウェーハの反りの発生が抑制される。

特開２００６－２８１４３４号公報 特開２００７－１９４６１号公報

上記のように、ウェーハのデバイス領域に対応する領域のみを研削すると、ウェーハの裏面側には凹部が形成される。そして、このウェーハの表面側をレーザー加工装置によって加工する際には、チャックテーブルの保持面でウェーハの裏面側を吸引する必要がある。しかしながら、チャックテーブルの保持面は一般的に平らに形成されており、凹部を有するウェーハの裏面をチャックテーブルの保持面に密着させることが難しい。その結果、チャックテーブルによってウェーハを適切に保持することが困難になる場合がある。

また、レーザー加工装置を用いてウェーハを加工する際、レーザービームがウェーハを透過したりウェーハの外側にはみ出したりすることにより、チャックテーブルにレーザービームが照射されることがある。これにより、チャックテーブルがレーザービームによって加工され、損傷する恐れがある。チャックテーブルが損傷すると、チャックテーブルを交換する作業が必要となり、作業効率の低下及びコストの増大を招く。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、凹部を備えるウェーハを適切に保持可能で、且つ、レーザービームの照射による損傷が生じにくいチャックテーブルの提供を目的とする。

本発明の一態様によれば、デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面側に備え、裏面側の該デバイス領域に対応する領域に凹部を備えるウェーハにレーザービームを照射することによって該ウェーハを加工可能なレーザー加工装置に備えられ、該ウェーハを保持するチャックテーブルであって、該ウェーハの該凹部に上面側が挿入され、該レーザービームに対して透過性を有するポーラス板と、該ポーラス板の下面側が収容される収容凹部と、該収容凹部を吸引源に接続する吸引路とを備えるテーブル基台と、該ポーラス板の側面側を押圧し、該収容凹部の側面によって構成される該テーブル基台の内壁に該ポーラス板を押し当てることにより、該ポーラス板を該テーブル基台に着脱自在に固定する押し当て固定部と、を備え、該ポーラス板は、上面側が該テーブル基台の上面から上方に突出するように配置され、該ポーラス板の上面と該テーブル基台の上面との高さの差は、該ウェーハの該凹部の深さに対応するチャックテーブルが提供される。また、本発明の他の一態様によれば、デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面側に備え、裏面側の該デバイス領域に対応する領域に凹部を備えるウェーハにレーザービームを照射することによって該ウェーハを加工可能なレーザー加工装置に備えられ、該ウェーハを保持するチャックテーブルであって、該ウェーハの該凹部に上面側が挿入され、該レーザービームに対して透過性を有するポーラス板と、該ポーラス板の下面側が収容される収容凹部と、該収容凹部を吸引源に接続する吸引路とを備えるテーブル基台と、を備え、該ポーラス板は、上面側が該テーブル基台の上面から上方に突出するように配置され、該ポーラス板の上面と該テーブル基台の上面との高さの差は、該ウェーハの該凹部の深さに対応し、該テーブル基台は、該収容凹部と該テーブル基台の側面とを接続する大気開放溝を備えるチャックテーブルが提供される。

なお、好ましくは、該テーブル基台は、該ウェーハの外周部と重なる位置に配置された発光部を備える。また、好ましくは、該ポーラス板の側面にはシール部材が設けられている。

本発明の一態様に係るチャックテーブルは、テーブル基台に固定されるポーラス板を備え、ポーラス板の上面側はテーブル基台の上面から上方に突出している。そして、ウェーハは、ウェーハの裏面側に形成された凹部にポーラス板の上面側が挿入されるように配置される。これにより、ウェーハの凹部がポーラス板によって支持され、凹部を備えるウェーハがチャックテーブルによって適切に保持される。

また、ポーラス板はレーザービームに対して透過性を有する材質で構成されている。そのため、例えばレーザービームがウェーハを透過してポーラス板に照射されても、レーザービームによるポーラス板の加工が生じにくい。これにより、ポーラス板の損傷が抑制される。

図１（Ａ）はウェーハを示す斜視図であり、図１（Ｂ）は保護部材が貼付されたウェーハを示す斜視図である。 研削装置を示す斜視図である。 研削加工後のウェーハを示す斜視図である。 図４（Ａ）はフレームによって支持されたウェーハを示す斜視図であり、図４（Ｂ）はフレームによって支持されたウェーハを示す断面図である。 レーザー加工装置を示す斜視図である。 図６（Ａ）はチャックテーブルを示す平面図であり、図６（Ｂ）はチャックテーブルを示す断面図である。 押し当て固定部の一部を拡大して示す断面図である。 テーブル基台とポーラス板とが分離された状態のチャックテーブルを示す断面図である。 ウェーハを保持するチャックテーブルを示す断面図である。 第１の変形例に係るチャックテーブルを示す断面図である。 第２の変形例に係るチャックテーブルを示す断面図である。

以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るチャックテーブルによって保持可能なウェーハの構成例について説明する。図１（Ａ）は、ウェーハ１１を示す斜視図である。

ウェーハ１１は、例えばシリコン等の材料によって円盤状に形成され、表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える。ウェーハ１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されており、この領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイス１５が形成されている。

ウェーハ１１は、複数のデバイス１５が形成された略円形のデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する環状の外周余剰領域１９とを、表面１１ａ側に備える。外周余剰領域１９は、ウェーハ１１の外周部に位置し、デバイス１５が形成されていない領域に相当する。図１（Ａ）では、デバイス領域１７と外周余剰領域１９との境界２１を二点鎖線で示している。

なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料によって形成されていてもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。

ウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って分割することにより、デバイス１５をそれぞれ含む複数のデバイスチップが得られる。なお、このデバイスチップの薄型化等を目的として、分割前のウェーハ１１に対しては研削加工が施される。具体的には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研削砥石で研削され、ウェーハ１１が薄化される。

ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削する際は、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に円形の保護部材２３を貼付する。保護部材２３としては、例えば樹脂等でなるフィルム状のテープが用いられる。図１（Ｂ）は、保護部材２３が貼付されたウェーハ１１を示す斜視図である。保護部材２３によってウェーハ１１の表面１１ａ側が覆われ、複数のデバイス１５が保護される。

次に、ウェーハ１１の研削加工に用いられる研削装置の構成例について説明する。図２は、研削装置２を示す斜視図である。研削装置２は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）４と、ウェーハ１１に対して研削加工を施す研削ユニット６とを備える。

チャックテーブル４の上面は、ウェーハ１１の形状に対応して平面視で円形に形成されており、ウェーハ１１を保持する保持面を構成する。この保持面は、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）を介して吸引源と接続されている。

チャックテーブル４はモータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、この回転駆動源はチャックテーブル４を鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転させる。また、チャックテーブル４の下方には移動機構（不図示）が設けられており、この移動機構はチャックテーブル４を水平方向に移動させる。

チャックテーブル４の上方には、研削ユニット６が配置されている。研削ユニット６は、昇降機構（不図示）によって支持された円筒状のハウジング８を備える。ハウジング８には円柱状のスピンドル１０が収容されており、スピンドル１０の下端部はハウジング８の外部に露出している。このスピンドル１０の下端部には、円盤状の研削ホイール１２が装着される。

研削ホイール１２は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成された円環状の基台１４を備える。なお、基台１４の直径は、チャックテーブル４によって保持されるウェーハ１１のデバイス領域１７（図１（Ａ）参照）の直径よりも小さい。また、基台１４の下面側には、直方体状に形成された複数の研削砥石１６が基台１４の外周部に沿って固定されている。

スピンドル１０の上端側（基端側）にはモータ等の回転駆動源（不図示）が接続されており、研削ホイール１２はこの回転駆動源で発生する力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、研削ユニット６の内部又は近傍には、チャックテーブル４によって保持されたウェーハ１１及び研削砥石１６に純水等の研削液を供給するためのノズル（不図示）が設けられている。

ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削する際は、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側（保護部材２３側）とチャックテーブル４の保持面とが対向するように、ウェーハ１１をチャックテーブル４上に配置する。そして、チャックテーブル４の保持面に吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１が保護部材２３を介してチャックテーブル４によって吸引保持される。

次に、ウェーハ１１を保持したチャックテーブル４を研削ユニット６の下方に移動させる。このときチャックテーブル４の位置は、複数の研削砥石１６がウェーハ１１のデバイス領域１７（図１（Ａ）参照）と重なり、且つ、ウェーハ１１の外周余剰領域１９（図１（Ａ）参照）とは重ならないように調整される。

そして、チャックテーブル４と研削ホイール１２とをそれぞれ回転させ、研削液をウェーハ１１の裏面１１ｂ側に向かって供給しながらハウジング８を下降させる。例えば、チャックテーブル４は矢印Ａで示す方向に所定の回転数（例えば３００ｒｐｍ）で回転し、研削ホイール１２は矢印Ｂで示す方向に所定の回転数（例えば６０００ｒｐｍ）で回転する。ハウジング８の下降速度は、研削砥石１６が適切な力でウェーハ１１の裏面１１ｂ側に押し当てられるように調整される。

ハウジング８が下降し、複数の研削砥石１６がウェーハ１１に接触すると、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研削される。このとき複数の研削砥石１６は、ウェーハ１１の裏面１１ｂのうちデバイス領域１７に対応する（デバイス領域１７と重なる）第１領域１１ｃと接触し、且つ、外周余剰領域１９に対応する（外周余剰領域１９と重なる）第２領域１１ｄとは接触しない。そのため、ウェーハ１１の第１領域１１ｃのみが研削砥石１６によって研削され、薄化される。

ウェーハ１１が所望の厚さまで薄化されると、ウェーハ１１の研削加工が完了する。図３は、研削加工後のウェーハ１１を示す斜視図である。研削加工後のウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、円形の凹部１１ｅが形成されている。この凹部１１ｅは、デバイス領域１７（図１（Ａ）参照）に対応する領域に形成されており、ウェーハ１１の外周部１１ｆに囲繞されている。なお、外周部１１ｆには研削加工が施されておらず、外周部１１ｆの厚さは研削加工前のウェーハ１１の厚さと同一である。

仮に、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の全体を研削すると、ウェーハ１１の剛性が低下し、ウェーハ１１に反りが発生しやすくなる。ウェーハ１１に反りが生じると、ウェーハの研削後に所定の工程（ウェーハ１１の搬送、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を金属膜で被覆する工程等）を実施することが困難になる場合がある。

一方、上記のようにウェーハ１１の裏面１１ｂのうちデバイス領域１７に対応する領域（第１領域１１ｃ）のみを研削すると、図３に示すようにウェーハ１１の外周部１１ｆは薄化されず、厚い状態に維持される。これにより、ウェーハ１１の剛性の低下が抑えられ、ウェーハ１１の反りの発生が抑制される。

次に、研削加工が施されたウェーハ１１にレーザービームを照射することによって、ウェーハ１１を加工する。レーザービームによってウェーハ１１を加工する際には、まず、ウェーハ１１が環状のフレームによって支持される。図４（Ａ）はフレーム２７によって支持されたウェーハ１１を示す斜視図であり、図４（Ｂ）はフレーム２７によって支持されたウェーハ１１を示す断面図である。

ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、ウェーハ１１より径の大きい円形のテープ２５が貼付される。例えばテープ２５は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなる基材上に、ゴム系やアクリル系の粘着層（糊層）を形成することによって得られる柔軟なフィルムである。なお、図４（Ｂ）に示すように、テープ２５はウェーハ１１の外周部１１ｆのみでなく、凹部１１ｅの輪郭に沿って凹部１１ｅの内部にも貼付される。

テープ２５の外周部は、ウェーハ１１より直径の大きい円形の開口２７ａを中央部に備える環状のフレーム２７に貼付される。これにより、ウェーハ１１は開口２７ａの内側に配置された状態で、テープ２５を介してフレーム２７によって支持される。そして、フレーム２７によって支持されたウェーハ１１は、レーザー加工装置に搬送され、加工される。

図５は、レーザー加工装置２２を示す斜視図である。レーザー加工装置２２は、レーザー加工装置２２が備える各構成要素を支持する基台２４を備える。また、基台２４の後方には、直方体状の支持構造２６がＺ軸方向（鉛直方向、上下方向）に沿って配置されている。

基台２４の前方の角部には、上方に向かって突出する突出部２４ａが設けられている。突出部２４ａの内部には開口が形成されており、この開口の内部には昇降機構（不図示）に接続されたカセットエレベータ２８が設置されている。カセットエレベータ２８の上面には、フレーム２７によって支持された状態のウェーハ１１（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）を複数収容可能なカセット３０が搭載される。

突出部２４ａの後方には、ウェーハ１１を仮置きするための仮置き機構３２が設けられている。仮置き機構３２は、Ｙ軸方向（割り出し送り方向、前後方向）に概ね平行に配置された一対のガイドレール３２ａ，３２ｂを備える。ガイドレール３２ａ，３２ｂは、互いに平行な状態を維持しながら接近及び離隔するように、Ｘ軸方向（加工送り方向、左右方向）に沿って移動する。なお、ガイドレール３２ａ，３２ｂはそれぞれ、フレーム２７（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）を支持する支持面と、支持面に概ね垂直な側面とを備える。

仮置き機構３２の上方には、ウェーハ１１を搬送する搬送機構３４が設けられている。搬送機構３４の突出部２４ａ側には、ウェーハ１１を支持するフレーム２７を把持する把持部３４ａが設けられている。また、搬送機構３４の下面側には、ウェーハ１１又はフレーム２７を吸引して保持する複数の吸着パッド（不図示）が設けられている。

カセット３０に収容されたウェーハ１１は、把持部３４ａでフレーム２７を把持した搬送機構３４によってカセット３０から引き出され、ガイドレール３２ａ，３２ｂ上に配置される。また、ガイドレール３２ａ，３２ｂは互いに接近するように移動してウェーハ１１を挟み込み、ウェーハ１１のＸ軸方向における位置合わせを行う。

基台２４の中央部には、移動機構３６が設けられている。移動機構３６は、Ｙ軸方向と概ね平行に配置された一対のＹ軸ガイドレール３８を備える。Ｙ軸ガイドレール３８には、Ｙ軸移動テーブル４０がスライド可能に取り付けられている。

Ｙ軸移動テーブル４０の裏面側（下面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール３８と概ね平行に配置されたＹ軸ボールネジ４２が螺合されている。Ｙ軸ボールネジ４２の一端部には、Ｙ軸パルスモータ４４が連結されている。Ｙ軸パルスモータ４４でＹ軸ボールネジ４２を回転させると、Ｙ軸移動テーブル４０がＹ軸ガイドレール３８に沿ってＹ軸方向に移動する。

Ｙ軸移動テーブル４０の表面（上面）には、Ｘ軸方向と概ね平行に配置された一対のＸ軸ガイドレール４６が設けられている。Ｘ軸ガイドレール４６には、Ｘ軸移動テーブル４８がスライド可能に取り付けられている。

Ｘ軸移動テーブル４８の裏面側（下面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレール４６と概ね平行に配置されたＸ軸ボールネジ５０が螺合されている。Ｘ軸ボールネジ５０の一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールネジ５０を回転させると、Ｘ軸移動テーブル４８がＸ軸ガイドレール４６に沿ってＸ軸方向に移動する。

Ｘ軸移動テーブル４８の表面側（上面側）には、柱状のテーブルベース５２が設けられている。テーブルベース５２の上部には、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）５４が配置されている。また、チャックテーブル５４の周囲には、ウェーハ１１を支持するフレーム２７（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）を固定する４つのクランプ５６が設けられている。

テーブルベース５２は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。回転駆動源でテーブルベース５２を回転させると、チャックテーブル５４がＺ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、移動機構３６でＸ軸移動テーブル４８をＸ軸方向に移動させると、テーブルベース５２及びチャックテーブル５４がＸ軸方向に移動する（加工送り）。さらに、移動機構３６でＹ軸移動テーブル４０をＹ軸方向に移動させると、テーブルベース５２及びチャックテーブル５４がＹ軸方向に移動する（割り出し送り）。

チャックテーブル５４の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面５４ａを構成する。また、保持面５４ａは、チャックテーブル５４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。なお、チャックテーブル５４の構造の詳細については後述する（図６（Ａ）、図６（Ｂ）等参照）。

また、支持構造２６は、前方に向かって突出する支持アーム２６ａを備える。この支持アーム２６ａの先端部には、下方に向かってレーザービームを照射するレーザー照射ユニット５８が配置されている。また、レーザー照射ユニット５８に隣接する位置には、ウェーハ１１を撮像する撮像ユニット（カメラ）６０が設置されている。

レーザー照射ユニット５８は、例えばウェーハ１１に吸収される波長のレーザービーム（ウェーハ１１に対して吸収性を有する波長のレーザービーム）をパルス発振するレーザー発振器（不図示）を備える。例えば、ウェーハ１１がシリコン等の半導体材料でなり、ウェーハ１１に対してアブレーション加工を施す場合には、波長が３５５ｎｍのレーザービームをパルス発振するＮｄ：ＹＡＧ等のレーザー媒質を備えたレーザー発振器を用いることができる。

また、レーザー照射ユニット５８は、レーザー発振器からパルス発振されたレーザービームを集光する集光器（不図示）を備える。この集光器は、チャックテーブル５４によって保持されたウェーハ１１の所定の位置にレーザービームを集光する。レーザー照射ユニット５８でレーザービームを照射しながらチャックテーブル５４を移動させることにより、ウェーハ１１が加工される。

なお、チャックテーブル５４の動作は、加工の内容に応じて適宜設定される。例えば、ウェーハ１１をＸ軸方向又はＹ軸方向に沿って移動させることにより、ウェーハ１１がＸ軸方向又はＹ軸方向に沿って加工される。また、チャックテーブル５４を回転させることにより、ウェーハ１１がチャックテーブル５４の回転方向に沿って環状に加工される。

仮置き機構３２に仮置きされたウェーハ１１は、搬送機構３４によってチャックテーブル５４に搬送された後、レーザー照射ユニット５８によって加工される。そして、加工後のウェーハ１１は、例えば搬送機構３４によって保持され、仮置き機構３２に配置される。

なお、ウェーハ１１をチャックテーブル５４から仮置き機構３２に搬送する途中で、ウェーハ１１を洗浄ユニット（不図示）に搬送し、ウェーハ１１の洗浄を行ってもよい。そして、仮置き機構３２に配置されたウェーハ１１は、ガイドレール３２ａ，３２ｂによって挟み込まれて位置合わせが行われた後、搬送機構３４によってカセット３０に収容される。

仮置き機構３２、搬送機構３４、移動機構３６、チャックテーブル５４、レーザー照射ユニット５８、撮像ユニット６０等の各構成要素は、それぞれ、制御ユニット（不図示）に接続されている。この制御ユニットは、ウェーハ１１の加工に必要な一連の工程に合わせて、レーザー加工装置２２の各構成要素の動作を制御する。

図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すウェーハ１１の表面１１ａ側をレーザー加工装置２２で加工する際は、まず、チャックテーブル５４でウェーハ１１を支持する。具体的には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側（テープ２５側）と保持面５４ａとが対向するようにウェーハ１１をチャックテーブル５４上に配置するとともに、クランプ５６でフレーム２７を固定する。この状態で、保持面５４ａに吸引源の負圧を作用させると、ウェーハ１１がテープ２５を介してチャックテーブル５４によって吸引保持される。

ただし、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には凹部１１ｅ（図４（Ｂ）参照）が形成されており、テープ２５も凹部１１ｅに沿って貼付されている。そのため、仮にチャックテーブル５４の保持面５４ａが水平に形成されていると、チャックテーブル５４上にウェーハ１１を配置した際にテープ２５と保持面５４ａとの間に隙間が形成され、ウェーハ１１がチャックテーブル５４によって適切に保持されない場合がある。

そこで、本実施形態では、テーブル基台と、テーブル基台に固定されるポーラス板とを備えるチャックテーブル５４を用いる。このポーラス板は、上面側がテーブル基台の上面から上方に突出するように配置されており、ウェーハ１１は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に形成された凹部にポーラス板の上面側が挿入されるように配置される。

これにより、ウェーハ１１の凹部１１ｅがポーラス板によって支持され、凹部１１ｅを備えるウェーハ１１がチャックテーブル５４によって適切に保持される。以下、チャックテーブル５４の具体的な構成例について説明する。

図６（Ａ）はチャックテーブル５４を示す平面図であり、図６（Ｂ）はチャックテーブル５４をＡ－Ａ´線で切断したときの断面図である。チャックテーブル５４は、円盤状のテーブル基台７０を備える。テーブル基台７０は、例えばＳＵＳ等の金属、セラミックス、樹脂等を用いて形成される。また、テーブル基台７０は、レーザー照射ユニット５８（図５参照）から照射されるレーザービームに対して透過性を有する透明な材質（ガラス等）によって構成されていてもよい。

テーブル基台７０の表面７０ａ側には、上方に突出する円形の凸部７０ｂが設けられている。この凸部７０ｂの上面７０ｃは、テーブル基台７０の上面に相当し、ウェーハ１１の外周部１１ｆを保持する保持面を構成する（図９参照）。

また、テーブル基台７０はその上面側（凸部７０ｂの上面７０ｃ側）に収容凹部７０ｄを備える。収容凹部７０ｄは、凸部７０ｂの上面７０ｃからテーブル基台７０の下面側に向かって平面視で円形に形成されている。この収容凹部７０ｄの側面によって、テーブル基台７０の内壁が構成される。なお、収容凹部７０ｄの直径は凸部７０ｂの直径よりも小さく、凸部７０ｂと収容凹部７０ｄとは同心円状に配置されている。

また、収容凹部７０ｄの底部には、吸引路７０ｅが形成されている。吸引路７０ｅは、収容凹部７０ｄの底からテーブル基台７０の裏面（下面）側に向かって形成されており、バルブ９８を介して吸引源１００に接続される。この吸引路７０ｅによって、収容凹部７０ｄが吸引源１００に接続される。

また、凸部７０ｂの上面７０ｃ側には、収容凹部７０ｄの側面（テーブル基台７０の内壁）と、凸部７０ｂの外周面（テーブル基台７０の側面）とを接続する複数の大気開放溝７０ｆが形成されている。大気開放溝７０ｆは後述のように、チャックテーブル５４でウェーハ１１を保持した際に、収容凹部７０ｄをチャックテーブル５４の外部と連通させ、大気開放するために設けられる。なお、図６（Ａ）には４つの大気開放溝７０ｆが凸部７０ｂの周方向に沿って概ね等間隔に形成されている例を示すが、大気開放溝７０ｆの数及び配置に制限はない。

収容凹部７０ｄには、ウェーハ１１を吸引保持する円盤状の吸引部７２が収容される。吸引部７２は、多孔質材料でなり上面から下面に連通する多数の貫通孔を備えるポーラス板７４を備える。ポーラス板７４は、レーザー照射ユニット５８（図５参照）から照射されるレーザービームに対して透過性を有する材質でなる。すなわち、レーザー照射ユニット５８から照射された光はポーラス板７４を透過する。このポーラス板７４の上面７４ａは、ウェーハ１１の凹部１１ｅを保持する保持面を構成する（図９参照）。

例えば、ポーラス板７４は多孔質ガラスでなる。多孔質ガラスの材料としては、ソーダガラス（ソーダ石灰ガラス）、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等を用いることができる。特に、石英ガラスは耐熱性が高いため、ポーラス板７４に用いる材料として好ましい。

なお、ポーラス板７４の厚さは、収容凹部７０ｄの深さよりも大きい。そのため、吸引部７２を収容凹部７０ｄの内部に配置すると、ポーラス板７４の下面側が収容凹部７０ｄに挿入されるとともに、ポーラス板７４の上面７４ａ側がテーブル基台７０の上面（凸部７０ｂの上面７０ｃ）から上方に突出する。

ポーラス板７４の側面には、シール部材７６が設けられている。シール部材７６は、樹脂等でなり、ポーラス板７４を囲繞するように形成される。なお、吸引部７２の直径が収容凹部７０ｄの直径よりも小さい場合、収容凹部７０ｄに吸引部７２を配置すると、図６（Ｂ）に示すように凸部７０ｂとシール部材７６との間に隙間７８が形成される。

また、チャックテーブル５４は、ポーラス板７４をテーブル基台７０に固定する押し当て固定部８０を備える。押し当て固定部８０は、テーブル基台７０の表面７０ａに固定される固定部８２と、ポーラス板７４を押圧する押圧部８４とを備える。固定部８２と押圧部８４とは、付勢部材８６を介して互いに接続されている。

付勢部材８６は、押圧部８４を付勢することが可能な部材でなり、例えば弾性力によって押圧部８４を押圧可能な弾性部材（ばね等）によって構成される。本実施形態では、付勢部材８６としてばねを用いている。付勢部材８６の一端側は固定部８２に固定され、他端側は押圧部８４に固定されている。

図６（Ｂ）に示すように、凸部７０ｂの下部側の一部には、収容凹部７０ｄの側面（テーブル基台７０の内壁）から凸部７０ｂの外周面（テーブル基台７０の側面）に至る貫通孔７０ｇが形成されている。また、押圧部８４は、貫通孔７０ｇに挿入可能な形状及び大きさで形成されている。なお、押圧部８４の固定部８２とは反対側に位置する側面は、ポーラス板７４の側面の形状に対応して曲面状に形成されており、ポーラス板７４を押圧する押圧面８４ａを構成する。

また、図６（Ａ）に示すように、固定部８２には、固定部８２を上下に貫通する複数の長孔８２ａが形成されている。長孔８２ａは、長手方向が固定部８２とテーブル基台７０の中心とを結ぶ直線に沿うように形成されている。この長孔８２ａには、固定部８２をテーブル基台７０に固定するためのねじ８８が挿入される。

図７は、押し当て固定部８０の一部を拡大して示す断面図である。テーブル基台７０の表面７０ａ側には、ねじ８８の先端部が挿入されるねじ溝７０ｈが形成されている。長孔８２ａとねじ溝７０ｈとが重なるように固定部８２を配置した状態で、ねじ８８を長孔８２ａに挿入してねじ溝７０ｈにねじ込むと、固定部８２がねじ８８の頭部８８ａによってテーブル基台７０に押し付けられ、テーブル基台７０に固定される。

ポーラス板７４をテーブル基台７０に固定する際は、まず、収容凹部７０ｄの内部にポーラス板７４を配置した状態で、貫通孔７０ｇに押圧部８４を挿入するとともに、固定部８２をテーブル基台７０の表面７０ａ上に配置する。そして、固定部８２を収容凹部７０ｄ側に押圧することにより、押圧部８４の押圧面８４ａをポーラス板７４の側面側（シール部材７６）に接触させるとともに、ばねで構成される付勢部材８６を自然長未満に縮める。

これにより、ポーラス板７４が押圧部８４によって側面側から押圧され、テーブル基台７０の内壁のうち押し当て固定部８０とは反対側に位置する領域にポーラス板７４が押し当てられる。この状態で、ねじ８８を固定部８２の長孔８２ａに挿入してねじ溝７０ｈにねじ込み、固定部８２をテーブル基台７０の表面７０ａに固定する。その結果、ポーラス板７４はテーブル基台７０の内壁と押圧部８４とによって挟まれた状態で、テーブル基台７０に固定される。

一方、ポーラス板７４をテーブル基台７０から取り外す際は、ねじ８８を緩めて押し当て固定部８０を取り外す。これにより、押し当て固定部８０によるポーラス板７４の押圧が解除され、ポーラス板７４を収容凹部７０ｄから取り出すことが可能となる。図８は、テーブル基台７０とポーラス板７４とが分離された状態のチャックテーブル５４を示す断面図である。このように、ポーラス板７４は押し当て固定部８０によって、テーブル基台７０に着脱自在に固定される。

また、凸部７０ｂの大気開放溝７０ｆが形成されていない領域には、複数の発光部９０が形成されている。発光部９０は、凸部７０ｂの上面７０ｃ側に形成された凹部７０ｉの内部に配置された光源９２を備える。光源９２はＬＥＤ（Light Emitting Diode）等でなり、配線９４を介して光源９２に電圧を供給する電源（不図示）に接続されている。また、光源９２を収容する凹部７０ｉの上部は、透明な部材でなるカバー９６によって覆われている。

配線９４を介して光源９２に所定の電圧を供給すると、光源９２が発光する。そして、光源９２が発する光は、カバー９６を介してチャックテーブル５４の上方に向かって照射される。例えば発光部９０は、撮像ユニット６０（図５参照）でウェーハ１１を撮影する際、ウェーハ１１の外周部１１ｆを照らすライトとして用いられる。

上記のチャックテーブル５４によって、裏面１１ｂ側に凹部１１ｅが形成されたウェーハ１１（図４（Ｂ）参照）が保持される。図９は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル５４を示す断面図である。

チャックテーブル５４でウェーハ１１を保持する際は、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側（テープ２５側）とポーラス板７４の上面７４ａとが対向するように、ウェーハ１１をチャックテーブル５４上に配置する。このときウェーハ１１は、凹部１１ｅがポーラス板７４と重なるように位置付けられる。また、ウェーハ１１を支持するフレーム２７をクランプ５６（図５参照）で固定する。

ここで、ポーラス板７４の厚さは、テーブル基台７０の上面（凸部７０ｂの上面７０ｃ）とポーラス板７４の上面７４ａとの高さの差（ポーラス板７４の突出量）が、ウェーハ１１の凹部１１ｅの深さに対応するように設定される。具体的には、ポーラス板７４の突出量と凹部１１ｅの深さとは概ね同一である。また、ポーラス板７４の直径は、凹部１１ｅの直径よりも小さくなるように設定される。

そのため、ウェーハ１１をチャックテーブル５４上に配置すると、ポーラス板７４の上面７４ａ側がウェーハ１１の凹部１１ｅに挿入される。そして、ウェーハ１１の凹部１１ｅがテープ２５を介してポーラス板７４の上面７４ａによって支持され、ウェーハ１１の外周部１１ｆがテープ２５を介して凸部７０ｂの上面７０ｃによって支持される。

なお、ウェーハ１１の保持に支障がない範囲で、ポーラス板７４の突出量と凹部１１ｅの深さとは異なっていてもよい。この場合、ポーラス板７４の突出量と凹部１１ｅの深さと差は１００μｍ以下であることが好ましい。

また、上記のように、ポーラス板７４の直径や厚さは、ウェーハ１１の直径や凹部１１ｅの深さ等に応じて設定される。そのため、予め寸法の異なる複数のポーラス板７４を準備しておくことが好ましい。これにより、チャックテーブル５４で保持されるウェーハ１１の寸法に応じてポーラス板７４を交換できる。なお、ポーラス板７４の交換は、押し当て固定部８０の着脱によって容易に実施できる。

次に、バルブ９８を開いて吸引路７０ｅに吸引源１００の負圧を作用させる。このとき、ポーラス板７４の上面７４ａはウェーハ１１の凹部１１ｅで覆われ、ポーラス板７４の側面はシール部材７６で覆われている。そのため、バルブ９８を開くと吸引路７０ｅが吸引源１００によって容易に減圧され、ポーラス板７４の上面７４ａに負圧が作用する。これにより、ウェーハ１１がテープ２５を介してチャックテーブル５４によって吸引保持される。

なお、ウェーハ１１をチャックテーブル５４上に配置した際、図９に示すようにシール部材７６とテープ２５との間に隙間１０２が形成されることがある。仮にこの隙間１０２が密閉された状態でバルブ９８を開くと、シール部材７６の上面とテープ２５との間の隙間等を介して隙間１０２に吸引源１００の負圧が作用し、隙間１０２が減圧されることがある。その結果、ウェーハ１１の外周部１１ｆがシール部材７６側に引き寄せられてウェーハ１１が変形し、破損する恐れがある。

一方、上記のチャックテーブル５４は、凸部７０ｂに形成された大気開放溝７０ｆを備えており、隙間１０２はこの大気開放溝７０ｆを介して大気開放される。そのため、バルブ９８を開いても隙間１０２が減圧されにくく、ウェーハ１１の変形が生じにくい。これにより、ウェーハ１１の破損が防止される。

チャックテーブル５４によってウェーハ１１を保持した後、チャックテーブル５４をレーザー照射ユニット５８（図５参照）の下に移動させる。そして、レーザー照射ユニット５８からウェーハ１１の表面１１ａ側に向かってレーザービームを照射する。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側に所定の加工が施される。

なお、ウェーハ１１の加工の内容に制限はない。例えば、アブレーションによってウェーハ１１の表面に溝を形成する加工や、ウェーハを分割する際の起点となる改質層をウェーハ１１の内部に形成する加工等が行われる。

ウェーハ１１にレーザービームを照射する前に、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜を形成してもよい。保護膜は、例えばウェーハ１１の表面１１ａ側に塗布された水溶性の液状樹脂を硬化させることによって形成される。水溶性の樹脂としては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）等を用いることができる。

この保護膜により、レーザービームでウェーハ１１を加工した際に生じる加工屑（デブリ）がウェーハ１１の表面１１ａに付着することを防止できる。なお、水溶性の樹脂でなる保護膜は、レーザービームによる加工が完了した後、ウェーハ１１の表面１１ａ側に純水を供給する等の方法によって除去される。

また、ウェーハ１１にレーザービームを照射する前には、チャックテーブル５４によって保持されたウェーハ１１の外周部１１ｆを撮像ユニット６０（図５参照）で撮影し、ウェーハ１１の位置を確認しておくことが好ましい。例えば、撮像ユニット６０によってウェーハの外周縁を３箇所以上撮影し、撮影によって得られた画像に基づいて、ウェーハ１１の外周縁の座標及び中心座標を取得する。このようにして得られたウェーハ１１の位置情報に基づいてレーザービームの照射位置を制御することにより、例えば、レーザービームが意図せずウェーハ１１の外側に照射される等の不都合を回避できる。

撮像ユニット６０によってウェーハ１１をする際は、テーブル基台７０の凸部７０ｂに設けられた複数の発光部９０（図６（Ａ）等参照）を発光させることが好ましい。これにより、発光部９０がバックライトして機能して鮮明な画像を得ることができ、ウェーハ１１の位置を正確に把握することが可能となる。

以上の通り、本実施形態に係るチャックテーブル５４は、テーブル基台７０に固定されるポーラス板７４を備え、ポーラス板７４の上面７４ａ側はテーブル基台７０の上面（凸部７０ｂの上面７０ｃ）から上方に突出している。そして、ウェーハ１１は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に形成された凹部１１ｅにポーラス板７４の上面７４ａ側が挿入されるように配置される。これにより、ウェーハ１１の凹部１１ｅがポーラス板７４によって支持され、凹部１１ｅを備えるウェーハ１１がチャックテーブル５４によって適切に保持される。

また、ポーラス板７４は、レーザー照射ユニット５８から照射されるレーザービームに対して透過性を有する材質で構成されている。そのため、例えばレーザービームがウェーハ１１を透過してポーラス板７４に照射されても、レーザービームによるポーラス板７４の加工が生じにくい。これにより、ポーラス板７４の損傷が抑制される。

さらに、ポーラス板７４は、押し当て固定部８０によってテーブル基台７０に着脱自在に固定される。そのため、仮にポーラス板７４がレーザービームの照射によって加工されてしまい、ポーラス板７４の交換が必要となっても、交換作業を素早く行うことができる。また、ポーラス板７４が破損した際にチャックテーブル５４をテーブル基台７０ごと交換する必要がないため、コストの削減を図ることができる。同様に、ウェーハ１１の寸法（ウェーハ１１の直径や凹部１１ｅの深さ等）に応じてポーラス板７４を交換する際も、押し当て固定部８０の着脱によって交換作業を円滑に行うことができる。

なお、本実施形態では、押し当て固定部８０によってポーラス板７４をテーブル基台７０に固定する形態について説明したが、ポーラス板７４の固定方法に制限はない。例えば、ポーラス板７４の交換を頻繁に行わない場合等には、接着剤を用いてポーラス板７４をテーブル基台７０に固定してもよい。これにより、ポーラス板７４がテーブル基台７０に強固に固定される。

また、本実施形態で説明したチャックテーブル５４の細部の構造は、凹部１１ｅを備えるウェーハ１１を保持可能な範囲内で適宜変更できる。図１０は、第１の変形例に係るチャックテーブル（保持テーブル）１１０を示す断面図である。チャックテーブル１１０は、図６（Ｂ）に示す発光部９０に代えて発光部１１２を備える点において、チャックテーブル５４と異なる。その他のチャックテーブル１１０の構造及び機能は、チャックテーブル５４を同様である。

発光部１１２は、凸部７０ｂに形成されテーブル基台７０の上面から下面に貫通する複数の投光貫通孔７０ｊを備える。投光貫通孔７０ｊの下端側は、テーブルベース５２の外周部の表面（上面）側に形成された傾斜面５２ａに向かって開口している。

また、チャックテーブル１１０の外側には、ＬＥＤ等でなる光源１１４が設けられている。この光源１１４が発する光は、テーブルベース５２の傾斜面５２ａで反射し、投光貫通孔７０ｊを介してチャックテーブル１１０の上方に向かって照射される。このように、発光部１１２を構成する光源１１４は、チャックテーブル１１０の外部に設けられていてもよい。

発光部１１２は、例えば図６（Ａ）に示す発光部９０と同様の位置に配置される。ただし、発光部９０の数及び配置に制限はない。

図１１は、第２の変形例に係るチャックテーブル（保持テーブル）１２０を示す断面図である。チャックテーブル１２０は、テーブル基台１２２を備える。なお、以下で説明する事項を除き、テーブル基台１２２の構造及び材質等はテーブル基台７０（図６（Ｂ）、図１０参照）と同様である。

テーブル基台１２２は、下部基台１２４と、下部基台１２４の上面１２４ａ側に固定された上部基台１２６とを備える。この上部基台１２６は、チャックテーブル５４（図６（Ｂ）参照）の凸部７０ｂに対応する。すなわち、チャックテーブル１２０は、チャックテーブル５４（図６（Ｂ）参照）の凸部７０ｂがテーブル基台７０とは異なる部材で構成された変形例に相当する。

上部基台１２６は、上面１２６ａから下面１２６ｂに貫通する円形の開口１２６ｃを備えている。この開口１２６ｃは、チャックテーブル５４（図６（Ｂ）参照）の収容凹部７０ｄに対応する。下部基台１２４の開口１２６ｃと重なる領域には、バルブ９８を介して吸引源１００と接続される吸引路１２４ｂが形成されている。また、上部基台１２６は、その上面１２６ａ側に開口１２６ｃの半径方向内側（中央側）に向かって突出する庇状の押さえ部（庇部）１２６ｄを備える。

開口１２６ｃには、ポーラス板１３０及びシール部材１３２を備える吸引部１２８が収容される。ポーラス板１３０は、上面１３０ａ側の直径が下面側の直径よりも小さくなるように構成されている。そのため、ポーラス板１３０の側面には段差部１３０ｂが形成されている。吸引部１２８のその他の構造や材質は、チャックテーブル５４（図６（Ｂ）参照）の吸引部７２と同様である。

また、上部基台１２６は、大気開放溝１２６ｅ及び切り欠き部１２６ｆを備える。大気開放溝１２６ｅ及び切り欠き部１２６ｆの構造は、チャックテーブル５４（図６（Ｂ）参照）の大気開放溝７０ｆ及び貫通孔７０ｇと同様である。

上部基台１２６は、下部基台１２４に着脱自在に固定される。具体的には、上部基台１２６はその外周部に、上下に貫通する貫通孔１２６ｇを備える。また、下部基台１２４の上面１２４側ａには、貫通孔１２６ｇと重なる位置にねじ溝１２４ｃが形成されている。下部基台１２４上に上部基台１２６を配置した状態で、ねじ１３４を貫通孔１２６ｇに挿入してねじ溝１２４ｃにねじ込むことにより、上部基台１２６が下部基台１２４に固定される。

ポーラス板１３０をテーブル基台１２２に固定する際は、まず、下部基台１２４と上部基台１２６が分離された状態で、上部基台１２６の下面１２６ｂ側からポーラス板１３０を開口１２６ｃに挿入し、上部基台１２６とポーラス板１３０とを下部基台１２４上に配置する。このとき、ポーラス板１３０の側面に形成された段差部１３０ｂが、上部基台１２６の押さえ部１２６ｄによって下部基台１２４側に押圧される。

次に、ねじ１３４によって下部基台１２４と上部基台１２６とを固定する。そして、押し当て固定部８０によってポーラス板１３０を上部基台１２６に固定する。なお、押し当て固定部８０によるポーラス板１３０の固定方法は、チャックテーブル５４（図６（Ｂ）参照）を用いる場合と同様である。

上記のように、ポーラス板１３０の固定に上部基台１２６を用いると、ポーラス板１３０の段差部１３０ｂが上部基台１２６の押さえ部１２６ｄによって下部基台１２４側に押圧される。これにより、例えばウェーハ１１の加工や搬送等を行う際、ポーラス板１３０が上部基台１２６の上面１２６ａ側から外れることを防止できる。

なお、チャックテーブル１２０上にウェーハ１１（図４（Ｂ）参照）を配置すると、ウェーハ１１に貼付されたテープ２５によって、上部基台１２６とシール部材１３２との間に形成された隙間１３６が覆われる。しかしながら、上部基台１２６には大気開放溝１２６ｅが形成されており、開口１２６ｃは大気開放溝１２６ｅを介して大気開放される。そのため、バルブ９８を開いても隙間１３６が減圧されにくく、ウェーハ１１の変形は生じにくい。

図５に示すレーザー加工装置２２には、チャックテーブル５４に代えて、チャックテーブル１１０又はチャックテーブル１２０を搭載してもよい。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ 第１領域
１１ｄ 第２領域
１１ｅ 凹部
１１ｆ 外周部
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ デバイス領域
１９ 外周余剰領域
２１ 境界
２３ 保護部材
２５ テープ
２７ フレーム
２７ａ 開口
２ 研削装置
４ チャックテーブル（保持テーブル）
６ 研削ユニット
８ ハウジング
１０ スピンドル
１２ 研削ホイール
１４ 基台
１６ 研削砥石
２２ レーザー加工装置
２４ 基台
２４ａ 突出部
２６ 支持構造
２６ａ 支持アーム
２８ カセットエレベータ
３０ カセット
３２ 仮置き機構
３２ａ，３２ｂ ガイドレール
３４ 搬送機構
３４ａ 把持部
３６ 移動機構
３８ Ｙ軸ガイドレール
４０ Ｙ軸移動テーブル
４２ Ｙ軸ボールネジ
４４ Ｙ軸パルスモータ
４６ Ｘ軸ガイドレール
４８ Ｘ軸移動テーブル
５０ Ｘ軸ボールネジ
５２ テーブルベース
５４ チャックテーブル（保持テーブル）
５４ａ 保持面
５６ クランプ
５８ レーザー照射ユニット
６０ 撮像ユニット（カメラ）
７０ テーブル基台
７０ａ 表面
７０ｂ 凸部
７０ｃ 上面
７０ｄ 収容凹部
７０ｅ 吸引路
７０ｆ 大気開放溝
７０ｇ 貫通孔
７０ｈ ねじ溝
７０ｉ 凹部
７０ｊ 投光貫通孔
７２ 吸引部
７４ ポーラス板
７４ａ 上面
７６ シール部材
７８ 隙間
８０ 押し当て固定部
８２ 固定部
８２ａ 長孔
８４ 押圧部
８４ａ 押圧面
８６ 付勢部材
８８ ねじ
８８ａ 頭部
９０ 発光部
９２ 光源
９４ 配線
９６ カバー
９８ バルブ
１００ 吸引源
１０２ 隙間
１１０ チャックテーブル（保持テーブル）
１１２ 発光部
１１４ 光源
１２０ チャックテーブル（保持テーブル）
１２２ テーブル基台
１２４ 下部基台
１２４ａ 上面
１２４ｂ 吸引路
１２４ｃ ねじ溝
１２６ 上部基台
１２６ａ 上面
１２６ｂ 下面
１２６ｃ 開口
１２６ｄ 押さえ部（庇部）
１２６ｅ 大気開放溝
１２６ｆ 切り欠き部
１２６ｇ 貫通孔
１２８ 吸引部
１３０ ポーラス板
１３０ａ 上面
１３０ｂ 段差部
１３２ シール部材
１３４ ねじ
１３６ 隙間

Claims (4)

1. デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面側に備え、裏面側の該デバイス領域に対応する領域に凹部を備えるウェーハにレーザービームを照射することによって該ウェーハを加工可能なレーザー加工装置に備えられ、該ウェーハを保持するチャックテーブルであって、
   該ウェーハの該凹部に上面側が挿入され、該レーザービームに対して透過性を有するポーラス板と、
   該ポーラス板の下面側が収容される収容凹部と、該収容凹部を吸引源に接続する吸引路とを備えるテーブル基台と、
   該ポーラス板の側面側を押圧し、該収容凹部の側面によって構成される該テーブル基台の内壁に該ポーラス板を押し当てることにより、該ポーラス板を該テーブル基台に着脱自在に固定する押し当て固定部と、を備え、
   該ポーラス板は、上面側が該テーブル基台の上面から上方に突出するように配置され、
   該ポーラス板の上面と該テーブル基台の上面との高さの差は、該ウェーハの該凹部の深さに対応することを特徴とするチャックテーブル。
2. デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面側に備え、裏面側の該デバイス領域に対応する領域に凹部を備えるウェーハにレーザービームを照射することによって該ウェーハを加工可能なレーザー加工装置に備えられ、該ウェーハを保持するチャックテーブルであって、
   該ウェーハの該凹部に上面側が挿入され、該レーザービームに対して透過性を有するポーラス板と、
   該ポーラス板の下面側が収容される収容凹部と、該収容凹部を吸引源に接続する吸引路とを備えるテーブル基台と、を備え、
   該ポーラス板は、上面側が該テーブル基台の上面から上方に突出するように配置され、
   該ポーラス板の上面と該テーブル基台の上面との高さの差は、該ウェーハの該凹部の深さに対応し、
   該テーブル基台は、該収容凹部と該テーブル基台の側面とを接続する大気開放溝を備えることを特徴とするチャックテーブル。
3. 該テーブル基台は、該ウェーハの外周部と重なる位置に配置された発光部を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のチャックテーブル。
4. 該ポーラス板の側面にはシール部材が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のチャックテーブル。

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