JP6757693B2 - Manufacturing method of sample loading plate - Google Patents
Manufacturing method of sample loading plate Download PDFInfo
- Publication number
- JP6757693B2 JP6757693B2 JP2017070899A JP2017070899A JP6757693B2 JP 6757693 B2 JP6757693 B2 JP 6757693B2 JP 2017070899 A JP2017070899 A JP 2017070899A JP 2017070899 A JP2017070899 A JP 2017070899A JP 6757693 B2 JP6757693 B2 JP 6757693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- loading plate
- sample loading
- sample
- hydrophobic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000011068 loading method Methods 0.000 title claims description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 15
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 238000000816 matrix-assisted laser desorption--ionisation Methods 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 6
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000688 desorption electrospray ionisation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001679 laser desorption electrospray ionisation Methods 0.000 description 1
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
本発明は、試料積載プレートの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a sample loading plate.
質量分析におけるイオン化法の1つとして、マトリックス支援レーザ脱離イオン化(Matrix Assisted Laser Desorption Ionization:MALDI法)が知られている。MALDI法では、レーザ光を吸収しにくい分析対象物や、レーザ光で損傷を受けやすいタンパク質などの分析対象物を分析するために、レーザ光を吸収しやすく且つイオン化しやすい物質(マトリックス)、すなわち分析対象物を、分散させたものを試料とし、この試料にレーザ光を照射することで、試料(マトリックスおよび分析対象物)をイオン化する。 Matrix-assisted Laser Desorption Ionization (MALDI method) is known as one of the ionization methods in mass spectrometry. In the MALDI method, a substance (matrix) that easily absorbs laser light and is easily ionized in order to analyze an analysis target that is difficult to absorb laser light or a protein that is easily damaged by laser light, that is, A dispersed sample is used as a sample, and the sample (matrix and analysis target) is ionized by irradiating the sample with a laser beam.
MALDI法を用いた質量分析装置では、一般に、サンプルプレート(またはターゲットプレート)と呼ばれる金属製の試料積載プレート上に試料を配置し、このプレート上に配置された試料に対してレーザ光を照射する。このとき、金属製の試料積載プレートには、レーザ光の照射に伴って生じたイオンを加速させるために、必要に応じて電圧が印加される。 In a mass spectrometer using the MALDI method, a sample is generally placed on a metal sample loading plate called a sample plate (or target plate), and the sample placed on this plate is irradiated with a laser beam. .. At this time, a voltage is applied to the metal sample loading plate as necessary in order to accelerate the ions generated by the irradiation of the laser beam.
特許文献1には、従来技術の試料積載プレートが記載されている。図3は、従来技術の試料積載プレートの断面図である。
図3に示すように、試料積載プレート100は、基板110と、基板110の表面を覆うように形成された積層膜120とを備えている。この積層膜120は、導電干渉層121と疎水膜122とからなる。この試料積載プレート100の導電干渉層121上に疎水膜122を島状に形成すると、疎水膜122による疎水面と導電干渉層121が露出した親水面とにより適正な濡れ性とすることが記載されている。試料積載プレート100上に積載される試料は、試料積載プレート100上の疎水性が強い(導電干渉層121の露出は、ほぼない)と試料と試料積載プレート100との接触面が小さく、試料がそこに偏ってしまう。また親水性が強い(導電干渉層121の露出は、おおい)と試料は薄く濡れ広がり試料が希薄となるため適切な分析を行うことが困難となる。したがって、試料積載プレート100上は積載する試料の種類に応じて適正な濡れ性にする必要がある。(なお、図3は便宜上、導電干渉層121上に形成された疎水膜122を島状に図示していない。)
As shown in FIG. 3, the
前述した導電干渉層121上に島状の疎水膜122を形成する方法として、導電干渉層121上に対し、スチールウールに疎水材を包含した部材に、高真空中で電子ビームを照射することにより、スチールウールに包含させた疎水材のみを瞬時に蒸着する方法が挙げられる。スチールウールに包含させる疎水材としては、Si(シリコン)、C(炭素)およびF(フッ素)の化合物である。そして、スチールウールから蒸発した疎水材を導電干渉層121の上に蒸着することにより、目的とする疎水膜122を得ることができる。または、導電干渉層121上に形成された疎水膜122上に金属やセラミックスで作製された島状のマスクを設置し、真空中でO2、Arおよびその混合プラズマに疎水膜122を曝露することで疎水膜122の除去を行い、目的とする疎水膜122を得られることが記載されている。
As a method of forming the island-shaped
しかしながら、従来技術のスチールウールに疎水材を包含した部材に高真空中で、電子ビームを照射すると、スチールウールに包含した疎水材が瞬時に蒸発してしまうため、導電干渉層上に形成される疎水膜の形状を島状に制御し蒸着することは難しく、試料積載プレート上に積載される試料の濡れ性を、適正にすることができないという課題があった。 However, when a member containing a hydrophobic material in steel wool of the prior art is irradiated with an electron beam in a high vacuum, the hydrophobic material contained in the steel wool evaporates instantly, so that the member is formed on the conductive interference layer. It is difficult to control the shape of the hydrophobic film into an island shape for vapor deposition, and there is a problem that the wettability of the sample loaded on the sample loading plate cannot be made appropriate.
本発明は、試料積載プレート上で試料が適正に濡れ広がることが可能な試料積載プレートの製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a sample loading plate capable of appropriately wetting and spreading a sample on the sample loading plate.
基板上に試料を積載する試料積載プレートの製造方法において、基板の一方の面に親水膜を島状に形成する工程と、親水膜が形成されていない基板の一方の面と親水膜の表面とに疎水膜を形成する工程と、親水膜の表面に形成された疎水膜を除去する工程とを有する試料積載プレートの製造方法とする。 In the method for manufacturing a sample loading plate for loading a sample on a substrate, a step of forming an island-like hydrophilic film on one surface of the substrate, and one surface of the substrate on which the hydrophilic film is not formed and the surface of the hydrophilic film are used. A method for producing a sample loading plate, which comprises a step of forming a hydrophobic film and a step of removing the hydrophobic film formed on the surface of the hydrophilic film.
親水膜と疎水膜との密着力は、基板と疎水膜との密着力より小さい試料積載プレートの製造方法とする。 The adhesion between the hydrophilic film and the hydrophobic film is smaller than the adhesion between the substrate and the hydrophobic film, which is a method for manufacturing a sample loading plate.
基板の一方の面に、光学多層膜を形成し、親水膜および疎水膜を形成する試料積載プレートの製造方法とする。 A method for manufacturing a sample loading plate in which an optical multilayer film is formed on one surface of a substrate to form a hydrophilic film and a hydrophobic film.
親水膜および疎水膜を形成する基板の一方の面の最表面はSiO2であり、親水膜はMgF2であり、疎水膜はフッ素系化合物である試料積載プレートの製造方法とする。 The outermost surface of one surface of the substrate forming the hydrophilic film and the hydrophobic film is SiO 2 , the hydrophilic film is MgF 2 , and the hydrophobic film is a method for producing a sample loading plate which is a fluorine-based compound.
本発明の試料積載プレートの製造方法によれば、試料積載プレート上で試料が適正に濡れ広がることが可能な試料積載プレートを提供できる。 According to the method for manufacturing a sample loading plate of the present invention, it is possible to provide a sample loading plate capable of appropriately wetting and spreading a sample on the sample loading plate.
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
本実施例の試料積載プレートは、MALDI法による質量分析装置に載置されるもので、試料積載スポットに試料を積載して質量を分析するために使用される。以下に示す発明を実施するための形態は、本発明の思想を具体化するための試料積載プレートの製造方法およびその製造方法からなる試料積載プレートを例示するものであって、本発明は以下に説明する方法および構成に特定するものではない。特に実施の形態に記載されている製造方法および部材の形状、材質、その相対的配置等は特定的な記載がない限りは本発明の範囲をそれのみに限定するものではない。また、各図面が示す部材の大きさや形状、位置関係、形成する膜層については説明をわかりやすくするために誇張していることがある。 The sample loading plate of this example is placed on a mass spectrometer by the MALDI method, and is used for loading a sample on a sample loading spot and analyzing the mass. The mode for carrying out the invention shown below exemplifies a method for manufacturing a sample loading plate for embodying the idea of the present invention and a sample loading plate comprising the manufacturing method, and the present invention is described below. It is not specific to the method and configuration described. In particular, the manufacturing method and the shapes, materials, relative arrangements, etc. of the members described in the embodiments are not limited to the scope of the present invention unless otherwise specified. In addition, the size and shape of the members shown in each drawing, the positional relationship, and the film layer to be formed may be exaggerated for the sake of clarity.
はじめに、本発明に係る実施形態である試料積載プレートの製造方法からなる試料積載プレートの構成について図1を用いて説明する。
図1(a)は、試料積載プレートを試料に積載する面側から見た平面図である。
First, the configuration of the sample loading plate according to the method for manufacturing the sample loading plate according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 1A is a plan view of the sample loading plate viewed from the surface side on which the sample is loaded.
試料積載プレート1の基板2は絶縁性であって外形約50mm×40mm程度の略長方形の平板であり、試料積載プレート1は、例えば、基板にAl2O3(アルミナ)などの材料を用いて作ることができる。また、例えば位置決め用などとして下辺のように切り欠き部が設けられている。また、試料積載プレート1の平面度は30μm以下の精度を有している。尚、外形形状、厚さ等は特に限定されるものではなく、質量分析装置の仕様に合うものであればよい。試料積載プレートは、平面度を確保するため、ラッピング工程やポリシング工程による面仕上げを行ってもよい。また、図示しないがプレートに付与されたシリアルNo、バーコード等を形成してもよい。
The
この試料積載プレート1は、表面および裏面を有することで板状に形成された基板2と、この基板2の一方の面を覆うように形成された積層膜3が形成されるとともに、その一部には複数の溝4が形成されてなる積層膜3とを備えている。試料積載プレート1において、積層膜3に対して溝4が形成されている部位には、基板2の一方の面が外部に露出するようになっている。この例において、溝4の幅は数十μm〜数百μmとなっている。
The
試料積載プレート1には複数の溝4によって、それぞれがC字状の形状を有するアイランドマーク5が複数形成されているが便宜上2個のみ図示している。C字状の形状を有するアイランドマーク5に囲まれた領域(C字を形成する溝4に囲まれた領域)は、試料積載プレート1に試料を積載する試料積載領域(試料積載スポット)として機能する。
The
図1(b)は、試料積載プレート1を説明するための図であり、図1(a)のB部A−A拡大断面図である。上述したように、本実施の形態の試料積載プレート1は、基板2と、この基板2の一方の面を覆うように形成された積層膜3を備えているとともに、その一部には溝4が形成されてなる積層膜3とを有している。この積層膜3は、光学多層膜6と親水膜7aと疎水膜7bとからなる。光学多層膜6は、基板2の一方の面に積層される第1金属層6aと第1金属層6aの上に積層される第1透明層6bと第1透明層6bの上に積層される第2金属層6cと第2金属層6cの上に積層される第2透明層6dで構成され、更にこの基板2を覆うように形成された光学多層膜6の上には、親水膜7aと疎水膜7bとが形成される。この親水膜7aは略円形(直径10nm以下)の島状であり、親水膜7aが形成されていない光学多層膜6上に、疎水膜7bが形成される。なお、親水膜7aの島と島との間の隙間は、数nmである。この隙間は、試料積載プレート1に搭載される試料の大きさに対して十分に小さくしないと、試料積載プレート1上に積載される試料の濡れ性を適正にすることができない。
FIG. 1B is a diagram for explaining the
第1金属層6aはNi(ニッケル)で構成されるとともに、その厚さは80nmに設定される。また、第1透明層6bはAl2O3(アルミナ)で構成されるとともに、その厚さは80nmに設定される。さらに第2金属層6cはTi(チタン)で構成されるとともに、その厚さは10nmに設定される。さらに第2透明層6dはSiO2(シリカ)で構成されるとともにその厚さは90nmに設定される。また、親水膜7aは、MgF2(フッ化マグネシウム)で構成される単分子層であり、疎水膜7bは、フッ素系化合物で構成され、その厚さは1〜3nmである。
The
図1(c)は、図1(a)のB部A−A拡大断面図(図1(b))の表面に試料200を積載した図である。アイランドマーク5(試料積載領域)に供給された液体状の試料200は、重力の影響により、アイランドマーク5の面に沿って放射状に広がろうとする。ここで、本実施形態では、溝4によって、C字状の形状を有するアイランドマーク5が形成されている。このため、アイランドマーク5に積載された試料200は、放射状に広がりながら溝4の内部へと入り込み、溝4の底となる部位すなわち基板2が露出する部位へと到達する。このとき基板2の表面は、親水性があるので、試料200は、アイランドマーク5と溝4の内部に速やかに濡れ広がり、アイランドマーク5と溝4の内部に行き渡る。
FIG. 1 (c) is a view in which the
また、アイランドマーク5に濡れ広がった試料200は、アイランドマーク5の表面に形成された親水膜7aと疎水膜7bの表面を濡れ広がるが、あるところで試料200の濡れ広がりが止まり、試料200はアイランドマーク5の表面で、アイランドマーク5の表面に対してある接触角をもつ水滴となる。これは、疎水膜7bが形成されているために、試料200の放射状の広がりを抑止しようとする力と試料200が放射状に広がろうとする力とが釣り合うところまで試料200は濡れ広がるためである。
Further, the
ここで、基板2は、絶縁性を有するセラミック材料によって構成される。なお、本実施の形態では、基板2が純度96%程度のアルミナセラミックにて構成されており、その厚さは800μmであって、その表面及び裏面の平面性は5μm以下となっている。
Here, the
前述したように、基板2を覆うように形成された光学多層膜6の上には、親水膜7aと疎水膜7bとが形成されているため、試料積載プレート1のアイランドマーク5の(親水膜7aと疎水膜7bの)表面で試料200が適正に濡れ広がる。
As described above, since the
次に図1に示す試料積載プレート1の製造方法について図2(a)〜図2(e)の主要な工程を図示し説明する。なお、各工程において特定の記載がない限りそれぞれの工程に必要で一般的な作業である、移送、検査、洗浄、乾燥、アニール等の作業を行うことは当然のこととし、それらの説明は省略する。
Next, the main steps of FIGS. 2A to 2E will be illustrated and described with respect to the method of manufacturing the
最初に、基板2の形成を行う。具体的に説明すると、図1に示す形状に予め成形、焼成された基板2の母材に対し、その表面及び裏面に対し研磨を行い、厚さを800μmとし且つ平面性を5μm以下に設定した基板2を得る。
First, the
[光学多層膜形成工程:図2(a)]
次に、上述した方法によって得られた基板2の一方の面に対し、光学多層膜6を積層形成する。例えば真空蒸着やスパッタ等の成膜方法によって、第1金属層6a(Ni=ニッケル)、第1透明層6b(Al2O3=アルミナ)、第2金属層6c(Ti=チタン)、第2透明層6d(SiO2=シリカ)を順番に形成する。なお、各層の膜厚は、第1金属層6a(Ni=ニッケル)は80nm、第1透明層6b(Al2O3=アルミナ)は80nm、第2金属層6c(Ti=チタン)は10nm、第2透明層6d(SiO2=シリカ)は90nmとした。
[Optical multilayer film forming step: FIG. 2A]
Next, the
[親水膜7a、疎水膜7b形成工程:図2(b)〜図2(c)]
次に上述した基板2の一方の面を覆うように形成された光学多層膜6に対し光学多層膜6を覆うように親水膜7aと疎水膜7bとを形成する。なお、本実施例では、親水膜7aにMgF2を、疎水膜7bにフッ素系化合物を形成する例で説明する。光学多層膜6の上に対し、蒸着装置によって、親水膜7a(MgF2)を略円形(直径10nm以下)の島状に形成した。ここでは、光学多層膜6の表面を覆わないように親水膜7a(MgF2)の膜厚を薄く形成することにより、親水膜7aの島と島との間の隙間8を数nmにすることができる。この隙間8を数nmと試料積載プレート1上に積載される試料の大きさに対して十分に小さくすることにより、試料積載プレート1上に積載される試料の濡れ性を適正にすることができる。この親水膜7a(MgF2)の島と島との間の隙間8は、光学多層膜6の上に形成する親水膜7a(MgF2)の膜厚によって決定されるため、親水膜7a(MgF2)の膜厚を変更することで試料積載プレート上に積載される試料の濡れ性を調整することが可能である。これは、光学多層膜6の上に形成する親水膜7a(MgF2)の膜厚を薄くすると隙間8は広くなり、親水膜7a(MgF2)の膜厚を厚くすると隙間8は狭くなるためである。なお、光学多層膜6の上に親水膜7a(MgF2)を島状に形成する方法は上述した方法に限定されず、例えば、光学多層膜6の表面に親水膜7a(MgF2)を形成する前に、光学多層膜6の表面にマスクを設置し、親水膜7a(MgF2)を島状に形成してもよい。これにより、光学多層膜6の表面に形成される親水膜7a(MgF2)の島と島との間の隙間8を狙いの寸法に形成することができ、試料積載プレート1上に積載される試料の濡れ性をコントロールしやすくなる。なお、島と島との間の隙間(一定の間隔)は、数nmが望ましい。
[Steps for forming
Next, the
次に図2(c)に示すように、光学多層膜6の上に親水膜7a(MgF2)を島状に形成後、前記親水膜7a(MgF2)の表面と前記親水膜7a(MgF2)が形成されていない光学多層膜6の表面を覆うように疎水膜7b(フッ素系化合物)を蒸着する。
Next, as shown in FIG. 2C, after forming the
[疎水膜7b除去工程:図2(d)]
次に上述した方法によって得られた基板2に、図示しないが超音波振動などの衝撃を加えることにより、図2(d)に示すように、親水膜7a(MgF2)の表面に形成された疎水膜7b(フッ素系化合物)は除去され、親水膜7a(MgF2)と親水膜7a(MgF2)との間の隙間8に疎水膜7b(フッ素系化合物)が形成された基板2となる。ここで、基板2に超音波振動などの衝撃を加えることにより、親水膜7a(MgF2)の表面に形成された疎水膜7b(フッ素系化合物)は除去され、光学多層膜6の表面に形成された疎水膜7b(フッ素系化合物)は除去されない理由を説明する。これは親水膜7a(MgF2)と疎水膜7b(フッ素系化合物)との密着力が、光学多層膜6の表面と疎水膜7b(フッ素系化合物)との密着力より小さいためである。なお、親水膜7a(MgF2)の表面に形成された疎水膜7b(フッ素化合物)の密着力は、超音波振動レベルの衝撃で除去されるような極めて小さな密着力である。これにより、光学多層膜6の上には、親水膜7a(MgF2)と疎水膜7b(フッ素系化合物)とが形成され、試料積載プレート1上に積載される試料を、適正な濡れ性とすることができる。なお、親水膜7aはMgF2に、疎水膜7bはフッ素系化合物に限定されず、親水膜7aと疎水膜7bとの密着力が、光学多層膜6の最表面と疎水膜7bとの密着力より極めて小さくなるように選定すればよい。例えば、疎水膜7bがフッ素系化合物、光学多層膜6の最表面がSiO2のときは、親水膜7aは、AlF、YF3を用いることができる。
[Step of removing
Next, as shown in FIG. 2 (d), the
[溝形成工程:図2(e)]
最後に、図2(e)に示すように溝形成工程では試料積載プレート1に溝4を形成する。例えば、レーザーマーキング法等の加工方法によって、親水膜7a(MgF2)と疎水膜7b(フッ素系化合物)、光学多層膜6を貫通し基板2の表面が露出するまで各膜層を剥離加工する。また、他のアドレスマーク、バーコードマークなども同時に加工することが望ましい。
[Groove formation step: FIG. 2 (e)]
Finally, as shown in FIG. 2E, the groove 4 is formed in the
以上、試料積載プレートの実施形態とその製造方法について説明したが、本発明は、このような実施形態の製造方法に限定されるものではなく、細部の構成、素材、数量において、本発明の思想を逸脱しない範囲で、任意に変更、追加、削除することができる。例えば、本実施例の親水膜7a(MgF2)と疎水膜7b(フッ素系化合物)形成工程と溝形成工程の順番を変更してよい。この場合は、親水膜7a(MgF2)と疎水膜7b(フッ素系化合物)を形成する前に溝の表面をマスク等で覆い、親水膜7a(MgF2)と疎水膜7b(フッ素系化合物)を形成する必要がある。
Although the embodiment of the sample loading plate and the manufacturing method thereof have been described above, the present invention is not limited to the manufacturing method of such an embodiment, and the idea of the present invention is in terms of detailed configuration, material, and quantity. It can be changed, added, or deleted arbitrarily as long as it does not deviate from. For example, the order of the
なお本実施例では、基板の一方の面に形成された光学多層膜6の最表面の第2透明層6d(SiO2)に親水膜7aであるMgF2を設けた例で説明したが、基板の一方の面に形成された光学多層膜6の最表面の第2透明層6d(SiO2)を形成せず、第2金属層6c(Ti)に親水膜7aであるMgF2を設けても、本発明の効果が得られる。これにより光学多層膜6に、第2透明層6d(SiO2)を形成しなくてもよいため、コスト、作業性等の長所がある。
In this embodiment, an example in which MgF 2 which is a
本実施例では、MALDI法の質量分析に使用される試料積載プレートを例に挙げて、本発明の試料積載プレートの製造方法からなる試料積載プレートについて説明したが、この試料積載プレートは、試料積載プレート上に搭載される試料を適正に濡れ広がらせることができるので、MALDI法の質量分析に使用される試料積載プレートに限定されず、他の方法の質量分析に使用される試料積載プレートに同様な構造を採用しても、同様な効果が得られる。例えば、マトリックスを用いないレーザ脱離イオン化法(LDI)、表面支援レーザ脱離イオン化法(SALDI)、二次イオン質量分析法(SIMS)、脱離エレクトロスプレイイオン化法(DESI)、エレクトロスプレイ支援/レーザ脱離イオン化法(ELDI)等で用いる試料積載プレートに本発明を適用することも可能である。 In this embodiment, the sample loading plate used for the mass spectrometry of the MALDI method has been taken as an example to describe the sample loading plate according to the method for manufacturing the sample loading plate of the present invention. However, this sample loading plate is used for sample loading. Since the sample mounted on the plate can be properly wetted and spread, the sample loading plate used for mass spectrometry of the MALDI method is not limited to the same as the sample loading plate used for mass spectrometry of other methods. The same effect can be obtained even if a simple structure is adopted. For example, matrix-free laser desorption / ionization (LDI), surface-assisted laser desorption / ionization (SALDI), secondary ion mass spectrometry (SIMS), desorption electrospray ionization (DESI), electrospray support / It is also possible to apply the present invention to a sample loading plate used in a laser desorption / ionization method (ELDI) or the like.
1、100 試料積載プレート
2、110 基板
3、120 積層膜
4 溝
5 アイランドマーク
6 光学多層膜
6a 第1金属層(Ni)
6b 第1透明層(Al2O3)
6c 第2金属層(Ti)
6d 第2透明層(SiO2)
7a 親水膜
7b、122 疎水膜
8 隙間
121 導電干渉層
200 試料
1,100 Sample loading plate 2,110 Substrate 3,120 Laminated film 4 Groove 5
6b First transparent layer (Al 2 O 3 )
6c Second metal layer (Ti)
6d 2nd transparent layer (SiO 2 )
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017070899A JP6757693B2 (en) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | Manufacturing method of sample loading plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017070899A JP6757693B2 (en) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | Manufacturing method of sample loading plate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018173324A JP2018173324A (en) | 2018-11-08 |
JP6757693B2 true JP6757693B2 (en) | 2020-09-23 |
Family
ID=64108610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017070899A Active JP6757693B2 (en) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | Manufacturing method of sample loading plate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6757693B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7228129B2 (en) * | 2019-03-28 | 2023-02-24 | 株式会社豊田中央研究所 | Organic silica substrate for laser desorption/ionization mass spectrometry and laser desorption/ionization mass spectrometry using the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63149601A (en) * | 1986-12-15 | 1988-06-22 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Anti-fogging optical member |
DE10043042C2 (en) * | 2000-09-01 | 2003-04-17 | Bruker Daltonik Gmbh | Method for loading a sample carrier with biomolecules for mass spectrometric analysis |
WO2004072616A2 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-26 | Waters Investments Limited | A sample preparation plate for mass spectrometry |
JP2009220205A (en) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Toppan Printing Co Ltd | Method for manufacturing microstructure |
JP2010066060A (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | Laser eliminating ionizing mass analyzing method and substrate for mass analysis used therein |
JP6591160B2 (en) * | 2014-12-25 | 2019-10-16 | シチズンファインデバイス株式会社 | Sample loading plate |
-
2017
- 2017-03-31 JP JP2017070899A patent/JP6757693B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018173324A (en) | 2018-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7330342B2 (en) | sample support | |
JP6093492B1 (en) | SAMPLE SUPPORT AND METHOD FOR PRODUCING SAMPLE SUPPORT | |
JP6591160B2 (en) | Sample loading plate | |
JP6539801B1 (en) | Sample support | |
JP6535151B1 (en) | Laser desorption ionization method and mass spectrometry method | |
JP7026121B2 (en) | Sample support | |
US20070075241A1 (en) | Sample plate for MALDI mass spectrometry and process for manufacture of the same | |
US9799501B2 (en) | Sample mounting plate | |
JP2007192673A (en) | Sample plate | |
JP6205299B2 (en) | Sample loading plate | |
US11031228B2 (en) | Mass spectrometry device and mass spectrometry method | |
JP6757693B2 (en) | Manufacturing method of sample loading plate | |
JP6549308B2 (en) | Sample loading plate and method of manufacturing the same | |
JP6363527B2 (en) | Sample loading plate | |
WO2017159879A1 (en) | Sample loading plate and manufacturing method of same | |
US11658018B2 (en) | Sample support body | |
JP6787682B2 (en) | Sample loading plate and its manufacturing method | |
JP7227823B2 (en) | sample support | |
JP2023079464A (en) | Sample loading plate and manufacturing method thereof | |
JP6727881B2 (en) | Sample loading plate | |
JP7589320B1 (en) | Sample Support | |
WO2019106962A1 (en) | Laser desorption/ionization method and mass spectrometry method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170403 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200715 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6757693 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |