JP6789026B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

液晶表示装置や半導体装置などの製造工程において、液晶パネル用ガラスやフォトマスク用ガラスなどの基板を搬送し、移動する基板に対して処理液（例えば薬液）を吐出して基板を処理する基板処理装置が用いられている。この基板処理装置は、移動する基板をレーザ光によって検出するセンサを備えており、センサの検出結果に応じて基板の搬送間隔を把握する。例えば、基板の搬送間隔が予め定められた時間よりも短い場合には、基板同士の衝突を避けるために、アラームを出して基板の搬送を停止させる制御を行う。

このような基板処理装置において、吐出された処理液が泡状やミスト状になってセンサに付着することがある。このセンサの汚染により、センサの投光量や受光量のばらつきが生じるため、基板の誤検知が発生することがある。これによって、実際には基板が存在しているにもかかわらず、センサによって検知されずに、基板同士が衝突してしまう。特に、剥離装置や現像装置などにおいて、長時間の使用によりセンサに汚染物が付着し、さらに堆積すると、センサの投光量や受光量が不安定になるため、基板の誤検知が起こりやすくなる。

特開平１１−３５４４８７号公報

本発明が解決しようとする課題は、センサの汚染による基板処理効率の低下を抑えることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。

本発明の実施形態に係る基板処理装置は 基板を搬送する搬送部と、前記搬送部により移動する前記基板に向けて処理液を吐出するツールを有し、前記基板を前記ツールから吐出された処理液により処理する処理部と、前記搬送部により移動する前記基板を光により検出するセンサと、前記センサに向けて液体を吐出する液吐出部と、を備え、前記液吐出部は、前記ツールとは別に設けられる。

本発明の実施形態に係る基板処理方法は、基板を搬送部により搬送する工程と、前記搬送部により移動する前記基板に向けて処理液を吐出するツールを有する処理部を用いて、前記搬送部により移動する前記基板を処理する工程と、前記搬送部により移動する前記基板を光により検出するセンサを用いて、前記搬送部により移動する前記基板の有無を検知する工程と、前記ツールとは別に設けられた前記センサに向けて液体を吐出する液吐出部を用いて、前記センサに対して前記液体を供給する工程と、を有する。

本発明の実施形態によれば、センサの汚染による基板処理効率の低下を抑えることができる。

第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る搬送ローラ、センサ及び液吐出部を示す図である。 第１の実施形態に係るセンサの第１の濡れ状態を示す図である。 第１の実施形態に係るセンサの第２の濡れ状態を示す図である。 第１の実施形態に係る基板検知条件ごとのセンサ受光量の推移を示す図である。 第２の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。

＜第１の実施形態＞
第１の実施形態について図１から図５を参照して説明する。

（基本構成）
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、処理室２０と、搬送部３０と、処理部４０と、複数（図１では２個）のセンサ５０と、液吐出部６０と、制御部７０とを備えている。

処理室２０は、基板Ｗを処理するための処理槽であり、基板Ｗが移動する搬送路Ａ１を内蔵する筐体である。この処理室２０には、搬入口２１及び搬出口２２が形成されている。搬送路Ａ１は、搬入口２１から搬出口２２まで水平に延びており、処理室２０の上下方向の略中央に位置している。なお、処理対象の基板Ｗとしては、例えば矩形状のガラス基板が用いられる。

搬送部３０は、複数のローラ３１及び複数本（図１では１１本）のシャフト３２を有しており、それらのローラ３１及びシャフト３２により基板Ｗを搬送路Ａ１に沿って搬送する。各ローラ３１は、個々のシャフト３２に所定間隔で固定されており、シャフト３２が回転することによって共に回転する。各シャフト３２は、それぞれ基板Ｗの幅よりも長く形成されており、並列に基板Ｗの搬送方向Ａ２に沿って並べられ、回転可能に設けられている。これらのシャフト３２は、共通の駆動機構（図示せず）により、互いに同期して回転するように構成されており、各ローラ３１と共に基板Ｗの搬送路Ａ１を形成する。この搬送部３０は、各ローラ３１により基板Ｗを支持し、支持した基板Ｗを各ローラ３１の回転によって所定の搬送方向Ａ２に搬送する。

処理部４０は、複数のシャワー４１を有しており、それらのシャワー４１により、搬送路Ａ１を移動する基板Ｗに処理液を供給して基板Ｗを処理する。各シャワー４１は、搬送路Ａ１を挟むように搬送路Ａ１の上方及び下方に複数個（図１では７個）ずつ設けられている。これらのシャワー４１のうち、搬送路Ａ１の上方に位置する各シャワー４１ａは、搬送路Ａ１に対して上方から処理液を吐出する。また、搬送路Ａ１の下方に位置する各シャワー４１ｂは、搬送路Ａ１に対して下方から処理液を吐出する。各シャワー４１ａ、４１ｂは、基板Ｗの搬送方向Ａ２に水平面内で直交する方向に並ぶ複数のノズル（図示せず）を有しており、搬送路Ａ１を移動する基板Ｗに向けて各ノズルから処理液を高圧で吐出して基板Ｗに処理液を供給する。

各シャワー４１ａは、液供給管４２ａを介してタンク４３に接続されており、各シャワー４１ｂは、液供給管４２ｂを介してタンク４３に接続されている。これらのシャワー４１ａ、４１ｂは、タンク４３から液供給管４２ａを介して供給された処理液（例えば薬液）を吐出する。各シャワー４１ａ、４１ｂから吐出された処理液は、処理室２０の底部に接続された回収管４４を介してタンク４３に回収され、貯留される。タンク４３に回収された処理液は、ポンプ（図示せず）による圧送により再び各液供給管４２ａ、４２ｂを介して各シャワー４１ａ、４１ｂに供給される。

各センサ５０は、搬送路Ａ１を移動する基板Ｗを検出するセンサである。これらのセンサ５０のうち一つのセンサ５０ａは、処理室２０の搬入口２１の近傍に位置付けられ、搬送路Ａ１の下方に設けられている。もう一つのセンサ５０ｂは、処理室２０の搬出口２２の近傍に位置付けられ、搬送路Ａ１の下方に設けられている。これらのセンサ５０ａ、５０ｂは、基板Ｗにおけるローラ３１に接する側の表面（下面）を検出することになる。これらのセンサ５０ａ、５０ｂは、レーザ光の投受光によって搬送部３０により搬送されて搬送路Ａ１を移動する基板Ｗを検出する。各センサ５０ａ、５０ｂとしては、例えば、反射型センサを用いることが可能である。各センサ５０ａ、５０ｂは制御部７０に電気的に接続されており、制御部７０に検出信号を送信する。

なお、基板Ｗにおけるローラ３１に接しない側の表面（上面）には、前述の下面と比較して厚い処理液の液膜が形成されるため、この液膜でセンサの光が散乱し、センサの受光量が変化して誤検出をする可能性が高くなる。このため、各センサ５０ａ、５０ｂは、液膜が形成されにくい裏面側を検出するよう、搬送路Ａ１の下方に設けられている。

ここで、各センサ５０ａ、５０ｂは同じ構成であるため、代表としてセンサ５０ｂについて説明する。図２に示すように、センサ５０ｂは、センサ本体５１と、レーザ光を照射する投光部５２と、基板Ｗからの反射光を受ける受光部５３とを備えている。投光部５２及び受光部５３は、センサ本体５１の上面に、搬送路Ａ１を移動する基板Ｗをレーザ光の投受光により検出することが可能に設けられている。この受光部５３により受光された反射光の光量（受光量）が検出信号として制御部７０に送信される。

液吐出部６０は、図１及び図２に示すように、センサ５０ｂに向けて液体を霧状に吐出する液吐出部である。この液吐出部６０は、センサ５０ｂの近傍に位置付けられ、搬送路Ａ１の下方に設けられている。液吐出部６０としては、例えば、シャワーノズルを用いることが可能である。液吐出部６０は、各シャワー４１ｂに接続された液供給管４２ｂに接続されており、液供給管４２ｂから供給された処理液（例えば薬液）を吐出する。このため、液吐出部６０は、処理部４０が使用する処理液と同じ処理液を吐出することになる。なお、液吐出部６０は、制御部７０による制御に応じて、処理部４０による基板処理中や基板処理待機中など常に処理液を吐出する。

前述のように、液吐出部６０から、処理部４０が使用する処理液と同じ処理液を吐出することにより、シャワー４１ａ、４１ｂから吐出される処理液と液吐出部６０から吐出される処理液とを同一のタンク４３に回収しても、処理液の濃度が変化したり、異なる処理液が混在したりすることがない。これにより、タンク４３に回収した処理液を、再度処理部４０での処理に使用することができる。

ここで、センサ５０ｂは、各シャワー４１ａ、４１ｂから吐出された処理液の到達範囲の近傍、すなわち、処理液が付着しやすい位置にある。通常、各シャワー４１ａ、４１ｂから吐出された処理液は、搬送路Ａ１を移動する基板Ｗ、あるいは、各ローラ３１や各シャフト３２などに当たる。このため、この処理液の一部は跳ね返ったり、舞い上がったりして、泡状又はミスト状の処理液が発生することになる。この泡状又はミスト状の処理液は、センサ５０ｂの投光部５２や受光部５３の表面に向かって進行し、投光部５２や受光部５３の表面の一部分に付着することがある。

泡状又はミスト状の処理液が投光部５２や受光部５３に付着すると、投光される光や受光される光が、付着した泡状又はミスト状の処理液によって散乱してしまい、付着した処理液が存在しなくなるまでの間、受光部５３の受光量が減ってしまう。これによって、基板Ｗが存在しているにもかかわらず、基板Ｗが無い場合の検知と同様の検知がなされてしまうことがある（詳細は後述する）。

また、泡状又はミスト状の処理液がセンサ５０ｂに付着してから、ある程度の時間が経過すると、投光部５２や受光部５３上で処理液が乾燥し、ウォーターマークができてしまう。あるいは、付着した処理液内に含まれていたパーティクルや薬液成分の一部が投光部５２や受光部５３上に留まってしまう。これによっても、上述したような誤検知が発生することがある。

そこで、本実施形態では、前述の液吐出部６０から、センサ５０ｂに向けて処理液を霧状に連続的に吐出している。このため、センサ５０ｂの投光部５２や受光部５３における少なくとも投光面及び受光面を含む表面は常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われている。例えば、図３又は図４に示すように、受光部５３の表面は、液吐出部６０により霧状に吐出された処理液によって覆われている。図３では、受光部５３の表面は、無数の微小な液滴により覆われている。また、図４では、受光部５３の表面は、液膜によって完全に覆われている。このような受光部５３の表面を覆う処理液は、液吐出部６０による処理液の供給に応じて連続的に流動することになる。なお、投光部５２の表面も、受光部５３の表面と同様、処理液によって覆われている（図示省略）。

このように、投光部５２及び受光部５３の表面は常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われているため、各シャワー４１ａ、４１ｂから吐出されて泡状又はミスト状になった処理液が、投光部５２や受光部５３の表面に付着しても、投光部５２や受光部５３の表面を覆っている処理液と一緒になって流れ落ちることになる。その後も、液吐出部６０から順次吐出される処理液により、投光部５２及び受光部５３の表面は流動する処理液に一様に覆われることになる。これにより、投光部５２や受光部５３の表面が泡状又はミスト状の処理液の付着やその後の乾燥によって汚染されることが抑えられる。なお、各シャワー４１ａ、４１ｂから吐出されて処理室２０内を舞い、泡状又はミスト状になった処理液は、投光部５２や受光部５３の表面付近でも舞うことになるが、液吐出部６０により順次吐出される霧状の処理液によって吹き飛ばされることもある。したがって、泡状又はミスト状の処理液が投光部５２や受光部５３の表面に到達して付着すること自体を抑えることができる。

ここで、液吐出部６０による処理液の吐出量や吐出速度などは、前述の投光部５２及び受光部５３の表面が常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われている状態を維持するように設定されている。また、液吐出部６０からの処理液の吐出量は、投光部５２及び受光部５３の表面に形成される液膜によって、投光部５２からの光が散乱しないようにする点も考慮して、予め決定されている。これにより、投光部５２及び受光部５３の表面が常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われている状態が、処理部４０による基板処理中や基板処理待機中など維持されることになる。

この投光部５２や受光部５３の表面が処理液により覆われている状態は、投光部５２や受光部５３の表面の疎水性や親水性によって左右されるが（図３や図４参照）、どちらの場合でも投光部５２や受光部５３の表面は流動する処理液に一様に覆われている。なお、必要に応じて、投光部５２や受光部５３の表面を意図的に疎水性又は親水性に加工することも可能である。ただし、その加工は疎水性であった方が、投光部５２や受光部５３の表面に処理液が留まりにくくなり、投光部５２や受光部５３の表面を常に同程度の量の処理液が付着した状態に保ちやすくなるため、より良い。

図１に戻り、制御部７０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）を備えている。この制御部７０は、各種情報や各種プログラムに基づいて、搬送部３０、処理部４０及び液吐出部６０を制御する。また、制御部７０は、各センサ５０ａ、５０ｂから送信される検出信号を受信する。

（基板処理）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理（基板処理工程）について説明する。

基板処理では、搬送部３０の各ローラ３１が回転し、それらのローラ３１上の基板Ｗは所定の搬送方向Ａ２に搬送され、搬送路Ａ１に沿って移動する。この搬送路Ａ１における液供給範囲には、基板Ｗの搬送前から予め、搬送路Ａ１の上方に位置する各シャワー４１ａから処理液が吐出されており、さらに、搬送路Ａ１の下方に位置する各シャワー４１ｂから処理液が吐出されている。処理液が搬送路Ａ１における液供給範囲に吐出されている状態で、基板Ｗがその液供給範囲を通過すると、基板Ｗの上下面（表裏面）に処理液が供給され、基板Ｗの上下面が処理液により処理される。

この基板処理中に、搬送路Ａ１を移動する基板Ｗは、搬入口２１側のセンサ５０ａによって検出され、その検出信号（受光量）が制御部７０に入力される。その後、基板Ｗは移動し、前述のように各シャワー４１ａ、４１ｂにより供給される処理液によって処理される。そして、基板Ｗが搬出口２２側のセンサ５０ｂの上方に位置すると、搬出口２２側のセンサ５０ｂにより検出され、その検出信号（受光量）が制御部７０に入力される。その後、次の処理対象の基板Ｗが搬送路Ａ１を移動してくると、前述と同様、搬入口２１側のセンサ５０ａにより検出され、その後、搬出口２２側のセンサ５０ｂにより検出される。これらの検出信号も制御部７０に入力される。以降の処理対象の基板Ｗも同様である。

制御部７０は、各センサ５０ａ、５０ｂからの検出信号（受光量）に基づいて、搬送路Ａ１上の基板Ｗの有無を検知する。例えば、制御部７０は、搬入口２１側のセンサ５０ａの受光量が所定のしきい値を超えたと判断した場合、センサ５０ａ上に基板Ｗが有ることを把握する。一方、受光量が所定のしきい値以下であると判断した場合には、センサ５０ａ上に基板Ｗが無いことを把握する。このような判断は、搬出口２２側のセンサ５０ｂの検出信号に基づいても同様に実行される。なお、所定のしきい値は、制御部７０の記憶部に予め設定されている。

さらに、制御部７０は、基板Ｗの有無に応じて、基板Ｗが安定して搬送されているか否かを判断する。例えば、制御部７０は、基板Ｗの搬送速度確認のため、搬入口２１側のセンサ５０ａの検出信号に基づき基板Ｗが有ることを把握してから、センサ５０ａの検出信号に基づき基板Ｗが無いことを把握するまでの時間が所定の許容範囲内であるか否かを判断する。さらに、制御部７０は、基板Ｗの搬送間隔確認のため、センサ５０ａの検出信号に基づき基板Ｗが無いことを把握してから、センサ５０ａの検出信号に基づき次の基板Ｗが有ることを把握するまでの時間が所定の許容範囲内であるか否かを判断する。このような判断は、搬出口２２側のセンサ５０ｂの検出信号に基づいても同様に実行される。これらの時間が所定の許容範囲内でないと判断した場合には、搬送中の基板Ｗの搬送速度や搬送間隔が正常でなく、搬送異常が発生したと判定し、例えば音や表示などにより搬送異常を報知し、基板Ｗの搬送を停止する。一方、前述の各時間が所定の許容範囲内であると判断した場合には、搬送は正常であると判定し、搬送を継続する。なお、前述の各所定の許容範囲はそれぞれ制御部７０の記憶部に予め設定されている。

ここで、前述の基板検知の基準値となるしきい値を設定するときの「しきい値設定有効幅」について図５を参照して説明する。図５は、基板検知条件ごとのセンサ受光量の推移を示す。

図５に示すように、基板検知条件としては、１〜４の４条件を用いた。基板検知条件１は処理液を吐出させずに基板Ｗを搬送させた場合であり、基板検知条件２は受光部５３に泡が付着した場合であり、基板検知条件３は受光部５３に異物が付着した場合であり、基板検知条件４は第１の実施形態を実施した場合である。

基板検知条件１では、各シャワー４１ａ、４１ｂからの吐出及び液吐出部６０からの吐出を行わず、処理室２０内を乾燥状態とした。この基板検知条件１において、センサ５０ｂの受光量は、基板Ｗが無い場合（基板無し）に最小値で、ほぼ０であり、基板Ｗが有る場合（基板有り）に最大値となる。基板無し有りのどちらの場合でもセンサ５０ｂの投光量・受光量は安定しており、しきい値設定有効幅は広い（しきい値設定有効幅＝ａ）。

基板検知条件２では、各シャワー４１ａ、４１ｂからの吐出を行い、液吐出部６０からの吐出を行わず、基板Ｗを搬送し、この条件において、投光部５２及び受光部５３に泡が付着したときのデータを取得した。この基板検知条件２において、センサ５０ｂの受光量は、基板Ｗが無い場合（基板無し）に基板検知条件１のセンサ５０ｂの受光量よりも少し大きくなり、基板Ｗが有る場合（基板有り）に不安定となる。投光部５２、あるいは受光部５３に付着した泡によって光が乱反射するため、基板有りの場合でセンサ５０ｂの投光量・受光量が不安定となる。このため、しきい値設定有効幅は基板検知条件１に比べ狭い（しきい値設定有効幅＝ｂ＜ａ）。

基板検知条件３では、前述の基板検知条件２と同様、各シャワー４１ａ、４１ｂからの吐出を行い、液吐出部６０からの吐出を行わず、基板Ｗを搬送し、この条件において、投光部５２及び受光部５３に異物が付着したときのデータを取得した。この基板検知条件３において、センサ５０ｂの受光量は、基板Ｗが無い場合（基板無し）及び基板Ｗが有る場合（基板有り）のどちらでも不安定となる。異物によって投光部５２から出射する光、あるいは受光部５３に入射する光が遮られるため、基板無し有りのどちらの場合でもセンサ５０ｂの投光量・受光量が不安定となる。このため、しきい値設定有効幅は基板検知条件２に比べ狭い（しきい値設定有効幅＝ｃ＜ｂ＜ａ）。

基板検知条件４は、本実施形態を実施した場合である。すなわち、各シャワー４１ａ、４１ｂからの吐出を行うとともに、液吐出部６０からの吐出を行う。つまり、投光部５２及び受光部５３の表面は常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われた状態となる。この基板検知条件４において、センサ５０ｂの受光量は、基板Ｗが無い場合（基板無し）に基板検知条件１のセンサ受光量よりも少し大きくなり、基板Ｗが有る場合（基板有り）に最大値となる。このとき、基板無し有りのどちらの場合でもセンサ５０ｂの投光量・受光量は安定しているため、しきい値設定有効幅は基板検知条件２、３に比べ広い（しきい値設定有効幅＝ｄ＞ｂ＞ｃ）。また、しきい値設定有効幅は基板検知条件１より狭いが、基板検知条件１に近い（しきい値設定有効幅＝ｄ＜ａ）。

この基板検知条件４によれば、処理液が霧状にセンサ５０ｂに向けて吐出されているため、センサ５０ｂの投光部５２及び受光部５３の表面は常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われている。このため、各シャワー４１ａ、４１ｂから吐出されて泡状又はミスト状になった処理液が処理室２０内を舞い、投光部５２や受光部５３の表面に付着しても、投光部５２や受光部５３の表面を覆っている処理液と一緒になって流れ落ちることになる。これにより、投光部５２や受光部５３の表面が泡状又はミスト状の処理液の付着やその後の乾燥によって汚染されることを抑えることが可能となる。このようにして、基板無し有りのどちらの場合でもセンサ５０ｂの投光量・受光量が安定するため、前述のようにしきい値設定有効幅も基板検知条件２、３に比べて広く、基板Ｗの誤検知の発生を抑制することができる。

なお、基板検知条件４では、基板Ｗが無い場合にセンサ受光量が基板検知条件１より少し大きくなるが、これは、投光部５２から照射された光の一部が、投光部５２の表面を覆う処理液により反射され、反射光の一部が受光部５３により受光されるためである。投光部５２や受光部５３の表面は常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われているため、前述のような反射現象は生じるが、基板検知条件４における基板Ｗが無い場合のセンサ受光量はほぼ一定となっている。つまり、投光部５２や受光部５３の表面が流動する処理液に一様に処理液により覆われていれば、基板無し有りのどちらの場合でもセンサ５０ｂの投光量・受光量は安定するため、しきい値設定有効幅が狭くなることを抑制することができる。したがって、投光部５２や受光部５３の表面は常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われていることが重要である。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、液吐出部６０から処理液が霧状にセンサ５０ｂに向けて吐出されている。これにより、センサ５０ｂの投光部５２及び受光部５３の表面は常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われることになるため、各シャワー４１ａ、４１ｂから吐出されて泡状又はミスト状になった処理液が、投光部５２や受光部５３の表面に付着しても、投光部５２や受光部５３の表面を覆っている処理液と一緒になって流れ落ちることになる。このため、投光部５２や受光部５３の表面が泡状又はミスト状の処理液の付着やその後の乾燥によって汚染されることを抑えることが可能となり、センサ５０ｂの投光量・受光量が安定するため、基板Ｗの誤検知の発生を抑制することができる。これにより、搬送路Ａ１上の基板Ｗの有無を正確に検知し、基板Ｗを安定して搬送することが可能となるので、センサ５０ｂの汚染による基板処理効率の低下を抑えることができる。

＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について図６を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、その他の説明を省略する。

第２の実施形態では、図６に示すように、搬送路Ａ１の上方に位置する各シャワー４１ａのうち、基板Ｗの搬送方向Ａ２の最下流側のシャワー４１ａは、吐出した処理液がセンサ５０ｂにかかるように傾斜して設けられている。このため、基板Ｗの搬送方向Ａ２の最下流側のシャワー４１ａは、搬送路Ａ１及びセンサ５０ｂに向けて処理液を吐出することになる。したがって、基板Ｗの搬送方向Ａ２の最下流側のシャワー４１ａが第１の実施形態に係る液吐出部６０として機能するため、第１の実施形態に係る液吐出部６０は不要となる。

この基板Ｗの搬送方向Ａ２の最下流側のシャワー４１ａによれば、処理液がセンサ５０ｂに向けて吐出されているため、少なくとも、センサ５０ｂの真上に基板Ｗが位置しないときには、センサ５０ｂの投光部５２及び受光部５３の表面が常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液により一様に覆われることになる。このため、各シャワー４１ａ、４１ｂから吐出されて泡状又はミスト状になった処理液が、投光部５２や受光部５３の表面に付着しても、投光部５２や受光部５３の表面を覆っている処理液と一緒になって流れ落ちることになる。これにより、投光部５２や受光部５３の表面が泡状又はミスト状の処理液の付着やその後の乾燥によって汚染されることを抑えることができる。このようにして、センサ５０ｂの投光量・受光量が安定し、基板Ｗの誤検知の発生を抑制することが可能となるので、搬送路Ａ１上の基板Ｗの有無を正確に検知することができる。

以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、基板Ｗの搬送方向Ａ２の最下流側のシャワー４１ａが第１の実施形態に係る液吐出部６０として機能するため、第１の実施形態に係る液吐出部６０を不要とし、装置構成の簡略化を実現することができる。

＜他の実施形態＞
前述の実施形態においては、ローラ３１をシャフト３２に設け、一本の搬送ローラを構成することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、一つのシャフト３２に対し、一本の円筒状の搬送ローラを用いることも可能である。

また、前述の実施形態においては、シャワー４１を搬送路Ａ１の上方及び下方に設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、基板Ｗの上面だけを処理する場合、搬送路Ａ１の上方だけに設けることも可能である。

また、前述の実施形態においては、各センサ５０ａ、５０ｂとして反射型センサを用いることを例示したが、これに限るものではなく、透過型センサや回帰反射型センサなどを用いることも可能である。すなわち、各センサ５０ａ、５０ｂとしては、搬送部３０により移動する基板Ｗによる光の反射又は遮断によって基板Ｗを検出することが可能なセンサを用いることができる。なお、透過型センサを用いた場合には、投光部と受光部が搬送方向Ａ２に水平面内で交差する方向（例えば直交する方向）において搬送路Ａ１を挟むように配置されるため、投光部及び受光部に対応させて個別に液吐出部６０を設けることが望ましい。

また、前述の実施形態においては、液吐出部６０を処理室２０内のセンサ５０ｂに対して設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、処理室２０内のセンサ５０ａに対して設けることも可能である。シャワー４１からの処理液は、処理室２０内を舞い、雰囲気となって処理室２０全体に存在している。これによってセンサ５０ａの表面に泡状又はミスト状になった処理液が付着することもある。したがって、比較的シャワー４１の近くに設けられているセンサ５０ｂに限らず、センサ５０ａにも液吐出部６０を設けることが有効である。

また、薬液処理室以外の水洗処理室や乾燥室（例えば気体吹き付けによる乾燥室）などのセンサに対して液吐出部６０を設けることも可能である。例えば乾燥室においては、基板に気体を吹き付けることによって基板上に存在する液体を吹き飛ばす処理が行われる場合があるが、このとき、吹き飛ばされた液体が処理室内を舞い、センサに付着することがある。このため、基板に向けて処理液を吐出する処理を行わない処理工程においても、液吐出部６０を設けることが有効である。

また、前述の実施形態においては、液吐出部６０は液体を霧状に吐出することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、液体をシャワー状に吐出することも可能である。この吐出する液体としては、処理部４０が使用する処理液を用いているが、これに限るものではなく、処理部４０が使用する処理液と異なる種類の処理液、あるいは、純水など、各種の液体を用いることが可能である。

また、前述の実施形態においては、液吐出部６０は、処理部４０による基板Ｗの処理中、常に液体を吐出することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、処理部４０による基板Ｗの処理中、間欠的に液体を吐出することも可能であり、また、処理部４０による基板Ｗの処理中以外にも、液体を吐出することも可能である。すなわち、基板Ｗの処理中においてセンサ５０ｂの投光部５２及び受光部５３の表面が液体により覆われた状態を維持することが可能であれば、液吐出部６０の液吐出タイミングは特に限定されるものではない。

また、前述の実施形態においては、液吐出部６０は、液供給管４２ｂに接続されていることを例示したが、これに限るものではなく、液吐出部６０専用の液供給管を備えていても良い。

また、前述の実施形態においては、センサ５０は投光部５２及び受光部５３が露出しており、この投光部５２及び受光部５３に対して液吐出部６０からの処理液を吐出することを例示したが、これに限るものではない。例えば、センサ５０の投光部５２及び受光部５３がカバーガラスで覆われており、このカバーガラスの表面に対して液吐出部６０からの処理液を吐出するようにしても良い。あるいは、カバーガラスを傾斜させて設けるとともに、このカバーガラスの表面に対して液吐出部６０からの処理液を吐出するようにしても良い。カバーガラスが傾斜して設けられることにより、センサ５０に付着した泡状又はミスト状の処理液がその自重でカバーガラスから落下するので、カバーガラス上に液膜が形成されにくく、誤検知を防ぐことができる。

ここで、前述の実施形態において例示した基板処理装置１０のような基板処理装置においては、シャワー４１のような、処理液を吐出するツールを処理室２０の搬入口２１や搬出口２２の近傍には設けない。これは、処理室２０に隣接する他の処理室にシャワー４１からの処理液が侵入することを防ぐためである。したがって、液吐出部６０の液吐出領域は、センサ５０ａ、５０ｂの受光部５２及び投光部５３の表面近傍に限るようにすることが好ましい。つまり、投光部５２及び受光部５３の表面が常に連続的に処理液が流動している状態に保たれ、この流動している処理液に一様に覆われてさえいればよいのであって、搬送されている基板Ｗや処理室２０の外へ液吐出部６０からの処理液が及ぶことがないよう、液吐出部６０から吐出される処理液の流量を調節することが好ましい。また、処理室２０の内側に向けて液体を吐出するように液吐出部６０を設けることも好ましい。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０ 基板処理装置
３０ 搬送部
４０ 処理部
４３ タンク
４４ 回収管
６０ 液吐出部
５０ｂ センサ
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 基板を搬送する搬送部と、
   前記搬送部により移動する前記基板に向けて処理液を吐出するツールを有し、前記基板を前記ツールから吐出された処理液により処理する処理部と、
   前記搬送部により移動する前記基板を光により検出するセンサと、
   前記センサに向けて液体を吐出する液吐出部と、
   を備え、
   前記液吐出部は、前記ツールとは別に設けられることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理部で使用された処理液を回収するための回収管と、
   前記回収管によって回収された前記処理液を貯留するタンクと、
   を備え、
   前記処理部は、前記タンクに回収されて貯留された前記処理液を再度処理に使用することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記液吐出部は、前記処理部による前記基板の処理中、常に前記液体を吐出することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記液体は、前記処理液と同じ処理液であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 基板を搬送部により搬送する工程と、
   前記搬送部により移動する前記基板に向けて処理液を吐出するツールを有する処理部を用いて、前記搬送部により移動する前記基板を処理する工程と、
   前記搬送部により移動する前記基板を光により検出するセンサを用いて、前記搬送部により移動する前記基板の有無を検知する工程と、
   前記ツールとは別に設けられた前記センサに向けて液体を吐出する液吐出部を用いて、前記センサに対して前記液体を供給する工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
6. 前記処理部で使用された処理液を回収管により回収する工程と、
   前記回収管によって回収された前記処理液をタンクに貯留する工程と、
   前記タンクに回収されて貯留された前記処理液を前記ツールにより吐出し、前記搬送部により移動する基板を処理する工程と、
   を有することを特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
7. 前記液体を供給する工程では、前記処理部による前記基板の処理中、常に前記液吐出部から前記液体を吐出することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の基板処理方法。
8. 前記液体を供給する工程では、前記液体として、前記処理液と同じ処理液を供給することを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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