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JP6753959B2 - Ｏｌｅｄパネル - Google Patents

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Description

本発明は、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）素子を含むＯＬＥＤパネルに関する。
特許文献１には、ＯＬＥＤ素子を無機膜および有機膜で取り囲んでこれを封止することで、ＯＬＥＤ素子への水分および酸素の浸透を阻止する構成が開示されている。
日本国公開特許公報「特開２０１６−５４１４４（公開日：２０１６年４月１４日）」
特許文献１に開示された構成では封止効果が十分でなく、ＯＬＥＤ素子が水、酸素等の異物の浸透によって悪影響を受けるおそれがある。
本発明の一形態にかかるＯＬＥＤパネルは、基材よりも上側に、ＯＬＥＤ素子と前記ＯＬＥＤ素子を覆う封止部とが設けられ、前記封止部に透光性導電膜が含まれる。
透光性導電膜を含む封止部でＯＬＥＤ素子を覆うことで従来よりも封止効果を高めることができる。
実施形態１にかかる表示装置の構成を示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。 実施形態１にかかる表示装置の別構成を示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。 実施形態１にかかる表示装置のさらなる別構成を示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。 （ａ）は、実施形態２にかかる表示装置の構成を示す断面図であり、（ｂ）はタッチセンサ部の構成を示す模式図である。 （ａ）（ｃ）は、図４の表示装置の構成を示す平面図であり、（ｂ）（ｄ）は、図４の表示装置の構成を示す断面図である。 （ａ）は、実施形態２にかかる表示装置の別構成を示す断面図であり、（ｂ）はタッチセンサ部の構成を示す模式図である。 （ａ）は、実施形態２にかかる表示装置のさらなる別構成を示す断面図であり、（ｂ）はタッチセンサ部の構成を示す模式図である。
以下に、図１〜図７に基づき、本発明の実施形態を説明する。ただし、これら実施形態は例示に過ぎない。
〔実施形態１〕
図１は、実施形態１にかかる表示装置の構成を示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。図１に示すように、実施形態１にかかる表示装置１０は、フレキシブルなＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）パネル２と、接着層８を介してＯＬＥＤパネル２に接着される、フレキシブルな機能パネル６とを備える。機能パネル６は、例えば、タッチセンサ機能および表面保護機能を有するパネルである。
ＯＬＥＤパネル２は、基材１１と、接着層１２を介して基材１１に接着される樹脂層１３と、樹脂層１３の上層に形成される防湿層１４と、防湿層１４の上層に形成される半導体膜１５と、半導体膜１５の上層に形成されるゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６の上層に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇを覆う第１層間絶縁膜１８と、第１層間絶縁膜１８の上層に形成される容量電極Ｃと、容量電極Ｃを覆う第２層間絶縁膜２０と、第２層間絶縁膜２０の上層に形成される、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄ並びに配線Ｗおよびコンタクト電極Ｅと、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄ並びに配線Ｗを覆う平坦化膜２１と、平坦化膜２１の上層に形成されるアノード電極２２と、表示領域ＤＡのサブピクセルを規定する隔壁２３ｃと、非表示領域ＮＡに形成されるバンク２３ｂと、アノード電極２２の上層に形成される有機ＥＬ（有機エレクトロルミネッセンス）層２４と、有機ＥＬ層２４の上層に形成されるカソード電極２５と、隔壁２３ｃおよびカソード電極２５を覆う第１封止膜２６と、第１封止膜２６を覆う第２封止膜２７と、第２封止膜２７を覆うベタ状の透光性導電膜３０と、透光性導電膜３０を覆う第３封止膜３３とを備える。
基材１１は、例えば絶縁性のフレキシブル材で構成される。樹脂層１３は、例えばポリイミドで構成される。防湿層１４は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、またはこれらの積層膜によって構成される。半導体膜１５は、例えばアモルファスシリコンあるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、またはこれらの積層膜によって構成される。ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、容量電極Ｃ、配線Ｗおよびコンタクト電極Ｅは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
第１層間絶縁膜１８および第２層間絶縁膜２０は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）によって構成することができる。平坦化膜２１は、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。アノード電極２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。
半導体膜１５、ゲート絶縁膜１６、ゲート電極Ｇ、第１層間絶縁膜１８、第２層間絶縁膜２０、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、ＴＦＴ（薄層トランジスタ）を構成する。半導体膜１５およびソース電極Ｓは、ゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１８および第２層間絶縁膜２０を貫通するコンタクトホールｈｓを介して接続される。ソース電極Ｓは、例えば電源線（図示されず）に接続される。半導体膜１５およびドレイン電極Ｄは、ゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１８および第２層間絶縁膜２０を貫通するコンタクトホールｈｄを介して接続される。ドレイン電極Ｄおよびアノード電極２２は、平坦化膜２２を貫通するコンタクトホールｈａを介して接続される。配線Ｗおよび容量電極Ｃは、第２層間絶縁膜２０を貫通するコンタクトホールｈｃを介して接続される。
隔壁２３ｃおよびバンク２３ｂは、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料を用いて、例えば同一工程で形成することができる。平坦化膜２１および隔壁２３ｃは表示領域ＤＡに形成され、非表示領域ＮＡには形成されない。非表示領域ＮＡに配されるバンク２３ｂおよびコンタクト電極Ｅは第２層間絶縁膜２０上に形成される。
有機ＥＬ層２４は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、隔壁２３ｃによって囲まれた領域（サブピクセル領域）に形成される。有機ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。カソード電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明金属化合物、あるいは透光性が認められる程度に薄い半透明金属（例えば、Ａｇ）で構成することができる。
アノード電極２２およびカソード電極２５と、これらに挟まれた有機ＥＬ層２４とによってＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）素子４が構成される。ＯＬＥＤ素子４では、アノード電極２２およびカソード電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。
第１封止膜２６および第３封止膜３３は透光性の無機絶縁膜であり、第２封止膜２７は、第１封止膜２６および第３封止膜３３よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ＯＬＥＤ素子４側から順に積層された、第１封止膜２６、第２封止膜２７、透光性導電膜３０、および第３封止膜３３によって封止部５が構成される。封止部５は、ＯＬＥＤ素子４を覆い、水、酸素等の異物のＯＬＥＤ素子４への浸透を防いでいる。
透光性導電膜３０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の金属化合物膜のほか、フレキシブル性に優れた、グラフェン膜、金属ナノワイヤ膜（例えば、銀ナノワイヤあるいは銅ナノワイヤを含む膜）、金属ナノ粒子膜（例えば、銀ナノ粒子あるいは銅ナノ粒子を含むを含む膜）で構成することができる。
第１封止膜２６は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、またはこれらの積層によって構成することができる。第２封止膜２７は、例えばアクリル等の有機感光性材料を含んだインクをインクジェット方式で塗布し、ＵＶ硬化させることで形成することができる。インクの流れは、バンク２３ｂによって止められ、バンク２３ｂの外側には第２封止膜２７は形成されない。第２封止膜２７をインクジェット方式で塗布する利点は、材料損失が少ない上、水、水溶液等を用いる洗浄工程が不要でＯＬＥＤ素子４を劣化させるおそれが少ないことである。
第１封止膜２６、透光性導電膜３０および第３封止膜３３は、平面視においてバンク２３ｂの外側にも形成される。平面視においては、図１（ｂ）のように、第１封止膜２６のエッジがバンク２３ｂよりも外側（基材エッジ側）に位置し、第１封止膜２６のエッジが透光性導電膜３０のエッジよりも内側（表示領域側）に位置し、第３封止膜３３のエッジが透光性導電膜３０のエッジよりも外側に位置し、（第２層間絶縁膜２０上の）コンタクト電極Ｅが第１封止膜２６のエッジよりも外側かつ透光性導電膜３０のエッジの内側に位置している。
このため、コンタクト電極Ｅ上には、第１封止膜２６が形成されず、透光性導電膜３０および第３封止膜３３がこの順に形成される。すなわち、バンク２３ｂの外側かつ第３封止膜３３のエッジの内側において透光性導電膜３０およびコンタクト電極Ｅのコンタクト（接触）がとられている。なお、第３封止膜３３のエッジの外側に端子部ＴＡが設けられる。基材の短辺近傍に位置する端子部ＴＡには封止部５が形成されていない。
コンタクト電極Ｅは、例えば、これと同層の（第２層間絶縁膜２０上に形成された）引き回し配線Ｆｅを介して、端子部ＴＡの第２層間絶縁膜２０上に形成された端子Ｘｅに接続される。これにより、例えばグラウンド電位を、端子Ｘｅ、引き回し配線Ｆｅおよびコンタクト電極Ｅを介して、透光性導電膜３０に供給することができる。
表示装置１０は、例えば以下のように製造することができる。まず、ガラス基板上に、樹脂層１３と、防湿層１４と、半導体膜１５と、ゲート絶縁膜１６と、ゲート電極Ｇを含む第１金属層と、第１層間絶縁膜１８と、容量電極Ｃを含む第２金属層と、第２層間絶縁膜２０と、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄ並びに配線Ｗおよびコンタクト電極Ｅを含む第３金属層と、平坦化膜２１と、アノード電極２２とを備えるバックプレーンを形成する。
次いで、バックプレーン上に有機ＥＬ層２４およびカソード電極２５を形成する。次いで、アノード電極２２および有機ＥＬ層２４並びにカソード電極２５を有するＯＬＥＤ素子４を覆うように、封止部５（透光性導電膜３０を含む）を形成する。次いで、封止部５上に保護フィルムを貼付し、レーザ照射等によってガラス基板を剥離し、フレキシブルな基材１１を、接着層１２を介して樹脂層１３に貼り付け、フレキシブルなＯＬＥＤパネル２とする。次いで、封止部５上の保護フィルムを剥離し、機能パネル６を、接着層８を介してＯＬＥＤパネル２の封止部５に貼り付ける。
実施形態１では、封止部５に、第１封止膜２６および第２封止膜２７を介してＯＬＥＤ素子４を覆う透光性導電膜３０が含まれる。このように、無機絶縁膜である第１封止膜２６および有機絶縁膜である第２封止膜２７とは特性の異なる透光性導電膜３０を封止部５に設けることで、封止性能を向上させることができる。例えば、透光性導電膜３０がない場合には、第３封止膜３３にピンホールがあると、ピンホールを抜けた水分や酸素が第２封止膜２７に素早く浸透してしまうが、図１のように透光性導電膜３０がある場合は、第３封止膜３３にピンホールがあっても水分や酸素が第２封止膜２７に浸透するのを抑制することができる。
さらに、コンタクト電極Ｅにコンタクトする透光性導電膜３０を設けることで、ＯＬＥＤ素子４の駆動に伴う電気的ノイズを遮蔽することができる。これにより、例えば機能パネル６におけるタッチセンサ感度を高めることができる。
なお、コンタクト電極Ｅをバンク２３ｂの内側に形成すると、第１封止膜２６のエッジをバンク２３ｂの内側に入れる、あるいはバンク２３ｂの内側において第１封止膜２６にコンタクトホールを形成する必要があり、封止性能が低下するおそれがある。この点、図１のように平面視におけるバンク２３ｂの外側において透光性導電膜３０およびコンタクト電極Ｅのコンタクトをとることで、このようなおそれをなくすことができる。
また、カソード電極２５と透光性導電膜３０との間に、有機絶縁膜である厚い第２封止膜２７が配されているため、カソード電極２５および透光性導電膜３０の短絡のおそれを低減することができる。また、カソード電極２５および透光性導電膜３０間の寄生容量も抑えることができる。
図１では、引き回し配線Ｆｅおよび端子Ｘｅを、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと同じ層（第２層間絶縁膜２０上）に形成しているがこれに限定されない。引き回し配線Ｆｅおよび端子Ｘｅの少なくとも一方を、ゲート電極Ｇと同じ層（ゲート絶縁膜１６上）に形成することもできるし、容量電極Ｃと同じ層（第１層間絶縁膜１８上）に形成することもできる。
図２は、実施形態１にかかる表示装置の別構成を示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。図２のように、ＯＬＥＤ素子４側から順に、無機絶縁膜である第１封止膜２６、透光性導電膜３０、有機絶縁膜である第２封止膜２７、および無機絶縁膜である第３封止膜３３を積層して封止部５を構成することもできる。
第１封止膜２６、透光性導電膜３０および第３封止膜３３は、平面視においてバンク２３ｂの外側にも形成される。平面視においては、図２（ｂ）のように、第１封止膜２６のエッジがバンク２３ｂよりも外側（基材エッジ側）に位置し、第１封止膜２６のエッジが透光性導電膜３０のエッジよりも内側（表示領域側）に位置し、第３封止膜３３のエッジが透光性導電膜３０のエッジよりも外側に位置し、（第２層間絶縁膜２０上の）コンタクト電極Ｅが第１封止膜２６のエッジよりも外側かつ透光性導電膜３０のエッジの内側に位置しており、バンク２３ｂの外側かつ第３封止膜３３のエッジの内側において透光性導電膜３０およびコンタクト電極Ｅのコンタクト（接触）がとられている。コンタクト電極Ｅは、例えば、これと同層の（第２層間絶縁膜２０上に形成された）引き回し配線Ｆｅを介して、端子部ＴＡの第２層間絶縁膜２０上に形成された端子Ｘｅに接続されており、端子Ｘｅ、引き回し配線Ｆｅおよびコンタクト電極Ｅを介してグラウンド電位が透光性導電膜３０に供給される。
図２の場合は、カソード電極２５および透光性導電膜３０の短絡を防ぐため、第１封止膜２６を、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）および窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の積層によって構成することもできる。
図３は、実施形態１にかかる表示装置のさらなる別構成を示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。図３のように、ＯＬＥＤ素子４側から順に、無機絶縁膜である第１封止膜２６、有機絶縁膜である第２封止膜２７、無機絶縁膜である第３封止膜３３、および透光性導電膜３０を積層して封止部５を構成することもできる。
第１封止膜２６、第３封止膜３３および透光性導電膜３０は、平面視においてバンク２３ｂの外側にも形成される。平面視においては、図３（ｂ）のように、第１封止膜２６のエッジおよび第３封止膜３３のエッジがバンク２３ｂよりも外側（基材エッジ側）に位置し、第１封止膜２６のエッジおよび第３封止膜３３のエッジが透光性導電膜３０のエッジよりも内側（表示領域側）に位置し、（第２層間絶縁膜２０上の）コンタクト電極Ｅが、第１封止膜２６のエッジおよび第３封止膜３３のエッジよりも外側かつ透光性導電膜３０のエッジの内側に位置している。
このため、コンタクト電極Ｅ上には、第１封止膜２６が形成されず、透光性導電膜３０が形成される。すなわち、バンク２３ｂの外側において透光性導電膜３０およびコンタクト電極Ｅのコンタクト（接触）がとられている。コンタクト電極Ｅは、例えば、これと同層の（第２層間絶縁膜２０上に形成された）引き回し配線Ｆｅを介して、端子部ＴＡの第２層間絶縁膜２０上に形成された端子Ｘｅに接続されており、端子Ｘｅ、引き回し配線Ｆｅおよびコンタクト電極Ｅを介してグラウンド電位を透光性導電膜３０に供給することができる。
図１〜図３の第２封止膜２７（有機絶縁膜）は、位相差膜としての機能（光学補償機能）を有していてもよい。位相差膜とは、Ｚ軸方向（膜厚方向）に直交するＸ軸方向およびＹ軸方向で屈折率が異なる膜であり、膜内をＸ軸方向に振動する波の速さとＹ軸方向に振動する波の速さとに差が生じる。その結果、入膜時の２つの波の位相関係と出膜時の２つの波の位相関係とを位相差δだけ変える（補償する）ことができる（位相差δは、膜厚に比例し、波長に反比例する）。
このような第２封止膜２７は、インクジェット方式等で塗布した複数の有機化合物を縮合させた後に偏光ＵＶ（紫外線）を照射して異方性を生じさせる工程によって形成することができる。
例えば、芳香族アミン化合物と芳香族アルデヒド化合物を脱水縮合させて得られるベンジリデンアニリン化合物は、光異性化反応性を有する炭素−窒素二重結合を含んでおり、ベンジリデンアニリン化合物を含有する側鎖型高分子膜に偏光ＵＶを照射することで、軸選択的な光異性化による異方性を生じた膜を形成することができる（日本国公開特許公報：特開２０１６−６０８５７を参照のこと）。
第２封止膜２７を位相差膜として機能させることでＯＬＥＤパネル２の厚みを抑え、フレキシブル性を高めることができる。
図１〜図３では封止部５に第２封止膜２７（有機絶縁膜）を設けているがこれに限定されない。例えば、ＯＬＥＤ素子４側から順に積層された、第１封止膜２６、透光性導電膜３０、および第３封止膜３３によって封止部５を構成してもよい。
〔実施形態２〕
図４（ａ）は、実施形態２にかかる表示装置の構成を示す断面図であり、図４（ｂ）はタッチセンサ部の構成を示す模式図である。図４の表示装置１０では、タッチセンサ部９が作り込まれた、ＯＬＥＤパネル３（インセルタッチセンサ方式）と機能パネル７とが接着層８を介して接着される。ＯＬＥＤパネル３は、図１のＯＬＥＤパネル２の封止部５の上側に、接着層を介することなくタッチセンサ部９が設けられた構成である。
具体的には、無機絶縁膜である第３封止膜３３よりも上側に、タッチセンサ部９を構成する、第１センサ配線層４４、絶縁層４５、第２センサ配線層４６および絶縁層４７がこの順に形成されている。こうすれば、機能パネル７にタッチセンサ機能は不要となり、また、タッチセンサ部９によって封止効果も高められる。
図４（ｂ）に示すように、タッチセンサ部９は、第１センサ配線層４４と、これよりも上層の第２センサ配線層４６と、第１センサ配線層４４および第２センサ配線層４６に挟まれた絶縁層４５と、第２センサ配線層４６よりも上層の絶縁層４７とを含む。第１センサ配線層４４の複数のセンサ配線Ｊｖは、例えば、無機絶縁膜である第３封止膜３３上に、導電材である、金属ナノ粒子（例えば、銀ナノ粒子）あるいは金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）またはグラフェンを含む液をインクジェット方式で塗布することで形成される。同様に、第２センサ配線層４６の複数のセンサ配線Ｊｈは、例えば、絶縁層４５上に、導電材である、金属ナノ粒子（例えば、銀ナノ粒子）あるいは金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）またはグラフェンを含む液をインクジェット方式で塗布することで形成される。
センサ配線Ｊｖは層内において列方向（図中縦方向）に延伸し、センサ配線Ｊｈは層内において行方向（図中横方向）に延伸する。センサ配線Ｊｖおよびセンサ配線Ｊｈをインクジェット方式で塗布する利点は、材料損失が少ない上、水、水溶液等を用いる洗浄工程が不要でＯＬＥＤ素子４を劣化させるおそれが少ないことである。
なお、光学的な観点から、図４のように、センサ配線Ｊｖおよびセンサ配線Ｊｈを隔壁２３ｃと重なるように形成してもよい。
図５は、図４のＯＬＥＤパネル３の構成を示す平面図である。図５（ａ）に示すように、センサ配線Ｊｖは中継電極Ｋｖに接続される。センサ配線Ｊｖはすべてが絶縁層４７で覆われる。中継電極Ｋｖは、平面視において、第３封止膜３３のエッジよりも外側（基材エッジ側）で、かつ絶縁層４７のエッジの内側に位置しており、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと同じ層（第２層間絶縁膜２０上）に形成されている。図５（ｂ）に示すように、センサ配線Ｊｖは、第３封止膜３３の上面から、第３封止膜３３の端面および第２層間絶縁膜２０の上面を経由して中継電極Ｋｖの上面に到り、これと接触する。
なお、基材の１つの長辺近傍に端子部ＴＢが設けられ、端子部ＴＢには封止部５およびセンサ部９が形成されていない。中継電極Ｋｖは、例えば、これと同層の（第２層間絶縁膜２０上に形成された）引き回し配線Ｆｖを介して、端子部ＴＢの第２層間絶縁膜２０上に形成された端子Ｘｖに接続される。
図５（ｃ）に示すように、センサ配線Ｊｈは中継電極Ｋｈに接続される。センサ配線Ｊｈはすべてが絶縁層４７で覆われる。中継電極Ｋｈは、平面視において、第３封止膜３３および絶縁層４５のエッジよりも外側（基材エッジ側）で、かつ絶縁層４７のエッジの内側に位置しており、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと同じ層（第２層間絶縁膜２０上）に形成される。図５（ｄ）に示すように、センサ配線Ｊｈは、絶縁層４５の上面から、絶縁層４５の端面および第３封止膜３３の端面並びに第２層間絶縁膜２０の上面を経由して中継電極Ｋｈの上面に到り、これと接触する。中継電極Ｋｈは、例えば、これと同層の（第２層間絶縁膜２０上に形成された）引き回し配線Ｆｈを介して、端子部ＴＢの第２層間絶縁膜２０上に形成された端子Ｘｈに接続される。端子Ｘｈは、狭額縁化のために端子Ｘｖと同じ端面（側面）に沿って形成されているが、むろん別の端面に沿って形成することもできる。
タッチセンサ部９によれば、機能パネル７に触れた指と重なるセンサ配線Ｊｖ（縦方向）およびセンサ配線Ｊｈ（横方向）の静電容量の変化を検出することができ、この検出結果に基づいてタッチ位置が求められる。
実施形態２の表示装置によれば、機能パネルにおけるタッチパネルの貼り合わせ等が不要となり、薄型化および柔軟性の向上を図ることができる。機能パネルにタッチパネルを含ませる場合と比較してタッチセンサ部９はＯＬＥＤ素子４に近づくことになるが、ＯＬＥＤ素子４の駆動に伴って生じるノイズは封止部５の透光性導電膜３０によって低減されるため、センサ感度を担保することができる。
図５では、引き回し配線Ｆｖ・Ｆｈおよび端子Ｘｖ・Ｘｈを、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと同じ層（第２層間絶縁膜２０上）に形成しているがこれに限定されない。引き回し配線Ｆｖ・Ｆｈおよび端子Ｘｖ・Ｘｈを、ゲート電極Ｇと同じ層（ゲート絶縁膜１６上）に形成することもできるし、容量電極Ｃと同じ層（第１層間絶縁膜１８上）に形成することもできる。
図６（ａ）は、実施形態２にかかる表示装置の別構成を示す断面図であり、図６（ｂ）はタッチセンサ部の構成を示す模式図である。図６の表示装置１０では、タッチセンサ部９が作り込まれた、ＯＬＥＤパネル２（インセルタッチセンサ方式）と機能パネル７とが接着される。ＯＬＥＤパネル２は、図２のＯＬＥＤパネル２の封止部５よりも上側に、接着層を介することなくタッチセンサ部９が設けられた構成である。
具体的には、無機絶縁膜である第３封止膜３３の上側に、タッチセンサ部９を構成する、第１センサ配線層４４、絶縁層４５、第２センサ配線層４６および絶縁層４７がこの順に形成されている。こうすれば、機能パネル７にタッチセンサ機能は不要となり、また、タッチセンサ部９によって封止効果も高められる。
図６の構成によれば、透光性導電膜３０と第１センサ配線層４４および第２センサ配線層４６との間に有機絶縁膜である第２封止膜２７が配されるため、センサ配線Ｊｖおよびセンサ配線Ｊｈと透光性導電膜３０との間の寄生容量が低減され、センサ感度を高めることができる。
図７（ａ）は、実施形態２にかかる表示装置のさらなる別構成を示す断面図であり、図７（ｂ）はタッチセンサ部の構成を示す模式図である。図７の表示装置１０では、タッチセンサ部９が作り込まれた、ＯＬＥＤパネル３（インセルタッチセンサ方式）と機能パネル７とが接着される。ＯＬＥＤパネル３は、図３のＯＬＥＤパネル２の封止部５よりも上側に、接着層を介することなくタッチセンサ部９が設けられた構成である。
具体的には、封止部５の透光性導電膜３０よりも上側に、絶縁層４３、第１センサ配線層４４、絶縁層４５、第２センサ配線層４６および絶縁層４７がこの順に形成されている。こうすれば、機能パネル７にタッチセンサ機能は不要となり、また、タッチセンサ部９によって封止効果も高められる。
〔まとめ〕
態様１のＯＬＥＤパネルでは、基材よりも上側に、ＯＬＥＤ素子と前記ＯＬＥＤ素子を覆う封止部とが設けられ、前記封止部に透光性導電膜が含まれる。なお、ＯＬＥＤパネルは、表示装置への適用に限られず、ＯＬＥＤを例えばフォトダイオードあるいは温度センサとして用いる電子機器（検知装置等）にも適用可能である。
態様２では、前記封止部に、前記透光性導電膜よりも下側に形成された第１封止膜が含まれ、平面視において、前記透光性導電膜のエッジが前記第１封止膜のエッジよりも外側に位置する。
態様３では、前記封止部に、前記第１封止膜よりも上側に形成された第２封止膜が含まれ、前記第２封止膜のエッジと重なるバンクを備え、平面視において、前記透光性導電膜のエッジが前記バンクよりも外側に位置する。
態様４では、前記透光性導電膜と接触するコンタクト電極が、前記バンクよりも外側に設けられている。
態様５では、前記コンタクト電極は、前記透光性導電膜の下側に設けられている。
態様６では、前記封止部に、前記第２封止膜よりも上側に形成された第３封止膜が含まれる。
態様７では、前記第１封止膜および前記第３封止膜は無機絶縁膜であり、前記第２封止膜は有機絶縁膜である。
態様８では、ＯＬＥＤ素子側から順に、前記第１封止膜、前記第２封止膜、前記透光性導電膜、前記第３封止膜が形成されている。
態様９では、ＯＬＥＤ素子側から順に、前記第１封止膜、前記透光性導電膜、前記第２封止膜、前記第３封止膜が形成されている。
態様１０では、ＯＬＥＤ素子側から順に、前記第１封止膜、前記第２封止膜、前記第３封止膜、前記透光性導電膜が形成されている。
態様１１では、平面視において、前記第３封止膜のエッジが前記透光性導電膜のエッジよりも外側に位置する。
態様１２では、平面視において、前記第３封止膜のエッジが前記透光性導電膜のエッジよりも内側に位置する。
態様１３では、前記第２封止膜は、インクジェット方式で塗布可能な感光性有機材料を含む。
態様１４では、前記透光性導電膜は、グラフェン、金属ナノワイヤ、および金属ナノ粒子の少なくとも１つを含む。
態様１５では、前記封止部よりも上側に、接着層を介することなくタッチセンサ部が形成されている。
態様１６では、前記タッチセンサ部は、第１センサ配線層と、これよりも上層の第２センサ配線層と、前記第１センサ配線層および前記第２センサ配線層に挟まれた第１絶縁層を含む。
態様１７では、第１センサ配線層のセンサ配線および第２センサ配線層のセンサ配線は、インクジェット方式で塗布可能な導電材を含む。
態様１８では、前記導電材が、金属ナノワイヤあるいは金属ナノ粒子またはグラフェンである。
態様１９では、前記第１センサ配線層あるいは前記第２センサ配線層のセンサ配線に接続する中継電極を含み、前記センサ配線は、前記封止部に含まれる絶縁膜の端面を経て前記中継電極の上面に到る。
態様２０では、前記第１センサ配線層および前記第２センサ配線層のセンサ配線のすべてが前記第１絶縁層よりも上層の第２絶縁層によって覆われている。
態様２１では、前記ＯＬＥＤ素子の位置を規定する隔壁を備え、前記第１センサ配線層および前記第２センサ配線層のセンサ配線が前記隔壁と重なるように形成されている。
態様２２では、前記第２封止膜が光学補償機能を有する。
態様２３では、前記基材がフレキシブルである。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２・３ ＯＬＥＤパネル
４ ＯＬＥＤ素子
５ 封止部
６・７ 機能パネル
８ 接着層
９ タッチセンサ部
１０ 表示装置
２３ｃ バンク
２６ 第１封止膜
２７ 第２封止膜
３０ 透光性導電膜
３３ 第３封止膜
４４ 第１センサ配線層
４６ 第２センサ配線層
Ｅ コンタクト電極
ｈａ・ｈｃ・ｈｄ・ｈｓ コンタクトホール

Claims (21)

  1. 基材よりも上側に、ＯＬＥＤ素子と前記ＯＬＥＤ素子を覆う封止部とが設けられ、前記封止部に透光性導電膜が含まれ、
    前記封止部に、前記透光性導電膜よりも下側に形成された第１封止膜が含まれ、
    平面視において、前記透光性導電膜のエッジが前記第１封止膜のエッジよりも外側に位置し、
    前記封止部に、前記第１封止膜よりも上側に形成された第２封止膜が含まれ、
    前記第２封止膜のエッジと重なるバンクを備え、
    平面視において、前記透光性導電膜のエッジが前記バンクよりも外側に位置するＯＬＥＤパネル。
  2. 前記透光性導電膜と接触するコンタクト電極が、前記バンクよりも外側に設けられている請求項１に記載のＯＬＥＤパネル。
  3. 前記コンタクト電極は、前記透光性導電膜の下側に設けられている請求項２に記載のＯＬＥＤパネル。
  4. 前記封止部に、前記第２封止膜よりも上側に形成された第３封止膜が含まれる請求項１に記載のＯＬＥＤパネル。
  5. 前記第１封止膜および前記第３封止膜は無機絶縁膜であり、前記第２封止膜は有機絶縁膜である請求項４に記載のＯＬＥＤパネル。
  6. ＯＬＥＤ素子側から順に、前記第１封止膜、前記第２封止膜、前記透光性導電膜、前記第３封止膜が形成されている請求項５記載のＯＬＥＤパネル。
  7. ＯＬＥＤ素子側から順に、前記第１封止膜、前記透光性導電膜、前記第２封止膜、前記第３封止膜が形成されている請求項５記載のＯＬＥＤパネル。
  8. ＯＬＥＤ素子側から順に、前記第１封止膜、前記第２封止膜、前記第３封止膜、前記透光性導電膜が形成されている請求項５記載のＯＬＥＤパネル。
  9. 平面視において、前記第３封止膜のエッジが前記透光性導電膜のエッジよりも外側に位置する請求項６または７に記載のＯＬＥＤパネル。
  10. 平面視において、前記第３封止膜のエッジが前記透光性導電膜のエッジよりも内側に位置する請求項８に記載のＯＬＥＤパネル。
  11. 前記第２封止膜は、インクジェット方式で塗布可能な感光性有機材料を含む請求項１に記載のＯＬＥＤパネル。
  12. 前記透光性導電膜は、グラフェン、金属ナノワイヤ、および金属ナノ粒子の少なくとも１つを含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネル。
  13. 前記封止部よりも上側に、接着層を介することなくタッチセンサ部が形成されている請求項１〜１２のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネル。
  14. 前記タッチセンサ部は、第１センサ配線層と、これよりも上層の第２センサ配線層と、前記第１センサ配線層および前記第２センサ配線層に挟まれた第１絶縁層を含む請求項１３に記載のＯＬＥＤパネル。
  15. 第１センサ配線層のセンサ配線および第２センサ配線層のセンサ配線は、インクジェット方式で塗布可能な導電材を含む請求項１４に記載のＯＬＥＤパネル。
  16. 前記導電材が、金属ナノワイヤあるいは金属ナノ粒子またはグラフェンである請求項１５に記載のＯＬＥＤパネル。
  17. 基材よりも上側に、ＯＬＥＤ素子と前記ＯＬＥＤ素子を覆う封止部とが設けられ、前記封止部に透光性導電膜が含まれ、
    前記封止部よりも上側に、接着層を介することなくタッチセンサ部が形成され、
    前記タッチセンサ部は、第１センサ配線層と、これよりも上層の第２センサ配線層と、前記第１センサ配線層および前記第２センサ配線層に挟まれた第１絶縁層とを含み、
    前記第１センサ配線層あるいは前記第２センサ配線層のセンサ配線に接続する中継電極を備え、
    前記センサ配線は、前記封止部に含まれる絶縁膜の端面を経て前記中継電極の上面に到るＯＬＥＤパネル。
  18. 前記第１センサ配線層および前記第２センサ配線層のセンサ配線のすべてが前記第１絶縁層よりも上層の第２絶縁層によって覆われている請求項１４〜１７のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネル。
  19. 前記ＯＬＥＤ素子の位置を規定する隔壁を備え、
    前記第１センサ配線層および前記第２センサ配線層のセンサ配線が前記隔壁と重なるように形成されている請求項１４〜１８のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネル。
  20. 前記第２封止膜が光学補償機能を有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネル。
  21. 前記基材がフレキシブルである請求項１〜２０のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネル。
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