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JP6687436B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

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JP6687436B2
JP6687436B2 JP2016059818A JP2016059818A JP6687436B2 JP 6687436 B2 JP6687436 B2 JP 6687436B2 JP 2016059818 A JP2016059818 A JP 2016059818A JP 2016059818 A JP2016059818 A JP 2016059818A JP 6687436 B2 JP6687436 B2 JP 6687436B2
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淳 松下
高志 宮本
高志 宮本
林 航之介
航之介 林
山崎 修
修 山崎
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。   Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

基板処理装置は、半導体などの製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の表面に処理液を供給してその基板表面を例えば洗浄処理し、その後、基板表面を乾燥させる装置である。   The substrate processing apparatus is an apparatus that supplies a processing liquid to the surface of a substrate such as a wafer or a liquid crystal substrate to wash the substrate surface, for example, and then dry the substrate surface in the manufacturing process of semiconductors and the like.

ところで、近年、半導体の高集積化や大容量化に伴い、パターンの微細化が進んでくると、上述した基板処理装置を用いた乾燥工程において、例えば、メモリセルやゲート周辺のパターンが倒壊する問題が発生している。これは、パターン同士の間隔や構造、処理液の表面張力などに起因している。   By the way, in recent years, as the degree of pattern miniaturization has advanced with the increase in the integration and the capacity of semiconductors, for example, in the drying process using the substrate processing apparatus described above, for example, the pattern around the memory cell or the gate collapses. There is a problem. This is due to the distance between the patterns, the structure, the surface tension of the treatment liquid, and the like.

そこで、前述したパターンの倒壊を抑制することを目的として、ハロゲンランプを用いた基板乾燥装置が提案されており(例えば、特許文献1参照)、基板表面上のIPAを液玉にし、その液玉を除去することで基板の乾燥が行われることもある。   Therefore, a substrate drying device using a halogen lamp has been proposed for the purpose of suppressing the collapse of the above-described pattern (see, for example, Patent Document 1), and IPA on the substrate surface is used as a liquid ball, and the liquid ball is used. The substrate may be dried by removing the.

特開2015−29041号公報JP, 2015-29041, A

このような基板乾燥装置を用いた処理方法によれば、パターン倒壊が抑制され、良好な乾燥処理を行なうことができる。ところで、ハロゲンランプ等の加熱手段を処理液から守るために、加熱手段と基板との間に透過窓を配置することも行なわれる。この場合、当然ながら、透過窓も加熱手段によって加熱されることになる。透過窓の温度が、処理の繰り返しにより高温状態になると、基板が乾燥処理チャンバに搬入された時点で、基板の表面が不均一に乾燥され、これが起因して、ウォータマーク(水しみ)やパターン倒壊が生じることが判明した。   According to the processing method using such a substrate drying apparatus, pattern collapse is suppressed, and good drying processing can be performed. By the way, in order to protect the heating means such as a halogen lamp from the processing liquid, a transmission window may be arranged between the heating means and the substrate. In this case, of course, the transmission window is also heated by the heating means. When the temperature of the transmission window becomes high due to repeated processing, the surface of the substrate is nonuniformly dried when the substrate is loaded into the drying processing chamber, which causes water marks or patterns. It turns out that a collapse will occur.

本発明が解決しようとする課題は、ウォータマークやパターン倒壊の発生を抑え、良好な基板処理が行える基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。   An object to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing the occurrence of watermarks and pattern collapse and performing excellent substrate processing.

実施形態に係る基板処理装置は、
処理液が供給された基板の処理装置において、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前記基板を保持する保持手段と、
前記保持手段によって保持された前記基板を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段と対向するように設けられ、前記加熱手段から照射される光を透過する透過窓と、
前記透過窓を冷却流体で冷却する冷却手段と、
前記加熱手段による加熱が行なわれていないときに前記冷却手段を作動させる制御手段とを備え、
前記冷却手段は、
前記透過窓に向けて前記冷却流体を供給する冷却流体噴射部と、
前記冷却流体噴射部に前記冷却流体を供給する冷却流体供給部と、
を有し、
前記冷却流体噴射部は、
前記透過窓と対向して配置された複数のノズルと、
有し、
前記加熱手段は、所定の間隔を有して配置された複数のランプを有し、
前記複数のノズルは、前記複数のランプの隙間に、吐出口を前記透過窓に向けて配置さ
れ、
前記吐出口の高さ位置は、垂直方向で、前記ランプの中心高さ位置と前記透過窓の上面の高さ位置との間に位置する
ことを特徴とする。
The substrate processing apparatus according to the embodiment,
In the substrate processing apparatus to which the processing liquid is supplied,
A chamber,
Holding means provided in the chamber for holding the substrate;
Heating means for heating the substrate held by the holding means,
A transmission window that is provided so as to face the heating means and that transmits the light emitted from the heating means,
Cooling means for cooling the transparent window with a cooling fluid,
Control means for operating the cooling means when heating by the heating means is not performed,
The cooling means is
A cooling fluid ejecting unit that supplies the cooling fluid toward the transparent window;
A cooling fluid supply unit that supplies the cooling fluid to the cooling fluid ejection unit;
Have
The cooling fluid jetting unit,
A plurality of nozzles arranged to face the transmission window,
Have,
The heating means has a plurality of lamps arranged at a predetermined interval,
The plurality of nozzles, in the gap between the plurality of lamps, the discharge port is arranged toward the transmission window,
The height position of the discharge port is in the vertical direction, and is located between the center height position of the lamp and the height position of the upper surface of the transmission window.

実施形態に係る基板処理方法は、
表面に処理液が供給された基板の処理方法において、
チャンバ内に収容された前記基板を保持する工程と、
前記チャンバ内で保持された前記基板を透過窓を介してランプで加熱する工程と、
前記基板を加熱する工程が行なわれていないときに前記透過窓を冷却流体で冷却する工
程とを有し、
前記透過窓を前記冷却流体で冷却する工程では、前記冷却流体を前記ランプの中心高さ位置と前記透過窓の上面の高さ位置との間の高さ位置から吐出する
ことを特徴とする。
The substrate processing method according to the embodiment,
In the method of processing a substrate whose surface is supplied with a processing liquid,
Holding the substrate contained in a chamber;
Heating the substrate held in the chamber with a lamp through a transmissive window;
Cooling the transparent window with a cooling fluid when the step of heating the substrate is not performed,
In the step of cooling the transmission window with the cooling fluid, the cooling fluid is discharged from a height position between a central height position of the lamp and a height position of an upper surface of the transmission window.

本発明によれば、ウォータマークやパターン倒壊の発生を抑え、良好な基板処理を行なうことができる。   According to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of watermarks and pattern collapse, and perform good substrate processing.

第1の実施形態に係る基板処理装置の全体概略構成を示す図である。It is a figure which shows the whole schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の処理チャンバの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the processing chamber of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理チャンバの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the dry processing chamber of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理チャンバの加熱手段及び冷却手段の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the heating means and cooling means of the dry processing chamber of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理チャンバにおける加熱手段と冷却手段の配置構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the arrangement structure of the heating means and the cooling means in the dry processing chamber of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理チャンバにおける加熱手段と冷却手段の配置構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the arrangement structure of the heating means and the cooling means in the dry processing chamber of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第2の実施形態に係る基板処理装置のバッファ部の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the buffer part of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る基板処理装置のバッファ部の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the buffer part of the substrate processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る基板処理装置のバッファ部内におけるシャッター構成を示す図である。It is a figure which shows the shutter structure in the buffer part of the substrate processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る基板処理装置のバッファ部内における構成を示す図である。It is a figure which shows the structure in the buffer part of the substrate processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理チャンバの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the dry processing chamber of the substrate processing apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施形態に係る基板処理装置の乾燥処理チャンバの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the dry processing chamber of the substrate processing apparatus which concerns on 5th Embodiment.

図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置1は、未処理の基板Wが収納されているFOUP2と、FOUP2を載置するFOUP載置台3と、FOUP2に収納された未処理の基板Wを取り出す搬送ロボット4と、搬送ロボット4が移動する搬送レール5と、搬送ロボット4によって搬送された基板Wを載置する基板載置台6と、基板載置台6に載置された基板Wを、後述する処理チャンバ10及び乾燥処理チャンバ30に搬送する搬送ロボット7と、搬送ロボット7が移動する搬送レール8と、処理液により処理を実行する処理チャンバ10と、処理チャンバ10で処理された基板Wを乾燥処理するための乾燥処理チャンバ30とを備えている。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a FOUP 2 in which an unprocessed substrate W is stored, a FOUP mounting table 3 on which the FOUP 2 is mounted, and a FOUP 2 mounted in the FOUP 2. The transfer robot 4 for taking out the substrate W to be processed, the transfer rail 5 on which the transfer robot 4 moves, the substrate mounting table 6 for mounting the substrate W transferred by the transfer robot 4, and the substrate mounting table 6 are mounted. A transfer robot 7 that transfers the substrate W to a processing chamber 10 and a drying processing chamber 30 described later, a transfer rail 8 on which the transfer robot 7 moves, a processing chamber 10 that executes a process with a processing liquid, and a process in the processing chamber 10. And a drying processing chamber 30 for drying the processed substrate W.

図2は、処理チャンバ10の構成を示している。処理チャンバ10内には、基板Wを水平に保持する保持手段である回転テーブル11がある。この回転テーブル11は、回転軸12とモータ13に連結されており、このモータ13の回転動作により、回転テーブル11を回転できるように構成される。モータ13には、制御部100と電気的に接続されており、制御部100からの指令により設定された回転数で、図2に示した矢印I方向に回転する。保持ピン14は、偏心回転できる構造(図示せず)に構成され、保持ピン14が偏心回転することで、処理チャンバ10に搬入された基板Wの端部に接触してその基板を保持するようになっている。   FIG. 2 shows the configuration of the processing chamber 10. In the processing chamber 10, there is a turntable 11 which is a holding means for holding the substrate W horizontally. The rotary table 11 is connected to a rotary shaft 12 and a motor 13, and the rotary table 11 can be rotated by the rotating operation of the motor 13. The motor 13 is electrically connected to the control unit 100, and rotates in the arrow I direction shown in FIG. 2 at the rotation speed set by a command from the control unit 100. The holding pin 14 has a structure (not shown) capable of eccentric rotation, and the holding pin 14 rotates eccentrically so that the holding pin 14 comes into contact with the end portion of the substrate W loaded into the processing chamber 10 to hold the substrate. It has become.

カップ15は、回転テーブル11によって回転する基板Wの処理面に供給された処理液を回収し、回収した処理液を排出管(図示せず)に誘導する役割は果たしている。なお、カップ15を二重構造にして、処理液を分離回収できる構造にしてもよい。   The cup 15 plays a role of collecting the processing liquid supplied to the processing surface of the substrate W rotated by the rotary table 11 and guiding the collected processing liquid to a discharge pipe (not shown). The cup 15 may have a double structure so that the treatment liquid can be separated and collected.

アーム駆動機構16は、揺動アーム17を回転駆動させる。なお、アーム駆動機構16は、制御部100と電気的に接続され、制御部100に設定されたプログラムにより、揺動アーム17を駆動するようになっている。   The arm drive mechanism 16 rotationally drives the swing arm 17. The arm drive mechanism 16 is electrically connected to the control unit 100 and drives the swing arm 17 according to a program set in the control unit 100.

処理液吐出ノズル18は、揺動アーム17の先端に接続されており、アーム駆動機構16の動作により、基板W上にて水平方向に移動できる。処理液吐出ノズル18により処理液が基板Wの表面上に吐出されて、基板Wの表面を処理することができる。基板Wを処理する時、処理液吐出ノズル18は、アーム駆動機構16の動作により、待機位置から基板Wの中心に向けて水平移動させられる。なお、処理液吐出ノズル18は、処理液供給部40からの処理液供給管(図示せず)が、アーム駆動機構16や揺動アーム17を経由して接続される。また、処理液供給管の途中には、バルブ(図示せず)が設置される。このバルブや処理液供給部40は、制御部100と電気的にそれぞれ接続される。この制御部100により、処理液供給部40やバルブを制御させることで、処理液を処理液吐出ノズル18へ供給している。この処理液は、エッチング液や洗浄液(APM、SC−1)等が使用される。   The processing liquid discharge nozzle 18 is connected to the tip of the swing arm 17, and can be moved horizontally on the substrate W by the operation of the arm drive mechanism 16. The processing liquid discharge nozzle 18 discharges the processing liquid onto the surface of the substrate W, so that the surface of the substrate W can be processed. When processing the substrate W, the processing liquid discharge nozzle 18 is horizontally moved from the standby position toward the center of the substrate W by the operation of the arm driving mechanism 16. The treatment liquid discharge nozzle 18 is connected to a treatment liquid supply pipe (not shown) from the treatment liquid supply unit 40 via the arm drive mechanism 16 and the swing arm 17. A valve (not shown) is installed in the middle of the processing liquid supply pipe. The valve and the processing liquid supply unit 40 are electrically connected to the control unit 100, respectively. The processing liquid is supplied to the processing liquid discharge nozzle 18 by controlling the processing liquid supply unit 40 and the valve by the control unit 100. As this processing liquid, an etching liquid, a cleaning liquid (APM, SC-1), or the like is used.

アーム駆動機構19は、揺動アーム20を回転駆動できるように連結している。なお、アーム駆動機構19は、制御部100と電気的に接続され、制御部100に設定されたプログラムにより駆動する。   The arm drive mechanism 19 is connected so that the swing arm 20 can be rotationally driven. The arm drive mechanism 19 is electrically connected to the control unit 100 and is driven by a program set in the control unit 100.

リンス液吐出ノズル21は、揺動アーム20の先端に接続されており、アーム駆動機構19の動作により、基板W上を水平方向に移動できる。リンス液吐出ノズル21により、リンス液Rが基板Wの表面上に吐出されて、基板Wの表面上に存在する、処理液吐出ノズル18より吐出された処理液を洗い流すことができる。なお、リンス液吐出ノズル21は、リンス液供給部50からのリンス液供給管(図示せず)が、アーム駆動機構19や揺動アーム20を経由して接続される。また、リンス液供給管の途中には、バルブ(図示せず)が設定される。このバルブやリンス液供給部50は、制御部100と電気的にそれぞれ接続される。この制御部100により、リンス液供給部50やバルブが制御されることで、リンス液Rをリンス液吐出ノズル21へ供給している。このリンス液Rは、超純水が使用される。なお、リンス液Rとしては、超純水の他に、IPA(イソプロピルアルコール)を使用する場合も考えられ、リンス液吐出ノズル21の他にIPAを吐出するノズルや供給源を設けてもよい。   The rinse liquid discharge nozzle 21 is connected to the tip of the swing arm 20, and can be moved horizontally on the substrate W by the operation of the arm drive mechanism 19. The rinse liquid R is discharged onto the surface of the substrate W by the rinse liquid discharge nozzle 21, and the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 18 existing on the surface of the substrate W can be washed away. A rinse liquid supply pipe (not shown) from the rinse liquid supply unit 50 is connected to the rinse liquid discharge nozzle 21 via the arm drive mechanism 19 and the swing arm 20. A valve (not shown) is set in the middle of the rinse liquid supply pipe. The valve and the rinse liquid supply unit 50 are electrically connected to the control unit 100, respectively. The controller 100 controls the rinse liquid supply unit 50 and the valve to supply the rinse liquid R to the rinse liquid discharge nozzle 21. As the rinse liquid R, ultrapure water is used. In addition to ultra-pure water, IPA (isopropyl alcohol) may be used as the rinse liquid R, and a nozzle or a supply source for discharging IPA may be provided in addition to the rinse liquid discharge nozzle 21.

搬送扉22は、搬送ロボット7によって基板Wを回転テーブル11に搬入するための、搬入口の開閉を行なう。この搬送扉22は、昇降機構(図示せず)によって昇降可能に設けられることにより、その開閉動作を行なうことができる。つまり、昇降機構の動作により搬送扉22が降下することで、処理チャンバ10に対して、搬送ロボット7による基板Wの搬入出が可能となっている。この昇降機構は、制御部100と電気的に接続されており、昇降動作を制御部100により制御される。   The transport door 22 opens and closes a loading port for loading the substrate W onto the turntable 11 by the transport robot 7. The transport door 22 can be opened and closed by being provided so that it can be raised and lowered by a raising and lowering mechanism (not shown). That is, the transfer door 22 is lowered by the operation of the elevating mechanism, so that the transfer robot 7 can carry the substrate W in and out of the processing chamber 10. The lifting mechanism is electrically connected to the control unit 100, and the lifting operation is controlled by the control unit 100.

図3は、乾燥処理チャンバ30の構成を示したものである。乾燥処理チャンバ30は、乾燥手段としてのランプ61を収容するランプチャンバ60と基板を処理する処理チャンバ37から構成される。この処理チャンバ37には、基板Wを水平に保持する保持手段である回転テーブル31がある。この回転テーブル31は、回転軸32とモータ33とに連結されており、モータ33の回転動作により回転可能に構成される。モータ33には、制御部100と電気的に接続されており、制御部100からの指令により設定された回転数で、図3に示した矢印I方向に回転する。保持ピン34は、偏心回転できるような構造(図示せず)に構成され、保持ピン34が偏心回転することで、乾燥処理チャンバ30に搬入された基板Wの端部に接触してその基板を保持する。   FIG. 3 shows the structure of the dry processing chamber 30. The dry processing chamber 30 includes a lamp chamber 60 that houses a lamp 61 as a drying unit and a processing chamber 37 that processes a substrate. In the processing chamber 37, there is a turntable 31 which is a holding means for holding the substrate W horizontally. The rotary table 31 is connected to a rotary shaft 32 and a motor 33, and is configured to be rotatable by the rotating operation of the motor 33. The motor 33 is electrically connected to the control unit 100, and rotates in the arrow I direction shown in FIG. 3 at the rotation speed set by a command from the control unit 100. The holding pin 34 has a structure (not shown) that can be eccentrically rotated, and when the holding pin 34 is eccentrically rotated, the holding pin 34 comes into contact with the end portion of the substrate W carried into the drying processing chamber 30 to move the substrate. Hold.

搬送扉35は、搬送ロボット7によって基板Wを回転テーブル31に搬入するための、搬入口の開閉を行なう。この搬送扉35は、昇降機構(図示せず)によって昇降可能に設けられ、搬入口の開閉動作を行なう。つまり、搬送扉35が降下することで、処理チャンバ37に対して、搬送ロボット7による基板Wの搬入出が可能となっている。この昇降機構は、制御部100と電気的に接続されており、昇降動作を制御部100により制御される。   The transport door 35 opens and closes a loading port for loading the substrate W onto the turntable 31 by the transport robot 7. The transfer door 35 is provided so as to be able to move up and down by an elevating mechanism (not shown), and opens and closes the carry-in port. In other words, by lowering the transport door 35, the transport robot 7 can load and unload the substrate W into and from the processing chamber 37. The lifting mechanism is electrically connected to the control unit 100, and the lifting operation is controlled by the control unit 100.

処理チャンバ37の上方には、ランプチャンバ60が設けられる。このランプチャンバ60内には、加熱手段としてのランプ61や、冷却手段(冷却流体噴射部)としての複数のノズル64、バッファ部63を有する。   A lamp chamber 60 is provided above the processing chamber 37. In the lamp chamber 60, there are provided a lamp 61 as a heating means, a plurality of nozzles 64 as a cooling means (cooling fluid ejecting section), and a buffer section 63.

ランプ61は、回転テーブル31上の基板Wの表面に光を照射するものである。ランプ61は、制御部100と電気的に接続されており、ランプの点灯制御が制御部100により行われる。ここで、ランプ61は、例えば、直管タイプのランプ61を複数本並列に所定の間隔で設けたものやアレイ配置(格子状)に設けたものなどを用いることが可能である。また、ランプ61としては、例えば、ハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ(一例として、400〜1000nmの波長光を有するフラッシュランプ)、遠赤ヒータなどを用いることが可能である。   The lamp 61 irradiates the surface of the substrate W on the turntable 31 with light. The lamp 61 is electrically connected to the control unit 100, and the lighting control of the lamp is performed by the control unit 100. Here, as the lamp 61, it is possible to use, for example, a plurality of straight tube type lamps 61 arranged in parallel at a predetermined interval, or an array arrangement (lattice). Further, as the lamp 61, for example, a halogen lamp, a xenon flash lamp (as an example, a flash lamp having a wavelength light of 400 to 1000 nm), a far-infrared heater, or the like can be used.

処理チャンバ37とランプチャンバ60間には、ランプ61から照射される光を透過する透過窓62が設置される。この透過窓62は、ランプ61の直下に位置し、ランプチャンバ60に支持されるように設けられる。また、この透過窓62は、ランプチャンバ60から基板Wの表面上にパーティクル(金属物のゴミ)等の付着を防ぐものである。この実施形態において、透過窓62は、石英が用いられているが、石英に限定されず、光を透過する部材であれば良い。   A transmission window 62 that transmits the light emitted from the lamp 61 is installed between the processing chamber 37 and the lamp chamber 60. The transparent window 62 is located immediately below the lamp 61 and is provided so as to be supported by the lamp chamber 60. The transmission window 62 prevents particles (metal dust) from adhering to the surface of the substrate W from the lamp chamber 60. Although quartz is used for the transmission window 62 in this embodiment, the transmission window 62 is not limited to quartz and may be any member that transmits light.

図3及び図4に示すように、バッファ部63は箱型の形状になっており、冷却流体供給部70、配管72、供給口73が接続される。この冷却流体供給部70から冷却流体G、例えば、空気や窒素ガスが、配管72を通じてバッファ部63内に矢印Nのように供給できるようになっている。なお、配管72の途中には、バルブ71が介在される。図6に示すようにバッファ部63の底部63bには、複数のノズル64にそれぞれ対応するように、複数の供給口69aが設けられる。この供給口69aとノズル64とは、冷却流体Gが漏れないように接合される。   As shown in FIGS. 3 and 4, the buffer portion 63 has a box shape and is connected with the cooling fluid supply portion 70, the pipe 72, and the supply port 73. The cooling fluid G, such as air or nitrogen gas, can be supplied from the cooling fluid supply unit 70 into the buffer unit 63 through the pipe 72 as shown by an arrow N. A valve 71 is provided in the middle of the pipe 72. As shown in FIG. 6, the bottom portion 63 b of the buffer portion 63 is provided with a plurality of supply ports 69 a corresponding to the plurality of nozzles 64, respectively. The supply port 69a and the nozzle 64 are joined so that the cooling fluid G does not leak.

図4に示すように、バッファ部63内には、仕切り板65が設置される。この仕切り板65の水平方向の長さは、バッファ部63の水平方向の長さに対して、短く設定されている。そのため、仕切り板65の両端とバッファ部63の側壁面63aとの間には隙間Aが形成される。   As shown in FIG. 4, a partition plate 65 is installed in the buffer section 63. The horizontal length of the partition plate 65 is set shorter than the horizontal length of the buffer portion 63. Therefore, a gap A is formed between both ends of the partition plate 65 and the side wall surface 63a of the buffer portion 63.

複数のノズル64は、バッファ部63の底部63bに設けられ、複数の供給口69aと対応するようにして固定される。この複数のノズル64は、所定の間隔で配置された複数のランプ61の隙間に複数本ずつ配置される。また、各ノズル64は、冷却流体供給部70から送られた冷却流体Gを透過窓62に向けて供給できるように設置される(図3参照)。各ノズル64は、ランプ61からの光を透過しない材質(例えば、アルミニウム)を採用する。なお、各ノズル64の吐出口は透過窓62に対向し、吐出口の高さ位置は、垂直方向(図4における上下方向)に見て、ランプ61の中心高さ位置と透過窓62の上面の高さ位置との間に位置するように設定される。さらに、図3に示すように、透過窓62の周囲にも対向してノズル64を設け、透過窓62の全体に冷却流体Gを供給できるようにしている。なお、この実施形態において、複数のノズル64のノズル径は直径4mmであり、長さは25mmである。   The plurality of nozzles 64 are provided on the bottom portion 63b of the buffer portion 63 and are fixed so as to correspond to the plurality of supply ports 69a. The plurality of nozzles 64 are arranged in the gap between the lamps 61 arranged at predetermined intervals. In addition, each nozzle 64 is installed so that the cooling fluid G sent from the cooling fluid supply unit 70 can be supplied toward the transmission window 62 (see FIG. 3). Each nozzle 64 employs a material (for example, aluminum) that does not transmit light from the lamp 61. In addition, the ejection port of each nozzle 64 faces the transmission window 62, and the height position of the ejection port when viewed in the vertical direction (vertical direction in FIG. 4) is the center height position of the lamp 61 and the upper surface of the transmission window 62. It is set so as to be located between the height position and the height position. Further, as shown in FIG. 3, a nozzle 64 is provided so as to face the periphery of the transparent window 62 so that the cooling fluid G can be supplied to the entire transparent window 62. In this embodiment, the nozzle diameter of the plurality of nozzles 64 is 4 mm and the length is 25 mm.

リフレクター66は、図4及び図5に示すように、バッファ部63とランプ61の間に位置し、バッファ部63に着脱可能に固定して設けられる。このリフレクター66には、複数の貫通孔69bが形成され、各貫通孔69bを介して、複数のノズル64がバッファ部63の底部63bに設置できるようになっている。つまり、貫通孔69bは、バッファ部63の底部63bに設けている複数の供給口69aと対応するようになっている。このリフレクター66は、ランプ61が点灯して基板Wの表面側とは反対方向に照射された光を基板Wの表面に向けるように反射させるものである。   As shown in FIGS. 4 and 5, the reflector 66 is located between the buffer portion 63 and the lamp 61 and is detachably fixed to the buffer portion 63. A plurality of through holes 69b are formed in the reflector 66, and a plurality of nozzles 64 can be installed on the bottom portion 63b of the buffer portion 63 via the respective through holes 69b. That is, the through hole 69b corresponds to the plurality of supply ports 69a provided in the bottom portion 63b of the buffer portion 63. The reflector 66 reflects the light emitted from the lamp 61 in a direction opposite to the front surface side of the substrate W so as to be directed to the front surface of the substrate W.

図4に示すように、支持部材67は、ランプ61と複数のノズル64とをバッファ部63に固定する部材である。この支持部材67は、バッファ部63に着脱可能に固定されている。ここでは、支持部材67とランプ61は、固定具67aにより固定されている。また、支持部材67と複数のノズル64は、固定具67aにより固定されている。なお、支持部材67と複数のノズル64は接着剤等での固定でもよい。   As shown in FIG. 4, the support member 67 is a member that fixes the lamp 61 and the plurality of nozzles 64 to the buffer portion 63. The support member 67 is detachably fixed to the buffer portion 63. Here, the support member 67 and the lamp 61 are fixed by a fixture 67a. The support member 67 and the plurality of nozzles 64 are fixed by a fixture 67a. The support member 67 and the plurality of nozzles 64 may be fixed with an adhesive or the like.

図3に戻り、排出口68は、複数のノズル64から噴射された冷却流体Gを、ランプチャンバ60内から外に排出するものである。この排出口68は、ランプチャンバ60の上側に設置されているが、処理工程に影響を与えない位置であれば、ランプチャンバ60の上側には限らない。また、排出口68に排出ポンプ(図示せず)を接続させ、一定の排出量で排出させてもよい。   Returning to FIG. 3, the discharge port 68 discharges the cooling fluid G injected from the plurality of nozzles 64 from the inside of the lamp chamber 60 to the outside. The discharge port 68 is installed on the upper side of the lamp chamber 60, but is not limited to the upper side of the lamp chamber 60 as long as it is a position that does not affect the processing process. In addition, a discharge pump (not shown) may be connected to the discharge port 68 to discharge at a constant discharge amount.

制御装置を構成する制御部100は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部とを備えている。この制御部100は、搬送ロボット4及び7、モータ13及び33、アーム駆動機構16及び19、搬送扉22及び35、処理液供給部40、リンス液供給部50、ランプ61、冷却流体供給部70などを、決められたプログラムで制御する。   The control unit 100 that constitutes the control device includes a microcomputer that centrally controls each unit, and a storage unit that stores substrate processing information regarding substrate processing and various programs. The control unit 100 includes transfer robots 4 and 7, motors 13 and 33, arm drive mechanisms 16 and 19, transfer doors 22 and 35, a processing liquid supply unit 40, a rinse liquid supply unit 50, a lamp 61, and a cooling fluid supply unit 70. Etc. are controlled by a predetermined program.

次に、前述した基板処理装置1が行う基板処理(基板処理方法)について説明する。なお、未処理の基板Wが収納されているFOUP2は、FOUP載置台3にセットされた状態になっているものとする。   Next, the substrate processing (substrate processing method) performed by the above-described substrate processing apparatus 1 will be described. It is assumed that the FOUP 2 containing the unprocessed substrate W is set on the FOUP mounting table 3.

図1に示すように、搬送ロボット4が搬送レール5に沿って移動して、FOUP載置台3にセットされているFOUP2に対向するように位置づけられる。この搬送ロボット4は、FOUP2に収納されている基板Wを取り出して、保持したまま搬送レール5に沿って移動して、基板載置台6に対向するように位置づけられる。そして、搬送ロボット4によって基板Wは基板載置台6に載置される。次に、搬送ロボット7が搬送レール8に沿って移動して、基板載置台6に対向するように位置づけられる。搬送ロボット7は、基板載置台6に載置された基板Wを保持して、基板Wを保持したまま搬送レール8に沿って移動する。搬送ロボット7は、処理チャンバ10に対向するように位置づけられて基板Wを処理チャンバ10内へ搬入する。   As shown in FIG. 1, the transfer robot 4 moves along the transfer rail 5 and is positioned so as to face the FOUP 2 set on the FOUP mounting table 3. The transfer robot 4 takes out the substrates W stored in the FOUP 2, moves along the transfer rails 5 while holding them, and is positioned so as to face the substrate platform 6. Then, the substrate W is placed on the substrate platform 6 by the transfer robot 4. Then, the transfer robot 7 moves along the transfer rail 8 and is positioned so as to face the substrate platform 6. The transfer robot 7 holds the substrate W placed on the substrate mounting table 6 and moves along the transfer rail 8 while holding the substrate W. The transfer robot 7 is positioned so as to face the processing chamber 10 and loads the substrate W into the processing chamber 10.

図2に示すように、搬送ロボット7によって保持された基板Wは、回転テーブル11に載置される。このとき、搬送扉22は開いている。回転テーブル11に載置された基板Wは、偏心回転した保持ピン14が基板Wの端部に接触することで保持される。これにより、基板Wは、回転テーブル11と共に回転可能に保持される。   As shown in FIG. 2, the substrate W held by the transfer robot 7 is placed on the turntable 11. At this time, the transport door 22 is open. The substrate W placed on the rotary table 11 is held by the eccentric rotation of the holding pin 14 coming into contact with the end of the substrate W. As a result, the substrate W is rotatably held together with the turntable 11.

基板Wが回転テーブル11に保持されると、制御部100から電気信号がモータ13に送信され、モータ13が所定の回転数で回転駆動する。この回転駆動によって、回転テーブル11及び基板Wが回転される。   When the substrate W is held on the rotary table 11, an electric signal is transmitted from the control unit 100 to the motor 13, and the motor 13 is rotationally driven at a predetermined rotation speed. The rotary table 11 and the substrate W are rotated by this rotary drive.

次に、回転している基板Wの表面を処理するために、図2で示す処理液吐出ノズル18が、カップ15よりも外側に退避していた位置(待機位置)から、基板Wの表面の中心付近(処理位置)まで、アーム駆動機構16及び揺動アーム17によって移動する。   Next, in order to process the surface of the rotating substrate W, the processing liquid discharge nozzle 18 shown in FIG. 2 moves from the position retracted to the outside of the cup 15 (standby position) to the surface of the substrate W. The arm drive mechanism 16 and the swing arm 17 move to the vicinity of the center (processing position).

処理液吐出ノズル18が処理位置に設定されたと判断された時、制御部100から電気信号が処理液供給部40に送られる。これにより、処理液供給部40から処理液吐出ノズル18に処理液が供給される。そして、基板Wの表面に処理液が吐出され、所定時間が経過したら、処理液供給部40から処理液の供給が停止される。なお、処理液の供給が停止されたら、処理液吐出ノズル18は、アーム駆動機構16及び揺動アーム17により待機位置に移動する。   When it is determined that the treatment liquid discharge nozzle 18 is set at the treatment position, the control unit 100 sends an electric signal to the treatment liquid supply unit 40. As a result, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit 40 to the processing liquid discharge nozzle 18. Then, the processing liquid is discharged onto the surface of the substrate W, and when a predetermined time has elapsed, the supply of the processing liquid from the processing liquid supply unit 40 is stopped. When the supply of the processing liquid is stopped, the processing liquid discharge nozzle 18 is moved to the standby position by the arm drive mechanism 16 and the swing arm 17.

次に、リンス液吐出ノズル21が、カップ15よりも外側に退避していた位置(待機位置)から、基板Wの表面の中心付近(処理位置)まで、アーム駆動機構19及び揺動アーム20によって移動する。   Next, the rinse liquid discharge nozzle 21 is moved from the position retracted to the outside of the cup 15 (standby position) to the vicinity of the center of the surface of the substrate W (processing position) by the arm drive mechanism 19 and the swing arm 20. Moving.

リンス液吐出ノズル21が処理位置に移動されると、制御部100により電気信号がリンス液供給部50に送信される。これにより、リンス液供給部50からリンス液Rがリンス液吐出ノズル21に供給される。そして、リンス液吐出ノズル21からリンス液Rが基板Wの表面に供給され、所定時間が経過したら、リンス液供給部50からの供給を停止させる。ここでは、所定時間の経過前になると、モータ13の回転数を減速させ、リンス液Rの供給が停止したときには、ほぼ同時に回転を停止させる。つまり、基板Wの表面全体にリンス液Rを液盛りした状態で処理が終了する。さらに、リンス液Rによる処理が終了したら、リンス液吐出ノズル21は、アーム駆動機構19及び揺動アーム20により待機位置に移動をする。なお、図2は、基板Wにリンス液Rが供給されている状態を示している。   When the rinse liquid discharge nozzle 21 is moved to the processing position, the control unit 100 sends an electric signal to the rinse liquid supply unit 50. As a result, the rinse liquid R is supplied from the rinse liquid supply unit 50 to the rinse liquid discharge nozzle 21. Then, the rinse liquid R is supplied from the rinse liquid discharge nozzle 21 to the surface of the substrate W, and after a predetermined time has elapsed, the supply from the rinse liquid supply unit 50 is stopped. Here, before the elapse of a predetermined time, the rotation speed of the motor 13 is decelerated, and when the supply of the rinse liquid R is stopped, the rotation is stopped almost at the same time. That is, the process is completed in a state where the rinse liquid R is poured on the entire surface of the substrate W. Further, when the treatment with the rinse liquid R is completed, the rinse liquid discharge nozzle 21 is moved to the standby position by the arm drive mechanism 19 and the swing arm 20. Note that FIG. 2 shows a state in which the rinse liquid R is supplied to the substrate W.

次に、リンス液Rで液盛りされた状態の基板Wは、搬送ロボット7により乾燥処理チャンバ30に搬入される。そして、搬入された基板Wは、図3に示す回転テーブル31に載置される。このとき、開閉扉35は開いていて、また回転テーブル31に載置された基板Wは、保持ピン34によって保持され、回転テーブル31と共に回転可能とされる。   Next, the substrate W in a state of being filled with the rinse liquid R is carried into the drying processing chamber 30 by the transfer robot 7. Then, the loaded substrate W is placed on the turntable 31 shown in FIG. At this time, the opening / closing door 35 is open, and the substrate W placed on the turntable 31 is held by the holding pins 34 and can be rotated together with the turntable 31.

基板Wが回転テーブル31に保持された後、制御部100によりランプ61を点灯を開始し、同時にモータ33を駆動させて基板Wを回転させる。これにより、乾燥処理が開始される。この乾燥処理は、ランプ61の点灯により、基板Wの温度を瞬時に上昇させることで行なわれる。実施形態のランプ61は、基板Wが10秒で100℃以上になることを可能とする。   After the substrate W is held on the turntable 31, the control unit 100 starts lighting the lamp 61, and at the same time, the motor 33 is driven to rotate the substrate W. As a result, the drying process is started. This drying process is performed by instantly raising the temperature of the substrate W by turning on the lamp 61. The lamp 61 of the embodiment allows the substrate W to reach 100 ° C. or higher in 10 seconds.

詳しくは、このランプ61からの光は、基板Wだけに吸収され、基板Wの表面上に存在するリンス液Rを透過する。これにより、基板Wのみを加熱させる。これにより、基板Wが瞬時に加熱され、基板Wの表面(パターン面も含む)と接している部分のリンス液Rが瞬時に気化して気層が形成される。つまり、基板Wの表面とリンス液Rの間に気層(空間)が形成されるということなる。この気層の形成によりリンス液Rは、表面張力の働きで液玉状になる。   Specifically, the light from the lamp 61 is absorbed only by the substrate W and passes through the rinse liquid R existing on the surface of the substrate W. Thereby, only the substrate W is heated. As a result, the substrate W is instantly heated, and the rinse liquid R in the portion in contact with the surface (including the pattern surface) of the substrate W is instantly vaporized to form a vapor layer. That is, an air layer (space) is formed between the surface of the substrate W and the rinse liquid R. Due to the formation of this gas layer, the rinse liquid R becomes a liquid ball due to the surface tension.

そして、液玉状になったリンス液Rは、回転している基板Wの遠心力により基板Wの表面上から飛ばされて、結果的に基板Wの乾燥が行われる。そして、乾燥処理が所定時間行なわれると乾燥処理は終了し、ランプ61の点灯と回転テーブル31の回転がいずれも停止され、乾燥処理済みの基板Wを搬送ロボット7により処理チャンバ37から搬出する。   Then, the rinse liquid R in the form of a liquid droplet is blown off from the surface of the substrate W by the centrifugal force of the rotating substrate W, and as a result, the substrate W is dried. Then, when the drying process is performed for a predetermined time, the drying process ends, both the lighting of the lamp 61 and the rotation of the rotary table 31 are stopped, and the substrate W after the drying process is unloaded from the processing chamber 37 by the transfer robot 7.

ところで、前述した乾燥処理を繰り返して行うと、透過窓62の温度が徐々に上昇する。これは、ランプ61の点灯による光の影響によるものである。このランプ61からの光には、透過窓62に吸収される波長が含まれているため、透過窓62が加熱されてしまう。透過窓62の温度は直ぐには下がらないため、乾燥処理を繰り返すことにより、透過窓62に熱が蓄熱されていく状態となる。この状態が続き、数回目の乾燥処理を実行するときに、ランプ61が点灯する前には透過窓62の温度は、100℃以上になっていることが確認された。   By the way, when the above-mentioned drying process is repeated, the temperature of the transmission window 62 gradually rises. This is due to the influence of light from the lighting of the lamp 61. The light from the lamp 61 contains a wavelength that is absorbed by the transmission window 62, so the transmission window 62 is heated. Since the temperature of the transmission window 62 does not immediately drop, heat is accumulated in the transmission window 62 by repeating the drying process. When this state continues, and when the drying process is performed for a few times, it was confirmed that the temperature of the transmission window 62 was 100 ° C. or higher before the lamp 61 was turned on.

透過窓62が高温状態であるために、乾燥処理チャンバ30内の雰囲気が温められて高温環境となってしまう。この高温環境の乾燥処理チャンバ30内に、リンス液Rを液盛りした状態の基板Wを搬入した後(回転テーブル31に基板Wを載置する前)において、ランプ61による乾燥処理が開始する前に、基板Wの表面の乾燥が始まってしまう。その結果、基板Wの表面上に液盛りされたリンス液Rが不均一に乾燥されてしまい、乾燥ムラやウォータマークの発生が生じ、基板Wが製品不良(配線パターンの倒壊)になることが確認された。これは、透過窓62が全体的に均一な温度になっていないことも起因していると考えられる。   Since the transparent window 62 is in a high temperature state, the atmosphere in the drying processing chamber 30 is warmed and becomes a high temperature environment. After the substrate W in which the rinse liquid R is piled up is carried into the dry processing chamber 30 in the high temperature environment (before the substrate W is placed on the rotary table 31), before the dry processing by the lamp 61 is started. Then, the surface of the substrate W begins to dry. As a result, the rinse liquid R deposited on the surface of the substrate W is nonuniformly dried, unevenness in drying and the formation of watermarks occur, and the substrate W may become a product defect (collapse of the wiring pattern). confirmed. It is considered that this is because the transparent window 62 does not have a uniform temperature as a whole.

そこで、本実施形態においては、乾燥処理の終了と同時、あるいは終了後に、制御部100により、冷却流体供給部70とバルブ71が制御されて、冷却流体Gが配管72を通じてバッファ部63に供給される。このとき、ランプ61は消灯している。バッファ部63に供給された冷却流体Gは、複数のノズル64から透過窓62に向けて噴射される。これにより、透過窓62の全体が冷却流体Gにより冷却される。なお、ランプチャンバ60に充満する冷却流体Gは、バッファ60内に設けた排出口68から排出される。   Therefore, in the present embodiment, the cooling fluid supply unit 70 and the valve 71 are controlled by the control unit 100 at the same time as or after the end of the drying process, and the cooling fluid G is supplied to the buffer unit 63 through the pipe 72. It At this time, the lamp 61 is off. The cooling fluid G supplied to the buffer portion 63 is ejected from the plurality of nozzles 64 toward the transmission window 62. As a result, the entire transmission window 62 is cooled by the cooling fluid G. The cooling fluid G filling the lamp chamber 60 is discharged from the discharge port 68 provided in the buffer 60.

そして、透過窓62の冷却時間が経過すると、冷却流体供給部70とバルブ71が制御されて、冷却流体Gの供給が停止する。この冷却時間が経過すると、処理チャンバ10で処理された未乾燥の基板Wが処理チャンバ37に新たに搬入され、前述した乾燥処理が実行される。本実施形態では、冷却流体Gの供給時間(冷却時間)は50秒と設定されている。これは、乾燥処理チャンバ30から乾燥済みの基板Wを搬出してから、次の基板Wを乾燥処理チャンバ30に搬入するまでの時間を50秒と設定しているからである。なお、この時間は、調整することが可能である。   Then, when the cooling time of the transmission window 62 elapses, the cooling fluid supply unit 70 and the valve 71 are controlled, and the supply of the cooling fluid G is stopped. When this cooling time elapses, the undried substrate W processed in the processing chamber 10 is newly loaded into the processing chamber 37, and the above-described drying processing is executed. In this embodiment, the supply time (cooling time) of the cooling fluid G is set to 50 seconds. This is because the time from the carry-out of the dried substrate W to the carry-in of the next substrate W into the dry processing chamber 30 is set to 50 seconds. Note that this time can be adjusted.

本実施形態の基板処理装置1では、隣接するランプ間の隙間に、透過窓62に直接冷却流体Gを供給する複数のノズル64を設けた。この複数のノズル64から冷却流体Gは、ランプ61にさえぎられることなく、透過窓62に直接噴射されることで、透過窓62が冷却される。つまり、処理チャンバ37に基板Wが搬入された際に、基板Wの表面が乾燥ムラを起こさない温度まで、透過窓62の温度を下げるようにしている。本実施形態では、透過窓62は40度以下に冷却される。   In the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, a plurality of nozzles 64 for directly supplying the cooling fluid G to the transmission window 62 are provided in the gap between the adjacent lamps. The cooling fluid G is directly sprayed from the plurality of nozzles 64 to the transmission window 62 without being blocked by the lamp 61, so that the transmission window 62 is cooled. In other words, when the substrate W is loaded into the processing chamber 37, the temperature of the transmission window 62 is lowered to a temperature at which the surface of the substrate W does not have uneven drying. In this embodiment, the transmission window 62 is cooled to 40 degrees or less.

このようにすれば、乾燥処理が繰り返されたとしても、透過窓62の高温状態が続くということが防止される。また、これにより、乾燥処理チャンバ30内の雰囲気が高温環境となることも防止することができる。   In this way, even if the drying process is repeated, the high temperature state of the transmission window 62 is prevented from continuing. This also prevents the atmosphere in the drying processing chamber 30 from becoming a high temperature environment.

従って、乾燥処理を繰り返して行っても、透過窓62が高温状態でない(先に述べた温度まで低下している)ために、基板Wが乾燥処理チャンバ30内に搬送される途中において、基板Wの表面の乾燥が始まってしまうことを阻止することができる。これにより、基板Wの表面が不均一に加熱されることによる、乾燥ムラやウォータマーク等の発生を抑止できる。これにより、パターン倒壊が生じた製品の発生を防止でき、生産性の向上につながる。   Therefore, even if the drying process is repeatedly performed, since the transmission window 62 is not in a high temperature state (the temperature has dropped to the above-described temperature), the substrate W is transferred while being transferred into the drying process chamber 30. It is possible to prevent the surface of the product from starting to dry. As a result, it is possible to suppress the occurrence of uneven drying, watermarks and the like due to uneven heating of the surface of the substrate W. As a result, it is possible to prevent the occurrence of products in which the pattern has collapsed, which leads to improvement in productivity.

なお、複数のノズル64からの冷却流体Gの噴射は、常に実行しても良い。また、ランプ61を点灯させる直前に実行しても良い。さらには、基板Wの乾燥処理が終了する毎に行なうのに代えて、所定枚数の基板Wの乾燥処理が終了する毎に、冷却流体Gを噴射させてもよい。この場合、実験等で得られた処理回数と、透過窓62の温度と、の相関等に基づいて所定枚数は決定される。   The cooling fluid G may be jetted from the plurality of nozzles 64 at all times. Alternatively, it may be executed immediately before turning on the lamp 61. Further, instead of performing it each time the drying process of the substrates W is completed, the cooling fluid G may be jetted every time the drying process of the predetermined number of substrates W is completed. In this case, the predetermined number is determined based on the correlation between the number of times of processing obtained by experiments and the temperature of the transmission window 62, and the like.

第2の実施形態について図7を参照して説明する。   The second embodiment will be described with reference to FIG.

第2の実施形態は基本的に第1の実施形態と同様である。このため、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点について説明して、第1の実施形態で説明した部分と同一部分は同一の同号で示し、説明も省略する。   The second embodiment is basically the same as the first embodiment. Therefore, in the second embodiment, differences from the first embodiment will be described, and the same parts as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

図7に示すバッファ部163は、円筒状に形成された本体部163aと、その円筒状の大きさに対応した円形の底部163bを有する。本体部163aは、下方が開放されていて、その開放部分が底部163bにより塞がれる構成とされる。なお、この底部163bの面積は、基板Wの大きさより大きい寸法で構成されている。つまり、バッファ部163の径方向の大きさは、基板Wの表面を覆う大きさとなっている。   The buffer portion 163 shown in FIG. 7 has a main body portion 163a formed in a cylindrical shape and a circular bottom portion 163b corresponding to the cylindrical size. The main body portion 163a is configured so that the lower portion thereof is open and the open portion is closed by the bottom portion 163b. The area of the bottom portion 163b is larger than the size of the substrate W. That is, the size of the buffer portion 163 in the radial direction is a size that covers the surface of the substrate W.

バッファ部163内には、円形のシャッター165が、底部163bの上方で、しかも底部163bと近接して設けられている。このシャッター165は、バッファ部163内で回転機構111に接続されており、矢印F方向に回転できるようになっている。なお、このシャッター165の一部には、中心角45度をなす扇形の開口部Eを有している。   In the buffer portion 163, a circular shutter 165 is provided above the bottom portion 163b and close to the bottom portion 163b. The shutter 165 is connected to the rotating mechanism 111 in the buffer unit 163, and is rotatable in the arrow F direction. A part of the shutter 165 has a fan-shaped opening E having a central angle of 45 degrees.

回転機構111には、不図示のモータや回転軸が備わっており、バッファ部163の上部に固定されている。また、回転機構111は、制御部100と電気的に接続されており、制御部100によって回転制御される。なお、回転機構111のモータは、例えばサーボモータである。   The rotation mechanism 111 includes a motor and a rotation shaft (not shown), and is fixed to the upper portion of the buffer unit 163. Further, the rotation mechanism 111 is electrically connected to the control unit 100, and its rotation is controlled by the control unit 100. The motor of the rotating mechanism 111 is, for example, a servo motor.

ランプ61や透過窓62は、バッファ部163の円筒状に対応した配置及び長さで設置されている。なお、これに限らずにバッファ部163に対応した寸法より大きい寸法でもよい。   The lamp 61 and the transmissive window 62 are arranged and arranged in a length corresponding to the cylindrical shape of the buffer portion 163. The size is not limited to this, and may be larger than the size corresponding to the buffer unit 163.

この第2の実施形態では、バッファ部163を円筒状に形成し、バッファ部163内に、開口部Eを有する回転可能なシャッター165を設けた。供給口73から供給される冷却流体Gは、バッファ部163の底部163bに向けて供給される。この過程において、供給口73から供給された冷却流体Gは、一度、シャッター165に供給され、開口部Eの部分を通って、この開口部Eと対向した位置の供給口69aに供給される。つまり、開口部Eと対向した位置にあるノズル64に冷却流体Gが供給され、そのノズル64から、冷却流体Gが噴射されることで、透過窓62は冷却される。従って、第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様な効果を有する。なお、ノズル64から冷却流体Gを噴射させるタイミングは、第1の実施形態と同様である。   In the second embodiment, the buffer portion 163 is formed in a cylindrical shape, and the rotatable shutter 165 having the opening E is provided inside the buffer portion 163. The cooling fluid G supplied from the supply port 73 is supplied toward the bottom portion 163b of the buffer portion 163. In this process, the cooling fluid G supplied from the supply port 73 is once supplied to the shutter 165, passes through the opening E, and is supplied to the supply port 69a at a position facing the opening E. That is, the cooling fluid G is supplied to the nozzle 64 at a position facing the opening E, and the cooling fluid G is ejected from the nozzle 64, whereby the transmission window 62 is cooled. Therefore, the second embodiment also has the same effect as that of the first embodiment. The timing at which the cooling fluid G is ejected from the nozzle 64 is the same as in the first embodiment.

また、回転機構111によりシャッター165を矢印F方向に回転させると、開口部Eも移動する。この回転機構111を回転制御すると、複数のノズル64のうち、冷却流体Gを透過窓62へ噴射するノズル64が変わる。つまり、透過窓62における冷却位置(噴射位置)を変化させながら、冷却流体Gを透過窓62に向けて噴射させることが可能である。なお、回転制御は、シームレスに回転させてもよいし、回転と停止を断続的に繰り返してもよい。   Further, when the shutter 165 is rotated in the arrow F direction by the rotation mechanism 111, the opening E also moves. When the rotation mechanism 111 is rotationally controlled, the nozzle 64 that injects the cooling fluid G to the transmission window 62 among the plurality of nozzles 64 changes. That is, it is possible to inject the cooling fluid G toward the transparent window 62 while changing the cooling position (injection position) in the transparent window 62. The rotation control may be seamless rotation, or rotation and stop may be repeated intermittently.

また本実施形態によれば、シャッター165に開口部Eを設けることで、複数のノズル64から流速の速い冷却流体Gを供給することができる。これは、供給口73から冷却流体Gをバッファ部163内に供給すると、一旦はバッファ部163内に広がり、その後、開口部Eに集中的に供給されるからで、流速の速い冷却流体Gは、開口部Eに対向する供給口69aを介して、対応するノズル64へ供給される。このように、流速が速い冷却流体Gを複数のノズル64から透過窓62に噴射することができる。冷却流体Gの流速が速くなると、透過窓62の冷却効率が向上するのに加え、透過窓62の周辺の高温状態の雰囲気を、バッファ部163の外部に排出することが効率的にできるので、ランプチャンバ60内が高温状態になることを防ぐことが可能となる。   Further, according to the present embodiment, by providing the opening E in the shutter 165, the cooling fluid G having a high flow velocity can be supplied from the plurality of nozzles 64. This is because when the cooling fluid G is supplied from the supply port 73 into the buffer portion 163, the cooling fluid G once spreads into the buffer portion 163 and is then concentratedly supplied to the opening E. , And is supplied to the corresponding nozzle 64 via the supply port 69a facing the opening E. In this way, the cooling fluid G having a high flow velocity can be jetted from the plurality of nozzles 64 to the transmission window 62. When the flow velocity of the cooling fluid G is increased, the cooling efficiency of the transmission window 62 is improved, and the high temperature atmosphere around the transmission window 62 can be efficiently discharged to the outside of the buffer unit 163. It is possible to prevent the temperature inside the lamp chamber 60 from becoming high.

第3の実施形態について、図8乃至図10を参照して説明する。   A third embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 10.

第3の実施形態は、基本的に第2の実施形態と同様である。このため、第3の実施形態では、第2の実施形態との相違点について説明して、第2の実施形態で説明した部分と同一部分は同一の符号で示し、説明も省略する。   The third embodiment is basically the same as the second embodiment. Therefore, in the third embodiment, differences from the second embodiment will be described, the same parts as those described in the second embodiment will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

図8及び図9(c)に示すように、バッファ部170を構成する、本体部163aと底部163bは、前述した第2の実施形態と同じ構成となっている。バッファ部170内には、バッファ部170の形状に対応した円形のシャッター265(図9(a)参照)と、円形のシャッター365(図9(b)参照)が収容されている。   As shown in FIGS. 8 and 9C, the main body portion 163a and the bottom portion 163b forming the buffer portion 170 have the same configuration as that of the second embodiment described above. A circular shutter 265 (see FIG. 9A) corresponding to the shape of the buffer unit 170 and a circular shutter 365 (see FIG. 9B) are accommodated in the buffer unit 170.

シャッター265の中心には、回転機構111の回転軸が接合する貫通孔266が設けられている。この回転機構111によって、シャッター265は回転が可能となっている。なお、シャッター265の寸法は、バッファ部163内で回転できるように、本体部163aの内径より少し小さい設定となっている。また、シャッター265には、図9(a)に示すように、冷却流体Gが通過する孔となる供給口267が形成されている。なお各供給口267は、シャッター265における、直交する2本の直径上に並ぶように配置される。この供給口267は、貫通孔266の中心から距離aに設置され、供給口267同士の間隔も距離a、つまり、等間隔に設置されている。   At the center of the shutter 265, a through hole 266 to which the rotating shaft of the rotating mechanism 111 is joined is provided. The rotating mechanism 111 allows the shutter 265 to rotate. The size of the shutter 265 is set to be slightly smaller than the inner diameter of the main body 163a so that the shutter 265 can rotate in the buffer 163. Further, as shown in FIG. 9A, the shutter 265 has a supply port 267 which is a hole through which the cooling fluid G passes. It should be noted that the supply ports 267 are arranged so as to be lined up on two diameters of the shutter 265 which are orthogonal to each other. The supply ports 267 are installed at a distance a from the center of the through hole 266, and the intervals between the supply ports 267 are also set at the distance a, that is, at equal intervals.

シャッター365の中心には、回転機構111の回転軸が貫通する貫通孔366が設けられている。この貫通孔366には、ベアリング(図示せず)が設置されており、このベアリングによって回転機構111の回転軸がシャッター365に回転自在に支持されるようになっている。このシャッター365は、本体部163aに固定されている。そのため、回転機構111の回転軸が回転できるようになっている。また、このシャッター365の下面には、図8、図9(b)に示すように、円周方向に沿って連続する壁である、外側仕切り部368と内側仕切り部369とが設けられる。この、外側仕切り部368と内側仕切り部369とにより、シャッター365は、外側エリアU、中側エリアV、内側エリアYの3つに仕切られた領域が形成される。そして、各エリアには、供給口267と同様に冷却流体Gが通過する孔となる、供給口367がそれぞれ形成されている。内側エリアYに設けられた供給口367と貫通孔366との距離は、貫通孔266と供給口267との距離と同じ距離aに設置されている。中側エリアVに設けられた供給口367は、貫通孔366の中心から距離2aの位置に設けられている。これは、貫通孔366と内側エリアYの供給口367との距離の2倍の間隔となっている。外側エリアUに設けられた供給口367は、貫通孔366の中心から距離3aの位置に設けられている。これは、貫通孔366と内側エリアYの供給口367との距離の3倍の間隔となっている。さらに具体的には、図9(b)に示されるように、内側エリアYに設けられる供給口367は、貫通孔366を中心に、図において垂直軸上と水平軸上とに設けられ、中側エリアVに設けられる供給口367は、上記した垂直軸から30度、水平軸から30度、いずれも左方向(図10において矢印M方向)に回転した軸線上に設けられ、外側エリアUに設けられる供給口367は、上記した垂直軸から60度、水平軸から60度、いずれも左方向(図10において矢印M方向)に回転した軸線上に設けられる。   At the center of the shutter 365, a through hole 366 through which the rotating shaft of the rotating mechanism 111 penetrates is provided. A bearing (not shown) is installed in the through hole 366, and the rotary shaft of the rotating mechanism 111 is rotatably supported by the shutter 365 by the bearing. The shutter 365 is fixed to the main body 163a. Therefore, the rotating shaft of the rotating mechanism 111 can rotate. Further, as shown in FIGS. 8 and 9B, an outer partition 368 and an inner partition 369, which are continuous walls along the circumferential direction, are provided on the lower surface of the shutter 365. The outer partition section 368 and the inner partition section 369 form a region of the shutter 365 partitioned into three areas: an outer area U, a middle area V, and an inner area Y. Then, in each area, similarly to the supply port 267, a supply port 367 which is a hole through which the cooling fluid G passes is formed. The distance between the supply port 367 and the through hole 366 provided in the inner area Y is set to the same distance a as the distance between the through hole 266 and the supply port 267. The supply port 367 provided in the middle area V is provided at a position 2a from the center of the through hole 366. This is twice the distance between the through hole 366 and the supply port 367 in the inner area Y. The supply port 367 provided in the outer area U is provided at a distance 3a from the center of the through hole 366. This is an interval three times the distance between the through hole 366 and the supply port 367 in the inner area Y. More specifically, as shown in FIG. 9B, the supply port 367 provided in the inner area Y is provided on the vertical axis and the horizontal axis in the drawing with the through hole 366 as the center. The supply port 367 provided in the side area V is provided at an angle of 30 degrees from the vertical axis and 30 degrees from the horizontal axis, both on the axis rotated leftward (in the direction of arrow M in FIG. 10), and in the outer area U. The supply port 367 provided is provided on the axis line rotated to the left (direction of arrow M in FIG. 10) by 60 degrees from the vertical axis and 60 degrees from the horizontal axis.

図8に示すように、矢印Q方向に、シャッター265、シャッター365、底部163bの順に配置されている。また、先に述べたシャッター365に設けられた外側仕切り部368と内側仕切り部369は、シャッター365と底部163bとの間にある。   As shown in FIG. 8, a shutter 265, a shutter 365, and a bottom portion 163b are arranged in this order in the direction of arrow Q. Further, the outer partition 368 and the inner partition 369 provided on the shutter 365 described above are between the shutter 365 and the bottom 163b.

図9(b)に示すように、シャッター365を、外側エリアU、中側エリアV、内側エリアYの3つのエリアに仕切ることにより、供給口367及び供給口69aも、それぞれのエリア毎に仕切られることになる。   As shown in FIG. 9B, the shutter 365 is divided into three areas, an outer area U, an inner area V, and an inner area Y, so that the supply port 367 and the supply port 69a are also divided for each area. Will be done.

図10は、図8において矢印Q方向から見た、シャッター265とシャッター365、底部163bの位置関係を示したものである。この図10(a)、(b)、(c)では、回転機構111によってシャッター265を30度毎に矢印M方向に回転させた様子を示している。なお、図10において、シャッター265が有する供給口267と、シャッター365が有する供給口367とが重なっている供給口は実線(白丸)で示し、重なっていない供給口は、黒丸または破線で示している。   FIG. 10 shows the positional relationship among the shutter 265, the shutter 365, and the bottom portion 163b as seen from the direction of arrow Q in FIG. 10A, 10B, and 10C show a state in which the shutter 265 is rotated by the rotation mechanism 111 in the direction of arrow M every 30 degrees. Note that, in FIG. 10, a supply port in which the supply port 267 included in the shutter 265 and a supply port 367 included in the shutter 365 overlap is indicated by a solid line (white circle), and a supply port which does not overlap is indicated by a black circle or a broken line. There is.

図10(a)に示す位置関係は、シャッター265が図9の(a)の位置にある時を示す。供給口267と重なる供給口367を冷却流体Gが通過できるようになる。そして、供給口267と供給口367とを通過した冷却流体Gは、供給口69a及び複数のノズル64に供給することができる。ここでは、供給口267と重なる供給口367は、内側仕切り部369で仕切られた内側エリアYに存在しているため、内側エリアYに配置された(属する)供給部69a及びその供給部69aに対応するノズル64に冷却流体Gが供給される。これにより、透過窓62の内側(中央部分)に冷却流体Gを供給することが可能となる。   The positional relationship shown in FIG. 10A shows when the shutter 265 is at the position shown in FIG. 9A. The cooling fluid G can pass through the supply port 367 overlapping the supply port 267. The cooling fluid G that has passed through the supply ports 267 and 367 can be supplied to the supply port 69a and the plurality of nozzles 64. Here, the supply port 367 that overlaps the supply port 267 exists in the inner area Y partitioned by the inner partition section 369, so that the supply section 69 a (belonging) arranged in the inner area Y and the supply section 69 a thereof. The cooling fluid G is supplied to the corresponding nozzle 64. This makes it possible to supply the cooling fluid G to the inside (center portion) of the transmission window 62.

図10(b)は、図10(a)の位置にあるシャッター265を、矢印M方向に30度回転させたときの状態を示しており、供給口267と重なる供給口367の位置(実線で示す)が変わる。また、供給口267とは重ならない供給口367の位置(黒丸と破線で示す)も変わる。供給口267と重なる供給口367の位置は、外側仕切り部368と内側仕切り部169の間である、中側エリアVに存在しているため、中側エリアVに配置された供給口69a及びその供給部69aに対応するノズル64に冷却流体Gが供給される。これにより、透過窓62の中側(中央部分と外周部分との間の領域)に冷却流体Gが供給されることになる。   FIG. 10B shows a state in which the shutter 265 at the position of FIG. 10A is rotated by 30 degrees in the direction of arrow M, and the position of the supply port 367 overlapping the supply port 267 (in a solid line). Change). Further, the position of the supply port 367 that does not overlap with the supply port 267 (indicated by a black circle and a broken line) also changes. Since the position of the supply port 367 overlapping the supply port 267 is in the middle area V, which is between the outer partition 368 and the inner partition 169, the supply port 69a arranged in the middle area V and its position The cooling fluid G is supplied to the nozzle 64 corresponding to the supply unit 69a. As a result, the cooling fluid G is supplied to the inside of the transmission window 62 (the area between the central portion and the outer peripheral portion).

図10(c)は、図10(b)の位置にあるシャッター265を、矢印M方向にさらに30度回転させたときの状態を示している。この状態では、図10(a)、(b)と比較して、供給口267と重なる供給口367の位置(実線で示す)が変わる。また、供給口267とは重ならない供給口367の位置(黒丸と破線)も変わる。供給口267と重なる供給口367の位置は、外側仕切り部368より外側である、外側エリアUに存在しているため、外側エリアUに配置された供給口69a及びその供給部69aに対応するノズル64に冷却流体Gが供給される。これにより、透過窓62の外側(外周部分)に冷却流体Gが供給されることになる。   FIG. 10C shows a state in which the shutter 265 at the position shown in FIG. 10B is further rotated in the direction of arrow M by 30 degrees. In this state, the position (shown by a solid line) of the supply port 367 overlapping the supply port 267 changes as compared with FIGS. 10A and 10B. Further, the position (black circle and broken line) of the supply port 367 that does not overlap the supply port 267 also changes. Since the position of the supply port 367 overlapping the supply port 267 exists in the outer area U, which is outside the outer partition 368, the supply port 69a arranged in the outer area U and the nozzle corresponding to the supply portion 69a. The cooling fluid G is supplied to 64. As a result, the cooling fluid G is supplied to the outside (outer peripheral portion) of the transmission window 62.

本実施形態においては、図10(a)、(b)、(c)の順にシャッター265を矢印M方向に回転させると、冷却流体Gは、内側エリアY、中側エリアV、外側エリアUのそれぞれに属するノズル64を経由して順に透過窓62に供給されることになる。このようにして冷却流体Gを供給することで、透過窓62は、その内側から外側に向けて徐々に冷却される。従って、第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様な効果を有する。なお、ノズル64から冷却流体Gを噴射させるタイミングは、第1の実施形態と同様である。   In this embodiment, when the shutter 265 is rotated in the direction of the arrow M in the order of FIGS. 10A, 10B, and 10C, the cooling fluid G is divided into the inner area Y, the middle area V, and the outer area U. It is sequentially supplied to the transmission window 62 via the nozzles 64 belonging to each. By supplying the cooling fluid G in this manner, the transmission window 62 is gradually cooled from the inside to the outside. Therefore, the second embodiment also has the same effect as that of the first embodiment. The timing at which the cooling fluid G is ejected from the nozzle 64 is the same as in the first embodiment.

また、透過窓62の周辺にある高温の雰囲気(気体)を、透過窓62の内側から外側へ向けて追い払うようにして排出させながら、透過窓62を冷却することができる。つまり、透過窓62の周辺にある高温の雰囲気を排除することで、透過窓62に直接、冷却流体Gを供給することができる。このように、シャッター265の回転に伴って、冷却流体Gが供給される供給口69a及びノズル64が変わり、透過窓62に対して冷却流体Gの供給位置を変化させることができる。これにより、透過窓62の全体に冷却流体Gを同時に供給する場合に比べ、冷却流体G同士の干渉による影響が少なくなるため、透過窓62の周辺にある高温の雰囲気(気体)を効率良く排出することが可能となる。このため、高温の雰囲気が排出されるとともに、冷却流体Gが直接、透過窓62に噴射されるために、透過窓62は冷却されやすくなる。   Further, the transparent window 62 can be cooled while the high temperature atmosphere (gas) around the transparent window 62 is expelled from the inside to the outside of the transparent window 62 while being discharged. That is, the cooling fluid G can be directly supplied to the transparent window 62 by eliminating the high temperature atmosphere around the transparent window 62. In this way, the supply port 69 a and the nozzle 64 to which the cooling fluid G is supplied are changed in accordance with the rotation of the shutter 265, and the supply position of the cooling fluid G with respect to the transmission window 62 can be changed. As a result, compared to the case where the cooling fluid G is supplied to the entire transparent window 62 at the same time, the influence of the interference of the cooling fluids G is reduced, so that the high temperature atmosphere (gas) around the transparent window 62 is efficiently discharged. It becomes possible to do. Therefore, the high-temperature atmosphere is discharged and the cooling fluid G is directly jetted to the transmission window 62, so that the transmission window 62 is easily cooled.

さらに、供給口267と重なる供給口367だけに冷却流体Gが集中的に供給されるため、流速が速くなる。これにより、流速が速くなった冷却流体Gがノズル64から噴射されるため、透過窓62の冷却効率が向上するのに加え、透過窓62の周辺の高温状態の雰囲気(気体)を、バッファ170の外部に排出することが効率的にできるので、透過窓62を冷却する効率を向上させることができる。   Further, since the cooling fluid G is concentratedly supplied only to the supply port 367 that overlaps the supply port 267, the flow velocity is increased. As a result, the cooling fluid G having a higher flow velocity is ejected from the nozzle 64, so that the cooling efficiency of the transmission window 62 is improved and the atmosphere (gas) in the high temperature state around the transmission window 62 is changed to the buffer 170. Since it can be efficiently discharged to the outside, the efficiency of cooling the transmission window 62 can be improved.

第4の実施形態について図11を参照して説明する。   A fourth embodiment will be described with reference to FIG.

第4の実施形態は、基本的に第1の実施形態と同様である。このため、第4の実施形態では、第1の実施形態との相違点について説明して、第1の実施形態で説明した部分と同一部分は同一の同号で示し、説明も省略する。   The fourth embodiment is basically the same as the first embodiment. Therefore, in the fourth embodiment, differences from the first embodiment will be described, the same parts as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

図11に示すように、第4の実施形態に係る乾燥処理チャンバ30において、複数のノズル64が設置されたバッファ部180が、昇降軸121を介して昇降駆動部120と接続されている。この昇降駆動部120は、昇降軸121を駆動させてバッファ部180を上下方向に移動させる。つまり、昇降駆動部120により、バッファ部180は、待機位置(実線で示す)から処理位置(破線で示す)、処理位置から待機位置へと、透過窓62に対して接離動できるようになっている。なお本実施形態で、待機位置は、ノズル64がランプ61により加熱の影響を受けずらい程度、ランプ61より上方の位置であり、処理位置は、ノズル64が、ランプの隙間に入り込む位置とされる。また、昇降駆動部120は制御部100と電気的に接続されており、制御部100により制御される。これらの昇降駆動部120は、例えばサーボモータであり、昇降軸121は、例えばボールネジである。その他として、リニアモータ方式に構成することも可能である。   As shown in FIG. 11, in the drying processing chamber 30 according to the fourth embodiment, the buffer unit 180 in which the plurality of nozzles 64 are installed is connected to the lifting drive unit 120 via the lifting shaft 121. The lifting drive unit 120 drives the lifting shaft 121 to move the buffer unit 180 in the vertical direction. That is, the elevating / lowering drive unit 120 allows the buffer unit 180 to move toward and away from the transmission window 62 from the standby position (shown by the solid line) to the processing position (shown by the broken line) and from the processing position to the standby position. ing. In the present embodiment, the standby position is a position above the lamp 61 to the extent that the nozzle 64 is less likely to be affected by heating by the lamp 61, and the processing position is the position where the nozzle 64 enters the gap between the lamps. It Further, the lifting drive unit 120 is electrically connected to the control unit 100 and is controlled by the control unit 100. The lifting drive unit 120 is, for example, a servo motor, and the lifting shaft 121 is, for example, a ball screw. Alternatively, a linear motor system may be used.

また、昇降駆動部120と昇降軸121には、供給口73から供給される冷却流体Gをバッファ部180へ供給する配管(図示せず)が搭載される。なお、昇降軸121内に搭載されている配管は、伸縮可能に構成されているため、バッファ部63が待機位置から処理位置へ下降している際に冷却流体Gを供給することも可能となっている。   A pipe (not shown) for supplying the cooling fluid G supplied from the supply port 73 to the buffer unit 180 is mounted on the lifting drive unit 120 and the lifting shaft 121. In addition, since the pipe mounted inside the elevating shaft 121 is configured to be expandable and contractable, it is possible to supply the cooling fluid G while the buffer portion 63 is descending from the standby position to the processing position. ing.

ランプ61は、支持部材167に支持されてランプチャンバ60内に固定されている。この支持部材167には、ノズル64が貫通する貫通孔(図示せず)とリフレクタ(図示せず)が設けられている。   The lamp 61 is supported by a support member 167 and fixed in the lamp chamber 60. The support member 167 is provided with a through hole (not shown) through which the nozzle 64 penetrates and a reflector (not shown).

そこで本実施形態においては、ランプ61を点灯させて基板Wを乾燥処理している間は、バッファ部180は待機位置に待機している状態とされる。そして、ランプ61の点灯が停止し、基板Wの乾燥処理が完了して、基板Wが処理チャンバ37内から搬送ロボット7によって搬出された後に、昇降駆動機構120及び昇降軸121を駆動させて、バッファ部180を処理位置までに移動させる。そして、未処理の基板Wが処理チャンバ37に搬入されるまでに、複数のノズル64から冷却流体Gを噴射させて透過窓62を冷却する。透過窓62の冷却が終了すると、昇降駆動機構120及び昇降軸121により、バッファ部180を待機位置へ移動させる。   Therefore, in the present embodiment, the buffer unit 180 is in a standby state at the standby position while the lamp 61 is turned on and the substrate W is being dried. Then, after the lighting of the lamp 61 is stopped, the drying process of the substrate W is completed, and the substrate W is unloaded from the processing chamber 37 by the transfer robot 7, the elevating drive mechanism 120 and the elevating shaft 121 are driven, The buffer unit 180 is moved to the processing position. Then, before the unprocessed substrate W is loaded into the processing chamber 37, the cooling fluid G is jetted from the plurality of nozzles 64 to cool the transmission window 62. When the cooling of the transparent window 62 is completed, the elevating drive mechanism 120 and the elevating shaft 121 move the buffer unit 180 to the standby position.

以上に説明したように、第4の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、ランプが点灯しているときに、複数のノズル64を備えたバッファ部180を待機位置に位置付けることで、ランプ61の点灯時におけるノズルへ64への熱の影響は、第1〜第3の実施形態に比較して、はるかに少ない。そのため、ノズル64が加熱されて損傷することや、ノズル64内が高温状態になることを防ぐことができる。   As described above, according to the fourth embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, by arranging the buffer section 180 including the plurality of nozzles 64 at the standby position when the lamp is lit, the influence of heat on the nozzles 64 when the lamp 61 is lit is 1st to 3rd. Much less than the embodiment of. Therefore, it is possible to prevent the nozzle 64 from being heated and damaged, and to prevent the inside of the nozzle 64 from reaching a high temperature state.

なお、バッファ部63を昇降移動させるタイミング、ノズル64から冷却流体Gを噴射させるタイミングは、例えば、基板Wの乾燥処理中にバッファ部180を待機位置から処理位置に下降させて、透過窓62を冷却することも可能である。また、透過窓62の温度を監視するセンサ等をランプチャンバ60内に設置し、そのセンサに基づいて透過窓63を冷却するようしてもよい。   The timing of moving the buffer unit 63 up and down and the timing of ejecting the cooling fluid G from the nozzle 64 are, for example, when the buffer unit 180 is lowered from the standby position to the processing position during the drying process of the substrate W, and the transmission window 62 is opened. It is also possible to cool. Further, a sensor or the like for monitoring the temperature of the transparent window 62 may be installed in the lamp chamber 60, and the transparent window 63 may be cooled based on the sensor.

第5の実施形態について図12を参照して説明する。   The fifth embodiment will be described with reference to FIG.

第5の実施形態は、基本的に第4の実施形態と同様である。このため、第5の実施形態では、第4の実施形態との相違点について説明して、第4の実施形態で説明した部分と同一部分は同一の同号で示し、説明も省略する。   The fifth embodiment is basically the same as the fourth embodiment. Therefore, in the fifth embodiment, differences from the fourth embodiment will be described, and the same parts as those described in the fourth embodiment will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

図12に示すように、第5の実施形態に係る乾燥処理チャンバ30において、ランプチャンバ60に設けた透過窓62の他に、処理チャンバ37に透過窓162を設けた。この透過窓162は、処理チャンバ37の上方にあり、透過窓62とは所定の間隔である、一定の距離を保ち、透過窓62との間に空間Sが形成される。つまり、透過窓が、一定の空間を空けて2層構造とされる。   As shown in FIG. 12, in the dry processing chamber 30 according to the fifth embodiment, a transparent window 162 is provided in the processing chamber 37 in addition to the transparent window 62 provided in the lamp chamber 60. The transmission window 162 is located above the processing chamber 37 and maintains a certain distance from the transmission window 62, which is a predetermined distance, and a space S is formed between the transmission window 162 and the transmission window 62. That is, the transmissive window has a two-layer structure with a certain space.

処理チャンバ37とランプチャンバ60との間には、流路201と流路202が設けられている。この流路201の一端は、供給口73と接続されており、冷却流体供給部70から冷却流体Gが供給される。また、流路201の他端は、空間Sと接続される。つまり、空間Sには、冷却流体Gが供給されるようになっている。   A flow path 201 and a flow path 202 are provided between the processing chamber 37 and the lamp chamber 60. One end of the flow path 201 is connected to the supply port 73, and the cooling fluid G is supplied from the cooling fluid supply unit 70. Moreover, the other end of the flow path 201 is connected to the space S. That is, the cooling fluid G is supplied to the space S.

流路202の一端は、空間Sと接続され、流路202の他端は、排出口74と接続されている。これにより、流路202を通って、空間Sから冷却流体Gが排出されるようになっている。排出口74は、配管75を介して冷却流体供給部70と接続されている。   One end of the flow path 202 is connected to the space S, and the other end of the flow path 202 is connected to the discharge port 74. As a result, the cooling fluid G is discharged from the space S through the flow path 202. The discharge port 74 is connected to the cooling fluid supply unit 70 via a pipe 75.

この第5の実施形態では、空間Sが形成されるように、透過窓62と透過窓162の2層の透過窓を設けた。この空間Sに、冷却流体Gが冷却流体供給部70より、配管72及び流路201を通って供給される。そして、空間Sに供給された冷却流体Gは、流路202及び配管75を通って冷却流体供給部70へ戻されるようになる。つまり、冷却流体Gは、循環する構成となっている。   In the fifth embodiment, the two-layered transparent window 62 and the transparent window 162 are provided so that the space S is formed. The cooling fluid G is supplied to the space S from the cooling fluid supply unit 70 through the pipe 72 and the flow path 201. Then, the cooling fluid G supplied to the space S is returned to the cooling fluid supply unit 70 through the flow path 202 and the pipe 75. That is, the cooling fluid G is circulated.

このように、2層に設けた透過窓で形成された空間Sに冷却流体Gを供給及び循環させることで、ランプ61の点灯による熱を奪って、透過窓162の加熱を低減させることができる。これにより、処理チャンバ37の内部の高温環境を防ぐことが可能となり、第1の実施形態と同様に、未処理の基板を搬入する際に、乾燥ムラやウォータマークが発生することを防ぐことができる。なお、空間Sに冷却流体Gを供給するタイミングは、第1の実施形態における、ノズル64から冷却流体Gを吐出させるタイミングと同様とすることができる。   In this way, by supplying and circulating the cooling fluid G in the space S formed by the transmission windows provided in the two layers, the heat generated by lighting the lamp 61 can be taken and the heating of the transmission window 162 can be reduced. . This makes it possible to prevent a high temperature environment inside the processing chamber 37 and prevent the occurrence of drying unevenness and watermarks when an unprocessed substrate is carried in, as in the first embodiment. it can. The timing of supplying the cooling fluid G to the space S can be the same as the timing of discharging the cooling fluid G from the nozzle 64 in the first embodiment.

なお、第5の実施形態において、透過窓62と透過窓162との2層構造にして、両者間に空間Sを設けるようにしたが、2層以上にしても良い。また、2層の透過窓によって空間Sを設けるだけでなく、処理チャンバ37及びランプチャンバ60の壁面内に、冷却流体Gが流れる流路を設けるようにして、処理チャンバ37及びランプチャンバ60内を冷却できるようにしても良い。   In the fifth embodiment, the transmissive window 62 and the transmissive window 162 have a two-layer structure and the space S is provided between the two, but they may have two or more layers. Further, not only the space S is provided by the two-layer transmission window, but also the flow path through which the cooling fluid G flows is provided in the wall surfaces of the processing chamber 37 and the lamp chamber 60, so that the inside of the processing chamber 37 and the lamp chamber 60 is provided. It may be cooled.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲に限定することは意図していない。例えば、第1の実施形態乃至第4の実施形態で説明したように、ノズルから冷却流体を透過窓に噴出する構造に、第5の実施形態で説明した構成を加えることもできる。また、上述した実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更することができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although some embodiments of the present invention have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. For example, as described in the first to fourth embodiments, the structure described in the fifth embodiment can be added to the structure in which the cooling fluid is ejected from the nozzle to the transmission window. Further, the above-described embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and the gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

1 基板処理装置
10 処理チャンバ
30 乾燥処理チャンバ
31 回転テーブル
32 回転軸
33 モータ
34 保持ピン
60 ランプチャンバ
61 ランプ(加熱手段)
62 透過窓
63 バッファ部
64 ノズル
66 リフレクター
70 冷却流体供給部
100 制御部
165 シャッター
G 冷却流体
W 基板
1 Substrate processing apparatus 10 Processing chamber 30 Drying processing chamber 31 Rotating table 32 Rotating shaft 33 Motor 34 Holding pin 60 Lamp chamber 61 Lamp (heating means)
62 transparent window 63 buffer section 64 nozzle 66 reflector 70 cooling fluid supply section 100 control section 165 shutter G cooling fluid W substrate

Claims (7)

処理液が供給された基板の処理装置において、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前記基板を保持する保持手段と、
前記保持手段によって保持された前記基板を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段と対向するように設けられ、前記加熱手段から照射される光を透過する透過窓と、
前記透過窓を冷却流体で冷却する冷却手段と、
前記加熱手段による加熱が行なわれていないときに前記冷却手段を作動させる制御手段とを備え、
前記冷却手段は、
前記透過窓に向けて前記冷却流体を供給する冷却流体噴射部と、
前記冷却流体噴射部に前記冷却流体を供給する冷却流体供給部と、
を有し、
前記冷却流体噴射部は、
前記透過窓と対向して配置された複数のノズルと、
有し、
前記加熱手段は、所定の間隔を有して配置された複数のランプを有し、
前記複数のノズルは、前記複数のランプの隙間に、吐出口を前記透過窓に向けて配置さ
れ、
前記吐出口の高さ位置は、垂直方向で、前記ランプの中心高さ位置と前記透過窓の上面の高さ位置との間に位置する
ことを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus to which the processing liquid is supplied,
A chamber,
Holding means provided in the chamber for holding the substrate;
Heating means for heating the substrate held by the holding means,
A transmission window that is provided so as to face the heating means and that transmits the light emitted from the heating means,
Cooling means for cooling the transparent window with a cooling fluid,
Control means for operating the cooling means when heating by the heating means is not performed,
The cooling means is
A cooling fluid ejecting unit that supplies the cooling fluid toward the transparent window;
A cooling fluid supply unit that supplies the cooling fluid to the cooling fluid ejection unit;
Have
The cooling fluid jetting unit,
A plurality of nozzles arranged to face the transmission window,
Have,
The heating means has a plurality of lamps arranged at a predetermined interval,
The plurality of nozzles, in the gap between the plurality of lamps, the discharge port is arranged toward the transmission window,
The substrate processing apparatus is characterized in that the height position of the discharge port is in the vertical direction between the center height position of the lamp and the height position of the upper surface of the transmission window.
前記冷却流体噴射部は、
前記複数のノズルと前記冷却流体供給部との間に設けられたバッファ部を有し、
前記バッファ部内には回転するシャッターを設け、このシャッターの一部に設けた開口部を介して、前記冷却流体が前記ノズルに供給されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
The cooling fluid jetting unit,
A buffer unit provided between the plurality of nozzles and the cooling fluid supply unit,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a rotating shutter is provided in the buffer section, and the cooling fluid is supplied to the nozzle through an opening provided in a part of the shutter.
前記冷却流体噴射部は、
前記複数のノズルと前記冷却流体供給部との間に設けられたバッファ部を有し、
前記バッファ部内には、それぞれ供給口を有する2枚のシャッターを積層状態で設け、両シャッターの相対回転によって重なった前記供給口を介して前記冷却流体が前記ノズルに供給されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
The cooling fluid jetting unit,
A buffer unit provided between the plurality of nozzles and the cooling fluid supply unit,
In the buffer unit, two shutters each having a supply port are provided in a stacked state, and the cooling fluid is supplied to the nozzle through the supply port which is overlapped by relative rotation of both shutters. The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記冷却流体噴射部を前記透過窓に対して接離動させる駆動部を有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a drive unit that moves the cooling fluid ejecting unit toward and away from the transmission window. 前記透過窓を所定の間隔で複数設け、透過窓同士で形成される空間に、前記冷却流体を供給する流路を有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the transmissive windows are provided at a predetermined interval, and a flow path for supplying the cooling fluid is provided in a space formed between the transmissive windows. 表面に処理液が供給された基板の処理方法において、
チャンバ内に収容された前記基板を保持する工程と、
前記チャンバ内で保持された前記基板を透過窓を介してランプで加熱する工程と、
前記基板を加熱する工程が行なわれていないときに前記透過窓を冷却流体で冷却する工程とを有し、
前記透過窓を前記冷却流体で冷却する工程では、前記冷却流体を前記ランプの中心高さ位置と前記透過窓の上面の高さ位置との間の高さ位置から吐出する
ことを特徴とする基板処理方法。
In the method of processing a substrate whose surface is supplied with a processing liquid,
Holding the substrate contained in a chamber;
Heating the substrate held in the chamber with a lamp through a transmissive window;
Cooling the transparent window with a cooling fluid when the step of heating the substrate is not performed,
In the step of cooling the transparent window with the cooling fluid, the cooling fluid is discharged from a height position between a central height position of the lamp and a height position of an upper surface of the transparent window. Processing method.
前記透過窓を前記冷却流体で冷却する工程は、前記加熱工程の終了後に行なうことを特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。 Wherein the step of cooling the transmission window in the cooling fluid, the substrate processing method according to claim 6, characterized in that performed after completion of the heating step.
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