JP6800062B2 - Adhesive tape - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハ等をチップ状の素子に分断するダイシング工程において、半導体ウエハ等を固定するのに利用できるとともに、エキスパンドすることによりチップ状に分断するのに利用できる、エキスパンド可能な粘着テープに関する。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is an expandable adhesive tape that can be used to fix a semiconductor wafer or the like in a dicing step for dividing a semiconductor wafer or the like into chip-shaped elements, and can be used to divide the semiconductor wafer or the like into chips by expanding. Regarding.
従来、集積回路(IC:Integrated Circuit)などの半導体装置の製造工程では、回路パターン形成後のウエハを薄膜化するためにウエハ裏面を研削するバックグラインド工程、ウエハの裏面に粘着性および伸縮性のある粘着テープを貼り付けた後、ウエハをチップ単位に分断するダイシング工程、粘着テープを拡張(エキスパンド)するエキスパンド工程、分断されたチップをピックアップするピックアップ工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する(あるいは、スタックドパッケージにおいては、チップ同士を積層、接着する)ダイボンディング(マウント)工程が実施される。 Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor devices such as integrated circuits (ICs), the back grind process of grinding the back surface of the wafer in order to thin the wafer after forming the circuit pattern, and the adhesive and stretchable back surface of the wafer. A dicing process that divides a wafer into chip units after attaching a certain adhesive tape, an expanding process that expands the adhesive tape, a pickup process that picks up the divided chips, and a lead frame or package for the picked up chips. A die bonding (mounting) step of adhering to a substrate or the like (or, in a stacked package, laminating and adhering chips to each other) is performed.
上記ダイシング工程では、一般に、基材フィルム上に粘着剤層が積層された粘着テープが使用される。このような粘着テープを用いる場合は、まず、ウエハの裏面に粘着テープの粘着剤層を貼合してウエハを固定し、ダイシングブレードを用いてウエハをチップ単位にダイシングする。その後、粘着テープをウエハの径方向に拡張することによって、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、CCDカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、チップをピックアップする際に、隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。 In the dicing step, an adhesive tape in which an adhesive layer is laminated on a base film is generally used. When such an adhesive tape is used, first, an adhesive layer of the adhesive tape is attached to the back surface of the wafer to fix the wafer, and the wafer is diced in chip units using a dicing blade. Then, by expanding the adhesive tape in the radial direction of the wafer, an expanding step of widening the distance between the chips is performed. This expanding step is carried out in order to improve the recognition of chips by a CCD camera or the like in the subsequent pick-up process and to prevent chip damage caused by contact between adjacent chips when picking up chips. To.
近年のICカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来350μm程度の厚みであったウエハを、50〜100μmあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。脆質部材であるウエハは、薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。このような極薄ウエハは、上述のような高速回転するダイシングブレードにより切断されると、半導体ウエハの特に裏面側にチッピング等が生じ、チップの抗折強度が著しく低下するという問題があった。 With the spread of IC cards in recent years, the thickness of semiconductor chips, which are the constituent members of IC cards, has been reduced. For this reason, it has become necessary to reduce the thickness of a wafer, which was conventionally about 350 μm, to 50 to 100 μm or less. As the wafer, which is a brittle member, becomes thinner, the risk of breakage during processing and transportation increases. When such an ultrathin wafer is cut by a dicing blade that rotates at a high speed as described above, there is a problem that chipping or the like occurs particularly on the back surface side of the semiconductor wafer, and the bending strength of the chip is significantly lowered.
このため、レーザー光を半導体ウエハの内部に照射して選択的に改質領域を形成させながらダイシングラインを形成して改質領域を起点として半導体ウエハを切断する、いわゆるステルスダイシング法が提案されている(特許文献1)。ステルスダイシング法によれば、レーザー光を半導体ウエハの内部に照射して改質領域を形成後、極薄の半導体ウエハを粘着テープに貼付し、粘着テープをエキスパンドすることで、ダイシングラインに沿って半導体ウエハを分割(ダイシング)し、半導体チップを歩留まりよく生産することができる。 For this reason, a so-called stealth dicing method has been proposed in which a dicing line is formed while selectively forming a modified region by irradiating the inside of the semiconductor wafer with a laser beam to cut the semiconductor wafer starting from the modified region. (Patent Document 1). According to the stealth dicing method, a laser beam is irradiated inside the semiconductor wafer to form a modified region, and then an ultrathin semiconductor wafer is attached to an adhesive tape and the adhesive tape is expanded to follow the dicing line. Semiconductor wafers can be divided (diced) to produce semiconductor chips with good yield.
上述のステルスダイシング法によれば、レーザー光の照射および粘着テープの拡張によって、非接触でウエハを切断するので、ウエハへの物理的負荷が小さく、現在主流のブレードダイシングを行う場合のようなウエハのチッピングを発生させることなくウエハの切断が可能である。このため、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。 According to the stealth dicing method described above, the wafer is cut in a non-contact manner by irradiating the laser beam and expanding the adhesive tape, so that the physical load on the wafer is small and the wafer is as in the case of currently mainstream blade dicing. Wafers can be cut without causing chipping. For this reason, it is attracting attention as an excellent technology that can replace blade dicing.
このようなステルスダイシング法を用いて、微小サイズの半導体チップを生産する場合、スクライブラインと呼ばれる半導体チップ間のラインが増加することから、粘着テープをより大きく拡張させることが必要となる。しかしながら、大きく拡張させると、粘着テープが通常よりも引き伸ばされるため、従来の粘着テープでは、粘着テープを固定しているリングフレームから剥がれてしまい、ウエハ内部の改質領域に力が充分に伝達されず、ウエハを歩留まりよくチップ化できないという問題があった。 When a small-sized semiconductor chip is produced by using such a stealth dicing method, the number of lines between semiconductor chips called scribe lines increases, so that it is necessary to expand the adhesive tape to a larger extent. However, when it is greatly expanded, the adhesive tape is stretched more than usual, so that the conventional adhesive tape is peeled off from the ring frame fixing the adhesive tape, and the force is sufficiently transmitted to the modified region inside the wafer. Therefore, there is a problem that the wafer cannot be made into a chip with a good yield.
そこで、本発明は、個片化工程においてエキスパンドにより大きく拡張させても、リングフレームから剥がれることがなく、ウエハ内部の改質領域に力が充分に伝達されウエハを歩留まりよくチップ化することができる粘着テープを提供することを目的とする。 Therefore, according to the present invention, even if the wafer is greatly expanded by expanding in the individualization step, the force is sufficiently transmitted to the modified region inside the wafer without peeling from the ring frame, and the wafer can be chipped with a high yield. It is an object of the present invention to provide an adhesive tape.
以上の課題を解決するため、本発明に係る粘着テープは、基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも一面側に形成された粘着剤層とを有する粘着テープであって、5%モジュラスが6.5MPa以下であり、前記粘着剤層のプローブタック試験の積分値が12kPa以上であることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the adhesive tape according to the present invention is an adhesive tape having a base film and an adhesive layer formed on at least one surface side of the base film, and has a 5% modulus of 6. The pressure is 5.5 MPa or less, and the integrated value of the probe tack test of the pressure-sensitive adhesive layer is 12 kPa or more.
上記粘着テープは、前記粘着剤層が、エネルギー線を照射することにより硬化するエネルギー線硬化性の粘着剤組成物により形成されることが好ましい。 The adhesive tape is preferably formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition in which the pressure-sensitive adhesive layer is cured by irradiating with energy rays.
また、上記粘着テープは、前記粘着剤層が、アクリル系ポリマーを含む粘着剤組成物により形成されることが好ましい。 Further, in the pressure-sensitive adhesive tape, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer is formed of a pressure-sensitive adhesive composition containing an acrylic polymer.
また、上記粘着テープは、前記基材フィルムがポリオレフィンからなることが好ましい。 Further, in the adhesive tape, it is preferable that the base film is made of polyolefin.
また、上記粘着テープは、半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該半導体ウエハ内部に破断起点となる改質領域を形成するレーザー加工工程と、前記半導体ウエハに前記粘着剤層を貼り付けるテープ貼付工程と、エキスパンドすることで前記半導体ウエハを分断ラインに沿って個片化する個片化工程とを含む半導体ウエハの個片化方法に用いられることが好ましい。 Further, the adhesive tape has a laser processing step of irradiating a portion of the semiconductor wafer to be divided with laser light to form a modified region as a fracture starting point inside the semiconductor wafer, and the adhesive layer is applied to the semiconductor wafer. It is preferably used in a method for individualizing a semiconductor wafer, which includes a step of attaching a tape to be attached and an individualizing step of individualizing the semiconductor wafer along a dividing line by expanding.
本発明によれば、個片化工程においてエキスパンドにより大きく拡張させても、リングフレームから剥がれることがなく、ウエハ内部の改質領域に力が充分に伝達されウエハを歩留まりよくチップ化することができる。 According to the present invention, even if the wafer is greatly expanded by expanding in the individualization step, the force is sufficiently transmitted to the modified region inside the wafer without peeling from the ring frame, and the wafer can be chipped with a high yield. ..
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
図1は、本発明の実施形態に係る粘着テープ1を示す断面図である。本発明の粘着テープ1は、エキスパンドにより半導体ウエハ6(図2参照)内部に形成された改質領域7(図2参照)を起点として分断ラインに沿って個片化する際に用いられるものである。この粘着テープ1は、基材フィルム2と基材フィルム2上に設けられた粘着剤層3とを有する。粘着テープ1は、粘着剤層3の取り扱い性をよくするために、セパレータ4が粘着剤層3上に設けられていてもよい。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing an adhesive tape 1 according to an embodiment of the present invention. The adhesive tape 1 of the present invention is used when individualizing along a dividing line starting from a modified region 7 (see FIG. 2) formed inside a semiconductor wafer 6 (see FIG. 2) by expansion. is there. The adhesive tape 1 has a base film 2 and an adhesive layer 3 provided on the base film 2. In the adhesive tape 1, a separator 4 may be provided on the adhesive layer 3 in order to improve the handleability of the adhesive layer 3.
粘着テープ1は、5%モジュラスが6.5MPa以下であり、粘着剤層3のプローブタック試験の積分値が12kPa以上である。なお、粘着剤層3を、後述するエネルギー線硬化性の粘着剤組成物により形成した場合には、エネルギー線照射の前後で、粘着テープ1の5%モジュラスおよび粘着剤層3のプローブタック試験の積分値が変化する場合がある。エキスパンドによる個片化工程は、通常、エネルギー線照射前に行うが、エネルギー線照射後に行われることもある。したがって、本発明において規定する粘着テープ1の5%モジュラス、粘着剤層3のプローブタック試験の積分値は、通常、エネルギー線照射前の物性値であるが、エネルギー線照射後に上記物性値を満足する粘着テープも本発明の範囲に含まれる。エキスパンドによる個片化工程において上記物性値を満足することが重要となる。 The adhesive tape 1 has a 5% modulus of 6.5 MPa or less, and the integrated value of the probe tack test of the adhesive layer 3 is 12 kPa or more. When the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition described later, the 5% modulus of the pressure-sensitive adhesive tape 1 and the probe tack test of the pressure-sensitive adhesive layer 3 are performed before and after the energy ray irradiation. The integrated value may change. The individualizing step by expanding is usually performed before the energy ray irradiation, but may be performed after the energy ray irradiation. Therefore, the integrated value of the 5% modulus of the adhesive tape 1 and the probe tack test of the adhesive layer 3 defined in the present invention is usually the physical property value before the energy ray irradiation, but satisfies the above physical property value after the energy ray irradiation. Adhesive tapes to be used are also included in the scope of the present invention. It is important to satisfy the above physical property values in the individualizing step by expanding.
なお、基材フィルム2および粘着剤層3は、半導体ウエハ6を個片化する際に用いられるリングフレーム8(図3等参照)に対応する形状に切断(プリカット加工)されていることが好ましい。さらに、本発明の粘着テープ1は、ウエハ1枚分ごとに切断された形態であってもよいし、ウエハ1枚分ごとに切断されたものが複数形成された長尺のセパレータ4を、ロール状に巻き取った形態であってもよい。以下に、各層の構成について説明する。 The base film 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 are preferably cut (pre-cut) into a shape corresponding to the ring frame 8 (see FIG. 3 and the like) used when the semiconductor wafer 6 is separated into individual pieces. .. Further, the adhesive tape 1 of the present invention may be in the form of being cut for each wafer, or a long separator 4 in which a plurality of those cut for each wafer are formed. It may be wound into a shape. The configuration of each layer will be described below.
<基材フィルム>
基材フィルム2は、均一かつ等方的な拡張性を有するとエキスパンドによる個片化工程においてウエハが全方向に偏りなく切断できる点で好ましく、その材質については、粘着テープ1の5%モジュラスが6.5MPa以下となるものであれば、とくに限定されない。
<Base film>
When the base film 2 has uniform and isotropic expandability, it is preferable that the wafer can be cut evenly in all directions in the individualizing step by expanding. As for the material, 5% modulus of the adhesive tape 1 is used. It is not particularly limited as long as it is 6.5 MPa or less.
基材フィルム2を構成する樹脂については、例えば、ポリプロピレン、高密度ポリエチレン(HDPE)、低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPE)、エチレン・プロピレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体加硫物、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸メチル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エチル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸ブチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン−塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、ポリアミド、アイオノマー、ニトリルゴム、ブチルゴム、スチレンイソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、天然ゴムおよびその水添加物または変性物等などを用いてもよい。 Regarding the resin constituting the base film 2, for example, polypropylene, high-density polyethylene (HDPE), low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene / propylene copolymer, propylene copolymer, etc. Ethylene-propylene-diene copolymer sulfide, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) methyl acrylate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid Ethyl copolymer, ethylene-(meth) butyl acrylate copolymer, polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyurethane, polyamide, ionomer, nitrile rubber, Butyl rubber, styrene isoprene rubber, styrene butadiene rubber, natural rubber and its water additive or modified product may be used.
中でも、基材フィルム2は、エキスパンド時に優れた伸張性を示すことから、ポリオレフィンからなることが好ましい。ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン-プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。 Above all, the base film 2 is preferably made of polyolefin because it exhibits excellent extensibility at the time of expansion. Examples of polyolefins include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, and methyl ethylene-acrylate. Examples thereof include copolymers, homopolymers or copolymers of α-olefins such as ethylene-acrylic acid copolymers and ionomers, or mixtures thereof.
特に、アイオノマーが用いられた基材フィルム2の場合、基材フィルム2の繰り出し方向と幅方向に対して均一な物性を獲得することができる。従って、エキスパンドでの分割が行われる場合に個片化されたチップ間隔を均一にできる。 In particular, in the case of the base film 2 in which the ionomer is used, uniform physical properties can be obtained in the feeding direction and the width direction of the base film 2. Therefore, it is possible to make the individualized chip intervals uniform when the expansion is performed.
なお、図1に示す例では、基材フィルム2は単層であるが、これに限定されず、2種以上の樹脂を積層させた複数層構造であってもよいし、1種類の樹脂を2層以上に積層させてもよい。2種以上の樹脂は、架橋性か非架橋性かが統一されていれば各々の特性がより増強されて発現する観点で好ましく、架橋性か非架橋性を組合わせて積層した場合には各々の欠点が補われる点で好ましい。 In the example shown in FIG. 1, the base film 2 is a single layer, but the present invention is not limited to this, and a multi-layer structure in which two or more kinds of resins are laminated may be used, or one kind of resin may be used. It may be laminated in two or more layers. Two or more kinds of resins are preferable from the viewpoint that their respective characteristics are further enhanced and expressed if the crosslinkability and the non-crosslinkability are unified, and when the crosslinkable or non-crosslinkable properties are combined and laminated, each of them It is preferable in that the drawbacks of
薄すぎると取扱いが難しく、厚すぎるとコストが高くなるため、50〜200μmが好ましく、80〜150μmがさらに好ましい。 If it is too thin, it is difficult to handle, and if it is too thick, the cost increases. Therefore, 50 to 200 μm is preferable, and 80 to 150 μm is more preferable.
複数層の基材フィルム2の製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。 As a method for producing the multi-layer base film 2, a conventionally known extrusion method, laminating method, or the like can be used. When the laminating method is used, an adhesive may be interposed between the layers. As the adhesive, a conventionally known adhesive can be used.
基材フィルム2の粘着剤層3に接する面には、密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。 The surface of the base film 2 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be subjected to a corona treatment or a treatment such as a primer in order to improve the adhesion.
<粘着剤層>
本発明の粘着テープ1において、粘着剤層3を構成する粘着剤組成物は、粘着剤層3のプローブタック試験の積分値が12kPa以上となるものであれば、とくに限定されない。
<Adhesive layer>
In the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present invention, the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3 is not particularly limited as long as the integrated value of the probe tack test of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is 12 kPa or more.
粘着剤層3は、種々の粘着剤組成物により形成され得る。例えば、天然ゴムや各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマー、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等をベースポリマーとした粘着剤組成物が用いられる。この中でも、アクリル系ポリマー、例えば、ポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽和単量体との共重合体を使用することが好ましい。 The pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed by various pressure-sensitive adhesive compositions. For example, a pressure-sensitive adhesive composition based on a rubber-based polymer such as natural rubber or various synthetic rubbers, an acrylic-based, a silicone-based, or a polyvinyl ether-based polymer is used. Among these, it is preferable to use an acrylic polymer, for example, a poly (meth) acrylic acid alkyl ester, or a copolymer of a (meth) acrylic acid alkyl ester and another unsaturated monomer copolymerizable therewith. ..
これらの樹脂成分に凝集力を付加するために、粘着剤層3を構成する粘着剤組成物には、架橋剤を配合することができる。該架橋剤としては、樹脂成分中の官能基に対応して、この官能基と反応可能な官能基を有する架橋剤を適宜選択することにより、粘着剤に凝集力を付与するとともに、初期の粘着力を所望の値に設定することができる。架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。 In order to add cohesive force to these resin components, a cross-linking agent can be added to the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3. As the cross-linking agent, a cross-linking agent having a functional group capable of reacting with the functional group corresponding to the functional group in the resin component is appropriately selected to impart cohesive force to the pressure-sensitive adhesive and initial adhesion. The force can be set to the desired value. Examples of the cross-linking agent include isocyanate-based cross-linking agents, epoxy-based cross-linking agents, metal chelate-based cross-linking agents, aziridine-based cross-linking agents, and amine resins.
汎用性の点から、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤が好ましい。具体的には、多価イソシアネート化合物、例えば、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−2,4’−ジイソシアネート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−2,4’−ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどが用いられる。 From the viewpoint of versatility, an isocyanate-based cross-linking agent is preferable as the cross-linking agent. Specifically, polyhydric isocyanate compounds such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'- Diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, lysine isocyanate and the like are used. ..
また、粘着剤層3を構成する粘着剤組成物は、半導体ウエハ6を個片化した後のピックアップ性を向上させるために、エネルギー線を照射することにより硬化するエネルギー線硬化性の粘着剤組成物であることが好ましい。なお、ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線をいう。 Further, the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3 is an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition that is cured by irradiating energy rays in order to improve the pick-up property after the semiconductor wafer 6 is separated into individual pieces. It is preferably a thing. Here, the energy ray means a light ray such as an ultraviolet ray or an ionizing radiation such as an electron beam.
エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、たとえば、特公平1−56112号公報、特開平7−135189号公報等に記載のものが好ましく使用されるが、これらに限定されることはない。 As the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition, for example, those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-56112, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-135189, etc. are preferably used, but the composition is not limited thereto.
本発明においては、紫外線硬化型粘着剤組成物を用いることが好ましい。その場合には、放射線により硬化し三次元網状化する性質を有すればよく、例えば通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性の樹脂成分に対して、分子中に少なくとも2個の光重合性炭素−炭素二重結合を有する低分子量の光重合性化合物(以下、光重合性化合物という)および光重合開始剤を配合することができる。 In the present invention, it is preferable to use an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition. In that case, it suffices to have the property of being cured by radiation to form a three-dimensional network. For example, with respect to a normal rubber-based or acrylic-based pressure-sensitive resin component, at least two photopolymerizable carbons in the molecule. -A low molecular weight photopolymerizable compound having a carbon double bond (hereinafter referred to as a photopolymerizable compound) and a photopolymerization initiator can be blended.
光重合性化合物としては、たとえば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オルガノポリシロキサン組成物、市販のオリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。 Examples of the photopolymerizable compound include trimethyl propantriacrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and 1,4-butylene. Examples thereof include glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, organopolysiloxane composition, commercially available oligoester acrylate, and urethane acrylate.
粘着剤を構成する樹脂成分として、光硬化性炭素−炭素二重結合を有するものを使用してもよい。例えば、主鎖の繰り返し単位に対して光硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ官能基を有するアクリル系共重合体及び/又はメタクリル系共重合体(a1)と、該官能基と反応し得る官能基をもつ化合物(a2)とを反応させて得たものを挙げることができる。前記の主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ官能基を有するアクリル系共重合体及び/又はメタクリル系共重合体(a1)は、例えば、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルなどの単量体(a1−1)と、官能基を有する単量体(a1−2)とを共重合させて得ることができる。 As the resin component constituting the pressure-sensitive adhesive, one having a photocurable carbon-carbon double bond may be used. For example, an acrylic copolymer and / or a methacrylic copolymer (a1) having a photocurable carbon-carbon double bond with respect to a repeating unit of the main chain and having a functional group, and the functional group. Examples thereof include those obtained by reacting with a compound (a2) having a functional group capable of reacting. The acrylic copolymer and / or the methacrylic copolymer (a1) having a radiation-curable carbon-carbon double bond and having a functional group with respect to the repeating unit of the main chain is, for example, radiation-curable. A monomer (a1-1) such as an acrylic acid alkyl ester and / or a methacrylic acid alkyl ester having a sex carbon-carbon double bond and a monomer (a1-2) having a functional group are copolymerized. Obtainable.
単量体(a1−1)としては、例えば、アルキルエステルのアルキル基の炭素数が6〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、ヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート)を挙げることができる。また、アルキルエステルのアルキル基の炭素数が5以下の(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、ペンチルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなど)を挙げることができる。 As the monomer (a1-1), for example, a (meth) acrylic acid alkyl ester having 6 to 12 carbon atoms in the alkyl group of the alkyl ester (for example, hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2- Ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate) can be mentioned. Further, a (meth) acrylic acid alkyl ester having 5 or less carbon atoms in the alkyl group of the alkyl ester (for example, pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or a methacrylate similar thereto) can be used. Can be mentioned.
単量体(a1−2)が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。単量体(a1−−2)の具体例としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。 Examples of the functional group contained in the monomer (a1-2) include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group. Specific examples of the monomer (a1-2) include, for example, acrylic acid, methacrylic acid, carcinic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkylacrylates, 2-hydroxyalkylmethacrylates, and the like. Glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylol acrylamide, N-methylol methacrylicamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylic acids, maleic anhydride , Itaconic anhydride, Fumaric anhydride, Phthalic anhydride, Glysidyl acrylate, Glysidyl methacrylate, Allyl glycidyl ether, Some of the isocyanate groups of polyisocyanate compounds are hydroxyl groups or carboxyl groups and simple carbon-carbon double bonds. It is possible to enumerate those made of urethane in a metric.
前記(a2)の官能基がカルボキシル基や環状酸無水基の場合は、(a1)の有する官能基としては、例えば、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。また(a2)の官能基が水酸基の場合は、(a1)の有する官能基としては、例えば、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができる。(a2)の官能基がアミノ基の場合は、(a1)の有する官能基としては、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。(a2)の官能基がエポキシ基である場合には、(a1)の有する官能基としては、例えば、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができる。 When the functional group of (a2) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group, examples of the functional group of (a1) include a hydroxyl group, an epoxy group, and an isocyanate group. When the functional group of (a2) is a hydroxyl group, examples of the functional group of (a1) include a cyclic acid anhydride group and an isocyanate group. When the functional group of (a2) is an amino group, examples of the functional group of (a1) include an epoxy group and an isocyanate group. When the functional group of (a2) is an epoxy group, examples of the functional group of (a1) include a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, and an amino group.
紫外線硬化型粘着剤の場合には、粘着剤中に光重合開始剤を混入することにより、紫外線照射による重合硬化時間ならびに紫外線照射量を少なくなることができる。このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。 In the case of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, by mixing a photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive, the polymerization curing time by ultraviolet irradiation and the amount of ultraviolet irradiation can be reduced. Specific examples of such a photopolymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl and diacetyl. Examples thereof include β-chloranthraquinone.
なお、粘着剤組成物には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。例えば、粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、軟化剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の公知の添加剤などが含まれていてもよい。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。 The pressure-sensitive adhesive composition may contain various additive components, if desired, as long as the object of the present invention is not impaired. For example, known additives such as tackifiers, anti-aging agents, fillers, colorants, flame retardants, antistatic agents, softeners, UV absorbers, antioxidants, plasticizers, surfactants, etc. are included. May be. Moreover, you may add an inorganic compound filler as appropriate.
粘着剤層3の厚さは特に制限されないが、好ましくは4〜30μm、特に好ましくは5〜25μmである。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is not particularly limited, but is preferably 4 to 30 μm, particularly preferably 5 to 25 μm.
粘着剤層3は、従来の粘着剤層の形成方法を利用して形成することができる。例えば、上記粘着剤組成物を、基材フィルム2の所定の面に塗布して形成する方法や、上記粘着剤組成物を、セパレータ(例えば、離型剤が塗布されたプラスチック製フィルム又はシート等)上に塗布して粘着剤層3を形成した後、該粘着剤層3を基材の所定の面に転写する方法により、基材フィルム2上に粘着剤層3を形成することができる。なお、粘着剤層3は単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。 The pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed by using a conventional method for forming a pressure-sensitive adhesive layer. For example, a method of applying the pressure-sensitive adhesive composition to a predetermined surface of the base film 2 to form the pressure-sensitive adhesive composition, or applying the pressure-sensitive adhesive composition to a separator (for example, a plastic film or sheet coated with a release agent). ), And then the pressure-sensitive adhesive layer 3 is transferred onto a predetermined surface of the base material, so that the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed on the base material film 2. The pressure-sensitive adhesive layer 3 may have a single-layered form or may have a laminated form.
<セパレータ>
セパレータ4は、粘着剤層3の取り扱い性をよくするとともに粘着剤層3を保護するためのものである。本実施の形態の粘着テープ1に用いられるセパレータ4としては、ポリエステル(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、ポリオレフィン(PP、PE)系、共重合体(EVA、EEA、EBA)系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルム使用することができる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。
<Separator>
The separator 4 is for improving the handleability of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and protecting the pressure-sensitive adhesive layer 3. The separator 4 used in the adhesive tape 1 of the present embodiment includes polyester (PET, PBT, PEN, PBN, PTT) -based, polyolefin (PP, PE) -based, copolymer (EVA, EEA, EBA) -based, and Further, a film having further improved adhesiveness and mechanical strength can be used by partially substituting these materials. Further, it may be a laminate of these films.
セパレータ4の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、25〜50μmが好ましい。 The thickness of the separator 4 is not particularly limited and may be set as appropriate, but is preferably 25 to 50 μm.
粘着剤層3は、プローブタック試験の積分値が12kPa以上である。プローブタック試験の積分値は、例えば、株式会社レスカのタッキング試験機TAC−IIを用いて求めることができる。具体的には、粘着テープ1の粘着剤層3を上にし、上側より直径3.0mmのSUS304製のプローブを接触させる。プローブを測定試料に接触させる時のスピードは30mm/minであり、接触荷重は0.98Nであり、接触時間は1秒である。その後、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定し、その積分値を求める。測定温度は23℃である。 The pressure-sensitive adhesive layer 3 has an integrated value of 12 kPa or more in the probe tack test. The integrated value of the probe tack test can be obtained by using, for example, the tacking tester TAC-II of Reska Co., Ltd. Specifically, the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the pressure-sensitive adhesive tape 1 is placed on top, and a probe made of SUS304 having a diameter of 3.0 mm is brought into contact with the pressure-sensitive adhesive layer 3 from above. The speed at which the probe is brought into contact with the measurement sample is 30 mm / min, the contact load is 0.98 N, and the contact time is 1 second. Then, the probe is peeled upward at a peeling speed of 600 mm / min, the force required for peeling is measured, and the integrated value is obtained. The measurement temperature is 23 ° C.
粘着剤層3のプローブタック試験の積分値が12kPa未満であると、エキスパンドによる個片化工程において粘着テープ1を大きく拡張させたとき、粘着力が不十分であるためリングフレームから剥がれてしまい、半導体ウエハ6を分断することができない。 If the integrated value of the probe tack test of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 12 kPa, when the pressure-sensitive adhesive tape 1 is greatly expanded in the step of individualizing by expanding, the pressure-sensitive adhesive strength is insufficient and the pressure-sensitive adhesive tape 1 is peeled off from the ring frame. The semiconductor wafer 6 cannot be divided.
粘着テープ1は、5%モジュラスが6.5MPa以下である。粘着テープ1の5%モジュラスは、JIS K 7127/2/300に準拠して引張強度試験機を用いて測定することができ、例えば、株式会社東洋精機製作所製のストログラフ試験機を用いて測定することができる。5%モジュラスは、粘着テープ1の25mm幅の短冊状サンプルを、温度23℃、相対湿度50%の環境下、標線間距離およびつかみ間距離が100mm、引張り速度300mm/minの条件で引張試験を行い、5%歪み時の応力を測定することにより得られる。 The adhesive tape 1 has a 5% modulus of 6.5 MPa or less. The 5% modulus of the adhesive tape 1 can be measured using a tensile strength tester in accordance with JIS K 7127/2/300, for example, using a strograph tester manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd. can do. The 5% modulus is a tensile test of a 25 mm wide strip-shaped sample of adhesive tape 1 under the conditions of a temperature of 23 ° C., a relative humidity of 50%, a distance between marked lines and a distance between grips of 100 mm, and a tensile speed of 300 mm / min. Is performed, and the stress at the time of 5% strain is measured.
粘着テープ1の5%モジュラスが6.5MPaより大きいと、エキスパンドによる粘着テープ1の応力により、粘着テープ1がリングフレームから剥離してしまうため、半導体ウエハ6を分断することができない。 If the 5% modulus of the adhesive tape 1 is larger than 6.5 MPa, the adhesive tape 1 is peeled off from the ring frame due to the stress of the adhesive tape 1 due to the expansion, so that the semiconductor wafer 6 cannot be divided.
<用途>
本発明の粘着テープ1は、本発明の粘着テープ1は、エキスパンドにより半導体ウエハ6(図2参照)内部に形成された改質領域7(図2参照)を起点として分断ラインに沿って個片化する個片化工程を含む半導体装置の製造方法に使用されるものである。したがって、その他の工程や工程の順序などは特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法(A),(B)において好適に使用できる。
<Use>
The adhesive tape 1 of the present invention is an individual piece of the adhesive tape 1 of the present invention along a dividing line starting from a modified region 7 (see FIG. 2) formed inside a semiconductor wafer 6 (see FIG. 2) by expansion. It is used in a method for manufacturing a semiconductor device including a step of individualizing. Therefore, the other steps and the order of the steps are not particularly limited. For example, it can be suitably used in the following semiconductor device manufacturing methods (A) and (B).
半導体装置の製造方法(A)
(a)回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)前記ウエハを前記ウエハ裏面に粘着テープの粘着剤層を貼り付けるテープ貼付工程と、
(d)前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成するレーザー加工工程と、
(f)前記粘着テープを拡張することにより、前記ウエハを分断ラインに沿って分断し、複数のチップを得る個片化工程と、
(g)前記チップを、前記粘着テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
Manufacturing method of semiconductor device (A)
(A) A step of attaching a surface protective tape to the surface of the wafer on which the circuit pattern is formed, and
(B) A back grind process for grinding the back surface of the wafer and
(C) A tape attaching step of attaching the adhesive layer of the adhesive tape to the back surface of the wafer, and
(D) A step of peeling the surface protective tape from the wafer surface and
(E) A laser processing step of irradiating a portion of the wafer to be divided with a laser beam to form a modified region by absorbing multiple photons inside the wafer.
(F) An individualizing step of dividing the wafer along a dividing line by expanding the adhesive tape to obtain a plurality of chips.
(G) A step of picking up the chip from the adhesive layer of the adhesive tape and
A method for manufacturing a semiconductor device including.
半導体装置の製造方法(B)
(a)回路パターンが形成されたウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射し、前記ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(c)前記ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(d)前記ウエハを前記ウエハ裏面に前記粘着テープの粘着剤層を貼り付けるテープ貼付工程と、
(e)前記ウエハ表面から前記表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記粘着テープを拡張することにより、前記ウエハを分断ラインに沿って分断し、複数のチップを得る個片化工程と、
(g)前記チップを、前記粘着テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
Manufacturing method of semiconductor device (B)
(A) A step of attaching a surface protective tape to the surface of the wafer on which the circuit pattern is formed, and
(B) A step of irradiating a portion of the wafer to be divided with a laser beam to form a modified region by absorbing multiple photons inside the wafer.
(C) A back grind process for grinding the back surface of the wafer and
(D) A tape attaching step of attaching the adhesive layer of the adhesive tape to the back surface of the wafer, and
(E) A step of peeling the surface protective tape from the wafer surface and
(F) An individualizing step of dividing the wafer along a dividing line by expanding the adhesive tape to obtain a plurality of chips.
(G) A step of picking up the chip from the adhesive layer of the adhesive tape and
A method for manufacturing a semiconductor device including.
<使用方法>
本発明の粘着テープ1を、上記半導体装置の製造方法(B)に適用した場合の、粘着テープ1の使用方法について、図2〜図5を参照しながら説明する。
<How to use>
A method of using the adhesive tape 1 when the adhesive tape 1 of the present invention is applied to the manufacturing method (B) of the semiconductor device will be described with reference to FIGS. 2 to 5.
まず、回路パターンが形成された半導体ウエハ6の表面に、紫外線硬化性成分を粘着剤に含む、回路パターン保護用の表面保護テープ13(図2参照)を貼合し、半導体ウエハ6の裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。 First, a surface protection tape 13 (see FIG. 2) for protecting a circuit pattern, which contains an ultraviolet curable component in an adhesive, is attached to the surface of the semiconductor wafer 6 on which the circuit pattern is formed, and the back surface of the semiconductor wafer 6 is pressed. Perform a back grind process to grind.
バックグラインド工程の終了後、図2に示すように、半導体ウエハ6の分割予定部分にレーザー光を照射して、半導体ウエハ6の内部に多光子吸収による改質領域7を形成する。 After the completion of the backgrinding step, as shown in FIG. 2, the semiconductor wafer 6 is irradiated with laser light to form a modified region 7 by absorbing multiple photons inside the semiconductor wafer 6.
次に、半導体ウエハ6の裏面に粘着テープ1を貼合する。粘着テープ1の粘着剤層3と半導体ウエハ6の裏面を貼り合わせるとともに、粘着剤層3の外周部とリングフレーム8(図3参照)を貼り合わせる。 Next, the adhesive tape 1 is attached to the back surface of the semiconductor wafer 6. The pressure-sensitive adhesive layer 3 of the pressure-sensitive adhesive tape 1 and the back surface of the semiconductor wafer 6 are bonded together, and the outer peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the ring frame 8 (see FIG. 3) are bonded together.
次に、粘着テープ1が貼合された半導体ウエハ6を粘着テープ1側を下にして吸着テーブル(図示しない)上へ載置する。そして、吸着テーブルに吸着固定された半導体ウエハ6の上方から、エネルギー線光源を用いて、例えば1000mJ/cm2の紫外線を表面保護テープ13の基材面側に照射し、表面保護テープ13の半導体ウエハ6に対する粘着力を低下させ、半導体ウエハ6表面から表面保護テープ13を剥離する。これにより、図3に示すように、リングフレーム8に、改質領域7が設けられた半導体ウエハ6が貼り付けられた粘着テープ1が保持された状態となる。 Next, the semiconductor wafer 6 to which the adhesive tape 1 is attached is placed on a suction table (not shown) with the adhesive tape 1 side down. Then, from above the semiconductor wafer 6 adsorbed and fixed to the adsorption table, for example, 1000 mJ / cm 2 of ultraviolet rays is irradiated to the substrate surface side of the surface protective tape 13 using an energy ray light source, and the semiconductor of the surface protective tape 13 is irradiated. The adhesive force to the wafer 6 is reduced, and the surface protective tape 13 is peeled off from the surface of the semiconductor wafer 6. As a result, as shown in FIG. 3, the ring frame 8 holds the adhesive tape 1 to which the semiconductor wafer 6 provided with the modified region 7 is attached.
次に、リングフレーム8に、改質領域7が設けられた半導体ウエハ6が貼り付けられた粘着テープ1を、基材フィルム2側を下にして、エキスパンド装置のステージ(図示しない)上に載置する。 Next, the adhesive tape 1 to which the semiconductor wafer 6 provided with the modified region 7 is attached to the ring frame 8 is placed on a stage (not shown) of the expanding device with the base film 2 side facing down. Place.
次に、図4に示すように、リングフレーム8を固定した状態で、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材10を上昇させ、粘着テープ1を拡張(エキスパンド)する。拡張条件としては、エキスパンド速度が、例えば5〜500mm/secであり、エキスパンド量(突き上げ量)が、例えば5〜25mmである。このように粘着テープ1が半導体ウエハ6の径方向に引き伸ばされることで、半導体ウエハ6が、前記改質領域7を起点としてチップ9単位に分断される。 Next, as shown in FIG. 4, with the ring frame 8 fixed, the hollow cylindrical push-up member 10 of the expanding device is raised to expand (expand) the adhesive tape 1. As the expansion conditions, the expanding speed is, for example, 5 to 500 mm / sec, and the expanding amount (pushing amount) is, for example, 5 to 25 mm. By stretching the adhesive tape 1 in the radial direction of the semiconductor wafer 6 in this way, the semiconductor wafer 6 is divided into 9 chip units starting from the modified region 7.
その後、粘着剤層3にエネルギー線硬化処理または熱硬化処理等を施し、粘着剤層3の半導体ウエハ6に対する粘着力を弱めた後、図5に示すように、チップ9を基材フィルム2側から突き上げピン11で突き上げて、吸着コレット12によりピックアップする。 After that, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is subjected to an energy ray curing treatment, a thermosetting treatment, or the like to weaken the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 on the semiconductor wafer 6, and then the chip 9 is placed on the base film 2 side as shown in FIG. It is pushed up by the push-up pin 11 and picked up by the suction collet 12.
<実施例>
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
<Example>
Next, in order to further clarify the effect of the present invention, Examples and Comparative Examples will be described in detail, but the present invention is not limited to these Examples.
(1)基材フィルムの作成
<基材フィルム1>
エチレン−酢酸ビニル共重合体(株式会社NUC製 商品名「NUC−3660」)を使用し、140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmとなるように成形して基材フィルム1を作成した。
<基材フィルム2>
エチレン−メタクリル酸−(アクリル酸2−メチル−プロピル)−Zn++アイオノマー樹脂(三井・デュポンポリケミカル株式会社製、商品名「ハイミランAM7316」)を140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmとなるように成形して基材フィルム2を作成した。
<基材フィルム3>
ポリプロピレン(株式会社プライムポリマー製、商品名「F227D」)を140℃で溶融し、押出機を用いて厚さ100μmとなるように成形して基材フィルム3を作成した。
(1) Preparation of base film <Base film 1>
Using an ethylene-vinyl acetate copolymer (trade name "NUC-3660" manufactured by NUC Co., Ltd.), the base film 1 is melted at 140 ° C. and molded to a thickness of 100 μm using an extruder. Created.
<Base film 2>
Ethylene-methacrylic acid- (2-methyl-propyl acrylate) -Zn ++ ionomer resin (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., trade name "Himilan AM7316") is melted at 140 ° C and thickened using an extruder. The base film 2 was prepared by molding so that the thickness was 100 μm.
<Base film 3>
Polypropylene (manufactured by Prime Polymer Co., Ltd., trade name "F227D") was melted at 140 ° C. and molded using an extruder to a thickness of 100 μm to prepare a base film 3.
(2)粘着剤の調製
<粘着剤1>
アクリル系ベースポリマー(2−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、重量平均分子量30万、ガラス転移点=−35℃)100質量部に対して、ポリイソシアネート化合物(東ソー株式会社製、商品名「コロネートL」)2質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート75質量部、および光重合開始剤(BASF社製、商品名「イルガキュア184」)を、1.5質量部を添加し混合して、アクリル系の粘着剤1を得た。
(2) Preparation of adhesive <Adhesive 1>
A polyisocyanate compound (Tosoh) with respect to 100 parts by mass of an acrylic base polymer (copolymer composed of 2-ethylhexyl acrylate, methyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, weight average molecular weight 300,000, glass transition point = -35 ° C). 2 parts by mass of Co., Ltd., trade name "Coronate L"), 75 parts by mass of tetramethylolmethanetetraacrylate as a compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond, and a photopolymerization initiator (manufactured by BASF, trade name "" Irgacure 184 ") was added and mixed by 1.5 parts by mass to obtain an acrylic pressure-sensitive adhesive 1.
<粘着剤2>
アクリル系ベースポリマー(2−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、重量平均分子量30万、ガラス転移点=−35℃)100質量部に対して、ポリイソシアネート化合物(東ソー株式会社製、商品名「コロネートL」)3質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート50質量部、および光重合開始剤(BASF社製、商品名「イルガキュア184」)1.5質量部を添加し混合して、アクリル系の粘着剤2を得た。
<Adhesive 2>
A polyisocyanate compound (Tosoh) with respect to 100 parts by mass of an acrylic base polymer (copolymer composed of 2-ethylhexyl acrylate, methyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, weight average molecular weight 300,000, glass transition point = -35 ° C). 3 parts by mass of Co., Ltd., trade name "Coronate L"), 50 parts by mass of tetramethylolmethanetetraacrylate as a compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond, and a photopolymerization initiator (manufactured by BASF, trade name "" Irgacure 184 ") 1.5 parts by mass was added and mixed to obtain an acrylic pressure-sensitive adhesive 2.
(3)粘着テープの作成
<実施例1>
粘着剤1を酢酸エチルに溶解させ攪拌した粘着剤組成物を、離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、110℃で3分間乾燥させた後、基材フィルム1と貼り合わせ、基材フィルム上に粘着剤層が形成された実施例1に係る粘着テープを作成した。
(3) Preparation of Adhesive Tape <Example 1>
The pressure-sensitive adhesive composition in which the pressure-sensitive adhesive 1 was dissolved in ethyl acetate and stirred was applied to a release liner made of a release-treated polyethylene-terephthalate film so that the thickness after drying was 10 μm, and the pressure was changed to 3 at 110 ° C. After drying for a minute, it was bonded to the base film 1 to prepare an adhesive tape according to Example 1 in which an adhesive layer was formed on the base film.
<実施例2、比較例1〜3>
基材フィルム、粘着剤、粘着剤層の厚さを表1に記載の組合せにした以外は、実施例1と同様の手法により、実施例2、比較例1〜3に係る粘着テープを作成した。
<Example 2, Comparative Examples 1 to 3>
The adhesive tapes according to Example 2 and Comparative Examples 1 to 3 were prepared by the same method as in Example 1 except that the thicknesses of the base film, the pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive layer were combined as shown in Table 1. ..
実施例・比較例に係る粘着テープの5%モジュラス、粘着剤層のプローブタック試験の積分値、半導体ウエハの分断性、粘着テープのリングフレームからの剥離について、下記のように測定、評価を行った。その結果を表1に示す。 The 5% modulus of the adhesive tape, the integral value of the probe tack test of the adhesive layer, the breakability of the semiconductor wafer, and the peeling of the adhesive tape from the ring frame according to the examples and comparative examples were measured and evaluated as follows. It was. The results are shown in Table 1.
(4)5%モジュラス値の測定
実施例・比較例に係る粘着テープについて、25mm幅の短冊状サンプルを作成した。該短冊状サンプルを、JIS K 7127/2/300に準拠して、温度23℃、相対湿度50%の環境下、標線間距離およびつかみ間距離が100mm、引張り速度300mm/minの条件で引張試験を行い、5%歪み時の応力を測定した。測定には、株式会社東洋精機製作所製のストログラフ試験機を用いた。
(4) Measurement of 5% Modulus Value A 25 mm wide strip-shaped sample was prepared for the adhesive tape according to Examples and Comparative Examples. The strip-shaped sample is tensioned in accordance with JIS K 7127/2/300 under the conditions of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%, a distance between marked lines and a distance between grips of 100 mm, and a tensile speed of 300 mm / min. A test was performed and the stress at 5% strain was measured. A strograph tester manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd. was used for the measurement.
(5)プローブタック試験の積分値
株式会社レスカのタッキング試験機TAC−IIを用いて行った。測定モードは、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続ける”Constant Load”を用いた。粘着テープの粘着剤層を上にし、上側より直径3.0mmのSUS304製のプローブを接触させた。プローブを測定試料に接触させる時のスピードは30mm/minであり、接触荷重は0.98Nであり、接触時間は1秒である。その後、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定し、その積分値を読み取った。プローブ温度は23℃であり、プレート温度は23℃とした。
(5) Integral value of probe tack test This was performed using the tacking tester TAC-II of Reska Co., Ltd. As the measurement mode, "Constant Road" was used, in which the probe was pushed to the set pressurization value and the pressurization value was maintained until the set time elapsed. The adhesive layer of the adhesive tape was turned up, and a probe made of SUS304 having a diameter of 3.0 mm was brought into contact with the probe from the upper side. The speed at which the probe is brought into contact with the measurement sample is 30 mm / min, the contact load is 0.98 N, and the contact time is 1 second. Then, the probe was peeled upward at a peeling speed of 600 mm / min, the force required for peeling was measured, and the integrated value was read. The probe temperature was 23 ° C. and the plate temperature was 23 ° C.
(6)リングフレームからの剥離
回路パターンが形成された半導体ウエハ(厚さ50μm、径300mm)にレーザー光を照射し、ウエハ内部に改質領域を形成した。レーザー照射後の半導体ウエハ及びステンレス製のリングフレームに、粘着テープをラミネートした。次に、エキスパンド装置によりリングフレームを固定し、粘着テープを以下のエキスパンド条件にてエキスパンドした。
エキスパンド速度:300mm/min
エキスパンド量:25mm
ここで、エキスパンド量とは、押下げ前と押下げ後のリングフレームと突き上げ部材の相対位置の変化量をいう。
なお、チップサイズは0.5mm×0.5mmである。
(6) Peeling from the ring frame A semiconductor wafer (thickness 50 μm, diameter 300 mm) on which a circuit pattern was formed was irradiated with laser light to form a modified region inside the wafer. Adhesive tape was laminated on the semiconductor wafer and the stainless steel ring frame after laser irradiation. Next, the ring frame was fixed by the expanding device, and the adhesive tape was expanded under the following expanding conditions.
Expanding speed: 300 mm / min
Expanding amount: 25 mm
Here, the expanding amount refers to the amount of change in the relative positions of the ring frame and the push-up member before and after pressing down.
The chip size is 0.5 mm × 0.5 mm.
上記エキスパンドを実施した後、粘着テープを目視にて観察し、リングフレームからの剥離がなかったものを良品として「○」とし、一部でも剥離が見られたものを不良品として「×」として評価した。 After performing the above expansion, the adhesive tape was visually observed, and those that did not peel off from the ring frame were marked as "○" as good products, and those that were partially peeled as "×" were marked as defective. evaluated.
(7)ウエハ分断性
上記エキスパンドを実施した後、半導体ウエハがチップに分割されているか否かを、光学顕微鏡で観察し、全て分割されているものを良品として「○」とし、一部でも分割されていないものを不良品として「×」として評価した。
(7) Wafer fragmentation After performing the above expansion, whether or not the semiconductor wafer is divided into chips is observed with an optical microscope, and those that are all divided are marked with "○" as non-defective products, and even a part of them is divided. Those that were not marked as defective were evaluated as "x".
表1に示すように、実施例1,2は、粘着テープの5%モジュラスが6.5MPa以下であり、粘着剤層のプローブタック試験の積分値が12kPa以上であるため、ウエハ分断性およびリングフレームからの剥離の評価において良好な結果となった。 As shown in Table 1, in Examples 1 and 2, the 5% modulus of the adhesive tape is 6.5 MPa or less, and the integrated value of the probe tack test of the adhesive layer is 12 kPa or more, so that the wafer breakability and the ring Good results were obtained in the evaluation of peeling from the frame.
一方、比較例1は、粘着テープの5%モジュラスが6.5MPaより大きく、粘着剤層のプローブタック試験の積分値も12kPa未満であるため、ウエハ分断性およびリングフレームからの剥離の評価において劣る結果となった。比較例2は、粘着テープの5%モジュラスが6.5MPaより大きく、エキスパンドの際に粘着テープにかかる応力により粘着テープがリングフレームから剥離したため、ウエハ分断性およびリングフレームからの剥離の評価において劣る結果となった。比較例3は、粘着剤層のプローブタック試験の積分値が12kPa未満であり、粘着力不足によりエキスパンドの際に粘着テープがリングフレームから剥離したため、ウエハ分断性およびリングフレームからの剥離の評価において劣る結果となった。 On the other hand, in Comparative Example 1, since the 5% modulus of the adhesive tape is larger than 6.5 MPa and the integrated value of the probe tack test of the adhesive layer is less than 12 kPa, the evaluation of wafer breakability and peeling from the ring frame is inferior. The result was. In Comparative Example 2, the 5% modulus of the adhesive tape was larger than 6.5 MPa, and the adhesive tape was peeled from the ring frame due to the stress applied to the adhesive tape during expansion, so that the evaluation of wafer breakability and peeling from the ring frame was inferior. The result was. In Comparative Example 3, the integrated value of the probe tack test of the pressure-sensitive adhesive layer was less than 12 kPa, and the adhesive tape peeled off from the ring frame during expansion due to insufficient adhesive strength. Therefore, in the evaluation of wafer breakability and peeling from the ring frame. The result was inferior.
1:粘着テープ
2:基材フィルム
3:粘着剤層
6:半導体ウエハ
7:改質領域
8:リングフレーム
1: Adhesive tape 2: Base film 3: Adhesive layer 6: Semiconductor wafer 7: Modified region 8: Ring frame
Claims (2)
5%モジュラスが6.5MPa以下であり、
前記基材フィルムは、ポリオレフィンからなり、
前記粘着剤層は、アクリル系ポリマーを含み、エネルギー線を照射することにより硬化するエネルギー線硬化性の粘着剤組成物により形成され、
前記粘着剤層のプローブタック試験の積分値が12kPa以上であることを特徴とする粘着テープ。 An adhesive tape having a base film and an adhesive layer formed on at least one surface side of the base film.
5% modulus is 6.5 MPa or less,
The base film is made of polyolefin and is made of polyolefin.
The pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition containing an acrylic polymer and cured by irradiation with energy rays.
An adhesive tape characterized in that the integrated value of the probe tack test of the pressure-sensitive adhesive layer is 12 kPa or more.
前記半導体ウエハに前記粘着剤層を貼り付けるテープ貼付工程と、
エキスパンドすることで前記半導体ウエハを分断ラインに沿って個片化する個片化工程とを含む半導体ウエハの個片化方法に用いられることを特徴とする請求項1に記載の粘着テープ。
A laser processing step of irradiating a portion of a semiconductor wafer to be divided with a laser beam to form a modified region as a starting point of fracture inside the semiconductor wafer.
A tape application step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer to the semiconductor wafer, and
The adhesive tape according to claim 1, wherein the adhesive tape is used in a method for individualizing a semiconductor wafer, which includes an individualizing step of individualizing the semiconductor wafer along a dividing line by expanding .
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