JP6786429B2 - Substrate processing equipment, substrate processing system, and substrate processing method - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 155
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 154
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 407
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 12
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 364
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 114
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 58
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 24
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 21
- 101100422889 Arabidopsis thaliana SWI3A gene Proteins 0.000 description 20
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 12
- 102100025064 Cellular tumor antigen p53 Human genes 0.000 description 11
- 101000721661 Homo sapiens Cellular tumor antigen p53 Proteins 0.000 description 11
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 11
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 5
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 5
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
この発明は、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等(以下、単に「基板」という)に、処理を施す基板処理技術に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a glass substrate for a photomask, a substrate for a solar cell, and the like (hereinafter, It relates to a substrate processing technique for processing a substrate (simply referred to as a "board").
特許文献1には、薬液を貯留し、ロットを収容して薬液による処理を行う薬液処理部と、投入されたロットの受け渡し位置と薬液処理部との間でロットを搬送する搬送部とを備える基板処理装置が示されている。当該装置は、ロットの投入から所定時間後に、薬液交換に要する時間やロットの搬送時間を考慮して、薬液処理部に薬液交換を指示し、薬液処理部は、その指示により薬液交換を開始する。当該装置は、薬液交換からロットの処理の開始までの時間が許容時間を超えた場合にはアラームを発生させることによってロットの処理不良を防止することを図っている。 Patent Document 1 includes a chemical solution processing unit that stores a chemical solution, stores the lot and performs treatment with the chemical solution, and a transport unit that transports the lot between the delivery position of the input lot and the chemical solution processing unit. A substrate processing device is shown. After a predetermined time from the loading of the lot, the apparatus instructs the chemical solution processing unit to exchange the chemical solution in consideration of the time required for the chemical solution exchange and the transport time of the lot, and the chemical solution processing unit starts the chemical solution exchange according to the instruction. .. When the time from the chemical solution exchange to the start of lot processing exceeds the permissible time, the device is intended to prevent poor lot processing by generating an alarm.
しかしながら、特許文献1の基板処理装置では、薬液処理部は、薬液交換を指示されると、薬液処理部への薬液の供給が可能であるか否かに拘わらず薬液交換を開始する。このため、薬液の供給が不可能である場合には、薬液処理部から薬液が排出された後に、新しい薬液が薬液処理部に供給されるまでの時間が長くなる。これにより、薬液処理部の処理槽に付着している薬液が乾燥してパーティクルが発生するといった問題がある。 However, in the substrate processing apparatus of Patent Document 1, when the chemical solution treatment unit is instructed to exchange the chemical solution, the chemical solution exchange is started regardless of whether or not the chemical solution can be supplied to the chemical solution treatment unit. Therefore, when it is impossible to supply the chemical solution, it takes a long time for the new chemical solution to be supplied to the chemical solution treatment section after the chemical solution is discharged from the chemical solution treatment section. As a result, there is a problem that the chemical solution adhering to the treatment tank of the chemical solution treatment unit dries and particles are generated.
本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、処理槽に貯留された薬液の交換の際に薬液供給源が薬液を供給できない場合に処理槽におけるパーティクルの発生を抑制できる基板処理技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and is a substrate processing technique capable of suppressing the generation of particles in a treatment tank when the chemical solution supply source cannot supply the chemical solution when exchanging the chemical solution stored in the treatment tank. The purpose is to provide.
上記の課題を解決するために、第1の態様に係る基板処理装置は、所定の薬液供給源から供給される薬液によって基板を処理する基板処理装置であって、前記薬液供給源から供給される薬液を貯留し前記薬液に基板を浸漬させることにより前記基板に所定の処理を行う処理槽と、前記処理槽に貯留された前記薬液を前記処理槽から排出する排出動作を行う排出部と、前記処理槽に貯留された薬液の交換に際して前記排出部に前記排出動作を行わせる排出制御部と、前記排出制御部が前記排出部に前記排出動作を行わせる前に前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能であるか否かを判定する判定処理を行う判定部と、を備え、前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能であると前記判定部が前記判定処理において判定した場合には、前記排出制御部が前記排出部に前記排出動作を開始させる。 In order to solve the above problems, the substrate processing apparatus according to the first aspect is a substrate processing apparatus that processes a substrate with a chemical solution supplied from a predetermined chemical solution supply source, and is supplied from the chemical solution supply source. A treatment tank that stores a chemical solution and immerses the substrate in the chemical solution to perform a predetermined treatment on the substrate, a discharge unit that performs a discharge operation of discharging the chemical solution stored in the treatment tank from the treatment tank, and the discharge unit. A discharge control unit that causes the discharge unit to perform the discharge operation when exchanging the chemical solution stored in the treatment tank, and a discharge control unit that causes the discharge unit to perform the discharge operation before the discharge unit performs the discharge operation. A determination unit that performs a determination process for determining whether or not supply is possible is provided, and when the determination unit determines in the determination process that the chemical solution can be supplied by the chemical solution supply source, the determination unit is provided. The discharge control unit causes the discharge unit to start the discharge operation.
第2の態様に係る基板処理装置は、第1の態様に係る基板処理装置であって、前記処理槽に貯留された前記薬液を前記処理槽から排出して再び前記処理槽に戻すことにより前記薬液を循環させる循環系、をさらに備える。 The substrate processing apparatus according to the second aspect is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the chemical solution stored in the processing tank is discharged from the processing tank and returned to the processing tank again. It also has a circulatory system that circulates the drug solution.
第3の態様に係る基板処理装置は、第2の態様に係る基板処理装置であって、前記循環系は、前記薬液を濾過するフィルターを備える。 The substrate processing apparatus according to the third aspect is the substrate processing apparatus according to the second aspect, and the circulation system includes a filter for filtering the chemical solution.
第4の態様に係る基板処理装置は、第2または第3の態様に係る基板処理装置であって、前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能でないと前記判定部が前記判定処理において判定した場合に、前記処理槽への前記薬液の循環を前記循環系に行わせる循環制御部をさらに備える。 The substrate processing apparatus according to the fourth aspect is the substrate processing apparatus according to the second or third aspect, and the determination unit determines in the determination process that the chemical solution cannot be supplied by the chemical solution supply source. In this case, the circulation control unit for causing the circulation system to circulate the chemical solution to the treatment tank is further provided.
第5の態様に係る基板処理装置は、第1から第4の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記薬液を加熱するヒーター、をさらに備える。 The substrate processing apparatus according to the fifth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, and further includes a heater for heating the chemical solution.
第6の態様に係る基板処理装置は、第5の態様に係る基板処理装置であって、前記薬液供給源が前記薬液を供給することができないと前記判定部が前記判定処理において判定した場合に、前記ヒーターを作動させる加熱制御部、をさらに備える。 The substrate processing apparatus according to the sixth aspect is the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, and when the determination unit determines in the determination process that the chemical solution supply source cannot supply the chemical solution. Further, a heating control unit for operating the heater is provided.
第7の態様に係る基板処理システムは、第1から第6の何れか1つの態様に係る基板処理装置と、前記薬液供給源と、を備える。 The substrate processing system according to the seventh aspect includes the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects and the chemical solution supply source.
第8の態様に係る基板処理方法は、所定の薬液供給源から供給される薬液によって基板を処理する基板処理方法であって、前記薬液供給源が供給する薬液を貯留する処理槽から前記薬液を排出する排出ステップと、前記処理槽に貯留された薬液の交換に際して、前記薬液供給源が前記薬液を供給可能であるか否かを前記排出ステップに先立って判定する判定ステップと、を備え、前記排出ステップは、前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能であると前記判定ステップにおいて判定された場合に、前記処理槽から前記薬液の排出を開始するステップである。 The substrate treatment method according to the eighth aspect is a substrate treatment method for treating a substrate with a chemical solution supplied from a predetermined chemical solution supply source, and the chemical solution is prepared from a treatment tank for storing the chemical solution supplied by the chemical solution supply source. The discharge step for discharging and a determination step for determining whether or not the chemical solution supply source can supply the chemical solution at the time of exchanging the chemical solution stored in the treatment tank are provided prior to the discharge step. The discharge step is a step of starting the discharge of the chemical solution from the treatment tank when it is determined in the determination step that the chemical solution can be supplied by the chemical solution supply source.
第9の態様に係る基板処理方法は、第8の態様に係る基板処理方法であって、前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能でないと前記判定ステップにおいて判定された場合に、前記処理槽への前記薬液の循環を行わせる循環ステップをさらに備える。 The substrate processing method according to the ninth aspect is the substrate processing method according to the eighth aspect, and when it is determined in the determination step that the chemical solution cannot be supplied by the chemical solution supply source, the processing tank. Further provided is a circulation step for causing the circulation of the drug solution to.
第10の態様に係る基板処理方法は、第8または第9の態様に係る基板処理方法であって、前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能でないと前記判定ステップにおいて判定された場合に、前記薬液を加熱する加熱ステップをさらに備える。 The substrate processing method according to the tenth aspect is the substrate processing method according to the eighth or ninth aspect, and when it is determined in the determination step that the chemical solution cannot be supplied by the chemical solution supply source. A heating step for heating the chemical solution is further provided.
第1の態様に係る発明によれば、判定部は、排出制御部が排出部に排出動作を行わせる前に薬液供給源による薬液の供給が可能であるか否かを判定する判定処理を行い、薬液供給源による薬液の供給が可能であると判定部が判定処理において判定した場合には、排出制御部が排出部に排出動作を開始させる。従って、薬液供給源が薬液を供給できない場合、排出部は排出動作を開始せず、処理槽に付着した薬液が長時間にわたって露出することを抑制できるので処理槽におけるパーティクルの発生を抑制できる。 According to the invention according to the first aspect, the determination unit performs a determination process for determining whether or not the chemical solution can be supplied by the chemical solution supply source before the discharge control unit causes the discharge unit to perform the discharge operation. When the determination unit determines in the determination process that the chemical solution can be supplied by the chemical solution supply source, the discharge control unit causes the discharge unit to start the discharge operation. Therefore, when the chemical solution supply source cannot supply the chemical solution, the discharge unit does not start the discharge operation, and the chemical solution adhering to the treatment tank can be suppressed from being exposed for a long period of time, so that the generation of particles in the treatment tank can be suppressed.
第4の態様に係る発明によれば、判定処理において薬液供給源による薬液の供給が可能でないと判定された場合に、循環制御部は、処理槽への薬液の循環を循環系に行わせる。従って、薬液供給源が薬液を供給できない期間においても処理槽内の薬液の均一性を向上できる。 According to the invention according to the fourth aspect, when it is determined in the determination process that the chemical solution cannot be supplied by the chemical solution supply source, the circulation control unit causes the circulation system to circulate the chemical solution to the treatment tank. Therefore, the uniformity of the chemical solution in the treatment tank can be improved even during the period when the chemical solution supply source cannot supply the chemical solution.
第6の態様に係る発明によれば、判定処理において薬液供給源による薬液の供給が可能でないと判定部が判定した場合に、加熱制御部はヒーターを作動させる。従って、薬液供給源が薬液を供給できない期間においても処理槽内の薬液を加熱できる。これにより、薬液の粘度の増加を抑制できる。 According to the invention according to the sixth aspect, when the determination unit determines that the chemical solution cannot be supplied by the chemical solution supply source in the determination process, the heating control unit operates the heater. Therefore, the chemical solution in the treatment tank can be heated even during the period when the chemical solution supply source cannot supply the chemical solution. As a result, an increase in the viscosity of the chemical solution can be suppressed.
第8の態様に係る発明によれば、処理槽に貯留された薬液の交換を開始する前に判定ステップが実行される。判定ステップにおいて、薬液供給源から薬液の供給が可能であると判定された場合には、排出ステップが実行されて処理槽から薬液の排出が開始される。従って、薬液供給源が薬液を供給できない場合には、処理槽からの薬液の排出は開始されない。これにより、処理槽に付着した薬液が長時間にわたって露出することを抑制できるので処理槽におけるパーティクルの発生を抑制できる。 According to the invention according to the eighth aspect, the determination step is executed before starting the exchange of the chemical solution stored in the treatment tank. When it is determined in the determination step that the chemical solution can be supplied from the chemical solution supply source, the discharge step is executed and the discharge of the chemical solution from the treatment tank is started. Therefore, if the chemical solution supply source cannot supply the chemical solution, the discharge of the chemical solution from the treatment tank is not started. As a result, it is possible to prevent the chemical solution adhering to the treatment tank from being exposed for a long period of time, so that the generation of particles in the treatment tank can be suppressed.
第9の態様に係る発明によれば、判定ステップにおいて薬液供給源から薬液の供給が可能でないと判定された場合には、循環ステップが実行されて処理槽への薬液の循環が行われる。従って、薬液供給源が薬液を供給できない期間においても処理槽内の薬液の均一性を向上できる。 According to the invention according to the ninth aspect, when it is determined in the determination step that the chemical solution cannot be supplied from the chemical solution supply source, the circulation step is executed to circulate the chemical solution to the treatment tank. Therefore, the uniformity of the chemical solution in the treatment tank can be improved even during the period when the chemical solution supply source cannot supply the chemical solution.
第10の態様に係る発明によれば、判定ステップにおいて薬液供給源から薬液の供給が可能でないと判定された場合には、加熱ステップが実行されて薬液が加熱される。従って、薬液供給源が薬液を供給できない期間においても処理槽内の薬液を加熱できる。これにより、薬液の粘度の増加を抑制できる。 According to the invention according to the tenth aspect, when it is determined in the determination step that the chemical solution cannot be supplied from the chemical solution supply source, the heating step is executed to heat the chemical solution. Therefore, the chemical solution in the treatment tank can be heated even during the period when the chemical solution supply source cannot supply the chemical solution. As a result, an increase in the viscosity of the chemical solution can be suppressed.
以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. The following embodiments are examples that embody the present invention, and are not examples that limit the technical scope of the present invention.
<1.基板処理装置1(基板処理システム100)の構成>
図1は、実施形態に係る基板処理装置1を備えた基板処理システム100の概略構成の一例を示す平面図である。図2は、基板処理システム100の概略構成の一例を示すブロック図である。
<1. Configuration of board processing device 1 (board processing system 100)>
FIG. 1 is a plan view showing an example of a schematic configuration of a
基板処理システム100は、例えば、基板Wに対して薬液処理、純水洗浄処理、乾燥処理を行うための装置である。基板処理システム100は、基板処理装置1と、基板処理装置1に対して供給配管67を介して薬液を供給する薬液供給源65と、を含む。基板処理装置1は、投入部3と、払出部7と、第1搬送機構CTCと、第2搬送機構WTRと、乾燥処理部LPDと、第1処理部19と、第2処理部21とを含んでいる。薬液供給源65の詳細な構造については後述する。
The
投入部3はカセット2を載置するための二つの載置台5を備えている。載置台5には未処理の基板Wが収納されたカセット2が載置される。カセット2は、複数枚(例えば25枚)を水平姿勢で収納する。例えば、このカセット2内の複数枚の基板Wは、基板処理装置1において処理の単位となる1ロットとして取り扱われる。但し、1枚の基板Wであってもカセット2に収容され、それが1ロットとして扱われることもある。
The
投入部3に隣接する位置には払出部7が配備されている。払出部7は、カセット2を載置するための載置台9を二つ備えている。基板処理装置1によって基板処理が行われた基板Wは載置台9上のカセット2に収容される。1ロット分の基板Wがカセット2に収容されると、このカセット2は図示しないカセット搬送ロボットによって載置台9から基板処理装置1の外部に払い出される。
A
投入部3と払出部7に沿う位置には、これらの間で移動可能に構成された第1搬送機構CTCが配備されている。第1搬送機構CTCは、投入部3に載置されたカセット2に収納されているロットを取り出した後、第2搬送機構WTRに対してロットを搬送する。また、第1搬送機構CTCは、第2搬送機構WTRから処理済のロットを受け取った後、ロットをカセット2に収納する。第2搬送機構WTRは、基板処理装置1の長手方向に移動可能である。なお、第1搬送機構CTCは、カセット2から基板Wを搬出する際にカセット2に収納されている基板Wの枚数を計数する。換言すると、第1搬送機構CTCはロットを認識するとともに、それを構成している基板Wの枚数を認識する。第1搬送機構CTCによる計数値は、制御部25に送信され、処理槽41内が貯留する薬液の交換タイミングが到達したか否かを判定する際に用いられる。上記では基板処理装置1に投入されたロット数、若しくは基板Wの枚数は第1搬送機構CTCによって計数されるが、第1搬送機構CTC以外の要素、例えば第2基板搬送機構WTRによって計数されるようにしてもよい。
A first transport mechanism CTC configured to be movable between the charging
未処理基板Wの搬送時における第2搬送機構WTRの移動方向における最も手前側には、複数枚の基板Wを低圧のチャンバ内に収納して乾燥させるための乾燥処理部LPDが設けられている。乾燥処理部LPDは、低圧のチャンバ内にロットを収容して乾燥させる。 A drying processing unit LPD for storing and drying a plurality of substrates W in a low-pressure chamber is provided on the foremost side in the moving direction of the second transport mechanism WTR when the unprocessed substrate W is transported. .. The drying processing unit LPD accommodates the lot in a low-pressure chamber and dries it.
乾燥処理部LPDに隣接し、乾燥処理部LPDを挟んだ第1搬送機構CTCの反対側には、第1処理部19が配置されている。この第1処理部19は、純水洗浄処理部ONB1と薬液処理部CHB1とを備えている。純水洗浄処理部ONB1は、ロットに対して純水洗浄処理を行う。薬液処理部CHB1は、ロットに対して薬液処理を行う。また、第1処理部は、副搬送機構LFS1を備えている。この副搬送機構LFS1は、第2搬送機構WTRとの間でロットを受け渡すとともに、純水洗浄処理部ONB1と薬液処理部CHB1の位置でのみ昇降可能である。
The
第1処理部19に隣接した位置には、第2処理部21が配置されている。第2処理部21は、上述した第1処理部19と同じ構成である。つまり、第2処理部21は、純水洗浄処理部ONB2と、薬液処理部CHB2と、副搬送機構LFS2とを備えている。
The
第1搬送機構CTC、第2搬送機構WTR、副搬送機構LFS1、LFS2は、基板W(ロット)を搬送する基板搬送機構6である。
The first transfer mechanism CTC, the second transfer mechanism WTR, the auxiliary transfer mechanisms LFS1 and LFS2 are
載置台5の側面には、指示部23が付設されている。この指示部23は、装置のオペレータによって操作される。オペレータは、この指示部23を操作して、例えば、ロットを処理するための手順を規定したレシピと、載置台5に載置したカセット2のロットとを対応づけるためにレシピ番号を指示する。
An
上記のように構成された基板処理システム100は、図2のブロック図に示すように制御部25によって統括的に制御される。
The
制御部25は、図示しないCPUやスケジューリング部などを備えている。制御部25には、メモリ31が電気的に接続されている。メモリ31は、スケジュールを作成するプログラムPG1と、作成されたスケジュールと、スケジュールを実行するプログラムPG2などを記憶している。スケジュールを作成するプログラムPG1は、指示部23で指示されたレシピに基づいてロットをどのようなタイミングで各処理部に搬送するかを規定する。制御部25のCPUは、プログラムPG2を実行することによって、排出制御部26、判定部27、循環制御部28、加熱制御部29としても動作する。
The
また、メモリ31は、例えば、処理槽41に貯留された薬液によって処理することが許容される基板Wの処理枚数やロットの個数を規定した「ライフカウント」と、薬液が新たに生成されてから当該薬液を使用可能な期間を規定した「ライフタイム」をさらに記憶している。ライフタイムとライフカウントとは、予め、実験などによって定められる。ライフカウントとして、後述する部分液交換に使用されるライフカウントと、後述する全液交換に使用されるライフカウントとがメモリ31に記憶されてもよい。
Further, the
排出制御部26は、薬液処理部CHB1(CHB2)の処理槽41に貯留された薬液の交換に際して、後述する排出部84に排出動作を行わせる。判定部27は、排出制御部26が排出部84に排出動作を行わせる前に、薬液供給源65が薬液を供給可能であるか否かを判定する判定処理を実行する。薬液供給源65が薬液を供給可能であると判定された場合、排出制御部26は排出部84に排出動作を開始させる。
The discharge control unit 26 causes the
薬液供給源65が薬液を供給不可能であると判定部27が判定処理において判定した場合に、循環制御部28は、処理槽41への薬液の循環を、後述する循環系52に行わせる。
When the
また、制御部25には報知部33が電気的に接続されている。報知部33は、例えば、発光することにより報知するランプや、音声により報知するブザーやスピーカなどである。薬液供給源65が上記の判定処理を行っている間に所定の待ち時間が経過すると、報知部33は、発光や音声により、待ち時間が経過したことを報知する。
Further, the
図3は、基板処理システム100の概略構成の一例を示す模式図である。基板処理システム100は、基板処理装置1と薬液供給源65とを備えている。薬液供給源65は、基板処理装置1の外部に設けられた装置であって、基板処理装置1の外部から基板処理装置1に薬液を供給する。基板処理装置1は、薬液供給源65から供給される薬液によって基板Wを処理する。この基板処理システム100では、基板処理装置1の外部に薬液供給源65を配置しているが、基板処理装置1の内部に薬液供給源65を配置してもよい。
FIG. 3 is a schematic view showing an example of a schematic configuration of the
この基板処理装置1は薬液処理部CHB1(CHB2)と、制御部25と、メモリ31とを備えている。薬液処理部CHB1(CHB2)は、処理槽41と、保持アーム47とを備えている。処理槽41は、薬液供給源65が供給する薬液を貯留し、この薬液に基板Wを浸漬させることにより所定の処理を行う。処理槽41は、内槽43と、内槽43から溢れた薬液を回収する外槽45とを備えている。保持アーム47は、ロットを構成する複数の基板Wを起立姿勢で当接支持する。保持アーム47は、昇降可能に構成されており、支持した基板Wを内槽43内の処理位置と、内槽43の上方の待機位置との間で昇降させる。上述した副搬送機構LFS1(LFS2)は、この保持アーム47を備えている。
The substrate processing device 1 includes a chemical solution processing unit CHB1 (CHB2), a
薬液処理部CHB1(CHB2)は、循環系52と、排出部84とをさらに備えている。循環系52は、処理槽41に貯留された薬液を処理槽41から排出して循環配管53を介して再び処理槽41に戻すことにより薬液を循環させることができるように構成されている。排出部84は、処理槽41に貯留された薬液を処理槽41から排出する排出動作を行うことができるように構成されている。
The chemical treatment unit CHB1 (CHB2) further includes a
処理槽41の内槽43は、薬液を供給するための一対の噴出管49を底部に備えている。また、外槽45は、回収した薬液を排出するための排出口51を底部に備えている。噴出管49と排出口51とは、循環配管53で連通接続されている。この循環配管53には、排出口51側から順に、ポンプ55と、ヒーター57と、フィルター59とが配設されている。内槽43から外槽45に溢れた薬液は、ポンプ55が作動することによって排出口51から循環配管53に導かれ、循環配管53を経て一対の噴出管49から内槽43内に流入する。これにより、処理槽41内の薬液は、排出口51から循環配管53を経て一対の噴出管49から再び処理槽41内に循環する。循環系52は、排出口51と、循環配管53と、一対の噴出管49と、ポンプ55とを備えて構成されている。
The
例えば、ヒーター57は、循環配管53を流通する薬液を加熱する機能を備えており、加熱制御部29の制御下で当該薬液を所定の範囲の温度(例えば、120〜180℃)に加熱する。フィルター59は、循環配管53を流れる薬液を濾過することによって薬液中のパーティクル等を除去する機能を備えている。なお、循環配管53のうち、排出口51とポンプ55との間には開閉弁61が配設され、ポンプ55とヒーター57との間には開閉弁63が配設されている。
For example, the
薬液供給源65には、供給配管67の一端側が連通接続されている。供給配管67には、流量制御が可能な制御弁69が配設されている。供給配管67の他端側は、外槽45の上部に設けられたノズル71と連通接続されている。ノズル71は、外槽45に対向する吐出口を備える。薬液供給源65から供給された薬液は、供給配管67を通って、制御弁69の開度によって定まる流量でノズル71から外槽45に供給される。
One end side of the
上述した循環配管53のうち、ポンプ55と開閉弁63との間には、分岐部73が配設されている。循環配管53のうち分岐部73よりも上流側部分は、外槽45内の薬液を排出する用途にも用いられる。また、内槽43の底部には、内槽43内の薬液を排出する際に使用する底部排出口75が形成されている。この底部排出口75と、循環配管53のうちポンプ55よりも上流側の一部とは、底部排出管77によって連通接続されている。この底部排出管77には、開閉弁79が配設されている。分岐部73には、循環配管53を流れる薬液を廃液タンクなどに導くための排液管81が配設されている。この排液管81には、開閉弁83が配設されている。
Among the
処理槽41内の薬液を排出する際には、外槽45内の薬液、内槽43内の薬液、循環配管53内に残留している薬液の順に排出が行われる。開閉弁63が閉じ、開閉弁61、開閉弁83が開いた状態でポンプ55が作動することにより、外槽45内の薬液は、排出口51と、循環配管53と、排液管81とを介して排出される。開閉弁63が閉じ、開閉弁79、開閉弁83が開いた状態でポンプ55が作動することにより、内槽43内の薬液は、底部排出口75と、底部排出管77と、循環配管53と、排液管81とを介して排出される。また、循環配管53のうち分岐部73よりも一対の噴出管49側(下流側)の部分は、一対の噴出管49が分岐部73よりも上方となるように傾斜している。したがって、循環配管53に残存している薬液は、開閉弁63、開閉弁83を開いてポンプ55を停止させると、重力の作用によって排液管81を介して排出される。排出部84は、排出口51と、循環配管53と、底部排出口75と、底部排出管77と、排液管81と、ポンプ55とを備えて構成されている。
When the chemical solution in the
上述した各構成は、制御部25によって統括的に制御される。制御部25は、例えば、メモリ31が記憶しているライフカウントとライフタイムの少なくとも一方に基づいて、開閉弁83及び制御弁69、薬液供給源65などを操作して、全液交換や部分液交換を行う。
Each of the above-described configurations is collectively controlled by the
部分液交換は、例えば、基板Wの処理枚数(またはロットの処理数)が部分液交換用のライフカウントに達した後、処理槽41内の薬液の一部にあたる所定量の薬液を排液管81から排出するとともに、ノズル71から当該所定量に相当する新たな薬液を処理槽41に供給する処理である。
In the partial liquid exchange, for example, after the number of processed substrates (or the number of processed lots) of the substrate W reaches the life count for partial liquid exchange, a predetermined amount of the chemical solution corresponding to a part of the chemical solution in the
全液交換は、例えば、薬液が生成されて処理槽41内に供給されてから当該薬液の使用期間がライフタイムに達した後、処理槽41内の薬液の全量にあたる所定量の薬液を排液管81から排出するとともに、ノズル71から当該所定量に相当する新たな薬液を処理槽41に供給する処理である。
In the whole solution exchange, for example, after the chemical solution is generated and supplied into the
図4は、薬液供給源65の概略構成の一例を示すブロック図である。薬液供給源65は、硫酸電解槽101と、陽極液タンク106と、陰極液タンク114と、薬液供給源65の各部の動作を統括制御する制御部130とを、主に備えている。制御部130は、例えば、一般的なコンピューターなどによって構成される。
FIG. 4 is a block diagram showing an example of a schematic configuration of the chemical
硫酸電解槽101は、隔膜102により陽極室104と陰極室112に区画され、陽極室104内に導電性ダイヤモンド陽極103が設けられ、陰極室112内に陰極111が設けられている。硫酸電解槽101の外部に陽極液タンク106が設けられている。
The sulfuric acid
先ず、制御部130の制御に従って、濃硫酸供給源(不図示)および超純水供給源(不図示)から濃硫酸供給ライン124および超純水供給ライン125より、98質量%の濃硫酸、超純水が、それぞれ、供給される。これにより、陽極液タンク106内において、70質量%以下の濃度の第1の硫酸溶液が作成される。第1の硫酸溶液の濃度は、70質量%以下になると、電流効率が40%以上となり、効率的な電解を行うことができる。
First, according to the control of the
第1の硫酸溶液は、陽極液タンク106と陽極室104とを接続する陽極液供給ライン109を介して、陽極室104内に供給される。より詳細には、陽極液供給ライン109には、陽極液循環ポンプ105と陽極室バルブ119とが設けられている。制御部130は、陽極液循環ポンプ105を作動させるとともに、陽極室バルブ119を開く。これにより、第1の硫酸溶液が陽極液タンク106から陽極室104に陽極液として供給される。
The first sulfuric acid solution is supplied into the
陽極室104内に供給された第1の硫酸溶液は、電解に供され、酸化性物質を含有する第1の電解硫酸が生成される。電解硫酸とは、硫酸を電解して得られた電解生成物をいい、電解液として加えた硫酸のほか、ペルオキソ1硫酸、ペルオキソ2硫酸、オゾン、過酸化水素等の電解によって生成した酸化性物質を含むもののことである。また、ペルオキソ1硫酸、ペルオキソ2硫酸を総称して過硫酸と呼ばれている。
The first sulfuric acid solution supplied into the
陽極室104と陽極液タンク106とは、陽極液循環ライン110によっても接続されている。陽極液循環ポンプ105の作動によって、第1の電解硫酸および陽極ガスは、陽極室104と陽極液タンク106間を陽極液供給ライン109および陽極液循環ライン110を介して循環する。このため、生成された酸化性物質を含有する第1の電解硫酸は、十分に攪拌される。陽極ガスは、陽極液タンク106で気液分離され、陽極ガス排気ライン107より、薬液供給源65の外部へ排出される。
The
また、陰極液タンク114にも、濃硫酸供給ライン(不図示)によって濃硫酸供給源(不図示)が接続されているとともに、超純水供給ライン(不図示)によって超純水供給源(不図示)が接続されている。制御部130の制御に従って、濃硫酸供給源と超純水供給源から98質量%の濃硫酸と、超純水とが、それぞれ、供給される。これにより、陽極室104内に供給される第1の硫酸溶液と同濃度の硫酸溶液が、陰極液タンク114内で調製される。陰極液供給ライン118は、陰極室112と陰極液タンク114とを接続している。陰極液供給ライン118には、陰極液循環ポンプ113が設けられている。制御部130が、陽極液循環ポンプ105を作動させることにより、陰極液タンク114内で調製された硫酸溶液からなる陰極液は、陰極液タンク114から陰極液供給ライン118を介して陰極室112に供給される。
A concentrated sulfuric acid supply source (not shown) is also connected to the
この陰極液は、電解に供された後、発生する陰極ガスとともに、陰極室112と陰極液タンク114間を陰極液供給ライン118および陰極液循環ライン117を介して循環する。この循環は、陰極液循環ポンプ113が作動することによって行われる。陰極ガスは、陰極液タンク114で気液分離され、陰極ガス排気ライン115より、薬液供給源65の外部へ排出される。なお、陽極液供給ライン109には、陽極液の圧力および流量を検出する圧力流量計108が設けられ、陰極液供給ライン118には、陽極液の圧力および流量を検出する圧力流量計116が設けられている。
After being subjected to electrolysis, the cathode liquid circulates between the
次に、制御部130の制御に従って、陽極液タンク106内に、98質量%の濃硫酸が加えられ、第1の硫酸溶液よりも高濃度の第2の硫酸溶液が調製される。この第2の硫酸溶液の濃度は、陽極液タンク106内において、好ましくは、80質量%以上に調整される。第2の硫酸溶液は、陽極液供給ライン109を介して、硫酸電解槽101の陽極室104内に供給され、第1の電解硫酸と混合されるとともに、電解に供される。これにより、酸化性物質を含有する第2の電解硫酸が生成される。生成された第2の電解硫酸および陽極ガスは、陽極液循環ポンプ105が作動することによって、陽極室104と陽極液タンク106間を陽極液供給ライン109および陽極液循環ライン110を介して循環する。このため、生成された酸化性物質を含有する第2の電解硫酸は、十分に攪拌される。
Next, according to the control of the
電解硫酸によるレジスト剥離性能は、80質量%以上の硫酸濃度において良好であり、これ以下の硫酸濃度では、酸化性物質濃度が高くても剥離性能は高くなく、レジストの剥離に長時間を要することになる。 The resist peeling performance by electrolytic sulfuric acid is good at a sulfuric acid concentration of 80% by mass or more, and at a sulfuric acid concentration lower than this, the peeling performance is not high even if the oxidizing substance concentration is high, and it takes a long time to peel the resist. become.
また、上記のようにして生成された酸化性物質を含有する第2の電解硫酸は、十分に攪拌されるため、均一な薬液(「洗浄液」)となる。尚、陰極室112に供給する硫酸溶液の濃度は、陽極室104に供給する第1の硫酸溶液と同濃度にすることが望ましい。陽極液供給ライン109には、供給配管67が接続されており、供給配管67には、薬液供給バルブ120が設けられている。
In addition, the second electrolytic sulfuric acid containing the oxidizing substance produced as described above is sufficiently agitated, so that a uniform chemical solution (“cleaning solution”) is obtained. It is desirable that the concentration of the sulfuric acid solution supplied to the
薬液供給源65は、薬液処理部CHB1(CHB2)に供給可能な量の第2の電解硫酸を直ちに生成できるわけではない。このため、薬液供給源65は、第2の電解硫酸、すなわち薬液を薬液処理部CHB1(CHB2)に供給可能であるか否かを知らせることが可能に構成されている。具体的には、制御部130は、例えば、第2の電解硫酸の生成処理を開始してから所定の時間が経過すると、薬液(第2の電解硫酸)を基板処理装置1に供給可能であると判断し、薬液を供給可能であることを示す信号92を制御部130の制御部25に供給する。信号92は、薬液の供給が可能であることを示す値(例えば、”High”レベル)に設定されている。第2の電解硫酸を基板処理装置1に供給可能では無い場合には、制御部130は、薬液の供給が不可能であることを示す信号91を制御部25に供給する。信号91は、薬液の供給が不可能であることを示す値(例えば、”Low”レベル)に設定されている。
The chemical
制御部130が、基板処理装置1への第2の電解硫酸の供給の可否を判断する手法としては、上述した処理時間に基づく判断手法以外の手法を採用することもできる。例えば、陽極液供給ライン109から分岐して、再び陽極液供給ライン109に合流する分岐ラインを設けるとともに、当該分岐ラインに第2の電解硫酸の酸化性物質の濃度を測定する濃度センサーを設けて、濃度センサーが測定する酸化性物質の濃度に基づいて、第2の電解硫酸の供給の可否を判断してもよい。このような濃度センサーとして、例えば、特許第6024936号に開示されている酸化剤濃度モニタリング装置などを採用できる。また、例えば、陽極液供給ライン109に温度計を設けて、温度計で第2の電解硫酸の温度を測定し、制御部130が、第2の電解硫酸の濃度と温度とに基づいて第2の電解硫酸の供給の可否を判断してもよい。
As a method for the
また、薬液供給源65が、例えば、基板処理装置1の処理槽41に十分な量の薬液を供給できる容量の貯留タンクをさらに備えて、生成した第2の電解硫酸を貯留タンクに貯留し、所定の容量の第2の電解硫酸が貯留タンクに溜まったか否かによって、制御部130が薬液供給の可否を判定してもよい。
Further, the chemical
薬液供給源65の制御部130は、基板処理装置1の制御部25から第2の電解硫酸(薬液)の供給開始を指示する信号95を受け付けた場合に、薬液を供給可能であれば、薬液供給バルブ120を開く。これにより、薬液は、陽極室バルブ119、薬液供給バルブ120、供給配管67を介して、基板処理装置1に供給される。
If the
また、基板処理装置1の制御部25から第2の電解硫酸(薬液)の供給停止を指示する信号96を受け付けた場合には、制御部130は、薬液供給バルブ120を閉じる。これにより、薬液供給源65から基板処理装置1への薬液の供給が停止される。
When the
薬液供給源65は、薬液として電解硫酸を供給するが、薬液供給源65が他の薬液を供給してもよい。例えば、薬液として燐酸(H3PO4)及び純水を含む燐酸溶液などを調整して供給する薬液供給源65が採用されてもよい。この場合においても、薬液供給源65は、薬液の供給が可能か否かを基板処理装置1の制御部25に信号等によって知らせることができるよう構成される。
The chemical
<2.基板処理装置1の薬液処理動作>
図5は、基板処理装置1(基板処理システム100)の薬液交換動作の一例を示すタイムチャートである。図6は、基板処理装置1(基板処理システム100)の薬液処理動作の一例を示すフローチャートである。図7は、薬液交換動作の一例を示すフローチャートである。図5〜図7を参照しつつ、基板処理装置1(基板処理システム100)の薬液処理動作を説明する。
<2. Chemical solution processing operation of substrate processing device 1>
FIG. 5 is a time chart showing an example of the chemical solution exchange operation of the substrate processing apparatus 1 (board processing system 100). FIG. 6 is a flowchart showing an example of the chemical solution processing operation of the substrate processing apparatus 1 (board processing system 100). FIG. 7 is a flowchart showing an example of the chemical solution exchange operation. The chemical processing operation of the substrate processing apparatus 1 (board processing system 100) will be described with reference to FIGS. 5 to 7.
ここでは、予め、全液交換に伴う薬液の排出が行われて処理槽41は空になっているとともに、薬液供給源65は、基板処理装置1の処理槽41に薬液を供給可能な状態になっているものとする。
Here, the chemical solution is discharged in advance due to the replacement of all the solutions, and the
先ず、基板処理装置1は、空の処理槽41への薬液の投入と、投入された薬液の温調とを行う(図6のステップS10)。より詳細には、制御部25は、開閉弁79、83を閉じるとともに、開閉弁61、63を開いて、薬液供給源65の制御部130に薬液の供給を開始させる信号95を送信する。制御部130は、薬液供給源65を受信すると薬液供給バルブ120を開いて基板処理装置1への薬液の供給を行う。制御部25は、制御弁69を制御して供給配管67を流通する薬液の流量を所定の流量に調節する。薬液は、ノズル71から内槽43に供給され、内槽43内を満たすと外槽45へ溢れ、排出口51から循環配管53に流入する。薬液が内槽43から外槽45に溢れた後に、循環制御部28は、ポンプ55を作動させて、処理槽41内の薬液の循環を開始させ、加熱制御部29は、ヒーター57を制御して薬液を所定の温度に加熱する。
First, the substrate processing device 1 charges the chemical solution into the
制御部25は、例えば、薬液処理部CHB1(CHB2)が処理したロットの数と、メモリ31に記憶された部分液交換用のライフカウントおよび全液交換用のライフカウントと比較することによって、処理槽41内の薬液の交換が必要か否かを判定する(ステップS20)。ステップS20の判定の結果、薬液交換が必要ない場合には、制御部25は、副搬送機構LFS1(LFS2)の保持アーム47にロットの複数の基板Wを内槽43内に投入(処理位置に配置)させて所定の時間にわたって各基板Wを薬液に浸漬させることによって、各基板Wを薬液で処理する(ステップS30)。その後、制御部25は、基板搬送機構6の副搬送機構LFS1(LFS2)に内槽43から各基板Wを搬出させ(ステップS40)、基板搬送機構6によって各基板Wをカセット2に搬送し収容する。そして、制御部25は、全てのロットの処理が終了した否かを判定する(ステップS50)。
The
ステップS50の判定の結果、全ロットの処理が終了していれば、基板処理装置1は、薬液処理動作を終了する。当該判定の結果、全ロットの処理が終了していない場合には、カセット2から未処理のロットを薬液処理部CHB1(CHB2)に搬送して、上記のステップS20の判定と、ステップS30〜S40の処理を繰り返し、再度、ステップS50の判定を行う。
As a result of the determination in step S50, if the processing of all lots is completed, the substrate processing apparatus 1 ends the chemical solution processing operation. As a result of the determination, if the processing of all lots has not been completed, the unprocessed lots are transported from the
ステップS20の判定の結果、薬液の交換が必要な場合には、制御部25の判定部27は、薬液供給源65による薬液の供給が可能になることを待つ処理(「待ち処理」)を開始する(図6のステップS60)。第1搬送機構CTCは、処理した基板Wの枚数(若しくはロット数)として全液交換用の計数値と部分液交換用の計数値とを保持しており、実施される液交換の種類に応じた計数値をリセットする。処理槽41からの薬液の排出は、ロットの搬送スケジュールが守られるとともに、薬液交換の完了後に処理対象のロットが処理槽41に搬入されるまでの時間が長くならないように開始されることが好ましい。そこで、判定部27は、薬液交換の所要時間とロットの搬送時間などを考慮して当該待ち処理を開始する。図5の例では、判定部27は、薬液の交換が必要になった時間t1の後の時間t2に待ち処理を開始している。なお、図5の例では、時間t3に薬液供給源65による薬液供給が可能となり、その直後に処理槽41からの排液が開始されているが、例えば、薬液交換が必要となった時間t1に判定部27が待ち処理を開始してもよい。薬液供給源65が薬液を供給できるようになったと判定部27が判定した後、暫くしてから排出制御部26が排出部84に薬液の排出を開始させてもよい。
As a result of the determination in step S20, when it is necessary to replace the chemical solution, the
循環制御部28は、循環系52に薬液の循環動作を維持させ、加熱制御部29は、ヒーター57に薬液を所定の温度に加熱させて薬液の温度調整動作を維持させる(図6のステップS70)。薬液は、通常、その温度が低くなると粘度が高くなり、処理槽41から排出するための所要時間が長くなる。薬液供給源65による薬液の供給が可能になることを待っている間も薬液の温度調整を行えば、薬液供給源65による薬液の供給が可能となって処理槽41から薬液を排出するときに所要時間を短縮できる。また、処理槽41が温度調整された薬液によって温められている方が、交換された新たな薬液の温度調整に要する時間を短縮できる。なお、省エネの観点から、薬液供給源65による薬液の供給が可能になることを待っている間、薬液の循環と温度調整を停止してもよい。
The circulation control unit 28 causes the
次に、制御部25は、所定の待ち時間が経過したかに否かを判定する(ステップS80)。ここで、基板搬送機構6は、スケジューリング部(不図示)が作成したスケジュール(搬送スケジュール)に従ってロットを搬送する。ステップS80の待ち時間は、スケジュールに従ったロットの搬送が可能な時間に設定される。待ち時間が経過した場合には、基板搬送機構6はスケジュールに従った搬送をできなくなる。このため、ステップS80の判定の結果、待ち時間が経過している場合には、制御部25は、待ち時間が経過したこと、すなわち障害が発生したことを報知部33に報知させる(ステップS86)。
Next, the
ステップS80の判定の結果、待ち時間が経過していない場合には、判定部27は、薬液供給源65が薬液を供給可能であるか否かの判定を行う、すなわち、薬液供給源65が薬液を供給可能になるのを待つ(ステップS90)。図5の例では、時間t2に判定部27がステップS90の判定を開始する。薬液供給源65が薬液を供給不可能である場合、制御部130は信号91を出力している(図5の時間t3以前の期間)。制御部25は、ステップS90の判定において、信号91に基づいて薬液供給源65が薬液を供給できないと判定し、制御部25はステップS80の判定処理を繰り返し、判定部27は、ステップS90の判定処理を繰り返す。
As a result of the determination in step S80, if the waiting time has not elapsed, the
薬液供給源65による薬液の供給が可能になると、制御部130は、制御部25の判定部27に信号92を出力する(図5の時間t3以降の期間)。判定部27は信号92を受信すると、薬液供給源65が薬液を供給可能であると判定し(ステップS90で「Yes」)、ステップS90からステップS100に移行する。一方、ステップS90で「No」と判定された場合にはステップS80に移行する。ステップS100では制御部25が基板処理装置1および薬液供給源65に薬液の交換を行わせる。このように、薬液の交換に際して、薬液供給源65による薬液の供給が可能であることを確認してから処理槽41内の薬液を排出すれば、排液の完了後、直ちに処理槽41に新しい薬液を供給することができる。これにより、処理槽41の内壁が長時間露出し、露出した内壁に付着している薬液が乾燥してパーティクルが発生することを抑制できる。また、全液交換では、フィルター59が設けられている循環配管53内の薬液も排出部84によって排出されるが、基板処理装置1では、排液の完了後、新たな薬液が処理槽41に入れられるまでの時間を短くできるのでフィルター59が乾燥してしまうことも抑制できる。
When the chemical solution can be supplied by the chemical
薬液の交換処理においては、循環制御部28が循環系52のポンプ55を停止させて処理槽41の薬液の循環を停止させるとともに、加熱制御部29は、ヒーター57に薬液の加熱を停止させることにより薬液の温度調整を停止する(図7のステップS110)。
In the chemical solution exchange process, the circulation control unit 28 stops the
薬液の交換に際して、基板処理装置1の制御部25は、例えば、処理したロットの数に基づいて全液交換を行うか、若しくは、部分液交換を行うかを決定する。具体的には、例えば、基板処理装置1が3ロットを処理した場合には、制御部25は、部分液交換を行うと決定し、基板処理装置1が10ロットを処理した場合には、制御部25は、全液交換を行うと決定する。
When exchanging the chemical solution, the
制御部25が部分液交換処理を行うと決定した場合、排出制御部26は、排出部84に、処理槽41内の一部の薬液の量に相当する所定量の薬液を処理槽41から排出させ、制御部25が全液交換を行うと決定した場合には、排出制御部26は、排出部84に、処理槽41内の全ての薬液の量に相当する所定量の薬液を処理槽41から排出させる(図7のステップS120)。なお、全液交換の場合には、基板処理装置1は、処理槽41内の全ての薬液を排出した後に循環配管53に残留している薬液の排出を行う。図5の例では、時間t3に薬液供給源65が薬液を供給可能になっており、その後、排出制御部26は、排出部84に処理槽41内の所定量の薬液を交換させている。
When the
処理槽41から所定量の薬液が排出されると、制御部25は、薬液供給源65による薬液の供給を指示する(図7のステップS130)。薬液供給源65から薬液の供給が開始されると、基板処理装置1は、処理槽41への薬液の投入を行う(図7のステップS140)。具体的には、ステップS130において、制御部25は、薬液供給源65の制御部130に、薬液の供給開始を指示する信号95を送信する。制御部130は、信号95を受信すると、薬液供給バルブ120を開いて供給配管67を介した薬液の供給を開始する。ステップS140において制御部25は、制御弁69の開度を調整してノズル71から吐出される薬液の液量を調整し、ノズル71から処理槽41に薬液を供給させる。図7の例では、制御部25は、時間t4に信号95を送信している。
When a predetermined amount of the chemical solution is discharged from the
処理槽41への所定量の薬液の供給が完了すると、制御部25は、薬液供給源65に薬液の供給の停止を指示する(図7のステップS150)。具体的には、制御部25は、薬液供給源65の制御部130に、薬液の供給の停止を指示する信号96を送信し、制御部130は、信号96を受信すると、薬液供給バルブ120を閉じて供給配管67を介した薬液の供給を停止する。図5の例示では、薬液供給源65は、時間t5に薬液の供給を停止している。なお、薬液供給バルブ120を閉じる代わりに、制御弁69を閉じて処理槽41への薬液の供給を停止させてもよい。
When the supply of the predetermined amount of the chemical solution to the
その後、基板処理装置1は、薬液の循環と温度調整とを行う(図7のステップS160)。具体的には、循環制御部28は、ポンプ55を作動させて、処理槽41内の薬液の循環を開始させ、加熱制御部29は、ヒーター57を制御して薬液を所定の温度に加熱する。図5の例では、時間t6に、薬液の温度は、所定の温度に達している。
After that, the substrate processing apparatus 1 circulates the chemical solution and adjusts the temperature (step S160 in FIG. 7). Specifically, the circulation control unit 28 operates the
これにより薬液の交換は完了し、基板処理装置1は、図6のステップS20以降の処理を繰り返す。 As a result, the exchange of the chemical solution is completed, and the substrate processing apparatus 1 repeats the processes after step S20 in FIG.
以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、判定部27は、排出制御部26が排出部84に排出動作を開始させる前に、薬液供給源65が供給可能であるか否かを判定する判定処理を行う。判定処理において薬液供給源65による薬液の供給が可能であると判定された場合には、排出制御部26が排出部84に排出動作を開始させる。判定処理において薬液供給源65による薬液の供給が可能でないと判定された場合には、排出制御部26は排出部84に排出動作を開始させない。このように、薬液供給源65が薬液を供給できない場合、排出部84は排出動作を開始せず、処理槽41に付着した薬液が長時間にわたって露出することを抑制できるので処理槽41におけるパーティクルの発生を抑制できる。
According to the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、判定処理において薬液供給源65による薬液の供給が可能でないと判定された場合、循環制御部28は、処理槽41への薬液の循環を循環系52に行わせる。従って、薬液供給源65が薬液を供給できない期間においても処理槽41内の薬液の均一性を向上できる。
Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, when it is determined in the determination process that the chemical solution cannot be supplied by the chemical
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、判定処理において薬液供給源65による薬液の供給が可能でないと判定された場合、加熱制御部29はヒーター57を作動させる。従って、薬液供給源65が薬液を供給できない期間においても処理槽41内の薬液を加熱できる。これにより、薬液の粘度の増加を抑制できる。
Further, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, when it is determined in the determination process that the chemical solution cannot be supplied by the chemical
また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法によれば、処理槽41に貯留された薬液の交換を開始する前に判定ステップが実行される。判定ステップにおいて薬液供給源65から薬液の供給が可能であると判定された場合には、排出ステップが実行されて処理槽41から薬液の排出が開始される。従って、薬液供給源65が薬液を供給できない場合には、処理槽41から薬液の排出は開始されない。これにより、処理槽41に付着した薬液が長時間にわたって露出することを抑制できるので処理槽41におけるパーティクルの発生を抑制できる。
Further, according to the substrate processing method according to the present embodiment as described above, the determination step is executed before starting the exchange of the chemical solution stored in the
また、本実施形態に係る基板処理方法によれば、判定ステップにおいて薬液供給源65から薬液の供給が可能でないと判定された場合には、循環ステップが実行されて処理槽41への薬液の循環が行われる。従って、薬液供給源65が薬液を供給できない期間においても処理槽41内の薬液の均一性を向上できる。
Further, according to the substrate processing method according to the present embodiment, when it is determined in the determination step that the chemical solution cannot be supplied from the chemical
また、本実施形態に係る基板処理方法によれば、判定ステップにおいて薬液供給源65から薬液の供給が可能でないと判定された場合には、加熱ステップが実行されて薬液が加熱される。従って、薬液供給源65が薬液を供給できない期間においても処理槽41内の薬液を加熱できる。これにより、薬液の粘度の増加を抑制できる。
Further, according to the substrate processing method according to the present embodiment, when it is determined in the determination step that the chemical solution cannot be supplied from the chemical
本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 Although the present invention has been shown and described in detail, the above description is exemplary and not limiting in all embodiments. Therefore, in the present invention, the embodiments can be appropriately modified or omitted within the scope of the invention.
1 基板処理装置
100 基板処理システム
130 制御部
25 制御部
52 循環系
53 循環配管
55 ポンプ
57 ヒーター
59 フィルター
65 薬液供給源
67 供給配管
77 底部排出管
84 排出部
91,92,95,96 信号
W 基板
1
Claims (10)
前記薬液供給源から供給される薬液を貯留し前記薬液に基板を浸漬させることにより前記基板に所定の処理を行う処理槽と、
前記処理槽に貯留された前記薬液を前記処理槽から排出する排出動作を行う排出部と、
前記処理槽に貯留された薬液の交換に際して前記排出部に前記排出動作を行わせる排出制御部と、
前記排出制御部が前記排出部に前記排出動作を行わせる前に前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能であるか否かを判定する判定処理を行う判定部と、
を備え、
前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能であると前記判定部が前記判定処理において判定した場合には、前記排出制御部が前記排出部に前記排出動作を開始させる、基板処理装置。 A substrate processing device that processes a substrate with a chemical solution supplied from a predetermined chemical solution source.
A treatment tank that stores the chemical solution supplied from the chemical solution supply source and immerses the substrate in the chemical solution to perform a predetermined treatment on the substrate.
A discharge unit that performs a discharge operation for discharging the chemical solution stored in the treatment tank from the treatment tank.
A discharge control unit that causes the discharge unit to perform the discharge operation when exchanging the chemical solution stored in the treatment tank.
A determination unit that performs a determination process for determining whether or not the chemical solution can be supplied by the chemical solution supply source before the discharge control unit causes the discharge unit to perform the discharge operation.
With
A substrate processing apparatus in which, when the determination unit determines in the determination process that the chemical solution can be supplied by the chemical solution supply source, the discharge control unit causes the discharge unit to start the discharge operation.
前記処理槽に貯留された前記薬液を前記処理槽から排出して再び前記処理槽に戻すことにより前記薬液を循環させる循環系、
をさらに備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1.
A circulatory system in which the chemical solution stored in the treatment tank is discharged from the treatment tank and returned to the treatment tank to circulate the chemical solution.
A substrate processing device further equipped with.
前記循環系は、前記薬液を濾過するフィルターを備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2.
The circulatory system is a substrate processing apparatus including a filter for filtering the chemical solution.
前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能でないと前記判定部が前記判定処理において判定した場合に、前記処理槽への前記薬液の循環を前記循環系に行わせる循環制御部をさらに備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2 or 3.
A substrate further comprising a circulation control unit for causing the circulation system to circulate the chemical solution to the treatment tank when the determination unit determines in the determination process that the chemical solution cannot be supplied by the chemical solution supply source. Processing equipment.
前記薬液を加熱するヒーター、
をさらに備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
A heater that heats the chemical solution,
A substrate processing device further equipped with.
前記薬液供給源が前記薬液を供給することができないと前記判定部が前記判定処理において判定した場合に、前記ヒーターを作動させる加熱制御部、
をさらに備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 5.
A heating control unit that operates the heater when the determination unit determines in the determination process that the chemical solution supply source cannot supply the chemical solution.
A substrate processing device further equipped with.
前記薬液供給源と、
を備える、基板処理システム。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6.
With the chemical supply source
A board processing system.
前記薬液供給源が供給する薬液を貯留する処理槽から前記薬液を排出する排出ステップと、
前記処理槽に貯留された薬液の交換に際して、前記薬液供給源が前記薬液を供給可能であるか否かを前記排出ステップに先立って判定する判定ステップと、
を備え、
前記排出ステップは、
前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能であると前記判定ステップにおいて判定された場合に、前記処理槽から前記薬液の排出を開始するステップである、基板処理方法。 A substrate processing method in which a substrate is treated with a chemical solution supplied from a predetermined chemical solution source.
A discharge step of discharging the chemical solution from a treatment tank for storing the chemical solution supplied by the chemical solution supply source, and
When exchanging the chemical solution stored in the treatment tank, a determination step of determining whether or not the chemical solution supply source can supply the chemical solution prior to the discharge step, and a determination step.
With
The discharge step
A substrate processing method, which is a step of starting discharge of the chemical solution from the treatment tank when it is determined in the determination step that the chemical solution can be supplied by the chemical solution supply source.
前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能でないと前記判定ステップにおいて判定された場合に、前記処理槽への前記薬液の循環を行わせる循環ステップをさらに備える、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 8.
A substrate processing method further comprising a circulation step of circulating the chemical solution to the treatment tank when it is determined in the determination step that the chemical solution cannot be supplied by the chemical solution supply source.
前記薬液供給源による前記薬液の供給が可能でないと前記判定ステップにおいて判定された場合に、前記薬液を加熱する加熱ステップをさらに備える、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 8 or 9.
A substrate processing method further comprising a heating step of heating the chemical solution when it is determined in the determination step that the chemical solution cannot be supplied by the chemical solution supply source.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017056157A JP6786429B2 (en) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | Substrate processing equipment, substrate processing system, and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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JP6786429B2 true JP6786429B2 (en) | 2020-11-18 |
Family
ID=63796877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017056157A Active JP6786429B2 (en) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | Substrate processing equipment, substrate processing system, and substrate processing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6786429B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6988977B1 (en) * | 2020-10-07 | 2022-01-05 | 栗田工業株式会社 | Etching method of resin molded product and etching processing system of resin molded product |
JP2023142369A (en) * | 2022-03-25 | 2023-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | Circulation device, and control method of circulation device |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10154681A (en) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate immersion processing device |
JP3517134B2 (en) * | 1998-12-03 | 2004-04-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
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JP5231920B2 (en) * | 2008-09-29 | 2013-07-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and processing liquid replacement method thereof |
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JP6468956B2 (en) * | 2015-06-25 | 2019-02-13 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and apparatus |
-
2017
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---|---|
JP2018160517A (en) | 2018-10-11 |
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