JP6697729B2 - 点灯装置、照明装置及びそれを用いた車両 - Google Patents

Description

本発明は、点灯装置、照明装置及びそれを用いた車両に関し、より詳細には、調光機能を備えた点灯装置、照明装置及びそれを用いた車両に関する。

従来、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）モジュール部のＰＷＭ調光を行う発光素子駆動装置（点灯装置）が提案されている（例えば特許文献１参照）。この発光素子駆動装置は、コンバータと、コンバータの出力端子間に接続されたＬＥＤモジュール部及び調光用スイッチ素子（スイッチ部）の直列回路とを備えている。ＬＥＤモジュール部は直列に接続された複数のＬＥＤを備えている。この発光素子駆動装置は、調光用スイッチ素子をＰＷＭ制御することによって、ＬＥＤモジュール部（半導体発光素子）に流れる電流を断続して、ＬＥＤモジュール部の光量を調節している。

特開２０１３−１４９４７９号公報

特許文献１の発光素子駆動装置では、調光用スイッチ素子のオフ期間に、コンバータの出力電圧が調光用スイッチ素子の両端間に印加される。大きな光量を得るためにＬＥＤモジュール部を構成するＬＥＤの直列数を増やした場合、コンバータの出力電圧を高くする必要がある。そのため、調光用スイッチ素子（スイッチ部）として、コンバータの出力電圧よりも耐電圧が高い部品を使用する必要があった。

本発明は上記課題に鑑みてなされ、耐電圧がより低いスイッチ部を使用可能な点灯装置、照明装置及びそれを用いた車両を提供することを目的とする。

本発明の点灯装置は、直流電圧を出力する直流電源回路と、スイッチ部と、調光制御回路と、電源制御回路とを備え、前記スイッチ部は、前記直流電源回路の出力端子間に半導体光源と直列に接続され、前記スイッチ部は、前記半導体光源に第１電流値の電流を流す第１状態と、前記半導体光源に前記第１電流値よりも小さい第２電流値の電流を流す第２状態とに切り替えられ、前記調光制御回路は、前記スイッチ部の状態を前記第１状態と前記第２状態とに交互に切り替え、前記第１状態と前記第２状態との時間的な割合であるデューティ比を調整することで前記半導体光源をＰＷＭ調光するように構成され、前記直流電源回路は、直流電源から入力される電源電圧をスイッチングすることによって電圧変換を行う電圧変換回路を有し、前記電源制御回路は、前記電圧変換回路のスイッチング動作を制御し、前記電源制御回路は、ＰＷＭ調光時の前記第２状態においてはスイッチング動作を停止するように前記電圧変換回路を制御することを特徴とする。
本発明の別の点灯装置は、直流電圧を出力する直流電源回路と、スイッチ部と、調光制御回路と、電源制御回路とを備える。前記スイッチ部は、前記直流電源回路の出力端子間に半導体光源と直列に接続される。前記スイッチ部は、前記半導体光源に第１電流値の電流を流す第１状態と、前記半導体光源に前記第１電流値よりも小さい第２電流値の電流を流す第２状態とに切り替えられる。前記調光制御回路は、前記スイッチ部の状態を前記第１状態と前記第２状態とに交互に切り替え、前記第１状態と前記第２状態との時間的な割合であるデューティ比を調整することで前記半導体光源をＰＷＭ調光するように構成される。前記直流電源回路は、直流電源から入力される電源電圧をスイッチングすることによって電圧変換を行う電圧変換回路を有する。前記電源制御回路は、前記直流電源回路の出力電圧又は出力電流の計測値に基づいて前記電圧変換回路のスイッチング動作を制御する。前記電源制御回路は、ＰＷＭ調光時の前記第２状態においては、前記スイッチ部の両端電圧に比例した加算値を、前記直流電源回路の出力電圧又は出力電流の計測値に重畳させた値に基づいて、前記電圧変換回路のスイッチング動作を制御する。

本発明の照明装置は、上記の点灯装置と、前記点灯装置が点灯させる前記半導体光源と、前記点灯装置及び前記半導体光源を収納するケースとを備えたことを特徴とする。

本発明の車両は、上記の照明装置と、前記照明装置が取り付けられる車体とを備えたことを特徴とする。

本発明によれば、耐電圧がより低いスイッチ部を使用可能な点灯装置、照明装置及びそれを用いた車両を提供することができる。

実施形態１の点灯装置の回路図である。 実施形態１の点灯装置によって点灯されるＬＥＤの順方向電圧−順方向電流特性を示す図である。 実施形態１の点灯装置の他の回路構成を示す回路図である。 実施形態２の点灯装置の回路図である。 実施形態２の点灯装置の他の回路構成を示す回路図である。 実施形態２の点灯装置のまた別の回路構成を示す回路図である。 実施形態３の点灯装置の回路図である。 実施形態３の点灯装置の他の回路構成を示す回路図である。 実施形態４の点灯装置の回路図である。 実施形態４の点灯装置の他の回路構成を示す回路図である。 実施形態５の点灯装置の回路図である。 実施形態５の点灯装置の他の回路構成を示す回路図である。 実施形態５の点灯装置のまた別の回路構成を示す回路図である。 実施形態６の照明装置の概略構成図である。 実施形態６の車両の外観斜視図である。

以下、点灯装置、照明装置及びそれを用いた車両の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されず、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

（実施形態１）
図１に、実施形態１の点灯装置１の回路図を示す。本実施形態の点灯装置１は、例えば車両（例えば自動車や自動二輪車など）に搭載された照明装置（例えば前照灯など）を点灯させる点灯装置であるが、点灯装置１は車両の前照灯を点灯させるものに限定されず、他の用途に適用してもよい。

本実施形態の点灯装置１は、直流電源回路１０と、調光制御回路である制御回路２０と、スイッチ部３０とを備える。直流電源回路１０は直流電圧を出力する。スイッチ部３０は、直流電源回路１０の出力端子間に半導体光源２と直列に接続されている。スイッチ部３０は、半導体光源２に第１電流値の電流を流す第１状態と、半導体光源２に第１電流値よりも小さい第２電流値の電流を流す第２状態とに切り替えられる。制御回路２０は、スイッチ部３０の状態を第１状態と第２状態とに交互に切り替え、第１状態と第２状態との時間的な割合であるデューティ比を調整することで半導体光源２をＰＷＭ調光する。

これにより、ＰＷＭ調光時の第２状態においても、半導体光源２には第２電流値の電流が流れるから、スイッチ部３０に印加される電圧は、直流電源回路１０の出力電圧から半導体光源２の両端電圧を引いた電圧となる。したがって、スイッチ部３０に印加される電圧が低下し、スイッチ部３０の耐電圧を直流電源回路１０の出力電圧よりも低い電圧に設定できるから、スイッチ部３０に耐電圧がより低い部品を使用できる。スイッチ部３０に耐電圧がより低い部品を使用できるから、点灯装置１の小型化や低コスト化を図ることができる。

次に、点灯装置１の回路構成をより詳細に説明する。

本実施形態の点灯装置１は、３つの入力端子ｔ１，ｔ２，ｔ３と、２つの出力端子ｔ４，ｔ５と、直流電源回路１０と、制御回路２０と、スイッチ部３０と、インピーダンス調整回路５０とを備える。この点灯装置１は、直流電源１００から供給される電力で、半導体光源２を点灯させる。

直流電源１００は例えば車両のバッテリである。なお、直流電源１００は、交流電源から入力される交流電圧を整流、平滑して直流電圧に変換するＡＣ−ＤＣコンバータでもよい。

半導体光源２は、直列に接続された複数（本実施形態では４０個）のＬＥＤ２ａを備えている。なお、半導体光源２は光源としてＬＥＤ２ａを備えるものに限定されず、ＬＥＤ以外の固体発光光源（例えばＬＥＤ以外のエレクトロルミネッセンス素子、有機ＥＬ素子など）を備えていてもよい。半導体光源２を構成する４０個のＬＥＤ２ａの直列回路は、出力端子ｔ４と出力端子ｔ５との間に、出力端子ｔ４から半導体光源２を介して出力端子ｔ５へと電流が流れる向きに接続されている。なお、図２にＬＥＤ２ａの順方向電圧−順方向電流特性を示す。

入力端子ｔ１，ｔ２はそれぞれスイッチ１０１，１０２を介して直流電源１００の正極に電気的に接続されている。入力端子ｔ３は直流電源１００の負極に電気的に接続されている。スイッチ１０１は、半導体光源２の点灯／消灯を切り替えるために用いられる。スイッチ１０２は、半導体光源２の点灯状態を全点灯状態と調光点灯状態とに切り替えるために用いられる。スイッチ１０１がオンの状態でスイッチ１０２がオフの状態になると、半導体光源２は１００％の調光レベルで点灯する（この状態を全点灯状態という）。スイッチ１０１がオンの状態でスイッチ１０２がオンの状態になると、半導体光源２はあらかじめ設定された調光レベルで点灯する（この状態を調光点灯状態という）。

出力端子ｔ４と出力端子ｔ５との間には半導体光源２が接続されている。

直流電源回路１０は、スイッチング素子１１と、チョークコイル１２と、コンデンサ１３，１５と、ダイオード１４とで構成される昇圧チョッパ回路からなる。

入力端子ｔ１と入力端子ｔ３との間には、コンデンサ１３と、チョークコイル１２及びスイッチング素子１１の直列回路とが並列に接続されている。チョークコイル１２及びスイッチング素子１１の接続点にはダイオード１４のアノードが接続され、ダイオード１４のカソードと入力端子ｔ３との間にはコンデンサ１５が接続されている。コンデンサ１５の高電位側の端子は出力端子ｔ４に接続され、コンデンサ１５の低電位側の端子はスイッチ部３０を介して出力端子ｔ５に電気的に接続される。スイッチング素子１１は、例えばＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）であり、制御回路２０から入力される制御信号Ｓ２によってオン／オフが切り替わる。

直流電源回路１０は、制御回路２０から入力される制御信号Ｓ２に応じてスイッチング素子１１がスイッチング動作を行うことによって、直流電源１００から入力される電源電圧Ｖ１を、半導体光源２を点灯させるのに必要な電圧値の直流電圧Ｖ２に変換する。

スイッチ部３０は、出力端子ｔ５と入力端子ｔ３との間に接続されたスイッチング素子３１を有している。全点灯状態ではスイッチング素子３１は常にオンの状態（第１状態）に制御される。調光点灯状態ではスイッチング素子３１は第１状態と第２状態とに切り替えられる。ここにおいて、「第１状態」とは、半導体光源２に第１電流値の電流（例えば定格負荷電流）を流す状態（飽和状態でオンになる状態）であり、「第２状態」とは、半導体光源２に第１電流値よりも小さい第２電流値の電流を流す状態である。なお、第２電流値は第１電流値の１００分の１以下の電流値とするのが好ましい。

制御回路２０は、出力制御回路２１、コンパレータ２２、ＯＲゲート２３、ＡＮＤゲート２４、定電圧源２５、発振回路２６を構成要素として備えている。

出力制御回路２１は例えばマイクロコンピュータを構成要素として備えている。マイクロコンピュータがメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、直流電源回路１０の出力を制御する機能や、スイッチ部３０のオン／オフなどを制御する機能が実現される。このプログラムは電気通信回線を通じて提供されてもよいし、メモリカードなどの記録媒体に記憶されて提供されてもよい。出力制御回路２１には、直流電源回路１０の入力電圧及び出力電圧Ｖ２の電圧値と、電流センサ１６によって測定された直流電源回路１０の出力電流の電流値とが入力されている。出力制御回路２１は、直流電源回路１０の出力電流があらかじめ設定された目標値となるように、スイッチング素子１１をＰＷＭ制御する制御信号Ｓ２をＡＮＤゲート２４に出力する。

コンパレータ２２の反転入力端子は入力端子ｔ２に接続され、コンパレータ２２の非反転入力端子は定電圧源２５に接続されている。スイッチ１０２がオンの場合には、定電圧源２５の電圧値に比べて入力端子ｔ２の電圧（電源電圧Ｖ１）が高くなるから、コンパレータ２２の出力信号はローになる。一方、スイッチ１０２がオフの場合には、定電圧源２５の電圧値に比べて入力端子ｔ２の電圧が低くなるので、コンパレータ２２の出力信号はハイになる。

ＯＲゲート２３には、コンパレータ２２の出力信号と、発振回路２６の矩形波信号とが入力されている。ＯＲゲート２３の出力信号Ｓ１は、ダイオード５３と抵抗５２とを介してスイッチング素子３１のベースに入力される。

ＡＮＤゲート２４には、ＯＲゲート２３の出力信号Ｓ１と、出力制御回路２１から出力される制御信号Ｓ２とが入力されている。

発振回路２６はあらかじめ設定された周波数、デューティ比の矩形波信号を出力する。

インピーダンス調整回路５０は、一端がスイッチング素子３１のベースに接続された抵抗５１を有している。抵抗５１の他端は、制御回路２０などに一定の直流電圧Ｖccを供給する制御用の定電圧回路に接続されている。
インピーダンス調整回路５０は、ＰＷＭ調光時の第２状態において、スイッチング素子３１の両端間のインピーダンスを、半導体光源２に流れる電流の電流値が第２電流値となるようなインピーダンスに調整する。インピーダンス調整回路５０は、全点灯時又はＰＷＭ調光時の第１状態では、スイッチング素子３１の両端間のインピーダンスを、第２状態でのインピーダンスに比べて非常に小さいインピーダンスに調整する。

次に、本実施形態の点灯装置１の動作について説明を行う。

スイッチ１０１がオフの状態では、直流電源回路１０に電源電圧Ｖ１が入力されず、半導体光源２は消灯する。

スイッチ１０１がオン、スイッチ１０２がオフの状態では、コンパレータ２２の出力信号がハイになり、ＯＲゲート２３の出力信号Ｓ１がハイの状態を維持するので、スイッチング素子３１はオン状態を継続する。出力制御回路２１は、出力電圧及び出力電流の検出値に応じて、スイッチング素子１１のスイッチング周波数、あるいはデューティ比を調整した制御信号Ｓ２をＡＮＤゲート２４に出力する。ＯＲゲート２３の出力信号Ｓ１はハイの状態を維持しているので、ＡＮＤゲート２４からは制御信号Ｓ２がそのまま出力され、制御信号Ｓ２によってスイッチング素子１１のオン／オフが制御される。これにより、直流電源回路１０の出力電圧は、あらかじめ設定された出力電流を維持するのに必要な電圧値に制御され、直流電源回路１０の出力電流が半導体光源２に供給されて、半導体光源２が点灯する。また、出力制御回路２１は直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２を監視している。出力電圧Ｖ２の計測値があらかじめ設定された上限電圧を超えると、出力制御回路２１は、制御信号Ｓ２のオンデューティを小さくするか、又は、制御信号Ｓ２の出力を停止してスイッチング動作を停止させることで、出力電圧Ｖ２を抑制する過電圧保護制御を行う。

また、スイッチ１０１，１０２が共にオンになると、入力端子ｔ２の電圧値が定電圧源２５の電圧値よりも高くなり、コンパレータ２２の出力信号がローになって、ＯＲゲート２３からは発振回路２６の矩形波信号がそのまま出力される。すなわち、ＯＲゲート２３の出力信号Ｓ１は発振回路２６の矩形波信号と同じ信号になる。

出力信号Ｓ１の信号レベルがハイの期間では、制御回路２０からダイオード５３と抵抗５２とを介してスイッチング素子３１にベース電流が流れて、スイッチング素子３１が第１状態（飽和領域でオンとなる状態）になり、半導体光源２に電流が流れる。スイッチング素子３１が第１状態になると、スイッチング素子３１の両端間のインピーダンスは、半導体光源２に第１電流値の電流（例えば定格点灯電流）を流すことができるようなインピーダンスとなる。

ここで、半導体光源２を構成する４０個のＬＥＤ２ａの定格点灯電流を５０［ｍＡ］、順方向電圧を２．８［Ｖ］とすると、半導体光源２に定格点灯電流が流れている場合、半導体光源２の両端電圧は約１１２［Ｖ］となる。スイッチング素子３１の電流増幅率をβとすると、スイッチング素子３１のオン時（第１状態）にスイッチング素子３１に定格点灯電流を流すには、スイッチング素子３１に少なくとも（５０／β）［ｍＡ］以上のベース電流を流す必要がある。したがって、抵抗５２の抵抗値は、第１状態においてベース電流が（５０／β）［ｍＡ］以上になるような抵抗値に設定されている。

出力信号Ｓ１の信号レベルがローになると、ＡＮＤゲート２４の出力もローになり、出力制御回路２１の制御信号Ｓ１がＡＮＤゲート２４から出力されなくなる。このとき、スイッチング素子１１がオフになって、直流電源回路１０のスイッチング動作が停止されるので、出力電流が低下しても直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２は上昇しない。なお、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２が上昇しなくても、直流電源回路１０の出力端には平滑用のコンデンサ１５が接続されているので、出力電圧Ｖ２はゆっくりと低下する。

また、出力信号Ｓ１の信号レベルがローになると、制御回路２０からスイッチング素子３１にベース電流が流れなくなる。ここで、スイッチング素子３１が完全にオフになって、出力電流がゼロになった場合、定格負荷電圧（約１１２Ｖ）が全てスイッチング素子３１に印加されるため、スイッチング素子３１は少なくとも１２０Ｖの耐電圧が必要になる。ＬＥＤ２ａの順方向電圧のばらつきや温度特性などを考慮すると、更に高い耐電圧のスイッチング素子が必要になる。

そこで、本実施形態では、出力信号Ｓ１の信号レベルがローの期間に、定電圧回路から抵抗５１を通してスイッチング素子３１に微小なベース電流を流し、スイッチング素子３１を第２状態に切り替えている。第２状態では、スイッチング素子３１の両端間のインピーダンス（オン抵抗）が、半導体光源２に流れる電流の電流値を第２電流値とするようなインピーダンスに調整される。ここで、第２電流値は、第１状態において半導体光源２に流れる電流（例えば定格点灯電流）の１００分の１以下の電流値とすることが好ましい。例えば、第２電流値を定格点灯電流の１０００分の１の電流値（０．０５［ｍＡ］）とする場合は、スイッチング素子３１のベースに（０．０５／β）［ｍＡ］のベース電流が流れるように、抵抗５１の抵抗値を設定すればよい。このようなベース電流をスイッチング素子３１に流すことによって、半導体光源２に流れる電流が定格点灯電流の１０００分の１の電流（０．０５［ｍＡ］）となり、ＬＥＤ２ａには１個当たり２．４５［Ｖ］の順方向電圧が発生する。したがって、半導体光源２の全体では９８Ｖの電圧降下が発生するので、スイッチング素子３１に印加される電圧は１４Ｖに低減され、スイッチング素子３１に耐電圧の低い素子を使用することができる。

スイッチ１０１，１０２が共にオンの場合には、矩形波信号となる出力信号Ｓ１のハイ／ローに応じて、スイッチング素子３１が第１状態と第２状態とに交互に切り替えられる。したがって、出力電流が第１電流値となる期間と第２電流値となる期間とが交互に繰り返されることで、半導体光源２がＰＷＭ調光されるのである。半導体光源２に流れる電流値を低下させることで調光する場合は出力光の色味が変化する可能性があるが、本実施形態では、第１状態と第２状態とのデューティ比を調整することで調光しているので、出力光の色味の変化を抑制しつつ調光することができる。

なお、ダイオード５３は、ＰＷＭ調光時において出力信号Ｓ１の信号レベルがローになった場合に、定電圧回路から抵抗５１を介してスイッチング素子３１に供給されるベース電流が抵抗５２側に流れないように設けられている。抵抗５１，５２の抵抗値などの条件によってはダイオード５３を省略することも可能である。

また、図１の回路構成では、ＰＷＭ調光時の第２状態において、定電圧回路から抵抗５１を介してスイッチング素子３１にベース電流を供給しているが、直流電源１００や直流電源回路１０の出力からベース電流を流すような回路構成でもよい。

また、第１状態において半導体光源２に流れる定常点灯電流に比べて、第２状態において半導体光源２に流れる電流を十分小さい値（例えば１００分の１以下）にすれば、第２状態での半導体光源２の光出力は、ＰＷＭ調光時の平均光出力にほとんど影響しない。

本実施形態の点灯装置１の他の回路例を図３に基づいて説明する。なお、図１に示す点灯装置１と共通する構成要素には、同一の符号を付して説明を省略する。

図３に示す点灯装置１では、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３１とともに電流ミラー回路を構成するスイッチング素子５４を備えている。スイッチング素子５４はｎｐｎ型のトランジスタであり、スイッチング素子５４のベース及びコレクタはスイッチング素子３１のベースに接続され、スイッチング素子５４のエミッタは抵抗５５を介して回路のグランドに接続される。また、スイッチング素子３１と直列に電流検出用の抵抗１７が接続されている。

図３に回路構成を示した点灯装置１では、ＰＷＭ調光時に出力信号Ｓ１の信号レベルがハイになると、制御回路２０からダイオード５３及び抵抗５２を介してトランジスタ５４にコレクタ電流が流れる。

ここで、出力信号Ｓ１の信号レベルがハイとなる場合の電圧値をＶＳ１、抵抗１７，５１，５２，５５の抵抗値をそれぞれＲ１７，Ｒ５１，Ｒ５２，Ｒ５５とする。スイッチング素子３１，５４のベース−エミッタ間電圧及びダイオード５３の順方向電圧を０［Ｖ］、スイッチング素子３１，５４の電流増幅率を無限大と仮定し、抵抗５１に流れる電流が、抵抗５２に流れる電流に比べて非常に小さいとする。また、抵抗値Ｒ１７，Ｒ５５は、抵抗値Ｒ５１，Ｒ５２に比べて非常に小さい抵抗値に設定されている。この場合、スイッチング素子５４のコレクタ電流はＶＳ１／Ｒ５２となり、スイッチング素子３１のコレクタ電流は（Ｒ５５／Ｒ１７）×（ＶＳ１／Ｒ５２）となる。ここで、第１状態で半導体光源２に流れる電流の電流値に対して、（Ｒ５５／Ｒ１７）×（ＶＳ１／Ｒ５２）の値が十分大きければ、スイッチング素子３１の第１状態でのインピーダンスは十分に小さくなる。

一方、出力信号Ｓ１の信号レベルがローになる場合（第２状態）、スイッチング素子５４のコレクタ電流は定電圧回路から抵抗５１を介して流れる電流のみになる。

ここにおいて、第２状態で半導体光源２に流れる電流は、第１状態で半導体光源２に流れる電流に比べて非常に小さい電流（例えば１００分の１以下の電流）に設定される。したがって、第２状態で半導体光源２に流れる電流の電流値をＩｍとすると、スイッチング素子５４のコレクタ電流が（Ｒ１７／Ｒ５５）×Ｉｍとなるように抵抗１７，５５の抵抗値が設定されていればよい。

これにより、第２状態においても、第１状態に比べて非常に小さい電流が半導体光源２に流れるから、スイッチング素子３１に印加される電圧を小さくでき、スイッチング素子３１に耐電圧の小さい素子を使用できる。

なお、図３の回路では、第２状態において、スイッチング素子３１に流れる電流値を設定するスイッチング素子５４に、定電圧回路から抵抗５１を介してコレクタ電流を流しているが、直流電源１００や直流電源回路１０からコレクタ電流を流しても良い。

なお、図１及び図３の点灯装置１では、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３１がトランジスタであるが、スイッチング素子３１はトランジスタに限定されない。スイッチング素子３１はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子でもよく、制御回路２０から出力されるＰＷＭ調光用の出力信号Ｓ１で第１状態と第２状態とが切り替えられるようなスイッチング素子であればよい。

また、本実施形態の点灯装置１では、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３１が直流電源回路１０の低電位側の出力端に接続されているが、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３１は直流電源回路１０の高電位側の出力端に接続されてもよい。

また、本実施形態の点灯装置１において、インピーダンス調整回路５０を更に備えてもよい。スイッチ部３０は、直流電源回路１０の出力端子間に半導体光源２を介して接続されたスイッチング素子３１を有している。スイッチング素子３１は、インピーダンスを調整可能な制御端子を有している。インピーダンス調整回路５０は、ＰＷＭ調光時の第２状態において、制御端子に入力する信号（電流又は電圧）を調整することで、スイッチング素子３１のインピーダンスを、半導体光源２に流れる電流の電流値が第２電流値となるようなインピーダンスに調整する。

このように、インピーダンス調整回路５０は、ＰＷＭ調光時の第２状態において、スイッチング素子３１のインピーダンスを、半導体光源２に流れる電流の電流値が第２電流値となるようなインピーダンスに調整している。これにより、スイッチング素子３１に印加される電圧を低減でき、スイッチング素子３１に耐電圧がより低い素子を使用できる。

また、本実施形態の点灯装置１において、電源制御回路（制御回路２０）を更に備えてもよい。直流電源回路１０は、直流電源１００から入力される電源電圧をスイッチングすることによって電圧変換を行う電圧変換回路（例えば昇圧チョッパ回路）を有している。電源制御回路は、電圧変換回路のスイッチング動作を制御する。電源制御回路は、ＰＷＭ調光時の第２状態においてはスイッチング動作を停止するように電圧変換回路を制御する。

このように、電源制御回路となる制御回路２０は、ＰＷＭ調光時の第２状態においてはスイッチング動作を停止するように電圧変換回路を制御するので、出力電流が低下した場合に直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２の増加を抑制できる。

（実施形態２）
図４に、実施形態２の点灯装置１の回路図を示す。実施形態１の点灯装置１と共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。

本実施形態の点灯装置１では、ＰＷＭ調光用のスイッチ部３０が、スイッチング素子３２と、スイッチング素子３２に並列に接続されたバイパス回路３３とを備えている。

スイッチング素子３２は、例えばＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴであり、制御回路２０からゲート電極に直接入力される出力信号Ｓ１に応じてオン又はオフに切り替えられる。すなわち、ＰＷＭ調光時において、出力信号Ｓ１の信号レベルがハイになるとスイッチング素子３２はオンになり、スイッチング素子３２には定格点灯電流が流れる。一方、ＰＷＭ調光時において、出力信号Ｓ１の信号レベルがローになるとスイッチング素子３２はオフになり、スイッチング素子３２には電流が流れない。

バイパス回路３３は例えば抵抗であり、半導体光源２に流れる電流の電流値が第２電流値となるようなインピーダンスを有している。なお、バイパス回路３３は抵抗に限定されず、所定のインピーダンスを有するような回路要素であれば、抵抗以外の回路要素でもよい。

本実施形態では、ＰＷＭ調光時において出力信号Ｓ１の信号レベルがハイになるとスイッチング素子３２はオンになるので、スイッチング素子３２を介して半導体光源２に定常点灯電流（第１電流値の電流）が流れる。一方、ＰＷＭ調光時において出力信号Ｓ１の信信号レベルがローになるとスイッチング素子３２はオフになり、バイパス回路３３を介して半導体光源２に第２電流値の電流が流れる。すなわち、第１状態ではスイッチング素子３２を介して半導体光源２に電流が流れ、第２状態ではバイパス回路３３を介して半導体光源２に電流が流れることになる。

これにより、ＰＷＭ調光時においてＰＷＭ調光用のスイッチング素子３２がオフとなる場合でも、バイパス回路３３を介して半導体光源２に微小な電流が流れるから、スイッチング素子３２に印加される電圧を低減できる。

なお、バイパス回路３３は定電流（第２電流値の電流）を流す定電流回路でもよく、定電流回路で実現されたバイパス回路４０を備える点灯装置１の回路図を図５に示す。図５に回路構成を示す点灯装置１において、図４で説明した点灯装置１と共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。

図５の点灯装置１では、ＰＷＭ調光用のスイッチ部３０が、定電流回路で実現されたバイパス回路４０と、スイッチング素子３２とで構成されている。

バイパス回路４０は、ｎｐｎ型のトランジスタ４１と、定電圧源４２と、抵抗４３とを備えている。トランジスタ４１のコレクタは、半導体光源２とスイッチング素子３２との接続点に接続されている。トランジスタ４１のベースには定電圧源４２が接続され、トランジスタ４１のエミッタは抵抗４３を介して回路のグランドに接続されている。

このバイパス回路４０では、トランジスタ４１をエミッタフォロア動作させており、トランジスタ４１のベースに印加される定電圧源４２の電圧値によってエミッタ端子電圧が決定される。したがって、トランジスタ４１のエミッタ電流は、エミッタ端子電圧と抵抗４３の抵抗値とで決まる一定の電流となる。ベース電流が無視できるほど小さければ、コレクタ電流はエミッタ電流とほぼ同じになるので、トランジスタ４１のコレクタには一定の電流が流れることになる。なお、バイパス回路４０を構成する定電流回路は図５の回路例に限定されず、適宜変更が可能である。

また、本実施形態では、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３２がＭＯＳＦＥＴであるが、スイッチング素子３２はバイポーラトランジスタやＩＧＢＴなどのスイッチング素子でもよい。

また、本実施形態では、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３２が直流電源回路１０の低電位側の出力端に接続されているが、図６に示すように、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３２が直流電源回路１０の高電位側の出力端に接続されてもよい。図６に回路構成を示す点灯装置１において、図４又は図５で説明した点灯装置１と共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。

図６に示す点灯装置１では、スイッチ部３０がスイッチング素子３２と抵抗３４とを備えている。

スイッチング素子３２はＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴであり、直流電源回路１０の高電位側の出力端と出力端子ｔ４との間に接続されている。スイッチング素子３２のゲート・ソース間には抵抗５７及びツェナーダイオード５９の並列回路が接続されている。スイッチング素子３２のゲート電極は抵抗５８とスイッチング素子５６とを介して直流電源回路１０の低電位側の出力端に接続されている。スイッチング素子５６はＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴであり、スイッチング素子５６のゲート電極には制御回路２０の出力信号Ｓ１が直接入力されている。

抵抗３４はバイパス回路を構成しており、抵抗３４のインピーダンスは、ＰＷＭ調光時の第２状態において半導体光源２に流れる電流が第２電流値となるようなインピーダンスに設定されている。なお、バイパス回路は、抵抗３４に限定されず、第２状態において半導体光源２に流れる電流が第２電流値となるようなインピーダンスを有する回路要素であれば抵抗以外の回路要素でもよい。

ＰＷＭ調光時以外の動作は実施形態１の点灯装置１と同様であるので、その説明を省略する。

ＰＷＭ調光時に出力信号Ｓ１の信号レベルがハイになると、レベルシフト用のスイッチング素子５６がオンになり、スイッチング素子３２のソース電極から抵抗５７，５８を介して電流が流れる。このとき、スイッチング素子３２のゲート電極には、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２を抵抗５７，５８で分圧した電圧が印加される。ソース電極の電圧を基準にしてゲート電極の電圧がしきい値電圧を超えて低下すると、スイッチング素子３２がオンになり、半導体光源２に第１電流値の電流が流れる。

ＰＷＭ調光時に出力信号Ｓ１の信号レベルがローになると、レベルシフト用のスイッチング素子５６がオフになる。スイッチング素子５６がオフになると、抵抗５７，５８には電流が流れず、スイッチング素子３２のゲート電極の電圧はソース電極の電圧とほぼ同じ電圧になり、スイッチング素子３２はオフになる。スイッチング素子３２がオフになると、抵抗３４を介して半導体光源２に第２電流値の電流が流れるから、半導体光源２に電圧降下が発生し、スイッチング素子３２に印加される電圧が低減される。

上述のように点灯装置１のスイッチ部３０はスイッチング素子３２とバイパス回路（バイパス回路３３，４０又は抵抗３４）とを有してもよい。スイッチング素子３２は、直流電源回路１０の出力端子間に半導体光源２を介して接続される。バイパス回路は、半導体光源２に流れる電流の電流値を第２電流値とするようなインピーダンスを有し、ＰＷＭ調光時の第２状態においてスイッチング素子３２と並列に接続される。

ＰＷＭ調光時の第２状態において、バイパス回路を介して半導体光源２に電流を供給することによって、半導体光源２に電圧降下を発生させ、スイッチング素子３１に印加される電圧を低減できるから、スイッチング素子３１に耐電圧がより低い素子を使用できる。

なお、本実施形態では、バイパス回路がスイッチング素子３２と常に並列に接続されているが、ＰＷＭ調光時の第２状態のみに、スイッチング素子３２と並列にバイパス回路を接続するスイッチを有してもよい。

（実施形態３）
図７に実施形態３の点灯装置１の回路図を示す。なお、実施形態１で説明した点灯装置１と共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。

実施形態１の点灯装置１では、インピーダンス調整回路５０が、ＰＷＭ調光時の第２状態において、半導体光源２に流れる電流を第２電流とするようなインピーダンスにスイッチング素子３１のインピーダンスを設定している。

それに対して、本実施形態のインピーダンス調整回路５０は、ＰＷＭ調光時の第２状態において、スイッチング素子３２の両端電圧の計測値が上限電圧値を超えないように、スイッチング素子３２のオン抵抗を調整している。

図７の回路構成では、出力端子ｔ５と直流電源回路１０の低電位側の出力端との間に、スイッチ部３０を構成するスイッチング素子３２が接続されている。スイッチング素子３２はＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。

インピーダンス調整回路５０は、ツェナーダイオード６０と抵抗６１とを備える。ツェナーダイオード６０のカソードはスイッチング素子３２のドレイン電極に接続され、ツェナーダイオード６０のアノードはスイッチング素子３２のゲート電極に接続されている。抵抗６１は、スイッチング素子３２のゲート電極と、制御回路２０の出力端（ＯＲゲート２３の出力端子）との間に接続されている。

ＰＷＭ調光時以外の動作は実施形態１の点灯装置１と同様であるので、その説明を省略する。

ＰＷＭ調光時において出力信号Ｓ１の信号レベルがローになると、スイッチング素子３２がオフになり、ドレイン電圧が上昇する。スイッチング素子３２のドレイン電圧がツェナーダイオード６０のツェナ電圧ＶＺ６０を超えると、ツェナーダイオード６０が導通し、ドレイン電圧からツェナ電圧ＶＺ６０を差引いた電圧が抵抗６１およびゲート電極に印加される。ドレイン電圧が更に上昇し、ツェナ電圧ＶＺ６０にスイッチング素子３２のしきい値電圧Ｖthを加算した電圧付近に達すると、スイッチング素子３２がオンし始め、ドレイン・ソース電極間のインピーダンスが低下して、半導体光源２に電流が流れ始める。半導体光源２に流れる電流が増加すると、ドレイン電圧が低下し、ドレイン・ソース電極間のインピーダンスが上昇するので、ドレイン・ソース電極間電圧は、電圧値（ＶＺ６０＋Ｖth）付近で安定化する。よって、電圧値（ＶＺ６０＋Ｖth）が、スイッチング素子３２の耐電圧よりも小さい所定の電圧値となるようなツェナーダイオード６０を選定すれば、スイッチング素子３２に加わるストレスを低減できる。

なお、電圧値（ＶＺ６０＋Ｖth）をあまり低く設定すると、スイッチング素子３２が第２状態であるにもかかわらず、スイッチング素子３２に流れる電流が第２電流値まで減少せず、調光時の平均光出力に影響する。したがって、ＬＥＤ２ａの順方向電圧−順方向電流特性を考慮し、電圧値（ＶＺ６０＋Ｖth）をある程度高い電圧値に設定することで、第２状態において半導体光源２に流れる電流を、定格点灯電流に比べて十分小さい電流値に抑制することができる。

図７の回路構成では、スイッチング素子３２の両端電圧を直接計測するために、ツェナーダイオード６０がドレイン・ゲート電極間に接続されているが、この構成に限定するものではない。ＰＷＭ調光時の第２状態において、スイッチング素子３２の両端電圧を計測し、この両端電圧が所定電圧を超えないように、スイッチング素子３２の制御端子（ゲート電極）に入力する信号を調整するような回路構成であれば、どのような回路構成でもよい。

また、図７の回路構成ではスイッチング素子３２がＭＯＳＦＥＴであるが、バイポーラトランジスタやＩＧＢＴなどのスイッチング素子でもよい。

また、図７の回路構成では、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３２が直流電源回路１０の低電位側の出力端に接続されているが、図８に示すように、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３２は直流電源回路１０の高電位側の出力端に接続されてもよい。

図８の回路構成では、直流電源回路１０の高電位側の出力端と出力端子ｔ４との間に、スイッチ部３０を構成するスイッチング素子３２が接続されている。

スイッチング素子３２はＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。直流電源回路１０の出力端子間には抵抗５７，５８とスイッチング素子５６との直列回路が接続されている。スイッチング素子５６のゲート電極には制御回路２０の出力信号Ｓ１が入力されている。抵抗５７，５８の接続点はスイッチング素子３２のゲート電極に接続されている。スイッチング素子３２のゲート電極にはツェナーダイオード６２のカソードが接続されている。ツェナーダイオード６２のアノードにはダイオード６３のアノードが接続され、ダイオード６３のカソードは抵抗６５を介して直流電源回路１０の低電位側の出力端子に接続されている。また、スイッチング素子３２のドレイン電極にはダイオード６４のアノードが接続され、ダイオード６４のカソードはダイオード６３と抵抗６５との接続点に接続されている。ここにおいて、抵抗５７，５８，６５、ツェナーダイオード６２、ダイオード６３，６４、スイッチング素子５６などからインピーダンス調整回路５０が構成される。

ＰＷＭ調光時以外の動作は実施形態１の点灯装置１と同様であるので、その説明を省略する。

ＰＷＭ調光時において出力信号Ｓ１の信号レベルがハイになり、スイッチング素子５６がオンになると、スイッチング素子３２のゲート電極には、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２を抵抗５７，５８で分圧した電圧が印加される。この時、スイッチング素子３２のソース電圧（出力電圧Ｖ２）とゲート電圧との電位差（抵抗５７の両端電圧）はしきい値電圧Ｖth32以上になるので、スイッチング素子３２がオンになり、直流電源回路１０から半導体光源２に定格点灯電流が供給される。

ＰＷＭ調光時において出力信号Ｓ１の信号レベルがローになり、スイッチング素子５６がオフになると、スイッチング素子３２のゲート電圧が上昇する。ゲート電圧が上昇すると、スイッチング素子３２のインピーダンスが増加して、半導体光源２に流れる電流が低下し、出力端子ｔ４の電圧が低下する。ダイオード６３と抵抗６５との接続点は、ダイオード６４を介して出力端子ｔ４に接続されているので、ダイオード６３と抵抗６５との接続点の電位は出力端子ｔ４の電圧とほぼ同じ電圧になる。出力端子ｔ４の電圧が低下することで、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２と出力端子ｔ４の電圧との電位差が、ツェナーダイオード６２のツェナー電圧ＶＺ６２を上回ると、抵抗６５への電流の一部がツェナーダイオード６２側から供給されるようになる。この電流によって抵抗５７の電圧降下量、すなわちスイッチング素子３２のゲート電圧が制御され、スイッチング素子３２のインピーダンスが調整される。

直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２と出力端子ｔ４との電位差が（ＶＺ６２＋Ｖth32）よりも大きいほど、スイッチング素子３２のゲート電圧が低下して、スイッチング素子３２のインピーダンスが低下するから、出力端子ｔ４の電圧値が上昇する。逆に、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２と出力端子ｔ４との電位差が（ＶＺ６２＋Ｖth32）より小さいほど、スイッチング素子３２のゲート電圧が上昇して、スイッチング素子３２のインピーダンスが増加するから、出力端子ｔ４の電圧値が低下する。すなわち、ＰＷＭ調光時において出力信号Ｓ１の信号レベルがローになる期間（第２状態）では、スイッチング素子３２の両端間の電圧（ドレイン−ソース間電圧）を（ＶＺ６２＋Ｖth32）付近に調整することができる。

これにより、第２状態において半導体光源２に流れる電流は、第１状態において半導体光源２に流れる電流よりも非常に小さい電流値に制御される。

なお、図８に示す回路構成は一例であって、点灯装置１の回路構成を図８の回路構成に限定する趣旨ではない。ＰＷＭ調光時の第２状態において、スイッチング素子３２の両端電圧を差動増幅回路などで検出し、スイッチング素子３２の両端電圧が所定電圧を超えないよう、スイッチング素子３２の制御端子を調整する構成であれば、点灯装置１はどのような回路構成でもよい。

また、図８に示す点灯装置１では、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３２がＭＯＳＦＥＴであるが、バイポーラトランジスタやＩＧＢＴなどのスイッチング素子でもよい。

上述のように、点灯装置１のインピーダンス調整回路５０は、ＰＷＭ調光時の第２状態において、スイッチング素子３２の両端電圧を直接又は等価的に計測した計測値が、スイッチング素子３２の耐電圧よりも低い上限電圧値を超えないように、スイッチング素子３２の両端間のインピーダンスを調整してもよい。

これにより、スイッチング素子３２の両端電圧を上限電圧値を超えないように制御できる。

なお、本実施形態の構成を実施形態２の点灯装置１に適用してもよい。

（実施形態４）
図９に実施形態４の点灯装置１の回路図を示す。なお、実施形態１で説明した点灯装置１と共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。

実施形態１〜３では、ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３１が第２状態になる場合、直流電源回路１０のスイッチング動作を停止して、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２が過度に上昇しないようにしている。一方、ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３１が第２状態から第１状態に切り替わり、直流電源回路１０がスイッチング動作を再開した場合に、出力電流が急速に増加しないため、再開直後に出力電圧Ｖ２がオーバーシュートし、それによって出力電流に過電流が生じる可能性がある。

このため、本実施形態の点灯装置１では、インピーダンス調整回路５０に過電流保護回路の機能を追加している。

本実施形態の点灯装置１では、スイッチ部３０が、ｎｐｎ型のトランジスタであるスイッチング素子３１からなり、スイッチング素子３１のコレクタと入力端子ｔ３との間には出力電流を検出するための抵抗１７が接続されている。

インピーダンス調整回路５０は、トランジスタ７１，７２と抵抗７３〜７６とを用いた差動増幅回路である。

抵抗１７とスイッチング素子３１の接続点にはトランジスタ７２のベースが接続されており、差動増幅回路の一方のトランジスタ７２のベースに出力電流に比例した電圧が印加される。差動増幅回路の他方のトランジスタ７１のベースには、制御回路２０の出力信号Ｓ１を抵抗７４，７５で分圧した電圧が印加されており、トランジスタ７１のコレクタはスイッチング素子３１のベースに接続されている。また、スイッチング素子３１のベースには、出力端子ｔ５の電圧を抵抗７６，７７で分圧した電圧が印加されている。また、トランジスタ７２のベースに入力されるベース電圧ＶＢ７２は、抵抗１７の両端間に発生する電圧とほぼ同じ電圧になる。

ＰＷＭ調光時以外の動作は実施形態１の点灯装置１と同様であるので、その説明を省略する。

ＰＷＭ調光時に出力信号Ｓ１の信号レベルがハイの場合で、半導体光源２に流れる出力電流が第１電流値程度であれば、トランジスタ７２のベース電圧ＶＢ７２（抵抗１７の両端電圧）がトランジスタ７１のベース電圧ＶＢ７１よりも低くなるように、抵抗１７及び分圧抵抗７４，７５の抵抗値は設定されている。半導体光源２に過電流が流れて、トランジスタ７２のベース電圧ＶＢ７２がトランジスタ７１のベース電圧ＶＢ７１まで上昇すると、トランジスタ７２のコレクタ電流が増加する。これにより、トランジスタ７１のコレクタ電流が減少し、スイッチング素子３１のベース電流が低下するので、半導体光源２に流れる電流を低下させるように、過電流保護回路としてのインピーダンス調整回路５０が動作する。

また、ＰＷＭ調光時に出力信号Ｓ１の信号レベルがローの場合は、差動増幅回路を構成するトランジスタ７１のベース電圧が低下し、トランジスタ７１がオフになることで、スイッチング素子３１が第２状態となり、スイッチング素子３１の両端電圧、すなわちエミッタ電圧が上昇する。このとき、スイッチング素子３１のベース電圧もエミッタ電圧とほぼ同じ電圧に上昇するので、抵抗７７を介してベース電流が流れる。第２状態におけるエミッタ電圧ＶＥ３１を制限するために、出力電流を第１モードでの第１電流値（定常負荷電流）よりも十分小さい第２電流値Ｉｍとする場合、抵抗７７の抵抗値Ｒ７７を、Ｒ７７＝ＶＥ３１／（Ｉｍ／β）となるように設定すればよい。これにより、第２状態において半導体光源に第２電流値Ｉｍを流すことができ、半導体光源２に電圧降下を発生させることで、スイッチング素子３１の両端電圧が低減される。

以上のように、インピーダンス調整回路５０が、ＰＷＭ制御時に制御回路２０の出力信号Ｓ１に応じて、スイッチング素子３１を第１状態と第２状態とに切り替えることで、半導体光源２を調光しつつ、過電流に対する保護動作を行うことができる。

なお、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３１に過電流保護機能を付加する過電流保護回路の回路構成は、図９の回路構成に限定されず、同様の動作を行う回路であれば、他の回路構成でも良い。例えば図１０に示す点灯装置１は、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３１がｎｐｎ型のトランジスタであり、作動増幅回路をオペアンプ７９で実現している。

図１０に示す点灯装置１でも、図９に示す点灯装置１と同様の回路動作を行うことで過電流に対する保護機能を実現できる。

図１０に示す点灯装置１では、ＰＷＭ調光時に出力信号Ｓ１がローになる第２状態では、スイッチング素子３１のコレクタ電圧が上昇する。第２状態においてスイッチング素子３１のコレクタ電圧Ｖ３１を制限するために、出力電流を第１電流値（定格負荷電流）に比べて小さい第２電流値Ｉｍとする場合、抵抗７６の抵抗値Ｒ７６を、Ｒ７６＝Ｖ３１／（Ｉｍ／β）となるように設定すればよい。これにより、第２状態において半導体光源２に第２電流値Ｉｍの出力電流を流すことができ、半導体光源２の電圧降下によって、スイッチング素子３１に印加される電圧値を低減できる。なお、第２状態ではオペアンプ７９の出力がローになるため、抵抗７６を流れる電流がオペアンプ７９に流れ込まないように、抵抗７６とオペアンプ７９の出力端との間にダイオード８０が接続されている。

上述のように、点灯装置１は、過電流保護回路（本実施形態ではインピーダンス調整回路５０が兼用）を更に備えてもよい。過電流保護回路は、ＰＷＭ調光時および全点灯時のそれぞれにおいて、スイッチ部３０が第１状態の場合に半導体光源２に流れる電流の計測値が上限電流値を超えないように、スイッチ部３０の両端間のインピーダンスを調整する。

これにより、点灯装置１を構成する回路部品を過電流から保護することができる。

（実施形態５）
図１１に実施形態５の点灯装置１の回路図を示す。なお、本実施形態の点灯装置１は、実施形態３で説明した図７に示す点灯装置１と共通の回路構成を有しており、実施形態３の点灯装置１と共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。

上述の実施形態１〜４では、ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３１又は３２を第２状態とする場合に、直流電源回路１０のスイッチング動作を停止するため、ＰＷＭ調光時にはＡＮＤゲート２４でスイッチング素子１１に制御信号が入力されないようにしている。

それに対して、本実施形態の点灯装置１では、ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３２が第２状態となる場合に、スイッチング素子３２の両端間に発生する高い電圧を、出力信号の検出値（電圧信号）に重畳させて出力制御回路２１に入力させている。出力制御回路２１は、第２状態において、スイッチング素子３２の両端間に発生する高い電圧を、出力信号の検出値（電圧信号）に重畳した信号が入力されるから、出力電流が過大であるような検知状態となり、直流電源回路１０の出力を抑制するように動作する。

図１１の点灯装置１では、ＰＷＭ調光用のスイッチング素子３２がＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴであり、スイッチング素子３２のドレイン電極にツェナーダイオード６０のカソードが接続され、ゲート電極にツェナーダイオード６０のアノードが接続されている。電流センサ１６は、出力電流の大きさに比例した電圧信号を測定信号として出力する。そして、本実施形態では、電流センサ１６の測定信号（出力電流の大きさに比例した電圧値の信号）と、ツェナーダイオード６０のカソードの電圧（出力端子ｔ５の電圧）とを加算回路８２で加算した電圧信号を出力制御回路２１に入力している。

本実施形態では、ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３２が第１状態となる場合、スイッチング素子３２のインピーダンスが十分小さく、出力端子ｔ５の電圧レベルはほぼゼロとなるから、電流センサ１６の測定信号がそのまま出力制御回路２１に入力される。一方、ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３２が第２状態となる場合、スイッチング素子３２の両端電圧が上昇するため、加算回路８２の出力が増大し、出力制御回路２１には、過大な出力電流が流れているのと同様の計測信号が入力されることになる。これにより、出力制御回路２１は、直流電源回路１０のスイッチング動作を停止させるか、又は、直流電源回路１０の出力電圧を低下させるような制御動作を行う。

図１２は、電流センサ１６の代わりに抵抗１７が接続された場合の回路構成を示し、抵抗１７の両端電圧はスイッチング素子３２を介して出力制御回路２１に入力されている。

ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３２が第１状態となる場合、スイッチング素子３２のインピーダンスが十分小さく、スイッチング素子３２の両端電圧はほぼゼロとなるから、電流センサ１６の測定信号がそのまま出力制御回路２１に入力される。一方、ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３２が第２状態となる場合、スイッチング素子３２の両端電圧が上昇するため、出力制御回路２１には、過大な出力電流が流れているのと同様の計測信号が入力されることになる。これにより、出力制御回路２１は、直流電源回路１０のスイッチング動作を停止させるか、又は、直流電源回路１０の出力電圧を低下させるような制御動作を行う。

また、図１３に示すように、ＰＷＭ調光時の第２状態において、スイッチング素子３２の両端間に発生する高い電圧を、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２の計測値に重畳させて制御回路２０入力させてもよい。

制御回路２０は、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２の計測値を用いて過電圧保護を行う過電圧保護回路２９を備えている。また、制御回路２０は、直流電源回路１０の入力電圧を監視する入力電圧監視回路２８を備えている。

ＡＮＤゲート２４には、入力電圧監視回路２８の出力と、過電圧保護回路２９の出力と、出力制御回路２１から出力される制御信号とが入力されている。

したがって、直流電源回路１０の入力電圧及び出力電圧が正常範囲にある場合のみ、ＡＮＤゲート２４は出力制御回路２１から入力された制御信号をスイッチング素子１１のゲート電極に出力する。

過電圧保護回路２９は、コンパレータ２９１と定電圧源２９２とを備えている。

コンパレータ２９１の反転入力端子は、抵抗２９４を介して直流電源回路１０の高電位側の出力端に接続され、かつ、抵抗２９３を介して出力端子ｔ５に接続されている。コンパレータ２９１の非反転入力端子には定電圧源２９２が接続されている。

ここで、ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３２が第１状態となる場合、出力端子ｔ５の電圧は回路のグランドレベルとなるため、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２を抵抗２９４，２９３で分圧した電圧がコンパレータ２９１の反転入力端子に入力される。この場合、反転入力端子の電圧レベルが定電圧源２９２の電圧レベルを下回るように、抵抗２９４，２９３の電圧値は設定されており、コンパレータ２９１の出力信号はハイになる。したがって、直流電源回路１０のスイッチング素子１１には出力制御回路２１の出力信号が入力され、直流電源回路１０はスイッチング動作を継続する。

このとき、半導体光源２の開放故障や出力端子からの脱落などが発生して、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２が上昇し、コンパレータ２９の反転入力端子の電圧レベルが定電圧源２９２の電圧レベルを上回ると、コンパレータ２９の出力はローになる。これにより、ＡＮＤゲート２４の出力はローになり、スイッチング素子１１のゲート電極に制御信号Ｓ２が入力されなくなるから、直流電源回路１０がスイッチング動作を停止して、出力電圧Ｖ２に生じる過電圧を抑制できる。

一方、ＰＷＭ調光時にスイッチング素子３２が第２状態となる場合、直流電源回路１０の出力電圧Ｖ２と、スイッチング素子３２の両端間に発生した電圧とを抵抗２９４，２９３で分圧した電圧がコンパレータ２９１の反転入力端子に入力される。第２状態では、スイッチング素子３２の両端電圧が上昇し、抵抗２９４，２９３で分圧した電圧レベルが定電圧源２９２の電圧レベルを上回るため、コンパレータ２９１の出力がローになり、直流電源回路１０のスイッチング素子１１に制御信号が入力されなくなる。これにより、直流電源回路１０がスイッチング動作を停止し、直流電源回路１０の出力電圧が増加しすぎる事態を回避できる。

このように、直流電源回路１０の出力電圧の計測値に、ＰＷＭ調光時においてスイッチング素子３２が第２状態となった場合に発生する電圧を重畳するようにすれば、直流電源回路１０のスイッチング動作を停止させるか、又は、出力電圧Ｖ２を抑制できる。

上述のように、点灯装置１は、電源制御回路（本実施形態では制御回路２０が兼用）を更に備えてもよい。直流電源回路１０は、直流電源１００から入力される電源電圧をスイッチングすることによって電圧変換を行う電圧変換回路（例えば昇圧チョッパ回路）を有している。電源制御回路は、直流電源回路１０の出力電圧又は出力電流の計測値に基づいて電圧変換回路１０のスイッチング動作を制御する。電源制御回路は、ＰＷＭ調光時の第２状態においては、スイッチ部３０の両端電圧に比例した加算値を計測値に重畳させた値に基づいて、電圧変換回路のスイッチング動作を制御する。

ＰＷＭ調光時の第２状態ではスイッチ部３０の両端電圧が増加するので、電源制御回路は、電圧変換回路のスイッチング動作を抑制するような動作を行うから、直流電源回路１０の出力電圧が増加しすぎる事態を回避できる。

なお、このような機能を実現するための回路構成は図１１、図１２、図１３に示す回路構成に限定されず、同様の動作を実現可能な回路構成であれば、他の回路構成でもよい。

また、実施形態１〜５の点灯装置１では、直流電源回路１０が昇圧チョッパ回路であったが、直流電源回路１０は、昇降圧チョッパやフライバックコンバータ、フォワードコンバータなどでもよい。すなわち、直流電源回路１０は、電源からインダクタ要素に供給される電力をスイッチング素子によって高周波で断続させることで、少なくとも負荷と直列に接続されたインダクタ要素から整流回路を介して負荷側に出力し、出力電圧を電源電圧に対し昇圧又は昇降圧させる構成であれば、どのような回路構成でもよい。

また、実施形態１〜５の点灯装置１は、入力端子ｔ２に所定の電圧値が印加されると、全点灯状態から調光点灯状態に切り換わる段調光の点灯装置であったが、調光器などから入力された矩形波状の調光信号に応じて連続調光を行う点灯装置でもよい。

更に、実施形態１〜５の点灯装置１の制御回路２０は、アナログ回路で実現されてもよいし、ディジタル回路で実現されてもよい。制御回路２０の一部又は全部の機能が、マイクロコンピュータによってソフトウェアにてディジタル制御を行う構成であってもよい。

（実施形態６）
図１４は、実施形態１〜５のいずれかの点灯装置１が組み込まれた照明装置２００の概略構成図である。

本実施形態の照明装置２００は例えば車両３００に搭載される前照灯装置であり、照明装置２００を車体３０１に搭載した車両３００の外観図を図１５に示す。

照明装置２００のケース２０１は、一面が開口した箱型のボディ２０２と、ボディ２０２の開口に取り付けられた透光性のカバー２０３とを備えている。ボディ２０２の内部には半導体光源２が収納されている。半導体光源２は放熱構造体２０４に搭載されており、放熱構造体２０４はアルミ合金で形成され、複数のフィンを有している。放熱構造体２０４には、半導体光源２からの照射光を前方に反射する反射部材２０５が取り付けられている。また、ボディ２０２の下側には、実施形態１〜５で説明した点灯装置１を収納したサブケース２０９が取り付けられている。サブケース２０９に収納された点灯装置１と半導体光源２との間はリード線２０８を介して電気的に接続されている。

点灯装置１の入力端子ｔ１，ｔ２は、それぞれスイッチ１０１，１０２を介して直流電源１００（車両３００のバッテリ）の正極に接続されている。点灯装置１の入力端子ｔ３は直流電源１００の負極に接続されている。

ここで、スイッチ１０１がオンになると点灯装置１が半導体光源２に電流を供給して、半導体光源２を点灯させる。またスイッチ１０２がオフであれば、点灯装置１は半導体光源２を全点灯状態で点灯させ、スイッチ１０２がオンになると、点灯装置１は半導体光源２を調光点灯状態で点灯させる。

上述のように、本実施形態の照明装置２００は、実施形態１〜５のいずれかの点灯装置１と、点灯装置１が点灯させる半導体光源２と、点灯装置１及び半導体光源２を収納するケース２０１とを備える。

また、本実施形態の車両３００は、照明装置２００と、照明装置２００が取り付けられる車体２０１とを備える。

これにより、スイッチ部３０に耐電圧がより低い部品を使用できる照明装置２００及び車両３００を提供することができる。

なお、照明装置２００は車両３００の前照灯を点灯させる照明装置に限定されない。照明装置２００は、デイタイムランニングランプやアクセサリランプを点灯させる照明装置でもよく、その場合は他の光源を点灯又は消灯させた場合や、周囲の明るさなどの環境に応じて、全点灯状態及び調光点灯状態のいずれかに切り替えればよい。

１ 点灯装置
２ 半導体光源
１０ 直流電源回路（電圧変換回路）
２０ 制御回路（調光制御回路、過電流保護回路、電源制御回路）
３０ スイッチ部
３１，３２ スイッチング素子
３３，４０ バイパス回路
３４ 抵抗
５０ インピーダンス調整回路
２００ 照明装置
２０１ ケース
３００ 車体
３０１ 車両

Claims (12)

1. 直流電圧を出力する直流電源回路と、スイッチ部と、調光制御回路と、電源制御回路とを備え、
   前記スイッチ部は、前記直流電源回路の出力端子間に半導体光源と直列に接続され、
   前記スイッチ部は、前記半導体光源に第１電流値の電流を流す第１状態と、前記半導体光源に前記第１電流値よりも小さい第２電流値の電流を流す第２状態とに切り替えられ、
   前記調光制御回路は、前記スイッチ部の状態を前記第１状態と前記第２状態とに交互に切り替え、前記第１状態と前記第２状態との時間的な割合であるデューティ比を調整することで前記半導体光源をＰＷＭ調光するように構成され、
   前記直流電源回路は、直流電源から入力される電源電圧をスイッチングすることによって電圧変換を行う電圧変換回路を有し、
   前記電源制御回路は、前記電圧変換回路のスイッチング動作を制御し、
   前記電源制御回路は、ＰＷＭ調光時の前記第２状態においてはスイッチング動作を停止するように前記電圧変換回路を制御することを特徴とする点灯装置。
2. インピーダンス調整回路を更に備え、
   前記スイッチ部は、前記直流電源回路の出力端子間に前記半導体光源を介して接続されたスイッチング素子を有し、
   前記スイッチング素子は、インピーダンスを調整可能な制御端子を有し、
   前記インピーダンス調整回路は、ＰＷＭ調光時の前記第２状態において、前記制御端子に入力する信号を調整することによって、前記スイッチング素子のインピーダンスを、前記半導体光源に流れる電流の電流値が前記第２電流値となるようなインピーダンスに調整することを特徴とする請求項１に記載の点灯装置。
3. 前記スイッチング素子の耐電圧が、前記半導体光源に印加される定格負荷電圧よりも低いことを特徴とする請求項２に記載の点灯装置。
4. 前記スイッチ部は、前記直流電源回路の出力端子間に前記半導体光源を介して接続されたスイッチング素子と、バイパス回路とを有し、
   前記バイパス回路は、前記半導体光源に流れる電流の電流値を前記第２電流値とするようなインピーダンスを有し、
   前記バイパス回路は、ＰＷＭ調光時の前記第２状態において、前記スイッチング素子と並列に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の点灯装置。
5. 前記インピーダンス調整回路は、ＰＷＭ調光時の前記第２状態において、前記スイッチング素子の両端電圧を直接又は等価的に計測した計測値が、前記スイッチング素子の耐電圧よりも低い上限電圧値を超えないように、前記スイッチング素子の両端間のインピーダンスを調整することを特徴とする請求項２に記載の点灯装置。
6. 過電流保護回路を更に備え、
   前記過電流保護回路は、ＰＷＭ調光時および全点灯時のそれぞれにおいて、前記スイッチ部が前記第１状態の場合に前記半導体光源に流れる電流の計測値が上限電流値を超えないように、前記スイッチ部の両端間のインピーダンスを調整することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の点灯装置。
7. 直流電圧を出力する直流電源回路と、スイッチ部と、調光制御回路と、電源制御回路とを備え、
   前記スイッチ部は、前記直流電源回路の出力端子間に半導体光源と直列に接続され、
   前記スイッチ部は、前記半導体光源に第１電流値の電流を流す第１状態と、前記半導体光源に前記第１電流値よりも小さい第２電流値の電流を流す第２状態とに切り替えられ、
   前記調光制御回路は、前記スイッチ部の状態を前記第１状態と前記第２状態とに交互に切り替え、前記第１状態と前記第２状態との時間的な割合であるデューティ比を調整することで前記半導体光源をＰＷＭ調光するように構成され、
   前記直流電源回路は、直流電源から入力される電源電圧をスイッチングすることによって電圧変換を行う電圧変換回路を有し、
   前記電源制御回路は、前記直流電源回路の出力電圧又は出力電流の計測値に基づいて前記電圧変換回路のスイッチング動作を制御し、
   前記電源制御回路は、ＰＷＭ調光時の前記第２状態においては、前記スイッチ部の両端電圧に比例した加算値を、前記直流電源回路の出力電圧又は出力電流の計測値に重畳させた値に基づいて、前記電圧変換回路のスイッチング動作を制御することを特徴とする点灯装置。
8. インピーダンス調整回路を更に備え、
   前記スイッチ部は、前記直流電源回路の出力端子間に前記半導体光源を介して接続されたスイッチング素子を有し、
   前記スイッチング素子は、インピーダンスを調整可能な制御端子を有し、
   前記インピーダンス調整回路は、ＰＷＭ調光時の前記第２状態において、前記制御端子に入力する信号を調整することによって、前記スイッチング素子のインピーダンスを、前記半導体光源に流れる電流の電流値が前記第２電流値となるようなインピーダンスに調整することを特徴とする請求項７に記載の点灯装置。
9. 前記スイッチ部は、前記直流電源回路の出力端子間に前記半導体光源を介して接続されたスイッチング素子と、バイパス回路とを有し、
   前記バイパス回路は、前記半導体光源に流れる電流の電流値を前記第２電流値とするようなインピーダンスを有し、
   前記バイパス回路は、ＰＷＭ調光時の前記第２状態において、前記スイッチング素子と並列に接続されたことを特徴とする請求項７に記載の点灯装置。
10. 過電流保護回路を更に備え、
    前記過電流保護回路は、ＰＷＭ調光時および全点灯時のそれぞれにおいて、前記スイッチ部が前記第１状態の場合に前記半導体光源に流れる電流の計測値が上限電流値を超えないように、前記スイッチ部の両端間のインピーダンスを調整することを特徴とする請求項７に記載の点灯装置。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の点灯装置と、前記点灯装置が点灯させる前記半導体光源と、前記点灯装置及び前記半導体光源を収納するケースとを備えたことを特徴とする照明装置。
12. 請求項１１に記載の照明装置と、前記照明装置が取り付けられる車体とを備えたことを特徴とする車両。

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