JP7124341B2 - electro-optical devices and electronic devices - Google Patents
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Description
本発明は、電気光学装置、および、電気光学装置を備える電子機器等に関する。 The present invention relates to an electro-optical device, and an electronic apparatus and the like having the electro-optical device.
近年、有機発光ダイオード(以下、OLED(Organic Light Emitting Diode)という)素子などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。従来の電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して、発光素子、発光素子の表示階調に応じた電圧を取り込む選択トランジスターおよび発光素子に電流を供給する駆動トランジスターを含む画素回路が設けられる。
特許文献1には、駆動トランジスターのソース、ゲート、およびドレインが走査線の方向に沿って並ぶレイアウトが開示されている。
In recent years, various electro-optical devices using light-emitting elements such as organic light-emitting diodes (hereinafter referred to as OLED (Organic Light Emitting Diode)) have been proposed. In a conventional electro-optical device, a pixel includes a light-emitting element, a selection transistor that takes in a voltage corresponding to the display gradation of the light-emitting element, and a drive transistor that supplies a current to the light-emitting element, corresponding to the intersection of the scanning line and the data line. A circuit is provided.
しかしながら、従来の技術では、電気光学装置を小型化した場合、走査線の方向に隣り合う画素回路の間でクロストークが発生し易くなる。具体的には、画素回路の駆動トランジスターのドレインの電圧が変動すると、当該画素回路と走査線方向に隣り合う画素回路において駆動トランジスターのゲートの電圧が影響を受ける。この結果、画質が劣化するといった問題がある。 However, in the conventional technology, when the size of the electro-optical device is reduced, crosstalk tends to occur between pixel circuits adjacent to each other in the scanning line direction. Specifically, when the voltage of the drain of the drive transistor of the pixel circuit fluctuates, the voltage of the gate of the drive transistor in the pixel circuit adjacent to the pixel circuit in the scanning line direction is affected. As a result, there is a problem that image quality deteriorates.
以上の課題を解決するために本発明に係る電気光学装置は、走査線に対応して設けられ、供給される電流に応じた輝度で発光する第1発光素子と、前記第1発光素子へ供給する電流を第1階調電圧に応じて制御する第1駆動トランジスターと、を有する第1画素回路と、前記走査線方向において前記第1画素回路と隣り合う第2画素回路であって、供給される電流に応じた輝度で発光する第2発光素子と、前記第2発光素子へ供給する電流を第2階調電圧に応じて制御する第2駆動トランジスターと、を有する第2画素回路と、固定電位を与えられ、前記走査線と交差する方向に設けられる固定電位線と、を備え、前記走査線に沿って、前記第1駆動トランジスターのソース、前記第1駆動トランジスターのゲート、前記第1駆動トランジスターのドレインおよび前記第2駆動トランジスターのソースが並んで配置され、前記固定電位線は、第1駆動トランジスターのドレインと前記第2駆動トランジスターのソースとの間に設けられることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, an electro-optical device according to the present invention provides first light-emitting elements that are provided corresponding to scanning lines and that emit light with luminance corresponding to the supplied current, and an electric current supplied to the first light-emitting elements. a first pixel circuit that controls a current to be applied according to a first gradation voltage; and a second pixel circuit that is adjacent to the first pixel circuit in the scanning line direction. a fixed a fixed potential line to which a potential is applied and provided in a direction intersecting the scanning line, along the scanning line, the source of the first driving transistor, the gate of the first driving transistor, and the first driving transistor; A drain of a transistor and a source of the second driving transistor are arranged side by side, and the fixed potential line is provided between the drain of the first driving transistor and the source of the second driving transistor.
本態様によれば、第1駆動トランジスターのドレインと第2駆動トランジスターのソースとの間に固定電位を与えられる固定電位線が設けられており、この固定電位線は第1駆動トランジスターのドレイン電圧の変動が第2駆動トランジスターのゲート電圧に影響することを防止するシールドの役割を果たす。このため、本態様によれば、第1駆動トランジスターおよび第2駆動トランジスターを走査線方向に配置してもクロストークを抑制できる。この結果、電気光学装置の画質を向上させることができる。 According to this aspect, a fixed potential line to which a fixed potential is applied is provided between the drain of the first drive transistor and the source of the second drive transistor. It acts as a shield to prevent fluctuations from affecting the gate voltage of the second drive transistor. Therefore, according to this aspect, crosstalk can be suppressed even if the first driving transistor and the second driving transistor are arranged in the scanning line direction. As a result, the image quality of the electro-optical device can be improved.
上述の電気光学装置は、前記第2駆動トランジスターのソースが形成される第1導電型の第1領域と、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2領域と、が設けられる基板を備え、前記第2領域には前記固定電位が与えられ、前記固定電位線は前記第2領域に接続されていることを特徴としてもよい。本態様によれば、固定電位線の電位は第2領域の電位である基板電位に固定される。 In the electro-optical device described above, a substrate provided with a first region of a first conductivity type in which the source of the second drive transistor is formed, and a second region of a second conductivity type different from the first conductivity type are provided. , wherein the fixed potential is applied to the second region, and the fixed potential line is connected to the second region. According to this aspect, the potential of the fixed potential line is fixed to the substrate potential, which is the potential of the second region.
上述の電気光学装置は、前記第1駆動トランジスターのドレインに接続され、前記走査線と交差する方向に延びる第1配線を有し、前記固定電位線は前記第1配線と並べて設けられ、前記固定電位線は前記第1配線よりも長いことを特徴としてもよい。 The electro-optical device described above has a first wiring connected to the drain of the first driving transistor and extending in a direction intersecting the scanning line, the fixed potential line being provided in parallel with the first wiring, and the fixed The potential line may be longer than the first wiring.
本態様によれば、固定電位線の長さが第1配線の長さよりも短い場合に比較してシールド効果が高くなる。 According to this aspect, the shielding effect is higher than when the length of the fixed potential line is shorter than the length of the first wiring.
上述の電気光学装置は、前記第1発光素子と前記第2発光素子とが形成される発光層と、前記発光層よりも前記基板側に設けられる第1金属層であって、前記第1配線と前記固定電位線とが形成される第1金属層と、前記第1金属層よりも前記発光層側に設けられる第2金属層と、前記固定電位線と前記第2金属層とを接続する中継電極と、を有することを特徴としてもよい。 The electro-optical device described above includes a light-emitting layer in which the first light-emitting element and the second light-emitting element are formed, and a first metal layer provided closer to the substrate than the light-emitting layer, wherein the first wiring and the fixed potential line, a second metal layer provided closer to the light-emitting layer than the first metal layer, and connecting the fixed potential line and the second metal layer. and a relay electrode.
本態様によれば、固定電位線に加えて第2金属層もシールドとして機能するため、シールド効果がさらに高くなる。 According to this aspect, since the second metal layer also functions as a shield in addition to the fixed potential line, the shield effect is further enhanced.
上述の電気光学装置は、前記固定電位線が前記第2駆動トランジスターのソースに接続されていることを特徴としてもよい。 The electro-optical device described above may be characterized in that the fixed potential line is connected to the source of the second drive transistor.
本態様においても固定電位線は、第1駆動トランジスターのドレイン電圧の変動が第2駆動トランジスターのゲート電圧に影響することを防止するシールドの役割を果たす。 Also in this aspect, the fixed potential line serves as a shield that prevents the fluctuation of the drain voltage of the first drive transistor from affecting the gate voltage of the second drive transistor.
上述の電気光学装置は、前記第2駆動トランジスターから前記第2発光素子に流れる電流のオンまたはオフを制御する発光制御トランジスターであって、ドレインが前記第2駆動トランジスターのソースに接続され、ソースが前記固定電位線に接続される発光制御トランジスター、を有することを特徴としてもよい。 The electro-optical device described above is a light emission control transistor that controls on or off of the current flowing from the second drive transistor to the second light emitting element, the drain is connected to the source of the second drive transistor, and the source is and a light emission control transistor connected to the fixed potential line.
本態様においても固定電位線は、第1駆動トランジスターのドレイン電圧の変動が第2駆動トランジスターのゲート電圧に影響することを防止するシールドの役割を果たす。 Also in this aspect, the fixed potential line serves as a shield that prevents the fluctuation of the drain voltage of the first drive transistor from affecting the gate voltage of the second drive transistor.
また、本発明は、電気光学装置のほか、当該電気光学装置を備える電子機器として概念することも可能である。電子機器としては、典型的にはヘッドマウントディスプレイ(HMD)や電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。 Further, the present invention can be conceptualized not only as an electro-optical device but also as an electronic device including the electro-optical device. Electronic devices typically include display devices such as head-mounted displays (HMDs) and electronic viewfinders.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。ただし、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, in each drawing, the dimensions and scale of each part are appropriately different from the actual ones. In addition, since the embodiments described below are preferred specific examples of the present invention, various technically preferable limitations are attached, but the scope of the present invention is particularly limited in the following description. It is not limited to these forms unless otherwise stated.
<A:第1実施形態>
図1は、本発明の実施形態に係る電気光学装置1の構成を示す斜視図である。電気光学装置1は、例えばヘッドマウントディスプレイにおいて画像を表示するマイクロディスプレイである。
<A: First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of an electro-
図1に示すように、電気光学装置1は、表示パネル10と、表示パネル10の動作を制御する制御回路3とを備える。表示パネル10は、複数の画素回路と、当該画素回路を駆動する駆動回路とを備える。本実施形態において、表示パネル10が備える複数の画素回路および駆動回路は、シリコン基板に形成され、画素回路には、電気光学素子の一例であるOLEDが用いられる。また、表示パネル10は、例えば、表示部で開口する枠状のケース82に収納されるとともに、FPC(Flexible Printed Circuits)基板84の一端が接続される。FPC基板84には、半導体チップの制御回路3が、COF(Chip On Film)技術によって実装されるとともに、複数の端子86が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。
As shown in FIG. 1 , the electro-
図2は、実施形態に係る電気光学装置1の構成を示すブロック図である。上述のとおり、電気光学装置1は、表示パネル10と、制御回路3と、を備える。制御回路3には、図示省略された上位回路よりデジタルの画像データViedoが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データVideoとは、表示パネル10(厳密には、後述する表示部100)で表示すべき画像の画素の表示階調を例えば8ビットで規定するデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、および、ドットクロック信号を含む信号である。
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the electro-
制御回路3は、同期信号に基づいて、各種制御信号を生成し、これを表示パネル10に対して供給する。具体的には、制御回路3は、制御信号Ctr1~Ctr3、Gref、/Gini、Gcpl、/Gcpl、Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)、/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)、を表示パネル10に供給する。制御信号Ctr1~制御信号Ctr3の各々は、パルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号を含む信号である。制御信号Grefは正論理の制御信号であり、制御信号/Giniは負論理の制御信号である。制御信号Gcplも正論理の制御信号であり、制御信号/Gcplは制御信号Gcplと論理反転の関係にある負論理の制御信号である。制御信号/Sel(1)は制御信号Sel(1)と論理反転の関係にある。同様に、制御信号/Sel(2)は制御信号Sel(2)と、制御信号/Sel(3)は制御信号Sel(3)と、それぞれ論理反転の関係にある。なお、制御信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)を、制御信号Selと総称し、制御信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)を、制御信号/Selと総称する場合がある。電圧生成回路31は、図示せぬ電源回路からの電力の供給を受け、表示パネル10に対してリセット電位Vorst、参照電位Vrefおよび初期化電位Viniを供給する。
The
さらに、制御回路3は、画像データVideoに基づいて、アナログの画像信号Vidを生成する。具体的には、制御回路3には、画像信号Vidの示す電位、および、表示パネル10が備える電気光学素子の輝度を対応付けて記憶したルックアップテーブルが設けられる。そして、制御回路3は、当該ルックアップテーブルを参照することで、画像データVideoに規定される電気光学素子の輝度に対応した電位を示す画像信号Vidを生成し、これを表示パネル10に対して供給する。
Furthermore, the
図2に示すように、表示パネル10は、表示部100と、これを駆動する駆動回路(走査線駆動回路4、およびデータ線駆動回路5)とを備える。本実施形態では、駆動回路が、走査線駆動回路4、およびデータ線駆動回路5に分割されているが、これらを1つの回路に一体化して駆動回路を構成してもよい。図2に示すように、表示部100には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路110がマトリクス状に配列されている。図2では詳細な図示を省略したが、表示部100には、M行の走査線12が図において横方向(X方向)に延在して設けられ、また、3列毎にグループ化された(3N)列のデータ線14が図において縦方向(Y方向)に延在して設けられている。各走査線12と各データ線14は互いに電気的な絶縁を保って設けられている。画素回路110は、M行の走査線12と、(3N)列のデータ線14との交差に対応して設けられている。このため、本実施形態において画素回路110は、縦M行×横(3N)列でマトリクス状に配列されている。
As shown in FIG. 2, the
ここで、M、Nは、いずれも自然数である。走査線12および画素回路110のマトリクスのうち、行(ロウ)を区別するために、図において上から順に1、2、3、…、(M-1)、M行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線14および画素回路110のマトリクスの列(カラム)を区別するために、図において左から順に1、2、3、…、(3N-1)、(3N)列と呼ぶ場合がある。ここで、データ線14のグループを一般化して説明するために、1以上の任意の整数をnと表すと、左から数えてn番目のグループには、(3n-2)列目、(3n-1)列目および(3n)列目のデータ線14が属している、ということになる。同一行の走査線12と、同一グループに属する3列のデータ線14とに対応した3つの画素回路110は、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)の画素に対応する。
Here, both M and N are natural numbers. In order to distinguish the rows in the matrix of the
また、図2に示すように、表示部100には、(3N)列の給電線16が、縦方向に延在し、かつ、各走査線12と互いに電気的な絶縁を保って設けられる。各給電線16は、電圧生成回路31から所定のリセット電位Vorstが共通に給電される固定電位線である。給電線16の列を区別するために、図において左から順に1、2、3、…、(3N)列目の給電線16と呼ぶ場合がある。1列目~(3N)列目の給電線16の各々は、1列目~(3N)列目のデータ線14に対応して設けられる。
In addition, as shown in FIG. 2 , the
走査線駆動回路4は、1個のフレーム期間内にM行の走査線12を1行毎に順番に選択するための走査信号Gwrを、制御信号Ctr1にしたがって生成する。図2では、1、2、3、…、M行目の走査線12に供給される走査信号Gwrは、それぞれGwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(M-1)、Gwr(M)と表記されている。なお、走査線駆動回路4は、走査信号Gwr(1)~Gwr(M)のほかにも、当該走査信号Gwrに同期した各種制御信号を行毎に生成して表示部100に供給するが、図2においては図示を省略している。フレーム期間とは、電気光学装置1が1カット(コマ)分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が120Hzであれば、その1周期分の8.3ミリ秒の期間である。
The scanning
図2に示すように、データ線駆動回路5は、(3N)列のデータ線14の各々と1対1に対応して設けられる(3N)個のスイッチ部SWと、各グループを構成する3列のデータ線14毎に設けられるN個のデマルチプレクサーDMと、データ信号供給回路70を備える。
As shown in FIG. 2, the data
データ信号供給回路70は、制御回路3より供給される画像信号Vidと制御信号Ctr2とに基づいて、データ信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)を生成する。すなわち、データ信号供給回路70は、データ信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)を時分割多重した画像信号Vidに基づいて、データ信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)を生成する。そして、データ信号供給回路70は、データ信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)を、1、2、…、N番目のグループに対応するデマルチプレクサーDMに対して、それぞれ供給する。
The data signal
図3および図4を参照して、画素回路110、スイッチ部SWおよびデマルチプレクサーDMの構成を説明する。図3はデマルチプレクサーDMの構成を示す図であり、図4は画素回路110およびスイッチ部SWの構成を示す図である。各画素回路110については電気的にみれば互いに同一構成なので、m(1≦m≦M)行目に位置し、且つ、(3n)列目に位置する、m行(3n)列の画素回路110を例にとって説明する。m行目の画素回路110には、走査線駆動回路4から、走査信号Gwr(m)、制御信号Gcmp(m)、Gorst(m)、Gel(m)が供給される。
The configurations of the
図4に示すように、表示部100の表示領域112には、画素回路110と、画素回路110に対して階調電圧を供給するデータ線14とが設けられている。加えて、表示領域112には、データ線14に沿って信号線15と、給電線16と、給電線17と、信号線20とが列毎に設けられている。各列の給電線17は、画素回路110において電源の高位側となる電位Velを電圧生成回路31から共通に給電される固定電位線である。図3では、m行(3n)列の画素回路110は符号「110(m,3n)」で示されており、(3n)列目のデータ線14は符号「14(3n)」で示されている。データ線14と同様に図3では、(3n)列目の信号線15は符号「15(3n)」で、(3n)列目の給電線16は符号「16(3n)」で、(3n)列目の給電線17は、符号「17(3n)」で、(3n)列目の信号線20は符号「20(3n)」で示されている。
As shown in FIG. 4 , the
図4に示すように、データ線14(3n)と給電線16(3n)との間には容量44が設けられており、データ線14(3n)と給電線17(3n)との間には容量46が設けられている。そして、信号線15(3n)と信号線20(3n)との間には、容量50が設けられている。容量44は、給電線16(3n)とデータ線14(3n)との間の配線間容量であってもよい。同様に、容量46も、データ線14(3n)と給電線17(3n)との間の配線間容量であってもよく、容量50も、信号線20(3n)と信号線15(3n)との間の配線間容量であってもよい。図4に示すようにデータ線14(3n)と信号線15(3n)と信号線20(3n)は、何れもスイッチ部SWに接続されており、画素回路110は信号線15(3n)と給電線16(3n)とに接続されている。なお、図3では、データ線14(3n)に接続されるスイッチ部SWが符号「SW(3n)」で示されており、スイッチ部SW(3n)に接続されるデマルチプレクサーDMが符号「DM(n)」で示されている。
As shown in FIG. 4, a
まず、図3を参照しつつ、デマルチプレクサーDM(n)の構成を説明する。図3に示すように、デマルチプレクサーDM(n)は、列毎に設けられたトランスミッションゲート34の集合体であり、各グループを構成する3列に、データ信号を順番に供給する。n番目のグループに属する(3n-2)、(3n-1)、(3n)列に対応したトランスミッションゲート34の入力端は互いに共通接続されて、その共通端子にそれぞれデータ信号Vd(n)が供給される。図3では詳細な図示を省略したが、(3n)列に対応したトランスミッションゲート34の出力端は信号線18(3n)を介してスイッチ部SW(3n)の入力端に接続されている。同様に、(3n-1)列に対応したトランスミッションゲート34の出力端は信号線18(3n-1)を介してスイッチ部SW(3n-1)の入力端に接続されており、(3n-2)列に対応したトランスミッションゲート34の出力端は信号線18(3n-2)を介してスイッチ部SW(3n-2)の入力端に接続されている。n番目のグループにおいて左端列である(3n-2)列に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号Sel(1)がHレベルであるとき(制御信号/Sel(1)がLレベルであるとき)にオン(導通)する。同様に、n番目のグループにおいて中央列である(3n-1)列に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号Sel(2)がHレベルであるとき(制御信号/Sel(2)がLレベルであるとき)にオンし、n番目のグループにおいて右端列である(3n)列に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号Sel(3)がHレベルであるとき(制御信号/Sel(3)がLレベルであるとき)にオンする。
First, the configuration of the demultiplexer DM(n) will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the demultiplexer DM(n) is a set of
次いで、図4を参照しつつ、スイッチ部SW(3n)の構成を説明する。図4に示すように、スイッチ部SW(3n)は、容量41と、トランスミッションゲート42と、NチャンルMOS型のトランジスター43と、PチャネルMOS型のトランジスター45を有し、信号線18(3n)を介して入力されるデータ信号の電位をシフトするものである。図4に示すようにデータ線14(3n)は容量41の一方の電極に接続されているとともにノードhにおいて信号線18(3n)に接続されており、信号線20(3n)はトランスミッションゲート42(スイッチ)の出力端に接続されている。トランスミッションゲート42には制御回路3から制御信号Gcplおよび制御信号/Gcplが供給される。トランスミッションゲート42は、制御信号GcplがHレベルであるとき(制御信号/GcplがLレベルであるとき)にオンする。トランスミッションゲート42がオンになると、信号線18(3n)およびノードhにおいて信号線18(3n)に接続されているデータ線14(3n)と、信号線20(3n)と、が電気的に接続される。
Next, the configuration of the switch section SW(3n) will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, the switch section SW (3n) has a
トランジスター45のドレインは信号線15(3n)に接続され、トランジスター45のソースは所定の初期化電位Viniを供給される給電線61に接続される。制御回路3は、トランジスター45のゲートに対して、制御信号/Giniを供給する。トランジスター45は、信号線15(3n)と給電線61とを制御信号/GiniがLレベルのときに電気的に接続する一方、制御信号/GiniがHレベルのときに電気的に非接続とする。信号線15(3n)と給電線61とが電気的に接続されると、信号線15(3n)の電位は初期化電位Viniとなる。
The drain of the
トランジスター43のドレインは信号線20(3n)に接続され、トランジスター43のソースは、参照電位Vrefを供給される給電線62に接続される。参照電位Vrefは、画素回路110の駆動トランジスターの閾値電圧を補償する補償動作において使用される電位である。トランジスター43のゲートには、制御信号Grefが供給される。トランジスター43は、信号線20(3n)と給電線62とを、制御信号GrefがHレベルのときに電気的に接続し、制御信号GrefがLレベルのときに電気的に非接続とする。信号線20(3n)と給電線62とが電気的に接続されると、信号線20(3n)の電位は参照電位Vrefとなる。
The drain of the transistor 43 is connected to the signal line 20(3n), and the source of the transistor 43 is connected to the
容量41の他方の電極は給電線64に接続される。給電線64には、固定電位である電位VSSが供給される。ここで、電位VSSは、論理信号である走査信号や制御信号のLレベルに相当するものであってもよい。トランスミッションゲート42がオフの状態でトランスミッションゲート34がオンすると、信号線18(3n)にはトランスミッションゲート34の出力端からデータ信号Vd(n)が供給され、データ線14(3n)を介して信号線18(3n)に接続された容量41、容量44および容量46には、データ信号Vd(n)の示す階調電圧に応じた電荷が蓄積される。つまり、(3n)列の容量41、容量44および容量46は、(3n)列の画素回路110の表示階調に応じた階調電圧を保持する保持容量の役割を果たす。トランスミッションゲート42がオンとなり、信号線18(3n)と信号線20(3n)とが電気的に接続されると、容量41、容量44および容量46に保持されていた階調電圧は、データ線14(3n)、信号線18(3n)、信号線20(3n)、容量50および信号線15(3n)を介して画素回路110(m,3n)へ供給される。つまり。容量50は、容量41、容量44および容量46に保持された階調電圧を画素回路110(3n)へ転送する転送容量の役割を果たす。
The other electrode of
次いで、図4を参照しつつ画素回路110(m,3n)の構成を説明する。図4に示すように画素回路110(m,3n)は、各々PチャネルMOS型のトランジスターである第1トランジスター121、第2トランジスター122、第3トランジスター123、第4トランジスター124および第5トランジスター125と、OLED130と、容量132と、を含む。以下では、第1トランジスター121、第2トランジスター122、第3トランジスター123、第4トランジスター124および第5トランジスター125を、「トランジスター121~125」と総称する場合がある。
Next, the configuration of the pixel circuit 110 (m, 3n) will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, the pixel circuit 110 (m, 3n) includes a
第2トランジスター122のゲートは走査線12(画素回路110(m,3n)の場合、m行目の走査線12)に電気的に接続されている。また、第2トランジスター122のソースまたはドレインの一方は信号線15(3n)に電気的に接続され、他方は第1トランジスター121のゲートと、容量132の一方の電極とに、それぞれ電気的に接続されている。第2トランジスター122は、第1トランジスター121のゲートと、信号線15(3n)との間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
The gate of the
第1トランジスター121のソースは給電線116に電気的に接続されている。給電線116には、画素回路110において電源の高位側となる電位Velが図示せぬ電源回路から給電される。第1トランジスター121は、ゲート電圧に応じた電流をOLED130に流す駆動トランジスターとして機能する。
A source of the
第3トランジスター123のソースまたはドレインの一方は信号線15(3n)に電気的に接続され、他方は第1トランジスター121のドレインに電気的に接続されている。第3トランジスター123のゲートには制御信号Gcmp(m)が与えられる。第3トランジスター123は、信号線15(3n)および第2トランジスター122を介して第1トランジスター121のゲートおよびソースの間を導通させるためのトランジスターである。つまり、第3トランジスター123は、第1トランジスター121のゲートとドレインとの間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
One of the source and drain of the
第4トランジスター124のソースは第1トランジスター121のドレインに電気的に接続されており、第4トランジスター124のドレインはOLED130のアノードに電気的に接続されている。第4トランジスター124のゲートには制御信号Gel(m)が与えられる。第4トランジスター124は、第1トランジスター121のドレインと、OLED130のアノードとの間の電気的な接続を制御、すなわちOLED130の発光または非発光を制御する、発光制御トランジスターとして機能する。
The source of
第5トランジスター125のソースまたはドレインの一方は給電線16(3n)、すなわちリセット電位Vorstを給電する固定電位線に電気的に接続されており、他方はOLED130のアノードに接続されている。第5トランジスター125のゲートには制御信号Gorst(m)が供給される。第5トランジスター125は、給電線16(3n)と、OLED130のアノードとの間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
One of the source and the drain of the
本実施形態において表示パネル10はシリコン基板に形成されるので、トランジスター121~125の基板電位については電位Velとしている。また、上記におけるトランジスター121~125のソース、ドレインは、トランジスター121~125のチャネル型、電位の関係に応じて入れ替わってもよい。また、トランジスターは薄膜トランジスターであっても電界効果トランジスターであってもよい。
Since the
容量132は、一方の電極が第1トランジスター121のゲートに電気的に接続され、他方の電極が給電線116に電気的に接続される。容量132は、信号線15(3n)を介して与えられる階調電圧を保持する保持容量として機能する。なお、容量132としては、第1トランジスター121のゲートに寄生する容量を用いてもよいし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。
One electrode of the
OLED130のアノード130aは、画素回路110毎に個別に設けられる画素電極である。これに対して、OLED130のカソードは、画素回路110のすべてにわたって共通に設けられる共通電極118であり、給電線63に接続されている。給電線63には、固定電位である電位Vctが供給される。ここで、電位Vctは、論理信号である走査信号や制御信号のLレベルに相当するものであってもよい。OLED130は、上記シリコン基板において、OLED130のアノード130aと光透過性を有するカソードとで白色有機EL層を挟持した素子である。そして、OLED130の出射側(カソード側)にはRGBの何れかに対応したカラーフィルターが重ねられる。なお、白色有機EL層を挟んで配置される2つの反射層間の光学距離を調整してキャビティ構造を形成し、OLED130から発せられる光の波長を設定してもよい。この場合、カラーフィルターを有していてもよいし、有さなくてもよい。
The
OLED130のアノード130aからカソード(共通電極118)に電流が流れると、アノード130aから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機EL層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板(アノード)とは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認される構成となっている。
When a current flows from the
図5は、画素回路110における発光部と回路部との対応を示す図である。発光部にはOLED130が含まれ、回路部にはトランジスター121~125と容量132とが含まれる。本実施形態では、図5に示すように、発光部は方形にレイアウトされている。図5では、発光色が赤色の画素回路110の発光部は「R」で、発光色が緑色の画素回路110の発光部は「G」で、発光色が青色の画素回路110の発光部は「B」でそれぞれ示されている。図5では、発光色が赤色の画素回路110の回路部は「RC」で、発光色が緑色の画素回路110の回路部は「GC」で、発光色が青色の画素回路110の回路部は「BC」でそれぞれ示されている。回路部は発光部に対して1対1に形成されており、発光部と同じ方形にレイアウトされている。回路部のレイアウトを発光部のレイアウトと同じにしたのは、両者のレイアウトが異なることに起因する輝度ばらつきを回避するめである。本実施形態では、カラー画像の1ドットは、発光色が赤色の発光部および発光色が緑色の発光部それぞれ一つと、発光色が青色の発光部の2つとで表現される。その理由は次の通りである。発光色が赤色または緑色の発光部と青色の発光部とを同じ発光輝度で発光させると青の発光部の寿命が短くなる。このため、赤色、緑色および青色の発光部の寿命を揃えるためには青色の発光部の発光輝度を抑える必要がある、このように青色の発光部の発光輝度を抑えつつ赤色または緑色の発光部の見かけの輝度と揃えるため、青色の発光部の数を多くしたのである。
FIG. 5 is a diagram showing the correspondence between the light emitting units and the circuit units in the
図6は、画素回路110の回路部の平面構造を示す透視図であり、図7は図6におけるAA´線に沿った断面を示す断面図である。図6には、走査線方向(X方向)に並んだ第1画素回路110-1と第2画素回路110-2の各々におけるトランジスターの配置が例示されている。以下、第1画素回路110-1に含まれるトランジスターと第2画素回路110-2に含まれるトランジスターとを区別する必要がある場合には、枝番付の符号で両者を区別する。例えば、第1画素回路110-1の第1トランジスター121については「第1トランジスター121-1」と表記し、第2画素回路110-2の第1トランジスター121については「第1トランジスター121-2」と表記する。給電線116、OLED130および容量132についても同様の表記とする。第1トランジスター121-1は、OLED130-1(第1発光素子)に流れる電流を、ゲートに与えられる第1階調電圧に応じて制御する第1駆動トランジスターである。第1トランジスター121-2は、OLED130-2(第2発光素子)に流れる電流を、ゲートに与えられる第2階調電圧に応じて制御する第2駆動トランジスターである。
6 is a perspective view showing the planar structure of the circuit portion of the
図6に示すように、第1トランジスター121-1と第1トランジスター121-2は、何れも走査線方向に配置されている。つまり、第1トランジスター121-1のソース121-1Sと、第1トランジスター121-1のゲート121-1Gと、第1トランジスター121-1のドレイン121-1Dと、第1トランジスター121-2のソース121-2Sとは、走査線12に沿って並んで配置されている。そして、第1トランジスター121-1のソース121-1Sに接続される給電線116-1は走査線12と交差する方向(Y方向)に延びており、第1トランジスター121-2のソース121-2Sに接続される給電線116-2も走査線12と交差する方向に延びている。なお、図6において符号19-1は第1トランジスター121-1のドレイン121-1Dと第4トランジスター124-1のソースとを接続する配線(第1配線)を指し、符号19-2は第1トランジスター121-2のドレイン121-2Dと第4トランジスター124-2のソースとを接続する配線を指す。図6を参照すれば明らかように、配線19-1は走査線12と交差する方向(Y方向)に設けられており、同様に、配線19-2も走査線12と交差する方向に設けられている。図6に示すように、本実施形態では、給電線116-1は配線19-1と並べて設けられており、給電線116-2は配線19-2と並べて設けられている。図6を参照すれば明らかように、給電線116-1は配線19-1よりも長く、給電線116-2は配線19-2よりも長い。
As shown in FIG. 6, both the first transistor 121-1 and the first transistor 121-2 are arranged in the scanning line direction. That is, the source 121-1S of the first transistor 121-1, the gate 121-1G of the first transistor 121-1, the drain 121-1D of the first transistor 121-1, and the
図7に示すように、回路部が形成される基板140には、第1導電型(図7では、P+と表記)の第1領域A01、第2導電型(図7では、N+と表記)の第2領域A02、および第3領域A03が設けられている。第1領域A01には、第1トランジスター121-1のソース121-S、ドレイン121-1D、第1トランジスター121-2のソース121-2S、およびドレイン121-2Dが形成される。第2領域A02は基板コンタクトであり、前述の基板電位Velが与えられる。第3領域A03は、素子分離のためにSTI(Shallow Trench Isolation)により形成された絶縁性を有する領域である。
As shown in FIG. 7, a
図7に示すように、発光部が形成される発光層よりも基板側(基板140側)には、第1金属層M01、容量金属層MC、第2金属層M02~第5金属層M05が形成されている。第1金属層M01、第3金属層M03および第4金属層M04は各種配線が形成される配線層である。本実施形態では、給電線116-1および給電線116-2と、配線19-1および配線19-2とは、第1金属層M01に形成される。給電線116-1はコンタクトプラグ(中継電極コンタクトプラグ150-1)を介して基板コンタクト(第2領域A02)に接続されている。図7では詳細な図示を省略したが、給電線116-2も別の基板コンタクトに接続されている。容量金属層MCは第1金属層M01とともに容量132-1および容量132-2を形成する。
As shown in FIG. 7, a first metal layer M01, a capacitive metal layer MC, a second metal layer M02 to a fifth metal layer M05 are arranged on the substrate side (
図7に示すように、給電線116-1は中継電極152-1を介して第1トランジスター121-1のソース121-1Sに接続されており、給電線116-2は中継電極152-2を介して第1トランジスター121-2のソース121-2Sに接続されている。配線19-1は、中継電極154-1を介して第1トランジスター121-1のドレイン121-1Dに接続されており、配線19-2は中継電極154-2を介して第1トランジスター121-2のドレイン121-2Dに接続されている。 As shown in FIG. 7, the feed line 116-1 is connected to the source 121-1S of the first transistor 121-1 through the relay electrode 152-1, and the feed line 116-2 connects the relay electrode 152-2. 121-2S of the first transistor 121-2. The wiring 19-1 is connected to the drain 121-1D of the first transistor 121-1 via the relay electrode 154-1, and the wiring 19-2 is connected to the first transistor 121-2 via the relay electrode 154-2. is connected to the drain 121-2D of the .
また、給電線116-1は、中継電極160-1を介して、第1金属層よりも発光層側に設けられている第2金属層M02に接続されている。給電線116-2も中継電極160-2を介して第2金属層M02に接続されている。第2金属層M02は中継電極162-1および中継電極162-2の各々を介して、第3金属層M03に設けられる給電線164-1および給電線164-2に接続されている。そして、給電線164-1は中継電極166-1を介して、第4金属層M04に設けられる給電線168-1に接続されており、給電線164-2は中継電極166-2を介して、第4金属層M04に設けられる給電線168-2に接続されている。 Further, the feeder line 116-1 is connected to the second metal layer M02 provided closer to the light emitting layer than the first metal layer through the relay electrode 160-1. The feed line 116-2 is also connected to the second metal layer M02 via the relay electrode 160-2. The second metal layer M02 is connected to feeder lines 164-1 and 164-2 provided on the third metal layer M03 via relay electrodes 162-1 and 162-2, respectively. The feeder line 164-1 is connected to the feeder line 168-1 provided on the fourth metal layer M04 through the relay electrode 166-1, and the feeder line 164-2 is connected through the relay electrode 166-2. , are connected to the feed line 168-2 provided on the fourth metal layer M04.
本実施形態では、給電線116-2および第2金属層は第1トランジスター121-1のドレイン121-1Dの電圧変動が第1トランジスター121-2のゲート電圧に影響することを防ぐシールドの役割を果たす。このため、図6に示すように、第1トランジスター121-1および第1トランジスター121-2を走査線方向に配置しても、クロストークが発生することはない。なお、本実施形態において給電線116-2の長さを配線19-1の長さよりも長くしたのは、上記シールドの効果を高めるためである。 In this embodiment, the power supply line 116-2 and the second metal layer act as a shield to prevent the voltage fluctuation of the drain 121-1D of the first transistor 121-1 from affecting the gate voltage of the first transistor 121-2. Fulfill. Therefore, even if the first transistor 121-1 and the first transistor 121-2 are arranged in the scanning line direction as shown in FIG. 6, no crosstalk occurs. In this embodiment, the length of the feeder line 116-2 is made longer than the length of the wiring 19-1 in order to enhance the effect of the shield.
このように、本実施形態によれば、クロストークの発生を回避しつつ、画素回路110に含まれる駆動トランジスターを走査線方向に配置することが可能になる。画素回路110に含まれる駆動トランジスターを走査線方向に配置できるため、駆動トランジスターのチャネル長方向を大きくし、駆動トランジスターのばらつきを小さくすることができる。また、本実施形態では、駆動トランジスターのソースと基板コンタクトへのコンタクトプラグを使うので、レイアウト効率がよい、といった効果も奏される。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to arrange the driving transistors included in the
<B:第2実施形態>
図8は、本発明の第2実施形態に係る電気光学装の画素回路110´の構成を示す回路図である。図4と図8とを対比すれば明らかなように画素回路110´の構成は以下の3つの点が画素回路110の構成と異なる。第1に、第3トランジスター123を有さない点である。第2に、第1トランジスター121のドレインはOLED130のアノード130aに接続されており、第4トランジスター124がトランジスター121のソースと給電線116の間に設けられている点である。つまり、第4トランジスター124のドレインは第1トランジスター121のソースに接続されており、第4トランジスター124のソースは給電線116に接続されている。そして、第3に、容量132とともに、第1トランジスター121のゲート電圧を保持する保持容量の役割を果たす容量133を有する点である。
<B: Second Embodiment>
FIG. 8 is a circuit diagram showing the configuration of a pixel circuit 110' of an electro-optical device according to the second embodiment of the invention. As is clear from comparing FIG. 4 and FIG. 8, the configuration of the pixel circuit 110' differs from the configuration of the
図9は、走査線方向に並んだ第1画素回路110´-1と第2画素回路110´-2の各々の回路部の平面構造を示す透視図である。図9に示すように、本実施形態の電気光学装置では、第4トランジスター124-1と第1トランジスター121-1とが走査線方向に並べて配置されており、第4トランジスター124-2と第1トランジスター121-2も走査線方向に並べて配置されている。そして、第4トランジスター124-1のソースに接続される給電線116-1は、第1実施形態における給電線116-1と同様に走査線と交差する方向に延びており、図9では図示を省略したが、前述の第2領域A02に接続されている。同様に第4トランジスター124-2のソースに接続される給電線116-2も、第1実施形態における給電線116-2と同様に走査線と交差する方向に延びており、前述の第2領域A02に接続されている。 FIG. 9 is a perspective view showing a planar structure of each circuit portion of the first pixel circuit 110'-1 and the second pixel circuit 110'-2 arranged in the scanning line direction. As shown in FIG. 9, in the electro-optical device of this embodiment, the fourth transistor 124-1 and the first transistor 121-1 are arranged side by side in the scanning line direction. The transistors 121-2 are also arranged side by side in the scanning line direction. A feeder line 116-1 connected to the source of the fourth transistor 124-1 extends in a direction intersecting with the scanning line in the same manner as the feeder line 116-1 in the first embodiment, and is shown in FIG. Although omitted, it is connected to the aforementioned second area A02. Similarly, the feeder line 116-2 connected to the source of the fourth transistor 124-2 also extends in the direction intersecting the scanning line, similar to the feeder line 116-2 in the first embodiment, and is the second region described above. It is connected to A02.
本態様においても、第1トランジスター121-1のドレインと第1トランジスター121-2のソースとの間に固定電位線である給電線116-2が設けられており、給電線116-2は第1トランジスター121-1のドレイン電圧の変動が第1トランジスター121-2の2電圧に影響することを防ぐシールドの役割を果たす。実施形態によっても、クロストークの発生を回避しつつ、画素回路110´に含まれる駆動トランジスターを走査線方向に配置することが可能になる。画素回路110´に含まれる駆動トランジスターを走査線方向に配置できるため、駆動トランジスターのチャネル長方向を大きくし、駆動トランジスターのばらつきを小さくすることができる。 Also in this aspect, the power supply line 116-2, which is a fixed potential line, is provided between the drain of the first transistor 121-1 and the source of the first transistor 121-2. It acts as a shield to prevent the fluctuation of the drain voltage of the transistor 121-1 from affecting the two voltages of the first transistor 121-2. Also according to the embodiment, it is possible to arrange the driving transistors included in the pixel circuit 110' in the scanning line direction while avoiding the occurrence of crosstalk. Since the driving transistors included in the pixel circuit 110' can be arranged in the scanning line direction, the channel length direction of the driving transistors can be increased, and the variation of the driving transistors can be reduced.
<C.変形例>
以上本発明の一実施形態について説明したが、この実施形態に以下の変形を加えても良い。
(1)上記第1実施形態では、第1トランジスター121-1のドレイン電圧の変動が第1トランジスター121-2のゲート電圧に影響することを防止するシールドの役割を果たす固定電位線として機能する給電線116-2が第1トランジスター121-2のソースが接続されていた。しかし、第1トランジスター121-2のソースへの固定電位線の接続は必ずしも必須ではない。第1トランジスター121-1のドレインと第1トランジスター121-2のソースの間に走査線12と交差する方向に延びる固定電位線を設けておけば、第1トランジスター121-2のソースが固定電位線に接続されているか否かに拘らず、第1トランジスター121-1のドレイン電圧の変動が第1トランジスター121-2のゲート電圧に影響を与えることを防ぐことができるからである。なお、第1トランジスター121-2のソースに固定電位線を接続しない場合、電位Velとは異なる電位を固定電位線に与えても良く、この場合、固定電位線を基板140の第2領域に接続する必要はない。第2実施形態についても同様に第4トランジスター124のソースへの固定電位線の接続は必須ではない。
<C. Variation>
Although one embodiment of the present invention has been described above, the following modifications may be added to this embodiment.
(1) In the first embodiment described above, the power supply functioning as a fixed potential line serves as a shield to prevent fluctuations in the drain voltage of the first transistor 121-1 from affecting the gate voltage of the first transistor 121-2. A wire 116-2 was connected to the source of the first transistor 121-2. However, connection of the fixed potential line to the source of the first transistor 121-2 is not always essential. If a fixed potential line extending in a direction crossing the
(2)上記第1実施形態では、発光色が赤色の画素回路および発光色が緑色の画素回路それぞれ1つと、発光色が青色の2つの画素回路とでカラー画像の1ドットを形成したが、発光色が青色の2つの画素回路のうちの一方の画素回路の発光色を青色以外の色(例えば、黄色)にしてもよい。また、1つの画素を形成する4つの画素回路の発光色を全て同じ色(例えば、赤色)にして単色表示の表示パネルを形成してもよい。要は、方形にレイアウトされた発光部と、発光部と同じ方形にレイアウトされた回路部とを各々が有する第1画素回路と第2画素回路とを走査線に沿って設け、第1画素回路の駆動トランジスターと第2画素回路の駆動トランジスターとを走査線に沿って配置し、走査線と交差する方向に延びる固定電位線を前者のドレインと後者のソースとの間に設けた電気光学装置であればよい。 (2) In the first embodiment, one pixel circuit emitting red light, one pixel circuit emitting green light, and two pixel circuits emitting blue light form one dot of a color image. One of the two pixel circuits emitting blue light may emit light in a color other than blue (for example, yellow). Alternatively, a single-color display panel may be formed by setting the emission color of four pixel circuits forming one pixel to be the same color (for example, red). In short, a first pixel circuit and a second pixel circuit each having a light-emitting portion laid out in a square and a circuit portion laid out in the same square as the light-emitting portion are provided along the scanning line, and the first pixel circuit and the driving transistor of the second pixel circuit are arranged along the scanning line, and a fixed potential line extending in a direction intersecting the scanning line is provided between the drain of the former and the source of the latter. I wish I had.
<D.応用例>
上述した実施形態に係る電気光学装置は、各種の電子機器に適用することができ、特に2K2K以上の高精細な画像の表示を要求され、かつ小型であることを要求される電子機器に好適である。以下、本発明に係る電子機器について説明する。
<D. Application example>
The electro-optical device according to the above-described embodiments can be applied to various electronic devices, and is particularly suitable for electronic devices that are required to display high-definition images of 2K2K or higher and that are required to be small. be. An electronic device according to the present invention will be described below.
図10は本発明の電気光学装置を採用した電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ300の外観を示す斜視図である。図11に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ300は、テンプル310、ブリッジ320、投射光学系301L、および、投射光学系301Rを備える。そして、図10において、投射光学系301Lの奥には左眼用の電気光学装置(図示省略)が設けられ、投射光学系301Rの奥には右眼用の電気光学装置(図示省略)が設けられる。
FIG. 10 is a perspective view showing the appearance of a head-mounted
図11は、本発明に係る電気光学装置1を採用した可搬型のパーソナルコンピューター400の斜視図である。パーソナルコンピューター400は、各種の画像を表示する電気光学装置1と、電源スイッチ401およびキーボード402が設けられた本体部403と、を備える。なお、本発明に係る電気光学装置1が適用される電子機器としては、図10および図11に例示した機器のほか、デジタルスコープ、デジタル双眼鏡、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなど眼に近接して配置する電子機器が挙げられる。さらに、携帯電話機、スマートフォン、携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)、カーナビゲーション装置、および車載用の表示器(インパネ)等の電子機器に設けられる表示部として適用することができる。
FIG. 11 is a perspective view of a portable
1…電気光学装置、10…表示パネル、3…制御回路、4…走査線駆動回路、5…データ線駆動回路、12…走査線、14…データ線、16,17,61,62,63,64、116…給電線、118…共通電極、15,18,20…信号線、19…配線、31…電圧生成回路、41,44,46、50,132…容量、34,42…トランスミッションゲート、43,45,121,122,123,124,125…トランジスター、70…データ信号供給回路、82…ケース、84…FPC基板、86…端子、100…表示部、112…表示領域、110…画素回路、110-1…第1画素回路、110-2…第2画素回路、130…OLED、130a…アノード、SW…スイッチ部、DM…デマルチプレクサー。
REFERENCE SIGNS
Claims (7)
走査線に対応して設けられ、供給される電流に応じた輝度で発光する第1発光素子と、
前記第1発光素子へ供給する電流を第1階調電圧に応じて制御する第1駆動トランジスタ
ーと、を有する第1画素回路と、
前記走査線の方向において前記第1画素回路と隣り合う第2画素回路であって、供給さ
れる電流に応じた輝度で発光する第2発光素子と、前記第2発光素子へ供給する電流を第
2階調電圧に応じて制御する第2駆動トランジスターと、を有する第2画素回路と、
固定電位を与えられ、前記走査線と交差する方向に設けられる固定電位線と、を備え、
前記走査線に沿って、前記第1駆動トランジスターのソース、前記第1駆動トランジス
ターのゲート、前記第1駆動トランジスターのドレインおよび前記第2駆動トランジスタ
ーのソースが並んで配置され、
前記固定電位線は、第1駆動トランジスターのドレインと前記第2駆動トランジスター
のソースとの間に設けられ、
前記固定電位線は、前記第2駆動トランジスターのソースが設けられる第1領域に電気
的に接続され、
前記固定電位線は、前記シリコン基板に基板電位である前記固定電位が供給されるため
に設けられる第2領域に電気的に接続され、
前記第1領域および前記第2領域は、前記シリコン基板に設けられ、
平面視において、前記第1領域および前記第2領域は、前記固定電位線と重なるように
配置される
ことを特徴とする電気光学装置。 a silicon substrate;
a first light emitting element provided corresponding to the scanning line and emitting light with luminance corresponding to the supplied current;
a first pixel circuit having a first driving transistor for controlling a current supplied to the first light emitting element according to a first gradation voltage;
a second pixel circuit adjacent to the first pixel circuit in the direction of the scanning line, the second light emitting element emitting light with luminance corresponding to the supplied current; a second pixel circuit having a second driving transistor controlled according to the two-level voltage;
a fixed potential line provided with a fixed potential and provided in a direction intersecting with the scanning line;
the source of the first drive transistor, the gate of the first drive transistor, the drain of the first drive transistor, and the source of the second drive transistor are arranged side by side along the scan line;
the fixed potential line is provided between the drain of the first drive transistor and the source of the second drive transistor;
the fixed potential line is electrically connected to a first region where the source of the second drive transistor is provided;
the fixed potential line is electrically connected to a second region provided for supplying the fixed potential, which is a substrate potential, to the silicon substrate;
The first region and the second region are provided on the silicon substrate,
The electro-optical device, wherein the first area and the second area are arranged so as to overlap with the fixed potential line in plan view.
は異なる導電型である
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 2. The electro-optical device according to claim 1, wherein a first conductivity type, which is the conductivity type of the first region, is a conductivity type different from a second conductivity type, which is the conductivity type of the second region.
る第1配線を有し、
前記固定電位線は前記第1配線と並べて設けられ、前記固定電位線は前記第1配線より
も長い、
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 a first wiring connected to the drain of the first driving transistor and extending in a direction intersecting the scanning line;
The fixed potential line is provided in parallel with the first wiring, and the fixed potential line is longer than the first wiring,
3. The electro-optical device according to claim 2, wherein:
前記発光層よりも前記シリコン基板側に設けられる第1金属層であって、前記第1配線
と前記固定電位線とが形成される第1金属層と、
前記第1金属層よりも前記発光層側に設けられる第2金属層と、
前記固定電位線と前記第2金属層とを接続する中継電極と、
を有することを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。 a light-emitting layer in which the first light-emitting element and the second light-emitting element are formed;
a first metal layer provided closer to the silicon substrate than the light emitting layer, the first metal layer forming the first wiring and the fixed potential line;
a second metal layer provided closer to the light emitting layer than the first metal layer;
a relay electrode connecting the fixed potential line and the second metal layer;
4. The electro-optical device according to claim 3, comprising:
とする請求項1~4の何れか1項に記載の電気光学装置。 5. The electro-optical device according to claim 1, wherein the fixed potential line is connected to the source of the second drive transistor.
御する発光制御トランジスターであって、ドレインが前記第2駆動トランジスターのソー
スに接続され、ソースが前記固定電位線に接続される発光制御トランジスター、を有する
ことを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の電気光学装置。 A light emission control transistor for controlling on or off of current flowing from the second drive transistor to the second light emitting element, the drain being connected to the source of the second drive transistor and the source being connected to the fixed potential line. 5. The electro-optical device according to any one of claims 1 to 4, further comprising a light emission control transistor.
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