JP6876151B2 - 基板及び基板を使用する方法 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１７年５月２５日に出願された米国仮特許出願第６２／５１１，２４７号の優先権を主張する。これは参照により全体が本願に含まれる。

[0002] 本記載は、基板及びこの基板を使用する方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、集積回路（ＩＣ）のようなデバイスの製造に用いることができる。そのような場合、パターニングデバイス（例えばマスク）が、デバイスの個々の層に対応するパターン（「設計レイアウト」）を含むか又は提供し、このパターンを、パターニングデバイスから、パターンに従ってパターン付与された放射でターゲット部分を照射する等の方法によって、パターンを受ける材料層（「レジスト」）でコーティングされた基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイを含む）上に転写することができる。一般に、単一の基板は複数の隣接したターゲット部分を含み、これらのターゲット部分の１つずつに順次、リソグラフィ装置がパターンを転写する。リソグラフィ装置の１つのタイプでは、パターニングデバイス全体のパターンが１回で１つのターゲット部分に転写される。そのような装置は一般にウェーハステッパと呼ばれる。一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる代替的な装置では、所与の基準方向（「スキャン」方向）と平行又は逆平行に基板を同期的に移動させながら、投影ビームによってパターニングデバイスをこの基準方向にスキャンする。パターニングデバイスのパターンの様々な部分が、徐々に１つのターゲット部分に転写される。一般にこの場合、リソグラフィ投影装置は倍率Ｍ（概ね＜１）を有するので、基板を移動させる速度Ｆは、倍率Ｍに、投影ビームがパターニングデバイスをスキャンする速度を乗算したものである。本明細書に記載されるリソグラフィ装置に関する更なる情報は、参照により全体が本願に含まれるＵＳ６，０４６，７９２号から得ることができる。

[0004] パターニングデバイスから基板へパターンを転写することに先立って、基板に、プライミング、レジストコーティング、及びソフトベーク等の様々な手順を行うことができる。露光後は、基板に、ポストベーク（ＰＥＢ：post-exposure bake）、現像、ハードベーク、及び転写したパターンの測定／検査のような他の手順を施すことができる。この多くの手順は、例えばＩＣのようなデバイスの個々の層を作製するための基礎として用いられる。次いで基板に、エッチング、イオンインプラント（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨、メトロロジ（例えばＳＥＭ）のような、全てデバイスの個々の層を完成させることを目的とする様々な手順を行うことができる。デバイスにおいていくつかの層が必要である場合、それぞれの層で手順全体又はその変形（variant）が繰り返される。最終的には、基板上の各ターゲット部分にデバイスが存在することになる。次いで、これらのデバイスをダイシング又はソーイング等の技法によって相互に分離し、その結果として、個々のデバイスをキャリア上に搭載すること、ピンに接続すること等が可能となる。

[0005] このため、半導体デバイスのようなデバイスの製造は典型的に、多数の製造プロセスを用いて基板（例えば半導体ウェーハ）を処理して、デバイスの様々なフィーチャと、多くの場合は多数の層とを形成することを含む。このような層及び／又はフィーチャは通常、例えば堆積、リソグラフィ、エッチ、化学機械研磨、及びイオンインプラントを用いて製造及び処理される。多数のデバイスを基板の複数のダイに形成し、次いで個々のデバイスに分離することができる。このデバイス製造プロセスはパターニングプロセスと見なすことができる。パターニングプロセスは、リソグラフィ装置を用いた光学リソグラフィ及び／又はナノインプリントリソグラフィ等のパターン転写ステップによって基板上にパターンを提供することを含み、また、典型的にではあるが任意選択的に、例えば現像装置によるレジスト現像、ベークツールを用いた基板のベーク、エッチ装置によるパターンのエッチングのような、１つ以上の関連したパターン処理ステップを含む。更に、パターニングプロセスには１つ以上のメトロロジプロセスが含まれる。

[0006] パターニングプロセスに伴う重大な問題は汚染である。例えば、基板ホルダの基板支持面の汚染によって、基板上の１又は複数のパターンにおける欠陥数が増える可能性がある。汚染が問題となり得る別の例は液浸リソグラフィである。液浸リソグラフィでは、液浸流体を用いて、リソグラフィ装置で使用される投影システムの開口数を増大させる。このため液浸流体は、投影システムの最終要素と基板自体との間で使用され得る。液浸流体は、基板から又は基板上に堆積された層から分離したレジスト又は他の材料の粒子又は薄片（flake）によって汚染されることがある。この液浸流体は、基板の支持面を含む様々な部分に付着する可能性がある。従って、この汚染により、液浸流体を介して基板上に（パターン付与された）放射ビームを正確に投影することが困難になるか又は不可能になる恐れがある。

[0007] 例えば、本明細書で特定されるか他で特定されるかを問わず、従来技術の問題のうち１つ以上を軽減するか又は緩和する、１つ以上の基板及びこの１つ以上の基板を使用する１つ以上の方法を提供することが望ましい。

[0008] 一実施形態では、パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分から汚染を追い出す（dislodge）方法が提供される。この方法は、装置の一部分が装置に取り付けられている間に洗浄基板をこの一部分に接触させることであって、洗浄基板は汚染と化学的に反応するように構成された材料を含む、ことと、材料と汚染との化学反応によって装置の一部分上の汚染を追い出すことと、を含む。

[0009] 一実施形態では、パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分から汚染を追い出すための洗浄基板が提供される。洗浄基板は、パターニングプロセスにおけるデバイス製造用の基板と実質的に対応する大きさ及び形状を有し、汚染と化学的に反応するように構成された材料を含む。一実施形態において、汚染はシリカを含み、化学反応は材料とシリカとの間で生じる。

[0010] 一実施形態では、汚染と化学的に反応するように構成された材料を含む洗浄基板と、パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分が装置に取り付けられている間に洗浄基板をこの一部分に接触させることをコンピュータに実行させるように構成された機械読み取り可能命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品と、を含む組み合わせが提供される。接触の後、材料は汚染と化学的に反応して装置の一部分上の汚染を追い出す。

[0011] 一実施形態では、本明細書に記載されているような方法をプロセッサに実行させるための機械読み取り命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品が提供される。

[0012] 一実施形態では、基板にパターンを適用するためのプロセスにおいて使用される装置が提供される。この装置は、本明細書に記載されているような方法を実行するように、又は本明細書に記載されているような洗浄基板を使用して装置の少なくとも一部分を洗浄するように構成された制御システムを備える。

[0013] 一実施形態では、レジストコート基板にパターンを転写するように配置されたパターン転写システムを備えるリソグラフィ装置と、本明細書に記載されているような非一時的コンピュータプログラム製品と、を備えるシステムが提供される。一実施形態において、リソグラフィ装置は更に、パターン転写システムによって基板に投影される放射ビームを変調するためのパターニングデバイスを保持するように構成された支持構造を備える。

[0014] 本発明の別の特徴及び利点並びに本発明の様々な実施形態の構造及び作用は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者は更なる実施形態を容易に思いつくであろう。

[0015] 実施形態を、添付の図面を参照して、単なる例示として以下に説明する。

[0016] リソグラフィ投影装置の概略図である。 [0017] 別のリソグラフィ投影装置の概略図である。 [0018] 図９の装置の更に詳細な図である。 [0019] 洗浄基板の概略図である。 [0020] 基板テーブルと接触している洗浄基板の概略図である。 [0021] 図５の詳細の概略図である。 [0022] 例示的なコンピュータシステムのブロック図である。

[0023] 実施形態の特徴及び利点は、同様の参照符号が全体を通して対応する要素を識別している図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで、更に明白になろう。図面では一般に、同様の参照番号は同一の要素、機能が類似した要素、及び／又は構造が類似する要素を示す。

[0024] 図１は、本明細書に記載される実施形態と共に使用される例示的なリソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は以下のものを含む。
[0025] 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射）を調節する照明システム（又はイルミネータ）ＩＬ。この特定の事例では、照明システムは放射源ＳＯも含む。
[0026] パターニングデバイスＭＡ（例えばレチクル）を保持するパターニングデバイスホルダが与えられ、要素（item）ＰＬに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第１のポジショナＰＭに接続された第１の構造（例えばパターニングデバイステーブル）ＭＴ。
[0027] 基板Ｗ（例えばレジストコートシリコンウェーハ）を保持する基板ホルダが与えられ、要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２のポジショナＰＷに接続された第２の構造（例えば基板テーブル）ＷＴ。
[0028] パターニングデバイスＭＡの照射部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に結像するように構成された投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば屈折型、反射型、反射屈折型の光学システム）。
[0029] 投影システムＰＬと基板Ｗの一部との間に液浸流体（例えば液体）を少なくとも部分的に保持するように構成された液浸流体閉じ込め構造ＩＨ（時として液浸フードと呼ばれる）。この液浸流体閉じ込め構造ＩＨは任意選択的である（が、小型の構造を作製するためには望ましい）。

[0030] 本明細書で示すように、この装置は透過タイプである（すなわち透過マスクを使用する）。しかしながら一般的に、装置は例えば反射タイプでもよい（反射マスクを使用する）。

[0031] 本文で用いる場合、「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応して、入来する放射ビームにパターン付き断面を与えるため使用できる汎用パターニングデバイスを指すものとして広義に解釈され得る。また、この文脈において「ライトバルブ（light valve）」という用語も使用できる。古典的なマスク（透過型又は反射型マスク、バイナリマスク、位相シフトマスク、ハイブリッドマスク等）以外に、他のそのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイ及び／又はプログラマブルＬＣＤアレイを含む。

[0032] 構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。構造ＭＴは、機械式クランプ、真空式、又は、例えば真空環境下の静電式クランプのような他のクランプ技術を使用することができる。構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよく、パターニングデバイスを例えば投影システムに対して確実に所望の位置に配置できる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0033] 放射源ＳＯ（例えば水銀ランプ又はエキシマレーザ）は放射ビームを生成する。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別々の構成要素であってもよい。図１に関して、放射源ＳＯはリソグラフィ投影装置の筐体内に配置され得ることに留意するべきである（これは、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合に当てはまることが多い）。また、放射源ＳＯをリソグラフィ投影装置から遠隔に配置し、放射源ＳＯが生成する放射ビームを装置に渡すことも可能である（例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを使用する）。後者の状況は、放射源ＳＯがエキシマレーザである（例えばＫｒＦ、ＡｒＦ、又はＦ₂レーザ発振に基づく）場合に当てはまることが多い。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされない。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ぶことができる。

[0034] イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを直接受光するか、又は、例えばビームエキスパンダのような１つ以上の調節デバイスを横断した後に受光する。イルミネータＩＬは、ビームの空間強度分布及び／又は角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＭを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。更に、イルミネータＩＬは一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯのような様々な他のコンポーネントを備えている。イルミネータは、断面において所望の均一性と強度分布を有する調節済み放射ビームＰＢを提供し、これがパターニングデバイスＭＡに入射する。

[0035] 照明システムは、放射ビームを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、及び反射屈折型の光学コンポーネントを含む、様々なタイプの光学コンポーネントも含むことができ、そのようなコンポーネントは以下でまとめて又は単独で「レンズ」と称することができる。

[0036] ビームＰＢは続いて、構造ＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡに遮られる（intercept）。ビームＰＢは、パターニングデバイスＭＡを横断した後に投影システムＰＬを通過する。投影システムＰＬは、例えば任意選択的な液浸流体閉じ込め構造ＩＨによって保持された液浸流体を介して、ビームＰＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる。第２の位置決めデバイスＰＷ（及び位置決め測定デバイス（例えば干渉デバイス）ＩＦ）を使用して、構造ＷＴを、例えば様々なターゲット部分ＣをビームＰＢの経路に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、例えばパターニングデバイスライブラリからのパターニングデバイスＭＡの機械的な取り出し後又はスキャン中に、ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、物体構造ＭＴ、ＷＴの移動は、位置決めデバイスＰＭ及びＰＷの部分を形成する図１に明示されていないロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現できる。しかしながら、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。

[0037] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、適宜、例えば露光放射の使用、あるいは浸漬液の使用又は真空の使用などの他の要因に対する、屈折光学システム、反射光学システム、及び反射屈折システムを含む、様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0038] リソグラフィ装置は、投影システム（及び／又は２つ以上のパターニングデバイス支持構造）の下に２つ（デュアルステージ）以上の可動構造（例えばテーブル）を有するタイプのものであってもよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル（及び／又は支持構造）を並行して使用するか、１つ以上の他のテーブル（及び／又は支持構造）を露光に使用している間に１つ以上のテーブル（及び／又は支持構造）で予備工程を実行することができる。

[0039] リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、基板が比較的高い屈折率を有する液体、例えば水などに液浸されるタイプであってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置の他の空間、例えば、マスクと投影システムの最初の要素との間に適用することもできる。投影システムの開口数を増加させるための液浸技術は、本技術分野で既知である。

[0040] 図示されている装置は、以下のモードのうち１つ以上で使用することができる。

[0041] １．ステップモードでは、構造ＭＴ及び構造ＷＴを基本的に静止状態に維持しながら、ビームＰＢに付与されたパターン全体を１回でターゲット部分Ｃに投影する（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、構造ＷＴをＸ方向及び／又はＹ方向に移動させる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0042] ２．スキャンモードでは、構造ＭＴ及び構造ＷＴを同期的にスキャンしながら、ビームＰＢに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する構造ＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定される。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。このため一実施形態において、構造ＭＴは速度ｖで所与の方向（いわゆる「スキャン方向」、例えばｙ方向）に移動可能であるので投影ビームＰＢにパターニングデバイス像をスキャンさせることになり、これと同時に、構造ＷＴを速度Ｖ＝Ｍｖで同一方向は反対方向に移動させる。ここでＭは投影システムＰＬの倍率である（典型的にＭ＝１／４又は１／５）。このようにして、解像度を損なうことなく比較的大きいターゲット部分Ｃを露光することができる。

[0043] ３．別のモードでは、構造ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持されると共に構造ＷＴを移動又はスキャンさせながら、ビームＰＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後に又はスキャン中の連続した放射パルスと放射パルスとの間に、プログラマブルパターニングデバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。

[0044] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0045] 図２は、本明細書に記載される方法を利用して照明源を最適化することができる別の例示的なリソグラフィ投影装置１０００を概略的に示す。
[0046] リソグラフィ投影装置１０００は、
[0047] ソースコレクタモジュールＳＯと、
[0048] 放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0049] パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0050] 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0051] パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳと、を含む。

[0052] ここに示されるように、装置１０００は反射タイプである（例えば反射型マスクを使用する）。ほとんどの材料はＥＵＶ波長範囲内では吸収性であるので、マスクは、例えばモリブデンとシリコンのマルチスタックを含む多層リフレクタを有し得ることに留意するべきである。一例において、マルチスタックリフレクタは４０層のモリブデンとシリコンの対を有し、各層の厚さは４分の１波長である。Ｘ線リソグラフィを用いて、より短い波長を生成することも可能である。ほとんどの材料はＥＵＶ波長及びｘ線波長では吸収性であるので、パターニングデバイストポグラフィ上のパターン付きの薄い吸収材料片（例えば多層リフレクタの上のＴａＮアブソーバ）によって、フィーチャが印刷される場所（ポジティブレジスト）又は印刷されない場所（ネガティブプリント）を画定する。

[0053] 図２を参照すると、イルミネータＩＬはソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受光する。ＥＵＶ放射を生成する方法は、例えばキセノン、リチウム、又はスズのようなＥＵＶ範囲内に１つ以上の輝線がある少なくとも１つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ：laser produced plasma」）と呼ばれる方法では、線発光元素を有する材料の小滴、流れ、又はクラスタ等の燃料をレーザビームで照射することにより、プラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図２には図示されていない）を含むＥＵＶ放射システムの一部とすることができる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射のような出力放射を放出し、この出力放射はソースコレクタモジュール内に配置された放射コレクタを用いて集光される。例えばＣＯ₂レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザとソースコレクタモジュールは別個の構成要素である可能性がある。

[0054] そのような場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを用いて渡される。その他の場合、例えば放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合は、放射源はソースコレクタモジュールＳＯの一体部分である可能性がある。

[0055] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側半径範囲及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。更に、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス及びファセット瞳ミラーデバイスのような様々な他のコンポーネントも含むことができる。イルミネータを用いて、放射ビームが断面において所望の均一性と強度分布を有するように調節することができる。

[0056] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を使用して、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いて、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。

[0057] 図示のリソグラフィ装置１０００は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0058] １．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。

[0059] ２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。

[0060] ３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0061] リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプとすることができる。このような「マルチステージ」デバイスにおいては、追加のテーブルを並行して使用するか、又は、１つ以上のテーブルを露光に使用している間に１つ以上の他のテーブルで準備ステップを実行することができる。ツインステージリソグラフィ投影装置は、参照によりその全体が本願に含まれるＵＳ５，９６９，４４１号に記載されている。

[0062] 図３は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含む装置１０００を更に詳細に示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、このソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置されている。放電生成プラズマ源によって、ＥＵＶ放射を発するプラズマ２１０を形成することができる。ＥＵＶ放射を生成するには、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気のようなガス又は蒸気によって、極めて高温のプラズマ２１０を生成して、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出させればよい。極めて高温のプラズマ２１０は、例えば放電によって少なくとも部分的に電離したプラズマを生じることにより生成される。効率的な放射発生のために、例えば分圧が１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気、又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気を必要とする場合がある。一実施形態では、励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマを供給してＥＵＶ放射を生成する。

[0063] 高温プラズマ２１０が発した放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ、ソースチャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに位置決めされた任意選択のガスバリア及び／又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも称される）を介して送出される。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含むことができる。汚染トラップ２３０は、ガスバリア、又はガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含んでもよい。本明細書で更に示す汚染物質トラップ又は汚染物質バリア２３０は、少なくとも、当技術分野において既知のチャネル構造を含む。

[0064] コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタとすることができる放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断した放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射して、一点鎖線「Ｏ」で示された光軸に沿って仮想光源点ＩＦに集束させることができる。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と称される。ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２２１に又は開口２２１の近傍に位置するように構成されている。仮想光源点ＩＦは、放射を発するプラズマ２１０の像である。

[0065] この後、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布を与えると共にパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含むことができる。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射されると、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。

[0066] 一般に、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在し得る。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意に存在し得る。更に、図示するよりも多くのミラーが存在する場合があり、例えば投影システムＰＳには、図３に示すものに比べて１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。

[0067] 図３に示すようなコレクタ光学部品ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称配置され、このタイプのコレクタ光学部品ＣＯは、ＤＰＰ放射源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて好適に用いられる。あるいは、ソースコレクタモジュールＳＯをＬＰＰ放射システムの一部とすることも可能である。この場合、レーザが、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）等の燃料にレーザエネルギを与えて、数１０ｅＶの電子温度を有する高度に電離したプラズマを生成するように配置されている。これらのイオンの脱励起及び再結合中に発生した高エネルギ放射がプラズマから放出され、閉鎖構造２２０内でコレクタ光学部品ＣＯによって収集され、開口２２１に集束される。

[0068] 本文ではＩＣの製造に特に言及しているが、本明細書における記載には多くの他の用途があり得ることは明確に理解するべきである。例えばこれは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、ＭＥＭＳ（micro-electro mechanical system）、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造において使用できる。こうした代替的な用途に照らして、本文で「レチクル」、「ウェーハ」、又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「マスク」、「基板」、又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と交換可能であると見なされることは、当業者には認められよう。

[0069] 「マスク」、「レチクル」、「パターニングデバイス」という用語は、本明細書において交換可能に利用されることに留意するべきである。また、リソグラフィシミュレーション／最適化では、物理的なパターニングデバイスが必ずしも使用されるわけでなく、設計レイアウトを用いて物理的なパターニングデバイスを表現することができるので、特にリソグラフィシミュレーション／最適化の文脈では、「マスク」／「パターニングデバイス」及び「設計レイアウト」という用語が交換可能に使用され得ることは当業者には認められよう。

[0070] すでに使用されているリソグラフィ技術は、２０ｎｍ〜５ｎｍの範囲内の波長を用いるＥＵＶ（極端紫外線）リソグラフィを含む（これは、シンクロトロンを用いて、又はこの範囲内の光子を生成するため高エネルギ電子を材料（固体もしくはプラズマのいずれか）に衝突させることによって生成できる）。また、ＤＵＶリソグラフィでは、例えばＡｒＦレーザを用いて約１９３ｎｍの波長を、又はフッ素レーザを用いて約１５７ｎｍの波長を使用することができる。本文書において、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長）及びＥＵＶ（例えば５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する極端紫外線放射）を含む、全てのタイプの電磁放射を包含するように使用される。

[0071] 本明細書に開示される概念はシリコンウェーハ等の基板上での結像のために使用できるが、開示される概念は、例えばインプリントステップ等を用いて、シリコンウェーハ以外の基板上での結像のために使用されるような、任意のタイプのリソグラフィシステムと共に使用できることは理解されよう。

[0072] 本明細書において使用される「投影光学系」という用語は、例えば屈折光学系、反射光学系、アパーチャ、及び反射屈折光学系を含む様々なタイプの光学系を包含するものとして広義に解釈されるべきである。また、「投影光学系」という用語は、放射の投影ビームを誘導、整形、又は制御するため、これらの設計タイプのいずれかに従って集合的に又は単独で動作するコンポーネントを含み得る。「投影光学系」という用語は、リソグラフィ投影装置の光路上のどこに配置されているかにかかわらず、リソグラフィ投影装置内のいかなる光学コンポーネントも含むことができる。投影光学系は、放射源からの放射がパターニングデバイスを経る前にこの放射を整形、調整、及び／又は投影するための光学コンポーネント、及び／又は、放射がパターニングデバイスを経た後にこの放射を整形、調整、及び／又は投影するための光学コンポーネントを含み得る。投影光学系は一般に、放射源及びパターニングデバイスを含まない。

[0073] 上記のように、パターニングプロセスで生じる１つの問題は汚染である。パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分の汚染を軽減すること、可能ならばこれを排除することが望まれている。例えばリソグラフィ装置の要素の汚染を軽減すると、基板上に投影される１又は複数のパターンの欠陥数が減少する可能性がある。基板にパターンを適用するため使用される放射の波長を更に短くすることは、より小さい寸法の汚染がいっそう問題になることを意味する。一実施形態において、具体的な汚染のタイプは、例えば液浸リソグラフィ装置における基板テーブルの表面上のシリカ汚染である。

[0074] 望ましくは、汚染を除去するインシチュ（in-situ）方法が提供される。その理由は、装置内の洗浄のために装置を解体又は開放すること、又は洗浄のために汚染部分を取り外すことよりも、装置をインシチュで洗浄することの方が望ましい場合があるからである。これが望ましい理由のいくつかには、例えば更なる汚染のリスクや、ダウンタイム短縮の可能性等が含まれる。インシチュの除去は、１又は複数の正常動作位置において装置の一部分から汚染を追い出すこと又は除去することを含む。ほぼインシチュの（near in situ）除去は、装置の一部分が装置に取り付けられているが正常動作位置ではない位置（例えば、基板テーブルのための保守位置や、部分的に装置の外装（ｓｈｅｌｌ）外に延出しているか又は処理システム（投影システム等）の下方から変位した装置内の開放位置に位置する正常動作位置外の位置等）で、この一部分から汚染を追い出すこと又は除去することを含む。

[0075] 従って、一実施形態によれば、パターニングプロセスで使用される装置の一部分の汚染を軽減するインシチュ（又はほぼインシチュの）方法は、装置から汚染を除去する及び／又は追い出すため特別に生成された基板を使用することである。このような洗浄基板を、装置（例えば、基板に放射を投影するリソグラフィ装置、コーティングモジュール、オーブン、又はパターニングプロセスで使用される他の任意の装置）内で移動させて、装置の一部の汚染を軽減することができる。

[0076] 一実施形態において、このような基板は、汚染を軽減及び／又は除去する対象である基板に物理的に接触するか、又は汚染物質を引き付けることができ、これによって汚染物質を周囲の環境から抽出する。このような洗浄基板は、液浸流体を使用するリソグラフィ装置において汚染を軽減するため特に有用な場合がある。液浸リソグラフィでは、これに伴うプロセスの性質のため、汚染がより一般的に生じ得る。例えば、図１から、液浸流体閉じ込め構造ＩＨは少なくとも部分的に投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液浸流体を保持することがわかる。少なくとも液浸流体によって、基板Ｗの上側（すなわち、他の層の中でもとりわけレジスト層が設けられた基板Ｗの側）及び装置の他の部分に圧力が加わる。この圧力によって、レジスト及び／又は他の材料の一部が緩むことがあり、はがれ落ちる可能性もある。更に、液浸流体は、基板ホルダ及び／又は液浸フード上のような装置の他の様々な部分に汚染を堆積させて、これらのうち一方又は双方の有効性を低減させる可能性がある。

[0077] 図４は、一実施形態に従った洗浄基板ＣＷを示す。洗浄基板ＣＷは、後述するように層を保持するよう機能するサポート４００を含む。一実施形態において、サポートは、レジスト層で覆われると共に図１のリソグラフィ装置を用いてパターンを付与することができる基板と同一の幅である点で、標準的な基板である。すなわち、洗浄基板ＣＷはリソグラフィで使用される標準的なサイズとすればよい。例えば洗浄基板ＣＷは、直径が約２００ｍｍ、又は直径が約３００ｍｍ、又はリソグラフィ装置で使用される他の任意のサイズの基板とすること、実質的に円筒形の形状とすること、及び／又は約０．５ｍｍ〜約３．５ｍｍの範囲から選択された厚さを有することが可能である。これは、レジスト層が設けられた基板と同様に洗浄基板ＣＷをリソグラフィ装置に装填し、リソグラフィ装置内であちこち移動させることを可能とするためである。サポート４００は、例えばシリコン、クォーツ、金属のような任意の適切な材料から形成できる。

[0078] 図４に戻ると、サポート４００には材料４１０（例えば層の形態）が設けられている。一実施形態において、材料４１０は汚染と化学的に反応するよう設計された化学物質である。すなわち、洗浄基板ＣＷが洗浄対象の装置の一部分に接触して配置されると、材料４１０の化学物質と汚染との間に化学反応が起こって、汚染を追い出すか又は除去することができる。

[0079] 一実施形態において、材料４１０はシリカと反応する化学物質を含む。一実施形態において、この化学物質はシリカと反応して少なくとも部分的にシリカを溶解する。

[0080] 一実施形態において、材料４１０はフッ化アンモニウムを含む。フッ化アンモニウムはシリカを溶解するのに効果的である。一実施形態において、材料４１０は酸化セリウムを含む。酸化セリウムはシリカを追い出すのに効果的である。

[0081] 一実施形態において、材料４１０は液体又は液体の類の形態（例えばペースト）でサポート４００上に塗布される。例えばフッ化アンモニウムは、液体又は液体の類の形態でサポート４００上に塗布することができる。一実施形態において、材料４１０は蒸着によって適用される。例えば酸化セリウムは、蒸着によってサポート４００上に適用することができる。

[0082] 一実施形態において、サポート４００は材料４１０とは異なる材料のものである。一実施形態において、サポート４００は、材料４１０が化学的に反応するよう設計された材料とは異なる材料のものである。例えば材料４１０がシリカと反応するよう設計されている場合、サポート４００は例えばサファイアとすることができる。一実施形態において、サポート４００は任意選択的に保護コーティング４２０を有し得る。一実施形態において、保護コーティング４２０は、サポート４００が材料４１０の化学物質によって有害な影響を受ける恐れがある場合に使用できる。

[0083] 一実施形態において、材料４１０は、汚染と化学的に反応するよう設計された材料を有するか又は保持するポリマーを含む。一実施形態において、その材料は、例えばフッ化アンモニウムのようなシリカと反応する化学物質を含む。一実施形態において、ポリマーは装置の一部分から汚染を除去するように設計され、また一実施形態では、洗浄基板ＣＷ上に汚染を保持するように設計されている。

[0084] 一実施形態において、ポリマーは、フッ化水素酸にさらされた（ｅｘｐｏｓｅｄ）アミン化合物又は官能基を含む。このため一実施形態では、フッ化アンモニウムはポリマーを介して洗浄基板ＣＷに結合している。一実施形態において、アミン化合物又は官能基は以下の形態を有する。

[0085] 一実施形態において、洗浄基板は装置の汚染部分に押圧される。例えば図５に示されているように、基板テーブルＳＴがインシチュ又はほぼインシチュの位置にある間、洗浄基板を基板テーブルに押圧することができる。１つの具体例では、基板テーブルＳＴを装置の処理システムの下方から出して（例えば、基板テーブルＷＴをリソグラフィ装置内の投影システムの下方から移動させて）、洗浄基板を手作業で適用する。インシチュの洗浄ほど理想的ではないが、こういったほぼインシチュの配置は、洗浄を実行するため基板テーブルをスワップする必要があるよりも優れている。図５に示されているように、基板テーブルＳＴは、本体５００と、洗浄基板ＣＷを支持する（更に、通常はデバイスが製造されている基板Ｗも支持する）ための複数の突起５１０と、を含む。洗浄基板ＣＷは、突起５１０のうち１つ以上から汚染を追い出すことを容易にする。図５の破線の四角形Ａ内の詳細が図６に示されている。図６に見られるように、例示的な突起５１０が、この突起５１０上の例えばシリカのような汚染６００と共に図示されている。図６に示すように、洗浄基板ＣＷの材料４１０の化学物質が汚染６００に接触して、汚染６００を追い出す（例えば、汚染６００が突起５１０と強く結合しなくなるよう化学的に変化させる）。次いで、追い出された汚染６００の少なくとも一部を洗浄基板ＣＷによって保持することができる。

[0086] 一実施形態では、デバイス製造処理のため基板を処理するよう設計された装置の基板ハンドラシステムを用いて、洗浄基板を移動させる。これは、洗浄基板の化学物質がデバイス製造のための基板処理に有害な影響を与えるリスクがほとんどないか又は全くない場合に使用できる。これが当てはまるのは、汚染材料が、デバイスが製造される基板を構成するかもしくはこの基板に接触するよう設計された材料ではない場合か、又は、そのような基板の他の処理装置を構成するかもしくは他の処理装置に接触するよう設計された材料でない場合である。一実施形態では、基板ハンドラシステムを用いて、又はデバイス製造処理のため基板を処理するよう設計された装置の別の基板移動システム（例えば移動基板テーブル）によって、基板を汚染部分に接触させて配置する。

[0087] 一実施形態では、デバイス製造処理のため基板を処理するよう設計された装置の基板ハンドラシステムを用いた洗浄基板の移動は行われない。これが当てはまるのは、汚染材料が、デバイスが製造される基板を構成するかもしくはこの基板に接触するよう設計された材料である場合か、又は、そのような基板の他の処理装置を構成するかもしくは他の処理装置に接触するよう設計された材料である場合である。例えば洗浄基板がシリカ汚染を洗浄するよう設計されている場合、装置の基板ハンドラシステムは、シリコン基板を処理する場合は洗浄基板を処理しない可能性がある。

[0088] 一実施形態において、洗浄基板が汚染部分に接触するのは、洗浄基板が汚染と接触していない期間と期間との間の、１５秒〜１０分の範囲から選択された時間期間、３０秒〜５分の範囲から選択された時間期間、又は１〜４分の範囲から選択された時間期間である。すなわち洗浄基板は、無接触の状態から汚染部分に接触し、上記の時間期間が経過すると、汚染部分との接触から外される。一実施形態では、基板は汚染を除去するように設計されているので、汚染部分には後続のプロセスが必要ない場合がある。一実施形態では、洗浄基板と汚染部分との接触以外の後続の処理が実行される。一実施形態において、後続の処理は液体（例えば水）を用いたリンス処理（ｒｉｎｓｉｎｇ）を含む。一実施形態において、以降の処理は汚染部分にガス流を誘導することを含む。

[0089] 一実施形態において、洗浄基板は、汚染部分と少なくとも堅固に接触した状態及びそうでない状態になるように繰り返し適用される（例えば、洗浄基板ＣＷが酸化セリウムを有する場合）。一実施形態では、そのような堅固な接触と接触との間に洗浄基板と汚染部分の相対的な移動が生じ得る（例えば、わずかな回転又は並進）。例えば洗浄基板は、汚染部分と完全に接触した状態及びそうでない状態になるように繰り返し適用することができ、一実施形態では、完全に接触しなくなった場合に洗浄基板と汚染部分との相対的な移動が生じ得る。一実施形態では、このような相対的な移動によって、洗浄基板の一部を、以前に接触した装置の一部分の異なる部分に接触させることができる。別の例として、洗浄基板を汚染部分に堅固に適用し、次いで堅固に接触しないようにする（が、接触状態は保つ）ことで、堅固に接触しなくなった場合に洗浄基板と汚染部分との相対的な変位を可能とする。その場合、洗浄基板ＣＷと汚染部分との相対的な移動によって、汚染部分から汚染を追い出すように及び／又は除去するように材料４１０を汚染部分にこすり付けることができる。一実施形態において、繰り返しは、５分当たり２〜４０回から選択するか、又は５分当たり５〜３０回から選択するか、又は５分当たり１０〜２０回から選択することができる。一実施形態において、洗浄基板は、例えば汚染部分のクランプによって汚染部分に固定することができる。従って一実施形態では、洗浄基板を少なくとも堅固に接触した状態及びそうでない状態にする繰り返しが、汚染の化学的な除去を助ける機械的作用を与える。従って一実施形態では、化学機械研磨（ＣＭＰ）において通常使用されるような粒子スラリを用いることなく、基板コーティングを使用することによって、ＣＭＰタイプの作用が提供される。

[0090] 従って一実施形態では、使用時に洗浄基板ＣＷは、材料４１０を汚染表面に接触させるようにして、リソグラフィ装置及び／又は他のツールを通過することができる。材料４１０をそのような表面に接触させることは、表面及び／又は洗浄基板ＣＷの移動によって、又は、例えばサポート４００及び／又は材料４１０の幅や厚さのような洗浄基板ＣＷのサイズの適切な設計によって達成できる。

[0091] 一実施形態において、洗浄基板ＣＷの材料４１０は、例えば汚染部分表面との接触の実行を助けるため及び／又は機械的作用の提供を助けるための変形可能層を含む。一実施形態において、変形可能層は複数のブラシ又はブラシ状構造（例えばファイバ、撚り（strand）等）を含む。一実施形態において、この層を形成するブラシ、ファイバ、撚り等は、層が実質的に連続した切れ目のない層を形成するように密集している。一実施形態において、基板表面は、密集したブラシ、ファイバ、撚り等と、あまり密集していないブラシ、ファイバ、撚り等の双方の組み合わせを有し得る。一実施形態において、変形可能層はスポンジを含む。一実施形態において、変形可能層はポリ（ビニルアルコール）及び／又はポリウレタンを含む。従って一実施形態では、汚染を変形可能層によって吸収することができ、又は汚染を変形可能層の部分（例えばブラシ、撚り、スポンジの孔等）の上に又はこれらの部分の中間に収容することができる。これに加えて又はこの代わりに、変形可能層は汚染を追い出すことも可能である。追い出された汚染は、液浸流体閉じ込め構造ＩＨによって供給され得る流体で洗い流すことができる。

[0092] 一実施形態において、材料４１０はラフネスを有する。例えば、材料４１０は一連の突起及びくぼみを含む。ラフネス（例えば突起及びくぼみ）は、例えばエッチング、放射への露光、表面を引っかくこと（例えば化学研摩又は機械研磨を用いる）、又は使用する材料に適した任意のプロセスを用いた、いずれかの好都合な方法で形成できる。一実施形態において、ラフネスは材料４１０全体にわたって比較的均一である。一実施形態において、ラフネスの突起及びくぼみの高さと深さは材料４１０全体で様々に異なる場合がある。異なる高さの突起及びくぼみを有することで、汚染部分の特定部分へのアクセスを改善できる。突起の高さ又はくぼみの深さは、突起及び／又はくぼみがそれら自身の汚染を発生させる構造的に不安定なものでないようにしなければならない（例えば、突起又はくぼみはフィーチャの幅の５倍以下でなければならない）。突起及びくぼみのピッチは、突起の幅と隣接するくぼみの幅を足したものとして定義される。ピッチは５０ｎｍ〜１０００ｎｍの間で変動し得る。ピッチは、くぼみ内の汚染の堆積（言い換えると収集）を優先的に促進するように変動させることができる。

[0093] 一実施形態では、液体を用いて洗浄基板ＣＷ及び／又は汚染部分を濡らす。例えば一実施形態では、装置の分配システムによって、液体（例えば超純水のような水）を洗浄基板ＣＷ及び／又は汚染部分に塗布する。一実施形態において、リソグラフィ装置の液浸流体閉じ込め構造ＩＨは、洗浄基板ＣＷ及び／又は汚染部分に液体（例えば水）を供給するように構成されている。一実施形態において、濡れた洗浄基板ＣＷ及び／又は濡れた汚染部分は、洗浄側に酸化セリウムを有する洗浄基板ＣＷと共に用いられる。一実施形態において、濡れた洗浄基板ＣＷ及び／又は濡れた汚染部分は、洗浄側に変形可能層を有する洗浄基板ＣＷと共に用いられる。

[0094] 一実施形態において、材料４１０が適用される洗浄基板の側は、滑らかな仕上げに研摩されるか又は磨かれる（grind）。一実施形態において、材料４１０を有する基板の滑らかな仕上げ面は局所圧力を増大させ、更に汚染除去率を増大させる可能性がある。

[0095] 一実施形態において、洗浄基板ＣＷは、液浸流体閉じ込め構造（例えば図１の液浸流体閉じ込め構造ＩＨ及び投影システムＰＬ）から汚染を除去するために使用される。従って洗浄基板ＣＷは、材料４１０が液浸流体閉じ込め構造の表面と接触するように位置決めされる。液浸流体閉じ込め構造ＩＨの表面（例えば最下面）上の汚染は、液浸流体閉じ込め構造ＩＨに対して洗浄基板ＣＷを移動させて及び／又は洗浄基板ＣＷに対して液浸流体閉じ込め構造ＩＨを移動させて洗浄基板ＣＷを液浸流体閉じ込め構造ＩＨのこの表面に接触させることによって除去できる。一実施形態において、これは、材料４１０を液浸流体閉じ込め構造ＩＨの表面と向かい合わせて洗浄基板ＣＷを基板テーブルＷＴ上に提供することによって容易に実行できる。液浸流体閉じ込め構造ＩＨの表面から汚染を除去することにより、この汚染が追い出されて液浸流体及び／又は投影システムを介して放射に露光されている基板を汚染する可能性を低下させるか又は排除する。

[0096] 使用時に洗浄基板ＣＷが液浸流体閉じ込め構造ＩＨ及び／又は基板テーブルを洗浄するものとして説明したが、この代わりに又はこれに加えて、洗浄基板ＣＷを用いて別の表面を洗浄してもよい。別の表面の洗浄は、液浸流体閉じ込め構造ＩＨ及び／又は基板テーブルの洗浄とほぼ同様に達成できる。すなわち、材料４１０が汚染部分の表面上の汚染と化学的に反応できるように、材料が汚染部分の表面と接触する位置に洗浄基板ＣＷ及び／又は汚染部分を移動させることができる（更に、一実施形態では、洗浄基板ＣＷはその表面から汚染を除去することができる）。

[0097] 洗浄基板ＣＷを用いて汚染部分を洗浄した場合、洗浄基板ＣＷは、後の段階で再使用して同一の汚染部分又は異なる汚染部分を洗浄することができる。再使用の前に、洗浄基板ＣＷは「新鮮な（fresh）」材料４１０を提供するよう処理することができ、及び／又は洗浄基板ＣＷが汚染を除去する場合は洗浄基板ＣＷから汚染を除去するよう処理することができる。使用済み洗浄基板ＣＷの処理は、単に洗浄基板をリンス処理することを含み得る。これに加えて又はこの代わりに、使用済み洗浄基板ＣＷの処理は、サポート４００から材料４１０をはぎ取り、材料層４１０と交換することを含み得る。あるいは、新しい交換洗浄基板を用いてもよい。あるいは、使用済み材料４１０の上に材料層４１０を重ねてもよい。

[0098] 上述の洗浄基板ＣＷは、洗浄基板として専用に使用できる。しかしながら、洗浄基板ＣＷは他の目的及び／又は機能を有することも可能である。例えば上述の洗浄機能性は、通常は基板テーブル温度制御のために又は他の何らかの目的に使用される基板に導入することができる。例えば上述の洗浄特性は、リソグラフィ装置の基板テーブルやパターニングデバイス支持構造等を位置合わせするために使用される基準基板に導入することができる。

[0099] 上述の洗浄基板は任意の適切な時点で使用できることは認められよう。例えば洗浄基板は、レジストで覆われた基板の露光ごとに、露光に先立って使用することができる。しかしながら、スループットに悪影響を及ぼし得るので、これは理想的でない場合がある。レジストで覆われた基板のロット（例えばバッチ）を放射ビームに露光する前に、上述した基板の１つ以上を用いて洗浄プロセスを実行することの方が、より望ましい場合がある。

[00100] すでに述べたように、洗浄基板は、例えば汚染された洗浄基板層をはぎ取ること等を含み得る適切な洗浄の後に再使用することができる。あるいは、洗浄基板を廃棄し、新しい洗浄基板を用いて適用可能装置の一部分を洗浄することも可能である。あるいは、洗浄基板上の既存の汚染層等の上に新しい層等を提供してもよい。

[00101] 一度に又は連続的に、２つ以上の洗浄基板を使用することができる。例えば、１つの洗浄基板を適用可能装置の一部分で用いている時に、別の基板を装置の別の一部分で用いることができる。例えばリソグラフィ装置は、１つの基板テーブルステージを用いて１つの基板を放射に露光しながら、別の基板テーブルステージを用いて別の基板を測定してそのトポグラフィを決定するよう動作できる。洗浄基板を用いて、これら２つのステージ内とその周辺のエリアを洗浄することができる。

[00102] 本明細書に記載される洗浄基板の１つ以上の態様を、単一の基板上で組み合わせて使用してもよい。例えば、洗浄基板はブラシ層とスポンジ層を含むことができ、又は洗浄基板は、ブラシ層と、上述した突起及びくぼみの構成とを含むことができる。更に、本明細書の洗浄基板は主に、基板の一方側に洗浄機能性を有することが示されている。洗浄機能性を基板の１つ以上の他方側に提供して、更なる洗浄を行うこと（例えば、液浸流体閉じ込め構造ＩＨと、液浸流体閉じ込め構造ＩＨを洗浄するため洗浄基板が支持されている基板テーブルＷＴとを同時に洗浄する）、又は、使用後に他の表面が汚染された場合に洗浄のため使用される「きれいな（clean）」表面を与えることも可能である。

[00103] 上記のように、記載される洗浄基板を用いてパターニングプロセス装置の任意の適切な表面を洗浄することができる。洗浄基板は、基板パターニングのフィールド外で使用することも可能である。しかしながら上記の洗浄基板は、基板パターニングにおける使用に適しており、特に、液浸流体が接触する部分の汚染が大きな問題であり、使用する露光波長の縮小と共に今後いっそう深刻な問題となり得る、液浸基板パターニングにおける使用に適している。洗浄基板を用いてリソグラフィで使用される装置を洗浄することの大きな利点は、装置がすでに基板を処理するよう構成されていることである。これは、装置内に更に汚染を侵入させる可能性のある装置の開放や少なくとも部分的な取り外しの必要なく、洗浄基板によって装置を洗浄できることを意味する。

[00104] 従って、一実施形態において、洗浄基板が接触する汚染と化学的に反応するよう設計された化学物質を有する洗浄基板が提供される。一実施形態において、ポリマー層を有する洗浄基板が提供され、ポリマーは、洗浄基板が接触する汚染と化学的に反応するよう設計された化学物質を内部に有するか又は保持する。一実施形態において、化学物質はフッ化アンモニウムを含む。一実施形態において、化学物質は酸化セリウムを含む。一実施形態において、洗浄基板は、装置の一部分からシリカ汚染を追い出すか又は除去するためシリカと化学的に反応するよう設計されている。一実施形態において、本明細書に記載されるような洗浄基板を用いて汚染部分を洗浄する方法が提供される。一実施形態において、本明細書に記載されるような方法を実行するよう構成された制御システムを有する装置が提供される。

[00105] 一実施形態では、パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分から汚染を追い出す方法が提供される。この方法は、装置の一部分が装置に取り付けられている間に洗浄基板をこの一部分に接触させることであって、洗浄基板は汚染と化学的に反応するように構成された材料を含む、ことと、材料と汚染との化学反応によって装置の一部分上の汚染を追い出すことと、を含む。

[00106] 一実施形態において、汚染はシリカを含み、化学反応は材料とシリカとの間で生じる。一実施形態において、材料はフッ化アンモニウムを含む。一実施形態において、材料は酸化セリウムを含む。一実施形態において、材料はポリマーを含む。一実施形態において、ポリマーは、フッ化水素酸にさらされたアミン化合物又は官能基を含む。一実施形態において、方法は更に、洗浄基板と装置の一部分との相対的な移動を行って装置の一部分から汚染を追い出すことを含む。一実施形態において、相対的な移動を行うことは、洗浄基板と装置の一部分を繰り返し接触させること及び接触させないことと、洗浄基板が装置の一部分と接触していないいくつかの時間期間の間、洗浄基板を変位又は回転させて、洗浄基板の一部を以前に接触したのとは異なる装置の一部分の部分と接触させることと、を含む。一実施形態において、方法は更に、洗浄基板を用いて装置から追い出した汚染を除去することを含む。一実施形態において、洗浄基板は、レジストが適用されている基板と実質的に同じ寸法を有する。一実施形態において、方法は、洗浄基板が一部分と接触していない連続した期間と期間との間の、１５秒〜１０分の範囲から選択された時間期間、３０秒〜５分の範囲から選択された時間期間、又は１〜４分の範囲から選択された時間期間、洗浄基板を一部分に接触させることを含む。一実施形態において、方法は更に、洗浄基板及び／又は洗浄基板が接触する装置の一部分を濡らすことを含む。

[00107] 一実施形態では、パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分から汚染を追い出すための洗浄基板が提供される。洗浄基板は、パターニングプロセスにおけるデバイス製造用の基板と実質的に対応する大きさ及び形状を有し、汚染と化学的に反応するように構成された材料を含む。一実施形態において、汚染はシリカを含み、化学反応は材料とシリカとの間で生じる。一実施形態において、材料はフッ化アンモニウムを含む。一実施形態において、材料は酸化セリウムを含む。一実施形態において、材料はポリマーを含む。一実施形態において、ポリマーはフッ化水素酸にさらされたアミン化合物又は官能基を含む。

[00108] 一実施形態では、汚染と化学的に反応するように構成された材料を含む洗浄基板と、パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分が装置に取り付けられている間に洗浄基板を一部分に接触させることをコンピュータに実行させるように構成された機械読み取り可能命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品と、を含む組み合わせが提供される。接触の後、材料は汚染と化学的に反応して装置の一部分上の前記汚染を追い出す。

[00109] 図７は、本明細書に開示される方法及びフローの実施を支援することができるコンピュータシステム１００を示すブロック図である。コンピュータシステム１００は、情報を伝達するためのバス１０２又は他の通信機構、及び、情報を処理するためバス１０２と結合されたプロセッサ１０４（又は複数のプロセッサ１０４及び１０５）を含む。また、コンピュータシステム１００は、情報及びプロセッサ１０４によって実行される命令を記憶するための、バス１０２に結合されたランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他の動的ストレージデバイス等のメインメモリ１０６も含む。メインメモリ１０６は、プロセッサ１０４によって実行される命令の実行中に一時変数又は他の中間情報を記憶するためにも使用され得る。コンピュータシステム１００は更に、プロセッサ１０４用の静的情報及び命令を記憶するための、バス１０２に結合された読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）１０８又は他の静的ストレージデバイスも含む。磁気ディスク又は光ディスク等の記憶デバイス１１０が、情報及び命令を記憶するために提供され、バス１０２に結合されている。

[00110] コンピュータシステム１００は、バス１０２を介して、コンピュータユーザに情報を表示するための陰極線管（ＣＲＴ）又はフラットパネルディスプレイ又はタッチパネルディスプレイ等のディスプレイ１１２に結合することができる。英数字キー及び他のキーを含む入力デバイス１１４が、プロセッサ１０４に情報及びコマンド選択を伝達するためバス１０２に結合されている。プロセッサ１０４に方向情報及びコマンド選択を伝達するため、並びにディスプレイ１１２上でのカーソル移動を制御するための、別のタイプのユーザ入力デバイスが、マウス、トラックボール、又はカーソル方向キー等のカーソル制御１１６である。この入力デバイスは典型的に、２軸、すなわち第１の軸（例えばｘ）及び第２の軸（例えばｙ）の２自由度を有し、デバイスが面内で位置を指定することを可能とする。また、タッチパネル（スクリーン）ディスプレイも入力デバイスとして使用され得る。

[00111] 一実施形態に従って、本明細書に記載されるプロセスの部分は、プロセッサ１０４がメインメモリ１０６に含まれる１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行することに応答して、コンピュータシステム１００によって実行することができる。そのような命令は、ストレージデバイス１１０のような別のコンピュータ読み取り可能媒体からメインメモリ１０６に読み取ることができる。メインメモリ１０６に含まれる命令のシーケンスの実行によって、プロセッサ１０４は本明細書に記載されるプロセスステップを実行する。また、メインメモリ１０６に含まれる命令のシーケンスを実行するため、マルチプロセッシング構成の１つ以上のプロセッサも使用され得る。代替的な実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに又はソフトウェア命令と組み合わせてハードワイヤード回路を使用できる。従って、本明細書の記載は、ハードウェア回路及びソフトウェアのいかなる特定の組み合わせにも限定されない。

[00112] 本明細書で用いる場合、「コンピュータ読み取り可能媒体」という用語は、プロセッサ１０４に実行用の命令を提供することに関与する任意の媒体を指す。そのような媒体は、限定ではないが、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む多くの形態をとり得る。不揮発性媒体は、例えばストレージデバイス１１０のような光ディスク又は磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ１０６のような動的メモリを含む。伝送媒体は、バス１０２を構成するワイヤを含む同軸ケーブル、銅線、及び光ファイバを含む。伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）及び赤外（ＩＲ）データ通信中に発生したもの等、音波又は光波の形態もとり得る。コンピュータ読み取り可能媒体の一般的な形態は、例えばフロッピーディスク、可撓性ディスク、ハードディスク、磁気テープ、他の任意の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、他の任意の光媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを有する任意の他の物理的な媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ−ＥＰＲＯＭ、他の任意のメモリチップもしくはカートリッジ、後述するような搬送波、又はコンピュータが読み取ることができる他の任意の媒体を含む。

[00113] 様々な形態のコンピュータ読み取り可能媒体は、１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行のためプロセッサ１０４へ伝送することに関与し得る。例えば、命令は、最初はリモートコンピュータの磁気ディスク上に担持されている場合がある。リモートコンピュータは、命令をその動的メモリにロードし、モデムを使用して電話線で命令を送信することができる。コンピュータシステム１００にローカルなモデムは、電話線でデータを受信し、赤外線送信器を用いてデータを赤外線信号に変換することができる。バス１０２に結合された赤外線検出器は、赤外信号内で伝送されたデータを受信し、データをバス１０２に乗せることができる。バス１０２はデータをメインメモリ１０６に伝送し、ここからプロセッサ１０４は命令を検索し実行する。メインメモリ１０６が受信した命令は、任意選択的に、プロセッサ１０４による実行の前又は後にストレージデバイス１１０に記憶してもよい。

[00114] コンピュータシステム１００は好ましくは、バス１０２に結合された通信インタフェース１１８も含む。通信インタフェース１１８は、ローカルネットワーク１２２に接続されたネットワークリンク１２０に対する双方向データ通信結合を提供する。例えば通信インタフェース１１８は、対応するタイプの電話線にデータ通信接続を提供するための総合デジタル通信網（ＩＳＤＮ：integrated services digital network）カード又はモデムとすればよい。別の例として、通信インタフェース１１８は、コンパチブルなＬＡＮにデータ通信接続を提供するためのローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードとすればよい。ワイヤレスリンクを実装することも可能である。任意のそのような実装において、通信インタフェース１１８は、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを伝送する電気信号、電磁信号、又は光信号を送信及び受信する。

[00115] ネットワークリンク１２０は、典型的に、１つ以上のネットワークを介した他のデータデバイスに対するデータ通信を提供する。例えばネットワークリンク１２０は、ローカルネットワーク１２２を介したホストコンピュータ１２４に対する接続、又はインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１２６によって動作されるデータ機器に対する接続を提供し得る。ＩＳＰ１２６は、今日では一般に「インターネット」１２８と呼ばれる世界的なパケットデータ通信ネットワークを介してデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク１２２及びインターネット１２８は双方とも、デジタルデータストリームを伝送する電気信号、電磁信号、又は光信号を使用する。様々なネットワークを介した信号、及びコンピュータシステム１００との間でデジタルデータを伝送する通信インタフェース１１８を介したネットワークリンク１２０上の信号は、情報を輸送する搬送波の例示的な形態である。

[00116] コンピュータシステム１００は、１又は複数のネットワーク、ネットワークリンク１２０、及び通信インタフェース１１８を介して、メッセージを送信すると共にプログラムコードを含むデータを受信することができる。インターネットの例では、サーバ１３０は、インターネット１２８、ＩＳＰ１２６、ローカルネットワーク１２２、及び通信インタフェース１１８を介して、アプリケーションプログラムについて要求されたコードを送信できる。１つのそのようなダウンロードされたアプリケーションは、例えば実施形態の照明最適化を提供することができる。受信されたコードは、受信された状態でプロセッサ１０４によって実行され、及び／又は、後に実行するためストレージデバイス１１０もしくは他の不揮発性ストレージに記憶され得る。このように、コンピュータシステム１００は、搬送波の形態のアプリケーションコードを取得できる。

[00117] 以上、本開示の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本開示を実施できることは認められよう。例えば本開示は、上記に開示したような方法を記述する機械読み取り可能命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又は、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータストレージ媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、又は光ディスク）の形態をとることができる。

[00118] ブロック図において、図示されるコンポーネントは離散的な機能ブロックとして示されているが、実施形態は、本明細書に記載される機能性が図示のように組織化されているシステムに限定されない。各コンポーネントによって提供される機能性は、ここに図示したものとは異なるように組織化されたソフトウェア又はハードウェアモジュールによって提供され得る。例えば、そのようなソフトウェア又はハードウェアは、混合するか、結合するか、複製するか、分割するか、分散させる（例えばデータセンタ内で又は地理的に）か、又は他の異なるやり方で組織化され得る。本明細書に記載される機能性は、タンジブルな非一時的機械読み取り可能媒体に記憶されたコードを実行する１つ以上のコンピュータの１つ以上のプロセッサによって提供することができる。場合によっては、第三者のコンテンツ送出ネットワークが、ネットワーク上で伝送される情報の一部又は全てをホストすることができる。その場合、情報（例えばコンテンツ）が供給されるか又は他の方法で提供されると言われる範囲で、命令を送信してコンテンツ送出ネットワークから情報を検索することによって、その情報を提供することができる。

[00119] 特に明記しない限り、ここでの検討から明らかであるように、本明細書全体を通して、「処理する」、「計算する（computing）」、「計算する（calculating）」、「決定する」等の用語を用いた検討は、特殊用途コンピュータ又は同様の特殊用途電子処理／コンピューティングデバイスのような特定の装置のアクション又はプロセスを指すことは認められよう。

[00120] 読者は、本出願がいくつかの発明を記載していることを認めるべきである。出願人らは、それらの発明を複数の個別の特許出願に分離するのではなく単一の文書にまとめた。これは、関連する主題が出願プロセスの経済性のために役立つからである。しかしながら、そのような発明の別々の利点及び態様は一つに合成するべきではない。場合によっては、実施形態は本明細書に記した欠点の全てに対処するが、発明がそれぞれ独立して有用であること、及び、いくつかの実施形態がそのような問題のサブセットにのみ対処すること、又は本開示を検討する当業者には明らかである他の言及されていない利点を提供することは理解されよう。コストの制約のため、本明細書に開示されるいくつかの発明はここでは特許請求されず、継続出願のような後の出願において又は本発明の特許請求項を補正することによって特許請求される可能性がある。同様に、スペースの制約のため、本文書の「要約」セクションも「発明の概要」セクションも、全てのそのような発明又はそのような発明の全ての態様の包括的な列挙を含むものとして解釈すべきではない。

[00121] 記載及び図面は、開示される特定の形態に本発明を限定することは意図しておらず、反対に、本発明は、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の精神及び範囲内に該当する全ての変更、均等物（equivalents）、及び代替を包含することは理解されよう。

[00122] 本発明の様々な態様の変更及び代替的な実施形態は、本記載を考慮することで当業者には明らかとなろう。従って、本記載及び図面は単に例示としてのみ解釈されるものであり、本発明を実行する一般的な方法を当業者に教示する目的のためのものである。本明細書に図示され記載される本発明の形態は、実施形態の例と見なされることは理解されよう。要素及び材料は本明細書に図示され記載されるものと置換することができ、部分及びプロセスは逆転させるか又は省略することができ、いくつかの特徴（feature）は独立して利用することができ、実施形態又は実施形態の特徴は組み合わせることができる。これらは全て、本発明の本記載の利点を得た後で当業者に明らかとなろう。以下の特許請求の範囲に記載される本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、本明細書に記載される要素に変更を加えることができる。本明細書で使用される見出しは、単に整理する目的のためのものであり、本記載の範囲を限定するため使用することは意図していない。

[00123] 本出願全体を通して、「することができる（may）」という語が用いられる場合、強制的な意味（すなわち「〜しなければならない」を意味する）のではなく、許可の意味で用いられる（すなわち「〜する可能性を有する」を意味する）。「含む（include）」、「含んでいる（including）」、及び「含む（includes）」等の語は、限定ではないが、含んでいる（including）を意味する。本出願全体を通して、単数形「a（１つの）」、「an（１つの）」、「the（その）」が用いられる場合は、文脈上明らかに他の意味が示される場合を除いて、複数形を含む。従って、例えば「１つの（an）」要素又は「１つの（a）」要素に対する言及は、「１つ以上」のような１つ以上の要素についての他の用語及び句が使用されるとしても、２つ以上の要素の組み合わせを含む。「又は（or）」という用語は、他の指示がない限り、非排他的である、すなわち「及び（and）」と「又は（or）」の双方を包含する。条件関係を記述する用語、例えば「Ｘ、Ｙに応じて」、「Ｘ、Ｙの時」、「Ｘ、Ｙであるならば」、「Ｘ、Ｙである場合」等は、前件（antecedent）が後件（consequent）の必要因果条件であるか、前件が充分因果条件であるか、又は前件が寄与因果条件である因果条件を包含する。例えば、「状態Ｘは条件Ｙが確立した時に発生する」は、「ＸはＹの時にのみ発生する」及び「ＸはＹ及びＺの時に発生する」に対して包括的である（generic）。そのような条件関係は、前件が確立した直後に生じる結果に限定されない。いくつかの結果は遅れることがある。条件文において、前件はそれらの後件に接続されている。例えば、前件は後件が発生する可能性に関連している。複数の属性又は関数が複数のオブジェクトにマッピングされている記述（statement）（例えば、１つ以上のプロセッサがステップＡ、Ｂ、Ｃ、及びＤを実行する）は、他の指示がない限り、全てのそのようなオブジェクトにマッピングされた全てのそのような属性又は関数と、属性又は関数のサブセットにマッピングされた属性又は関数のサブセットとの双方を包含する（例えば、全てのプロセッサの各々がステップＡからＤを実行する場合と、プロセッサ１がステップＡを実行し、プロセッサ２がステップＢ及びステップＣの一部を実行し、プロセッサ３がステップＣの一部及びステップＤを実行する場合の双方）。更に、他の指示がない限り、１つの値又はアクションが別の条件又は値「に基づいている」という記述は、その条件又は値が唯一の要因である例と、その条件又は値が複数の要因のうちの１つの要因である例の双方を包含する。他の指示がない限り、ある集合の「各（each）」インスタンスがある特性を有するという記述は、より大きい集合内のいくつかの他の点で同一の又は同様のメンバがその特性を持たない事例を除外すると解釈するべきではない。すなわち、各（each）は必ずしも、あらゆるもの（each and every）を意味するわけではない。

[00124] いくつかの米国特許、米国特許出願、又は他の資料（例えば論文）が参照により含まれている範囲において、そのような米国特許、米国特許出願、及び他の資料の文章は、そのような資料と本明細書で述べられた記述及び図面との間に抵触（conflict）が存在しない範囲で参照によって含まれるのみである。そのような抵触が生じた場合、そのような参照により含まれる米国特許、米国特許出願、及び他の材料における抵触する文章は、特に、本明細書に参照により含まれない。

[00125] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (19)

1. パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分から汚染を追い出す方法であって、
   前記装置の前記一部分が前記装置に取り付けられている間に洗浄基板を前記一部分に接触させることであって、前記洗浄基板は前記汚染と化学的に反応するように構成された材料を含む、ことと、
   前記材料と前記汚染との化学反応によって前記装置の前記一部分上の汚染を追い出すことと、
   を含み、
   前記汚染はシリカを含み、前記化学反応は前記材料とシリカとの間で生じる、
   方法。
2. 前記材料はフッ化アンモニウムを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記材料は酸化セリウムを含む、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記材料はポリマーを含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
5. 前記ポリマーはフッ化水素酸にさらされたアミン化合物又は官能基を含む、請求項４に記載の方法。
6. 前記洗浄基板と前記装置の前記一部分との相対的な移動を行って前記装置の前記一部分から汚染を追い出すことを更に含む、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
7. 前記相対的な移動を行うことは、前記洗浄基板と前記装置の前記一部分を繰り返し接触させること及び接触させないことと、前記洗浄基板が前記装置の前記一部分と接触していないいくつかの時間期間の間、前記洗浄基板を変位又は回転させて、前記洗浄基板の一部を以前に接触したのとは異なる前記装置の前記一部分の一部と接触させることと、を含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記洗浄基板を用いて前記装置から前記追い出した汚染を除去することを更に含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
9. 前記洗浄基板は、レジストが適用されている基板と実質的に同じ寸法を有する、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
10. 前記洗浄基板が前記一部分と接触していない連続した期間と期間との間の、１５秒から１０分の範囲から選択された時間期間、３０秒から５分の範囲から選択された時間期間、又は１から４分の範囲から選択された時間期間、前記洗浄基板を前記一部分に接触させることを含む、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
11. 前記洗浄基板及び／又は前記洗浄基板が接触する前記装置の前記一部分を濡らすことを更に含む、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
12. パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分から汚染を追い出すための洗浄基板であって、前記パターニングプロセスにおけるデバイス製造用の基板と実質的に対応する大きさ及び形状を有し、前記汚染と化学的に反応するように構成された材料を含み、前記汚染はシリカを含み、前記化学反応は前記材料とシリカとの間で生じる、洗浄基板。
13. 前記材料はフッ化アンモニウムを含む、請求項１２に記載の洗浄基板。
14. 前記材料は酸化セリウムを含む、請求項１２又は１３に記載の洗浄基板。
15. 前記材料はポリマーを含む、請求項１２から１４のいずれかに記載の洗浄基板。
16. 前記ポリマーはフッ化水素酸にさらされたアミン化合物又は官能基を含む、請求項１５に記載の洗浄基板。
17. 基板にパターンを適用するためのプロセスにおいて使用される装置であって、請求項１から１１のいずれかに記載の方法を実行するように、又は請求項１２から１６のいずれかに記載の洗浄基板を使用して前記装置の少なくとも一部分を洗浄するように構成された制御システムを備える装置。
18. 請求項１から１１のいずれかに記載の方法をプロセッサに実行させるための機械読み取り命令を含む非一時的コンピュータプログラム。
19. 汚染と化学的に反応するように構成された材料を含む、請求項１２から１６のいずれかに記載の洗浄基板と、
    パターニングプロセスにおいて使用される装置の一部分が前記装置に取り付けられている間に前記洗浄基板を前記一部分に接触させることをコンピュータに実行させるように構成された機械読み取り可能命令を含む非一時的コンピュータプログラムと、を含む組み合わせであって、前記接触の後、前記材料は前記汚染と化学的に反応して前記装置の前記一部分上の前記汚染を追い出す、組み合わせ。
    

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