[go: up one dir, main page]

JP6799046B2 - Coating method and coating equipment - Google Patents

Coating method and coating equipment Download PDF

Info

Publication number
JP6799046B2
JP6799046B2 JP2018214741A JP2018214741A JP6799046B2 JP 6799046 B2 JP6799046 B2 JP 6799046B2 JP 2018214741 A JP2018214741 A JP 2018214741A JP 2018214741 A JP2018214741 A JP 2018214741A JP 6799046 B2 JP6799046 B2 JP 6799046B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coating
substrate
liquid material
stage
ink
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018214741A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019033294A (en
Inventor
博明 大庭
博明 大庭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTN Corp
Original Assignee
NTN Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NTN Corp filed Critical NTN Corp
Priority to JP2018214741A priority Critical patent/JP6799046B2/en
Publication of JP2019033294A publication Critical patent/JP2019033294A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6799046B2 publication Critical patent/JP6799046B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

この発明は、パターン修正装置およびパターン修正方法に関し、特に、基板上に形成された配線パターンの断線部を修復する技術に関する。 The present invention relates to a pattern correction device and a pattern correction method, and more particularly to a technique for repairing a broken portion of a wiring pattern formed on a substrate.

先端径が数十μmの塗布針や、スポット径が数μm〜数十μmのレーザ光を用いたパターン加工技術は、マイクロメートルオーダーの精密位置決め技術と組み合わせることにより、微細なパターンでも所定の位置に正確に加工することができるため、従来より、フラットパネルディスプレイの修正作業や、太陽電池のスクライブ作業などの利用されてきた(たとえば、特許文献1〜3参照)。特に、塗布針を用いる加工技術は、ディスペンサが不得意とする粘度の高いペーストにも塗布できることから、最近では、フラットパネルディスプレイと比較して厚い10μm以上の膜の形成にも利用されている。たとえば、MEMSやセンサなどの半導体デバイスの電子回路パターンやプリント基板配線の形成に用いられる。また、将来的にも有望な製造技術であるプリンテッドエレクトロニクス技術で作製されるパターンも厚膜に分類され、今後の用途拡大が期待される加工技術である。 The pattern processing technology using a coating needle with a tip diameter of several tens of μm and a laser beam with a spot diameter of several μm to several tens of μm can be combined with precision positioning technology on the order of micrometers to position even a fine pattern at a predetermined position. Since it can be processed accurately, it has been conventionally used for repairing flat panel displays, scribing solar cells, and the like (see, for example, Patent Documents 1 to 3). In particular, the processing technique using a coating needle can be applied to a highly viscous paste, which the dispenser is not good at, and has recently been used for forming a film having a thickness of 10 μm or more as compared with a flat panel display. For example, it is used for forming electronic circuit patterns and printed circuit board wiring of semiconductor devices such as MEMS and sensors. In addition, patterns produced by printed electronics technology, which is a promising manufacturing technology in the future, are also classified as thick films, and are processing technologies that are expected to expand their applications in the future.

特開2007−233299号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-23329 特開2009−122259号公報JP-A-2009-122259 特開2012−6077号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-6077

上述した微細加工においては、加工品位の向上とともに、作業を効率化、および作業内容を統一化するために、画像処理を利用することによる加工作業の自動化が進められている。たとえば、特開2009−122259号公報(特許文献2)には、液晶ディスプレイのカラーフィルタ基板の欠陥部の修正方法として、塗布針の先端部に付着した修正用インクを欠陥部に塗布して修正する方法が開示されている。特許文献1では、塗布されたインクの状態を観察光学系を用いて観察し、観察光学系によって観察される画像を基に加工部の品位を検査する手法が採用されている。 In the above-mentioned microfabrication, in order to improve the processing quality, streamline the work, and unify the work contents, automation of the processing work by using image processing is being promoted. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-122259 (Patent Document 2), as a method for correcting a defective portion of a color filter substrate of a liquid crystal display, a correction ink adhering to the tip of a coating needle is applied to the defective portion to correct the defect. The method of doing so is disclosed. Patent Document 1 employs a method of observing the state of the applied ink using an observation optical system and inspecting the quality of the processed portion based on the image observed by the observation optical system.

カラーフィルタ基板の欠陥修正方法として、特開2007−233299号公報(特許文献1)には、カラーフィルタ基板を撮影した画像において、欠陥検出対象の画素の明るさと、欠陥検出対象の画素以外の画素の明るさとを比較し、比較結果に基づいて欠陥検出対象の画素の欠陥を検出する方法が開示されている。特許文献1では、上記方法によって検出された欠陥部にインクを塗布することにより、当該欠陥部をインクで埋めている。 As a method for correcting defects in a color filter substrate, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-233299 (Patent Document 1) describes the brightness of pixels to be detected in defects and pixels other than pixels to be detected in defects in an image obtained by photographing the color filter substrate. A method of detecting a defect of a pixel to be detected as a defect based on the comparison result is disclosed. In Patent Document 1, the defective portion detected by the above method is filled with the ink by applying ink to the defective portion.

一般的に、カラーフィルタ基板上に形成されるパターンの膜厚は1μm以下程度である。そのため、インクの粘度にもよるが、欠陥部にインクを積層して塗布する必要性に乏しく、通常、欠陥部へのインクの塗布は1回で足りる。 Generally, the film thickness of the pattern formed on the color filter substrate is about 1 μm or less. Therefore, although it depends on the viscosity of the ink, there is little need to laminate and apply the ink to the defective portion, and usually, it is sufficient to apply the ink to the defective portion only once.

しかしながら、たとえばプリント基板配線のように、10μm以上の厚膜を形成する場合には、配線パターンに発生した欠陥部である断線部も、平面形状から立体形状を有するようになる。そのため、断線部をインクで埋めるためには、欠陥部にインクを積層して塗布することが必要となってくる。この結果、厚膜になるに従って微細加工の作業内容が複雑化してしまうため、加工作業の自動化を推進させることが困難となっていた。 However, when a thick film of 10 μm or more is formed as in the case of printed circuit board wiring, the broken portion, which is a defective portion generated in the wiring pattern, also has a three-dimensional shape from a planar shape. Therefore, in order to fill the broken portion with ink, it is necessary to laminate and apply ink on the defective portion. As a result, as the film becomes thicker, the work content of microfabrication becomes more complicated, and it is difficult to promote the automation of the processing work.

この発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、その目的は、厚膜の配線パターンの断線部の修正を正確かつ簡易に行なうことが可能なパターン修正装置およびパターン修正方法を提供することである。 The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a pattern correction device and a pattern correction method capable of accurately and easily correcting a broken portion of a thick film wiring pattern. It is to be.

この発明による塗布方法は、基板上に液状材料を塗布する塗布装置における塗布方法である。塗布装置は、塗布針を有する塗布機構と、塗布機構を基板に対して垂直方向および水平方向に相対移動させるためのステージとを有している。塗布方法は、ステージを駆動することにより塗布機構を基板に対して垂直方向に相対移動させるステップと、塗布針の先端に付着した液状材料を塗布位置に接触させることにより、液状材料を塗布するステップとを備える。塗布方法は、塗布機構を基板に対して垂直方向に相対移動させるステップと、液状材料を塗布するステップとを繰り返し実行することにより、基板上に液状材料を積層して塗布するThe coating method according to the present invention is a coating method in a coating apparatus for coating a liquid material on a substrate. The coating device has a coating mechanism having a coating needle and a stage for moving the coating mechanism relative to the substrate in the vertical and horizontal directions. The coating method is a step of moving the coating mechanism relative to the substrate in the direction perpendicular to the substrate by driving the stage and a step of coating the liquid material by bringing the liquid material attached to the tip of the coating needle into contact with the coating position. And. In the coating method, the liquid material is laminated and coated on the substrate by repeatedly executing the step of moving the coating mechanism relative to the substrate in the direction perpendicular to the substrate and the step of coating the liquid material .

好ましくは、塗布装置は、白色光を出力する照明装置と、照明装置から出射された白色光を二光束に分離して、一方を前記基板上の液状材料の表面に照射するとともに他方を参照面に照射し、これら両面からの反射光を干渉させ干渉光を得るための対物レンズと、干渉光を撮影する撮像装置とをさらに有している。ステージは、対物レンズおよび塗布機構を基板に対して垂直方向および水平方向に相対移動させるように構成される。塗布方法は、対物レンズを基板に対して垂直方向に移動させながら撮像装置で画像を撮影し、撮影した画像に基づいて基板上の液状材料の表面の三次元形状を測定するステップと、測定された基板上の液状材料の表面の三次元形状に基づいて、液状材料を基板上の液状材料に塗布するための三次元上の塗布位置を算出するステップとをさらに備える。塗布機構を基板に対して垂直方向に相対移動させるステップは、算出された三次元上の塗布位置に塗布機構を移動させるステップを含む。液状材料を塗布するステップは、算出された三次元上の塗布位置に塗布針の先端を接触させることにより液状材料を塗布するステップを含む。塗布方法は、基板上の液状材料の表面の三次元形状を測定するステップと、三次元上の塗布位置を算出するステップと、三次元上の塗布位置に塗布機構を移動させるステップと、液状材料を塗布するステップとをこの順で繰り返し実行することにより、基板上に液状材料を積層して塗布するPreferably, the coating device separates the lighting device that outputs white light and the white light emitted from the lighting device into two luminous fluxes, irradiates the surface of the liquid material on the substrate with one, and refers to the other. It further has an objective lens for irradiating the light and interfering with the reflected light from both sides to obtain interference light, and an imaging device for photographing the interference light. The stage is configured to move the objective lens and coating mechanism relative to the substrate in the vertical and horizontal directions. The coating method is a step of taking an image with an imaging device while moving the objective lens in the direction perpendicular to the substrate and measuring the three-dimensional shape of the surface of the liquid material on the substrate based on the taken image. A step of calculating a three-dimensional coating position for coating the liquid material on the liquid material on the substrate based on the three-dimensional shape of the surface of the liquid material on the substrate is further provided. The step of moving the coating mechanism relative to the substrate in the vertical direction includes a step of moving the coating mechanism to the calculated three-dimensional coating position. The step of applying the liquid material includes a step of applying the liquid material by bringing the tip of the coating needle into contact with the calculated three-dimensional coating position. The coating method includes a step of measuring the three-dimensional shape of the surface of the liquid material on the substrate, a step of calculating the coating position on the three dimensions, a step of moving the coating mechanism to the coating position on the three dimensions, and a liquid material. By repeating the steps of applying the above in this order, the liquid material is laminated and applied on the substrate .

この発明による塗布装置は、基板上に液状材料を塗布する塗布装置であって、塗布針を有する塗布機構と、塗布機構を基板に対して垂直方向および水平方向に相対移動させるためのステージと、ステージおよび塗布機構を制御する制御装置とを備える。制御装置は、ステージを駆動することにより塗布機構を基板に対して垂直方向に相対移動させ、塗布針の先端に付着した液状材料を塗布位置に接触させることにより、液状材料を塗布するように構成される。制御装置は、塗布機構を基板に対して垂直方向に相対移動させるステップと、液状材料を塗布するステップとを繰り返し実行することにより、基板上に液状材料を積層して塗布する The coating device according to the present invention is a coating device for coating a liquid material on a substrate, and includes a coating mechanism having a coating needle, a stage for moving the coating mechanism relative to the substrate in the vertical and horizontal directions, and the like. It is provided with a control device for controlling the stage and the coating mechanism. The control device is configured to apply the liquid material by moving the coating mechanism relative to the substrate in the direction perpendicular to the substrate by driving the stage and bringing the liquid material attached to the tip of the coating needle into contact with the coating position. Will be done. The control device repeatedly executes the step of moving the coating mechanism relative to the substrate in the direction perpendicular to the substrate and the step of applying the liquid material, thereby laminating and coating the liquid material on the substrate .

この発明によれば、厚膜の配線パターンの断線部の修正を正確かつ簡易に行なうことが可能なパターン修正装置およびパターン修正方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a pattern correction device and a pattern correction method capable of accurately and easily correcting a broken portion of a thick film wiring pattern.

この発明の実施の形態1による高さ測定装置の代表例である欠陥修正装置の全体構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the whole structure of the defect correction apparatus which is a typical example of the height measuring apparatus according to Embodiment 1 of this invention. 観察光学系およびインク塗布機構の要部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the main part of the observation optical system and the ink application mechanism. 図2のA方向から要部を見た図であって、インク塗布動作を示す図である。It is a figure which looked at the main part from the A direction of FIG. 2, and is the figure which shows the ink application operation. パターン修正工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the pattern correction process. 基板の表面に形成された配線パターンを概略的に示す部分平面図である。It is a partial plan view which shows typically the wiring pattern formed on the surface of a substrate. 対物レンズにミラウ型干渉対物レンズを用いたときの観察光学系の光学素子の配置図である。It is a layout drawing of the optical element of the observation optical system when a Mirau type interference objective lens is used as an objective lens. 図6に示したミラウ型干渉対物レンズを用いた画素の高さ検出方法を示す図である。It is a figure which shows the height detection method of the pixel using the Mirau type interference objective lens shown in FIG. 基板形状測定工程を実行するための制御構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the control structure for executing a substrate shape measurement process. 図2で示したインク塗布機構によって塗布したインク塗布部の検査条件を示す図である。It is a figure which shows the inspection condition of the ink application part applied by the ink application mechanism shown in FIG. 断線部の一例を拡大して示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an enlarged example of a disconnection part. 矩形領域内に位置する各画素の高低差をプロットした図である。It is a figure which plotted the height difference of each pixel located in a rectangular area. インク塗布工程における塗布ピッチを示す図である。It is a figure which shows the coating pitch in an ink coating process.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The same or corresponding parts in the drawings are designated by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

[実施の形態1]
[パターン修正装置の構成]
図1は、この発明の実施の形態によるパターン修正装置1の全体構成を示す斜視図である。
[Embodiment 1]
[Configuration of pattern correction device]
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the pattern correction device 1 according to the embodiment of the present invention.

図1を参照して、パターン修正装置1は、観察光学系2、CCDカメラ3(撮像装置)、カット用レーザ装置4、インク塗布機構5、およびインク硬化用光源6から構成される修正ヘッド部と、この修正ヘッド部を修正対象の基板7に対して垂直方向(Z軸方向)に移動させるZステージ8と、Zステージ8を搭載してX軸方向に移動させるXステージ9と、基板7を搭載してY軸方向に移動させるYステージ10と、装置全体の動作を制御する制御用コンピュータ11(制御装置)と、CCDカメラ3によって撮影された画像などを表示するモニタ12と、制御用コンピュータ11に作業者からの指令を入力するための操作パネル13とを備える。 With reference to FIG. 1, the pattern correction device 1 includes a correction head unit including an observation optical system 2, a CCD camera 3 (imaging device), a cutting laser device 4, an ink coating mechanism 5, and an ink curing light source 6. The Z stage 8 for moving the correction head portion in the direction perpendicular to the correction target substrate 7 (Z-axis direction), the X stage 9 for mounting the Z stage 8 and moving the correction head portion in the X-axis direction, and the substrate 7. A Y stage 10 that is mounted and moved in the Y-axis direction, a control computer 11 (control device) that controls the operation of the entire device, a monitor 12 that displays an image taken by the CCD camera 3, and a control device. The computer 11 is provided with an operation panel 13 for inputting a command from an operator.

観察光学系2は、照明用の光源を含み、基板7の表面状態や、インク塗布機構5によって塗布された修正用インク(液状材料)の状態を観察する。観察光学系2によって観察される画像は、CCDカメラ3により電気信号に変換され、モニタ12に表示される。カット用レーザ装置4は、観察光学系2を介して基板7上の不要部にレーザ光を照射して除去する。 The observation optical system 2 includes a light source for illumination, and observes the surface state of the substrate 7 and the state of the correction ink (liquid material) applied by the ink application mechanism 5. The image observed by the observation optical system 2 is converted into an electric signal by the CCD camera 3 and displayed on the monitor 12. The cutting laser device 4 irradiates an unnecessary portion on the substrate 7 with a laser beam via the observation optical system 2 to remove the unnecessary portion.

インク塗布機構5は、基板7上に形成された配線パターンに発生した断線部に修正用インクを塗布して修正する。インク硬化用光源6は、たとえばCOレーザを含み、インク塗布機構5によって塗布されたインクにレーザ光を照射して硬化させる。 The ink application mechanism 5 applies correction ink to the broken portion generated in the wiring pattern formed on the substrate 7 to correct the wire. The ink curing light source 6 includes, for example, a CO 2 laser, and irradiates the ink coated by the ink coating mechanism 5 with a laser beam to cure the ink.

なお、この装置構成は一例であり、たとえば、観察光学系2などを搭載したZステージ8をXステージに搭載し、さらにXステージをYステージに搭載し、Zステージ8をXY方向に移動可能とするガントリー方式と呼ばれる構成でもよく、観察光学系2などを搭載したZステージ8を、修正対象の基板7に対してXY方向に相対的に移動可能な構成であればどのような構成でもよい。 This device configuration is an example. For example, the Z stage 8 equipped with the observation optical system 2 or the like is mounted on the X stage, the X stage is mounted on the Y stage, and the Z stage 8 can be moved in the XY directions. A configuration called a gantry method may be used, and any configuration may be used as long as the Z stage 8 on which the observation optical system 2 or the like is mounted can be moved relative to the substrate 7 to be modified in the XY directions.

次に、複数の塗布針を用いたインク塗布機構の例について説明する。図2は、観察光学系2およびインク塗布機構5の要部を示す斜視図である。図2を参照して、このパターン修正装置1は、可動板15と、倍率の異なる複数(たとえば5個)の対物レンズ16と、異なる色のインクを塗布するための複数(たとえば5個)の塗布ユニット17とを備える。 Next, an example of an ink coating mechanism using a plurality of coating needles will be described. FIG. 2 is a perspective view showing a main part of the observation optical system 2 and the ink coating mechanism 5. With reference to FIG. 2, the pattern correction device 1 includes a movable plate 15, a plurality of objective lenses 16 having different magnifications (for example, 5 lenses), and a plurality of objective lenses 16 for applying inks of different colors (for example, 5 lenses). It includes a coating unit 17.

可動板15は、観察光学系2の観察鏡筒2aの下端と基板7との間で、X軸方向およびY軸方向に移動可能に設けられている。また、可動板15には、たとえば5個の貫通孔15aが形成されている。 The movable plate 15 is provided so as to be movable in the X-axis direction and the Y-axis direction between the lower end of the observation lens barrel 2a of the observation optical system 2 and the substrate 7. Further, for example, five through holes 15a are formed in the movable plate 15.

対物レンズ16は、Y軸方向に所定の間隔で、それぞれ貫通孔15aに対応するように可動板15の下面に固定されている。5個の塗布ユニット17は、それぞれ5個の対物レンズ16に隣接して配置されている。可動板15を移動させることにより、所望の塗布ユニット17を修正対象の断線部の上方に配置することが可能となっている。 The objective lenses 16 are fixed to the lower surface of the movable plate 15 at predetermined intervals in the Y-axis direction so as to correspond to the through holes 15a. The five coating units 17 are arranged adjacent to each of the five objective lenses 16. By moving the movable plate 15, the desired coating unit 17 can be arranged above the disconnection portion to be corrected.

図3(a)〜(c)は、図2のA方向から要部を見た図であって、インク塗布動作を示す図である。塗布ユニット17は、塗布針18とインクタンク19とを含む。まず図3(a)に示すように、所望の塗布ユニット17の塗布針18を修正対象の断線部の上方に位置決めする。このとき、塗布針18の先端部は、インクタンク19内のインクに浸漬されている。 3 (a) to 3 (c) are views of the main part viewed from the direction A of FIG. 2, and are views showing the ink application operation. The coating unit 17 includes a coating needle 18 and an ink tank 19. First, as shown in FIG. 3A, the coating needle 18 of the desired coating unit 17 is positioned above the disconnection portion to be corrected. At this time, the tip of the coating needle 18 is immersed in the ink in the ink tank 19.

次いで図3(b)に示すように、塗布針18を下降させてインクタンク19の底の孔から塗布針18の先端部を突出させる。このとき、塗布針18の先端部にはインクが付着している。次に図3(c)に示すように、塗布針18およびインクタンク19を下降させて塗布針18の先端部を断線部に接触させ、断線部にインクを塗布する。この後、図3(a)の状態に戻る。 Next, as shown in FIG. 3B, the coating needle 18 is lowered to project the tip of the coating needle 18 from the hole at the bottom of the ink tank 19. At this time, ink is attached to the tip of the coating needle 18. Next, as shown in FIG. 3C, the coating needle 18 and the ink tank 19 are lowered to bring the tip of the coating needle 18 into contact with the broken portion, and ink is applied to the broken portion. After that, the state returns to the state shown in FIG. 3 (a).

複数の塗布針を用いたインク塗布機構は、この他にも様々な技術が知られているため詳細な説明を省略する。たとえば特許文献2などに示されている。パターン修正装置1は、たとえば図2に示すような機構をインク塗布機構5として用いることにより、複数のインクのうちの所望の色のインクを用いて断線部を修正することができ、また、複数の塗布針のうち所望の塗布径の塗布針を用いて断線部を修正することができる。 Since various other techniques are known for the ink coating mechanism using a plurality of coating needles, detailed description thereof will be omitted. For example, it is shown in Patent Document 2. By using a mechanism as shown in FIG. 2, for example, as the ink application mechanism 5, the pattern correction device 1 can correct a broken portion by using an ink of a desired color among a plurality of inks, and a plurality of inks. The broken portion can be corrected by using a coating needle having a desired coating diameter among the coating needles of the above.

[パターン修正工程]
次に、図1に示したパターン修正装置1を用いて実行される、パターン修正工程の概要を説明する。
[Pattern correction process]
Next, an outline of the pattern correction process executed by using the pattern correction device 1 shown in FIG. 1 will be described.

図4は、パターン修正工程を示すフローチャートである。図4を参照して、パターン修正工程は、基板形状測定工程(ステップS10)と、断線部形状検出工程(ステップS20)と、塗布位置算出工程(ステップS50)と、インク塗布工程(ステップS60)と、乾燥工程(ステップS70)とを備える。 FIG. 4 is a flowchart showing the pattern correction process. With reference to FIG. 4, the pattern correction steps include a substrate shape measuring step (step S10), a disconnection portion shape detecting step (step S20), a coating position calculation step (step S50), and an ink coating step (step S60). And a drying step (step S70).

基板形状測定工程(ステップS10)では、基板7の表面の三次元形状が測定される。基板形状測定工程では、基板7の表面に形成された配線パターンの三次元形状を測定することができる。 In the substrate shape measuring step (step S10), the three-dimensional shape of the surface of the substrate 7 is measured. In the substrate shape measuring step, the three-dimensional shape of the wiring pattern formed on the surface of the substrate 7 can be measured.

断線部形状検出工程(ステップS20)では、基板形状測定工程(ステップS10)で測定された基板7の表面の三次元形状を示すデータに基づいて、配線パターンに発生している断線部の三次元形状が検出される。 In the disconnection portion shape detection step (step S20), the three-dimensional disconnection portion generated in the wiring pattern is based on the data indicating the three-dimensional shape of the surface of the substrate 7 measured in the substrate shape measurement step (step S10). The shape is detected.

ステップS30では、断線部形状検出工程(ステップS20)での検出結果に基づいて、断線部を修正する必要があるか否かが判定される。具体的には、断線部形状検出工程(ステップS20)において配線パターンに断線部が検出されなかった場合には、断線部の修正が不要であると判定される(ステップS30のNO判定)。なお、後述するインク塗布工程(ステップS60)を実施した後にステップS30に戻り、断線部の修正が不要であると判定された場合には、断線部へのインクの充填が終了したと判断され、インクを乾燥するための乾燥工程(ステップS70)に移行する。 In step S30, it is determined whether or not it is necessary to correct the broken wire based on the detection result in the broken wire shape detecting step (step S20). Specifically, when the disconnection portion is not detected in the wiring pattern in the disconnection portion shape detection step (step S20), it is determined that the correction of the disconnection portion is unnecessary (NO determination in step S30). If the process returns to step S30 after performing the ink application step (step S60) described later and it is determined that the disconnection portion does not need to be corrected, it is determined that the ink filling into the disconnection portion is completed. The process proceeds to a drying step (step S70) for drying the ink.

一方、断線部形状検出工程(ステップS20)において配線パターンに断線部が検出された場合には、断線部の修正が必要と判定される(ステップS30のYES判定)。この場合にはさらに、断線部の修正が可能であるか否かが判定される(ステップS40)。具体的には、インク塗布工程(ステップS60)を予め定められた回数繰り返し実施した後、ステップS30において断線部へのインクの充填が終了していないと判断された場合(ステップS30のYES判定時)には、断線部の修正が不可能であると判定される。 On the other hand, when the disconnection portion is detected in the wiring pattern in the disconnection portion shape detection step (step S20), it is determined that the disconnection portion needs to be corrected (YES determination in step S30). In this case, it is further determined whether or not the disconnection portion can be corrected (step S40). Specifically, after the ink application step (step S60) is repeated a predetermined number of times, it is determined in step S30 that the filling of the broken portion with ink has not been completed (when the YES determination in step S30 is determined). ), It is determined that the disconnection portion cannot be corrected.

一方、断線部の修正が可能であると判定された場合(ステップS40のYES判定時)には、塗布位置算出工程(ステップS50)が実施される。塗布位置算出工程(ステップS50)では、断線部形状検出工程(ステップS20)で検出された断線部の三次元形状を示すデータに基づいて、インクを塗布する位置が算出される。 On the other hand, when it is determined that the disconnection portion can be corrected (when YES is determined in step S40), the coating position calculation step (step S50) is performed. In the coating position calculation step (step S50), the position to apply the ink is calculated based on the data indicating the three-dimensional shape of the disconnection portion detected in the disconnection portion shape detection step (step S20).

インク塗布工程(ステップS60)では、塗布位置算出工程(ステップS50)で算出されたインク塗布位置に従ってインク塗布機構5を制御することにより、基板7の表面にインクが塗布される。インク塗布工程(ステップS60)が実施された後、再び基板形状測定工程(ステップS10)に戻ることにより、断線部が修正された後の基板7の表面の三次元形状が測定される。さらに、断線部形状検出工程(ステップS20)に進み、基板7の表面の三次元形状に基づいて、断線部の三次元形状が検出される。断線部の三次元形状の検出結果から、上記のインク塗布工程(ステップS60)によって断線部へのインクの充填が終了しており、断線部の修正が不要と判断された場合(ステップS30のNO判定時)には、乾燥工程(ステップS70)が実施される。一方、配線パターンの修正が必要と判断された場合(ステップS30のYES判定時)には、再度、塗布位置算出工程(ステップS50)およびインク塗布工程(ステップS60)が実施されることになる。 In the ink coating step (step S60), ink is applied to the surface of the substrate 7 by controlling the ink coating mechanism 5 according to the ink coating position calculated in the coating position calculation step (step S50). After the ink coating step (step S60) is performed, the process returns to the substrate shape measuring step (step S10) to measure the three-dimensional shape of the surface of the substrate 7 after the disconnection portion is corrected. Further, the process proceeds to the disconnection portion shape detection step (step S20), and the three-dimensional shape of the disconnection portion is detected based on the three-dimensional shape of the surface of the substrate 7. From the detection result of the three-dimensional shape of the broken part, when it is determined that the filling of the broken part with ink is completed by the above ink application step (step S60) and the correction of the broken part is unnecessary (NO in step S30). At the time of determination), a drying step (step S70) is carried out. On the other hand, when it is determined that the wiring pattern needs to be corrected (when YES is determined in step S30), the coating position calculation step (step S50) and the ink coating step (step S60) are performed again.

以下、図4に示したパターン修正工程に含まれる各工程の詳細を説明する。
[基板形状測定工程]
基板形状測定工程(図4のステップS10)では、制御用コンピュータ11はパターン修正装置1を制御し、基板7の表面の三次元形状を測定する。図5は、基板7の表面に形成された配線パターンを概略的に示す部分平面図である。図5には、基板7の表面に正常に形成された配線部分(以下、「正常配線部」とも称す)と、部分的に断線部(図中の領域RGN)が生じている配線部分とが模式的に示されている。
Hereinafter, details of each step included in the pattern correction step shown in FIG. 4 will be described.
[Substrate shape measurement process]
In the substrate shape measuring step (step S10 in FIG. 4), the control computer 11 controls the pattern correction device 1 and measures the three-dimensional shape of the surface of the substrate 7. FIG. 5 is a partial plan view schematically showing a wiring pattern formed on the surface of the substrate 7. In FIG. 5, a wiring portion normally formed on the surface of the substrate 7 (hereinafter, also referred to as a “normal wiring portion”) and a wiring portion in which a partially disconnected portion (region RGN in the drawing) is generated are shown. It is shown schematically.

基板形状測定工程では、基板7の表面をXY座標系として、XY座標系に複数の測定ポイントをマトリクス状に設定する。そして、設定された複数の測定ポイントの各々について、Z軸方向の高さを検出することにより、基板7の表面の三次元形状を測定する。以下、各測定ポイントのZ軸方向の高さを検出する方法について説明する。 In the substrate shape measuring step, the surface of the substrate 7 is set as the XY coordinate system, and a plurality of measurement points are set in a matrix in the XY coordinate system. Then, the three-dimensional shape of the surface of the substrate 7 is measured by detecting the height in the Z-axis direction for each of the set plurality of measurement points. Hereinafter, a method of detecting the height of each measurement point in the Z-axis direction will be described.

この高さ検出方法では、対物レンズ16に二光束干渉対物レンズを使用する。二光束干渉対物レンズでは焦点位置での干渉光強度が最大になることを利用し、Zステージ8を基板7に対して相対的に移動させながら干渉光の画像を撮像し、画素ごとに干渉光強度が最大になるZステージ位置を求め、その位置を当該画素の高さとする。この高さ測定方法は、数μm以下の微小な高さの検出に適している。 In this height detection method, a two-luminous flux interference objective lens is used for the objective lens 16. Taking advantage of the fact that the intensity of the interference light at the focal position is maximized in the two-luminous flux interference objective lens, an image of the interference light is taken while moving the Z stage 8 relative to the substrate 7, and the interference light is captured for each pixel. The Z stage position where the intensity is maximized is obtained, and that position is defined as the height of the pixel. This height measuring method is suitable for detecting a minute height of several μm or less.

二光束干渉対物レンズは、光源から出射された白色光を二光束に分離して一方を対象物の表面に照射するとともに、他方を参照面に照射することにより、対象物の表面からの反射光と、参照面からの反射光とを干渉させるものである。本実施の形態では、ミラウ型干渉対物レンズを用いるが、マイケルソン型やリニーク型の干渉対物レンズを用いてもよい。 The biluminous interference objective lens separates the white light emitted from the light source into two luminous fluxes and irradiates the surface of the object with one of them, and irradiates the reference surface with the other to reflect the light reflected from the surface of the object. And the reflected light from the reference surface interfere with each other. In the present embodiment, the Mirau type interference objective lens is used, but a Michelson type or Linique type interference objective lens may be used.

また、光源としては白色光源を用いることが好ましい。白色光源を用いた場合、レーザなどの単一波長の光源を用いる場合とは異なり、二光束干渉対物レンズの焦点位置でのみ干渉光強度が最大になる。このため、高さを測定するのに適している。 Further, it is preferable to use a white light source as the light source. When a white light source is used, the interference light intensity is maximized only at the focal position of the two-luminous flux interference objective lens, unlike the case where a single-wavelength light source such as a laser is used. Therefore, it is suitable for measuring height.

図6は、対物レンズ16にミラウ型干渉対物レンズ30を用いたときの観察光学系2の光学素子の配置図である。ミラウ型干渉対物レンズ30は、レンズ31、参照鏡32、およびビームスプリッタ33を含む。 FIG. 6 is a layout diagram of the optical elements of the observation optical system 2 when the Mirau type interference objective lens 30 is used for the objective lens 16. The Mirau type interference objective lens 30 includes a lens 31, a reference mirror 32, and a beam splitter 33.

対物レンズ16をミラウ型干渉対物レンズ30に切換えると同時に、落射光源34の出射部にフィルタ切換装置35によってフィルタ36を挿入する。落射光源34を出射した光がフィルタ36を通過すると、中心波長λ(nm)の白色光が得られる。 At the same time that the objective lens 16 is switched to the Mirau type interference objective lens 30, the filter 36 is inserted into the exit portion of the epi-illumination light source 34 by the filter switching device 35. When the light emitted from the epi-illumination light source 34 passes through the filter 36, white light having a center wavelength of λ (nm) is obtained.

落射光源34として、たとえば白色LED(Light Emitting Diode)を用いてもよい。白色LEDの発光スペクトルは、波長450nmおよび560nmの2つのピークを有しているが、フィルタ36は、長波長側の560nmを中心とする光を選択的に透過させるローパスフィルタにより構成されることが好ましい。これは、450nmを中心とする光よりも、560nmを中心とする光の方が波長帯域が広いため、可干渉距離を短くできるからである。可干渉距離は、干渉縞を観測できる高さ方向の距離を示す。可干渉距離の短い方が、後述する第2段階で説明するコントラスト値の近似計算や重心計算で用いるデータ数を少なくすることができるため、処理の高速化が可能になる。 As the epi-illumination light source 34, for example, a white LED (Light Emitting Diode) may be used. The emission spectrum of the white LED has two peaks having wavelengths of 450 nm and 560 nm, and the filter 36 may be composed of a low-pass filter that selectively transmits light centered on 560 nm on the long wavelength side. preferable. This is because the wavelength band of the light centered on 560 nm is wider than that of the light centered on 450 nm, so that the coherent distance can be shortened. The coherent distance indicates the distance in the height direction in which the coherent fringes can be observed. The shorter the coherent distance, the smaller the number of data used in the approximation calculation of the contrast value and the calculation of the center of gravity, which will be described in the second step described later, so that the processing speed can be increased.

フィルタ36を通過した光は、ハーフミラー37でレンズ31の方向に反射される。レンズ31に入射した光は、ビームスプリッタ33で基板7の方向に通過する光と参照鏡32の方向に反射する光とに分けられる。基板7の表面で反射した光と参照鏡32の表面で反射した光とは再びビームスプリッタ33で合流し、レンズ31で集光される。この後、レンズ31から出た光は、ハーフミラー37を通過した後、結像レンズ38を経てCCDカメラ3の撮像面3aに入射する。 The light that has passed through the filter 36 is reflected by the half mirror 37 in the direction of the lens 31. The light incident on the lens 31 is divided into light passing in the direction of the substrate 7 by the beam splitter 33 and light reflected in the direction of the reference mirror 32. The light reflected on the surface of the substrate 7 and the light reflected on the surface of the reference mirror 32 are merged again by the beam splitter 33 and condensed by the lens 31. After that, the light emitted from the lens 31 passes through the half mirror 37 and then enters the imaging surface 3a of the CCD camera 3 through the imaging lens 38.

通常は、Zステージ8によりミラウ型干渉対物レンズ30を光軸方向に移動させて基板7の表面反射光と参照鏡32の表面反射光との間に光路長差を生じさせる。そして、Zステージ8によりミラウ型干渉対物レンズ30を移動させながら上記光路長差により発生する干渉光をCCDカメラ3で撮像する。この干渉光の強度、すなわち明るさは基板7からの反射光と参照鏡32からの反射光との光路長が等しいとき最大となる。また、このとき基板7の表面に焦点が合っている。 Normally, the Z stage 8 moves the specular interference objective lens 30 in the optical axis direction to cause an optical path length difference between the surface reflected light of the substrate 7 and the surface reflected light of the reference mirror 32. Then, while moving the Mirau type interference objective lens 30 by the Z stage 8, the CCD camera 3 captures the interference light generated by the optical path length difference. The intensity, that is, the brightness of the interference light is maximized when the optical path lengths of the light reflected from the substrate 7 and the light reflected from the reference mirror 32 are equal. At this time, the surface of the substrate 7 is in focus.

Zステージ8は基板7とミラウ型干渉対物レンズ30とをZ軸方向に相対移動させる位置決め装置に相当する。なお、Zステージ8の他に、基板7自身をテーブルで上下させたり、ミラウ型干渉対物レンズ30と観察光学系2との連結部にピエゾテーブルを取り付けることによってミラウ型干渉対物レンズ30の位置を上下させてもよい。 The Z stage 8 corresponds to a positioning device that relatively moves the substrate 7 and the Mirau-type interference objective lens 30 in the Z-axis direction. In addition to the Z stage 8, the position of the Mirau-type interference objective lens 30 can be determined by moving the substrate 7 up and down on a table or attaching a piezo table to the connecting portion between the Mirau-type interference objective lens 30 and the observation optical system 2. You may move it up and down.

次に、探索手順について説明する。Zステージ8を探索開始位置に移動させる。現在位置をZp、探索範囲をΔとおくと、たとえばZステージ8を初期位置(Zp−Δ/2)に移動させる。ここで、Zステージ8のマイナス方向を基板7に近付く方向とし、プラス方向を基板7から遠ざかる方向とする。探索は、初期位置(Zp−Δ/2)からプラス方向、すなわちZステージ8が基板7から遠ざかる方向に行なうこととする。したがって、初期位置(Zp−Δ/2)からプラス方向にΔの範囲を探索する。なお、探索方向は必ずしも基板7から遠ざかる方向である必要はなく、基板7に近付く方向であってもよい。 Next, the search procedure will be described. The Z stage 8 is moved to the search start position. Assuming that the current position is Zp and the search range is Δ, for example, the Z stage 8 is moved to the initial position (Zp−Δ / 2). Here, the negative direction of the Z stage 8 is the direction of approaching the substrate 7, and the positive direction is the direction of moving away from the substrate 7. The search is performed in the positive direction from the initial position (Zp−Δ / 2), that is, in the direction in which the Z stage 8 moves away from the substrate 7. Therefore, the range of Δ is searched in the positive direction from the initial position (Zp−Δ / 2). The search direction does not necessarily have to be a direction away from the substrate 7, and may be a direction closer to the substrate 7.

画像のサンプリングは、Zステージ8が移動を始め、定速状態になってから開始する。制御用コンピュータ11は一定周期でサンプリングを行なう。好ましくはCCDカメラ3の垂直同期信号の周期でサンプリングを行なうことにより、より正確に画像をサンプリングすることができる。 Image sampling starts after the Z stage 8 starts moving and reaches a constant speed state. The control computer 11 performs sampling at regular intervals. The image can be sampled more accurately, preferably by sampling at the period of the vertical synchronization signal of the CCD camera 3.

Zステージ8は予め定められた速度v(μm/秒)で移動する。Zステージ8の移動速度v(μm/秒)は次のように定める。白色光の中心波長をλ(μm)とし、CCDカメラ3の垂直同期信号の周波数をF(Hz)とすると、移動速度v(μm/秒)は、画像のサンプリング周期1/F(秒)の間にZステージ8がλ/8(μm)だけ移動するように定められる。すなわち、Zステージ8の移動速度vは、v=(λ/8)×F(μm/秒)となる。この移動速度vは白色光の位相増分でπ/2に相当し、ナイキスト原理を満たしている。位相をπ/2ずつ変化させることにより、干渉光強度のピーク点を容易に検出することができる。 The Z stage 8 moves at a predetermined speed v (μm / sec). The moving speed v (μm / sec) of the Z stage 8 is determined as follows. Assuming that the central wavelength of the white light is λ (μm) and the frequency of the vertical synchronization signal of the CCD camera 3 is F (Hz), the moving speed v (μm / sec) is the image sampling period 1 / F (sec). In the meantime, the Z stage 8 is set to move by λ / 8 (μm). That is, the moving speed v of the Z stage 8 is v = (λ / 8) × F (μm / sec). This moving speed v corresponds to π / 2 in the phase increment of white light, and satisfies the Nyquist principle. By changing the phase by π / 2, the peak point of the interference light intensity can be easily detected.

位相をπ/2ずつ変化させながら画像をサンプリングしたとき、画像fを中心とする前後±2枚の合計5枚の画像fi−2,fi−1,f,fi+1,fi+2を用いてコントラスト値Mを次式(1)を用いて算出する。 When sampling the image while changing the phase by [pi / 2, the sum of the front and rear ± 2 sheets around the image f i 5 images f i-2, f i- 1, f i, f i + 1, f i + 2 calculated using equation (1) the contrast value M i with.

ここで、f(x,y)は画像fの位置(x,y)における画素の輝度を示す。画像fにおける各画素(x,y)は測定ポイントを構成する。なお、iは取得した順に画像に付された番号(以下「サンプル番号」ともいう)であって、i=1,2,・・・,N(Nは自然数)の値をとる。 Here, f i (x, y) represents the luminance of the pixel at the position of the image f i (x, y). Each pixel in the image f i (x, y) constitutes a measurement point. Note that i is a number assigned to the image in the order of acquisition (hereinafter, also referred to as “sample number”), and takes the values of i = 1, 2, ..., N (N is a natural number).

図7(a)はサンプル番号iと輝度f(x,y)との関係を示す図である。図7(b)はサンプル番号iとコントラスト値Mとの関係を示す図である。図7(c)はZステージ8の位置と移動速度との関係を示す図である。 7 (a) is a diagram showing the relationship between the sample number i and the brightness f i (x, y). Figure 7 (b) is a diagram showing the relationship between the sample number i and the contrast value M i. FIG. 7C is a diagram showing the relationship between the position of the Z stage 8 and the moving speed.

図7(a)〜(c)において、輝度f(x,y)およびコントラスト値Mはともに画像pの近傍でピークを示している。このピーク点に対応するZステージ8の位置が画素(x,y)の焦点位置である。 In FIG. 7 (a) ~ (c) , shows a peak in the vicinity of the luminance f i (x, y) and contrast values M i are both image p. The position of the Z stage 8 corresponding to this peak point is the focal position of the pixel (x, y).

上記式(1)で表わされるコントラスト値Mは、図7(a)に示す輝度fの包絡線を示している。したがって、コントラスト値Mを演算すればピーク点を求めることができる。しかしながら、ここでは演算を高速に行なうため、平方根を求める演算および除算を行なわない。たとえば実際の計算では、次式(2)を用いて、コントラスト値Mを簡素化させたコントラスト値M♯を演算する。このコントラスト値M♯はコントラスト値Mを2乗した値に比例するため、コントラスト値Mに代えてコントラスト値M♯を用いても、包絡線のピーク点および画素の焦点位置がずれることはない。 Contrast values M i represented by the above formula (1) shows the envelope of the luminance f i shown in Figure 7 (a). Therefore, it is possible to obtain a peak point when calculating a contrast value M i. However, since the operation is performed at high speed here, the operation for obtaining the square root and the division are not performed. For example, in the actual calculation, using the following equation (2), calculates a contrast value M i ♯ obtained by simplifying the contrast value M i. The contrast value M i ♯ is proportional to a value obtained by squaring the contrast value M i, is also shifted, the focus position of the peak point and the pixel of the envelope by using a contrast value M i ♯ instead contrast value M i There is no such thing.

基板形状測定工程は2段階の処理により構成される。第1段階の処理では、画像fの各画素(x,y)について、輝度f(x,y)が最大となるZステージ8の位置を求める。これは、図7(a)および(b)から分かるように、輝度f(x,y)とコントラスト値Mとが、画素pの近傍において共にピークを示すことを利用している。すなわち、輝度f(x,y)がピークとなる画像pを求めることによって、コントラスト値Mのピーク点の見当を付けることができる。これにより、第2段階の処理範囲を狭めることができるため、処理の高速化が可能になる。このように、第1段階の処理においては、撮影した画像を構成する複数の画素の各々について焦点の候補位置を求めるものである。 The substrate shape measurement process is composed of two steps. In the first stage of the process, for each pixel of the image f i (x, y), determining the position of the Z stage 8 luminance f i (x, y) is maximum. This is because, as understood from FIGS. 7 (a) and (b), the luminance f i (x, y) and the contrast value M i are both utilizes the fact that a peak in the vicinity of the pixel p. That is, by obtaining the image p which the luminance f i (x, y) has a peak, it is possible to give an idea of the peak point of the contrast values M i. As a result, the processing range of the second stage can be narrowed, so that the processing speed can be increased. As described above, in the first stage processing, the candidate focus position is obtained for each of the plurality of pixels constituting the captured image.

次に、第2段階の処理では、輝度f(x,y)が最大となる画像pを中心とする前後±n枚(nは自然数)の合計(2n+1)枚の画像を選択して、上記式(2)によりコントラスト値M♯を演算する。そして、演算したコントラスト値M♯が最大となるZステージ8の位置を求め、このZステージ8の位置を画素(x,y)の最終的な焦点位置とする。すなわち、第2段階の処理は、第1段階の処理で求めた焦点の候補位置を基に、コントラスト値Mi♯を用いて正確な焦点位置を求めるものである。 Next, in the processing of the second stage, the luminance f i (x, y) selects the image Sum (2n + 1) pieces of before and after the ± n Like around the image p to be a maximum (n is a natural number), calculates a contrast value M i ♯ by the formula (2). Then, the calculated contrast value M i ♯ is determined the position of the Z stage 8 with the maximum, the position of the Z stage 8 final focus position of the pixel (x, y). That is, in the second stage processing, an accurate focal position is obtained using the contrast value Mi # based on the focal candidate position obtained in the first stage processing.

図8は、基板形状測定工程を実行するための制御構成を示すブロック図である。図8を参照して、基板形状測定工程(ステップS10)に係る制御構成は、CCDカメラ3と、取込装置40と、処理装置42とから構成される。なお、取込装置40および処理装置42は、制御用コンピュータ11の内部に設けられる。 FIG. 8 is a block diagram showing a control configuration for executing the substrate shape measuring step. With reference to FIG. 8, the control configuration according to the substrate shape measurement step (step S10) includes a CCD camera 3, an acquisition device 40, and a processing device 42. The import device 40 and the processing device 42 are provided inside the control computer 11.

取込装置40は、一定周期(好ましくはCCDカメラ3の垂直同期信号の周期)で画像のサンプリングを行なう。具体的には、取込装置40は、CCDカメラ3の垂直同期信号をトリガとして、画像のサンプリングを開始する。そして、画像のサンプリングが完了すると、サンプリングした画像を直ちに処理装置42に転送する。このとき、取込装置40は、処理装置42の記憶部44に対して画像を直接的に転送する。この画像転送には、たとえばDMA(Direct Memory Access)転送が用いられる。取込装置40による画像のサンプリングおよび転送は、CCDカメラ3の垂直同期信号の周波数をF(Hz)とすると、画像のサンプリング周期1/F(秒)で繰り返し実行される。 The capture device 40 samples images at a fixed cycle (preferably a cycle of the vertical synchronization signal of the CCD camera 3). Specifically, the capture device 40 starts sampling an image by using the vertical synchronization signal of the CCD camera 3 as a trigger. Then, when the sampling of the image is completed, the sampled image is immediately transferred to the processing device 42. At this time, the import device 40 directly transfers the image to the storage unit 44 of the processing device 42. For this image transfer, for example, DMA (Direct Memory Access) transfer is used. Image sampling and transfer by the capture device 40 are repeatedly executed in an image sampling cycle of 1 / F (seconds), assuming that the frequency of the vertical synchronization signal of the CCD camera 3 is F (Hz).

処理装置42は、記憶部44と、中央処理部46とを含む。記憶部44には、画像のサンプリング周期1/F(秒)で取込装置40から画像fが転送される。記憶部44は転送された画像fを順番に記憶する。中央処理部46は、記憶部44に画像が転送された直後に、第1段階の処理である輝度f(x,y)の最大値を求める処理を開始する。そして、中央処理部46は、この輝度f(x,y)の最大値を求める処理を、次回の画像が転送されるタイミングの直前までに完了する。すなわち、第1段階の処理は、画像のサンプリング周期1/F(秒)の間に実行される。 The processing device 42 includes a storage unit 44 and a central processing unit 46. The storage unit 44, the image f i is transferred from the capture device 40 at the sampling period of the image 1 / F (s). Storage unit 44 stores sequentially the image f i transferred. The central processing unit 46, immediately after the image in the storage unit 44 is transferred, the luminance f i (x, y) is the processing of the first step to start the process for obtaining the maximum value of. Then, the central processing unit 46, the luminance f i (x, y) a process for obtaining the maximum value of completed immediately before the timing at which the next image is transferred. That is, the first stage processing is executed during the image sampling period 1 / F (seconds).

(第1段階の処理)
以下、第1段階の処理である輝度f(x,y)の最大値を求める処理の手順について詳細に説明する。
(First stage processing)
It will now be described in detail a procedure of processing for determining the maximum value of the luminance f i is the processing of the first stage (x, y).

図8において、記憶部44には、CCDカメラ3の解像度と同じ解像度となるように記憶セルが2次元に配列された記憶領域が3つ用意されている。これら3つの記憶領域のうち、第1の記憶領域には、画像fの位置(x,y)における輝度f(x,y)の最大値が格納される。すなわち、2次元配列された記憶セルの各々には、対応する画素(x,y)の輝度の最大値が格納される。以下の説明では、輝度f(x,y)の最大値を“Max(x,y)”と表記する。 In FIG. 8, the storage unit 44 is provided with three storage areas in which storage cells are arranged two-dimensionally so as to have the same resolution as that of the CCD camera 3. Of these three storage areas, the first storage area, the position of the image f i (x, y) the luminance at f i (x, y) maximum value of is stored. That is, the maximum value of the brightness of the corresponding pixel (x, y) is stored in each of the two-dimensionally arranged storage cells. In the following description, the luminance f i (x, y) the maximum is expressed as "Max (x, y)" .

第2の記憶領域には、輝度f(x,y)が最大となる画像fを撮影したときのZステージ8の位置が格納される。すなわち、2次元配列された記憶セルの各々には、対応する画素(x,y)の輝度が最大となるときのZステージ8の位置が格納される。以下の説明では、輝度f(x,y)が最大となるときのZステージ8の位置を“Pz(x,y)”と表記する。 The second storage area, the luminance f i (x, y) is the position of the Z stage 8 upon shooting images f i having the maximum is stored. That is, each of the two-dimensionally arranged storage cells stores the position of the Z stage 8 when the brightness of the corresponding pixel (x, y) is maximized. In the following description, the luminance f i (x, y) is expressed as the position of the Z stage 8 "Pz (x, y) " at which the maximum.

第3の記憶領域には、輝度f(x,y)が最大となる画像fを撮影したときのサンプル番号iが格納される。すなわち、2次元配列された記憶セルの各々には、対応する画素(x,y)の輝度が最大となる画像fのサンプル番号iが格納される。以下の説明では、輝度f(x,y)が最大となる画像fのサンプル番号iを“I(x,y)”と表記する。 The third storage area, the sample number i is stored when the luminance f i (x, y) have taken the image f i with the maximum. That is, each of the two-dimensional array of storage cells, the sample number i of the image f i which luminance is the maximum of the corresponding pixel (x, y) is stored. In the following description, the luminance f i (x, y) is the sample number i of the image f i where the maximum is expressed as "I (x, y)" .

なお、記憶部44に格納されるMax(x,y),Pz(x,y),I(x,y)の3つの値は、探索を開始する前の初期状態において「0」に設定されている。探索が開始されると、取込装置40から記憶部44に対して、画像がサンプリング周期1/F(秒)で順次転送される。中央処理部46は、画像fの転送が完了すると、画素ごとに、輝度f(x,y)とMax(x,y)とを比較し、比較結果に基づいてMax(x,y),Pz(x,y),I(x,y)の値を更新する。具体的には、中央処理部46は、画像fの位置(x,y)における輝度f(x,y)と、当該画素(x,y)の輝度の最大値Max(x,y)とを比較する。f(x,y)≦Max(x,y)の関係が成り立つとき、中央処理部46は、Max(x,y)の値を維持する。このとき中央処理部46は、Pz(x,y)およびI(x,y)の値についても維持する。 The three values of Max (x, y), Pz (x, y), and I (x, y) stored in the storage unit 44 are set to "0" in the initial state before the search is started. ing. When the search is started, the images are sequentially transferred from the acquisition device 40 to the storage unit 44 in a sampling period of 1 / F (seconds). The central processing unit 46, the transfer of the image f i is completed, for each pixel, the luminance f i (x, y) and Max (x, y) is compared with, Max based on the comparison result (x, y) , Pz (x, y), I (x, y) values are updated. Specifically, the central processing unit 46, the position of the image f i (x, y) the luminance f i (x, y) in the maximum value of the luminance of the pixel (x, y) Max (x , y) Compare with. When the relationship of f i (x, y) ≤ Max (x, y) is established, the central processing unit 46 maintains the value of Max (x, y). At this time, the central processing unit 46 also maintains the values of Pz (x, y) and I (x, y).

これに対して、f(x,y)>Max(x,y)の関係が成り立つときには、中央処理部46は、Max(x,y)の値を輝度f(x,y)に書き換える。さらに中央処理部46は、Pz(x,y)の値を画素値f(x,y)に対応するZステージ8の位置に書き換えるとともに、I(x,y)の値を輝度f(x,y)のサンプル番号iに書き換える。 In contrast, when f i (x, y)> Max (x, y) relationship holds true, the central processing unit 46 rewrites the value of the Max (x, y) the luminance f i (x, y) to .. Moreover the central processing unit 46, Pz (x, y) pixel values f i (x, y) the value of rewrites to the position of the Z stage 8 corresponding to, I (x, y) the luminance values of f i ( Rewrite with sample number i of x, y).

中央処理部46は、上述した輝度f(x,y)とMax(x,y)との比較動作、および比較結果に応じた記憶部44の書換動作を、取込装置40から記憶部44に画像が転送されたタイミングから取込装置40が次回の画像のサンプリングを開始するタイミングまでの期間を使って実行する。たとえばCCDカメラ3の解像度を640×480とし、輝度f(x,y)を1バイトと想定した場合、取込装置40から記憶部44に転送される画像データのサイズは307,200バイトとなる。一方、CCDカメラ3の垂直同期信号の周波数を120Hzとすると、画像のサンプリング周期は1/120秒となる。したがって、取込装置40は、1/120秒(約8.3m秒)ごとに307,200バイトの画像データを取込んで処理装置42の記憶部44へ転送する。取込装置40から記憶部44へのデータ転送は、DMA転送を用いることによって約2m秒の時間で行なうことができる。したがって、処理装置42は、サンプリング周期である約8.3m秒のうち、データ転送に要する約2m秒を除いた約6.3m秒の時間を利用して、輝度f(x,y)の最大値を求める処理を実行する。 The central processing unit 46, the luminance f i (x, y) described above and Max (x, y) operation of comparing and rewriting operation of the storage unit 44 in accordance with the comparison result, the storage unit 44 from the capture device 40 This is executed using the period from the timing at which the image is transferred to the timing at which the acquisition device 40 starts sampling the next image. For example the resolution of the CCD camera 3 and 640 × 480, assuming the luminance f i (x, y) to 1 byte, the size of the image data transferred from the capture device 40 in the storage unit 44 and 307,200 bytes Become. On the other hand, assuming that the frequency of the vertical synchronization signal of the CCD camera 3 is 120 Hz, the image sampling period is 1/120 second. Therefore, the capture device 40 captures 307,200 bytes of image data every 1/120 seconds (about 8.3 ms) and transfers the image data to the storage unit 44 of the processing device 42. Data transfer from the acquisition device 40 to the storage unit 44 can be performed in a time of about 2 msec by using DMA transfer. Thus, processing device 42, of the approximately 8.3m sec is the sampling period, by utilizing the time of about 6.3m seconds, excluding the approximately 2m sec required for data transfer, the luminance f i of (x, y) Execute the process to find the maximum value.

このようにして画像のサンプリング周期ごとに、データ転送後の空き時間を用いて第1段階の処理を実行する。これにより、探索範囲内のすべての画像のサンプリングが完了したときには、記憶部44には、各画素について、輝度f(x,y)の最大値(=Max(x,y))、輝度f(x,y)が最大となるときのZステージ8の位置(=Pz(x,y)、および輝度f(x,y)が最大となる画像fのサンプル番号(=I(x,y))が格納されている。 In this way, the first stage processing is executed using the free time after the data transfer for each image sampling cycle. Thus, when the sampling of all the images within the search range is completed, the storage unit 44, for each pixel, the luminance f i (x, y) maximum value of (= Max (x, y) ), the luminance f i (x, y) position of the Z stage 8 when the is maximum (= Pz (x, y) , and the luminance f i (x, image f i sample number of y) is maximum (= I (x , Y)) is stored.

次に、第2段階の処理であるコントラスト値M♯が最大となるZステージ8の位置を求める処理の手順について詳細に説明する。第2段階の処理は、探索範囲内のすべての画像のサンプリングが完了した後、中央処理部46によって実行される。 Next, a process of the second stage contrast value M i ♯ will be described in detail a procedure of processing for obtaining the position of the Z stage 8 becomes maximum. The second stage processing is executed by the central processing unit 46 after sampling of all the images in the search range is completed.

中央処理部46は、記憶部44から、各画素について、輝度f(x,y)が最大となるサンプル番号i(=I(x,y))を読み出す。そして、中央処理部46は、I(x,y)が示すサンプル番号iの画像fを中心とする前後±n枚の合計(2n+1)枚の画像を用いて、コントラスト値M♯(x,y)のピーク点を求める。 The central processing unit 46, from the storage unit 44, for each pixel, the luminance f i (x, y) is the maximum sample number i (= I (x, y )) read out. Then, the central processing unit 46, I (x, y) using a longitudinal ± n pieces of total (2n + 1) images around the images f i of sample number i indicated by the contrast value M i ♯ (x , Y) Find the peak point.

具体的には、(2n+1)枚の画像の各々のサンプル番号をjとすると、サンプル番号jは、I(x,y)−n,I(x,y)−n+1,・・・,I(x,y)−1,I(x,y),I(x,y)+1,・・・,I(x,y)+n−1,I(x,y)+nの順で表わされる。中央処理部46は、画像fの輝度f(x,y)を上記式(3)に代入することにより、合計(2n+1)個のコントラスト値M♯(x,y)を算出する。 Specifically, assuming that the sample number of each of the (2n + 1) images is j, the sample number j is I (x, y) -n, I (x, y) -n + 1, ..., I ( It is represented in the order of x, y) -1, I (x, y), I (x, y) +1, ..., I (x, y) + n-1, I (x, y) + n. The central processing unit 46 calculates a total of (2n + 1) contrast values M j # (x, y) by substituting the luminance f j (x, y) of the image f j into the above equation (3).

ここで、コントラスト値Mj♯(x,y)に対応するZステージ8の位置をZとすると、Zは次式(3)で表わすことができる。 Here, assuming that the position of the Z stage 8 corresponding to the contrast value Mj # (x, y) is Z j , Z j can be expressed by the following equation (3).

図7(b)で説明したように、コントラスト値M♯はピーク点を中心とする左右対称の山型傾向を示すため、2次関数あるいはガウス関数を用いてコントラスト値M♯を示す曲線を近似することができる。そこで、中央処理部46は、コントラスト値M♯とZステージ8の位置Zとの関係を2次関数あるいはガウス関数で近似し、求めた関数からコントラスト値M♯がピークとなるZステージ8の位置Zを求める。そして、このZステージ8の位置Zを画素(x,y)の高さとする。 As described in FIG. 7B, since the contrast value M j # shows a bilaterally symmetric mountain-shaped tendency centered on the peak point, a curve showing the contrast value M j # using a quadratic function or a Gaussian function. Can be approximated. Therefore, the central processing unit 46 approximates the relationship between the contrast value M j # and the position Z j of the Z stage 8 with a quadratic function or a Gaussian function, and the Z stage in which the contrast value M j # peaks from the obtained function. determining the position Z j of the 8. Then, the position Z j of the Z stage 8 is defined as the height of the pixel (x, y).

以上に説明したように、基板形状測定工程においては、第1段階の処理として、撮影される画像を構成する複数の画素の各々について、輝度が最大になるZステージ位置を焦点の候補位置とする。その後、第2段階の処理として、焦点の候補位置の近傍で撮影した画像の輝度からコントラスト値を求め、画素ごとに、コントラスト値が最大になるZステージ位置を焦点位置として求める。そして、求めた焦点位置から、測定ポイントのZ軸方向の高さを検出する。 As described above, in the substrate shape measurement step, as the first stage process, the Z stage position where the brightness is maximized is set as the focus candidate position for each of the plurality of pixels constituting the captured image. .. After that, as the second stage processing, the contrast value is obtained from the brightness of the image taken in the vicinity of the focal candidate position, and the Z stage position where the contrast value is maximized is obtained as the focal position for each pixel. Then, the height of the measurement point in the Z-axis direction is detected from the obtained focal position.

このような構成とすることにより、第1段階の処理において、各画素についてコントラスト値を演算する処理を省略できるため、制御用コンピュータ11における演算負荷を低減することができる。また、各画素のコントラスト値を記憶しておく必要がないため、大容量のメモリが不要となる。この結果、制御用コンピュータを安価に構成することができる。 With such a configuration, in the first stage processing, the processing of calculating the contrast value for each pixel can be omitted, so that the calculation load on the control computer 11 can be reduced. Further, since it is not necessary to store the contrast value of each pixel, a large-capacity memory is not required. As a result, the control computer can be constructed at low cost.

また、第1段階の処理を、撮像装置の撮影周期(CCDカメラ3における画像のサンプリング周期)内の画像を転送した後の空き時間を利用して行なうことができるため、探索範囲内のすべての画像の撮影が完了した後の数値演算処理を軽減することができる。この結果、基板形状測定工程の作業時間を短縮することが可能となる。 Further, since the first stage processing can be performed by utilizing the free time after transferring the image within the shooting cycle of the imaging device (the sampling cycle of the image in the CCD camera 3), all the processing within the search range. It is possible to reduce the numerical calculation processing after the image shooting is completed. As a result, it is possible to shorten the working time of the substrate shape measuring process.

なお、上述した第2段階の処理においては、コントラスト値M♯を2次関数あるいはガウス関数により近似する構成について説明したが、(2n+1)個のコントラスト値Mi♯の重心位置を求め、求めた重心位置をピーク位置としてよい。この重心位置は、図7(b)に示すような左右対称データの中心位置を示す。重心位置をZとおくと、Zは次式(4)を用いて算出できる。 In the process of the second step described above has been described for the case where approximating the contrast value M i ♯ by a secondary function or Gaussian function, determine the (2n + 1) pieces of center of gravity of the contrast value Mi♯, it was determined The position of the center of gravity may be the peak position. This center of gravity position indicates the center position of the symmetrical data as shown in FIG. 7B. Assuming that the position of the center of gravity is Z g , Z g can be calculated using the following equation (4).

[断線部形状検出工程]
断線部形状検出工程(図4のステップS20)では、制御用コンピュータ11は、基板7の表面の三次元形状を測定したデータに基づいて、配線パターンに発生した断線部の三次元形状を検出する。
[Disconnection shape detection process]
In the disconnection portion shape detection step (step S20 in FIG. 4), the control computer 11 detects the three-dimensional shape of the disconnection portion generated in the wiring pattern based on the data obtained by measuring the three-dimensional shape of the surface of the substrate 7. ..

具体的には、制御用コンピュータ11内部の処理装置42(図8参照)は、基板形状測定工程(図4のステップS10)で得られた、基板7の表面の三次元形状の測定データを用いて、配線パターンから断線部が抽出された画像(以下、「断線部抽出画像」とも称す)D(x,y)を生成する。 Specifically, the processing device 42 (see FIG. 8) inside the control computer 11 uses the measurement data of the three-dimensional shape of the surface of the substrate 7 obtained in the substrate shape measurement step (step S10 of FIG. 4). Then, an image in which the disconnection portion is extracted from the wiring pattern (hereinafter, also referred to as “disconnection portion extraction image”) D (x, y) is generated.

断線部抽出画像D(x,y)は、正常配線部が「1」であり、かつ、断線部を含む正常配線部以外の部分が「0」である、2値化された画像である。処理装置42は、測定ポイントのZ軸方向の高さをZ(x,y)とおく。なお、(x,y)は、上記の基板形状測定工程(ステップS20)において、CCDカメラ3で撮影ざれた画像上の画素の位置を表している。 The broken wire extracted image D (x, y) is a binarized image in which the normal wiring portion is “1” and the portion other than the normal wiring portion including the broken wire portion is “0”. The processing device 42 sets the height of the measurement point in the Z-axis direction as Z (x, y). Note that (x, y) represents the positions of pixels on the image taken by the CCD camera 3 in the above-mentioned substrate shape measurement step (step S20).

処理装置42は、正常配線部のZ軸方向の高さをHpとしたときに、測定ポイントのZ軸方向の高さZ(x,y)と正常配線部のZ軸方向の高さHpとを比較する。測定ポイントの高さZ(x,y)と正常配線部の高さHpとの関係が次式(5)を満足するとき、対応する画素位置の値を「1」とする。一方、測定ポイントの高さZ(x,y)と正常配線部の高さHpとの関係が次式(5)を満たさないときには、対応する画素位置の値を「0」とする。なお、次式(5)中のαは、正常配線部の高さHpに対する許容誤差を示している。 When the height of the normal wiring portion in the Z-axis direction is Hp, the processing device 42 has the height Z (x, y) of the measurement point in the Z-axis direction and the height Hp of the normal wiring portion in the Z-axis direction. To compare. When the relationship between the height Z (x, y) of the measurement point and the height Hp of the normal wiring portion satisfies the following equation (5), the value of the corresponding pixel position is set to “1”. On the other hand, when the relationship between the height Z (x, y) of the measurement point and the height Hp of the normal wiring portion does not satisfy the following equation (5), the value of the corresponding pixel position is set to “0”. Note that α in the following equation (5) indicates a permissible error with respect to the height Hp of the normal wiring portion.

2値画像である断線部抽出画像D(x,y)において、値が「0」の画素は、正常配線部以外の部分に相当する。したがって、値「0」の画素の中から、断線部を抽出することができる。具体的には、処理装置42は、配線パターンの連続性を利用し、正常配線部は検査エリア内では連続であるという特徴をもとに、値「0」の画素の中から断線部を抽出する。以下、配線パターンがY軸方向に連続している場合における断線部の抽出方法について説明する。 In the broken wire extracted image D (x, y), which is a binary image, the pixels having a value of "0" correspond to parts other than the normal wiring portion. Therefore, the disconnection portion can be extracted from the pixels having the value "0". Specifically, the processing device 42 utilizes the continuity of the wiring pattern, and extracts the disconnection portion from the pixels having the value "0" based on the feature that the normal wiring portion is continuous in the inspection area. To do. Hereinafter, a method for extracting a broken portion when the wiring pattern is continuous in the Y-axis direction will be described.

図9は、断線部の抽出方法を説明するための図である。処理装置42は、最初に、図9(a)に示すように、断線部抽出画像から検査エリア内における複数の画素からなる画像を取り込む。次に、処理装置42は、図9(b)に示すように、取り込んだ断線部抽出画像から値が「1」の画素の塊を検出し、当該塊の輪郭線を抽出する。そして、処理装置42は、各輪郭線におけるY軸方向の最大値および最小値を算出し、輪郭線ごとにY軸方向の最小値の座標を検出する。1つの輪郭線におけるY軸方向最小値(図中の黒丸に相当)が検査エリアの上端か左右端に接している場合、処理装置42は、当該輪郭線が正常配線部の輪郭線に相当すると判断する。一方、1つの輪郭線におけるY軸方向最小値が検査エリアの上端か左右端に接していない場合には、処理装置42は、当該輪郭線が正常配線部の輪郭線に相当しないと判断する。この場合、Y軸方向最小値を「欠陥候補点」として、その座標を記憶する。 FIG. 9 is a diagram for explaining a method of extracting the disconnected portion. First, as shown in FIG. 9A, the processing device 42 captures an image composed of a plurality of pixels in the inspection area from the image extracted from the disconnection portion. Next, as shown in FIG. 9B, the processing device 42 detects a block of pixels having a value of “1” from the captured image of the broken wire, and extracts the contour line of the block. Then, the processing device 42 calculates the maximum value and the minimum value in the Y-axis direction in each contour line, and detects the coordinates of the minimum value in the Y-axis direction for each contour line. When the minimum value in the Y-axis direction (corresponding to the black circle in the figure) in one contour line is in contact with the upper end or the left and right ends of the inspection area, the processing device 42 determines that the contour line corresponds to the contour line of the normal wiring portion. to decide. On the other hand, when the minimum value in the Y-axis direction of one contour line does not touch the upper end or the left and right ends of the inspection area, the processing device 42 determines that the contour line does not correspond to the contour line of the normal wiring portion. In this case, the minimum value in the Y-axis direction is set as a "defect candidate point", and the coordinates are stored.

なお、配線パターンがX軸方向に連続している場合には、処理装置42は、1つの輪郭線におけるX軸方向最小値が測定エリアの左端か上下端に接しているときに当該輪郭線が正常配線部の輪郭線に相当すると判断し、X軸方向最小値が測定エリアの左端か上下端に接していないときには、当該輪郭線が正常配線部の輪郭線に相当しないと判断する。この場合、X軸方向最小値を欠陥候補点として、その座標を記憶する。 When the wiring pattern is continuous in the X-axis direction, the processing device 42 uses the processing device 42 when the minimum value in the X-axis direction of one contour line is in contact with the left end or the upper and lower ends of the measurement area. It is determined that the contour line corresponds to the contour line of the normal wiring portion, and when the minimum value in the X-axis direction does not touch the left end or the upper and lower ends of the measurement area, it is determined that the contour line does not correspond to the contour line of the normal wiring portion. In this case, the minimum value in the X-axis direction is set as a defect candidate point, and its coordinates are stored.

同様にして、処理装置42は、輪郭線ごとにY軸方向最大値の座標を検出する。1つの輪郭線におけるY軸方向最大値(図中の白丸に相当)が検査エリアの下端か左右端に接している場合、処理装置42は、当該輪郭線が正常配線部の輪郭線に相当すると判断する。一方、1つの輪郭線におけるY軸方向最大値が測定エリアの下端か左右端に接していない場合には、処理装置42は、当該輪郭線が正常配線部の輪郭線に相当しないと判断する。この場合、Y軸方向最大値を欠陥候補点として、その座標を記憶する。 Similarly, the processing device 42 detects the coordinates of the maximum value in the Y-axis direction for each contour line. When the maximum value in the Y-axis direction (corresponding to the white circle in the figure) in one contour line is in contact with the lower end or the left and right ends of the inspection area, the processing device 42 determines that the contour line corresponds to the contour line of the normal wiring portion. to decide. On the other hand, when the maximum value in the Y-axis direction of one contour line does not touch the lower end or the left and right ends of the measurement area, the processing device 42 determines that the contour line does not correspond to the contour line of the normal wiring portion. In this case, the maximum value in the Y-axis direction is set as a defect candidate point, and its coordinates are stored.

なお、配線パターンがX軸方向に連続している場合には、処理装置42は、1つの輪郭線におけるX軸方向最大値が測定エリアの右端か上下端に接しているときに当該輪郭線が正常配線部の輪郭線に相当すると判断し、X軸方向最大値が測定エリアの右端か上下端に接していないときには、当該輪郭線が正常配線部の輪郭線に相当しないと判断する。この場合、X軸方向最大値を欠陥候補点として、その座標を記憶する。 When the wiring pattern is continuous in the X-axis direction, the processing device 42 uses the processing device 42 when the maximum value in the X-axis direction of one contour line is in contact with the right end or the upper and lower ends of the measurement area. It is determined that the contour line corresponds to the contour line of the normal wiring portion, and when the maximum value in the X-axis direction does not touch the right end or the upper and lower ends of the measurement area, it is determined that the contour line does not correspond to the contour line of the normal wiring portion. In this case, the maximum value in the X-axis direction is set as a defect candidate point, and its coordinates are stored.

最後に、処理装置42は、記憶された欠陥候補点に基づいて、断線部を抽出する。このとき、制御用コンピュータ11は、欠陥候補点を頂点とした、値が「0」の画素の塊を、断線部として抽出する。 Finally, the processing device 42 extracts the disconnection portion based on the stored defect candidate points. At this time, the control computer 11 extracts a block of pixels having a value of "0" with the defect candidate point as the apex as a disconnection portion.

このようにして、断線部形状検出工程では、基板7の表面の三次元形状を、測定ポイントごとのZ軸方向の高さに基づいて2値画像に変換する。変換された2値画像から断線部を抽出することにより、断線部の三次元形状を検出することができる。 In this way, in the disconnection portion shape detection step, the three-dimensional shape of the surface of the substrate 7 is converted into a binary image based on the height in the Z-axis direction for each measurement point. By extracting the disconnection portion from the converted binary image, the three-dimensional shape of the disconnection portion can be detected.

[塗布位置算出工程]
塗布位置算出工程(図4のステップS50)では、制御用コンピュータ11内部の処理装置42は、断線部形状検出工程(図4のステップS20)で検出された断線部の三次元形状に基づいて、修正インクの三次元上の塗布位置を決定する。図10は、断線部の一例を拡大して示す模式図である。図10に点線で示されるように、処理装置42は、断線部に外接する矩形領域を設定する。この矩形領域は、左上端座標(x1,y1)および右下端座標(x2,y2)を頂点とする。処理装置42は、矩形領域内に位置する画素(x,y)について、正常配線部のZ軸方向の高さHpと、画素のZ軸方向の高さZ(x,y)との高低差Δ(x,y)を算出する。
[Applying position calculation process]
In the coating position calculation step (step S50 in FIG. 4), the processing device 42 inside the control computer 11 is based on the three-dimensional shape of the disconnection portion detected in the disconnection portion shape detection step (step S20 in FIG. 4). Determine the three-dimensional application position of the correction ink. FIG. 10 is a schematic view showing an enlarged example of the disconnected portion. As shown by the dotted line in FIG. 10, the processing device 42 sets a rectangular region circumscribing the disconnection portion. This rectangular area has the upper left end coordinates (x1, y1) and the right lower end coordinates (x2, y2) as vertices. The processing device 42 has a height difference between the height Hp of the normal wiring portion in the Z-axis direction and the height Z (x, y) of the pixels in the Z-axis direction for the pixels (x, y) located in the rectangular region. Calculate Δ (x, y).

図11は、矩形領域内に位置する各画素の高低差Δ(x,y)をプロットした図である。図11において、高低差Δ(x,y)=0となる画素(x,y)は正常配線部に相当する。一方、高低差Δ(x,y)>0となる画素(x,y)は断線部に相当する。 FIG. 11 is a diagram in which the height difference Δ (x, y) of each pixel located in the rectangular region is plotted. In FIG. 11, the pixel (x, y) at which the height difference Δ (x, y) = 0 corresponds to the normal wiring portion. On the other hand, the pixel (x, y) at which the height difference Δ (x, y)> 0 corresponds to the disconnection portion.

処理装置42は、得られた高低差Δ(x,y)に基づいて、Z軸方向におけるインクの塗布回数Nzを算出する。具体的には、高低差Δ(x,y)の最大値をΔmaxとし、1回の塗布動作によって塗布されるインクのZ軸方向の塗布高さをtとし、高さ補正量をΔtとすると、Z軸方向の塗布回数Nzは次式(6)で表される。 The processing apparatus 42 calculates the number of times of ink application Nz in the Z-axis direction based on the obtained height difference Δ (x, y). Specifically, assuming that the maximum value of the height difference Δ (x, y) is Δmax, the coating height of the ink applied by one coating operation in the Z-axis direction is t, and the height correction amount is Δt. The number of coatings Nz in the Z-axis direction is represented by the following equation (6).

ここで、ceiling()は、「指定された数以上のうち、最小の整数を返す」関数である。なお、高さ補正量Δtとは、乾燥工程(図4のステップS70)で塗布されたインクが乾燥によって収縮する可能性を見込んで、インクの収縮による塗布高さの減少分を、予め最大値Δmaxに上乗せしておくものである。高さ補正量Δtは、塗布直後のインク塗布部のZ軸方向の高さと、乾燥後のインク塗布部のZ軸方向の高さとの差を予め実験等で求めることにより、設定することができる。 Here, ceiling () is a function that "returns the smallest integer out of a specified number or more". The height correction amount Δt is the maximum value in advance of the decrease in the coating height due to the shrinkage of the ink in anticipation of the possibility that the ink applied in the drying step (step S70 in FIG. 4) shrinks due to drying. It is added to Δmax. The height correction amount Δt can be set by obtaining in advance the difference between the height of the ink-coated portion immediately after coating in the Z-axis direction and the height of the ink-coated portion after drying in the Z-axis direction by an experiment or the like. ..

処理装置42はさらに、X軸方向における塗布回数NxおよびY軸方向における塗布回数Nyを算出する。具体的には、インクの塗布ピッチ、すなわちインク塗布の間隔をpとした場合、X軸方向における塗布回数Nxは、断線部の左上端座標(x1,y1)および右下端座標(x2,y2)を用いて、次式(7)により算出される。 The processing device 42 further calculates the number of coatings Nx in the X-axis direction and the number of coatings Ny in the Y-axis direction. Specifically, when the ink coating pitch, that is, the ink coating interval is p, the number of coatings Nx in the X-axis direction is the upper left end coordinates (x1, y1) and the right lower end coordinates (x2, y2) of the disconnection portion. Is calculated by the following equation (7).

同様にして、Y軸方向における塗布回数Nyは、断線部の左上端座標(x1,y1)および右下端座標(x2,y2)を用いて、次式(8)により算出される。 Similarly, the number of coatings Ny in the Y-axis direction is calculated by the following equation (8) using the upper left end coordinates (x1, y1) and the right lower end coordinates (x2, y2) of the disconnection portion.

次に、処理装置42は、算出された塗布回数Nx,Ny,Nzに基づいて、インク塗布動作におけるインクの塗布位置を求める。インクの塗布位置は、インク塗布範囲の中心座標(rx,ry,rz)として三次元的に表される。最初に、X軸方向における塗布ピッチpx、Y軸方向における塗布ピッチpy、およびZ軸方向における塗布ピッチpzが、次式(9)を用いて算出される。図12は、塗布ピッチpx,py,pzを示す図である。 Next, the processing device 42 obtains the ink application position in the ink application operation based on the calculated number of application times Nx, Ny, Nz. The ink application position is three-dimensionally represented as the center coordinates (rx, ry, raz) of the ink application range. First, the coating pitch px in the X-axis direction, the coating pitch py in the Y-axis direction, and the coating pitch pz in the Z-axis direction are calculated using the following equation (9). FIG. 12 is a diagram showing coating pitch px, py, pz.

ただし、Nx=1のときpx=0とし、Ny=1のときpy=0とし、Nz=1のときpz=0とする。次に、塗布ピッチpx,py,pzを用いて、インクの塗布位置(rx,ry,rz)が、次式(10)を用いて算出される。 However, when Nx = 1, px = 0, when Ny = 1, py = 0, and when Nz = 1, pz = 0. Next, the ink coating positions (rx, ry, raz) are calculated using the following equation (10) using the coating pitch px, py, psi.

式(10)中のnx,ny,nzはそれぞれ、X軸方向、Y軸方向およびZ軸方向における塗布回数を特定するためのインデックス番号である。すなわち、nxは0以上Nx−1以下の整数であり、nyは0以上Ny−1以下の整数であり、nzは0以上Nz−1以下の整数である。 Nx, ny, and nz in the formula (10) are index numbers for specifying the number of coatings in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction, respectively. That is, nx is an integer of 0 or more and Nx-1 or less, ny is an integer of 0 or more and Ny-1 or less, and nz is an integer of 0 or more and Nz-1 or less.

また、式(10)中のBzは、正常配線部の主表面に焦点を合わせたときのZステージ8の位置を示している。なお、Bzは上記の基板形状測定工程(図4のステップS20)において、予め取得しておくことができる。 Further, Bz in the equation (10) indicates the position of the Z stage 8 when the main surface of the normal wiring portion is focused. Bz can be acquired in advance in the above-mentioned substrate shape measurement step (step S20 in FIG. 4).

[インク塗布工程]
インク塗布工程(図4のステップS60)では、制御用コンピュータ11は、Xステージ9およびYステージ10を制御することにより、所望の塗布ユニット17の塗布針18を、インク塗布位置(rx,ry,rz)に移動させる。このとき、図3(a)に示されるように、塗布針18の先端部は、インクタンク19内のインクに浸漬されている。
[Ink application process]
In the ink coating step (step S60 of FIG. 4), the control computer 11 controls the X stage 9 and the Y stage 10 to move the coating needle 18 of the desired coating unit 17 to the ink coating position (rx, ry, Move to rz). At this time, as shown in FIG. 3A, the tip of the coating needle 18 is immersed in the ink in the ink tank 19.

次に、図3(b)に示すように、塗布針18を下降させてインクタンク19の底の孔から塗布針18の先端部を突出させる。さらに、図3(c)に示すように、Zステージ8によって可動板15を下降させて、塗布針18の先端部を断線部に接触させることにより、断線部におけるインク塗布位置(rx,ry,rz)にインクを塗布する。この後、図3(a)の状態に戻る。 Next, as shown in FIG. 3B, the coating needle 18 is lowered to project the tip of the coating needle 18 from the hole at the bottom of the ink tank 19. Further, as shown in FIG. 3C, the movable plate 15 is lowered by the Z stage 8 and the tip end portion of the coating needle 18 is brought into contact with the disconnection portion, whereby the ink application position (rx, ry, Ink is applied to rs). After that, the state returns to the state shown in FIG. 3 (a).

塗布位置算出工程(図4のステップS50)により算出された塗布位置は、合計でNx×Ny×Nz個存在する。各塗布位置に対してインク塗布動作を行なう際、制御用コンピュータ11は、塗布位置(rx+px/2,ry+py/2,rz+pz/2)を中心とする直方体状の塗布範囲と、配線パターンの断線部との重なり判定を行なう。ここで、直方体状の塗布範囲は、塗布位置(rx,ry,rz)を中心とし、塗布ピッチpx,py,pzにより規定される。すなわち、塗布範囲は、X軸方向の上下限値をrx+px/2±pxとし、Y軸方向の上下限値をry+py/2±pyとし、Z軸方向の上下限値をrz+pz/2±pzとする。 There are a total of Nx × Ny × Nz of coating positions calculated by the coating position calculation step (step S50 in FIG. 4). When performing the ink coating operation for each coating position, the control computer 11 has a rectangular parallelepiped coating range centered on the coating position (rx + px / 2, ry + py / 2, rz + pz / 2) and a broken portion of the wiring pattern. Judgment of overlap with. Here, the rectangular parallelepiped coating range is centered on the coating position (rx, ry, raz) and is defined by the coating pitch px, py, pz. That is, in the coating range, the upper and lower limit values in the X-axis direction are rx + px / 2 ± px, the upper and lower limit values in the Y-axis direction are ry + py / 2 ± py, and the upper and lower limit values in the Z-axis direction are rz + pz / 2 ± pz. To do.

重なり判定において、制御用コンピュータ11は、まず、上記塗布範囲を占める断線部の体積を算出する。そして、算出した断線部の体積が所定の閾値以上となる場合に、制御用コンピュータ11は、その塗付範囲に対してインクを塗布する。一方、塗布範囲を占める断線部の体積が閾値を下回る場合には、制御用コンピュータ11は、その塗布範囲にはインクの塗布を行なわない。 In the overlap determination, the control computer 11 first calculates the volume of the disconnected portion that occupies the coating range. Then, when the calculated volume of the disconnected portion becomes equal to or larger than a predetermined threshold value, the control computer 11 applies ink to the coating range. On the other hand, when the volume of the disconnected portion occupying the coating range is less than the threshold value, the control computer 11 does not apply ink to the coating range.

具体的には、制御用コンピュータ11は、XY座標系での塗布位置(rx+px/2,ry+py/2)を中心としてX軸方向に±px、およびY軸方向に±pyの範囲内に位置する画素(x,y)について、断線部の体積d(x,y)を算出する。画素(x,y)における欠陥箇所の体積d(x,y)は、正常配線部の高さHpと画素(x,y)の高さとの高低差Δ(x,y)、Z軸方向における塗布ピッチpz、およびZ軸方向の塗布回数Nzを用いて、次式(11)により算出することができる。 Specifically, the control computer 11 is located within the range of ± px in the X-axis direction and ± py in the Y-axis direction around the coating position (rx + px / 2, ry + py / 2) in the XY coordinate system. For the pixel (x, y), the volume d (x, y) of the disconnection portion is calculated. The volume d (x, y) of the defective portion in the pixel (x, y) is the height difference Δ (x, y) between the height Hp of the normal wiring portion and the height of the pixel (x, y) in the Z-axis direction. It can be calculated by the following equation (11) using the coating pitch pz and the number of coating times Nz in the Z-axis direction.

制御用コンピュータ11は、塗布位置(rx+px/2,ry+py/2)を中心としてX軸方向に±px、およびY軸方向に±pyの範囲内に位置する複数の画素の中から、欠陥箇所の体積d(x,y)>0となる画素(x,y)を抽出し、その抽出した画素(x,y)の欠陥箇所の体積d(x,y)の合計値dsを算出する。算出された合計値dsは、塗布位置(rx+px/2,ry+py/2,rz+pz/2)を中心とする直方体状の塗布範囲を占める断線部の体積に相当する。制御用コンピュータ11は、合計値dsと所定の閾値dTとを比較し、合計値dsが閾値dT以上となる場合に、塗布位置(rx+px/2,ry+py/2,rz+pz/2)を中心とする塗布範囲に対してインクを塗布する。一方、合計値dsが閾値dTより小さくなる場合には、当該塗布範囲に対してインクの塗布を行なわない。 The control computer 11 has a defect portion among a plurality of pixels located within a range of ± px in the X-axis direction and ± py in the Y-axis direction centered on the coating position (rx + px / 2, ry + py / 2). Pixels (x, y) having a volume d (x, y)> 0 are extracted, and the total value ds of the volume d (x, y) of the defective portion of the extracted pixels (x, y) is calculated. The calculated total value ds corresponds to the volume of the broken portion that occupies the rectangular parallelepiped coating range centered on the coating position (rx + px / 2, ry + py / 2, rz + pz / 2). The control computer 11 compares the total value ds with the predetermined threshold value dT, and when the total value ds is equal to or higher than the threshold value dT, the coating position (rx + px / 2, ry + py / 2, rs + pz / 2) is the center. Apply ink to the application area. On the other hand, when the total value ds is smaller than the threshold value dT, the ink is not applied to the application range.

制御用コンピュータ11は、合計Nx×Ny×Nz個の塗布位置の各々について、上述した塗布範囲と欠陥箇所との重なり判定を行なう。そして、制御用コンピュータ11は、その判定結果に基づいてインクを塗布する。これにより、断線部における欠陥箇所にインクが充填される。 The control computer 11 determines the overlap between the above-mentioned coating range and the defective portion for each of the total Nx × Ny × Nz coating positions. Then, the control computer 11 applies ink based on the determination result. As a result, the defective portion in the broken portion is filled with ink.

図4に示されるように、インク塗布工程(ステップS60)が実施された後には、基板形状測定工程(ステップS10)および断線部形状検出工程(ステップS20)が再び実施される。これにより、断線部においてインク塗布量が不足している箇所が新たに検出される。続けて塗布位置算出工程(ステップS50)およびインク塗布工程(ステップS60)が実施されることにより、インク塗布量が不足している箇所に対して、インクが充填されることになる。 As shown in FIG. 4, after the ink coating step (step S60) is carried out, the substrate shape measuring step (step S10) and the disconnection portion shape detecting step (step S20) are carried out again. As a result, a portion where the amount of ink applied is insufficient is newly detected in the disconnected portion. By subsequently carrying out the coating position calculation step (step S50) and the ink coating step (step S60), the ink is filled in the portion where the ink coating amount is insufficient.

制御用コンピュータ11は、上述した基板形状測定工程(ステップS10)、断線部形状検出工程(ステップS20)、塗布位置算出工程(ステップS50)およびインク塗布工程(ステップS60)を、断線部へのインクの充填が終了しており、配線パターンの修正が不要と判断されるまで(ステップS30のNO判定時)、繰り返し実施する。これにより、断線部を正常配線部と同等の高さにまで修正することができる。なお、上記一連の工程を所定回数繰り返し実施しても、配線パターンの修正が不要と判断されない場合(ステップS30のYES判定時)には、配線パターンの修正が不可能であると判断することも可能である。 The control computer 11 performs the above-described substrate shape measurement step (step S10), disconnection portion shape detection step (step S20), coating position calculation step (step S50), and ink coating step (step S60) with ink on the disconnection portion. Is repeated until it is determined that the correction of the wiring pattern is unnecessary (at the time of NO determination in step S30). As a result, the disconnection portion can be corrected to the same height as the normal wiring portion. If it is not determined that the wiring pattern needs to be corrected even after repeating the above series of steps a predetermined number of times (when the determination is YES in step S30), it may be determined that the wiring pattern cannot be corrected. It is possible.

[乾燥工程]
乾燥工程(図4のステップS70)では、制御用コンピュータ11は、Xステージ9およびYステージ10を制御することにより、インク硬化用光源6の直下に、基板7の表面上に形成されたインク塗布部を移動させる。インク硬化用光源6は、たとえばCOレーザを含み、レーザ光をインク塗布部に照射することによりインクを乾燥させて硬化させる。
[Drying process]
In the drying step (step S70 of FIG. 4), the control computer 11 controls the X stage 9 and the Y stage 10 to apply the ink formed on the surface of the substrate 7 directly under the ink curing light source 6. Move the part. The ink curing light source 6 includes, for example, a CO 2 laser, and irradiates the ink application portion with a laser beam to dry and cure the ink.

なお、インクの乾燥方法としては、上記の方法のほかに、インク塗布部に赤外光を照射する、インク塗布部に高温の風を吹き付けるなどの方法がある。使用する修正用インクの種類に応じて、適当な乾燥方法を選択することができる。 In addition to the above methods, there are other methods for drying the ink, such as irradiating the ink-coated portion with infrared light and blowing a high-temperature wind on the ink-coated portion. An appropriate drying method can be selected according to the type of correction ink used.

このように、本発明の実施の形態によるパターン修正装置によれば、基板と対物レンズとを上下方向に相対移動させながら画像を撮影し、撮影した画像を構成する複数の画素の各々について焦点位置を求めることにより、求めた焦点位置に基づいて、基板表面の三次元形状を検出することができる。これにより、検出された基板表面の三次元形状に基づいて、配線パターンに発生している断線部の三次元形状を検出することが可能となる。そして、断線部の三次元形状が検出可能となることにより、当該断線部を修正するための修正用インクの塗布位置を三次元的に決定することができる。これによれば、たとえば10μm以上の厚膜の配線パターンに対しても、その断線部に正確にインクを積層して塗布することが可能となる。 As described above, according to the pattern correction device according to the embodiment of the present invention, an image is taken while the substrate and the objective lens are relatively moved in the vertical direction, and the focal position of each of the plurality of pixels constituting the taken image is obtained. By obtaining the above, the three-dimensional shape of the substrate surface can be detected based on the obtained focal position. As a result, it is possible to detect the three-dimensional shape of the broken portion generated in the wiring pattern based on the detected three-dimensional shape of the substrate surface. Then, since the three-dimensional shape of the broken portion can be detected, the application position of the correction ink for correcting the broken portion can be determined three-dimensionally. According to this, even for a wiring pattern of a thick film having a thickness of 10 μm or more, it is possible to accurately laminate and apply ink on the broken portion.

さらに、上記のように、三次元的に決定された塗布位置に従ってインクの塗布動作を実行可能となることにより、厚膜の配線パターンに対しても加工作業を自動化することができる。この結果、作業効率を向上させるとともに、加工作業の省人化を実現することができる。 Further, as described above, since the ink coating operation can be executed according to the coating position determined three-dimensionally, the processing operation can be automated even for the wiring pattern of the thick film. As a result, it is possible to improve work efficiency and save labor in processing work.

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示されおよび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiments disclosed this time should be considered as exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the invention is indicated by the claims and is intended to include all modifications within the scope, rather than the description of the embodiments described above.

1 欠陥修正装置、2 観察光学系、2a 観察鏡筒、3 CCDカメラ、4 カット用レーザ装置、5 インク塗布機構、6 インク硬化用光源、7 液晶カラーフィルタ基板、8 Zステージ、9 Xステージ、10 Yステージ、11 制御用コンピュータ、12 モニタ、13 操作パネル、15 可動板、16 対物レンズ、17 塗布ユニット、18 塗布針、19 インクタンク、30 ミラウ型干渉対物レンズ、31 レンズ、32 参照鏡、33 ビームスプリッタ、34 落射光源、35 フィルタ切換装置、36 フィルタ、37 ハーフミラー、38 結像レンズ、40 取込装置、42 処理装置、44 記憶部、46 中央処理部。 1 Defect correction device, 2 Observation optical system, 2a Observation lens barrel, 3 CCD camera, 4 Cutting laser device, 5 Ink coating mechanism, 6 Ink curing light source, 7 Liquid crystal color filter substrate, 8 Z stage, 9 X stage, 10 Y stage, 11 control computer, 12 monitor, 13 operation panel, 15 movable plate, 16 objective lens, 17 application unit, 18 application needle, 19 ink tank, 30 Mirau type interference objective lens, 31 lens, 32 reference mirror, 33 beam splitter, 34 epi-illumination light source, 35 filter switching device, 36 filter, 37 half mirror, 38 imaging lens, 40 capture device, 42 processing device, 44 storage unit, 46 central processing unit.

Claims (3)

基板上に液状材料を塗布する塗布装置における塗布方法であって、
前記塗布装置は、塗布針を有する塗布機構と、前記塗布機構を前記基板に対して垂直方向および水平方向に相対移動させるためのステージとを有しており、
前記ステージを駆動することにより前記塗布機構を前記基板に対して垂直方向に相対移動させるステップと、
前記塗布針の先端に付着した前記液状材料を塗布位置に接触させることにより、前記液状材料を塗布するステップとを備え、
前記塗布機構を前記基板に対して垂直方向に相対移動させるステップと、前記液状材料を塗布するステップとを繰り返し実行することにより、前記基板上に前記液状材料を積層して塗布する、塗布方法。
It is a coating method in a coating device that coats a liquid material on a substrate.
The coating device has a coating mechanism having a coating needle and a stage for moving the coating mechanism relative to the substrate in the vertical direction and the horizontal direction.
A step of moving the coating mechanism relative to the substrate by driving the stage, and
A step of applying the liquid material by bringing the liquid material attached to the tip of the coating needle into contact with the coating position is provided.
A coating method in which the liquid material is laminated and coated on the substrate by repeatedly executing a step of moving the coating mechanism relative to the substrate in a direction perpendicular to the substrate and a step of coating the liquid material.
記塗布装置は、白色光を出力する照明装置と、前記照明装置から出射された白色光を二光束に分離して、一方を前記基板上の前記液状材料の表面に照射するとともに他方を参照面に照射し、これら両面からの反射光を干渉させ干渉光を得るための対物レンズと、前記干渉光を撮影する撮像装置とをさらに有しており、前記ステージは、前記対物レンズおよび前記塗布機構を前記基板に対して垂直方向および水平方向に相対移動させるように構成され、
前記対物レンズを前記基板に対して垂直方向に移動させながら前記撮像装置で画像を撮影し、撮影した画像に基づいて前記基板上の前記液状材料の表面の三次元形状を測定するステップと、
測定された前記基板上の前記液状材料の表面の三次元形状に基づいて、前記液状材料を前記基板上の前記液状材料に塗布するための三次元上の前記塗布位置を算出するステップとをさらに備え
前記塗布機構を前記基板に対して垂直方向に相対移動させるステップは、算出された前記三次元上の前記塗布位置に前記塗布機構を移動させるステップを含み、
前記液状材料を塗布するステップは、算出された前記三次元上の前記塗布位置に前記塗布針の先端を接触させることにより前記液状材料を塗布するステップを含み、
前記基板上の前記液状材料の表面の三次元形状を測定するステップと、前記三次元上の前記塗布位置を算出するステップと、前記三次元上の前記塗布位置に前記塗布機構を移動させるステップと、前記液状材料を塗布するステップとをこの順で繰り返し実行することにより、前記基板上に前記液状材料を積層して塗布する、請求項1に記載の塗布方法。
Prior Symbol coating apparatus, referring a lighting device that outputs white light, separates the white light emitted from the lighting device in two beams, the other with one irradiated to the surface of the liquid material on the substrate It further has an objective lens for irradiating a surface and interfering with reflected light from both sides to obtain interference light, and an imaging device for photographing the interference light, and the stage includes the objective lens and the coating. The mechanism is configured to move relative to the substrate in the vertical and horizontal directions.
An image is taken by the image pickup device while moving the objective lens in the direction perpendicular to the substrate, and the three-dimensional shape of the surface of the liquid material on the substrate is measured based on the taken image.
Based on the three-dimensional shape of the measured the surface of the liquid material on the substrate, further comprising the steps of calculating the applied position on the three-dimensional for applying the liquid material to the liquid material on the substrate Prepare ,
The step of moving the coating mechanism relative to the substrate in the direction perpendicular to the substrate includes a step of moving the coating mechanism to the calculated coating position on the three dimensions.
The step of applying the liquid material includes a step of applying the liquid material by bringing the tip of the coating needle into contact with the calculated coating position on the three dimensions.
Measuring a three-dimensional shape of the surface of the liquid material on the substrate, and calculating the application position on the three-dimensional, and moving the coating mechanism in the coating position on the three-dimensional by repeatedly performing the step of applying the liquid material in this order, it applied by laminating the liquid material on the substrate, coating method of claim 1.
基板上に液状材料を塗布する塗布装置であって、
布針を有する塗布機構と、
記塗布機構を前記基板に対して垂直方向および水平方向に相対移動させるためのステージと、
記ステージおよび前記塗布機構を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記ステージを駆動することにより前記塗布機構を前記基板に対して垂直方向に相対移動させ、
前記塗布針の先端に付着した前記液状材料を塗布位置に接触させることにより、前記液状材料を塗布するように構成され、
前記制御装置は、前記塗布機構を前記基板に対して垂直方向に相対移動させるステップと、前記液状材料を塗布するステップとを繰り返し実行することにより、前記基板上に前記液状材料を積層して塗布する、塗布装置。
A coating device that coats a liquid material on a substrate.
A coating mechanism having a coating fabric needle,
A stage for relatively moving in the vertical and horizontal direction with respect to the substrate before Symbol coating mechanism,
And a control device for controlling the pre-Symbol stage and the coating mechanism,
By driving the stage , the control device moves the coating mechanism relative to the substrate in the direction perpendicular to the substrate.
The liquid material is applied by bringing the liquid material attached to the tip of the coating needle into contact with the coating position.
The control device repeatedly executes the step of moving the coating mechanism relative to the substrate in the direction perpendicular to the substrate and the step of coating the liquid material, thereby laminating and coating the liquid material on the substrate. Applying equipment.
JP2018214741A 2018-11-15 2018-11-15 Coating method and coating equipment Active JP6799046B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018214741A JP6799046B2 (en) 2018-11-15 2018-11-15 Coating method and coating equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018214741A JP6799046B2 (en) 2018-11-15 2018-11-15 Coating method and coating equipment

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015021201A Division JP6557014B2 (en) 2015-02-05 2015-02-05 Pattern correction apparatus and pattern correction method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019033294A JP2019033294A (en) 2019-02-28
JP6799046B2 true JP6799046B2 (en) 2020-12-09

Family

ID=65524452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018214741A Active JP6799046B2 (en) 2018-11-15 2018-11-15 Coating method and coating equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6799046B2 (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4987323B2 (en) * 2006-03-03 2012-07-25 Ntn株式会社 Color filter defect correcting apparatus and color filter defect correcting method
JP2012124380A (en) * 2010-12-09 2012-06-28 Ntn Corp Application apparatus, application method, and pattern correction apparatus
JP5877703B2 (en) * 2011-12-22 2016-03-08 Ntn株式会社 Drawing apparatus and pattern correction apparatus
JP6189102B2 (en) * 2013-06-25 2017-08-30 Ntn株式会社 Coating apparatus and height detection method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019033294A (en) 2019-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6389081B2 (en) Shape measuring device, coating device, and shape measuring method
JP6522344B2 (en) Height detection device, coating device and height detection method
KR102719211B1 (en) Method and apparatus for judging defect quality
JP6749814B2 (en) Height detection device and coating device equipped with the same
JP3861666B2 (en) Shape measuring method and apparatus
JP6557014B2 (en) Pattern correction apparatus and pattern correction method
JP6799046B2 (en) Coating method and coating equipment
JP6333351B1 (en) Measuring device, coating device, and film thickness measuring method
US11326871B2 (en) Height detection apparatus and coating apparatus equipped with the same
US20130004269A1 (en) System and Method for Picking and Placement of Chip Dies
US11181362B2 (en) Method of measuring volume of micro projection and method of applying liquid material
JP2017062160A (en) Defect inspection device and defect inspection method
JP6665028B2 (en) Shape measuring device and coating device equipped with the same
CN111916366A (en) Wafer detection equipment
JPH11211423A (en) Substrate measurement method
KR101937212B1 (en) A Laser Marking Apparatus Having a Structure of Detecting a Focus Length and a Method for Adjusting the Focus Length Automatically and Detecting a Marking Defect
KR102726365B1 (en) A Mini LED 3D measurement system using multiple wavelength illumination light
WO2016204062A1 (en) Shape measurement device and coating device equipped with same
JP2002081924A (en) Three-dimensional measuring device
JP5979982B2 (en) Imaging method, program, and imaging apparatus
CN117146736A (en) A method for measuring the double-surface surface shape of optical components
KR20170122444A (en) A Laser Marking Apparatus Having a Structure of Detecting a Focus Length and a Method for Adjusting the Focus Length Automatically and Detecting a Marking Defect

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190730

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200331

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200529

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201027

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6799046

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250