[go: up one dir, main page]

JP6900741B2 - Growing method of anisotropic conductive film, connection structure and connection structure - Google Patents

Growing method of anisotropic conductive film, connection structure and connection structure Download PDF

Info

Publication number
JP6900741B2
JP6900741B2 JP2017071202A JP2017071202A JP6900741B2 JP 6900741 B2 JP6900741 B2 JP 6900741B2 JP 2017071202 A JP2017071202 A JP 2017071202A JP 2017071202 A JP2017071202 A JP 2017071202A JP 6900741 B2 JP6900741 B2 JP 6900741B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
conductive particles
electrode
adhesive layer
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017071202A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018174069A (en
Inventor
敏光 森谷
敏光 森谷
伊澤 弘行
弘行 伊澤
剛幸 市村
剛幸 市村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Resonac Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Showa Denko Materials Co Ltd, Resonac Corp filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2017071202A priority Critical patent/JP6900741B2/en
Publication of JP2018174069A publication Critical patent/JP2018174069A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6900741B2 publication Critical patent/JP6900741B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

本発明は、異方導電フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to an anisotropic conductive film, a connecting structure, and a method for manufacturing the connecting structure.

従来、例えば液晶ディスプレイとテープキャリアパッケージ(TCP)との接続、フレキシブルプリント基板(FPC)とTCPとの接続、或いはFPCとプリント配線板との接続には、接着剤フィルム中に導電粒子を分散させた異方導電フィルムが用いられている。また、半導体シリコンチップを基板に実装する場合にも、従来のワイヤーボンディングに代えて、半導体シリコンチップを基板に直接実装する、いわゆるチップオンガラス(COG)が行われており、ここでも異方導電フィルムが用いられている。 Conventionally, for example, in the connection between a liquid crystal display and a tape carrier package (TCP), the connection between a flexible printed circuit board (FPC) and TCP, or the connection between an FPC and a printed wiring board, conductive particles are dispersed in an adhesive film. An anisotropic conductive film is used. Also, when mounting a semiconductor silicon chip on a substrate, so-called chip-on-glass (COG), in which the semiconductor silicon chip is directly mounted on the substrate, is performed instead of the conventional wire bonding, and this is also anisotropic conduction. Film is used.

近年では、電子機器の発達に伴い、配線の高密度化及び回路の高機能化が進んでいる。その結果、接続電極間の間隔が例えば15μm以下となるような接続構造体が要求され、接続部材のバンプ電極も小面積化されてきている。小面積化されたバンプ電極の接続(バンプ接続)において安定した電気的接続を得るためには、充分な数の導電粒子がバンプ電極と基板側の回路電極との間に介在している必要がある。 In recent years, with the development of electronic devices, the density of wiring and the sophistication of circuits have been increasing. As a result, a connection structure in which the distance between the connection electrodes is, for example, 15 μm or less is required, and the bump electrode of the connection member has also been reduced in area. In order to obtain a stable electrical connection in the connection of bump electrodes with a smaller area (bump connection), it is necessary that a sufficient number of conductive particles are interposed between the bump electrode and the circuit electrode on the substrate side. is there.

このような課題に対し、例えば下記特許文献1には、第1接着剤層及び第2接着剤層を備える回路接続用接着剤が開示されており、接着剤層に含有させる導電粒子として平均粒子径が1〜7μmの導電粒子を適用できることが記載されている。また、下記特許文献2には、回路基板に接する側は導電性微粒子を含まない接着剤層である2層構成の異方導電性接着フィルムを用いることが提案されている。更に、下記特許文献3には、2軸延伸可能なフィルム上に粘着層を設けた積層体の上に導電性粒子を密集充填し、これを導電性粒子の近接する粒子との平均粒子間隔が所定の距離となるように2軸延伸して保持し、この導電性粒子を、所定の厚さを有する接着シートに転写して得られる異方導電性接着シートが提案されている。また、下記特許文献4には、互いに離間されて規則的に配列された多数の導電性粒子と、この導電性粒子を保持する高分子膜と、高分子膜の片面に形成された接着層とを有し、接着層形成面と反対側の高分子膜表面が接着性を有している異方性導電膜が提案されている。 In response to such problems, for example, Patent Document 1 below discloses a circuit connection adhesive having a first adhesive layer and a second adhesive layer, and average particles are contained as conductive particles contained in the adhesive layer. It is described that conductive particles having a diameter of 1 to 7 μm can be applied. Further, Patent Document 2 below proposes to use an anisotropic conductive adhesive film having a two-layer structure, which is an adhesive layer containing no conductive fine particles on the side in contact with the circuit board. Further, in Patent Document 3 below, conductive particles are densely packed on a laminate provided with an adhesive layer on a biaxially stretchable film, and the average particle spacing between the conductive particles and the adjacent particles is set. An anisotropic conductive adhesive sheet obtained by biaxially stretching and holding the particles so as to have a predetermined distance and transferring the conductive particles to an adhesive sheet having a predetermined thickness has been proposed. Further, in Patent Document 4 below, a large number of conductive particles that are regularly arranged apart from each other, a polymer film that holds the conductive particles, and an adhesive layer formed on one side of the polymer film. An anisotropic conductive film has been proposed in which the surface of the polymer film opposite to the surface on which the adhesive layer is formed has adhesiveness.

特開2003−49152号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-49152 特開平6−45024号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-45024 特許第4822322号公報Japanese Patent No. 4822322 特開2009−76431号公報JP-A-2009-76431

しかしながら、特許文献1〜3に開示されている手法では、接続構造体の製造時に接着剤層の流動とともに導電粒子が流動するため、バンプ電極間又は回路電極間に導電粒子が凝集し、短絡が発生する可能性があった。また、導電粒子の流動にともなう導電粒子の粗密の分布は、絶縁特性の低下だけでなく、接続抵抗値のばらつきを生じさせる懸念もある。他方、特許文献4に開示されている手法では、高分子膜の両面から導電粒子の一部が突出するように導電粒子を高分子膜に埋め込む場合、導電粒子が脱落しやすくなる懸念及び高分子膜の膜強度不足により接続構造体の製造時に導電粒子が凝集しやすくなる等の懸念があり、一方、高分子膜の一方面にのみ導電粒子の一部が突出するように導電粒子を高分子膜に埋め込む場合、導電粒子に融着している高分子膜が接続抵抗の上昇又は接続抵抗値のばらつきの要因になる懸念があった。 However, in the method disclosed in Patent Documents 1 to 3, the conductive particles flow together with the flow of the adhesive layer during the production of the connection structure, so that the conductive particles aggregate between the bump electrodes or between the circuit electrodes, resulting in a short circuit. It could occur. Further, the distribution of the density of the conductive particles due to the flow of the conductive particles may cause not only a decrease in the insulating characteristics but also a variation in the connection resistance value. On the other hand, in the method disclosed in Patent Document 4, when the conductive particles are embedded in the polymer film so that a part of the conductive particles protrudes from both sides of the polymer film, there is a concern that the conductive particles are likely to fall off and the polymer. There is a concern that the conductive particles tend to aggregate during the production of the connection structure due to insufficient film strength of the film. On the other hand, the conductive particles are polymerized so that a part of the conductive particles protrudes only on one surface of the polymer film. When embedded in a film, there is a concern that the polymer film fused to the conductive particles may cause an increase in connection resistance or a variation in connection resistance value.

本発明は、回路部材同士の接続において、対向する電極間の接続信頼性の確保と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性の確保とを両立できる異方導電フィルム、並びに、対向する電極間の接続信頼性と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性とを両立できる接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することを目的する。 In the present invention, in connecting circuit members to each other, an heterogeneous conductive film capable of ensuring connection reliability between opposing electrodes and ensuring insulation between adjacent electrodes in the circuit member, and between opposing electrodes It is an object of the present invention to provide a connection structure and a method for manufacturing the connection structure, which can achieve both the connection reliability of the above and the insulation property between adjacent electrodes in a circuit member.

上記課題を解決するために本発明は、第一の接着剤層と、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔を有する絶縁性フィルムと、第二の接着剤層と、をこの順に備え、上記貫通孔内に配されている導電粒子を有し、絶縁性フィルムの厚みが導電粒子の粒径の0.4倍以上1.0倍以下であり、絶縁性フィルムの1mmあたりの貫通孔の数及び導電粒子の数をそれぞれMN及びMNとしたときに、MNが0.9MN以上1.0MN以下である、異方導電フィルムを提供する。 In order to solve the above problems, the present invention includes a first adhesive layer, an insulating film which is a film and has through holes extending in the thickness direction of the film, and a second adhesive layer in this order. The insulating film has conductive particles arranged in the through holes, and the thickness of the insulating film is 0.4 times or more and 1.0 times or less the particle size of the conductive particles, and penetrates the insulating film per 1 mm 2. the number and conductive particles of holes when the MN H and MN p respectively, MN p is less than 0.9 MN H or 1.0 MN H, provides the anisotropic conductive film.

本発明の異方導電フィルムによれば、上記構成を有することにより、導電粒子を互いに離間させつつ規則的に配列することができるとともに、導電粒子の流動抑制、対向する電極同士の接着及び電気な接続を高水準でバランスさせることができる。これにより、回路部材同士の接続において、対向する電極間の接続信頼性の確保と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性の確保とを両立することができる。 According to the anisotropic conductive film of the present invention, by having the above structure, the conductive particles can be regularly arranged while being separated from each other, the flow of the conductive particles is suppressed, the electrodes facing each other are adhered to each other, and electricity is obtained. The connection can be balanced at a high level. As a result, in the connection between the circuit members, it is possible to secure the connection reliability between the opposing electrodes and the insulation between the adjacent electrodes in the circuit member at the same time.

本発明に係る異方導電フィルムにおいて、絶縁性フィルムの1mmあたりの貫通孔の数が5000個以上30000個以下であってもよい。このような絶縁性フィルムを有する異方導電フィルムは、上記の貫通孔数に対応した密度で導電粒子を含有することができ、対向する電極間の接続信頼性の確保と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性の確保とをより好適に両立することができる。 In the anisotropic conductive film according to the present invention, the number of through holes per 1 mm 2 of the insulating film may be 5000 or more and 30,000 or less. An anisotropic conductive film having such an insulating film can contain conductive particles at a density corresponding to the number of through holes described above, ensuring connection reliability between opposing electrodes and adjoining adjacent electrodes in a circuit member. It is possible to more preferably balance the securing of the insulating property between the electrodes.

本発明に係る異方導電フィルムにおいて、導電粒子における他の導電粒子と離間して存在する導電粒子の割合が97%以上であってもよい、 In the anisotropic conductive film according to the present invention, the ratio of the conductive particles existing apart from the other conductive particles in the conductive particles may be 97% or more.

また、導電粒子の平均粒径が2.5μm以上6.0μm以下であってもよい。 Further, the average particle size of the conductive particles may be 2.5 μm or more and 6.0 μm or less.

更に、第一の接着剤層の厚みが0.1μm以上1.0μm以下であってもよい。接続する回路部材の一方がバンプ電極を有する回路部材であり、他方がバンプ電極に対応する回路電極(バンプを有しない電極)を有する回路部材である場合であっても、上記厚みを有する第一の接着剤層側がバンプ電極に対応する回路電極(バンプを有しない電極)を有する回路部材側を向くように異方導電フィルムを配置することにより、導電粒子の流動を抑制することが容易となり、回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性を確保しやすくなる。 Further, the thickness of the first adhesive layer may be 0.1 μm or more and 1.0 μm or less. Even when one of the circuit members to be connected is a circuit member having a bump electrode and the other is a circuit member having a circuit electrode (an electrode having no bump) corresponding to the bump electrode, the first having the above thickness. By arranging the isotropic conductive film so that the adhesive layer side of the above faces the circuit member side having the circuit electrode (electrode having no bump) corresponding to the bump electrode, it becomes easy to suppress the flow of the conductive particles. It becomes easy to secure the insulation between adjacent electrodes in the circuit member.

本発明はまた、第一の電極を有する第一の回路部材と、第一の電極に対応する第二の電極を有する第二の回路部材と、第一の接着剤層側が第二の回路部材側に向かう上記本発明に係る異方導電フィルムの硬化物からなり、第一の回路部材と第二の回路部材とを接着するとともに第一の電極と第二の電極とを電気的に接続する接続部とを備える接続構造体を提供する。 The present invention also comprises a first circuit member having a first electrode, a second circuit member having a second electrode corresponding to the first electrode, and a second circuit member having a first adhesive layer side. It is composed of a cured product of the isotropic conductive film according to the present invention, which is directed toward the side, and adheres the first circuit member and the second circuit member and electrically connects the first electrode and the second electrode. Provided is a connection structure including a connection portion.

上記の接続構造体は、上記本発明に係る異方導電フィルムの硬化物によって回路部材同士が接続されているため、対向する電極間の接続信頼性と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性とを両立することができる。 In the above connection structure, since the circuit members are connected to each other by the cured product of the anisotropic conductive film according to the present invention, the connection reliability between the opposing electrodes and the insulation between the adjacent electrodes in the circuit member Can be compatible with.

上記の接続構造体は、第一の電極がバンプ電極であり、第二の電極がバンプ電極に対応する回路電極である場合であっても、対向する電極間の接続信頼性と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性とを両立することができる。 In the above connection structure, even when the first electrode is a bump electrode and the second electrode is a circuit electrode corresponding to the bump electrode, the connection reliability between the opposing electrodes and the connection reliability in the circuit member It is possible to achieve both insulation between adjacent electrodes.

特に、本発明に係る異方導電フィルムの第一の接着剤層の厚みが0.1μm以上1.0μm以下である場合に、導電粒子の流動を抑制することが容易となり、回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性を確保しやすくなる。 In particular, when the thickness of the first adhesive layer of the anisotropic conductive film according to the present invention is 0.1 μm or more and 1.0 μm or less, it becomes easy to suppress the flow of conductive particles, and the adjacent particles in the circuit member are adjacent to each other. It becomes easy to secure the insulation between matching electrodes.

本発明はまた、第一の電極を有する第一の回路部材と、第一の電極に対応する第二の電極を有する第二の回路部材と、第一の回路部材と第二の回路部材とを接着するとともに第一の電極と第二の電極とを電気的に接続する接続部とを備え、接続部が、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔を有する絶縁性フィルムと、貫通孔内に配されており、第一の電極及び第二の電極の間に介在して第一の電極及び第二の電極を電気的に接続する導電粒子とを含む接続構造体を提供する。 The present invention also includes a first circuit member having a first electrode, a second circuit member having a second electrode corresponding to the first electrode, a first circuit member and a second circuit member. The insulating film is provided with a connecting portion for electrically connecting the first electrode and the second electrode, and the connecting portion is a film and has a through hole extending in the thickness direction of the film. Provided is a connection structure which is arranged in a hole and includes a conductive particle which is interposed between the first electrode and the second electrode and electrically connects the first electrode and the second electrode.

上記の接続構造体は、上記絶縁性フィルムによって回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性を充分確保することができ、上記導電粒子によって対向する電極間の接続信頼性を充分確保することができる。 In the connection structure, the insulating film can sufficiently secure the insulating property between adjacent electrodes in the circuit member, and the conductive particles can sufficiently secure the connection reliability between the opposing electrodes. ..

上記の接続構造体は、第一の電極がバンプ電極であり、第二の電極がバンプ電極に対応する回路電極である場合であっても、対向する電極間の接続信頼性と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性とを両立することができる。 In the above connection structure, even when the first electrode is a bump electrode and the second electrode is a circuit electrode corresponding to the bump electrode, the connection reliability between the opposing electrodes and the connection reliability in the circuit member It is possible to achieve both insulation between adjacent electrodes.

本発明はまた、第一の電極を有する第一の回路部材と、第一の電極に対応する第二の電極を有する第二の回路部材との間に、上記本発明に係る異方導電フィルムを第一の接着剤層側が第二の回路部材側に向かうように介在させ、第一の回路部材と第二の回路部材とを熱圧着するステップを有する接続構造体の製造方法を提供する。 The present invention also relates to the anisotropic conductive film according to the present invention between a first circuit member having a first electrode and a second circuit member having a second electrode corresponding to the first electrode. Provided is a method for manufacturing a connection structure having a step of thermocompression bonding the first circuit member and the second circuit member by interposing the first adhesive layer side toward the second circuit member side.

上記方法によれば、対向する電極間の接続信頼性と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性とを両立する接続構造体を得ることができる。 According to the above method, it is possible to obtain a connection structure having both the connection reliability between the opposing electrodes and the insulating property between the adjacent electrodes in the circuit member.

上記方法は、第一の電極がバンプ電極であり、第二の電極が前記バンプ電極に対応する回路電極である場合であっても、対向する電極間の接続信頼性と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性とを両立する接続構造体を得ることができる。 In the above method, even when the first electrode is a bump electrode and the second electrode is a circuit electrode corresponding to the bump electrode, the connection reliability between the opposing electrodes and the adjacent electrode in the circuit member are adjacent to each other. It is possible to obtain a connection structure that has both insulating properties between electrodes.

特に、本発明に係る異方導電フィルムの第一の接着剤層の厚みが0.1μm以上1.0μm以下である場合に、導電粒子の流動を抑制することが容易となり、回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性を確保しやすくなる。 In particular, when the thickness of the first adhesive layer of the anisotropic conductive film according to the present invention is 0.1 μm or more and 1.0 μm or less, it becomes easy to suppress the flow of conductive particles, and the adjacent particles in the circuit member are adjacent to each other. It becomes easy to secure the insulation between matching electrodes.

本発明によれば、回路部材同士の接続において、対向する電極間の接続信頼性の確保と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性の確保とを両立できる異方導電フィルム、並びに、対向する電極間の接続信頼性と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性とを両立できる接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, in connecting circuit members to each other, an anisotropic conductive film capable of ensuring connection reliability between opposing electrodes and ensuring insulation between adjacent electrodes in the circuit member, and facing each other. It is possible to provide a connection structure and a method for manufacturing the connection structure, which can achieve both connection reliability between electrodes and insulation between adjacent electrodes in a circuit member.

本発明に係る異方導電フィルムの一実施形態を示す模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows one Embodiment of the anisotropic conductive film which concerns on this invention. 図1に示した異方導電フィルムの要部拡大模式図である。It is an enlarged schematic view of the main part of the anisotropic conductive film shown in FIG. 図2のI−I線断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 貫通孔を有する絶縁性フィルムの製造工程を示す模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the manufacturing process of the insulating film which has a through hole. 本発明に係る異方導電フィルムの製造工程を示す模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the manufacturing process of the anisotropic conductive film which concerns on this invention. 図5の後続の工程を示す模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the subsequent process of FIG. 本発明に係る接続構造体の一実施形態を示す模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows one Embodiment of the connection structure which concerns on this invention. 図7に示した接続構造体の製造工程を示す模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the manufacturing process of the connection structure shown in FIG. 7. 図8の後続の工程を示す模式的断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the subsequent process of FIG.

以下、図面を参照しながら、本発明に係る異方導電フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法の好適な実施形態について詳細を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the anisotropic conductive film, the connecting structure, and the method for manufacturing the connecting structure according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[異方導電フィルムの構成]
本実施形態に係る異方導電フィルムは、第一の接着剤層と、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔を有する絶縁性フィルムと、第二の接着剤層と、をこの順に備え、上記貫通孔内に配されている導電粒子を有する。この異方導電フィルムは、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔を有する絶縁性フィルム及び貫通孔内に配されている導電粒子を含み、この絶縁性フィルム及び導電粒子と、異方導電フィルムの両主面との間に接着剤が含まれる領域を有するものであってもよい。以下で説明する異方導電フィルムの一実施形態における第一の接着剤層及び第二の接着剤層の条件は、上記の接着剤が含まれる2つの領域の条件とすることができ、第一の接着剤層及び第二の接着剤層の厚みの条件は、異方導電フィルムの主面と、絶縁性フィルム又は導電粒子との最短距離として読み替えることができる。
[Structure of anisotropic conductive film]
The anisotropic conductive film according to the present embodiment includes a first adhesive layer, an insulating film which is a film and has through holes extending in the thickness direction of the film, and a second adhesive layer in this order. , Has conductive particles arranged in the through hole. This anisotropic conductive film includes an insulating film which is a film and has through holes extending in the thickness direction of the film and conductive particles arranged in the through holes, and the insulating film and the conductive particles and anisotropic conductivity. It may have a region containing an adhesive between both main surfaces of the film. The conditions of the first adhesive layer and the second adhesive layer in one embodiment of the anisotropic conductive film described below can be the conditions of the two regions containing the above-mentioned adhesive, and the first The condition of the thickness of the adhesive layer and the second adhesive layer can be read as the shortest distance between the main surface of the anisotropic conductive film and the insulating film or conductive particles.

図1は、本発明に係る異方導電フィルムの一実施形態を示す模式的断面図である。図1に示す異方導電フィルム10は、剥離フィルム12上に設けられた異方導電フィルムを示すものであり、本実施形態に係る異方導電フィルムは積層体11から構成されている。積層体11は、第一の接着剤層22と、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔21を有する絶縁性フィルム20と、第二の接着剤層23と、がこの順に積層されてなり、貫通孔21内に配されている導電粒子Pを含む。積層体11は、絶縁性フィルム20の厚み方向と垂直な面で切断したときの断面に導電粒子Pが含まれていない領域13,15と、導電粒子Pが含まれている領域14とを有している。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an anisotropic conductive film according to the present invention. The anisotropic conductive film 10 shown in FIG. 1 shows an anisotropic conductive film provided on the release film 12, and the anisotropic conductive film according to the present embodiment is composed of a laminate 11. In the laminated body 11, the first adhesive layer 22, the insulating film 20 which is a film and has through holes 21 extending in the thickness direction of the film, and the second adhesive layer 23 are laminated in this order. Therefore, the conductive particles P arranged in the through hole 21 are included. The laminate 11 has regions 13 and 15 in which the conductive particles P are not included in the cross section when cut in a plane perpendicular to the thickness direction of the insulating film 20, and regions 14 in which the conductive particles P are contained. doing.

貫通孔21内には導電粒子Pが充填されており、導電粒子Pと、絶縁性フィルム20の貫通孔21を囲む壁面との間には接着剤が充填されていてもよい。本実施形態においては、第二の接着剤層23を構成する接着剤が貫通孔21に充填されている。 The through holes 21 are filled with conductive particles P, and an adhesive may be filled between the conductive particles P and the wall surface surrounding the through holes 21 of the insulating film 20. In the present embodiment, the through hole 21 is filled with the adhesive constituting the second adhesive layer 23.

図1に示される積層体11は、全ての貫通孔21に導電粒子Pが充填されているが、導電粒子Pが充填されていない貫通孔21を有していてもよい。導電粒子Pが充填されていない貫通孔21には、第二の接着剤層23を構成する接着剤が充填されていてもよい。 The laminate 11 shown in FIG. 1 may have through holes 21 in which all the through holes 21 are filled with the conductive particles P, but the conductive particles P are not filled. The through hole 21 not filled with the conductive particles P may be filled with an adhesive constituting the second adhesive layer 23.

剥離フィルム12は、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレン等によって形成されている。剥離フィルム12には、任意の充填剤を含有させてもよい。また、剥離フィルム12の表面には、離型処理又はプラズマ処理等が施されていてもよい。 The release film 12 is made of, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, or the like. The release film 12 may contain an arbitrary filler. Further, the surface of the release film 12 may be subjected to a mold release treatment, a plasma treatment, or the like.

第一の接着剤層22及び第二の接着剤層23は、接着剤成分及びフィルム形成剤を含有することができる。 The first adhesive layer 22 and the second adhesive layer 23 can contain an adhesive component and a film-forming agent.

接着剤成分としては、モノマー(主剤)及び硬化剤が挙げられる。モノマーは、カチオン重合性化合物、アニオン重合性化合物又はラジカル重合性化合物を用いることができる。カチオン重合性化合物又はアニオン重合性化合物としては、エポキシ系化合物が挙げられる。 Examples of the adhesive component include a monomer (main agent) and a curing agent. As the monomer, a cationically polymerizable compound, an anionically polymerizable compound or a radically polymerizable compound can be used. Examples of the cationically polymerizable compound or the anionically polymerizable compound include epoxy compounds.

エポキシ系化合物としては、エピクロルヒドリンと、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールAD等のビスフェノール化合物とから誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂、エピクロルヒドリンと、フェノールノボラック又はクレゾールノボラック等のノボラック樹脂とから誘導されるエポキシノボラック樹脂、並びに、グリシジルアミン、グリシジルエーテル、ビフェニル、脂環式等の1分子内に2個以上のグリシジル基を有する各種のエポキシ化合物などを用いることができる。エポキシ系化合物はオリゴマーであってもよい。 As the epoxy compound, the epoxy novolac derived from epichlorohydrin, a bisphenol type epoxy resin derived from a bisphenol compound such as bisphenol A, bisphenol F or bisphenol AD, epichlorohydrin, and a novolak resin such as phenol novolac or cresol novolac. As well as resins, various epoxy compounds having two or more glycidyl groups in one molecule such as glycidylamine, glycidyl ether, biphenyl, and alicyclic can be used. The epoxy compound may be an oligomer.

ラジカル重合性化合物としては、ラジカルにより重合する官能基を有する化合物を用いることができ、例えば、(メタ)アクリレート等のアクリル系化合物、マレイミド化合物、スチレン誘導体などが挙げられる。ラジカル重合性化合物はモノマー又はオリゴマーのいずれの状態でも使用することができ、モノマーとオリゴマーとを混合して使用してもよい。すなわち、本明細書においてモノマーとはオリゴマーも包含する。 As the radically polymerizable compound, a compound having a functional group that is polymerized by a radical can be used, and examples thereof include an acrylic compound such as (meth) acrylate, a maleimide compound, and a styrene derivative. The radically polymerizable compound can be used in either a monomer or an oligomer state, and the monomer and the oligomer may be mixed and used. That is, in the present specification, the monomer also includes an oligomer.

モノマーは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 As the monomer, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

エポキシ系化合物を用いる場合は、硬化剤として、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド、酸無水物等が挙げられる。これらの硬化剤は、ポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化されていることが、可使時間が延長される点で好適である。 When an epoxy compound is used, examples of the curing agent include imidazole type, hydrazide type, boron trifluoride-amine complex, sulfonium salt, amineimide, polyamine salt, dicyandiamide, acid anhydride and the like. It is preferable that these curing agents are coated with a polyurethane-based or polyester-based polymer substance and microencapsulated in terms of extending the pot life.

エポキシ系化合物と併用される硬化剤は、目的とする接続温度、接続時間、保存安定性等により適宜選定される。硬化剤は、高反応性の点から、エポキシ系化合物及び硬化剤が含まれる組成物としたときに、そのゲルタイムが所定の温度で10秒以内となることが好ましく、保存安定性の点から、40℃で10日間恒温槽に保管後の組成物とのゲルタイムに差がないことが好ましい。このような点から、硬化剤はスルホニウム塩であることが好ましい。 The curing agent used in combination with the epoxy compound is appropriately selected depending on the target connection temperature, connection time, storage stability, and the like. When the curing agent is a composition containing an epoxy compound and a curing agent from the viewpoint of high reactivity, the gel time is preferably within 10 seconds at a predetermined temperature, and from the viewpoint of storage stability, it is preferable. It is preferable that there is no difference in gel time from the composition after storage in a constant temperature bath at 40 ° C. for 10 days. From this point of view, the curing agent is preferably a sulfonium salt.

アクリル系化合物を用いる場合は、硬化剤として、過酸化化合物、アゾ系化合物等の加熱により分解して遊離ラジカルを発生するものが挙げられる。 When an acrylic compound is used, examples of the curing agent include those that decompose by heating, such as a peroxide compound and an azo compound, to generate free radicals.

アクリル系化合物と併用される硬化剤は、目的とする接続温度、接続時間、保存安定性等により適宜選定される。硬化剤は、高反応性と保存安定性の点から、半減期10時間の温度が40℃以上かつ半減期1分の温度が180℃以下の有機過酸化物又はアゾ系化合物が好ましく、半減期10時間の温度が60℃以上かつ半減期1分の温度が170℃以下の有機過酸化物又はアゾ系化合物がより好ましい。 The curing agent used in combination with the acrylic compound is appropriately selected depending on the target connection temperature, connection time, storage stability, and the like. From the viewpoint of high reactivity and storage stability, the curing agent is preferably an organic peroxide or an azo compound having a half-life of 10 hours of 40 ° C. or higher and a half-life of 1 minute of 180 ° C. or lower, and has a half-life of 180 ° C. or higher. More preferably, an organic peroxide or an azo compound having a temperature of 60 ° C. or higher for 10 hours and a temperature of 170 ° C. or lower for a half-life of 1 minute is preferable.

硬化剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。第一の接着剤層22及び第二の接着剤層23には、分解促進剤、抑制剤等を更に含有させてもよい。 As the curing agent, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. The first adhesive layer 22 and the second adhesive layer 23 may further contain a decomposition accelerator, an inhibitor, and the like.

硬化剤の配合量は、エポキシ系化合物及びアクリル系化合物のいずれのモノマーを用いた場合においても、接続時間を10秒以下としたときに充分な反応率を得る観点から、モノマーと後述のフィルム形成材との合計100質量部に対して、0.1質量部以上40質量部以下とすることが好ましく、1質量部以上35質量部以下とすることがより好ましい。硬化剤の配合量が0.1質量部以上であると、充分な反応率を得ることができ、良好な接着強度及び小さな接続抵抗が得られやすくなり、40質量部以下であると、接着剤層の流動性が低下して接続抵抗が上昇することを防止しやすくなり、また、異方導電フィルムの保存安定性を確保しやすくなる。 The amount of the curing agent blended is the monomer and the film formation described later from the viewpoint of obtaining a sufficient reaction rate when the connection time is 10 seconds or less regardless of whether the monomer of the epoxy compound or the acrylic compound is used. It is preferably 0.1 part by mass or more and 40 parts by mass or less, and more preferably 1 part by mass or more and 35 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass in total with the material. When the blending amount of the curing agent is 0.1 parts by mass or more, a sufficient reaction rate can be obtained, good adhesive strength and small connection resistance can be easily obtained, and when it is 40 parts by mass or less, the adhesive It becomes easy to prevent the flowability of the layer from decreasing and the connection resistance from increasing, and it becomes easy to secure the storage stability of the anisotropic conductive film.

フィルム形成材としては、上記のモノマー及び硬化剤が含まれる粘度の低い組成物の取り扱いを容易にする作用を有するポリマーであることが好ましい。フィルム形成材を用いることによって、フィルムが容易に裂けたり、割れたり、べたついたりすることを抑制でき、取り扱いが容易な異方導電フィルムを得ることができる。 The film-forming material is preferably a polymer containing the above-mentioned monomer and curing agent and having an action of facilitating the handling of a low-viscosity composition. By using the film forming material, it is possible to prevent the film from being easily torn, cracked or sticky, and it is possible to obtain an anisotropic conductive film that is easy to handle.

フィルム形成材としては、熱可塑性樹脂を好適に用いることができる。例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリエステルウレタン樹脂等が挙げられる。これらのポリマー中には、シロキサン結合又はフッ素置換基が含まれていてもよい。上記の樹脂の中でも、接着強度、相溶性、耐熱性、及び機械強度の観点から、フェノキシ樹脂を用いることが好ましい。 As the film forming material, a thermoplastic resin can be preferably used. For example, phenoxy resin, polyvinyl formal resin, polystyrene resin, polyvinyl butyral resin, polyester resin, polyamide resin, xylene resin, polyurethane resin, polyacrylic resin, polyester urethane resin and the like can be mentioned. These polymers may contain siloxane bonds or fluorine substituents. Among the above resins, it is preferable to use a phenoxy resin from the viewpoint of adhesive strength, compatibility, heat resistance, and mechanical strength.

上記の熱可塑性樹脂は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The above-mentioned thermoplastic resin may be used alone or in combination of two or more.

熱可塑性樹脂は、分子量が大きいほどフィルム形成性が容易に得られ、また、接着剤層の流動性に影響する溶融粘度を広範囲に設定できる。熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、5000以上150000以下であることが好ましく、10000以上80000以下であることがより好ましい。熱可塑性樹脂の重量平均分子量が5000以上であると良好なフィルム形成性が得られやすく、150000以下であると他の成分との良好な相溶性が得られやすくなる。 The larger the molecular weight of the thermoplastic resin, the easier it is to obtain film formability, and the melt viscosity that affects the fluidity of the adhesive layer can be set in a wide range. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 5000 or more and 150,000 or less, and more preferably 10,000 or more and 80,000 or less. When the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is 5000 or more, good film formability can be easily obtained, and when it is 150,000 or less, good compatibility with other components can be easily obtained.

なお、本発明において、重量平均分子量は、下記の条件に従って、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)より標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定した値をいう。
(測定条件)
装置:東ソー株式会社製 GPC−8020
検出器:東ソー株式会社製 RI−8020
カラム:日立化成株式会社製 Gelpack GLA160S+GLA150S
試料濃度:120mg/3mL
溶媒:テトラヒドロフラン
注入量:60μL
圧力:2.94×106Pa(30kgf/cm
流量:1.00mL/min
In the present invention, the weight average molecular weight refers to a value measured by a gel permeation chromatograph (GPC) using a calibration curve using standard polystyrene according to the following conditions.
(Measurement condition)
Equipment: GPC-8020 manufactured by Tosoh Corporation
Detector: RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation
Column: Gelpack GLA160S + GLA150S manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.
Sample concentration: 120 mg / 3 mL
Solvent: Tetrahydrofuran Injection volume: 60 μL
Pressure: 2.94 x 106 Pa (30 kgf / cm 2 )
Flow rate: 1.00 mL / min

フィルム形成材の配合量は、モノマー、硬化剤及びフィルム形成材の総量を基準として5質量%以上80質量%以下であることが好ましく、15質量%以上70質量%以下であることがより好ましい。フィルム形成材の配合量を5質量%以上とすることで良好なフィルム形成性が得られやすくなり、80質量%以下とすることで接着剤層が良好な流動性を示す傾向にある。 The blending amount of the film forming material is preferably 5% by mass or more and 80% by mass or less, and more preferably 15% by mass or more and 70% by mass or less, based on the total amount of the monomer, the curing agent and the film forming material. When the blending amount of the film forming material is 5% by mass or more, good film forming property is easily obtained, and when it is 80% by mass or less, the adhesive layer tends to show good fluidity.

また、第一の接着剤層22及び第二の接着剤層23には、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤、フェノール樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート類等を更に含有していてもよい。接着剤層が充填剤を含有する場合、接続信頼性の向上が更に期待できる。 Further, the first adhesive layer 22 and the second adhesive layer 23 are filled with a filler, a softening agent, an accelerator, an antiaging agent, a coloring agent, a flame retardant, a thixotropic agent, a coupling agent, and a phenol. It may further contain a resin, a melamine resin, isocyanates and the like. When the adhesive layer contains a filler, further improvement in connection reliability can be expected.

絶縁性フィルム20は、例えば、モノマー(主剤)及び硬化剤が含まれる組成物を硬化させてなるフィルム、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド等のポリマーを含むフィルムなどが挙げられる。 Examples of the insulating film 20 include a film obtained by curing a composition containing a monomer (main agent) and a curing agent, a film containing a polymer such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, and polyimide.

貫通孔の形成が容易である点で、モノマー及び硬化剤が含まれる組成物を硬化させてなるフィルムが好適に用いられる。 A film obtained by curing a composition containing a monomer and a curing agent is preferably used because it is easy to form through holes.

モノマーとしては、カチオン重合性化合物、アニオン重合性化合物、ラジカル重合性化合物が挙げられる。 Examples of the monomer include a cationically polymerizable compound, an anionically polymerizable compound, and a radically polymerizable compound.

カチオン重合性化合物又はアニオン重合性化合物としては、エポキシ系化合物が挙げられる。エポキシ系化合物としては、エピクロルヒドリンと、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールAD等のビスフェノール化合物とから誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂、エピクロルヒドリンと、フェノールノボラック又はクレゾールノボラック等のノボラック樹脂とから誘導されるエポキシノボラック樹脂、並びに、グリシジルアミン、グリシジルエーテル、ビフェニル、脂環式等の1分子内に2個以上のグリシジル基を有する各種のエポキシ化合物などを用いることができる。エポキシ系化合物はオリゴマーであってもよい。 Examples of the cationically polymerizable compound or the anionically polymerizable compound include epoxy compounds. As the epoxy compound, the epoxy novolac derived from epichlorohydrin, a bisphenol type epoxy resin derived from a bisphenol compound such as bisphenol A, bisphenol F or bisphenol AD, epichlorohydrin, and a novolak resin such as phenol novolac or cresol novolac. As well as resins, various epoxy compounds having two or more glycidyl groups in one molecule such as glycidylamine, glycidyl ether, biphenyl, and alicyclic can be used. The epoxy compound may be an oligomer.

ラジカル重合性化合物としては、ラジカルにより重合する官能基を有する化合物を用いることができ、例えば、(メタ)アクリレート等のアクリル系化合物、マレイミド化合物、スチレン誘導体などが挙げられる。ラジカル重合性化合物はオリゴマーであってもよい。 As the radically polymerizable compound, a compound having a functional group that is polymerized by a radical can be used, and examples thereof include an acrylic compound such as (meth) acrylate, a maleimide compound, and a styrene derivative. The radically polymerizable compound may be an oligomer.

モノマーは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 As the monomer, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

カチオン重合性化合物又はアニオン重合性化合物としてエポキシ系化合物を用いる場合は、硬化剤として、紫外線の照射によって酸が発生する光酸発生剤、紫外線の照射によって塩基が発生する光塩基発生剤等が挙げられる。一方、ラジカル重合性化合物を用いる場合は、硬化剤として、紫外線の照射によって遊離ラジカルが発生する光ラジカル発生剤が挙げられる。 When an epoxy compound is used as the cationically polymerizable compound or the anionic polymerizable compound, examples of the curing agent include a photoacid generator that generates an acid by irradiation with ultraviolet rays, a photobase generator that generates a base by irradiation with ultraviolet rays, and the like. Be done. On the other hand, when a radically polymerizable compound is used, examples of the curing agent include a photoradical generator in which free radicals are generated by irradiation with ultraviolet rays.

いずれの硬化剤を用いる場合も、フィルム形成温度、乾燥時間、保存安定性により、硬化剤の種類と配合量が適宜選定される。反応性の点からは、25℃において波長365nmの紫外線によって照射量2000mJ/mm以下で硬化が完了することが好ましい。また、貫通孔を形成する点からも、25℃において波長365nmの紫外線によって照射量2000mJ/mm以下で硬化が完了するように、硬化剤の種類と配合量を選択することが好ましい。 Regardless of which curing agent is used, the type and blending amount of the curing agent are appropriately selected depending on the film formation temperature, drying time, and storage stability. From the viewpoint of reactivity, it is preferable that curing is completed at an irradiation amount of 2000 mJ / mm 2 or less by ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm at 25 ° C. Further, from the viewpoint of forming through holes, it is preferable to select the type and blending amount of the curing agent so that the curing is completed at an irradiation amount of 2000 mJ / mm 2 or less by ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm at 25 ° C.

絶縁性フィルム20は、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、離型剤、チキソトロピック剤、カップリング剤、フェノール樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート類等を更に含有していてもよい。離型剤を含有する場合、導電粒子の充填性及び後述する貫通孔の形成が良好となる傾向にある。 The insulating film 20 further contains a filler, a softening agent, an accelerator, an antiaging agent, a coloring agent, a flame retardant, a mold release agent, a thixotropic agent, a coupling agent, a phenol resin, a melamine resin, an isocyanate, and the like. It may be contained. When a release agent is contained, the filling property of the conductive particles and the formation of through holes described later tend to be good.

絶縁性フィルム20は、接続構造体の製造時の加熱、加圧によっても形状が変化しにくいことが好ましい。また、絶縁性フィルム20は、接続構造体の製造時に破断しにくいことが好ましい。このような観点から、絶縁性フィルム20は、150℃における弾性率が1MPa以上であることが好ましく、変形を防止する点で、10MPa以上であることがより好ましい。 It is preferable that the shape of the insulating film 20 does not easily change due to heating or pressurization during the manufacture of the connection structure. Further, it is preferable that the insulating film 20 is not easily broken during the production of the connection structure. From this point of view, the insulating film 20 preferably has an elastic modulus of 1 MPa or more at 150 ° C., and more preferably 10 MPa or more from the viewpoint of preventing deformation.

上記の150℃における弾性率は、貫通孔が設けられていない厚み100μmの絶縁性フィルムを作製し、動的粘弾性装置(例えば、TAインスツルメントジャパン(株)RSA−3)を用いて、引張りモードにて昇温速度5℃/分、周波数1Hz、歪み0.1%の条件で測定した値をいう。 For the elastic modulus at 150 ° C., a 100 μm-thick insulating film having no through holes was prepared, and a dynamic viscoelastic device (for example, RSA-3 of TA Instruments Japan Co., Ltd.) was used. The value measured in the tension mode under the conditions of a heating rate of 5 ° C./min, a frequency of 1 Hz, and a strain of 0.1%.

絶縁性フィルム20は、1mmあたりの貫通孔数が5000個以上30000個以下であることが好ましく、6000個以上29000個以下であることがより好ましく、8000個以上25000個以下であることが更に好ましい。このような絶縁性フィルム20を有する異方導電フィルムは、上記の貫通孔数に対応した密度で導電粒子を含有することができ、対向する電極間の接続信頼性の確保と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性の確保とをより好適に両立することができる。 The number of through holes per 1 mm 2 of the insulating film 20 is preferably 5,000 or more and 30,000 or less, more preferably 6,000 or more and 29000 or less, and further preferably 8,000 or more and 25,000 or less. preferable. The anisotropic conductive film having such an insulating film 20 can contain conductive particles at a density corresponding to the number of through holes described above, ensuring connection reliability between opposing electrodes and adjoining the circuit member. It is possible to more preferably achieve both the assurance of the insulating property between the matching electrodes.

絶縁性フィルム20の厚みは、第一の電極と第二の電極の接続時の低抵抗化の観点から、導電粒子径の1.0倍以下が好ましく、導電粒子径の1.0倍未満であることがより好ましい。 The thickness of the insulating film 20 is preferably 1.0 times or less the conductive particle size, and less than 1.0 times the conductive particle size, from the viewpoint of reducing the resistance when the first electrode and the second electrode are connected. More preferably.

導電粒子Pとしては、例えば、金、銀、ニッケル、銅、ハンダ等の金属粒子、カーボン粒子、ガラス、セラミック、プラスチック等の非導電性粒子を金属等の導電物質で被覆した導電被覆粒子などが挙げられる。非導電性粒子を被覆する金属としては、金、銀、ニッケル、銅、ハンダ等が挙げられ、多層構造を有していてもよい。 Examples of the conductive particles P include metal particles such as gold, silver, nickel, copper, and solder, and conductive coated particles obtained by coating non-conductive particles such as carbon particles, glass, ceramics, and plastic with a conductive substance such as metal. Can be mentioned. Examples of the metal that coats the non-conductive particles include gold, silver, nickel, copper, solder, and the like, and may have a multilayer structure.

保存安定性の観点から、導電粒子は、金、銀等の白金族の貴金属類を含む表層を有していることが好ましく、金を含む表層を有していることがより好ましい。貴金属類を含む表層はニッケルの表面上に設けられていてもよい。 From the viewpoint of storage stability, the conductive particles preferably have a surface layer containing platinum group noble metals such as gold and silver, and more preferably have a surface layer containing gold. The surface layer containing precious metals may be provided on the surface of nickel.

金属粒子のうちのはんだ等の熱溶融金属粒子、及びプラスチック等を金属等の導電物質で被覆した導電被覆粒子は、加熱加圧によって導電粒子が容易に変形するため、接続時の電極との接触面積が増加するとともに、回路部材側の厚みのばらつきを吸収することができ、接続信頼性を一層向上させることができる。 Of the metal particles, the heat-melted metal particles such as solder and the conductive coated particles obtained by coating plastic or the like with a conductive substance such as metal are easily deformed by heating and pressurizing, so that they come into contact with the electrodes at the time of connection. As the area increases, the variation in thickness on the circuit member side can be absorbed, and the connection reliability can be further improved.

導電粒子Pは表面に突起が設けられていてもよい。この場合、接続抵抗を低下させることが容易となる。 The conductive particles P may be provided with protrusions on the surface. In this case, it becomes easy to reduce the connection resistance.

導電粒子Pの平均粒径は2.5μm以上6.0μm以下であることが好ましい。導電粒子の平均粒径が2.5μm以上であると、圧着時の導電粒子の視認性が向上し、対向回路間に捕捉された導電粒子の状態を確認しやすくなる。導電粒子の平均粒径が6.0μm以下であると、隣り合う回路電極の間隔が15μm以下の高精細回路を有する回路部材を接続する場合であっても、良好な絶縁特性を得ることが容易となる。 The average particle size of the conductive particles P is preferably 2.5 μm or more and 6.0 μm or less. When the average particle size of the conductive particles is 2.5 μm or more, the visibility of the conductive particles at the time of crimping is improved, and it becomes easy to confirm the state of the conductive particles captured between the opposing circuits. When the average particle size of the conductive particles is 6.0 μm or less, it is easy to obtain good insulation characteristics even when connecting a circuit member having a high-definition circuit in which the distance between adjacent circuit electrodes is 15 μm or less. It becomes.

対向する電極間の接続抵抗を小さくする観点からは、導電粒子の平均粒径が2.7μm以上であることが好ましく、3μm以上であることがより好ましい。一方、隣り合う回路電極間での絶縁性を確保する観点からは、導電粒子の平均粒径が5.5μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。 From the viewpoint of reducing the connection resistance between the opposing electrodes, the average particle size of the conductive particles is preferably 2.7 μm or more, and more preferably 3 μm or more. On the other hand, from the viewpoint of ensuring the insulating property between adjacent circuit electrodes, the average particle size of the conductive particles is preferably 5.5 μm or less, and more preferably 5 μm or less.

導電粒子の平均粒径は、任意の導電粒子300個について、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた観察により粒径の測定を行い、それらの平均値を取ることにより得られる。なお、導電粒子が突起を有するなどの球形ではない場合、導電粒子の粒径は、SEMの画像における導電粒子に外接する円の直径とする。 The average particle size of the conductive particles is obtained by measuring the particle size of 300 arbitrary conductive particles by observation using a scanning electron microscope (SEM) and taking the average value thereof. When the conductive particles are not spherical such as having protrusions, the particle size of the conductive particles is the diameter of a circle circumscribing the conductive particles in the SEM image.

本実施形態の異方導電フィルムにおいて、導電粒子Pは積層体11の両主面の一方面側に偏在していることが好ましい。図1に示すように、導電粒子Pが積層体11の離型フィルム12が設けられている一方面側に偏在している場合、導電粒子Pと一方面との最短距離は0.1μm以上1.0μm以下であってもよい。最短距離、即ち導電粒子Pが含まれていない領域15の厚みを上記範囲内にすることにより、回路部材への密着性を確保しつつ、圧着時の導電粒子Pの流動を抑制することが容易となり、導電粒子Pの捕捉性能を向上させることができる。 In the anisotropic conductive film of the present embodiment, it is preferable that the conductive particles P are unevenly distributed on one surface side of both main surfaces of the laminated body 11. As shown in FIG. 1, when the conductive particles P are unevenly distributed on one side of the release film 12 of the laminated body 11, the shortest distance between the conductive particles P and one side is 0.1 μm or more 1 It may be 0.0 μm or less. By setting the shortest distance, that is, the thickness of the region 15 not including the conductive particles P within the above range, it is easy to suppress the flow of the conductive particles P during crimping while ensuring the adhesion to the circuit member. Therefore, the capturing performance of the conductive particles P can be improved.

本実施形態においては、第一の接着剤層22の厚みを0.1μm以上1.0μm以下としてもよい。第一の接着剤層22の厚みを0.1μm以上とすることで、異方導電フィルムを回路部材に貼り付けるときに良好な密着性が得られやすくなり、1.0μm以下とすることで圧着時における導電粒子の流動を抑制することが容易となる。また、接続する回路部材の対向する電極間に捕捉される導電粒子の捕捉性を向上する観点から、第一の接着剤層22の厚みは0.8μm以下であってもよく、0.5μm以下であってもよい。特に、接続する回路部材の一方がバンプ電極を有する回路部材であり、他方がバンプ電極に対応する回路電極(バンプを有しない電極)を有する回路部材である場合、第一の接着剤層側が第二の回路部材側に向かうように回路部材間に介在させることにより、上記の効果をより有効に得ることができる。 In the present embodiment, the thickness of the first adhesive layer 22 may be 0.1 μm or more and 1.0 μm or less. By setting the thickness of the first adhesive layer 22 to 0.1 μm or more, good adhesion can be easily obtained when the anisotropic conductive film is attached to the circuit member, and by setting it to 1.0 μm or less, pressure bonding is performed. It becomes easy to suppress the flow of conductive particles at the time. Further, from the viewpoint of improving the trapping property of the conductive particles captured between the opposing electrodes of the circuit member to be connected, the thickness of the first adhesive layer 22 may be 0.8 μm or less, and may be 0.5 μm or less. It may be. In particular, when one of the circuit members to be connected is a circuit member having a bump electrode and the other is a circuit member having a circuit electrode (electrode having no bump) corresponding to the bump electrode, the first adhesive layer side is the first. The above effect can be obtained more effectively by interposing between the circuit members so as to face the second circuit member side.

第二の接着剤層23の厚みは適宜設定可能であり、例えば12μm以上30μm以下とすることができる。導電粒子Pが含まれていない領域13の厚みは、例えば10μm以上28μm以下とすることができる。更に、第二の接着剤層23の厚みは、接続する回路部材のそれぞれが有する電極の高さの合計の1.2倍以下の厚さの場合は、導電粒子の捕捉性を向上することが容易となる。 The thickness of the second adhesive layer 23 can be appropriately set, and can be, for example, 12 μm or more and 30 μm or less. The thickness of the region 13 that does not contain the conductive particles P can be, for example, 10 μm or more and 28 μm or less. Further, when the thickness of the second adhesive layer 23 is 1.2 times or less the total height of the electrodes of each of the connecting circuit members, the trapping property of the conductive particles can be improved. It will be easy.

第二の接着剤層23は多層構成にすることも可能である。 The second adhesive layer 23 can also have a multi-layer structure.

本実施形態においては、導電粒子の補足性向上の観点から、第一の接着剤層22の厚みDaと、第二の接着剤層23の厚みDbとの比Da/Dbを、0.1/10〜10/10としてもよく、0.5/10〜5/10としてもよい。また、同様の観点から、導電粒子Pが含まれていない領域15の厚みDcと、導電粒子Pが含まれていない領域13の厚みDdとの比Dc/Ddを0.05/10〜8/10としてもよく、0.25/10〜4/10としてもよい。 In the present embodiment, from the viewpoint of improving the catching property of the conductive particles, the ratio Da / Db of the thickness Da of the first adhesive layer 22 to the thickness Db of the second adhesive layer 23 is set to 0.1 / Db. It may be 10 to 10/10, or 0.5 / 10 to 5/10. From the same viewpoint, the ratio Dc / Dd of the thickness Dc of the region 15 not containing the conductive particles P to the thickness Dd of the region 13 not containing the conductive particles P is 0.05 / 10-8 /. It may be 10 or 0.25 / 10-4 / 10.

異方導電フィルムの厚みは、例えば5μm以上30μm以下であってもよい。本実施形態においては、第一の接着剤層22の厚み、絶縁性フィルム20の厚み及び第二の接着剤層23の厚みの合計、即ち積層体の厚みが、例えば5μm以上30μm以下であってもよい。 The thickness of the anisotropic conductive film may be, for example, 5 μm or more and 30 μm or less. In the present embodiment, the total thickness of the first adhesive layer 22, the thickness of the insulating film 20, and the thickness of the second adhesive layer 23, that is, the thickness of the laminated body is, for example, 5 μm or more and 30 μm or less. May be good.

異方導電フィルムの厚みは、回路部材同士を接続したときの接続構造体における回路部材の実装面の間隔よりも0μm以上10μm以下大きくなるように設定することが好ましい。異方導電フィルムの厚みを上記間隔よりも0μm以上大きくなるように設定することで、回路部材間を異方導電フィルムの硬化物で充填しやすくなり、剥離の発生、耐湿試験後の接続信頼性の低下を抑制しやすくなる。一方、異方導電フィルムの厚みを上記間隔よりも10μm以下大きくなるように設定することで、回路部材同士を圧着したときの樹脂の流動性を維持することができるため、対向する電極間における樹脂の排除性と隣り合う電極間における樹脂の充填性とを高水準で両立することが可能となり、耐湿試験等の信頼性試験後も対向する電極間の電気的接続が得られやすくなる。これらの観点からは、異方導電フィルムの厚みは、上記間隔よりも0.5μm以上8.0μm以下大きくなるように設定することがより好ましく、1.0μm以上5.0μm以下大きくなるように設定することが更に好ましい。 The thickness of the anisotropic conductive film is preferably set to be 0 μm or more and 10 μm or less larger than the distance between the mounting surfaces of the circuit members in the connection structure when the circuit members are connected to each other. By setting the thickness of the anisotropic conductive film to be 0 μm or more larger than the above interval, it becomes easier to fill the space between the circuit members with the cured product of the anisotropic conductive film, causing peeling, and connection reliability after the moisture resistance test. It becomes easy to suppress the decrease of. On the other hand, by setting the thickness of the anisotropic conductive film to be 10 μm or less larger than the above interval, the fluidity of the resin when the circuit members are crimped to each other can be maintained, so that the resin between the opposing electrodes can be maintained. It becomes possible to achieve both the exclusion property and the filling property of the resin between adjacent electrodes at a high level, and it becomes easy to obtain an electrical connection between the opposing electrodes even after a reliability test such as a moisture resistance test. From these viewpoints, the thickness of the anisotropic conductive film is more preferably set to be 0.5 μm or more and 8.0 μm or less larger than the above interval, and is set to be 1.0 μm or more and 5.0 μm or less larger. It is more preferable to do so.

第一の接着剤層22の厚み、絶縁性フィルム20の厚み及び第二の接着剤層23の厚みについては、例えば、イオンミリングを用いて、異方導電フィルムの断面を切削し、その後、走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察及び測定することが可能である。具体的には、異方導電フィルムを、導電性のカーボンテープを用いて、試料加工・観察用の冶具に固定する。その後、イオンミリングを用いて、異方導電フィルムの第二の接着剤層23側から加工を実施し、加工断面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察する。 Regarding the thickness of the first adhesive layer 22, the thickness of the insulating film 20, and the thickness of the second adhesive layer 23, for example, ion milling is used to cut a cross section of the anisotropic conductive film, and then scanning. It can be observed and measured with a scanning electron microscope (SEM). Specifically, the anisotropic conductive film is fixed to a jig for sample processing / observation using a conductive carbon tape. Then, using ion milling, processing is performed from the second adhesive layer 23 side of the anisotropic conductive film, and the processed cross section is observed with a scanning electron microscope (SEM).

図2は異方導電フィルムの要部拡大模式図である。絶縁性フィルム20の厚みTは、導電粒子Pの粒径Dの0.4倍以上1.0倍以下であることが好ましく、0.4倍以上1.0倍未満であることがより好ましい。例えば、異方導電フィルムを用いて回路部材同士を接続した接続構造体中においては、対向する電極間に介在する導電粒子Pは扁平し、それぞれの電極と接触することによって電気的な接続が確保される。絶縁性フィルム20の厚みTが導電粒子の粒径Dの0.4倍以上であると、回路部材同士を圧着したとき導電粒子が過剰に変形することを抑制することができるとともに、導電粒子の流動を抑制して隣り合う回路電極間の絶縁性を確保することが容易となる。一方、絶縁性フィルム20の厚みTが導電粒子の粒径Dの1.0倍以下であると、導電粒子による電気的な接続を確保しやすくなる。対向する電極間の接続信頼性と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性とを高水準で両立する観点から、絶縁性フィルム20の厚みTが導電粒子の粒径Dの0.5倍以上0.8倍以下であることが好ましい。 FIG. 2 is an enlarged schematic view of a main part of the anisotropic conductive film. The thickness T of the insulating film 20 is preferably 0.4 times or more and 1.0 times or less, and more preferably 0.4 times or more and less than 1.0 times the particle size D of the conductive particles P. For example, in a connection structure in which circuit members are connected to each other using an anisotropic conductive film, the conductive particles P interposed between the opposing electrodes are flattened and come into contact with the respective electrodes to ensure electrical connection. Will be done. When the thickness T of the insulating film 20 is 0.4 times or more the particle size D of the conductive particles, it is possible to suppress excessive deformation of the conductive particles when the circuit members are pressure-bonded to each other, and the conductive particles can be prevented from being excessively deformed. It becomes easy to suppress the flow and secure the insulation between the adjacent circuit electrodes. On the other hand, when the thickness T of the insulating film 20 is 1.0 times or less the particle size D of the conductive particles, it becomes easy to secure the electrical connection by the conductive particles. The thickness T of the insulating film 20 is 0.5 times or more the particle size D of the conductive particles from the viewpoint of achieving both the connection reliability between the opposing electrodes and the insulating property between the adjacent electrodes in the circuit member at a high level. It is preferably 0.8 times or less.

図3は、図2のI−I線断面図である。図3に示される絶縁性フィルム20は、その厚み方向に延びる貫通孔21が設けられており、貫通孔21を囲む壁面は円筒形状を有している。すなわち、絶縁性フィルム20には、フィルムの厚み方向と垂直な面で切断したときの断面形状が円形である貫通孔が設けられている。 FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. The insulating film 20 shown in FIG. 3 is provided with a through hole 21 extending in the thickness direction thereof, and the wall surface surrounding the through hole 21 has a cylindrical shape. That is, the insulating film 20 is provided with a through hole having a circular cross-sectional shape when cut on a plane perpendicular to the thickness direction of the film.

絶縁性フィルム20の主面と貫通孔21を囲む壁面とがなす角度は、90°〜85°とすることができ、貫通孔の作成しやすさの点で、89°〜87°とすることができる。 The angle formed by the main surface of the insulating film 20 and the wall surface surrounding the through hole 21 can be 90 ° to 85 °, and 89 ° to 87 ° in terms of ease of creating the through hole. Can be done.

絶縁性フィルム20の貫通孔の直径Wは、導電粒子の粒径Dの1.0倍以上1.2倍以下であることが好ましい。この場合、一つの貫通孔に一つの導電粒子を充填することができるため、回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性を確保しやすくなる。また、接続構造体中における導電粒子が観察しやすくなり、対向する電極間に捕捉された導電粒子の特定が容易となる利点もある。 The diameter W of the through holes of the insulating film 20 is preferably 1.0 times or more and 1.2 times or less the particle size D of the conductive particles. In this case, since one conductive particle can be filled in one through hole, it becomes easy to secure the insulating property between adjacent electrodes in the circuit member. Further, there is an advantage that the conductive particles in the connecting structure can be easily observed, and the conductive particles captured between the opposing electrodes can be easily identified.

絶縁性フィルム20には、断面形状が円形以外の貫通孔を形成することができる。例えば、断面形状が正方形、ひし形、六角形等の貫通孔を設けてもよい。貫通孔の形状は任意であり、その貫通孔の大きさは、導電粒子を貫通孔内で移動させたときに、貫通孔の軸(即ち、絶縁性フィルム20の厚み方向)と直交する方向に移動可能な最大距離が導電粒子の粒径Dの0倍以上0.2倍以下となることが好ましく、0倍以上0.1倍以下となることがより好ましい。 The insulating film 20 can be formed with through holes having a cross-sectional shape other than a circular shape. For example, through holes having a cross-sectional shape such as a square, a rhombus, or a hexagon may be provided. The shape of the through hole is arbitrary, and the size of the through hole is in a direction orthogonal to the axis of the through hole (that is, the thickness direction of the insulating film 20) when the conductive particles are moved in the through hole. The maximum movable distance is preferably 0 times or more and 0.2 times or less, and more preferably 0 times or more and 0.1 times or less of the particle size D of the conductive particles.

絶縁性フィルム20は規則的に配列された貫通孔を有することが好ましい。配列パターンとしては、正方配列、六方配列等が挙げられる。高精細回路の接続に対応するために貫通孔数を増やす観点から、六方配列のパターンで貫通孔を設けることが好ましい。 The insulating film 20 preferably has through holes that are regularly arranged. Examples of the arrangement pattern include a square arrangement and a hexagonal arrangement. From the viewpoint of increasing the number of through holes in order to support the connection of high-definition circuits, it is preferable to provide the through holes in a hexagonal arrangement pattern.

本実施形態の異方導電フィルムにおいて、導電粒子の粒子密度は、5000個/mm以上30000個/mm以下であることが好ましい。この条件を満たすことにより、対向する電極間の接続信頼性の確保と、回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性の確保とをより好適に両立できる。 In the anisotropic conductive film of the present embodiment, the particle density of the conductive particles is preferably 5000 / mm 2 or more 30000 / mm 2 or less. By satisfying this condition, it is possible to more preferably secure the connection reliability between the opposing electrodes and the insulation between the adjacent electrodes in the circuit member.

本実施形態の異方導電フィルムにおいて、絶縁性フィルム20の1mmあたりの貫通孔の数及び導電粒子の数をそれぞれMN及びMNとしたときに、MNが0.9MN以上1.0MN以下であってもよく、0.95MN以上1.0MN以下であってもよい。 In the anisotropic conductive film of the present embodiment, when the number of through holes and the number of conductive particles per 1 mm 2 of the insulating film 20 are MN H and MN p , respectively, MN p is 0.9 MN H or more. 0 mN H may be less, and may be less 0.95MN H or 1.0 MN H.

本実施形態の異方導電フィルムにおいて、導電粒子における他の導電粒子と離間して存在する導電粒子の割合が97%以上であってもよく、99%以上であってもよい。 In the anisotropic conductive film of the present embodiment, the ratio of the conductive particles existing apart from the other conductive particles in the conductive particles may be 97% or more, or 99% or more.

[貫通孔を有する絶縁性フィルムの製造方法]
上述した絶縁性フィルム20を製造する方法について説明する。図4は、貫通孔を有する絶縁性フィルムの製造工程を示す模式的断面図である。
[Manufacturing method of insulating film having through holes]
The method for producing the above-mentioned insulating film 20 will be described. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing process of an insulating film having through holes.

本実施形態の製造方法は、
易接着フィルム30と、易接着フィルム30上に設けられた樹脂層31と、樹脂層31上に設けられた転写樹脂層32とを有する積層体を用意するステップ1(図4の(a))と、
規則的に配列された凸型パターンを有する型40を、積層体の転写樹脂層32側から押しつけるステップ2(図4の(b))と、
転写樹脂層32を硬化させた後、型40を剥離して、易接着フィルム30上に樹脂層31及び貫通孔21を有する絶縁性フィルム20が設けられたエレメントを得るステップ3(図4の(c))と、
を備える。
The manufacturing method of this embodiment is
Step 1 of preparing a laminate having an easy-adhesive film 30, a resin layer 31 provided on the easy-adhesive film 30, and a transfer resin layer 32 provided on the resin layer 31 ((a) in FIG. 4). When,
Step 2 ((b) of FIG. 4) in which the mold 40 having the regularly arranged convex pattern is pressed from the transfer resin layer 32 side of the laminate,
After the transfer resin layer 32 is cured, the mold 40 is peeled off to obtain an element in which the resin layer 31 and the insulating film 20 having the through holes 21 are provided on the easy-adhesion film 30 (FIG. 4 (FIG. 4). c)) and
To be equipped.

易接着フィルム30としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレンなどから形成されているフィルムを用いることができる。易接着フィルム30には、任意の充填剤を含有させてもよい。また、易接着フィルム30の表面には、易接着処理等が施されていることが好ましい。 As the easy-adhesion film 30, for example, a film made of polyester such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, or the like can be used. The easy-adhesion film 30 may contain an arbitrary filler. Further, it is preferable that the surface of the easy-adhesion film 30 is subjected to an easy-adhesion treatment or the like.

樹脂層31は、例えば、ポリエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂等によって形成することができる。上記の樹脂は、2つ以上を組み合わせて用いることができる。有機溶剤への可溶性の観点から、ポリビニルブチラール樹脂を用いることが好ましい。 The resin layer 31 is formed of, for example, polyester resin, polypropylene resin, polyethylene resin, polycarbonate resin, polyimide resin, epoxy resin, phenoxy resin, polyester urethane resin, polyvinyl acetal resin, polyvinyl butyral resin, vinyl acetate resin, polystyrene resin and the like. be able to. Two or more of the above resins can be used in combination. From the viewpoint of solubility in an organic solvent, it is preferable to use polyvinyl butyral resin.

樹脂層31は、上記の樹脂を含む樹脂ペーストを易接着フィルム30上に塗布することにより作製することができる。樹脂ペーストには有機溶剤等の溶剤を含有させることができ、溶剤の割合によって樹脂ペーストの厚みを適宜調整することができる。有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル等が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The resin layer 31 can be produced by applying a resin paste containing the above resin onto the easy-adhesion film 30. The resin paste can contain a solvent such as an organic solvent, and the thickness of the resin paste can be appropriately adjusted depending on the ratio of the solvent. Examples of the organic solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methanol, ethanol, isopropanol, ethyl acetate, butyl acetate, toluene, tetrahydrofuran, acetonitrile and the like. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

樹脂ペーストの塗工方法は、公知の方法を利用することができる。例えばスピンコート法、ローラーコート法、バーコート法、ディップコート法、マイクログラビアコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、ニーダーコート法、フローコーティング法、スクリーン印刷法、キャスト法等が挙げられる。樹脂層31の作製には、スピンコート法、マイクログラビアコート法、ダイコート法等が適しており、樹脂層31を1μm以下の薄膜にする点からは、スピンコート法が特に好適である。 As a method for applying the resin paste, a known method can be used. For example, spin coating method, roller coating method, bar coating method, dip coating method, micro gravure coating method, curtain coating method, die coating method, spray coating method, doctor coating method, kneader coating method, flow coating method, screen printing method, cast. Law etc. can be mentioned. A spin coating method, a microgravure coating method, a die coating method, or the like is suitable for producing the resin layer 31, and the spin coating method is particularly suitable from the viewpoint of forming the resin layer 31 into a thin film of 1 μm or less.

樹脂層31の厚みは、例えば、0.1μm以上10.0μm以下とすることができ、凸型パターンの転写性向上の観点から、0.5μm以上5.0μm以下が好ましく、1.0μm以上3.0μm以下であることがより好ましい。 The thickness of the resin layer 31 can be, for example, 0.1 μm or more and 10.0 μm or less, preferably 0.5 μm or more and 5.0 μm or less, and 1.0 μm or more 3 from the viewpoint of improving the transferability of the convex pattern. More preferably, it is 0.0 μm or less.

転写樹脂層32は、絶縁性フィルム20の材料として例示したモノマー(主剤)、硬化剤及び必要に応じてその他の成分が含まれる組成物を転写樹脂ペーストとし、これを樹脂層31上に塗布することにより設けることができる。 For the transfer resin layer 32, a composition containing the monomer (main agent) exemplified as the material of the insulating film 20, a curing agent and, if necessary, other components is used as a transfer resin paste, and this is applied onto the resin layer 31. Can be provided by

転写樹脂ペーストの粘度は、塗布方法に応じて変動させることができるが、凸型パターンの転写性を向上させる観点から、10mPa・s以上10000mPa・s以下とすることが好ましい。転写樹脂ペーストの粘度が上記範囲であると、流動性が高すぎること又は低すぎることに起因して凸型パターンを有する型40への充填が不充分となることを抑制することができ、パターン欠損を防止しやすくなる。凸型パターンの転写性を更に向上する観点から、転写樹脂ペーストの粘度は、50mPa・s以上1000mPa・s以下であることが好ましく、100mPa・s以上500mPa・s以下であることがより好ましい。 The viscosity of the transfer resin paste can be varied depending on the coating method, but is preferably 10 mPa · s or more and 10000 mPa · s or less from the viewpoint of improving the transferability of the convex pattern. When the viscosity of the transfer resin paste is in the above range, it is possible to prevent insufficient filling of the mold 40 having the convex pattern due to the fluidity being too high or too low, and the pattern. It becomes easier to prevent defects. From the viewpoint of further improving the transferability of the convex pattern, the viscosity of the transfer resin paste is preferably 50 mPa · s or more and 1000 mPa · s or less, and more preferably 100 mPa · s or more and 500 mPa · s or less.

なお、本明細書においてペーストの粘度は、E型粘度計を用いて20℃で測定された値を意味する。 In this specification, the viscosity of the paste means a value measured at 20 ° C. using an E-type viscometer.

粘度を調整するために、転写樹脂ペーストは有機溶剤で希釈することもできる。転写樹脂ペーストを有機溶剤で希釈した場合は、型40を転写樹脂層32に押し付ける前に、有機溶剤を乾燥により除去することが好ましい。有機溶剤を除去することにより、転写樹脂層32から発生する気泡を抑制することができ、転写面の外観が良好となる。 The transfer resin paste can also be diluted with an organic solvent to adjust the viscosity. When the transfer resin paste is diluted with an organic solvent, it is preferable to remove the organic solvent by drying before pressing the mold 40 against the transfer resin layer 32. By removing the organic solvent, air bubbles generated from the transfer resin layer 32 can be suppressed, and the appearance of the transfer surface is improved.

有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル等が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。転写樹脂層32に残存する有機溶剤量を低減する観点から、上記の有機溶剤が好ましく、特にメチルエチルケトンが好ましい。 Examples of the organic solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methanol, ethanol, isopropanol, ethyl acetate, butyl acetate, toluene, tetrahydrofuran, acetonitrile and the like. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination. From the viewpoint of reducing the amount of the organic solvent remaining in the transfer resin layer 32, the above-mentioned organic solvent is preferable, and methyl ethyl ketone is particularly preferable.

凸型パターンを有する型40は、例えば、ニッケル、シリコン、プラスチック等の各種材質からなる型を公知の方法で作製して用いることができる。ニッケルの場合は電鋳法、シリコンの場合はエッチング法により、それぞれ凸型パターンを有する型を形成することが可能である。プラスチックの場合は、ニッケル又はシリコンに凹型パターンを作製したものをプラスチックに転写することにより、凸型パターンを有する型を形成することができる。 As the mold 40 having a convex pattern, for example, a mold made of various materials such as nickel, silicon, and plastic can be produced and used by a known method. It is possible to form a mold having a convex pattern by an electroforming method in the case of nickel and an etching method in the case of silicon. In the case of plastic, a mold having a convex pattern can be formed by transferring a concave pattern made of nickel or silicon to plastic.

凸型パターンは、上述した貫通孔が形成されるように設けられる。例えば、断面形状が円形である貫通孔を設ける場合、円柱(ピラー)のパターンを有する型を用いることができる。このときのピラーの高さ、直径、配列は、上述した絶縁性フィルム20の厚み、貫通孔の直径、貫通孔の配列が得られるように設定される。ステップ2では、凸型パターンが転写樹脂層32を貫通し、樹脂層31まで到達させることができる。 The convex pattern is provided so that the above-mentioned through hole is formed. For example, when a through hole having a circular cross-sectional shape is provided, a mold having a cylindrical (pillar) pattern can be used. The height, diameter, and arrangement of the pillars at this time are set so that the thickness of the insulating film 20 described above, the diameter of the through holes, and the arrangement of the through holes can be obtained. In step 2, the convex pattern can penetrate the transfer resin layer 32 and reach the resin layer 31.

凸型パターンが貫通した転写樹脂層32の硬化は、例えば、波長200〜400nmの紫外線を500〜2000mJ/cm照射することで行うことができる。 The transfer resin layer 32 through which the convex pattern penetrates can be cured by, for example, irradiating with ultraviolet rays having a wavelength of 200 to 400 nm at 500 to 2000 mJ / cm 2.

[異方導電フィルムの製造方法]
次に、本発明に係る異方導電フィルムの製造方法の一実施形態について、図5〜図6を参照しながら説明する。
[Manufacturing method of anisotropic conductive film]
Next, an embodiment of the method for producing an anisotropic conductive film according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 6.

図5〜図6に示される本実施形態の異方導電フィルムの製造方法は、
剥離フィルム12と、第一の接着剤層22と、貫通孔21を有する絶縁性フィルム20とがこの順に積層された積層体を用意するステップ1(図5の(a))と、
絶縁性フィルム20の貫通孔21に導電粒子Pを充填するステップ2(図5(b))と、
絶縁性フィルム20の第一の接着剤層22とは反対側の面上に、第二の接着剤層23を積層するステップ3(図6の(a))と、
を備える。
The method for producing the anisotropic conductive film of the present embodiment shown in FIGS. 5 to 6 is as follows.
Step 1 ((a) of FIG. 5) in which the release film 12, the first adhesive layer 22, and the insulating film 20 having the through holes 21 are laminated in this order is prepared.
Step 2 (FIG. 5 (b)) of filling the through holes 21 of the insulating film 20 with the conductive particles P,
Step 3 ((a) of FIG. 6) in which the second adhesive layer 23 is laminated on the surface of the insulating film 20 opposite to the first adhesive layer 22
To be equipped.

ステップ1における積層体は、例えば、離型フィルム12上に設けられた第一の接着剤層22上に、上記と同様の方法で作製した、易接着フィルム30、樹脂層31及び絶縁性フィルム20がこの順で積層されたエレメントを、絶縁性フィルム20が第一の接着剤層22と接するようにラミネートし、その後、易接着フィルム30及び樹脂層31を剥離することにより得ることができる。 The laminate in step 1 is, for example, the easy-adhesive film 30, the resin layer 31, and the insulating film 20 produced by the same method as above on the first adhesive layer 22 provided on the release film 12. The elements laminated in this order can be obtained by laminating the insulating film 20 so as to be in contact with the first adhesive layer 22, and then peeling off the easy-adhesive film 30 and the resin layer 31.

ラミネートは、例えばホットロールラミネーター等を用いることができる。 For the lamination, for example, a hot roll laminator or the like can be used.

絶縁性フィルム20の貫通孔21に導電粒子を充填する方法としては、例えば、導電粒子を絶縁性フィルム20上に散布した後、刷毛、ブラシ、ブレードなどによって擦り切り、貫通孔21に導電粒子Pを充填する方法が挙げられる。貫通孔21に充填されなかった導電粒子は、エアブロー、粘着ロール、静電ロールなどを用いて取り除くことができるが、貫通孔21に充填されていない導電粒子のみを選択的に除去する観点で、静電ロールを用いること好ましい。 As a method of filling the through holes 21 of the insulating film 20 with conductive particles, for example, the conductive particles are sprayed on the insulating film 20 and then scraped off with a brush, a brush, a blade, or the like, and the conductive particles P are formed in the through holes 21. A method of filling can be mentioned. The conductive particles that are not filled in the through holes 21 can be removed by using an air blow, an adhesive roll, an electrostatic roll, or the like, but from the viewpoint of selectively removing only the conductive particles that are not filled in the through holes 21. It is preferable to use an electrostatic roll.

本実施形態においては、絶縁性フィルム20の厚みTが、導電粒子Pの粒径Dの0.4倍以上1.0倍以下、0.4倍以上1.0倍未満、又は0.5倍以上0.8倍以下となる関係を満たす絶縁性フィルム20及び導電粒子Pを用いることが好ましい。これにより、絶縁性フィルム20の1mmあたりの貫通孔の数及び導電粒子の数をそれぞれMN及びMNとしたときに、MNを0.9MN以上1.0MN以下とすることが容易となる。 In the present embodiment, the thickness T of the insulating film 20 is 0.4 times or more and 1.0 times or less, 0.4 times or more and less than 1.0 times, or 0.5 times the particle size D of the conductive particles P. It is preferable to use the insulating film 20 and the conductive particles P that satisfy the relationship of 0.8 times or more. Thus, the number of through holes per 1 mm 2 of the insulating film 20 and the number of conductive particles when an MN H and MN p respectively, be the MN p less 0.9 MN H or 1.0 MN H It will be easy.

また、断面形状が円形である貫通孔を有する絶縁性フィルム20を用いる場合、貫通孔の直径Wが、導電粒子の粒径Dの1.0倍以上1.2倍以下となる関係を満たす絶縁性フィルム20及び導電粒子Pを用いることが好ましい。これにより、一つの貫通孔に一つの導電粒子を充填することが容易となり、導電粒子における他の導電粒子と離間して存在する導電粒子の割合を97%以上とすることができる。なお、断面形状が円形以外の貫通孔を有する絶縁性フィルム20を用いる場合、導電粒子が貫通孔内で、その軸(即ち、絶縁性フィルム20の厚み方向)と直交する方向に移動可能な最大距離が、導電粒子の粒径Dの0倍以上0.2倍以下となる関係を満たす絶縁性フィルム20及び導電粒子Pを用いることで、上記の効果を得ることができる。 Further, when the insulating film 20 having a through hole having a circular cross-sectional shape is used, the insulation satisfies the relationship that the diameter W of the through hole is 1.0 times or more and 1.2 times or less the particle size D of the conductive particles. It is preferable to use the sex film 20 and the conductive particles P. This makes it easy to fill one through hole with one conductive particle, and the ratio of the conductive particles existing apart from the other conductive particles in the conductive particles can be set to 97% or more. When an insulating film 20 having a through hole having a cross-sectional shape other than a circular shape is used, the maximum amount of conductive particles that can move in the through hole in a direction orthogonal to the axis (that is, the thickness direction of the insulating film 20). The above effect can be obtained by using the insulating film 20 and the conductive particles P that satisfy the relationship that the distance is 0 times or more and 0.2 times or less the particle size D of the conductive particles.

ステップ3では、例えば、離型フィルム上に設けた第二の接着剤層23を、例えばホットロールラミネーター等を用いてラミネートすることができる。 In step 3, for example, the second adhesive layer 23 provided on the release film can be laminated using, for example, a hot roll laminator or the like.

剥離フィルム上に第一の接着剤層22又は第二の接着剤層23を設ける方法としては、第一の接着剤層22及び第二の接着剤層23の材料として例示した接着剤成分、フィルム形成剤及び必要に応じてその他の成分が含まれる組成物を接着剤ペーストとし、これを離型フィルム上に塗布することにより設けることができる。 As a method of providing the first adhesive layer 22 or the second adhesive layer 23 on the release film, the adhesive component and the film exemplified as the materials of the first adhesive layer 22 and the second adhesive layer 23. A composition containing a forming agent and, if necessary, other components may be used as an adhesive paste, which may be applied on a release film.

接着剤ペーストの粘度は、用途、塗布方法に応じて変動させることができるが、配合物の分離の抑制及び相溶性向上の観点から、10mPa・s以上10000mPa・s以下とすることが好ましく、50mPa・s以上30000mPa・s以下とすることがより好ましい。また、異方導電フィルムの外観向上の観点から、接着剤ペーストの粘度は、100mPa・s以上10000mPa・s以下とすることが好ましい。この範囲であると、接着剤ペーストにおける配合物の分離を抑制できるとともに、塗工面に気泡、スジ等が発生して外観が悪化することを抑制しやすくなる。 The viscosity of the adhesive paste can be varied depending on the application and coating method, but from the viewpoint of suppressing separation of the formulation and improving compatibility, it is preferably 10 mPa · s or more and 10000 mPa · s or less, and 50 mPa. -It is more preferable that the value is s or more and 30,000 mPa · s or less. Further, from the viewpoint of improving the appearance of the anisotropic conductive film, the viscosity of the adhesive paste is preferably 100 mPa · s or more and 10000 mPa · s or less. Within this range, it is possible to suppress the separation of the formulation in the adhesive paste, and it is easy to suppress the deterioration of the appearance due to the generation of air bubbles, streaks, etc. on the coated surface.

接着剤ペーストの塗工方法は、公知の方法を利用することができる。例えば、スピンコート法、ローラーコート法、バーコート法、ディップコート法、マイクログラビアコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、ニーダーコート法、フローコーティング法、スクリーン印刷法、キャスト法等が挙げられる。これらのうち、層厚の精度の観点からは、ダイコート法が特に好適である。 As a method for applying the adhesive paste, a known method can be used. For example, spin coating method, roller coating method, bar coating method, dip coating method, micro gravure coating method, curtain coating method, die coating method, spray coating method, doctor coating method, kneader coating method, flow coating method, screen printing method, The cast method and the like can be mentioned. Of these, the die coating method is particularly preferable from the viewpoint of layer thickness accuracy.

接着剤ペーストには有機溶剤等の溶剤を含有させることができ、溶剤の割合によって樹脂ペーストの厚みを適宜調整することができる。有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル等が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The adhesive paste can contain a solvent such as an organic solvent, and the thickness of the resin paste can be appropriately adjusted depending on the ratio of the solvent. Examples of the organic solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methanol, ethanol, isopropanol, ethyl acetate, butyl acetate, toluene, tetrahydrofuran, acetonitrile and the like. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

接着剤ペーストの乾燥温度は、例えば、20℃以上100℃以下が好ましい。乾燥温度が20℃以上であれば、第一の接着剤層22又は第二の接着剤層23に溶剤が残存しにくくなり、圧着時に残存溶剤による気泡によって接続外観が悪化することを抑制することができる。一方、乾燥温度が100℃以下であれば、接着剤成分であるモノマー及び硬化剤の反応が生じにくく、第一の接着剤層22又は第二の接着剤層23の硬化が進行することを抑制しやすい。接着剤ペーストに含まれる溶剤を揮発させる観点からは、乾燥温度は、40℃以上100℃以下が好ましく、50℃以上80℃以下がより好ましい。 The drying temperature of the adhesive paste is preferably, for example, 20 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. When the drying temperature is 20 ° C. or higher, it is difficult for the solvent to remain in the first adhesive layer 22 or the second adhesive layer 23, and it is possible to prevent the connection appearance from being deteriorated by air bubbles due to the residual solvent during crimping. Can be done. On the other hand, when the drying temperature is 100 ° C. or lower, the reaction between the monomer as the adhesive component and the curing agent is unlikely to occur, and the curing of the first adhesive layer 22 or the second adhesive layer 23 is suppressed. It's easy to do. From the viewpoint of volatilizing the solvent contained in the adhesive paste, the drying temperature is preferably 40 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, and more preferably 50 ° C. or higher and 80 ° C. or lower.

本発明に係る異方導電フィルムは上述した方法を適宜変更又は上記方法以外の方法で製造することができる。例えば、上記実施形態の方法において、第二の接着剤層を塗布により形成してもよい。また、第二の接着剤層を形成し、第二の接着剤層上に絶縁性フィルム及び第一の接着剤層を設けることにより異方導電フィルムを製造することもできる。 The anisotropic conductive film according to the present invention can be produced by appropriately modifying the above-mentioned method or by a method other than the above-mentioned method. For example, in the method of the above embodiment, the second adhesive layer may be formed by coating. It is also possible to produce an anisotropic conductive film by forming a second adhesive layer and providing an insulating film and a first adhesive layer on the second adhesive layer.

[接続構造体の構成]
図7は、本発明に係る接続構造体の一実施形態を示す模式的断面図である。同図に示すように、接続構造体1は、互いに対向する第一の回路部材2及び第二の回路部材3と、これらの回路部材2,3を接続する異方導電フィルムの硬化物4とを備えて構成されている。
[Structure of connection structure]
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the connection structure according to the present invention. As shown in the figure, the connection structure 1 includes a first circuit member 2 and a second circuit member 3 facing each other, and a cured product 4 of an anisotropic conductive film connecting these circuit members 2 and 3. It is configured with.

第一の回路部材2は、例えばテープキャリアパッケージ(TCP)、プリント配線板、半導体シリコンチップ等である。第一の回路部材2は、本体部5の実装面5a側に複数のバンプ電極6を有している。バンプ電極6は、例えば平面視で矩形状をなしており、厚みは例えば3μm以上18μm未満となっている。バンプ電極6の形成材料には、例えばAu等が用いられ、異方導電フィルムの硬化物4に含まれる導電粒子Pよりも変形し易くなっている。なお、実装面5aにおいて、バンプ電極6が形成されていない部分には、絶縁層が形成されていてもよい。 The first circuit member 2 is, for example, a tape carrier package (TCP), a printed wiring board, a semiconductor silicon chip, or the like. The first circuit member 2 has a plurality of bump electrodes 6 on the mounting surface 5a side of the main body 5. The bump electrode 6 has, for example, a rectangular shape in a plan view, and has a thickness of, for example, 3 μm or more and less than 18 μm. For example, Au or the like is used as the material for forming the bump electrode 6, and the bump electrode 6 is more easily deformed than the conductive particles P contained in the cured product 4 of the anisotropic conductive film. An insulating layer may be formed on the mounting surface 5a where the bump electrode 6 is not formed.

第二の回路部材3は、例えば液晶ディスプレイに用いられるITO、IZO、若しくは金属等で回路が形成されたガラス基板又はプラスチック基板、フレキシブルプリント基板(FPC)、セラミック配線板などである。第二の回路部材3は、図7に示すように、本体部7の実装面7a側にバンプ電極6に対応する複数の回路電極8を有している。回路電極8は、バンプ電極6と同様に、例えば平面視で矩形状をなしており、厚みは例えば100nm程度となっている。回路電極8の表面は、例えば金、銀、銅、錫、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、インジウム錫酸化物(ITO)、及びインジウム亜鉛酸化物(IZO)から選ばれる1種或いは2種以上の材料で構成されている。なお、実装面7aにおいても、回路電極8が形成されていない部分に絶縁層が形成されていてもよい。 The second circuit member 3 is, for example, a glass substrate or a plastic substrate in which a circuit is formed of ITO, IZO, metal or the like used for a liquid crystal display, a flexible printed circuit board (FPC), a ceramic wiring board, or the like. As shown in FIG. 7, the second circuit member 3 has a plurality of circuit electrodes 8 corresponding to the bump electrodes 6 on the mounting surface 7a side of the main body 7. Like the bump electrode 6, the circuit electrode 8 has a rectangular shape in a plan view, and has a thickness of, for example, about 100 nm. The surface of the circuit electrode 8 is one selected from, for example, gold, silver, copper, tin, ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, platinum, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). It is composed of two or more kinds of materials. The mounting surface 7a may also have an insulating layer formed on a portion where the circuit electrode 8 is not formed.

硬化物4は、例えば、図1に示される異方導電フィルムを、第一の接着剤層22側が第二の回路部材3側に向かうように用いて形成され、異方導電フィルムの硬化物とすることができる。この硬化物は、貫通孔を有する絶縁性フィルム20と、貫通孔内に配されており、バンプ電極6と回路電極8との間に介在して両電極を電気的に接続する導電粒子Pとを含むことができる。 The cured product 4 is formed by using, for example, the anisotropic conductive film shown in FIG. 1 so that the first adhesive layer 22 side faces the second circuit member 3 side, and is formed with the cured product of the anisotropic conductive film. can do. This cured product contains an insulating film 20 having a through hole and conductive particles P which are arranged in the through hole and are interposed between the bump electrode 6 and the circuit electrode 8 to electrically connect both electrodes. Can be included.

導電粒子Pは、第二の回路部材3側に偏在した状態となっていてもよく、圧着によって僅かに扁平に変形した状態でバンプ電極6と回路電極8との間に介在している。これにより、バンプ電極6と回路電極8との間の電気的な接続が実現されている。また、隣接するバンプ電極6,6間及び隣接する回路電極8,8間では、導電粒子Pが絶縁性フィルム20によって離間されており、隣接するバンプ電極6,6間及び隣接する回路電極8,8間の電気的な絶縁が実現されている。 The conductive particles P may be unevenly distributed on the side of the second circuit member 3, and are interposed between the bump electrode 6 and the circuit electrode 8 in a state of being slightly flattened by crimping. As a result, an electrical connection between the bump electrode 6 and the circuit electrode 8 is realized. Further, the conductive particles P are separated by the insulating film 20 between the adjacent bump electrodes 6 and 6 and between the adjacent circuit electrodes 8 and 8, and the adjacent bump electrodes 6 and 6 and the adjacent circuit electrodes 8 and 8 are separated from each other. Electrical insulation between the eight is realized.

[接続構造体の製造方法]
図8及び図9は、図7に示した接続構造体の製造工程を示す模式的断面図である。接続構造体1の形成にあたっては、まず、剥離フィルム12が剥離された異方導電フィルム11を、実装面7aと対向するようにして第一の接着剤層22を第二の回路部材3上にラミネートする。次に、図9に示すように、バンプ電極6と回路電極8とが対向するように、異方導電フィルム11がラミネートされた第二の回路部材3上に第一の回路部材2を配置する。そして、異方導電フィルム11を加熱しながら第一の回路部材2と第二の回路部材3とを厚み方向に加圧する。
[Manufacturing method of connection structure]
8 and 9 are schematic cross-sectional views showing a manufacturing process of the connection structure shown in FIG. 7. In forming the connection structure 1, first, the anisotropic conductive film 11 from which the release film 12 has been peeled off is placed so as to face the mounting surface 7a, and the first adhesive layer 22 is placed on the second circuit member 3. Laminate. Next, as shown in FIG. 9, the first circuit member 2 is arranged on the second circuit member 3 on which the anisotropic conductive film 11 is laminated so that the bump electrode 6 and the circuit electrode 8 face each other. .. Then, while heating the anisotropic conductive film 11, the first circuit member 2 and the second circuit member 3 are pressed in the thickness direction.

これにより、異方導電フィルム11に含まれる接着剤成分が流動し、バンプ電極6と回路電極8との距離が縮まって導電粒子Pが噛合した状態で、異方導電フィルム11に含まれる接着剤成分が硬化する。接着剤成分の硬化により、バンプ電極6と回路電極8とが電気的に接続され、かつ隣接するバンプ電極6,6同士及び隣接する回路電極8,8同士が電気的に絶縁された状態で異方導電フィルム11の硬化物4が形成され、図7に示した接続構造体1が得られる。得られた接続構造体1では、異方導電フィルム11の硬化物4によってバンプ電極6と回路電極8との間の距離の経時的変化が充分に防止されると共に、電気的特性の長期信頼性も確保できる。 As a result, the adhesive component contained in the anisotropic conductive film 11 flows, the distance between the bump electrode 6 and the circuit electrode 8 is shortened, and the conductive particles P are meshed with each other, and the adhesive contained in the anisotropic conductive film 11 is engaged. The ingredients cure. Due to the curing of the adhesive component, the bump electrode 6 and the circuit electrode 8 are electrically connected, and the adjacent bump electrodes 6 and 6 and the adjacent circuit electrodes 8 and 8 are electrically insulated from each other. The cured product 4 of the positive electrode film 11 is formed, and the connection structure 1 shown in FIG. 7 is obtained. In the obtained connection structure 1, the cured product 4 of the anisotropic conductive film 11 sufficiently prevents the distance between the bump electrode 6 and the circuit electrode 8 from changing over time, and the long-term reliability of the electrical characteristics is maintained. Can also be secured.

なお、接続時の加熱温度は、硬化剤において重合活性種が発生し、重合モノマーの重合が開始される温度以上であることが好ましい。この加熱温度は、例えば80℃〜200℃であり、好ましくは100℃〜180℃である。また、加熱時間は、例えば0.1秒〜30秒、好ましくは1秒〜20秒である。加熱温度が80℃未満であると硬化速度が遅くなり、200℃を超えると望まない副反応が進行しやすい。また、加熱時間が0.1秒未満では硬化反応が充分に進行せず、30秒を超えると硬化物4の生産性が低下し、さらに、望まない副反応も進みやすい。 The heating temperature at the time of connection is preferably equal to or higher than the temperature at which the polymerization active species is generated in the curing agent and the polymerization of the polymerization monomer is started. This heating temperature is, for example, 80 ° C. to 200 ° C., preferably 100 ° C. to 180 ° C. The heating time is, for example, 0.1 seconds to 30 seconds, preferably 1 second to 20 seconds. If the heating temperature is less than 80 ° C, the curing rate will be slower, and if it exceeds 200 ° C, unwanted side reactions will easily proceed. Further, if the heating time is less than 0.1 seconds, the curing reaction does not proceed sufficiently, and if it exceeds 30 seconds, the productivity of the cured product 4 decreases, and further, an unwanted side reaction tends to proceed.

本実施形態の接続構造体の製造方法によれば、異方導電フィルム11を用いることにより、対向する電極間の接続信頼性と回路部材内の隣り合う電極同士の絶縁性とを両立できる接続構造体を得ることができる。 According to the method for manufacturing a connection structure of the present embodiment, by using the anisotropic conductive film 11, a connection structure capable of achieving both connection reliability between opposing electrodes and insulation between adjacent electrodes in a circuit member can be achieved at the same time. You can get a body.

以下、実施例及び比較例によって、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

[接着剤層の形成]
以下に示す方法で接着剤層をそれぞれ形成した。
[Formation of adhesive layer]
The adhesive layers were formed by the methods shown below.

(接着剤層1)
ジムロート冷却管、塩化カルシウム管、及び攪拌モーターに接続されたポリテトラフルオロエチレン製の攪拌棒を装着した3000mLの3つ口フラスコ中で、4,4’−(9−フルオレニリデン)−ジフェノール45g(シグマアルドリッチジャパン株式会社製)、及び3,3’,5,5’−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル50g(三菱化学株式会社製:YX−4000H)を、N−メチルピロリドン1000mLに溶解して反応液とした。これに炭酸カリウム21gを加え、マントルヒーターで110℃に加熱しながら攪拌した。3時間攪拌後、1000mLのメタノールが入ったビーカーに反応液を滴下し、生成した沈殿物を吸引ろ過することによってろ取した。ろ取した沈殿物を300mLのメタノールで3回洗浄して、フェノキシ樹脂aを75g得た。
(Adhesive layer 1)
45 g of 4,4'-(9-fluorenylidene) -diphenol in a 3000 mL three-necked flask equipped with a Dimroth condenser, a calcium chloride tube, and a stir bar made of polytetrafluoroethylene connected to a stir motor. Sigma Aldrich Japan Co., Ltd.) and 3,3', 5,5'-tetramethylbiphenol diglycidyl ether (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation: YX-4000H) are dissolved in 1000 mL of N-methylpyrrolidone to dissolve the reaction solution. And said. 21 g of potassium carbonate was added thereto, and the mixture was stirred while heating at 110 ° C. with a mantle heater. After stirring for 3 hours, the reaction solution was added dropwise to a beaker containing 1000 mL of methanol, and the generated precipitate was collected by suction filtration. The collected precipitate was washed 3 times with 300 mL of methanol to obtain 75 g of phenoxy resin a.

なお、フェノキシ樹脂aの分子量及び分散度について、下記の条件に従って、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)より測定したところ、標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算で、Mn=15769、Mw=38045、Mw/Mn=2.413であった。
(測定条件)
装置:東ソー株式会社製 GPC−8020
検出器:東ソー株式会社製 RI−8020
カラム:日立化成株式会社製 Gelpack GLA160S+GLA150S
試料濃度:120mg/3mL
溶媒:テトラヒドロフラン
注入量:60μL
圧力:2.94×106Pa(30kgf/cm
流量:1.00mL/min
When the molecular weight and dispersity of the phenoxy resin a were measured by gel permeation chromatography (GPC) according to the following conditions, Mn = 15769, Mw = 38045, Mw in terms of polystyrene using a calibration curve using standard polystyrene. / Mn = 2.413.
(Measurement condition)
Equipment: GPC-8020 manufactured by Tosoh Corporation
Detector: RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation
Column: Gelpack GLA160S + GLA150S manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.
Sample concentration: 120 mg / 3 mL
Solvent: Tetrahydrofuran Injection volume: 60 μL
Pressure: 2.94 x 106 Pa (30 kgf / cm 2 )
Flow rate: 1.00 mL / min

次に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製:jER828)を50質量部、硬化剤として4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを5質量部、及びフィルム形成材としてフェノキシ樹脂aを50質量部、をメチルエチルケトンに溶解、混合し、接着剤ペーストを調製した。 Next, 50 parts by mass of bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation: jER828), 5 parts by mass of 4-hydroxyphenylmethylbenzylsulfonium hexafluoroantimonate as a curing agent, and 50 parts of phenoxy resin a as a film forming material. By mass, was dissolved in methyl ethyl ketone and mixed to prepare an adhesive paste.

得られた接着剤ペーストを、厚み50μmのPET樹脂フィルム上に、コータを用いて塗布し、70℃で5分間熱風乾燥することにより、厚みが0.8μmの接着剤層1を形成した。 The obtained adhesive paste was applied onto a PET resin film having a thickness of 50 μm using a coater, and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes to form an adhesive layer 1 having a thickness of 0.8 μm.

(接着剤層2)
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学社製:jER807)を45質量部、硬化剤として4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを5質量部、フィルム形成材としてビスフェノールA・ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学株式会社製:YP−70)を55質量部、をメチルエチルケトンに溶解、混合し、接着剤ペーストを調製した。
(Adhesive layer 2)
45 parts by mass of bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation: jER807), 5 parts by mass of 4-hydroxyphenylmethylbenzylsulfonium hexafluoroantimonate as a curing agent, and bisphenol A / bisphenol F copolymerized phenoxy as a film forming material. 55 parts by mass of a resin (manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Corporation: YP-70) was dissolved and mixed in methyl ethyl ketone to prepare an adhesive paste.

得られた接着剤ペーストを、厚み50μmのPET樹脂フィルム上に、コータを用いて塗布し、70℃で5分間熱風乾燥することにより、厚みが15μmの接着剤層2を形成した。 The obtained adhesive paste was applied onto a PET resin film having a thickness of 50 μm using a coater, and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes to form an adhesive layer 2 having a thickness of 15 μm.

(接着剤層3)
厚みを0.3μmに変更したこと以外は接着剤層1と同様にして、接着剤層3を形成した。
(Adhesive layer 3)
The adhesive layer 3 was formed in the same manner as the adhesive layer 1 except that the thickness was changed to 0.3 μm.

[絶縁性フィルムの形成]
以下に示す方法で絶縁性フィルムをそれぞれ形成した。
[Formation of insulating film]
Insulating films were formed by the methods shown below.

(絶縁性フィルムA)
ポリビニルブチラール樹脂(積水化学工業製:BL−10)をメチルエチルケトンに溶解した溶液を、易接着フィルムである厚み100μmの易接着処理済みのPET樹脂フィルム(東洋紡績社製;コスモシャインA4100)上に、コータを用いて塗布し、70℃で5分熱風乾燥することにより、厚み2μmの樹脂層を形成した。
(Insulating film A)
A solution of polyvinyl butyral resin (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd .: BL-10) dissolved in methyl ethyl ketone is placed on an easily adhesive-treated PET resin film (manufactured by Toyo Spinning Co., Ltd .; Cosmoshine A4100) having a thickness of 100 μm. The film was applied using a coater and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes to form a resin layer having a thickness of 2 μm.

アクリレートとして、トリ(プロピレングリコール)ジアクリレート(大阪有機化学社製;TPGDA)を100質量部、光ラジカル発生剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイドを52質量部、離型剤として、無溶剤UV硬化型離型剤(信越化学工業社製:KF−2005)を0.5質量部混合し、転写樹脂ペーストを調製した。 As an acrylate, 100 parts by mass of tri (propylene glycol) diacrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Co., Ltd .; TPGDA) and 52 parts by mass of 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide as a photoradical generator are released. As a mold, a solvent-free UV curable mold release agent (manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd .: KF-2005) was mixed in an amount of 0.5 parts by mass to prepare a transfer resin paste.

得られた転写樹脂ペーストを、樹脂層上にコータを用いて塗布し、厚み3μmの転写樹脂層を形成した。この転写樹脂層に、直径3.5μm、高さ4.0μmの円柱状のピラーを、ピッチ6.2μmの六方配列で有するニッケルモールドを樹脂層に押し付けた。次に、波長365nmの紫外線を500mJ照射した後、モールドを離型することで、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を29000個/mmの密度で有する厚さ2.5μmの絶縁性フィルムAを有するエレメントを得た。 The obtained transfer resin paste was applied onto the resin layer using a coater to form a transfer resin layer having a thickness of 3 μm. A nickel mold having columnar pillars having a diameter of 3.5 μm and a height of 4.0 μm in a hexagonal arrangement with a pitch of 6.2 μm was pressed against the transfer resin layer. Next, after irradiating 500 mJ of ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm, the mold is released to have a thickness of 2.5 μm having 29000 circular through holes having a cross-sectional shape of 3.5 μm in diameter at a density of 29000 pieces / mm 2. An element having an insulating film A was obtained.

(絶縁性フィルムB)
転写樹脂層の厚みを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を29000個/mmの密度で有する厚さ2.0μmの絶縁性フィルムBを有するエレメントを得た。
(Insulating film B)
Similar to the formation of the insulating film A, except that the thickness of the transfer resin layer is changed, the thickness is 2.0 μm having circular through holes having a cross-sectional shape of 3.5 μm at a density of 29000 pieces / mm 2. An element having the insulating film B of the above was obtained.

(絶縁性フィルムC)
転写樹脂層の厚みを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を29000個/mmの密度で有する厚さ1.5μmの絶縁性フィルムCを有するエレメントを得た。
(Insulating film C)
Similar to the formation of the insulating film A except that the thickness of the transfer resin layer is changed, the thickness is 1.5 μm, which has 29000 circular through holes having a cross-sectional shape of 3.5 μm in diameter and a density of 2 mm 2. An element having the insulating film C of the above was obtained.

(絶縁性フィルムD)
転写樹脂層の厚み及びニッケルモールドの凸パターンを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径4.5μmの円形である貫通孔を25000個/mmの密度で六方配列した、厚さ1.5μmの絶縁性フィルムDを有するエレメントを得た。
(Insulating film D)
Similar to the formation of the insulating film A, except that the thickness of the transfer resin layer and the convex pattern of the nickel mold were changed, the through holes having a cross-sectional shape of 4.5 μm in diameter were formed at a density of 25,000 / mm 2. An element having a hexagonally arranged insulating film D having a thickness of 1.5 μm was obtained.

(絶縁性フィルムE)
転写樹脂層の厚み及びニッケルモールドの凸パターンを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を10000個/mmの密度で六方配列した、厚さ1.5μmの絶縁性フィルムEを有するエレメントを得た。
(Insulating film E)
Similar to the formation of the insulating film A, except that the thickness of the transfer resin layer and the convex pattern of the nickel mold were changed, through holes having a cross-sectional shape of 3.5 μm in diameter were formed at a density of 10000 / mm 2. An element having a hexagonally arranged insulating film E having a thickness of 1.5 μm was obtained.

(絶縁性フィルムF)
転写樹脂層の厚み及びニッケルモールドの凸パターンを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を5000個/mmの密度で六方配列した、厚さ1.5μmの絶縁性フィルムFを有するエレメントを得た。
(Insulating film F)
Similar to the formation of the insulating film A, except that the thickness of the transfer resin layer and the convex pattern of the nickel mold were changed, the through holes having a cross-sectional shape of 3.5 μm in diameter were formed at a density of 5000 pieces / mm 2. An element having a hexagonally arranged insulating film F having a thickness of 1.5 μm was obtained.

(絶縁性フィルムG)
転写樹脂層の厚みを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を29000個/mmの密度で六方配列した、厚さ1.0μmの絶縁性フィルムGを有するエレメントを得た。
(Insulating film G)
Similar to the formation of the insulating film A, except that the thickness of the transfer resin layer was changed, circular through holes having a cross-sectional shape of 3.5 μm were arranged in a hexagonal manner at a density of 29000 pieces / mm 2. An element having an insulating film G of 1.0 μm was obtained.

(絶縁性フィルムH)
転写樹脂層の厚みを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径3.5μmの円形である貫通孔を29000個/mmの密度で六方配列した、厚さ3.5μmの絶縁性フィルムHを有するエレメントを得た。
(Insulating film H)
Similar to the formation of the insulating film A, except that the thickness of the transfer resin layer was changed, circular through holes having a cross-sectional shape of 3.5 μm were arranged in a hexagonal manner at a density of 29000 pieces / mm 2. An element having an insulating film H of 3.5 μm was obtained.

(絶縁性フィルムI)
転写樹脂層の厚み及びニッケルモールドの凸パターンを変更したこと以外は絶縁性フィルムAの形成と同様にして、断面形状が直径5.0μmの円形である貫通孔を25000個/mmの密度で六方配列した、厚さ1.5μmの絶縁性フィルムIを有するエレメントを得た。
(Insulating film I)
Similar to the formation of the insulating film A, except that the thickness of the transfer resin layer and the convex pattern of the nickel mold were changed, the through holes having a cross-sectional shape of 5.0 μm in diameter were formed at a density of 25,000 / mm 2. An element having a hexagonally arranged insulating film I having a thickness of 1.5 μm was obtained.

[異方導電フィルムの作製] [Manufacturing of anisotropic conductive film]

参考例1)
第一の接着剤層として接着剤層1と、絶縁性フィルムAを有するエレメントとを、ホットロールラミネーターを用いて40℃にて貼り合せた後、絶縁性フィルムAから易接着フィルム及び樹脂層を剥離した。
( Reference example 1)
The adhesive layer 1 as the first adhesive layer and the element having the insulating film A are bonded to each other at 40 ° C. using a hot roll laminator, and then the easy-adhesive film and the resin layer are separated from the insulating film A. It peeled off.

次に、絶縁性フィルムA上に、導電粒子として、ポリスチレンを核とする粒子の表面に厚み0.2μmのニッケル層を設けた導電粒子(平均粒径3.3μm、比重2.5)を散布し、スキージを用いて擦り切りを行い、貫通孔に導電粒子を充填した。続いて、静電クリーナーを用いて貫通孔に充填されなかった導電粒子を取り除いた。 Next, conductive particles (average particle size 3.3 μm, specific gravity 2.5) in which a nickel layer having a thickness of 0.2 μm is provided on the surface of the particles having polystyrene as the core are sprayed on the insulating film A as conductive particles. Then, it was scraped off using a squeegee, and the through holes were filled with conductive particles. Subsequently, the conductive particles that were not filled in the through holes were removed using an electrostatic cleaner.

次に、絶縁性フィルムA上に、接着剤層2をホットロールラミネーターを用いて40℃にて貼り合せることにより、異方導電フィルム1を得た。 Next, the adhesive layer 2 was bonded to the insulating film A at 40 ° C. using a hot roll laminator to obtain an anisotropic conductive film 1.

参考例2〜6)
絶縁性フィルムAを有するエレメントに代えて絶縁性フィルムB〜Fを有するエレメントをそれぞれ用いたこと以外は参考例1と同様にして、異方導電フィルム2〜6をそれぞれ得た。
( Reference Examples 2 to 6)
The anisotropic conductive films 2 to 6 were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the elements having the insulating films B to F were used instead of the elements having the insulating films A.

(実施例7)
接着剤層1に代えて接着剤層3を用いたこと以外は参考例1と同様にして、異方導電フィルム7を得た。
(Example 7)
An anisotropic conductive film 7 was obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the adhesive layer 3 was used instead of the adhesive layer 1.

(比較例1)
導電粒子を充填した後に絶縁性フィルムAを取り除いたこと以外は参考例1と同様にして、異方導電フィルム8を得た。
(Comparative Example 1)
An anisotropic conductive film 8 was obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the insulating film A was removed after filling with the conductive particles.

(比較例2〜4)
絶縁性フィルムAを有するエレメントに代えて絶縁性フィルムG〜Iを有するエレメントをそれぞれ用いたこと以外は参考例1と同様にして、異方導電フィルム9〜11をそれぞれ得た。
(Comparative Examples 2 to 4)
The anisotropic conductive films 9 to 11 were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the elements having the insulating films GI were used instead of the elements having the insulating films A.

[異方導電フィルムの評価]
(充填率)
異方導電フィルム1〜11について、50000μmの範囲の導電粒子数を20か所で実測し、それらの平均値を1mmあたりの導電粒子数に換算した。この1mmあたりの導電粒子数MNと、絶縁性フィルムにおける1mmあたりの貫通孔数MNとから、下記式で表される充填率を計算した。
充填率(%)=(MN/MN)×100
[Evaluation of anisotropic conductive film]
(Filling rate)
For the anisotropic conductive films 1 to 11, the number of conductive particles in the range of 50,000 μm 2 was actually measured at 20 places, and the average value thereof was converted into the number of conductive particles per 1 mm 2. A conductive particle number MN p per this 1 mm 2, and a through-hole number MN H per 1 mm 2 of the insulating film was calculated filling factor represented by the following formula.
Filling rate (%) = (MN p / MN H ) x 100

(単分散率)
異方導電フィルム1〜11について、2500μmの範囲を観察し、導電粒子の総数Ntと、他の導電粒子と離間して存在する導電粒子(単分散状態の導電粒子)の数Nmとを求めた。これらの値から、導電粒子における他の導電粒子と離間して存在する導電粒子の割合(単分散率)を下記式から計算した。
単分散率(%)=(Nm/Nt)×100
(Single dispersion rate)
For the anisotropic conductive films 1 to 11, the range of 2500 μm 2 was observed, and the total number Nt of the conductive particles and the number Nm of the conductive particles (conductive particles in the monodisperse state) existing apart from the other conductive particles were obtained. It was. From these values, the ratio (monodispersity) of the conductive particles existing apart from the other conductive particles in the conductive particles was calculated from the following formula.
Monodispersity (%) = (Nm / Nt) x 100

なお、導電粒子の実測には金属顕微鏡を用いた。結果を以下の表にまとめる。 A metallurgical microscope was used to actually measure the conductive particles. The results are summarized in the table below.

Figure 0006900741
Figure 0006900741

[接続構造体の作製]
第一の回路部材として、バンプ電極を二列で千鳥状に配列したICチップ(外形2mm×20mm、厚み0.3mm、バンプ電極の大きさ70μm×15μm、バンプ電極間距離15μm、バンプ電極厚み15μm)を準備した。また、第二の回路部材として、ガラス基板(コーニング社製:#1737、38mm×28mm、厚み0.3mm)の表面にITOの配線パターン(パターン幅20μm、電極間スペース10μm)を形成したものを準備した。
[Preparation of connection structure]
As the first circuit member, an IC chip in which bump electrodes are arranged in a staggered pattern in two rows (outer diameter 2 mm × 20 mm, thickness 0.3 mm, bump electrode size 70 μm × 15 μm, bump electrode distance 15 μm, bump electrode thickness 15 μm) ) Was prepared. Further, as the second circuit member, an ITO wiring pattern (pattern width 20 μm, space between electrodes 10 μm) formed on the surface of a glass substrate (Corning Inc .: # 1737, 38 mm × 28 mm, thickness 0.3 mm) is formed. Got ready.

参考例1〜6、実施例7及び比較例1〜4に係る異方導電フィルム(2.5mm×25mm)の第一の接着剤層側のPET樹脂フィルムを剥離し、第一の接着剤層側の面をガラス基板上に、セラミックヒータからなるステージ(150mm×150mm)及びツール(3mm×20mm)から構成される熱圧着装置を用いて、80℃、0.98MPa(10kgf/cm)の条件で2秒間加熱及び加圧して貼り付けた。 The PET resin film on the first adhesive layer side of the anisotropic conductive film (2.5 mm × 25 mm) according to Reference Examples 1 to 6, Examples 7 and Comparative Examples 1 to 4 was peeled off, and the first adhesive layer was peeled off. Using a thermocompression bonding device consisting of a stage (150 mm x 150 mm) consisting of a ceramic heater and a tool (3 mm x 20 mm) on a glass substrate with the side surface at 80 ° C., 0.98 MPa (10 kgf / cm 2 ). It was attached by heating and pressurizing for 2 seconds under the conditions.

次に、異方導電フィルムの他方のPET樹脂フィルムを剥離し、ICチップのバンプ電極とガラス基板の回路電極との位置合わせを行った後、セラミックヒータからなるステージ(150mm×150mm)及びツール(3mm×20mm)から構成される熱圧着装置を用いて、異方導電フィルムの実測最高到達温度170℃、及びバンプ電極での面積換算圧力70MPaの条件で5秒間加熱及び加圧して、接続構造体を得た。 Next, the other PET resin film of the anisotropic conductive film is peeled off, the bump electrode of the IC chip and the circuit electrode of the glass substrate are aligned, and then a stage (150 mm × 150 mm) and a tool (150 mm × 150 mm) made of a ceramic heater ( Using a thermocompression bonding device composed of 3 mm x 20 mm), the connection structure is heated and pressurized for 5 seconds under the conditions of the measured maximum reaching temperature of the anisotropic conductive film of 170 ° C. and the area conversion pressure of 70 MPa at the bump electrode. Got

[接続構造体の評価]
参考例1〜6、実施例7及び比較例1〜4の各異方導電フィルムを用いて得られた接続構造体において、バンプ電極と回路電極との間の導電粒子の捕捉率、バンプ電極と回路電極との間の接続抵抗、及び隣接する回路電極間の絶縁抵抗を評価した。
[Evaluation of connection structure]
In the connection structure obtained by using each of the heterogeneous conductive films of Reference Examples 1 to 6, Examples 7 and Comparative Examples 1 to 4, the capture rate of conductive particles between the bump electrode and the circuit electrode, and the bump electrode The connection resistance between the circuit electrodes and the insulation resistance between the adjacent circuit electrodes were evaluated.

(捕捉率)
異方導電フィルム中の1mmあたりの導電粒子数MNと、バンプ電極上の導電粒子数の平均値N(200箇所を測定)及びバンプ電極の面積Sとを求め、下記式で表される補足率を計算した。
捕捉率(%)=[(N/S)/MN]×100
(Capture rate)
The number of conductive particles MN p per 1 mm 2 in the isotropic conductive film, the average value N b (measured at 200 points) of the number of conductive particles on the bump electrode, and the area S of the bump electrode were obtained and expressed by the following formulas. The supplement rate was calculated.
Capture rate (%) = [(N b / S) / MN p ] × 100

(接続抵抗及び絶縁抵抗)
接続抵抗の測定は、四端子測定法にて実施し、14箇所の測定の平均値を求めた。測定にはマルチメータ(ETAC社製:MLR21)を用いた。
接続抵抗の評価は、1.0Ωより小さい場合をA判定、1.0Ω以上2.0Ω未満の場合をB判定、2.0Ω以上の場合をC判定、接続不良が発生した場合をD判定とした。
絶縁抵抗は、得られた接続構造体に50Vの電圧を印加し、計1440か所の回路電極間の絶縁抵抗を一括で測定した。
絶縁抵抗の評価は、10Ωより大きい場合をA判定、10Ω以上10Ω未満の場合をB判定、10Ω未満の場合をC判定、短絡が発生した場合をD判定とした。
(Connection resistance and insulation resistance)
The connection resistance was measured by the four-terminal measurement method, and the average value of the measurements at 14 points was obtained. A multimeter (manufactured by ETAC: MLR21) was used for the measurement.
The evaluation of the connection resistance is A judgment when it is smaller than 1.0Ω, B judgment when it is 1.0Ω or more and less than 2.0Ω, C judgment when it is 2.0Ω or more, and D judgment when a connection failure occurs. did.
For the insulation resistance, a voltage of 50 V was applied to the obtained connection structure, and the insulation resistance between the circuit electrodes at a total of 1440 locations was measured collectively.
The insulation resistance evaluation, a greater than 10 9 Omega A determination, B determines if it is less than or 10 8 Ω 10 9 Ω, C determine if it is less than 10 8 Omega, the event of a short circuit by D determined ..

Figure 0006900741
Figure 0006900741

1…接続構造体、2…第一の回路部材、3…第二の回路部材、4…硬化物、6…バンプ電極、8…回路電極、10…異方導電フィルム(剥離フィルム付)、11…積層体(異方導電フィルム)、12…剥離フィルム、20…絶縁性フィルム、21…貫通孔、22…第一の接着剤層、23…第二の接着剤層、30…易接着フィルム、31…樹脂層、32…転写樹脂層、40…型。
1 ... connection structure, 2 ... first circuit member, 3 ... second circuit member, 4 ... cured product, 6 ... bump electrode, 8 ... circuit electrode, 10 ... anisotropic conductive film (with release film), 11 ... Laminated body (anisotropic film), 12 ... Release film, 20 ... Insulating film, 21 ... Through hole, 22 ... First adhesive layer, 23 ... Second adhesive layer, 30 ... Easy adhesive film, 31 ... resin layer, 32 ... transfer resin layer, 40 ... type.

Claims (9)

第一の接着剤層と、フィルムであってフィルムの厚み方向に延びる貫通孔を有する絶縁性フィルムと、第二の接着剤層と、をこの順に備え、
前記貫通孔内に配されている導電粒子を有し、
前記絶縁性フィルムの厚みが前記導電粒子の粒径の0.4倍以上1.0倍以下であり、
前記絶縁性フィルムの1mmあたりの前記貫通孔の数及び前記導電粒子の数をそれぞれMN及びMNとしたときに、MNが0.9MN以上1.0MN以下であり、
前記第一の接着剤層の厚みが0.1μm以上0.5μm以下である、
異方導電フィルム。
A first adhesive layer, an insulating film which is a film and has through holes extending in the thickness direction of the film, and a second adhesive layer are provided in this order.
It has conductive particles arranged in the through hole and has
The thickness of the insulating film is 0.4 times or more and 1.0 times or less the particle size of the conductive particles.
The number of the through-holes per 1 mm 2 of the insulating film and the number of the conductive particles when the MN H and MN p respectively, MN p is Ri der least 1.0 MN H below 0.9 MN H,
The thickness of the first adhesive layer is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less.
An anisotropic conductive film.
前記絶縁性フィルムの1mmあたりの前記貫通孔の数が5000個以上30000個以下である、請求項1に記載の異方導電フィルム。 The anisotropic conductive film according to claim 1, wherein the number of through holes per 1 mm 2 of the insulating film is 5000 or more and 30,000 or less. 前記導電粒子における他の導電粒子と離間して存在する導電粒子の割合が97%以上である、請求項1又は2に記載の異方導電フィルム。 The anisotropic conductive film according to claim 1 or 2, wherein the ratio of the conductive particles existing apart from the other conductive particles in the conductive particles is 97% or more. 前記導電粒子の平均粒径が2.5μm以上6.0μm以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の異方導電フィルム。 The anisotropic conductive film according to any one of claims 1 to 3, wherein the average particle size of the conductive particles is 2.5 μm or more and 6.0 μm or less. 前記第一の接着剤層の厚みDaと、前記第二の接着剤層の厚みDbとの比Da/Dbが、0.1/10〜0.5/10である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の異方導電フィルム。The ratio Da / Db of the thickness Da of the first adhesive layer to the thickness Db of the second adhesive layer is 0.1 / 10 to 0.5 / 10, according to claims 1 to 4. The anisotropic conductive film according to any one of the above. 第一の電極を有する第一の回路部材と、
前記第一の電極に対応する第二の電極を有する第二の回路部材と、
前記第一の接着剤層側が前記第二の回路部材側に向かう請求項1〜5のいずれか一項に記載の異方導電フィルムの硬化物からなり、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを接着するとともに前記第一の電極と前記第二の電極とを電気的に接続する接続部と、を備える、接続構造体。
The first circuit member with the first electrode and
A second circuit member having a second electrode corresponding to the first electrode, and
The cured product of the anisotropic conductive film according to any one of claims 1 to 5, wherein the first adhesive layer side faces the second circuit member side, and the first circuit member and the second circuit member. A connection structure comprising a connecting portion for adhering the circuit member of the above and electrically connecting the first electrode and the second electrode.
前記第一の電極がバンプ電極であり、前記第二の電極が前記バンプ電極に対応する回路電極である、請求項6に記載の接続構造体。 The connection structure according to claim 6, wherein the first electrode is a bump electrode, and the second electrode is a circuit electrode corresponding to the bump electrode. 第一の電極を有する第一の回路部材と、前記第一の電極に対応する第二の電極を有する第二の回路部材との間に、請求項1〜5のいずれか一項に記載の異方導電フィルムを前記第一の接着剤層側が前記第二の回路部材側に向かうように介在させ、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを熱圧着するステップを有する、接続構造体の製造方法。 The invention according to any one of claims 1 to 5, between the first circuit member having the first electrode and the second circuit member having the second electrode corresponding to the first electrode. A connection having a step of interposing an anisotropic conductive film so that the first adhesive layer side faces the second circuit member side and thermocompression bonding the first circuit member and the second circuit member. Method of manufacturing the structure. 前記第一の電極がバンプ電極であり、前記第二の電極が前記バンプ電極に対応する回路電極である、請求項に記載の接続構造体の製造方法。 The method for manufacturing a connection structure according to claim 8 , wherein the first electrode is a bump electrode, and the second electrode is a circuit electrode corresponding to the bump electrode.
JP2017071202A 2017-03-31 2017-03-31 Growing method of anisotropic conductive film, connection structure and connection structure Active JP6900741B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017071202A JP6900741B2 (en) 2017-03-31 2017-03-31 Growing method of anisotropic conductive film, connection structure and connection structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017071202A JP6900741B2 (en) 2017-03-31 2017-03-31 Growing method of anisotropic conductive film, connection structure and connection structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018174069A JP2018174069A (en) 2018-11-08
JP6900741B2 true JP6900741B2 (en) 2021-07-07

Family

ID=64107505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017071202A Active JP6900741B2 (en) 2017-03-31 2017-03-31 Growing method of anisotropic conductive film, connection structure and connection structure

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6900741B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024136131A (en) * 2023-03-23 2024-10-04 デクセリアルズ株式会社 Filler-containing film, bonded body, and method for producing same
JP2024136125A (en) * 2023-03-23 2024-10-04 デクセリアルズ株式会社 Filler-containing film
JP2024136135A (en) * 2023-03-23 2024-10-04 デクセリアルズ株式会社 Filler-containing film, bonded body, and method for producing same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4838828B2 (en) * 2001-04-27 2011-12-14 旭化成株式会社 Conductive adhesive sheet having anisotropy and method for producing the same
JP4190763B2 (en) * 2001-04-27 2008-12-03 旭化成株式会社 Conductive adhesive sheet having anisotropy and method for producing the same
JP2009076431A (en) * 2007-01-31 2009-04-09 Tokai Rubber Ind Ltd Anisotropic conductive film and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018174069A (en) 2018-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5126233B2 (en) Adhesive composition, circuit connection material using the same, circuit member connection method, circuit connection body, and cured product of adhesive composition
US7645514B2 (en) Curing resin composition, adhesive epoxy resin paste, adhesive epoxy resin sheet, conductive connection paste, conductive connection sheet, and electronic component joined body
JP4789738B2 (en) Anisotropic conductive film
KR101240155B1 (en) Electroconductive particle placement sheet and anisotropic electroconductive film
CN104893655B (en) Adhesive composition, circuit connecting material using same, method for connecting circuit member, and circuit connected body
JP5147048B2 (en) Anisotropic conductive film
KR101078157B1 (en) Conductive particle, adhesive composition, circuit-connecting material, circuit-connecting structure, and method for connection of circuit member
JP6900741B2 (en) Growing method of anisotropic conductive film, connection structure and connection structure
JP5581605B2 (en) Method for producing anisotropic conductive adhesive film
JP6326867B2 (en) Connection structure manufacturing method and connection structure
JP5147049B2 (en) Anisotropic conductive film
JP6535989B2 (en) Method of manufacturing anisotropically conductive film and connection structure
JP5516016B2 (en) Anisotropic conductive adhesive film and manufacturing method thereof
JP5206840B2 (en) Adhesive film for circuit connection, circuit connection structure using the same, and circuit member connection method
WO2008056773A1 (en) Adhesive film, and connection structure and connecting method for circuit member
JP2013214417A (en) Circuit connection material, circuit connection material structure and manufacturing method of circuit connection material structure
JP2011175846A (en) Circuit member connecting adhesive film, and circuit member connecting structure and method of manufacturing the same
JP5682720B2 (en) Anisotropic conductive adhesive film and manufacturing method thereof
JP6705516B2 (en) Method for producing anisotropically conductive film
JP5223946B2 (en) Adhesive film for circuit connection, circuit connection structure using the same, and circuit member connection method
JP2008130588A (en) Electronic device substrate with adhesive composition for semiconductor, electronic device system employing the same, and manufacturing method of the electronic device system
JP7077963B2 (en) Insulation coated conductive particles, anisotropic conductive film, method for manufacturing anisotropic conductive film, connection structure and method for manufacturing connection structure
JP6398416B2 (en) Connection structure manufacturing method and connection structure
JP2008034616A (en) Bonding agent for circuit connection
JP2021089894A (en) Anisotropically conducting film and connection structure

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200303

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210105

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20210304

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210402

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210518

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210531

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6900741

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S801 Written request for registration of abandonment of right

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311801

ABAN Cancellation due to abandonment
R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350