JP7056552B2 - Conductive coating and conductive paste for laser etching processing - Google Patents
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- 238000010329 laser etching Methods 0.000 title claims description 86
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 39
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 118
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 118
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 97
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 90
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 73
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 39
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 26
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 23
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 22
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 20
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims description 17
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims description 17
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 16
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 16
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 claims description 15
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 107
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 77
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 41
- -1 ether sulfone Chemical class 0.000 description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 26
- 239000002585 base Substances 0.000 description 23
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 16
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 16
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 13
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 11
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 10
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 7
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 7
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 7
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 6
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 6
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 5
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 5
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 4
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002018 Aerosil® 300 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003273 ketjen black Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical compound SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OVBFMUAFNIIQAL-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobutane Chemical compound O=C=NCCCCN=C=O OVBFMUAFNIIQAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKJICCKTDQDONB-UHFFFAOYSA-N 2-(oxiran-2-ylmethoxycarbonyl)cyclohexane-1-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(=O)OCC1OC1 WKJICCKTDQDONB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DSKYSDCYIODJPC-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCCCC(CC)(CO)CO DSKYSDCYIODJPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane-1,5-diol Chemical compound OCCC(C)CCO SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002014 Aerosil® 130 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 2
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 2
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 2
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006231 channel black Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEZUQRBDRNJBJY-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone oxime Chemical compound ON=C1CCCCC1 VEZUQRBDRNJBJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- GHLKSLMMWAKNBM-UHFFFAOYSA-N dodecane-1,12-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCCCO GHLKSLMMWAKNBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 2
- 239000006232 furnace black Substances 0.000 description 2
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006233 lamp black Substances 0.000 description 2
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUWHAWMETYGRKB-UHFFFAOYSA-N piperidin-2-one Chemical compound O=C1CCCCN1 XUWHAWMETYGRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 2
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 2
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 2
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 2
- XRVCFZPJAHWYTB-UHFFFAOYSA-N prenderol Chemical compound CCC(CC)(CO)CO XRVCFZPJAHWYTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229950006800 prenderol Drugs 0.000 description 2
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012424 soybean oil Nutrition 0.000 description 2
- 239000003549 soybean oil Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- 229920005792 styrene-acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=CC=C1CN=C=O FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTTZISZSHSCFRH-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=CC(CN=C=O)=C1 RTTZISZSHSCFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 229940051269 1,3-dichloro-2-propanol Drugs 0.000 description 1
- DEWLEGDTCGBNGU-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloropropan-2-ol Chemical compound ClCC(O)CCl DEWLEGDTCGBNGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGHSXKTVMPXHNG-UHFFFAOYSA-N 1,3-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=CC(N=C=O)=C1 VGHSXKTVMPXHNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)CC1 PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=C(N=C=O)C=C1 ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 1,9-Nonanediol Chemical compound OCCCCCCCCCO ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICLCCFKUSALICQ-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-4-(4-isocyanato-3-methylphenyl)-2-methylbenzene Chemical compound C1=C(N=C=O)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N=C=O)=CC=2)=C1 ICLCCFKUSALICQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCTXKRPTIMZBJT-UHFFFAOYSA-N 2,2,4-trimethylpentane-1,3-diol Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)CO JCTXKRPTIMZBJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-Bis(hydroxymethyl)propionic acid Chemical compound OCC(C)(CO)C(O)=O PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butanoic acid Chemical compound CCC(CO)(CO)C(O)=O JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1,3-hexanediol Chemical compound CCCC(O)C(CC)CO RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABROBCBIIWHVNS-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbenzenethiol Chemical compound CCC1=CC=CC=C1S ABROBCBIIWHVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXUNZSDDXMPKLP-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenethiol Chemical compound CC1=CC=CC=C1S LXUNZSDDXMPKLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZIFAVKTNFCBPC-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethanol Chemical compound OCCCl SZIFAVKTNFCBPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 2-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1Cl ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAWJUMVTPNRDT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-1,5-diol Chemical compound OCC(C)CCCO AAAWJUMVTPNRDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQUPABOKLQSFBK-UHFFFAOYSA-N 2-nitrophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O IQUPABOKLQSFBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZWKEPYTBWZJJA-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethoxybenzidine-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1=C(N=C=O)C(OC)=CC(C=2C=C(OC)C(N=C=O)=CC=2)=C1 QZWKEPYTBWZJJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenoxy)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDSDHQKRZOBZLX-UHFFFAOYSA-N 3-ethylpentane-1,5-diol Chemical compound OCCC(CC)CCO FDSDHQKRZOBZLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFXXWASURZZDSI-UHFFFAOYSA-N 3-octylpentane-1,5-diol Chemical compound CCCCCCCCC(CCO)CCO ZFXXWASURZZDSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCODQYLSDNRUBJ-UHFFFAOYSA-N 3-phenylpentane-1,5-diol Chemical compound OCCC(CCO)C1=CC=CC=C1 FCODQYLSDNRUBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBJFJKPHFOAHPA-UHFFFAOYSA-N 3-propylpentane-1,5-diol Chemical compound CCCC(CCO)CCO WBJFJKPHFOAHPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- KYXHKHDZJSDWEF-LHLOQNFPSA-N CCCCCCC1=C(CCCCCC)C(\C=C\CCCCCCCC(O)=O)C(CCCCCCCC(O)=O)CC1 Chemical compound CCCCCCC1=C(CCCCCC)C(\C=C\CCCCCCCC(O)=O)C(CCCCCCCC(O)=O)CC1 KYXHKHDZJSDWEF-LHLOQNFPSA-N 0.000 description 1
- 239000005997 Calcium carbide Substances 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- XDODWINGEHBYRT-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCCCC1CO XDODWINGEHBYRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUSFFPXRDZKBMF-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCCC(CO)C1 LUSFFPXRDZKBMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N acetone oxime Chemical compound CC(C)=NO PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical class CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K aluminium tristearate Chemical compound [Al+3].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940063655 aluminum stearate Drugs 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000001058 brown pigment Substances 0.000 description 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L calcium stearate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000013539 calcium stearate Nutrition 0.000 description 1
- 239000008116 calcium stearate Substances 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005626 carbonium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- GVEHJMMRQRRJPM-UHFFFAOYSA-N chromium(2+);methanidylidynechromium Chemical compound [Cr+2].[Cr]#[C-].[Cr]#[C-] GVEHJMMRQRRJPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCC(C(O)=O)C1 XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCO FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- PPSZHCXTGRHULJ-UHFFFAOYSA-N dioxazine Chemical compound O1ON=CC=C1 PPSZHCXTGRHULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N hafnium;methane Chemical compound C.[Hf] WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N isoindolin-1-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NCC2=C1 PXZQEOJJUGGUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- SOOARYARZPXNAL-UHFFFAOYSA-N methyl-thiophenol Natural products CSC1=CC=CC=C1O SOOARYARZPXNAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical class C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000000018 nitroso group Chemical group N(=O)* 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N nonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCN SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001053 orange pigment Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N pentane-1,1-diol Chemical compound CCCCC(O)O UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N phenolphthalein Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C(=O)O1 KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000441 polyisocyanide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001057 purple pigment Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001008 quinone-imine dye Substances 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- CLZWAWBPWVRRGI-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-[2-[2-[2-[bis[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethyl]amino]-5-bromophenoxy]ethoxy]-4-methyl-n-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethyl]anilino]acetate Chemical compound CC1=CC=C(N(CC(=O)OC(C)(C)C)CC(=O)OC(C)(C)C)C(OCCOC=2C(=CC=C(Br)C=2)N(CC(=O)OC(C)(C)C)CC(=O)OC(C)(C)C)=C1 CLZWAWBPWVRRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N thioindigo Chemical compound S\1C2=CC=CC=C2C(=O)C/1=C1/C(=O)C2=CC=CC=C2S1 JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N 0.000 description 1
- 150000007944 thiolates Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUBZKXFFIDEZKG-UHFFFAOYSA-K trisodium;5-sulfonatobenzene-1,3-dicarboxylate Chemical class [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)C1=CC(C([O-])=O)=CC(S([O-])(=O)=O)=C1 NUBZKXFFIDEZKG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- KLNPWTHGTVSSEU-UHFFFAOYSA-N undecane-1,11-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCCN KLNPWTHGTVSSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000001052 yellow pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
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- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Description
本発明は、平面方向の配置密度が高い導電性パターンを製造することができる導電性パターンの製造方法およびこの製造方法に好適に用いることのできる導電性ペースト、導電ペーストから得られる皮膜(ないし薄膜)に関する。本発明は、さらに詳しくは励起光の光束により導電性皮膜(ないし導電性薄膜)の一部を除去することにより平面方向の配置密度が高い導電性パターンを得るために供される導電性の皮膜に関する。本発明の導電性パターンは、典型的には透明タッチパネルの電極回路配線に用いることができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention relates to a method for producing a conductive pattern capable of producing a conductive pattern having a high arrangement density in the plane direction, and a conductive paste or a film (or a thin film) obtained from the conductive paste that can be suitably used for this manufacturing method. ). More specifically, the present invention is a conductive film provided to obtain a conductive pattern having a high arrangement density in the planar direction by removing a part of the conductive film (or a conductive thin film) by a luminous flux of excitation light. Regarding. The conductive pattern of the present invention can typically be used for electrode circuit wiring of a transparent touch panel.
近年、携帯電話や、ノートパソコン、電子書籍などに代表される透明タッチパネルを搭載する電子機器の高性能化と小型化が急激に進んでいる。これらの電子機器の高性能化と小型化には、搭載される電子部品の小型化、高性能化、集積度の向上に加え、これら電子部品相互を接合する電極回路配線の高密度化が求められている。透明タッチパネルの方式として電極回路配線の数が少ない抵抗膜方式に加え、電極回路配線の数が飛躍的に多い静電容量方式の普及が近年急速に進んでおり、このような観点から電極回路配線の高密度化が強く求められている。また、ディスプレイ画面をより大きくするために、また商品デザイン上の要求により、電極回路配線が配置される額縁部をより狭くしたいとの要求があり、このような観点からも電極回路配線の高密度化が求められている。以上のような要求を満たすために、従来以上の電極回路配線の高密度配置を行うことができる技術が求められている。 In recent years, the performance and miniaturization of electronic devices equipped with transparent touch panels such as mobile phones, notebook computers, and electronic books have been rapidly advancing. In order to improve the performance and miniaturization of these electronic devices, in addition to miniaturization, high performance, and improvement of the degree of integration of the mounted electronic components, it is required to increase the density of the electrode circuit wiring that joins these electronic components to each other. Has been done. In recent years, in addition to the resistance film method, which has a small number of electrode circuit wirings, as a transparent touch panel method, the capacitance method, which has a dramatically large number of electrode circuit wirings, has rapidly become widespread. There is a strong demand for higher density. In addition, in order to make the display screen larger and due to product design requirements, there is a demand to make the frame where the electrode circuit wiring is arranged narrower, and from this point of view, the high density of the electrode circuit wiring is also required. Is required. In order to satisfy the above requirements, there is a demand for a technique capable of arranging electrode circuit wiring at a higher density than before.
抵抗膜方式の透明タッチパネルの額縁部分の電極回路配線の配置密度は、平面方向のラインとスペースの幅が各々200μm(以下、L/S=200/200μmというように略記する)以上程度であり、これを導電性ペーストのスクリーン印刷によって形成することが従来から行われている。静電容量方式のタッチパネルでは、L/Sの要求は100/100μm程度以下となっており、さらにはL/Sが50/50μm以下を求められる場合もあり、スクリーン印刷による電極回路配線形成技術では対応困難な状況になりつつある。 The arrangement density of the electrode circuit wiring in the frame portion of the resistance film type transparent touch panel is such that the width of the line and the space in the plane direction are each 200 μm (hereinafter, abbreviated as L / S = 200/200 μm) or more. It has been conventionally performed to form this by screen printing of a conductive paste. In the capacitive touch panel, the L / S requirement is about 100/100 μm or less, and in some cases, the L / S is required to be 50/50 μm or less. The situation is becoming difficult to deal with.
スクリーン印刷に替わる電極回路配線形成技術の候補の一例として、フォトリソグラフィ法が挙げられる。フォトリソグラフィ法を用いれば、L/Sが50/50μm以下の細線を形成することも十分に可能である。しかしながらフォトリソグラフィ法にも課題がある。フォトリソグラフィ法の最も典型的な事例は感光性レジストを用いる手法であり、一般的には、銅箔層を形成した表面基板の銅箔部位に感光性レジストを塗布し、フォトマスクあるいはレーザー光の直接描画等の方法により所望のパターンを露光し、感光性レジストの現像を行ない、その後、所望のパターン以外の銅箔部位を薬品で溶解・除去することにより、銅箔の細線パターンを形成させる。このため、廃液処理による環境負荷が大きく、さらには工程が煩雑であり、生産効率の観点、コスト的観点、銅箔酸化による外観不良等多くの課題を抱えている。 A photolithography method is an example of a candidate for an electrode circuit wiring forming technique that replaces screen printing. By using the photolithography method, it is sufficiently possible to form thin lines having an L / S of 50/50 μm or less. However, the photolithography method also has a problem. The most typical example of the photolithography method is a method using a photosensitive resist, and generally, a photosensitive resist is applied to a copper foil portion of a surface substrate on which a copper foil layer is formed, and a photomask or laser light is used. A desired pattern is exposed by a method such as direct drawing, a photosensitive resist is developed, and then a copper foil portion other than the desired pattern is dissolved and removed with a chemical to form a fine line pattern of the copper foil. For this reason, the environmental load due to the waste liquid treatment is large, the process is complicated, and there are many problems such as production efficiency, cost, and poor appearance due to copper foil oxidation.
フォトリソグラフィ法には、感光性レジストを用いない方式もあり、例えば特許文献1、2には、導電性ペーストを用いて乾燥塗膜を形成し、これにレーザー光で直接描画を行い、レーザー光が照射された部分を基材に定着させ、未照射部分を現像除去し、所望のパターン形成する技術が開示されている。このような方法であれば、一般的なフォトリソグラフィ法に比べれば、感光性レジストを用いていない分、工程が簡略化されるが、従来から知られている感光性レジストを用いるフォトリソグラフィ法と同様にウエットプロセスの現像工程が必要であることから現像廃液処理の問題があり、また導電性ペーストの成分としてガラスフリットやナノサイズの銀粉を用いているので焼成工程で400℃以上の高温が必要であり多大なエネルギーが必要となるといった問題点や、用いることのできる基材が400℃以上の高温での焼成工程に耐えるものに限られるという問題点がある。さらには工程が煩雑であり、生産効率は不適であるといわざるを得ない。 In the photolithography method, there is also a method that does not use a photosensitive resist. For example, in Patent Documents 1 and 2, a dry coating film is formed by using a conductive paste, and a dry coating film is directly drawn on the dry coating film by using a laser beam. Disclosed is a technique for fixing an irradiated portion to a substrate, developing and removing an unirradiated portion, and forming a desired pattern. Compared with a general photolithography method, such a method simplifies the process because it does not use a photosensitive resist, but it is a photolithography method using a conventionally known photosensitive resist. Similarly, there is a problem of developing waste liquid treatment because the developing process of the wet process is required, and since glass frit and nano-sized silver powder are used as the components of the conductive paste, a high temperature of 400 ° C or higher is required in the firing process. Therefore, there is a problem that a large amount of energy is required, and there is a problem that the base material that can be used is limited to those that can withstand the firing process at a high temperature of 400 ° C. or higher. Furthermore, it must be said that the process is complicated and the production efficiency is unsuitable.
上記のような状況により、スクリーン印刷に替わる電極回路配線形成技術の候補の一例として、特許文献3、特許文献4に技術が開示されている励起光の光束により導電性皮膜の一部を除去する方法、所謂レーザーエッチング工法が近年注目されている。レーザーエッチング工法を用いれば、L/Sが50/50μm以下の細線を形成することも十分に可能である。レーザーエッチング工法とは、バインダ樹脂と導電粉体からなる層(以後導電性薄膜と呼ぶ)を絶縁性基材上に形成し、その一部をレーザー光照射により絶縁性基材上から除去する工法のことである。 Under the above circumstances, as an example of a candidate for an electrode circuit wiring forming technique that replaces screen printing, a part of the conductive film is removed by a luminous flux of excitation light whose technique is disclosed in Patent Documents 3 and 4. The method, the so-called laser etching method, has been attracting attention in recent years. By using the laser etching method, it is sufficiently possible to form fine wires having an L / S of 50/50 μm or less. The laser etching method is a method in which a layer consisting of a binder resin and conductive powder (hereinafter referred to as a conductive thin film) is formed on an insulating base material, and a part thereof is removed from the insulating base material by laser light irradiation. That is.
レーザーエッチング工法の更なる細線化の要望は強くL/S=30/30μm、20/20μm、15/15μmとエッチング幅は狭くなる傾向である。更にタッチパネルの大型画面化によりレーザーエッチングで塗膜を除去する距離も長くなっておりレーザーエッチング加工用導電性ペーストに求められる要求性能は日々高まりを増すばかりで、今まで顕在化しなかった回路の断線、短絡による不良が大きな問題になっており、改善が求められている。レーザーエッチング工法により高位品位な微細線を得るためには、レーザーエッチング直前の導電性被膜の品質が重要であり、導電性ペーストそのものはもちろん、印刷乾燥硬化プロセスも十分に管理しなければならない。 There is a strong demand for further thinning of the laser etching method, and the etching width tends to be narrower as L / S = 30/30 μm, 20/20 μm, and 15/15 μm. In addition, the distance to remove the coating film by laser etching has become longer due to the larger screen of the touch panel, and the required performance required for the conductive paste for laser etching processing is increasing day by day, and the circuit disconnection that has not been realized until now. , Defects due to short circuit have become a big problem, and improvement is required. In order to obtain high-quality fine lines by the laser etching method, the quality of the conductive film immediately before laser etching is important, and not only the conductive paste itself but also the printing drying and curing process must be sufficiently controlled.
本発明の目的はレーザーエッチング幅が狭く、レーザーエッチング距離が長いといった難しいパターンでも回路の断線、短絡による不良を抑制可能なレーザーエッチング加工用導電ペーストを提供することにある。本発明の目的はレーザーエッチング工法において高品位な微細線を得るために必要な特性を具備した導電性被膜の実現である。 An object of the present invention is to provide a conductive paste for laser etching processing capable of suppressing defects due to circuit disconnection or short circuit even in a difficult pattern such as a narrow laser etching width and a long laser etching distance. An object of the present invention is to realize a conductive film having characteristics necessary for obtaining high-quality fine lines in a laser etching method.
本発明者らは鋭意検討した結果、レーザーエッチング工法に最適なレーザーエッチング加工用導電性被膜を見出した。すなわち、本願発明は以下の構成からなるものである。 As a result of diligent studies, the present inventors have found a conductive film for laser etching processing that is most suitable for the laser etching method. That is, the invention of the present application has the following configuration.
[1]導電フィラーとバインダ樹脂からなる導電性組成物により構成される導電性皮膜において、皮膜表面に存在する、直径50μm以下のリング状凹み欠点の存在密度が50個/cm2以下である事を特徴とする導電性皮膜。
[2]前記導電性皮膜において、リング状凹みが存在しない部分の表面粗さRaが0.1以上、1.0μm以下であることを特徴とする[1]記載の導電性皮膜。
[3]前記導電性皮膜の平均膜厚が2μm以上、20μm以下であることを特徴とする[1]または[2]記載の導電性皮膜。
[4]前記導電性組成物が、少なくとも平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の銀粒子、および平均粒子径が5nm以上、200nm以下の二酸化珪素粒子、高分子バインダ樹脂を含有し、実質的に溶剤を含まないことを特徴とする[1]から[3]のいずれかに記載の導電性皮膜。
[5]前記導電性組成物が、少なくとも平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の銀粒子、および平均粒子径が5nm以上、200nm以下のカーボン粒子、高分子バインダ樹脂を含有し、実質的に溶剤を含まないことを特徴とする[1]から[3]のいずれかに記載の導電性皮膜。
[6]前記導電性組成物が、少なくとも平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の銀粒子、および平均粒子径が50nm以上、3000nm以下のイオン補足剤粒子、高分子バインダ樹脂を含有し、実質的に溶剤を含まないことを特徴とする[1]から[3]のいずれかに記載の導電性皮膜。
[7]励起光の光束により、[1]から[6]のいずれかに記載の導電性皮膜の一部を除去するプロセスを有することを特徴とする電気配線の形成方法。[1] In a conductive film composed of a conductive composition composed of a conductive filler and a binder resin, the presence density of ring-shaped dent defects having a diameter of 50 μm or less on the surface of the film is 50 pieces / cm2 or less. Characteristic conductive film.
[2] The conductive film according to [1], wherein the surface roughness Ra of the portion of the conductive film having no ring-shaped dent is 0.1 or more and 1.0 μm or less.
[3] The conductive film according to [1] or [2], wherein the average film thickness of the conductive film is 2 μm or more and 20 μm or less.
[4] The conductive composition contains at least silver particles having an average particle diameter of 0.3 μm or more and 6 μm or less, silicon dioxide particles having an average particle diameter of 5 nm or more and 200 nm or less, and a polymer binder resin. The conductive film according to any one of [1] to [3], which is characterized in that it does not contain a solvent.
[5] The conductive composition contains at least silver particles having an average particle diameter of 0.3 μm or more and 6 μm or less, carbon particles having an average particle diameter of 5 nm or more and 200 nm or less, and a polymer binder resin, substantially. The conductive film according to any one of [1] to [3], which is characterized by containing no solvent.
[6] The conductive composition contains at least silver particles having an average particle diameter of 0.3 μm or more and 6 μm or less, ion-catching agent particles having an average particle diameter of 50 nm or more and 3000 nm or less, and a polymer binder resin. The conductive film according to any one of [1] to [3], which is characterized by containing no solvent.
[7] A method for forming an electric wiring, which comprises a process of removing a part of the conductive film according to any one of [1] to [6] by a luminous flux of excitation light.
[8] 少なくとも高分子バインダ樹脂(A)、平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の金属粉(B)、有機溶剤(C)および平均粒子径が5nm以上、200nm以下の二酸化珪素粒子(D)を含有することを特徴とするレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[9] 前記バインダ樹脂(A)が、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、および繊維素誘導体樹脂からなる群から選ばれる1種又は2種以上の混合物であることを特徴とする[8]記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[10]前記、バインダ樹脂(A)の数平均分子量が5,000~60,000、ガラス転移温度が120℃未満、であることを特徴とする[8]または[9]に記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[11] 前記溶剤が、少なくとも沸点の異なる2種の溶剤の混合物であり、全溶剤量の45~90質量%を占める第1の溶剤の沸点が200℃以上、270℃以下であり、第2の溶剤の沸点は第一の溶剤の沸点より10℃以上低く、全溶剤量の55~10質量%であることを特徴とする[8]から[10]のいずれかに記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[12] 前記、バインダ樹脂(A)の酸価が200当量/106g未満であることを特徴とする[8]から[11]のいずれかに記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[13] 15μm以上の銀粗大粒子がペースト1.0gあたり、100個以下であることを特徴とする[8]から[12]のいずれかに記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。[8] At least a polymer binder resin (A), a metal powder (B) having an average particle size of 0.3 μm or more and 6 μm or less, an organic solvent (C), and silicon dioxide particles having an average particle size of 5 nm or more and 200 nm or less (D). ) Is contained in the conductive paste for laser etching processing.
[9] The binder resin (A) is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, phenoxy resin, vinyl chloride resin, and fibrous derivative resin. The conductive paste for laser etching processing according to [8].
[10] The laser etching according to [8] or [9], wherein the binder resin (A) has a number average molecular weight of 5,000 to 60,000 and a glass transition temperature of less than 120 ° C. Conductive paste for processing.
[11] The solvent is a mixture of at least two solvents having different boiling points, and the boiling point of the first solvent, which accounts for 45 to 90% by mass of the total amount of the solvent, is 200 ° C. or higher and 270 ° C. or lower, and the second. The boiling point of the solvent is lower than the boiling point of the first solvent by 10 ° C. or more, and is 55 to 10% by mass of the total amount of the solvent. Conductive paste.
[12] The conductive paste for laser etching processing according to any one of [8] to [11], wherein the acid value of the binder resin (A) is less than 200 equivalents / 106 g.
[13] The conductive paste for laser etching processing according to any one of [8] to [12], wherein the number of coarse silver particles of 15 μm or more is 100 or less per 1.0 g of the paste.
[14] 少なくとも平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の金属粉(B)、および平均粒子径が5nm以上、200nm以下のカーボン粒子(E)、高分子バインダ樹脂(A)、溶剤(C)を含有することを特徴とするレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[15]前記バインダ樹脂(A)が、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、および繊維素誘導体樹脂からなる群から選ばれる1種又は2種以上の混合物であることを特徴とする[14]記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[16]前記、バインダ樹脂(A)の数平均分子量が5,000~60,000、ガラス転移温度が120℃未満、であることを特徴とする[14]または[15]に記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[17]前記溶剤(C)が、少なくとも沸点の異なる2種の溶剤の混合物であり、全溶剤量の45~90質量%を占める第1の溶剤の沸点が200℃以上、270℃以下であり、第2の溶剤の沸点は第一の溶剤の沸点より10℃以上低く、全溶剤量の55~10質量%であることを特徴とする[14]から[16]のいずれかに記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[18]前記、バインダ樹脂(A)の酸価が200当量/106g未満であることを特徴とする[14]から[17]のいずれかに記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[19]15μm以上の銀粗大粒子がペースト1.0gあたり、100個以下であることを特徴とする[14]から[18]のいずれかに記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。[14] Metal powder (B) having an average particle diameter of at least 0.3 μm or more and 6 μm or less, carbon particles (E) having an average particle diameter of 5 nm or more and 200 nm or less, a polymer binder resin (A), and a solvent (C). A conductive paste for laser etching processing, which is characterized by containing.
[15] The binder resin (A) is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, phenoxy resin, vinyl chloride resin, and fibrous derivative resin. The conductive paste for laser etching processing according to [14].
[16] The laser etching according to [14] or [15], wherein the binder resin (A) has a number average molecular weight of 5,000 to 60,000 and a glass transition temperature of less than 120 ° C. Conductive paste for processing.
[17] The solvent (C) is a mixture of at least two solvents having different boiling points, and the boiling point of the first solvent, which accounts for 45 to 90% by mass of the total amount of the solvent, is 200 ° C. or higher and 270 ° C. or lower. The laser according to any one of [14] to [16], wherein the boiling point of the second solvent is 10 ° C. or more lower than the boiling point of the first solvent, and is 55 to 10% by mass of the total amount of the solvent. Conductive paste for etching.
[18] The conductive paste for laser etching processing according to any one of [14] to [17], wherein the acid value of the binder resin (A) is less than 200 equivalents / 106 g.
[19] The conductive paste for laser etching processing according to any one of [14] to [18], wherein the number of coarse silver particles of 15 μm or more is 100 or less per 1.0 g of the paste.
[20] 少なくとも
平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の銀粒子(A)、および
平均粒子径が5nm以上、200nm以下のカーボン(E)または二酸化珪素粒子(D)、
平均粒子径が0.1μm以上、3μm以下の無機粒子(H)
高分子バインダー樹脂(A)、
溶剤(C)
を含有することを特徴とするレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[21]前記バインダ樹脂(A)が、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、および繊維素誘導体樹脂からなる群から選ばれる1種又は2種以上の混合物であることを特徴とする[20]記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[22]前記、バインダ樹脂(A)の数平均分子量が5,000~60,000、ガラス転移温度が120℃未満、であることを特徴とする[20または[21]に記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[23]前記溶剤が、少なくとも沸点の異なる2種の溶剤の混合物であり、全溶剤量の45~90質量%を占める第1の溶剤の沸点が200℃以上、270℃以下であり、第2の溶剤の沸点は第一の溶剤の沸点より10℃以上低く、全溶剤量の55~10質量%であることを特徴とする[20]から[22]のいずれかに記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[24]前記、バインダ樹脂(A)の酸価が200当量/106g未満であることを特徴とする[20]から[23]のいずれかに記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[25]15μm以上の銀粗大粒子がペースト1.0gあたり、100個以下であることを特徴とする[20]から[24]のいずれかに記載のレーザーエッチング加工用導電性ペースト。
[20] Silver particles (A) having an average particle size of at least 0.3 μm or more and 6 μm or less, and carbon (E) or silicon dioxide particles (D) having an average particle size of 5 nm or more and 200 nm or less.
Inorganic particles (H) with an average particle size of 0.1 μm or more and 3 μm or less
Polymer binder resin (A),
Solvent (C)
A conductive paste for laser etching processing, which is characterized by containing.
[21] The binder resin (A) is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, phenoxy resin, vinyl chloride resin, and fibrous derivative resin. The conductive paste for laser etching processing according to the feature [20].
[22] The laser etching process according to [20 or [21], wherein the binder resin (A) has a number average molecular weight of 5,000 to 60,000 and a glass transition temperature of less than 120 ° C. For conductive paste.
[23] The solvent is a mixture of at least two kinds of solvents having different boiling points, and the boiling point of the first solvent occupying 45 to 90% by mass of the total amount of the solvent is 200 ° C. or higher and 270 ° C. or lower, and the second The boiling point of the solvent according to any one of [20] to [22], which is 10 ° C. or more lower than the boiling point of the first solvent and is 55 to 10% by mass of the total amount of the solvent. Conductive paste.
[24] The conductive paste for laser etching processing according to any one of [20] to [23], wherein the acid value of the binder resin (A) is less than 200 equivalents / 106 g.
[25] The conductive paste for laser etching processing according to any one of [20] to [24], wherein the number of coarse silver particles of 15 μm or more is 100 or less per 1.0 g of the paste.
本発明はレーザーエッチング加工用の導電性被膜に関するものである。本発明者らは基材に塗布乾燥した銀ペースト被膜をレーザー光にて部分的に除去する、所謂レーザーエッチング法を用いて微細線形成技術の開発を行っていた際に、被膜表現に特定のパターンが観察されることを見出し、さらにレーザーエッチング後に微細線が断線する個所が、前記特定のパターン部分をレーザー光が通過した際に、レーザー光が部分散乱を生じ、本来切り取りたい線幅以上にペースト層をアブレーションしてしまい、それが結果として微細線の断線につながることを見出した。前記特定のパターンはリング状の凹み部分と、リング中央の凸部からなる。かかるパターン(以下リング状凹みと呼ぶ)は、ペースト塗膜乾燥時にペースト表面層が先に定率乾燥から減率乾燥状態となり、ペースト層内部から溶剤が揮発するためのパスが閉ざされてしまい、ペースト層内での内圧力が高まるためにペースト表面層が持ち上げられることによって生じる物と考えられる。 The present invention relates to a conductive film for laser etching processing. The present inventors specified a specific film expression when developing a fine line forming technique using a so-called laser etching method in which a silver paste film coated and dried on a substrate is partially removed by laser light. It was found that the pattern was observed, and the place where the fine line was broken after laser etching was that when the laser light passed through the specific pattern part, the laser light was partially scattered and the line width was wider than originally desired to be cut. It was found that the paste layer was ablated, which resulted in the breakage of the fine lines. The particular pattern consists of a ring-shaped recess and a protrusion in the center of the ring. In such a pattern (hereinafter referred to as a ring-shaped dent), when the paste coating film is dried, the paste surface layer first changes from constant rate drying to reduced rate drying, and the path for the solvent to volatilize from the inside of the paste layer is closed, so that the paste is pasted. It is considered that the paste surface layer is lifted due to the increase in the internal pressure in the layer.
導電性ペースト被膜の乾燥は、乾燥過程において直接物性が変化しない無機粒子と、乾燥過程において物性が変化する分散媒であるバインダ樹脂と溶剤からなる複合系である。このような場合、減率乾燥領域における溶剤の揮発は、分散媒層内での拡散と同時に無機粒子の積み重ねによって生じる乾燥障壁の影響を受けるため、溶剤が被膜を抜ける乾燥パスが見かけの膜厚以上に長くなる。
従って、本発明が課題とするリング状凹み欠点を低減する第一の方法は、減率乾燥状態に達した後の乾燥条件をマイルドにして、低温で十分に長い時間をかけて乾燥することである。かかる手法により本発明が目的とするリング状凹み欠点が少ない、レーザーエッチング加工性に優れる導電性被膜を実現することができる。Drying of the conductive paste film is a composite system consisting of inorganic particles whose physical properties do not change directly in the drying process, a binder resin which is a dispersion medium whose physical properties change in the drying process, and a solvent. In such a case, the volatilization of the solvent in the lapse rate drying region is affected by the drying barrier created by the accumulation of inorganic particles at the same time as the diffusion in the dispersion medium layer, so that the drying path through which the solvent passes through the film is the apparent film thickness. It will be longer than that.
Therefore, the first method for reducing the ring-shaped dent defect, which is a problem of the present invention, is to set the drying conditions after reaching the reduced rate drying state to mild and dry at a low temperature for a sufficiently long time. be. By such a technique, it is possible to realize a conductive film having excellent laser etching processability, which has few ring-shaped dent defects, which is the object of the present invention.
一方で、乾燥時間を長く取ることは、生産性の上で問題を生じる。本発明者らは、導電ペースト組成にあらかじめ減率乾燥過程に於ける乾燥パスを形成しやすい成分を配合しておくことにより、減率乾燥領域での乾燥温度を下げること無く、良好な品質を有する導電性被膜を実現する事を見出した。
本発明において、導電性粒子とは別に添加される、平均粒子径が5nm以上、200nm以下の二酸化珪素粒子、平均粒子径が5nm以上、200nm以下のカーボン粒子、平均粒子径が50nm以上、3000nm以下のイオン補足剤粒子は、ペーストの乾燥塗膜内にてネットワークを形成し、ペースト層内の溶剤揮発のパスを作り、拡散を促す作用を有する。さらに好ましくは溶剤として特定条件を満たす混合溶剤を用いることにより、さらに溶剤の揮発は促進され、結果としてペースト塗膜が減率乾燥に達した後であっても溶剤の移動がスムースになる。このような手法を組み合わせる事により、リング状凹みが低減され、L/S=50/50μm以下のレーザーエッチング加工によって形成したパターンにおいて回路の断線不良を抑制することができる好適な導電性被膜を得ることができる。
さらに本組成では塗膜内部に残留溶剤が残りにくく、結果として密着性が改良される。またレーザーエッチング時に残留溶剤が急激に揮発して発散することに伴うフラッシングが未然に防止されるため、さらに生産性にプラスの効果を得ることが出来る。
On the other hand, taking a long drying time causes a problem in productivity. By preliminarily blending the conductive paste composition with a component that easily forms a drying path in the lapse rate drying process, the present inventors can obtain good quality without lowering the drying temperature in the lapse rate drying region. It has been found that the conductive coating material to have is realized.
In the present invention, silicon dioxide particles having an average particle diameter of 5 nm or more and 200 nm or less, carbon particles having an average particle diameter of 5 nm or more and 200 nm or less, and an average particle diameter of 50 nm or more and 3000 nm or less, which are added separately from the conductive particles, are added. The ion-catching agent particles of the above form a network in the dry coating film of the paste, form a path for solvent volatilization in the paste layer, and have an action of promoting diffusion. More preferably, by using a mixed solvent satisfying a specific condition as the solvent, the volatilization of the solvent is further promoted, and as a result, the movement of the solvent becomes smooth even after the paste coating film reaches the reduced rate drying. By combining such a method, a ring-shaped dent is reduced, and a suitable conductive film capable of suppressing a circuit disconnection defect in a pattern formed by laser etching processing with L / S = 50/50 μm or less is obtained. be able to.
Further, in this composition, the residual solvent is less likely to remain inside the coating film, and as a result, the adhesion is improved. In addition, since the residual solvent is rapidly volatilized during laser etching to prevent flushing due to its emission, a positive effect on productivity can be further obtained.
本発明の導電性被膜は、導電フィラーとバインダ樹脂からなる導電性組成物により構成され、皮膜表面に存在する、直径50μm以下のリング状凹み欠点の存在密度が50個/cm2以下である事を特徴とし、好ましくは前記導電性皮膜において、リング状凹みが存在しない部分の表面粗さRaが0.1以上、1.0μm以下であり、さらに好ましくは導電性皮膜の平均膜厚が2μm以上、20μm以下である。
本発明におけるリング状凹み欠点の一例を図1に示す。リング状凹み欠点は、周囲より膜厚が減じている部分がリング形状を形成しており、リングに囲まれた中央が隆起したカルデラ火山状の断面形態を有している。かかる形態の欠点が生じる過程を詳細に観察するには至っていないが、印刷直後の未乾燥被膜表面では観察されないため、導電性被膜の乾燥過程で生じるものと考えられる。The conductive film of the present invention is composed of a conductive composition composed of a conductive filler and a binder resin, and the presence density of ring-shaped dent defects having a diameter of 50 μm or less on the surface of the film is 50 pieces / cm2 or less. Characteristically, the surface roughness Ra of the portion of the conductive film having no ring-shaped dent is 0.1 or more and 1.0 μm or less, and more preferably the average film thickness of the conductive film is 2 μm or more and 20 μm or less. be.
FIG. 1 shows an example of the ring-shaped dent defect in the present invention. The defect of the ring-shaped dent is that the portion where the film thickness is reduced from the surroundings forms a ring shape, and the center is surrounded by the ring and has a caldera volcanic cross-sectional shape. Although the process in which the defects of this form occur has not been observed in detail, it is considered to occur in the drying process of the conductive film because it is not observed on the surface of the undried film immediately after printing.
レーザーエッチング工法とは、導電性ペーストの塗布乾燥により得られた導電性被膜の不要部分をレーザー・アブレーションにて除去することにより微細線を形成する方法である。レーザーエッチング前の塗膜に「気泡跡」「抜け」などのような、得分的に導電性被膜が存在しない欠点があった場合に、その部分がエッチング後の断線欠点となることは容易に理解できる。リング状凹み欠点は、塗膜表面の比較的大きな凹凸ではあるが、必ずしも完全に導電被膜が存在しない部分があるわけではない。にもかかわらず、リング状凹み欠点が存在した部分はレーザーエッチング加工後の微細線の断線になり易い。
かかる現象はリング状凹み欠点の中央凸部が、周囲のリング状凹みによって塗膜内で半断熱状態に置かれるたえ、中央部分に熱の蓄積が生じ、異常なアブレーションを引き起こすことによると考えられる。The laser etching method is a method of forming fine lines by removing an unnecessary portion of a conductive film obtained by applying and drying a conductive paste by laser ablation. It is easy to understand that if the coating film before laser etching has defects such as "bubble marks" and "missing" that the conductive film does not exist, that part becomes a disconnection defect after etching. can. The defect of the ring-shaped dent is a relatively large unevenness on the surface of the coating film, but there is not necessarily a portion where the conductive film is not completely present. Nevertheless, the portion where the ring-shaped dent defect is present tends to break the fine wire after the laser etching process.
It is considered that this phenomenon is caused by the fact that the central convex part of the ring-shaped dent defect is placed in a semi-insulated state in the coating film by the surrounding ring-shaped dent, and heat is accumulated in the central part, causing abnormal ablation. Be done.
従って、良好なレーザーエッチング性を得るために、導電性被膜に存在するリング状凹み欠点の個数は少ない方が良く、その存在密度は50個/cm2以下であることが必須で有り、好ましくは20個/cm2以下であり、さらに好ましくは8個/cm2以下であり、なお好ましくは3個/cm2以下である。
また本発明では、リング状凹みが存在しない部分の表面粗さRaが0.1以上、1.0μm以下であることが好ましく、さらに0.1以上0.8μm以下で有り、さらに好ましくは0.1μm以上0.6μm以下である。
また、本発明の導電性被膜の平均膜厚は2μm以上、20μm以下であり、好ましくは3μm以上、14μm以下で有り、さらに好ましくは4μm以上11μm以下である。Therefore, in order to obtain good laser etching properties, it is better that the number of ring-shaped dent defects existing in the conductive film is small, and it is essential that the abundance density is 50 pieces / cm2 or less, preferably 20 pieces. Pieces / cm2 or less, more preferably 8 pieces / cm2 or less, still more preferably 3 pieces / cm2 or less.
Further, in the present invention, the surface roughness Ra of the portion where the ring-shaped dent does not exist is preferably 0.1 or more and 1.0 μm or less, more preferably 0.1 or more and 0.8 μm or less, and further preferably 0. It is 1 μm or more and 0.6 μm or less.
The average film thickness of the conductive film of the present invention is 2 μm or more and 20 μm or less, preferably 3 μm or more and 14 μm or less, and more preferably 4 μm or more and 11 μm or less.
本発明のリング状凹み欠点の少ない導電性被膜は、導電フィラーとバインダ樹脂と溶剤からなる導電性ペーストを低温でかつ十分に長い時間をかけて、例えば60℃~100℃程度で60分から300分程度の条件にて乾燥固化させることによって実現可能である。しかしながら、実際の製造工程で、このような長時間を導電ペーストの乾燥過程に費やすことは事実上不可能である。 In the conductive film having few ring-shaped dent defects of the present invention, a conductive paste composed of a conductive filler, a binder resin and a solvent is applied at a low temperature for a sufficiently long time, for example, at about 60 ° C to 100 ° C for 60 to 300 minutes. It can be realized by drying and solidifying under some conditions. However, in the actual manufacturing process, it is virtually impossible to spend such a long time in the drying process of the conductive paste.
本発明では、少なくとも以下に示す(1)~(3)のいずれかの方法により、本発明の目的とするリング状凹み欠点の少ない導電性被膜を得ることが出来る。
(1)少なくとも平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の銀粒子、および平均粒子径が5nm以上、200nm以下の二酸化珪素粒子、高分子バインダ樹脂に、さらに溶剤を含む導電性ペーストを用いる方法、
(2)少なくとも平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の銀粒子、および平均粒子径が5nm以上、200nm以下のカーボン粒子、高分子バインダ樹脂に、さらに溶剤を含む導電性ペーストを用いる方法
(3)少なくとも平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の銀粒子、および平均粒子径が50nm以上、3000nm以下のイオン補足剤粒子、高分子バインダ樹脂にさらに溶剤を含む導電性ペーストを用いる方法。In the present invention, at least one of the methods (1) to (3) shown below can be used to obtain a conductive film having few ring-shaped dent defects, which is the object of the present invention.
(1) A method in which a conductive paste containing a solvent is used for silver particles having an average particle size of at least 0.3 μm or more and 6 μm or less, silicon dioxide particles having an average particle size of 5 nm or more and 200 nm or less, and a polymer binder resin.
(2) A method in which a conductive paste containing a solvent is used for silver particles having an average particle diameter of at least 0.3 μm or more and 6 μm or less, carbon particles having an average particle diameter of 5 nm or more and 200 nm or less, and a polymer binder resin.
(3) A method of using silver particles having an average particle diameter of 0.3 μm or more and 6 μm or less, ion-catching agent particles having an average particle diameter of 50 nm or more and 3000 nm or less, and a conductive paste containing a solvent in a polymer binder resin.
本発明の導電ペーストは、少なくとも
(A)高分子バインダ樹脂、
(B)平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の金属粉
(C)有機溶剤
(D)平均粒子径が5nm以上、200nm以下の二酸化珪素粒子
を含有する。本組成において二酸化珪素粒子がペースト乾燥塗膜内にてネットワークを形成し、ペースト層内の溶剤揮発を促す作用を有する。さらに好ましくは溶剤として特定条件を満たす混合溶剤を用いることにより、さらに溶剤の揮発は促進され、結果としてペースト塗膜が減率乾燥に達した後であっても溶剤の移動がスムースになる。結果、リング状凹みが低減され、L/S=50/50μm以下のレーザーエッチング加工によって形成したパターンにおいて回路の断線不良を抑制することができる。さらに本組成では塗膜内部に残留溶剤が残りにくく、結果として密着性が改良される。The conductive paste of the present invention is at least (A) a polymer binder resin,
(B) Metal powder having an average particle diameter of 0.3 μm or more and 6 μm or less (C) Organic solvent (D) Contains silicon dioxide particles having an average particle diameter of 5 nm or more and 200 nm or less. In this composition, the silicon dioxide particles form a network in the paste dry coating film and have an action of promoting solvent volatilization in the paste layer. More preferably, by using a mixed solvent satisfying a specific condition as the solvent, the volatilization of the solvent is further promoted, and as a result, the movement of the solvent becomes smooth even after the paste coating film reaches the reduced rate drying. As a result, the ring-shaped dent is reduced, and it is possible to suppress the disconnection defect of the circuit in the pattern formed by the laser etching process of L / S = 50/50 μm or less. Further, in this composition, the residual solvent is less likely to remain inside the coating film, and as a result, the adhesion is improved.
本発明の導電ペーストは、少なくとも
少なくとも平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の金属粒子(B)
平均粒子径が5nm以上、200nm以下のカーボン粒子(E)、
高分子バインダ樹脂(A)、
有機溶剤(C)
を含有する。本組成においてカーボン粒子が乾燥塗膜内にてネットワークを形成し、ペースト層内の溶剤揮発を促す作用を有する。さらに好ましくは溶剤として特定条件を満たす混合溶剤を用いることにより、さらに溶剤の揮発は促進され、結果としてペースト塗膜が減率乾燥に達した後であっても溶剤の移動がスムースになる。結果、リング状凹みが低減され、L/S=50/50μm以下のレーザーエッチング加工によって形成したパターンにおいて回路の断線不良を抑制することができる。さらに本組成では塗膜内部に残留溶剤が残りにくく、結果として密着性が改良される。The conductive paste of the present invention has at least metal particles (B) having an average particle diameter of 0.3 μm or more and 6 μm or less.
Carbon particles (E) with an average particle diameter of 5 nm or more and 200 nm or less,
Polymer binder resin (A),
Organic solvent (C)
Contains. In this composition, the carbon particles form a network in the dry coating film and have an action of promoting solvent volatilization in the paste layer. More preferably, by using a mixed solvent satisfying a specific condition as the solvent, the volatilization of the solvent is further promoted, and as a result, the movement of the solvent becomes smooth even after the paste coating film reaches the reduced rate drying. As a result, the ring-shaped dent is reduced, and it is possible to suppress the disconnection defect of the circuit in the pattern formed by the laser etching process of L / S = 50/50 μm or less. Further, in this composition, the residual solvent is less likely to remain inside the coating film, and as a result, the adhesion is improved.
本発明の導電ペーストは、少なくとも
(B)平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の銀粒子、および
(G)平均粒子径が5nm以上、200nm以下のカーボンまたは二酸化珪素粒子、
(H)平均粒子径が0.1μm以上、3μm以下の無機粒子、
(A)高分子バインダー樹脂、
(E)溶剤
を含有する。本組成においては(G)カーボンまたは二酸化珪素粒子に加えて、(H)平均粒子径が0.1μm以上、3μm以下の無機粒子がペーストの乾燥塗膜内にてネットワークを形成し、ペースト層内の溶剤揮発を促す作用を有する。さらに好ましくは溶剤として特定条件を満たす混合溶剤を用いることにより、さらに溶剤の揮発は促進され、結果としてペースト塗膜が減率乾燥に達した後であっても溶剤の移動がスムースになる。結果、リング状凹みが低減され、L/S=50/50μm以下のレーザーエッチング加工によって形成したパターンにおいて回路の断線不良を抑制することができる。さらに本組成では塗膜内部に残留溶剤が残りにくく、結果として密着性が改良される。またレーザーエッチング時に残留溶剤が急激に揮発して発散することに伴うフラッシングが未然に防止されるため、さらに生産性にプラスの効果を得ることが出来る。The conductive paste of the present invention comprises at least (B) silver particles having an average particle size of 0.3 μm or more and 6 μm or less, and (G) carbon or silicon dioxide particles having an average particle size of 5 nm or more and 200 nm or less.
(H) Inorganic particles with an average particle diameter of 0.1 μm or more and 3 μm or less,
(A) Polymer binder resin,
(E) Contains a solvent. In this composition, in addition to (G) carbon or silicon dioxide particles, (H) inorganic particles having an average particle diameter of 0.1 μm or more and 3 μm or less form a network in the dry coating film of the paste and form a network in the paste layer. It has the effect of promoting solvent volatilization. More preferably, by using a mixed solvent satisfying a specific condition as the solvent, the volatilization of the solvent is further promoted, and as a result, the movement of the solvent becomes smooth even after the paste coating film reaches the reduced rate drying. As a result, the ring-shaped dent is reduced, and it is possible to suppress the disconnection defect of the circuit in the pattern formed by the laser etching process of L / S = 50/50 μm or less. Further, in this composition, the residual solvent is less likely to remain inside the coating film, and as a result, the adhesion is improved. In addition, since the residual solvent is rapidly volatilized during laser etching to prevent flushing due to its emission, a positive effect on productivity can be further obtained.
本発明におけるバインダ樹脂(A)の種類は熱可塑性樹脂であれば特に限定されないが、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン、スチレンーアクリル樹脂、スチレンーブタジエン共重合体、フェノール樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、スチレンーアクリル樹脂、スチレンーブタジエン共重合樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合、ポリスチレン、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂等を挙げることができ、これらの樹脂は単独で、あるいは2種以上の混合物として、使用することができる。この中でもポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、繊維素誘導体樹脂からなる群から選ばれる1種又は2種以上の混合物であることが好ましい。また、これらの樹脂の中でも、ポリエステル樹脂、ポリエステル成分を共重合成分として含有するポリウレタン樹脂(以下ポリエステルポリウレタン樹脂と呼ぶ場合がある)、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂のうち少なくとも1種以上を用いることが、バインダ樹脂としてより好ましい。 The type of the binder resin (A) in the present invention is not particularly limited as long as it is a thermoplastic resin, but polyester resin, epoxy resin, phenoxy resin, butyral resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polycarbonate resin, polyurethane resin, phenol resin, and the like. Acrylic resin, polystyrene, styrene-acrylic resin, styrene-butadiene copolymer, phenol resin, polyethylene resin, polycarbonate resin, phenol resin, alkyd resin, styrene-acrylic resin, styrene-butadiene copolymer resin, polysulfone resin, poly Examples thereof include ether sulfone resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, polystyrene, silicone resin, fluororesin and the like, and these resins can be used alone or as a mixture of two or more kinds. Can be used. Among these, one or a mixture of two or more selected from the group consisting of polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, phenoxy resin, vinyl chloride resin, and fibrous derivative resin is preferable. Further, among these resins, at least one of a polyester resin, a polyurethane resin containing a polyester component as a copolymerization component (hereinafter, may be referred to as a polyester polyurethane resin), an epoxy resin, and a phenoxy resin can be used. More preferable as a binder resin.
本発明におけるバインダ樹脂としてポリエステル樹脂を用いることの利点の一つとして、分子設計の自由度の高さにある。ポリエステル樹脂を構成するジカルボン酸およびグリコール成分を選定し、共重合成分を自在に変化させることができ、また、分子鎖中、もしくは分子末端への官能基の付与も容易である。このため、得られるポリエステル樹脂のガラス転移温度や基材および導電性ペーストに配合される他の成分との親和性等の樹脂の特性を適宜調整することができる。 One of the advantages of using the polyester resin as the binder resin in the present invention is the high degree of freedom in molecular design. The dicarboxylic acid and glycol components constituting the polyester resin can be selected and the copolymerization component can be freely changed, and it is easy to add a functional group in the molecular chain or to the end of the molecule. Therefore, the characteristics of the resin such as the glass transition temperature of the obtained polyester resin and the affinity with the base material and other components blended in the conductive paste can be appropriately adjusted.
本発明におけるバインダ樹脂として用いられるポリエステル樹脂の共重合成分として使用することのできるジカルボン酸の例としては、テレフタル酸、イソフタル酸、オルソフタル酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸、アゼライン酸等の脂肪族ジカルボン酸、ダイマー酸等の炭素数12~28の二塩基酸、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸、1,3-シクロヘキサンジカルボン酸、1,2-シクロヘキサンジカルボン酸、4-メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、3-メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、2-メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ジカルボキシ水素添加ビスフェノールA、ジカルボキシ水素添加ビスフェノールS、ダイマー酸、水素添加ダイマー酸、水素添加ナフタレンジカルボン酸、トリシクロデカンジカルボン酸等の脂環族ジカルボン酸、ヒドロキシ安息香酸、乳酸等のヒドロキシカルボン酸を挙げることができる。また、発明の効果を損なわない範囲で、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等の三価以上のカルボン酸、フマール酸等の不飽和ジカルボン酸、および/または、5-スルホイソフタル酸ナトリウム塩等の
スルホン酸金属塩基含有ジカルボン酸を共重合成分として併用してもよい。Examples of the dicarboxylic acid that can be used as a copolymerization component of the polyester resin used as the binder resin in the present invention include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, orthophthalic acid, and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid. An aliphatic dicarboxylic acid such as succinic acid, glutaric acid, adipic acid, sebacic acid, dodecandicarboxylic acid, and azelaic acid, a dibasic acid having 12 to 28 carbon atoms such as dimeric acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3 -Cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 4-methylhexahydrohydride phthalic acid, 3-methylhexahydrohydride phthalic acid, 2-methylhexahydrohydride phthalic acid, dicarboxyhydrogenated bisphenol A, dicarboxyhydrogen Examples thereof include alicyclic dicarboxylic acids such as added bisphenol S, dimer acid, hydrogenated dimer acid, hydrogenated naphthalenedicarboxylic acid and tricyclodecanedicarboxylic acid, and hydroxycarboxylic acids such as hydroxybenzoic acid and lactic acid. Further, as long as the effects of the present invention are not impaired, trivalent or higher carboxylic acids such as trimellitic anhydride and pyromellitic anhydride, unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, and / or 5-sulfoisophthalic acid sodium salts and the like. Dicarboxylic acid containing a metal sulfonate metal base may be used in combination as a copolymerization component.
本発明におけるバインダ樹脂として用いられるポリエステル樹脂の共重合成分として使用することのできるポリオールの例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3-プロパンジオール、1,4-ブタンジオール、1,5-ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、1,6-ヘキサンジオール、3-メチル-1,5-ペンタンジオール、2-メチル-1,5-ペンタンジオール、2-メチル-1,3-プロパンジオール、2,2-ジエチル-1,3-プロパンジオール、2-ブチル-2-エチル-1,3-プロパンジオール、1,9-ノナンジオール、1,10-デカンジオール等の脂肪族ジオール、1,4-シクロヘキサンジメタノール、1,3-シクロヘキサンジメタノール、1,2-シクロヘキサンジメタノール、ダイマージオール等の脂環族ジオールが挙げられる。また、発明の効果を損なわない範囲でトリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、グリセリン、ペンタエリスリトール、ポリグリセリン等の三価以上のポリオールを共重合成分として併用してもよい。 Examples of polyols that can be used as a copolymerization component of the polyester resin used as the binder resin in the present invention include ethylene glycol, propylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, and 1,5-. Pentandiol, neopentaneglycol, 1,6-hexanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 2-methyl-1,5-pentanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 2,2 -Diethyl-1,3-propanediol, 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol, 1,9-nonanediol, aliphatic diols such as 1,10-decanediol, 1,4-cyclohexanedi Examples thereof include alicyclic diols such as methanol, 1,3-cyclohexanedimethanol, 1,2-cyclohexanedimethanol, and dimerdiol. Further, a trivalent or higher-valent polyol such as trimethylolethane, trimethylolpropane, glycerin, pentaerythritol, and polyglycerin may be used in combination as a copolymerization component as long as the effects of the invention are not impaired.
本発明におけるバインダ樹脂として用いられるポリエステル樹脂は密着性や併用する他の樹脂との相溶性及び耐熱衝撃性等の観点から、前記ポリエステル樹脂を構成する全酸成分のうち脂肪族ジカルボン酸が10モル%以上共重合されていることが好ましく、より好ましくは20モル%以上、さらに好ましくは30モル%以上である。芳香族ジカルボン酸成分の共重合比率が高すぎると、得られるポリエステル樹脂のガラス転移温度が60℃以上となり、併用する樹脂との相溶性悪化に起因する保存安定性の悪化やレーザーエッチング加工の直線性の低下、得られる導電性薄膜のレーザーエッチング後の密着性低下が起きる可能性がある。 The polyester resin used as the binder resin in the present invention contains 10 mol of the aliphatic dicarboxylic acid among all the acid components constituting the polyester resin from the viewpoints of adhesion, compatibility with other resins used in combination, and thermal shock resistance. % Or more is preferably copolymerized, more preferably 20 mol% or more, still more preferably 30 mol% or more. If the copolymerization ratio of the aromatic dicarboxylic acid component is too high, the glass transition temperature of the obtained polyester resin becomes 60 ° C or higher, and the storage stability deteriorates due to the deterioration of compatibility with the resin used in combination, and the straight line of laser etching processing. There is a possibility that the property will be reduced and the adhesion of the obtained conductive thin film after laser etching will be reduced.
本発明におけるバインダ樹脂としてポリウレタン樹脂を用いることも好ましい実施態様である。ポリエステル樹脂の場合と同様、ポリウレタン樹脂に関しても、ポリウレタン樹脂を構成する共重合成分として適切な成分を選定し、また、分子鎖中、もしくは分子末端への官能基の付与をおこなうことにより、ガラス転移温度や基材および導電性ペーストに配合される他の成分との親和性等の樹脂の特性を適宜調整することができる。 It is also a preferred embodiment to use a polyurethane resin as the binder resin in the present invention. As in the case of polyester resin, for polyurethane resin, glass transition is performed by selecting an appropriate component as a copolymerization component constituting the polyurethane resin and by imparting a functional group in the molecular chain or to the end of the molecule. The characteristics of the resin such as the temperature and the affinity with the base material and other components blended in the conductive paste can be appropriately adjusted.
ポリウレタン樹脂の共重合成分に関しても特に限定はされないが、設計の自由度や耐湿熱性、耐久性の維持といった観点から、ポリエステルポリオールを共重合成分として用いるポリエステルポリウレタン樹脂であることが好ましい。前記ポリエステルポリオールの好適な例としては、前述の本発明におけるバインダ樹脂として用いることのできるポリエステル樹脂のうちポリオールであるものを挙げることができる。 The copolymerization component of the polyurethane resin is also not particularly limited, but a polyester polyurethane resin using a polyester polyol as a copolymerization component is preferable from the viewpoint of design freedom, moisture and heat resistance, and maintenance of durability. Preferable examples of the polyester polyol include those that are polyols among the polyester resins that can be used as the binder resin in the present invention described above.
本発明におけるバインダ樹脂として用いられるポリウレタン樹脂は、例えばポリオールとポリイソシアネートの反応によって得ることができる。前記ポリウレタン樹脂の共重合成分として用いることのできるポリイソシアネートとしては、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、m-フェニレンジイソシアネート、3,3’-ジメトキシ-4,4’-ビフェニレンジイソシアネート、2,6-ナフタレンジイソシアネート、3,3’-ジメチル-4,4’-ビフェニレンジイソシアネート、4,4’-ジフェニレンジイソシアネート、4,4’-ジイソシアネートジフェニルエーテル、1,5-ナフタレンジイソシアネート、m-キシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート等を挙げることがで、芳香族ジイソシアネート、脂肪族ジイソシアネートおよび脂環族ジイソシアネートのいずれであっても良い。また、本発明の効果を損なわない範囲で、三価以上のイソシアネート化合物を共重合成分として併用しても良い。 The polyurethane resin used as the binder resin in the present invention can be obtained, for example, by reacting a polyol with a polyisocyanate. Examples of the polyisocyanide that can be used as a copolymerization component of the polyurethane resin include 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, and m-phenylene diisocyanate. , 3,3'-dimethoxy-4,4'-biphenylene diisocyanate, 2,6-naphthalene diisocyanate, 3,3'-dimethyl-4,4'-biphenylene diisocyanate, 4,4'-diphenylene diisocyanate, 4,4 '-Diisocyanide diphenyl ether, 1,5-naphthalenediocyanide, m-xylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, toluene diisocyanate, etc. It may be either. Further, as long as the effect of the present invention is not impaired, an isocyanate compound having a trivalent or higher valence may be used in combination as a copolymerization component.
本発明におけるバインダ樹脂として用いられるポリウレタン樹脂には、イソシアネートと反応し得る官能基を有する化合物を必要に応じて共重合することができる。イソシアネートと反応し得る官能基としては、水酸基及びアミノ基が好ましく、いずれか一方を有するものでも双方を有するものであっても良い。その具体的な例としては、ジメチロールブタン酸、ジメチロールプロピオン酸、1,2-プロピレングリコール、1,2-ブチレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,3-ブチレングリコール、2,2
-ジメチル-1,3-プロパンジオール、3-メチル-1,5-ペンタンジオール、2,2,4-トリメチル-1,3-ペンタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、2,2-ジメチル-3-ヒドロキシプロピル-2’,2’-ジメチル-3’-ヒドロキシプロパネート、2-ノルマルブチル-2-エチル-1,3-プロパンジオール、3-エチル-1,5-ペンタンジオール、3-プロピル-1,5-ペンタンジオール、2,2-ジエチル-1,3-プロパンジオール、3-オクチル-1,5-ペンタンジオール、3-フェニル-1,5-ペンタンジオール、2,5-ジメチル-3-ナトリウムスルホ-2,5-ヘキサンジオール、ダイマージオール(たとえば、ユニケマ・インターナショナル社製PRIPOOL-2033)等の1分子中に2個の水酸基を有する化合物、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、グリセリン、ペンタエリスリトール、ポリグリセリン等の1分子中に3個以上の水酸基を有するアルコール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の1分子に1個以上の水酸基とアミノ基を有するアミノアルコール、エチレンジアミン、1,6-ヘキサンジアミン、1,8-オクタンジアミン、1,9-ノナンジアミン、1,10-デカンジアミン、1,11-ウンデカンジアミン、1,12-ドデカンジアミンなどの脂肪族ジアミンやメタキシレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル等の芳香族ジアミンなどの1分子中に2個のアミノ基を有する化合物が挙げられる。上記の数平均分子量1,000未満の1分子に2個以上のイソシアネートと反応し得る官能基を有する化合物は単独で用いてもよいし複数を併用しても何ら問題はない。The polyurethane resin used as the binder resin in the present invention can be copolymerized with a compound having a functional group capable of reacting with isocyanate, if necessary. As the functional group capable of reacting with isocyanate, a hydroxyl group and an amino group are preferable, and those having either one or both may be used. Specific examples thereof include dimethylol butanoic acid, dimethylol propionic acid, 1,2-propylene glycol, 1,2-butylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,3-butylene glycol, 2,2.
-Dimethyl-1,3-propanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, 2,2 -Dimethyl-3-hydroxypropyl-2', 2'-dimethyl-3'-hydroxypropanol, 2-normalbutyl-2-ethyl-1,3-propanediol, 3-ethyl-1,5-pentanediol, 3-propyl-1,5-pentanediol, 2,2-diethyl-1,3-propanediol, 3-octyl-1,5-pentanediol, 3-phenyl-1,5-pentanediol, 2,5- Compounds having two hydroxyl groups in one molecule, such as dimethyl-3-sodiumsulfo-2,5-hexanediol and dimerdiol (for example, PRIPOOL-2033 manufactured by Unichema International), trimethylolethane, trimethylolpropane, etc. Alcohol having 3 or more hydroxyl groups in one molecule such as glycerin, pentaerythritol, polyglycerin, etc., aminoalcohol having one or more hydroxyl groups and amino groups in one molecule such as monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, etc., ethylenediamine , 1,6-Hexanediamine, 1,8-octanediamine, 1,9-nonanediamine, 1,10-decanediamine, 1,11-undecanediamine, 1,12-dodecanediol and other aliphatic diamines and methaxylenediol amines. , 4,4'-Diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether and other aromatic diamines and the like, examples thereof include compounds having two amino groups in one molecule. The above-mentioned compound having a functional group capable of reacting with two or more isocyanates in one molecule having a number average molecular weight of less than 1,000 may be used alone or in combination of two or more without any problem.
本発明におけるバインダ樹脂として用いられるエポキシ樹脂は、たとえば、ビスフェノールAグリシジルエーテル、ビスフェノールSグリシジルエーテル、ノボラックグリシジルエーテル、ブロム化ビスなどのグリシジルエーテルタイプ、ヘキサヒドロフタル酸グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステルなどのグリシジルエステルタイプ、トリグリシジルイソシアヌレート、あるいは3,4?エポキシシクロヘキシルメチルカルボキシレート、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化大豆油などの脂環族あるいは脂肪族エポキサイドなどが挙げられ、一種単独で用いても二種以上を併用しても構わない。このうち塗膜の耐久性の観点より、ビスフェノールAグリシジルエーテルが好ましく、一分子中にグリシジルエーテル基を2つ以上有するものがさらに好ましい。 The epoxy resin used as the binder resin in the present invention includes, for example, glycidyl ether types such as bisphenol A glycidyl ether, bisphenol S glycidyl ether, novolak glycidyl ether, and brominated bis, hexahydrophthalic acid glycidyl ester, and dimer acid glycidyl ester. Examples include glycidyl ester type, triglycidyl isocyanurate, or alicyclic or aliphatic epoxiside such as 3,4? Epoxycyclohexylmethylcarboxylate, epoxidized polybutadiene, and epoxidized soybean oil. The above may be used together. Of these, bisphenol A glycidyl ether is preferable from the viewpoint of durability of the coating film, and those having two or more glycidyl ether groups in one molecule are more preferable.
本発明におけるバインダ樹脂の数平均分子量は特に限定はされないが、数平均分子量が5,000~60,000であることが好ましく、より好ましくは10000~40000である。数平均分子量が低すぎると、形成された導電性薄膜の耐久性、耐湿熱性の面で好ましくない。一方、数平均分子量が高すぎると、樹脂の凝集力が増し、導電性薄膜としての耐久性等は向上するものの、レーザーエッチング加工適性が顕著に悪化する。 The number average molecular weight of the binder resin in the present invention is not particularly limited, but the number average molecular weight is preferably 5,000 to 60,000, more preferably 10,000 to 40,000. If the number average molecular weight is too low, it is not preferable in terms of durability and moisture heat resistance of the formed conductive thin film. On the other hand, if the number average molecular weight is too high, the cohesive force of the resin is increased and the durability as a conductive thin film is improved, but the suitability for laser etching processing is significantly deteriorated.
本発明におけるバインダ樹脂のガラス転移温度は120℃以下であることが好ましく、100℃以下であることがより好ましい。ガラス転移温度が低いと、レーザーエッチング後の直線性が良好になり、レーザーエッチング後の基材密着性が良好な傾向となる。 The glass transition temperature of the binder resin in the present invention is preferably 120 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower. When the glass transition temperature is low, the linearity after laser etching becomes good, and the adhesion to the substrate after laser etching tends to be good.
本発明におけるバインダ樹脂の酸価は特に限定されないが、酸価が高すぎると、形成される導電性薄膜の吸水性が高くなる上、カルボキシル基による触媒作用によりバインダ樹脂の加水分解が促進される可能性があり、導電性薄膜の信頼性の低下につながる可能性がある。加水分解はガラス転移温度が低いほうがより顕著である。そこで、バインダ樹脂の酸価を低酸価、好ましくは400eq/ton未満、より好ましくは300eq/ton以下とすることで、導電性薄膜の高信頼性とレーザーエッチングの直線性および密着性を併せ持つ導電性ペーストを実現するに至った。 The acid value of the binder resin in the present invention is not particularly limited, but if the acid value is too high, the water absorption of the formed conductive thin film becomes high, and the hydrolysis of the binder resin is promoted by the catalytic action of the carboxyl group. There is a possibility, which may lead to a decrease in the reliability of the conductive thin film. Hydrolysis is more pronounced at lower glass transition temperatures. Therefore, by setting the acid value of the binder resin to a low acid value, preferably less than 400 eq / ton, more preferably 300 eq / ton or less, the conductivity of the conductive thin film has both high reliability and laser etching linearity and adhesion. We have come to realize a sex paste.
本発明に用いられる金属粉(B)としては、銀粉、金粉、白金粉、パラジウム粉等の貴金属粉、銅粉、ニッケル粉、アルミ粉、真鍮粉等の卑金属粉、銀等の貴金属でめっき又は合金化した卑金属粉等、例えば銀コート銅粉を挙げることができる。これらの金属粉は、単独で用いてもよく、また、併用してもよい。これらの中でも導電性、安定性、コスト等を考慮すると銀粉単独及び/又は銀をメッキした銀メッキ銅粉、或いは銀メッキ合金粉を主体とするものが好ましい。 The metal powder (B) used in the present invention includes precious metal powder such as silver powder, gold powder, platinum powder and palladium powder, base metal powder such as copper powder, nickel powder, aluminum powder and brass powder, and noble metal such as silver. Examples thereof include alloyed base metal powders and the like, for example, silver-coated copper powders. These metal powders may be used alone or in combination. Among these, in consideration of conductivity, stability, cost and the like, silver powder alone and / or silver-plated copper powder plated with silver or silver-plated alloy powder is preferable.
本発明に用いられる金属粉の形状は特に限定されない。従来から知られている金属粉の形状の例としては、フレーク状(リン片状)、球状、樹枝状(デンドライト状)、特開平9-306240号公報に記載されている球状の1次粒子が3次元状に凝集した形状(凝集状)等があり、レーザーエッチング性の観点よりこれらの中で、球状、凝集状およびフレーク状の金属粉を用いることが好ましく、さらに好ましくはフレーク状、凝集状である。 The shape of the metal powder used in the present invention is not particularly limited. Examples of conventionally known metal powder shapes include flake-like (flint-like), spherical, dendrite-like, and spherical primary particles described in JP-A-9-306240. There are three-dimensionally agglomerated shapes (aggregated) and the like, and from the viewpoint of laser etching properties, it is preferable to use spherical, agglomerated and flake-shaped metal powders, and more preferably flake-shaped and agglomerated-like. Is.
本発明に用いられる金属粉の中心径(D50)は6μm以下であることが好ましく、4μm以下であることがより好ましく、2μm以下であることがさらに好ましい。中心径が6μm以下の金属粉を用いることで、レーザーエッチング加工部位の細線形状が良好となる傾向にある。中心径が6μmより大きい金属粉を用いた場合には、レーザーエッチング加工後の細線形状が悪くなり、結果として細線同士が接触を起こし、短絡を招く可能性がある。さらには、レーザーエッチング加工で、一旦剥離・除去した導電性薄膜が再度加工部位に付着する可能性がある。金属粉の中心径の下限は特に限定されないが、コスト的観点ならびに、粒径が細かくなると凝集し易く、結果として分散が困難となるため中心径は80nm以上であることが好ましく、0.3μm以上であることがより好ましい。中心径が80nmより小さくなると、金属粉の凝集力が増し、レーザーエッチング加工適正が悪化する他、コスト的観点からも好ましくない。 The center diameter (D50) of the metal powder used in the present invention is preferably 6 μm or less, more preferably 4 μm or less, and further preferably 2 μm or less. By using a metal powder having a center diameter of 6 μm or less, the fine wire shape of the laser-etched portion tends to be good. When a metal powder having a center diameter larger than 6 μm is used, the shape of the fine wires after the laser etching process deteriorates, and as a result, the fine wires may come into contact with each other, resulting in a short circuit. Furthermore, there is a possibility that the conductive thin film once peeled off and removed by laser etching processing will adhere to the processed portion again. The lower limit of the center diameter of the metal powder is not particularly limited, but from the viewpoint of cost, it is easy to aggregate when the particle size is fine, and as a result, it becomes difficult to disperse. Therefore, the center diameter is preferably 80 nm or more, preferably 0.3 μm or more. Is more preferable. When the center diameter is smaller than 80 nm, the cohesive force of the metal powder increases, the laser etching processing suitability deteriorates, and it is not preferable from the viewpoint of cost.
なお、中心径(D50)とは、何らかの測定方法によって得られた累積分布曲線(体積)において、その累積値が50%となる粒径(μm)のことである。本発明においては、累積分布曲線をレーザー回折散乱式粒度分布測定装置(日機装(株)製、MICROTRAC HRA)を用い全反射モードで測定することとする。 The center diameter (D50) is a particle size (μm) at which the cumulative value is 50% in the cumulative distribution curve (volume) obtained by some measuring method. In the present invention, the cumulative distribution curve is measured in the total reflection mode using a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device (MICROTRAC HRA manufactured by Nikkiso Co., Ltd.).
金属粉の含有量は、形成された導電性薄膜の導電性が良好であるという観点から、バインダ樹脂100質量部に対して、400質量部以上が好ましく、560質量部以上がより好ましい。また、成分の含有量は、基材との密着性において良好であるという観点から、バインダ樹脂100質量部に対して、1,900質量部以下が好ましく、1,230質量部以下がより好ましい。本発明で好ましく用いる事が出来るのは銀粒子(銀粉)である。 The content of the metal powder is preferably 400 parts by mass or more and more preferably 560 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the binder resin from the viewpoint of good conductivity of the formed conductive thin film. Further, the content of the component is preferably 1,900 parts by mass or less, and more preferably 1,230 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the binder resin from the viewpoint of good adhesion to the substrate. Silver particles (silver powder) can be preferably used in the present invention.
本発明に用いることのできる有機溶剤(C)は、とくに限定されないが、有機溶剤の揮発速度を適切な範囲に保つ観点から、沸点が100℃以上、300℃未満であることが好ましく、より好ましくは沸点が150℃以上、280℃未満である。本発明の導電性ペーストは、典型的にはバインダ樹脂、金属粉、有機溶剤および必要に応じてその他の成分を三本ロールミル等で分散して作製するが、その際に有機溶剤の沸点が低すぎると、分散中に溶剤が揮発し、導電性ペーストを構成する成分比が変化する懸念がある。一方で、有機溶剤の沸点が高すぎると、乾燥条件によっては溶剤が塗膜中に多量に残存する可能性があり、塗膜の信頼性低下を引き起こす懸念がある。 The organic solvent (C) that can be used in the present invention is not particularly limited, but the boiling point is preferably 100 ° C. or higher and lower than 300 ° C., more preferably, from the viewpoint of keeping the volatilization rate of the organic solvent in an appropriate range. Has a boiling point of 150 ° C. or higher and lower than 280 ° C. The conductive paste of the present invention is typically prepared by dispersing a binder resin, a metal powder, an organic solvent and other components as necessary with a three-roll mill or the like, but the boiling point of the organic solvent is low at that time. If it is too much, there is a concern that the solvent will volatilize during dispersion and the composition ratio of the conductive paste will change. On the other hand, if the boiling point of the organic solvent is too high, a large amount of the solvent may remain in the coating film depending on the drying conditions, which may cause a decrease in the reliability of the coating film.
また、本発明に用いることのできる有機溶剤としては、バインダ樹脂が可溶であり、かつ、金属粉を良好に分散させることができるものが好ましい。具体例としては、エチルジグリコールアセテート(EDGAC)、ブチルグリコールアセテート(BMGAC)、ブチルジグリコールアセテート(BDGAC)、シクロヘキサノン、トルエン、イソホロン、γ-ブチロラクトン、ベンジルアルコール、エクソン化学製のソルベッソ100,150,200、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アジピン酸、こはく酸およびグルタル酸のジメチルエステルの混合物(例えば、デュポン(株)社製DBE)、ターピオネール等が挙げられるが、これらの中で、バインダ樹脂の配合成分の溶解性に優れ、連続印刷時の溶剤揮発性が適度でありスクリーン印刷法等による印刷に対する適性が良好であるという観点から、EDGAC、BMGAC、BDGACおよびそれらの混合溶剤が好ましい。
Further, as the organic solvent that can be used in the present invention, one in which the binder resin is soluble and the metal powder can be dispersed well is preferable. Specific examples include ethyl diglycol acetate (EDGAC), butyl glycol acetate (BMGAC), butyl diglycol acetate (BDGAC), cyclohexanone, toluene, isophorone, γ-butyrolactone, benzyl alcohol,
有機溶剤の含有量としては、ペースト全重量100重量部に対して5重量部以上、40重量部以下であることが好ましく、10重量部以上、35重量部以下であることがさらに好ましい。有機溶剤の含有量が高すぎるとペースト粘度が低くなりすぎ、細線印刷の際にダレを生じやすくなる傾向にある。一方で有機溶剤の含有量が低すぎると、ペーストとしての粘度が極めて高くなり、導電性薄膜を形成させる際の例えばスクリーン印刷性が顕著に低下する他、形成された導電性薄膜の膜厚が厚くなり、レーザーエッチング加工性が低下する場合がある。 The content of the organic solvent is preferably 5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less, and more preferably 10 parts by weight or more and 35 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the total weight of the paste. If the content of the organic solvent is too high, the viscosity of the paste becomes too low, and there is a tendency that sagging is likely to occur during fine line printing. On the other hand, if the content of the organic solvent is too low, the viscosity of the paste becomes extremely high, and for example, the screen printability when forming the conductive thin film is remarkably lowered, and the film thickness of the formed conductive thin film is increased. It may become thicker and the laser etching processability may decrease.
本発明の導電性ペーストに用いる二酸化珪素粒子(D)の種類はなんら限定されるものではないが、シリカ、フュームドシリカ(例えば日本アエロジル社製のアエロジル)、コロイダルシリカ等を用いることができる。二酸化珪素粒子を用いない場合、導電性薄膜中のフィラー充填性が悪く、溶剤が突沸し、リング状凹みを生じやすくなる。一方、二酸化珪素粒子を用いることで、導電性薄膜中のフィラー充填性が高くなることで、溶剤が突沸しにくく、リング状凹みを抑制することができる。 The type of silicon dioxide particles (D) used in the conductive paste of the present invention is not limited, but silica, fumed silica (for example, Aerosil manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.), colloidal silica and the like can be used. When silicon dioxide particles are not used, the filler filling property in the conductive thin film is poor, the solvent bumps, and ring-shaped dents are likely to occur. On the other hand, by using silicon dioxide particles, the filler filling property in the conductive thin film is improved, so that the solvent is less likely to bump and ring-shaped dents can be suppressed.
本発明に用いられる二酸化珪素粒子の平均一次粒子径は、200nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましく、20μm以下であることがさらに好ましい。酸化珪素粒子の粒子径が大きいとフィラーの充填性が悪く、リング状凹みを抑制することができない。 The average primary particle diameter of the silicon dioxide particles used in the present invention is preferably 200 nm or less, more preferably 50 nm or less, and further preferably 20 μm or less. If the particle size of the silicon oxide particles is large, the filling property of the filler is poor and the ring-shaped dent cannot be suppressed.
本発明に用いられる二酸化珪素粒子の含有量としては、金属粉末100質量部に対して、25質量部以下、さらに好ましくは10質量部以下で配合することが好ましい。 The content of the silicon dioxide particles used in the present invention is preferably 25 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the metal powder.
本発明の導電性ペーストに用いるカーボン粒子(E)としては、ケッチェンブラック、アセチレンブラック、ファーネスブラック、チャンネルブラック、ランプブラック等を用いることができる。カーボン粒子を用いない場合、導電性薄膜中のフィラー充填性が悪く、乾燥中に溶剤が塗膜表面層を押し上げ、リング状凹みを生じやすくなる。一方、カーボン粒子を適量配合することで、導電性薄膜中のフィラー充填性が高くなり、溶剤のパスが分散均一化し、一個所に集中しなくなるため、リング状凹みを抑制することができる。 As the carbon particles (E) used in the conductive paste of the present invention, Ketjen black, acetylene black, furnace black, channel black, lamp black and the like can be used. When carbon particles are not used, the filler filling property in the conductive thin film is poor, and the solvent pushes up the coating film surface layer during drying, and ring-shaped dents are likely to occur. On the other hand, by blending an appropriate amount of carbon particles, the filler filling property in the conductive thin film is improved, the solvent path is dispersed and uniformized, and the solvent path is not concentrated in one place, so that ring-shaped dents can be suppressed.
本発明に用いられるカーボン粒子の平均一次粒子径は、200nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましく、20μm以下であることがさらに好ましい。酸化珪素粒子の粒子径が大きいとフィラーの充填性が悪く、リング状凹みを抑制することができない。 The average primary particle diameter of the carbon particles used in the present invention is preferably 200 nm or less, more preferably 50 nm or less, and even more preferably 20 μm or less. If the particle size of the silicon oxide particles is large, the filling property of the filler is poor and the ring-shaped dent cannot be suppressed.
本発明に用いられるカーボン粒子の含有量としては、金属粉末100質量部に対して、25質量部以下、さらに好ましくは10質量部以下で配合することが好ましい。本発明のカーボン粒子はレーザー光吸収剤としての作用も有する。 The content of the carbon particles used in the present invention is preferably 25 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the metal powder. The carbon particles of the present invention also have an action as a laser light absorber.
本発明の導電性ペーストに配合される無機粒子(H)としては、下記の無機物を添加することができる。無機物としては、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウム、炭化タンタル、炭化ニオブ、炭化タングステン、炭化クロム、炭化モリブテン、炭化カルシウム、ダイヤモンドカーボンラクタム等の各種炭化物;窒化ホウ素、窒化チタン、窒化ジルコニウム等の各種窒化物、ホウ化ジルコニウム等の各種ホウ化物;酸化チタン(チタニア)、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化銅、酸化アルミニウム等の各種酸化物;チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ストロンチウム等の各種チタン酸化合物;二硫化モリブデン等の硫化物;硫酸バリウム、硫酸マグネシウム等の硫酸化物;フッ化マグネシウム、フッ化炭素等の各種フッ化物;ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウム等の各種金属石鹸;その他、滑石、ベントナイト、タルク、炭酸カルシウム、ベントナイト、カオリン、ガラス繊維、雲母等を用いることができる。これらの無機物を添加することによって、印刷性や耐熱性、さらには機械的特性や長期耐久性を向上させることが可能となる場合がある。 The following inorganic substances can be added as the inorganic particles (H) to be blended in the conductive paste of the present invention. Inorganic substances include various carbides such as silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide, vanadium carbide, tantalum carbide, niobium carbide, tungsten carbide, chromium carbide, molybdenum carbide, calcium carbide, and diamond carbon lactam; boron nitride. , Various nitrides such as titanium nitride and zirconium nitride, various hobodies such as zirconium borohydride; various oxides such as titanium oxide (titania), calcium oxide, magnesium oxide, zinc oxide, copper oxide and aluminum oxide; calcium titanate , Various titanium acid compounds such as magnesium titanate and strontium titanate; sulfides such as molybdenum disulfide; sulfated products such as barium sulfate and magnesium sulfate; various fluorides such as magnesium fluoride and carbon fluoride; aluminum stearate, Various metal soaps such as calcium stearate, zinc stearate, magnesium stearate; in addition, talc, bentonite, talc, calcium carbonate, bentonite, kaolin, glass fiber, mica and the like can be used. By adding these inorganic substances, it may be possible to improve printability, heat resistance, mechanical properties, and long-term durability.
本発明の導電性ペーストに配合される無機粒子としては、好ましくは無機イオン補足剤を用いることができる。無機イオン補足剤とは一次粒子径がサブミクロンの無機粒子であって、金属の酸化物、ないし水酸化物とハイブリッド化されたハイドロタルサイトである。市販品としては東亞合成株式会社製のIXE、IXEPLAS等を例示できる。 As the inorganic particles to be blended in the conductive paste of the present invention, an inorganic ion capturing agent can be preferably used. The inorganic ion capture agent is an inorganic particle having a primary particle diameter of submicron, and is a hydrotalcite hybridized with a metal oxide or a hydroxide. Examples of commercially available products include IXE and IXEPLAS manufactured by Toagosei Co., Ltd.
本発明に用いられる無機粒子の平均粒子径は0.1μm以上、3μm以下であり、好ましくは。1μm以上1.2μmでありさらに好ましくは0.13μm以上0,85μm以下である。無機粒子の粒子径が大きいとフィラーの充填性が悪く、リング状凹みを抑制することができない。 The average particle size of the inorganic particles used in the present invention is 0.1 μm or more and 3 μm or less, which is preferable. It is 1 μm or more and 1.2 μm, more preferably 0.13 μm or more and 0.85 μm or less. If the particle size of the inorganic particles is large, the filling property of the filler is poor and the ring-shaped dent cannot be suppressed.
本発明に用いられる無機粒子の含有量としては、金属粉末100質量部に対して、25質量部以下、さらに好ましくは10質量部以下で配合することが好ましい。 The content of the inorganic particles used in the present invention is preferably 25 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the metal powder.
本発明の導電ペーストには、レーザー光吸収剤(F)を配合しても良い。ここでレーザー光吸収剤とは、レーザー光の波長に強い吸収を有する添加剤のことであり、レーザー光吸収剤自身は導電性であっても非導電性であってもよい。例えば、基本波の波長が1064nmであるYAGレーザーを光源として用いる場合には、波長1064nmに強い吸収を有する染料および/又は顔料を、レーザー光吸収剤として用いることができる。レーザー光吸収剤を配合するとにより、本発明の導電性薄膜はレーザー光を高効率に吸収し、発熱によるバインダ樹脂の揮散や熱分解が促進され、その結果レーザーエッチング加工適性が向上する。 The laser light absorber (F) may be blended in the conductive paste of the present invention. Here, the laser light absorber is an additive having strong absorption at the wavelength of the laser light, and the laser light absorber itself may be conductive or non-conductive. For example, when a YAG laser having a wavelength of the fundamental wave of 1064 nm is used as a light source, a dye and / or a pigment having a strong absorption at a wavelength of 1064 nm can be used as a laser light absorber. By blending the laser light absorber, the conductive thin film of the present invention absorbs the laser light with high efficiency, and the volatilization and thermal decomposition of the binder resin due to heat generation are promoted, and as a result, the suitability for laser etching processing is improved.
本発明に用いることのできるレーザー光吸収剤のうち、導電性を有するものの例としては、カーボンブラック、グラファイト粉などの炭素系のフィラーを挙げることができる。カーボンブラックの種類に制約は無く、ケッチェンブラック、アセチレンブラック、ファーネスブラック、チャンネルブラック、ランプブラック等が上げられる。これらの中で導電性、レーザー吸収性の観点からケッチェンブラックが好ましい。炭素系のフィラーの配合は、本発明の導電性薄膜導電性を高める効果もあるが、例えばカーボンブラックは1060nm近傍に吸収波長を有しているので、YAGレーザー、ファイバーレーザーなどの1064nmの波長のレーザー光を照射すれば導電性薄膜がレーザー光を高効率で吸収するのでレーザー光照射に対する感度が高まり、レーザー照射の走査速度を上げた場合および/またはレーザー光源が低出力な場合においても良好なレーザーエッチング加工適性が得られる、との効果が期待できる。前記炭素系フィラーの含有量としては金属粉100重量部に対し、0.1~5重量部であることが好ましく、0.3~2重量部であることがより好ましい。炭素系フィラーの配合比率が低すぎる場合は、導電性を高める効果およびレーザー光照射に対する感度を上げる効果が小さい。一方で炭素系フィラーの
配合比率が高すぎる場合は、導電性薄膜の導電性が低下する傾向にあり、更に、カーボンの空隙部位へ樹脂が吸着し、基材との密着性が低下するという問題点が生じる場合もある。Among the laser light absorbers that can be used in the present invention, examples of those having conductivity include carbon-based fillers such as carbon black and graphite powder. There are no restrictions on the type of carbon black, such as Ketjen black, acetylene black, furnace black, channel black, and lamp black. Among these, Ketjen black is preferable from the viewpoint of conductivity and laser absorption. The formulation of a carbon-based filler also has the effect of enhancing the conductivity of the conductive thin film of the present invention. For example, since carbon black has an absorption wavelength in the vicinity of 1060 nm, it has a wavelength of 1064 nm such as a YAG laser and a fiber laser. When irradiated with laser light, the conductive thin film absorbs the laser light with high efficiency, which increases the sensitivity to laser light irradiation, which is good even when the scanning speed of laser irradiation is increased and / or when the laser light source has a low output. The effect of obtaining laser etching processing suitability can be expected. The content of the carbon-based filler is preferably 0.1 to 5 parts by weight, more preferably 0.3 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the metal powder. If the blending ratio of the carbon-based filler is too low, the effect of increasing the conductivity and the effect of increasing the sensitivity to laser light irradiation are small. On the other hand, if the blending ratio of the carbon-based filler is too high, the conductivity of the conductive thin film tends to decrease, and further, the resin is adsorbed to the void portion of the carbon, and the adhesion to the base material decreases. Points may occur.
本発明に用いることのできるレーザー光吸収剤のうち、非導電性のものの例としては、従来公知の染料、顔料および赤外線吸収剤を挙げることができる。より具体的には、アゾ染料、金属錯塩アゾ染料、ピラゾロンアゾ染料、ナフトキノン染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、カルボニウム染料、キノンイミン染料、メチン染料、シアニン染料、スクワリリウム色素、ピリリウム塩、金属チオレート錯体等の染料、顔料としては、黒色顔料、黄色顔料、オレンジ色顔料、褐色顔料、赤色顔料、紫色顔料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、金属粉顔料、その他、ポリマー結合色素が挙げられる。具体的には、不溶性アゾ顔料、アゾレーキ顔料、縮合アゾ顔料、キレートアゾ顔料、フタロシアニン系顔料、アントラキノン系顔料、ペリレンおよびペリノン系顔料、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ジオキサジン系顔料、イソインドリノン系顔料、キノフタロン系顔料、染付けレーキ顔料、アジン顔料、ニトロソ顔料、ニトロ顔料、天然顔料、蛍光顔料、無機顔料、が使用できる。赤外線吸収剤の例としてはジイモニウム塩タイプの赤外線吸収剤であるNIR-IM1、アミニウム塩タイプのNIR-AM1(ともにナガセケムテックス社製)を挙げることができる。これらの非導電性のレーザー光吸収剤は0.01~5重量部、好ましくは0.1~2重量部含むことが好ましい。非導電性のレーザー光吸収剤の配合比率が低すぎる場合は、レーザー光照射に対する感度を上げる効果が小さい。非導電性のレーザー光吸収剤の配合比率が高すぎる場合は、導電性薄膜の導電性が低下するおそれがあり、またレーザー光吸収剤の色目が顕著となり、用途によっては好ましくない場合がある。 Among the laser light absorbers that can be used in the present invention, examples of non-conductive laser light absorbers include conventionally known dyes, pigments, and infrared absorbers. More specifically, azo dyes, metal complex salt azo dyes, pyrazolone azo dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoneimine dyes, methine dyes, cyanine dyes, squarylium dyes, pyrylium salts, metal thiolate complexes and the like. Examples of dyes and pigments include black pigments, yellow pigments, orange pigments, brown pigments, red pigments, purple pigments, blue pigments, green pigments, fluorescent pigments, metal powder pigments, and other polymer-bound pigments. Specifically, insoluble azo pigments, azolake pigments, condensed azo pigments, chelate azo pigments, phthalocyanine pigments, anthraquinone pigments, perylene and perinone pigments, thioindigo pigments, quinacridone pigments, dioxazine pigments, isoindolinone pigments. , Kinoftalone pigments, dyed lake pigments, azine pigments, nitroso pigments, nitro pigments, natural pigments, fluorescent pigments, and inorganic pigments can be used. Examples of the infrared absorber include NIR-IM1 which is a diimonium salt type infrared absorber and NIR-AM1 which is an aminium salt type (both manufactured by Nagase ChemteX Corporation). These non-conductive laser light absorbers are preferably contained in an amount of 0.01 to 5 parts by weight, preferably 0.1 to 2 parts by weight. If the blending ratio of the non-conductive laser light absorber is too low, the effect of increasing the sensitivity to laser light irradiation is small. If the blending ratio of the non-conductive laser light absorber is too high, the conductivity of the conductive thin film may decrease, and the color of the laser light absorber becomes remarkable, which may not be preferable depending on the application.
また、本発明の導電性ペーストには、チキソ性付与剤、消泡剤、難燃剤、粘着付与剤、加水分解防止剤、レベリング剤、可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、顔料、染料を配合することができる。さらには樹脂分解抑制剤としてカルボジイミド、エポキシ等を適宜配合することもできる。これらは単独で、もしくは併用して用いることができる。 Further, the conductive paste of the present invention includes a thixo-imparting agent, a defoaming agent, a flame retardant, a tackifier, a hydrolysis inhibitor, a leveling agent, a plasticizer, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a flame retardant, and a pigment. , Dyes can be blended. Further, carbodiimide, epoxy and the like can be appropriately blended as a resin decomposition inhibitor. These can be used alone or in combination.
本発明の導電性ペーストには、バインダ樹脂と反応し得る硬化剤(G)を、本発明の効果を損なわない程度に配合してもよい。硬化剤を配合することにより、硬化温度が高くなり、生産工程の負荷が増す可能性はあるが、塗膜乾燥時あるいはレーザーエッチング時に発生する熱による架橋で塗膜の耐湿熱性の向上が期待できる。 The conductive paste of the present invention may contain a curing agent (G) capable of reacting with the binder resin to the extent that the effect of the present invention is not impaired. By blending a curing agent, the curing temperature may increase and the load on the production process may increase, but it is expected that the moisture resistance of the coating film will be improved by cross-linking due to the heat generated during the drying of the coating film or laser etching. ..
本発明のバインダ樹脂に反応し得る硬化剤は、種類は限定しないが密着性、耐屈曲性、硬化性等からイソシアネート化合物および/またはエポキシ樹脂が特に好ましい。さらに、イソシアネート化合物に関しては、イソシアネート基をブロック化したものを使用すると、貯蔵安定性が向上し、好ましい。イソシアネート化合物以外の硬化剤としては、メチル化メラミン、ブチル化メラミン、ベンゾグアナミン、尿素樹脂等のアミノ樹脂、酸無水物、イミダゾール類、フェノール樹脂等の公知の化合物が挙げられる。これらの硬化剤には、その種類に応じて選択された公知の触媒あるいは促進剤を併用することもでき
る。硬化剤の配合量としては、本発明の効果を損なわない程度に配合されるものであり、特に制限されるものではないが、バインダ樹脂100質量部に対して、0.5~50質量部が好ましく、1~30質量部がより好ましく、2~20質量部がさらに好ましい。The curing agent capable of reacting with the binder resin of the present invention is not limited in type, but an isocyanate compound and / or an epoxy resin is particularly preferable from the viewpoint of adhesion, bending resistance, curability and the like. Further, as for the isocyanate compound, it is preferable to use a compound in which an isocyanate group is blocked because the storage stability is improved. Examples of the curing agent other than the isocyanate compound include amino resins such as methylated melamine, butylated melamine, benzoguanamine and urea resin, and known compounds such as acid anhydrides, imidazoles and phenol resins. A known catalyst or accelerator selected according to the type can be used in combination with these curing agents. The amount of the curing agent to be blended is such that the effect of the present invention is not impaired and is not particularly limited, but 0.5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the binder resin. Preferably, 1 to 30 parts by mass is more preferable, and 2 to 20 parts by mass is further preferable.
本発明の導電性ペーストに配合することができるイソシアネート化合物の例としては、芳香族又は脂肪族のジイソシアネート、3価以上のポリイソシアネート等があり、低分子化合物、高分子化合物のいずれでもよい。例えば、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ジイソシアネート、トルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、等の芳香族ジイソシアネート、水素化ジフェニルメタンジイソシアネート、水素化キシリレンジイソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等の脂環族ジイソシアネート、あるいはこれらのイソシアネート化合物の3量体、及びこれらのイソシアネート化合物の過剰量と例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチロールプロパン、グリセリン、ソルビトール、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の低分子活性水素化合物又は各種ポリエステルポリオール類、ポリエーテルポリオール類、ポリアミド類の高分子活性水素化合物等と反応させて得られる末端イソシアネート基含有化合物が挙げられる。また、イソシアネート基
のブロック化剤としては、例えばフェノール、チオフェノール、メチルチオフェノール、エチルチオフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、ニトロフェノール、クロロフェノール等のフェノール類;アセトキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等のオキシム類;メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類;エチレンクロルヒドリン、1,3-ジクロロ-2-プロパノール等のハロゲン置換アルコール類;t-ブタノール、t-ペンタノール等の第三級アルコール類;ε-カプロラクタム、δ-バレロラクタム、γ-ブチロラクタム、β-プロピロラクタム等のラクタム類、ピラゾール類ブロック剤が挙げられ、その他にも芳香族アミン類、イミド類、アセチルアセトン、アセト酢酸エステル、マロン酸エチルエステル等の活性メチレン化合物、メルカプタン類、イミン類、イミダゾール類、尿素類、ジアリール化合物類、重亜硫酸ソーダ等も挙げられる。このうち、硬化性よりオキシム類、イミダゾール類、アミン類、ピラゾール類が特に好ましい。Examples of the isocyanate compound that can be blended in the conductive paste of the present invention include aromatic or aliphatic diisocyanates, trivalent or higher polyisocyanates, and may be either low molecular weight compounds or high molecular weight compounds. For example, aliphatic diisocyanates such as tetramethylene diisocyanate and hexamethylene diisocyanate, aromatic diisocyanates such as toluene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate, hydride diphenylmethane diisocyanate, hydride xylylene diisocyanate, dimerate diisocyanate, isophorone diisocyanate and the like. Alicyclic diisocyanates, or trimerics of these isocyanate compounds, and excess amounts of these isocyanate compounds and, for example, ethylene glycol, propylene glycol, trimethylolpropane, glycerin, sorbitol, ethylenediamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine. Examples thereof include terminal isocyanate group-containing compounds obtained by reacting with low-molecular-weight active hydrogen compounds such as, various polyester polyols, polyether polyols, and high-molecular-weight active hydrogen compounds of polyamides. Examples of the isocyanate group blocking agent include phenols such as phenol, thiophenol, methylthiophenol, ethylthiophenol, cresol, xylenol, resorcinol, nitrophenol, and chlorophenol; oximes such as acetoxime, methylethylketooxime, and cyclohexanone oxime. Classes; alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol; halogen-substituted alcohols such as ethylene chlorhydrin and 1,3-dichloro-2-propanol; tertiary alcohols such as t-butanol and t-pentanol. Ε-caprolactam, δ-valerolactam, γ-butyrolactam, β-propyrolactam and other lactams, pyrazole blocking agents, and other aromatic amines, imides, acetylacetones, acetacetic esters, malons. Examples thereof include active methylene compounds such as acid ethyl esters, mercaptans, imines, imidazoles, ureas, diaryl compounds, sodium bicarbonate and the like. Of these, oximes, imidazoles, amines, and pyrazoles are particularly preferable from the curability.
本発明において硬化剤として用いられるエポキシ化合物は、たとえば、ビスフェノールAグリシジルエーテル、ビスフェノールSグリシジルエーテル、ノボラックグリシジルエーテル、ブロム化ビスなどのグリシジルエーテルタイプ、ヘキサヒドロフタル酸グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステルなどのグリシジルエステルタイプ、トリグリシジルイソシアヌレート、あるいは3,4?エポキシシクロヘキシルメチルカルボキシレート、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化大豆油などの脂環族あるいは脂肪族エポキサイドなどが挙げられ、一種単独で用いても二種以上を併用しても構わない。このうち硬化性の観点より、ビスフェノールAグリシジルエーテルが最も好ましく、その中でも分子量5000未満、一分子中にグリシジルエーテル基を2つ以上有するものがさらに好ましい。 Epoxy compounds used as a curing agent in the present invention include, for example, glycidyl ether types such as bisphenol A glycidyl ether, bisphenol S glycidyl ether, novolak glycidyl ether, brominated bis, hexahydrophthalic acid glycidyl ester, dimer acid glycidyl ester and the like. Examples include glycidyl ester type, triglycidyl isocyanurate, or alicyclic or aliphatic epoxiside such as 3,4? Epoxycyclohexylmethylcarboxylate, epoxidized polybutadiene, and epoxidized soybean oil. The above may be used together. Of these, bisphenol A glycidyl ether is most preferable from the viewpoint of curability, and among them, those having a molecular weight of less than 5000 and having two or more glycidyl ether groups in one molecule are more preferable.
本発明の導電性ペーストの粘度は特に限定されず、塗膜の形成方法に応じて適切に調整すればよい。例えば、導電性ペーストの基材への塗布をスクリーン印刷によって行う場合には、導電性ペーストの粘度は、印刷温度においてBH型粘度計20rpmで測定した際の粘度が好ましくは200dPa・s以上、さらに好ましくは400dPa・s以上、最も好ましくは600dPa・s以上である。上限は特には限定しないが、粘度が高すぎると導電性薄膜の膜厚が厚くなりすぎ、レーザーエッチング加工適性が低下する場合がある。 The viscosity of the conductive paste of the present invention is not particularly limited and may be appropriately adjusted according to the method for forming the coating film. For example, when the conductive paste is applied to the substrate by screen printing, the viscosity of the conductive paste is preferably 200 dPa · s or more when measured at the printing temperature with a BH type viscometer 20 rpm, and further. It is preferably 400 dPa · s or more, and most preferably 600 dPa · s or more. The upper limit is not particularly limited, but if the viscosity is too high, the film thickness of the conductive thin film becomes too thick, and the laser etching process suitability may decrease.
本発明の導電性ペーストは、F値が60~95%であることが好ましく、より好ましくは75~95%である。F値とはペースト中に含まれる全固形分100質量部に対するフィラー質量部を示す数値であり、F値=(フィラー質量部/固形分質量部)×100で表される。ここで言うフィラー質量部とは導電性粉末の質量部、固形分質量部とは溶剤以外の成分の質量部であり、導電性粉末、バインダ樹脂、その他の硬化剤や添加剤を全て含む。F値が低すぎると良好な導電性を示す導電性薄膜が得られず、F値が高すぎると導電性薄膜と基材との密着性及び/又は導電性薄膜の表面硬度が低下する傾向にあり、印刷性の低下も避けられない。尚、ここで導電性粉末とは、金属粉および非金属からなる導電性粉末の双方を指す。 The conductive paste of the present invention preferably has an F value of 60 to 95%, more preferably 75 to 95%. The F value is a numerical value indicating a filler mass part with respect to 100 parts by mass of the total solid content contained in the paste, and is represented by F value = (filler mass part / solid content mass part) × 100. The filler mass portion referred to here is a mass portion of the conductive powder, and the solid content mass portion is a mass portion of a component other than the solvent, and includes all the conductive powder, the binder resin, and other curing agents and additives. If the F value is too low, a conductive thin film showing good conductivity cannot be obtained, and if the F value is too high, the adhesion between the conductive thin film and the substrate and / or the surface hardness of the conductive thin film tends to decrease. Therefore, deterioration of printability is inevitable. Here, the conductive powder refers to both a metallic powder and a non-metal conductive powder.
本発明の導電性ペーストを基材上に塗布または印刷して塗膜を形成し、次いで塗膜に含まれる有機溶剤を揮散させ塗膜を乾燥させることにより、本発明の導電性薄膜を形成することができる。導電性ペーストを基材上に塗布または印刷する方法はとくに限定されないが、スクリーン印刷法により印刷することが工程の簡便さおよび導電性ペーストを用いて電気回路を形成する業界で普及している技術である点から好ましい。また、導電性ペーストは、最終的に電気回路として必要とされる導電性薄膜部位よりも幾分広い部位に塗布または印刷することが、レーザーエッチング工程の負荷を下げ効率よく本発明の電気回路を形成するとの観点から、好ましい。 The conductive thin film of the present invention is formed by applying or printing the conductive paste of the present invention on a substrate to form a coating film, and then volatilizing the organic solvent contained in the coating film to dry the coating film. be able to. The method of applying or printing the conductive paste on the substrate is not particularly limited, but printing by the screen printing method is a technique widely used in the industry for forming an electric circuit using the conductive paste and the simplicity of the process. It is preferable from the viewpoint of. Further, the conductive paste can be applied or printed on a portion slightly wider than the conductive thin film portion finally required as an electric circuit to reduce the load of the laser etching process and efficiently obtain the electric circuit of the present invention. It is preferable from the viewpoint of forming.
本発明の導電性ペーストを塗布する基材としては、寸法安定性に優れた材料が好ましく用いられる。例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート或いはポリカーボネート等の可撓性に優れる材料からなるフィルムを挙げることができる。また、ガラス等の無機材料も基材として使用することができる。基材の厚みはとくに限定されないが、12.5μm~1mmであることが好ましく、更に好ましくは25μm~0.5mmである。パターン形成材料の機械的特性、形状安定性あるいは取り扱い性等を考慮すると前述の範囲となる。 As the base material to which the conductive paste of the present invention is applied, a material having excellent dimensional stability is preferably used. For example, a film made of a material having excellent flexibility such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, or polycarbonate can be mentioned. Further, an inorganic material such as glass can also be used as a base material. The thickness of the base material is not particularly limited, but is preferably 12.5 μm to 1 mm, more preferably 25 μm to 0.5 mm. Considering the mechanical properties, shape stability, handleability, etc. of the pattern forming material, it is within the above range.
また、本発明の導電性ペーストを塗布する基材の表面に物理的処理および/または化学的処理を行うことにより、導電性薄膜と基材との密着性を向上させることができる。物理的処理方法の例としては、サンドブラスト法、微粒子を含有した液体を噴射するウエットブラスト法、コロナ放電処理法、プラズマ処理法、紫外線あるいは真空紫外線照射処理法などを挙げることができる。また、化学的処理方法の例としては、強酸処理法、強アルカリ処理法、酸化剤処理法、カップリング剤処理法などを挙げることができる。 Further, by physically and / or chemically treating the surface of the base material to which the conductive paste of the present invention is applied, the adhesion between the conductive thin film and the base material can be improved. Examples of the physical treatment method include a sandblast method, a wet blast method for injecting a liquid containing fine particles, a corona discharge treatment method, a plasma treatment method, an ultraviolet ray or a vacuum ultraviolet irradiation treatment method, and the like. Further, as an example of the chemical treatment method, a strong acid treatment method, a strong alkali treatment method, an oxidizing agent treatment method, a coupling agent treatment method and the like can be mentioned.
また、前記基材は透明導電性層を有するものであってもよい。本発明の導電性薄膜を透明導電性層上に積層することができる。前記透明導電性層の素材は特に限定されず、例えば、酸化インジウム・スズを主成分としてなるITO膜や、ナノサイズの線状銀からなる銀ナノワイヤ膜を挙げることができる。また、透明導電性層は基材全面に形成されたものだけでなく、エッチング等により透明導電性層の一部が除去されたものを使用することもできる。 Further, the base material may have a transparent conductive layer. The conductive thin film of the present invention can be laminated on the transparent conductive layer. The material of the transparent conductive layer is not particularly limited, and examples thereof include an ITO film containing indium tin oxide as a main component and a silver nanowire film made of nano-sized linear silver. Further, as the transparent conductive layer, not only the one formed on the entire surface of the base material but also the one in which a part of the transparent conductive layer is removed by etching or the like can be used.
有機溶剤を揮散させる工程は、常温下および/または加熱下で行うことが好ましい。加熱する場合、乾燥後の導電性薄膜の導電性や密着性、表面硬度が良好となることから、加熱温度は80℃以上が好ましく、100℃以上がより好ましく、110℃以上がさらに好ましい。また、下地の透明導電性層の耐熱性、及び生産工程における省エネルギーの観点から、加熱温度は150℃以下が好ましく、135℃以下がより好ましく、130℃以下がさらに好ましい。本発明の導電性ペーストに硬化剤が配合されている場合には、有機溶剤を揮散させる工程を加熱下で行うと、硬化反応が進行する。 The step of volatilizing the organic solvent is preferably performed at room temperature and / or under heating. In the case of heating, the heating temperature is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, still more preferably 110 ° C. or higher, because the conductivity, adhesion and surface hardness of the dried conductive thin film are good. Further, from the viewpoint of heat resistance of the transparent conductive layer of the base and energy saving in the production process, the heating temperature is preferably 150 ° C. or lower, more preferably 135 ° C. or lower, still more preferably 130 ° C. or lower. When the curing agent is blended in the conductive paste of the present invention, the curing reaction proceeds when the step of volatilizing the organic solvent is performed under heating.
本発明の導電性薄膜の厚さは、用いられる用途に従って適切な厚さに設定すればよい。但し、乾燥後の導電性薄膜の導電性が良好であるという観点と、レーザーエッチング加工適性が良好であるという観点から、導電性薄膜の膜厚は3μm以上、30μm以下が好ましく、より好ましくは4μm以上、20μm以下であり、さらに好ましくは4μm以上、10μm以下である。導電性薄膜の膜厚が薄すぎると、回路としての所望の導電性が得られない可能性がある。膜厚が厚すぎると、レーザーエッチング加工に要するレーザー照射量が過大に必要になり、基材にダメージを与える場合がある。また、膜厚のばらつきが大きいと、導電性薄膜のエッチングされやすさにばらつきが生じ、エッチング不足による線間の短絡やエッチング過剰による断線が生じやすくなる傾向にある。このため、膜厚のばらつきは小さい方がよい。 The thickness of the conductive thin film of the present invention may be set to an appropriate thickness according to the intended use. However, from the viewpoint of good conductivity of the conductive thin film after drying and good laser etching processing suitability, the film thickness of the conductive thin film is preferably 3 μm or more, 30 μm or less, and more preferably 4 μm. The above is 20 μm or less, more preferably 4 μm or more and 10 μm or less. If the film thickness of the conductive thin film is too thin, the desired conductivity as a circuit may not be obtained. If the film thickness is too thick, the amount of laser irradiation required for the laser etching process becomes excessive, which may damage the substrate. Further, if the film thickness varies widely, the ease of etching of the conductive thin film varies, and short circuits between lines due to insufficient etching and disconnection due to excessive etching tend to occur easily. Therefore, it is better that the variation in film thickness is small.
本発明の導電性薄膜の表面粗度Raは0.7μm以下が好ましく、より好ましくは0.5μm以下、更に好ましくは0.4μm以下である。表面粗度Raが高すぎると、導電性薄膜のエッチング端部にギザが発生しやすくなり、線間の短絡やエッチング過剰による断線が生じやすくなる可能性がある。 表面粗度Raはペースト組成(特にバインダ種と銀粉種)、ペースト粘度、スクリーン印刷条件の影響を強く受けるため、これらを適宜調整してコントロールする必要がある。 The surface roughness Ra of the conductive thin film of the present invention is preferably 0.7 μm or less, more preferably 0.5 μm or less, still more preferably 0.4 μm or less. If the surface roughness Ra is too high, knurling is likely to occur at the etching end of the conductive thin film, and there is a possibility that short circuits between the lines and disconnection due to excessive etching are likely to occur. Since the surface roughness Ra is strongly affected by the paste composition (particularly the binder type and the silver powder type), the paste viscosity, and the screen printing conditions, it is necessary to appropriately adjust and control these.
本発明の電気回路は、本発明の導電性ペーストによって基材上に形成された導電性薄膜の少なくとも一部にレーザー光を照射して、前記導電性薄膜の一部を基材上から除去することによって形成された配線部位を有する電気回路である。このような電気回路の形成方法を採れば、フォトリソグラフィ法と違ってパターン形成工程をドライプロセスとすることができ、金属成分を含有する廃液も発生しないので廃液処理等が必要なく、環境に優しいプロセスであると言える。また、工程も単純なので、製造設備に関する投資を抑えられ、製造設備の稼動後の維持管理も容易である。なお、導電性ペーストによって基材上に導電性薄膜を形成する方法は特に限定されないが、印刷または塗装によって行うことができる。 In the electric circuit of the present invention, at least a part of the conductive thin film formed on the substrate by the conductive paste of the present invention is irradiated with laser light, and a part of the conductive thin film is removed from the substrate. It is an electric circuit having a wiring portion formed by the above. If such an electric circuit forming method is adopted, unlike the photolithography method, the pattern forming process can be a dry process, and no waste liquid containing a metal component is generated, so that waste liquid treatment is not required and it is environmentally friendly. It can be said that it is a process. In addition, since the process is simple, investment in manufacturing equipment can be suppressed, and maintenance after operation of manufacturing equipment is easy. The method of forming the conductive thin film on the substrate by the conductive paste is not particularly limited, but it can be performed by printing or painting.
レーザー光の照射方法はとくに限定されないが、近年普及が進んでいるレーザーエッチング加工装置、あるいはこれの寸法精度をさらに向上させたものを使うことができる。レーザーエッチング加工装置は、CADなどの画像処理アプリケーションソフトウェアで制作したデータをそのままレーザー加工に用いることができるので、製造パターンの切り替えが極めて容易である。このことは、従来から行われているスクリーン印刷法でのパターン形成に対する優位点の一つとしてとして挙げることができる。 The method of irradiating the laser beam is not particularly limited, but a laser etching processing device that has become widespread in recent years or a device with further improved dimensional accuracy can be used. Since the laser etching processing apparatus can use the data produced by image processing application software such as CAD as it is for laser processing, it is extremely easy to switch the manufacturing pattern. This can be mentioned as one of the advantages over the pattern formation in the conventional screen printing method.
レーザー光が照射され吸収された部位においては、レーザー光のエネルギーが熱へと変換され、温度上昇により熱分解および/または揮散が生じ、照射部位が剥離・除去される。本発明の導電性薄膜のレーザー光を照射された部位が効率よく基材から除去されるためには、本発明の導電性薄膜が照射レーザー光の波長に強い吸収を有することが好ましい。よって、レーザー種としては、本発明の導電性薄膜を構成するいずれかの成分が強い吸収を有する波長領域にエネルギーを有するレーザー種を選択することが好ましい。 In the portion where the laser beam is irradiated and absorbed, the energy of the laser beam is converted into heat, and thermal decomposition and / or volatilization occurs due to the temperature rise, and the irradiated portion is peeled off and removed. In order to efficiently remove the portion of the conductive thin film of the present invention irradiated with the laser beam from the substrate, it is preferable that the conductive thin film of the present invention has strong absorption at the wavelength of the irradiation laser beam. Therefore, as the laser type, it is preferable to select a laser type having energy in a wavelength region in which any component constituting the conductive thin film of the present invention has strong absorption.
レーザー種としては、エキシマレーザ(基本波の波長が193~308nm)、YAGレーザ(基本波の波長が1064nm)、ファイバーレーザー(基本波の波長が1060nm)、半導体レーザーなどが挙げられる。基本的にはどのような方式、どのような波長のレーザー種を用いても何ら問題はない。導電性薄膜のいずれかの構成成分の吸収波長領域と一致し、なおかつ基材が強い吸収を有さない波長を照射することのできるレーザー種を選択することにより、レーザー光照射部位の導電性薄膜の除去を効率的に行い、なおかつ基材のダメージを避けることができる。このような観点から、照射するレーザー種としては、レーザーの波長は190nm~1100nmが好ましく、更に好ましくは500nm~1000nmである。基材としてポリエステルを層構造に有する導電性薄膜、あるいはポリエステルを層構造に有する導電性薄膜の一部がエッチングによって除去された薄膜を用いる場合には、YAGレーザーまたはファイバーレーザーを使用することが、基本波の波長に基材が吸収を有さないので基材にダメージを与えにくい点で特に好ましい。 Examples of the laser type include an excima laser (wavelength of the fundamental wave is 193 to 308 nm), a YAG laser (wavelength of the fundamental wave is 1064 nm), a fiber laser (wavelength of the fundamental wave is 1060 nm), and a semiconductor laser. Basically, there is no problem with any method and wavelength of laser type. By selecting a laser type that matches the absorption wavelength region of any of the components of the conductive thin film and can irradiate a wavelength at which the substrate does not have strong absorption, the conductive thin film at the laser beam irradiation site is selected. Can be efficiently removed and damage to the base material can be avoided. From this point of view, the wavelength of the laser to be irradiated is preferably 190 nm to 1100 nm, more preferably 500 nm to 1000 nm. When a conductive thin film having polyester in the layer structure or a thin film in which a part of the conductive thin film having polyester in the layer structure is removed by etching is used as the base material, it is possible to use a YAG laser or a fiber laser. Since the base material does not absorb the wavelength of the fundamental wave, it is particularly preferable in that it does not easily damage the base material.
レーザー出力、周波数は特に限定されないが、レーザー光照射部位の導電性薄膜をエッチング幅10~40μmで除去でき、かつ下地の基材が損傷しないように調節する。一般的には、レーザー出力は、0.5~100W、周波数10~1000kHz、パルス幅1000ns以下の範囲で適宜調節することが好ましい。レーザー出力が低すぎると、導電性薄膜の除去が不十分となる傾向にあるが、レーザーの走査速度を低くしたり走査回数を増やしたりすることによりそのような傾向はある程度回避できる。レーザー出力が高すぎると、照射部分からの熱の拡散によって導電性薄膜が剥離される部位がレーザービーム径よりも極端に大きくなり、線幅が細くなりすぎたり断線したりする可能性がある。この点で、レーザー出力は、0.5~20W、周波数10~800kHz、パルス幅800ns以下の範囲で適宜調節することが好ましく、さらに好ましくは0.5~12W、周波数10~600kHz、パルス幅600ns以下である。パルス幅の下限好ましくは1fs以上、更に好ましくは1ps以上、最も好ましくは1ns以上である。 The laser output and frequency are not particularly limited, but the conductive thin film at the laser beam irradiation site can be removed with an etching width of 10 to 40 μm, and the underlying substrate is adjusted so as not to be damaged. In general, it is preferable to appropriately adjust the laser output in the range of 0.5 to 100 W, a frequency of 10 to 1000 kHz, and a pulse width of 1000 ns or less. If the laser output is too low, the removal of the conductive thin film tends to be insufficient, but such a tendency can be avoided to some extent by reducing the scanning speed of the laser or increasing the number of scannings. If the laser output is too high, the portion where the conductive thin film is peeled off due to the diffusion of heat from the irradiated portion becomes extremely larger than the laser beam diameter, and the line width may become too narrow or the wire may be broken. In this respect, the laser output is preferably adjusted appropriately in the range of 0.5 to 20 W, frequency 10 to 800 kHz, and pulse width 800 ns or less, more preferably 0.5 to 12 W, frequency 10 to 600 kHz, and pulse width 600 ns. It is as follows. The lower limit of the pulse width is preferably 1 fs or more, more preferably 1 ps or more, and most preferably 1 ns or more.
レーザー光の走査速度は、タクトタイムの減少による生産効率向上の観点からは高いほどよく、具体的には、1000mm/s以上が好ましく、1500mm/s以上がより好ましく、さらに好ましくは2000mm/s以上、である。上限は特に制限しないが凡そ10000mm/s以下である。走査速度が遅すぎると、生産効率が低下するのみならず、導電性薄膜および基材が熱履歴によりダメージを受けるおそれがある。加工速度の上限は特には定めないが、走査速度が高すぎると、レーザー光照射部位の導電性薄膜の除去が不完全となり回路が短絡する可能性がある。また、走査速度が速すぎると、形成するパターンのコーナー部位において、直線部位と比較して走査速度を減速させることが避けられなくなるため、コーナー部位の熱履歴が直線部位にくらべて高くなり、コーナー部位のレーザーエッチング加工部位周辺の導電性薄膜の物性が顕著に低下するおそれがある。 The higher the scanning speed of the laser beam is, the better from the viewpoint of improving the production efficiency by reducing the tact time. Specifically, 1000 mm / s or more is preferable, 1500 mm / s or more is more preferable, and 2000 mm / s or more is more preferable. ,. The upper limit is not particularly limited, but is approximately 10,000 mm / s or less. If the scanning speed is too slow, not only the production efficiency is lowered, but also the conductive thin film and the substrate may be damaged by the thermal history. The upper limit of the processing speed is not particularly set, but if the scanning speed is too high, the removal of the conductive thin film at the laser beam irradiation site may be incomplete and the circuit may be short-circuited. Further, if the scanning speed is too fast, it is unavoidable to reduce the scanning speed at the corner portion of the formed pattern as compared with the straight portion, so that the thermal history of the corner portion becomes higher than that of the straight portion, and the corner Laser etching of the part The physical properties of the conductive thin film around the part may be significantly deteriorated.
レーザー光の走査は、レーザー光の発射体を動かす、レーザー光を照射される被照射体を動かすあるいは双方を組み合わせる、のいずれでも良く、例えばXYステージを用いることにより実現できる。また、ガルバノミラー等を用いてレーザー光の照射方向を変更することによりレーザー光を走査することもできる。 The scanning of the laser beam may be performed by moving the projectile of the laser beam, moving the irradiated object irradiated with the laser beam, or a combination of both, and can be realized by using, for example, an XY stage. It is also possible to scan the laser beam by changing the irradiation direction of the laser beam using a galvano mirror or the like.
レーザー光の照射に際して、集光レンズ(アクロマティックレンズ等)を使用することにより、単位面積あたりのエネルギー密度を高めることができる。この方法の利点としては、マスクを使用する場合と比較して、単位面積当たりのエネルギー密度を大きくすることができるため、小さな出力のレーザー発振器であっても高い走査速度でレーザーエッチング加工を行うことが可能になる点が挙げられる。集光したレーザー光を導電性薄膜へ照射する場合、焦点距離を調節する必要がある。焦点距離の調節は、特に基材に塗布されている膜厚によって調節する必要があるが、基材に損傷を与えず、かつ所定の導電性薄膜パターンを剥離・除去できるように調節することが好ましい。 By using a condenser lens (achromatic lens or the like) when irradiating the laser beam, the energy density per unit area can be increased. The advantage of this method is that the energy density per unit area can be increased compared to the case of using a mask, so even a laser oscillator with a small output can perform laser etching at a high scanning speed. Is possible. When irradiating a conductive thin film with focused laser light, it is necessary to adjust the focal length. The focal length needs to be adjusted especially by the film thickness applied to the substrate, but it can be adjusted so as not to damage the substrate and to peel off / remove a predetermined conductive thin film pattern. preferable.
レーザー光の走査を複数回同一パターンで繰り返し行うことは、好ましい実施態様のひとつである。1回目の走査において除去不完全な導電性薄膜部位があった場合、もしくは除去した導電性薄膜を構成する成分が再度基材に付着した場合であっても、複数回の走査でレーザー光照射部位の導電性薄膜を完全に除去することが可能となる。走査回数は好ましくは4回であり、更に好ましくは3回である。上限は特には限定されないが、加工部位周辺が熱履歴を複数回受けることで、ダメージを受け、変色し、塗膜物性が低下する可能性があるため、注意が必要となる。また、生産効率の点からは、走査回数は少ないほど良いのは当然である。 It is one of the preferred embodiments that the scanning of the laser beam is repeated a plurality of times in the same pattern. Even if there is a conductive thin film part that is incompletely removed in the first scan, or if the components that make up the removed conductive thin film adhere to the substrate again, the laser light irradiation part is detected in multiple scans. It is possible to completely remove the conductive thin film of. The number of scans is preferably 4 times, more preferably 3 times. The upper limit is not particularly limited, but care must be taken because the area around the processed portion may be damaged, discolored, and the physical characteristics of the coating film deteriorate due to the heat history received multiple times. Further, from the viewpoint of production efficiency, it is natural that the smaller the number of scans is, the better.
レーザー光の走査を複数回同一パターンで繰り返し行なわないことも、好ましい実施態様のひとつである。得られる導電性薄膜、導電性積層体および電気回路の特性に悪影響を及ぼさない限り、走査回数は少ないほど生産効率に優れることは当然である。 It is also one of the preferred embodiments that the scanning of the laser beam is not repeated a plurality of times in the same pattern. As long as the characteristics of the obtained conductive thin film, conductive laminate and electric circuit are not adversely affected, it is natural that the smaller the number of scans, the better the production efficiency.
本発明の導電性薄膜は、高価な導電性粉体を高濃度で含有しているので、製造される電気回路製造に要するトータルコストを考えると、基材から除去される導電性薄膜に含まれる導電性粉体を回収し再利用することが重要である。レーザー光照射部位近傍に高性能な集塵機を備え付け、導電性粉体を効率よく回収するシステムを構築することで、十分に採算性のある加工法とすることができる。 Since the conductive thin film of the present invention contains an expensive conductive powder in a high concentration, it is included in the conductive thin film removed from the base material in consideration of the total cost required for manufacturing the electric circuit to be manufactured. It is important to collect and reuse the conductive powder. By installing a high-performance dust collector near the laser beam irradiation site and constructing a system that efficiently recovers the conductive powder, it is possible to make the processing method sufficiently profitable.
本発明の導電性薄膜、導電性積層体および/または電気回路はタッチパネルの構成部材として用いることができる。前記タッチパネルは、抵抗膜方式であっても静電容量方式であってもよい。いずれのタッチパネルにも適用が可能であるが、本ペーストは、細線形成に好適であるため、静電容量方式のタッチパネルの電極配線用に特に好適に用いることができる。尚、前記タッチパネルを構成する基材としては、ITO膜や銀ナノワイヤ膜等の透明導電性層を有しているフィルム又はガラス基材、もしくはそれらがエッチングによって一部除去された基材を用いることが好ましい。 The conductive thin film, the conductive laminate and / or the electric circuit of the present invention can be used as a component of a touch panel. The touch panel may be of a resistance film type or a capacitance type. Although it can be applied to any touch panel, since this paste is suitable for forming fine wires, it can be particularly preferably used for electrode wiring of a capacitive touch panel. As the base material constituting the touch panel, a film or glass base material having a transparent conductive layer such as an ITO film or a silver nanowire film, or a base material from which they are partially removed by etching is used. Is preferable.
本発明をさらに詳細に説明するために以下に実施例、比較例を挙げるが、本発明は実施例によってなんら限定されるものではない。尚、実施例、比較例に記載された各測定値は次の方法によって測定したものである。 Examples and comparative examples are given below to explain the present invention in more detail, but the present invention is not limited to the examples. The measured values described in Examples and Comparative Examples were measured by the following methods.
1.数平均分子量
試料バインダ樹脂を、樹脂濃度が0.5重量%程度となるようにテトラヒドロフランに溶解し、孔径0.5μmのポリ四フッ化エチレン製メンブランフィルターで濾過し、GPC測定試料とした。テトラヒドロフランを移動相とし、島津製作所社製のゲル浸透クロマトグラフ(GPC)Prominenceを用い、示差屈折計(RI計)を検出器として、カラム温度30℃、流量1ml/分にて樹脂試料のGPC測定を行なった。尚、数平均分子量は標準ポリスチレン換算値とし、分子量1000未満に相当する部分を省いて算出した。GPCカラムは昭和電工(株)製のshodex KF-802、804L、806Lを用いた。1. 1. The number average molecular weight sample binder resin was dissolved in tetrahydrofuran so that the resin concentration was about 0.5% by weight, and filtered through a polytetrafluoroethylene membrane filter having a pore size of 0.5 μm to prepare a GPC measurement sample. GPC measurement of a resin sample at a column temperature of 30 ° C. and a flow rate of 1 ml / min using a gel permeation chromatograph (GPC) Prominence manufactured by Shimadzu Corporation as a mobile phase and a differential refractometer (RI meter) as a detector. Was done. The number average molecular weight was calculated by using a standard polystyrene conversion value and omitting a portion corresponding to a molecular weight of less than 1000. As the GPC column, shodex KF-802, 804L, 806L manufactured by Showa Denko KK was used.
2.ガラス転移温度(Tg)
試料バインダ樹脂5mgをアルミニウム製サンプルパンに入れて密封し、セイコー25インスツルメンツ(株)製の示差走査熱量分析計(DSC)DSC-220を用いて、200℃まで、昇温速度20℃/分にて測定し、ガラス転移温度以下のベースラインの延長線と遷移部における最大傾斜を示す接線との交点の温度で求めた。2. 2. Glass transition temperature (Tg)
Place 5 mg of the sample binder resin in an aluminum sample pan, seal it, and use a differential scanning calorimetry (DSC) DSC-220 manufactured by Seiko 25 Instruments Co., Ltd. to a temperature rise rate of 20 ° C / min up to 200 ° C. It was determined by the temperature of the intersection of the extension line of the baseline below the glass transition temperature and the tangent line showing the maximum inclination at the transition part.
3.酸価
試料バインダ樹脂0.2gを精秤し20mlのクロロホルムに溶解した。ついで、指示薬にフェノールフタレイン溶液を用い、0.01Nの水酸化カリウム(エタノール溶液)で滴定を行った。酸価の単位はeq/ton、すなわち試料1トン当たりの当量とした。なお、ここにトンはメトリックトンである。3. 3. 0.2 g of the acid value sample binder resin was precisely weighed and dissolved in 20 ml of chloroform. Then, a phenolphthalein solution was used as an indicator, and titration was performed with 0.01 N potassium hydroxide (ethanol solution). The unit of acid value was eq / ton, that is, equivalent per ton of sample. Note that tons here are metric tons.
4.樹脂組成
クロロホルム-dに試料バインダ樹脂を溶解し、VARIAN製400MHz-NMR装置を用い、1H-NMR分析により樹脂組成を求めた。4. Resin composition The sample binder resin was dissolved in chloroform-d, and the resin composition was determined by 1H-NMR analysis using a 400 MHz-NMR device manufactured by VARIAN.
5.導電性積層体テストピースの作成
厚み100μmのアニール処理をしたPETフィルム(東レ社製ルミラーS)およびITO膜(尾池工業(株)製、KH150)のそれぞれに、400メッシュのステンレススクリーンを用いてスクリーン印刷法により導電性ペーストを印刷し、幅25mm、長さ450mmのべた塗りパターンを形成し、次いで熱風循環式乾燥炉にて130℃で30分加熱したものを導電性積層体テストピースとした。なお、乾燥膜厚が4~10μmになるように印刷時の塗布厚を調整した。5. Preparation of Conductive Laminated Test Piece A 400 mesh stainless steel screen was used for each of the 100 μm thick annealed PET film (Toray Industries, Inc. Lumirror S) and ITO film (Oike Kogyo Co., Ltd., KH150). A conductive paste was printed by a screen printing method to form a solid coating pattern with a width of 25 mm and a length of 450 mm, and then heated in a hot air circulation type drying oven at 130 ° C. for 30 minutes to obtain a conductive laminate test piece. .. The coating thickness at the time of printing was adjusted so that the dry film thickness was 4 to 10 μm.
6.密着性
前記導電性積層体テストピースを用いてJIS K-5400-5-6:1990に従って、セロテープ(登録商標)(ニチバン(株)製)を用い、剥離試験により評価した。但し、格子パターンの各方向のカット数は11個、カット間隔は1mmとした。100/100は剥離がなく密着性が良好なことを示し、0/100は全て剥離してしまったことを表す。6. Adhesion The conductive laminate test piece was evaluated by a peeling test using cellophane tape (registered trademark) (manufactured by Nichiban Co., Ltd.) according to JIS K-5400-5-6: 1990. However, the number of cuts in each direction of the grid pattern was 11, and the cut interval was 1 mm. 100/100 indicates that there is no peeling and the adhesion is good, and 0/100 indicates that all have peeled off.
7.比抵抗
前記導電性積層体テストピースのシート抵抗と膜厚を測定し、比抵抗を算出した。膜厚はゲージスタンドST-022(小野測器社製)を用い、PETフィルムの厚みをゼロ点として硬化塗膜の厚みを5点測定し、その平均値を用いた。シート抵抗はMILLIOHMMETER4338B(HEWLETT PACKARD社製)を用いてテストピース4枚について測定し、その平均値を用いた。尚、本ミリオームメーターで検出できる範囲は1×10-2以下(Ω・cm)であり、1×10-2(Ω・cm)以上の比抵抗は測定限界外となる。7. Specific resistance The sheet resistance and film thickness of the conductive laminate test piece were measured, and the specific resistance was calculated. As the film thickness, a gauge stand ST-022 (manufactured by Ono Sokki Co., Ltd.) was used, the thickness of the cured coating film was measured at 5 points with the thickness of the PET film as the zero point, and the average value was used. The sheet resistance was measured for four test pieces using MILLIOHMMETER4338B (manufactured by Hewlett-Packard), and the average value thereof was used. The range that can be detected by this milliohm meter is 1 × 10-2 (Ω · cm) or less, and the specific resistance of 1 × 10-2 (Ω · cm) or more is out of the measurement limit.
8.耐湿熱性試験:
導電性積層体テストピースを、80℃で300時間加熱し、次いで85℃、85%RH(相対湿度)で300時間加熱し、その後24時間常温で放置した後、各種評価を行った。8. Moisture resistance test:
The conductive laminate test piece was heated at 80 ° C. for 300 hours, then heated at 85 ° C. and 85% RH (relative humidity) for 300 hours, and then left at room temperature for 24 hours, and then various evaluations were performed.
9.表面粗度
前記導電性積層体テストピース1において、表面粗さ計(ハンディーサーフE-35B、東京精密社製、JIS-1994に基づき算出)を用い、表面粗さRaを測定した。9. Surface Roughness In the conductive laminate test piece 1, the surface roughness Ra was measured using a surface roughness meter (Handy Surf E-35B, manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., calculated based on JIS-1994).
10.レーザーエッチング加工適性の評価
スクリーン印刷法により、ポリエステル基材(東レ社製ルミラーS(厚み100μm))上に、導電性ペーストを2.5×10cmの長方形に印刷した。スクリーン版は400メッシュ、線径18μm、カレンダー加工あり、乳剤厚10μのステンレススクリーン、印刷機は東海商事株式会社製SSA-TF150Eを用い印刷条件はスキージ速度100mm/s、スクレッパ速度75mm/s、押し込み量1.0mm/s、クリアランス1.5mm、スキージ圧0.4MPa、スキージ角度75度、スキージ硬度80度。印刷後、熱風循環式乾燥炉にて130℃で30分間の乾燥を行って導電性薄膜を得た。尚、膜厚は5~7μmとなるようにペーストを希釈調整した。次いで、上記方法にて作成した導電性薄膜にレーザーエッチング加工を行い、図2のような長さ50mmの4本の直線部分を有するパターンを10枚作製し、レーザーエッチング加工適性評価試験片とした。レーザーエッチング加工は、レーザー光を40μmピッチ(L/S=20/20μm)で3回走査することによって行った。条件はレーザー光源にはファイバーレーザー(波長:1064nm)を用い、周波数300kHz、走査速度2500mm/s、パルス幅15ns、出力は適宜調整して、レーザーエッチング加工を実施した。10. Evaluation of Laser Etching Appropriateness A conductive paste was printed in a rectangle of 2.5 × 10 cm on a polyester substrate (Toray Industries, Inc. Lumirror S (
11.レーザーエッチング加工適性評価(1)細線両端間導通性
前記レーザーエッチング加工適性評価試験片において、細線の両端の間の導通が確保されているかにより評価した。具体的には、端子1a-端子1c間、端子2a-端子2c間、端子3a-端子3c間、端子4a-端子4c間のそれぞれについてテスターを当てて導通の有無を確認し、下記評価基準で判定した。なお、試験片は10枚作製、1枚当り4本あるため、40本の細線にて評価を実施した。
○;40本の細線の全てについて細線の両端間に導通がある
△;40本の細線のうち、細線の両端間に導通がないのは10本未満である。
×;40本の細線のうち、細線の両端間に導通がないのは10本以上である。11. Laser etching aptitude evaluation (1) Conductivity between both ends of the thin wire The laser etching aptitude evaluation test piece was evaluated based on whether the continuity between both ends of the thin wire was secured. Specifically, a tester is applied to each of the terminals 1a-terminal 1c, the terminal 2a-terminal 2c, the terminal 3a-terminal 3c, and the terminal 4a-terminal 4c to check the presence or absence of continuity, and the following evaluation criteria are used. Judgment. Since 10 test pieces were prepared and 4 pieces were prepared for each piece, evaluation was performed using 40 thin lines.
◯; There is continuity between both ends of the thin wire for all 40 thin wires Δ; Of the 40 thin wires, less than 10 have no continuity between both ends of the thin wire.
X; Of the 40 thin wires, 10 or more have no continuity between both ends of the thin wires.
12.レーザーエッチング加工適性評価(2)隣接細線間絶縁性
前記レーザーエッチング加工適性評価試験片において、隣接する細線の間の絶縁が確保されているかにより評価した。具体的には、端子1a-端子2a間、端子2a-端子3a間、端子3a-端子4a間、のそれぞれについてテスターを当てて導通の有無を確認し、下記評価基準で判定した。なお、試験片は10枚作製、1枚当り3水準あり、合計30水準にて評価を実施した。
○;30水準すべての隣接細線間が絶縁されている
△;20水準以上の隣接細線間が絶縁されている
×;20水準未満の隣接細線間が絶縁されていない12. Laser etching aptitude evaluation (2) Insulation between adjacent thin wires In the laser etching aptitude evaluation test piece, evaluation was made based on whether insulation between adjacent fine wires was secured. Specifically, the presence or absence of continuity was confirmed by applying a tester to each of the terminals 1a-terminal 2a, the terminal 2a-terminal 3a, and the terminal 3a-terminal 4a, and the determination was made according to the following evaluation criteria. Ten test pieces were prepared, and there were three levels per piece, and evaluation was carried out at a total of 30 levels.
◯; Insulation between adjacent thin wires of all 30 levels Δ; Insulation between adjacent thin wires of 20 levels or more ×; Insulation between adjacent thin wires of less than 20 levels
13.リング状凹みの評価
スクリーン印刷法により、ポリエステル基材(東レ社製ルミラーS(厚み100μm))上に、導電性ペーストを0.5×80mmの長方形に印刷した。スクリーン版は400メッシュ、線径18μm、カレンダー加工あり、乳剤厚10μのステンレススクリーン、印刷機は東海商事株式会社製SSA-TF150Eを用い印刷条件はスキージ速度100mm/s、スクレッパ速度75mm/s、押し込み量1.0mm/s、クリアランス1.5mm、スキージ圧0.4MPa、スキージ角度75度、スキージ硬度80度。印刷後、熱風循環式乾燥炉にて130℃で30分間の乾燥を行って導電性薄膜を得た。得られた導電性薄膜において、レーザー顕微鏡(キーエンスVHX-1000)を用いてリング状凹みの数を計測し、下記の評価基準で判定した。
リング状凹みの数(個/cm2)
◎0~5
○6~20
△21~50
×51以上13. Evaluation of ring-shaped dents A conductive paste was printed in a rectangular shape of 0.5 × 80 mm on a polyester substrate (Toray Industries, Inc. Lumirror S (
Number of ring-shaped dents (pieces / cm2)
◎ 0-5
○ 6-20
△ 21-50
× 51 or more
<実施例1~3、比較例1>
表1に示す配合比にて4通りの導電ペーストを調整した。まず、バインダ樹脂を固形分濃度が35質量%となるように溶剤適当量へ溶解し、得られたバインダ樹脂溶液、銀粉1、硬化剤、硬化触媒、残りの溶剤量、そのほか添加剤を秤量配合しプレミキシングの後、チルド三本ロール混練り機に2回通して分散した。次いで、ペースト濾過機(プロテック社製PF320A)に795メッシュ(ステンレスメッシュフィルター(線経16μm、目開き16μm)の濾過フィルターを取り付け、上記ペーストの濾過を行った。
その後、得られた導電性ペーストを所定のパターンに乾燥膜厚が17μmとなるように印刷後、120℃×30分間乾燥し、導電性薄膜を得た。得られた導電性薄膜を用いて基本物性を測定し、次いで、レーザーエッチング加工の検討を行った。評価結果は、表1に示した。<Examples 1 to 3, Comparative Example 1>
Four types of conductive pastes were prepared according to the compounding ratios shown in Table 1. First, the binder resin is dissolved in an appropriate amount of solvent so that the solid content concentration becomes 35% by mass, and the obtained binder resin solution, silver powder 1, curing agent, curing catalyst, remaining solvent amount, and other additives are weighed and mixed. After premixing, the mixture was passed through a chilled three-roll kneader twice and dispersed. Next, a 795 mesh (stainless steel mesh filter (wire diameter 16 μm, opening 16 μm) filtration filter was attached to a paste filter (PF320A manufactured by Protech), and the paste was filtered.
Then, the obtained conductive paste was printed on a predetermined pattern so that the dry film thickness was 17 μm, and then dried at 120 ° C. for 30 minutes to obtain a conductive thin film. The basic physical properties were measured using the obtained conductive thin film, and then the laser etching process was examined. The evaluation results are shown in Table 1.
表1
Table 1
なお、表1、
銀粉1:凝集銀粉(D50:1.3μm)
銀粉2:フレーク状銀粉(D50:1.3μm)
銀粉3:球状銀粉(D50:1.3μm)
バインダ樹脂1:InChem製PKHC(フェノキシ樹脂、数平均分子量21000、Tg=89℃)
バインダ樹脂2:InChme製PKHC変性物(フェノキシ樹脂、数平均分子量21000、Tg=97℃)
バインダ樹脂3:東洋紡製バイロン103(Tg=47℃、酸価25)
シリカ1:日本アロエジル製 AEROSIL 300 (一次粒子径:7nm)
カーボン1:ライオン製 ECP600JD (一次粒子径:34nm)
無機フィラー1:東亞合成製 イオン補足剤IXE-PLAS A2 (メジアン径:0.2μm)
溶剤1:エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
溶剤2:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
溶剤3:ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
硬化剤1:Baxenden製 ブロックイソシアネート BI7960
硬化剤1:Baxenden製 ブロックイソシアネート BI7982
硬化触媒:共同薬品(株)製KS1260
分散剤1:ビックケミー・ジャパン(株)社製Disperbyk167
添加剤1:カルボン酸アミン塩
添加剤2:カルボン酸
である。In addition, Table 1,
Silver powder 1: Aggregated silver powder (D50: 1.3 μm)
Silver powder 2: Flaky silver powder (D50: 1.3 μm)
Silver powder 3: Spherical silver powder (D50: 1.3 μm)
Binder resin 1: PKHC manufactured by InChem (phenoxy resin, number average molecular weight 21000, Tg = 89 ° C)
Binder resin 2: PKHC modified product manufactured by InChme (phenoxy resin, number average molecular weight 21000, Tg = 97 ° C.)
Binder resin 3: Toyobo Byron 103 (Tg = 47 ° C., acid value 25)
Silica 1: AEROSIL 300 manufactured by Nippon Aloesil (primary particle size: 7 nm)
Carbon 1: Lion ECP600JD (primary particle size: 34 nm)
Inorganic filler 1: Toagosei ion supplement IXE-PLAS A2 (median diameter: 0.2 μm)
Solvent 1: Ethylene glycol monobutyl ether acetate
Solvent 2: Diethylene glycol monoethyl ether acetate
Solvent 3: Diethylene glycol monobutyl ether acetate
Hardener 1: Baxenden blocked isocyanate BI7960
Hardener 1: Baxenden blocked isocyanate BI7982
Curing catalyst: KS1260 manufactured by Kyodo Yakuhin Co., Ltd.
Dispersant 1: Disperbyk 167 manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.
Additive 1: Carboxylic acid amine salt Additive 2: Carboxylic acid.
<応用例1>
得られた導電ペ-ストP1を用い、乾燥膜厚が17μmとなるように印刷し、乾燥温度と乾燥時間を変えて、リング状凹み欠点、細線両端導通性、細線両端絶縁性を評価した。結果を表2から表4に示す。低温で長時間かけて乾燥した場合にはリング所う凹みが減り、細線両端導通性、細線両端絶縁性が改善される傾向にある事が示されている。<Application example 1>
Using the obtained conductive paste P1, printing was performed so that the drying film thickness was 17 μm, and the drying temperature and the drying time were changed to evaluate the ring-shaped dent defect, the conductivity at both ends of the thin wire, and the insulation at both ends of the thin wire. The results are shown in Tables 2 to 4. It has been shown that when the product is dried at a low temperature for a long time, the dents in the ring are reduced, and the conductivity at both ends of the thin wire and the insulation at both ends of the thin wire tend to be improved.
表2
Table 2
表3
Table 3
表4
Table 4
<応用例2>
得られた導電ペ-ストP2~P4を用い、乾燥膜厚が17μmとなるように印刷し、乾燥温度と乾燥時間を変えて、リング状凹み欠点、細線両端導通性、細線両端間絶縁性を評価した。結果を表5~7に示す。<Application example 2>
Using the obtained conductive pastes P2 to P4, printing was performed so that the drying film thickness was 17 μm, and the drying temperature and drying time were changed to obtain ring-shaped dent defects, fine wire both ends conductivity, and thin wire both ends insulation. evaluated. The results are shown in Tables 5-7.
表5
Table 5
表6
Table 6
表7
<応用例3>
得られた導電ペ-ストP1~P4を用い、各々乾燥条件を変えてリング状凹み欠点が少なくなる条件を見つけ、細線両端間導通性、細線両端間絶縁性を評価した。結果を表8.に示す。Table 7
<Application example 3>
Using the obtained conductive pastes P1 to P4, the conditions for reducing the ring-shaped dent defects were found by changing the drying conditions, and the conductivity between both ends of the thin wire and the insulation between both ends of the thin wire were evaluated. The results are shown in Table 8. Shown in.
表8
Table 8
<実施例11>
表11に示す配合比にて導電ペーストを調整した。まず、バインダ樹脂を固形分濃度が35質量%となるように溶剤適当量へ溶解し、得られたバインダー樹脂溶液、銀粉1、硬化剤、硬化触媒、残りの溶剤量、そのほか添加剤を秤量配合しプレミキシングの後、チルド三本ロール混練り機に2回通して分散した。次いで、ペースト濾過機(プロテック社製PF320A)に795メッシュ(ステンレスメッシュフィルター(線経16μm、目開き16μm)の濾過フィルターを取り付け、上記ペーストの濾過を行った。その後、得られた導電性ペーストを所定のパターンに印刷後、130℃×30分間乾燥し、導電性薄膜を得た。本導電性薄膜を用いて基本物性を測定し、次いで、レーザーエッチング加工の検討を行った。評価結果は、表11に示した。<Example 11>
The conductive paste was adjusted according to the compounding ratio shown in Table 11. First, the binder resin is dissolved in an appropriate amount of solvent so that the solid content concentration becomes 35% by mass, and the obtained binder resin solution, silver powder 1, curing agent, curing catalyst, remaining solvent amount, and other additives are weighed and mixed. After premixing, the mixture was passed through a chilled three-roll kneader twice and dispersed. Next, a filter of 795 mesh (stainless steel mesh filter (line diameter 16 μm, opening 16 μm)) was attached to a paste filter (PF320A manufactured by Protech), and the above paste was filtered. Then, the obtained conductive paste was obtained. Was printed on a predetermined pattern and dried at 130 ° C. for 30 minutes to obtain a conductive thin film. Basic physical properties were measured using this conductive thin film, and then laser etching processing was examined. , Shown in Table 11.
<実施例12~21、比較例11~13>
導電性ペーストの樹脂および配合を変えて実施例12~21、比較例11~13を実施した。導電性ペーストの配合および評価結果を表11に示した。実施例においてはオーブン130℃×30分という比較的低温かつ短時間の加熱により良好な塗膜物性を得ることができた。またITO膜への密着性、湿熱環境試験後の評価も良好であった。<Examples 12 to 21, Comparative Examples 11 to 13>
Examples 12 to 21 and Comparative Examples 11 to 13 were carried out by changing the resin and the composition of the conductive paste. Table 11 shows the formulation and evaluation results of the conductive paste. In the examples, good coating film physical characteristics could be obtained by heating in an oven at a relatively low temperature of 130 ° C. × 30 minutes for a short time. In addition, the adhesion to the ITO film and the evaluation after the moist heat environment test were also good.
表11
Table 11
なお、表11中、
銀粉1:凝集銀粉(D50:1.3μm)
銀粉2:フレーク状銀粉(D50:1.3μm)
銀粉3:球状銀粉(D50:1.3μm)
バインダ樹脂1:InChem製PKHC(フェノキシ樹脂、数平均分子量21000、Tg=89℃)
バインダ樹脂2:InChme製PKHC変性物(フェノキシ樹脂、数平均分子量21000、Tg=97℃)
バインダ樹脂3:東洋紡製バイロン600(Tg=45℃、酸価30)
バインダ樹脂4:東洋紡製バイロン103(Tg=47℃、酸価25)
バインダ樹脂5:東洋紡製バイロン270(Tg=67℃、酸価30)
シリカ1:日本アロエジル製 AEROSIL 300 (一次粒子径:7nm)
シリカ2:日本アロエジル製 AEROSIL 130(一次粒子径:16nm)
シリカ3:日本アロエジル製 AEROSIL R972 (一次粒子径:16nm)
溶剤1:エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
溶剤2:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
溶剤3:ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
硬化剤1:Baxenden製 ブロックイソシアネート BI7960
硬化剤1:Baxenden製 ブロックイソシアネート BI7982
硬化触媒:共同薬品(株)製KS1260
分散剤1:ビックケミー・ジャパン(株)社製Disperbyk167
添加剤1:カルボン酸アミン塩
添加剤2:カルボン酸
である。In Table 11,
Silver powder 1: Aggregated silver powder (D50: 1.3 μm)
Silver powder 2: Flaky silver powder (D50: 1.3 μm)
Silver powder 3: Spherical silver powder (D50: 1.3 μm)
Binder resin 1: PKHC manufactured by InChem (phenoxy resin, number average molecular weight 21000, Tg = 89 ° C)
Binder resin 2: PKHC modified product manufactured by InChme (phenoxy resin, number average molecular weight 21000, Tg = 97 ° C.)
Binder resin 3: Toyobo Byron 600 (Tg = 45 ° C., acid value 30)
Binder resin 4: Toyobo Byron 103 (Tg = 47 ° C., acid value 25)
Binder resin 5: Toyobo Byron 270 (Tg = 67 ° C., acid value 30)
Silica 1: AEROSIL 300 manufactured by Nippon Aloesil (primary particle size: 7 nm)
Silica 2: AEROSIL 130 manufactured by Nippon Aloesil (primary particle size: 16 nm)
Silica 3: Made by Nippon Aloesil AEROSIL R972 (primary particle size: 16 nm)
Solvent 1: Ethylene glycol monobutyl ether acetate Solvent 2: Diethylene glycol monoethyl ether acetate Solvent 3: Diethylene glycol monobutyl ether acetate Hardener 1: Baxenden blocked isocyanate BI7960
Hardener 1: Baxenden blocked isocyanate BI7982
Curing catalyst: KS1260 manufactured by Kyodo Yakuhin Co., Ltd.
Dispersant 1: Disperbyk 167 manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.
Additive 1: Carboxylic acid amine salt Additive 2: Carboxylic acid.
<実施例31>
表12に示す配合比にて導電ペーストを調整した。まず、バインダ樹脂を固形分濃度が35質量%となるように溶剤適当量へ溶解し、得られたバインダー樹脂溶液、銀粉1、硬化剤、硬化触媒、残りの溶剤量、そのほか添加剤を秤量配合しプレミキシングの後、チルド三本ロール混練り機に2回通して分散した。次いで、ペースト濾過機(プロテック社製PF320A)に795メッシュ(ステンレスメッシュフィルター(線経16μm、目開き16μm)の濾過フィルターを取り付け、上記ペーストの濾過を行った。その後、得られた導電性ペーストを所定のパターンに印刷後、130℃×30分間乾燥し、導電性薄膜を得た。本導電性薄膜を用いて基本物性を測定し、次いで、レーザーエッチング加工の検討を行った。評価結果は、表12に示した。<Example 31>
The conductive paste was adjusted according to the compounding ratio shown in Table 12. First, the binder resin is dissolved in an appropriate amount of solvent so that the solid content concentration becomes 35% by mass, and the obtained binder resin solution, silver powder 1, curing agent, curing catalyst, remaining solvent amount, and other additives are weighed and mixed. After premixing, the mixture was passed through a chilled three-roll kneader twice and dispersed. Next, a filter of 795 mesh (stainless steel mesh filter (line diameter 16 μm, opening 16 μm)) was attached to a paste filter (PF320A manufactured by Protech), and the above paste was filtered. Then, the obtained conductive paste was obtained. Was printed on a predetermined pattern and dried at 130 ° C. for 30 minutes to obtain a conductive thin film. Basic physical properties were measured using this conductive thin film, and then laser etching processing was examined. , Shown in Table 12.
<実施例32~39、比較例1~3>
導電性ペーストの樹脂および配合を変えて実施例32~39、比較例31~33を実施した。導電性ペーストの配合および評価結果を表12に示した。実施例においてはオーブン130℃×30分という比較的低温かつ短時間の加熱により良好な塗膜物性を得ることができた。またITO膜への密着性、湿熱環境試験後の評価も良好であった。<Examples 32 to 39, Comparative Examples 1 to 3>
Examples 32 to 39 and Comparative Examples 31 to 33 were carried out by changing the resin and the composition of the conductive paste. Table 12 shows the formulation and evaluation results of the conductive paste. In the examples, good coating film physical characteristics could be obtained by heating in an oven at a relatively low temperature of 130 ° C. × 30 minutes for a short time. In addition, the adhesion to the ITO film and the evaluation after the moist heat environment test were also good.
表12
Table 12
なお、表12中、
銀粉1:凝集銀粉(D50:1.3μm)
銀粉2:フレーク状銀粉(D50:1.3μm)
銀粉3:球状銀粉(D50:1.3μm)
バインダ樹脂1:InChem製PKHC(フェノキシ樹脂、数平均分子量21000、Tg=89℃)
バインダ樹脂2:InChme製PKHC変性物(フェノキシ樹脂、数平均分子量21000、Tg=97℃)
バインダ樹脂3:東洋紡製バイロン600(Tg=45℃、酸価30)
バインダ樹脂4:東洋紡製バイロン103(Tg=47℃、酸価25)
バインダ樹脂5:東洋紡製バイロン270(Tg=67℃、酸価30)
カーボン1:ライオン製 ECP600JD (一次粒子径:34nm)
カーボン2:ライオン製 カーボンECP(一次粒子径:39.5nm)
カーボン3:東海カーボン製 トーカブラック♯5500 (算術平均粒子径:25nm)
カーボン4:東海カーボン製 トーかブラック♯4400 (算術平均粒子径:38nm)
溶剤1:エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
溶剤2:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
溶剤3:ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
硬化剤1:Baxenden製 ブロックイソシアネート BI7960
硬化剤1:Baxenden製 ブロックイソシアネート BI7982
硬化触媒:共同薬品(株)製KS1260
分散剤1:ビックケミー・ジャパン(株)社製Disperbyk167
添加剤1:カルボン酸アミン塩
添加剤2:カルボン酸
である。In Table 12,
Silver powder 1: Aggregated silver powder (D50: 1.3 μm)
Silver powder 2: Flaky silver powder (D50: 1.3 μm)
Silver powder 3: Spherical silver powder (D50: 1.3 μm)
Binder resin 1: PKHC manufactured by InChem (phenoxy resin, number average molecular weight 21000, Tg = 89 ° C)
Binder resin 2: PKHC modified product manufactured by InChme (phenoxy resin, number average molecular weight 21000, Tg = 97 ° C.)
Binder resin 3: Toyobo Byron 600 (Tg = 45 ° C., acid value 30)
Binder resin 4: Toyobo Byron 103 (Tg = 47 ° C., acid value 25)
Binder resin 5: Toyobo Byron 270 (Tg = 67 ° C., acid value 30)
Carbon 1: Lion ECP600JD (primary particle size: 34 nm)
Carbon 2: Lion carbon ECP (primary particle size: 39.5 nm)
Carbon 3: Tokai Carbon Talker Black # 5500 (Arithmetic Mean Particle Diameter: 25nm)
Carbon 4: Tokai Carbon Toe or Black # 4400 (Arithmetic Mean Particle Diameter: 38nm)
Solvent 1: Ethylene glycol monobutyl ether acetate Solvent 2: Diethylene glycol monoethyl ether acetate Solvent 3: Diethylene glycol monobutyl ether acetate Hardener 1: Baxenden blocked isocyanate BI7960
Hardener 1: Baxenden blocked isocyanate BI7982
Curing catalyst: KS1260 manufactured by Kyodo Yakuhin Co., Ltd.
Dispersant 1: Disperbyk 167 manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.
Additive 1: Carboxylic acid amine salt Additive 2: Carboxylic acid.
<実施例41>
表13、表14に示す配合比にて導電ペーストを調整した。まず、バインダ樹脂を固形分濃度が35質量%となるように溶剤適当量へ溶解し、得られたバインダー樹脂溶液、銀粉1、硬化剤、硬化触媒、残りの溶剤量、そのほか添加剤を秤量配合しプレミキシングの後、チルド三本ロール混練り機に2回通して分散した。次いで、ペースト濾過機(プロテック社製PF320A)に795メッシュ(ステンレスメッシュフィルター(線経16μm、目開き16μm)の濾過フィルターを取り付け、上記ペーストの濾過を行った。その後、得られた導電性ペーストを所定のパターンに印刷後、130℃×30分間乾燥し、導電性薄膜を得た。本導電性薄膜を用いて基本物性を測定し、次いで、レーザーエッチング加工の検討を行った。評価結果は、表13、表14に示した。<Example 41>
The conductive paste was adjusted according to the blending ratios shown in Tables 13 and 14. First, the binder resin is dissolved in an appropriate amount of solvent so that the solid content concentration becomes 35% by mass, and the obtained binder resin solution, silver powder 1, curing agent, curing catalyst, remaining solvent amount, and other additives are weighed and mixed. After premixing, the mixture was passed through a chilled three-roll kneader twice and dispersed. Next, a filter of 795 mesh (stainless steel mesh filter (line diameter 16 μm, opening 16 μm)) was attached to a paste filter (PF320A manufactured by Protech), and the above paste was filtered. Then, the obtained conductive paste was obtained. Was printed on a predetermined pattern and dried at 130 ° C. for 30 minutes to obtain a conductive thin film. Basic physical properties were measured using this conductive thin film, and then laser etching processing was examined. , Table 13 and Table 14.
<実施例42~57、比較例41~43>
導電性ペーストの樹脂および配合を変えて実施例42~57、比較例41~43を実施した。導電性ペーストの配合および評価結果を表13、表14に示した。実施例においてはオーブン130℃×30分という比較的低温かつ短時間の加熱により良好な塗膜物性を得ることができた。またITO膜への密着性、湿熱環境試験後の評価も良好であった。<Examples 42 to 57, Comparative Examples 41 to 43>
Examples 42 to 57 and Comparative Examples 41 to 43 were carried out by changing the resin and the composition of the conductive paste. The formulation and evaluation results of the conductive paste are shown in Tables 13 and 14. In the examples, good coating film physical characteristics could be obtained by heating in an oven at a relatively low temperature of 130 ° C. × 30 minutes for a short time. In addition, the adhesion to the ITO film and the evaluation after the moist heat environment test were also good.
表13
Table 13
表14
Table 14
なお、表13、表14中、
銀粉1:凝集銀粉(D50:1.3μm)
銀粉2:フレーク状銀粉(D50:1.3μm)
銀粉3:球状銀粉(D50:1.3μm)
バインダ樹脂1:InChem製PKHC(フェノキシ樹脂、数平均分子量21000、Tg=89℃)
バインダ樹脂2:InChme製PKHC変性物(フェノキシ樹脂、数平均分子量21000、Tg=97℃)
バインダ樹脂3:東洋紡製バイロン600(Tg=45℃、酸価30)
バインダ樹脂4:東洋紡製バイロン103(Tg=47℃、酸価25)
バインダ樹脂5:東洋紡製バイロン270(Tg=67℃、酸価30)
シリカ1:日本アロエジル製 AEROSIL 300 (一次粒子径:7nm)
シリカ2:日本アロエジル製 AEROSIL 130(一次粒子径:16nm)
シリカ3:日本アロエジル製 AEROSIL R972 (一次粒子径:16nm)
カーボン1:ライオン製 ECP600JD (一次粒子径:34nm)
カーボン2:ライオン製 カーボンECP(一次粒子径:39.5nm)
無機フィラー1:東亞合成製 イオン補足剤 IXE-700F (メジアン径:1.5μm)
無機フィラー2:東亞合成製 イオン補足剤IXE-100 (メジアン径:1.0μm)
無機フィラー3:東亞合成製 イオン補足剤IXE-PLAS A1 (メジアン径:0.5μm)
無機フィラー4:東亞合成製 イオン補足剤IXE-PLAS A2 (メジアン径:0.2μm)
無機フィラー5:東亞合成製 イオン補足剤IXE-PLAS B1 (メジアン径:0.4μm)
無機フィラー6:石原産業製 酸化チタンCR-57 (平均粒子径:0.25μm)
無機フィラー7:石原産業製 酸化チタンA-100 (平均粒子径:0.15μm)
無機フィラー8:堺化学製 硫酸バリウムB-1
無機フィラー9:堺化学製 硫酸バリウムB-65
溶剤1:エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
溶剤2:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
溶剤3:ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
硬化剤1:Baxenden製 ブロックイソシアネート BI7960
硬化剤1:Baxenden製 ブロックイソシアネート BI7982
硬化触媒:共同薬品(株)製KS1260
分散剤1:ビックケミー・ジャパン(株)社製Disperbyk167
添加剤1:カルボン酸アミン塩
In Tables 13 and 14,
Silver powder 1: Aggregated silver powder (D50: 1.3 μm)
Silver powder 2: Flaky silver powder (D50: 1.3 μm)
Silver powder 3: Spherical silver powder (D50: 1.3 μm)
Binder resin 1: PKHC manufactured by InChem (phenoxy resin, number average molecular weight 21000, Tg = 89 ° C)
Binder resin 2: PKHC modified product manufactured by InChme (phenoxy resin, number average molecular weight 21000, Tg = 97 ° C.)
Binder resin 3: Toyobo Byron 600 (Tg = 45 ° C., acid value 30)
Binder resin 4: Toyobo Byron 103 (Tg = 47 ° C., acid value 25)
Binder resin 5: Toyobo Byron 270 (Tg = 67 ° C., acid value 30)
Silica 1: AEROSIL 300 manufactured by Nippon Aloesil (primary particle size: 7 nm)
Silica 2: AEROSIL 130 manufactured by Nippon Aloesil (primary particle size: 16 nm)
Silica 3: Made by Nippon Aloesil AEROSIL R972 (primary particle size: 16 nm)
Carbon 1: Lion ECP600JD (primary particle size: 34 nm)
Carbon 2: Lion carbon ECP (primary particle size: 39.5 nm)
Inorganic filler 1: Toagosei ion supplement IXE-700F (Median diameter: 1.5 μm)
Inorganic filler 2: Toagosei ion supplement IXE-100 (Median diameter: 1.0 μm)
Inorganic filler 3: Toagosei ion supplement IXE-PLAS A1 (Median diameter: 0.5 μm)
Inorganic filler 4: Toagosei ion supplement IXE-PLAS A2 (Median diameter: 0.2 μm)
Inorganic filler 5: Toagosei ion supplement IXE-PLAS B1 (Median diameter: 0.4 μm)
Inorganic filler 6: Titanium oxide CR-57 manufactured by Ishihara Sangyo (average particle size: 0.25 μm)
Inorganic filler 7: Titanium oxide A-100 manufactured by Ishihara Sangyo (average particle size: 0.15 μm)
Inorganic filler 8: Barium sulfate B-1 manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.
Inorganic filler 9: Barium sulfate B-65 manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.
Solvent 1: Ethylene glycol monobutyl ether acetate
Solvent 2: Diethylene glycol monoethyl ether acetate
Solvent 3: Diethylene glycol monobutyl ether acetate
Hardener 1: Baxenden blocked isocyanate BI7960
Hardener 1: Baxenden blocked isocyanate BI7982
Curing catalyst: KS1260 manufactured by Kyodo Yakuhin Co., Ltd.
Dispersant 1: Disperbyk 167 manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.
Additive 1: Carboxylic acid amine salt
本発明の導電性被膜は、導電フィラーとバインダ樹脂と溶剤からなる導電性ペーストを乾燥固化することによって得られ、表面に特異的な欠点が無いために、レーザーエッチング加工適正に優れ、L/S=50/50μm以下の微細線形成が収率良く可能となるため、印刷技術を応用して微細回路を形成するあらゆる用途に応用可能であり、特にタッチパネル、ディスプレイ、デジタイザ、帯電防止、等、広い分野にて使用することができる。 The conductive film of the present invention is obtained by drying and solidifying a conductive paste composed of a conductive filler, a binder resin and a solvent, and since there are no specific defects on the surface, it is excellent in laser etching processing and has excellent L / S. Since it is possible to form fine lines of 50/50 μm or less in good yield, it can be applied to all applications for forming fine circuits by applying printing technology, especially for touch panels, displays, digitizers, antistatic, etc. Can be used in the field.
1a、2a、3a、4a : それぞれ端子1a、2a、3a、4a
1b、2b、3b、4b : それぞれ細線1b、2b、3b、4b
1c、2c、3c、4c : それぞれ端子1c、2c、3c、4c
1a, 2a, 3a, 4a: Terminals 1a, 2a, 3a, 4a, respectively
1b, 2b, 3b, 4b: Fine lines 1b, 2b, 3b, 4b, respectively
1c, 2c, 3c, 4c: Terminals 1c, 2c, 3c, 4c, respectively
Claims (10)
(B)平均粒子径が0.3μm以上、6μm以下の金属粒子、および
(G)平均粒子径が5nm以上、200nm以下のカーボンまたは二酸化珪素粒子、
(H)平均粒子径が0.13μm以上0,85μm以下のイオン補足剤粒子、
(A)高分子バインダ樹脂、
(E)溶剤
を含有することを特徴とするレーザーエッチング加工用導電性ペースト。 At least (B) metal particles with an average particle size of 0.3 μm or more and 6 μm or less, and (G) carbon or silicon dioxide particles with an average particle size of 5 nm or more and 200 nm or less.
(H) Ion catching agent particles having an average particle diameter of 0.13 μm or more and 0.85 μm or less,
(A) Polymer binder resin ,
(E) A conductive paste for laser etching processing, which comprises a solvent.
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053632 | 2016-03-17 | ||
JP2016053631 | 2016-03-17 | ||
JP2016053630 | 2016-03-17 | ||
JP2016053631 | 2016-03-17 | ||
JP2016053633 | 2016-03-17 | ||
JP2016053633 | 2016-03-17 | ||
JP2016053632 | 2016-03-17 | ||
JP2016053630 | 2016-03-17 | ||
PCT/JP2017/008284 WO2017159381A1 (en) | 2016-03-17 | 2017-03-02 | Conductive film and conductive paste for laser etching processing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017159381A1 JPWO2017159381A1 (en) | 2019-01-24 |
JP7056552B2 true JP7056552B2 (en) | 2022-04-19 |
Family
ID=59851429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018505804A Active JP7056552B2 (en) | 2016-03-17 | 2017-03-02 | Conductive coating and conductive paste for laser etching processing |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7056552B2 (en) |
KR (1) | KR102353074B1 (en) |
CN (1) | CN108781505B (en) |
TW (1) | TWI710041B (en) |
WO (1) | WO2017159381A1 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2019004331A1 (en) * | 2017-06-30 | 2020-04-23 | 積水化学工業株式会社 | Conductive paste |
CN117715492A (en) * | 2018-06-20 | 2024-03-15 | 信越化学工业株式会社 | Transfer device, transfer method, mask and manufacturing method of display |
JP7281263B2 (en) | 2018-09-27 | 2023-05-25 | 味の素株式会社 | Resin composition, photosensitive film, photosensitive film with support, printed wiring board and semiconductor device |
CN109887638B (en) * | 2019-01-14 | 2021-02-23 | 上海大学 | Multi-scale nano silver paste mixed by nano silver particles and silver-plated silicon carbide particles and preparation method thereof |
US11056630B2 (en) | 2019-02-13 | 2021-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display module having glass substrate on which side wirings are formed and manufacturing method of the same |
TWI741635B (en) * | 2019-06-28 | 2021-10-01 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN111243779A (en) * | 2020-03-09 | 2020-06-05 | 广东四维新材料有限公司 | Preparation method for laser cutting conductive silver paste and low temperature curing ultrafine spherical silver powder and each other |
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JP2011181338A (en) | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Taiyo Holdings Co Ltd | Method of forming conductive pattern using laser and composition using the same |
JP6016328B2 (en) | 2011-02-07 | 2016-10-26 | 株式会社三共 | Game system |
WO2012161181A1 (en) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 株式会社カネカ | Conductive film, current collector using same, battery and bipolar battery |
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JP6079425B2 (en) * | 2012-05-16 | 2017-02-15 | 日立化成株式会社 | Conductive particles, anisotropic conductive adhesive film, and connection structure |
JP2014002992A (en) | 2012-06-14 | 2014-01-09 | Pelnox Ltd | Electroconductive paste composition for laser etching |
JP6227321B2 (en) * | 2013-08-05 | 2017-11-08 | リンテック株式会社 | Transparent conductive film with protective film |
JP2015050107A (en) * | 2013-09-03 | 2015-03-16 | 富士フイルム株式会社 | Method of producing conductive film |
JP5932098B2 (en) * | 2014-04-17 | 2016-06-08 | 日東電工株式会社 | Transparent conductive film |
-
2017
- 2017-03-02 WO PCT/JP2017/008284 patent/WO2017159381A1/en active Application Filing
- 2017-03-02 JP JP2018505804A patent/JP7056552B2/en active Active
- 2017-03-02 CN CN201780016621.0A patent/CN108781505B/en active Active
- 2017-03-02 KR KR1020187025703A patent/KR102353074B1/en active Active
- 2017-03-07 TW TW106107299A patent/TWI710041B/en active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108781505A (en) | 2018-11-09 |
KR102353074B1 (en) | 2022-01-19 |
CN108781505B (en) | 2021-08-06 |
WO2017159381A1 (en) | 2017-09-21 |
TWI710041B (en) | 2020-11-11 |
KR20180121522A (en) | 2018-11-07 |
TW201735219A (en) | 2017-10-01 |
JPWO2017159381A1 (en) | 2019-01-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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