JP7115505B2 - 磁気センサ、磁気式エンコーダおよびレンズ位置検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、磁気センサと、この磁気センサを用いた磁気式エンコーダおよびレンズ位置検出装置に関する。

磁気センサを用いた磁気式エンコーダは、所定の方向に位置が変化する可動物体の位置を検出するために用いられている。所定の方向は、直線的な方向または回転方向である。可動物体の位置を検出するために用いられる磁気式エンコーダは、可動物体の位置の変化に対応して、所定の範囲内で、磁気センサに対する磁気スケール等の磁界発生器の相対位置が変化するように構成されている。

磁気センサに対する磁界発生器の相対位置が変化すると、磁界発生器によって発生されて磁気センサに印加される対象磁界の一方向の成分の強度が変化する。磁気センサは、例えば、対象磁界の一方向の成分の強度を検出して、この一方向の成分の強度に対応し且つ互いに位相の異なる２つの検出信号を生成する。磁気式エンコーダは、２つの検出信号に基づいて、磁気センサに対する磁界発生器の相対位置と対応関係を有する検出値を生成する。

磁気式エンコーダ用の磁気センサとしては、複数の磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサが用いられている。例えば、特許文献１，２には、磁気抵抗効果素子として、磁石および磁気センサの相対移動方向とこの相対移動方向に直交する方向に、複数のＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子を配置した磁気センサが開示されている。

磁気式エンコーダでは、磁気センサに、対象磁界の他に、対象磁界以外のノイズ磁界が印加される場合がある。ノイズ磁界としては、例えば地磁気やモーターからの漏れ磁界がある。このように磁気センサにノイズ磁界が印加される場合には、磁気センサは、対象磁界とノイズ磁界との合成磁界を検出することになる。例えばノイズ磁界の強度が時間的に一定の場合、ノイズ磁界の前記一方向の成分の強度は、検出信号にオフセットとして現れる。その結果、検出値に誤差が生じる。

特許文献３には、磁気スケール式の位置検出装置であって、磁気スケールの記録信号を正弦波形の信号として検出する２つの磁気センサと、磁気スケールに記録した信号の波長に依存しないノイズに相当する成分を表す信号（ＤＣ成分を表す信号）を検出する２つの磁気センサと、正弦波形の信号とＤＣ成分を表す信号との差分を検出する２つの減算器とを備えた位置検出装置が開示されている。この位置検出装置では、減算器によって、ノイズ成分が除去された信号が得られる。

国際公開第２００９／０３１５５８号 国際公開第２００９／１１９４７１号 特開２０１５－１６９６０２号公報

特許文献３に開示された位置検出装置では、ノイズ成分を除去するために、磁気スケールの記録信号を検出する磁気センサの他に、ノイズ成分を検出する磁気センサとノイズ成分を除去するための減算器が必要になり、構成が複雑になるという問題点があった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡単な構成で、ノイズ磁界の影響を低減することができる磁気センサ、ならびにこの磁気センサを用いた磁気式エンコーダおよびレンズ位置検出装置を提供することにある。

本発明の磁気センサは、第１の方向の磁界成分を含む対象磁界と、対象磁界以外のノイズ磁界とを検出するものである。本発明の磁気センサは、第１の抵抗値を有する第１の抵抗体と、第２の抵抗値を有する第１の補正用抵抗体と、第１のポートと、第２のポートとを備えている。第１の抵抗体と第１の補正用抵抗体は、第１のポートと第２のポートの間において直列に接続されている。

第１の抵抗体は、磁界成分の周期的な強度の変化に応じて第１の抵抗値が周期的に変化するように構成されている。第１の補正用抵抗体は、ノイズ磁界に起因する第１の抵抗値の変化に比べて、第１の抵抗値と第２の抵抗値の和の、ノイズ磁界に起因する変化が小さくなるように構成されている。

本発明の磁気センサにおいて、第１の補正用抵抗体は、磁界成分に起因する第２の抵抗値の変化が、磁界成分に起因する第１の抵抗値の変化よりも小さくなるように構成されていてもよい。また、第１の補正用抵抗体は、磁界成分に起因する第２の抵抗値の変化が０になるように構成されていてもよい。

また、本発明の磁気センサにおいて、第１の抵抗体および第１の補正用抵抗体の各々は、複数の磁気抵抗効果素子を含んでいてもよい。複数の磁気抵抗効果素子の各々は、方向が固定された磁化を有する磁化固定層と、磁界成分の方向および強度に応じて方向が変化可能な磁化を有する自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置されたギャップ層とを含んでいる。第１の抵抗体の複数の磁気抵抗効果素子の各々の磁化固定層の磁化の方向は、第１の磁化方向であってもよい。また、第１の補正用抵抗体の複数の磁気抵抗効果素子の各々の磁化固定層の磁化の方向は、第１の磁化方向とは反対の第２の磁化方向であってもよい。

第１の抵抗体および第１の補正用抵抗体の各々が複数の磁気抵抗効果素子を含んでいる場合、第１の補正用抵抗体の複数の磁気抵抗効果素子は、所定の間隔で、第１の方向に沿って並ぶように配置されていてもよい。この場合、第１の補正用抵抗体の複数の磁気抵抗効果素子のうち、第１の方向における一端に位置する磁気抵抗効果素子から第１の方向における他端に位置する磁気抵抗効果素子までの距離は、磁界成分の強度の変化の１～１０周期分に相当する距離であってもよい。

また、第１の抵抗体および第１の補正用抵抗体の各々が複数の磁気抵抗効果素子を含んでいる場合、第１の抵抗体の複数の磁気抵抗効果素子の数は、第１の補正用抵抗体の複数の磁気抵抗効果素子の数以上であってもよい。

また、第１の抵抗体および第１の補正用抵抗体の各々が複数の磁気抵抗効果素子を含んでいる場合、複数の磁気抵抗効果素子の各々は、更に、自由層に対して印加される、第１の方向と交差する方向のバイアス磁界を発生するバイアス磁界発生器を含んでいてもよい。あるいは、自由層は、磁化容易軸方向が第１の方向と交差する方向に向いた形状磁気異方性を有していてもよい。

また、第１の抵抗体および第１の補正用抵抗体の各々が複数の磁気抵抗効果素子を含んでいる場合、ギャップ層は、トンネルバリア層であってもよい。

また、本発明の磁気センサは、更に、第３の抵抗値を有する第２の抵抗体と、第４の抵抗値を有する第２の補正用抵抗体と、第１の抵抗体および第１の補正用抵抗体と第２のポートとの間に設けられた第３のポートとを備えていてもよい。第２の抵抗体と第２の補正用抵抗体は、第２のポートと第３のポートの間において直列に接続されていてもよい。第２の抵抗体は、磁界成分の周期的な強度の変化に応じて第３の抵抗値が周期的に変化し、且つ第３の抵抗値の変化の位相が第１の抵抗値の変化の位相と異なるように構成されていてもよい。第２の補正用抵抗体は、ノイズ磁界に起因する第３の抵抗値の変化に比べて、第３の抵抗値と第４の抵抗値の和の、ノイズ磁界に起因する変化が小さくなるように構成されていてもよい。また、この場合、第１のポートは、所定の大きさの電圧が印加される電源ポートであってもよい。また、第２のポートは、グランドに接続されるグランドポートであってもよい。

本発明の磁気式エンコーダは、本発明の磁気センサと、対象磁界を発生する磁界発生器とを備えている。磁気センサと磁界発生器は、磁気センサに対する磁界発生器の相対的な位置が変化すると、磁界成分の強度が変化するように構成されている。

本発明の磁気式エンコーダは、更に、検出値生成回路を備えていてもよい。この場合、磁気センサは、磁界成分と対応関係を有する少なくとも１つの検出信号を生成してもよい。また、検出値生成回路は、少なくとも１つの検出信号に基づいて、磁気センサに対する磁界発生器の相対的な位置と対応関係を有する検出値を生成してもよい。

本発明の磁気式エンコーダにおいて、磁界発生器は、複数組のＮ極とＳ極が所定の方向に交互に配列された磁気スケールであってもよい。この場合、少なくとも１つの検出信号は、理想的な正弦曲線を描くように周期的に変化する理想成分と、理想成分の高調波に相当する誤差成分とを含んでいてもよい。第１の抵抗体は、誤差成分が低減されるように構成されていてもよい。

本発明のレンズ位置検出装置は、位置が変化可能なレンズの位置を検出するためのものである。本発明のレンズ位置検出装置は、本発明の磁気センサと、対象磁界を発生する磁界発生器とを備えている。レンズは、第１の方向に移動可能に構成されている。磁気センサと磁界発生器は、レンズの位置が変化すると、磁界成分の強度が変化するように構成されている。

本発明のレンズ位置検出装置は、更に、検出値生成回路を備えていてもよい。この場合、磁気センサは、磁界成分と対応関係を有する少なくとも１つの検出信号を生成してもよい。また、検出値生成回路は、少なくとも１つの検出信号に基づいて、レンズの位置と対応関係を有する検出値を生成してもよい。

本発明のレンズ位置検出装置において、磁界発生器は、複数組のＮ極とＳ極が所定の方向に交互に配列された磁気スケールであってもよい。この場合、少なくとも１つの検出信号は、理想的な正弦曲線を描くように周期的に変化する理想成分と、理想成分の高調波に相当する誤差成分とを含んでいてもよい。第１の抵抗体は、誤差成分が低減されるように構成されていてもよい。

本発明の磁気センサ、磁気式エンコーダおよびレンズ位置検出装置では、第１の抵抗体は、磁界成分の周期的な強度の変化に応じて第１の抵抗値が周期的に変化するように構成されている。また、第１の補正用抵抗体は、ノイズ磁界に起因する第１の抵抗値の変化に比べて、ノイズ磁界に起因する第１の抵抗値と第２の抵抗値の和の変化が小さくなるように構成されている。これにより、本発明によれば、簡単な構成で、ノイズ磁界の影響を低減することができるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気式エンコーダを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気式エンコーダを示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサの構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態における第１の抵抗体を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態における第１の補正用抵抗体を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子の第１の例を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子の第２の例を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態における第１ないし第３の信号を模式的に示す説明図である。 比較例のモデルにおける第１および第２の検出信号の各々の波形を示す波形図である。 実施例のモデルと比較例のモデルの各々の誤差を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態に係る位置検出装置を含むレンズモジュールを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る位置検出装置を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子の第１の変形例を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子の第２の変形例を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子の第３の変形例を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子の第４の変形例を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態における磁気抵抗効果素子の第５の変形例を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気センサの一部を示す平面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る磁気センサの一部を示す平面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る磁気センサの構成を示す回路図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る磁気式エンコーダの概略の構成について説明する。図１は、磁気式エンコーダ１を示す斜視図である。図２は、磁気式エンコーダ１を示す正面図である。本実施の形態に係る磁気式エンコーダ１は、本実施の形態に係る磁気センサ２と、磁界発生器３とを含んでいる。

磁界発生器３は、磁気センサ２が検出すべき磁界（検出対象磁界）である対象磁界ＭＦを発生する。対象磁界ＭＦは、仮想の直線に平行な方向の磁界成分を含んでいる。磁気センサ２と磁界発生器３は、磁気センサ２に対する磁界発生器３の相対的な位置が変化すると、磁界成分の強度が変化するように構成されている。磁気センサ２は、上記の磁界成分を含む対象磁界ＭＦを検出して、磁界成分の強度に対応する少なくとも１つの検出信号を生成する。

磁界発生器３は、複数組のＮ極とＳ極が所定の方向に交互に配列された磁気スケールであってもよい。磁気スケールは、磁気テープ等の磁気媒体に対して複数組のＮ極とＳ極を交互に着磁したものであってもよいし、複数の磁石を上記の所定の方向に沿って配置したものであってもよい。また、磁気センサ２または磁界発生器３は、所定の方向に沿った所定の範囲内において移動可能である。磁気センサ２または磁界発生器３が移動することにより、磁気センサ２に対する磁界発生器３の相対的な位置が変化する。所定の方向は、直線的な方向であってもよいし、回転方向であってもよい。

本実施の形態では、磁界発生器３は、直線的な方向に複数組のＮ極とＳ極を着磁したリニアスケールである。磁気センサ２または磁界発生器３は、磁界発生器３の長手方向に沿って移動可能である。図２に示したように、磁界発生器３の長手方向に隣接する２つのＮ極の間隔（磁界発生器３の長手方向に隣接する２つのＳ極の間隔と同じ）を、１ピッチと言い、１ピッチの大きさを記号Ｌｐで表す。

ここで、図１および図２に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。本実施の形態では、磁界発生器３の長手方向に平行な一方向をＸ方向とする。また、Ｘ方向に垂直な２方向であって、互いに直交する２つの方向をＹ方向とＺ方向とする。図２では、Ｙ方向を図２における手前から奥に向かう方向として表している。また、Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向とし、Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向とし、Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向とする。

磁気センサ２は、磁界発生器３に対してＺ方向に離れた位置に配置されている。磁気センサ２は、対象磁界ＭＦのＸ方向に平行な方向の磁界成分ＭＦｘの強度を検出することができるように構成されている。磁界成分ＭＦｘの強度は、例えば、磁界成分ＭＦｘの方向がＸ方向のときに正の値で表され、磁界成分ＭＦｘの方向が－Ｘ方向のときに負の値で表される。磁気センサ２または磁界発生器３がＸ方向に平行な方向に沿って移動すると、磁界成分ＭＦｘの強度は、周期的に変化する。Ｘ方向に平行な方向は、本発明の第１の方向に対応する。

磁気センサ２は、対象磁界以外のノイズ磁界Ｍｅｘも検出する。ノイズ磁界Ｍｅｘは、Ｘ方向に平行な成分と、Ｙ方向に平行な成分と、Ｚ方向に平行な成分を含み得る。本実施の形態では特に、磁気センサ２は、ノイズ磁界ＭｅｘのＸ方向に平行な方向の成分の強度を検出する。ノイズ磁界Ｍｅｘは、磁気センサ２または磁界発生器３の移動範囲内において一様な磁界であってもよいし、この移動範囲内の位置に応じて方向および強度の少なくとも一方が変化する磁界であってもよい。

次に、図３および図４を参照して、磁気センサ２について詳しく説明する。図３は、磁気センサ２を示す平面図である。図４は、磁気センサ２の構成を示す回路図である。図４に示したように、磁気式エンコーダ１は、更に、検出値生成回路４を備えている。検出値生成回路４は、磁気センサ２が生成する、磁界成分ＭＦｘの強度に対応する少なくとも１つの検出信号に基づいて、磁気センサ２に対する磁界発生器３の相対的な位置と対応関係を有する検出値Ｖｓを生成する。検出値生成回路４は、例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）またはマイクロコンピュータによって実現することができる。

磁気センサ２は、それぞれ磁界成分ＭＦｘの周期的な強度の変化に応じてその抵抗値が周期的に変化するように構成された第１の抵抗体Ｒ１１、第２の抵抗体Ｒ１２、第３の抵抗体Ｒ２１および第４の抵抗体Ｒ２２を備えている。第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の各々は、複数の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と記す。）５０を含んでいる。

磁気センサ２は、更に、第１の補正用抵抗体Ｃ１１、第２の補正用抵抗体Ｃ１２、第３の補正用抵抗体Ｃ２１および第４の補正用抵抗体Ｃ２２を備えている。第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々は、複数のＭＲ素子５０を含んでいる。第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の各々のＭＲ素子５０の数は、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々の複数のＭＲ素子５０の数以上であることが好ましい。

磁気センサ２は、更に、電源ポートＶ１と、グランドポートＧ１と、第１の出力ポートＥ１と、第２の出力ポートＥ２とを備えている。電源ポートＶ１には、所定の大きさの電圧が印加される。グランドポートＧ１はグランドに接続される。第１および第２の出力ポートＥ１，Ｅ２は、検出値生成回路４に接続されている。磁気センサ２は、定電圧駆動であることが好ましい。

電源ポートＶ１は、本発明の第１のポートに対応する。グランドポートＧ１は、本発明の第２のポートに対応する。第１および第２の出力ポートＥ１，Ｅ２は、本発明の第３のポートに対応する。

磁気センサ２は、第１の出力ポートＥ１の電位と対応関係を有する信号を、第１の検出信号Ｓ１として生成し、第２の出力ポートＥ２の電位と対応関係を有する信号を、第２の検出信号Ｓ２として生成する。検出値生成回路４は、第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２に基づいて、検出値Ｖｓを生成する。なお、磁気センサ２および検出値生成回路４の少なくとも一方は、第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の各々の振幅、位相およびオフセットを補正することができるように構成されていてもよい。

図４に示したように、第１の抵抗体Ｒ１１と第１の補正用抵抗体Ｃ１１は、電源ポートＶ１と第１の出力ポートＥ１の間において直列に接続されている。第２の抵抗体Ｒ１２と第２の補正用抵抗体Ｃ１２は、グランドポートＧ１と第１の出力ポートＥ１の間において直列に接続されている。第１の出力ポートＥ１は、第１の抵抗体Ｒ１１および第１の補正用抵抗体Ｃ１１とグランドポートＧ１との間に設けられている。

また、図４に示したように、第３の抵抗体Ｒ２１と第３の補正用抵抗体Ｃ２１は、電源ポートＶ１と第２の出力ポートＥ２の間において直列に接続されている。第４の抵抗体Ｒ２２と第４の補正用抵抗体Ｃ２２は、グランドポートＧ１と第２の出力ポートＥ２の間において直列に接続されている。第２の出力ポートＥ２は、第３の抵抗体Ｒ２１および第３の補正用抵抗体Ｃ２１とグランドポートＧ１との間に設けられている。

また、図４に示したように、第１の抵抗体Ｒ１１と第２の抵抗体Ｒ１２は、第１の出力ポートＥ１に接続される第１の接続点Ｐ１を介して直列に接続されている。第３の抵抗体Ｒ２１と第４の抵抗体Ｒ２２は、第２の出力ポートＥ２に接続される第２の接続点Ｐ２を介して直列に接続されている。

第１の抵抗体Ｒ１１の第１の接続点Ｐ１とは反対側の端部は、第１の補正用抵抗体Ｃ１１に接続されている。第１の補正用抵抗体Ｃ１１は、電源ポートＶ１に接続されている。なお、第１の抵抗体Ｒ１１の上記の端部は、回路図上での端部である。

第２の抵抗体Ｒ１２の第１の接続点Ｐ１とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第２の補正用抵抗体Ｃ１２に接続されている。第２の補正用抵抗体Ｃ１２は、グランドポートＧ１に接続されている。

第３の抵抗体Ｒ２１の第２の接続点Ｐ２とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第３の補正用抵抗体Ｃ２１に接続されている。第３の補正用抵抗体Ｃ２１は、電源ポートＶ１に接続されている。

第４の抵抗体Ｒ２２の第２の接続点Ｐ２とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第４の補正用抵抗体Ｃ２２に接続されている。第４の補正用抵抗体Ｃ２２は、グランドポートＧ１に接続されている。

ここで、第１の抵抗体Ｒ１１の抵抗値を第１の抵抗値と言い、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の抵抗値を第２の抵抗値と言う。第１の抵抗値は、磁界成分ＭＦｘの他に、ノイズ磁界Ｍｅｘに応じて変化する。第１の補正用抵抗体Ｃ１１は、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する第１の抵抗値の変化に比べて、第１の抵抗値と第２の抵抗値の和の、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する変化が小さくなるように構成されている。

第２ないし第４の抵抗体Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の各々の抵抗値も、磁界成分ＭＦｘの他に、ノイズ磁界Ｍｅｘに応じて変化する。第２の補正用抵抗体Ｃ１２は、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する第２の抵抗体Ｒ１２の抵抗値の変化に比べて、第２の抵抗体Ｒ１２と第２の補正用抵抗体Ｃ１２の各々の抵抗値の和の、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する変化が小さくなるように構成されている。第３の補正用抵抗体Ｃ２１は、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する第３の抵抗体Ｒ２１の抵抗値の変化に比べて、第３の抵抗体Ｒ２１と第３の補正用抵抗体Ｃ２１の各々の抵抗値の和の、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する変化が小さくなるように構成されている。第４の補正用抵抗体Ｃ２２は、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する第４の抵抗体Ｒ２２の抵抗値の変化に比べて、第４の抵抗体Ｒ２２と第４の補正用抵抗体Ｃ２２の各々の抵抗値の和の、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する変化が小さくなるように構成されている。

また、第２の抵抗体Ｒ１２は、第２の抵抗体Ｒ１２の抵抗値の変化の位相が第１の抵抗体Ｒ１１の抵抗値の変化の位相と異なるように構成されている。同様に、第４の抵抗体Ｒ２２は、第４の抵抗体Ｒ２２の抵抗値の変化の位相が第３の抵抗体Ｒ２１の抵抗値の変化の位相と異なるように構成されている。本実施の形態では、これらの抵抗値の位相差は、抵抗値の変化の周期の１／２と等しいか、ほぼ等しい。

図３に示したように、磁気センサ２は、更に、基板１０と、この基板１０の上に配置された電源端子１１、グランド端子１２、第１の出力端子１３および第２の出力端子１４とを備えている。電源端子１１は、電源ポートＶ１を構成する。グランド端子１２は、グランドポートＧ１を構成する。第１および第２の出力端子１３，１４は、それぞれ第１および第２の出力ポートＥ１，Ｅ２を構成する。

図３に示したように、第１および第２の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２は、基板１０上の第１の領域Ｒ１内に配置されている。第３および第４の抵抗体Ｒ２１，Ｒ２２は、基板１０上の第２の領域Ｒ２内に配置されている。第２の領域Ｒ２少なくとも一部は、Ｘ方向に平行な方向において、第１の領域Ｒ１とは異なる位置にある。図３に示した例では、第２の領域Ｒ２の一部は、第１の領域Ｒ１の一部に重なっている。

第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１に対してＸ方向の先にあってもよいし、－Ｘ方向の先にあってもよい。図３には、第２の領域Ｒ２が、第１の領域Ｒ１に対してＸ方向の先にある例を示している。なお、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２は、Ｚ方向について同じ位置に合ってもよいし、互いに異なる位置にあってもよい。

また、図３に示したように、第１および第２の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２は、Ｙ方向に平行な方向において、第３の抵抗体Ｒ２１と第４の抵抗体Ｒ２２の間に配置されている。第１の補正用抵抗体Ｃ１１は、第３の抵抗体Ｒ２１のＹ方向の先に配置されている。第３の補正用抵抗体Ｃ２１は、第３の抵抗体Ｒ２１と第１の補正用抵抗体Ｃ１１の間に配置されている。

第２の補正用抵抗体Ｃ１２は、第４の抵抗体Ｒ２２の－Ｙ方向の先に配置されている。第４の補正用抵抗体Ｃ２２は、第４の抵抗体Ｒ２２と第２の補正用抵抗体Ｃ１２の間に配置されている。

次に、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の構成について説明する。第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の各々は、理想的な正弦曲線（サイン（Sine）波形とコサイン（Cosine）波形を含む）を描くように所定の信号周期で周期的に変化する理想成分を含んでいる。本実施の形態では、第１の検出信号Ｓ１の理想成分の位相と第２の検出信号Ｓ２の理想成分の位相が、互いに異なるように、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２が構成されている。図２に示した１ピッチの大きさＬｐは、理想成分における１周期すなわち電気角の３６０°に相当する。

また、第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の各々は、理想成分の他に、理想成分の高調波に相当する誤差成分を含んでいる。本実施の形態では、誤差成分が低減されるように、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２が構成されている。

以下、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の構成について具体的に説明する。始めに、ＭＲ素子５０の構成について説明する。本実施の形態では、ＭＲ素子５０は、スピンバルブ型のＭＲ素子である。このスピンバルブ型のＭＲ素子は、方向が固定された磁化を有する磁化固定層と、磁界成分ＭＦｘに応じて方向が変化可能な磁化を有する自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置されたギャップ層とを含んでいる。スピンバルブ型のＭＲ素子は、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子でもよいし、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子でもよい。本実施の形態では特に、磁気センサ２の寸法を小さくするために、ＭＲ素子５０は、ＴＭＲ素子であることが好ましい。ＴＭＲ素子では、ギャップ層はトンネルバリア層である。ＧＭＲ素子では、ギャップ層は非磁性導電層である。スピンバルブ型のＭＲ素子では、自由層の磁化の方向が磁化固定層の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が０°のときに抵抗値は最小値となり、角度が１８０°のときに抵抗値は最大値となる。

図４において、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２内に描かれた矢印は、その抵抗体に含まれる複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向を表している。第１および第３の抵抗体Ｒ１１，Ｒ２１に含まれる複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向は、Ｘ方向である。第２および第４の抵抗体Ｒ１２，Ｒ２２に含まれる複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向は、－Ｘ方向である。この場合、複数のＭＲ素子５０の各々の自由層の磁化の方向は、磁界成分ＭＦｘの強度に応じて、ＸＹ平面内で変化する。これにより、第１および第２の出力ポートＥ１，Ｅ２の各々の電位は、磁界成分ＭＦｘの強度に応じて変化する。

次に、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の各々における複数のＭＲ素子５０の配置について説明する。ここで、１つ以上のＭＲ素子５０の集合を、素子群という。第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の各々は、複数の素子群を含んでいる。複数の素子群は、誤差成分が低減されるように、１ピッチの大きさＬｐに基づいて、所定の間隔を開けて配置されている。なお、以下の説明において、複数の素子群の配置について説明する場合、素子群の所定の位置を基準にして説明するものとする。所定の位置は、例えば、Ｚ方向から見たときの素子群の重心である。

図５は、第１の抵抗体Ｒ１１を示す平面図である。図５に示したように、第１の抵抗体Ｒ１１は、８つの素子群３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８を含んでいる。素子群３１～３８の各々は、４つの区画に区分けされている。各区画には、１つ以上のＭＲ素子５０が配置される。従って、各素子群は、４つ以上のＭＲ素子５０を含んでいる。複数のＭＲ素子５０は、素子群内において直列に接続されていてもよい。この場合、複数の素子群は、直列に接続されていてもよい。あるいは、複数のＭＲ素子５０は、素子群に関わらずに直列に接続されていてもよい。

図５では、理想成分の第３高調波（３次の高調波）に相当する誤差成分と、理想成分の第５高調波（５次の高調波）に相当する誤差成分と、理想成分の第７高調波（７次の高調波）に相当する誤差成分が低減されるように、素子群３１～３８が配置されている。図５に示したように、素子群３１～３４は、Ｘ方向に沿って配置されている。素子群３２は、素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／１０だけ離れた位置に配置されている。素子群３３は、素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／６だけ離れた位置に配置されている。素子群３４は、素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／１０＋Ｌｐ／６だけ離れた位置（素子群３２に対して、Ｘ方向にＬｐ／６だけ離れた位置）に配置されている。

また、図５に示したように、素子群３５～３８は、素子群３１～３４の－Ｙ方向の先において、Ｘ方向に沿って配置されている。素子群３５は、素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／１４だけ離れた位置に配置されている。素子群３６は、素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／１４＋Ｌｐ／１０だけ離れた位置（素子群３２に対して、Ｘ方向にＬｐ／１４だけ離れた位置）に配置されている。素子群３７は、素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／１４＋Ｌｐ／６だけ離れた位置（素子群３３に対して、Ｘ方向にＬｐ／１４だけ離れた位置）に配置されている。素子群３８は、素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／１４＋Ｌｐ／１０＋Ｌｐ／６だけ離れた位置（素子群３４に対して、Ｘ方向にＬｐ／１４だけ離れた位置）に配置されている。

複数の誤差成分を低減するための複数の素子群の配置は、図５に示した例に限られない。ここで、ｎ，ｍをそれぞれ１以上且つ互いに異なる整数とする。例えば、２ｎ＋１次の高調波に相当する誤差成分を低減する場合、第１の素子群を第２の素子群に対してＸ方向にＬｐ／（４ｎ＋２）だけ離れた位置に配置する。更に、２ｍ＋１次の高調波に相当する誤差成分を低減する場合、第３の素子群を第１の素子群に対してＸ方向にＬｐ／（４ｍ＋２）だけ離れた位置に配置し、第４の素子群を第２の素子群に対してＸ方向にＬｐ／（４ｍ＋２）だけ離れた位置に配置する。このように、複数の高調波に相当する誤差成分を低減する場合、ある１つの高調波に相当する誤差成分を低減するための複数の素子群の各々は、他の高調波に相当する誤差成分を低減するための複数の素子群の各々に対して、Ｘ方向に、１ピッチの大きさＬｐに基づく所定の間隔だけ離れた位置に配置される。

本実施の形態では、第２ないし第４の抵抗体Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の各々における複数の素子群の構成および配置は、第１の抵抗体Ｒ１１における複数の素子群の構成および配置と同じである。すなわち、第２ないし第４の抵抗体Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の各々も、図５に示した構成および位置関係の８つの素子群３１～３８を含んでいる。なお、第２の抵抗体Ｒ１２の素子群３１は、Ｘ方向について第１の抵抗体Ｒ１１の素子群３１と同じ位置に配置されている。第３の抵抗体Ｒ２１の素子群３１は、第１の抵抗体Ｒ１１の素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／４だけ離れた位置に配置されている。第４の抵抗体Ｒ２２の素子群３１は、第２の抵抗体Ｒ１２の素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／４だけ離れた位置に配置されている。

以上説明した第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の構成により、第１の検出信号Ｓ１の理想成分に対する第２の検出信号Ｓ２の理想成分の位相差が、所定の信号周期（理想成分の信号周期）の１／４の奇数倍になると共に、第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の各々の誤差成分が低減される。

なお、磁化固定層の磁化の方向、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の位置、ならびに素子群３１～３８の位置は、ＭＲ素子５０の作製の精度等の観点から、上述の方向および位置からわずかにずれていてもよい。

次に、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の構成について説明する。前述のように、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々は、複数のＭＲ素子５０を含んでいる。図４において、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２内に描かれた矢印は、その抵抗体に含まれる複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向を表している。

第１の補正用抵抗体Ｃ１１の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向は、第１の抵抗体Ｒ１１の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向である第１の磁化方向とは反対の第２の磁化方向である。本実施の形態では、第１の磁化方向はＸ方向であり、第２の磁化方向は－Ｘ方向である。

第２の補正用抵抗体Ｃ１２の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向は、第２の抵抗体Ｒ１２の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向である第３の磁化方向とは反対の第４の磁化方向である。本実施の形態では、第３の磁化方向は－Ｘ方向であり、第４の磁化方向はＸ方向である。

第３の補正用抵抗体Ｃ２１の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向は、第３の抵抗体Ｒ２１の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向である第５の磁化方向とは反対の第６の磁化方向である。本実施の形態では、第５の磁化方向はＸ方向であり、第６の磁化方向は－Ｘ方向である。

第４の補正用抵抗体Ｃ２２の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向は、第４の抵抗体Ｒ２２の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向である第７の磁化方向とは反対の第８の磁化方向である。本実施の形態では、第７の磁化方向は－Ｘ方向であり、第８の磁化方向はＸ方向である。

また、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々の複数のＭＲ素子５０は、所定の間隔で、Ｘ方向に沿って並ぶように配置されている。本実施の形態では特に、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々は、直列に接続された複数の素子群を含み、複数の素子群は、Ｘ方向に沿って並ぶように配置されている。

図６は、第１の補正用抵抗体Ｃ１１を示す平面図である。図６に示したように、第１の補正用抵抗体Ｃ１１は、所定の間隔で配置された複数の素子群４１を含んでいる。複数の素子群４１の各々は、２つの区画に区分けされている。各区画には、１つ以上のＭＲ素子５０が配置される。従って、各素子群は、２つ以上のＭＲ素子５０を含んでいる。

ここで、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の複数のＭＲ素子５０のうち、Ｘ方向の端に位置するＭＲ素子５０から－Ｘ方向の端に位置するＭＲ素子５０までの距離を、第１の距離と言う。第１の距離は、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の複数の素子群４１のうち、Ｘ方向の端に位置する素子群４１から－Ｘ方向の端に位置する素子群４１までの距離と等しい。複数のＭＲ素子５０は、第１の距離が、磁界成分ＭＦｘの強度の変化のＸ周期分に相当する距離になるように配置される。上記のＸは、１以上１０以下の値であることが好ましく、１以上５以下の値であることがより好ましい。

以上説明した第１の補正用抵抗体Ｃ１１の構成により、複数のＭＲ素子５０の各々の抵抗値の変化は、磁界成分ＭＦｘの強度の変化のＸ周期分（Ｘは、前述の好ましい値）の範囲内で平均化される。そのため、磁界成分ＭＦｘに起因する第１の補正用抵抗体Ｃ１１の抵抗値の変化は、磁界成分ＭＦｘに起因する第１の抵抗体Ｒ１１の抵抗値の変化よりも小さくなる。

本実施の形態では特に、複数のＭＲ素子５０は、第１の距離が、磁界成分ＭＦｘの強度の変化の１周期分に相当する距離になるように配置されている。この場合、磁界成分ＭＦｘに起因する第１の補正用抵抗体Ｃ１１の抵抗値の変化は０またはほぼ０になる。その結果、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の抵抗値は、磁気センサ２に対する磁界発生器３の相対的な位置に関わらず、ノイズ磁界Ｍｅｘのみに起因して変化する。なお、本実施の形態では、図２に示した１ピッチの大きさＬｐが、磁界成分ＭＦｘの強度の変化の１周期分に相当する距離に対応する。

本実施の形態では、第２ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々における複数の素子群の構成および配置は、第１の補正用抵抗体Ｃ１１における複数の素子群の構成および配置と同じである。すなわち、第２ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々も、図６に示した構成および位置関係の複数の素子群４１を含んでいる。磁界成分ＭＦｘおよびノイズ磁界Ｍｅｘに対する第２ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々の抵抗値の変化の態様は、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の抵抗値と同様である。

また、磁界成分ＭＦｘに起因する第２の補正用抵抗体Ｃ１２の抵抗値の変化は、磁界成分ＭＦｘに起因する第２の抵抗体Ｒ１２の抵抗値の変化よりも小さくなる。磁界成分ＭＦｘに起因する第３の補正用抵抗体Ｃ２１の抵抗値の変化は、磁界成分ＭＦｘに起因する第３の抵抗体Ｒ２１の抵抗値の変化よりも小さくなる。磁界成分ＭＦｘに起因する第４の補正用抵抗体Ｃ２２の抵抗値の変化は、磁界成分ＭＦｘに起因する第４の抵抗体Ｒ２２の抵抗値の変化よりも小さくなる。

ここで、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々において、－Ｘ方向の端に位置する素子群４１を、基準素子群４１と言う。第１の補正用抵抗体Ｃ１１の基準素子群４１は、Ｘ方向について第１の抵抗体Ｒ１１の素子群３１と同じ位置かほぼ同じ位置に配置されている。第２の補正用抵抗体Ｃ１２の基準素子群４１は、Ｘ方向について第２の抵抗体Ｒ１２の素子群３１と同じ位置かほぼ同じ位置に配置されている。第３の補正用抵抗体Ｃ２１の基準素子群４１は、Ｘ方向について第３の抵抗体Ｒ２１の素子群３１と同じ位置かほぼ同じ位置に配置されている。第４の補正用抵抗体Ｃ２２の基準素子群４１は、Ｘ方向について第４の抵抗体Ｒ２２の素子群３１と同じ位置かほぼ同じ位置に配置されている。

また、第２の補正用抵抗体Ｃ１２の基準素子群４１は、Ｘ方向について第１の補正用抵抗体Ｃ１１の基準素子群４１と同じ位置に配置されている。第３の補正用抵抗体Ｃ２１の基準素子群４１は、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の基準素子群４１に対して、Ｘ方向にＬｐ／４だけ離れた位置に配置されている。第４の補正用抵抗体Ｃ２２の基準素子群４１は、第２の補正用抵抗体Ｃ１２の基準素子群４１に対して、Ｘ方向にＬｐ／４だけ離れた位置に配置されている。

なお、磁化固定層の磁化の方向、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の位置ならびに素子群４１の位置は、ＭＲ素子５０の作製の精度等の観点から、上述の方向および位置からわずかにずれていてもよい。また、前記の第１の距離が１ピッチの大きさＬｐと等しい場合、磁界成分ＭＦｘに起因する第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々の抵抗値の変化は、ＭＲ素子５０の作製の精度等の観点から、わずかに変化していてもよい。

次に、図７および図８を参照して、ＭＲ素子５０の第１および第２の例について説明する。図７は、ＭＲ素子５０の第１の例を示す斜視図である。第１の例では、ＭＲ素子５０は、Ｚ方向にこの順に積層された磁化固定層５１、ギャップ層５２および自由層５３を含む積層膜５０Ａを含んでいる。Ｚ方向から見た積層膜５０Ａの平面形状は、正方形またはほぼ正方形である。

ＭＲ素子５０の積層膜５０Ａの下面は、図示しない下部電極によって、他のＭＲ素子５０の積層膜５０Ａの下面に電気的に接続され、ＭＲ素子５０の積層膜５０Ａの上面は、図示しない上部電極によって、更に他のＭＲ素子５０の積層膜５０Ａの上面に電気的に接続されている。これにより、複数のＭＲ素子５０は、直列に接続されている。なお、積層膜５０Ａにおける層５１～５３の配置は、図７に示した配置とは上下が反対でもよい。

ＭＲ素子５０は、更に、自由層５３に対して印加されるバイアス磁界を発生するバイアス磁界発生器５０Ｂを含んでいる。バイアス磁界の方向は、Ｘ方向に平行な方向と交差する方向である。第１の例では、バイアス磁界発生器５０Ｂは、２つの磁石５４，５５を含んでいる。磁石５４は、積層膜５０Ａに対して、－Ｙ方向の先に配置されている。磁石５５は、積層膜５０Ａに対して、Ｙ方向の先に配置されている。第１の例では特に、積層膜５０Ａと磁石５４，５５は、ＸＹ平面に平行な１つの仮想の平面と交差する位置に配置されている。また、図７において、磁石５４，５５内の矢印は、磁石５４，５５の磁化の方向を表している。第１の例では、バイアス磁界の方向は、Ｙ方向である。

図８は、ＭＲ素子５０の第２の例を示す斜視図である。ＭＲ素子５０の第２の例の構成は、積層膜５０Ａの平面形状および磁石５４，５５の位置を除いて、ＭＲ素子５０の第１の例の構成と同じである。第２の例では、磁石５４，５５は、Ｚ方向について積層膜５０Ａとは異なる位置に配置されている。図８に示した例では特に、磁石５４，５５は、積層膜５０Ａに対して、Ｚ方向の先に配置されている。また、Ｚ方向から見た積層膜５０Ａの平面形状は、Ｙ方向に長い長方形である。Ｚ方向から見たときに、磁石５４，５５は、積層膜５０Ａと重なる位置に配置されている。

なお、バイアス磁界の方向および磁石５４，５５の配置は、図７および図８に示した例に限られない。例えば、バイアス磁界の方向は、Ｙ方向に対して傾いた方向であってもよい。また、磁石５４，５５は、Ｘ方向に平行な方向において互いにずれていてもよい。ＭＲ素子５０のその他の例については、後で変形例として説明する。

次に、本実施の形態における検出値Ｖｓの生成方法について説明する。検出値生成回路４は、例えば、以下のようにして検出値Ｖｓを生成する。電源ポートＶ１に印加される電圧の大きさがＶｄｄの場合、検出値生成回路４は、例えば、ａｔａｎ［（Ｓ２－Ｖｄｄ／２）／（Ｓ１－Ｖｄｄ／２）］を計算することによって、０°以上３６０°未満の範囲内で初期検出値を求める。なお、“ａｔａｎ”は、アークタンジェントを表す。初期検出値は、上記のアークタンジェントの値そのものであってもよいし、アークタンジェントの値に所定の角度を加えたものであってもよい。

上記のアークタンジェントの値が０°のときには、Ｘ方向について、例えば、磁界発生器３のＮ極の位置と、第１および第２の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２の各々の素子群３１の位置が一致する。また、上記のアークタンジェントの値が１８０°のときには、Ｘ方向について、磁界発生器３のＳ極の位置と、第１および第２の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２の各々の素子群３１の位置が一致する。従って、初期検出値は、１ピッチ内での磁気センサ２に対する磁界発生器３の相対的な位置（以下、相対位置とも言う。）と対応関係を有している。

また、検出値生成回路４は、初期検出値の１周期分を電気角の３６０°とし、基準位置からの電気角の回転数をカウントする。電気角の１回転は、相対位置の１ピッチ分の移動量に相当する。検出値生成回路４は、初期検出値と、電気角の回転数に基づいて、相対位置と対応関係を有する検出値Ｖｓを生成する。

次に、本実施の形態に係る磁気式エンコーダ１および磁気センサ２の作用および効果について説明する。本実施の形態では、第１の抵抗体Ｒ１１と第１の補正用抵抗体Ｃ１１は、直列に接続されている。第１の抵抗体Ｒ１１は、前述のように複数のＭＲ素子５０を構成することによって、磁界成分ＭＦｘの周期的な強度の変化に応じて第１の抵抗体Ｒ１１の抵抗値が周期的に変化する。第１の補正用抵抗体Ｃ１１は、前述のように複数のＭＲ素子５０を構成することによって、磁界成分ＭＦｘに起因する第１の補正用抵抗体Ｃ１１の抵抗値の変化が０になり、且つノイズ磁界Ｍｅｘのみに起因して第１の補正用抵抗体Ｃ１１の抵抗値が変化する。これにより、本実施の形態によれば、ノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができる。

ここで、第１の抵抗体Ｒ１１の両端の電位に相当する信号を第１の信号と言い、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の両端の電位に相当する信号を第２の信号と言い、第１の抵抗体Ｒ１１および第１の補正用抵抗体Ｃ１１からなる直列回路の両端の電位に相当する信号を第３の信号と言う。図９は、第１ないし第３の信号を模式的に示す説明図である。図９では、磁気センサ２に対する磁界発生器３の相対的な位置（図９では、単に位置と記す。）に対する第１ないし第３の信号の変化を示している。図９において（ａ）は第１の信号の変化を示し、（ｂ）は第２の信号の変化を示し、（ｃ）は第３の信号の変化を示している。図９では、磁界成分ＭＦｘの方向がＸ方向のときの第１ないし第３の信号の各々の値を正の値で表し、磁界成分ＭＦｘの方向が－Ｘ方向のときの第１ないし第３の信号の各々の値を負の値で表している。

第１の信号は、磁界成分ＭＦｘの周期的な強度の変化に応じて周期的に変化する主成分と、ノイズ磁界Ｍｅｘに応じて変化する誤差成分とを含んでいる。図９（ａ）において、符号６１は主成分を示し、符号６２は誤差成分を示し、符号６３は第１の信号を示している。図９には、ノイズ磁界Ｍｅｘの方向および強度が、位置および時間によらずに一定である場合の例を示している。図９（ａ）に示したように、第１の信号６３は、誤差成分６２すなわちノイズ磁界Ｍｅｘに起因してオフセットしている。

また、図９（ａ）に示したように、誤差成分６２は、位置によらずに一定である。図９（ｂ）に示したように、第２の信号も、位置によらずに一定である。ただし、第２の信号の値の正負は、誤差成分６２の値の正負と逆になっている。これは、前述のように、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向（第２の磁化方向）が、第１の抵抗体Ｒ１１の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向（第１の磁化方向）とは反対の方向であることによるものである。これにより、図９（ｃ）に示したように、第３の信号では、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因するオフセットが解消される。このように、本実施の形態によれば、第１の抵抗体Ｒ１１が受けるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができる。

上記の第１の抵抗体Ｒ１１および第１の補正用抵抗体Ｃ１１の組についての説明は、第２の抵抗体Ｒ１２および第２の補正用抵抗体Ｃ１２の組にも当てはまる。本実施の形態によれば、第１および第２の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２の各々が受けるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができると共に、第１の出力ポートＥ１の電位に現れるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができる。

同様に、上記の第１の抵抗体Ｒ１１および第１の補正用抵抗体Ｃ１１の組についての説明は、第３の抵抗体Ｒ２１および第３の補正用抵抗体Ｃ２１の組と、第４の抵抗体Ｒ２２および第４の補正用抵抗体Ｃ２２の組にも当てはまる。本実施の形態によれば、第３および第４の抵抗体Ｒ２１，Ｒ２２の各々が受けるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができると共に、第２の出力ポートＥ２の電位に現れるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができる。また、本実施の形態によれば、第１および第２の出力ポートＥ１，Ｅ２の各々に現れるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができることから、第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の各々に現れるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができ、その結果、検出値Ｖｓに現れるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができる。

また、本実施の形態では、複数のＭＲ素子５０を前述のように配置することにより、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２と第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２を構成することができる。従って、磁気センサ２の構成は、簡単である。以上のことから、本実施の形態によれば、簡単な構成で、ノイズ磁界の影響を低減することができる。

以下、シミュレーションの結果を参照して、ノイズ磁界Ｍｅｘの強度が位置に応じて変化する場合における本実施の形態の効果について説明する。始めに、シミュレーションで用いた実施例のモデルと比較例のモデルについて説明する。実施例のモデルは、本実施の形態に係る磁気式エンコーダ１のモデルである。比較例のモデルは、本実施の形態に係る磁気センサ２の代わりに、比較例の磁気センサを備えた比較例の磁気式エンコーダのモデルである。比較例の磁気センサでは、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２が設けられていない。比較例の磁気式エンコーダのその他の構成は、本実施の形態に係る磁気式エンコーダ１の構成と同じである。

シミュレーションでは、磁気センサ２に対する磁界発生器３の相対的な位置（以下、相対位置と言う。）を変化させながら、位置に応じて強度が変化するノイズ磁界Ｍｅｘを印加したときの、検出値Ｖｓを求めた。検出値Ｖｓは、相対位置と紐付けながら求めた。そして、検出値Ｖｓとその検出値Ｖｓに紐付けた相対位置との差を求めた。以下、この差を、誤差と言う。また、シミュレーションでは、ノイズ磁界Ｍｅｘが存在しない場合における第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の各々のオフセットを０とした。

図１０は、比較例のモデルにおける第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の各々の波形を示す波形図である。図１０において、横軸は相対位置を示し、縦軸は第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の各々の値を示している。また、図１０において、符号７１は第１の検出信号Ｓ１を示し、符号７２は第２の検出信号Ｓ２を示している。図１０に示したように、第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２のオフセットは、相対位置が大きくなるに従って大きくなる。

図１１は、実施例のモデルと比較例のモデルの各々の誤差を示す特性図である。図１１において、横軸は相対位置を示し、縦軸は誤差を示している。また、図１１において、符号７３は実施例のモデルの誤差を示し、符号７４は比較例のモデルの誤差を示している。図１１に示したように、比較例の誤差７４は大きく変動しているのに対し、実施例の誤差７３はほぼ０である。シミュレーションの結果から理解されるように、本実施の形態によれば、検出値Ｖｓに現れるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができる。

なお、ここまでは、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々が、磁界成分ＭＦｘに起因する抵抗値の変化が０になり、且つノイズ磁界Ｍｅｘのみに起因して抵抗値が変化するように構成された場合の例について説明してきた。ここで、抵抗体の抵抗値を第１の抵抗値と言い、この抵抗体に直接接続された補正用抵抗体の抵抗値を第２の抵抗値と言う。上記の場合に限らず、補正用抵抗体が、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する第１の抵抗値の変化に比べて、第１の抵抗値と第２の抵抗値の和の、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する変化が小さくなるように構成されていれば、上記の効果と同様の効果が得られる。すなわち、第１の抵抗値と第２の抵抗値の和の、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する変化が小さくなるように構成されていれば、図９を参照して説明したように、抵抗体の両端の電位に相当する信号（第１の信号）に比べて、ノイズ磁界Ｍｅｘに起因する、抵抗体および補正用抵抗体からなる直列回路の両端の電位に相当する信号（第３の信号）のずれが小さくなる。これにより、抵抗体が受けるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができると共に、出力ポートの電位に現れるノイズ磁界Ｍｅｘの影響を低減することができる。

また、本実施の形態では、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々を、磁界成分ＭＦｘに起因する第２の抵抗値の変化が、磁界成分ＭＦｘに起因する第１の抵抗値の変化よりも小さくなるように構成することにより、第３の信号（図９参照）に対する第１の信号（図９参照）の割合が低下することを防止することができる。その結果、本実施の形態によれば、磁気センサ２の磁界成分ＭＦｘに対する感度が低下することを防止することができる。

また、本実施の形態では、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の各々のＭＲ素子５０の数は、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々の複数のＭＲ素子５０の数以上である。これにより、本実施の形態によれば、磁気センサ２の磁界成分ＭＦｘに対する感度が低下することを防止することができる。また、本実施の形態によれば、第１および第２の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２ならびに第１および第２の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２からなるハーフブリッジ回路の抵抗値の増加と、第３および第４の抵抗体Ｒ２１，Ｒ２２ならびに第３および第４の補正用抵抗体Ｃ２１，Ｃ２２からなるハーフブリッジ回路の抵抗値の増加を抑制することができる。

また、本実施の形態では、前述のように、理想成分の高調波に相当する誤差成分が低減されるように、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２が構成されている。これにより、本実施の形態によれば、相対位置の検出精度を向上させることができる。

ところで、本実施の形態では、磁気センサ２は、定電圧駆動であることが好ましい。定電圧駆動の場合、第１の出力ポートＥ１の電位（第１の検出信号Ｓ１）は、第１および第２の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２の各々の抵抗値と、電源ポートＶ１に印加される電圧の大きさから得られることが知られている。同様に、定電流駆動の場合、第１の出力ポートＥ１の電位（第１の検出信号Ｓ１）は、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の各々の抵抗値と、定電流駆動の電流値から得られることが知られている。

ここで、任意のＭＲ素子５０の両端の電位に相当する信号が、理想的な正弦曲線を描くように周期的に変化する理想成分と、理想成分の偶数次の高調波に相当する誤差成分と、理想成分の奇数次の高調波に相当する誤差成分とを含み、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２が、第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の奇数次の高調波に相当する誤差成分が低減されるように構成されている場合について考える。この場合、定電圧駆動の場合には、第１の検出信号Ｓ１には、偶数次の高調波の成分に相当する誤差成分が生じない。しかし、定電流駆動の場合には、第１の検出信号Ｓ１には、偶数次の高調波の成分に相当する誤差成分が生じる。そのため、定電流駆動の場合には、第１の検出信号Ｓ１の奇数次の高調波の成分に相当する誤差成分が低減されるように第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２を構成することに加えて、第１の検出信号Ｓ１の偶数次の高調波の成分に相当する誤差成分が低減されるように第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２を構成する必要がある。この点から、磁気センサ２は、定電圧駆動であることが好ましい。

上記の第１の検出信号Ｓ１についての説明は、第２の検出信号Ｓ２にも当てはまる。

次に、図１２および図１３を参照して、本実施の形態に係るレンズ位置検出装置（以下、単に位置検出装置と記す。）について説明する。図１２は、本実施の形態に係る位置検出装置を含むレンズモジュールを示す斜視図である。図１３は、本実施の形態に係る位置検出装置を示す斜視図である。

図１２に示したレンズモジュール３００は、例えばスマートフォン用のカメラの一部を構成するものであり、ＣＭＯＳ等を用いたイメージセンサ３１０と組み合わせて用いられる。図１２に示した例では、レンズモジュール３００は、三角柱形状のプリズム３０２と、イメージセンサ３１０とプリズム３０２との間に設けられた３つのレンズ３０３Ａ，３０３Ｂ，３０３Ｃとを備えている。レンズ３０３Ａ，３０３Ｂ，３０３Ｃのうちの少なくとも１つは、焦点合わせとズームの少なくとも一方を行うことができるように、図示しない駆動装置によって移動可能に構成されている。

図１３には、レンズ３０３Ａ，３０３Ｂ，３０３Ｃのうちの任意のレンズ３０３を示している。レンズモジュール３００は、更に、レンズ３０３を保持するレンズホルダ３０４と、シャフト３０５とを備えている。レンズモジュール３００では、レンズホルダ３０４と、シャフト３０５と、図示しない駆動装置によって、レンズ３０３の位置が、レンズ３０３の光軸方向に変化可能になっている。図１３において、記号Ｄを付した矢印は、レンズ３０３の移動方向を示している。

レンズモジュール３００は、更に、位置が変化可能なレンズ３０３の位置を検出するための位置検出装置３０１を備えている。位置検出装置３０１は、焦点合わせまたはズームを行う際に、レンズ３０３の位置を検出するために用いられる。

位置検出装置３０１は、磁気式の位置検出装置であり、本実施の形態に係る磁気センサ２と、本実施の形態における磁界発生器３とを備えている。レンズモジュール３００では、磁気センサ２と磁界発生器３は、レンズ３０３の位置が移動方向Ｄに変化すると、磁界成分ＭＦｘ（図２参照）の強度が変化するように構成されている。具体的には、磁気センサ２が固定されて、磁界発生器３がレンズ３０３と共に移動方向Ｄに移動可能に構成されている。移動方向Ｄは、図１および図２に示したＸ方向に平行になる。これにより、レンズ３０３の位置が変化すると、磁気センサ２に対する磁界発生器３の相対的な位置が変化し、その結果、磁界成分ＭＦｘの強度が変化する。

位置検出装置３０１は、更に、本実施の形態における検出値生成回路４（図４参照）を備えている。位置検出装置３０１では、磁気センサ２が生成する第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２に基づいて、レンズ３０３の位置と対応関係を有する検出値Ｖｓを生成する。なお、レンズ３０３の位置は、磁気センサ２に対する磁界発生器３の相対的な位置と対応関係を有している。位置検出装置３０１における検出値Ｖｓの生成方法は、前述の検出値Ｖｓの生成方法と同様である。

［変形例］
次に、本実施の形態におけるＭＲ素子５０の第１ないし第５の変形例について説明する。始めに、図１４を参照して、ＭＲ素子５０の第１の変形例について説明する。ＭＲ素子５０の第１の変形例の構成は、基本的には、図７に示したＭＲ素子５０の第１の例と同じである。ただし、第１の変形例では、Ｚ方向から見た積層膜５０Ａの平面形状は、円形またはほぼ円形である。

次に、図１５を参照して、ＭＲ素子５０の第２の変形例について説明する。第２の変形例は、以下の点で第１の変形例と異なっている。第２の変形例では、バイアス磁界発生器５０Ｂが設けられていない。また、第２の変形例では、Ｚ方向から見た積層膜５０Ａの平面形状は、長軸方向がＸ方向に平行な方向と交差する方向の楕円形である。ＭＲ素子５０の自由層５３は、磁化容易軸方向がＸ方向と交差する方向に向いた形状磁気異方性を有している。図１５に示した例では、磁化容易軸方向は、Ｙ方向に平行な方向である。なお、磁化容易軸方向は、Ｙ方向に対して傾いた方向であってもよい。

次に、図１６を参照して、ＭＲ素子５０の第３の変形例について説明する。第３の変形例は、以下の点で第２の変形例と異なっている。第３の変形例では、ＭＲ素子５０は、第２の変形例における積層膜５０Ａの代わりに、２つの積層膜５０Ａ１，５０Ａ２を含んでいる。積層膜５０Ａ１，５０Ａ２の各々の構成および形状は、第２の変形例における積層膜５０Ａの構成および形状と同じである。積層膜５０Ａ１，５０Ａ２は、電極によって並列に接続されて、積層膜対を構成する。積層膜対は、電極によって、他のＭＲ素子５０の積層膜対に対して直列に接続されている。例えば、積層膜５０Ａ１，５０Ａ２の各々の下面は、図示しない下部電極によって、他のＭＲ素子５０の積層膜５０Ａ１，５０Ａ２の各々の下面に電気的に接続され、積層膜５０Ａ１，５０Ａ２の各々の上面は、図示しない上部電極によって、更に他のＭＲ素子５０の積層膜５０Ａ１，５０Ａ２の各々の上面に電気的に接続される。

次に、図１７を参照して、ＭＲ素子５０の第４の変形例について説明する。第４の変形例は、以下の点で第２の変形例と異なっている。Ｚ方向から見た積層膜５０Ａの平面形状は、長手方向がＸ方向に平行な方向と交差する方向の長方形である。ＭＲ素子５０の自由層５３は、磁化容易軸方向がＸ方向と交差する方向に向いた形状磁気異方性を有している。図１７に示した例では、磁化容易軸方向は、Ｙ方向に平行な方向である。なお、磁化容易軸方向は、Ｙ方向に対して傾いた方向であってもよい。

次に、図１８を参照して、ＭＲ素子５０の第５の変形例について説明する。第５の変形例は、第３の変形例における積層膜５０Ａ１，５０Ａ２を、第４の変形例における積層膜５０Ａの構成および形状と同じ２つの積層膜５０Ａ３，５０Ａ４で置き換えたものである。積層膜５０Ａ３，５０Ａ４は、電極によって並列に接続されて、積層膜対を構成する。積層膜対は、電極によって、他のＭＲ素子５０の積層膜対に対して直列に接続されている。また、第５の変形例では、前記のバイアス磁界発生器５０Ｂが設けられている。図８に示したＭＲ素子５０の第２の例と同様に、バイアス磁界発生器５０Ｂの磁石５４，５５は、Ｚ方向について積層膜５０Ａ３，５０Ａ４とは異なる位置に配置されている。また、Ｚ方向から見たときに、磁石５４，５５は、積層膜５０Ａ３，５０Ａ４と重なる位置に配置されている。

［第２の実施の形態］
次に、図１９を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１９は、本実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。

本実施の形態では、第３および第４の補正用抵抗体Ｃ２１，Ｃ２２の配置が、第１の実施の形態と異なっている。すなわち、第３の補正用抵抗体Ｃ２１の基準素子群４１（図６参照）は、Ｘ方向について、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の基準素子群４１および第１の抵抗体Ｒ１１の素子群３１（図５参照）の各々と同じ位置かほぼ同じ位置に配置されている。また、第４の補正用抵抗体Ｃ２２の基準素子群４１は、Ｘ方向について、第２の補正用抵抗体Ｃ１２の基準素子群４１および第２の抵抗体Ｒ１２の素子群３１の各々と同じ位置かほぼ同じ位置に配置されている。

本実施の形態では、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２が、Ｘ方向について同じかほぼ同じ位置に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、磁気センサ２のＸ方向の寸法を小さくすることができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、図２０を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明する。図２０は、本実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。

本実施の形態に係る磁気センサ２は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態では、第２の抵抗体Ｒ１２の素子群３１（図５参照）は、第１の抵抗体Ｒ１１の素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／２だけ離れた位置に配置されている。また、第４の抵抗体Ｒ２２の素子群３１は、第３の抵抗体Ｒ２１の素子群３１に対して、Ｘ方向にＬｐ／２だけ離れた位置に配置されている。

また、本実施の形態では、第２および第４の抵抗体Ｒ１２，Ｒ２２の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向は、Ｘ方向である。すなわち、第２および第４の抵抗体Ｒ１２，Ｒ２２の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向は、第１および第３の抵抗体Ｒ１１，Ｒ２１の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向と同じ方向である。また、本実施の形態では、第２および第４の補正用抵抗体Ｃ１２，Ｃ２２の各々の複数のＭＲ素子５０の各々の磁化固定層の磁化の方向は、－Ｘ方向である。

なお、第３および第４の補正用抵抗体Ｃ２１，Ｃ２２の配置は、第２の実施の形態と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図２１を参照して、本発明の第４の実施の形態について説明する。図２１は、本実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。

本実施の形態では、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の構成が、第１の実施の形態と異なっている。すなわち、本実施の形態では、第１の補正用抵抗体Ｃ１１の複数の素子群４１と第３の補正用抵抗体Ｃ２１の複数の素子群４１は、Ｘ方向に沿って交互に並ぶように配置されている。図２１では、理解を容易にするために、第３の補正用抵抗体Ｃ２１の複数の素子群４１にハッチングを付している。

同様に、第２の補正用抵抗体Ｃ１２の複数の素子群４１と第４の補正用抵抗体Ｃ２２の複数の素子群４１は、Ｘ方向に沿って交互に並ぶように配置されている。図２１では、理解を容易にするために、第４の補正用抵抗体Ｃ２２の複数の素子群４１にハッチングを付している。

本実施の形態によれば、上述のように第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２を構成することにより、磁気センサ２のＹ方向の寸法を小さくすることができる。

なお、第２および第４の抵抗体Ｒ１２，Ｒ２２の構成と、第２および第４の補正用抵抗体Ｃ１２，Ｃ２２の構成は、第３の実施の形態と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第３の実施の形態と同様である。

［第５の実施の形態］
次に、図２２を参照して、本発明の第５の実施の形態について説明する。図２２は、本実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。

本実施の形態では、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の配置が、第１の実施の形態と異なっている。すなわち、本実施の形態では、第１の補正用抵抗体Ｃ１１は、第４の抵抗体Ｒ２２の－Ｙ方向の先に配置されている。第３の補正用抵抗体Ｃ２１は、第４の抵抗体Ｒ２２と第１の補正用抵抗体Ｃ１１の間に配置されている。

第２の補正用抵抗体Ｃ１２は、第３の抵抗体Ｒ２１のＹ方向の先に配置されている。第４の補正用抵抗体Ｃ２２は、第３の抵抗体Ｒ２１と第２の補正用抵抗体Ｃ１２の間に配置されている。

図２２において、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２ならびに第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の近傍の矢印は、その抵抗体に含まれる複数のＭＲ素子５０の磁化固定層の磁化の方向を表している。本実施の形態では、ＭＲ素子５０の磁化固定層の磁化の方向がＸ方向となる第１の抵抗体Ｒ１１、第３の抵抗体Ｒ２１、第２の補正用抵抗体Ｃ１２および第４の補正用抵抗体Ｃ２２が、基板１０のＹ方向側に偏って配置され、ＭＲ素子５０の磁化固定層の磁化の方向が－Ｘ方向となる第２の抵抗体Ｒ１２、第４の抵抗体Ｒ２２、第１の補正用抵抗体Ｃ１１および第３の補正用抵抗体Ｃ２１が、基板１０の－Ｙ方向側に偏って配置されている。

なお、Ｙ方向における第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の配置以外の配置と、第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２の配置は、第２ないし第４のいずれかの実施の形態と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１ないし第４のいずれかの実施の形態と同様である。

［第６の実施の形態］
次に、図２３および図２４を参照して、本発明の第６の実施の形態について説明する。図２３は、本実施の形態に係る磁気センサを示す平面図である。図２４は、本実施の形態に係る磁気センサの構成を示す回路図である。

本実施の形態に係る磁気センサ１０２は、それぞれ磁界成分ＭＦｘ（図２参照）の周期的な強度の変化に応じてその抵抗値が周期的に変化するように構成された第１の抵抗体Ｒ２１１、第２の抵抗体Ｒ２１２、第３の抵抗体Ｒ２２１、第４の抵抗体Ｒ２２２、第５の抵抗体Ｒ２３１、第６の抵抗体Ｒ２３２、第７の抵抗体Ｒ２４１、第８の抵抗体Ｒ２４２を備えている。第１ないし第８の抵抗体Ｒ２１１，Ｒ２１２，Ｒ２２１，Ｒ２２２，Ｒ２３１，Ｒ２３２，Ｒ２４１，Ｒ２４２の各々は、複数のＭＲ素子５０を含んでいる。また、第１ないし第８の抵抗体Ｒ２１１，Ｒ２１２，Ｒ２２１，Ｒ２２２，Ｒ２３１，Ｒ２３２，Ｒ２４１，Ｒ２４２の各々は、第１の実施の形態における図５に示した構成および位置関係の８つの素子群３１～３８を含んでいる。

磁気センサ１０２は、更に、第１の補正用抵抗体Ｃ２１１、第２の補正用抵抗体Ｃ２１２、第３の補正用抵抗体Ｃ２２１、第４の補正用抵抗体Ｃ２２２、第５の補正用抵抗体Ｃ２３１、第６の補正用抵抗体Ｃ２３２、第７の補正用抵抗体Ｃ２４１および第８の補正用抵抗体Ｃ２４２を備えている。第１ないし第８の補正用抵抗体Ｃ２１１，Ｃ２１２，Ｃ２２１，Ｃ２２２，Ｃ２３１，Ｃ２３２，Ｃ２４１，Ｃ２４２の各々は、複数のＭＲ素子５０を含んでいる。また、第１ないし第８の補正用抵抗体Ｃ２１１，Ｃ２１２，Ｃ２２１，Ｃ２２２，Ｃ２３１，Ｃ２３２，Ｃ２４１，Ｃ２４２の各々は、第１の実施の形態における図６に示した構成および位置関係の複数の素子群４１を含んでいる。

磁気センサ１０２は、更に、２つの電源ポートＶ１１，Ｖ１２と、２つのグランドポートＧ１１，Ｇ１２と、第１の出力ポートＥ１１と、第２の出力ポートＥ１２と、第３の出力ポートＥ２１と、第４の出力ポートＥ２２と、２つの差分検出器２１，２２とを備えている。電源ポートＶ１１，Ｖ１２の各々には、所定の大きさの電圧が印加される。グランドポートＧ１１，Ｇ１２はグランドに接続される。磁気センサ１０２は、定電圧駆動であってもよいし、定電流駆動であってもよい。

電源ポートＶ１１，Ｖ１２は、本発明の第１のポートに対応する。グランドポートＧ１１，Ｇ１２は、本発明の第２のポートに対応する。第１ないし第４の出力ポートＥ１１，Ｅ１２，Ｅ２１，Ｅ２２は、本発明の第３のポートに対応する。

差分検出器２１は、第１および第３の出力ポートＥ１１，Ｅ２１の電位差に対応する信号を第１の検出信号Ｓ１１として出力する。差分検出器２２は、第２および第４の出力ポートＥ１２，Ｅ２２の電位差に対応する信号を第２の検出信号Ｓ１２として出力する。

差分検出器２１，２２は、検出値生成回路４（図４参照）に接続されている。本実施の形態では、検出値生成回路４は、第１および第２の検出信号Ｓ１１，Ｓ１２に基づいて、検出値Ｖｓを生成する。なお、磁気センサ１０２および検出値生成回路４の少なくとも一方は、第１および第２の検出信号Ｓ１１，Ｓ１２の各々の振幅、位相およびオフセットを補正することができるように構成されていてもよい。検出値Ｖｓの生成方法は、第１および第２の検出信号Ｓ１，Ｓ２の代わりに第１および第２の検出信号Ｓ１１，Ｓ１２を用いる点を除いて、第１の実施の形態と同じである。

図２４に示したように、第１の抵抗体Ｒ２１１と第１の補正用抵抗体Ｃ２１１は、電源ポートＶ１１と第１の出力ポートＥ１１の間において直列に接続されている。第２の抵抗体Ｒ２１２と第２の補正用抵抗体Ｃ２１２は、グランドポートＧ１１と第１の出力ポートＥ１１の間において直列に接続されている。第３の抵抗体Ｒ２２１と第３の補正用抵抗体Ｃ２２１は、電源ポートＶ１１と第２の出力ポートＥ１２の間において直列に接続されている。第４の抵抗体Ｒ２２２と第４の補正用抵抗体Ｃ２２２は、グランドポートＧ１１と第２の出力ポートＥ１２の間において直列に接続されている。

第５の抵抗体Ｒ２３１と第５の補正用抵抗体Ｃ２３１は、電源ポートＶ１２と第３の出力ポートＥ２１の間において直列に接続されている。第６の抵抗体Ｒ２３２と第６の補正用抵抗体Ｃ２３２は、グランドポートＧ１２と第３の出力ポートＥ２１の間において直列に接続されている。第７の抵抗体Ｒ２４１と第７の補正用抵抗体Ｃ２４１は、電源ポートＶ１２と第４の出力ポートＥ２２の間において直列に接続されている。第８の抵抗体Ｒ２４２と第８の補正用抵抗体Ｃ２４２は、グランドポートＧ１２と第４の出力ポートＥ２２の間において直列に接続されている。

また、図２４に示したように、第１の抵抗体Ｒ２１１と第２の抵抗体Ｒ２１２は、第１の出力ポートＥ１１に接続される第１の接続点Ｐ１１を介して直列に接続されている。第３の抵抗体Ｒ２２１と第４の抵抗体Ｒ２２２は、第２の出力ポートＥ１２に接続される第２の接続点Ｐ１２を介して直列に接続されている。第５の抵抗体Ｒ２３１と第６の抵抗体Ｒ２３２は、第３の出力ポートＥ２１に接続される第３の接続点Ｐ２１を介して直列に接続されている。第７の抵抗体Ｒ２４１と第８の抵抗体Ｒ２４２は、第４の出力ポートＥ２２に接続される第４の接続点Ｐ２２を介して直列に接続されている。

第１の抵抗体Ｒ２１１の第１の接続点Ｐ１１とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第１の補正用抵抗体Ｃ２１１に接続されている。第１の補正用抵抗体Ｃ２１１は、電源ポートＶ１１に接続されている。

第２の抵抗体Ｒ２１２の第１の接続点Ｐ１１とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第２の補正用抵抗体Ｃ２１２に接続されている。第２の補正用抵抗体Ｃ２１２は、グランドポートＧ１１に接続されている。

第３の抵抗体Ｒ２２１の第２の接続点Ｐ１２とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第３の補正用抵抗体Ｃ２２１に接続されている。第３の補正用抵抗体Ｃ２２１は、電源ポートＶ１１に接続されている。

第４の抵抗体Ｒ２２２の第２の接続点Ｐ１２とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第４の補正用抵抗体Ｃ２２２に接続されている。第４の補正用抵抗体Ｃ２２２は、グランドポートＧ１１に接続されている。

第５の抵抗体Ｒ２３１の第３の接続点Ｐ２１とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第５の補正用抵抗体Ｃ２３１に接続されている。第５の補正用抵抗体Ｃ２３１は、電源ポートＶ１２に接続されている。

第６の抵抗体Ｒ２３２の第３の接続点Ｐ２１とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第６の補正用抵抗体Ｃ２３２に接続されている。第６の補正用抵抗体Ｃ２３２は、グランドポートＧ１２に接続されている。

第７の抵抗体Ｒ２４１の第４の接続点Ｐ２２とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第７の補正用抵抗体Ｃ２４１に接続されている。第７の補正用抵抗体Ｃ２４１は、電源ポートＶ１２に接続されている。

第８の抵抗体Ｒ２４２の第４の接続点Ｐ２２とは反対側の端部（回路図上での端部）は、第８の補正用抵抗体Ｃ２４２に接続されている。第８の補正用抵抗体Ｃ２４２は、グランドポートＧ１２に接続されている。

図２３に示したように、磁気センサ１０２は、更に、基板１１０と、この基板１１０の上に配置された２つの電源端子１１１，１１２、２つのグランド端子１１３，１１４、第１の出力端子１１５、第２の出力端子１１６、第３の出力端子１１７および第４の出力端子１１８とを備えている。電源端子１１１，１１２は、それぞれ電源ポートＶ１１，Ｖ１２を構成する。グランド端子１１３，１１４は、それぞれグランドポートＧ１１，Ｇ１２を構成する。第１ないし第４の出力端子１１５，１１６，１１７，１１８は、それぞれ第１ないし第４の出力ポートＥ１１，Ｅ１２，Ｅ２１，Ｅ２２を構成する。

ここで、図２３に示したように、磁気センサ１０２を、第１の部分１０２Ａと第２の部分１０２Ｂとに分ける。図２３では、第１の部分１０２Ａと第２の部分１０２Ｂとの境界を点線で示している。第２の部分１０２Ｂは、第１の部分１０２Ａに対して、Ｙ方向の先にある。第１の部分１０２Ａは、第１ないし第４の抵抗体Ｒ２１１，Ｒ２１２，Ｒ２２１，Ｒ２２２、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ２１１，Ｃ２１２，Ｃ２２１，Ｃ２２２、電源端子１１１、グランド端子１１３、ならびに第１および第２の出力端子１１５，１１６を含んでいる。第２の部分１０２Ｂは、第５ないし第８の抵抗体Ｒ２３１，Ｒ２３２，Ｒ２４１，Ｒ２４２、第５ないし第８の補正用抵抗体Ｃ２３１，Ｃ２３２，Ｃ２４１，Ｃ２４２、電源端子１１２、グランド端子１１４、ならびに第３および第４の出力端子１１７，１１８を含んでいる。

第１の部分１０２Ａにおける第１ないし第４の抵抗体Ｒ２１１，Ｒ２１２，Ｒ２２１，Ｒ２２２ならびに第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ２１１，Ｃ２１２，Ｃ２２１，Ｃ２２２の配置は、第１の実施の形態における第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２ならびに第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の配置と同じである。また、第２の部分１０２Ｂにおける第５ないし第８の抵抗体Ｒ２３１，Ｒ２３２，Ｒ２４１，Ｒ２４２ならびに第５ないし第８の補正用抵抗体Ｃ２３１，Ｃ２３２，Ｃ２４１，Ｃ２４２の配置も、第１の実施の形態における第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２ならびに第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の配置と同じである。本実施の形態では特に、第５および第６の抵抗体Ｒ２３１，Ｒ２３２は、Ｘ方向について第１および第２の抵抗体Ｒ２１１，Ｒ２１２と同じ位置に配置されている。また、第７および第８の抵抗体Ｒ２４１，Ｒ２４２は、Ｘ方向について第３および第４の抵抗体Ｒ２２１，Ｒ２２２と同じ位置に配置されている。

以上説明した第１ないし第８の抵抗体Ｒ２１１，Ｒ２１２，Ｒ２２１，Ｒ２２２，Ｒ２３１，Ｒ２３２，Ｒ２４１，Ｒ２４２の構成により、第１の検出信号Ｓ１１の理想成分に対する第２の検出信号Ｓ１２の理想成分の位相差は、所定の信号周期（理想成分の信号周期）の１／４の奇数倍になる。

なお、第１ないし第４の抵抗体Ｒ２１１，Ｒ２１２，Ｒ２２１，Ｒ２２２ならびに第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ２１１，Ｃ２１２，Ｃ２２１，Ｃ２２２の構成と、第５ないし第８の抵抗体Ｒ２３１，Ｒ２３２，Ｒ２４１，Ｒ２４２ならびに第５ないし第８の補正用抵抗体Ｃ２３１，Ｃ２３２，Ｃ２４１，Ｃ２４２の構成は、第２ないし第５のいずれかの実施の形態における第１ないし第４の抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２ならびに第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の構成と同じであってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１ないし第５のいずれかの実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２は、第１の抵抗体Ｒ１１と第２の抵抗体Ｒ１２の間に配置されていてもよい。あるいは、第１の補正用抵抗体Ｃ１１が第１の抵抗体Ｒ１１と第３の抵抗体Ｒ２１の間に配置され、第２の補正用抵抗体Ｃ１２が第２の抵抗体Ｒ１２と第４の抵抗体Ｒ２２の間に配置されていてもよい。

また、本発明の磁気センサは、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の代わりに、第１および第２の共通補正用抵抗体を設けたものであってもよい。第１および第２の共通補正用抵抗体の各々の構成は、第１ないし第４の補正用抵抗体Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２２の各々の構成と同様である。この磁気センサでは、第１の共通補正用抵抗体の一端部は、電源ポートＶ１に接続される。第１の共通補正用抵抗体の他端部には、第１の抵抗体Ｒ１１の第１の接続点Ｐ１とは反対側の端部と、第３の抵抗体Ｒ２１の第２の接続点Ｐ２とは反対側の端部が接続される。また、第２の共通補正用抵抗体の一端部は、グランドポートＧ１に接続される。第２の共通補正用抵抗体の他端部には、第２の抵抗体Ｒ１２の第１の接続点Ｐ１とは反対側の端部と、第４の抵抗体Ｒ２２の第２の接続点Ｐ２とは反対側の端部が接続される。

また、請求の範囲の要件を満たす限り、ＭＲ素子５０の数および配置は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。

また、第１の抵抗体Ｒ１１の複数のＭＲ素子５０と第２の抵抗体Ｒ１２の複数のＭＲ素子５０は、Ｘ方向に平行な仮想の直線を中心として対称な位置に配置されていてもよい。また、第３の抵抗体Ｒ２１の複数のＭＲ素子５０と第４の抵抗体Ｒ２２の複数のＭＲ素子５０は、上記仮想の直線を中心として対称な位置に配置されていてもよい。

また、磁界発生器３は、回転方向に複数組のＮ極とＳ極を着磁した回転スケールであってもよい。回転スケールは、リング状磁石であってもよいし、磁気テープ等の磁気媒体をリングまたは円板に固定したものであってもよい。

また、第６の実施の形態では、第１の部分１０２Ａと第２の部分１０２Ｂが分離していてもよい。また、第６の実施の形態では、抵抗体Ｒ２１１，Ｒ２１２，Ｒ２３１，Ｒ２３２が第１のホイートストンブリッジ回路を構成し、抵抗体Ｒ２２１，Ｒ２２２，Ｒ２４１，Ｒ２４２が第２のホイートストンブリッジ回路を構成してもよい。この場合、第１および第２のホイートストンブリッジ回路は、定電圧駆動であってもよいし、定電流駆動であってもよい。

１…磁気式エンコーダ、２…磁気センサ、３…磁界発生器、４…検出値生成回路、１０…基板、１１～１４…端子、３１～３８，４１…素子群、５０…ＭＲ素子、５０Ａ…積層膜、５０Ｂ…バイアス磁界発生器、５１…磁化固定層、５２…ギャップ層、５３…自由層、５４，５５…磁石、３００…レンズモジュール、３０１…位置検出装置、３０２…プリズム、３０３，３０３Ａ～３０３Ｃ…レンズ、３０４…レンズホルダ、３０５…シャフト、３１０…イメージセンサ、Ｃ１１…第１の補正用抵抗体、Ｃ１２…第２の補正用抵抗体、Ｃ２１…第３の補正用抵抗体、Ｃ２２…第４の補正用抵抗体、Ｅ１…第１の出力ポート、Ｅ２…第２の出力ポート、Ｇ１…グランドポート、Ｐ１…第１の接続点、Ｐ２…第２の接続点、Ｒ１…第１の領域、Ｒ１１…第１の抵抗体、Ｒ１２…第２の抵抗体、Ｒ２…第２の領域、Ｒ２１…第３の抵抗体、Ｒ２２…第４の抵抗体、Ｓ１…第１の検出信号、Ｓ２…第２の検出信号、Ｖ１…電源ポート、Ｖｓ…検出値。

Claims (20)

1. 第１の方向の磁界成分を含む対象磁界と、前記対象磁界以外のノイズ磁界とを検出する磁気センサであって、
   第１の抵抗値を有する第１の抵抗体と、
   第２の抵抗値を有する第１の補正用抵抗体と、
   第１のポートと、
   第２のポートとを備え、
   前記第１の抵抗体と前記第１の補正用抵抗体は、前記第１のポートと前記第２のポートの間において直列に接続され、
   前記第１の抵抗体は、前記磁界成分の周期的な強度の変化に応じて前記第１の抵抗値が周期的に変化するように構成され、
   前記第１の補正用抵抗体は、前記ノイズ磁界に起因する前記第１の抵抗値の変化に比べて、前記第１の抵抗値と前記第２の抵抗値の和の、前記ノイズ磁界に起因する変化が小さくなるように構成され、
   前記第１の抵抗体および前記第１の補正用抵抗体の各々は、複数の磁気抵抗効果素子を含み、
   前記第１の抵抗体の前記複数の磁気抵抗効果素子の各々の抵抗値と、前記第１の補正用抵抗体の前記複数の磁気抵抗効果素子の各々の抵抗値は、前記磁界成分の周期的な強度の変化に応じて、同じ周期で変化することを特徴とする磁気センサ。
2. 前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、方向が固定された磁化を有する磁化固定層と、前記磁界成分の方向および強度に応じて方向が変化可能な磁化を有する自由層と、前記磁化固定層と前記自由層の間に配置されたギャップ層とを含むことを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
3. 第１の方向の磁界成分を含む対象磁界と、前記対象磁界以外のノイズ磁界とを検出する磁気センサであって、
   第１の抵抗値を有する第１の抵抗体と、
   第２の抵抗値を有する第１の補正用抵抗体と、
   第１のポートと、
   第２のポートとを備え、
   前記第１の抵抗体と前記第１の補正用抵抗体は、前記第１のポートと前記第２のポートの間において直列に接続され、
   前記第１の抵抗体は、前記磁界成分の周期的な強度の変化に応じて前記第１の抵抗値が周期的に変化するように構成され、
   前記第１の補正用抵抗体は、前記ノイズ磁界に起因する前記第１の抵抗値の変化に比べて、前記第１の抵抗値と前記第２の抵抗値の和の、前記ノイズ磁界に起因する変化が小さくなるように構成され、
   前記第１の抵抗体および前記第１の補正用抵抗体の各々は、複数の磁気抵抗効果素子を含み、
   前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、方向が固定された磁化を有する磁化固定層と、前記磁界成分の方向および強度に応じて方向が変化可能な磁化を有する自由層と、前記磁化固定層と前記自由層の間に配置されたギャップ層とを含むことを特徴とする磁気センサ。
4. 前記第１の抵抗体の前記複数の磁気抵抗効果素子の各々の前記磁化固定層の磁化の方向は、第１の磁化方向であり、
   前記第１の補正用抵抗体の前記複数の磁気抵抗効果素子の各々の前記磁化固定層の磁化の方向は、前記第１の磁化方向とは反対の第２の磁化方向であることを特徴とする請求項２または３に記載の磁気センサ。
5. 前記複数の磁気抵抗効果素子の各々は、更に、前記自由層に対して印加される、前記第１の方向と交差する方向のバイアス磁界を発生するバイアス磁界発生器を含むことを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の磁気センサ。
6. 前記自由層は、磁化容易軸方向が前記第１の方向と交差する方向に向いた形状磁気異方性を有することを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の磁気センサ。
7. 前記ギャップ層は、トンネルバリア層であることを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記載の磁気センサ。
8. 前記第１の補正用抵抗体は、前記磁界成分に起因する前記第２の抵抗値の変化が、前記磁界成分に起因する前記第１の抵抗値の変化よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の磁気センサ。
9. 前記第１の補正用抵抗体は、前記磁界成分に起因する前記第２の抵抗値の変化が０になるように構成されていることを特徴とする請求項８記載の磁気センサ。
10. 前記第１の補正用抵抗体の前記複数の磁気抵抗効果素子は、所定の間隔で、前記第１の方向に沿って並ぶように配置され、
    前記第１の補正用抵抗体の前記複数の磁気抵抗効果素子のうち、前記第１の方向における一端に位置する磁気抵抗効果素子から前記第１の方向における他端に位置する磁気抵抗効果素子までの距離は、前記磁界成分の強度の変化の１～１０周期分に相当する距離であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の磁気センサ。
11. 前記第１の抵抗体の前記複数の磁気抵抗効果素子の数は、前記第１の補正用抵抗体の前記複数の磁気抵抗効果素子の数以上であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の磁気センサ。
12. 更に、第３の抵抗値を有する第２の抵抗体と、
    第４の抵抗値を有する第２の補正用抵抗体と、
    前記第１の抵抗体および前記第１の補正用抵抗体と前記第２のポートとの間に設けられた第３のポートとを備え、
    前記第２の抵抗体と前記第２の補正用抵抗体は、前記第２のポートと前記第３のポートの間において直列に接続され、
    前記第２の抵抗体は、前記磁界成分の周期的な強度の変化に応じて前記第３の抵抗値が周期的に変化し、且つ前記第３の抵抗値の変化の位相が前記第１の抵抗値の変化の位相と異なるように構成され、
    前記第２の補正用抵抗体は、前記ノイズ磁界に起因する前記第３の抵抗値の変化に比べて、前記第３の抵抗値と前記第４の抵抗値の和の、前記ノイズ磁界に起因する変化が小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の磁気センサ。
13. 前記第１のポートは、所定の大きさの電圧が印加される電源ポートであり、
    前記第２のポートは、グランドに接続されるグランドポートであることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の磁気センサ。
14. 第１の方向の磁界成分を含む対象磁界と、前記対象磁界以外のノイズ磁界とを検出する磁気センサであって、
    第１の抵抗値を有する第１の抵抗体と、
    第２の抵抗値を有する第１の補正用抵抗体と、
    第１のポートと、
    第２のポートとを備え、
    前記第１の抵抗体と前記第１の補正用抵抗体は、前記第１のポートと前記第２のポートの間において直列に接続され、
    前記第１の抵抗体は、前記磁界成分の周期的な強度の変化に応じて前記第１の抵抗値が周期的に変化するように構成され、
    前記第１の補正用抵抗体は、前記ノイズ磁界に起因する前記第１の抵抗値の変化に比べて、前記第１の抵抗値と前記第２の抵抗値の和の、前記ノイズ磁界に起因する変化が小さくなるように構成されると共に、前記磁界成分に起因する前記第２の抵抗値の変化が０になるように構成されていることを特徴とする磁気センサ。
15. 請求項１ないし１４のいずれかに記載の磁気センサと、
    前記対象磁界を発生する磁界発生器とを備え、
    前記磁気センサと前記磁界発生器は、前記磁気センサに対する前記磁界発生器の相対的な位置が変化すると、前記磁界成分の強度が変化するように構成されていることを特徴とする磁気式エンコーダ。
16. 更に、検出値生成回路を備え、
    前記磁気センサは、前記磁界成分と対応関係を有する少なくとも１つの検出信号を生成し、
    前記検出値生成回路は、前記少なくとも１つの検出信号に基づいて、前記磁気センサに対する前記磁界発生器の相対的な位置と対応関係を有する検出値を生成することを特徴とする請求項１５記載の磁気式エンコーダ。
17. 前記磁界発生器は、複数組のＮ極とＳ極が所定の方向に交互に配列された磁気スケールであり、
    前記少なくとも１つの検出信号は、理想的な正弦曲線を描くように周期的に変化する理想成分と、前記理想成分の高調波に相当する誤差成分とを含み、
    前記第１の抵抗体は、前記誤差成分が低減されるように構成されていることを特徴とする請求項１６記載の磁気式エンコーダ。
18. 位置が変化可能なレンズの位置を検出するためのレンズ位置検出装置であって、
    請求項１ないし１４のいずれかに記載の磁気センサと、
    前記対象磁界を発生する磁界発生器とを備え、
    前記レンズは、前記第１の方向に移動可能に構成され、
    前記磁気センサと前記磁界発生器は、前記レンズの位置が変化すると、前記磁界成分の強度が変化するように構成されていることを特徴とするレンズ位置検出装置。
19. 更に、検出値生成回路を備え、
    前記磁気センサは、前記磁界成分と対応関係を有する少なくとも１つの検出信号を生成し、
    前記検出値生成回路は、前記少なくとも１つの検出信号に基づいて、前記レンズの位置と対応関係を有する検出値を生成することを特徴とする請求項１８記載のレンズ位置検出装置。
20. 前記磁界発生器は、複数組のＮ極とＳ極が所定の方向に交互に配列された磁気スケールであり、
    前記少なくとも１つの検出信号は、理想的な正弦曲線を描くように周期的に変化する理想成分と、前記理想成分の高調波に相当する誤差成分とを含み、
    前記第１の抵抗体は、前記誤差成分が低減されるように構成されていることを特徴とする請求項１９記載のレンズ位置検出装置。

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