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JP6978509B2 - Bonded structures, semiconductor packages and semiconductor devices - Google Patents

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JP6978509B2 JP2019550901A JP2019550901A JP6978509B2 JP 6978509 B2 JP6978509 B2 JP 6978509B2 JP 2019550901 A JP2019550901 A JP 2019550901A JP 2019550901 A JP2019550901 A JP 2019550901A JP 6978509 B2 JP6978509 B2 JP 6978509B2
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Description

本発明は、金属端子と線路導体とを接合した接合構造体、半導体パッケージおよび半導体装置に関する。 The present invention relates to a bonded structure, a semiconductor package, and a semiconductor device in which a metal terminal and a line conductor are bonded.

光半導体素子等の半導体素子が実装される半導体パッケージとして、半導体素子が実装される基板と、基板に固定されたリード端子（金属端子）とを備えるものが知られている。基板に対する半導体素子の実装およびリード端子の固定は、例えば、誘電体基板等の絶縁性部材を介して行なわれる。 As a semiconductor package on which a semiconductor element such as an optical semiconductor element is mounted, a substrate having a substrate on which the semiconductor element is mounted and a lead terminal (metal terminal) fixed to the substrate are known. The mounting of the semiconductor element on the substrate and the fixing of the lead terminal are performed, for example, via an insulating member such as a dielectric substrate.

この場合、半導体パッケージにおいて、誘電体基板に、金−スズまたはスズ−銀等のろう材を介して信号端子が接合されて、固定されている。信号端子は金属製のリード端子等である。誘電体基板の表面のうち、ろう材が接合される部分には金属層があらかじめ設けられる。リード端子の端部が、リード端子の長さ方向に沿って金属層と対向して接合される（例えば特許文献１を参照）。 In this case, in the semiconductor package, the signal terminal is bonded and fixed to the dielectric substrate via a brazing material such as gold-tin or tin-silver. The signal terminal is a metal lead terminal or the like. A metal layer is provided in advance on the portion of the surface of the dielectric substrate to which the brazing material is bonded. The ends of the lead terminals are joined to face the metal layer along the length direction of the lead terminals (see, for example, Patent Document 1).

国際公開第2017／033860号International Publication No. 2017/0338 60

近年、信号端子と金属層とで構成される伝送路を伝送される信号の高周波化が進んでいる。そのため、上記伝送路における特性インピーダンスの整合をより高い精度で行なうことが求められるようになってきている。また、そのような半導体パッケージの構成が容易な接合構造が求められている。 In recent years, the frequency of signals transmitted through a transmission line composed of a signal terminal and a metal layer has been increasing. Therefore, it is required to match the characteristic impedance in the transmission line with higher accuracy. Further, there is a demand for a bonded structure in which such a semiconductor package can be easily constructed.

本発明の一つの態様の接合構造体は、端面を有する金属端子と、該金属端子の前記端面の一部が対向している側面を有する線路導体と、金属粒子を含んでいるとともに、前記金属端子の前記端面から前記線路導体の一部にかけて覆うように位置しており、前記金属端子および前記線路導体に接合している接合材とを備える。 The bonded structure of one aspect of the present invention contains a metal terminal having an end face, a line conductor having a side surface on which a part of the end face of the metal terminal faces, and metal particles, and the metal. It is located so as to cover from the end face of the terminal to a part of the line conductor, and includes the metal terminal and a bonding material bonded to the line conductor.

本発明の一つの態様の半導体パッケージは、第１面および該第１面と反対側の第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面側に位置する線路導体と、前記基板の前記第２面から前記第１面にかけて貫通しており、前記第１面側に端部を有する金属端子と、金属粒子を含んでおり、前記金属端子の前記端部と前記線路導体との間に介在している接合材とを備えており、前記金属端子の前記端部と前記線路導体との間に上記構成の接合構造体を有している。 A semiconductor package according to one aspect of the present invention includes a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a line conductor located on the first surface side of the substrate, and the substrate. It penetrates from the second surface to the first surface, contains a metal terminal having an end on the first surface side, and contains metal particles, and is between the end of the metal terminal and the line conductor. It is provided with an intervening bonding material, and has a bonding structure having the above configuration between the end portion of the metal terminal and the line conductor.

本発明の一つの態様の半導体装置は、上記構成の半導体パッケージと、前記第１面側に位置し、前記線路導体と電気的に接続される半導体素子と、を備える。 A semiconductor device according to one aspect of the present invention includes a semiconductor package having the above configuration and a semiconductor element located on the first surface side and electrically connected to the line conductor.

本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
本発明の実施形態の接合構造体を示す断面図である。 本発明の実施形態の半導体パッケージの斜視図である。 図２Ａの反対側から見た斜視図である。 本発明の実施形態の半導体パッケージの平面図である。 図３ＡのＸ−Ｘ線における断面図である。 本発明の他の実施形態の接合構造体を示す断面図である。 本発明の他の実施形態の接合構造体を示す断面図である。 本発明の他の実施形態の接合構造体を示す断面図である。 本発明の他の実施形態の接合構造体を示す断面図である。 本発明の他の実施形態の接合構造体を示す断面図である。 本発明の実施形態の半導体装置の斜視図である。 シミュレーションモデルを示す図である。 シミュレーションモデルを示す図である。 シミュレーション結果を示す図である。 シミュレーション結果を示す図である。 Objectives, features, and advantages of the present invention will become clearer from the detailed description and drawings below.
It is sectional drawing which shows the junction structure of embodiment of this invention. It is a perspective view of the semiconductor package of embodiment of this invention. It is a perspective view seen from the opposite side of FIG. 2A. It is a top view of the semiconductor package of embodiment of this invention. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 3A. It is sectional drawing which shows the junction structure of another embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the junction structure of another embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the junction structure of another embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the junction structure of another embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the junction structure of another embodiment of this invention. It is a perspective view of the semiconductor device of embodiment of this invention. It is a figure which shows the simulation model. It is a figure which shows the simulation model. It is a figure which shows the simulation result. It is a figure which shows the simulation result.

本発明の実施形態の接合構造体および半導体パッケージについて、添付の図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態の接合構造体を示す断面図である。図２Ａは本発明の実施形態の半導体パッケージの斜視図であり、図２Ｂは図２Ａの反対側から見た斜視図である。また、図３Ａは本発明の実施形態の半導体パッケージの平面図であり、図３Ｂは図３ＡのＸ−Ｘ線における断面図である。 The bonded structure and the semiconductor package according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a joint structure according to an embodiment of the present invention. FIG. 2A is a perspective view of the semiconductor package according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a perspective view seen from the opposite side of FIG. 2A. Further, FIG. 3A is a plan view of the semiconductor package according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 3A.

本発明の実施形態の接合構造体Ｃは、端面１ａを有する金属端子１と、その端面１ａに対向している側面２ａを有する線路導体２と、金属粒子を含んでいるとともに、金属端子１の端面１ａから線路導体２の一部（例えば、側面２ａを含む第２端部２ｂ）にかけて覆うように位置しており、金属端子１および線路導体２に接合している接合材３とを備えている。この接合構造体Ｃは、例えば外部接続用の金属端子１と、半導体素子と電気的に接続される線路導体２と、金属端子１および線路導体２が所定の位置関係で配置される基板４を含む半導体パッケージにおける、金属端子１と線路導体２との接合材３を介した接合に用いられる。本発明の実施形態の半導体パッケージ10は、金属端子１と、線路導体２と、金属端子１と線路導体２との間に介在している接合材３と、金属端子１および線路導体２が配置されている基板４とを有し、さらに、金属端子１と線路導体２との間に上記実施形態の接合構造体Ｃを有している。 The joint structure C of the embodiment of the present invention contains a metal terminal 1 having an end surface 1a, a line conductor 2 having a side surface 2a facing the end surface 1a, and metal particles, and is a metal terminal 1. It is located so as to cover from the end surface 1a to a part of the line conductor 2 (for example, the second end portion 2b including the side surface 2a), and includes a metal terminal 1 and a bonding material 3 bonded to the line conductor 2. There is. In this joint structure C, for example, a metal terminal 1 for external connection, a line conductor 2 electrically connected to a semiconductor element, and a substrate 4 in which the metal terminal 1 and the line conductor 2 are arranged in a predetermined positional relationship are provided. It is used for joining a metal terminal 1 and a line conductor 2 via a bonding material 3 in a semiconductor package including the metal terminal 1. In the semiconductor package 10 of the embodiment of the present invention, the metal terminal 1, the line conductor 2, the bonding material 3 interposed between the metal terminal 1 and the line conductor 2, the metal terminal 1 and the line conductor 2 are arranged. Further, it has the bonding structure C of the above embodiment between the metal terminal 1 and the line conductor 2.

また、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａおよび図３Ｂに示す例において、半導体パッケージ10は、さらに、線路導体２が実際に配置されて基板４に固定されている絶縁板５と、絶縁板５に接合されているサブマウント６とを有している。基板４は、第１面４ａおよび第１面４ａと反対側の第２面４ｂを有し、第１面４ａと第２面４ｂとの間で基板４を厚み方向に貫通している貫通孔４ｃを有している。金属端子１は、第２面４ｂから第１面４ａにかけて、貫通孔４ｃ内を通って基板４を貫通している。金属端子１の端面１ａおよび端面を含む第１端部１ｂは第１面４ａ側に位置している。基板４の第１面４ａ側に絶縁板５が位置し、これにより基板４の第１面４ａ側に線路導体２が配置されている。この、基板４の第１面４ａ側で、上記構成の接合構造体Ｃを介して金属端子１と線路導体２とが互いに接合されている。すなわち、金属端子１の端面１ａの一部が線路導体２の側面２ａと対向している。金属粒子を含む接合材３が、金属端子１の端面１ａを含む第１端部１ｂから線路導体２の側面２ａを含む第２端部２ｂにかけて覆うように位置している。接合材３は、金属端子１および線路導体２に接合し、接合材３によって金属端子１と線路導体２とが互いに接合されている。 Further, in the examples shown in FIGS. 2A, 2B, 3A, and 3B, the semiconductor package 10 is further attached to an insulating plate 5 in which the line conductor 2 is actually arranged and fixed to the substrate 4, and an insulating plate 5. It has a submount 6 that is joined. The substrate 4 has a first surface 4a and a second surface 4b opposite to the first surface 4a, and a through hole penetrating the substrate 4 between the first surface 4a and the second surface 4b in the thickness direction. It has 4c. The metal terminal 1 passes through the substrate 4 from the second surface 4b to the first surface 4a through the through hole 4c. The end surface 1a of the metal terminal 1 and the first end portion 1b including the end surface are located on the first surface 4a side. The insulating plate 5 is located on the first surface 4a side of the substrate 4, whereby the line conductor 2 is arranged on the first surface 4a side of the substrate 4. On the first surface 4a side of the substrate 4, the metal terminal 1 and the line conductor 2 are joined to each other via the joining structure C having the above configuration. That is, a part of the end surface 1a of the metal terminal 1 faces the side surface 2a of the line conductor 2. The joining material 3 containing the metal particles is positioned so as to cover from the first end portion 1b including the end surface 1a of the metal terminal 1 to the second end portion 2b including the side surface 2a of the line conductor 2. The joining material 3 is joined to the metal terminal 1 and the line conductor 2, and the metal terminal 1 and the line conductor 2 are joined to each other by the joining material 3.

この半導体パッケージ10は、例えば、光半導体素子等の半導体素子（図示せず）を気密封止するものである。半導体素子は、絶縁板５に搭載されるとともに線路導体２と電気的に接続される。基板４の、半導体素子が搭載された第１面４ａ側が金属製ケース（ＣＡＮ）（図示せず）で封止されれば、いわゆるＴＯ（Transistor Outline）−ＣＡＮ型の半導体パッケージが形成される。半導体素子が光半導体素子であるときには、光信号の入出力用の開口を有する金属製ケースが用いられる。 The semiconductor package 10 airtightly seals a semiconductor element (not shown) such as an optical semiconductor element. The semiconductor element is mounted on the insulating plate 5 and electrically connected to the line conductor 2. If the first surface 4a side of the substrate 4 on which the semiconductor element is mounted is sealed with a metal case (CAN) (not shown), a so-called TO (Transistor Outline) -CAN type semiconductor package is formed. When the semiconductor element is an optical semiconductor element, a metal case having an opening for input / output of an optical signal is used.

実施形態の接合構造体Ｃにおいて、金属端子１は、例えば上記のような半導体パッケージ10における外部接続用の導電路としての機能を有する。この場合、金属端子１は、細長い帯状または棒状等のリード（ピン）端子である。金属端子１は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金または銅を含む合金材料等の金属材料からなる。金属端子１は、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金からなる場合は、鉄−ニッケル−コバルト合金のインゴット（塊）に圧延加工、打ち抜き加工、切削加工およびエッチング加工等から適宜選択した金属加工を施すことによって製作することができる。 In the bonded structure C of the embodiment, the metal terminal 1 has a function as a conductive path for external connection in the semiconductor package 10 as described above, for example. In this case, the metal terminal 1 is an elongated strip-shaped or rod-shaped lead (pin) terminal. The metal terminal 1 is made of a metal material such as, for example, an iron-nickel-cobalt alloy, an iron-nickel alloy, or an alloy material containing copper. When the metal terminal 1 is made of, for example, an iron-nickel-cobalt alloy, the ingot (lump) of the iron-nickel-cobalt alloy is subjected to metal processing appropriately selected from rolling, punching, cutting, etching and the like. Can be manufactured by.

金属端子１は、例えば図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａおよび図３Ｂに示す例のように、複数の金属端子１が並んで基板４に固定されるものでもよい。図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａおよび図３Ｂに示す例では、信号伝送用の一対の金属端子１が基板４を貫通して配置されている。それぞれの金属端子１は、基板４の第１面４ａ側に位置する端面１ａおよび端面１ａを含む第１端部１ｂを有している。金属端子１のうち基板４の第１面４ａ側に位置する部分（気密封止される部分）を第１端部１ｂとみなすこともできる。 The metal terminal 1 may be one in which a plurality of metal terminals 1 are arranged side by side and fixed to the substrate 4, as in the examples shown in FIGS. 2A, 2B, 3A and 3B, for example. In the examples shown in FIGS. 2A, 2B, 3A, and 3B, a pair of metal terminals 1 for signal transmission are arranged so as to penetrate the substrate 4. Each metal terminal 1 has a first end portion 1b including an end surface 1a and an end surface 1a located on the first surface 4a side of the substrate 4. The portion of the metal terminal 1 located on the first surface 4a side of the substrate 4 (the portion to be hermetically sealed) can also be regarded as the first end portion 1b.

なお、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａおよび図３Ｂに示す例では、一対の金属端子１と並んで、接地端子７が配置されている。接地端子７は、金属端子１と同様の金属材料を用い、同様の方法で製作することができる。半導体パッケージ10における金属端子１の構成および機能の詳細については後述する。 In the examples shown in FIGS. 2A, 2B, 3A, and 3B, the ground terminal 7 is arranged alongside the pair of metal terminals 1. The ground terminal 7 can be manufactured by the same method using the same metal material as the metal terminal 1. Details of the configuration and function of the metal terminal 1 in the semiconductor package 10 will be described later.

金属端子１は、例えば、長さが1.5〜22ｍｍで直径が0.1〜１ｍｍの線状である。信号伝送用の場合、一対の金属端子１の機械的強度、特性インピーダンス（以下、単にインピーダンスという）のマッチングおよび半導体パッケージ10としての小型化等を考慮すれば、それぞれの金属端子１の直径は0.15〜0.25ｍｍとする。金属端子１の直径が0.15ｍｍ以上であれば、例えば半導体パッケージ10の取り扱い時における金属端子１の曲がり等を抑制することが容易であり、作業性の向上等において有利である。また、金属端子１の直径が0.25ｍｍ以下であれば、金属端子１が貫通する貫通孔４ｃの径を小さく抑えることができるため、基板４の小型化、つまりは半導体パッケージ10の小型化に対して有効である。 The metal terminal 1 is, for example, linear with a length of 1.5 to 22 mm and a diameter of 0.1 to 1 mm. For signal transmission, the diameter of each metal terminal 1 is 0.15, considering the mechanical strength of the pair of metal terminals 1, matching of characteristic impedance (hereinafter, simply referred to as impedance), and miniaturization of the semiconductor package 10. ~ 0.25 mm. When the diameter of the metal terminal 1 is 0.15 mm or more, for example, it is easy to suppress bending of the metal terminal 1 when handling the semiconductor package 10, which is advantageous in improving workability and the like. Further, if the diameter of the metal terminal 1 is 0.25 mm or less, the diameter of the through hole 4c through which the metal terminal 1 penetrates can be suppressed to a small size, so that the size of the substrate 4 can be reduced, that is, the size of the semiconductor package 10 can be reduced. Is effective.

線路導体２は、例えば、半導体パッケージ10における半導体素子接続用の導体としての機能を有している。半導体素子と線路導体２との電気的な接続は、ボンディングワイヤまたははんだ等の低融点ろう材を介して行なわれる。ボンディングワイヤの場合であれば、ボールボンド法等のボンディング法によって半導体素子（電極）と線路導体２とに順次、金ワイヤまたはアルミニウムワイヤ等のボンディングワイヤを接合する。これにより、半導体素子を線路導体２に電気的に接続させることができる。この線路導体２と金属端子１とが接合材３を介して互いに接合されて、半導体素子と外部電気回路とを電気的に接続する導電路が構成される。 The line conductor 2 has, for example, a function as a conductor for connecting semiconductor elements in the semiconductor package 10. The electrical connection between the semiconductor element and the line conductor 2 is made via a low melting point brazing material such as a bonding wire or solder. In the case of a bonding wire, a bonding wire such as a gold wire or an aluminum wire is sequentially bonded to the semiconductor element (electrode) and the line conductor 2 by a bonding method such as a ball bonding method. As a result, the semiconductor element can be electrically connected to the line conductor 2. The line conductor 2 and the metal terminal 1 are joined to each other via a joining material 3 to form a conductive path that electrically connects a semiconductor element and an external electric circuit.

前述したように、線路導体２は、例えば絶縁板５の表面に形成されている。この絶縁板５が基板４の第１面４ａ側に固定されて、線路導体２が基板４の第１面４ａ側に位置している。線路導体２は、第１面４ａ側において側面２ａを有し、側面２ａを含む第２端部２ｂを有している。また、この第１面４ａ側において、線路導体２の側面２ａに対向して金属端子１の端面１ａが位置している。金属端子１の端面１ａは、その一部のみが線路導体２の側面２ａに対向していてもよい。金属端子１の第１端部１ｂと線路導体２の第２端部２ｂとが、後述する接合材３を介して両者が互いに接合されている。接合材３は、端面１ａおよび側面２ａにも接合している。 As described above, the line conductor 2 is formed on the surface of the insulating plate 5, for example. The insulating plate 5 is fixed to the first surface 4a side of the substrate 4, and the line conductor 2 is located on the first surface 4a side of the substrate 4. The track conductor 2 has a side surface 2a on the first surface 4a side, and has a second end portion 2b including the side surface 2a. Further, on the first surface 4a side, the end surface 1a of the metal terminal 1 is located facing the side surface 2a of the line conductor 2. Only a part of the end surface 1a of the metal terminal 1 may face the side surface 2a of the line conductor 2. The first end portion 1b of the metal terminal 1 and the second end portion 2b of the line conductor 2 are joined to each other via a joining material 3 described later. The joining material 3 is also joined to the end face 1a and the side surface 2a.

線路導体２は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、金、パラジウム、白金、ロジウム、ニッケルおよびコバルト等の金属材料から適宜選択された金属材料またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料により形成されている。線路導体２は、メタライズ層、めっき層および薄膜層等の形態で形成することができる。線路導体２は、前述したように絶縁板５に形成されたものであり、金、銅、ニッケル、銀等の薄膜層を含むものであるときには、チタン、クロム、タンタル、ニオブ、ニッケル−クロム合金、窒化タンタル等の密着金属層をさらに含むものでもよい。密着金属層は、絶縁板５と薄膜層との間に位置し、線路導体２の絶縁板５に対する密着性を向上させる機能を有する。 The line conductor 2 is a metal material appropriately selected from metal materials such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, gold, palladium, platinum, rhodium, nickel and cobalt, or a metal material of an alloy containing these metal materials. Is formed by. The line conductor 2 can be formed in the form of a metallized layer, a plating layer, a thin film layer, or the like. The line conductor 2 is formed on the insulating plate 5 as described above, and when it contains a thin layer of gold, copper, nickel, silver or the like, titanium, chrome, tantalum, niobium, nickel-chromium alloy, nitrided. It may further include an adhesive metal layer such as tantalum. The close contact metal layer is located between the insulating plate 5 and the thin film layer, and has a function of improving the adhesion of the line conductor 2 to the insulating plate 5.

線路導体２の厚みは、例えば電気抵抗の低減および内部応力の抑制等を考慮して、0.1〜５μｍ程度に設定される。また、密着金属層の厚みは、絶縁板５に対する密着性の向上および内部応力の抑制等を考慮して、0.01〜0.2μｍ程度に設定される。なお、線路導体２は、密着金属層と薄膜層との間に、両者の相互拡散を抑制する拡散抑制層をさらに含んでいてもよい。拡散抑制層は、例えば、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、チタン−タングステン合金等の金属材料により形成することができる。拡散抑制層の厚みは、例えば上記の相互拡散の抑制および線路導体２における電気抵抗の抑制等を考慮して、約0.05〜１μｍに設定される。 The thickness of the line conductor 2 is set to about 0.1 to 5 μm in consideration of, for example, reduction of electric resistance and suppression of internal stress. Further, the thickness of the adhesion metal layer is set to about 0.01 to 0.2 μm in consideration of improvement of adhesion to the insulating plate 5 and suppression of internal stress. The line conductor 2 may further include a diffusion suppression layer that suppresses mutual diffusion between the close contact metal layer and the thin film layer. The diffusion suppression layer can be formed of, for example, a metal material such as platinum, palladium, rhodium, nickel, or a titanium-tungsten alloy. The thickness of the diffusion suppression layer is set to about 0.05 to 1 μm in consideration of, for example, suppression of mutual diffusion and suppression of electrical resistance in the line conductor 2.

また、線路導体２は、メタライズ法によって絶縁板５の表面に配置されたものであるときには、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、金、白金およびパラジウム等の金属材料から適宜選択された金属材料を含んでいて構わない。この場合には、例えば、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダ等とともに混練して作製した金属ペーストを、絶縁板５と焼成することによって線路導体２を形成することができる。 Further, when the line conductor 2 is arranged on the surface of the insulating plate 5 by the metallization method, it is appropriately selected from metal materials such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, gold, platinum and palladium. It may contain metallic materials. In this case, for example, the line conductor 2 can be formed by firing a metal paste prepared by kneading tungsten powder with an organic solvent, a binder, or the like with an insulating plate 5.

絶縁板５は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化ケイ素質焼結体またはガラスセラミック焼結体等のセラミックス絶縁材料によって形成されている。絶縁板５は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。まず、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをドクターブレード法またはカレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに必要に応じて複数枚積層し、これを約1300〜1600℃の所定温度で焼成する。以上の工程によって絶縁板５を製作することができる。 The insulating plate 5 is formed of a ceramic insulating material such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitrided sintered body, a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic sintered body. The insulating plate 5 can be manufactured as follows, for example, when it is made of an aluminum oxide sintered body. First, an appropriate organic solvent and solvent are added and mixed with raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, calcium oxide and magnesium oxide to prepare a slurry. Next, the slurry is formed into a sheet by a doctor blade method, a calendar roll method, or the like to obtain a ceramic green sheet (hereinafter, also referred to as a green sheet). After that, the green sheet is punched into a predetermined shape, and if necessary, a plurality of sheets are laminated and fired at a predetermined temperature of about 1300 to 1600 ° C. The insulating plate 5 can be manufactured by the above steps.

線路導体２がタングステン等のメタライズ層からなる場合には、メタライズ層（線路導体２）用の金属ペーストを絶縁板５となるグリーンシートの表面に所定パターンに印刷し、同時焼成する製造方法を用いてもよい。この場合には、絶縁板５と線路導体２とを一体的に製作することができる。そのため、線路導体２と絶縁板５との接合の強度および生産性等の向上に関しては有効である。 When the line conductor 2 is made of a metallized layer such as tungsten, a manufacturing method is used in which a metal paste for the metallized layer (line conductor 2) is printed on the surface of a green sheet to be an insulating plate 5 in a predetermined pattern and simultaneously fired. You may. In this case, the insulating plate 5 and the line conductor 2 can be integrally manufactured. Therefore, it is effective in improving the strength and productivity of the joint between the line conductor 2 and the insulating plate 5.

接合材３は、金属端子１の端面１ａを含む第１端部１ｂから線路導体２の側面２ａを含む第２端部２ｂにかけて覆うように位置している。金属端子１の第１端部１ｂと線路導体２の第２端部２ｂとに接合している接合材３は、例えば、銀、銅、金およびパラジウム等の金属材料またはこれらの金属材料を含む合金等の金属材料からなる金属粒子を含有している。金属粒子同士が互いに金属結合によって結合し合い、接合材３としてまとまった形状になっている。また、この金属粒子が金属端子１および線路導体２それぞれに含有されている金属成分と結合し合っている。これにより、金属端子１と線路導体２との接合材３を介した接合が行なわれている。 The joining material 3 is positioned so as to cover from the first end portion 1b including the end surface 1a of the metal terminal 1 to the second end portion 2b including the side surface 2a of the line conductor 2. The bonding material 3 bonded to the first end portion 1b of the metal terminal 1 and the second end portion 2b of the line conductor 2 includes, for example, a metal material such as silver, copper, gold and palladium, or a metal material thereof. It contains metal particles made of a metal material such as an alloy. The metal particles are bonded to each other by metal bonding to form a unified shape as a bonding material 3. Further, the metal particles are bonded to each other with the metal component contained in each of the metal terminal 1 and the line conductor 2. As a result, the metal terminal 1 and the line conductor 2 are joined via the joining material 3.

この接合構造体Ｃは、例えば図１に示すような上下方向の断面視（縦断面視）において、金属端子１の端面１ａが線路導体２の表面２ｂｂに対して垂直になっている。なお、線路導体２の、絶縁板５と反対側の表面２ｂｂに垂直で、表面２ｂｂが臨む方向を上方向とし、その反対を下方向とする。さらに基板４の第１面４ａの側から第１面４ａを見たときに、この上下方向に対する左右方向も規定する。線路導体２の表面２ｂｂは、以下では上面２ｂｂと呼ぶ。線路導体２の上面２ｂｂは、線路導体２の第２端部２ｂの一部を構成している。また、線路導体２の側面２ａは、金属端子１の端面１ａに対してほぼ平行である。そのため、金属端子１の端面と線路導体２の側面とを互いに対向させて配置させることができる。 In this joint structure C, for example, in a vertical cross-sectional view (longitudinal view) as shown in FIG. 1, the end surface 1a of the metal terminal 1 is perpendicular to the surface 2bb of the line conductor 2. The direction of the line conductor 2 that is perpendicular to the surface 2bb on the opposite side of the insulating plate 5 and that the surface 2bb faces is the upward direction, and the opposite direction is the downward direction. Further, when the first surface 4a is viewed from the side of the first surface 4a of the substrate 4, the left-right direction with respect to the vertical direction is also defined. The surface 2bb of the line conductor 2 is hereinafter referred to as an upper surface 2bb. The upper surface 2bb of the line conductor 2 constitutes a part of the second end portion 2b of the line conductor 2. Further, the side surface 2a of the line conductor 2 is substantially parallel to the end surface 1a of the metal terminal 1. Therefore, the end surface of the metal terminal 1 and the side surface of the line conductor 2 can be arranged so as to face each other.

金属端子１と線路導体２との接合材３を介した接合構造体Ｃは、金属端子１と線路導体２との間、つまり金属端子１が接続される外部電気回路と、線路導体２が接続される半導体素子との間の信号の伝送路を構成する。このときに、伝送路を伝送される信号の高周波化（例えば40ＧＨｚ以上）に対応できるように、この金属端子１と線路導体２との間のインピーダンスを整合させる必要がある。これに対して、実施形態の接合構造体Ｃでは、そのようなインピーダンス整合の精度向上が容易である。インピーダンス整合の精度向上の詳細は以下のとおりである。 The joining structure C via the joining material 3 between the metal terminal 1 and the line conductor 2 is connected between the metal terminal 1 and the line conductor 2, that is, an external electric circuit to which the metal terminal 1 is connected and the line conductor 2. It constitutes a signal transmission path to and from the semiconductor element to be formed. At this time, it is necessary to match the impedance between the metal terminal 1 and the line conductor 2 so as to cope with the high frequency of the signal transmitted on the transmission line (for example, 40 GHz or more). On the other hand, in the junction structure C of the embodiment, it is easy to improve the accuracy of such impedance matching. The details of improving the accuracy of impedance matching are as follows.

すなわち、実施形態の接合構造体Ｃによれば、金属端子１の端面１ａと線路導体２の側面２ａとが対向した状態で接合材３により接合されている。つまり、本発明において、対向とは、信号が伝送される方向である金属端子１の長さ方向において金属端子１と線路導体２とが重なり合っていないことを言う。言い換えると、線路導体２の上面２ｂｂに垂直な方向に見たときの平面視において、金属端子１と線路導体２とが重なり合っていないことを言う。そのため、金属端子１と線路導体２との重なり合いに起因した、伝送路における抵抗の変化が抑制されている。これにより、伝送路の長さ方向における抵抗の変化による特性インピーダンスの変化を低減することができる。したがって、金属端子１と線路導体２とで構成される高周波信号の伝送路における特性インピーダンス整合の精度向上に有効な接合構造体Ｃを提供することができる。本実施形態では、金属端子１の端面１ａと線路導体２の側面２ａとが対向し、端面１ａと側面２ａとが直接に接触している。また、金属端子１の端面１ａを含む上下方向の断面視において、線路導体２の下面が金属端子１よりも下側に位置している。 That is, according to the joining structure C of the embodiment, the end surface 1a of the metal terminal 1 and the side surface 2a of the line conductor 2 are joined by the joining material 3 in a state of facing each other. That is, in the present invention, the opposite means that the metal terminal 1 and the line conductor 2 do not overlap in the length direction of the metal terminal 1 which is the direction in which the signal is transmitted. In other words, it means that the metal terminal 1 and the line conductor 2 do not overlap in a plan view when viewed in a direction perpendicular to the upper surface 2bb of the line conductor 2. Therefore, the change in resistance in the transmission line due to the overlap between the metal terminal 1 and the line conductor 2 is suppressed. As a result, it is possible to reduce the change in the characteristic impedance due to the change in the resistance in the length direction of the transmission line. Therefore, it is possible to provide a junction structure C that is effective in improving the accuracy of characteristic impedance matching in a high-frequency signal transmission line composed of a metal terminal 1 and a line conductor 2. In the present embodiment, the end surface 1a of the metal terminal 1 and the side surface 2a of the line conductor 2 face each other, and the end surface 1a and the side surface 2a are in direct contact with each other. Further, in the vertical cross-sectional view including the end surface 1a of the metal terminal 1, the lower surface of the line conductor 2 is located below the metal terminal 1.

接合材３を介した金属端子１と線路導体２との接合は、例えば次のようにして行なわれる。まず、銀等の上記金属材料の粒子（実際には多数の粒子の集合物）を有機溶剤およびバインダとともに混練してペーストを作製する。次に、金属端子１の端面１ａを線路導体２の側面２ａに対向させて位置合せし、位置合わせした部分に上記ペーストを配置して、これらをジグ等で仮固定する。その後、これらを電気炉等で加熱してペースト中の金属粒子同士を結合させる。このときに、バインダ成分間の重合等が生じるようにしてもよい。すなわち、接合材３は、金属粒子間の金属結合に加えて、有機成分の重合体による接合の作用を含んでいてもよい。上記バインダ成分を含有するペーストによる接合の温度は、例えば約200〜300℃に設定される。 The metal terminal 1 and the line conductor 2 are joined via the joining material 3 as follows, for example. First, particles of the above metal material such as silver (actually, an aggregate of a large number of particles) are kneaded together with an organic solvent and a binder to prepare a paste. Next, the end surface 1a of the metal terminal 1 is aligned so as to face the side surface 2a of the line conductor 2, the paste is placed on the aligned portion, and these are temporarily fixed by a jig or the like. Then, these are heated in an electric furnace or the like to bond the metal particles in the paste. At this time, polymerization or the like may occur between the binder components. That is, the bonding material 3 may include the action of bonding by a polymer of organic components in addition to the metal bonding between metal particles. The temperature of joining with the paste containing the binder component is set to, for example, about 200 to 300 ° C.

このような接合時の金属粒子等の挙動から、ペーストが線路導体２の第２端部２ｂに位置する上面２ｂｂおよび金属端子１にかけて濡れ広がる。これにより、例えば図１に示すような接合構造体Ｃを作製することができる。 Due to the behavior of the metal particles and the like at the time of such joining, the paste wets and spreads over the upper surface 2bb and the metal terminal 1 located at the second end 2b of the line conductor 2. Thereby, for example, the joint structure C as shown in FIG. 1 can be manufactured.

また、このときに、上記ペーストが互いに重合する有機成分を含有していれば、有機成分の重合体によってペーストが比較的低温で硬化するため、接合材３となるペーストの形状維持が容易である。そのため、金属端子１の第１端部１ｂと線路導体２の第２端部２ｂとの接合材３を介した接合を容易に行なわせることもできる。また、比較的低温で接合ができるため、金属端子１と線路導体２との接合材３を介した接合の作業性、ならびに接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10としての生産性の向上についても有効である。 Further, at this time, if the paste contains an organic component that polymerizes with each other, the paste is cured at a relatively low temperature by the polymer of the organic component, so that it is easy to maintain the shape of the paste to be the bonding material 3. .. Therefore, it is possible to easily join the first end portion 1b of the metal terminal 1 and the second end portion 2b of the line conductor 2 via the joining material 3. Further, since the bonding can be performed at a relatively low temperature, it is effective in improving the workability of bonding the metal terminal 1 and the line conductor 2 via the bonding material 3 and the productivity of the bonding structure C and the semiconductor package 10. be.

また、接合材３における金属粒子は、金属粒子間の接合の容易さおよび接合の強度等を考慮したときに、１μｍ程度またはそれ未満の粒径である微小粒子（いわゆるサブミクロン粒子、サブナノ粒子、ナノ粒子）であってもよいし、微小粒子とミクロン単位の金属粒子との混合物であってもよい。接合材３となるペーストは、このような微小粒子を金属粒子として用いるときに、互いに重合し合う有機樹脂成分を含有していてもよい。このような有機樹脂成分としては、例えば重合性のカルボン酸誘導体等を挙げることができる。 Further, the metal particles in the bonding material 3 are fine particles having a particle size of about 1 μm or less (so-called submicron particles, sub-nanoparticles, etc.) in consideration of the ease of bonding between the metal particles, the strength of bonding, and the like. It may be a nanoparticles) or a mixture of fine particles and micron-sized metal particles. The paste to be the bonding material 3 may contain an organic resin component that polymerizes with each other when such fine particles are used as metal particles. Examples of such an organic resin component include polymerizable carboxylic acid derivatives.

図４は、本発明の他の実施形態の接合構造体Ｃにおける要部を拡大して示す断面図である。図４において図１〜図３Ｂと同様の部位には同様の符号を付している。図４に示す例では金属端子１の端面１ａと線路導体２の側面２ａとが対向しているとともに、互いに離れている。この端面１ａと側面２ａとの間には間隙８があり、間隙８には接合材３が位置している。すなわち、互いに離れて直接接していない金属端子１の端面１ａと線路導体２の側面２ａとの間が接合材３でつながり、互いに電気的に接続されている。これ以外の点において、この他の実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10は、上記実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10と同様である。これらの同様の点については説明を省略する。 FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the joint structure C according to another embodiment of the present invention. In FIG. 4, the same parts as those in FIGS. 1 to 3B are designated by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 4, the end surface 1a of the metal terminal 1 and the side surface 2a of the line conductor 2 face each other and are separated from each other. There is a gap 8 between the end surface 1a and the side surface 2a, and the bonding material 3 is located in the gap 8. That is, the end surface 1a of the metal terminal 1 which is separated from each other and is not in direct contact with each other and the side surface 2a of the line conductor 2 are connected by the joining material 3 and are electrically connected to each other. In other respects, the junction structure C and the semiconductor package 10 of the other embodiments are the same as the junction structure C and the semiconductor package 10 of the above-described embodiment. The description of these similar points will be omitted.

このような場合には、金属端子１と線路導体２との間に生じる熱応力の効果的な緩和に対して有利である。すなわち、前述したような金属材料からなる金属端子１と、絶縁板５に固定されている線路導体２との間で、金属端子１と絶縁板５との熱膨張率の差に起因した熱応力が生じる可能性がある。この時に、両者の間に、比較的変形が容易な銀等の金属材料を含む接合材３が、間隙８を埋める程度の量（体積）、つまり変形が容易な量で介在している。そのため、接合材３の変形によって、金属端子１と線路導体２（絶縁板５）との間に生じる熱応力を有効に緩和することができる。 In such a case, it is advantageous for effective relaxation of the thermal stress generated between the metal terminal 1 and the line conductor 2. That is, the thermal stress caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between the metal terminal 1 and the insulating plate 5 between the metal terminal 1 made of the metal material as described above and the line conductor 2 fixed to the insulating plate 5. May occur. At this time, a joining material 3 containing a metal material such as silver, which is relatively easily deformed, is interposed between the two in an amount (volume) sufficient to fill the gap 8, that is, an amount which is easily deformed. Therefore, the thermal stress generated between the metal terminal 1 and the line conductor 2 (insulating plate 5) due to the deformation of the joining material 3 can be effectively relaxed.

この例の場合には、上記のように熱応力の緩和について有利であるため、熱応力による接合構造体Ｃの機械的な破壊を効果的に抑制することができる。したがって、この場合には、インピーダンス整合の精度向上に有効であるとともに、金属端子１と線路導体２の接合の長期信頼性の向上についても有効な接合構造体Ｃとすることができる。なお、このような信頼性向上の効果を得る上では、接合材３が、銀または銅等の弾性率（例えばヤング率）が比較的小さい金属材料を含有する方がよい。接合材３が銀または銅を含む場合には、接合材３における導通抵抗の低減についても有利である。 In the case of this example, since it is advantageous for relaxation of thermal stress as described above, mechanical destruction of the joint structure C due to thermal stress can be effectively suppressed. Therefore, in this case, the joint structure C can be used, which is effective for improving the accuracy of impedance matching and also for improving the long-term reliability of the joint between the metal terminal 1 and the line conductor 2. In order to obtain such an effect of improving reliability, it is preferable that the joining material 3 contains a metal material having a relatively small elastic modulus (for example, Young's modulus) such as silver or copper. When the joining material 3 contains silver or copper, it is also advantageous in reducing the conduction resistance in the joining material 3.

また、接合材３が、前述したような銀等の微小粒子を含有するものであれば、微粒子間の結合の変位による接合材３としての（巨視的な）変形も容易である。したがって、接合材３は、接合の信頼性向上等に関しては、銀または銅の微小粒子を含有するものが適している。 Further, if the bonding material 3 contains fine particles such as silver as described above, the bonding material 3 can be easily deformed (macroscopically) due to the displacement of the bonds between the fine particles. Therefore, as the bonding material 3, those containing fine particles of silver or copper are suitable for improving the reliability of the bonding.

なお、上記の間隙８の寸法は、例えば、平面視において（線路導体２の上面に対向する方向から見て）約10μｍ以上であれば、上記の熱応力緩和を有効に行なうことができる程度の量の接合材３を、端面１ａと側面２ａとの間に位置させることが容易である。また、上記の間隙８は、例えば、平面視において約100μｍ以下であれば、金属端子１の端面１ａと線路導体２の側面２ａとの間の距離が、接合材３の入り込みが難しくなる程度に大きくなる可能性を低減することができる。つまり、接合材３を介した金属端子１と線路導体２との接合の作業性および接合強度の確保に対して有利である。したがって、金属端子１の端面１ａと線路導体２の側面２ａとの間に間隙８を設定する場合には、平面視における間隙８の寸法を約10〜100μｍの範囲に設定すればよい。 If the dimension of the gap 8 is, for example, about 10 μm or more in a plan view (viewed from the direction facing the upper surface of the line conductor 2), the thermal stress relaxation can be effectively performed. It is easy to position the amount of the bonding material 3 between the end face 1a and the side surface 2a. Further, if the gap 8 is, for example, about 100 μm or less in a plan view, the distance between the end surface 1a of the metal terminal 1 and the side surface 2a of the line conductor 2 is such that it becomes difficult for the bonding material 3 to enter. The possibility of becoming large can be reduced. That is, it is advantageous for ensuring the workability and joining strength of joining the metal terminal 1 and the line conductor 2 via the joining material 3. Therefore, when the gap 8 is set between the end surface 1a of the metal terminal 1 and the side surface 2a of the line conductor 2, the dimension of the gap 8 in a plan view may be set in the range of about 10 to 100 μm.

なお、このような間隙８を含む形態は、図４に示す例に限られない。例えば、接合材３は、間隙８から金属端子１の下面まで回り込んで接合されていてもよく、金属端子１の第１端部１ｂにおいて金属端子１の全周を囲むように（つまり環状に）接合材３が位置していてもよい。 The form including such a gap 8 is not limited to the example shown in FIG. For example, the joining material 3 may be joined by wrapping around from the gap 8 to the lower surface of the metal terminal 1 so as to surround the entire circumference of the metal terminal 1 at the first end portion 1b of the metal terminal 1 (that is, in an annular shape). ) The joining material 3 may be located.

図１および図４に示す例において、接合材３の上部外周は、外側に若干膨らんだようになっている。すなわち、縦断面において接合材３の外周の一部が外側に凸状になっている。これにより、接合材３の量を比較的大きくして、導通抵抗の低減および応力緩和の効果を高めることもできる。 In the examples shown in FIGS. 1 and 4, the upper outer circumference of the joining material 3 is slightly bulged outward. That is, in the vertical cross section, a part of the outer circumference of the joining material 3 is convex outward. As a result, the amount of the joining material 3 can be made relatively large, and the effect of reducing conduction resistance and stress relaxation can be enhanced.

端面１ａと側面２ａとが対向し合って接合される金属端子１と線路導体２との位置関係は、図１〜図４に示す例に限られない。例えば、金属端子１が線路導体２の下方に位置していてもよく、端面１ａの中央部に線路導体２の側面２ａが接続されていてもよい。 The positional relationship between the metal terminal 1 and the line conductor 2 to which the end surface 1a and the side surface 2a face each other and are joined is not limited to the examples shown in FIGS. 1 to 4. For example, the metal terminal 1 may be located below the line conductor 2, or the side surface 2a of the line conductor 2 may be connected to the central portion of the end surface 1a.

ただし、例えば図１および図４に示す例のように、金属端子１と線路導体２とが互いに長さ方向に平行であるとともに、金属端子１が線路導体２の上方に位置しており、金属端子１の端面１ａの下部と、前記線路導体の前記側面の上部とが互いに対向している接合構造体Ｃでは、次のような利点がある。すなわち、この場合には、線路導体２に対する金属端子１の位置合せが、線路導体２の露出した方向である上側から行なえるので、位置合せの作業が容易であり、位置精度の向上も容易である。したがって、接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10としての特性および生産性の向上に有利である。 However, as in the examples shown in FIGS. 1 and 4, for example, the metal terminal 1 and the line conductor 2 are parallel to each other in the length direction, and the metal terminal 1 is located above the line conductor 2 and is made of metal. The joint structure C in which the lower portion of the end surface 1a of the terminal 1 and the upper portion of the side surface of the line conductor face each other has the following advantages. That is, in this case, since the alignment of the metal terminal 1 with respect to the track conductor 2 can be performed from the upper side in the exposed direction of the track conductor 2, the alignment work is easy and the positioning accuracy is also easy to improve. be. Therefore, it is advantageous for improving the characteristics and productivity of the bonded structure C and the semiconductor package 10.

また、この場合には、接合材３が上記のように外側に凸状に膨らんだ形状とすることも容易である。したがって、応力緩の効果を高める上で有利な構造の接合構造体Ｃを作製することも容易である。 Further, in this case, it is easy for the bonding material 3 to have a shape that bulges outward in a convex shape as described above. Therefore, it is easy to fabricate the joint structure C having a structure advantageous for enhancing the effect of stress relaxation.

図５は、本発明のさらに他の実施形態の接合構造体Ｃにおける要部を拡大して示す断面図である。図５において図１〜図３Ｂと同様の部位には同様の符号を付している。図５に示す例では、金属端子１の端面１ａを含む上下方向の断面視において、金属端子１の下面が線路導体２よりも下側に位置している。これ以外の点において、この他の実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10は、前述した実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10と同様である。これらの同様の点については説明を省略する。 FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the joint structure C according to still another embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same parts as those in FIGS. 1 to 3B are designated by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 5, the lower surface of the metal terminal 1 is located below the line conductor 2 in the vertical cross-sectional view including the end surface 1a of the metal terminal 1. In other respects, the junction structure C and the semiconductor package 10 of the other embodiments are the same as the junction structure C and the semiconductor package 10 of the above-described embodiment. The description of these similar points will be omitted.

この場合には、線路導体２の側面２ａを金属端子１の端面１ａに対向させるときに、端面１ａの比較的広い範囲に線路導体２を対向させることができる。言い換えれば、両者の位置合せの厳密さを低くすることができる。そのため、接合構造体Ｃおよびそれを含む半導体パッケージ10の作製をより容易にすることができる。 In this case, when the side surface 2a of the line conductor 2 faces the end surface 1a of the metal terminal 1, the line conductor 2 can face a relatively wide range of the end face 1a. In other words, the strictness of alignment between the two can be reduced. Therefore, it is possible to more easily manufacture the bonded structure C and the semiconductor package 10 including the bonded structure C.

また、この場合には、線路導体２の側面２ａを金属端子１の端面１ａに直接に接触させて接触抵抗を低減することもできる。また、そのような直接の接触（接続）構造の作製を上記のように容易にすることもできる。したがって、インピーダンスの整合が容易であるとともに、導通抵抗の低減にも有効であり、生産性の確保についても有効な接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10とすることができる。 Further, in this case, the side surface 2a of the line conductor 2 may be brought into direct contact with the end surface 1a of the metal terminal 1 to reduce the contact resistance. It is also possible to facilitate the fabrication of such a direct contact (connection) structure as described above. Therefore, the junction structure C and the semiconductor package 10 can be obtained because impedance matching is easy, conduction resistance is reduced, and productivity is ensured.

図６は、本発明のさらに他の実施形態の接合構造体Ｃにおける要部を拡大して示す断面図である。図６において図１〜図３Ｂと同様の部位には同様の符号を付している。図６に示す例では、図１に示した実施形態と同様の、金属端子１の端面１ａと線路導体２の側面２ａとが対向し、端面１ａと側面２ａとが直接に接触する構成に加えて、さらに、金属端子１の第１端部１ｂにおいて金属端子１の外周を覆うように接合材３が位置している。これ以外の点において、この他の実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10は、前述した実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10と同様である。これらの同様の点については説明を省略する。 FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the joint structure C according to still another embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same parts as those in FIGS. 1 to 3B are designated by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 6, in addition to the configuration in which the end surface 1a of the metal terminal 1 and the side surface 2a of the line conductor 2 face each other and the end surface 1a and the side surface 2a are in direct contact with each other, as in the embodiment shown in FIG. Further, the bonding material 3 is located at the first end portion 1b of the metal terminal 1 so as to cover the outer periphery of the metal terminal 1. In other respects, the junction structure C and the semiconductor package 10 of the other embodiments are the same as the junction structure C and the semiconductor package 10 of the above-described embodiment. The description of these similar points will be omitted.

端面１ａと側面２ａとが対向することで、金属端子１と線路導体２との重なり合いに起因した、伝送路における抵抗の変化は抑制される。一方、図１に示すように、第１端部１ｂにおいて、周面の下方の一部が接合材３で覆われておらず、金属端子１に空気が隣接する部分が有ると、その部分でインピーダンスが局所的に変化する。伝送される信号は、この変化に起因した反射などによって、その伝送特性が劣化してしまう。本実施形態は、接合材３が第１端部１ｂの外周を覆うように位置しているので、第１端部１ｂにおけるインピーダンスの変化を抑制し、伝送特性の劣化を抑えることができる。接合材３は、第１端部１ｂのうち、第１面４ａから突出した部分の外周を覆っている。接合材３は、外周に直接接触するように覆っていてもよい。 By facing the end surface 1a and the side surface 2a, the change in resistance in the transmission line due to the overlap between the metal terminal 1 and the line conductor 2 is suppressed. On the other hand, as shown in FIG. 1, in the first end portion 1b, if a part below the peripheral surface is not covered with the joining material 3 and there is a portion adjacent to the metal terminal 1 with air, that portion is used. Impedance changes locally. The transmission characteristics of the transmitted signal deteriorate due to reflection caused by this change. In the present embodiment, since the bonding material 3 is located so as to cover the outer periphery of the first end portion 1b, it is possible to suppress a change in impedance at the first end portion 1b and suppress deterioration of transmission characteristics. The joining material 3 covers the outer periphery of the portion of the first end portion 1b that protrudes from the first surface 4a. The joining material 3 may be covered so as to be in direct contact with the outer periphery.

図７は、本発明のさらに他の実施形態の接合構造体Ｃにおける要部を拡大して示す断面図である。図７において図１〜図３Ｂと同様の部位には同様の符号を付している。図７に示す例では、金属端子１のうち、基板４の第１面４ａ側には、端面１ａのみが露出するように位置しており、金属端子１の端面１ａと線路導体２の側面２ａとが対向し、端面１ａと側面２ａとが直接に接触している。これ以外の点において、この他の実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10は、前述した実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10と同様である。これらの同様の点については説明を省略する。本実施形態における、上下方向の位置関係については、図１に示す実施形態と同様に、金属端子１の端面１ａを含む上下方向の断面視において、線路導体２の下面が金属端子１よりも下側に位置している。 FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the joint structure C according to still another embodiment of the present invention. In FIG. 7, the same parts as those in FIGS. 1 to 3B are designated by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 7, of the metal terminals 1, only the end surface 1a is exposed on the first surface 4a side of the substrate 4, and the end surface 1a of the metal terminal 1 and the side surface 2a of the line conductor 2 are exposed. Are opposed to each other, and the end surface 1a and the side surface 2a are in direct contact with each other. In other respects, the junction structure C and the semiconductor package 10 of the other embodiments are the same as the junction structure C and the semiconductor package 10 of the above-described embodiment. The description of these similar points will be omitted. Regarding the positional relationship in the vertical direction in the present embodiment, as in the embodiment shown in FIG. 1, the lower surface of the line conductor 2 is below the metal terminal 1 in the vertical cross-sectional view including the end surface 1a of the metal terminal 1. Located on the side.

金属端子１のうち、基板４の第１面４ａ側に端面１ａのみが露出するとは、言い換えると、第１面４ａと端面１ａとが面一となっているか、または金属端子１の長さ方向に見て、端面１ａが第１面４ａから突出していない。接合材３は、露出した端面１ａから線路導体２の側面２ａを含む第２端部２ｂにかけて覆うように位置している。後述のように、基板４の貫通孔４ｃ内には、絶縁材料からなる封止材が位置している。封止材は、金属端子１と貫通孔４ｃとの間の隙間を塞ぐ機能を有している。第１面４ａ側に端面１ａのみが露出する場合、基板４の貫通孔４ｃ内における金属端子１の周面は、封止材によって全周が覆われており、端面１ａは、接合材３によって覆われており、空気と接触する部分が無い。これによりインピーダンスの局所的な変化が抑制され、伝送特性の劣化を抑えることができる。 Of the metal terminals 1, only the end surface 1a is exposed on the first surface 4a side of the substrate 4, in other words, the first surface 4a and the end surface 1a are flush with each other, or the length direction of the metal terminal 1 The end surface 1a does not protrude from the first surface 4a. The joining material 3 is positioned so as to cover from the exposed end surface 1a to the second end portion 2b including the side surface 2a of the line conductor 2. As will be described later, a sealing material made of an insulating material is located in the through hole 4c of the substrate 4. The sealing material has a function of closing the gap between the metal terminal 1 and the through hole 4c. When only the end surface 1a is exposed on the first surface 4a side, the peripheral surface of the metal terminal 1 in the through hole 4c of the substrate 4 is entirely covered with the sealing material, and the end surface 1a is covered with the bonding material 3. It is covered and has no parts that come into contact with air. As a result, local changes in impedance can be suppressed, and deterioration of transmission characteristics can be suppressed.

図８は、本発明のさらに他の実施形態の接合構造体Ｃにおける要部を拡大して示す断面図である。図８において図１〜図３Ｂと同様の部位には同様の符号を付している。図８に示す例では、図７に示す実施形態と同様に、金属端子１のうち、基板４の第１面４ａ側には、端面１ａのみが露出するように位置しており、金属端子１の端面１ａと線路導体２の側面２ａとが対向し、端面１ａと側面２ａとが直接に接触している。上下方向の位置関係については、図５に示す実施形態と同様に、金属端子１の端面１ａを含む上下方向の断面視において、金属端子１の下面が線路導体２よりも下側に位置している。これ以外の点において、この他の実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10は、前述した実施形態の接合構造体Ｃおよび半導体パッケージ10と同様である。これらの同様の点については説明を省略する。 FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the joint structure C according to still another embodiment of the present invention. In FIG. 8, the same parts as those in FIGS. 1 to 3B are designated by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 8, similarly to the embodiment shown in FIG. 7, the metal terminal 1 is located on the first surface 4a side of the substrate 4 so that only the end surface 1a is exposed. The end surface 1a and the side surface 2a of the track conductor 2 face each other, and the end surface 1a and the side surface 2a are in direct contact with each other. Regarding the positional relationship in the vertical direction, as in the embodiment shown in FIG. 5, the lower surface of the metal terminal 1 is located below the line conductor 2 in the vertical cross-sectional view including the end surface 1a of the metal terminal 1. There is. In other respects, the junction structure C and the semiconductor package 10 of the other embodiments are the same as the junction structure C and the semiconductor package 10 of the above-described embodiment. The description of these similar points will be omitted.

また、他の実施形態を含む上記各実施形態の例において、接合材３が、金属端子１の第１端部１ｂから線路導体２の上面２ｂｂの側面に隣接した部分にかけて連続的に広がって位置しているものでもよい。この場合には、比較的広い範囲で接合材３が広がって線路導体２に接合されるため、接合材３と線路導体２との接合強度の向上に有効である。また、これにより、接合材３を介した金属端子１と線路導体２との接合強度も効果的に向上させることができる。 Further, in the example of each of the above embodiments including other embodiments, the joining material 3 is continuously spread from the first end portion 1b of the metal terminal 1 to the portion adjacent to the side surface of the upper surface 2bb of the line conductor 2 and positioned. It may be what you are doing. In this case, since the joining material 3 spreads over a relatively wide range and is joined to the line conductor 2, it is effective in improving the joining strength between the joining material 3 and the line conductor 2. Further, as a result, the bonding strength between the metal terminal 1 and the line conductor 2 via the bonding material 3 can be effectively improved.

この場合、接合材３のうち線路導体２に上面２ｂｂに接合された部分の先端は、例えば、平面視において、円弧状または楕円弧状等の角部分を有していない形状であってもよい。この場合には、その角部分を起点にした接合材の剥がれの可能性を効果的に低減することができる。したがって、接合材３を介した金属端子１と線路導体２との接合強度も効果的に向上させることができる。 In this case, the tip of the portion of the joining material 3 joined to the upper surface 2bb of the line conductor 2 may have a shape that does not have a corner portion such as an arc shape or an elliptical arc shape in a plan view. In this case, the possibility of peeling of the joining material starting from the corner portion can be effectively reduced. Therefore, the bonding strength between the metal terminal 1 and the line conductor 2 via the bonding material 3 can also be effectively improved.

なお、上記の各例において、金属粒子が銀粒子であるときには、次のような点で有利である。すなわち、接合材３における熱伝導性（つまり、接合構造体Ｃおよびこれを含む半導体パッケージ10の放熱性等）、線路導体２および金属端子１を含む信号の伝送路における電気抵抗の低減等に有利である。また、半導体素子の実装または金属ケースの接合等のための熱負荷工程においても再溶融しづらい、アウトガスが少ないという利点が挙げられる。 In each of the above examples, when the metal particles are silver particles, it is advantageous in the following points. That is, it is advantageous for thermal conductivity in the bonding material 3 (that is, heat dissipation of the bonding structure C and the semiconductor package 10 including the bonding structure C), reduction of electrical resistance in the signal transmission line including the line conductor 2 and the metal terminal 1, and the like. Is. Further, there is an advantage that it is difficult to remelt even in a heat load process for mounting a semiconductor element or joining a metal case, and there is little outgas.

この場合の銀粒子は、銀を99.9質量％以上含有する、いわゆる純銀であってもよく、微量の銅または金等の他の成分を含有するものでもよい。また、金属粒子の全部が銀粒子でなくてもよく、例えば銀粒子と銅粒子の両方が金属粒子に含まれていてもかまわない。 The silver particles in this case may be so-called sterling silver containing 99.9% by mass or more of silver, or may contain a trace amount of other components such as copper or gold. Further, not all of the metal particles need to be silver particles, and for example, both silver particles and copper particles may be contained in the metal particles.

また、金属粒子が銅粒子であるとき、または銅粒子を含むときには、金属粒子の全部が銀粒子であるときに比べて、イオンマイグレーションの可能性を低減すること、経済性を向上させること等においては有利である。 Further, when the metal particles are copper particles or contain copper particles, the possibility of ion migration is reduced and the economic efficiency is improved as compared with the case where all the metal particles are silver particles. Is advantageous.

前述したように、本発明の実施形態の半導体パッケージは次の構成を有している。すなわち、本実施形態の半導体パッケージ10は第１面４ａおよび第１面４ａと反対側の第２面４ｂを有する基板４と、基板４の第１面４ａ側に位置する線路導体２と、基板４の第２面４ｂから第１面４ａにかけて貫通しており、第１面４ａ側に端部１ｂを有する金属端子１と、金属粒子を含んでおり、金属端子１の端部（第１端部）１ｂと線路導体２との間に介在している接合材３とを有している。また、本実施形態の半導体パッケージ10は、金属端子１の端部１ｂと線路導体２との間に、上記いずれかの構成の接合構造体Ｃを有している。 As described above, the semiconductor package of the embodiment of the present invention has the following configuration. That is, the semiconductor package 10 of the present embodiment has a substrate 4 having a first surface 4a and a second surface 4b opposite to the first surface 4a, a line conductor 2 located on the first surface 4a side of the substrate 4, and a substrate. A metal terminal 1 that penetrates from the second surface 4b to the first surface 4a of 4 and has an end portion 1b on the first surface 4a side and contains metal particles, and is an end portion (first end) of the metal terminal 1. Part) It has a bonding material 3 interposed between 1b and the line conductor 2. Further, the semiconductor package 10 of the present embodiment has a bonding structure C having any of the above configurations between the end portion 1b of the metal terminal 1 and the line conductor 2.

上記形態の半導体パッケージ10によれば、上記いずれかの構成の接合構造体Ｃを有することから、金属端子１と線路導体２とで構成される信号の伝送路におけるインピーダンス整合が容易で、高周波信号の伝送特性向上に有効な半導体パッケージ10を提供することができる。 According to the semiconductor package 10 of the above embodiment, since the junction structure C having any of the above configurations is provided, impedance matching in the signal transmission path composed of the metal terminal 1 and the line conductor 2 is easy, and a high frequency signal is obtained. It is possible to provide a semiconductor package 10 effective for improving the transmission characteristics of the above.

基板４の第１面４ａ側は、前述した金属ケースで封止される側である。基板４と金属ケースとの間に形成される空間内に、半導体素子および金属端子１の端部１ｂが封止される。また、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａおよび図３Ｂ等に示す例では、基板４の貫通孔４ｃ内に封止材（符号なし）が位置している。封止材は、金属端子１と貫通孔４ｃとの間の隙間を塞ぐ機能を有している。封止材は、ガラス材料またはセラミック材料等の絶縁材料からなる。このような絶縁材料の例としては、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス等のガラス、およびこれらのガラスに熱膨張係数や比誘電率を調整するためのセラミックフィラーを加えたものが挙げられる。この絶縁材料は、金属端子１におけるインピーダンスマッチング（比誘電率）および封止の信頼性等を考慮して、適宜選択することができる。なお、図１、図４および図５において、金属端子１と基板５の貫通孔４ｃとの間の封止材を省略している。 The first surface 4a side of the substrate 4 is the side sealed by the metal case described above. The end 1b of the semiconductor element and the metal terminal 1 is sealed in the space formed between the substrate 4 and the metal case. Further, in the examples shown in FIGS. 2A, 2B, 3A, 3B, etc., the sealing material (unsigned) is located in the through hole 4c of the substrate 4. The sealing material has a function of closing the gap between the metal terminal 1 and the through hole 4c. The encapsulant is made of an insulating material such as a glass material or a ceramic material. Examples of such insulating materials include glasses such as borosilicate glass and soda glass, and those obtained by adding a ceramic filler for adjusting the coefficient of thermal expansion and the relative permittivity to these glasses. This insulating material can be appropriately selected in consideration of impedance matching (relative permittivity) in the metal terminal 1, reliability of sealing, and the like. In addition, in FIGS. 1, 4 and 5, the sealing material between the metal terminal 1 and the through hole 4c of the substrate 5 is omitted.

サブマウント６は、基板４の第１面４ａ上に設けられ、第１面４ａに垂直な基板搭載面を有する。半導体パッケージ10において、サブマウント６は、絶縁板５に搭載される電子部品が発生する熱を基板４へ伝導する機能等を有している。すなわち、サブマウント６は、半導体パッケージ10の外部に放熱する放熱材としての機能を有する。 The submount 6 is provided on the first surface 4a of the substrate 4 and has a substrate mounting surface perpendicular to the first surface 4a. In the semiconductor package 10, the submount 6 has a function of conducting heat generated by electronic components mounted on the insulating plate 5 to the substrate 4. That is, the submount 6 has a function as a heat radiating material that dissipates heat to the outside of the semiconductor package 10.

サブマウント６は、基板４と一体に形成されていてもよく、冷却部材（例えば、ペルチェ素子など）を含んでいてもよい。サブマウント６が基板４と一体に形成されている場合、サブマウント６は、基板４と同様の金属材料からなる。これにより、半導体パッケージ10における放熱性が効果的に確保される。 The submount 6 may be integrally formed with the substrate 4, and may include a cooling member (for example, a Pelche element or the like). When the submount 6 is integrally formed with the substrate 4, the submount 6 is made of the same metal material as the substrate 4. As a result, the heat dissipation property of the semiconductor package 10 is effectively ensured.

図９は、本発明の実施形態の半導体装置の斜視図である。本発明の実施形態の半導体装置は次の構成を有している。すなわち、本実施形態の半導体装置100は、半導体パッケージ10と、基板４の第１面４ａ側に位置し、線路導体２と電気的に接続される半導体素子20と、を備える。半導体素子20は、前述のとおり、たとえば光半導体素子等である。半導体素子20は、絶縁板５に搭載されるとともに、線路導体２と、ボンディングワイヤまたははんだ等によって電気的に接続される。 FIG. 9 is a perspective view of the semiconductor device according to the embodiment of the present invention. The semiconductor device of the embodiment of the present invention has the following configuration. That is, the semiconductor device 100 of the present embodiment includes a semiconductor package 10 and a semiconductor element 20 located on the first surface 4a side of the substrate 4 and electrically connected to the line conductor 2. As described above, the semiconductor element 20 is, for example, an optical semiconductor element or the like. The semiconductor element 20 is mounted on the insulating plate 5 and is electrically connected to the line conductor 2 by a bonding wire, solder, or the like.

上記形態の半導体装置100によれば、上記いずれかの構成の半導体パッケージ10を備えることから、インピーダンス整合が容易で、高周波信号の伝送特性が向上する半導体装置100を提供することができる。 According to the semiconductor device 100 of the above-described embodiment, since the semiconductor package 10 having any of the above configurations is provided, it is possible to provide the semiconductor device 100 in which impedance matching is easy and the transmission characteristics of high-frequency signals are improved.

なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。 The present invention is not limited to the examples of the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention.

例えば、金属端子１の端面１ａは、線路導体２の上面２ｂｂに対して正確に垂直である必要はなく、加工精度等に応じて多少（数度程度）傾斜していてもよい。 For example, the end surface 1a of the metal terminal 1 does not have to be exactly perpendicular to the upper surface 2bb of the line conductor 2, and may be slightly inclined (about several degrees) depending on the processing accuracy and the like.

図１に示す実施形態の接合構造体（第１構造体）と、図８に示す実施形態の接合構造体（第２構造体）の高周波信号特性についてシミュレーションを行い、比較した。第１構造体と第２構造体との違いは、第１構造体が、金属端子１の第１端部１ｂが、基板４の第１面４ａから突き出ている構造であり、第２構造体が、金属端子１の第１端部１ｂが、基板４の第１面４ａから突き出ていない構造である。 The high frequency signal characteristics of the junction structure (first structure) of the embodiment shown in FIG. 1 and the junction structure (second structure) of the embodiment shown in FIG. 8 were simulated and compared. The difference between the first structure and the second structure is that the first structure has a structure in which the first end portion 1b of the metal terminal 1 protrudes from the first surface 4a of the substrate 4, and the second structure However, the structure is such that the first end portion 1b of the metal terminal 1 does not protrude from the first surface 4a of the substrate 4.

図１０Ａおよび図１０Ｂは、シミュレーションモデルを示す図であり、図１０Ａは第１構造体モデルＡを示し、図１０Ｂは、第２構造体モデルＢを示す。第１構造体モデルＡでは、基板４の第１面４ａから、金属端子１の第１端部１ｂが５０μｍ突出している。第２構造体モデルＢは、基板４の第１面４ａから、金属端子１の第１端部１ｂが突出しておらず、基板４の第１面４ａ側には端面１ａのみが露出するように位置している構成であり、本発明の図８に示す実施形態のモデルに相当する。 10A and 10B are diagrams showing a simulation model, FIG. 10A shows a first structure model A, and FIG. 10B shows a second structure model B. In the first structure model A, the first end portion 1b of the metal terminal 1 protrudes by 50 μm from the first surface 4a of the substrate 4. In the second structure model B, the first end portion 1b of the metal terminal 1 does not protrude from the first surface 4a of the substrate 4, and only the end surface 1a is exposed on the first surface 4a side of the substrate 4. It is a positioned configuration and corresponds to the model of the embodiment shown in FIG. 8 of the present invention.

図１０Ｃおよび図１０Ｄは、シミュレーション結果を示す図であり、図１０Ｃは反射損失（Ｓ１１）を示し、図１０Ｄは挿入損失（Ｓ２１）を示す。反射損失および挿入損失は、Ｓパラメータ解析によって得た演算結果である。第１構造体モデルＡの結果を破線で示し、第２構造体モデルＢの結果を実線で示す。反射損失は、縦軸の値（ｄＢ）が小さい（グラフの下方側）ほど損失が小さく、伝送特性が良好であることを示し、挿入損失は、縦軸の値（ｄＢ）がゼロに近い（グラフの上方側）ほど損失が小さく、伝送特性が良好であることを示す。図１０Ｃに示すように、反射損失では、周波数が高くなるほど、第１構造体モデルＡと第２構造体モデルＢとの差が大きくなり、第２構造体モデルＢのほうが良好な特性を示した。図１０Ｄに示すように、挿入損失では、第２構造体モデルＢのほうがやや良好な特性を示した。 10C and 10D are diagrams showing simulation results, FIG. 10C shows a reflection loss (S11), and FIG. 10D shows an insertion loss (S21). The reflection loss and the insertion loss are the calculation results obtained by the S-parameter analysis. The result of the first structure model A is shown by a broken line, and the result of the second structure model B is shown by a solid line. As for the reflection loss, the smaller the value (dB) on the vertical axis is (lower side of the graph), the smaller the loss is, and the better the transmission characteristics are. The upper side of the graph) indicates that the loss is smaller and the transmission characteristics are better. As shown in FIG. 10C, in the reflection loss, the higher the frequency, the larger the difference between the first structure model A and the second structure model B, and the second structure model B showed better characteristics. .. As shown in FIG. 10D, the second structure model B showed slightly better characteristics in terms of insertion loss.

本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。 The present invention can be practiced in various other forms without departing from its spirit or key features. Therefore, the above-described embodiment is merely an example in all respects, and the scope of the present invention is shown in the claims and is not bound by the text of the specification. Further, all modifications and modifications that fall within the scope of the claims are within the scope of the present invention.

１・・金属端子
１ａ・・端面
１ｂ・・第１端部
２・・線路導体
２ａ・・側面
２ｂ・・第２端部
２ｂｂ・・（線路導体の）上面
３・・接合材
４・・基板
４ａ・・第１面
４ｂ・・第２面
４ｃ・・貫通孔
５・・絶縁板
６・・サブマウント
７・・接地端子
８・・間隙
10・・半導体パッケージ
20・・半導体素子
100・・半導体装置
Ｃ・・接合構造体1 ・ ・ Metal terminal 1a ・ ・ End face 1b ・ ・ First end 2 ・ ・ Line conductor 2a ・ ・ Side surface 2b ・ ・ Second end 2bb ・ ・ Top surface 3 (of line conductor) ・ ・ Bonding material 4 ・ ・ Substrate 4a ... 1st surface 4b ... 2nd surface 4c ... Through hole 5 ... Insulation plate 6 ... Submount 7 ... Ground terminal 8 ... Gap
10 ... Semiconductor package
20 ... Semiconductor element
100 ... Semiconductor device C ... Bonded structure

Claims (7)

端面を有する金属端子と、
該金属端子の前記端面の一部が対向している側面を有する線路導体と、
金属粒子を含んでいるとともに、前記金属端子の前記端面から前記線路導体の一部にかけて覆うように位置しており、前記金属端子および前記線路導体に接合している接合材と、を備え、
前記接合材が、前記金属端子の前記端面を含む第１端部の外周を覆うように位置している接合構造体。 With metal terminals with end faces,
A track conductor having a side surface on which a part of the end face of the metal terminal faces each other,
It contains metal particles and is located so as to cover from the end face of the metal terminal to a part of the line conductor, and includes the metal terminal and a bonding material bonded to the line conductor .
A joining structure in which the joining material is located so as to cover the outer periphery of the first end portion including the end face of the metal terminal. 前記金属端子の前記端面と前記線路導体の前記側面とが互いに離れている請求項１記載の接合構造体。 The joint structure according to claim 1, wherein the end surface of the metal terminal and the side surface of the line conductor are separated from each other. 前記金属端子と前記線路導体とが互いに長さ方向に平行であるとともに、前記金属端子が前記線路導体の上方に位置しており、前記金属端子の前記端面の下部と、前記線路導体の前記側面の上部とが互いに対向している請求項１または請求項２記載の接合構造体。 The metal terminal and the line conductor are parallel to each other in the length direction, and the metal terminal is located above the line conductor, and the lower portion of the end surface of the metal terminal and the side surface of the line conductor. The bonded structure according to claim 1 or 2, wherein the upper portions of the above are opposed to each other. 前記金属端子の前記端面を含む上下方向の断面視において、前記金属端子の下端が前記線路導体よりも下側に位置している請求項３記載の接合構造体。 The joint structure according to claim 3, wherein the lower end of the metal terminal is located below the line conductor in a vertical cross-sectional view including the end surface of the metal terminal. 前記接合材が、前記金属端子の前記端面から前記線路導体の上面の前記側面に隣接した部分にかけて連続的に位置している請求項３または請求項４記載の接合構造体。 The joining structure according to claim 3 or 4, wherein the joining material is continuously located from the end face of the metal terminal to a portion adjacent to the side surface of the upper surface of the line conductor. 請求項１〜５のいずれか１項記載の接合構造体と、
第１面および該第１面と反対側の第２面を有する基板と、を備えており、
前記線路導体は、前記基板の前記第１面側に位置し、
前記金属端子は、前記基板の前記第２面から前記第１面にかけて貫通しており、前記第１面側に端面を有している、半導体パッケージ。 The joint structure according to any one of claims 1 to 5 and
It comprises a first surface and a substrate having a second surface opposite to the first surface.
The line conductor is located on the first surface side of the substrate.
A semiconductor package in which the metal terminal penetrates from the second surface to the first surface of the substrate and has an end surface on the first surface side. 請求項６記載の半導体パッケージと、
前記第１面側に位置し、前記線路導体と電気的に接続される半導体素子と、を備える半導体装置。 The semiconductor package according to claim 6 and
A semiconductor device including a semiconductor element located on the first surface side and electrically connected to the line conductor.
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