JP6722096B2

JP6722096B2 - ガラス基板、及びガラス基板積層体

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Publication number: JP6722096B2
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Description

本発明は、ガラス基板、及びガラス基板積層体に関する。

ガラス基板は、一般的に、ガラス原料から熔融ガラスを生成させた後、清澄工程、均質化工程を得た後、熔融ガラスをガラス基板へと成形する工程を経て製造される。ところで、高温の熔融ガラスから品位の高いガラス基板を量産するためには、ガラス基板の欠陥の要因となる異物等が、ガラス基板を製造するいずれのガラス処理装置からも熔融ガラスへ混入しないよう考慮することが望まれる。このため、ガラス基板の製造過程において熔融ガラスに接する部材の壁は、その部材に接する熔融ガラスの温度、要求されるガラス基板の品質等に応じ、適切な材料により構成する必要がある。
たとえば、熔融ガラスを生成した後成形工程に供給するまでの間の熔融ガラスは極めて高温状態になるため、熔融、清澄、供給、攪拌を行う装置は、耐熱性の高い白金族金属である白金を含有する部材が用いられる（例えば、特許文献１）。

特開２０１０−１１１５３３号公報

しかし、白金族金属は、高温になるに従って揮発し易くなる。そして白金族金属の揮発物が凝集すると、この凝集物である結晶の一部が異物として熔融ガラス中に混入し、ガラス基板の品質の低下を招くおそれがあった。特に、清澄工程は、熔解工程から成形工程にいたるまでの間で熔融ガラスの温度が最も高くなる工程であるので、清澄工程を主に行う清澄管は、極めて高い温度に加熱される。このため、清澄工程後の熔融ガラスには、清澄管から揮発した白金族金属が凝集することで得られる凝集物の一部が異物となって混入し易い。

ガラス基板製造過程で白金族金属の異物が混入すると、白金族金属の異物とガラスの熱膨張係数の差に起因してガラス基板に歪が生じ、この歪によってディスプレイの表示不良を引き起こす問題や、白金族金属がガラス基板の主表面付近に存在してガラス基板の主表面に凹凸を形成し、主表面上に設ける薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の形成が均一に行えないことに起因するディスプレイの表示不良の問題が生じる。近年、画像表示装置の画面表示の高精細化に伴ってディスプレイに用いるガラス基板では、ガラス基板内に混入する白金族金属の異物の低減がさらに強く求められている。
このように、ガラス基板に混入する白金族金属の異物（凝集物）の量を低減することが好ましい。しかし、成形前の熔融ガラスの温度は極めて高く、特に、清澄工程を行う清澄管では、白金族金属の揮発を誘発する原因である酸素を清澄管の気相空間雰囲気から排除することはできず、白金族金属の揮発を完全になくすことはできない。また、清澄管において、白金族金属の揮発物の凝集を生じさせる原因である装置内壁面の温度差を０にすることもできず、白金族金属の揮発を完全になくすことはできない。このため、製造過程で熔融ガラス中に白金族金属の異物（凝集物）が混入することを完全に阻止することは難しい。

そこで、本発明は、ガラス基板に白金族金属の異物（凝集物）が混入しても、上記問題を生じさせ難いガラス基板、及びガラス基板積層体を提供することを目的とする。

本願発明者は、上述したように、ガラス基板の製造過程で熔融ガラス中に白金族金属の異物（凝集物）が混入することを完全に阻止することは難しいことから、熔融ガラス中に白金族金属の異物（凝集物）が混入しても、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくする異物の形態を模索した。その結果、白金族金属の最大長さが５０μｍ以下であることが、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくする上で有効であり、また、ガラス基板に混入する白金族金属の異物（凝集物）のうち、白金族金属の最大長さが５０μｍ以下である白金族金属の異物（凝集物）の個数の割合が７０％以上であることが有効であるという知見を得た。特に、ガラス基板を製造するとき、熔融ガラスに混入した白金族金属の異物（凝集物）の大きさを低減させることが、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくする上で有効であるという知見を得た。これは、表示不良の発生を抑制するためには、白金族金属の異物（凝集物）の絶対数を低減させるための従来技術からは容易に想到し得ない知見である。

すなわち、本発明の一態様は、ガラス基板の製造方法である。当該ガラス基板の製造方法は、以下の形態を含む。
（第１の形態）
ガラス基板の製造方法は、
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
前記熔融ガラスの導入により、前記熔融ガラスの表面と壁に囲まれた気相空間が形成される空間を有し、前記壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において前記熔融ガラスを処理する工程であって、前記熔融ガラスの処理時、前記気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が異物として前記熔融ガラスに混入する熔融ガラス処理工程と、を備え、
前記熔融ガラスに混入した凝集物のうち、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合が７０％以上になるように、前記熔融ガラスに混入した凝集物の大きさを小さくする凝集物処理工程と、を備える。

（第２の形態）
ガラス基板の製造方法は、
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
前記熔融ガラスからなる液相と、前記熔融ガラスの液面と壁から形成される気相空間とを有し、前記気相空間を囲む壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において前記熔融ガラスを処理する工程であって、前記熔融ガラスの処理時、前記気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が異物として前記熔融ガラスに混入する熔融ガラス処理工程と、
前記熔融ガラス処理工程で熔融ガラスに混入した凝集物のうち、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合が７０％以上になるように、前記熔融ガラスに混入した凝集物の大きさを小さくする凝集物処理工程と、を備える。

（第３の形態）
ガラス基板の製造方法は、
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
前記熔融ガラスの導入により、前記熔融ガラスの表面と壁に囲まれた気相空間が形成される空間を有し、前記壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において前記熔融ガラスを処理する工程であって、前記熔融ガラスの処理時、前記気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が異物として前記熔融ガラスに混入する熔融ガラス処理工程と、を備え、
前記熔融ガラスに混入した凝集物の大きさが小さくなるように、前記熔融ガラスにおける前記凝集物の溶解度を調整する凝集物処理工程、を備える。

（第４の形態）
ガラス基板の製造方法は、
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
前記熔融ガラスからなる液相と、前記熔融ガラスの液面と壁から形成される気相空間とを有し、前記気相空間を囲む壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において前記熔融ガラスを処理する工程であって、前記熔融ガラスの処理時、前記気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が異物として前記熔融ガラスに混入する熔融ガラス処理工程と、を備え、
さらに、前記凝集物に与える熱量が、前記熔融ガラスに混入した前記凝集物の大きさを小さくすることができる最小熱量以上となるように、前記凝集物に与える熱量を制御する凝集物処理工程、を備える。

（第５の形態）
前記ガラス基板の製造方法において、前記気相空間と接する前記壁の最高温度と最低温度との差を５℃以上にし、前記気相空間は酸素を含む、第１の形態〜第４の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第６の形態）
前記凝集物処理工程は、前記凝集物を含む前記熔融ガラスの温度を、前記熔融ガラス処理工程において凝集物が熔融ガラスに混入する領域における熔融ガラスの温度と比べて高くなるように昇温させる、前記第１の形態〜前記第５の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。あるいは、前記凝集物処理工程において、前記熔融ガラスの温度は最高温度となる。

（第７の形態）
前記凝集物処理工程では、前記凝集物の熔融ガラスへの溶解度を、前記熔融ガラス処理工程において凝集物が熔融ガラスに混入する領域における前記溶解度に比べて高くする、前記第１の形態〜前記第６の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。あるいは、前記凝集物処理工程は、前記凝集物の熔融ガラスへの溶解度高めることで、前記熔融ガラスに混入した凝集物の大きさを小さくする、前記第１の形態〜前記第６の形態のいずれか１つの形態のガラス基板の製造方法。詳細には、前記凝集物処理工程は、前記凝集物の熔融ガラスへの溶解度高めるように熔融ガラスを加熱制御することで、前記熔融ガラスに混入した凝集物の大きさを小さくする、前記第１の形態〜前記第６の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第８の形態）
前記ガラス処理装置は、清澄管を有する清澄装置であり、
前記熔融ガラスは、前記清澄管を流れ、
前記清澄管内の前記気相空間は、前記熔融ガラスの流れの方向に沿って形成され、前記凝集物処理工程は、前記清澄管で行われる、前記第１の形態〜前記第７の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第９の形態）
前記熔融ガラス処理工程では、前記熔融ガラスに含まれる酸化スズを用いて前記熔融ガラス中の泡数を低減する清澄処理を行い、前記熔融ガラスは、前記ガラス処理装置を流れ、前記気相空間と接する前記壁には、前記熔融ガラスの流れの方向に沿って温度分布を形成させ、前記気相空間には、前記熔融ガラスの流れの方向に沿って酸素濃度分布を形成させる、前記第１の形態〜前記第８の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第１０の形態）
前記凝集物処理工程は、前記ガラス処理装置で行われ、前記熔融ガラスは、前記ガラス処理装置を流れ、前記ガラス処理装置を流れる熔融ガラスのうち、前記気相空間における熔融ガラスの流れ方向において、酸素濃度が最も高くなる領域と対応する位置を流れる熔融ガラスに対して行われる、前記第１の形態〜前記第９の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第１１の形態）
前記気相空間中の酸素濃度を、０％超であって、１．０％以下にし、前記気相空間と接する前記壁の最高温度と最低温度の差を、５℃以上であって、１００℃以下にする、前記第１の形態〜前記第１０の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第１２の形態）
前記凝集物処理工程における前記熔融ガラスの温度を、１６７０℃〜１７３０℃の温度範囲とするように熔融ガラスの温度を制御する、前記第１の形態〜前記第１１の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第１３の形態）
前記熔融ガラス処理工程において凝集物が熔融ガラスに混入する領域における前記熔融ガラスの温度を、１５８０℃〜１６６０℃の温度範囲とするように熔融ガラスの温度を制御する、前記第１の形態〜前記第１２の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第１４の形態）
前記熔融ガラス処理工程は、前記凝集物処理工程を含む、前記第１の形態〜前記第１３の形態のいずれか１つの形態に記載のガラス基板の製造方法。

（第１５の形態）
前記ガラス基板は、ディスプレイ用ガラス基板である、前記第１の形態〜前記第１４の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第１６の形態）
前記凝集物処理工程開始時の前記熔融ガラス中に溶けている白金族金属の濃度を、０．０５〜２０ｐｐｍにする、前記第１の形態〜前記第１５の形態のいずれか１つの形態に記載のガラス基板の製造方法。

（第１７の形態）
前記凝集物処理工程では、ガラス基板の［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）が０．２〜０．５となる範囲で前記熔融ガラスの前記白金族金属の飽和溶解度を調整する、前記第１の形態〜前記第１６の形態のいずれか１つの形態に記載のガラス基板の製造方法。

（第１８の形態）
前記ガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量が０〜０．５質量％である、前記第１の形態〜前記第１７の形態のいずれか１つの形態に記載されたガラス基板の製造方法。

（第１９の形態）
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
前記熔融ガラスの導入により、前記熔融ガラスの表面と壁に囲まれた気相空間が形成される空間を有し、前記壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において前記熔融ガラスを処理する工程であって、前記熔融ガラスの処理時、前記
気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が異物として前記
熔融ガラスに混入する熔融ガラス処理工程と、
前記熔融ガラス処理工程において、前記熔融ガラスに混入した凝集物の少なくとも一部を前記熔融ガラスに溶解させる凝集物処理工程と、を備え、
前記凝集物処理工程開始時の前記熔融ガラス中に溶けている白金族金属の濃度を、０．０５〜２０ｐｐｍにする、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。

（第２０の形態）
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
前記熔融ガラスの導入によって前記熔融ガラスの表面と壁に囲まれる気相空間が形成され、前記気相空間に接する壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置を用いて前記熔融ガラスを処理する工程であって、前記熔融ガラスの処理時、前記気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が前記熔融ガラスに混入する熔融ガラス処理工程と、
前記熔融ガラス処理工程で前記熔融ガラスに混入した凝集物の少なくとも一部を前記熔融ガラスに溶解させる凝集物処理工程と、を備え、
前記凝集物処理工程では、新たに作製されるガラス基板に含まれる前記凝集物の欠陥個数が許容レベルになるように、前記ガラス処理装置を用いて作製したガラス基板において検出された前記凝集物の欠陥個数に基づいて前記熔融ガラスの温度を調整することで前記凝集物白金族金属の飽和溶解度を調整することを特徴とするガラス基板の製造方法。
ここで、記凝集物処理工程では、前記凝集物の飽和溶解度を調整するために、前記熔融ガラスの温度を１６６０〜１７５０℃の範囲で調整することが好ましい。

（第２１の形態）
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
前記熔融ガラスの導入によって前記熔融ガラスの表面と壁に囲まれる気相空間が形成され、前記気相空間に接する壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置を用いて前記熔融ガラスを処理する工程であって、前記熔融ガラスの処理時、前記気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が前記熔融ガラスに混入する熔融ガラス処理工程と、
前記熔融ガラス処理工程で前記熔融ガラスに混入した凝集物の少なくとも一部を前記熔融ガラスに溶解させる凝集物処理工程と、を備え、
前記凝集物処理工程では、ガラス基板に含まれる前記凝集物の欠陥個数が許容レベルになるように、ガラス基板の［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）を０．２〜０．５の範囲で調整することにより、前記熔融ガラスの前記白金族金属の飽和溶解度を調整することを特徴とするガラス基板の製造方法。
ここで、前記［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）は、前記ガラス基板が含有する酸化錫の含有量及びガラス原料に含まれる酸化物の含有量の少なくともいずれかを調節することにより調整されることが好ましい。

また、本発明の他の一態様は、複数枚の、ディスプレイに用いるガラス基板が積層されて形成されるガラス基板積層体である。このとき、以下の第２２の形態を含む。
（第２２の形態）
前記ガラス基板積層体の前記ガラス基板の体積の合計は０．１ｍ³以上であり、
前記ガラス基板積層体が含む全白金族金属の凝集物は、最小長さが２μｍ以下である線状物であり、前記凝集物は、５０μｍを超える最大長さの凝集物を含み、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、７０％以上であり、最大長さが３０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、９０％以上であり、
前記ガラス基板の［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）は０．２〜０．５である、ことを特徴とするガラス基板積層体。

また、本発明の他の一態様は、ディスプレイに用いるガラス基板であり、以下の第２３の形態を含む。
（第２３の形態）
ガラス基板が含む白金族金属の凝集物は、最小長さが２μｍ以下である線状物であり、前記凝集物は、５０μｍを超える最大長さの凝集物を含み、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、７０％以上であり、最大長さが３０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、９０％以上であり、
前記ガラス基板の［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）は０．２〜０．５である、ことを特徴とするガラス基板。

さらに、本発明の他の一態様は、ガラス基板製造装置である。当該ガラス基板製造装置は、以下の形態を含む。
（第２４の形態）
ガラス基板製造装置は、
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解装置と、
前記熔融ガラスの導入により、前記熔融ガラスの表面と壁に囲まれた気相空間が形成される空間を有し、前記壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成された、前記熔融ガラスを処理する装置であって、前記熔融ガラスの処理時、前記気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が異物として前記熔融ガラスに混入するガラス処理装置と、
前記熔融ガラス処理工程で熔融ガラスに混入した凝集物のうち、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合が７０％以上になるように、前記熔融ガラスに混入した凝集物の大きさを小さくする処理手段と、を備える。

さらに、本発明の他の一態様も、ガラス基板製造装置である。当該ガラス基板製造装置は、以下の形態を含む。
（第２５の形態）
ガラス基板製造装置は、
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解装置と、
前記熔融ガラスの導入により、前記熔融ガラスの表面と壁に囲まれた気相空間が形成される空間を有し、前記壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成された、前記熔融ガラスを処理する装置であって、前記熔融ガラスの処理時、前記気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が異物として前記熔融ガラスに混入するガラス処理装置と、を備え、
前記熔融ガラスに混入した凝集物の大きさが小さくなるように、前記熔融ガラスにおける前記凝集物の溶解度を調整する手段、を備える。

（第２６の形態）
また、前記第１の形態〜前記第２１の形態のガラス基板の製造方法、前記第２２の形態のガラス基板積層体、前記第２３の形態のガラス基板、及び前記第２４、２５の形態のガラス基板製造装置のいずれか１つの形態における前記ガラス基板は、６５０℃以上の歪点を有するガラス基板である。

前記第１の形態〜前記第２１の形態のガラス基板の製造方法、前記第２２の形態のガラス基板積層体、前記第２３の形態のガラス基板、及び前記第２４、２５の形態のガラス基板製造装置のいずれか1つの形態における前記ガラス基板は、液晶ディスプレイ用ガラス基板、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ用ガラス基板、あるいはＬＴＰＳ（Low Temperature Poly-silicon）薄膜半導体を用いたディプレイ用ガラス基板として用いられる。

上述のガラス基板の製造方法、ガラス基板、ガラス基板積層体、及びガラス基板製造装置によれば、ガラス基板に白金族金属の異物（凝集物）が混入しても、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくすることができる。これにより、ガラス基板の製造時の歩留まりが向上する。

実施形態に係るガラス基板の製造方法の工程を示すフローチャートである。実施形態に係るガラス基板製造装置の構成を示す模式図である。実施形態に係る清澄管を主に表した外観図である。実施形態に係る清澄管の内部を表す断面図と清澄管の温度プロファイルの一例を示す図である。熔融ガラスの最高温度と異物の割合との関係を表すグラフ図である。

本実施形態のガラス基板の製造方法は、熔融ガラスの導入により、熔融ガラスの表面と壁に囲まれた気相空間が形成される空間を有し、前記壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置、例えば、熔融ガラスからなる液相と、熔融ガラスの液面と壁から形成される気相空間とを有し、気相空間を囲む壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において熔融ガラスを処理する（熔融ガラス処理工程）。この熔融ガラスの処理時、気相空間に存在する、前記壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が異物として熔融ガラスに混入する。熔融ガラスに混入した前記凝集物のうち、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合が７０％以上になるように、熔融ガラスに混入した凝集物の大きさを小さくする処理を行う（凝集物処理工程）。あるいは、熔融ガラスに混入した凝集物の大きさが小さくなるように、熔融ガラスにおける異物（凝集物）の溶解度を調整する。例えば、異物（凝集物）に与える熱量が、熔融ガラスに混入した異物（凝集物）の大きさを小さくすることができる最小熱量以上となるように、異物（凝集物）に与える熱量を制御する（凝集物処理工程）。
このように、ガラス基板に混入する白金族金属の異物（凝集物）の大きさを小さくすることにより、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくすることができる。このため、従来の問題を改善して、ガラス基板の製造歩留まりを改善する。
以降の説明では、凝集物の溶融ガラスに対する溶解度が、凝集物が熔融ガラスに溶解して大きさを小さくすることができる最小溶解度以上となるように、溶解度を調整する条件を制御する例として、凝集物に与える熱量が、熔融ガラスに混入した凝集物の大きさを小さくすることができる最小熱量以上となるように、凝集物に与える熱量を制御する例を挙げて説明する。

（ガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置）
図１は、本実施形態に係るガラス基板製造方法の工程の一例を示すフローチャートである。ガラス基板の製造方法は、図１に示されるように、主として、熔解工程Ｓ１と、清澄工程Ｓ２と、攪拌工程Ｓ３と、成形工程Ｓ４と、徐冷工程Ｓ５と、切断工程Ｓ６とを備える。
図２は、本実施形態に係るガラス基板製造装置２００の構成の一例を示す模式図である。ガラス基板製造装置２００は、熔解槽４０と、清澄管４１と、攪拌装置１００と、成形装置４２と、移送管４３ａ，４３ｂ，４３ｃとを備える。移送管４３ａは、熔解槽４０と清澄管４１を接続する。移送管４３ｂは、清澄管４１と攪拌装置１００を接続する。移送管４３ｃは、攪拌装置１００と成形装置４２を接続する。

熔解工程Ｓ１では、ガラスの原料を熔解して熔融ガラスが生成される。熔融ガラスは、熔解槽４０に貯留され、所望の温度を有するように加熱される。熔融ガラスは、清澄剤を含有する。環境負荷低減の観点から、清澄剤として酸化スズが好適に用いられる。
熔解槽４０では、ガラス原料は、その組成等に応じた温度に加熱されて熔解される。これにより、熔解槽４０では、例えば、１５００℃〜１６２０℃の高温の熔融ガラスＧが得られる。なお、熔解槽４０では、少なくとも１対の電極間に電流を流すことで、電極間の熔融ガラスＧが通電加熱されてもよく、また、通電加熱に加えてバーナーによる火焔を補助的に与えることで、ガラス原料が加熱されてもよい。

清澄工程Ｓ２は、熔融ガラスが流れる移送管４３ａ及び清澄管４１の内部で行われる。最初に、熔融ガラスの温度を上昇させる。清澄剤は、昇温により還元反応を起こして酸素を放出する。熔融ガラス中に含まれる泡は、放出した酸素を吸収して拡大し、熔融ガラスが気相空間と接する表面に浮上し、破泡して消滅する。すなわち、脱泡処理工程Ｓ２Ａが行われる。さらに、脱泡処理工程Ｓ２Ａの途中から、あるいは、脱泡処理工程Ｓ２Ａの終了後、熔融ガラスの温度を高くして、脱泡処理において混入した白金族金属の凝集物の大きさを低減する凝集物処理工程Ｓ２Ｂが行われる。その後、熔融ガラスの温度を低下させる。これにより、還元された清澄剤は、酸化反応を起こして、熔融ガラス中に残存している酸素等のガス成分を吸収する。すなわち、吸収処理工程Ｓ２Ｃが行われる。

具体的には、熔解槽４０で得られた熔融ガラスＧは、熔解槽４０から移送管４３ａを通過して清澄管４１に流入する。清澄管４１は、熔融ガラスＧの導入により、熔融ガラスＧの表面と壁に囲まれた気相空間が形成される空間を有し、この壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されている。例えば、熔融ガラスが流れる液相と、熔融ガラスの液面と壁から形成される気相空間とを有し、気相空間を囲む壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されている。移送管４３ａ，４３ｂ，４３ｃは、白金族金属製の管である。なお、白金族金属は、単一の白金族元素からなる金属、および、白金族元素からなる金属の合金を意味する。白金族元素は、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）およびイリジウム（Ｉｒ）の６元素である。本実施形態では、例えば、白金含有量が７０％以上である白金とロジウムの合金が好適に用いられる。白金族金属は、融点が高く、熔融ガラスに対する耐食性に優れている。清澄管４１には、熔解槽４０と同様に加熱手段が設けられている。また、少なくとも移送管４３ａにも加熱手段が設けられている。

清澄工程Ｓ２では、熔融ガラスＧを昇温することで脱泡する脱泡処理工程と、熔融ガラスに混入する白金族金属の異物（凝集物）に与える熱量を調整することで、白金族金属の異物（凝集物）を分断、あるいは熔解して白金族金属の異物（凝集物）の大きさを低減する凝集物処理工程と、熔融ガラスを降温することで、熔融ガラス中の泡を熔融ガラスが吸収する吸収処理工程を行う。凝集物処理工程では、熔融ガラスに混入した異物（凝集物）を分断し、あるいは熔解して白金族金属の異物（凝集物）の大きさを小さくするには、異物（凝集物）に与える熱量を、所定の熱量（最小熱量）以上にする必要がある。この場合、異物（凝集物）に与える熱量が、この最小熱量以上となるように、熔融ガラス中の異物（凝集物）に与える熱量を制御する。上記最小熱量は、予め実験等により予め調べることができる。最小熱量を熔融ガラスＧの温度で制御する場合、例えば、清澄管４１における熔融ガラスＧの温度を、１５８０℃〜１７３０℃の範囲、好ましくは、１６７０℃〜１７３０℃の範囲で制御する。
清澄工程Ｓ２では、熔融ガラスＧの清澄を十分に行なうという観点からは、移送管４３ａの内部を流れる熔融ガラスＧの温度は、降温されることなく、順次昇温されることが好ましい。熔解工程Ｓ１の後、熔融ガラスＧは１６３０℃以上まで３℃／分以上の速度で昇温されることが好ましい。
移送管４３ａを流れる熔融ガラスＧの最高温度は１６２０℃〜１６９０℃であり、１６４０℃〜１６７０℃であることが好ましい。また、移送管４３ａと清澄管４１を接続する領域である清澄管入口での熔融ガラスＧの温度は、１６１０℃〜１６８０℃であり、１６３０℃〜１６６０℃であることが好ましい。さらに、清澄管４１と移送管４３ｂとを接続する領域である清澄管出口での熔融ガラスＧの温度は、１５３０℃〜１６００℃であり、１５４０℃〜１５８０℃であることが好ましい。
清澄管４１において清澄された熔融ガラスＧは、清澄管４１から移送管４３ｂを通過して攪拌装置１００に流入する。熔融ガラスＧは、移送管４３ｂを通過する際に冷却される。

攪拌工程Ｓ３では、清澄された熔融ガラスが攪拌されて、熔融ガラスの成分が均質化される。これにより、ガラス基板の脈理等の原因である熔融ガラスの組成ムラが低減される。均質化された熔融ガラスは、成形工程Ｓ４に送られる。
具体的には、攪拌装置１００では、清澄管４１を通過する熔融ガラスＧの温度よりも低い温度で、熔融ガラスＧが攪拌される。例えば、攪拌装置１００において、熔融ガラスＧの温度は、１２５０℃〜１４５０℃である。例えば、攪拌装置１００において、熔融ガラスＧの粘度は、５００ポアズ〜１３００ポアズである。熔融ガラスＧは、攪拌装置１００において攪拌されて均質化される。
攪拌装置１００で均質化された熔融ガラスＧは、攪拌装置１００から移送管４３ｃを通
過して成形装置４２に流入する。熔融ガラスＧは、移送管４３ｃを通過する際に、熔融ガ
ラスＧの成形に適した粘度となるように冷却される。例えば、熔融ガラスＧは、１１００〜１３００℃まで冷却される。
なお、本実施形態の攪拌工程Ｓ３は、清澄工程Ｓ２の後に行なわれるが、攪拌工程Ｓ３は、清澄工程Ｓ２の前に行われてもよい。この場合、攪拌工程Ｓ３時の熔融ガラスＧの温度は、清澄管４１内の熔融ガラスＧの温度と同等か高くてもよい。

成形工程Ｓ４では、オーバーフローダウンドロー法またはフロート法によって、熔融ガ
ラスからシートガラスが連続的に成形される。
具体的には、成形装置４２に流入した熔融ガラスＧは、成形炉（図示せず）の内部に設置されている成形体５２に供給される。成形体５２の上面には、成形体５２の長手方向に沿って溝が形成されている。熔融ガラスＧは、成形体５２の上面の溝に供給される。溝から溢れた熔融ガラスＧは、成形体５２の一対の側面を伝って下方へ流下する。成形体５２の側面を流下した一対の熔融ガラスＧは、成形体５２の下端で合流して、シートガラスＧＲが連続的に成形される。

徐冷工程Ｓ５では、成形工程Ｓ４で連続的に成形されたシートガラスが所望の厚みを有
し、かつ、歪みおよび反りが生じないように徐々に冷却される。
切断工程Ｓ６では、徐冷工程Ｓ５で徐冷されたシートガラスが所定の長さに切断されて、ガラスシートが得られる。ガラスシートは、さらに、所定のサイズに切断されて、ガラス基板が得られる。

（ガラス基板積層体及びガラス基板）
本実施形態は、複数枚のガラス基板を積層して形成されたガラス基板積層体及びガラス基板を提供する。
本実施形態のガラス基板積層体は、その体積の合計は０．１ｍ³以上であり、このガラス基板積層体が含む全白金族金属の凝集物のうち、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、７０％以上である、ことを特徴とする。このようなガラス基板積層体は、後述するように、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくすることができる。このため、上記積層体の各ガラス基板は、ディスプレイ用ガラス基板に好適であり、特に、画面表示において高精細が求められるディスプレイパネル用ガラス基板において有効である。
また、本実施形態のガラス基板は、ガラス基板が含む白金族金属の凝集物のうち、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、７０％以上であることを特徴とする。このような構成のガラス基板により、後述するように、ガラス基板に歪がより生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸をより作りにくくすることができる。
なお、ガラス基板積層体及びガラス基板は、含有する白金族金属の凝集物のうち、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合が９０％以上であることがより好ましい。また、ガラス基板積層体及びガラス基板は、含有する白金族金属の凝集物のうち、最大長さが３０μｍ以下である凝集物の個数の割合が９０％以上であることがより好ましい。
ガラス基板に用いるガラスは、歪点が６００℃以上であるガラスが、後述するガラス基板の製造方法に適している。上記歪点は６５０℃以上であることがより好ましく、６９０℃以上であることがよりいっそう好ましく、７３０℃以上であることが特に好ましい。

（ガラス基板の適用例）本実施形態のガラス基板の製造方法によって製造されるガラス基板は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等のディスプレイ用ガラス基板やディスプレイを保護するカバーガラスとして、特に適している。ディスプレイ用ガラス基板を用いるディスプレイには、ディスプレイ表面がフラットなフラットパネルディスプレイの他、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイであって、ディスプレイ表面が湾曲した曲面ディスプレイが含まれる。ガラス基板は、高精細ディプレイ用ガラス基板として、例えば液晶ディスプレイ用ガラス基板、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ用ガラス基板、ＬＴＰＳ（Low Temperature Poly-silicon）薄膜半導体、あるいはＩＧＺＯ（Indium，Gallium，Zinc，Oxide）等の酸化物半導体を用いたディプレイ用ガラス基板として用いることが好ましい。
ディスプレイ用ガラス基板としては、無アルカリガラス、または、アルカリ微量含有ガラスが用いられる。ディスプレイ用ガラス基板は、高温時における粘性が高い。例えば、１０^2.5ポアズの粘性を有する熔融ガラスの温度は、１５００℃以上である。なお、無アルカリガラスは、アルカリ金属酸化物（Ｒ₂Ｏ）を実質的に含まない組成のガラスである。アルカリ金属酸化物を実施的に含まないとは、原料等から混入する不純物を除き、ガラス原料としてアルカリ金属酸化物を添加しない組成のガラスであり、例えば、アルカリ金属酸化物の含有量は０．１質量％未満である。

（ガラス組成）
熔解槽４０では、図示されない加熱手段によりガラス原料が熔解され、熔融ガラスＧが生成される。ガラス原料は、所望の組成のガラスを実質的に得ることができるように調製される。ガラスの組成の一例として、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用ガラス基板等のディスプレイ用ガラス基板として好適な無アルカリガラスは、ＳｉＯ₂ ５０質量％〜７０質量％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０質量％〜２５質量％、Ｂ₂Ｏ₃ ０質量％〜１５質量％、ＭｇＯ０質量％〜１０質量％、ＣａＯ０質量％〜２０質量％、ＳｒＯ０質量％〜２０質量％、ＢａＯ０質量％〜１０質量％を含有する。なお、ＢａＯ０質量％〜１０質量％に代えて、ＢａＯ０質量％〜２０質量％としてもよい。ここで、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計の含有量は、５質量％〜３０質量％である。

また、ディスプレイ用ガラス基板として、アルカリ金属酸化物を微量含むアルカリ微量含有ガラスを用いてもよい。アルカリ微量含有ガラスは、成分として、０．１質量％〜０．５質量％のＲ’₂Ｏを含み、好ましくは、０．２質量％〜０．５質量％のＲ’₂Ｏを含む。ここで、Ｒ’は、Ｌｉ、ＮａおよびＫから選択される少なくとも１種であり、Ｒ’₂Ｏは、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏの含有量の合計である。なお、Ｒ’₂Ｏの含有量の合計は、０．１質量％未満であってもよい。したがって、本実施形態のガラス基板は、無アルカリガラスを含めて、アルカリ金属酸化物（Ｒ’₂Ｏ）の含有量が０〜０．５質量％であるガラスが好適に用いられる。

本実施形態によって製造されるガラスは、上記成分に加えて、ＳｎＯ₂ ０．０１質量％〜１質量％（好ましくは、０．０１質量％〜０．５質量％）、Ｆｅ₂Ｏ₃ ０質量％〜０．２質量％（好ましくは、０．０１質量％〜０．０８質量％）をさらに含有してもよい。また、本発明によって製造されるガラスは、環境負荷を考慮して、Ａｓ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃およびＰｂＯを実質的に含有しないことが好ましい。環境負荷低減のために、好ましくは、酸化スズ（ＳｎＯ₂）が清澄剤として用いられる。

本実施形態は、熔融ガラス処理工程を清澄工程とし、熔融ガラス処理装置を、清澄管４１を含んだ清澄装置とする形態を例に挙げて説明しているが、熔融ガラス処理工程を行う装置は、熔解槽４０と成形装置４２との間に設けられ、熔融ガラスに所定の処理をする装置である限りにおいて、特に制限されない。ガラス処理装置は、清澄装置の他に、例えば攪拌装置、あるいは熔融ガラスを移送する移送管とすることもできる。したがって、熔融ガラスの処理は、熔融ガラスを清澄する処理の他に、熔融ガラスを均質化する処理、熔融ガラスを移送する処理等を含む。また、凝集物処理工程Ｓ２Ｂも、清澄工程Ｓ２で行われる例を挙げて説明したが、例えば、攪拌工程Ｓ３、移送管にて熔融ガラスＧを移送する工程で行われてもよい。なお、凝集物処理工程Ｓ２Ｂが清澄工程Ｓ２で行われる場合であっても、凝集物処理工程Ｓ２Ｂは、上述したように、吸収処理工程Ｓ２Ｃの前に行われる必要はなく、吸収処理工程Ｓ２Ｃの後に行われてもよい。

（清澄管の構成）
次に、本実施形態における清澄装置の清澄管４１の構成について詳細に説明する。なお、清澄装置は、清澄管４１の他に、通気管４１ａ、加熱電極４１ｂ、及び、清澄管４１の外周を囲む図示されない耐火物保護層及び耐火物レンガを含む。図３は、清澄管４１を主に表す外観図である。図４は、清澄管４１の内部を表す断面図と清澄管の温度プロファイルの一例を示す図である。

清澄管４１には、通気管４１ａ、および、一対の加熱電極４１ｂが取り付けられている。清澄管４１は、その内部に、熔融ガラスＧの導入により、熔融ガラスＧの表面と壁に囲まれた気相空間４１ｃが形成される空間を有する。例えば、清澄管４１は、その内部に、熔融ガラスＧが流れる液相と、熔融ガラスＧの液面と壁から形成される気相空間を有する。気相空間４１ｃは、熔融ガラスＧの流れの方向に沿って形成されている。気相空間４１ｃを囲む壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されている。本実施形態では、気相空間４１ｃを囲む壁全体が白金族金属を含む材料で構成されている。

通気管４１ａは、熔融ガラスＧが流れる方向の途中であり、気相空間４１ｃと接する壁に設けられ、気相空間４１ｃと清澄管４１の外側の大気とを連通させる。通気管４１ａは、清澄管４１と同様に、白金族金属で成形されることが好ましい。通気管４１ａは放熱機能により、通気管４１ａの温度が低下し易いので、通気管４１ａを加熱するための加熱機構を設けてもよい。

一対の加熱電極４１ｂは、清澄管４１ａの両端に設けられたフランジ形状の電極板である。加熱電極４１ｂは、図示されない電源から供給される電流を清澄管４１に流し、この電流により、清澄管４１は通電加熱される。清澄剤として酸化スズを用いる場合、例えば清澄管４１の壁は最高温度が１６７０℃〜１７５０℃、より好ましくは１６９０℃〜１７５０℃となるように加熱される。清澄管４１の壁の最高温度と最低温度との差分は５℃以上であり、気相空間は酸素を有する。熔融ガラスＧの温度は、酸化スズの還元反応が促進される温度まで加熱される。さらに、熔融ガラスＧは、白金族金属の異物（凝集物）が分断あるいは熔解する温度、例えば１６７０℃以上に加熱されることが好ましく、１６８０℃以上に加熱されることがより好ましい。より具体的には、１６７０℃〜１７３０℃に加熱されることが好ましく、１６８０℃〜１７００℃に加熱されることがより好ましい。熔融ガラスＧの最高温度が１７３０℃を超えると、清澄管４１ａを構成する白金族金属からなる管が熔損し易くなる。なお、熔融ガラスＧの最高温度は、清澄管４１に設けられた図示されない熱伝対の計測値から算出することができる。
このような清澄管４１の内部を流れる熔融ガラスＧの温度は、清澄管４１を流れる電流を制御することで制御することができる。
加熱電極４１ｂは清澄管４１に一対設けられるが、加熱電極４１ｂの数は特に制限されない。加熱電極４１ｂの電流量を制御することで、清澄管４１の気相空間４１ｃと接する壁の温度は、例えば１５００〜１７５０℃の範囲に制御される。

清澄管４１の内部では、熔融ガラスＧに含有する清澄剤、例えば酸化スズの酸化還元反応によって、熔融ガラスＧに含まれるＣＯ₂またはＳＯ₂を含む泡が除去される。具体的には、最初に、熔融ガラスＧの温度を上げて、清澄剤を還元させることにより、酸素の泡を熔融ガラスＧ中に発生させる。熔融ガラスＧ中に含まれるＣＯ₂、Ｎ₂、ＳＯ₂等の気体成分を含む泡は、清澄剤の還元反応によって生じた酸素泡と合体する。酸素泡と合体した泡は、気層空間と接する熔融ガラスＧの表面に浮上し泡を放出する、すなわち破泡して消滅する。（脱泡処理）。この脱泡処理における熔融ガラスＧの温度は、１６１０℃〜１７３０℃であり、好ましくは１６４０℃〜１７１０℃である。上記範囲の温度のとき、清澄管４１の壁から白金族金属は盛んに揮発する。脱泡によって気相空間に酸素が放出されるので、脱泡処理が行われる気相空間の部分では、酸素濃度が高くなり、この結果、白金族金属の揮発はよりいっそう盛んになる。これに伴って、気相空間に含まれる白金族金属の揮発物の濃度が高くなるので、気相空間に含まれる白金族金属の揮発物の凝集が生じやすくなる。特に、壁の部分的に冷えた位置、例えば、清澄管４１の入口近傍の壁で白金族金属の揮発物は凝集し易くなる。したがって、清澄管４１の壁に付着した白金族金属の凝集物の一部が脱落して、熔融ガラスＧ内に異物として混入し易い。例えば、熔融ガラスが清澄管４１に流入した後、熔融ガラスＧの温度が１５８０℃〜１６６０℃となる領域において、気相空間に含まれる白金族金属の揮発物の凝集及び凝集物の熔融ガラスＧへの混入が生じやすい。
このため、脱泡処理の途中から、あるいは脱泡処理の終了後から、熔融ガラスＧに混入する白金族金属の異物（凝集物）の大きさを低減させる凝集物処理工程を行う。
脱泡処理の終了後から凝集物処理工程を行う場合、白金族金属の異物（凝集物）を含む熔融ガラスＧの温度を、白金族金属の異物（凝集物）が熔融ガラスＧに混入する領域における熔融ガラスの温度と比べて高くなるように熔融ガラスＧを昇温させることが好ましい。
また、脱泡処理工程の途中から凝集物処理工程を行う場合、脱泡処理工程と凝集物処理工程が同時に行われる。脱泡処理工程の途中から凝集物処理工程を行なう場合、脱泡処理工程と凝集物処理工程が同時に行われる場合がある。脱泡処理工程の途中から凝集物処理工程を行う場合、凝集物処理工程において熔融ガラスが最高温度となる。すなわち、脱泡処理工程（熔融ガラス処理工程）は、凝集物処理工程を含んでもよい。

凝集物処理工程は、熔融ガラスに混入した白金族金属の異物（凝集物）に加える熱量を制御することにより、具体的には、熔融ガラスＧの温度を１６７０℃以上にすることにより、白金族金属の異物（凝集物）を分断、熔解させることが好ましい。このとき、熔融ガラスＧに混入する白金族金属の異物（凝集物）のうち、最大長さが５０μｍ以下の大きさの異物の個数の割合が７０％以上となるように凝集物処理工程を行うことにより、ガラス基板の生じる歪は小さく、ガラス基板の主表面に凹凸を形成することも少なくなる。このような大きさの異物にするためには、熔融ガラスＧの温度が１６７０℃以上の状態を１０分以上、好ましくは３０分以上維持することが好ましい。すなわち、白金族金属の異物（凝集物）の大きさを低減する凝集物低減処理は、１６７０℃以上の温度で、１０分以上保持することで、白金族金属の異物（凝集物）の大きさを小さくすることができる。
また、本実施形態では、上記凝集物処理工程において、熔融ガラスに混入した白金族金属の異物（凝集物）の熔融ガラスへの溶解度を、熔融ガラス処理工程において白金族金属の異物（凝集物）が熔融ガラスに混入する領域における溶解度に比べて高くなるように溶解度を制御することも好ましい。異物（凝集物）の熔融ガラスＧへの溶解度を高くする場合、熔融ガラスＧの温度を上昇させることで、凝集物の熔融ガラスへの溶解度を高める、あるいは、熔融ガラスＧの温度を上昇させ及び／又は処理時間を長くすることで、異物（凝集物）の熔融ガラスＧへの溶解量を高めることができる。

なお、白金族金属の異物（凝集物）は、一方向に細長い線状物である。このため、白金族金属の凝集物（異物）の最大長さとは、白金族金属の異物（凝集物）を撮影したときの異物の像に外接する外接長方形の長辺の長さをいう。
凝集物処理工程前は、最大長さが１００μｍ以上である白金族金属の異物（凝集物）の割合が８０％を超える。また、本実施形態では、凝集物処理工程前の白金族金属の異物（凝集物）とは、最大長さの最小長さに対する比であるアスペクト比が１００を超える白金族金属の異物を指す。例えば、白金族金属の異物（凝集物）の最大長さが５０μｍ〜３００μｍ、最小長さが０．５μｍ〜２μｍである。

この後、熔融ガラスＧの温度を下げて、還元された清澄剤を酸化させる。これにより、熔融ガラスＧ中に残留する泡の酸素が熔融ガラスＧに吸収される（吸収処理）。こうして、残存する泡は小さくなり消滅する。このように、清澄剤の酸化還元反応によって、熔融ガラスＧに含まれる泡が除去される。また、吸収処理工程Ｓ２Ｃでは、熔融ガラスＧの温度及び清澄管４１の壁の温度は１５８０℃以下に低下しており、脱泡処理工程Ｓ２Ａと比較して気相空間に含まれる酸素濃度が低下しているので、白金族金属の揮発及び凝集は行われ難くなる。このため、吸収処理工程Ｓ２Ｃでは、脱泡処理工程Ｓ２Ａと比較して新たな白金族金属の凝集物が異物となって熔融ガラスＧに混入する可能性は遥かに低い。

図示されていないが、清澄管４１の外壁面には耐火物保護層が設けられる。耐火物保護層の外側には、さらに、耐火物レンガが設けられる。耐火物レンガは、基台（図示せず）に載置されている。なお、耐火物保護層及び／又は耐火物レンガにより清澄管４１からの放熱量を調整することで、清澄管４１の気相空間４１ｃと接する壁の温度及び／又は清澄管４１内を流れる熔融ガラス温度は制御されてもよい。

図４は、清澄管４１のＸ方向の位置に合わせて表した清澄管４１の温度プロファイル（清澄管４１の気相空間４１ｃと接する壁のＸ方向の温度プロファイル）の一例を示している。温度プロファイルでは、清澄管４１の熔融ガラスＧの流入する側の端４１ｄ(入口)と通気管４１ａとの間で、温度が最高温度Ｔ_maxとなっている。この最高温度Ｔ_maxの位置Ｐから、清澄管４１の端４１ｄに向かって温度が低下する温度勾配が形成されている。同様に、最高温度Ｔ_maxの位置Ｐから、通気管４１ａのＸ方向の位置に向かって温度が低下する温度勾配が形成されている。また、温度勾配領域は、図示されないが、上記以外に、通気管４１ａのＸ方向の位置と清澄管４１の熔融ガラスＧの流出する側の端４１ｅ（出口）との間にも形成されている。このような温度勾配領域において、いずれの温度勾配領域においても温度勾配領域における最高温度と最低温度の温度差が０℃超、１５０℃以下、より好ましくは０℃超、１００℃以下になっている。図４に示すように、壁の温度が最高温度Ｔ_ｍａｘになるまで継続して続く温度上昇区間の前半部分で、脱泡処理が開始し、少なくとも最高温度Ｔ_ｍａｘまで続く。また、最高温度Ｔ_ｍａｘを含む、温度上昇区間の後半部分で凝集物処理工程が開始し、少なくとも最高温度Ｔ_ｍａｘまで続く。凝集物処理工程は、例えば、熔融ガラスＧの温度が１６７０℃以上で開始する。なお、脱泡処理工程の終了と凝集物処理工程の終了の時点は、どちらが先であってもよいが、熔融ガラスに混入する全ての白金族金属の異物を凝集物処理工程の対象とする点から、凝集物処理工程の終了は、脱泡処理工程の終了と同時あるいはそれ以降であることが好ましい。

このように、本実施形態では、熔融ガラスＧ中の泡を脱泡する処理を行うが、このとき、壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集物が異物として熔融ガラスＧに混入する。熔融ガラスＧに混入した異物（凝集物）のうち、最大長さが５０μｍ以下である異物（凝集物）の個数の割合が７０％以上になるように、熔融ガラスＧに混入した凝集物の大きさを小さくする。あるいは、混入した白金族金属の異物の大きさを低減させるように、白金族金属の異物に加える熱量を制御する。これにより、ガラス基板に白金族金属の異物が混入しても、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくすることができる。

また、上述した清澄管４１における気相空間と接する壁の温度の最高温度と最低温度の差を５℃以上であり、気相空間は酸素を含む雰囲気であっても、すなわち、白金族金属の凝集物が生じ易い条件であっても、熔融ガラスに含まれる白金族金属の異物の大きさを低減でき、あるいは、最大長さが５０μｍ以下である白金族金属の異物の個数の割合を７０％以上になるようすることができる。したがって、ガラス基板に白金族金属の異物が混入しても、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくすることができる。

また、凝集物処理工程を行うとき、凝集物を含む熔融ガラスＧの温度を、熔融ガラス処理工程において白金族金属の異物（凝集物）が熔融ガラスＧに混入する領域における熔融ガラスの温度と比べて高くなるように昇温させることが好ましい。これにより、白金族金属の異物（凝集物）を熱により分断し、あるいは熔解させることができ、確実に白金族金属の異物（凝集物）の大きさを低減することができる。

また、ガラス処理装置は、清澄管４１を有する清澄装置であり、清澄管４１内の気相空間は、熔融ガラスの流れの方向に沿って形成され、凝集物処理工程は、清澄管４１で行われることが好ましい。清澄管４１における熔融ガラスＧの温度は、成形工程までの間で最高温度になるので、白金族金属の異物（凝集物）の熱による分断あるいは熔解を容易に行うことができる。

本実施形態のガラス処理工程では、熔融ガラスＧに含まれる酸化スズを用いて熔融ガラスＧ中の泡数を低減する清澄処理を行い、ガラス処理装置における気相空間と接する壁には、熔融ガラスの流れの方向に沿って温度分布を形成させ、気相空間には、熔融ガラスＧの流れの方向に沿って酸素濃度分布を形成させている。このような装置において、白金族金属の揮発に影響を与える酸素濃度分布があることで、白金族金属の揮発物の凝集物が生じ易く、この凝集物が異物として熔融ガラスに混入し易い。このような場合でも、白金族金属の異物（凝集物）の大きさを低減させることが容易にできるので、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくすることができる。

凝集物処理工程は、ガラス処理装置で行われ、このガラス処理装置を流れる熔融ガラスのうち、気相空間において酸素濃度が最も高くなる領域と対応する流れ方向の位置を流れる熔融ガラスを含むように行われることが好ましい。図４に示す温度プロファイルでは、最高温度Ｔ_ｍａｘにおいて熔融ガラスＧの脱泡処理は最も盛んに行われる。これにより、泡から放出された酸素により、最高温度Ｔ_ｍａｘ付近の気相空間内の領域では、酸素濃度が最も高くなる。例えば、凝集物処理工程は、この酸素濃度が最も高くなる気相空間内の領域と対応する流れ方向の位置を通過する熔融ガラスに対して行なう。このため、白金族金属が最大酸素濃度に起因して白金族金属の揮発が盛んに行われ、その結果、白金族金属の凝集物が生じ易く、白金族金属の凝集物が異物として熔融ガラスに混入しても、この異物の大きさを効率よく低減させることができる。

清澄管４１の気相空間中の酸素濃度を、０％超であって、１．０％以下とし、清澄管４１の壁の最高温度と最低温度の差を、５℃以上であって、１００℃以下とすることが好ましい。これにより、白金族金属の揮発を抑え、熔融ガラスＧに混入する白金族金属の異物を抑えることができる。しかし、この場合でも、白金族金属の異物を完全にゼロにすることはできない。このため、白金族金属の異物の大きさを低減させることで、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくする本実施形態の効果は、いっそう顕著になる。また、白金族金属の揮発を抑えることができるので、清澄管４１等の白金族金属で構成された装置の寿命を向上させることができる。

また、熔融ガラス処理工程の少なくとも一部において熔融ガラスＧの温度が１５８０℃〜１６６０℃の温度範囲となるように制御し、凝集物処理工程時の熔融ガラスＧの温度を、１６７０℃〜１７３０℃となるように制御することにより、脱泡処理を確実に行い、かつ、白金族金属の異物（凝集物）の大きさを確実に低減することができる。つまり、ガラス基板に含まれる泡数の低減と最大長さが５０μｍ以上である白金族金属の異物の低減とを両立することができる。また、清澄管４１の気相空間の酸素濃度が場所による分布を有する場合、酸素濃度が所定の値より高い領域では、熔融ガラスＧに白金族金属の異物（凝集物）が混入し易くなるので、白金族金属の異物（凝集物）が混入したとしても、白金族金属の異物（凝集物）の大きさを低減させることができる程度の温度、例えば１６８０℃以上の温度に熔融ガラスＧの温度を調整することが好ましい。より好ましくは、気相空間の酸素濃度分布に沿って、熔融ガラスの温度分布を形成するように熔融ガラス温度を制御することが好ましい。

上述の実施形態では、熔融ガラスにおける凝集物の溶解度を調整する条件を制御する例として、凝集物に与える熱量を制御する例を挙げて説明した。しかし、溶解度が、上記最小溶解度以上となるように、溶解度を調整する条件は、上記熱量の制御を含む、以下の条件が挙げられる。これらの条件を制御することで、あるいはこれらの条件を組み合わせて制御することで溶解度を調整することができる。

（凝集物の溶解度を調整する条件）
凝集物の溶解度を調整するための条件としては、例えば、
（ａ）熔融ガラスに溶けている白金族金属の濃度、
（ｂ）熔融ガラスの温度あるいは温度分布（凝集物に与える熱量）、
（ｃ）気相空間の圧力、
（ｄ）熔融ガラスの酸素活量、が挙げられる。

（ａ）熔融ガラスに溶けている白金族金属の濃度
凝集処理工程開始時の熔融ガラスに溶けている白金族金属の濃度が低いほど、白金処理工程において、熔融ガラス中の白金族金属の異物が溶解する溶解度は上昇する。熔融ガラスの白金族金属の濃度は、例えば、清澄管内の熔融ガラスをサンプリングし、冷却後粉砕してＩＣＰ定量分析を用いた測定により求めることができる。
白金族金属の濃度を低くし過ぎると、白金族金属の凝集物の溶解度が大きくなる反面、熔融ガラスと接する清澄管の壁から熔融ガラスに白金族金属が溶出して、清澄管の熔損を起こす場合がある。
このようなデメリットの発生を抑える観点から、白金族金属の濃度は、調整されている。

なお、清澄管４１における凝集物処理工程開始時の熔融ガラスに溶けている白金族金属は、清澄管４１や移送管４３ａ等の熔融ガラスと接する壁面から溶出する白金族金属に主に由来する。この壁面から白金族金属が溶出する量は、移送管４３ａ、凝集物処理工程開始前の脱泡処理工程における熔融ガラスの温度あるいは熔融ガラスと接する清澄管４１の壁面の温度に依存する。したがって、移送管４３ａ、清澄管４１の壁面の温度あるいは温度分布を調整することにより、凝集物処理工程開始時の熔融ガラスの白金族金属の濃度を調整することができる。例えば、清澄管４１を流れる電流の調整、清澄管４１の周囲に配されたヒータに供給される電流の調整、あるいはこれらの組み合わせによって行うことができる。凝集物処理工程開始時の熔融ガラスに溶けている白金族金属の濃度を低くすることにより、凝集物処理工程開始時における、熔融ガラス中の白金族金属の異物が溶解する溶解度は上昇する。この点から、凝集物処理工程開始時の熔融ガラスに溶けている白金族金属の濃度は、０．０５〜２０ｐｐｍに調整されることが好ましい。
これにより、ガラス基板の製造工程中、白金族金属の凝集物が熔融ガラスに混入しても、白金族金属の凝集物の欠陥個数を許容レベルにしたガラス基板を製造することができる。

（ｂ）熔融ガラスの温度あるいは温度分布
清澄管４１において、熔融ガラスに混入した白金族金属の凝集物の溶解度は、熔融ガラスの温度を高くすることで増加させることができる。熔融ガラスの温度あるいは温度分布
については、上述しているので説明を省略する。

熔融ガラスの温度を高くし過ぎると、白金族金属の凝集物の溶解量が大きくなる反面、下記のデメリットを生じさせる。
・リボイル泡の増加
清澄管４１において熔融ガラスの温度を高くし過ぎると、脱泡処理工程において過剰に脱泡されるため、熔融ガラスの酸素活量は低くなり、その結果、熔融ガラスは還元状態になる。この状態で、吸収処理工程が行われると、以下のメカニズムに従って、熔融ガラス中にリボイル泡が過剰に発生して、ガラス基板にリボイル泡の気泡が残存する場合がある。リボイル泡は、具体的には、熔融ガラスに不純物として含まれる硫黄や炭素に起因して生じたＳＯ_２あるいはＣＯ_２等を含む泡である。熔融ガラスの還元状態が時間的に長くなる場合、熔融ガラスに溶存しているＳＯ_３、ＣＯ_３が容易に還元されることでＳＯ_２、ＣＯ_２が生成しやすい。このＳＯ_２、ＣＯ_２はＳＯ_３、ＣＯ_３に比べて熔融ガラスに溶解されにくいために気泡となりやすい。このようなリボイル泡が多く発生すると、ガラス基板に泡欠陥として残り、ガラス基板の品質を低下させる場合がある。なお、ガラス基板に残存した泡は、例えば、レーザ顕微鏡または目視により検出される。
・ガラス成分の揮発量の増加
清澄管４１において熔融ガラスの温度を高くし過ぎると、熔融ガラスの成分、例えばＢ_２Ｏ_３が気相空間に多く揮発する。この結果、ガラス組成が局部的に変化してガラスの熱膨張係数や粘度等のガラス特性が局所的に変わり、脈理等のスジをガラス基板に発生させる。
・白金族金属の揮発量の増加
清澄管４１において、熔融ガラスの温度を高くし過ぎると、熔融ガラスに接する気相空間の温度も高くなり、さらには、熔融ガラスの脱泡処理によって気相空間に放出された酸素の量が多くなり、その結果、気相空間を囲む清澄管の壁から白金族金属が揮発しやすくなる。白金族金属の揮発量が増えると、気相空間の白金族金属の濃度が高くなり、凝集および凝集物の熔融ガラスへの混入が起きやすくなる。
・清澄管の熔損
清澄管４１において、熔融ガラスの温度を高くし過ぎると、熔融ガラスに接する清澄管４１の壁が熔損してしまう場合がある。
このようなデメリットの発生を抑える観点から、清澄管４１における熔融ガラスの温度あるいは温度分布の調整が行われる。

（ｃ）気相空間の圧力
白金族金属の凝集物の溶解度は、清澄管４１の気相空間４１ｃの圧力を高くすることで増加させることができる。気相空間の圧力とは、気相空間に含まれる気体の全圧を意味する。
気相空間４１ｃの圧力の調整は、例えば、気相空間４１ｃ内の気体が通気管４１ａを通って清澄管４１の外側に吸引される量（吸引量）や、清澄管４１内へのガス、例えば不活性ガスの供給量、熔融ガラスから放出されるガスの放出量を調整することによって行うことができる。吸引量は、例えば、清澄管４１の通気管４１ａの出口を吸引装置と接続したり、上記出口を狭める等して、気相空間４１ｃと清澄管４１の外側の大気との圧力差の大きさを調節することで調整できる。熔融ガラスから放出されるガスの放出量は、例えば、熔融ガラスに含まれる清澄剤の量、ガラス成分の配合比を調整することで調整できる。なお、気相空間４１ｃの圧力が、清澄管４１の外側の大気圧より高いまたは低いことは、例えば、通気管４１ａから放出されるガス量によって求めることができる。
熔融ガラス中の異物を熔融ガラスに溶かすために、気相空間４１ｃの圧力を高くする方法は、上述したように、清澄管４１内へのガスの供給量、例えば不活性ガスの供給量、あるいは熔融ガラスから放出されるガスの放出量を調整することによって行うことができる。気相空間４１ｃの圧力は例えば０．８〜１．２ａｔｍの範囲で調整されることが好ましい。

気相空間４１ｃの圧力を高くし過ぎると、白金族金属の凝集物の溶解量が大きくなる反面、下記のデメリットを生じさせる。
・清澄不良
気相空間４１ｃ内の圧力を高くし過ぎると、脱泡処理工程において、熔融ガラス中に発生した泡が熔融ガラスの表面から放出され難くなり、清澄不良を招く場合がある。
・白金族金属の揮発量の増加
気相空間４１ｃ内の圧力を高くし過ぎると、清澄管４１の外側の大気との圧力差が大きくなって、気相空間４１内の気流の流速が上昇する。このため、気相空間４１ｃ内の白金族金属の濃度が上昇せず飽和状態になり難いため、清澄管４１の壁からの白金族金属の揮発量が増加する。
このようなデメリットの発生を抑える観点から、気相空間の圧力の調整が行われる。

（ｄ）熔融ガラスの酸素活量
清澄管４１において、白金族金属の凝集物の溶解度は、熔融ガラスの酸素活量を上昇させることにより、増加させることができる。熔融ガラスの酸素活量とは、熔融ガラスに溶存する酸素量（気泡として熔融ガラス中に存在するものを除く）を意味する。本実施形態では、酸素活量の指標として、［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）が用いられる。ここで、［Ｆｅ^２＋］及び［Ｆｅ^３＋］は、熔融ガラスに含まれるＦｅ^２＋及びＦｅ^３＋の活量であり、具体的には、質量百分率表示含有量であり、分光光度法を用いて計測することができる。
例えば、清澄工程における脱泡処理工程では、熔融ガラスの温度が高くなって、熔融ガラスに溶存する酸素が気泡となって脱泡されるため、熔融ガラスの酸素活量は低下する。一方、清澄工程において、熔融ガラスの温度が低くなると、清澄剤が酸素を取り込むため、酸素活量は増大する。
熔融ガラスの酸素活量は、例えば、熔解工程において、熔融ガラスに含まれる清澄剤、酸化物の量を調整することのほか、熔融ガラスに含まれる清澄剤あるいはガラス原料の酸化物の量を調整することのほか、清澄工程において、凝集物処理工程開始前の熔融ガラスの温度を調整すること、あるいは凝集物処理工程開始前に熔融ガラス内に酸素含有ガスをバブリングすることによって調整することができる。
熔融ガラス中の酸素活量の調整は、熔融ガラスの温度あるいは温度分布の調整とともに行われてもよい。また、熔融ガラス中の酸素活量を調整は、気相空間４１ｃの圧力の調整とともに行われてもよい。熔融ガラス中の酸素活量を調整は、上述したように、熔融ガラスに含まれる清澄剤あるいはガラス原料の酸化物の量を調整することのほか、清澄工程において、凝集物処理工程開始前の熔融ガラスの温度を調整すること、あるいは、凝集物処理工程開始前に熔融ガラス内に酸素含有ガスをバブリングすることによって調整することができる。凝集物処理工程中、酸素活量の指標である［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）を例えば０．２〜０．５の範囲で調整することが好ましい。

熔融ガラスの酸素活量の調整の際、熔融ガラスの酸素活量を高くし過ぎると、白金族金属の凝集物の溶解量が大きくなる反面、下記のデメリットを生じさせる。
・白金族金属の揮発量の増加
熔融ガラスの酸素活量を大きくし過ぎると、脱泡処理工程において熔融ガラスから気相空間に放出される酸素量が増加し、気相空間の酸素濃度が上昇するため、白金族金属が容易に酸化されて揮発しやすくなる。白金族金属が揮発しやすくなると、白金族金属の凝集物が生成しやすく、熔融ガラスに混入しやすくなる。
・酸素泡の熔融ガラス中の残存
熔融ガラスの酸素活量を大きくし過ぎると、吸収処理工程において、還元された清澄剤が酸素を取り込めなくなり、酸素を含んだ泡（酸素泡）が熔融ガラス中に生成され、ガラス基板において泡として残るため、ガラス基板の品質を低下させやすくなる。
このようなデメリットの発生を抑える観点から、熔融ガラスの酸素活量の調整によって白金族金属の凝集物の溶解量を大きくする際には、適宜条件パラメータ（熔融ガラスの温度等）を組み合わせて調整することが好ましい。

あるいは、熔融ガラスの温度調整を、凝集物の欠陥個数に基づいてフィードバック調整してもよい。調整の対象となる熔融ガラスの温度は、凝集物処理工程開始時点の温度であってもよく、凝集物処理工程の途中の温度であってもよい。
ガラス基板中の白金族金属の凝集物の欠陥は、ガラス基板の表面に斜め方向からレーザ光等の光を入射させ、その反射光を受光することを、ガラス基板の各位置で行ない、受光により得られた画像から白金族金属の凝集物の形状に合致する領域を特定することにより、検出することができる。凝集物の欠陥は、このように装置を用いて行う代わりに目視によって検出してもよい。この凝集物の欠陥個数の許容レベルは、単位質量で表したとき、例えば０．０２個／ｋｇ以下である。上記許容レベルは、ガラス基板のユーザが求める、歪みや主表面の凹凸に関するスペックに応じて変化する。
例えば、ガラス基板において検出された欠陥個数が許容レベルを超えていた場合は、熔融ガラスの温度を高くして、熔融ガラスにおける白金族金属の飽和溶解度を高くし、これにより、熔融ガラスに混入した凝集物の溶解を促進させる。一方、ガラス基板において検出された欠陥個数が許容レベルにある場合は、許容レベルにある欠陥個数の上限値と対応する熔融ガラスの温度より高い範囲内で低くすることができる。このように熔融ガラスの温度を調整することで、白金族金属の飽和溶解度を適正な範囲に調整することができ、これにより、ガラス基板に含まれる凝集物の欠陥個数を許容レベルにしつつ、リボイル泡の増加等に起因して生じるガラス基板の品質の低下を抑制できる。
熔融ガラスの温度調整は、具体的に、ガラス処理装置が清澄管を含む清澄装置である場合は、清澄管に電流を流して通電加熱することによって行うことができる。電流量は、加熱電極に印加される電圧の大きさによって調整することができる。また、熔融ガラスの温度調整は、通電加熱に代えてまたは通電加熱と組み合わせて、清澄管の周囲に配した図示されないヒータによって間接的に調整されてもよい。ヒータは、例えば、耐火物保護層や耐火物レンガの内部または外側に配置される。また、熔融ガラスの温度調整は、耐火物保護層や耐火物レンガを用いて清澄管からの放熱量を調整することで行われてもよい。

凝集物処理工程では、ガラス基板に含まれる凝集物の欠陥個数が許容レベルに
なるように、熔融ガラスの温度調整に代えて、又は温度調整に加えて、上述した熔融ガラスの酸素活量の指標であるガラス基板の［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）を０．２〜０．５の範囲で調整することにより記白金族金属の飽和溶解度を調整することが好ましい。

（凝集物処理工程後の白金族金属の凝集物）
凝集物処理工程後に熔融ガラス、ガラス基板、又はガラス基板積層体に含まれる白金族金属の異物（凝集物）のうち、最大長さが５０μｍ超である異物（凝集物）の個数の割合は３０％未満に減少する。

本実施形態では、熔融ガラスＧの温度を高くするために、清澄管４１の温度を高くする場合、本実施形態の上述した効果を有効に発揮することができる。
例えば、環境負荷低減のために、熔融ガラスの清澄剤として酸化スズが用いられることが好ましいが、酸化スズは、Ａｓ₂Ｏ₃やＳｂ₂Ｏ₃と比較して、清澄効果（酸化反応）が得られる温度が高い。このため、酸化スズを清澄剤とした用いた場合、Ａｓ₂Ｏ₃やＳｂ₂Ｏ₃を清澄剤とした用いた場合と比較して清澄管４１の温度を高くして、熔融ガラスＧの温度を高くする必要がある。すなわち、清澄剤として酸化スズを使用するため、従来よりも清澄管４１の揮発（酸化）が生じ易くなり、白金族金属の揮発及び凝集の問題が生じ易い。このように、清澄剤として酸化スズを用いることで、白金族金属の異物（凝集物）が熔融ガラスに混入する量が増加したとしても、本実施形態のように、白金族金属の異物の大きさを低減することができるので、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくすることができるといった効果が顕著になる。すなわち、表示不良を引き起こすような異物（凝集物）の量を十分に低減できる。

また、粘性の高い熔融ガラスは、清澄工程において泡の浮上速度が遅く、清澄することが難しい。また、攪拌装置１００で行う攪拌工程においても、粘性の高い熔融ガラスを均質に攪拌することは難しい。したがって、清澄効果あるいは熔融ガラスの均質化を十分に得るためには、熔融ガラスの温度を高くする必要がある。このため、温度の高い熔融ガラスにするためにガラス処理装置の温度も上昇させると、ガラス処理工程で、白金族金属の揮発が激しくなり異物（凝集物）が熔融ガラスに混入する量が増加し易い。つまり、白金族金属の揮発及び凝集の問題が生じ易い。
例えば、ディスプレイパネルに用いるガラス基板には、薄膜トランジスタが形成されるが、薄膜トランジスタの動作に悪影響を与えないように、ガラス基板には、無アルカリガラスあるいはアルカリ微量含有ガラスを用いることが好ましい。無アルカリガラスあるいはアルカリ微量含有ガラスは、ソーダガラス等のアルカリ含有ガラスと比較して、粘性が高いため、清澄工程において泡の浮上速度が遅く、清澄することが難しい。このため、清澄効果を十分に得るためには、清澄管４１の温度を高くして、熔融ガラスＧの温度を高くする必要がある。つまり、製造する対象が無アルカリガラスあるいはアルカリ微量含有ガラスであるため、アルカリガラスよりも清澄管４１の揮発（酸化）が生じやすくなっており、白金族金属の揮発及び凝集の問題が生じ易い。このように、無アルカリガラスあるいはアルカリ微量含有ガラスを用いるために、清澄管４１の温度を高くして、白金族金属の異物（凝集物）が熔融ガラスに混入する量が増加したとしても、本実施形態のように、白金族金属の異物の大きさを低減することができるので、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくすることができるといった効果が顕著になる。すなわち、表示不良を引き起こすような異物（凝集物）の量を十分に低減できる。

上述した無アルカリガラスあるいはアルカリ微量含有ガラスは、歪点が高いガラスである。歪点の高いガラスは、歪点が低いガラスと比較して、粘性が高いため、清澄工程において泡の浮上速度が遅く、清澄することが難しい。このため、清澄効果を十分に得るためには、清澄管４１の温度を高くして、熔融ガラスＧの温度を高くする必要がある。つまり、歪点が高いガラスを製造する場合、歪点が低いガラスを製造する場合よりも清澄管の揮発（酸化）が生じやすくなっており、白金族金属の揮発及び凝集の問題が生じ易い。このように、歪点の高いガラスを用いるために、清澄管４１の温度を高くして、白金族金属の異物（凝集物）が熔融ガラスに混入する量が増加したとしても、本実施形態のように、白金族金属の異物の大きさを低減することができるので、ガラス基板に歪が生じ難く、ガラス基板の主表面の凹凸を作りにくくすることができるといった効果が顕著になる。すなわち、表示不良を引き起こすような異物（凝集物）の量を十分に低減できる。
なお、ディスプレイ用ガラス基板には、ガラス基板の歪点が６００℃以上、より好ましくは６５０℃以上であることが求められるが、ガラス基板の歪点が６００℃以上であると、表示不良を引き起こすような大きさの異物（凝集物）の量を十分に低減できる本実施形態の効果が顕著となる。また、高精細ディスプレイ用ガラス基板には、より歪点が高いことが求められ、歪点が６９０℃以上であることが好ましく、７３０℃以上であることがより好ましい。このように歪点が６９０℃以上、７３０℃以上であると、本実施形態の上述した効果がより顕著になる。
また、本実施形態で用いられる酸化スズを含む熔融ガラスの粘度は、１５００℃以上の温度、例えば１５００℃〜１７００℃、あるいは１５５０℃〜１６５０℃の温度において、粘度が１０^２．５ポアズであることが好ましい。この場合、本実施形態の上述した効果がより顕著になる。
また、本実施形態で製造されるガラス基板の板厚を０．００５ｍｍ〜０．８ｍｍ、好ましくは０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍ、より好ましくは０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍとする場合、本実施形態の上述した効果がより顕著になる。このような板厚の薄いガラス基板を製造すると、異物（凝集物）がガラス表面にあらわれて表面凹凸を形成し易くなる。本実施形態では、このような板厚に起因する問題を上述した効果により解消することができる。

［実験例］
本実施形態の効果を確認するために、図１に示す凝集物処理工程Ｓ２Ｂを含んだ製造工程でガラス基板を作製した（実施例）。凝集物処理工程Ｓ２Ｂでは、凝集物に与える熱量の制御を行なった。
ガラス基板の作製条件は下記の通りである。
ガラス基板のガラスの組成は、ＳｉＯ₂ ６０．７質量％、Ａｌ₂Ｏ₃ １７質量％、Ｂ₂Ｏ₃ １１．５質量％、ＭｇＯ２質量％、ＣａＯ５．６質量％、ＳｒＯ３質量％、ＳｎＯ₂ ０．２質量％、であり、歪点は６６０℃であり、板厚は０．４ｍｍであった。
また、図１に示す凝集物処理工程Ｓ２Ｂを行わず、脱泡処理工程Ｓ２Ａ後、吸収処理工程Ｓ２Ｃを行った従来の製造工程でガラス基板を上述の作製条件で作製した。具体的には、下記表１に示す例１〜５では、清澄管４１における熔融ガラスＧの最高温度を１６７０℃〜１７２０℃にし、熔融ガラスＧの温度が１６７０℃以上となる時間を４０分とした。一方、例６，７では、熔融ガラスＧの最高温度を１６７０℃未満にし、熔融ガラスＧの温度が１６７０℃以上となる時間を０分とした。

こうして作製した０．１ｍ³の複数枚のガラス基板における白金族金属の異物（凝集物）を、光学顕微鏡を用いてその数をカウントするとともに、白金族金属の異物（凝集物）の最大長さを計測した。そして、ガラス基板に混入する全白金族金属の異物（凝集物）のうち、最大長さが５０μｍ以下である異物の個数の割合を求めた。求めた割合を、下記表１に最高温度とともに示す。例１〜５の異物の割合は、いずれのガラス基板においても７０％以上であったが、例６，７の異物の割合は、いずれのガラス基板も３５％以下であった。図５は、熔融ガラスの最高温度と異物の割合との関係を表すグラフ図である。図５からわかるように、最大長さが５０μｍ以下である異物の割合は、熔融ガラスの最高温度を１６６０℃から１６７０℃以上にすることで、急激に上昇し１６７０℃以上の温度で７０％以上となった。１６９０℃以上では、最大長さが５０μｍ以下である異物の割合が９２％以上となり、特に、１７００℃以上では、最大長さが５０μｍ以下である異物の割合が１００％となった。これより、本実験例の条件において、異物に与える熱量を制御する場合、熔融ガラスの最高温度を１６７０℃以上、好ましくは１６９０℃以上、より好ましくは１７００℃以上にすることで異物に熱量を与えることが好ましいことがわかる。本実験例の条件では、最高温度１６７０℃が、最大長さが５０μｍ以下である異物の割合を７０％にする最高温度の下限温度であるが、最高温度を１６７０℃以上にすることは必ずしも必須ではなく、他の条件方法にて凝集物（異物）の溶解度を調整することでも、最大長さが５０μｍ以下である異物の割合を７０％にすることを実現することができる。

以上、本発明のガラス基板の製造方法、ガラス基板、及びガラス基板積層体について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

４０熔解槽
４１清澄管
４１ａ通気管
４１ｂ加熱電極
４１ｃ気相空間
４２成形装置
５２成形体
４３ａ，４３ｂ．４３ｃ移送管
１００攪拌装置
２００ガラス基板製造装置

Claims

複数枚の、ディスプレイに用いるガラス基板が積層されて形成されるガラス基板積層体であって、
前記ガラス基板積層体の前記ガラス基板の体積の合計は０．１ｍ³以上であり、
前記ガラス基板積層体が含む全白金族金属の凝集物は、最小長さが２μｍ以下である線状物であり、前記凝集物は、５０μｍを超える最大長さの凝集物を含み、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、７０％以上であり、最大長さが３０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、９０％以上であり、
前記ガラス基板の［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）は０．２〜０．５である、ことを特徴とするガラス基板積層体。
ディスプレイに用いるガラス基板が含む白金族金属の凝集物は、最小長さが２μｍ以下である線状物であり、前記凝集物は、５０μｍを超える最大長さの凝集物を含み、最大長さが５０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、７０％以上であり、最大長さが３０μｍ以下である凝集物の個数の割合は、９０％以上であり、
前記ガラス基板の［Ｆｅ^３＋］／（［Ｆｅ^２＋］＋［Ｆｅ^３＋］）は０．２〜０．５である、ことを特徴とするガラス基板。