JP6795375B2 - 電波吸収体、半導体装置および複合シート - Google Patents

Description

本発明は、カーボンコイルを含有する電波吸収体、これを備えた半導体装置及び複合シートに関する。

電子機器の小型化、高機能化に伴い、配線基板上の半導体チップ間における電磁的なクロストークの影響が大きくなる。このような問題を解消するため、例えば特許文献１には、５０ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの範囲の周波数領域の少なくとも一部における電磁波の減衰量が３ｄＢ以上である電磁波シールド層を有する半導体装置用接着フィルムが提案されている。

一方、近年では、携帯電話等の通信機器、無線ＬＡＮ等の電子機器、衝突防止を含む道路情報システム等が広く普及している。中でも通信分野では、次世代マルチメディア移動通信における２ＧＨｚ、無線ＬＡＮにおける２〜３０ＧＨｚ、ＥＴＣ（自動料金収受システム）における５．８ＧＨｚ、車間距離を測定して運転者に伝えるＡＤＡＳ（先進運転支援システム）における７６ＧＨｚ等の電磁波が利用されている。そして、これらの電子機器には、電磁波をできるだけ漏出しない、あるいは、外部から電磁波を受けても誤動作しないことが求められている。

このような高周波帯域の電磁波を遮蔽する技術して、例えば特許文献２には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属および元素周期律表第VIII族に含まれる金属から選ばれた少なくとも１種を担持したカーボンナノチューブを含む電磁波吸収材が開示されている。これにより、準ミリ波領域からミリ波領域まで使用できる、優れた電磁波吸収特性が得られるとしている。

また、特許文献３には、所定の金属元素を含むカーボンナノチューブと、シリコーンゴムとを含有する電磁波吸収材が開示されており、これにより近傍界及び遠方界において高周波の電磁波に対してより高い電波吸収性が得られるとしている。

さらに、特許文献４には、平均コイル長が１μｍ以上１０μｍ未満、平均コイル径が１ｎｍ以上１μｍ未満、平均コイルピッチが１ｎｍ以上１μｍ未満であるカーボンナノコイルが、樹脂１００重量部に対し、１〜１０重量部の割合で含有されている電磁波吸収シートが開示されており、これにより数ＧＨｚ〜数十ＧＨｚの電磁波の吸収に対応可能な電磁波吸収体が得られるとしている。

特開２０１２−１２４４６６号公報 特開２００３−１２４０１１号公報 特開２０１６−８６１３３号公報 特開２００９−６００６０号公報

近年における無線周波数の高周波数化に伴い、電磁ノイズの高周波数化が進み、半導体その他の電子機器の分野には更なる高周波数帯域での電波吸収機能の向上が求められている。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高周波数帯域での電波吸収機能を向上させることができる電波吸収体、並びにこれを備えた半導体装置及び複合シートを提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る電波吸収体は、電波吸収層を具備する。上記電波吸収層は、平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂を含むマトリクス材との複合材料で構成される。

上記電波吸収体は、電波吸収層内のカーボンコイルのＬＣ共振に基づき電磁波を吸収する。カーボンコイルとして各部の寸法が上記の値を有するものを用いることにより、樹脂を含むマトリクス材との複合材料とした際に、８０ＧＨｚ付近の電波を効率よく吸収することができる。また、カーボンコイルのインダクタンス（Ｌ）と、マトリクス材の静電容量（Ｃ）あるいは誘電率（ε）とを調整することで、例えば、５０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚ帯域の高周波ノイズを効率よく吸収することができる。

上記カーボンコイルの含有量は、１ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下とすることができる。
これにより、電磁波の反射機能を抑えつつ、電磁波の十分な吸収機能を得ることができる。

上記マトリクス材は、金属化合物粒子又は軟磁性金属粒子の少なくとも１つからなる無機フィラーをさらに含んでもよい。
無機フィラーの添加によりマトリクス材の誘電率の調整が可能となることにより、電磁波の吸収帯域の最適化を図ることができる。無機フィラーに軟磁性金属粒子を用いることで、電波吸収特性の更なる向上を図ることができる。
上記無機フィラーの含有量は特に限定されず、例えば、６０ｗｔ％以下である。

上記樹脂は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂を含む。

上記電波吸収体は、上記電波吸収層を支持する支持体をさらに具備してもよい。
上記支持体には、例えば、電子機器の筐体、パッケージ部品のカバーが挙げられ、更には建具の壁、車体の一部等も含まれる。

本発明の一形態に係る半導体装置は、半導体基板と、保護層とを具備する。
上記半導体基板は、回路面を構成する第１の面と、上記第１の面とは反対側の第２の面とを有する。
上記保護層は、平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂を含むマトリクス材との複合材料で構成され、上記第２の面に接着される接着面を有する。
これにより、半導体基板から外部へ放出される電磁ノイズや外部から当該半導体基板へ侵入する電磁ノイズを抑制することが可能となる。

上記樹脂は、接着性樹脂の硬化物で構成されてもよい。これにより、半導体基板の裏面保護に必要な強度と電磁ノイズ抑制効果とを有する単一層からなる保護層を容易に構成することができる。

本発明の他の形態に係る半導体装置は、配線基板と、半導体装置と、保護層とを具備する。
上記半導体素子は、回路面を構成する第１の面と、上記第１の面とは反対側の第２の面とを有し、上記配線基板に搭載される。
上記保護層は、平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂を含むマトリクス材との複合材料で構成され、上記第２の面に接着される接着面を有する。

配線基板に対する半導体素子のマウント方法は特に限定されず、フリップチップ接続でもよいし、ワイヤボンド接続でもよい。フリップチップ接続の場合、保護層は、半導体素子の上面（配線基板とは反対側の面）に配置される。一方、ワイヤボンド接続の場合、保護層は、接着層として、半導体素子と配線基板の間に配置される。

上記半導体装置は、上記配線基板に電気的に接続される半導体パッケージ部品をさらに具備してもよい。この場合、上記半導体素子は、上記配線基板と上記半導体パッケージ部品との間に配置される。
また、保護層が単一層で構成されているため、半導体装置がスタック構造を有する場合においても、半導体素子と半導体パッケージ部品との間の電磁的なクロストークを抑制しつつ、半導体装置の薄型化を図ることが可能となる。

本発明のさらに他の形態に係る半導体装置は、第１の半導体素子と、第２の半導体素子と、接着層とを具備する。
上記第２の半導体素子は、上記第１の半導体素子の上に配置され、上記第１の半導体素子と電気的に接続される。
上記接着層は、平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂を含むマトリクス材との複合材料で構成され、上記第１の半導体素子と上記第２の半導体素子との間に配置される。

本発明の一形態に係る複合シートは、半導体基板の回路面を構成する第１の面とは反対側の第２の面に接合される複合シートであって、電波吸収層と、支持シートとを具備する。
上記電波吸収層は、平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂を含むマトリクス材との複合材料で構成され、上記第２の面に接着される接着面を有する。
上記支持シートは、上記電波吸収層の上記接着面とは反対側の表面に剥離可能に貼着される。

上記支持シートは、半導体基板のダイシング工程において半導体基板を保護・固定し、チップサイズに個片化した半導体チップをピックアップするためのダイシングシートで構成されてもよい。

以上述べたように、本発明によれば、高周波数帯域での電波吸収機能を向上させることができる。

本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す概略側断面図である。 上記半導体装置における保護層を含む複合シートを示す概略側断面図である。 上記保護層の内部構造を模式的に示す断面図である。 上記保護層に含有されるカーボンコイルを示す概略図である。 上記半導体装置の製造方法を説明する概略工程断面図である。 上記複合シートのプリカット形状を示す概略平面図である。 上記複合シートの貼り付け工程の一例を説明する模式図である。 上記複合シートの貼り付け工程の他の一例を説明する模式図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を示す概略側断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構成を示す概略側断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構成を示す概略側断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構成を示す概略側断面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

＜第１の実施形態＞
図１は本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す概略側断面図である。
図において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、相互に直交する３軸方向を示しており、Ｚ軸方向は、半導体装置の高さ方向（厚さ方向）に相当する。

図１に示すように、本実施形態の半導体装置１００は、半導体素子１０と、保護層２０とを備える。

［半導体装置］
半導体装置１００は、ウエハレベルで作製されたチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）で構成される。半導体素子１０は、半導体基板１１と、この半導体基板１１の回路面を構成する表面（第１の面）に形成された配線層１２と、配線層１２に接続された複数のバンプ１３とを有する。

半導体基板１１は、単結晶シリコンや炭化ケイ素、窒化ガリウム、ガリウムヒ素等の半導体ウエハ、又は、これを所定のサイズに個片化（ダイシング）した半導体チップで構成される。半導体基板１１の厚みは特に限定されず、例えば２５〜４００μｍである。

配線層１２は、半導体基板１１の回路面に形成された複数の電極を複数のバンプ１３へ接続するためのもので、上記複数の電極の位置やピッチが所定の位置やピッチとなるように再配列させる配線パターンを有する。バンプ１３は、はんだバンプや金バンプ等の突起電極で構成される。

なお、半導体素子１０は、半導体基板１１のみ（ベアチップ）で構成されてもよいし、配線層１２が省略（バンプ１３が半導体基板１１の各電極に直接配置）されてもよい。

［保護層］
保護層２０は、半導体基板１１の裏面（第２の面）に設けられる半導体用保護フィルムを構成する。保護層２０は、半導体基板１１の裏面に設けられることで、半導体基板１１の剛性（抗折強度）の向上、半導体基板１１の裏面の保護、半導体基板１１の品種の表示、半導体基板１１の反りの抑制、半導体基板１１から放射され又は半導体基板１１へ侵入する電磁ノイズの吸収等、種々の機能を発揮するように構成される。

図２は、保護層２０を示す概略側断面図である。

保護層２０は、剥離シートＳ１および支持シートＳ２とともに複合シート１４０を構成する。保護層２０は、半導体基板１１（半導体素子１０）の裏面に接着される接着面２０１を有し、未使用時は剥離シートＳ１によって剥離可能に被覆される。接着面２０１とは反対側の保護層２０の表面２０２は支持シートＳ２に支持される。支持シートＳ２は、保護層２０が半導体基板１１へ接着された後、除去される。

保護層２０は、カーボンコイルを含有する複合材料の単一層で構成される。保護層２０は、半導体素子１０から放射される電磁ノイズ又は半導体基板１１へ進入する電磁ノイズを吸収する電波吸収層、および当該電波吸収層を具備する電波吸収体を構成する。保護層２０の厚みは特に限定されず、例えば、２０μｍ以上４００μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以上３００μｍ以下の範囲内とされる。

図３は、保護層２０の内部構造を模式的に示す断面図である。

保護層２０は、カーボンコイル２１１と、少なくとも樹脂２１０を含むマトリクス材２０Ｍとの複合材料で構成される。本実施形態において保護層２０は、カーボンコイル２１１のインダクタンス（Ｌ）とマトリクス材２０Ｍの静電容量（Ｃ）とにより定まるカーボンコイル２１１のＬＣ共振周波数帯域の電波（電磁ノイズ）を吸収することが可能に構成される。

（カーボンコイル）
カーボンコイル２１１は、カーボンナノコイル（ＣＮＣ）あるいはカーボンマイクロコイル（ＣＭＣ）などと称される導電性のコイル状炭素繊維で構成される。カーボンコイル２１１は、図４に模式的に示すように、コイル径Ｌ１、繊維径Ｌ２、コイル長Ｌ３、コイルピッチＬ４等を有する。コイル径Ｌ１は、コイル部の外径をいい、繊維径Ｌ２は、コイル部を構成する繊維の外径をいう。コイル長Ｌ３は、コイル部あるいはカーボンコイル２１１全体の軸方向の長さをいい、コイルピッチＬ４は、コイル間の距離をいう。

個々のカーボンコイル２１１のコイル径、繊維径、コイル長、コイルピッチは、いずれも一定でなくてもよい。同様に、マトリクス材２０Ｍに含まれる全てのカーボンコイル２１１のコイル径、繊維径、コイル長、コイルピッチ等は常に同一である場合に限られず、ばらつきがあってもよいことは勿論である。本実施形態において平均コイル径は、１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは、１μｍ以上３μｍ以下、平均繊維径は０．１μｍ以上１μｍ以下、好ましくは、０．１μｍ以上０．３μｍ以下、コイル長は１０μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以６０μｍ以下である。

この種のカーボンコイルとしては、例えば、株式会社マイクロフェーズ製のマイクロコイル「MP-CMC」を用いることができる。
なお、カーボンコイル２１１の上記各部の寸法は、例えば、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察により測定可能である。また、上記各部の平均は、該当箇所２０ヶ所を任意に抽出し、測定した平均値にて求めることが可能である。

カーボンコイル２１１の各部の大きさを上記の範囲とすることにより、比較的高いインダクタンス値を容易に得ることができる。これにより、例えば６０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚといった比較的高い周波数帯域での発振が可能となり、当該帯域における電磁ノイズを効率よく吸収することが可能となる。また後述するように、マトリクス材２０Ｍの静電容量（Ｃ）を調整することで、カーボンコイル２１１の共振周波数ピークを低周波数側へシフトさせることができるため、対象とする電磁ノイズの周波数帯域に合わせて保護層２０の電磁吸収特性の最適化を図ることができる。

保護層２０に対するカーボンコイル２１１の含有量は特に限定されないが、１ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下であることが好ましい。カーボンコイル２１１の含有量が１ｗｔ％未満の場合、カーボンコイル２１１由来の意図する電波吸収機能が得られにくい。一方、カーボンコイル２１１の含有量が２５ｗｔ％を超えると、保護層２０の導電性が高まり、電波の吸収機能よりもむしろ反射機能が大きくなる傾向にある。以上のように、カーボンコイル２１１の含有量を１ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下とすることにより、電磁波の反射機能を抑えつつ、電磁波の十分な吸収機能を得ることが可能となるため、電波吸収特性を向上させることができる。

（樹脂成分）
一方、樹脂２１０は、接着性樹脂で構成される。保護層２０は接着性樹脂の硬化物である。樹脂２１０としては、熱硬化性成分及びエネルギー線硬化性成分の少なくとも１種とバインダーポリマー成分とを含む。

熱硬化性成分としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂等、及びこれらの混合物が挙げられる。特に本実施形態では、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ならびにこれらの混合物が好ましく用いられる。

これらの中でも、本実施形態では、エポキシ樹脂として、ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびフェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましく用いられる。フェノール樹脂として、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂が好ましく用いられる。これらエポキシ樹脂は、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。

エネルギー線硬化性成分は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物からなる。この化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。このようなエネルギー線重合型化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、さらにポリエステル型またはポリエーテル型のウレタンアクリレートオリゴマーやポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシ変性アクリレート等を用いることができる。

これらの中でも本実施形態では、紫外線硬化型樹脂が好ましく用いられ、具体的には、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートオリゴマー等が特に好ましく用いられる。エネルギー線硬化性成分に光重合開始剤を混入することにより、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。

バインダーポリマー成分は、保護層２０に適度なタックを与え、造膜性やシートの操作性を向上するために用いられる。バインダーポリマーの重量平均分子量は、通常は５万〜２００万、好ましくは１０万〜１５０万、特に好ましくは２０万〜１００万の範囲にある。分子量が低過ぎるとシート形成が不十分となり、高過ぎるとシートの柔軟性に劣ったり、他の成分との相溶性が悪くなったりして、結果として均一なシート形成が妨げられる。

このようなバインダーポリマーとしては、たとえばアクリル系ポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノキシ樹脂、ゴム系ポリマー等が用いられ、特にアクリル系ポリマーが好ましく用いられる。

アクリルポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは、−６０〜５０℃、さらに好ましくは、−５０〜４０℃の範囲にある。アクリルポリマーのガラス転移温度が低すぎると保護層２０と支持シートＳ２との剥離力が大きくなって保護層２０の半導体基板１１への転写不良が起こったり、シート形状での保管安定性に劣ったりすることがある。一方、アクリルポリマーのガラス転移温度が高すぎると、保護層２０の接着性が低下し、半導体基板１１に転写できなくなったり、あるいは転写後に半導体基板１１から保護層２０が剥離したりすることがある。

アクリル系ポリマーとしては、たとえば、（メタ）アクリル酸エステルモノマーおよび（メタ）アクリル酸誘導体から導かれる構成単位とからなる（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、好ましくはアルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、たとえば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル等が用いられる。また、（メタ）アクリル酸誘導体としては、たとえば（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル等を挙げることができる。

メタクリル酸グリシジル等を共重合してアクリル系ポリマーにグリシジル基を導入することにより、熱硬化型接着成分としてのエポキシ樹脂との相溶性が向上し、また硬化後のＴｇが高くなり耐熱性も向上する。また、ヒドロキシエチルアクリレート等でアクリル系ポリマーに水酸基を導入することにより、チップへの密着性や粘着物性のコントロールが容易になる。

保護層２０は、本発明の効果を損なわない範囲内において、添加剤を含有していてもよい。添加剤は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤（染料、顔料）、ゲッタリング剤等が挙げられる。

（無機フィラー）
図３に示すように、保護層２０のマトリクス材２０Ｍは、軟磁性金属粒子２１２、金属化合物粒子２１３から選択される少なくとも１種の無機フィラーを含んでもよい。これらの無機フィラーは、材料によって比誘電率（ε）が異なるため、用いられるフィラーの種類や量によってマトリクス材２０Ｍの静電容量（Ｃ）、したがってカーボンコイル２１１の共振周波数を調整することができる。

無機フィラーとして軟磁性金属粒子２１２を樹脂２１０に混合することにより、マトリクス材２０Ｍの透磁率が高められ、これによりカーボンコイル２１１のインダクタンス値がさらに向上する。また、軟磁性金属粒子２１２単独での電波吸収特性が得られるため、カーボンコイル２１１由来の電波吸収特性と相まって、比較的広帯域の電波吸収機能が得られることになる。カーボンコイルのインダクタンス（Ｌ）と、マトリクス材の静電容量（Ｃ）を変化させ、誘電率（ε）を調整することで、カーボンコイル２１１の共振周波数を調整することができる。

軟磁性金属粒子２１２としては、軟磁気特性を有する磁性材料の粉末であれば特に限定されず、合金系、酸化物系、アモルファス系などの種々の磁性材料の粉末が採用可能である。

合金系磁性材料としては、典型的には、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）であるが、これ以外にも、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、珪素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）磁性ステンレス鋼などが挙げられる。酸化物磁性材料としては、典型的には、フェライト（Ｆｅ₂Ｏ₃）が挙げられる。アモルファス系磁性材料としては、典型的には、遷移金属−半金属系アモルファス材料、より具体的には、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系などが挙げられる。磁性材料の種類は、電波吸収を目的として、対象とする電磁波の周波数特性等に応じて適宜選択可能であり、中でも、センダスト等の高透磁率特性を有する磁性材料が比較的広い周波数帯域をカバーできる点で好ましい。

軟磁性金属粒子２１２の粉末形態も特に限定されず、球状、針状のほか、鱗片状やフレーク状を含む扁平状等のものが用いられ、中でも、扁平状のものが好ましい。特に、これら扁平状の磁性粉末が保護層２０の平面方向と平行に配向され、かつ、保護層２０の厚み方向に多層に重なり合うように分散されているものがより好ましい。

この場合、軟磁性金属粒子２１２の平均粒子径は、その扁平率や平均厚さに応じて任意に設定され、例えば、１００ｎｍ以上１００μｍ以下の範囲とされる。軟磁性粒子にナノフェライト粒子が用いられる場合、その粒径の下限は、１００ｎｍ、好ましくは、１μｍである。ここで、扁平率とは、軟磁性粒子の平均粒子径（平均長さ）をその平均厚さで除したアスペクト比として算出される。軟磁性粒子の平均粒子径、扁平率、平均厚さなどを調整することにより、軟磁性粒子による反磁界の影響を小さくして、軟磁性粒子の透磁率を向上させることができる。

なお本明細書における軟磁性粒子の平均粒子径の測定には、島津製作所のレーザ回折式粒子径分布測定装置（SALD-2300）を測定装置とし、サイクロン噴射型乾式測定ユニット（SALD-DS5）を使用して、乾式法にて測定する。

無機フィラーを構成する金属化合物粒子２１３としては、保護層２０の熱拡散率を向上させる熱伝導性の材料が好ましい。このような金属化合物粒子２１３を配合することで、半導体基板１１の発熱を効果的に拡散することが可能となる。また、硬化後の保護層２０における熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体基板１１に対して硬化後の保護層２０の熱膨張係数を最適化することで半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。さらに、硬化後の保護層２０の吸湿率を低減させることが可能となり、加熱時に保護層２０としての接着性を維持し、半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。

なお、熱拡散率とは、保護層２０の熱伝導率を保護層２０の比熱と比重の積で除算した値であり、熱拡散率が大きいほど優れた放熱特性を有することを示す。

熱伝導性の金属化合物粒子としては、具体的には、シリカ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、アルミナ、酸化チタン、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粒子、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。

この種の金属化合物粒子は、異方形状粒子を含むことが好ましい。金属化合物からなる異方形状粒子（以下、異方形状粒子という）は、その長軸方向に良好な熱拡散率を示す。そのため、保護層２０中において、その長軸方向と保護層２０の厚み方向とが略同一となる異方形状粒子の割合が高まることで、半導体基板１１に発生した熱が保護層２０を介して発散されやすくなる。

なお、「異方形状粒子の長軸方向と保護層２０の厚み方向とが略同一」とは、具体的には、異方形状粒子の長軸方向が、保護層２０の厚み方向（図２においてＺ軸方向）に対する傾きが、−４５°〜４５°の範囲にあることをいう。

異方形状粒子の長軸方向と保護層２０の厚み方向とを略同一とするため、保護層２０は、妨害粒子をさらに含んでもよい。異方形状粒子と妨害粒子とを併用することにより、保護層２０の製造工程において、異方形状粒子の長軸方向が保護層２０の幅方向や流方向と略同一となることを抑制し、その長軸方向と保護層２０の厚み方向とが略同一となった異方形状粒子の割合を高めることができる。その結果、優れた熱拡散率を有する保護層２０が得られることになる。

異方形状粒子の具体的な形状は、板状、針状、鱗片状等が挙げられる。好ましい異方形状粒子としては、窒化物粒子が挙げられ、窒化物粒子としては、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素等の粒子が挙げられる。これらのうちでも、良好な熱伝導性が得られやすい窒化ホウ素粒子が好ましい。

異方形状粒子の平均粒子径は、例えば、２０μｍ以下であり、好ましくは、５〜２０μｍである。また、異方形状粒子の平均粒子径は、上記妨害粒子の平均粒子径よりも小さいことが好ましい。異方形状粒子の平均粒子径を上記のように調整することにより、保護層２０の熱拡散率や製膜性が向上するとともに、保護層２０中における異方形状粒子の充填率が向上する。

一方、妨害粒子の形状は、異方形状粒子の長軸方向と、保護層２０の幅方向や流れ方向（保護層２０と平行な方向）とが略同一となることを妨げる形状であれば特に限定されず、その具体的な形状は、例えば、球状あるいは扁平状である。妨害粒子としては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子が挙げられる。

妨害粒子の平均粒子径は、例えば、２０μｍ超であり、好ましくは、２０μｍ超５０μｍ以下、より好ましくは、２０μｍ超３０μｍ以下である。妨害粒子の平均粒子径を上記範囲とすることにより、保護層２０の熱拡散率や製膜性が向上する。また、異方形状粒子は、単位体積当たりの比表面積が大きく、保護層２０を形成する組成物の粘度を上昇させやすい。ここに、比表面積の大きい、平均粒子径が２０μｍ以下の異方形状粒子以外のフィラーを添加した場合、保護層２０を形成する組成物の粘度がいっそう上昇し、保護層２０の形成が困難になったり、多量の溶媒により希釈する必要が生じて生産性が低下したりする懸念がある。

妨害粒子として、上述した軟磁性粒子が用いられてもよい。これにより、軟磁性粒子および異方形状粒子に加えて、妨害粒子を別途添加する必要がなくなるため、軟磁性粒子および異方形状粒子の充填率が向上し、したがって電波吸収特性および放熱特性をいっそう向上させることができる。この場合、軟磁性粒子は１種に限られず、２種以上あってもよい。例えば、電波吸収を主目的として調整された第１の軟磁性粒子のほか、妨害粒子として最適化された平均粒子径を有する第２の軟磁性粒子が保護層２０中に含まれてもよい。

なお、無機フィラーを構成する金属化合物粒子２１３は、チタン酸バリウム等に代表される強誘電性の材料が用いられてもよい。このような強誘電性の材料を配合することで、マトリクス材２０Ｍの比誘電率の最適化が可能となり、カーボンコイル２１１のインダクタンス（Ｌ）とマトリクス材２０Ｍの静電容量（Ｃ）とで定まるカーボンコイル２１１の共振周波数の調整が容易となる。したがって、吸収すべき電磁ノイズの周波数帯域に応じて保護層２０の電波吸収特性の最適化を図ることができる。

保護層２０に対する無機フィラーの含有量は特に限定されず、例えば、６０ｗｔ％以下であり、好ましくは、２０ｗｔ％以上５５ｗｔ％以下である。無機フィラーの含有量が６０ｗｔ％を超えると、保護層２０の製膜が困難となるとともに、保護層２０として十分な接着強度が得られにくくなる。

ところで、保護層２０は、着色されていてもよい。保護層２０の着色は、たとえば、顔料、染料等を配合することで行われる。保護層２０を着色しておくと、外観の向上が図られるとともに、レーザー印字を施した際にその視認性、識別性を高めることができる。保護層２０の色は特に限定されず、無彩色でもよいし、有彩色でもよい。

なおまた、硬化後における保護層２０と半導体基板１１の裏面との接着性・密着性を向上させる目的で、保護層２０にカップリング剤を添加することもできる。カップリング剤は、保護層２０の耐熱性を損なわずに、接着性、密着性を向上させることができ、さらに耐水性（耐湿熱性）も向上する。

（剥離シート）
剥離シートＳ１は、保護層２０の接着面２０１を被覆するように設けられ、保護層２０の使用時には、接着面２０１から剥離される。

剥離シートＳ１としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。

剥離シートＳ１としては、上記したようなフィルムの一方の表面に剥離処理を施したフィルムが好ましい。剥離処理に用いられる剥離剤としては、特に限定はないが、シリコーン系、フッ素系、アルキッド系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等が用いられる。特にシリコーン系の剥離剤が低剥離力を実現しやすいので好ましい。剥離フィルムに用いるフィルムがポリオレフィンフィルムのようにそれ自身の表面張力が低く、粘着層に対し低剥離力を示すものであれば、剥離処理を行わなくてもよい。

さらに剥離シートＳ１の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下であることが望ましい。このような表面張力が低い剥離シートＳ１は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また剥離シートＳ１の表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。

剥離シートＳ１の厚さは、通常は５〜３００μｍ、好ましくは１０〜２００μｍ、特に好ましくは２０〜１５０μｍ程度である。

（支持シート）
支持シートＳ２は、保護層２０の接着面２０１とは反対側の表面２０２に剥離可能に貼着され、保護層２０を半導体基板１１へ貼付する際の支持体としての役割を持つ。

支持シートＳ２は、樹脂系の材料を主材とする基材フィルムで構成される。基材フィルムの具体例としては、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン−ノルボルネン共重合体フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム等のポリオレフィン系フィルム；エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン系共重合フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルム；ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリウレタンフィルム；ポリイミドフィルム；ポリスチレンフィルム；ポリカーボネートフィルム；フッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。またこれらの架橋フィルム、アイオノマーフィルムのような変性フィルムも用いられる。ベース層はこれらの１種からなるフィルムでもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた積層フィルムであってもよい。

あるいは、支持シートＳ２を構成する基材フィルムには、上述の剥離シートＳ１を構成する樹脂フィルムが用いられてもよい。また、支持シートＳ２として、上記基材フィルムに粘着加工が施されたフィルムが用いられてもよい。さらに、支持シートＳ２は、保護層２０の硬化後、ダイシングシートに貼り替えられてもよい。

支持シートＳ２の厚みは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以上３００μｍ以下、特に好ましくは、２０μｍ以上２５０μｍ以下の範囲内とされる。

［半導体装置の製造方法］
続いて、半導体装置１００の製造方法について説明する。

図５Ａ〜Ｄは、半導体装置１００の製造方法を説明する概略工程断面図である。

まず図５Ａに示すように、半導体ウエハＷの裏面に、保護層２０が貼着される。なお保護層２０の貼着工程には、例えば、後述するようなプリカットされた複合シート１４０（４０１，４０２）が用いられてもよい（図６〜図８）。

半導体ウエハＷは、あらかじめ、バックグラインド工程によって所定の厚さ（例えば５０μｍ）に薄化される。また、半導体基板Ｗの表面（回路面）には、配線層１２及びバンプ１３がウエハレベルで形成されている。

保護層２０は、例えば、半導体ウエハＷと略同等の大きさ、形状に形成されたもので、硬化処理前の状態である。剥離シートＳ１は、半導体ウエハＷへの貼着前に、接着面２０１から剥離される。また、保護層２０は、接着面２０１を介して半導体ウエハＷの裏面に貼着される。そして、支持シートＳ２が保護層２０の表面２０２から剥離されることで、半導体ウエハＷと保護層２０との積層体が得られる。次いで、保護層２０を硬化させる。これにより、半導体ウエハＷの全面に保護層２０からなる単一の複合材料層が形成される。

半導体ウエハＷに保護層２０が貼着されることで、半導体ウエハＷの見掛け上の厚さが増し、その結果、半導体ウエハＷの剛性が高められるとともにハンドリング性やダイシング適性が向上する。これにより、半導体ウエハＷを損傷や割れ等から効果的に保護されることになる。

次に、保護層２０に製品情報を表示する印字層が形成される。印字層は、保護層２０の表面に赤外線レーザーを照射することで形成される（レーザーマーキング）。印字層は、半導体チップあるいは半導体装置の種類等を表示する文字、記号又は図形を含む。印字層の形成をウエハレベルで行うことにより、個々のチップ領域へ所定の製品情報を効率よく印字することができる。

続いて、図５Ｂに示すように、保護層２０が接着された半導体ウエハＷがダイシングシートＴの粘着面にマウントされる。ダイシングシートＴは、半導体基板のダイシング工程において半導体基板を保護・固定し、チップサイズに個片化した半導体チップをピックアップするためのものである。ダイシングシートＴは、その一方の面に設けられ粘着層を上向きにして図示しないダイシングテーブル上に配置され、リングフレームＦによって固定される。半導体ウエハＷは、その回路面を上向きにして、保護層２０を介してダイシングシートＴ上に固定される。

そして、図５Ｃに示すように、ダイサーＤによって、半導体ウエハＷが回路毎に（チップ単位に）ダイシングされる。このとき、ダイサーＤのブレードは、ダイシングシートＴの上面（粘着面）に達する深さで半導体ウエハＷを切断し、したがって保護層２０は、半導体ウエハＷとともにチップ単位に切断される。

続いて、図５Ｄに示すように、コレットＫによって、チップ状の半導体素子１０が保護層２０とともにダイシングシートＴの粘着層から剥離される。これにより、半導体素子１０の裏面に保護層２０が設けられた半導体装置１００が製造される。

図６は、複合シート１４０のプリカット形状を示す概略平面図である。複合シート１４０は、典型的には帯状のシートで形成されており、剥離シートＳ１を除く各層には、半導体ウエハと略同等の大きさの打ち抜き溝１４０ｃが支持シートと保護層が除去された状態で、設けられている。すなわち図示の例では、保護層２０及び支持シートＳ２は、半導体ウエハと同等又はそれ以上の大きさにそれぞれプリカットされた状態で剥離シートＳ１に支持されており、基板サイズで半導体ウエハＷの裏面に接着されるように構成されている。

図７（Ａ）〜（Ｃ）は、半導体ウエハＷの裏面へ保護層２０を接着する工程の一例を示す模式断面図である。図示するように複合シート４０１は、剥離シートＳ１を剥離した後、半導体ウエハＷの裏面（図７（Ｃ）において上面）に貼り合わされるとともに、保護層２０の硬化処理が実施される。図示する複合シート４０１においては、半導体ウエハサイズよりも大きなサイズにプリカットされた保護層２０の周縁部にリングフレームＲＦに接着される環状の粘着剤層１２５があらかじめ積層されており、半導体ウエハＷは、その粘着剤層１２５で区画される接着剤層領域の内側に接着される。半導体ウエハＷの表面（図７（Ｃ）において下面）に積層された保護部材１６０は、保護層２０の硬化処理前に除去される。

一方、図８Ａに示す複合シート４０２は、半導体ウエハサイズと同等の大きさにプリカットされた保護層２０と、半導体ウエハサイズよりも大きなサイズにプリカットされた支持シートＳ２とを有し、剥離シートＳ１は、保護層２０を被覆するように支持シートＳ２に接着される。そして、図８Ｂ，Ｃに示すように、複合シート４０２は、剥離シートＳ１を剥離した後、半導体ウエハＷの裏面（図８において上面）に貼り合わされるとともに、保護層２０の硬化処理が実施される。支持シートＳ２は、図示されていない粘着剤層を介してリングフレームＲＦに粘着支持される。半導体ウエハＷの表面（図８Ｃにおいて下面）に積層された保護部材１６０は、保護層２０の硬化処理前に除去される。

複合シート１４０としては、図７Ａに示した複合シート４０１が採用されてもよいし、図８Ａに示した複合シート４０２が採用されてもよい。また、複合シート４０１，４０２における支持シートＳ２は、上述したように、ダイシングシートで構成されてもよい。

以上のように構成される本実施形態の半導体装置１００において、保護層２０は、その接着面２０１を半導体基板１１の裏面に接合することによって半導体基板１１と一体化される。したがって、半導体基板１１の裏面を保護する保護層２０は単一層で構成されることになるため、保護層２０および半導体装置１００の薄厚化が図れることになる。

また本実施形態の保護層２０は、前述のカーボンコイル２１１を含有する複合材料で構成されているため、半導体基板１１から外部へ放出される電磁ノイズや外部から半導体基板１１へ侵入する電磁ノイズの吸収機能を付与することができる。

さらに本実施形態によれば、保護層２０を構成するマトリクス材２０Ｍに軟磁性金属粒子２１２や金属化合物粒子２１３を含む無機フィラーが含有されているため、半導体基板１１の抗折強度が高められる。また、これら無機フィラーによりマトリクス材２０Ｍの誘電率や透磁率を容易に調整することができるため、カーボンコイル２１１の共振周波数を所望とする周波数帯域に設定することができる。

さらに、無機フィラーとして軟磁性金属粒子２１２を含有することで、カーボンコイル２１１に由来する電波吸収機能だけでなく、軟磁性金属粒子２１２に由来する電波吸収機能も発現させることができ、これにより電波吸収特性の高効率化や電波吸収帯域の広域化が可能となる。

さらに本実施形態によれば、半導体基板の裏面に貼着される保護層にカーボンコイルが含有されているため、カーボンコイルを含有していない保護層を有する半導体装置の製造工程と同様な工程で、電波吸収機能を備えた半導体装置を製造することができる。したがって、半導体装置が実装された配線基板上に、電波吸収シートを後付けで設置する場合と比較して工程数を削減することができる。また、配線基板上に当該電波吸収シートを別途設置するためのスペースが不要となるため、部品の高密度実装が可能となり、したがって電子機器の小型化、薄型化に貢献することが可能となる。

＜第２の実施形態＞
図９は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置２００の構成を示す概略側断面図である。

図９に示すように、本実施形態の半導体装置２００は、第１の半導体パッケージＰ１１と第２の半導体パッケージＰ１２（半導体パッケージ部品）との積層構造（ＰｏＰ：Package on Package）を有する。

第１の半導体パッケージＰ１１は、第１の配線基板２１と、第１の配線基板２１の上にフリップチップ実装（フリップチップ接続）された第１の半導体チップＣ１（半導体素子）とを有する。

第２の半導体パッケージＰ１２は、第１の半導体パッケージＰ１１の上に搭載される。第２の半導体パッケージＰ１２は、第２の配線基板２２と、第２の配線基板２２の上にワイヤボンド接続された第２の半導体チップＣ２とを有する。第２の半導体チップＣ２は、大きさの異なる２つの半導体チップＣ２１，Ｃ２２の積層構造を有する。

第１の半導体チップＣ１、第２の半導体チップＣ２（Ｃ２１，Ｃ２２）は、典型的には、単結晶シリコン（Ｓｉ）基板を有するベアチップあるいはＣＳＰ等の半導体素子で構成される。その表面にトランジスタ、メモリ等の複数の回路素子が集積化された回路面が形成される。

第１の半導体チップＣ１は、その回路面（第１の面）を第１の配線基板２１に向けたフェイスダウン方式で、第１の配線基板２１の上面にマウントされる。第１の半導体チップＣ１は、その回路面（図中下面）に形成された複数のバンプ（突起電極）４１を介して第１の配線基板２１に電気的機械的に接続される。第１の配線基板２１への第１の半導体チップＣ１の接合には、例えば、リフロー炉を用いたリフロー半田付け法が採用される。

第１の半導体チップＣ１と第１の配線基板２１との間には、典型的には、アンダーフィル樹脂層５１が設けられる。アンダーフィル樹脂層５１は、第１の半導体チップＣ１の回路面及びバンプ４１を封止して外気から遮断し、第１の半導体チップＣ１と第１の配線基板２１との間の接合強度を高めてバンプ４１の接続信頼性を高める目的で設けられる。

第１の半導体チップＣ１の裏面（第２の面（回路面とは反対側の面であって、図において上面））には、当該半導体チップＣ１を保護するための保護層２０Ａが接合されている。保護層２０Ａは、上述の第１の実施形態における保護層２０と同様に、カーボンコイルを含有する単一層の複合材料で構成され、第１の半導体チップＣ１の抗折強度を高めるとともに、第１の半導体チップＣ１から放射される電磁ノイズや第１の半導体チップＣ１へ入射する電磁ノイズを抑制する機能を有する。

一方、第２の半導体チップＣ２（Ｃ２１，Ｃ２２）は、各々の回路面とは反対側の裏面を第２の配線基板２２に向けたフェイスアップ方式で、第２の配線基板２２の上面にマウントされる。第２の半導体チップＣ２（Ｃ２１，Ｃ２２）は、それらの回路面（図中上面）の周囲に各々配列された複数の電極パッド（図示略）を有し、各電極パッドに接続された複数のボンディングワイヤ４２を介して第２の配線基板２２に電気的に接続される。

第２の配線基板２２と半導体チップＣ２１との間は非導電性の接着剤（図示略）を介して接合される。一方、２つの半導体チップＣ２１，Ｃ２２は、保護層２０Ｂを介して相互に接合される。保護層２０Ｂは、上述の第１の実施形態における保護層２０と同様に、カーボンコイルを含有する単一層の複合材料で構成され、２つの半導体チップＣ２１，Ｃ２２間における電磁的なクロストークを抑制する機能を有する。

第２の配線基板２２の上面は、第２の半導体チップＣ２（Ｃ２１，Ｃ２２）及びボンディングワイヤ４２を封止する封止層５２が設けられる。封止層５２は、アンダーフィル樹脂層５１と同様に、第２の半導体チップＣ２（Ｃ２１，Ｃ２２）の回路面を外気から遮断し、第２の半導体チップＣ２（Ｃ２１，Ｃ２２）と第２の配線基板２２との接続信頼性を高める目的で設けられる。

第１の配線基板２１及び第２の配線基板２２は、それぞれ同種の材料で構成されてもよいし、異種の材料で構成されてもよい。第１の配線基板２１及び第２の配線基板２２は、典型的には、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板等の有機系配線基板で構成されるが、これに限られず、セラミック基板やメタル基板が用いられてもよい。配線基板の種類は特に限定されず、片面基板、両面基板、多層基板、素子内蔵基板等の種々の基板が適用可能である。本実施形態において、第１及び第２の配線基板２１，２２は、それぞれビアＶ１，Ｖ２を有するガラスエポキシ系の多層配線基板で構成される。

第１の配線基板２１の裏面（図中下面）には、マザーボード等と称される制御基板１１０に接続される複数の外部接続端子３１が設けられている。第１の配線基板２１は、第１の半導体チップＣ１と制御基板１１０との間に介装されるインターポーザ基板（ドータ基板）として構成され、第１の半導体チップＣ１の回路面上のバンプ５１の配置間隔を制御基板１１０のランドピッチに変換する再配線層としての機能をも有する。

第２の配線基板２２の裏面（図中下面）には、第１の配線基板２１の表面に接続される複数のバンプ３２が設けられている。第２の配線基板２２は、第２の半導体チップＣ２（Ｃ２１，Ｃ２２）を第１の配線基板に接続するインターポーザ基板として構成され、第１の配線基板２１及び外部接続端子３１を介して、制御基板１１０に電気的に接続される。

外部接続端子３１及びバンプ４１，３２は、典型的には、はんだバンプ（ボールバンプ）で構成されるが、これに限られず、めっきバンプやスタッドバンプ等の他の突起電極で構成されてもよい。第１の配線基板２１に対する第２の配線基板２２の接続、及び、制御基板１１０に対する第１の配線基板２１の接続には、リフロー半田付け法が採用される。

以上のように構成される本実施形態の半導体装置２００においては、半導体チップＣ１の裏面には保護層２０Ａが、半導体チップＣ２１と半導体チップＣ２２との間には保護層２０Ｂがそれぞれ設けられている。このように、半導体パッケージＰ１１，Ｐ１２の積層方向において、各半導体チップＣ１，Ｃ２１，Ｃ２２の間に電波吸収機能を有する保護層２０Ａ，２０Ｂが設けられていることから、これら半導体チップ間における電磁的なクロストークを抑制し、各々所定の電気的特性を確保し、したがって半導体装置２００の信頼性を向上させることができる。しかも、各保護層２０Ａ，２０Ｂが単一層で構成されているため、ＰｏＰ構造の半導体装置２００の薄型化を促進することが可能となる。

＜第３の実施形態＞
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置３００の構成を示す概略側断面図である。

図１０に示すように、本実施形態の半導体装置３００は、第１の半導体パッケージＰ２１（第１の半導体素子）と第２の半導体パッケージＰ２２（第２の半導体素子）との積層構造（ＰｏＰ：Package on Package）を有する。第１の半導体パッケージＰ２１および第２の半導体パッケージＰ２２は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（Fan-Out WLP）で構成される。

半導体パッケージＰ２１，Ｐ２２は、半導体チップＣ３，Ｃ４と、半導体チップＣ３，Ｃ４よりも大きなサイズで形成されたパッケージ本体７１，７２と、パッケージ本体７１，７２の下面に設けられた配線層７１１，７２１と、配線層７１１，７２１に固定された複数のバンプ６１，６２等をそれぞれ有する。

半導体チップＣ３，Ｃ４は、各々の回路面を下向きにしてパッケージ本体７１，７２に内蔵されているとともに、配線層７１１，７２１に電気的に接続されている。パッケージ本体７１，７２が半導体チップＣ３，Ｃ４よりも大きなサイズに形成されているため、配線層７１１，７２１において半導体チップＣ３，Ｃ４の電極ピッチを大きく拡張することが可能となり、これによりバンプ６１，６２の配列自由度が高められる。

第１の半導体パッケージＰ２１のバンプ６１は、第１の半導体パッケージＰ２１（あるいは半導体装置３００）を制御基板１１０に接続されるためのものである。一方、第２の半導体パッケージＰ２２のバンプ６２は、第１の半導体パッケージＰ２１の上面に設けられた配線層７１２に接続され、パッケージ本体７１に設けられたビアＶ３を介して、配線層７１１およびバンプ６１に電気的に接続される。

半導体装置３００はさらに、第１の半導体パッケージＰ２１と第２の半導体パッケージＰ２２との間に配置された保護層２０Ｃ（接着層）を備える。保護層２０Ｃは、第１の半導体パッケージＰ２１の裏面（本例では配線層７１２の上面）に設けられる。保護層２０Ｃは、第１の実施形態における保護層２０と同様に、カーボンコイルを含有する単一層の複合材料で構成される。保護層２０Ｃは、接着面２０１（図２参照）を介してパッケージ本体７１の上面（配線層７１２）に接合されるとともに、バンプ６２を配線層７１２へ接続するための開口部を有する。

保護層２０Ｃは、半硬化状態で配線層７１２の上に貼着された後、硬化処理が施されることで硬化される。硬化処理は、第２の半導体パッケージＰ２２が積層される前であってもよいし、積層された後であってもよい。

本実施形態の半導体装置３００において、保護層２０Ｃは、第１の半導体パッケージＰ２１の抗折強度を高めるとともに、半導体チップＣ３から放射される電磁ノイズや半導体チップＣ３へ入射する電磁ノイズを抑制する機能を有する。また、保護層２０Ｃは、２つの半導体パッケージＰ２１，Ｐ２２間における電磁的なクロストークを抑制する機能をも有する。さらに保護層２０Ｃは、第１の半導体パッケージＰ２１と第２の半導体パッケージＰ２２との間の接合強度を高める非導電性接着フィルム（ＮＣＦ：Non-Conductive Film）としての機能をも有する。

＜第４の実施形態＞
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置４００の構成を示す概略側断面図である。

図１１に示すように、本実施形態の半導体装置４００は、複数の半導体チップＣ５、Ｃ６およびＣ７の積層構造（ＣｏＣ：Chip on Chip）を有する。

各半導体チップＣ５〜Ｃ７は、回路面を下向きにして積層される。すなわち、中間段の半導体チップＣ６（第２の半導体素子）は、最下段の半導体チップＣ５（第１の半導体素子）の裏面に積層され、最上段の半導体チップＣ７（第３の半導体素子）は、中間段の半導体チップＣ６の裏面に積層される。

最下段の半導体チップＣ５および中間段の半導体チップＣ６には、これらの厚み方向に貫通する複数のビア（ＴＳＶ:Through-Silicon Via）Ｖ５、Ｖ６がそれぞれ設けられる。ビアＶ５およびビアＶ６は、相互に整列するように積層方向に対向しており、これらビアＶ５，Ｖ６の間には半導体チップＣ５と半導体チップＣ６との間を電気的に接続するバンプ８２がそれぞれ配置されている。また、ビアＶ５の下端には、半導体チップＣ５（あるいは半導体装置４００）を制御基板１１０に接続するためのバンプ８１がそれぞれ配置されており、ビアＶ６の上端には、最上段の半導体チップＣ７を半導体チップＣ６に接続するためのバンプ８３がそれぞれ配置されている。

半導体装置４００はさらに、半導体チップＣ５と半導体チップＣ６との間、および、半導体チップＣ６と半導体チップＣ７との間をそれぞれ接合する複数の接着層２０Ｄを有する。接着層２０Ｄは、第１の実施形態における保護層２０と同様に、カーボンコイルを含有する単一層の複合材料で構成される。接着層２０Ｄは、シート状あるいはフィルム状に限られず、ペースト状であってもよい。

各接着層２０Ｄは、半硬化状態で半導体チップＣ５，Ｃ６の上に貼着された後、硬化処理が施されることで硬化される。硬化処理は、個々の接着層２０Ｄごとに行われてもよいし、すべての接着層２０Ｄについて同時に行われてもよい。

本実施形態の半導体装置４００において、接着層２０Ｄは、各半導体チップＣ５〜Ｃ７の抗折強度を高めるとともに、各半導体チップＣ５〜Ｃ７から放射される電磁ノイズや各半導体チップＣ５〜Ｃ７へ入射する電磁ノイズを抑制する機能を有する。また、接着層２０Ｄは、各半導体チップＣ５〜Ｃ７間における電磁的なクロストークを抑制する機能をも有する。さらに接着層２０Ｄは、各半導体チップＣ５〜Ｃ７間の接合強度を高める非導電性接着フィルム（ＮＣＦ：Non-Conductive Film）としての機能をも有する。

＜第５の実施形態＞
図１２は、本発明の第５の実施形態を示している。本実施形態では、本発明に係る電波吸収体が壁紙に用いられる例について説明する。

図１２に示す建具５００は、壁５１０と、壁紙５２０とを有する。壁５１０は、典型的には家屋やビルの部屋を仕切る壁のほか、天井、外壁、ドア等が挙げられる。壁５１０は、壁紙５２０を支持する支持体としての機能を有する。壁紙５２０は、壁５１０の少なくとも一方の面に貼り付けられ、所定の周波数帯域の電波を吸収する電波吸収層として構成される。

壁紙５２０は、第１の実施形態と同様に、カーボンコイルを含有する複合材料で構成される。カーボンコイル以外に、上述した軟磁性粒子や金属化合物粒子が含有されてもよい。これにより建具５００は、所定周波数帯域の電磁波に対して吸収機能を有する電波吸収体として構成される。

壁紙５２０はさらに、天然パルプ繊維を含有する。これにより、壁紙５２０を、焼却時に灰が殆ど残らない難燃性シートとして構成することができる。

天然パルプ繊維は、針葉樹（Ｎ−ＢＰＫ）、広葉樹（Ｌ−ＢＰＫ）等の木材繊維；綿繊維；楮、三椏、麻等の靭皮繊維等、公知のものの中から適宜選択して用いることができる。壁紙５２０中の天然パルプ繊維の含有量は、１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。シートとしての性能を維持するためには１０質量％以上であることが好ましく、難燃性能を得るためには３０質量％以下であることが必要である。

なお、難燃性及び電波吸収性に支障がない限り、通常紙に使用されるサイズ剤、着色剤、湿潤強度材等を内添・サイズプレスで添加・塗布してもよい。

壁紙５２０の製造方法は、以下のとおりである。水に天然パルプ繊維を分散し、これを所定の叩解度に叩解し、更に、このスラリーに熱硬化性樹脂繊維を混合し、必要に応じてサイズ剤、各種強度剤、着色剤、等を添加して紙料を作製する。作製した紙料を長網や円網等の抄紙機にて抄紙し、必要ならば更にサイズプレスでサイズ剤や強度剤を塗布する。

例えば、水、メラミン繊維（Ｅｎｇｉｎｅｅｒｅｄ Ｆｉｂｅｒｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製「ＴＹＰＥ７９１０ＷＦ」直径約１０μｍ、長さ約３ｍｍ）７０質量部、及び予め水に分散し叩解度３５ＳＲに叩解した木材パルプ（Ｎ−ＢＰＫ）スラリー固形分換算３０質量部を混合することで、固形分濃度０．５％の紙料を作製することができる。

本発明者らは、保護層２０の構成材料として、以下の成分（Ａ）、成分（Ｂ−１）、成分（Ｂ−２）、成分（Ｂ−３）、成分（Ｃ−１）、成分（Ｃ−２）、成分（Ｄ）及び成分（Ｅ）を準備し、それらを所定の配合比（固形分換算ｗｔ％）で混合し、固形分濃度が６１ｗｔ％となるようにメチルエチルケトンで希釈して、保護膜形成フィルム用塗布剤を調製した。

・成分（Ａ）
重合体成分：ｎ−アクリル酸ブチル１０質量部、アクリル酸メチル７０質量部、メタクリル酸グリシジル５質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１５質量部を共重合してなるアクリル系共重合体（重量平均分子量：８０万、ガラス転移温度：−１℃）
・成分（Ｂ−１）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ｊＥＲ８２８」、エポキシ当量１８４〜１９４ｇ／ｅｑ）
・成分（Ｂ−２）
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製「エピクロンＨＰ−７２００ＨＨ」、エポキシ当量２５５〜２６０ｇ／ｅｑ）
・成分（Ｂ−３）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ｊＥＲ１０５５」、エポキシ当量８００〜９００ｇ／ｅｑ）
・成分（Ｃ−１）
熱活性潜在性エポキシ樹脂硬化剤：ジシアンジアミド（ＡＤＥＫＡ社製「アデカハードナーＥＨ−３６３６ＡＳ」、活性水素量２１ｇ／ｅｑ）
・成分（Ｃ−２）
硬化促進剤：２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製「キュアゾール２ＰＨＺ」）
・成分（Ｄ）
シリカフィラー（アドマテックス社製「ＳＣ２０５０ＭＡ」、平均粒子径０．５μｍ）
・成分（Ｅ）
シランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」）

（実施例１）
電波吸収層として、樹脂成分の配合比を、成分（Ａ）：２６ｗｔ％、成分（Ｂ−１）：１１ｗｔ％、成分（Ｂ−２）：５．２ｗｔ％、成分（Ｂ−３）：１．７ｗｔ％、成分（Ｃ−１）：０．４５ｗｔ％、成分（Ｃ−２）：０．４５ｗｔ％、成分（Ｄ）：５２．１ｗｔ％、成分（Ｅ）：０．１ｗｔ％とし、カーボンコイルとしてコイル状カーボン繊維（マイクロフェーズ社製「MP-CMC」、平均コイル径：２μｍ、平均繊維径：０．２μｍ、平均コイル長：２０μｍ）の配合比を３ｗｔ％として混合したものを固形分とし、さらにメチルエチルケトンで希釈して、固形分濃度が６１ｗｔ％となる様に塗液を調整した。この塗液を剥離シートとしてのシートＳ２上にブレードコート法にてコート後、温度１００℃にて２分間乾燥後、剥離シートとしてシートＳ１を貼り合わせ、厚み３００μｍ（剥離シートＳ１，Ｓ２の厚みを含まない）の保護層のシートサンプルを作製した。

以下の条件で作製したシートサンプルの共振周波数、電波吸収性、比誘電率、比透磁率をそれぞれ測定した。

・共振周波数、電波吸収性の測定方法
作製したシートサンプルを縦２００ｍｍ、横２００ｍｍのサイズにカットし、これをネットワークアナライザ（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製「Ｎ５２２７Ａ」）にて周波数７９ＧＨｚにおけるＳパラメータ（Ｓ１１及びＳ２１）を測定した。測定したＳ２１からシートの共振周波数を、また、測定したＳ１１及びＳ２１からシートの電波吸収性をそれぞれ算出した。
・比誘電率の測定方法
作製したシートサンプルを縦２０ｍｍ、横２０ｍｍのサイズにカットし、これをＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザ（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製「Ｅ４９９１Ａ」）及び誘電材料テスト・フィクスチャ（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製「１６４５３Ａ」）にセットして、１００ＭＨｚにおける比誘電率を測定した。
・比透磁率の測定方法
作製したシートサンプルを外径１９ｍｍ、内径６ｍｍのドーナツ状にカットし、これをＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザ（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製「Ｅ４９９１Ａ」）及び誘電材料テスト・フィクスチャ（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製「１６４５３Ａ」）にセットして、１００ＭＨｚにおける比透磁率を測定した。

測定の結果、シートサンプルの共振周波数は８３ＧＨｚ、電波吸収性は２０％、比誘電率は２、比透磁率は１であった。

（実施例２）
電波吸収層として、樹脂成分の配合比を、成分（Ａ）：１３ｗｔ％、成分（Ｂ−１）：５．５ｗｔ％、成分（Ｂ−２）：２．６ｗｔ％、成分（Ｂ−３）：０．８５ｗｔ％、成分（Ｃ−１）：０．２２５ｗｔ％、成分（Ｃ−２）：０．２２５ｗｔ％、成分（Ｄ）：２６．０５ｗｔ％、成分（Ｅ）：０．０５ｗｔ％とし、カーボンコイルとしてコイル状カーボン繊維（マイクロフェーズ社製「MP-CMC」、平均コイル径：２μｍ、平均繊維径：０．２μｍ、平均コイル長：２０μｍ）の配合比を１．５ｗｔ％及び酸化亜鉛（堺化学工業社製「LPZINC-11-KS」、平均粒子径（Ｄ５０）１１μｍ）の配合比を５０ｗｔ％として混合したものを固形分とし、さらにメチルエチルケトンで希釈して、固形分濃度が６１ｗｔ％となる様に塗液を調整した。この塗液を剥離シートとしてのシートＳ２上にブレードコート法にてコート後、温度１００℃にて２分間乾燥後、剥離シートとしてシートＳ１を貼り合わせ、厚み３００μｍ（剥離シートＳ１，Ｓ２の厚みを含まない）の保護層のシートサンプルを作製した。

作製したシートサンプルの共振周波数、電波吸収性、比誘電率、比透磁率を実施例１と同一の条件でそれぞれ測定したところ、共振周波数は８０ＧＨｚ、電波吸収性は３３％、比誘電率は４、比透磁率は１であった。

（実施例３）
電波吸収層として、樹脂成分の配合比を、成分（Ａ）：１３ｗｔ％、成分（Ｂ−１）：５．５ｗｔ％、成分（Ｂ−２）：２．６ｗｔ％、成分（Ｂ−３）：０．８５ｗｔ％、成分（Ｃ−１）：０．２２５ｗｔ％、成分（Ｃ−２）：０．２２５ｗｔ％、成分（Ｄ）：２６．０５ｗｔ％、成分（Ｅ）：０．０５ｗｔ％とし、カーボンコイルとしてコイル状カーボン繊維（マイクロフェーズ社製「MP-CMC」、平均コイル径：２μｍ、平均繊維径：０．２μｍ、平均コイル長：２０μｍ）の配合比を１．５ｗｔ％及びセンダスト（山陽特殊製鋼社製「FME3DH」、平均粒子径（Ｄ５０）３６μｍ）の配合比を５０ｗｔ％として混合したものを固形分とし、さらにメチルエチルケトンで希釈して、固形分濃度が６１ｗｔ％となる様に塗液を調整した。この塗液を剥離シートとしてのシートＳ２上にブレードコート法にてコート後、温度１００℃にて２分間乾燥後、剥離シートとしてシートＳ１を貼り合わせ、厚み３００μｍ（剥離シートＳ１，Ｓ２の厚みを含まない）の保護層のシートサンプルを作製した。

作製したシートサンプルの共振周波数、電波吸収性、比誘電率、比透磁率を実施例１と同一の条件でそれぞれ測定したところ、共振周波数は７０ＧＨｚ、電波吸収性は２８％、比誘電率は２、比透磁率は９であった。

（実施例４）
電波吸収層として、樹脂成分の配合比を、成分（Ａ）：１２．５ｗｔ％、成分（Ｂ−２）：４．２ｗｔ％、成分（Ｂ−３）：１．２ｗｔ％、成分（Ｄ）：５０．１ｗｔ％とし、カーボンコイルとしてコイル状カーボン繊維（マイクロフェーズ社製「MP-CMC」、平均コイル径：２μｍ、平均繊維径：０．２μｍ、平均コイル長：２０μｍ）の配合比を２０ｗｔ％として混合したものを固形分とし、さらにメチルエチルケトンで希釈して、固形分濃度が６１ｗｔ％となる様に塗液を調整した。この塗液を剥離シートとしてのシートＳ２上にブレードコート法にてコート後、温度１００℃にて２分間乾燥後、剥離シートとしてシートＳ１を貼り合わせ、厚み３００μｍ（剥離シートＳ１，Ｓ２の厚みを含まない）の保護層のシートサンプルを作製した。

作製したシートサンプルの共振周波数、電波吸収性、比誘電率、比透磁率を実施例１と同一の条件でそれぞれ測定したところ、共振周波数は８３ＧＨｚ、電波吸収性は９３％、比誘電率は２、比透磁率は１であった。

（比較例）
成分（Ａ）：２９ｗｔ％、成分（Ｂ−１）：１１ｗｔ％、成分（Ｂ−２）：５．２ｗｔ％、成分（Ｂ−３）：１．７ｗｔ％、成分（Ｃ−１）：０．４５ｗｔ％、成分（Ｃ−２）：０．４５ｗｔ％、成分（Ｄ）：５２．１ｗｔ％、成分（Ｅ）：０．１ｗｔ％の樹脂成分のみで混合したものを固形分とし、さらにメチルエチルケトンで希釈して、固形分濃度が６１ｗｔ％となる様に塗液を調整した。この塗液を剥離シートとしてのシートＳ２上にブレードコート法にてコート後、温度１００℃にて２分間乾燥後、剥離シートとしてシートＳ１を貼り合わせ、厚み３００μｍ（剥離シートＳ１，Ｓ２の厚みを含まない）の保護層のシートサンプルを作製した。

作製したシートサンプルの共振周波数、電波吸収性、比誘電率、比透磁率を実施例１と同一の条件でそれぞれ測定したところ、共振周波数は測定不能、電波吸収性は０％、比誘電率は２、比透磁率は１であった。

実施例１〜４及び比較例の各サンプルの配合成分（ｗｔ％）および測定結果を表１及び表２に示す。

表２に示すように、カーボンコイルを含有した実施例１〜４のシートサンプルによれば、７９ＧＨｚの周波数帯域に対して所定の電波吸収特性が得られることが確認された。

また、カーボンコイル以外の無機フィラーを含有した実施例２，３によれば、当該無機フィラーを含有していない実施例１と比較して、対象電波に対する電波吸収特性が向上することが確認された。これは、無機フィラーとして金属化合物を含有した実施例２については、実施例１よりも比誘電率が大きくなることで、共振周波数が対象電磁波の周波数側にシフトしたためと考えられる。

一方、無機フィラーとして軟磁性粒子を含有した実施例３については、共振周波数と対象電磁波の周波数との差が実施例１よりも大きいにもかかわらず、実施例１よりも比透磁率が大きくなること、軟磁性粒子由来の電波吸収機能が発現すること等により、電波吸収特性の向上につながったと考えられる。

さらに、実施例４によれば、実施例１〜３よりも多くのカーボンコイルを含有しているため、実施例１〜３よりもはるかに高い電波吸収特性が認められた。また、カーボンコイルを２０ｗｔ％以上含有することで、対象電波（７９ＧＨｚ）に対して９０％以上の吸収特性が得られることが確認された。

以上のように、本実施形態によれば、８０ＧＨｚ付近の電波に対して従来よりも優れた電波吸収特性を得ることができる。これにより、例えば、ＡＤＡＳ等の車両運転支援システムを搭載した車両や当該システムを構成する各種電子部品用の電波吸収シートとして好適に用いることができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば以上の実施形態では、半導体装置として、ＷＬＣＳＰ、ＰｏＰ、ＣｏＣを例に挙げて説明したが、勿論これらに限られず、例えば、配線基板の内部に半導体素子が埋設された素子内蔵基板等にも本発明は適用可能であり、この場合、埋設される半導体素子の裏面に本発明に係る保護層が設けられる。これにより、当該半導体素子と当該素子内蔵基板上に搭載される各種電子部品との電磁的なクロストークを抑制することが可能となる。

また、以上の第４の実施形態において、最上段の半導体チップＣ７の裏面（上面）に、第１の実施形態において説明した保護層２０が接合されてもよい。これにより、半導体チップＣ７の裏面の保護を図れるとともに、半導体チップＣ７から放射される電磁ノイズや半導体チップＣ７へ入射する電磁ノイズをさらに抑制することが可能となる。

さらに以上の第５の実施形態では、電波吸収体の建具への適用例について説明したが、電波吸収体を支持する支持体は、壁に限られず、カーテン等の可撓性部材、ガラス、床材等であってもよい。また、建具に限られず、電子機器の筐体、パッケージ部品のカバー、車体の一部（例えば、車載部品、ボディ）等に本発明の電波吸収体が適用されてもよい。

１０…半導体素子
１１…半導体基板
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ…保護層
２０Ｄ…接着層
１００，２００，３００，４００…半導体装置
１４０，４０１，４０２…複合シート
２０１…接着面
２１１…カーボンコイル
２１２…軟磁性粒子
２１３…金属化合物粒子
５００…建具
５１０…壁
５２０…壁紙
Ｃ１〜Ｃ７…半導体チップ
Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２…半導体パッケージ

Claims (13)

1. 平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂と強誘電性材料からなる無機フィラーとを含むマトリクス材との複合材料で構成され、前記強誘電性材料がチタン酸バリウムまたは酸化亜鉛であって、前記カーボンコイルによるインダクタンスと前記マトリクス材による静電容量とによって定まる共振周波数が６０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚのいずれかに調整された単一層の電波吸収層
   を具備する電波吸収体。
2. 請求項１に記載の電波吸収体であって、
   前記カーボンコイルの含有量は、１ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下である
   電波吸収体。
3. 請求項１又は２に記載の電波吸収体であって、
   前記マトリクス材は、軟磁性金属粒子からなる無機フィラーをさらに含む
   電波吸収体。
4. 請求項３に記載の電波吸収体であって、
   前記フィラーの含有量は、６０ｗｔ％以下である
   電波吸収体。
5. 請求項１〜４のいずれか１つに記載の電波吸収体であって、
   前記樹脂は、エポキシ樹脂を含む
   電波吸収体。
6. 請求項１〜５のいずれか１つに記載の電波吸収体であって、
   前記電波吸収層を支持する支持体をさらに具備する
   電波吸収体。
7. 回路面を構成する第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有する半導体基板と、
   平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂と強誘電性材料からなる無機フィラーとを含むマトリクス材との複合材料で構成され、前記強誘電性材料がチタン酸バリウムまたは酸化亜鉛であって、前記カーボンコイルによるインダクタンスと前記マトリクス材による静電容量とによって定まる共振周波数が６０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚのいずれかに調整され、前記第２の面に接着される接着面を有する単一層の保護層と
   を具備する半導体装置。
8. 請求項７に記載の半導体装置であって、
   前記樹脂は、接着性樹脂の硬化物で構成される
   半導体装置。
9. 配線基板と、
   回路面を構成する第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有し、前記配線基板に搭載された半導体素子と、
   平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂と強誘電性材料からなる無機フィラーとを含むマトリクス材との複合材料で構成され、前記強誘電性材料がチタン酸バリウムまたは酸化亜鉛であって、前記カーボンコイルによるインダクタンスと前記マトリクス材による静電容量とによって定まる共振周波数が６０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚのいずれかに調整され、前記第２の面に接着される接着面を有する単一層の保護層と
   を具備する半導体装置。
10. 請求項９に記載の半導体装置であって、
    前記配線基板に電気的に接続される半導体パッケージ部品をさらに具備し、
    前記半導体素子は、前記配線基板と前記半導体パッケージ部品との間に配置される
    半導体装置。
11. 第１の半導体素子と、
    前記第１の半導体素子の上に配置され、前記第１の半導体素子と電気的に接続される第２の半導体素子と、
    平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂と強誘電性材料からなる無機フィラーとを含むマトリクス材との複合材料で構成され、前記強誘電性材料がチタン酸バリウムまたは酸化亜鉛であって、前記カーボンコイルによるインダクタンスと前記マトリクス材による静電容量とによって定まる共振周波数が６０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚのいずれかに調整され、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との間に配置された単一層の接着層と
    を具備する半導体装置。
12. 半導体基板の回路面を構成する第１の面とは反対側の第２の面に接合される複合シートであって、
    平均コイル径が１μｍ以上１０μｍ以下、平均繊維径が０．１μｍ以上１μｍ以下、平均コイル長が１０μｍ以上１００μｍ以下であるカーボンコイルと、少なくとも樹脂と強誘電性材料からなる無機フィラーとを含むマトリクス材との複合材料で構成され、前記強誘電性材料がチタン酸バリウムまたは酸化亜鉛であって、前記カーボンコイルによるインダクタンスと前記マトリクス材による静電容量とによって定まる共振周波数が６０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚのいずれかに調整され、前記第２の面に接着される接着面を有する単一層の電波吸収層と、
    前記電波吸収層の前記接着面とは反対側の表面に剥離可能に貼着される支持シートと
    を具備する複合シート。
13. 請求項１２に記載の複合シートであって、
    前記支持シートは、ダイシングシートで構成される
    複合シート。

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