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JP6990121B2 - Board processing equipment - Google Patents

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JP6990121B2 JP2018039544A JP2018039544A JP6990121B2 JP 6990121 B2 JP6990121 B2 JP 6990121B2 JP 2018039544 A JP2018039544 A JP 2018039544A JP 2018039544 A JP2018039544 A JP 2018039544A JP 6990121 B2 JP6990121 B2 JP 6990121B2
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Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機EL用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などの各種基板(以下、単に基板と称する)に対して、熱処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an organic EL substrate, a FED (Field Emission Display) substrate, an optical display substrate, a magnetic disk substrate, an optical magnetic disk substrate, and a photomask. The present invention relates to a substrate processing apparatus that heat-treats various substrates (hereinafter, simply referred to as substrates) such as substrates and substrates for solar cells.

従来、この種の装置として、載置された基板を加熱する熱処理プレートと、熱処理プレートの上部を囲い、熱処理プレートに対して昇降可能に構成され、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成するカバー部材と、熱処理プレートとカバー部材とを囲った筐体と、カバー部材の天井面と熱処理プレートの上面との間に設けられた天板と、天板の下面と熱処理プレートの上面との間隔を調整する位置調整部材とを備えたものがある(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, as this kind of device, a heat treatment plate that heats a mounted substrate, a cover member that surrounds the upper part of the heat treatment plate and is configured to be able to move up and down with respect to the heat treatment plate and forms a heat treatment atmosphere by the heat treatment plate. A position for adjusting the distance between the housing surrounding the heat treatment plate and the cover member, the top plate provided between the ceiling surface of the cover member and the upper surface of the heat treatment plate, and the lower surface of the top plate and the upper surface of the heat treatment plate. Some are provided with an adjusting member (see, for example, Patent Document 1).

このような基板処理装置では、筐体内の気体を排出している。具体的には、筐体内から気体を排気する排気管と、排気管内の圧力を検出する圧力センサとを備え、圧力センサによって測定された圧力に基づいて排気制御を行う。圧力センサは、排気管に設けられたサンプリングポートを介して圧力を測定する。具体的には、サンプリングチューブの一端側を、排気管内に連通した開口部に取り付け、その他端側に圧力センサを取り付けている。排気管に形成された開口部は、排気管における気体の流通方向から開口部を見た場合、開口部が露出した状態となっている。 In such a substrate processing apparatus, the gas in the housing is discharged. Specifically, an exhaust pipe for exhausting gas from the inside of the housing and a pressure sensor for detecting the pressure in the exhaust pipe are provided, and exhaust control is performed based on the pressure measured by the pressure sensor. The pressure sensor measures the pressure through a sampling port provided in the exhaust pipe. Specifically, one end side of the sampling tube is attached to the opening communicating with the exhaust pipe, and the pressure sensor is attached to the other end side. The opening formed in the exhaust pipe is in a state where the opening is exposed when the opening is viewed from the gas flow direction in the exhaust pipe.

特開2000-3843号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-3843

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、最近では、微細加工プロセスのために、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成することがある。この下層膜の生成は、高温の熱処理で行われ、その際には下層膜から昇華物を含む気体が発生する。従来の装置のように構成された基板処理装置では、開口部の周囲に昇華物が付着して、開口部を閉塞するように昇華物が次第に堆積していくので、圧力の検出に支障が生じる。したがって、排気管内の排気圧力を正確に測定できないという問題がある。
However, in the case of the conventional example having such a configuration, there are the following problems.
That is, recently, due to the microfabrication process, an underlayer film called a coated carbon film may be formed. The formation of this underlayer film is performed by high-temperature heat treatment, and at that time, a gas containing a sublimation substance is generated from the underlayer film. In a substrate processing device configured like a conventional device, sublimation substances adhere to the periphery of the opening, and the sublimation substances gradually accumulate so as to close the opening, which hinders pressure detection. .. Therefore, there is a problem that the exhaust pressure in the exhaust pipe cannot be measured accurately.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、昇華物を含む気体であっても、排気管内の排気圧力を正確に測定できる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of accurately measuring the exhaust pressure in an exhaust pipe even if the gas contains a sublimated substance.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板処理装置において、基板を載置し、基板を加熱する熱処理プレートと、前記熱処理プレートの上方を覆って、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成する筐体と、前記筐体内の気体を排気する排気管と、前記排気管に形成され、前記排気管の内部に連通した排気管開口部と、前記排気管開口部に設けられ、前記排気管内の排気圧力を検出するためのサンプリングポートと、前記サンプリングポートを介して排気圧力を測定する圧力センサと、を備え、前記サンプリングポートは、前記排気管開口部にて前記排気管の内部に連通した開口部と、前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸の延長線との交点から前記開口部を見た場合、前記開口部が見えないように前記開口部を覆うとともに、前記排気管における気体の流通方向と前記開口部の中心軸との両方に直交する方向、前記排気管の気体の流通方向における前記開口部より下流側の少なくとも一方で前記排気管の内部に前記開口部が連通するように設けられた整流板と、を備えていることを特徴とするものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve such an object.
That is, according to the first aspect of the present invention, in a substrate processing apparatus that heats a substrate, a heat treatment plate on which the substrate is placed and the substrate is heated, and a heat treatment plate covering the upper part of the heat treatment plate is used for heat treatment. A housing that forms an atmosphere, an exhaust pipe that exhausts gas in the housing, an exhaust pipe opening that is formed in the exhaust pipe and communicates with the inside of the exhaust pipe, and an exhaust pipe opening that is provided in the exhaust pipe opening. A sampling port for detecting the exhaust pressure in the exhaust pipe and a pressure sensor for measuring the exhaust pressure through the sampling port are provided, and the sampling port is inside the exhaust pipe at the exhaust pipe opening. When the opening is viewed from the intersection of the opening communicating with the opening, the gas flow direction in the exhaust pipe, and the extension line of the central axis of the opening, the opening is opened so that the opening cannot be seen. The inside of the exhaust pipe is covered and at least one of the directions orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe and the central axis of the opening and the downstream side of the opening in the gas flow direction of the exhaust pipe. It is characterized by having a rectifying plate provided so as to communicate with the opening.

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、サンプリングポートは、熱処理プレートの上部を覆った筐体からの気体を排気する排気管の排気管開口部に設けられ、排気管内の排気圧力が、サンプリングポートを介して取り付けられている圧力センサにより測定される。このサンプリングポートは、排気管における気体の流通方向と、開口部の中心軸の延長線との交点から開口部を見た場合、開口部が見えないように開口部を覆う整流板を備えている。この整流板は、さらに、排気管における気体の流通方向と開口部の中心軸との両方に直交する方向、排気管の気体の流通方向における開口部より下流側の少なくとも一方で排気管の内部に開口部が連通するように設けられているので、排気圧力を圧力センサで測定できる。したがって、気体に含まれている昇華物は、整流板の上流側には付着して堆積するものの、開口部に堆積して開口部を閉塞することを抑制できる。その結果、昇華物を含む気体であっても、排気管内の排気圧力を正確に測定できる。 [Action / Effect] According to the invention according to claim 1, the sampling port is provided in the exhaust pipe opening of the exhaust pipe for exhausting the gas from the housing covering the upper part of the heat treatment plate, and the exhaust in the exhaust pipe is exhausted. The pressure is measured by a pressure sensor installed via the sampling port. This sampling port is provided with a rectifying plate that covers the opening so that the opening cannot be seen when the opening is viewed from the intersection of the gas flow direction in the exhaust pipe and the extension line of the central axis of the opening. .. This rectifying plate is further inside the exhaust pipe at least one of the directions orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe and the central axis of the opening, and downstream of the opening in the gas flow direction of the exhaust pipe. Since the openings are provided so as to communicate with each other, the exhaust pressure can be measured by the pressure sensor. Therefore, although the sublimated material contained in the gas adheres to and accumulates on the upstream side of the straightening vane, it can be prevented from accumulating on the opening and closing the opening. As a result, the exhaust pressure in the exhaust pipe can be accurately measured even if the gas contains a sublimated substance.

また、本発明において、前記整流板は、前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸との両方に直交する方向から見た場合に、前記排気管の上流側から下流側に向かって徐々に前記開口部からの距離が大きくなる傾斜面を有することが好ましい(請求項2)。 Further, in the present invention, the rectifying plate is moved from the upstream side to the downstream side of the exhaust pipe when viewed from a direction orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe and the central axis of the opening. It is preferable to have an inclined surface in which the distance from the opening gradually increases toward the direction (claim 2).

開口部に対向する配管内には、上流側から下流側に向かって徐々に開口部からの距離が大きくなる傾斜面を有する整流板が配置されているので、排気に含まれる昇華物は主としてその傾斜面に付着して堆積する。また、気体の流通方向と直交する方向や、気体の流通する方向の下流側で開口部が排気管に連通しているので、サンプリングポートを介して圧量センサが正確に排気圧力を測定できる。 In the pipe facing the opening, a straightening vane having an inclined surface whose distance from the opening gradually increases from the upstream side to the downstream side is arranged, so that the sublimated material contained in the exhaust is mainly the sublimated material. It adheres to the inclined surface and accumulates. Further, since the opening communicates with the exhaust pipe in the direction orthogonal to the gas flow direction or on the downstream side in the gas flow direction, the pressure amount sensor can accurately measure the exhaust pressure via the sampling port.

また、本発明において、前記整流板は、前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸との両方に直交する方向から見た断面が三角形状を呈し、その頂点が、その内角側を前記開口部に対向して取り付けられていることが好ましい(請求項3)。 Further, in the present invention, the rectifying plate has a triangular cross section when viewed from a direction orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe and the central axis of the opening, and the apex thereof is an internal angle thereof. It is preferable that the side is attached so as to face the opening (claim 3).

開口部に対向する排気管内には、整流板が三角屋根のように配置され、その傾斜面が気体の流通方向に面した姿勢とされる。したがって、排気に含まれる昇華物は主としてその上下流に面した傾斜面に付着して堆積する。また、気体の流通方向と開口部の中心軸の両方に直交する方向で開口部が排気管に連通しているので、サンプリングポートを介して圧力センサが正確に排気圧力を測定できる。 In the exhaust pipe facing the opening, a straightening vane is arranged like a triangular roof, and the inclined surface thereof faces the gas flow direction. Therefore, the sublimated material contained in the exhaust mainly adheres to and deposits on the inclined surface facing upstream and downstream thereof. Further, since the opening communicates with the exhaust pipe in a direction orthogonal to both the gas flow direction and the central axis of the opening, the pressure sensor can accurately measure the exhaust pressure through the sampling port.

また、本発明において、前記開口部が形成されたブロック体と、前記排気管開口部に前記開口部が臨むようにして、前記ブロック体を前記排気管に着脱自在に取り付ける取り付け具と、を備え、前記整流板は、前記ブロック体の前記排気管開口部側に取り付けられていることが好ましい(請求項4)。 Further, in the present invention, the block body having the opening formed therein and the attachment tool for attaching and detaching the block body to the exhaust pipe so that the opening faces the exhaust pipe opening are provided. The rectifying plate is preferably attached to the exhaust pipe opening side of the block body (claim 4).

取り付け具を外すと、排気管からブロック体を取り外すことができるので、昇華物が開口部に付着していてもメンテナンスにより容易に除去できる。したがって、定期的なメンテナンスを実施することにより、長期間にわたって排気圧力の精度を維持できる。 Since the block body can be removed from the exhaust pipe by removing the fixture, even if the sublimated material adheres to the opening, it can be easily removed by maintenance. Therefore, by performing regular maintenance, the accuracy of the exhaust pressure can be maintained for a long period of time.

また、本発明において、前記ブロック体は、前記開口部の反対面に、前記開口部に連通した測定管取付部を形成されているとともに、前記ブロック体の前記測定管取付部に一端側が配置され、他端側に前記圧力センサが配置された測定管と、前記測定管の一端側を前記測定管取付部に着脱自在に取り付ける測定管取付具と、を備えていることが好ましい(請求項5)。 Further, in the present invention, the block body is formed with a measuring tube mounting portion communicating with the opening on the opposite surface of the opening, and one end side is arranged on the measuring tube mounting portion of the block body. It is preferable to provide a measuring tube in which the pressure sensor is arranged on the other end side, and a measuring tube mounting tool for detachably attaching one end side of the measuring tube to the measuring tube mounting portion (claim 5). ).

測定管取付具を取り外すと、測定管をブロック体から取り外すことができるので、昇華物が測定管の内部に付着していてもメンテナンスにより容易に除去できる。したがって、定期的なメンテナンスを実施することにより、長期間にわたって排気圧力の精度を維持できる。 When the measuring tube attachment is removed, the measuring tube can be removed from the block body, so that even if the sublimated material adheres to the inside of the measuring tube, it can be easily removed by maintenance. Therefore, by performing regular maintenance, the accuracy of the exhaust pressure can be maintained for a long period of time.

本発明に係る基板処理装置によれば、サンプリングポートは、熱処理プレートの上部を覆った筐体からの気体を排気する排気管の排気管開口部に設けられ、排気管内の排気圧力が、サンプリングポートを介して取り付けられている圧力センサにより測定される。このサンプリングポートは、排気管における気体の流通方向と、開口部の中心軸の延長線との交点から開口部を見た場合、開口部が見えないように開口部を覆う整流板を備えている。この整流板は、さらに、排気管における気体の流通方向と開口部の中心軸との両方に直交する方向、排気管の気体の流通方向における開口部より下流側の少なくとも一方で排気管の内部に開口部が連通するように設けられているので、排気圧力を圧力センサで測定できる。したがって、気体に含まれている昇華物は、整流板の上流側には付着して堆積するものの、開口部に堆積して開口部を閉塞することを抑制できる。その結果、昇華物を含む気体であっても、排気管内の排気圧力を正確に測定できる。 According to the substrate processing apparatus according to the present invention, the sampling port is provided at the exhaust pipe opening of the exhaust pipe that exhausts the gas from the housing that covers the upper part of the heat treatment plate, and the exhaust pressure in the exhaust pipe is the sampling port. It is measured by a pressure sensor attached via. This sampling port is provided with a rectifying plate that covers the opening so that the opening cannot be seen when the opening is viewed from the intersection of the gas flow direction in the exhaust pipe and the extension line of the central axis of the opening. .. This rectifying plate is further inside the exhaust pipe at least one of the directions orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe and the central axis of the opening, and downstream of the opening in the gas flow direction of the exhaust pipe. Since the openings are provided so as to communicate with each other, the exhaust pressure can be measured by the pressure sensor. Therefore, although the sublimated material contained in the gas adheres to and accumulates on the upstream side of the straightening vane, it can be prevented from accumulating on the opening and closing the opening. As a result, the exhaust pressure in the exhaust pipe can be accurately measured even if the gas contains a sublimated substance.

実施例に係る基板処理装置の全体構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the whole structure of the substrate processing apparatus which concerns on Example. 可動天板の平面図である。It is a top view of a movable top plate. 昇降ピンの先端部付近を示す縦断面図である。It is a vertical cross-sectional view which shows the vicinity of the tip of the elevating pin. 圧力検出ユニットを示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows the pressure detection unit. 圧力検出ユニットを排気管内部から見た図である。It is the figure which looked at the pressure detection unit from the inside of an exhaust pipe. 圧力検出ユニットを排気管外部から見た図である。It is the figure which looked at the pressure detection unit from the outside of the exhaust pipe. 基板を搬入出する状態を示す縦断面図である。It is a vertical cross-sectional view which shows the state which carries out and carries out a substrate. 基板を加熱する状態を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows the state which heats a substrate. 整流板の第1の変形例を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows the 1st modification of a straightening vane. 整流板の第2の変形例を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows the 2nd modification of a straightening vane.

以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、実施例に係る基板処理装置の全体構成を示す概略構成図であり、図2は、可動天板の平面図であり、図3は、昇降ピンの先端部付近を示す縦断面図である。 FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a plan view of a movable top plate, and FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing the vicinity of the tip of an elevating pin. Is.

実施例に係る基板処理装置1は、基板Wに対して熱処理を施すものである。具体的には、微細加工プロセスのために、例えば、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成する際の熱処理を行う。この下層膜の生成のためには、300~500℃程度の高温で熱処理が行われる。 The substrate processing apparatus 1 according to the embodiment heat-treats the substrate W. Specifically, for the microfabrication process, for example, heat treatment is performed when forming an underlayer film called a coated carbon film. In order to form this underlayer film, heat treatment is performed at a high temperature of about 300 to 500 ° C.

基板処理装置1は、下部ベースプレート3と、水冷式ベースプレート5と、熱処理プレート7と、可動天板ユニット9と、昇降ピンユニット11と、筐体13と、シャッタユニット15とを備えている。 The substrate processing device 1 includes a lower base plate 3, a water-cooled base plate 5, a heat treatment plate 7, a movable top plate unit 9, an elevating pin unit 11, a housing 13, and a shutter unit 15.

この基板処理装置1は、隣接して配置された搬送アーム17から基板Wを搬入され、熱処理を施した後、処理済みの基板Wを搬送アーム17によって搬出される。 In this substrate processing device 1, the substrate W is carried in from an adjacently arranged transfer arm 17, and after being heat-treated, the processed substrate W is carried out by the transfer arm 17.

下部ベースプレート3は、上面に支柱19を立設され、その上部に水冷式ベースプレート5が配置されている。水冷式ベースプレート5は、熱処理プレート7の熱が下方へ伝達することを抑制する。具体的には、水冷式ベースプレート5は、例えば、内部に冷媒が流通可能な冷媒流路21が全体にわたって形成されている。この冷媒流路21には、例えば、冷媒として冷却水が流通される。この冷却水は、例えば、20℃に温調されている。 In the lower base plate 3, a support column 19 is erected on the upper surface thereof, and a water-cooled base plate 5 is arranged on the upper surface thereof. The water-cooled base plate 5 suppresses the heat transfer of the heat treatment plate 7 downward. Specifically, in the water-cooled base plate 5, for example, a refrigerant flow path 21 through which a refrigerant can flow is formed therein. For example, cooling water is circulated as a refrigerant in the refrigerant flow path 21. The cooling water is, for example, temperature-controlled to 20 ° C.

熱処理プレート7は、平面視で円形状を呈する。その直径は、基板Wの直径よりも若干大きい。熱処理プレート7は、図示しないヒータなどの加熱手段を内蔵しており、例えば、表面温度が400℃になるように加熱される。熱処理プレート7は、その下面と水冷式ベースプレート5の上面との間に設けられた支柱23により、水冷式ベースプレート5から上方へ離間した状態で配置されている。熱処理プレート7は、平面視で正三角形の各頂点に対応する位置に貫通口25が形成されている。 The heat treatment plate 7 has a circular shape in a plan view. Its diameter is slightly larger than the diameter of the substrate W. The heat treatment plate 7 has a built-in heating means such as a heater (not shown), and is heated so that the surface temperature becomes 400 ° C., for example. The heat treatment plate 7 is arranged in a state of being separated upward from the water-cooled base plate 5 by a support column 23 provided between the lower surface thereof and the upper surface of the water-cooled base plate 5. In the heat treatment plate 7, a through hole 25 is formed at a position corresponding to each apex of an equilateral triangle in a plan view.

熱処理プレート7には、可動天板ユニット9が付設されている。可動天板ユニット9は、昇降ベースプレート27と、昇降機構29と、支柱31と、可動天板33とを備えている。 A movable top plate unit 9 is attached to the heat treatment plate 7. The movable top plate unit 9 includes an elevating base plate 27, an elevating mechanism 29, a support column 31, and a movable top plate 33.

昇降ベースプレート27は、支柱23や、後述する昇降ピン41との干渉を回避する開口を備えている。昇降機構29は、例えば、エアシリンダで構成されている。昇降機構29は、作動軸を有する部分を上方に向けた姿勢で水冷式ベースプレート5に密着して取り付けられている。この昇降機構29は、作動軸の先端部の高さが任意の位置で固定できる。昇降機構29は、その作動軸が昇降ベースプレート27の底面に連結されている。昇降機構29の作動軸を昇降させると、昇降ベースプレート27の高さ位置を可変することができる。昇降ベースプレート27は、その上面に、例えば、4本の支柱31が立設されている。4本の支柱31の上端には、可動天板33が取り付けられている。 The elevating base plate 27 is provided with an opening for avoiding interference with the support column 23 and the elevating pin 41 described later. The elevating mechanism 29 is composed of, for example, an air cylinder. The elevating mechanism 29 is attached in close contact with the water-cooled base plate 5 in a posture in which the portion having the operating shaft is directed upward. The elevating mechanism 29 can fix the height of the tip of the operating shaft at an arbitrary position. The elevating mechanism 29 has its operating shaft connected to the bottom surface of the elevating base plate 27. By raising and lowering the operating shaft of the raising and lowering mechanism 29, the height position of the raising and lowering base plate 27 can be changed. For example, four columns 31 are erected on the upper surface of the elevating base plate 27. A movable top plate 33 is attached to the upper ends of the four columns 31.

図2に示すように、可動天板33は、平面視で中央部に開口35が形成されている。開口35は、平面視で基板Wの直径よりも小さく形成されている。この可動天板33は、昇降機構29が作動することにより、昇降ベースプレート27とともに昇降する。可動天板33の昇降位置は、基板Wに熱処理を行う際の下降位置と、基板Wを搬入する際の上昇位置とにわたって移動される。なお、下降位置は、基板Wの上面と可動天板33の下面との距離が約10mmであることが好ましい。これは、発明者等の実験により、基板Wの表面における温度分布の面内均一性を向上するには、この距離が好ましいことがわかったからである。 As shown in FIG. 2, the movable top plate 33 has an opening 35 formed in the central portion in a plan view. The opening 35 is formed to be smaller than the diameter of the substrate W in a plan view. The movable top plate 33 moves up and down together with the elevating base plate 27 by operating the elevating mechanism 29. The elevating position of the movable top plate 33 is moved over a descending position when the substrate W is heat-treated and an ascending position when the substrate W is carried in. As for the descending position, it is preferable that the distance between the upper surface of the substrate W and the lower surface of the movable top plate 33 is about 10 mm. This is because experiments by the inventors have found that this distance is preferable in order to improve the in-plane uniformity of the temperature distribution on the surface of the substrate W.

可動天板33は、その対角長が、熱処理プレート7の直径よりも長く形成された矩形状を呈する。4本の支柱31は、各々の上端が可動天板33の下面における四隅に連結されている。可動天板33の四隅は、熱源である平面視円形状の熱処理プレート7から遠い位置にあたる。したがって、熱処理プレート7の輻射熱により可動天板33が加熱されても、支柱31には熱が伝わりにくくできる。したがって、昇降機構29が熱の影響を受けにくく、故障の発生を抑制できる。 The movable top plate 33 has a rectangular shape whose diagonal length is longer than the diameter of the heat treatment plate 7. The upper ends of the four columns 31 are connected to the four corners on the lower surface of the movable top plate 33. The four corners of the movable top plate 33 correspond to positions far from the heat treatment plate 7 having a circular shape in a plan view, which is a heat source. Therefore, even if the movable top plate 33 is heated by the radiant heat of the heat treatment plate 7, the heat cannot be easily transferred to the support column 31. Therefore, the elevating mechanism 29 is not easily affected by heat, and the occurrence of failure can be suppressed.

上述した可動天板33は、セラミックまたは金属とセラミックとの合金からなることが好ましい。これにより高温の熱処理を行っても、熱による変形を防止できる。 The movable top plate 33 described above is preferably made of ceramic or an alloy of metal and ceramic. As a result, even if high-temperature heat treatment is performed, deformation due to heat can be prevented.

昇降ピンユニット11は、駆動機構37と、昇降リング39と、3本の昇降ピン41とを備えている。なお、昇降ピン41は、図示の関係上、2本のみを描いている。 The elevating pin unit 11 includes a drive mechanism 37, an elevating ring 39, and three elevating pins 41. It should be noted that only two elevating pins 41 are drawn due to the relationship shown in the figure.

駆動機構37は、例えば、エアシリンダで構成されている。駆動機構37は、その作動軸を有する部分を下方に向け、反対側を水冷式ベースプレート5の下面に密着させた状態で取り付けられている。作動軸の下部には、昇降リング39が連結されている。昇降リング39の上面には、3本の昇降ピン41が立設されている。駆動機構39は、その作動軸の高さ位置を、3本の昇降ピン41が熱処理プレート7の上面から上方に突出した受け渡し位置(図1中の二点鎖線)と、3本の昇降ピン41が熱処理プレート7の上面から下方に没入した処理位置(図1中の実線)との二箇所にわたって調節可能である。3本の昇降ピン41は、熱処理プレート7に形成されている3箇所の貫通口25に挿通されている。 The drive mechanism 37 is composed of, for example, an air cylinder. The drive mechanism 37 is attached in a state where the portion having the operating shaft thereof is directed downward and the opposite side is in close contact with the lower surface of the water-cooled base plate 5. An elevating ring 39 is connected to the lower part of the operating shaft. Three elevating pins 41 are erected on the upper surface of the elevating ring 39. The drive mechanism 39 has the height position of the operating shaft, the transfer position (two-dot chain line in FIG. 1) in which the three elevating pins 41 project upward from the upper surface of the heat treatment plate 7, and the three elevating pins 41. Is adjustable over two locations from the top surface of the heat treatment plate 7 to the treatment position (solid line in FIG. 1) immersed downward. The three elevating pins 41 are inserted into the three through openings 25 formed in the heat treatment plate 7.

昇降ピン41は、図3に示すように構成されていることが好ましい。昇降ピン41は、芯部41aと、外筒41bと、石英ボール41cとを備えている。芯部41aは、胴部41dの上部にあたる先端部41eが、胴部41dよりも小径に形成されている。外筒41bは、先端部以外が石英ボール41cの外径より若干大きな内径に形成されている。外筒41bの先端部は、石英ボール41cの直径よりも小さな内径に形成されている。石英ボール41cは、その直径が先端部41eより若干小さく形成されている。したがって、石英ボール41cを先端部41eの上面に載置した状態で、外筒41bを被せると、石英ボール41cの1/3ほどが外筒41bから突出した状態となる。この状態で、芯部41dと外筒41bとを貫通する貫通口41fに係合ピン41gを圧入することにより、外筒41bを石英ボール41cとともに芯部41aに固定して昇降ピン41が構成される。なお、石英ボール41c以外の部材は金属製である。 The elevating pin 41 is preferably configured as shown in FIG. The elevating pin 41 includes a core portion 41a, an outer cylinder 41b, and a quartz ball 41c. In the core portion 41a, the tip portion 41e corresponding to the upper portion of the body portion 41d is formed to have a smaller diameter than the body portion 41d. The outer cylinder 41b is formed to have an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the quartz ball 41c except for the tip portion. The tip of the outer cylinder 41b is formed to have an inner diameter smaller than the diameter of the quartz ball 41c. The quartz ball 41c is formed so that its diameter is slightly smaller than that of the tip portion 41e. Therefore, when the quartz ball 41c is placed on the upper surface of the tip portion 41e and covered with the outer cylinder 41b, about 1/3 of the quartz ball 41c is in a state of protruding from the outer cylinder 41b. In this state, by press-fitting the engaging pin 41g into the through port 41f penetrating the core portion 41d and the outer cylinder 41b, the outer cylinder 41b is fixed to the core portion 41a together with the quartz ball 41c to form the elevating pin 41. To. The members other than the quartz ball 41c are made of metal.

高温環境に耐えうる材料としては石英が好適であるものの、強度やコストを考慮すると昇降ピン41の全体を石英製とするのは困難である。そこで、上述したように先端部の石英ボール41cだけを石英製とすることでコストを抑制できる。また、石英は、基板Wの材料である単結晶シリコンよりも高度が若干低いので、基板Wの下面を損傷する恐れが低く、その上、球状であるので接触面積を最小限とすることができる。 Quartz is suitable as a material that can withstand a high temperature environment, but it is difficult to make the entire elevating pin 41 made of quartz in consideration of strength and cost. Therefore, as described above, the cost can be suppressed by making only the quartz ball 41c at the tip portion made of quartz. Further, since quartz has a slightly lower altitude than the single crystal silicon which is the material of the substrate W, there is less risk of damaging the lower surface of the substrate W, and since it is spherical, the contact area can be minimized. ..

筐体13は、熱処理プレート7の上方を覆って、熱処理プレート7による熱処理雰囲気を形成する。筐体13は、その一方面に搬入出口43が形成されている。搬入出口43は、熱処理プレート7の上面付近の高さ位置から上に開口されている。搬送アーム17は、この搬入出口43を通して基板Wの搬入出を行う。 The housing 13 covers the upper part of the heat treatment plate 7 to form a heat treatment atmosphere by the heat treatment plate 7. The housing 13 is formed with a carry-in outlet 43 on one side thereof. The carry-in outlet 43 is opened upward from a height position near the upper surface of the heat treatment plate 7. The transport arm 17 carries in and out the substrate W through the carry-in / out port 43.

搬入出口43には、シャッタユニット15が付設されている。シャッタユニット15は、駆動機構45と、シャッタ本体47とを備えている。駆動機構45は、その作動軸の部分が上方に向けられた姿勢で、一部が水冷式ベースプレート5に密着されて取り付けられている。作動軸の上部には、シャッタ本体47が連結されている。駆動機構45が作動軸を伸長させると、シャッタ本体47が上昇されて搬入出口43が閉塞され(図1に示す実線)、駆動機構45が作動軸を収縮させると、シャッタ本体47が下降されて搬入出口43が開放される(図1に示す二点鎖線)。 A shutter unit 15 is attached to the carry-in outlet 43. The shutter unit 15 includes a drive mechanism 45 and a shutter body 47. A part of the drive mechanism 45 is attached to the water-cooled base plate 5 in a posture in which a portion of the operating shaft thereof is directed upward. A shutter body 47 is connected to the upper part of the operating shaft. When the drive mechanism 45 extends the operating shaft, the shutter body 47 is raised and the carry-in outlet 43 is closed (solid line shown in FIG. 1), and when the drive mechanism 45 contracts the operating shaft, the shutter body 47 is lowered. The carry-in outlet 43 is opened (two-dot chain line shown in FIG. 1).

筐体13は、その天井面に排気口49が形成されている。排気口49は、排気管51に連通接続されている。筐体13の排気口49と、熱処理プレート7の上面との間隔は、例えば、30mm程度である。排気管51は、排気設備52に連通接続されている。排気設備52は、外部からの指示により排気流量を調整可能に構成されている。排気管51の一部には、圧力検出ユニット53が配置されている。この圧力検出ユニット53は、排気管51内の排気圧力を検出する。圧力検出ユニット53の詳細な構成については、後述する。 The housing 13 has an exhaust port 49 formed on the ceiling surface thereof. The exhaust port 49 is communicated with the exhaust pipe 51. The distance between the exhaust port 49 of the housing 13 and the upper surface of the heat treatment plate 7 is, for example, about 30 mm. The exhaust pipe 51 is communicated with the exhaust equipment 52. The exhaust equipment 52 is configured so that the exhaust flow rate can be adjusted by an instruction from the outside. A pressure detection unit 53 is arranged in a part of the exhaust pipe 51. The pressure detection unit 53 detects the exhaust pressure in the exhaust pipe 51. The detailed configuration of the pressure detection unit 53 will be described later.

筐体13は、排気管51の上面に沿ってシーズヒータ55が設けられている。このシーズヒータ55は、筐体13や排気管51を加熱し、昇華物を含む気体が筐体13に触れた際に、気体が冷却されて昇華物が筐体13の内壁に付着することを防止する。 The housing 13 is provided with a sheathed heater 55 along the upper surface of the exhaust pipe 51. The sheathed heater 55 heats the housing 13 and the exhaust pipe 51, and when the gas containing the sublimated material touches the housing 13, the gas is cooled and the sublimated material adheres to the inner wall of the housing 13. To prevent.

制御部61は、図示しないCPUやメモリから構成されている。制御部61は、熱処理プレート7の温度制御、可動天板ユニット9の昇降制御、昇降ピンユニット11の駆動制御、シャッタユニット15の開閉制御、シーズヒータ55の温度制御、圧力検出ユニット53に基づく排気設備52の排気制御などを行う。また、制御部61は、可動天板ユニット9の昇降制御における下降位置を基板Wに応じて種々に操作できる。例えば、基板Wごとの処理条件や手順を規定したレシピに可動天板33の下降位置を規定するようにしておき、図示しない指示部を操作して、基板Wの表面からの可動天板33の距離に相当するパラメータを予めレシピに指示しておく。制御部61は、例えば、基板Wを処理するにあたり、装置オペレータによって指示された基板Wに応じたレシピを参照して、そのパラメータに応じて昇降機構29を操作する。これにより、基板Wごとに可動天板33の下降位置を調整することができる。 The control unit 61 is composed of a CPU and a memory (not shown). The control unit 61 controls the temperature of the heat treatment plate 7, elevating control of the movable top plate unit 9, driving control of the elevating pin unit 11, opening / closing control of the shutter unit 15, temperature control of the sheathed heater 55, and exhaust based on the pressure detection unit 53. Exhaust control of equipment 52 is performed. Further, the control unit 61 can variously operate the lowering position in the raising / lowering control of the movable top plate unit 9 according to the substrate W. For example, a recipe that defines processing conditions and procedures for each substrate W is set to specify the lowering position of the movable top plate 33, and an instruction unit (not shown) is operated to control the movable top plate 33 from the surface of the substrate W. Instruct the recipe in advance of the parameters corresponding to the distance. For example, when processing the substrate W, the control unit 61 operates the elevating mechanism 29 according to the parameter with reference to the recipe corresponding to the substrate W instructed by the device operator. Thereby, the lowering position of the movable top plate 33 can be adjusted for each substrate W.

ここで、図4~図6を参照して、圧力検出ユニット53の詳細な構成について説明する。なお、図4は、圧力検出ユニットを示す縦断面図であり、図5は、圧力検出ユニットを排気管内部から見た図であり、図6は、圧力検出ユニットを排気管外部から見た図である。 Here, a detailed configuration of the pressure detection unit 53 will be described with reference to FIGS. 4 to 6. 4 is a vertical cross-sectional view showing the pressure detection unit, FIG. 5 is a view of the pressure detection unit from the inside of the exhaust pipe, and FIG. 6 is a view of the pressure detection unit from the outside of the exhaust pipe. Is.

圧力検出ユニット53は、サンプリングポート71と、測定管73と、圧力センサ75とを備えている。 The pressure detection unit 53 includes a sampling port 71, a measuring tube 73, and a pressure sensor 75.

サンプリングポート71は、排気管51の内部と、測定管73及び圧力センサ75とを連通接続する。サンプリングポート71は、具体的には次のように構成されている。 The sampling port 71 communicates and connects the inside of the exhaust pipe 51 with the measuring pipe 73 and the pressure sensor 75. Specifically, the sampling port 71 is configured as follows.

サンプリングポート71は、排気管51に形成され、排気管51の内部に連通された排気管開口部77に取り付けられている。サンプリングポート71は、ブロック体79と、開口部81と、取り付け具83と、整流板85とを備えている。 The sampling port 71 is formed in the exhaust pipe 51 and is attached to the exhaust pipe opening 77 communicated with the inside of the exhaust pipe 51. The sampling port 71 includes a block body 79, an opening 81, a fixture 83, and a straightening vane 85.

ブロック体79は、開口部81を形成されている。ブロック体79は、外観が板状を呈し、中央付近に開口部81が形成されている。この開口部81は、ブロック体79の表裏面(図4の左右面)に貫通している。開口部81は、図4における右側の内径が、左側の内径よりも若干大きく形成された測定管取付部87を形成されている。ブロック体79の表面(右側)における中央付近の上下端には、取り付け具83ための凹部89が形成されている。凹部89には、取り付け具83が取り付けられ、ブロック体79が開口部81を排気管開口部77に臨むように、かつブロック体79が排気管開口部77を覆うように排気管51に取り付けられている。取り付け具83は、例えば六角ネジが例示される。 The block body 79 is formed with an opening 81. The block body 79 has a plate-like appearance, and an opening 81 is formed near the center. The opening 81 penetrates the front and back surfaces (left and right surfaces of FIG. 4) of the block body 79. The opening 81 is formed with a measuring tube mounting portion 87 having an inner diameter on the right side in FIG. 4 slightly larger than the inner diameter on the left side. A recess 89 for the attachment 83 is formed at the upper and lower ends of the surface (right side) of the block body 79 near the center. A fixture 83 is attached to the recess 89, and the block body 79 is attached to the exhaust pipe 51 so that the opening 81 faces the exhaust pipe opening 77 and the block body 79 covers the exhaust pipe opening 77. ing. The fixture 83 is exemplified by, for example, a hexagon screw.

ブロック体79は、排気管51における気体の流通方向(図4~図6において矢印で示す)おける開口部81の上流側から下流側にわたり、開口部81をまたぐように整流板85が取り付けられている。整流板85は、排気管51における気体の流通方向と、開口部81の中心軸の延長線との交点から開口部81を見た場合に、図5に示すように、開口部81が見えないように開口部81を覆うように配置されている。さらに、整流板85は、排気管51における気体の流通方向と、開口部81の中心軸の両方に直交する方向(図4)で、排気管51の内部に開口部81が連通するように設けられている。 In the block body 79, a straightening vane 85 is attached so as to straddle the opening 81 from the upstream side to the downstream side of the opening 81 in the gas flow direction (indicated by an arrow in FIGS. 4 to 6) in the exhaust pipe 51. There is. When the opening 81 is viewed from the intersection of the gas flow direction in the exhaust pipe 51 and the extension line of the central axis of the opening 81, the rectifying plate 85 cannot see the opening 81 as shown in FIG. It is arranged so as to cover the opening 81 so as to cover the opening 81. Further, the straightening vane 85 is provided so that the opening 81 communicates with the inside of the exhaust pipe 51 in the direction orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe 51 and the central axis of the opening 81 (FIG. 4). Has been done.

より具体的には、排気管51における気体の流通方向と、開口部81の中心軸との両方に直交する方向(図4)から見た断面が三角形状を呈する。そして、その頂点が、その内角側を開口部81に対向して取り付けられている。つまり、整流板85は、排気管51における開口部81を基準とした上流側から下流側へ気体が流下する軸線上における視点からサンプリングポート71側を見た場合に開口部81が見えないようになっている。換言すると、図4に示す、排気管51における気体の流通方向と、開口部81の中心軸の両方に直交する方向から見た場合には、開口部81と連通した連通空間91が形成される。この場合の連通空間91は、その縦断面が三角形状を呈し、図4に示す方向から見た場合、開口部81の中心軸までは、気体の流通方向における上流側から下流側に向かって開口部81から整流板85までの距離が徐々に大きくなる。 More specifically, the cross section seen from the direction orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe 51 and the central axis of the opening 81 (FIG. 4) has a triangular shape. Then, the apex is attached so that the inner angle side thereof faces the opening 81. That is, the straightening vane 85 prevents the opening 81 from being seen when the sampling port 71 side is viewed from the viewpoint on the axis on which the gas flows from the upstream side to the downstream side with respect to the opening 81 in the exhaust pipe 51. It has become. In other words, when viewed from the direction orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe 51 and the central axis of the opening 81 shown in FIG. 4, a communication space 91 communicating with the opening 81 is formed. .. In this case, the communication space 91 has a triangular vertical cross section, and when viewed from the direction shown in FIG. 4, the communication space 91 opens from the upstream side to the downstream side in the gas flow direction up to the central axis of the opening 81. The distance from the section 81 to the rectifying plate 85 gradually increases.

ブロック体79は、測定管取付部87に測定管73の一端側が差し込まれる。測定管73は、ブロック体79のうち、排気管51の反対側にあたる面に取り付けられたチューブクランプ93によって固定される。チューブクランプ93は、図6に示すように、二股に分かれたクランプ片93a、93bと、その間に形成されたクランプ穴93cとを備えている。クランプ片93a、93bの一方にのみ螺合されたクランプネジ95をねじ込むことにより、クランプ片93a、93bが互いに接近し、クランプ穴93cに差し込まれている測定管73の外周面を挟持して測定管73を固定する。また、クランプネジ95を緩めることにより、クランプ片93a、93bが互いに離れ、クランプ穴93cから測定管73の外周面を開放し、測定管73が取り外せるようになっている。 One end side of the measuring tube 73 is inserted into the measuring tube mounting portion 87 of the block body 79. The measuring tube 73 is fixed by a tube clamp 93 attached to a surface of the block body 79 on the opposite side of the exhaust pipe 51. As shown in FIG. 6, the tube clamp 93 includes bifurcated clamp pieces 93a and 93b, and a clamp hole 93c formed between the clamp pieces 93a and 93b. By screwing the clamp screw 95 screwed into only one of the clamp pieces 93a and 93b, the clamp pieces 93a and 93b approach each other and measure by sandwiching the outer peripheral surface of the measuring tube 73 inserted into the clamp hole 93c. Fix the tube 73. Further, by loosening the clamp screw 95, the clamp pieces 93a and 93b are separated from each other, the outer peripheral surface of the measuring tube 73 is opened from the clamp hole 93c, and the measuring tube 73 can be removed.

測定管73の他端側には、圧力センサ75が取り付けられている。圧力センサ75は、測定管73と、開口部81と、連通空間91とを介して排気管51内における気体の排気圧力を測定する。圧力センサ75によって測定された排気圧力は、制御部61に与えられる。 A pressure sensor 75 is attached to the other end side of the measuring tube 73. The pressure sensor 75 measures the exhaust pressure of gas in the exhaust pipe 51 via the measuring pipe 73, the opening 81, and the communication space 91. The exhaust pressure measured by the pressure sensor 75 is given to the control unit 61.

なお、上述したチューブクランプが本発明における「測定管取付具」に相当する。 The tube clamp described above corresponds to the "measurement tube mounting tool" in the present invention.

次に、図7及び図8を参照して、上述した構成の基板処理装置による基板Wの処理について説明する。なお、図7は、基板を搬入出する状態を示す縦断面図であり、図8は、基板を加熱する状態を示す縦断面図である。 Next, the processing of the substrate W by the substrate processing apparatus having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. 7 and 8. 7 is a vertical cross-sectional view showing a state in which the substrate is carried in and out, and FIG. 8 is a vertical cross-sectional view showing a state in which the substrate is heated.

まず、図7に示すように、制御部61は、可動天板ユニット9を操作して、可動天板33を上昇位置に移動させる。さらに、制御部61は、昇降ピンユニット11を操作して、3本の昇降ピン41を受け渡し位置に上昇させる。これらの操作とともに、制御部61は、シャッタユニット15を操作して、搬入出口43を開放させる。 First, as shown in FIG. 7, the control unit 61 operates the movable top plate unit 9 to move the movable top plate 33 to the ascending position. Further, the control unit 61 operates the elevating pin unit 11 to raise the three elevating pins 41 to the delivery position. Along with these operations, the control unit 61 operates the shutter unit 15 to open the carry-in / outlet 43.

そして、制御部61は、搬送アーム17を、受け渡し位置より高く、かつ、上昇位置の可動天板の下面より低い位置にした状態で、搬入出口43から進入させ、熱処理プレート7の上方で搬送アーム17を下降させる。これにより、基板Wが受け渡し位置にある昇降ピン41に渡される。そして、搬送アーム17を搬入出口43から退出させるとともに、シャッタユニット15を操作して、搬入出口43を閉塞させる。 Then, the control unit 61 enters the transfer arm 17 from the carry-in outlet 43 in a state where the transfer arm 17 is higher than the transfer position and lower than the lower surface of the movable top plate in the ascending position, and the transfer arm 61 is placed above the heat treatment plate 7. 17 is lowered. As a result, the substrate W is passed to the elevating pin 41 at the delivery position. Then, the transport arm 17 is retracted from the carry-in / exit 43, and the shutter unit 15 is operated to close the carry-in / out port 43.

次いで、図8に示すように、制御部61は、昇降ピンユニット11を操作して、3本の昇降ピン41を処理位置に下降させる。これにより基板Wに対して400℃による加熱処理が行われる。制御部61は、レシピを参照し、規定された加熱時間にわたって加熱処理を行わせる。 Next, as shown in FIG. 8, the control unit 61 operates the elevating pin unit 11 to lower the three elevating pins 41 to the processing position. As a result, the substrate W is heat-treated at 400 ° C. The control unit 61 refers to the recipe and causes the heat treatment to be performed over a specified heating time.

制御部61は、所定の加熱時間が経過すると、可動天板ユニット9及び昇降ピンユニット11を操作して、可動天板33を上昇位置に上昇させるとともに、昇降ピン41を受け渡し位置に上昇させる。次いで、制御部61は、シャッタユニット15を操作して、搬入出口43を開放させる。さらに、制御部61は、搬送アーム17を、受け渡し位置より下方、かつ、熱処理プレート7の上面より上方の高さから搬入出口43に進入させる。そして、搬送アーム17を受け渡し位置より高く、かつ、可動天板33の下面より低い位置に上昇させることで、処理済みの基板Wを搬送アーム17が昇降ピン41から受け取る。次いで、搬送アーム17を搬入出43から退出させることにより、処理済みの基板Wを搬出させる。なお、制御部61は、上述した処理の間中、圧力検出ユニット53で検出された排気管51内の排気圧力に基づき排気設備52を操作し、処理状況に応じて排気管51内の排気流量を所定の値となるように制御する。 After a predetermined heating time elapses, the control unit 61 operates the movable top plate unit 9 and the elevating pin unit 11 to raise the movable top plate 33 to the ascending position and raise the elevating pin 41 to the delivery position. Next, the control unit 61 operates the shutter unit 15 to open the carry-in / outlet 43. Further, the control unit 61 causes the transfer arm 17 to enter the carry-in / outlet 43 from a height below the delivery position and above the upper surface of the heat treatment plate 7. Then, by raising the transfer arm 17 to a position higher than the transfer position and lower than the lower surface of the movable top plate 33, the transfer arm 17 receives the processed substrate W from the elevating pin 41. Next, the processed substrate W is carried out by moving the transport arm 17 out of the carry-in / out 43. The control unit 61 operates the exhaust equipment 52 based on the exhaust pressure in the exhaust pipe 51 detected by the pressure detection unit 53 during the above-mentioned processing, and the exhaust flow rate in the exhaust pipe 51 according to the processing status. Is controlled to be a predetermined value.

上記一連の動作により一枚の基板Wに対する熱処理が完了するが、新たな基板Wを処理する際には、制御部61は、例えば、装置オペレータによって指示されたレシピを参照し、可動天板ユニット9による可動天板33の上昇位置をレシピに指示されたものとすることができる。 The heat treatment for one substrate W is completed by the above series of operations, but when processing the new substrate W, the control unit 61 refers to, for example, the recipe instructed by the device operator, and the movable top plate unit. It is possible that the ascending position of the movable top plate 33 according to 9 is instructed in the recipe.

本実施例によると、サンプリングポート71は、排気管51の排気管開口部77に設けられ、排気管51内の排気圧力が、サンプリングポート71を介して取り付けられている圧力センサ75により測定される。このサンプリングポート71は、排気管51における気体の流通方向と、開口部81の中心軸の延長線との交点から開口部を見た場合、開口部が見えないように開口部を覆う整流板85を備えている。この整流板85は、さらに、排気管51における気体の流通方向と開口部81の中心軸との両方に直交する方向で排気管51の内部に開口部81が連通するように設けられているので、排気圧力を圧力センサ75で測定できる。したがって、気体に含まれている昇華物は、整流板85の上流側には付着して堆積するものの、開口部81に堆積して開口部81を閉塞することを抑制できる。その結果、昇華物を含む気体であっても、排気管51内の排気圧力を正確に測定できる。 According to this embodiment, the sampling port 71 is provided in the exhaust pipe opening 77 of the exhaust pipe 51, and the exhaust pressure in the exhaust pipe 51 is measured by the pressure sensor 75 attached via the sampling port 71. .. The sampling port 71 has a straightening vane 85 that covers the opening so that the opening cannot be seen when the opening is viewed from the intersection of the gas flow direction in the exhaust pipe 51 and the extension line of the central axis of the opening 81. It is equipped with. The rectifying plate 85 is further provided so that the opening 81 communicates with the inside of the exhaust pipe 51 in a direction orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe 51 and the central axis of the opening 81. , Exhaust pressure can be measured by the pressure sensor 75. Therefore, although the sublimated material contained in the gas adheres to and accumulates on the upstream side of the straightening vane 85, it can be prevented from accumulating on the opening 81 and closing the opening 81. As a result, the exhaust pressure in the exhaust pipe 51 can be accurately measured even if the gas contains a sublimated substance.

さらに、本実施例による整流板85により、次の効果が得られる。 Further, the straightening vane 85 according to this embodiment has the following effects.

すなわち、開口部81に対向する排気管51内には、整流板85が三角屋根のように配置され、その傾斜面が気体の流通方向に面した姿勢とされる。したがって、排気に含まれる昇華物は主としてその上流及び下流に面した傾斜面に付着して堆積する。また、気体の流通方向と開口部81の中心軸の両方に直交する方向で開口部81が排気管51に連通しているので、サンプリングポート71を介して圧力センサ75が正確に排気圧力を測定できる。 That is, in the exhaust pipe 51 facing the opening 81, the straightening vane 85 is arranged like a triangular roof, and the inclined surface thereof faces the gas flow direction. Therefore, the sublimated material contained in the exhaust mainly adheres to and deposits on the inclined surfaces facing upstream and downstream thereof. Further, since the opening 81 communicates with the exhaust pipe 51 in a direction orthogonal to both the gas flow direction and the central axis of the opening 81, the pressure sensor 75 accurately measures the exhaust pressure via the sampling port 71. can.

また、取り付け具83を外すと、排気管51からブロック体79を整流板85ごと取り外すことができるので、整流板85や開口部81に昇華物が付着していてもメンテナンスにより容易に除去できる。したがって、定期的なメンテナンスを実施することにより、長期間にわたって排気圧力の精度を維持できる。さらに、チューブクランプ93を緩めると、測定管73をブロック体79から取り外すことができるので、昇華物が測定管73の内部に付着していてもメンテナンスにより容易に除去できる。したがって、定期的なメンテナンスを実施することにより、長期間にわたって排気圧力の精度を維持できる。 Further, since the block body 79 can be removed from the exhaust pipe 51 together with the straightening vane 85 by removing the mounting tool 83, even if the sublimation material adheres to the straightening vane 85 or the opening 81, it can be easily removed by maintenance. Therefore, by performing regular maintenance, the accuracy of the exhaust pressure can be maintained for a long period of time. Further, since the measuring tube 73 can be removed from the block body 79 by loosening the tube clamp 93, even if the sublimated material adheres to the inside of the measuring tube 73, it can be easily removed by maintenance. Therefore, by performing regular maintenance, the accuracy of the exhaust pressure can be maintained for a long period of time.

<第1の変形例> <First modification>

ここで、図9を参照して、上述した整流板85の他の実施例について説明する。なお、図9は、整流板の第1の変形例を示す縦断面図である。 Here, another embodiment of the above-mentioned straightening vane 85 will be described with reference to FIG. 9. Note that FIG. 9 is a vertical sectional view showing a first modification of the straightening vane.

この整流板85Aは、排気管51における気体の流通方向と、開口部81の中心軸の延長線との交点から開口部81を見た場合、開口部81が見えないように開口部81を覆う。さらに、この整流板85Aは、排気管51における気体の流通方向と開口部81の中心軸との両方に直交する方向だけでなく、排気管51の気体の流通方向における開口部81より下流側でも排気管51の内部に開口部81が連通するように設けられている。換言すると、整流板85Aは、排気管51の壁面から徐々に排気管51の中心側に向かって傾斜面が離れるように形成されている。その下流側の端部は、開口部81の下流側の周縁部よりも下流側に延出されている。このような整流板85Aは、上述した整流板85よりも簡易な構成とすることができつつも、上述した実施例と同様に、昇華物が開口部81に堆積して開口部81を閉塞することを抑制できる。 The rectifying plate 85A covers the opening 81 so that the opening 81 cannot be seen when the opening 81 is viewed from the intersection of the gas flow direction in the exhaust pipe 51 and the extension line of the central axis of the opening 81. .. Further, the rectifying plate 85A is provided not only in the direction orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe 51 and the central axis of the opening 81, but also in the downstream side of the opening 81 in the gas flow direction of the exhaust pipe 51. An opening 81 is provided so as to communicate with the inside of the exhaust pipe 51. In other words, the straightening vane 85A is formed so that the inclined surface gradually separates from the wall surface of the exhaust pipe 51 toward the center side of the exhaust pipe 51. The downstream end thereof extends downstream from the downstream peripheral edge of the opening 81. Although such a straightening vane 85A can have a simpler configuration than the above-mentioned straightening vane 85, the sublimation material is deposited on the opening 81 to close the opening 81, as in the above-described embodiment. Can be suppressed.

<第2の変形例> <Second modification>

ここで、図10を参照して、上述した整流板85,85Aの他の実施例について説明する。なお、図10は、整流板の第2の変形例を示す縦断面図である。 Here, another embodiment of the above-mentioned straightening vanes 85 and 85A will be described with reference to FIG. 10. Note that FIG. 10 is a vertical sectional view showing a second modification of the straightening vane.

この整流板85Bは、排気管51の気体の流通方向における開口部81より下流側だけが排気管51の内部に開口部81が連通するように設けられている。この整流板85Bは、排気の下流側だけに開口したフード状に形成されている。このような整流板85Bは、上述した実施例と同様に、開口部81に昇華物が堆積して開口部81を閉塞することを抑制できる。その上、傾斜面が側面の板状部材で支えられているので、機械的強度を高くできる。 The straightening vane 85B is provided so that the opening 81 communicates with the inside of the exhaust pipe 51 only on the downstream side of the opening 81 in the gas flow direction of the exhaust pipe 51. The straightening vane 85B is formed in a hood shape that opens only on the downstream side of the exhaust gas. Such a straightening vane 85B can prevent the sublimation material from accumulating in the opening 81 and closing the opening 81, as in the above-described embodiment. Moreover, since the inclined surface is supported by the plate-shaped member on the side surface, the mechanical strength can be increased.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

(1)上述した実施例では、可動天板33を備えているが、本発明はこの構成を備える必要はない。つまり、熱処理雰囲気を形成する筐体13内の気体を排気するための排気管51を備え、その排気圧力を検出する基板処理装置であれば本発明を適用できる。 (1) In the above-described embodiment, the movable top plate 33 is provided, but the present invention does not need to have this configuration. That is, the present invention can be applied to any substrate processing apparatus that includes an exhaust pipe 51 for exhausting the gas in the housing 13 that forms a heat treatment atmosphere and detects the exhaust pressure.

(2)上述した実施例では、取り付け具83によりブロック体79を排気管51に着脱自在な構成としたが本発明はこのような構成に限定されない。例えば、ブロック体79と排気管51をパチン錠(ドローラッチ)で着脱自在に構成してもよい。また、サンプリングポート71を排気管51の一部に固定的に取り付ける構成とし、排気管51の一部を排気管51に着脱自在とする構成としてもよい。 (2) In the above-described embodiment, the block body 79 is detachably attached to the exhaust pipe 51 by the attachment 83, but the present invention is not limited to such a configuration. For example, the block body 79 and the exhaust pipe 51 may be detachably configured with a snap lock (draw latch). Further, the sampling port 71 may be fixedly attached to a part of the exhaust pipe 51, and a part of the exhaust pipe 51 may be detachably attached to the exhaust pipe 51.

(3)上述した実施例では、ブロック体79に対して測定管73をチューブクランプ93により着脱自在の構成とした。しかしながら、本発明はチューブクランプ93を必須とするものではない。例えば、ブロック体79に測定管73を取り外しできないように取り付けるようにしてもよい。 (3) In the above-described embodiment, the measuring tube 73 is detachably attached to the block body 79 by the tube clamp 93. However, the present invention does not require the tube clamp 93. For example, the measuring tube 73 may be attached to the block body 79 so as not to be removable.

1,1A … 基板処理装置
W … 基板
3 … 下部ベースプレート
5 … 水冷式ベースプレート
7 … 熱処理プレート
9 … 可動天板ユニット
11 … 昇降ピンユニット
13 … 筐体
15 … シャッタユニット
29 … 昇降機構
33 … 可動天板
35 … 開口
37 … 駆動機構
41 … 昇降ピン
43 … 搬入出口
47 … シャッタ本体
51 … 排気管
53 … 圧力検出ユニット
61 … 制御部
71 … サンプリングポート
73 … 測定管
75 … 圧力センサ
77 … 排気管開口部
79 … ブロック体
81 … 開口部
83 … 取り付け具
85,85A,85B … 整流板
87 … 測定管取付部
93 … チューブクランプ
1,1A ... Board processing device W ... Board 3 ... Lower base plate 5 ... Water-cooled base plate 7 ... Heat-treated plate 9 ... Movable top plate unit 11 ... Elevating pin unit 13 ... Housing 15 ... Shutter unit 29 ... Elevating mechanism 33 ... Movable ceiling Plate 35 ... Opening 37 ... Drive mechanism 41 ... Lifting pin 43 ... Carry-in / exit 47 ... Shutter body 51 ... Exhaust pipe 53 ... Pressure detection unit 61 ... Control unit 71 ... Sampling port 73 ... Measuring tube 75 ... Pressure sensor 77 ... Exhaust pipe opening Part 79 ... Block body 81 ... Opening 83 ... Mounting tool 85, 85A, 85B ... Straightening plate 87 ... Measuring tube mounting part 93 ... Tube clamp

Claims (5)

基板に対して熱処理を行う基板処理装置において、
基板を載置し、基板を加熱する熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの上方を覆って、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成する筐体と、
前記筐体内の気体を排気する排気管と、
前記排気管に形成され、前記排気管の内部に連通した排気管開口部と、
前記排気管開口部に設けられ、前記排気管内の排気圧力を検出するためのサンプリングポートと、
前記サンプリングポートを介して排気圧力を測定する圧力センサと、
を備え、
前記サンプリングポートは、
前記排気管開口部にて前記排気管の内部に連通した開口部と、
前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸の延長線との交点から前記開口部を見た場合、前記開口部が見えないように前記開口部を覆うとともに、前記排気管における気体の流通方向と前記開口部の中心軸との両方に直交する方向、前記排気管の気体の流通方向における前記開口部より下流側の少なくとも一方で前記排気管の内部に前記開口部が連通するように設けられた整流板と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing device that heat-treats a substrate
A heat treatment plate on which the substrate is placed and the substrate is heated,
A housing that covers the upper part of the heat-treated plate to form a heat-treated atmosphere by the heat-treated plate,
The exhaust pipe that exhausts the gas in the housing and
An exhaust pipe opening formed in the exhaust pipe and communicating with the inside of the exhaust pipe,
A sampling port provided at the exhaust pipe opening for detecting the exhaust pressure in the exhaust pipe, and
A pressure sensor that measures the exhaust pressure through the sampling port,
Equipped with
The sampling port is
An opening that communicates with the inside of the exhaust pipe at the exhaust pipe opening, and an opening that communicates with the inside of the exhaust pipe.
When the opening is viewed from the intersection of the gas flow direction in the exhaust pipe and the extension line of the central axis of the opening, the opening is covered so that the opening cannot be seen, and the exhaust pipe covers the opening. The opening communicates inside the exhaust pipe at least on one side downstream of the opening in the direction orthogonal to both the gas flow direction and the central axis of the opening and the gas flow direction of the exhaust pipe. With the rectifying plate provided as
A substrate processing apparatus characterized by being equipped with.
請求項1に記載の基板処理装置において、
前記整流板は、前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸との両方に直交する方向から見た場合に、前記排気管の上流側から下流側に向かって徐々に前記開口部からの距離が大きくなる傾斜面を有することを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus according to claim 1,
The straightening vane gradually opens from the upstream side to the downstream side of the exhaust pipe when viewed from a direction orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe and the central axis of the opening. A substrate processing apparatus characterized by having an inclined surface that increases the distance from the portion.
請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記整流板は、前記排気管における気体の流通方向と、前記開口部の中心軸との両方に直交する方向から見た断面が三角形状を呈し、その頂点が、その内角側を前記開口部に対向して取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
The straightening vane has a triangular cross section when viewed from a direction orthogonal to both the gas flow direction in the exhaust pipe and the central axis of the opening, and its apex has an internal angle side thereof as the opening. A board processing device characterized in that it is mounted facing each other.
請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記開口部が形成されたブロック体と、
前記排気管開口部に前記開口部が臨むようにして、前記ブロック体を前記排気管に着脱自在に取り付ける取り付け具と、
を備え、
前記整流板は、前記ブロック体の前記排気管開口部側に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The block body on which the opening is formed and the block body
A mounting tool for detachably attaching the block body to the exhaust pipe so that the opening faces the exhaust pipe opening.
Equipped with
The substrate processing apparatus, wherein the straightening vane is attached to the exhaust pipe opening side of the block body.
請求項4に記載の基板処理装置において、
前記ブロック体は、前記開口部の反対面に、前記開口部に連通した測定管取付部を形成されているとともに、
前記ブロック体の前記測定管取付部に一端側が配置され、他端側に前記圧力センサが配置された測定管と、
前記測定管の一端側を前記測定管取付部に着脱自在に取り付ける測定管取付具と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus according to claim 4,
In the block body, a measuring tube mounting portion communicating with the opening is formed on the opposite surface of the opening, and the block body is formed.
A measuring tube having one end arranged on the measuring tube mounting portion of the block body and the pressure sensor arranged on the other end side.
A measuring tube mounting tool that detachably attaches one end side of the measuring tube to the measuring tube mounting portion,
A substrate processing apparatus characterized by being equipped with.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023069210A1 (en) * 2021-10-22 2023-04-27 Lam Research Corporation Exhaust monitoring apparatus and method for substrate processing systems

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138210A (en) 1998-11-04 2000-05-16 Tokyo Electron Ltd Spin coater and aging processing device
JP2003017433A (en) 2001-06-28 2003-01-17 Tokyo Electron Ltd Chamber sensor port
WO2016021496A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 キヤノンアネルバ株式会社 Sputtering device and processing device
JP2016065272A (en) 2014-09-24 2016-04-28 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, program, and recording medium

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01241819A (en) * 1988-03-23 1989-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device for heat-treating substrate
US5782980A (en) * 1996-05-14 1998-07-21 Advanced Micro Devices, Inc. Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem
JPH1041238A (en) * 1996-07-22 1998-02-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treatment method of substrate
JPH10153510A (en) * 1996-11-21 1998-06-09 Nec Kansai Ltd Vacuum apparatus and diaphragm vacuum gauge
US5803056A (en) * 1997-02-12 1998-09-08 Siemens Electric Limited Canister vent valve having electric pressure sensor and valve actuator
US6015465A (en) * 1998-04-08 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor process chamber
JP2000003843A (en) 1998-06-12 2000-01-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Wafer heat treatment device
JP3545668B2 (en) * 2000-03-23 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 Heating apparatus and method
JP2004360994A (en) 2003-06-04 2004-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Incomplete combustion detecting device
JP2007059633A (en) * 2005-08-24 2007-03-08 Tokyo Electron Ltd Substrate heating apparatus and substrate heating method
US20080006650A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for multi-chamber exhaust control
JP4324619B2 (en) * 2007-03-29 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 Vaporization apparatus, film forming apparatus, and vaporization method
US7699935B2 (en) * 2008-06-19 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber
JP4930495B2 (en) * 2008-12-04 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 Substrate heating apparatus and substrate heating method
JP4827263B2 (en) * 2008-12-09 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment equipment
US8623141B2 (en) * 2009-05-18 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Piping system and control for semiconductor processing
JP5814005B2 (en) * 2011-06-21 2015-11-17 芝浦メカトロニクス株式会社 Heater unit, fan filter unit, and substrate processing apparatus
JP6127395B2 (en) * 2012-06-29 2017-05-17 三菱自動車工業株式会社 Sensor protection structure
JP6384414B2 (en) * 2014-08-08 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 Substrate heating apparatus, substrate heating method, storage medium
KR102008566B1 (en) * 2016-05-24 2019-08-07 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138210A (en) 1998-11-04 2000-05-16 Tokyo Electron Ltd Spin coater and aging processing device
JP2003017433A (en) 2001-06-28 2003-01-17 Tokyo Electron Ltd Chamber sensor port
WO2016021496A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 キヤノンアネルバ株式会社 Sputtering device and processing device
JP2016065272A (en) 2014-09-24 2016-04-28 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, program, and recording medium

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Publication number Publication date
KR20190106671A (en) 2019-09-18
CN110233117A (en) 2019-09-13
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