JP6853119B2 - Elastic wave element - Google Patents
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- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 58
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 24
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000002372 labelling Methods 0.000 claims description 15
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- -1 and for example Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
本発明は、弾性波素子に関する。 The present invention relates to elastic wave devices.
通信機器に使用されるフィルタとして弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)素子等の弾性波素子が広く用いられている。通常、弾性波素子には素子を認識するためのレーザー加工によるマーキング(刻印)が必要である。 As a filter used in a communication device, an elastic wave element such as a surface acoustic wave (SAW) element is widely used. Usually, the elastic wave element needs to be marked by laser processing to recognize the element.
ここで、弾性波素子をウエハーレベルパッケージ(WLP)として製造する場合には、圧電基板の裏面側にレーザーで刻印することとなるが、圧電基板は透光性が高いためにレーザーで視認可能な刻印が行なうことが困難であった。そこで、特許文献1にはWLP型の弾性波素子において圧電基板の裏面に可視光の透過率が圧電基板より小さい材料からなる絶縁膜を成膜し、そこに刻印する技術が開示されている。
Here, when the elastic wave element is manufactured as a wafer level package (WLP), the back surface side of the piezoelectric substrate is engraved with a laser. However, since the piezoelectric substrate has high translucency, it can be visually recognized by the laser. It was difficult to engrave. Therefore,
近年、弾性波素子の取り扱いをさらに容易とするために、より簡易な構成で明瞭に視認可能な刻印が付された弾性波素子の提供が求められている。 In recent years, in order to make the handling of elastic wave elements easier, it has been required to provide elastic wave elements having a simpler configuration and clearly visible markings.
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、明瞭に視認可能な刻印を付した弾性波素子を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an elastic wave element with a clearly visible marking.
本開示の弾性波素子は、基板と、前記基板の第1の面に設けられた弾性波を励振する励振電極と、前記励振電極を覆うようにして前記第1の面に接合されたカバーと、前記カバーに接して配置され、前記カバーよりも可視光の透過率が低い材料からなる挿入層と、を備え、平面視で、前記挿入層の外縁よりも内側において、可視光に対する透過率が周囲と異なる標識部を備えるものである。 The elastic wave element of the present disclosure includes a substrate, an excitation electrode provided on the first surface of the substrate for exciting elastic waves, and a cover joined to the first surface so as to cover the excitation electrode. An insertion layer made of a material that is arranged in contact with the cover and has a lower visible light transmittance than the cover, and has a transmittance for visible light inside the outer edge of the insertion layer in a plan view. It is equipped with a sign section different from the surroundings.
上記構成によれば、明瞭に視認可能な刻印を付した弾性波素子を提供することができる。 According to the above configuration, it is possible to provide an elastic wave element with a clearly visible marking.
以下、本開示の弾性波素子の一例を図面を用いて詳細に説明する。この例では、弾性波素子の一例としてSAWを用いたSAW素子を例に説明する。 Hereinafter, an example of the elastic wave element of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In this example, a SAW element using a SAW will be described as an example of a surface acoustic wave element.
図1は、本開示に係るSAW素子1の上面図であり、図2は、図1のII−II線における断面図である。なお、図1において、挿入層60の形状を確認可能なように上部に位置する一部の層の表示を省略している。言い換えると、図1は、図2のI―I線における断面図を示していると言える。
FIG. 1 is a top view of the
SAW素子1は、基板10と、基板10の第1の面10Aに設けられた励振電極30と、第1の面10Aに配置され、励振電極30を外部回路に電気的に接続するための接続線40と、励振電極30が収容される空間51を有し、第1の面10Aに設けられるカバー50と、カバー50に接する挿入層60と、接続線40に電気的に接続され、カバー50の上面まで導出された外部接続用電極70とを備える。
The
基板10は、この例では圧電材料からなり、例えば、タンタル酸リチウム(LiTaO3)結晶からなる圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。具体的には、基板10は、36°〜48°Yカット−X伝播のLiTaO3基板(以下、LT基板という)によって構成されている。
The
基板10の厚みは、一定であり、例えば10μm〜300μm程度としてもよい。なお、この例ではLT基板単体で基板10を構成しているが、基板10は積層体としてもよい。例えば、厚みが弾性波の波長比で0.2λ〜10λの薄LT基板と、その下面に設けた支持基板との積層体としてもよい。支持基板としては、例えば、サファイア基板、シリコン基板、有機基板等を例示できる。
The thickness of the
励振電極30は、例えば、一対の櫛歯状電極からなる共振子を構成している。櫛歯電極は、複数の電極指を備えている。そして、一方の電位に接続された電極指と他方の電位に接続された電極指とを互い違いに交差するように配列されており、この電極指の配列方向に沿ってSAWが伝搬する。
The
励振電極30を構成する材料としては、Al−Cu合金等を例示できる。厚みは、SAWの励振効率や、LT基板との電気機械結合係数等を考慮して決定されるが、例えば、SAWの波長の8%程度とすればよい。
Examples of the material constituting the
そして、励振電極30は、これに電気的に接続された接続線40により、外部接続用電極70と電気的に接続される。接続線30は、励振電極30と同一材料・同一工程により製造してもよいし、電気抵抗を考慮して、励振電極30に比べ膜厚を厚くしたり、導電性の高い材料を用いたりして形成してもよい。
Then, the
このような励振電極30が形成された領域を保護するように、カバー50が、第1の面に直接または間接的に配置される。カバー50は、第1の面10Aとの間に空間51を形成しており、空間51の内部には励振電極30を収容している。カバー50は、励振電極30を保護することができれば特にその材料は限定されない。例えば、エポキシ系やアクリル系の樹脂材料等で構成すればよい。
The
このようなカバー50は、キャップ状の一体物であってもよいし、図2に示すような、枠体55と蓋体56とで構成されていてもよい。枠体55は、励振電極30が形成された領域を囲うような閉空間を構成する枠状体である。蓋体56は、板状の部材であって、枠体55の上部に設けられて枠体55の開口を塞ぐように配置される。このような枠体55および蓋体56でカバー50を構成する場合には、フィルム状の樹脂材料をフォトグラフィ法によりパターニングすることで、簡易に作製することができる。
Such a
そして、カバー50に接するように、カバー50の上面に挿入層60が位置している。この例では、挿入層60はカバー50の上面に位置しているが、カバー50の内部であってもよいし、下面(蓋部56の空間51側の面)に位置していてもよい。挿入層60は、一定面積を覆っていればその形状や面積に制限はないが、例えば、図1に示すように、空間51と重なる領域を覆うように形成してもよい。この場合には、蓋部56を補強することで、空間51を安定して維持できるものとなる。さらに、カバー50の上面の90%以上を覆う場合には、枠部55と重なる位置においても挿入層60が位置することとなり、空間51をより確実に維持できるものとなる。
The
挿入層60は、カバー50に比べて可視光に対する透過率が低い材料であれば特に材料は限定されない。例えば、Cu,Al等の金属材料でもよいし、Si等の半導体材料であってもよい。また、樹脂等の絶縁材料であってもよい。樹脂を用いる場合には、フィラー等を適宜調整して可視光の透過率を制御する。
The material of the
この例では、挿入層60としてCuを用いている。この場合には、挿入層60を、励振電極30を外部からの電界を遮断するシールド層として機能させることができる。また、挿入層60を基準電位に接続する場合には、電位を安定化させることができ、電気特性の安定したSAW素子1を提供することができるものとなる。具体的には、後述の外部接続用電極70のうち、基準電位に接続される端子と電気的に接続することで、励振電極30の電位を安定化させることができる。また、金属からなる層が存在することにより、上方からの水分の侵入を抑制することができる。
In this example, Cu is used as the
このような挿入層60は、カバー50の上面にスパッタリングやCVD法,メッキ法等の通常の薄膜形成方法で導電成膜を形成した後に、フォトリソグラフィ法等により所望の形状にパターニングして形成することができる。挿入層60の厚みは、所望の可視光の透過率を得ることができれば特に限定されないが、例えば、1μm以上30μm以下を例示することができる。
Such an
そして、挿入層60の上面には、可視光に対する透過率が、挿入層60よりも高い材料からなる付加層90が設けられている。具体的には、付加層90は、カバー50と重なる領域全面を覆うように層状に配置されている。
An
付加層90は、絶縁性材料で構成してもよい。その場合には、挿入層60の変質を抑制することができるとともに、SAW素子1を実装するときに、電気的な絶縁を確保し、意図せぬ短絡の発生を抑制することができる。
The
付加層90の材料としては、ポリイミドやポリベンゾオキサゾール、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料を例示することができる。
Examples of the material of the
ここで、挿入層60よりも上側には、挿入層60よりの可視光の透過率が小さい材料が位置することがないことが重要である。
Here, it is important that a material having a smaller visible light transmittance than the
そして、枠部55,蓋部56,付加層80に形成した貫通孔の内部には、外部接続用電極70が配置されている。外部接続用電極70は、接続線40と外部回路とを電気的に接続するためのものであり、第1の面10Aからカバー50の上面まで(この例では付加層90の上面まで)導出させるものである。外部接続用電極70は、導電性材料であれば特に限定されず、例えば、厚膜メッキ法で形成したCu等を用いることができる。そして、外部接続用電極70の上部に半田等からなる端子71を設けることで、SAW素子1を実装することができる。
An
<標識部80>
ここで、SAW素子1は挿入層60と関連して構成される標識部80を備える。標識部80は、SAW素子1を上方から確認したときに可視光の透過率や反射率を周囲と異ならせた部位であり、可視光で視認可能な特異点をなすものである。言い換えると、上面視で、挿入層60と重なる領域において、その外縁から内側に標識部80とその周囲部とを備える。周囲部は、挿入層60の外縁から標識部80までの領域であって、標識部80を囲むように位置する。この周囲部は基本的に一様な透過率および反射率を有する領域となっている。なお、外部接続用電極70と重なる領域は周囲部から除外する。
<Sign
Here, the
このような構成とすることで、可視光に対する透過率が低い挿入層60により、挿入層60よりも下側の構成(例えば、励振電極30等の第1の面10Aに形成された構成)の情報を遮断した状態で、上方からの可視光の透過率が一定となる領域を構成することができる。その上で、その透過率が一定となる領域内に透過率や反射率が異なる部位を作ることで、その部位を標識部80として機能させることができる。標識部80は、周囲と透過率や反射率が異なるため、上方からの視認性も高いものとすることができる。
With such a configuration, the
この例では、挿入層60の一部を除去することで標識部80を構成している。具体的には、平面視で挿入層60の外縁から離れた内側において、挿入層60に貫通孔61を設けている。この貫通孔61により、挿入層60の外縁とは離れた位置で可視光の透過率や反射率を異ならせることができるので、SAW素子1の上方から特異点として認識することができる。この例では、挿入層60の上方に位置する付加層90はこの貫通孔61による開口を埋めているが、付加層90にも貫通孔61と重なる貫通孔を設けてもよい。
In this example, the
標識部80を形成する位置は、基板10の回転中央から外れた位置とする。さらに、挿入層60の外縁から一定距離離れるとともに、外部接続用端子70からも離れた位置としている。標識部80の大きさは、外部接続用電極70よりも小さい。仮に挿入層60が複数あり、隣接して配置されている場合には、標識部80の大きさはその隙間よりも大きくしてもよい。標識部80の平面形状は、この例では円形としたが、この限りではない。矩形状であっても、貫通孔61の形状を工夫して数字やアルファベット等を表してもよい。
The position where the marking
このような標識部80により、SAW素子1を実装する際の端子の判別等を可能とすることができる。すなわち、標識部80が刻印として機能するものとなる。
With such a
なお、従来は、端子の識別等を行なうために、基板10の裏面にレーザーでマーキングを行なっていた。しかしながら、レーザーによるマーキングは、基板10が透光性を有する場合には困難であった。基板10の裏面に透光性の低い材料からなる層を設けた場合には、レーザーによるマーキングの視認性を高めることができるが、その一方で、SAW素子1の電子部品としての特性には関係がない層を追加することとなるので生産性を低下させる虞があった。また、レーザーを照射することにより、レーザーの一部が基板10内を透過し励振電極30に損傷を与える可能性もあった。さらに、マーキングのためにレーザーを照射するという工程を追加する必要があり、そのためのレーザー照射装置も必要とするため、生産性が低下する虞があった。
Conventionally, in order to identify terminals and the like, the back surface of the
これに対して、本開示のSAW素子1によれば、標識部80は、SAW素子1を製造するための通常のフォトリソグラフィ法によるマスクパターンを変更するのみで製造することができるため、レーザー照射を不要とする上に、標識部80を構成するための新たな追加構成物や、工程等を必要としない。すなわち、挿入層60として、WLP構造で空間51を維持するために必要な補強層や、励振電極30の電気的特性を調整するための導電パターン等を、その透光性やパターンを調整して用いることで、新たな構成物や工程は不要となる。以上より、生産性の高いSAW素子1を提供することができる。また、フォトリソグラフィ工程により標識部80を構成するために、サイズや形状等の自由度が高く、必要とする標識を精度よく実現することができるものとなる。
On the other hand, according to the
<変形例>
上述の例では、挿入層60に貫通孔61を設けて標識部80を構成した場合について説明したが、この例に限定されない。例えば、図3に示すように、挿入層60は一様な厚みであり、その上部に位置する付加層90に貫通孔91を設けてもよい。この場合であっても、挿入層60のうち、貫通孔91から露出する部分とその他の部分とで可視光の透過率が異なるため、標識部80として機能するものとなる。
<Modification example>
In the above-mentioned example, the case where the
この場合には、付加層90の可視光の透過率を、挿入層60についで低い値とすることで露出部と被覆部とでの明度の違いを出すことができる。さらに、付加層90の貫通孔91のエッジ部分において上部からの光に対する反射率が乱れることで、標識としての機能を高めることができるものとなる。
In this case, the visible light transmittance of the
また、必ずしも貫通孔61,91を設けなくてもよい。即ち、標識部80は、周囲に比べて明度を特異的に変化させたり、光透過性や反射率を特異的に変化させたりすればよいので、挿入層60と付加層90との厚みの比率を周辺部と異ならせることで標識としてもよい。例えば、図4(a)に示すように、挿入層60の厚みを一部で薄くしたり、図4(b)に示すように挿入層60の厚みを一部で厚くしたりしてもよいし、図4(c)に示すように、付加層90の厚みを一部で薄くしてもよいし、図4(d)に示すように、付加層90の厚みを一部で厚くしてもよい。光の反射や透過率が不連続な部位を形成できるため、この例でも標識部80を構成することができる。
Further, it is not always necessary to provide the through
さらには、図4(e)に示すように、付加層90を備えずに挿入層60のみで標識部を構成してもよい。挿入層60のみで標識部80を構成し、かつ、挿入層90がSAW素子1の実装面に露出する場合には、挿入層60は絶縁材料で構成してもよい。実装時の意図せぬ短絡を防止することができる。
Further, as shown in FIG. 4 (e), the labeling portion may be formed only by the
なお上述の例では、いずれも弾性波素子としてSAWを用いたSAW素子を例に説明したが、圧電膜を厚み方向で挟持した圧電薄膜共振器にも適用可能である。 In the above examples, the SAW element using SAW as the surface acoustic wave element has been described as an example, but it can also be applied to a piezoelectric thin film resonator having a piezoelectric film sandwiched in the thickness direction.
また、上述の例では、外部接続用端子70は、カバー50を貫通するようにして設けられたが、接続線40をカバー50の外縁よりも外側まで引出し、カバー50の外側に設けてもよい。例えば、カバー50の外側からカバー50の側面をつたい、カバー50の上面まで導出するような外部接続用端子70を設けてもよい。
Further, in the above example, the
さらに、上述の例では挿入層60は広面積で連続した形状の場合を例に説明したが、挿入層60は切り込みがあってもよいし、細長い形状等であってもよい。
Further, in the above example, the case where the
また、貫通孔61,91や、図4に示す段差部を構成する側面はテーパー状としてもよい。なお、挿入層60は、遮光させることを考慮して光の透過率で規定したが、視認性を高めるために反射率の高い材料としてもよい。
Further, the side surfaces forming the through
1:SAW素子
10:基板
30:励振電極
50:カバー
60:挿入層
80:標識部
90:付加層
1: SAW element 10: Substrate 30: Excitation electrode 50: Cover 60: Insertion layer 80: Labeling portion 90: Additional layer
Claims (5)
前記基板の第1の面に設けられた弾性波を励振する励振電極と、
前記励振電極を覆うようにして前記第1の面に接合されたカバーと、
前記カバーに接して配置され、前記カバーよりも可視光の透過率が低い材料からなる挿入層と、を備え、
平面視で、前記挿入層の外縁よりも内側において、前記挿入層の厚みを一部で、異ならせることで、可視光に対する透過率が周囲と異なる標識部を備える、弾性波素子。 With the board
Excitation electrodes provided on the first surface of the substrate to excite elastic waves,
A cover joined to the first surface so as to cover the excitation electrode,
It comprises an insertion layer, which is arranged in contact with the cover and is made of a material having a lower visible light transmittance than the cover.
An elastic wave element having a marking portion whose transmittance to visible light is different from that of the surroundings by making the thickness of the insertion layer partially different inside the outer edge of the insertion layer in a plan view.
前記標識部は、前記付加層の厚みと前記挿入層の厚みとの比率を周囲の領域と異ならせてなる、請求項1または2に記載の弾性波素子。 An additional layer made of a material having a higher visible light transmittance than the insertion layer is provided above the insertion layer.
The elastic wave element according to claim 1 or 2, wherein the labeling portion has a ratio of the thickness of the additional layer to the thickness of the insertion layer different from that of the surrounding region.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017110123A JP6853119B2 (en) | 2017-06-02 | 2017-06-02 | Elastic wave element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017110123A JP6853119B2 (en) | 2017-06-02 | 2017-06-02 | Elastic wave element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018207278A JP2018207278A (en) | 2018-12-27 |
JP6853119B2 true JP6853119B2 (en) | 2021-03-31 |
Family
ID=64957537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017110123A Active JP6853119B2 (en) | 2017-06-02 | 2017-06-02 | Elastic wave element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6853119B2 (en) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0438857A (en) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Nec Corp | Resin-sealing type semiconductor device |
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-
2017
- 2017-06-02 JP JP2017110123A patent/JP6853119B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018207278A (en) | 2018-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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