JP6683244B2 - 接合材料及び接合体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、接合材料及び接合体の製造方法に関する。

電子部品を基板に実装する方法としては、電子部品の電極を基板上の電極（ランド電極）等にはんだ付けすることにより実装する方法が広く用いられている。

このようなはんだ付けによる実装に用いられるソルダペーストとして、特許文献１には、（ａ）Ｓｎ又はＩｎからなる第１金属ボールと、（ｂ）Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の高融点金属又はそれらを含む高融点合金からなる第２金属（又は合金）ボールとの混合体を含むはんだペーストが開示されている。
また、特許文献１には、該はんだペーストを用いた接合方法や、電子機器の製造方法が開示されている。

特許文献１に記載のはんだペーストを用いてはんだ付けを行う場合、低融点金属（例えばＳｎ）ボールと高融点金属（例えばＣｕ）ボールとが加熱されることによって、低融点金属と高融点金属とが反応して金属間化合物が形成され、この金属間化合物を含む接合部を介して接合対象物が接合される（すなわち、はんだ付けされる）ことになる。

このようなはんだ材料が溶融状態から冷却されて固化する際、接合部にクラックが発生することがある。基本的に、低融点金属であるＳｎ等の結晶粒の粒界に沿ってクラックが進展していくため、固化後のＳｎ等の結晶粒が大きいほどクラックが進展しやすくなる。

そこで、例えば、特許文献２には、Ｎｉが添加されたはんだ材料が開示されている。特許文献２によれば、Ｓｎの結晶組織を微細化することによって、クラックの進展を防止することができるとされている。

特開２００２−２５４１９４号公報 特開平１１−７７３６６号公報

しかし、特許文献２のようにＳｎ等にＮｉを添加した場合であっても、固化後の接合部に発生するクラックを防止する効果は不充分であり、改善の余地があった。

本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、固化後の接合部に発生するクラックを抑制することができる接合材料、及び、該接合材料を用いた接合体の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の接合材料は、第１金属粉末と、上記第１金属粉末よりも融点の高い第２金属粉末とを含む接合材料であって、上記第１金属粉末は、Ｓｎ又はＳｎを含む合金からなり、上記第２金属粉末は、Ｎｉの割合が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ合金、Ｎｉの割合とＣｏの割合の総量が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ―Ｃｏ合金、又は、Ｎｉの割合とＦｅの割合の総量が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ―Ｆｅ合金からなり、上記第２金属粉末の９０％体積粒径Ｄ９０が０．１μｍ以上であることを特徴とする。

本発明の接合材料では、第２金属粉末として、Ｎｉの割合が５重量％以上３０重量％以下であり、９０％体積粒径Ｄ９０が０．１μｍ以上であるＣｕ−Ｎｉ合金の粉末、もしくは、Ｃｕ−Ｎｉ合金の第３成分にＣｏ又はＦｅを含み、ＮｉとＣｏ又はＮｉとＦｅの割合の総量が５重量％以上３０重量％以下であり、９０％体積粒径Ｄ９０が０．１μｍ以上であるＣｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金の粉末を使用することにより、固化後の接合部に発生するクラックを抑制することができる。Ｃｕ単体及びＮｉ単体と異なり、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金は、接合時の加熱によってＳｎ又はＳｎを含む合金と速やかに反応して（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５、（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ）_６Ｓｎ_５又は（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ）_６Ｓｎ_５を含む金属間化合物を形成する。この金属間化合物が接合材料中に分散することによってＳｎ結晶粒等の肥大化が抑制される結果、クラックが抑制されると考えられる。

本発明の接合材料においては、上記第１金属粉末の重量に対する上記第２金属粉末の割合が５重量％以下であることが好ましい。
Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる第２金属粉末の割合が５重量％を超えると、加熱時に液体となって流動するＳｎ又はＳｎを含む合金の割合が相対的に少なくなるため、接合材料の流動性が低下しやすくなる。

本発明の接合材料においては、上記第２金属粉末のＤ９０が４μｍ以下であることが好ましい。
第２金属粉末のＤ９０が４μｍを超えると、大きい金属間化合物が接合材料中に形成されるため、接合材料の流動性が低下しやすくなる。

本発明の接合体の製造方法は、第１部材と第２部材とが接合された接合体の製造方法であって、本発明の接合材料を上記第１部材と上記第２部材との間に配置する配置工程と、上記第１部材と上記第２部材との間に配置された上記接合材料を加熱することにより、上記第１部材と上記第２部材とを接合する加熱工程とを含むことを特徴とする。

上記の通り、本発明の接合材料を用いることにより、固化後のクラックの発生を抑制することができるため、接合信頼性に優れた接合体を製造することができる。

本発明の接合体の製造方法においては、上記第１部材が電子部品の電極、上記第２部材が基板上の電極であり、上記電子部品が上記基板上に実装された電子機器を製造することが好ましい。

本発明によれば、固化後の接合部に発生するクラックを抑制することができる接合材料、及び、該接合材料を用いた接合体の製造方法を提供することができる。

図１（ａ）、図１（ｂ）及び図１（ｃ）は、本発明の接合材料を用いて接合を行う場合の挙動を模式的に示す図である。 図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、電子部品が基板上に実装された電子機器の製造方法の一例を模式的に示す図である。

以下、本発明の接合材料及び接合体の製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。

［接合材料］
本発明の接合材料は、第１金属粉末と、第１金属粉末よりも融点の高い第２金属粉末とを含む。第１金属粉末は、Ｓｎ又はＳｎを含む合金からなり、第２金属粉末は、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる。

図１（ａ）、図１（ｂ）及び図１（ｃ）は、本発明の接合材料を用いて接合を行う場合の挙動を模式的に示す図である。
まず、図１（ａ）に示すように、第１金属粉末１と第２金属粉末２とを含む接合材料１０を、第１部材（例えば電極）１１と第２部材（例えば電極）１２との間に配置する。
次に、この状態で加熱し、接合材料１０の温度が第１金属（Ｓｎ又はＳｎを含む合金）の融点以上に達すると、第１金属が溶融する。さらに加熱が続くと、図１（ｂ）に示すように、第１金属と第２金属（Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金）とが反応して金属間化合物３が生成する。
その後、接合材料が冷却されて固化すると、図１（ｃ）に示すように、Ｓｎ結晶粒等の第１金属由来の結晶粒４間に金属間化合物３が分散した状態となる。
この金属間化合物３によって結晶粒４の肥大化が抑制される結果、固化後のクラックの発生が抑制されると考えられる。

本発明の接合材料において、第１金属は、Ｓｎ又はＳｎを含む合金であり、例えば、Ｓｎ単体、又は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｅ、Ｐからなる群より選ばれる少なくとも１種とＳｎとを含む合金が挙げられる。中でも、Ｓｎ、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ、Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７５Ｃｕ、Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ−０．０５Ｎｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−２Ａｇ−０．５Ｃｕ−２Ｂｉ、Ｓｎ−５７Ｂｉ−１Ａｇ、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−８Ｉｎ、Ｓｎ−９Ｚｎ、又は、Ｓｎ−８Ｚｎ−３Ｂｉが好ましい。
上記表記において、例えば、「Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ」は、Ａｇを３重量％、Ｃｕを０．５重量％含有し、残部をＳｎとする合金であることを示している。

本発明の接合材料において、第１金属粉末の平均粒径は特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、また、２０μｍ以下であることが好ましい。
平均粒径は、体積累積粒度分布曲線における累積度５０％粒子径である。より具体的には、横軸に粒子径、縦軸に小径側からの累積頻度をとったグラフ（体積基準の粒径分布）において、全粒子の累積値（１００％）に対し、小径側からの体積％の累積値が５０％に当たる粒子径が平均粒径（Ｄ５０）に相当する。Ｄ５０は、例えば、レーザー回折・散乱式粒子径分布測定装置（ベル・マイクロトラック社製ＭＴ３３００−ＥＸ）を使用して測定することができる。

本発明の接合材料において、第２金属は、Ｎｉの割合が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ合金、もしくは、Ｃｕ−Ｎｉ合金の第３成分にＣｏ又はＦｅを含み、ＮｉとＣｏ又はＮｉとＦｅの割合の総量が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金又はＣｕ−Ｎｉ―Ｆｅ合金であり、例えば、Ｃｕ−５Ｎｉ、Ｃｕ−１０Ｎｉ、Ｃｕ−１５Ｎｉ、Ｃｕ−２０Ｎｉ、Ｃｕ−２５Ｎｉ、Ｃｕ−３０Ｎｉ、Ｃｕ−４Ｎｉ−１Ｃｏ、Ｃｕ−４Ｎｉ−４Ｃｏ、Ｃｕ−２０Ｎｉ−１０Ｃｏ、又は、Ｃｕ−４Ｎｉ−３Ｆｅ合金が挙げられる。
上記表記において、例えば、「Ｃｕ−５Ｎｉ」は、Ｎｉを５重量％含有し、残部をＣｕとする合金であることを示している。

本発明の接合材料において、第２金属粉末の９０％体積粒径Ｄ９０は、０．１μｍ以上であり、０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。また、第２金属粉末のＤ９０は、４μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
９０％体積粒径Ｄ９０は、体積累積粒度分布曲線における累積度９０％粒子径である。より具体的には、横軸に粒子径、縦軸に小径側からの累積頻度をとったグラフ（体積基準の粒径分布）において、全粒子の累積値（１００％）に対し、小径側からの体積％の累積値が９０％に当たる粒子径がＤ９０に相当する。Ｄ９０は、例えば、レーザー回折・散乱式粒子径分布測定装置（ベル・マイクロトラック社製ＭＴ３３００−ＥＸ）を使用して測定することができる。

本発明の接合材料において、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合は特に限定されないが、５重量％以下であることが好ましく、４重量％以下であることがより好ましく、また、０．５重量％以上であることが好ましく、１重量％以上であることがより好ましい。

本発明の接合材料は、フラックスを含むことが好ましい。この場合、本発明の接合材料は、いわゆるソルダペーストとして使用することができる。

フラックスは、接合対象物や金属の表面の酸化被膜を除去する機能を果たす。フラックスとして、例えば、ビヒクル、溶剤、チキソ剤、活性剤等からなる、公知の種々のものを用いることが可能である。

ビヒクルの具体的な例としては、ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなるロジン系樹脂、合成樹脂、又はこれらの混合体等が挙げられる。
ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなるロジン系樹脂の具体的な例としては、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジン、重合ロジン、水素添加ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂、その他各種ロジン誘導体等が挙げられる。
ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなる合成樹脂の具体的な例としては、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂等が挙げられる。

溶剤としては、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、芳香族系、炭化水素類等が知られており、具体的な例としては、ベンジルアルコール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、テトラエチレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、グリセリン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル、ドデカン、テトラデセン、α−ターピネオール、テルピネオール、２−メチル２，４−ペンタンジオール、２−エチルヘキサンジオール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジイソブチルアジペート、へキシレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、２−ターピニルオキシエタノール、２−ジヒドロターピニルオキシエタノール、それらを混合したもの等が挙げられる。

チキソ剤の具体的な例としては、硬化ヒマシ油、カルナバワックス、アミド類、ヒドロキシ脂肪酸類、ジベンジリデンソルビトール、ビス（ｐ−メチルベンジリデン）ソルビトール類、蜜蝋、ステアリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミド等が挙げられる。また、これらに必要に応じてカプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸のような脂肪酸、１，２−ヒドロキシステアリン酸のようなヒドロキシ脂肪酸、酸化防止剤、界面活性剤、アミン類等を添加したものもチキソ剤として用いることができる。

活性剤としては、アミンのハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、有機酸、有機アミン、多価アルコール等が挙げられる。
アミンのハロゲン化水素酸塩の具体的な例として、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、トリエタノールアミン臭化水素酸塩、モノエタノールアミン臭化水素酸塩等が挙げられる。
有機ハロゲン化合物の具体的な例として、塩化パラフィン、テトラブロモエタン、ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモ−１，４−ブタンジオール、２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。
有機酸の具体的な例として、マロン酸、フマル酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フェニルコハク酸、マレイン酸、サルチル酸、アントラニル酸、グルタル酸、スベリン酸、アジピン酸、セバシン酸、ステアリン酸、アビエチン酸、安息香酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ドデカン酸等が挙げられる。
有機アミンの具体的な例として、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリブチルアミン、アニリン、ジエチルアニリン等が挙げられる。
多価アルコールの具体的な例として、エリスリトール、ピロガロール、リビトール等が挙げられる。

また、フラックスとして、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂又はその変性樹脂、アクリル樹脂からなる熱硬化性樹脂群より選ばれる少なくとも１種、あるいは、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース系樹脂からなる熱可塑性樹脂群から選ばれる少なくとも１種を含むものを用いることもできる。

上述のように、フラックスは、接合対象物や金属の表面の酸化被膜を除去する機能を果たすことから、本発明の接合材料は、フラックスを含むことが好ましい。フラックスの含有量は、接合材料全体の重量に対して７重量％以上１５重量％以下であることが好ましい。

本発明の接合材料は、必ずしもフラックスを含む必要はなく、フラックスを必要としない接合方法にも適用することが可能である。例えば、加圧しながら加熱する方法や、強還元雰囲気で加熱する方法等によっても、接合対象物や金属の表面の酸化被膜を除去して、信頼性の高い接合体を製造することが可能である。

［接合体の製造方法］
本発明の接合体の製造方法は、［接合材料］で説明した本発明の接合材料を第１部材と第２部材との間に配置する配置工程と、第１部材と第２部材との間に配置された接合材料を加熱する加熱工程とを含む。接合材料が加熱されることによって、接合材料に含まれる第１金属と第２金属とが反応して金属間化合物が形成され、この金属間化合物を含む接合部を介して第１部材と第２部材とが接合される。

本発明の接合体の製造方法においては、第１部材が電子部品（例えば半導体チップ）の電極、第２部材が基板上の電極であり、電子部品が基板上に実装された電子機器を製造することが好ましい。本発明の接合体の製造方法は、チップをダイボンドするタイプの半導体装置を製造する場合に特に適している。

図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、電子部品が基板上に実装された電子機器の製造方法の一例を模式的に示す図である。
図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）では、電子部品の電極、及び、基板上の電極は省略している。
まず、図２（ａ）に示すように、電子部品（例えば半導体チップ）２１と基板２２との間に本発明の接合材料２０を配置する。
次に、この状態で加熱することにより、図２（ｂ）に示すように、接合材料に含まれる第１金属と第２金属との金属間化合物を形成し、この金属間化合物を含む接合部３０を介して電子部品２１を基板２２にダイボンドする。
その後、図２（ｃ）に示すように、電子部品２１を樹脂２３によりモールドする。
図２（ｃ）には示していないが、樹脂２３によるモールドの前に、ワイヤボンディング等により電子部品２１を基板２２の端子と接続することが好ましい。

本発明の接合体の製造方法において、第１部材が電子部品の電極、第２部材が基板上の電極である場合、それぞれの電極は、Ｃｕ、Ｓｎ又はこれらの金属を含む合金からなることが好ましい。この場合、上記金属又は合金からなるめっき層が電極の表面に形成されていてもよい。上記めっき層は、電極の最表面に形成されていることが好ましいが、貴金属層等の他の層が最表面に形成されていてもよい。

なお、本発明の接合体の製造方法において、第１部材及び第２部材は、電極に限定されるものではなく、例えば、第１部材がＣｕ線等の金属線、第２部材が基板上の電極又は電子部品の電極等であってもよい。また、本発明の接合体の製造方法では、電子機器以外の接合体を製造することも可能である。

以下、本発明をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。

［接合材料の作製］
（実施例１）
実施例１では、第１金属粉末と、第２金属粉末と、フラックスとを混合することにより接合材料ペーストを作製した。

第１金属粉末としては、Ｓｎ粉末を使用した。第１金属粉末の平均粒径は２０μｍとした。

第２金属粉末としては、Ｃｕ−１０Ｎｉ粉末を使用した。第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合は１重量％とし、第２金属粉末のＤ９０は２μｍとした。なお、第２金属粉末は、アトマイズ法により作製した粒径５μｍ以上１５μｍ以下の粉末を超高圧湿式粉砕器にて微粉化したものを使用した。

フラックスとしては、ロジン：７４重量％、ジエチレングリコールモノブチルエーテル：２２重量％、トリエタノールアミン：２重量％、及び、水素添加ヒマシ油：２重量％の配合比率のものを用いた。ペースト全体に占めるフラックスの割合は１０重量％とした。

（実施例２）
第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を２重量％に変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例３）
第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を５重量％に変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例４）
第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を６重量％に変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（比較例１）
第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を０．０５μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例５）
第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を０．１μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例６）
第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％に変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例７）
第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例８）
第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を６μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（比較例２）
第２金属粉末としてＣｕ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例９）
第２金属粉末としてＣｕ−５Ｎｉ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例１０）
第２金属粉末としてＣｕ−２０Ｎｉ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例１１）
第２金属粉末としてＣｕ−３０Ｎｉ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（比較例３）
第２金属粉末としてＣｕ−４０Ｎｉ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（比較例４）
第２金属粉末としてＮｉ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例１２）
第２金属粉末としてＣｕ−４Ｎｉ−１Ｃｏ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例１３）
第２金属粉末としてＣｕ−４Ｎｉ−４Ｃｏ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例１４）
第２金属粉末としてＣｕ−２０Ｎｉ−１０Ｃｏ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（実施例１５）
第２金属粉末としてＣｕ−４Ｎｉ−３Ｆｅ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

（比較例５）
第２金属粉末としてＣｕ−４Ｎｉ粉末を使用し、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合を３重量％、第２金属粉末のＤ９０を４μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様に接合材料ペーストを作製した。

［接合材料の評価］
実施例１〜１５及び比較例１〜５の接合材料ペーストについて、以下の方法により流動性及びクラック抑制効果を評価した。

（流動性）
多数個のＣｕ電極パターンを表面に形成したガラスエポキシ基板（配線基板）を準備し、ガラスエポキシ基板上のＣｕ電極パターンの表面に電解めっきを行った。１個のＣｕ電極パターンは、Ｘ方向（横方向）が０．８ｍｍ、Ｙ方向（縦方向）が１．５ｍｍの矩形形状である。Ｃｕ電極パターンがＸ方向（横方向）に０．８ｍｍ間隔で２つあるものを１組のＣｕ電極ペアとし、このＣｕ電極ペアがＸ方向に１．９ｍｍ間隔、Ｙ方向に２．９ｍｍ間隔で各１０組ずつ配列されている。Ｃｕ電極パターンは２００個準備されている。つまり、Ｃｕ電極ペアが１００組準備されている。
続いて、実施例１〜１５及び比較例１〜５の接合材料ペーストを基板の実装部に印刷塗布し、その部分に積層セラミックコンデンサ２０１２サイズ（２．０ｍｍ×１．２ｍｍ×１．２ｍｍ：ＪＥＩＴＡ規格等参照）を自動チップ搭載装置で基板１枚につき１００個載せ、１３０℃以上１８０℃以下で７０秒予熱し、２２０℃以上を３０秒、ピーク温度２４５℃の一般的なリフロー条件で実装を行った。
流動性の評価は、基板５枚、つまりチップ数５００個でセルフアライメント性を評価することにより行った。リフロー後、Ｘ方向又はＹ方向に０．２ｍｍ以上ずれたもの、又は、チップのＬ方向が基板のＸ方向から５°以上傾いたものが２０個以上であれば不良（×）、１０個以上２０個未満であれば可（○）、１０個未満であれば良（◎）とした。

（クラック抑制効果）
実施例１〜１５及び比較例１〜５の接合材料ペーストを用いて積層セラミックコンデンサを実装したガラスエポキシ基板に対して熱衝撃試験を行った。熱衝撃試験では、−４０℃及び１５０℃のそれぞれの温度条件で各３０分間保持するサイクルを３０００回行った。
熱衝撃試験後のサンプルの接合部を光学顕微鏡又は電子顕微鏡で観察し、接合部におけるクラックの有無を確認した。３０サンプルについて観察を行い、明瞭なクラックが観察されないサンプルの割合が２９／３０以上のものを良（◎）、２７／３０以上のものを可（○）、２６／３０以下のものを不良（×）とした。

（判定）
前記流動性およびクラック抑制効果の評価において、クラック抑制効果が良（◎）のもので流動性が良（◎）もしくは可（○）のものを合格（◎）、クラック抑制効果が良（◎）のもので流動性が不良（×）のものを合格（○）、流動性がいかなる評価でも、クラック抑制効果が可（○）のものを合格（○）、流動性がいかなる評価でも、クラック抑制効果が不良（×）のものを不合格（×）とした。結果を表１に示す。

表１より、第２金属粉末として、Ｎｉの割合が５重量％以上３０重量％以下であり、Ｄ９０が０．１μｍ以上であるＣｕ−Ｎｉ合金の粉末を使用した実施例１〜１１、および、ＮｉとＣｏ又はＮｉとＦｅの割合の総量が５重量％以上３０重量％以下であり、Ｄ９０が０．１μｍ以上であるＣｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金の粉末を使用した実施例１２〜１５では、接合部に発生したクラックの割合が少ないことが確認された。

第２金属粉末のＤ９０が同じ場合、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合が５重量％以下である実施例１〜３及び実施例６では、５重量％を超える実施例４に比べて、接合材料の流動性に優れることが確認された。

また、第１金属粉末の重量に対する第２金属粉末の割合が同じ場合、第２金属粉末のＤ９０が４μｍ以下である実施例５〜７では、４μｍを超える実施例８に比べて、接合材料の流動性に優れることが確認された。

一方、第２金属粉末のＤ９０が０．１μｍ未満である比較例１、第２金属粉末としてＣｕ粉末を使用した比較例２、Ｎｉの割合が３０重量％を超える比較例３、第２金属粉末としてＮｉ粉末を使用した比較例４、第２金属粉末として、Ｎｉの割合が５重量％未満である比較例５では、接合部に発生したクラックの割合が多いことが確認された。
これは、比較例１では、第２金属粉末が極めて微粒であるため、第１金属粉末と反応して形成される金属間化合物も微粒であり、Ｓｎ結晶粒の肥大化が進み、クラックの進展を阻止できないためと考えられる。
また、比較例２、３、４及び５では、Ｃｕ、Ｃｕ−４０Ｎｉ合金、Ｎｉ及びＣｕ−４ＮｉとＳｎとの反応が極めて遅いため、金属間化合物がほとんど形成されず、Ｓｎ結晶粒の肥大化が進み、クラックの進展を阻止できないためと考えられる。

１ 第１金属粉末
２ 第２金属粉末
３ 金属間化合物
４ 結晶粒
１０ 接合材料
１１ 第１部材（電極）
１２ 第２部材（電極）
２０ 接合材料
２１ 電子部品（半導体チップ）
２２ 基板
２３ 樹脂
３０ 接合部

Claims (5)

1. 第１金属粉末と、前記第１金属粉末よりも融点の高い第２金属粉末とを含む接合材料であって、
   前記第１金属粉末は、Ｓｎ又はＳｎを含む合金からなり、
   前記第２金属粉末は、Ｎｉの割合が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ合金、Ｎｉの割合とＣｏの割合の総量が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、又は、Ｎｉの割合とＦｅの割合の総量が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金からなり、
   前記第２金属粉末の９０％体積粒径Ｄ９０が０．１μｍ以上４μｍ以下であることを特徴とする接合材料。
2. 前記第１金属粉末の重量に対する前記第２金属粉末の割合が５重量％以下である請求項１に記載の接合材料。
3. 第１金属粉末と、前記第１金属粉末よりも融点の高い第２金属粉末とを含む接合材料であって、
   前記第１金属粉末は、Ｓｎ又はＳｎを含む合金からなり、
   前記第２金属粉末は、Ｎｉの割合が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ合金、Ｎｉの割合とＣｏの割合の総量が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、又は、Ｎｉの割合とＦｅの割合の総量が５重量％以上３０重量％以下であるＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金からなり、
   前記第２金属粉末の９０％体積粒径Ｄ９０が０．１μｍ以上であり、
   前記第１金属粉末の重量に対する前記第２金属粉末の割合が５重量％以下であることを特徴とする接合材料。
4. 第１部材と第２部材とが接合された接合体の製造方法であって、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の接合材料を前記第１部材と前記第２部材との間に配置する配置工程と、
   前記第１部材と前記第２部材との間に配置された前記接合材料を加熱することにより、前記第１部材と前記第２部材とを接合する加熱工程とを含むことを特徴とする接合体の製造方法。
5. 前記第１部材が電子部品の電極、前記第２部材が基板上の電極であり、
   前記電子部品が前記基板上に実装された電子機器を製造する請求項４に記載の接合体の製造方法。
   

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