JP7148271B2 - 化合物、化合物の製造法及びそれを用いた発光材料の製造法 - Google Patents

Description

本発明は、化合物、化合物の製造法及びそれを用いた発光材料の製造法に関する。

有機ＥＬ現象を示す材料（以下、「有機ＥＬ材料」という。）には、発光材料及び電荷輸送材料等がある。これらはいずれも芳香族環が連結した化学構造を有している。有機ＥＬ材料を製造するための原料として、例えば、以下の式（１）又は式（２）で表されるアリーレン化合物が用いられる。

一般に有機ＥＬ素子の効率、寿命を向上させるためには有機ＥＬ材料が高純度であることが必要であり、そのためには用いられる原料（１）又は（２）も高純度であることが望ましい。

原料（１）又は原料（２）の純度を確認するためには、通常はガスクロマトグラフィー法、又は高速液体クロマトグラフィー法（以下ＨＰＬＣ法とする）による分析が用いられる。このうちガスクロマトグラフィー法は、対象となる物質が分解しない温度である程度の蒸気圧を持っていることが必要であり、蒸気圧の低い物質は分析が困難となる。ＨＰＬＣ法は、蒸気圧の低い物質であっても分析が可能であり、有機ＥＬ発光材料の原料の分析にはしばしば用いられている。例えば、特表２００２－５３６４９２号においてはＨＰＬＣによる分析で９９％以上の純度のホウ素含有官能基を有する芳香族モノマーを合成している。

特表２００２－５３６４９２号公報

有機ＥＬ材料に必要な特性として、有機ＥＬ素子に用いた際に、その素子が高輝度、高効率、低電圧駆動、長寿命であることが挙げられるが、ＨＰＬＣ法によって原料（１）又は（２）の純度を確認した後有機ＥＬ材料を合成し、この有機ＥＬ材料を用いて作成した素子では、これらの性能の向上に限界があった。本発明の目的は高純度原料（１）又は（２）とその精製方法、それを用いて合成した発光材料の製造方法を提供することである。

有機ＥＬ素子の性能は、その素子に用いる有機ＥＬ材料の電荷輸送性が影響する。すなわち、有機ＥＬ素子は通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等の複数の層を持ち、全体として高輝度、高効率、低電圧駆動、長寿命になるように それぞれの層の電荷輸送性のバランスをとって設計する。各層の電荷輸送性については、発光層に使用する化合物の化学構造における芳香族環が連結した様式に依存する。特に、発光層において顕著である。各層に使用する化合物の中に異なる連結様式をもつ芳香族環が存在すると、電荷輸送性が変化し、設計したバランスが崩れ、有機ＥＬ素子の性能が低下してしまう。本発明の発明者は、有機ＥＬ材料の原料（１）または（２）には不純物として、異なる芳香族環の連結様式を持つ化合物が含まれることを見出した。

かかる不純物の化学構造は原料（１）又は（２）の芳香族環が不作為に連結したものであり、その分子量は式（１）又は（２）で表される化合物の分子量よりも大きいと考えられる。そこで、上記課題を解決する手段として、式（１）又は（２）で表される化合物の分子量よりも大きい分子量を有する不純物の含有量を特定量以下に制限することにした。式（１）又は（２）で表される化合物の分子量よりも大きい分子量を有する不純物の含有量を確認する手段としては、有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフィーのピーク面積法を採用した。

本発明は、以下の式（１）又は（２）で表される化合物であって、式（１）又は（２）で表される化合物の分子量よりも大きい分子量を有する不純物の含有量が０．１５％以下であり、該不純物の含有量は有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフィーによるクロマトグラムにおいて式（１）又は（２）と同定されるピークよりも保持時間の短いピークの面積の和の、全ピーク面積の和に対する百分率である化合物を提供する。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^１は脱離基を表す。］

［式中、ａ^１及びａ^２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^２は脱離基を表す。］

ある一形態においては、上記いずれかの化合物は逆相カラムによる高速液体クロマトグラフィーによるクロマトグラムにおいて、面積百分率法による純度が９９％を超えるものである。

ある一形態においては、Ｚ^１、Ｚ^２で示される脱離基は、次の置換基Ａ群、又はＢ群からなる群から選ばれる基である。

ここで置換基Ａ群は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、及び－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基であり；

置換基Ｂ群は、－Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
－ＢＦ_３Ｑ’（式中、Ｑ’は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを示す。）で表される基；
－ＭｇＹ’（式中、Ｙ’は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基；
－ＺｎＹ”（式中、Ｙ”は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基；及び
－Ｓｎ（Ｒ^Ｃ３）_３（式中、Ｒ^Ｃ３は、水素原子、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ３は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基である。

ある一形態においては、Ｚ^１、 Ｚ^２で示される脱離基は臭素原子、又は－Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基である。

ある一形態においては、上記いずれかの化合物は縮合反応による化合物の合成に使用される。

ある一形態においては、上記合成される化合物が有機ＥＬ材料である。

ある一形態においては、上記合成される化合物が高分子化合物である。

また、本発明は、上記いずれかの式（１）で示される化合物、及び上記いずれかの式（２）で示される化合物を用いて縮合反応を行う工程を包含する化合物の製造方法を提供する。

また、本発明は、上記いずれかの式（１）で示される化合物、上記いずれかの式（２）で示される化合物、及び以下の式（３）で示される化合物を用いて縮合反応を行う工程を包含する化合物の製造方法を提供する。

式中、Ｒ^Ｘ４はアリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^３は脱離基を表す。

ある一形態においては、上記製造される化合物が有機ＥＬ材料である。

ある一形態においては、製造される化合物が高分子化合物である。

また、本発明は、式（１）又は（２）

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^１は脱離基を表す。］

［式中、ａ^１及びａ^２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^２は脱離基を表す。］

で表される化合物を溶媒に溶解した後、活性炭に接触させることで、式（１）又は（２）で表される化合物の分子量よりも大きい分子量を有する不純物の含有量を０．１５％以下に低減する工程を包含する、式（１）又は（２）で表される化合物の精製方法であって、該不純物の含有量は有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフィーによるクロマトグラムにおいて式（１）又は（２）と同定されるピークよりも保持時間の短いピークの面積の和の、全ピーク面積の和に対する百分率である、精製方法を提供する。

また、本発明は、上記いずれかの式（１）で示される化合物、及び上記いずれかの式（２）で示される化合物を縮合重合させて成る重合体を含む有機ＥＬ材料を提供する。

また、本発明は、上記いずれかの式（１）で示される化合物、上記いずれかの式（２）で示される化合物、及び上記式（３）で示される化合物を縮合重合させて成る重合体を含む有機ＥＬ材料を提供する。

また、本発明は、上記いずれかの有機ＥＬ材料と有機溶媒を含む組成物を提供する。

また、本発明は、上記いずれかの有機ＥＬ材料を含む薄膜を提供する。

また、本発明は、上記薄膜を有する有機ＥＬ素子を提供する。

本発明によれば、高輝度、高効率、低電圧駆動、長寿命を示す有機ＥＬ材料を製造する原料及びその原料の精製方法を提供できる。また、高輝度、高効率、低電圧駆動、長寿命を示す有機ＥＬ材料の製造方法を提供できる。

＜共通する用語の説明＞
以下、本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｉ－Ｐｒはイソプロピル基、ｎ－Ｂｕはｎ－ブチル基、ｔ－Ｂｕはｔｅｒｔ－ブチル基を表す。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０^３～１×１０^８である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計１００モル％である。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常１～５０であり、好ましくは３～３０であり、より好ましくは４～２０である。分岐及び環状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３～５０であり、好ましくは３～３０であり、より好ましくは４～２０である。

アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソアミル基、２－エチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－ｎ－プロピルヘプチル基、ｎ－デシル基、３，７－ジメチルオクチル基、２－エチルオクチル基、２－ｎ－ヘキシル－デシル基、ｎ－ドデシル基等の非置換アルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３－フェニルプロピル基、３－（４－メチルフェニル）プロピル基、３－（３，５－ジ－ｎ－ヘキシルフェニル）プロピル基、６－エチルオキシヘキシル基等の置換アルキル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６～６０であり、好ましくは６～２０であり、より好ましくは６～１０である。

アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基、１－ピレニル基、２－ピレニル基、４－ピレニル基、２－フルオレニル基、３－フルオレニル基、４－フルオレニル基、２－フェニルフェニル基、３－フェニルフェニル基、４－フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「アルコキシ基」は、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常１～４０であり、好ましくは４～１０である。分岐及び環状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３～４０であり、好ましくは４～１０である。

アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ－ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルオキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、３，７－ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６～６０であり、好ましくは７～４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、１－アントラセニルオキシ基、９－アントラセニルオキシ基、１－ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。

「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常、２～６０であり、好ましくは４～２０である。

１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。

置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。

アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４－メチルフェニル）アミノ基、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６～６０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ－１）～式（Ａ－２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

式中、Ｒ及びＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。複数存在するＲ及びＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２～６０であり、好ましくは、３～２０であり、より好ましくは、４～１５である。

２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ－２１）～式（Ａ－５２）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

式中、Ｒ及びＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基を表す。

「架橋基」とは、式（Ｂ－１）、（Ｂ－２）、（Ｂ－３）、（Ｂ－４）、（Ｂ－５）、（Ｂ－６）、（Ｂ－７）、（Ｂ－８）、（Ｂ－９）、（Ｂ－１０）、（Ｂ－１１）、（Ｂ－１２）、（Ｂ－１３）、（Ｂ－１４）、（Ｂ－１５）、（Ｂ－１６）又は（Ｂ－１７）で表される基を言う。

式中、これらの基は置換基を有していてもよい。

＜高分子化合物＞
高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、下記式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

式中、ａ^Ｘ１及びａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

ａ^Ｘ１は、高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^Ｘ２は、高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、好ましくはアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基としては、特に好ましくは式（Ａ－１）又は式（Ａ－９）で表される基であり、とりわけ好ましくは式（Ａ－１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基としては、特に好ましくは式（Ａ－２１）、式（Ａ－２２）又は式（Ａ－２７）～式（Ａ－４６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基としては、特に好ましくは式（Ａ－１）、式（Ａ－６）、式（Ａ－７）、式（Ａ－９）～式（Ａ－１１）又は式（Ａ－１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基の特に好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基の特に好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基の特に好ましい範囲、とりわけ好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の特に好ましい範囲、とりわけ好ましい範囲と同様である。
Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^ＸＸは、好ましくはアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ１～Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１～Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ－１）～（Ｘ－７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ－３）～（Ｘ－７）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ－３）～（Ｘ－６）で表される構成単位である。

式中、Ｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。

式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１～５０モル％であり、より好ましくは１～４０モル％であり、更に好ましくは５～３０モル％である。

式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１－１）～（Ｘ１－１９）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１－６）～（Ｘ１－１４）で表される構成単位である。

高分子化合物において、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、更に、式（Ｙ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

高分子化合物は、発光素子の作製に用いた場合の発光効率の観点からは、式（Ｘ）で表される構成単位又は式（Ｙ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基としては、特に好ましくは式（Ａ－１）、式（Ａ－６）、式（Ａ－７）、式（Ａ－９）～式（Ａ－１１）、式（Ａ－１３）又は式（Ａ－１９）で表される基であり、とりわけ好ましくは式（Ａ－１）、式（Ａ－７）、式（Ａ－９）又は式（Ａ－１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基としては、特に好ましくは式（Ａ－２４）、式（Ａ－３０）、式（Ａ－３３）、式（Ａ－３５）、式（Ａ－３８）又は式（Ａ－４０）で表される基であり、とりわけ好ましくは式（Ａ－２４）、式（Ａ－３０）、式（Ａ－３８）又は式（Ａ－４０）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基の特に好ましい範囲、とりわけ好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の特に好ましい範囲、とりわけ好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ－１）～（Ｙ－７）で表される構成単位が挙げられ、高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式（Ｙ－１）又は（Ｙ－２）で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ－３）又は（Ｙ－４）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ－５）～（Ｙ－７）で表される構成単位である。

式中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。

Ｒ^Ｙ１は、好ましくは水素原子、アルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Ｙ１は、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）－又は－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。

Ｒ^Ｙ２は、好ましくはアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基としては、好ましくは式（Ｙ－Ａ１）～（Ｙ－Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ－Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）－で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基、又は、一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基である。複数あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２－で表される基は、好ましくは式（Ｙ－Ｂ１）～（Ｙ－Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ－Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。

式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式中、Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ－１１）～（Ｙ－５５）で表される構成単位が挙げられる。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位は、高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５～８０モル％であり、より好ましくは３０～６０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子化合物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５～３０モル％であり、より好ましくは３～４０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

＜原料中の高分子量不純物＞
本明細書でいう原料とは有機ＥＬ材料を合成する原料になる化合物をいう。高分子量不純物とは原料である化合物の分子量よりも大きい分子量を有する不純物をいう。高分子量不純物は原料由来の芳香族環が無作為に連結した化学構造を有しており、有機ＥＬ材料中に存在することになった場合、有機ＥＬ素子中の各層における電荷輸送性のバランスを崩し、有機ＥＬ素子としたときの性能を低下させる。有機ＥＬ素子の性能を向上させるためには、高分子量不純物は原料から除去する必要がある。

原料中の高分子量不純物の含有量は、０．１５ ％以下、好ましくは０．１０ ％以下、より好ましくは０．０５％以下である。

高分子量不純物は原料である化合物を有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフィーで分析した際に、当該化合物よりも溶出時間の短い成分である。有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフィーに使用するカラムとしては、特に限定されるものではないが、標準ポリスチレンを用いた較正曲線において、ポリスチレン換算分子量５００～１００００が良好に分離できるカラムが好ましい。好ましいカラムとしては、例えばTSK gel G1000～G4000Hシリーズ、GMH-Lシリーズ、Super HZ1000～4000、Super HZM （東ソー）など、KF-801～803、803Lシリーズ、KF-401～403シリーズ（Shoudex）など、PLGEL MIXED-A～E (Agilent)などが挙げられる。また、分離能を上げるために同一又は異なるカラムを２本以上直列に使用してもよい。有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフィーにおける移動相としては、カラムメーカーが性能を保証する溶媒で、原料モノマーが可溶な溶媒であれば、特に限定されないが、通常テトラヒドロフラン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ジオキサン、ヘキサン、シクロヘキサン、ＮＭＰ、メチルエチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール、又はこれらの混合溶媒が用いられるが、テトラヒドロフラン、クロロホルム、ＤＭＦ、アセトンが好ましく、さらに好ましいのはテトラヒドロフランである。クロマトグラフィーの検出器としては、特に限定されないが、通常ＵＶ－ｖｉｓ 検出器、示差屈折率検出器が、好ましくはＵＶ－ｖｉｓ検出器が用いられる。

原料中の高分子量不純物の含量は、有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフィーで得られたクロマトグラムから、次式で求める。

原料中の高分子量不純物含量（％）＝原料モノマーよりも溶出時間の短い成分の面積値総和／全溶出成分の面積値総和

ただし、ブランク分析においても検出されるピークについては、除外して計算するものとする。

原料である化合物の合成方法としては、例えば特表２００２－５３６４９２に示される方法がある。この原料は、高速液体クロマトグラフィーでは９９％以上の含量を示すことが開示されているが、原料中の高分子量不純物については高速液体クロマトグラフィーでは検知されないものがあり、充分に除去されていない。原料は、高分子量不純物が十分に除去されるまで精製される必要がある。

本発明の原料は、高速液体クロマトグラフィーによる純度が高いことが好ましい。高速液体クロマトグラフィーによる純度は、逆相カラムを使用する高速液体クロマトグラムのピーク面積百分率に基づいて決定される。本発明の原料は、高速液体クロマトグラフィーによる純度が９９％を超える、好ましくは、９９．５％以上、より好ましくは９９．８％以上である。

逆相カラムの種類は原料である化合物が高い分離能で分析できるものであれば特に限定されないが、通常はオクタデシル基(C18)、オクチル基（C8）、ブチル基(C4)、トリメチル基(C3)、フェニル基、シアノプロピル基等が結合されたシリカゲルカラム、が好ましい。好ましいカラムとしては、L-columnシリーズ（化学物質評価研究機構）、C18M、C18P、5C8、5CNシリーズ（Shoudex）、ZORBAX RPシリーズ（Aglient）が挙げられる。

逆相カラムを使用する高速液体クロマトグラフィーに用いる移動相としては、水、メタノール、アセトニトリル、テトラヒドロフラン等が用いられ、これらを混合して用いても良いし、経時的に混合比を変える、グラジエント法を用いても良い。酸化防止剤や、pH調整剤を添加してもよい。

原料の精製方法としては、吸着剤による吸着、再結晶、及び吸着と再結晶の組み合わせが好ましい。

吸着剤による吸着は、原料モノマーを有機溶媒に溶解し、吸着剤を加え必要に応じて加熱攪拌した後、濾過を行う。有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、エチルベンセン、キシレン、メシチレン、１，２，４－トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ｍ－ジクロロベンゼン、ブロモベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、アニソールなどのエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、メタノール、エタノール、２－プロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチルピロリドンなどが挙げられ、必要に応じてこれらの溶媒を混合して用いても良い。なかでもトルエン、ヘキサン、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。

有機溶媒の使用量としては原料モノマーに対して通常０．５～１００重量倍、好ましくは１～５０重量倍である。

吸着剤としては、活性炭、シリカゲル、活性アルミナ、ゼオライト、活性白土、又はこれらの混合物が挙げられ、中でも活性炭が好ましい。

吸着剤量としては、原料モノマーに対して通常０．０５～５重量倍、好ましくは０．１～１重量倍である。

攪拌時の温度としては、通常－２０℃から溶媒の沸点までで、好ましくは２０℃から溶媒の沸点までである。

攪拌時間としては、通常５分から４８時間、好ましくは３０分から３時間である。

吸着剤は通常濾過によって分離されるが、その際に濾過助剤を併用しても良い。

吸着剤による吸着は、吸着剤の充填塔を用いて、この充填塔に原料モノマーの溶液を流通してもよく、この場合必要に応じて循環させることもできる。

吸着剤処理した原料モノマーの溶液は、濃縮又は希釈により適当な濃度に調整した後、反応に供しても良いし、続けて再結晶操作を行って原料モノマーの結晶を取り出してもよい。

再結晶による精製は、原料モノマーを可溶性有機溶媒で加熱溶解した後、冷却して析出した結晶を濾別する方法、原料モノマーを可溶性有機溶媒で溶解した後、原料モノマーの貧溶媒を滴下して析出した結晶を濾別する方法、及び冷却と貧溶媒滴下を組み合わせる方法がある。

可溶性有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、エチルベンセン、キシレン、メシチレン、１，２，４－トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ｍ－ジクロロベンゼン、ブロモベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、アニソールなどのエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられ、必要に応じてこれらの溶媒を混合して用いても良い。なかでもトルエン、ヘキサン、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。

可溶性有機溶媒の使用量は、通常原料モノマーに対して０．５～１００重量倍、好ましくは１～５０重量倍である。

貧溶媒としては、比較的極性の高い有機溶媒が好ましく、メタノール、エタノール、２－プロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチルピロリドンなどが挙げられ、必要に応じてこれらの溶媒を混合して用いても良い。なかでもメタノール、エタノール、２－プロパノール、アセトン、アセトニトリルが好ましい。

貧溶媒の使用量は、通常原料モノマーに対して０．０５～１００重量倍、好ましくは０．１～５０重量倍である。

加熱溶解する場合には、予め可溶性有機溶媒と貧溶媒を混合した溶媒を用いることも出来る。

加熱溶解する場合の溶解温度としては、通常室温～溶媒の沸点までであり、好ましくは３０℃～溶媒の沸点までである。モノマーが溶解したことを確認した後、冷却を行う。冷却速度としては、通常２～５０℃／ｈｒ、好ましくは５～３０℃／ｈｒである。

精製効果を上げ、結晶形を整えるために、冷却中に種晶を加えても良いし、結晶が析出した段階で、２～１５℃程度昇温し、５分～５時間程度保温した後、再度冷却しても良い。

冷却は、通常－５０℃～８０℃、好ましくは－２０～３０℃まで冷却される。最終の冷却温度で通常０～２４時間、好ましくは０．５～８時間保温した後、濾過を行い、可溶性有機溶媒、又は貧溶媒、又はこれらの混合溶媒を用いて結晶を洗浄したのち、乾燥する。

可溶性有機溶媒に溶解し、貧溶媒を滴下する方法においては、貧溶媒は通常０．５～２４時間、好ましくは１～８時間かけて滴下する。貧溶媒滴下時の温度は通常－５０℃～溶媒の沸点までであり、好ましくは－２０℃～溶媒の沸点までである。

加熱溶解／冷却操作と貧溶媒滴下を組み合わせる場合においては、貧溶媒滴下は、冷却操作の前に行ってもよいし、冷却操作中、冷却操作後に行ってもよい。

これらの精製操作を実施した後、原料中の高分子量不純物を分析して原料中の高分子量不純物含量が０．１５％以上である場合は、再度これらの精製操作を繰り返してもよい。

＜高分子化合物の製造方法＞
次に、本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
本明細書において、本発明の高分子化合物の製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。
化合物（１） 又は（２）は、高分子化合物の製造においては、いずれも原料モノマーであり、Ｚ１、Ｚ２はそれぞれ独立に、置換基Ａ群及び置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を示す。］

＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。

＜置換基Ｂ群＞
－Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；

－ＢＦ_３Ｑ’（式中、Ｑ’は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを示す。）で表される基；
－ＭｇＹ’（式中、Ｙ’は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基；

－ＺｎＹ”（式中、Ｙ”は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基；及び、

－Ｓｎ（Ｒ^Ｃ３）_３（式中、Ｒ^Ｃ３は、水素原子、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ３は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。

－Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２で表される基としては、下記式で表される基が例示される。

置換基Ａ群から選ばれる基を有する化合物と置換基Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により縮合重合して、置換基Ａ群から選ばれる基及び置換基Ｂ群から選ばれる基と結合する炭素原子同士が結合する。そのため、置換基Ａ群から選ばれる基を２個有する化合物と、置換基Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物を公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。

縮合重合は、通常、触媒、塩基及び溶媒の存在下で行なわれるが、必要に応じて、相間移動触媒を共存させて行ってもよい。

触媒としては、例えば、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［トリス（ジベンジリデンアセトン）］ジパラジウム、パラジウムアセテート等のパラジウム錯体、ニッケル［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル、［ビス（１，４－シクロオクタジエン）］ニッケル等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、更にトリフェニルホスフィン、トリ－ｏ－トリルホスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、０．００００１～３モル当量である。

塩基及び相間移動触媒としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基；塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、 塩化トリカプリルメチルアンモニウム（Ａｌｉｑｕａｔ３３６）等の相間移動触媒が挙げられる。塩基及び相間移動触媒は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

塩基及び相間移動触媒の使用量は、それぞれ、原料モノマーの合計モル数に対して、通常０．００１～１００モル当量である。

溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計１００重量部に対して、１０～１０００００重量部である。

縮合重合の反応温度は、通常－１００～２００℃である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独、又は組み合わせて行う。高分子化合物の純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

＜組成物＞
組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、高分子化合物とを含有する。

高分子化合物及び溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは２５℃において１～２０ｍＰａ・ｓである。

インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、１，２－ジクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４－メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ－ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－へプタン、ｎ－オクタン、ｎ－ノナン、ｎ－デカン、ｎ－デカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２－ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、高分子化合物１００重量部に対して、通常、１０００～１０００００重量部であり、好ましくは２０００～２００００重量部である。

＜正孔輸送材料＞
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

組成物において、正孔輸送材料の配合量は、高分子化合物１００重量部に対して、通常、１～４００重量部であり、好ましくは５～１５０重量部である。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜電子輸送材料＞
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、８－ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン、及び、ジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

組成物において、電子輸送材料の配合量は、高分子化合物１００重量部に対して、通常、１～４００重量部であり、好ましくは５～１５０重量部である。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜正孔注入材料及び電子注入材料＞

正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、及び、ポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式（Ｘ）で表される基を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、高分子化合物１００重量部に対して、通常、１～４００重量部であり、好ましくは５～１５０重量部である。

正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜イオンドープ＞
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^－５Ｓ／ｃｍ～１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。

＜発光材料＞
本発明の原料化合物を使用した縮合反応により得られる高分子化合物は発光材料として用いることが出来る。該高分子化合物以外の発行材料を併用してもよい。発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイルジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、低分子化合物及び高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体及び高分子化合物を含む。

三重項発光錯体としては、式Ｉｒ－１～Ｉｒ－３で表される金属錯体等のイリジウム錯体が好ましい。

式中、Ｒ^Ｄ１～Ｒ^Ｄ８及びＲ^Ｄ１１～Ｒ^Ｄ２０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。－Ａ^Ｄ１－－－Ａ^Ｄ２－は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^Ｄ１及びＡ^Ｄ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。ｎ_Ｄ１は、１、２又は３を表し、ｎ_Ｄ２は、１又は２を表す。

式Ｉｒ－１で表される三重項発光錯体において、Ｒ^Ｄ１～Ｒ^Ｄ８の少なくとも１つは、好ましくは、式（Ｄｅｎｄ－Ａ）で表される基である。

式中、ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ｇ^ＤＡ１は、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｔ^ＤＡ２及びＴ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、通常１０以下である。ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、同一であることが好ましい。

Ｇ^ＤＡ１は、好ましくは式（ＧＤＡ－１１）～（ＧＤＡ－１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式中、＊１、＊２及び＊３は、各々、Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基又はアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子又はアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、好ましくは式（ＡｒＤＡ－１）～（ＡｒＤＡ－３）で表される基である。

式中、Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

Ｔ^ＤＡ２及びＴ^ＤＡ３は、好ましくは式（ＴＤＡ－１）～（ＴＤＡ－３）で表される基である。

式中、Ｒ^ＤＡ及びＲ^ＤＢは前記と同じ意味を表す。

式Ｉｒ－２において、好ましくはＲ^Ｄ１１～Ｒ^Ｄ２０の少なくとも１つは式（Ｄｅｎｄ－Ａ）で表される基である。

式Ｉｒ－３において、好ましくはＲ^Ｄ１～Ｒ^Ｄ８及びＲ^Ｄ１１～Ｒ^Ｄ２０の少なくとも１つは式（Ｄｅｎｄ－Ａ）で表される基である。

式（Ｄｅｎｄ－Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄｅｎｄ－Ａ１）～（Ｄｅｎｄ－Ａ３）で表される基である。

式中、Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。ｎｐ１は、０～５の整数を表し、ｎｐ２は０～３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。

ｎｐ１は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。

－Ａ^Ｄ１－－－Ａ^Ｄ２－で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

式中、＊は、Ｉｒと結合する部位を表す。

式Ｉｒ－１で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ－１１～Ｉｒ－１３で表される金属錯体である。式Ｉｒ－２で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ－２１で表される金属錯体である。式Ｉｒ－３で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ－３１～Ｉｒ－３３で表される金属錯体である。

式中、Ｄｅｎｄは、式（Ｄｅｎｄ－Ａ）で表される基を表す。ｎ_Ｄ２は、１又は２を表す。

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

組成物において、発光材料の含有量は、高分子化合物１００重量部に対して、通常、０．１～４００重量部である。

＜酸化防止剤＞
酸化防止剤は、高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

組成物において、酸化防止剤の配合量は、高分子化合物１００重量部に対して、通常、０．００１～１０重量部である。

酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜膜＞
膜は、高分子化合物を含有する。

膜には、高分子化合物を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、高分子化合物を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、発光素子の積層化に好適に使用することができる。

膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、２５～３００℃であり、発光効率が良好になるので、好ましくは５０～２５０℃であり、より好ましくは１５０～２００℃である。

膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

膜は、発光素子における正孔輸送層又は正孔注入層として好適である。

膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ－コート法、ノズルコート法により作製することができる。

膜の厚さは、通常、１ｎｍ～１０μｍである。

＜発光素子＞
発光素子は、高分子化合物を用いて得られる有機エレクトロルミネッセンス等の発光素子であり、該発光素子には、例えば、高分子化合物を含む発光素子、高分子化合物が分子内、分子間、又は、それらの両方で架橋した発光素子がある。

発光素子の構成としては、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた高分子化合物を用いて得られる層とを有する。

＜層構成＞
高分子化合物を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層、及び、電子注入層の材料としては、高分子化合物の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料、及び、電子注入材料が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料、及び、発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層、及び、発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数、及び、厚さは、発光効率及び素子寿命を勘案して調整すればよい。

＜基板／電極＞
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、カルシウム－アルミニウム合金が挙げられる。

陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

＜用途＞
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源、及び、表示装置としても使用できる。

＜合成例１＞
２，７－ビス（１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－９，９－ジオクチルフルオレン（以下Ｆ８ＢＥと略す）は特表２００２－５３６４９２の実施例に従い合成した。

高速液体クロマトグラフィー及び有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフィーを用いて合成したＦ８ＢＥを分析した。分析条件を次に示す。

高速液体クロマトグラフィー：
機器：島津製作所LC-10AT （LC-Solution データ処理）
カラム：Zorbax XDB-C8（Agilent製）
移動相：水：アセトニトリル（20：80）一定、1.0mL/分
検出器： UV－Vis（280nm）

有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフィー
機器：島津製作所LC-10AT （LC-Solution データ処理）
カラム：TSKgel G2000H_HR（東ソー製）
移動相：THF 1.0mL/分
検出器： VU-Vis 228nm

高速液体クロマトグラムによるＦ８ＢＥの含量は９９．８％、有機溶媒系サイズ排除クロマトグラムにおいてＦ８ＢＥの保持時間よりも短い保持時間の不純物含量は０．１６％であった。

＜実施例１＞
高純度Ｆ８ＢＥ
温度計、攪拌翼、冷却管をつけた１Ｌセパラブルフラスコに合成例１で得られたＦ８ＢＥ２００ｇ、ジクロロメタン８００ｇを仕込み、４０℃で溶解した。この溶液に活性炭（関東化学、粉末）２０ｇを加え、還流下２時間攪拌した。３０℃まで冷却した後、セライト５４５（関東化学）をプレコートした濾過器で活性炭を濾過し、ジクロロメタン５０ｇで洗浄した。濾液をロータリーエバポレータで４００ｇまで濃縮した。温度計、攪拌翼、冷却管をつけた３Ｌセパラブルフラスコに濃縮物及びアセトニトリル１１００ｇを仕込み、５０℃まで昇温して結晶が溶解したことを確認した後、２０℃まで３時間かけて冷却した。２０℃で１時間保温した後精製した結晶を濾過、アセトニトリルで洗浄した後、５０℃の真空乾燥機で乾燥して高純度Ｆ８ＢＥ１６０ｇを得た。

高速液体クロマトグラムによるＦ８ＢＥの含量は１００％、有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフクロマトグラムにおいてＦ８ＢＥの保持時間よりも短い保持時間の不純物含量は０．０９％であった。

＜実施例２＞
高純度Ｆ８ＢＥ
温度計、３枚後退攪拌翼、フィンガーバッフル、冷却管をつけた１Ｌジャケット付セパラブルフラスコに合成例１で得られたＦ８ＢＥ２００ｇ、ヘキサン７５０ｇを仕込んだ。プログラム温度調節器を備えた温水循環装置を用いてセパラブルフラスコのジャケットに温水を循環させた。ジャケット温度を６０℃に設定して昇温し、結晶が溶解したことを確認した後、攪拌回転数を５００ｒｐｍとして、１０℃／ｈｒの冷却速度で４０℃まで冷却した。実施例１で得られた高純度Ｆ８ＢＥ０．０５ｇを種晶として加え、４０℃で１時間保温した。１０℃／ｈｒの冷却速度で０℃まで冷却し、０℃で１時間保温した。析出した結晶を濾過、５℃に冷却したヘキサン１００ｇで洗浄した後、５０℃の真空乾燥機で乾燥して、高純度Ｆ８ＢＥ１８０ｇを得た。

高速液体クロマトグラムによるＦ８ＢＥの含量は９９．９％、有機溶媒系サイズ排除クロマトグラムにおいてＦ８ＢＥの保持時間よりも短い保持時間の不純物含量は０．０６％であった。

＜合成例２＞
２，７－ビス（１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－９，９－ジヘキシルフルオレン（以下Ｆ６ＢＥと略す）は特表２００２－５３６４９２の実施例に従い合成した。

高速液体クロマトグラムによるＦ６ＢＥの含量は９９．９％、有機溶媒系サイズ排除クロマトグラムにおいてＦ６ＢＥの保持時間よりも短い保持時間の不純物含量は０．２３％であった。

＜実施例３＞
高純度Ｆ６ＢＥ
温度計、３枚後退攪拌翼、フィンガーバッフル、冷却管をつけた１Ｌジャケット付セパラブルフラスコに合成例２で得られたＦ６ＢＥ３００ｇ、トルエン４５０ｇを仕込んだ。プログラム温度調節器を備えた温水循環装置を用いてセパラブルフラスコのジャケットに温水を循環させた。ジャケット温度を８０℃に設定して昇温し、結晶が溶解したことを確認した後、攪拌回転数を４５０ｒｐｍとして、１０℃／ｈｒの冷却速度で６０℃まで冷却した。合成例２で得られたＦ６ＢＥ０．１５ｇを種晶として加え、６０℃で１時間保温した。１０℃／ｈｒの冷却速度で０℃まで冷却し、０℃で１時間保温した。析出した結晶を濾過、５℃に冷却したトルエン３０ｇ及びヘキサン１５０ｇで洗浄した後、５０℃の真空乾燥機で乾燥して、高純度Ｆ６ＢＥ２４０ｇを得た。

高速液体クロマトグラムによるＦ６ＢＥの含量は９９．９％、有機溶媒系サイズ排除クロマトグラムにおいてＦ６ＢＥの保持時間よりも短い保持時間の不純物含量は０．０４％であった。

＜実施例４＞
攪拌翼、バッフル、冷却管、温度計をつけたセパラブルフラスコに実施例１で得られたＦ８ＢＥ３．３０ｇ、２，７－ジブロモ－２，１，３－ベンゾチアジアゾール１．６８ｇ、４，７－ビス（５－ブロモ－２－チエニル）－２，１，３－ベンゾチアジアゾール０．５６ｇ、トリカプリルメチルアンモニウムクロリド（Ａｌｉｑｕａｔ３３６）１．１ｇ、トルエン４８．６ｇを仕込み攪拌下９０℃まで昇温した。ビストリフェニルホスフィンパラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．００５ｇを仕込み、１７．５％炭酸ナトリウム水溶液１３ｇを滴下した。滴下終了後還流下３時間保温した後、室温まで冷却した。

この反応溶液に、実施例３で得られたＦ６ＢＥ７．８８ｇ、２，７－ジブロモ－９，９－ジヘキシルフルオレン４．４９ｇ、ビス－（４－ブロモフェニル）－４－（１－メチルプロピル）－ベンゼンアミン３．０５ｇ、３，７－ジブロモ－１０－（４－ブチルフェニル）－１０Ｈ－フェノキサジン０．１０８ｇ、トリカプリルメチルアンモニウムクロリド（Ａｌｉｑｕａｔ３３６）２．０ｇ、トルエン７８．１ｇを加え，攪拌下９０℃まで昇温した。ビストリフェニルホスフィンパラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．００５ｇを仕込み、１７．５％炭酸ナトリウム水溶液３９ｇを滴下した。滴下終了後還流下３時間保温した後フェニルホウ酸０．２８ｇを加え、１４時間還流下保温した後、室温まで冷却した。

反応液を底抜きコック付のセパラブルフラスコに移し、トルエンで希釈して静置し、水層を除いた。３％酢酸水溶液及び、イオン交換水でトルエン溶液を洗浄し、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物２．３ｇを加え５時間攪拌した。

シリカゲル１４２ｇ、活性アルミナ１４２ｇを事前混合したカラムに、トルエン溶液を通じた後、メタノール１６００ｇに滴下した。生成した赤色沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、減圧下乾燥して、赤色重合体１０ｇを得た。

得られた赤色重合体の有機溶剤系サイズ排除クロマトグラフ分析法によるポリスチレン換算重量平均分子量は４６９，０００であった。

＜比較例１＞
実施例４において、実施例１で得られたＦ８ＢＥの代わりに合成例１で得られたＦ８ＢＥを用い、実施例３で得られたＦ６ＢＥの代わりに合成例２で得られたＦ６ＢＥを用いた以外は、実施例４と同様に実施し、重合体１０ｇを得た。
得られた赤色重合体の有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフ分析法によるポリスチレン換算重量平均分子量は５１１，０００であった。

＜合成例３＞
攪拌翼、バッフル、冷却管、温度計をつけたセパラブルフラスコに合成例１で得られたＦ８ＢＥ１０．４９ｇ、ビス－（４－ブロモフェニル）－４－（１－メチルプロピル）－ベンゼンアミン９．０７ｇを仕込み、トリカプリルメチルアンモニウムクロリド（Ａｌｉｑｕａｔ３３６）１．８ｇ、トルエン１２０ｇを仕込み、攪拌下９０℃まで加熱した。酢酸パラジウム（ＩＩ）０．００４４ｇ、トリ（ｏ－トルイル）ホスフィン０．０３０ｇを加えた後、１７．５％炭酸ナトリウム水溶液３６．３ｇを１時間かけて滴下した。滴下終了後還流下３時間保温した後フェニルホウ酸０．２８ｇを加え、１４時間還流下保温した後、室温まで冷却した。

以後の操作は、実施例４と同様に実施した。得られた重合体の有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフ分析法によるポリスチレン換算重量平均分子量は２８９，０００であった。

＜実施例５＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６５ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。次に、合成例３で得られた重合体を混合キシレンに０．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約１０ｎｍ程度に製膜後、酸素濃度、及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、１５分間乾燥した。次に、実施例４で得られた重合体を混合キシレンに１．６重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約１００ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、３０分間乾燥した。１．０×１０^－４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は次の通りである。

ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６５ｎｍ）／合成例３の重合体（１０ｎｍ）／実施例４の重合体（約１００ｎｍ）／Ｂａ／Ａｌ

得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６４５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は１２６１ｃｄ／ｍ^２であった。また、発光効率は４．２Ｖで最大値を示し、２．０５ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２での輝度５０％までの減少時間（寿命）は、１８７．８時間であった。また、初期駆動電圧は、６．６Ｖであった。

＜比較例２＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜をつけたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６５ｎｍの厚みと成るように製膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。次に、合成例３で得られた重合体を混合キシレンに０．５重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約１０ｎｍ程度に製膜後、酸素濃度、及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１８０℃、１５分間乾燥した。次に、比較例１で得られた重合体を混合キシレンに１．６重量％の濃度で溶解させ、得られたキシレン溶液を用いてスピンコート法により約１００ｎｍに製膜した。そして、酸素濃度、及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、１３０℃、３０分間乾燥した。１．０×１０^－４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。素子構成は次の通りである。

ＩＴＯ／ＢａｙｔｒｏｎＰ（約６５ｎｍ）／合成例３の重合体（１０ｎｍ）／比較例１の重合体（約１００ｎｍ）／Ｂａ／Ａｌ

得られた高分子発光素子に６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６４５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は９９５ｃｄ／ｍ^２であった。また、発光効率は５．０Ｖで最大値を示し、１．９４ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２での輝度５０％までの減少時間（寿命）は、１３３．６時間であった。また、初期駆動電圧は、７．２Ｖであった。

実施例５及び比較例２で得られた素子の比較をまとめると次のようになる。

［表１］

Claims (11)

1. 以下の式（１）又は（２）で表される化合物と、該化合物の分子量よりも大きい分子量を有する不純物とを含み、該不純物の含有量が０．１５％以下であり、該不純物の含有量は有機溶媒系サイズ排除クロマトグラフ法によるクロマトグラムにおいて式（１）又は（２）と同定されるピークよりも保持時間の短いピークの面積の和の、全ピーク面積の和に対する百分率である組成物。
   

   

   ［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。Ｚ^１は次の置換基Ａ群、又はＢ群からなる群から選ばれる基である脱離基を表す。］
   ［ここで、置換基Ａ群は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、及び－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ） _２ Ｒ ^Ｃ１ （式中、Ｒ ^Ｃ１ は、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。）で表される基であり；
   置換基Ｂ群は、－Ｂ（ＯＲ ^Ｃ２ ） _２ （式中、Ｒ ^Ｃ２ は、水素原子、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。複数存在するＲ ^Ｃ２ は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
   －ＢＦ _３ Ｑ’（式中、Ｑ’は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを示す。）で表される基；
   －ＭｇＹ’（式中、Ｙ’は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基；
   －ＺｎＹ”（式中、Ｙ”は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で表される基；及び
   －Ｓｎ（Ｒ ^Ｃ３ ） _３ （式中、Ｒ ^Ｃ３ は、水素原子、アルキル基又はアリール基を示し、
   これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。複数存在するＲ ^Ｃ３ は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基である。］
   

   

   ［式中、ａ^１及びａ^２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。Ｚ^２は前記置換基Ａ群、又はＢ群からなる群から選ばれる基である脱離基を表す。］
2. 逆相カラムを使用する高速液体クロマトグラフィーによるクロマトグラムにおいて、面積百分率法による純度が９９％を超えるものである請求項１に記載の組成物。
3. Ｚ^１、Ｚ^２で示される脱離基が臭素原子、又は－Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基又はアリール基を示し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基である請求項１又は２に記載の組成物。
4. 請求項１～３のいずれか一項に記載の組成物を縮合反応させることにより、式（１）で示される化合物、及び式（２）で示される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物が縮合重合する工程を包含する、式（Y）で表される構成単位または式(X)で表される構成単位を含む高分子化合物の製造方法。
   

   

   〔式中、Ａｒ ^Ｙ１ は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。〕
   

   

   〔式中、ａ ^Ｘ１ 及びａ ^Ｘ２ は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ ^Ｘ１ 及びＡｒ ^Ｘ３ は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。Ａｒ ^Ｘ２ 及びＡｒ ^Ｘ４ は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。Ｒ ^Ｘ１ 、Ｒ ^Ｘ２ 及びＲ ^Ｘ３ は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。〕
5. さらに、式（３）で示される化合物を縮合重合させる工程を包含する請求項４に記載の高分子化合物の製造方法。
   

   

   ［式中、Ｒ^Ｘ４はアリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基で表される置換基を有していてもよい。Ｚ^３は前記置換基Ａ群、又はＢ群からなる群から選ばれる基である脱離基を表す。］
6. 製造される高分子化合物が有機ＥＬ材料である請求項４又は５に記載の高分子化合物の製造方法。
7. 請求項１～３のいずれか一項に記載の組成物を縮合反応させることにより、式（１）で示される化合物、及び式（２）で示される化合物からなる群から選ばれる1種以上の化合物を縮合重合させて成る、上記式（Y）で表される構成単位または上記式(X)で表される構成単位を含む重合体を含む有機ＥＬ材料。
8. 請求項１～３のいずれか一項の組成物と上記式（３）で示される化合物を縮合反応させることにより、式（１）で示される化合物、及び式（２）で示される化合物からなる群から選ばれる１種以上の化合物と、上記式（３）で示される化合物を縮合重合させて成る、上記式（Y）で表される構成単位または上記式(X)で表される構成単位を含む重合体を含む有機ＥＬ材料。
9. 請求項７又は８に記載の有機ＥＬ材料と有機溶媒を含む組成物。
10. 請求項７又は８に記載の有機ＥＬ材料を含む薄膜。
11. 請求項１０に記載の薄膜を有する有機ＥＬ素子。