JP6803989B2 - 固体撮像装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Description
本技術の一側面の固体撮像装置は、複数のSPAD画素を2次元状に配列した画素アレイ部を備え、基準の照度よりも高い照度である第1の照度となる場合に、前記画素アレイ部に配列される複数のSPAD画素のうち、一部のSPAD画素が、SPADのアバランシェ部を複数に分割した分割アバランシェ部単位で間引かれるようにする固体撮像装置である。
本技術の一側面の固体撮像装置においては、基準の照度よりも高い照度である第1の照度となる場合に、前記画素アレイ部に配列される複数のSPAD画素のうち、一部のSPAD画素が、SPADのアバランシェ部を複数に分割したアバランシェ部である分割アバランシェ部単位で間引かれる。
2.本技術の実施の形態
3.変形例
4.電子機器の構成
5.固体撮像装置の使用例
6.移動体への応用例
図1は、本技術を適用した固体撮像装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
図2は、図1の画素アレイ部21に配列される複数のSPAD画素の駆動の第1の例を示している。
図3は、図1の画素アレイ部21に配列される複数のSPAD画素の駆動の第2の例を示している。
図4は、SPAD画素100の構造の第1の例を示す断面図である。
図5は、SPAD画素100の構造の第2の例を示す断面図である。
図6は、SPAD画素100の構造の第3の例を示す平面図である。
図8は、SPAD画素100の構造の第4の例を示す平面図である。
図10は、単一光子アバランシェフォトダイオード110のアノード−カソード間の電圧差によるアバランシェ発生確率の例を示す図である。
次に、図11のフローチャートを参照して、制御回路22により実行されるSPAD画素駆動制御処理の流れを説明する。
図12は、SPAD画素100の構造の他の例を示す平面図である。
上述した説明では、図2に示した画素アレイ部21において、高照度時に、複数のSPAD画素100のうち、任意のSPAD画素100が、画素単位で不規則(ランダム)に、間引き画素になることで、消費電力を削減することができるとして説明したが、ここでは、画素単位で不規則に間引き画素になる場合に限らず、画素単位で規則的に間引き画素になるようにしてもよい。
単一光子アバランシェフォトダイオード110において、アノードは、光の入射側の面である第1の面の側、又は第1の面と反対側の面である第2の面の側に形成され、カソードは、第2の面の側、又は第1の面の側に形成されるようにすることができる。すなわち、単一光子アバランシェフォトダイオード110のアノードとカソードは、例えば、半導体の表面にそれぞれ配置されていても、表面と裏面にそれぞれ配置されていてもよい。
上述した説明では、固体撮像装置10として、画像データを得るためのイメージセンサ(例えば、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ)を例にして説明したが、例えば、距離センサ(例えば、TOF(Time of Flight)法によって距離計測を行うセンサ)などの他のセンサとして用いられるようにしてもよい。
上述した説明では、画素アレイ部21に配列された複数のSPAD画素100の配列パターンとして、ベイヤー配列で配列される場合を説明したが、他の配列パターンを採用してもよい。また、SPAD画素100としては、R画素、G画素、又はB画素となる場合を説明したが、例えば、白(W)のW画素や、赤外線(IR)のIR画素などが含まれるようにしてもよい。
上述した説明では、画素アレイ部21に配列された複数のSPAD画素100は、制御回路22によって駆動が制御されるとして説明したが、例えば、固体撮像装置10とは異なる外部の装置からの制御に従い、SPAD画素100の駆動が制御されるようにするなど、他の手法によって、SPAD画素100の駆動が制御されるようにしてもよい。
複数のSPAD(Single Photon Avalanche Diode)画素を2次元状に配列した画素アレイ部を備え、
基準の照度よりも高い照度である第1の照度となる場合に、前記画素アレイ部に配列される複数のSPAD画素のうち、一部のSPAD画素が間引かれるようにする
固体撮像装置。
(2)
前記画素アレイ部では、一部のSPAD画素である間引き画素が、画素単位、又は複数の画素からなるブロック単位で間引かれる
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記間引き画素は、画素単位又はブロック単位で、前記画素アレイ部にて規則的に又は不規則に配置される
前記(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記間引き画素は、SPADのアノード又はカソードの電圧を制御することで、間引かれる
前記(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記SPAD画素は、SPADのアバランシェ部が複数に分割され、分割されたアバランシェ部である分割アバランシェ部単位で間引かれる
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(6)
前記分割アバランシェ部は、アノード又はカソードの電圧を制御することで、間引かれる
前記(5)に記載の固体撮像装置。
(7)
前記分割アバランシェ部は、前記分割アバランシェ部の上部に設けられるゲート電極を制御することで、間引かれる
前記(5)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記分割アバランシェ部ごとに、不要な電子を排出するためのオーバーフロードレインがさらに設けられる
前記(7)に記載の固体撮像装置。
(9)
一部のSPAD画素である間引き画素ごとに、SPADのアノードとカソードとの電位差を、アバランシェの発生確率との関係を利用して制御する
前記(1)乃至(8)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(10)
前記照度は、基準となる閾値に応じて、前記第1の照度を含む複数の段階の照度に分類される
前記(1)乃至(9)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(11)
前記照度は、前記閾値に応じて、前記第1の照度と、前記第1の照度よりも低い照度である第2の照度との2段階に分類される
前記(10)に記載の固体撮像装置。
(12)
前記照度は、前記閾値に応じて、前記第1の照度と、前記第1の照度よりも低い照度である第2の照度と、前記第2の照度よりも低い照度である第3の照度との3段階に分類される
前記(10)に記載の固体撮像装置。
(13)
前記SPAD画素のSPADにおいて、
アノードは、光の入射側の面である第1の面の側、又は前記第1の面と反対側の面である第2の面の側に形成され、
カソードは、前記第2の面の側、又は前記第1の面の側に形成される
前記(1)乃至(12)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(14)
複数のSPAD画素を2次元状に配列した画素アレイ部を有する固体撮像装置の駆動方法において、
基準の照度よりも高い照度である第1の照度となる場合に、前記画素アレイ部に配列される複数のSPAD画素のうち、一部のSPAD画素が間引かれるようにする
駆動方法。
Claims (14)
- 複数のSPAD(Single Photon Avalanche Diode)画素を2次元状に配列した画素アレイ部を備え、
基準の照度よりも高い照度である第1の照度となる場合に、前記画素アレイ部に配列される複数のSPAD画素のうち、一部のSPAD画素が、画素単位、複数の画素からなるブロック単位、又はSPADのアバランシェ部を複数に分割した分割アバランシェ部単位で間引かれるようにする
固体撮像装置。 - 前記一部のSPAD画素である間引き画素が、画素単位又はブロック単位で間引かれる場合に、前記間引き画素は、画素単位又はブロック単位で、前記画素アレイ部にて規則的に又は不規則に配置される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記間引き画素は、SPADのアノード又はカソードの電圧を制御することで、間引かれる
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記分割アバランシェ部は、アノード又はカソードの電圧を制御することで、間引かれる
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記分割アバランシェ部は、前記分割アバランシェ部の上部に設けられるゲート電極を制御することで、間引かれる
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記分割アバランシェ部ごとに、不要な電子を排出するためのオーバーフロードレインがさらに設けられる
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記一部のSPAD画素である間引き画素ごとに、SPADのアノードとカソードとの電位差を、アバランシェの発生確率との関係を利用して制御する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記照度は、基準となる閾値に応じて、前記第1の照度を含む複数の段階の照度に分類される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記照度は、前記閾値に応じて、前記第1の照度と、前記第1の照度よりも低い照度である第2の照度との2段階に分類される
請求項8に記載の固体撮像装置。 - 前記照度は、前記閾値に応じて、前記第1の照度と、前記第1の照度よりも低い照度である第2の照度と、前記第2の照度よりも低い照度である第3の照度との3段階に分類される
請求項8に記載の固体撮像装置。 - 前記SPAD画素のSPADにおいて、
アノードは、光の入射側の面である第1の面の側、又は前記第1の面と反対側の面である第2の面の側に形成され、
カソードは、前記第2の面の側、又は前記第1の面の側に形成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 複数のSPAD画素を2次元状に配列した画素アレイ部を有する固体撮像装置の駆動方法において、
基準の照度よりも高い照度である第1の照度となる場合に、前記画素アレイ部に配列される複数のSPAD画素のうち、一部のSPAD画素が、画素単位、複数の画素からなるブロック単位、又はSPADのアバランシェ部を複数に分割した分割アバランシェ部単位で間引かれるようにする
駆動方法。 - 複数のSPAD画素を2次元状に配列した画素アレイ部を備え、
基準の照度よりも高い照度である第1の照度となる場合に、前記画素アレイ部に配列される複数のSPAD画素のうち、一部のSPAD画素が、SPADのアバランシェ部を複数に分割した分割アバランシェ部単位で間引かれるようにする
固体撮像装置。 - 前記分割アバランシェ部は、アノード若しくはカソードの電圧を制御するか、又は前記分割アバランシェ部の上部に設けられるゲート電極を制御することで、間引かれる
請求項13に記載の固体撮像装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017156746 | 2017-08-15 | ||
JP2017156746 | 2017-08-15 | ||
PCT/JP2018/029162 WO2019035369A1 (ja) | 2017-08-15 | 2018-08-03 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019035369A1 JPWO2019035369A1 (ja) | 2020-06-11 |
JP6803989B2 true JP6803989B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=65362241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019536731A Active JP6803989B2 (ja) | 2017-08-15 | 2018-08-03 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10750104B2 (ja) |
EP (1) | EP3573333B1 (ja) |
JP (1) | JP6803989B2 (ja) |
CN (2) | CN115278120A (ja) |
WO (1) | WO2019035369A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022002229A (ja) * | 2018-09-05 | 2022-01-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、および撮像素子 |
JP7277242B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2023-05-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその制御方法 |
JP2021082973A (ja) * | 2019-11-20 | 2021-05-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および移動体 |
CN111090104B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-11-11 | 维沃移动通信有限公司 | 成像处理方法和电子设备 |
JP7543236B2 (ja) | 2021-10-20 | 2024-09-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7719029B2 (en) * | 2007-05-17 | 2010-05-18 | Princeton Lightwave, Inc. | Negative feedback avalanche diode |
CN102099916B (zh) * | 2008-07-25 | 2013-07-31 | 康奈尔大学 | 光场图像传感器、方法及应用 |
JP2012235265A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Panasonic Corp | イメージセンサ及びその駆動方法 |
GB201219781D0 (en) * | 2012-11-02 | 2012-12-19 | St Microelectronics Res & Dev | Improvements in time of flight pixel circuits |
JP6090060B2 (ja) | 2013-08-23 | 2017-03-08 | 株式会社豊田中央研究所 | シングルフォトンアバランシェダイオード |
CN103780852A (zh) * | 2014-02-17 | 2014-05-07 | 苏州超锐微电子有限公司 | 一种应用于单光子探测器的淬灭和信号读取电路 |
CN106165399B (zh) * | 2014-04-07 | 2019-08-20 | 三星电子株式会社 | 高分辨率、高帧率、低功率的图像传感器 |
US10531024B2 (en) * | 2015-05-11 | 2020-01-07 | Quantum Semiconductor Llc | Pixel for use with light having wide intensity range |
US9887218B2 (en) * | 2015-07-16 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device, operating method thereof, and electronic device |
DE112016005522T5 (de) | 2015-12-03 | 2018-08-30 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Halbleiter-Bildgebungselement und Bildgebungsvorrichtung |
WO2017150391A1 (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | ソニー株式会社 | 撮像装置及び測距システム |
-
2018
- 2018-08-03 US US16/479,843 patent/US10750104B2/en active Active
- 2018-08-03 JP JP2019536731A patent/JP6803989B2/ja active Active
- 2018-08-03 EP EP18846616.3A patent/EP3573333B1/en active Active
- 2018-08-03 CN CN202210716560.1A patent/CN115278120A/zh active Pending
- 2018-08-03 CN CN201880008273.7A patent/CN110235432B/zh active Active
- 2018-08-03 WO PCT/JP2018/029162 patent/WO2019035369A1/ja unknown
-
2020
- 2020-06-02 US US16/890,207 patent/US11115609B2/en active Active
-
2021
- 2021-08-20 US US17/407,703 patent/US11582407B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115278120A (zh) | 2022-11-01 |
CN110235432A (zh) | 2019-09-13 |
WO2019035369A1 (ja) | 2019-02-21 |
EP3573333B1 (en) | 2021-05-19 |
US10750104B2 (en) | 2020-08-18 |
JPWO2019035369A1 (ja) | 2020-06-11 |
EP3573333A4 (en) | 2020-01-01 |
US20220014692A1 (en) | 2022-01-13 |
US11582407B2 (en) | 2023-02-14 |
US20200322550A1 (en) | 2020-10-08 |
EP3573333A1 (en) | 2019-11-27 |
US11115609B2 (en) | 2021-09-07 |
CN110235432B (zh) | 2022-06-14 |
US20200213538A1 (en) | 2020-07-02 |
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