JP7152711B2 - 接合基板の製造方法及び接合基板 - Google Patents

Description

本発明は、圧電基板と支持基板とを接合した接合基板の製造方法、及び、接合基板に関する。

近年、携帯電話端末のような通信機器における高周波フィルタとして、弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）が使用されている。この種の弾性表面波素子は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）もしくは水晶（ＳｉＯ_２）などの圧電材料の単結晶基板から形成される圧電基板を備えている。これらの圧電材料は、一般に熱膨張率が高く、温度変化の影響を受け易いため、温度変化によってフィルタ特性が不安定となる傾向にある。

このため、圧電基板と、この圧電基板よりも熱膨張率の低い単結晶シリコンからなる支持基板とを接合した接合基板が知られている。この接合基板の製造方法として、従来、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板である圧電基板、及び、シリコンの単結晶基板である支持基板に、真空中でそれぞれアルゴン（Ａｒ）中性原子ビームを照射して両基板の表面を活性化させた後、両表面を接触させた状態で加圧して両基板を常温接合するものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。この製造方法では、両基板の表面にそれぞれアルゴン中性原子ビームを照射することで、両基板間にアモルファス層を有する接合基板が形成される。

特許第５５８３８７５号公報

ところで、常温接合では、熱処理を必要とせず、基板同士を直接接合できるため、熱処理に伴う基板の膨張等の変形を抑えることができる。しかし、従来の構成では、圧電基板及び支持基板の表面にそれぞれアルゴン中性原子ビームを照射して表面を活性化させるため、活性化処理により基板温度が上昇し、両基板の熱膨張率差によって接合後に、接合基板の反りが発生することが想定される。この反りを解消するために、表面の活性化処理後に、基板を冷却する必要が生じ、その分、製造工程が煩雑になると共に、製造に要する時間が長くなる。更に、従来の構成では、アモルファス層は、圧電基板から支持基板に向かって複数層に分けられており、圧電基板側のアモルファス層には、圧電基板を構成する酸化物を含んで形成されるため、圧電基板と支持基板との接合強度が低下する問題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、圧電基板と支持基板との接合時の反りの発生を防止し、接合強度の向上を図った接合基板の製造方法、及び、接合基板を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶のいずれか１つの圧電材料の単結晶基板から形成される圧電基板と、シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、ガリウムリン、ガリウム砒素のいずれか１つの半導体材料の単結晶または多結晶基板から形成される支持基板とを常温接合して製造した接合基板の製造方法であって、支持基板に高速原子ビームを照射して、半導体材料をスパッタリングすることにより、圧電基板に半導体材料を非晶質化させた非晶質半導体材料からなる接合層を形成する工程と、接合層を介して、圧電基板と支持基板とを圧接する工程と、を備えることを特徴とする。

この構成によれば、熱膨張率が圧電基板よりも低い支持基板に高速原子ビームを照射して、半導体材料をスパッタリングすることにより、圧電基板に非晶質半導体材料からなる接合層を形成するため、圧電基板の温度上昇に伴う熱膨張を抑制し、圧電基板と支持基板との熱膨張率差によって接合後に、接合基板の反りが発生することを防止できる。また、接合層は、酸化物の単結晶基板から形成される圧電基板の上に形成され、この接合層と支持基板とが接合されるため、圧電基板と支持基板との接合強度の向上を実現できる。

また、接合層を形成する工程では、接合層は、１（ｎｍ）以上１００（ｎｍ）以下の厚みに形成されてもよい。この構成によれば、接合層の厚みが１（ｎｍ）よりも小さいと、接合に必要となる十分な膜厚を持つ接合層を接合面に形成することができない。また、接合層の厚みが１００（ｎｍ）よりも大きいと、スパッタリングされる支持基板の表面の粗さが増大し、圧電基板との接合を達成することができない。このため、接合層の厚みを１（ｎｍ）以上１００（ｎｍ）以下とすることで、接合後の接合基板の反りを防止でき、バックグラインドやダイシングなどの後工程の際に必要となる接合強度を確保できる。

また、接合層を形成する工程の前に、圧電基板に、半導体材料の酸化物または窒化物からなる絶縁層を形成する工程を備えてもよい。この構成によれば、絶縁層が圧電基板と接合層との間に位置するため、圧電基板の絶縁性が保持され、例えば、接合基板を弾性表面波素子に使用した際のフィルタ特性が向上する。

また、本発明は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶のいずれか１つの圧電材料の単結晶基板から形成される圧電基板と、シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、ガリウムリン、ガリウム砒素のいずれか１つの半導体材料の単結晶または多結晶基板から形成される支持基板と、支持基板の半導体材料を非晶質化させた非晶質半導体材料で圧電基板上に形成される接合層とを備え、接合層に含有されるシリコン原子の存在量に対する酸素原子の存在量の比が０．１５以下であり、接合層を介して、圧電基板と支持基板とが常温接合されたことを特徴とする。

この構成によれば、熱膨張率が圧電基板よりも低い支持基板の半導体材料を非晶質化させた非晶質半導体材料で圧電基板上に接合層を形成するため、圧電基板の温度上昇に伴う熱膨張を抑制し、圧電基板と支持基板との熱膨張率差によって接合後に、接合基板の反りが発生することを防止できる。また、接合層は、酸化物の単結晶基板から形成される圧電基板上に形成され、この接合層と支持基板とが接合されるため、圧電基板と支持基板との接合強度の向上を実現できる。

また、接合層は、１（ｎｍ）以上１００（ｎｍ）以下の厚みに形成されてもよい。この構成によれば、接合層の厚みが１（ｎｍ）よりも小さいと、接合に必要となる十分な膜厚を持つ接合層を接合面に形成することができない。また、接合層の厚みが１００（ｎｍ）よりも大きいと、スパッタリングされる支持基板の表面の粗さが増大し、圧電基板との接合を達成することができない。このため、接合層の厚みを１（ｎｍ）以上１００（ｎｍ）以下とすることで、接合後の接合基板の反りを防止でき、バックグラインドやダイシングなどの後工程の際に必要となる接合強度を確保できる。

また、圧電基板と接合層との間に、半導体材料の酸化物または窒化物からなる絶縁層を備えてもよい。この構成によれば、絶縁層が圧電基板と接合層との間に位置するため、圧電基板の絶縁性が保持され、例えば、接合基板を弾性表面波素子に使用した際のフィルタ特性が向上する。

本発明によれば、圧電基板と支持基板との接合時の反りの発生を防止しつつ、圧電基板と支持基板との接合強度の向上を図ることができる。

図１は、本実施形態に係る接合基板が接合される常温接合装置の構成を模式的に示す断面図である。 図２は、接合前の圧電基板と支持基板の構成を模式的に示す断面図である。 図３は、圧電基板と支持基板とを接合して形成された接合基板の構成を模式的に示す断面図である。 図４は、圧電基板と支持基板との接合界面を模式的に示す断面拡大図である。 図５は、アモルファスシリコン層内における酸素／シリコンの存在量比と表面エネルギーとの関係を示すグラフである。 図６－１は、接合層の厚みと表面エネルギーとの関係を示すグラフである。 図６－２は、支持基板の表面粗さと接合層の厚みとアルゴンビームの照射時間との関係を示すグラフである。 図６－３は、表面粗さと引張強度との関係を示すグラフである。 図７は、圧電基板と支持基板とを接合する工程を示す工程説明図である。 図８は、圧電基板と支持基板とを接合する工程を示す工程説明図である。 図９は、圧電基板と支持基板とを接合する工程を示す工程説明図である。 図１０は、別の実施形態に係る圧電基板と支持基板の接合前の構成を模式的に示す断面図である。 図１１は、別の実施形態に係る圧電基板と支持基板とを接合して形成された接合基板の構成を模式的に示す断面図である。

以下に、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、以下の実施形態における構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、あるいは実質的に同一のものが含まれる。

図１は、本実施形態に係る接合基板が接合される常温接合装置の構成を模式的に示す断面図である。常温接合装置１０は、図１に示すように、真空チャンバ１１と、この真空チャンバ１１内に設置される上側ステージ１２、下側ステージ１３と、高速原子ビーム源（FAB: Fast Atom Beam）１４，１５と、真空排気装置１６とを備えている。

真空チャンバ１１は内部を環境から密閉する容器であり、真空排気装置１６は、真空チャンバ１１の内部から気体を排出する。これにより、真空チャンバ１１の内部は、真空雰囲気となる。さらに、真空チャンバ１１は、この真空チャンバ１１の内部空間と外部とを連通させ、または、分離するゲート（不図示）を備える。

上側ステージ１２は、円板状に形成された静電チャック１２Ａと、この静電チャック１２Ａを鉛直方向に上下させる圧接機構１２Ｂとを備えている。静電チャック１２Ａは、円板の下端に誘電層を備え、その誘電層に電圧を印加し、静電力によってその誘電層に圧電基板１７を吸着して支持する。圧接機構１２Ｂは、ユーザの操作により、静電チャック１２Ａを真空チャンバ１１に対して鉛直方向に平行移動させる。

下側ステージ１３は、その上面に支持基板１８を支持するステージであり、図示されていない移送機構を備えている。その移送機構は、ユーザの操作により下側ステージ１３を水平方向に平行移動させ、下側ステージ１３を鉛直方向に平行な回転軸を中心に回転移動させる。また、下側ステージ１３は、その上端に誘電層を備え、その誘電層に電圧を印加し、静電力によってその誘電層に支持基板１８を吸着して支持する機構を備えても良い。本実施形態では、上側ステージ１２に圧電基板１７を支持し、下側ステージ１３に支持基板１８を支持する構成としたが、これに限るものではなく、上側ステージ１２に支持基板１８を支持し、下側ステージ１３に圧電基板１７を支持する構成としてもよい。

高速原子ビーム源１４，１５は、圧電基板１７及び支持基板１８の表面の活性化に用いられる中性原子ビーム（例えば、アルゴンビーム）を出射する。一方の高速原子ビーム源１４は、上側ステージ１２に支持される圧電基板１７に向けて配置され、他方の高速原子ビーム源１５は、下側ステージ１３に支持される支持基板１８に向けて配置される。これら高速原子ビーム源１４，１５からそれぞれ中性原子ビームが照射されることにより、圧電基板１７及び支持基板１８の各表面を活性化することができる。なお、高速原子ビーム源１４，１５は、それぞれ単独に動作制御することが可能であり、本実施形態では、支持基板１８に対応する一方の高速原子ビーム源１５のみを動作させている。

次に、常温接合装置１０を用いて常温接合される接合基板２０について説明する。図２は、接合前の圧電基板と支持基板の構成を模式的に示す断面図であり、図３は、圧電基板と支持基板とを接合して形成された接合基板の構成を模式的に示す断面図である。図４は、圧電基板と支持基板との接合界面を模式的に示す断面拡大図である。本実施形態に係る接合基板２０は、例えば、携帯電話端末のような通信機器における高周波フィルタとして利用される弾性表面波（ＳＡＷ；Surface Acoustic Wave）素子を構成するものである。接合基板２０は、図２及び図３に示すように、圧電基板１７と支持基板１８とを備え、これら圧電基板１７と支持基板１８とを接合層１９を介して接合することにより形成される。

圧電基板１７は、この圧電基板１７に印加された力を電圧に変換する、あるいは電圧を力に変換するといった圧電効果を利用したものである。圧電基板１７は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３；圧電材料）の単結晶基板から形成されている。圧電基板１７を構成する圧電材料としては、タンタル酸リチウム以外にも、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）もしくは水晶（ＳｉＯ_２）を用いることもできる。

支持基板１８は、圧電基板１７と接合されることにより、圧電基板１７を支持する。支持基板１８は、圧電基板１７を構成する圧電材料よりも熱膨張率の小さなシリコン（Ｓｉ；半導体材料）の単結晶または多結晶基板から形成されている。また、支持基板１８を構成する半導体材料としては、シリコン以外にもゲルマニウム（Ｇｅ）、炭化けい素（ＳｉＣ）、ガリウムリン（ＧａＰ）もしくはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の化合物材料を用いることもできる。圧電基板１７の表面１７Ａと支持基板１８の表面１８Ａは、それぞれ平坦面に形成されている。

圧電基板１７と支持基板１８とを接合する場合には、図２及び図３に示すように、圧電基板１７と支持基板１８とをお互いに対向させ、上記した常温接合装置１０を用いて常温接合がなされる。この場合、圧電基板１７を構成する圧電材料（タンタル酸リチウム）は酸化物であるため、これらを直接接合することはできない。このため、本構成では、圧電基板１７と支持基板１８との間に接合層１９が設けられている。この接合層１９は、圧電基板１７と支持基板１８とを接合するための薄膜であり、支持基板１８を構成する半導体材料を非晶質化した非晶質半導体材料（アモルファスシリコン）によって形成されている。

この接合層１９は、図２に示すように、圧電基板１７の表面１７Ａ上に該圧電基板１７と一体に形成されており、接合層１９の表面１９Ａと支持基板１８の表面１８Ａとの界面が接合面となる。本構成では、圧電基板１７と支持基板１８とを非晶質半導体材料からなる接合層１９を介して接合しているため、金属材料を介在させた接合と比べて、接合強度を保持しつつフィルタ特性の低下を抑えることができる。

接合層１９は、シリコンで形成された支持基板１８にアルゴンビームを照射してスパッタリングすることにより、圧電基板１７の表面１７Ａに形成されたものであり、シリコンからアモルファスシリコンに状態を変えて形成されている。発明者は、図４に示すように、支持基板１８内の測定点Ｐ１０，Ｐ１１及び接合層１９内の測定点Ｐ１２，Ｐ１３の４か所について、エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ分析法）により、物体を構成する元素と濃度の元素分析を行った。ＥＤＸ分析法は、電子線やＸ線などの一次線を物体に照射した際に発生する特性Ｘ線を半導体検出器に導入し、発生した電子－正孔対のエネルギーと個数から、物体を構成する元素と比率（濃度）を分析する手法である。支持基板１８内の測定点Ｐ１０は、支持基板１８の厚み方向の略中央の領域にあり、測定点Ｐ１１は、測定点Ｐ１０よりも接合層１９に近い領域にある。また、接合層１９内の測定点Ｐ１３は、接合層１９の厚み方向の略中央の領域にある。測定点Ｐ１２は、測定点Ｐ１３よりも支持基板１８に近い領域にある。各測定点Ｐ１０～Ｐ１３における構成元素の比率を表１に示す。

この表１の結果によれば、接合層１９は、支持基板１８と比較して酸素原子（Ｏ）が多く含まれていることが分かる。特に、圧電基板１７に近い側の測定点Ｐ１３での酸素原子の比率の数値が高い。これは、接合時のＨ_２Ｏ等のチャンバ内残留ガスの吸着等の影響と考えられる。また、一般に、接合層１９を構成するアモルファスシリコン層内における酸素／シリコンの存在量比が高くなると、アモルファスシリコン層の表面エネルギーが低下する。具体的には、図５に示すように、アモルファスシリコン層内における酸素／シリコンの存在量比が０．１５を超えると、表面エネルギーが低下する傾向にあるため、この酸素／シリコンの存在量比は０．１５以下が好ましい。

従来（特許第５５８３８７５号公報）の接合プロセスでは、酸化物である圧電基板（圧電材料）側にもアルゴンビームを照射する。このため、圧電基板の表面は、その照射によりアモルファス化した不安定な表面となり、その後支持基板においても同様にアモルファス化し不安定なシリコン表面と結合して接合する。その結果、接合層としてのアモルファスシリコン層内に圧電材料の酸素成分が入り込むため、アモルファスシリコンの活性度が減少し、その表面エネルギーは後述する図６－１に示すように、０．３～０．５（Ｊ／ｍ^２）程度と十分な接合強度を得ることが難しい。これに対して、本発明では、支持基板１８側のみのアルゴンビーム照射となるため、支持基板１８の表面は高い活性度を維持し、圧電基板１７の表面上の接合層１９内における酸素／シリコン存在量比を低く抑えることができる。具体的には、測定点Ｐ１３での酸素／シリコン存在量比は、０．０４６（４．３／９３．２）であり、測定点Ｐ１２での酸素／シリコン存在量比は、０．０２３（２．２／９５．５）となり、概ね１／１５程度以下であって０．１５以下を保持している。このため、本発明の構成では、圧電基板１７由来の酸素原子の影響を受けることなく支持基板１８と接合できるため、高い接合強度を得ることが可能となる。

ところで、圧電基板１７と支持基板１８とを接合する場合、圧電基板１７にアルゴンビームを照射して圧電基板１７の表面１７Ａを活性化させ、該表面１７Ａに圧電材料を非晶質化させたアモルファス層（接合層）を形成することもできる。しかし、圧電基板１７は、支持基板１８よりも熱膨張率が高いため、圧電基板１７にアルゴンビームを照射して接合層を形成する構成では、圧電基板１７の温度上昇に伴う熱膨張が発生する。このため、圧電基板１７と支持基板１８との熱膨張率差によって接合後に、接合基板２０の反りが発生することが想定される。本構成では、熱膨張率が圧電基板１７よりも低い支持基板１８にアルゴンビームを照射してシリコンをスパッタリングすることにより、シリコンを非晶質化させたアモルファスシリコンで、圧電基板１７上に接合層１９を形成する。このため、圧電基板１７の温度上昇に伴う熱膨張を抑制することができ、圧電基板１７と支持基板１８との接合後に、接合基板２０に反りが発生することを防止できる。さらに、アモルファスシリコンからなる接合層１９は、酸化物の単結晶基板から形成される圧電基板１７の表面１７Ａに形成され、この接合層１９の表面１９Ａと支持基板１８の表面１８Ａとが接合されるため、圧電基板１７と支持基板１８との接合強度の向上を実現できる。

次に、接合層１９を介して接合された接合基板２０の接合強度を測定した。接合強度の測定は、ブレード（オープニングクラック）法と呼ばれる評価方法を用いて行った。具体的には、接合基板２０の圧電基板１７と支持基板１８との接合界面に、厚みが１００（μｍ）のブレードを挿入し、両基板２０，１７の外周部を機械的に剥離させた。ブレード先端から最も剥離が進展した箇所までの距離を測長し、この距離から表面エネルギーを算出し、これを接合強度とした。圧電基板１７の表面１７Ａに形成される接合層１９の厚みは、通常、支持基板１８にアルゴンビーム１５ａを照射する照射時間に依存する。すなわち、照射時間を長くするに従って、接合層１９の厚みが増加する。

図６－１は、接合層の厚みと表面エネルギー（接合強度）との関係を示すグラフである。また、図６－２は、支持基板の表面粗さと接合層の厚みとアルゴンビームの照射時間との関係を示すグラフである。また、図６－３は、表面粗さと引張強度との関係を示すグラフである。図６－１において、符号（Ａ）は、従来（特許第５５８３８７５号公報）の方法による圧電基板と支持基板とを接合した際の接合層の厚みと表面エネルギーとの関係を示すものである。この図６－１に示すように、従来の方法では、接合層の厚みが増加しても表面エネルギーは一定の値（０．５（Ｊ／ｍ^２））で変化していないが、本実施形態では、接合層の厚みが増加するに従って表面エネルギー（接合強度）も増加する傾向にある。接合層の厚みが１（ｎｍ）よりも小さいと、接合に必要となる十分な膜厚を持つ接合層を接合面に形成することができない。このため、接合層の厚みを１（ｎｍ）以上とすることが好ましい。特に、接合層の厚みを２（ｎｍ）以上とすると、表面エネルギーが１（Ｊ／ｍ^２）となり接合強度が向上するため、一層好ましい。また、支持基板１８の表面粗さが１（ｎｍ Ｒａ）を超えると、図６－３に示すように、引張強度が低下する傾向にある。このため、支持基板１８の表面粗さが１（ｎｍ Ｒａ）以下、すなわち、接合層の厚みが、１００（ｎｍ）よりも大きいと、スパッタリングされる支持基板の表面の粗さが増大し、圧電基板との接合を達成することができない。このため、接合層の厚みを１００（ｎｍ）以下とすることが好ましい。特に、接合層の厚みを８０（ｎｍ）以下とすると、表面粗さに対応する引張強度を高く維持できるため、接合強度が向上して一層好ましい。このため、接合層の厚みを１（ｎｍ）以上１００（ｎｍ）以下、より好ましくは、２（ｎｍ）以上８０（ｎｍ）以下とすることで、接合後の接合基板の反りを防止でき、バックグラインドやダイシングなどの後工程の際に必要となる接合強度を確保できる。

次に、接合基板２０の製造手順について説明する。図７～図９は、圧電基板と支持基板とを接合する工程を示す工程説明図である。前提として、圧電基板１７と支持基板１８は、それぞれ表面１７Ａ，１８Ａを平坦に加工されている。

図７に示すように、圧電基板１７が常温接合装置１０の真空チャンバ１１内に搬送され、この圧電基板１７は、表面１７Ａが鉛直下方を向くように、上側ステージ１２の静電チャック１２Ａに支持される。また、真空チャンバ１１内に支持基板１８が搬送され、この支持基板１８は、表面１８Ａが鉛直上方を向くように、下側ステージ１３の上面に載置される。このように、本構成では、圧電基板１７と支持基板１８とは、表面１７Ａ，１８Ａが対向するように配置される。支持基板１８は、シリコンの単結晶基板で形成されており、接合層１９を生成する際のスパッタ源としても用いられる。

真空チャンバ１１内は真空雰囲気に維持されており、この状態で、高速原子ビーム源１５から支持基板１８に向けて、アルゴンビーム１５ａを出射する。支持基板１８の表面１８Ａにアルゴンビーム１５ａが照射されることにより、支持基板１８がスパッタリングされ、支持基板１８から弾き出されたシリコン原子が上昇し、図８に示すように、圧電基板１７の表面１７Ａ上に接合層１９が成膜される。また、支持基板１８の表面１８Ａは、スパッタリングされた際に活性化されている。本実施形態では、アルゴンビーム１５ａの照射を所定時間（例えば１ｍｉｎ）行い、圧電基板１７の表面１７Ａ上に厚さ１（ｎｍ）以上の接合層１９を形成する。この接合層１９は、上述したように、支持基板１８を形成するシリコンが非晶質化したアモルファスシリコンである。なお、スパッタリングにより形成される接合層１９の厚みは、アルゴンビーム１５ａの照射時間とほぼ比例関係にあるが、上記した所定時間は例示であり、１（ｎｍ）以上の接合層１９を形成できれば、高速原子ビーム源の動作条件（電圧，電流等）により照射時間を適宜変更することが可能である。

本実施形態では、支持基板１８にアルゴンビーム１５ａを照射して支持基板１８をスパッタリングすることで、圧電基板１７の表面１７Ａに接合層１９を形成しているため、接合層１９用にスパッタ源を用意する必要が無いと共に、真空チャンバ１１内へのスパッタ源の出し入れが低減するため、作業手順を簡素化し、圧電基板１７の表面１７Ａに接合層１９を簡単に形成することができる。また、支持基板１８にアルゴンビーム１５ａを照射して支持基板１８をスパッタリングすることで、圧電基板１７の表面１７Ａに接合層１９を形成することで、圧電基板１７に対するアルゴンビーム１５ａの照射を防止し、圧電基板１７の温度上昇に伴う熱膨張を抑制することができる。

続いて、圧電基板１７と支持基板１８とのアライメントを行った後、図９示すように、上側ステージ１２の圧接機構１２Ｂを動作させることで、圧電基板１７を支持した静電チャック１２Ａを鉛直下方に下降させ、圧電基板１７と支持基板１８とを圧接する。これにより、圧電基板１７と支持基板１８とが接合層１９を介して接合され、接合基板２０が形成される。本実施形態では、圧電基板１７の表面１７Ａに接合層１９を形成する際に、圧電基板１７の温度上昇に伴う熱膨張を抑制しているため、圧電基板１７と支持基板１８との熱膨張率差によって接合後に、接合基板２０の反りが発生することを防止できる。

次に、別の実施形態に係る接合基板５０について説明する。図１０は、別の実施形態に係る圧電基板と支持基板の接合前の構成を模式的に示す断面図である。図１１は、別の実施形態に係る圧電基板と支持基板とを接合して形成された接合基板の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る接合基板５０は、圧電基板１７と接合層１９との間に絶縁層２１が形成されている点で、上記した接合基板２０と構成を異にしている。絶縁層２１を設けた点以外は上記した接合基板２０と同一の構成を有するため、同一の符号を付して説明を省略する。

図１０及び図１１に示すように、圧電基板１７の表面１７Ａには、絶縁層２１が形成されている。絶縁層２１は、電気を通しにくい性質を有する物質で形成された薄膜である。絶縁層２１は、支持基板１８を形成するシリコン（Ｓｉ；半導体材料）の酸化物であるシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）で形成される。また、絶縁層２１として、シリコンの窒化物であるシリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）を用いることもできる。シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）もしくはシリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）は、酸化炉、窒化炉、または、化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）装置などにより、接合層１９を形成する前に形成されている。

接合層１９は、接合直前に絶縁層２１の表面２１Ａに、上記したスパッタリングにより形成されるため高い活性度を維持し、また支持基板１８の表面１８Ａもアルゴンビーム１５ａの照射により、同様に高い活性度状態となる。このため、両者の接合では高い接合強度を達成することが可能となる。

このように、本実施形態に係る接合基板５０は、圧電基板１７と接合層１９との間に、支持基板１８を構成するシリコンの酸化物または窒化物からなる絶縁層２１を備えるため、圧電基板１７の絶縁性を保持することができる。これによれば、例えば、接合基板５０を弾性表面波素子に使用する際に、弾性表面波素子の絶縁性が向上するため、弾性表面波素子のフィルタ特性が向上する。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。

１０ 常温接合装置
１１ 真空チャンバ
１２ 上側ステージ
１２Ａ 静電チャック
１２Ｂ 圧接機構
１３ 下側ステージ
１４，１５ 高速原子ビーム源
１５ａ アルゴンビーム（高速原子ビーム）
１７ 圧電基板
１８ 支持基板
１９ 接合層
２０，５０ 接合基板
２１ 絶縁層

Claims (6)

1. タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶のいずれか１つの圧電材料の単結晶基板から形成される圧電基板と、シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、ガリウムリン、ガリウム砒素のいずれか１つの半導体材料の単結晶または多結晶基板から形成される支持基板とを常温接合して製造した接合基板の製造方法であって、
   前記支持基板に高速原子ビームを照射して、前記半導体材料をスパッタリングすることにより、前記圧電基板に前記半導体材料を非晶質化させた非晶質半導体材料からなる接合層を形成する工程と、
   前記接合層を介して、前記圧電基板と前記支持基板とを圧接する工程と、
   を備えることを特徴とする接合基板の製造方法。
2. 前記接合層を形成する工程では、前記接合層は、１（ｎｍ）以上１００（ｎｍ）以下の厚みに形成されることを特徴とする請求項１に記載の接合基板の製造方法。
3. 前記接合層を形成する工程の前に、
   前記圧電基板に、前記半導体材料の酸化物または窒化物からなる絶縁層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の接合基板の製造方法。
4. タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶のいずれか１つの圧電材料の単結晶基板から形成される圧電基板と、シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、ガリウムリン、ガリウム砒素のいずれか１つの半導体材料の単結晶または多結晶基板から形成される支持基板と、前記支持基板の前記半導体材料を非晶質化させた非晶質半導体材料で前記圧電基板の上に形成される接合層とを備え、前記接合層に含有されるシリコン原子の存在量に対する酸素原子の存在量の比が０．１５以下であり、前記接合層を介して、前記圧電基板と前記支持基板とが常温接合されたことを特徴とする接合基板。
5. 前記接合層は、１（ｎｍ）以上１００（ｎｍ）以下の厚みに形成されることを特徴とする請求項４に記載の接合基板。
6. 前記圧電基板と前記接合層との間に、前記半導体材料の酸化物または窒化物からなる絶縁層を備えることを特徴とする請求項４または５に記載の接合基板。

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