JP6842878B2 - 接着剤組成物、及びその利用 - Google Patents

Description

本発明は、接着剤組成物、及びその利用に関する。

半導体素子（電子部品）を含む半導体パッケージ（半導体装置）としては、ＷＬＰ（Wafer Level Package）、ＰＬＰ（Panel Level Package）等が知られている。ＷＬＰ及びＰＬＰ等の半導体パッケージには、ベアチップの端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型ＷＬＰ（Fan-in Wafer Level Package）等のファンイン型技術と、チップエリア外に端子を再配置する、ファンアウト型ＷＬＰ（Fan-out Wafer Level Package）等のファンアウト型技術とが知られている。特に、ファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）に応用されており、半導体装置の集積化、薄型化及び小型化等を実現するため、これらのようなファンアウト型技術が注目を集めている。

特許文献１には、シクロオレフィン構造を有するポリマーと、当該ポリマーに相溶する（メタ）アクリレートモノマーとを含むことを特徴とする接着剤組成物が記載されている。

特開２０１４−１０５３１６号公報（平成２６年６月９日公開）

しかしながら、半導体装置の集積化、薄型化及び小型化等を実現するための半導体パッケージ技術の高度化に伴い、特許文献１に記載の接着剤組成物よりも、高い耐熱性、高い耐薬品性、高い洗浄性を備えた接着層を形成することができる新規な接着剤組成物が求められている。

本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い耐熱性、高い耐薬品性、高い洗浄性を備えた接着層を形成することができる新規な接着剤組成物及びその関連技術を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物は、
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層のガラス転移温度は１６０℃以上であり、当該接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１６０℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることを特徴としている。

または、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物は、
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１００℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該ガラス転移温度は、１６０℃以上であることを特徴としている。

本発明に係る接着剤組成物は、高い耐熱性、高い耐薬品性、高い洗浄性を備えた新規な接着剤組成物、及びその関連技術を提供することできるという効果を奏する。

本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法について説明する図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法について説明する図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法について説明する図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法の概略について説明する図である。 圧縮型による素子の封止に対する適応性評価における、接着層上の素子の配置の概略について説明する図である。

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。

＜接着剤組成物（実施形態１）＞
本発明の一実施形態（実施形態１）に係る接着剤組成物は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、上記接着層のガラス転移温度は１６０℃以上であり、当該接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１６０℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいる。

なお、接着剤組成物によって形成される接着層のガラス転移温度は、公知の方法として、例えば、動的機械分析（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）が挙げられ、周波数１Ｈｚの条件にて、５℃／分の昇温速度で、２５℃から３００℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づいて求めることができる。

なお、本明細書において、特に説明が無いかぎり、「樹脂成分」とは、シクロオレフィンポリマー、及び、後述する硬化性モノマーのことを意味する。
上記構成を備えた接着剤組成物を用いて形成された接着層は、封止基板（基板）を形成するために求められる高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備えている。また、封止基板を形成した後における接着層の残渣を、溶剤によって好適に除去することができる接着層を形成することができる。

なお、接着剤組成物によって形成された接着層が備えている高い耐熱性とは、例えば、（ｉ）高温環境下、力を加えられたときにおいて変形すること防止することができること、（ｉｉ）高温環境下に長時間に曝されたときにおける、クラック等の破損を生じないことを意味する。

〔樹脂成分〕
本発明の第一の実施形態に係る接着剤組成物は、ガラス転移温度が１６０℃以上でありシクロオレフィンポリマーを樹脂成分として含んでいる。ガラス転移温度が１６０℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることにより、高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備えつつも、溶剤を用いて好適に除去することができる接着層を形成することができる。

シクロオレフィンポリマーのガラス転移点（Ｔｇ）は、１６０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましい。

シクロオレフィンポリマーとしては、具体的には、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分の開環重合体、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分を付加重合させた付加重合体等が挙げられる。

前記シクロオレフィンポリマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、またはこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）置換体、アルケニル（ビニルなど）置換体、アルキリデン（エチリデンなど）置換体、アリール（フェニル、トリル、ナフチルなど）置換体等のモノマーを構成単位とするポリマーが挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、またはこれらのアルキル置換体、からなる群より選ばれるノルボルネン構造を有するモノマーを構成単位とするポリマーがより好ましい。このような、ノルボルネン構造等を構成単位とするシクロオレフィンポリマーを用いることにより、例えば、レジスト溶剤に対する高い薬品耐性を備えつつ、例えば、炭化水素系溶剤によって好適に溶解して除去することができる接着層を形成することができる接着剤組成物を得ることができる。

シクロオレフィンポリマーは、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを単量体単位としていてもよく、例えば、アルケンモノマーを単量体単位とすることが好ましい。アルケンモノマーとしては、炭素数２〜１０のアルケンモノマーが挙げられ、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン等のα−オレフィンが挙げられ、これらの中でも、エチレンを単量体単位とすることがより好ましい。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。

シクロオレフィンポリマーを構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、１０モル％以上、１００モル％以下であることが好ましく、２０モル％以上、１００モル％以下であることがより好ましい。

なお、シクロオレフィン構造を有するポリマーは、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。

シクロオレフィンポリマーの重量平均分子量は、１０，０００以上、２，０００，０００以下の範囲内であることが好ましく、３０，０００以上、１，５００，０００以下の範囲内であることがより好ましい。シクロオレフィン構造を有するポリマーの重量平均分子量が１０，０００以上であることにより、当該ポリマーの軟化温度をガラスとの貼り合わせに適した温度にすることができる。シクロオレフィン構造を有するポリマーの重量平均分子量が２，０００，０００以下であることにより、当該ポリマーは、洗浄液に対する好適に溶解性を付与することができる。

シクロオレフィンポリマーとして用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ（商品名）」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ（商品名）」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ（商品名）」および「ＺＥＯＮＥＸ（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ（商品名）」などが挙げられる。

（熱重合禁止剤）
本発明において、接着剤組成物は熱重合禁止剤を含有していてもよい。熱重合禁止剤は、熱や光によるラジカル重合反応を防止する機能を有する。具体的には、熱重合禁止剤はラジカルに対して高い反応性を示すため、シクロオレフィンポリマーよりも優先的に反応して、シクロオレフィンポリマー同士が重合することを禁止する。このため、シクロオレフィンポリマーによって形成された接着層が加熱されることにより、当該接着層における洗浄液に対する溶解性が低下することを防止することができる。

熱重合禁止剤としては、熱によるラジカル重合反応を防止するのに有効であれば特に限定されるものではないが、フェノールを有する熱重合禁止剤が好ましい。これにより、大気下での高温処理後にも良好な溶解性を確保することができる。そのような熱重合禁止剤としては、ヒンダードフェノール系の酸化防止剤を用いることが可能であり、例えば、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、ｎ−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，４’−［１−〔４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル〕エチリデン］ビスフェノール、４，４’，４”−エチリデントリス（２−メチルフェノール）、４，４’，４”−エチリデントリスフェノール、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、３，９−ビス［２−（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−プロピオニルオキシ）−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン、トリエチレングリコール−ビス−３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート、ｎ−オクチル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ペンタエリスリルテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（商品名ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０、ＢＡＳＦ社製）、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］等が挙げられる。熱重合禁止剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

熱重合禁止剤の含有量は、シクロオレフィンポリマーの種類、及び接着剤組成物の用途及び使用環境に応じて適宜決定すればよいが、例えば、シクロオレフィンポリマーの量を１００重量部としたとき、０．１重量部以上、１０重量部以下であることが好ましい。熱重合禁止剤の含有量が上記範囲内であれば、重合を抑える効果が良好に発揮され、高温プロセス後に接着剤組成物の洗浄液に対する溶解性が低下することをさらに抑えることができる。

（添加溶剤）
熱重合禁止剤は、添加溶剤に溶解して接着剤組成物に配合することが好ましい。添加溶剤としては、特に限定されないが、接着剤組成物に含まれる成分を溶解する有機溶剤を用いることができる。

有機溶剤としては、例えば、接着剤組成物の各成分を溶解し、均一な溶液にすることができればよく、１つの有機溶剤のみを用いてもよく、２つ以上の有機溶剤を組み合わせて用いてもよい。

有機溶剤の具体例としては、例えば、極性基として酸素原子、カルボニル基又はアセトキシ基等を有するテルペン溶剤が挙げられ、例えば、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファーが挙げられる。また、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

添加溶剤の含有量は、熱重合禁止剤の種類等に応じて適宜調整すればよいが、例えば、樹脂成分を溶解する希釈溶剤（主溶剤）と添加溶剤との合計を１００重量部としたとき、添加溶剤の含有量は、１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましく、１重量部以上、３０重量部以下であることがより好ましい。添加溶剤の含有量が上記範囲内であれば、熱重合禁止剤を十分に溶解することができる。

（溶剤）
本発明の第一の実施形態に係る接着剤組成物に含まれる溶剤（主溶剤）は、シクロオレフィンポリマーを溶解する機能を有するものであればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、極性及び無極性の石油系溶剤等を用いることができる。好ましくは、溶液は、脂環式炭化水素、又は分岐状の炭化水素を含んでいる。

これらの中でも、溶剤が縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素を含むことによって、接着剤組成物を液状形態で（特に低温にて）保存したときに生じ得る白濁化を避けることができ、製品安定性を向上させることができるため好ましい。

炭化水素系溶剤としては、直鎖状、分岐状または環状の炭化水素が挙げられる。例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、イソオクタン、イソノナン、イソドデカン等の炭素数４から１５の分岐状の炭化水素；ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン等の飽和脂肪族炭化水素、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、α−ピネン、β−ピネン、α−ツジョン、β−ツジョン等が挙げられる。

石油系溶剤とは、重油から精製される溶剤であり、例えば、白灯油、パラフィン系溶剤、イソパラフィン系溶剤が挙げられ、上述の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素等の混合物であり得る。また、石油系溶剤は、例えば、ベンゼン、ナフタレン等の芳香族化合物を含んでいてもよい。

また、脂環式炭化水素とは、環状構造を含む炭化水素であり、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等が挙げられる。

また、脂環式炭化水素としては、縮合多環式炭化水素が挙げられる。縮合多環式炭化水素とは、２つ以上の単環がそれぞれの環の辺を互いに１つだけ供給してできる縮合環の炭化水素であり、２つの単環が縮合されてなる炭化水素を用いることが好ましい。

そのような炭化水素としては、５員環及び６員環の組み合わせ、または２つの６員環の組み合わせが挙げられる。５員環及び６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン等が挙げられ、２つの６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン（テトラリン）及びデカヒドロナフタレン（デカリン）等が挙げられる。

また、分岐状炭化水素としては、例えば、上述のイソオクタン、イソノナン、イソドデカン等の他に、例えば、エクソンモービル化学株式会社製の「アイソパー（商品名）」等のようなイソパラフィン系の石油系溶剤等が挙げられる。

また、溶剤が上記縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素を含む場合、溶剤に含まれる成分は上記縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素のみであってもよいし、例えば、飽和脂肪族炭化水素等の他の成分を含有していてもよい。また、縮合多環式炭化水素、及び分岐状炭化水素の組み合せであってもよく、例えば、飽和脂肪族炭化水素等の他の成分を含有していてもよい。この場合、縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素の含有量が、炭化水素系溶剤全体を１００重量部として４０重量部以上であることが好ましく、６０重量部以上であることがより好ましい。縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体の４０重量部以上である場合には、上記樹脂に対する高い溶解性を発揮することができる。縮合多環式炭化水素又は分岐状炭化水素と、飽和脂肪族炭化水素との混合比が上記範囲内であれば、縮合多環式炭化水素又は分岐状炭化水素の臭気を緩和させることができる。

なお、本発明の第一の実施形態に係る接着剤組成物における溶剤の含有量としては、当該接着剤組成物を用いて成膜する接着層の厚さに応じて適宜調整すればよいが、例えば、接着剤組成物の全量を１００重量部としたとき、２０重量部以上、９０重量部以下の範囲であることが好ましい。溶剤の含有量が上記範囲内であれば、粘度調整が容易となる。

＜接着剤組成物（実施形態２）＞
本発明に係る接着剤組成物は、上記実施形態（実施形態１）に限定されない。例えば、別の実施形態（実施形態２）に係る接着剤組成物は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、上記接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１００℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、１６０℃以上である。

上記構成を備えた接着剤組成物においても、第一の実施形態と同様、封止基板（基板）を形成するために求められる高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備え、かつ溶剤によって好適に除去することができる接着層を形成することができる。

また、本実施形態に係る接着剤組成物は、上記実施形態（実施形態１）に係る接着剤組成物と同様に、溶剤、及び添加溶剤を含んでいる。なお、溶剤は、シクロオレフィンポリマー及び硬化性モノマーを溶解することができる溶剤であればよく、例えば、上述の（溶剤）の欄に記載された溶剤を用いることができる。

〔樹脂成分〕
本実施形態に係る接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１００℃以上であるシクロオレフィンポリマーと、硬化性モノマーとを含んでいる。

シクロオレフィンポリマーとしては、上述の実施形態（実施形態１）において説明したシクロオレフィンポリマーと同様の単量体成分を含んでいるシクロオレフィンポリマーを用いることができる。また、本実施形態に係る接着剤組成物において、シクロオレフィンポリマーのガラス転移温度は、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましく、１４０℃以上であることが最も好ましい。よって、上述の実施形態（実施形態１）のように、１６０℃以上であるガラス転移温度を有しているシクロオレフィンポリマーを用いることもできる。シクロオレフィンポリマーのガラス転移温度が、１００℃以上であれば、多官能型の硬化性モノマーを、当該シクロオレフィンポリマーに配合した状態において重合させることにより、ガラス転移温度が、１６０℃以上である接着層を好適に形成することができる。

（多官能型の硬化性モノマー）
本実施形態に係る接着剤組成物は、樹脂成分として、シクロオレフィンポリマーと相溶可能な多官能型の硬化性モノマーを含んでいる。これにより、ガラス転移温度が１００℃以上であるシクロオレフィンポリマーを用いて、硬化性モノマーを重合させることによりガラス転移温度が１６０℃以上である接着層を形成することができる。硬化性モノマーは、ラジカル重合反応により高分子化するモノマーであることが好ましく、典型的には、多官能型の（メタ）アクリレートモノマーを挙げることができる。

上記多官能の（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、９，９−ビス［４−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３，５−アダマンタントリオールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート（即ち、トリレンジイソシアネート）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートとヘキサメチレンジイソシアネートと２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応物等が挙げられる。これら多官能の（メタ）アクリレートは、単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。

硬化性モノマーは、環状構造を持つことが好ましく、多環式脂肪族構造を有することがより好ましい。硬化性モノマーが、環状構造、より好ましくは多環式脂肪族構造を有することで、シクロオレフィンポリマーとの相溶性を高めることができる。また、シクロオレフィンポリマーに配合した硬化性モノマーを重合させることによって、接着層の耐熱性をさらに高めることができる。

よって、上記（メタ）アクリレートモノマーの中でも、特に環式基を有する（メタ）アクリレートモノマーが好ましく、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３，５−アダマンタントリオールトリ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、９，９−ビス［４−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、及びプロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレートからなる群より選択される少なくとも１種がより好ましい。これらの中でも、特にアダマンタン骨格を有するモノマーが接着層の耐熱性を高めることができる点、好ましい。

硬化性モノマーの含有量は、シクロオレフィンポリマーのガラス転移温度を考慮して、決定するとよい。例えば、接着剤組成物に樹脂成分として含まれる、シクロオレフィンポリマーのガラス転移温度が１００℃以上であれば、硬化性モノマーの含有量は、樹脂成分の合計を１００重量％として、１０重量％以上、４０重量％以下の範囲内であることが好ましい。樹脂成分に対して、硬化性モノマーの含有量が１０重量％以上でれば、接着層により高い耐熱性を付与することができる。また、硬化性モノマーの含有量が４０重量％以下であることにより、接着層を洗浄液により除去するときにおける洗浄性を高めることができる。言い換えれば、ガラス転移温度が１００℃以上のシクロオレフィンポリマーを用いることにより、硬化性モノマーの含有量を、４０重量％以下にすることができ、これにより、硬化性モノマーが硬化することによって接着層の洗浄性が低下することを防止することができる。よって、ガラス転移温度がより高いシクロオレフィンポリマーを用いるほどに、硬化性モノマーの含有量を少なくすることができる。

（重合開始剤）
本実施形態に係る接着剤組成物は、硬化性モノマーの重合反応を促進させる重合開始剤をさらに含んでいる。

重合開始剤は、硬化性モノマーの重合反応を促進させることができればよく、特に限定されるものではなく、熱重合開始剤、及び光重合開始剤等を用いることができる。熱重合開始剤には、例えば、過酸化物、アゾ系重合開始剤等が挙げられる。

過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル等が挙げられる。具体的には、過酸化アセチル、過酸化ジクミル、過酸化ｔｅｒｔ−ブチル、過酸化ｔ−ブチルクミル、過酸化プロピオニル、過酸化ベンゾイル（ＢＰＯ）、過酸化２−クロロベンゾイル、過酸化３−クロロベンゾイル、過酸化４−クロロベンゾイル、過酸化２，４−ジクロロベンゾイル、過酸化４−ブロモメチルベンゾイル、過酸化ラウロイル、過硫酸カリウム、ペルオキシ炭酸ジイソプロピル、テトラリンヒドロペルオキシド、１−フェニル−２−メチルプロピル−１−ヒドロペルオキシド、過トリフェニル酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、過ギ酸ｔｅｒｔ−ブチル、過酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過安息香酸ｔｅｒｔ−ブチル、過フェニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過４−メトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過Ｎ−（３−トルイル）カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。

市販されている過酸化物としては、例えば、日本油脂株式会社製の商品名「パークミル（登録商標）」、商品名「パーブチル（登録商標）」、商品名「パーロイル（登録商標）」、及び商品名「パーオクタ（登録商標）」等が挙げられる。

アゾ系重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスプロパン、２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスプロパン、１，１’−アゾ（メチルエチル）ジアセテート、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）塩酸塩、２，２’−アゾビス（２−アミノプロパン）硝酸塩、２，２’−アゾビスイソブタン、２，２’−アゾビスイソブチルアミド、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオン酸メチル、２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスブタン、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、１，１’−アゾビス（１−メチルブチロニトリル−３−スルホン酸ナトリウム）、２−（４−メチルフェニルアゾ）−２−メチルマロノジニトリル４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸、３，５−ジヒドロキシメチルフェニルアゾ−２−アリルマロノジニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルバレロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸ジメチル、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、２，２’−アゾビス−２−プロピルブチロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、２，２’−アゾビス−２−プロピルブチロニトリル、１，１’−アゾビス−１−クロロフェニルエタン、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカルボニトリル、１，１’−アゾビス−１−シクロヘプタンニトリル、１，１’−アゾビス−１−フェニルエタン、１，１’−アゾビスクメン、４−ニトロフェニルアゾベンジルシアノ酢酸エチル、フェニルアゾジフェニルメタン、フェニルアゾトリフェニルメタン、４−ニトロフェニルアゾトリフェニルメタン、１，１’−アゾビス−１，２−ジフェニルエタン、ポリ（ビスフェノールＡ−４，４’−アゾビス−４−シアノペンタノエート）、ポリ（テトラエチレングリコール−２，２’−アゾビスイソブチレート）等が挙げられる。

（光重合開始剤）
光重合開始剤としては、具体的には、例えば、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−〔４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）ケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、エタノン１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（ｏ−アセチルオキシム）、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、４−ベンゾイル−４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、４−ジメチルアミノ−２−エチルヘキシル安息香酸、４−ジメチルアミノ−２−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、２−クロロチオキサンテン、２，４−ジエチルチオキサンテン、２−メチルチオキサンテン、２−イソプロピルチオキサンテン、２−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンパーオキシド、２−メルカプトベンゾイミダール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、ベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４，４’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン（即ち、ミヒラーズケトン）、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン（即ち、エチルミヒラーズケトン）、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン−ｔ−ブチルエーテル、アセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ｐ−ジメチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、α，α−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス−（９−アクリジニル）ヘプタン、１，５−ビス−（９−アクリジニル）ペンタン、１，３−ビス−（９−アクリジニル）プロパン、ｐ−メトキシトリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン及び２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン等が挙げられる。また、光重合開始剤として、市販品である「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０２」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０１」，「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３６９」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ６５１」及び「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ９０７」（商品名：何れもＢＡＳＦ社製）並びに「ＮＣＩ−８３１」（商品名：ＡＤＥＫＡ社製）等も用いることができる。

なお、重合開始剤の配合量は、接着剤組成物に含まれている硬化性モノマーの含有量に応じて調整するとよい。ここで、１００重量部の硬化性モノマーに対する重合開始剤の割合は、０．１重量部以上、１０重量部以下であることが好ましく、０．５重量部以上、５重量部以下であることがより好ましい。

重合開始剤は、接着剤組成物を使用する直前において、公知の方法により、接着剤組成物に配合することができる。また、重合開始剤は、上記（添加溶剤）の欄に記載されている有機溶剤に希釈してから、接着剤組成物に配合してもよい。また、本実施形態に係る接着剤組成物においても、添加溶剤に熱重合禁止剤を配合してもよい。

＜接着フィルム＞
本発明の一実施形態（実施形態３）に係る接着フィルムは、フィルム上に、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物からなる接着層が形成されている。このような、接着フィルムを用いることによって、支持体上に好適に接着層を形成することができる。よって、一実施形態に係る接着剤組成物を用いて形成した接着フィルムも本発明の範疇である。

フィルム上に接着剤層を形成する方法としては、所望する接着層の膜厚や均一性に応じて適宜、公知の方法を用いて、フィルム上に接着剤層の乾燥膜厚が１０〜１，０００μｍとなるように、接着剤組成物を塗布する方法が挙げられる。

このような接着フィルムを用いれば、支持体の上に直接、接着剤組成物を塗布して接着層を形成する場合と比較して、膜厚均一性及び表面平滑性の良好な接着層を形成することができる。

接着フィルムの製造に使用するフィルムとしては、フィルム上に製膜された接着層を当該フィルムから剥離することができ、接着層を支持体などの被処理面上に転写できる離型フィルムであればよく、特に限定されるものではない。例えば、膜厚１５〜１２５μｍのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、及びポリ塩化ビニルなどの合成樹脂フィルムからなる可撓性フィルムが挙げられる。上記フィルムには、必要に応じて、転写が容易となるように離型処理が施されていることが好ましい。

また、接着フィルムは、保護フィルムによって接着層の露出面を被覆することにより保護してもよい。保護フィルムは、接着層から剥離することができる限り限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、及びポリエチレンフィルムが好ましい。また、各保護フィルムは、接着層からの剥離を容易にするため、シリコーンをコーティングしてあるか、又は焼き付けしてあることが好ましい。

接着フィルムの使用方法は、特に限定されるものではないが、例えば、保護フィルムを用いた場合には、これを剥離した上で、支持体上に露出した接着層を重ねて、フィルム上（接着剤層の形成された面の裏面）から加熱ローラを移動させることにより、接着層を支持体の表面に熱圧着させる方法が挙げられる。

なお、接着フィルムから剥離した保護フィルムは、順次巻き取りローラなどのローラでロール状に巻き取れば、保存し再利用することが可能である。

〔積層体〕
積層体は、一実施形態に係る接着剤組成物を、支持体上に塗布することにより、高い耐熱性、高い薬品耐性、及び高い洗浄性を備えた接着層が形成されている。積層体は、接着層上において、封止材によって素子を封止した封止体と、封止体の一方の平面部に再配線層とを備えた封止基板が形成されている。すなわち、積層体は、素子に設けられた端子がチップエリア外に広がる再配線層に実装される、ファンアウト型技術に基づく、封止基板を製造する過程において作製される積層体である。

〔封止基板〕
封止基板（基板）は、素子と、素子が実装される再配線層と、素子を封止する封止体とを備えている。封止基板は複数の素子を備えていることが好ましく、このような封止基板をダイシングすることにより、複数の電子部品を得ることができる。

（再配線層）
再配線層は、ＲＤＬ（Redistribution Layer：再配線層）とも呼ばれ、素子に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。一実施形態において、再配線層は、誘電体（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂等）に、導電体（例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀−錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。

（素子）
素子（ベアチップ）は、半導体素子又はその他の素子であり、単層又は複数層の構造を有し得る。なお、素子が半導体素子である場合、封止基板をダイシングすることにより得られる電子部品は、半導体装置となる。

（封止材）
封止材としては、例えば、エポキシ系の樹脂及びシリコーン系の樹脂を含有する封止材等を用いることができる。封止材は、素子毎に設けられているものではなく、再配線層に実装された複数の素子の全てを一体的に封止しているものであることが好ましい。

〔支持体〕
支持体は、封止基板の形成時に、封止基板の各構成要素の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、支持体は、当該支持体上に形成された分離層を変質させることができる波長の光を透過させる材料によって形成されている。

支持体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン及びアクリル系樹脂等を用いることができるが、これらに限定されない。支持体の形状としては、例えば、矩形、及び円形等の支持体を用いることができるが、これに限定されない。

〔接着層〕
接着層は、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物により形成され、封止基板を支持体上に固定するための層である。接着層は、その表面に、封止材によって封止するための素子が配置され得る。また、接着層は、その表面に対して直接的に、例えば、フォトレジスト等を塗布して、露光することにより、感光性絶縁膜等のパターンが形成され得る。さらに、接着層は、分離層を保護するという機能も有している。

接着層の厚さは、支持体及び封止基板の種類、並びに封止基板を形成するときに実施する処理等に応じて適宜設定すればよいが、０．１μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上、１０μｍ以下であることがより好ましい。１μｍ以上であることにより、封止基板を、支持体上に好適に固定することができる。１０μｍ以下であることにより、後の工程において接着層の除去を容易にすることができる。

〔分離層〕
分離層は、光を照射することで変質する層である。支持体を介して分離層に光を照射して分離層を変質させることによって、支持体を封止基板から分離させることができる。

なお、本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象を意味する。光を吸収することによって生じる分離層の変質の結果として、分離層は、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。つまり、光を吸収することによって、分離層は脆くなる。分離層の変質とは、分離層が、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることであり得る。分離層の変質は、光を吸収することの結果として生じる。

よって、例えば、サポートプレートを持ち上げるだけで分離層が破壊されるように変質させて、サポートプレートと基板とを容易に分離することができる。より具体的には、例えば、支持体分離装置等により、積層体における基板及びサポートプレートの一方を載置台に固定し、吸着手段を備えた吸着パッド（吸着部）等によって他方を保持して持ち上げることで、サポートプレートと基板とを分離するか、又はサポートプレートの周縁部分端部の面取り部位を、クランプ（ツメ部）等を備えた分離プレートによって把持することにより力を加え、基板とサポートプレートとを分離するとよい。また、例えば、接着剤を剥離するための剥離液を供給する剥離手段を備えた支持体分離装置によって、積層体における基板からサポートプレートを剥離してもよい。当該剥離手段によって積層体における接着層の周端部の少なくとも一部に剥離液を供給し、積層体における接着層を膨潤させることにより、当該接着層が膨潤したところから分離層に力が集中するようにして、基板とサポートプレートとに力を加えることができる。このため、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。

積層体に加える力は、積層体の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が３００ｍｍ程度の積層体であれば、０．１〜５ｋｇｆ程度の力を加えることによって、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。

分離層の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることがより好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。

なお、分離層と支持体との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層への光の入射を妨げることなく、好ましい性質等を有する層を、適宜追加することができる。分離層を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。

また、分離層は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層を形成してもよい。また、分離層における接着層に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、分離層の形成が容易に行え、かつ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。

（フルオロカーボン）
分離層は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。

分離層に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲の波長を用いることができる。

（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
分離層は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。

（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ^４）（Ｒ^５）であり（ここで、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−若しくは−ＮＨ−であり、ｎは０又は１〜５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）〜（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。

（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１〜２の整数であり、Ｘは、（ａ）〜（ｅ）において上記の“化１”に示した式の何れかであり、（ｆ）において上記の“化１”に示した式の何れかであるか、又は存在せず、Ｙ_１及びＹ_２はそれぞれ独立して、−ＣＯ−又はＳＯ_２−である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）
上記の“化１”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。

上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ_２−である場合の例としては、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。

上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ−である場合の例としては、ビス（２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシ−６−メチルフェニル）−スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。

上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）−である場合の例としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，６−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４−アミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジエチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−４’−メトキシ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４−ジメチルアミノ−３’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、封止基板からの支持体の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２，０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。

上述した分離層は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（無機物）
分離層は、無機物からなっていてもよい。分離層は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。

無機物からなる分離層に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。

無機物からなる分離層は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、支持体上に形成され得る。無機物からなる分離層の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、支持体に貼り付けてもよい。

なお、分離層として金属膜を使用する場合には、分離層の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。

（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ−Ｏ結合であり得る。

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ_２Ｂｒ、−ＣＨ_２Ｉ、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。

上記Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_２−、Ｓｉ−Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２、及びＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記Ｐ−Ａ^２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ−ＣＨ_３、Ｐ−ＣＨ_２−、Ｐ−Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３−Ｐ−Ｏ（Ａ^３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ^４Ｏ）_３−Ｐ−Ｏ（Ａ^４はアルキル）、Ｐ−ＯＣＨ_３、Ｐ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ、及びＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＴｉ−Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁〜第１５１頁の記載を参照することができる。

分離層の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層における化合物を効果的に変質させ、支持体と封止基板との分離を容易にするには、分離層における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（２）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式（１）で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（２）中、Ｒ^６は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（３）で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ−ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記化学式（２）で表される繰り返し単位及び下記化学式（３）で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（４）で表される繰り返し単位及び下記化学式（５）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（４）中、Ｒ^７は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、化学式（５）中、Ｒ^８は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７−２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０−１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９−２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）、及び特開２００９−２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式（６）で表される繰り返し単位及び下記化学式（７）で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式（６）で表される繰り返し単位及び下記化学式（７）で表される繰り返し単位を７：３で含む共重合体がさらに好ましい。

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。

また、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ_３Ｈ_７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２−Ｏ−］_ｎ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７、及びｎ−Ｃ_４Ｈ_９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_２−Ｏ−］_ｎ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。

中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上述した分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（赤外線吸収物質）
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

（反応性ポリシルセスキオキサン）
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより、分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。

本明細書中において、反応性ポリシルセスキオキサンとは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンであり、当該シラノール基又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができるものである。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を備えていれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えている反応性ポリシルセスキオキサンを採用することができる。

また、反応性ポリシルセスキオキサンは、下記化学式（８）に示す構造を有していることがより好ましい。

化学式（８）中、Ｒ”は、それぞれ独立して、水素及び炭素数１以上、１０以下のアルキル基からなる群より選択され、水素及び炭素数１以上、５以下のアルキル基からなる群より選択されることがより好ましい。Ｒ”が、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であれば、分離層形成工程における加熱によって、化学式（８）によって表される反応性ポリシルセスキオキサンを好適に縮合させることができる。

化学式（８）中、ｐは、１以上、１００以下の整数であることが好ましく、１以上、５０以下の整数であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンは、化学式（８）で表される繰り返し単位を備えることによって、他の材料を用いて形成するよりもＳｉ−Ｏ結合の含有量が高く、赤外線（０．７８μｍ以上、１，０００μｍ以下）、好ましくは遠赤外線（３μｍ以上、１，０００μｍ以下）、さらに好ましくは波長９μｍ以上、１１μｍ以下における吸光度の高い分離層を形成することができる。

また、化学式（８）中、Ｒ’は、それぞれ独立して、互いに同じか、又は異なる有機基である。ここで、Ｒは、例えば、アリール基、アルキル基、及び、アルケニル基等であり、これらの有機基は置換基を有していてもよい。

Ｒ’がアリール基である場合、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等を挙げることができ、フェニル基であることがより好ましい。また、アリール基は、炭素数１〜５のアルキレン基を介してポリシルセスキオキサン骨格に結合していてもよい。

Ｒ’がアルキル基である場合、アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基を挙げることができる。また、Ｒがアルキル基である場合、炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。また、Ｒが、環状のアルキル基である場合、単環状又は２〜４環状の構造をしたアルキル基であってもよい。

Ｒ’がアルケニル基である場合、アルキル基の場合と同様に、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルケニル基を挙げることができ、アルケニル基は、炭素数が２〜１５であることが好ましく、２〜６であることがより好ましい。また、Ｒが、環状のアルケニル基である場合、単環状又は２〜４環状の構造をしたアルケニル基であってもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、及びアリル基等を挙げることができる。

また、Ｒ’が有し得る置換基としては、水酸基及びアルコキシ基等を挙げることができる。置換基がアルコキシ基である場合、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキルアルコキシ基を挙げることができ、アルコキシ基における炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、７０モル％以上、９９モル％以下であることが好ましく、８０モル％以上、９９モル％以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が７０モル％以上、９９モル％以下であれば、赤外線（好ましくは遠赤外線、さらに好ましくは波長９μｍ以上、１１μｍ以下の光）を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００以上、５０，０００以下であることが好ましく、１，０００以上、１０，０００以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）が５００以上、５０，０００以下であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、サポートプレート上に好適に塗布することができる。

反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のＳＲ−１３、ＳＲ−２１、ＳＲ−２３及びＳＲ−３３等を挙げることができる。

＜積層体の製造方法、及び基板処理方法＞
本発明の一実施形態（実施形態４）に係る積層体の製造方法は、素子が実装される再配線層と、上記素子を封止材によって封止した封止体とを備えている封止基板を、上記封止基板を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、上記支持体上に、上述の接着剤組成物を塗布することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含している。また、本実施形態に係る積層体の製造方法において、支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、上記接着層形成工程前に、上記支持体上に光を照射することにより変質する分離層を形成する分離層形成工程を包含している。

また、本実施形態に係る基板処理方法は、本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法によって、上記積層体を製造した後、上記支持体を介して光を照射することで、上記分離層を変質させることにより、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、分離工程後、上記封止基板側に残る上記接着層の残渣を洗浄液によって除去する除去工程とを包含している。

図１は、本発明の実施形態１に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法における各工程を説明する図である。本実施形態に係る積層体の製造方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、及び封止基板形成工程をこの順に実施する。

［分離層形成工程］
図１の（ａ）に示すように、分離層形成工程では、光を透過する支持体１の一方の平面部１ａに、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、光を照射することで変質する分離層２を形成する。なお、「一方の平面部」とは、支持体１が有する平面部のうちの一つを指す。また、「平面部」は、実質的に平面と見なせる程度の微細な凹凸を有していてもよい。

［接着層形成工程］
図１の（ｂ）に示すように、接着層形成工程では、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により上述の接着剤組成物を塗布し、加熱するか、又は、減圧環境下に置くことにより、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去する。その後、接着層が熱重合開始剤を含んでいる場合、加熱することにより、当該接着層が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。なお、接着層３を加熱する条件は、熱重合開始剤における１分間半減温度、及び、１時間半減温度に基づき、適宜設定すればよいが、例えば、５０℃以上、３００℃以下の範囲内の温度において、真空下又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて行うことがより好ましい。

また、接着層が光重合開始剤を含んでいる場合、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて露光することにより、当該接着層が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。なお、露光する条件は、光重合開始剤の種類等に応じて適宜設定すればよい。

なお、接着層３が硬化性モノマーを含んでいなければ、溶剤を除去した後において、必ずしも加熱、又は露光を行なう必要はない。

［封止基板形成工程］
図１の（ｃ）〜（ｆ）に示すように、封止基板形成工程では、接着層３に、封止基板７を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、再配線層形成工程、実装工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。

［再配線層形成工程］
図１の（ｃ）に示すように、再配線層形成工程では、接着層３上に再配線層４を形成する。

一実施形態において、再配線層４の形成手順としては、まず、接着層３上に、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布及びスリット塗布等の方法により感光性樹脂を塗布することによって形成することができる。

続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線の形成手法としては、例えば、フォトリソグラフィー（レジストリソグラフィー）等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理には、例えば、ポジ型レジスト剤を用いたリソグラフィー処理、及びネガ型レジスト剤を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。

このように、フォトリソグラフィー処理、及びエッチング処理等を行うときにおいて、接着層３は、フッ化水素酸等の酸、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のアルカリ、及び、レジスト剤を溶解するためのレジスト溶剤に曝される。レジスト溶剤としては、ＰＧＭＥＡ、シクロペンタノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、及びシクロヘキサノン等が用いられる。しかしながら、接着層３は、シクロオレフィンポリマー中において硬化性モノマーを重合させることにより耐薬品性が高められている。このため、酸、アルカリのみならず、これらレジスト溶剤に曝されることによって接着層３が、溶解、又は剥離することを防止することができる。よって、接着層３上にレジスト剤によって精度の高いパターンを形成することができ、再配線層４を好適に形成することができる。

また、再配線層形成工程では、例えば、接着層３上に形成されたレジスト剤を硬化させるために、２００℃という高温環境下、４時間程度の加熱処理を行なう。このとき、接着層３は、高い耐熱性を備えているため、接着層にクラックが生じることを防止することができる。また、接着層３は、高い耐熱性を備えているため、高温環境下、長時間曝されたときにおいて、接着層３上に形成されたレジスト被膜が収縮（シュリンク）することを好適に防止することができる。従って、接着層３上に再配線層４を好適に形成することができる。

図１の（ｄ）に示すように、実装工程では、再配線層４上に素子５を実装する。再配線層４上への素子５の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。なお、実装工程において、再配線層４上にソルダーバンプを介して素子５を実装しているのであれば、素子５を封止する前に、当該ソルダーバンプをアンダーフィルによって封止してもよい。

図１の（ｅ）に示すように、封止工程では、素子５を封止材６によって封止する。特に限定されるものではなく、封止材６は、例えば、１３０℃〜１７０℃に加熱された状態で、高粘度の状態を維持しつつ、成形型を用いて圧縮成形される。このため、素子５を封止材６によって封止するときに、接着層３は素子５を配置した状態において、１３０℃〜１７０℃の温度にて加圧される。しかしながら、接着層３は、高い耐熱性を備えているため、１３０℃〜１７０℃の温度にて加圧されることで、素子５を配置した再配線層４が歪むことを好適に防止することができる。

図１の（ｆ）に示すように、薄化工程では、封止材６を薄化する。封止材６は、例えば、素子５と同等の厚さにまで薄化してもよい。

また、薄化工程後に封止材上へのバンプの形成、及び、絶縁層の形成等の処理をさらに行ってもよい。

以上の工程によって得られた図１の（ｇ）に示す積層体８は、光を透過する支持体１と、光を照射することで変質する分離層２と、接着層３と、封止基板７と、がこの順に積層されてなり、封止基板７は、素子５を封止する封止材６によって封止した封止体と、当該封止材の一方の平面部に設けられた、素子５を配置する再配線層４とを備えている。

［分離工程］
図１の（ｈ）に示すように、分離工程では、支持体１を介して、分離層２に光Ｌを照射することで、分離層２を変質させる。照射する光Ｌの種類及び波長は、支持体１の透過性及び分離層２の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層２を変質させて、支持体１と封止基板７とを容易に分離可能な状態とすることができる。

また、レーザ光を照射する場合のレーザ光照射条件の一例としては、以下の条件を挙げることができるが、これに限定されない：レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下であることが好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下であることがより好ましい；レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下であることが好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下であることがより好ましい；レーザ光の走査速度は、１００ｍｍ／ｓ以上、１０，０００ｍｍ／ｓ以下であることが好ましい。

その後、図１の（ｉ）に示すように、分離工程では、支持体１と封止基板７とを分離する。例えば、支持体１と封止基板７とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持体１と、封止基板７とを分離する。例えば、支持体１及び封止基板７の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持体１と封止基板７とを分離することができる。

〔除去工程〕
図１の（ｈ）に示すように、除去工程では、支持体１が分離された封止基板７に残留している接着層３と分離層２とを除去する。例えば、有機溶剤を含んでいる洗浄液等によって接着層３及び分離層２の残渣を除去する除去工程を行う。接着層３は、洗浄液として、接着剤組成物に用いられる希釈溶剤、つまり、炭化水素系溶剤を好ましく用いることができ、特に、ｐ−メンタン等のテルペン系溶剤、及びテトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素を用いることがより好ましい。

以上により、単離された封止基板７を得ることができる。

また、さらに、封止基板７に対して、ソルダーボール形成、ダイシング処理、及び、酸化膜形成等の処理を行ってもよい。

〔実施形態５〕
本発明の別の実施形態（実施形態５）について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態２に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、分離工程、及び除去工程をこの順に実施し、封止基板形成工程では、接着層３上に素子を配置する。なお、図２の（ａ）に示すように、分離層形成工程は、実施形態１と同様であるため、その説明を省略する。

［接着層形成工程］
本実施形態に係る積層体の製造方法が包含している接着層形成工程は、支持体１上に一実施形態に係る接着剤組成物を塗布し、実施形態１と同様の条件にて、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去するが、さらなる加熱、又は露光により接着層の硬化は行わない。

［封止基板形成工程］
図２の（ｃ）〜（ｆ）に示すように、封止基板形成工程では、接着層３上に、封止基板７を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、配置工程、封止工程、薄化工程、及び再配線層形成工程をこの順に行う。

図２の（ｃ）に示すように、配置工程では、接着層３上に素子５を配置する。より具体的には、配置工程では、接着層３が形成された支持体１を、１００℃程度に加熱した状態において、例えば、ダイボンダー等によって、素子５を接着層３に圧着することで、素子５を接着層３上に配置する。

なお、接着層が熱重合開始剤を含んでいる場合、配置工程において、接着層３上に素子５を配置した後に、接着層３を加熱することによって、当該接着層３が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。また、接着層が光重合開始剤を含んでいる場合、接着層３を露光することにより硬化させるとよい。

図２の（ｄ）に示すように、封止工程では、素子５を封止材６によって封止する。封止工程では、実施形態１の場合と同じく、素子５を封止材６によって封止するときに、接着層３は素子５を配置した状態において、１３０℃〜１７０℃の温度にて加圧される。しかしながら、接着層３は、高い耐熱性を備えているため、１３０℃〜１７０℃の温度という温度条件下、封止材６によって加圧されることにより生じる、接着層３上における素子５の位置ずれを防止することができる。よって、接着層３上において、素子５が高い精度で配列された封止基板７を好適に形成することができる。

図２の（ｅ）に示すように、薄化工程では、封止材６を薄化する。封止材６は、例えば、素子５の端子部が封止材６から露出するまで薄化すればよい。

図２の（ｆ）に示すように、再配線層形成工程では、封止体の素子５が露出した平面部に再配線層４を形成する。

本実施形態において、再配線層４の形成手順としては、実施形態１と同様に行うことができるため、その説明を省略する。

以上の工程により、実施形態１と同様に、積層体９を得ることができる。

その後、図２の（ｇ）及び（ｈ）に示すように、分離工程において、支持体１から分離層２に向かって光を照射することにより、分離層２を変質させることにより支持体１を積層体９から分離する。また、その後、除去工程において、実施形態１同様に、炭化水素系溶剤を用いて接着層３を除去することにより、封止基板７を得ることができる（図２の（ｉ））。

〔実施形態６〕
本発明の実施形態６について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態１及び２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態３に係る積層体の製造方法、及び封止基板の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。

［分離層形成工程］
図３の（ａ）に示すように、分離層形成工程は、実施形態１及び２と同様であるため、その説明を省略する。

［分離層周縁部分除去工程］
図３の（ｂ）に示すように、分離層周縁部分除去工程では、例えば、ＥＢＲ（Edge Bead Removal）処理により、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された分離層２を除去する。周縁部分１ｂは、平面部１ａの周縁部分である。これにより、図３の（ｂ）に示すように、平面部１ａ上には、分離層２が除去された周縁部分１ｂに囲まれた部分に、分離層２が形成されている状態となる。ＥＢＲ処理の詳細については後述する。

［接着層形成工程］
図３の（ｃ）に示すように、接着層形成工程では、支持体１における周縁部分１ｂ全周の分離層２を除去した側の面に、接着層３を形成する。これにより、支持体１上に形成された分離層２の全面を接着層３によって被覆する。なお、接着層３を形成する方法は、実施形態１と同じであるため、その説明を省略する。

［封止基板形成工程］
図３の（ｄ）〜（ｇ）に示すように、封止基板形成工程では、接着層３上に、封止基板７’を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、再配線層形成工程、実装工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。

図３の（ｄ）に示すように、実施形態３では、再配線層形成工程において、接着層３上に形成された再配線層４の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、再配線層４のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体８’（図３）においてＥＢＲ処理を好適に行うことができる。

なお、再配線層４を形成する方法は、実施形態１と同じであるため、その説明を省略する。

図３の（ｅ）〜（ｇ）に示すように、実施形態３においても、実装工程、封止工程、及び薄化工程を行う。なお、実施形態３における、実装工程、封止工程、及び薄化工程は、実施形態１と同様に行うことができるため、その説明を省略する。

［接着層除去工程］
図３の（ｈ）に示すように、接着層除去工程では、例えば、ＥＢＲ処理により、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された接着層３を除去する。接着層３のうち、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された部分は、分離層２を介さずに、支持体１と封止基板７’とを接着しているため、当該部分を除去しておくことにより、分離層２を変質させたときに、支持体１と封止基板７’とを円滑に分離することができる。

特に、支持体１上に形成されている分離層２の外周端部２ａよりも外側に形成された接着層３を除去しておくことにより、支持体１と封止基板７’とが、必ず分離層２を介して接着されている状態にすることができるため、分離層２を変質させたときに、支持体１と封止基板７’とをより円滑に分離することができる。

［分離工程〜除去工程］
図３の（ｉ）〜（ｋ）に示すように、実施形態１と同様に、分離工程、及び除去工程を行うことにより、封止基板７’を製造することができる。

（ＥＢＲ処理）
上述の（Ａ）分離層周縁部分除去工程において、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された分離層２を除去するためのＥＢＲ処理、及び、（Ｂ）接着層除去工程において、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された接着層３を除去するためのＥＢＲ処理は、例えば、（ｉ）溶剤によって溶解して除去する方法、（ｉｉ）カッター又はブレードなどを用いて物理的に切断して除去する方法、（ｉｉｉ）大気圧下でのアッシングにより除去する方法などが挙げられる。この中でも、強度及び実用性の観点から、溶剤によって除去する方法が好ましい。

溶剤によって除去する方法において用いられる溶剤としては、除去対象となる分離層２又は接着層３を溶解し得るものであればよく、特に限定されないので、当業者は、除去対象の組成に応じて、適宜選択することができる。例えば、接着層３に対して、特に、ｐ−メンタン等のテルペン系溶剤、及びテトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素等を用いることができる。また、分離層２に対しては、例えば、モノイソプロパノールアミン（ＭＩＰＡ）等の第一級脂肪族アミン、２−（メチルアミノ）エタノール等の第二級脂肪族アミン、トリエタノールアミン等の第三級の脂肪族アミン、シクロヘキシルアミン等の脂環式アミン、ベンジルアミン等の芳香族アミン及びＮ‐ヒドロキシエチルピペリジン等の複素環式アミンからなる群より選択される少なくとも１種のアミン類、又は、それらを含む溶剤等を用いることができる。なお、溶剤には、上述の（添加溶剤）の欄に列挙されたもののうち、テルペン溶剤以外の有機溶剤を好適に用いることができる。

溶剤を供給する方法としては、例えば、溶剤の噴出によって、除去対象に溶剤を供給する方法、除去対象を溶剤中に浸漬させる方法が挙げられる。

溶剤の噴出によって、除去対象に溶剤を供給する方法としては、均一に溶剤を供給するために、支持体１を回転させながら、除去対象に溶剤を供給する方法が好ましい。支持体１を回転させながら、溶剤を供給する方法としては、例えば、溶剤を噴出するノズルを支持体１の周縁部分１ｂの直ぐ外側の直上に配置し、溶剤を支持体１の周縁部分１ｂの直ぐ外側に滴下しながら、支持体１を、スピンナーを用いて回転させる方法が挙げられる。これにより、溶剤を支持体１の周縁部分１ｂの全周の直ぐ外側に供給することができる。なお、配置するノズルの数に制限はなく、１つ以上であればよい。

支持体１の回転及び溶剤の噴出を伴う上記方法において、支持体１の回転速度、溶剤をノズルから供給するときの溶剤の流量、及び溶剤の供給時間は、除去対象の組成、除去対象の厚さ、使用する溶剤の種類、及び除去の程度に応じて異なり得るものであるが、当業者であれば、その最適条件を困難なく検討及び決定することができる。

また、溶剤による除去対象の溶解後は、支持体１等を乾燥することが好ましい。乾燥工程を経ることによって、不要な溶剤、除去対象部分ではない分離層２又は接着層３に浸入した溶剤を除去することができる。

乾燥方法としては、スピンナー等を用いて支持体１を回転させることによる振り切り乾燥、窒素ガスなどの噴霧によるエアブローでの乾燥、ベークによる乾燥、及び減圧による乾燥等が挙げられる。なお、これらの乾燥方法としては、いずれかの方法を単独で用いる方法、あるいは任意の２つ以上の方法を組み合わせて用いる方法のいずれも可能である。

〔実施形態７〕
本発明の実施形態７について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態１〜３にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態４に係る積層体の製造方法、及び封止基板の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。

［分離層形成工程〜接着層形成工程］
分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、及び、接着層形成工程は、実施形態２と同じであるため、その説明を省略する。

［封止基板形成工程］
封止基板形成工程では、接着層３上に、素子５を配置して封止する。つまり、実施形態２と同じ工程によって、封止基板７’を形成する。その後、図４の（ａ）に示すように、封止基板７’の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、封止基板７のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体９’（図４）においてアミン処理を好適に行うことができる。

［接着層除去工程］
図４の（ｂ）に示すように、実施形態３と同じく、実施形態４においても、封止基板７’の外周端部をトリミング処理することにより、分離層２の外周端部２ａよりも外側に形成された接着層３を除去することができる。このため、分離層２を変質させたときに、支持体１と封止基板７’とをより円滑に分離することができる。

その後、実施形態１〜３と同様に、接着層３を炭化水素系溶剤により除去することにより、封止基板７’を製造することができる。

〔別の実施形態〕
本発明に係る積層体の製造方法及び基板処理方法は、上述の各実施形態（実施形態４、実施形態５、実施形態６、実施形態７）に限定されない。例えば、別の実施形態に係る積層体の製造方法では、各実施形態に係る積層体の製造方法によって形成された積層体における封止基板を、別の接着層及び別の分離層を介して別の支持体に積層する積層体の製造方法である。これにより、封止基板を形成するために用いられた接着層側における支持体を分離し、別の支持体により、封止基板を支持した状態において、当該封止基板を好適に加工することができる。

また、さらに別の実施形態に係る積層体の製造方法は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、上記基板上、又は、上記支持体上の少なくとも一方に、本願の一実施形態に係る接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含している。ここで、基板に、シリコン、セラミック、又はポリイミド樹脂等のフレキシブル基板等が挙げられ、典型的には、シリコンインターポーザであり得る。

上記の構成によれば、支持体上において、例えば、シリコンインターポーザを好適に加工して、貫通電極を形成することができる。つまり、一実施形態に係る接着剤組成物を用いて接着層を形成することにより、ファンイン型の半導体封止技術においても、好適に積層体を形成することができる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

樹脂成分としてベースポリマーと硬化性モノマーとを用いた、実施例１〜１５の接着剤組成物を調製した。併せて、比較例１〜４の接着剤組成物を調製し、その後、実施例１〜１５、及び比較例１〜４の接着剤組成物を用いて接着層を形成し、各接着層における、圧縮型による素子の封止への適応性評価、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価を行なった。

〔接着剤組成物の調製、及び接着層の形成〕

（実施例１）
実施例１の接着剤組成物として、８５重量部のＡＰＬ６０１５（シクロオレフィンポリマー：三井化学株式会社製）と、硬化性モノマーとして１５重量部のＡ−ＤＣＰ（トリシクロデカンジメタノールジアクリレート：新中村化学株式会社製）とを、４００重量部のデカヒドロナフタレンに溶解した。次に、１００重量部の硬化性モノマーに対して、２重量部となるようにしてパーロイルＴＣＰ（熱重合開始剤：日本油脂株式会社製）を添加し、接着剤組成物を調製した。なお、パーロイルＴＣＰは、１０重量部の酢酸ブチル（添加溶剤）に溶解して、樹脂成分に添加した。

次いで、ガラス支持体（１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ７００μｍ）上に、流量４００ｓｃｃｍ、圧力７００ｍＴｏｒｒ、高周波電力２５００Ｗおよび成膜温度２４０℃の条件下において、反応ガスとしてＣ_４Ｆ_８を使用したＣＶＤ法により、分離層であるフルオロカーボン膜（厚さ１μｍ）を形成した。

次いで、実施例１の接着剤組成物を、ガラス支持体に形成された分離層上にスピンコート法により１５００ｒｐｍで回転させながら塗布した。続いて、実施例１の接着剤組成物を塗布したガラス支持体を、１４０℃において５分間、予備加熱することにより実施例１の接着層を形成した（膜厚３μｍ）。この実施例１の接着層を、下記評価１及び２にそれぞれ用いた。

（実施例２〜１５）
実施例２〜１５として、実施例１と異なる組成及び組成比において、ベースポリマー、硬化性モノマー及び重合開始剤を配合し、接着剤組成物を調製した。続いて、実施例２〜１５の接着層を、これら接着剤組成物を用いて形成した。

（比較例１〜４）
ガラス転移温度が低いシクロオレフィンポリマー、又は、熱可塑性エラストマーを用いた以外は、実施例１の接着剤組成物を調製した手順に従って、比較例１〜４の接着剤組成物を調製した。次いで、比較例１〜４の接着剤組成物の夫々を、実施例１と同じ手順に従って、分離層が形成されたガラス支持体にスピン塗布し、１６０℃の条件にて、５分間、予備加熱することにより、厚さ５μｍの接着層を形成した。

なお、実施例１〜１５、及び、比較例１〜４において使用したベースポリマー、硬化性モノマーは以下に示す通りである。また、以下の表２〜４に、実施例１〜１５、及び比較例１〜４の組成を示す。

・以下の式（９）で示される環状ポリオレフィン（三井化学株式会社製、「ＡＰＬ６０１５（商品名）」、Ｔｇ＝１４０、Ｍｗ＝８０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０、ｍ：ｎ＝５８：４２（モル比））

・以下の式（１０）で示される環状ポリオレフィン（ポリプラスチック株式会社製、「ＴＯＰＡＳ６０１５（商品名）」、Ｔｇ＝１４０、Ｍｗ＝８０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０、ｍ：ｎ＝４８：５２（モル比））

・上記式（１０）で示される環状ポリオレフィン（ポリプラスチック株式会社製、「ＴＯＰＡＳ６０１７（商品名）」、ノルボルネン含量８２重量％、Ｔｇ＝１６０、Ｍｗ＝８０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０、ｍ：ｎ＝４３：５７（モル比））
・スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンのトリブロック共重合体（熱可塑性エラストマー）：ＳＥＰＳ（株式会社クラレ製、「Ｓｅｐｔｏｎ２００４（商品名）」、Ｔｇ＝９０℃、スチレン含有量１８％、分子量９０,０００）

なお、実施例及び比較例において使用したシクロオレフィンポリマーの重量平均分子量、及び、動的機械分析（ＤＭＡ:Ｄｙｎａｍｉｃ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）によって求めたガラス転移温度（Ｔｇ）は以下の表１に示す通りである。

なお、表１に示す、ガラス転移温度（Ｔｇ（ＤＭＡ）［℃］）は、動的粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｌｏｇｅｌ−Ｅ４０００（ＵＢＭ株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚの条件にて、５℃／分の昇温速度で、２５℃から３００℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づき求めた。

後述する表２〜４における、実施例１〜１０、１２〜１５の接着層のガラス転移温度（Ｔｇ（ＤＭＡ）［℃］）は、１４０℃、５分間の予備加熱処理を行い、次いで、２００℃、１時間、窒素雰囲気下における加熱処理をした後に測定したこと以外は、表１に示すガラス転移温度の測定と同じ条件によって測定した。

また、実施例１１の接着層のガラス転移温度（Ｔｇ（ＤＭＡ）［℃］）については、１４０℃、５分間の予備加熱処理を行い、次いで、高圧水銀ランプＵＶ露光機（ＯＲＣ株式会社製）を用い、減圧真空下、５００ｍJ/ｃｍ^２の条件にて露光処理を行なった後に測定したこと以外は、表１に示すガラス転移温度の測定と同じ条件によって測定した。

比較例１、２、４の接着層のガラス転移温度（Ｔｇ（ＤＭＡ）［℃］）については、１６０℃、５分間の予備加熱処理を行ったこと以外は、表１に示すガラス転移温度の測定と同じ条件によって測定した。また、比較例３の接着層のガラス転移温度（Ｔｇ（ＤＭＡ）［℃］）については、１６０℃、５分間の予備加熱処理を行なった以外は、実施例１の接着層と同じ条件にて加熱処理し、ガラス転移温度を測定した。

〔硬化性モノマー〕
・以下の式（１１）で示されるトリシクロデカンジメタノールジアクリレート（新中村化学株式会社製、「Ａ−ＤＣＰ（商品名）」）

・以下の式（１２）で示されるトリシクロデカンジメタノールジメタクリレート（新中村化学株式会社製、「ＤＣＰ（商品名）」）

・以下の式（１３）で示される、１，３−アダマンタンジオールジアクリレート（三菱ガス化学株式会社製、「ＡＤＤＡ（商品名）」）

・以下の式（１４）で示される、５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジオールジメタクリレート（三菱ガス化学株式会社製、「ＨＡＤＤＭ（商品名）」）

・以下の式（１５）で示される、１，３，５−アダマンタントリオールトリメタクリレート（三菱ガス化学株式会社製、「ＡＤＴＭ（商品名）」）

〔評価１：圧縮型による素子の封止に対する適応性評価〕
実施例１の接着層における所定位置にベアチップを配置し、封止剤（封止材）を用いてベアチップを封止した。このときにおけるベアチップの位置ずれの程度を、圧縮型による封止（モールディング）に対する適応性として評価した。

ベアチップの配置は、ダイボンダー（ＴＲＥＳＫＹ社製）を使用して行なった。まず、ダイボンダーのプレートを１５０℃に加熱し、３５Ｎの圧力にて、１秒間、実施例１の接着層上に２ｍｍ角のシリコン製のベアチップを圧着した。これにより、図５に示すように、ガラス支持体１に形成された接着層３における、四隅周辺部、及び中央部にベアチップ（素子）５を配置した。

次に、ベアチップを配置した実施例１の接着層を、２００℃、１時間、窒素雰囲気下にて加熱した。加熱後、ベアチップを配置した状態において、実施例１の接着層を形成したガラス支持体を、５０℃に加熱したプレート上に載置し、１２ｇのエポキシ樹脂を含む封止剤を乗せ、１０Ｐａよりも低い減圧条件下、貼付装置を用いて、１３０℃に加熱した押圧用プレートにて１トンの圧力を加え、５分間圧縮した（図２の（ｃ）及び（ｄ）に示す、配置工程に該当する）。これにより、接着層上に配置されたベアチップを封止材によって封止することにより、封止基板を積層した実施例１の積層体を得た。

実施例１の積層体を、光学顕微鏡を用いてガラス面側から観察し、貼り付けを行ったベアチップ５の位置ずれの程度を評価した。図５に示すように、接着層３上に配置された各ベアチップ５の貼り付けたときの位置から、Ｘ方向、及びＹ方向に対する移動距離の和を求め、各ベアチップの移動距離とした。続いて、ベアチップ５の移動距離の平均値を求め、移動距離の評価値とした。

圧縮型による封止に対する適応性は、ベアチップ５の移動距離が３μｍ以下である場合、位置ずれ無し「○」と評価し、ベアチップ５の移動距離が３μｍよりも大きい場合、位置ずれ有り「×」と評価した。

なお、実施例２〜１０、１２〜１５、及び比較例３の接着層について、実施例１と同じ手順に従って、接着層を形成し、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を行なった。

また、比較例１、２、及び４の接着層については、ベアチップを所定の位置に圧着した後に、接着層の加熱を行わないこと以外は、実施例１の接着層の評価における手順と同様に、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を行なった。

実施例１１の接着層については、ダイボンダーを使用してベアチップを圧着した後、２００℃、１時間、窒素雰囲気下における加熱処理に代えて、高圧水銀ランプＵＶ露光機（ＯＲＣ株式会社製）を用い、減圧真空下、５００ｍJ/ｃｍ^２の条件にて露光処理を行なったこと以外は、実施例１の接着層の評価における手順と同様に、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を行なった。

以下に示す、表２〜４に、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価の結果を示す。

〔評価２：絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価〕
評価１に用いた接着層と同様の手順に従って作成した実施例１〜１５、及び比較例１〜４の接着層について、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価（評価２）を行なった。絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価においては、レジスト溶剤への耐薬品性、及び、パターン形成後の加熱処理に対する耐熱性を評価した。

なお、実施例１〜１０、１２〜１５及び比較例１〜４について、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価は、夫々、２００℃、１時間、窒素雰囲気下における加熱処理を行なった後に行なった。また、実施例１１の接着層は、評価１における露光条件と同じ条件にて露光した後に、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価を行なった。

（薬品耐性の評価）
まず、ポジ型レジストの評価について、各接着層に対して、絶縁膜形成用組成物ＰＮ−０３７９Ｄ（ＰＧＭＥＡ含有、東京応化工業株式会社製）を１０００ｒｐｍにてスピン塗布し、１１０℃、４分間の条件にて予備加熱することによって、５μｍの乾燥被膜を形成した。次に、ＯＲＣ社製の平行光露光機（ｇｈｉ）を使用して、当該被膜に対してパターン露光を行なった。次に、露光後の被膜を２．３８％ＴＭＡＨ水溶液に２３℃、５分間浸漬させることにより、ポジ型レジストによる感光性絶縁膜を、１００μｍ幅のラインパターンにて形成した。

また、ネガ型レジストの評価について、各接着層に対して、ネガ型レジストであるＢＬ３０１（ＮＭＰ含有、旭化成株式会社製）を１０００ｒｐｍにてスピン塗布し、１１０℃、４分間の条件にて予備加熱することによって、５μｍの接着層を形成した。次に、ＯＲＣ社製の平行光露光機（ｇｈｉ）を使用しパターン露光をした後、シクロヘキサノンに２３℃、５分間浸漬させ、ネガ型レジストによる感光性絶縁膜を、１００μｍ幅のラインパターンにて形成した。

薬品耐性の評価は、上記で得られたパターンを、ＰＧＭＥＡ、ＴＭＡＨ、ＮＭＰ、及びシクロヘキサノンに２３℃、５分間それぞれ浸漬させたときにおける各接着層の外観における変化を目視にて評価した。薬品耐性の評価は、重量及び外観に変化が見られない場合は「○」とし、重量変化又は外観変化（ラインパターンの浮きや、接着層におけるクラックの有無）が見られた場合は「×」と判定した。

以下の表２〜４に、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価における薬品耐性の評価結果を示す。

（耐熱性の評価）
次に、耐熱性の評価として、薬品耐性を評価した各積層体について、２００℃、４時間、窒素雰囲気下で加熱処理した後、１００μｍ幅に形成されたラインパターンに縮み（シュリンク）が発生しているか否かを評価した。耐熱性の評価は、光学顕微鏡を使用して、加熱処理後の１００μｍ幅ラインパターンの幅を測定し、幅の増減が５μｍより小さければ、耐熱性「○」と評価し、幅の増減が５μｍより大きければ、耐熱性「×」と評価した。

以下の表２〜４に、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価における耐熱性の評価結果を示す。

なお、耐熱性の評価を行なった後、ラインパターンを形成した各接着層上にベアチップを配置し、評価１と同じ条件にて、当該ベアチップをエポキシ樹脂を含む封止剤によって封止することにより、封止基板を積層した積層体を得た。

〔評価３：洗浄性の評価〕
評価１及び２において形成した、各積層体におけるガラス支持体側から分離に向かって、波長５３２ｎｍのレーザ光を照射することにより、当該分離層を変質させた。次いで、各積層体からガラス支持体を分離して、接着層を露出させた。洗浄液としてｐ−メンタンを用い、５分間、スプレー洗浄を行うことによって、接着層が残存する封止基板を洗浄した。洗浄性の評価は、封止基板における接着層の残渣の有無を目視により確認し、残渣が全く見られなかった場合に、洗浄性を「○」と評価し、残渣が多く見られた場合には、洗浄性を「×」と評価した。

以下の表２に、実施例１〜６の接着剤組成物の組成、及び各評価結果を示す。

以下の表３に、実施例７〜１５の接着剤組成物の組成、及び各評価結果を示す。

以下の表４に、比較例１〜４の接着剤組成物の組成、及び各評価結果を示す。

（各評価結果）
表２及び３に示すように、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価について、実施例１〜１５の接着層はいずれも、配置されたベアチップの位置ずれが見られなかった（○）。これに対して、表４に示すように、比較例１〜４では、ベアチップの位置ずれが認められた（×）。これらの結果から、Ｔｇが１４０℃以上のベースポリマーを用いることにより、接着層上に素子を封止して当該素子を好適に封止することができる接着剤組成物を得ることができることを確認することができた。

なお、以下の表５に、実施例７の接着層について、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を、押圧用プレスにおける加熱温度を１３０℃から、１５０℃、及び１７０℃に代えて行った結果を示す。

また、表５に示すように、比較例１ではチップの大きな移動（５３５μｍ）が見られたのに対し、実施例７では封止の際のプレート温度を１７０℃にしても、ほとんどチップの位置ずれが見られなかった（≦３μｍ）。

また、表２及び３に示すように、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価について、実施例１〜１５の接着層はいずれも、配置されたベアチップの位置ずれが見られなかった（○）。これに対して、表４に示すように、比較例１〜４では、ベアチップの位置ずれが認められた（×）。特に、比較例３の接着層では、Ａ−ＤＣＰを配合しても、評価１及び評価２において十分な結果を得ることができなかった。これら実施例１〜１５、及び比較例１〜４の結果からＴｇが１００℃以上のシクロオレフィンポリマー及び硬化性モノマーを用いることにより、高温環境下において力を加えても変形することを防止することができる接着層を形成することができることを確認することができた。また、この結果から、Ｔｇが１００℃以上のシクロオレフィンポリマー及び硬化性モノマーを用いることにより、接着層上において素子を配置し、当該素子を好適に封止することができる接着剤組成物を得ることができることを確認することができた。

絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価における薬品耐性では、実施例１〜１５、及び比較例１〜４の何れにおいても、各レジスト溶剤に対して、高い薬品耐性を備えていることを確認した。しかしながら、耐熱性の評価において、実施例１〜１５の接着層は、２００℃、４時間の加熱条件において、接着層上に形成されたレジストパターンの収縮が略認められなかった（〇）。これに対して、比較例１〜４の接着層では、レジストパターンの収縮が認められた（×）。これらのことから、Ｔｇが高いシクロオレフィンポリマーと、硬化性モノマーを併用することにより、レジストパターンの収縮を防止することができる接着層を形成することができることを確認することができた。

また、実施例７、比較例１の接着層の上に形成したラインパターンと、接着層を形成せずに直接ガラス支持体上に形成したラインパターンとを、評価２における耐熱性評価と同じ条件にて加熱処理し、そのラインパターンの幅の増減、及び変化量を計測した。以下の表６に結果を示す。

表６に示すように、レジストによるパターン形成における加熱処理の前後において、実施例７の接着層上に形成されたレジストパターンの収縮の程度と、ガラス支持体上に直接形成されたレジストパターンの収縮の程度は、略変わらないことを確認することができた。

これに加えて、洗浄性の評価（評価３）においても、実施例１〜１５の接着層は、表２〜４に示すように、ｐ−メンタンによる洗浄除去も良好に行えた（○）。

以上の結果から、Ｔｇが１００℃以上のシクロオレフィンポリマーに硬化性モノマーを配合することにより、絶縁パターン形成プロセスへの適応性、及び絶縁パターン形成プロセスへの適応性の高い接着層を形成することができる接着剤組成物を得ることができることを確認することができた。

本発明は、特にファンアウト型技術による半導体装置の製造において好適に利用することができる。

１ 支持体
３ 接着層
４ 再配線層
５ ベアチップ（素子、封止体）
６ 封止材（封止体）
７、７' 封止基板
８、８'、９、９' 積層体

Claims (13)

1. 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
   上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１６０℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
   上記樹脂成分における上記多官能型の硬化性モノマーの含有量は、４０重量％以下であり、
   当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、１６０℃以上であることを特徴とする接着剤組成物。
2. 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
   上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１００℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
   上記樹脂成分における上記多官能型の硬化性モノマーの含有量は、１０重量％以上４０重量％以下の範囲内であり、
   当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、１６０℃以上であることを特徴とする接着剤組成物。
3. 上記多官能型の硬化性モノマーは、多環式脂肪族構造を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の接着剤組成物。
4. 上記シクロオレフィンポリマーは、多環式脂肪族構造を有する構成単位と、エチレン単量体単位との付加重合体であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の接着剤組成物。
5. 上記樹脂成分を溶解する溶剤をさらに含んでおり、当該溶剤は、縮合多環式炭化水素、及び、分岐状炭化水素からなる群から選択される１つを含んでいることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の接着剤組成物。
6. フィルム上に、請求項１〜４の何れか一項に記載の接着剤組成物からなる接着層が形成されていることを特徴とする接着フィルム。
7. 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
   上記基板上、又は、上記支持体上の少なくとも一方に、請求項１〜５の何れか一項に記載の接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含していることを特徴とする積層体の製造方法。
8. 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
   上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、
   上記支持体上に、接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、
   上記接着層の上に素子を配置する配置工程と、
   上記配置工程の後に上記素子を封止材によって封止する封止工程とを包含しており、
   上記接着層のガラス転移温度は１６０℃以上であり、上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１６０℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることを特徴とする積層体の製造方法。
9. 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
   上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、
   上記支持体上に、接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、
   上記接着層の上に上記再配線層を形成する再配線層形成工程とを包含しており、
   上記接着層のガラス転移温度は１６０℃以上であり、上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１６０℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることを特徴とする積層体の製造方法。
10. 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
    上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、
    上記支持体上に、接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、
    上記接着層の上に素子を配置する配置工程と、
    上記配置工程の後に上記素子を封止材によって封止する封止工程とを包含しており、
    上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１００℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
    当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、１６０℃以上であることを特徴とする積層体の製造方法。
11. 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
    上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、
    上記支持体上に、接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、
    上記接着層の上に上記再配線層を形成する再配線層形成工程とを包含しており、
    上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が１００℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
    当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、１６０℃以上であることを特徴とする積層体の製造方法。
12. 上記支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、
    上記接着層形成工程の前に、上記支持体上に、光を照射することにより変質する分離層を形成する分離層形成工程をさらに包含していることを特徴とする請求項７〜１１の何れか一項に記載の積層体の製造方法。
13. 請求項１２に記載の積層体の製造方法と、
    上記支持体を介して、上記分離層に光を照射することにより変質させ、上記積層体から上記基板を分離する分離工程と、
    上記分離工程後、上記積層体から分離した上記基板上に残る上記接着層を洗浄液により除去する除去工程とを包含していることを特徴とする基板処理方法。

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