JP7060171B2

JP7060171B2 - 伝送線路及び回路基板

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Application number: JP2021551298A
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Inventors: 智浩永井; 信之天野
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Filing date: 2020-09-29
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Description

本発明は、基板に構成された伝送線路、及びこの伝送線路に電子部品が接続された回路基板に関する。

平行又は放射状に所定間隔で配線が設けられ、その配線間に、伝送信号の波長より短い等間隔で層間接続導体が形成された、高速論理素子用配線基板が特許文献１に開示されている。

特公平５－８６８５９号公報

基板に構成された信号導体の一端を、基板表面の電子部品実装端子に、層間接続導体を介して接続する場合、その層間接続導体の周囲で電磁界が乱れる。そのことにより、次のような課題が生じる。

（ａ）上記層間接続導体が形成された、信号導体の端部における伝送線路のインピーダンスと、信号導体の主要部における伝送線路のインピーダンスとで不整合が生じやすい。

（ｂ）上記インピーダンス不整合により信号の伝送損失が生じる。また、上記電磁界の乱れによる周囲への放射によっても伝送損失が生じる。

（ｃ）信号導体を積層方向に挟む上下のグランド導体間を接続する層間接続導体を配置すれば、上記電磁界の乱れを抑制できるが、全体的に多数の層間接続導体を配置することになるので、工数が増える。

（ｄ）伝送線路の接続部を回路基板に接続した状態で伝送線路を屈曲させる場合、層間接続導体の存在によって、その屈曲性が阻害される。

そこで、本発明の目的は、基板表面の電子部品実装端子に、信号導体の端部を層間接続導体を介して接続する構造を有する場合に、信号導体の端部における伝送線路のインピーダンスと信号導体の主要部における伝送線路のインピーダンスとの不整合と周囲への電磁界の放射を抑制し、必要な層間接続導体の数を削減し、屈曲性のある伝送線路及びそれを備える回路基板を提供することにある。

本開示の一例としての伝送線路は、基板と、前記基板に形成され、互いに並走する第１信号導体及び第２信号導体と、前記基板に形成され、前記第１信号導体及び前記第２信号導体を積層方向に挟む第１グランド導体及び第２グランド導体と、前記基板に形成された、第１実装電極及び第２実装電極と、前記基板に形成された、第１層間接続導体、第２層間接続導体、第３層間接続導体及び第４層間接続導体と、を備える。そして、前記第１層間接続導体は前記第１信号導体と前記第１実装電極とを接続し、前記第２層間接続導体は前記第２信号導体と前記第２実装電極とを接続し、前記第３層間接続導体及び前記第４層間接続導体は、それぞれ複数存在し、前記第１信号導体と前記第２信号導体との間で、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とをそれぞれ接続する。さらに、前記複数の第３層間接続導体のうちの２つは、前記複数の第４層間接続導体のうちの２つよりも前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体に近く、前記２つの第４層間接続導体同士の隣接距離は、前記２つの第３層間接続導体同士の隣接距離よりも大きく、前記２つの第４層間接続導体間の隣接距離は、前記第１信号導体及び前記第２信号導体が伝送する信号の最小波長の１／２よりも小さいことを特徴とする。

本開示の一例としての回路基板は、前記伝送線路と前記電子部品とを備える。そして、前記電子部品は、前記第１実装電極に導通する第１信号端子、及び前記第２実装電極に導通する第２信号端子を有する多極コネクタである。

本発明によれば、基板表面の電子部品実装端子に、信号導体の端部を層間接続導体を介して接続する構造を有する場合に、信号導体の端部における伝送線路のインピーダンス不整合が抑制され、必要な層間接続導体の数が削減され、屈曲部の屈曲性が確保された伝送線路及びそれを備える回路基板が得られる。

図１は、第１の実施形態に係る伝送線路１０１の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の４つの基材層の平面図である。図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、第１の実施形態に係る伝送線路１０１の断面図である。図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、伝送線路１０１と電子部品２０１とで構成される回路基板３０１の断面図である。図４は、第２の実施形態に係る伝送線路１０２の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の３つの基材層の平面図である。図５は第２の実施形態に係る伝送線路１０２を実装基板に実装した状態での断面図である。図６は、第３の実施形態に係る伝送線路１０３の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の３つの基材層の平面図である。図７は、第４の実施形態に係る伝送線路１０４の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の３つの基材層の平面図である。図８は、第５の実施形態に係る伝送線路１０５の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の３つの基材層の平面図である。図９は、第５の実施形態に係る伝送線路１０５の断面図であり、図８に示す３つの基材層を積層した状態での、Ｙ－Ｙ部分の断面図である。図１０は、第６の実施形態の回路基板が備える、多極コネクタである電子部品２０６の斜視図である。図１１は、電子部品２０６が実装される伝送線路１０６の部分平面図であり、電子部品２０６の実装部の一部を示す。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は、第１の実施形態に係る伝送線路の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の４つの基材層の平面図である。図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、第１の実施形態に係る伝送線路１０１の断面図である。図２（Ａ）は図１に示す４つの基材層を積層した状態での、Ｘ－Ｘ部分の断面図であり、図２（Ｂ）は図１に示す４つの基材層を積層した状態での、Ｙ－Ｙ部分の断面図である。

伝送線路１０１は基板９１に構成されている。基板９１は、可撓性を有する。この基板９１は、図１に示す４つの基材層Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の積層体である。基材層Ｓ０の下面の全面にグランド導体が形成されている。基材層Ｓ１の上面のほぼ全面に第１グランド導体２１が形成されている。基材層Ｓ２の上面には、互いに並走する第１信号導体１１、第２信号導体１２及びパッド電極５３，５４が形成されている。基材層Ｓ３の上面には、第２グランド導体２２、２つの第１実装電極３１及び２つの第２実装電極３２が形成されている。第２グランド導体２２と第１実装電極３１との間は絶縁されていて、第２グランド導体２２と第２実装電極３２との間は絶縁されている。

上記基材層Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３は、積層圧着前は例えば熱可塑性の絶縁樹脂シートある。各電極及び導体は、絶縁樹脂シートに形成された、例えば銅箔によるパターンである。この導体パターンが形成された樹脂シートを積層し加熱プレスすることによって樹脂マザー基板を形成し、これを分割することで多数の基板を形成する。基材層Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３は、例えば、液晶ポリマーやＰＴＦＥ、ＰＦＡなどを含む熱可塑性樹脂層であってもよい。このような熱可塑性樹脂層であれば、基材層Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の屈曲性を向上させることができる。

基材層Ｓ３には、第１信号導体１１の端部と第１実装電極３１とを接続する層間接続導体４１が形成されている。同様に、第２信号導体１２の端部と第２実装電極３２とを接続する層間接続導体４２が形成されている。また、この基材層Ｓ３には、第２グランド導体２２とパッド電極５３，５４と接続する層間接続導体４３，４４が形成されている。

基材層Ｓ２には、基材層Ｓ３の層間接続導体４３，４４と導通するパッド電極５３，５４が形成されている。また、この基材層Ｓ２には、第１グランド導体２１とパッド電極５３，５４と接続する層間接続導体４３，４４が形成されている。

基材層Ｓ１には、第１グランド導体２１と導通する第３層間接続導体４３が形成されている。

基材層Ｓ０には、下面のグランド導体と、基材層Ｓ１の第３層間接続導体４３とを接続する第３層間接続導体４３が形成されている。

基材層Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を積層して基板９１を構成することで、第１信号導体１１の両端は第１層間接続導体４１を介して第１実装電極３１にそれぞれ接続され、第２信号導体１２の両端は第２層間接続導体４２を介して第２実装電極３２にそれぞれ接続される。また、第１グランド導体２１と第２グランド導体２２とが、第３層間接続導体４３、第４層間接続導体４４及びパッド電極５３，５４を介して接続される。

前記複数の第３層間接続導体４３のうち２つ（図１に示す例では、後に示す第１領域Ｚ１に第３層間接続導体４３が２つだけ存在するので、その２つ）は、複数の第４層間接続導体４４のうち２つ（図１に示す例では、後に示す第２領域Ｚ２に第４層間接続導体４４が２つだけ存在するので、その２つ）よりも第１層間接続導体４１及び第２層間接続導体４２に近い。また、２つの第４層間接続導体４４同士の隣接距離は、２つの第３層間接続導体４３同士の隣接距離よりも大きい。

第３層間接続導体４３同士の隣接距離は、第１信号導体１１及び第２信号導体１２が伝送する信号の最小波長の１／２よりも小さい。例えば、信号の周波数が３９ＧＨｚ、基材層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の比誘電率が３．０であるとき、波長は４．４ｍｍであり、第３層間接続導体４３同士の隣接距離は２．２ｍｍよりも小さい。より好ましくは、伝送する信号の最小波長の１／４である、１．１ｍｍよりも小さい。さらに好ましくは伝送する信号の最小波長の１／１０である、０．４ｍｍよりも小さい。

第１信号導体１１の端部と第１実装電極３１とが、第１層間接続導体４１を介して積層方向（Ｚ軸方向）に接続される部分は、第１層間接続導体４１が第１グランド導体２１及び第２グランド導体２２から離れている。そのため、上記第３層間接続導体４３が存在しない場合は、第１実装電極３１及び第２実装電極３２付近での電磁界の乱れが生じるが、上記第３層間接続導体４３は、第１実装電極３１及び第２実装電極３２付近にグランド電位部を構成する、これにより、第１実装電極３１及び第２実装電極３２付近での電磁界の乱れが抑制される。

基板９１は、第１実装電極３１及び第２実装電極３２が形成されている第１領域Ｚ１と、その他の領域である第２領域Ｚ２を備える。第１層間接続導体４１、第２層間接続導体４２及び第３層間接続導体４３は第１領域Ｚ１に設けられている。第４層間接続導体４４は第２領域Ｚ２に設けられている。第２領域Ｚ２の厚み（第２厚み）は第１領域Ｚ１の厚み（第１厚み）より薄い。そのため、実装部の平坦性を確保したまま、第２領域Ｚ２の屈曲性を高めることができる。

本実施形態では、第３層間接続導体４３同士の隣接距離は、信号の最小波長の１／４よりも小さい。このことにより、隣接する第３層間接続導体４３間の間隙から信号周波数の電磁界がほとんど漏洩することがなく、第１層間接続導体４１と第２層間接続導体４２との間のアイソレーションが十分に確保される。

また、本実施形態では、第１層間接続導体４１の径は第３層間接続導体４３の径より太い。このことにより、第１層間接続導体４１と第２層間接続導体４２との間の限られた空間に、より多くの第３層間接続導体４３を配置することができ、複数の第３層間接続導体４３を配置することの作用効果が高まる。また、第１層間接続導体４１及び第２層間接続導体４２の径を相対的に太くすることで、それらの導体損失を低減できるので、伝送線路の挿入損失が低減できる。さらに、インダクタンス値を小さくすることができ、インピーダンス不整合を軽減することができる。

図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、上記伝送線路１０１と電子部品２０１とで構成される回路基板３０１の断面図である。図３（Ａ）に示す断面図の断面位置は図２（Ａ）に示した断面位置に対応し、図３（Ｂ）に示す断面図の断面位置は図２（Ｂ）に示した断面位置に対応する。

電子部品２０１は底面に２端子を有する表面実装型の部品であり、伝送線路１０１の第１実装電極３１及び第２実装電極３２にはんだ付けされる。

本実施形態において、第３層間接続導体４３は、第１実装電極３１及び第２実装電極３２を介して、基板９１に実装される電子部品２０１の外形に重なる領域にある。このように、第３層間接続導体４３の形成領域を電子部品の重なり領域で定義することもできる。

図３（Ａ）、図３（Ｂ）では伝送線路１０１の一方端について示したが、他方端は回路基板に接続される。また、この他方端に他の電子部品が実装されてもよい。

第１の実施形態によれば、次のような作用効果を奏する。

（ａ）第１信号導体１１の端部と第１実装電極３１とを接続する第１層間接続導体４１の近傍に、及び第２信号導体１２の端部と第２実装電極３２とを接続する第２層間接続導体４２の近傍に、第３層間接続導体４３が配置されているので、信号導体の端部における伝送線路のインピーダンスが、信号導体の端部以外の部分での伝送線路のインピーダンスに近似させることができ、そのことによって、信号導体の端部における伝送線路のインピーダンス不整合が抑制される。

（ｂ）上記インピーダンス不整合の抑制により信号の伝送損失が低減される。

（ｃ）第１実装電極３１及び第２実装電極３２付近での電磁界の乱れが、第３層間接続導体４３によって効果的に抑制され、その他の領域においては、隣接距離が相対的に大きな第４層間接続導体４４を有するので、全体的に少数の層間接続導体を配置することになり、工数が削減できる。

（ｄ）第４層間接続導体４４同士の隣接距離が第３層間接続導体４３同士の隣接距離より大きいので、第１実装電極３１及び第２実装電極３２が形成されている領域以外の部分で伝送線路を屈曲させる場合、第４層間接続導体４４の存在による屈曲性が大きく阻害されることがない。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態で示した伝送線路とは第２グランド導体２２の構成が異なる伝送線路及び回路基板について示す。

図４は、第２の実施形態に係る伝送線路１０２の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の３つの基材層の平面図である。第１の実施形態では、基板の厚みの違いによって第１領域Ｚ１及び第２領域Ｚ２を定義したが、第２の実施形態では、実装基板への接続領域とその他の伝送路領域とで領域を定義する。図４に示す領域ＺＣは実装基板接続領域であり、領域ＺＬは伝送路領域である。この伝送路領域ＺＬ内に屈曲部ＢＰが設けられている。

第２の実施形態の伝送線路は、第１の実施形態の伝送線路とは、第２グランド導体２２の構成が異なる。伝送線路の屈曲部ＢＰには、第２グランド導体２２にメッシュ形状部２２Ｍが設けられている。メッシュ形状部２２Ｍは、メッシュ状にグランド導体が形成されていない開口が縦横に配列された部分である。そのため、メッシュ形状部２２Ｍは、単位面積あたりのグランド導体面積が他の部分より小さい。

図５は第２の実施形態に係る伝送線路１０２を実装基板に実装した状態での断面図である。図５において、実装基板４００は例えば携帯電子機器に備えられる基板である。電池４０１は実装基板４００上に配置されている。伝送線路１０２の実装基板接続領域ＺＣには、電子部品２０１が搭載されている。

回路基板３０２は電池４０１の上部を跨ぐように、実装基板４００上に沿って配置されている。伝送線路１０２の実装基板接続領域ＺＣにおいて、伝送線路１０２の下面の第１グランド導体２１は実装基板４００の上面に形成されているグランド導体に接続されている。

図４、図５では、第２グランド導体２２にメッシュ形状部２２Ｍを形成した例を示したが、屈曲部ＢＰにおいて、第１グランド導体２１にメッシュ形状部を形成してもよいし、第１グランド導体２１と第２グランド導体２２の両方にメッシュ形状部を形成してもよい。

図５においては、伝送線路１０２の左端の実装基板接続領域ＺＣと伝送路領域ＺＬの一部とについて示したが、伝送線路１０２の右端側の構成も同様である。また、この伝送線路１０２の右端側は、実装基板４００に形成されている接続電極や他の基板やデバイスに接続されてもよい。

なお、電子部品２０１は、伝送線路１０２に先に搭載して回路基板３０２を構成してから、その回路基板３０２を実装基板４００に実装してもよいし、伝送線路１０２を実装基板４００に実装してから、伝送線路１０２に電子部品２０１を搭載してもよい。

図５に示す例では、伝送線路１０２の厚みは、実装基板接続領域ＺＣも伝送路領域ＺＬも同じであるが、メッシュ形状部２２Ｍは単位面積あたりのグランド導体面積が他の部分より小さいので、屈曲部ＢＰの屈曲性は高い。

このように、第２の実施形態では、伝送線路１０２の屈曲部ＢＰにおいて、第２グランド導体２２にメッシュ形状部２２Ｍを有するので、屈曲部ＢＰの屈曲性が向上する。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第１の実施形態で示した伝送線路とは、第３層間接続導体４３の構成が異なる伝送線路について示す。

図６は、第３の実施形態に係る伝送線路１０３の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の３つの基材層の平面図である。

第３の実施形態に係る伝送線路は、第１の実施形態で示した伝送線路と同様に、基板に構成されている。この基板は、図６に示す３つの基材層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の積層体である。基材層Ｓ１の下面には、ほぼ全面に第１グランド導体２１が形成されている。基材層Ｓ２の上面には、互いに並走する第１信号導体１１、第２信号導体１２及びパッド電極５３，５４が形成されている。基材層Ｓ３の上面には、第２グランド導体２２、２つの第１実装電極３１及び２つの第２実装電極３２が形成されている。第２グランド導体２２と第１実装電極３１との間は絶縁されていて、第２グランド導体２２と第２実装電極３２との間は絶縁されている。

基材層Ｓ３には、第１信号導体１１の端部と第１実装電極３１とを接続する第１層間接続導体４１が形成されている。同様に、第２信号導体１２の端部と第２実装電極３２とを接続する第２層間接続導体４２が形成されている。また、この基材層Ｓ３には、第２グランド導体２２と下記パッド電極５３と接続する第３層間接続導体４３、及び下記パッド電極５４と接続する第４層間接続導体４４が形成されている。

基材層Ｓ２には、基材層Ｓ３の第３層間接続導体４３と導通するパッド電極５３、及び基材層Ｓ３の第４層間接続導体４４と導通するパッド電極５４が形成されている。また、この基材層Ｓ２には、基材層Ｓ１の第３層間接続導体４３とパッド電極５３と接続する第３層間接続導体４３、及び基材層Ｓ１の第４層間接続導体４４とパッド電極５４と接続する第４層間接続導体４４が形成されている。

基材層Ｓ１には、下面の第１グランド導体２１と導通する第３層間接続導体４３及び第４層間接続導体４４が形成されている。

図１に示した例と対比すれば明らかなように、複数の第３層間接続導体４３は、基板の平面視で、第１層間接続導体４１及び第２層間接続導体４２を取り囲むように配置されている。

第３の実施形態によれば、複数の第３層間接続導体４３が第１層間接続導体４１の周囲を取り囲むことで、これら第３層間接続導体４３と第１層間接続導体４１とで擬似的な同軸線路が構成される。同様に、複数の第３層間接続導体４３が第２層間接続導体４２の周囲を取り囲むことで、これら第３層間接続導体４３と第２層間接続導体４２とで擬似的な同軸線路が構成される。これら同軸線路のインピーダンスを、信号導体１１，１２と第１グランド導体２１及び第２グランド導体２２とで構成されるストリップラインの特性インピーダンスとを近似させることができる。つまり、第３層間接続導体４３の数が少ない場合や、無い場合に比べて、第１層間接続導体４１及び第２層間接続導体４２付近でのインピーダンス不整合がさらに抑制できる。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第３層間接続導体４３を電子部品の実装領域によって定義する例を示す。

図７は、第４の実施形態に係る伝送線路１０４の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の３つの基材層の平面図である。

第４の実施形態に係る伝送線路は、第３の実施形態で示した伝送線路と同様に、３つの基材層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の積層体である。基材層Ｓ１の下面には、ほぼ全面に第１グランド導体２１が形成されている。基材層Ｓ２の上面には、互いに並走する第１信号導体１１、第２信号導体１２及びパッド電極５３，５４が形成されている。基材層Ｓ３の上面には、第２グランド導体２２、２つの第１実装電極３１及び２つの第２実装電極３２が形成されている。第２グランド導体２２と第１実装電極３１との間は絶縁されていて、第２グランド導体２２と第２実装電極３２との間は絶縁されている。

基材層Ｓ３には、第１信号導体１１の端部と第１実装電極３１とを接続する層間接続導体４１が形成されている。同様に、第２信号導体１２の端部と第２実装電極３２とを接続する層間接続導体４２が形成されている。また、この基材層Ｓ３には、第２グランド導体２２と下記パッド電極５３，５４と接続する層間接続導体４３，４４が形成されている。

基材層Ｓ２には、基材層Ｓ３の層間接続導体４３，４４と導通するパッド電極５３，５４が形成されている。また、この基材層Ｓ２には、基材層Ｓ１の層間接続導体４３，４４とパッド電極５３，５４と接続する層間接続導体４３，４４が形成されている。

基材層Ｓ１には、下面の第１グランド導体２１と導通する層間接続導体４３，４４が形成されている。

第３の実施形態では、図６に示した実装基板接続領域ＺＣに第１層間接続導体４１、第２層間接続導体４２、及び第３層間接続導体４３が形成されている例を示したが、第４の実施形態では、基板は、第１実装電極３１及び第２実装電極３２を介して実装される電子部品の実装領域ＺＭを含む。実装領域ＺＭは、基板に実装される電子部品の外形に重なる領域である。そして、第１層間接続導体４１、第２層間接続導体４２及び第３層間接続導体４３は実装領域ＺＭに位置する。さらに、第４層間接続導体４４は実装領域ＺＭ以外の領域に位置する。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第１の実施形態で示した伝送線路とは、第１グランド導体２１及び第２グランド導体２２の構成が異なる伝送線路について示す。

図８は、第５の実施形態に係る伝送線路１０５の分解平面図であり、伝送線路の構成要素である基板の３つの基材層の平面図である。図９は、第５の実施形態に係る伝送線路１０５の断面図であり、図８に示す３つの基材層を積層した状態での、Ｙ－Ｙ部分の断面図である。

図８、図９に示すように、第１グランド導体２１及び第２グランド導体２２には、第４層間接続導体４４同士の隣接間に開口ＢＨを有する。

本実施形態によれば、上記開口ＢＨが形成されていることにより、伝送路領域ＺＬの屈曲性が向上する。また、伝送線路１０５の製造時、第４層間接続導体４４形成用の導体ペーストからガスが発生するが、このガスが開口ＢＨを経由して基板の外部へ放出されやすい。つまり、基材層間や基板の内部にガスが残留せず、基板の変形が抑制される。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、電子部品として多極コネクタを備える回路基板について示す。また、３つ以上の信号導体を備える伝送線路について示す。ここで多極コネクタとは、複数の線路を有したコネクタである。

図１０は、第６の実施形態の回路基板が備える、多極コネクタである電子部品２０６の斜視図である。図１１は、上記電子部品２０６が実装される伝送線路１０６の部分平面図であり、電子部品２０６の実装部の一部を示す。

図１０に示す電子部品２０６は、樹脂成型体８１に多数の接触電極８２及びフレーム電極８３ａ，８３ｂが一体化された多極コネクタである。この電子部品２０６は２列の突条部を有するオス型多極コネクタである。この電子部品２０６は２列の溝部を有するメス型多極コネクタに装着される。

電子部品２０６は、接触電極８２から底面の側方へ引き出された信号端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３、グランド端子ＴＧ等を備える。信号端子Ｔ１は本発明における「第１信号端子」に対応し、信号端子Ｔ２は本発明における「第２信号端子」に対応する。

図１１に示す伝送線路１０６には、第１信号導体１１、第２信号導体１２、第３信号導体１３等の多数の信号導体が設けられている。この伝送線路１０６には、表面に形成されたレジスト膜の開口部に、第１実装電極３１、第２実装電極３２、第３実装電極３３、複数の第２グランド導体２２等が露出している。各第２グランド導体２２の露出部には第３層間接続導体４３がそれぞれ接続されている。

上記電子部品２０６が伝送線路１０６に実装されることで、図１０に示した信号端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３は図１１に示した実装電極３１，３２，３３にそれぞれ対応して接続される。また、複数のグランド端子ＴＧは第２グランド導体２２にそれぞれ接続される。

本実施形態によれば、隣接する信号端子同士が、この信号端子間に存在するグランド導体２２及びグランド端子ＴＧ、第３層間接続導体によって遮蔽される。そのため、隣接する伝送線路間のアイソレーションが確保される。また、電子部品２０６のグランド端子ＴＧが接続される位置に第３層間接続導体４３が形成されているので、電子部品２０６のグランド端子ＴＧと第１グランド導体２１及び第２グランド導体２２との電位差を小さくでき、伝送線路としての安定性が高い。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＢＨ…開口
ＢＰ…屈曲部
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…基材層
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３…信号端子
ＴＧ…グランド端子
Ｚ１…第１領域
Ｚ２…第２領域
ＺＣ…実装基板接続領域
ＺＬ…伝送路領域
ＺＭ…実装領域
１１…第１信号導体
１２…第２信号導体
１３…第３信号導体
２１…第１グランド導体
２２…第２グランド導体
２２Ｍ…メッシュ形状部
３１…第１実装電極
３２…第２実装電極
３３…第３実装電極
４１…第１層間接続導体
４２…第２層間接続導体
４３…第３層間接続導体
４４…第４層間接続導体
５３，５４…パッド電極
８１…樹脂成型体
８２…接触電極
８３ａ，８３ｂ…フレーム電極
９１…基板
１０１～１０６…伝送線路
２０１，２０６…電子部品
３０１，３０２…回路基板
４００…実装基板
４０１…電池

Claims

可撓性のある基板と、前記基板に形成され、互いに並走する第１信号導体及び第２信号導体と、前記基板に形成され、前記第１信号導体及び前記第２信号導体を積層方向に挟む第１グランド導体及び第２グランド導体と、前記基板に形成された、第１実装電極及び第２実装電極と、前記基板に形成された、第１層間接続導体、第２層間接続導体、第３層間接続導体及び第４層間接続導体と、を備え、
前記第１層間接続導体は前記第１信号導体と前記第１実装電極とを接続し、
前記第２層間接続導体は前記第２信号導体と前記第２実装電極とを接続し、
前記第３層間接続導体及び前記第４層間接続導体は、それぞれ複数存在し、前記第１信号導体と前記第２信号導体との間で、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とをそれぞれ接続し、
前記複数の第３層間接続導体のうちの２つは、前記複数の第４層間接続導体のうちの２つよりも前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体に近く、
前記２つの第４層間接続導体同士の隣接距離は、前記２つの第３層間接続導体同士の隣接距離よりも大きく、
前記２つの第４層間接続導体間の隣接距離は、前記第１信号導体及び前記第２信号導体が伝送する信号の最小波長の１／２よりも小さい、伝送線路。
前記第３層間接続導体同士の隣接距離は、前記信号の最小波長の１／４よりも小さい、
請求項１に記載の伝送線路。
前記第１層間接続導体の径は前記第３層間接続導体の径より太い、
請求項１又は２に記載の伝送線路。
前記第３層間接続導体は、前記第１実装電極及び前記第２実装電極を介して、前記基板に実装される電子部品の外形に重なる領域である実装領域にあり、
前記第４層間接続導体は前記実装領域外に位置する、
請求項１から３のいずれかに記載の伝送線路。
前記第３層間接続導体は、前記基板の平面視で、前記第１層間接続導体及び前記第２層間接続導体を取り囲む、
請求項１から４のいずれかに記載の伝送線路。
前記基板は、第１厚みを有する第１領域と、前記第１厚みより薄い第２領域とを含み、
前記第１層間接続導体、前記第２層間接続導体及び前記第３層間接続導体は前記第１領域に位置し、前記第４層間接続導体は前記第２領域に位置する、
請求項１から５のいずれかに記載の伝送線路。
前記第２領域内で、前記第１領域側に、屈曲部が設けられた、
請求項６に記載の伝送線路。
前記第１グランド導体又は前記第２グランド導体の少なくとも一方は、前記屈曲部にメッシュ形状部を有する、
請求項７に記載の伝送線路。
前記第１グランド導体又は前記第２グランド導体の少なくとも一方は、前記第４層間接続導体同士の隣接間に開口を有する、
請求項１から８のいずれかに記載の伝送線路。
請求項１から９のいずれかに記載の伝送線路と、電子部品とを備え、
前記電子部品は、前記第１実装電極に導通する第１信号端子、及び前記第２実装電極に導通する第２信号端子を有する多極コネクタである、
回路基板。
前記多極コネクタは、グランド端子を有し、前記第３層間接続導体のうち、少なくとも１つは前記グランド端子に導通する、
請求項１０に記載の回路基板。
前記基板は、熱可塑性の樹脂シートである複数の基材層の積層体である、
請求項１から１１のいずれかに記載の回路基板。