JP6921751B2 - 磁気誘電性基材、当該磁気誘電性基材を有する回路材料およびアセンブリ - Google Patents
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Description
ら層を形成する形成工程と、導電性層上に前記層を配置する工程と、前記ポリマーマトリックス組成物を硬化させて、前記回路材料を形成する硬化工程と、を備える。
別の実施形態では、RFコンポーネントは、磁気誘電性基材を備える。
上記特質および利点ならびに他の特質および利点は、添付の図面と一緒にして解釈されたときの次の詳細な記述から、容易に明らかである。
90重量パーセント(wt%)以上であり、そのため、架橋に利用可能なペンダント・ビニル基の数が多いので、硬化時に、より大きな架橋密度を示すことが可能である。
トリブロックコポリマー、例えば、VECTOR8508M(商標)の商標でデキスコ・ポリマーズ(Dexco Polymers)(ヒューストン(Houston)、テキサス州)から入手可能なもの、SOL−T−6302(商標)の商標でエニケム・エラストマー・アメリカ(Enichem Elastomers America)(ヒューストン、テキサス州)から入手可能なものおよびCALPRENE(商標)401の商標でダイナソール・エラストマーズ(Dynasol Elastomers)から入手可能なもの;ならびに、スチレン−ブタジエンジブロックコポリマーならびにスチレンおよびブタジエンを含有する混合トリブロック型および混合ジブロック型コポリマー、例えばKRATON D1118の商標でクレイトン・ポリマーズ(Kraton Polymers)(ヒューストン、テキサス州)から入手可能なものを含む。KRATON D1118は、コポリマーの総重量に対して33wt%のスチレンを含有する混合ジブロック/混合トリブロック型のスチレンおよびブタジエン含有コポリマーである。
リマーマトリックス組成物に対して添加されることが可能である。硬化剤は、有機過酸化物、例えばジクミルペルオキシド、t−ブチルペルベンゾエート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルペルオキシ)ヘキサン、α,α−ジ−ビス(t−ブチルペルオキシ)ジイソプロピルベンゼン、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルペルオキシ)ヘキシン−3またはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせを含み得る。炭素−炭素開始剤、例えば2,3−ジメチル−2,3−ジフェニルブタンは、使用されることが可能である。硬化剤または開始剤は、単独で使用されることまたは組み合わせて使用されることが可能である。硬化剤の量は、ポリマーマトリックス組成物中のポリマーの総重量に対して、1.5wt%から10wt%までであり得る。
e2Fe36O60)を含み、前述の式中において、Meは、+2イオンであり、Baは、Srによって置換されていてもよい。ある特定のヘキサフェライトは、任意選択により(置換またはドープされた)1つまたは複数の他の二価カチオンと一緒にして、BaおよびCoをさらに含む。ヘキサフェライト粒子は、Sr、Ba、Co、Ni、Zn、V、Mnまたはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせを含み得、詳細にはBaおよびCoを含み得る。磁性粒子は、フェライト、フェライト合金、コバルト、コバルト合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金または前述の磁性材料のうちの1つ以上を含む組み合わせ等の強磁性粒子を含み得る。磁性粒子は、ヘキサフェライト、磁鉄鉱(Fe3O4)およびMFe2O4の1つまたは複数を含み得、式中、Mは、Co、Ni、Zn、VおよびMn、詳細にはCo、NiおよびMnの1つ以上を含む。磁性粒子は、式MxFeyOz、例えばMFe12O19、Fe3O4、MFe24O41またはMFe2O4の金属酸化鉄を含み得、式中、Mは、Sr、Ba、Co、Ni、Zn、VおよびMn;詳細にはCo、NiおよびMn;またはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせである。磁性粒子は、強磁性炭化コバルト粒子(Co2C相およびCo3C相等)、例えば、バリウムコバルトZ型ヘキサフェライト(Co2Zフェライト)を含み得る。ヘキサフェライト粒子は、Moを含み得る。
を有し得る。難燃剤粒子は、コーティング加工されることも可能であるし、または、分散および他の特性を改善するために処理されることも可能である。
他の材料、例えば高温用熱可塑性物質または鉄粒子を含有する材料と異なって、磁気誘電性層は、ラミネート加工、エッチング、はんだ付けおよび穴開け加工等を含む回路の製造において使用されるプロセスを容易に耐え切ることができる。
マーマトリックス、磁性粒子および任意選択による上記強化用層300を含む。強化用層300は、製織層であってもよいし、不織層であってもよいし、または使用されなくてもよい。磁気誘電性層100は、第1の平坦面12および第2の平坦面14を有する。強化用層300および/または磁性コーティング層が存在する場合、磁気誘電性層100は、強化用層の一面上に設置された第1の磁気誘電性層部分16ならびに強化用層および/または磁性コーティング層の第2の面上に設置された第2の磁気誘電性層部分18を有し得る。
形成するために適した時間の持続期間にわたって、圧力および温度を受けてプレス、例えば真空プレス内に配設されることが可能である。ラミネート加工および硬化工程は、例えば真空プレスを使用した一工程プロセスによるものであってもよいし、または多段工程プロセスによるものであってもよい。一工程プロセスにおいて、積層構造は、プレス内に配設され、ラミネート処理圧力(例えば、10.5kgf/cm2から28kgf/cm2まで(150ポンド毎平方インチ(psi)から400ポンド毎平方インチまで))になった状態にされ、ラミネート処理温度(例えば、260セルシウス度(℃)から390セルシウス度まで)に加熱されることが可能である。ラミネート処理の温度および圧力は、所望の浸漬時間、すなわち、20分にわたって維持されることが可能であり、この後、(依然として圧力を受けたままで)150℃以下に冷却されることが可能である。
ム毎平方メートルまでの量で存在し得る。ポリ(アリーレンエーテル)は、カルボキシ官能化ポリ(アリーレンエーテル)を含み得る。ポリ(アリーレンエーテル)は、ポリ(アリーレンエーテル)と環状無水物との反応生成物またはポリ(アリーレンエーテル)と無水マレイン酸との反応生成物であってよい。カルボキシ官能化ポリブタジエンポリマーまたはカルボキシ官能化ポリイソプレンポリマーは、カルボキシ官能化ブタジエン−スチレンコポリマーであってよい。カルボキシ官能化ポリブタジエンポリマーまたはカルボキシ官能化ポリイソプレンポリマーは、ポリブタジエンポリマーまたはポリイソプレンポリマーと環状無水物との反応生成物であってよい。カルボキシ官能化ポリブタジエンポリマーまたはカルボキシ官能化ポリイソプレンポリマーは、マレイン酸化ポリブタジエン−スチレンコポリマーまたはマレイン酸化ポリイソプレン−スチレンコポリマーであってよい。当技術分野において公知の他の方法、例えば電着、化学気相成長またはラミネート加工等は、特定の材料および回路材料の形態によって許される場合、導電性層を装着するために使用されることが可能である。
加工される。強化用層が繊維製である場合、磁気誘電性層が流れ込み、繊維製の磁性強化用層に対して含浸を行う。接着剤層は、繊維製の磁性強化用層と磁気誘電性層との間に配設されることが可能である。詳細には、磁気誘電性層は、例えば強化用層上に直接キャストすることによって形成されてもよいし、または、強化用層が存在する場合に強化用層上にラミネート加工されることが可能である磁気誘電性層が、生産されてもよい。
れることが可能である。水性キャスト用混合物中への使用に適した粘度調整剤は例えばポリアクリル酸化合物、植物ガムおよびセルロース主体型化合物を含む。適切な粘度調整剤のある特定の例は、ポリアクリル酸、メチルセルロース、ポリエチレンオキシド、グアーガム、ローカストビーンガム、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、アルギン酸ナトリウムおよびトラガカントガムを含む。粘度調節済みのキャスト用混合物の粘度は、用途ごとに応じて、選択されたラミネート処理手法に誘電性複合材料を適合させるために、さらに増大されることが可能であり、すなわち、最小粘度を超えるように増大されることが可能である。粘度調節済みのキャスト用混合物は、室温において測定して、10センチポアズ(cp)から100,000センチポアズまでの粘度、詳細には100cpから10,000cpまでの粘度を呈し得る。
る。次いで、積層構造は、層を結合させ、ラミネートを形成するために適した時間の持続期間にわたって、圧力および温度を受けてプレス、例えば真空プレス内に配設されることが可能である。ラミネート加工および硬化工程は、例えば真空プレスを使用した一工程プロセスによるものであってもよいし、または多段工程プロセスによるものであってもよい。一工程プロセスにおいて、積層構造は、プレス内に配設され、ラミネート処理圧力(例えば、10.5kgf/cm2から28kgf/cm2まで(150ポンド毎平方インチ(psi)から400ポンド毎平方インチまで))になった状態にされ、ラミネート処理温度(例えば、260セルシウス度(℃)から390セルシウス度)に加熱されることが可能である。ラミネート処理の温度および圧力は、所望の浸漬時間、すなわち、20分にわたって維持され、この後、(依然として圧力を受けたままで)150℃以下に冷却される。
実施例1〜5
磁性粒子およびポリマーマトリックスを含む層が、後述のある範囲の周波数にわたって試験された。
るTT2 500磁性粒子を含み、図5〜図8において正方形によって表されている。
実施形態1
磁気誘電性基材であって、誘電性ポリマーマトリックスと、前記誘電性ポリマーマトリックス中に分散されている複数のヘキサフェライト粒子であって、500MHz〜1GHzにおいて3.5以下または2.5以下の磁気定数、または500MHz〜1GHzにお
いて1〜2の磁気定数と、500MHz〜1GHzにおいて0.1以下の磁気損失または500MHz〜1GHzにわたって0.001〜0.07の磁気損失と、を前記磁気誘電性基材に付与するために有効な量および種類の複数のヘキサフェライト粒子と、を備える、磁気誘電性基材。
前記磁気誘電性基材は、500MHz〜1GHzにおける1.5より大きいまたは1.5〜8までの誘電定数と、500MHz1GHzにわたる0.01未満の誘電損失または0.005未満の誘電損失と、1.6mmの厚さにおいて測定されるUL94 V1等級と、IPC試験方法650、2.4.9に従って測定される3〜7pliの銅に対する引きはがし強さと、のうちの1つ以上をさらに有する、請求項1に記載の磁気誘電性基材。
前記誘電定数は、500MHz〜1GHzにおいて6以上または6〜8である、実施形態2の磁気誘電性基材。
前記誘電損失は、500MHz〜1GHzにおいて0.01以下である、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
前記磁気損失は、500MHzの周波数において0.05以下または0.04以下である、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
前記複数のヘキサフェライト粒子は、前記磁気誘電性基材の総体積に対して、5〜60vol%、10〜50vol%、または15〜45vol%の量で前記磁気誘電性基材中に存在する、上記実施形態のいずれかに記載の磁気誘電性基材。
前記誘電性ポリマーマトリックスは、1,2−ポリブタジエン、ポリイソプレン、またはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせを含む、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
前記誘電性ポリマーマトリックスは、ポリブタジエン−ポリイソプレンコポリマー、ポリエーテルイミド、ポリテトラフルオロエチレンなどフルオロポリマー、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタラート、ポリシクロヘキシレンテレフタラート、ポリフェニレンエーテル、アリル化ポリフェニレンエーテル、またはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせを含む、、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
前記誘電性ポリマーマトリックスは、ポリブタジエン、ポリイソプレン、またはその両方を含み、任意選択により、ポリカーボナート標準物質を基準としてゲル浸透クロマトグラフィーによって測定される50,000g/mol以下の重量平均分子量を有するエチレン−プロピレンゴム(詳細には、液状ゴム)を含み、任意選択により、誘電性フィラーを含み、任意選択により、難燃剤を含む、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
誘電性フィラーをさらに備える、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
実施形態11
前記複数のヘキサフェライト粒子は、Sr、Ba、Co、Ni、Zn、V、Mnまたはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせをさらに含む、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
前記複数のヘキサフェライト粒子は、BaおよびCoを含む、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
前記複数のヘキサフェライト粒子は、有機ポリマーコーティング、界面活性剤コーティング、シランコーティング、またはそれらのコーティングのうちの1つ以上を含む組み合わせを含む、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
織り繊維または不織繊維を含む繊維製強化層をさらに備える、上記実施形態のいずれかの磁気誘電性基材。
前記繊維は、ガラス繊維;好ましくは鉄、コバルト、ニッケル、またはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせを含む磁性繊維;鉄、コバルト、ニッケル、またはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせを含むことが好ましい粒子を任意選択により備える、ポリマー繊維;または、それらのうちの1つ以上を含む組み合わせを含む、実施形態14の磁気誘電性基材。
前記繊維は、ガラス繊維、フェライト繊維、フェライト合金繊維、コバルト繊維、コバルト合金繊維、鉄繊維、鉄合金繊維、ニッケル繊維、ニッケル合金繊維、粒状フェライト、粒状フェライト合金、粒状コバルト、粒状コバルト合金、粒状鉄、粒状鉄合金、粒状ニッケル、粒状ニッケル合金を備えるポリマー繊維またはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせを含む、実施形態15の磁気誘電性基材。
前記繊維は、ポリマー繊維またはガラス繊維を含む、実施形態14〜16のいずれかの磁気誘電性基材。
上記実施形態のいずれかに記載の磁気誘電性基材を作製する方法であって、硬化性ポリマーマトリックス中に前記複数のヘキサフェライト粒子を分散させて、混合物を形成する工程と、前記混合物から層を形成する工程と、前記ポリマーマトリックス組成物を硬化させて、前記磁気誘電性基材を形成する硬化工程と、を備える、方法。
繊維製強化層に前記混合物を含浸させて、前記層を形成する工程をさらに備え、前記硬化工程は、前記層の前記ポリマーマトリックス組成物を部分的にのみ硬化させて、前記磁気誘電性基材を提供する工程を含む、方法。
導電性層と、前記導電性層上に配置された実施形態1〜17のいずれかに記載の磁気誘
電性基材と、を備える、回路材料。
導電性層は銅である、実施形態20の回路材料。
実施形態22
硬化性ポリマーマトリックス組成物中に前記複数のヘキサフェライト粒子を分散させて、混合物を形成する工程と、前記混合物から層を形成する形成工程と、導電性層上に前記層を配置する工程と、前記ポリマーマトリックス組成物を硬化させて、前記回路材料を形成する硬化工程と、を備える、実施形態20または実施形態21の回路材料を作製する方法。
硬化工程は、ラミネート処理による、実施形態1622の方法。
実施形態24
前記形成工程は、繊維製強化層に前記混合物を含浸させる工程を含み、前記硬化工程は、前記層の前記ポリマーマトリックス組成物を部分的にのみ硬化させて前記磁気誘電性基材(プリプレグと呼ばれる)を提供した後、前記磁気誘電性基材を前記導電性層上に配置する工程を含む、実施形態22または23の方法。
実施形態20から24のいずれかの回路材料を備える、回路。
実施形態26
前記導電性層をパターニングする工程をさらに備える、実施形態25の回路を作製する方法。
実施形態25または実施形態26に記載の回路を備える、アンテナ。
実施形態28
実施形態1〜17の1つまたは複数の磁気誘電性基材を備える、RFコンポーネント。
いし、または起きなくてもよいこと、ならびに、当該記述が、当該事象が起きる事例および当該事象が起きない事例を含むことを意味する。本明細書において使用されている「第1の」および「第2の」等、「主としての」および「二次」等の用語は、任意の順序、量または重要性を表さず、ある要素を別の要素から区別するために使用されている。
Claims (9)
- 磁気誘電性基材であって、
1,2−ポリブタジエン、ポリイソプレン、または、これらのうちの1つ以上を含む組み合わせを含む、熱硬化性誘電性ポリマーマトリックスと、
前記熱硬化性誘電性ポリマーマトリックス中に分散されている、前記磁気誘電性基材の総体積に対して5〜60vol%の複数のバリウムコバルトZ型ヘキサフェライト粒子とを備え、
前記磁気誘電性基材が、
500MHz〜1GHzにおいて3.5以下または2.5以下の透磁率、または500MHz〜1GHzにおいて1〜2の透磁率と、
500MHz〜1GHzにおいて0.1以下の磁気損失または500MHz〜1GHzにわたって0.001〜0.07の磁気損失と、を備える、磁気誘電性基材。 - 前記複数のヘキサフェライト粒子は、前記磁気誘電性基材の総体積に対して、10〜50vol%、または15〜45vol%の量で前記磁気誘電性基材中に存在する、請求項1に記載の磁気誘電性基材。
- 前記熱硬化性誘電性ポリマーマトリックスは、
ポリカーボナート標準物質を基準としてゲル浸透クロマトグラフィーによって測定される50,000g/mol以下の重量平均分子量を有するエチレン−プロピレンゴムと、
誘電性フィラーと、
難燃剤とをさらに含む、
請求項1または2に記載の磁気誘電性基材。 - 前記複数のヘキサフェライト粒子は、Sr、Ni、Zn、V、Mnまたはそれらのうちの1つ以上を含む組み合わせをさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の磁気誘電性基材。
- 織り繊維または不織繊維を含む繊維製強化層をさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の磁気誘電性基材。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の磁気誘電性基材を作製する方法であって、
硬化性ポリマーマトリックス組成物中に前記複数のヘキサフェライト粒子を分散させて、混合物を形成する工程と、
前記混合物から層を形成する工程と、
前記ポリマーマトリックス組成物を硬化させて、前記磁気誘電性基材を形成する硬化工程と、を備える、方法。 - 導電性層と、
前記導電性層上に配置された請求項1〜5のいずれか一項に記載の磁気誘電性基材と、を備える、回路材料。 - 請求項7に記載の回路を備える、アンテナ。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の磁気誘電性基材を備える、RFコンポーネント。
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