JP6675948B2 - Lid and substrate processing apparatus using the same - Google Patents
Lid and substrate processing apparatus using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP6675948B2 JP6675948B2 JP2016152914A JP2016152914A JP6675948B2 JP 6675948 B2 JP6675948 B2 JP 6675948B2 JP 2016152914 A JP2016152914 A JP 2016152914A JP 2016152914 A JP2016152914 A JP 2016152914A JP 6675948 B2 JP6675948 B2 JP 6675948B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- purge gas
- metal plate
- screw
- gas supply
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 20
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 74
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 57
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 57
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 75
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 22
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 6
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 4
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、蓋体及びこれを用いた基板処理装置に関する。 The present invention relates to a lid and a substrate processing apparatus using the same.
従来から、基板を出し入れする炉口を有する処理室と、処理室の炉口を開閉する開閉扉と、開閉扉の開位置において開閉扉の周囲の少なくとも一部を囲む囲み部と、囲み部内を強制的に排気する排気手段を有し、囲み部内を強制排気することにより、開閉扉に付着した副生成物が固まるのを防止するようにした基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, a processing chamber having a furnace port for taking in and out a substrate, an opening / closing door for opening / closing the furnace port of the processing chamber, an enclosure surrounding at least a part of the periphery of the opening / closing door at the open position of the opening / closing door, 2. Description of the Related Art There is known a substrate processing apparatus that has an exhaust unit for forcibly exhausting air, and forcibly exhausts the inside of an enclosure to prevent by-products attached to an opening / closing door from solidifying (for example, Patent Document 1) 1).
しかしながら、特許文献1に記載の構成では、開閉扉に副生成物が付着するのを防止することはできないので、付着した副生成物のうち、ある程度の副生成物の残留は防止することができない。 However, the configuration described in Patent Document 1 cannot prevent by-products from adhering to the opening / closing door, and thus cannot prevent a certain amount of by-products from remaining among adhering by-products. .
そこで、本発明は、副生成物の付着自体を防止することができる蓋体及びこれを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。 Then, an object of the present invention is to provide a lid which can prevent adhesion of a by-product itself and a substrate processing apparatus using the same.
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る蓋体は、金属板と、
該金属板上に設置された石英板と、
前記石英板を貫通し、前記金属板の所定深さまで設けられたネジ孔と、
該ネジ孔に挿入され、前記石英板を前記金属板に固定するネジと、
上面視にて該ネジよりも内側に設けられ、前記石英板と前記金属板との間の隙間にパージガスの供給が可能なように、前記金属板の内部から前記石英板の底面に向かってパージガスを供給可能なパージガス供給孔が形成された前記金属板に固定されるカバー部材と、
前記カバー部材が前記金属板に嵌め込まれることで前記カバー部材の下方に形成されるバッファ領域と、
該バッファ領域に接続され、該バッファ領域に前記パージガスを供給するパージガス供給管と、を有する。
In order to achieve the above object, a lid according to one embodiment of the present invention includes a metal plate,
A quartz plate installed on the metal plate,
A screw hole penetrating the quartz plate and provided to a predetermined depth of the metal plate,
A screw inserted into the screw hole and fixing the quartz plate to the metal plate;
The purge gas is provided from the inside of the metal plate toward the bottom surface of the quartz plate so that the purge gas is provided inside the screw when viewed from above and is supplied to a gap between the quartz plate and the metal plate. A cover member fixed to the metal plate formed with a purge gas supply hole capable of supplying
A buffer region formed below the cover member by the cover member being fitted into the metal plate;
A purge gas supply pipe connected to the buffer area and supplying the purge gas to the buffer area .
本発明によれば、副生成物の蓋体への付着自体を防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the by-product itself from adhering to the lid.
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。 Hereinafter, an embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、本発明の実施形態に係る蓋体を好適に適用可能な縦型熱処理装置の一実施形態について説明する。図1は前記縦型熱処理装置の内部を示す平面図である。なお、図1において、紙面奥側を前方側、紙面手前側を後方側、図1中X方向を左右方向、図1中Y方向を前後方向として説明する。図2は縦型熱処理装置を右側方側から見た縦断面図、図3は後方側から見た縦断面図である。図1、2において、装置の外装体を構成する筐体1が示されている。筐体1内には、基板であるウエハWを収納したキャリアCを装置に対して搬入、搬出するための搬入搬出領域S1と、キャリアC内のウエハを搬送して後述の熱処理炉内に搬入するためのローディング室であるローディングエリアS2と、が設けられている。搬入搬出領域S1とローディングエリアS2とは隔壁11により仕切られており、搬入搬出領域S1は大気雰囲気とされ、ローディングエリアS2は例えば清浄乾燥気体雰囲気(パーティクル及び有機成分が少なく、露点−60℃以下の空気)とされている。 First, an embodiment of a vertical heat treatment apparatus to which the lid according to the embodiment of the present invention can be suitably applied will be described. FIG. 1 is a plan view showing the inside of the vertical heat treatment apparatus. In FIG. 1, a description will be given with the back side of the paper as the front side, the near side of the paper as the rear side, the X direction in FIG. FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of the vertical heat treatment apparatus as viewed from the right side, and FIG. 3 is a vertical cross-sectional view as viewed from the rear side. 1 and 2, a housing 1 constituting an exterior body of the device is shown. A loading / unloading area S1 for loading / unloading a carrier C containing a wafer W as a substrate into / from the apparatus, a wafer in the carrier C, and loading into a heat treatment furnace described later. And a loading area S2, which is a loading room for loading. The loading / unloading area S1 and the loading area S2 are separated by a partition 11, and the loading / unloading area S1 is set to an air atmosphere, and the loading area S2 is, for example, a clean and dry gas atmosphere (with a small amount of particles and organic components and a dew point of -60 ° C or less The air) and is.
図1に示されるように、搬入搬出領域S1は、手前側の第1の領域12と奥側の第2の領域13とからなる。また、図2に示されるように、第1の領域12には、キャリアCを載置するための第1の載置台14が設けられている。キャリアCとしては、例えば直径300mmのウエハWが複数枚例えば25枚棚状に配列されて収納され、前面の図示しない取り出し口が蓋体により塞がれた密閉型のFOUP(Front-Opening Unified Pod)が用いられる。第2の領域13には第2の載置台15とキャリア保管部16が設けられると共に、キャリアCを第1の載置台14、第2の載置台15並びにキャリア保管部16の間で搬送するキャリア搬送機構17が設けられている。また、図1に示されるように、キャリアC内とローディングエリアS2とを連通する開口部10、開口部10の扉18、キャリアCの蓋体を開閉する蓋開閉機構19が設けられている。 As shown in FIG. 1, the carry-in / out area S1 includes a first area 12 on the near side and a second area 13 on the far side. Further, as shown in FIG. 2, a first mounting table 14 for mounting the carrier C is provided in the first area 12. As the carrier C, a plurality of wafers W having a diameter of, for example, 300 mm are housed in a form of, for example, 25 shelves, and a closed FOUP (Front-Opening Unified Pod) in which an unillustrated outlet on the front surface is closed by a lid. ) Is used. In the second area 13, a second mounting table 15 and a carrier storage unit 16 are provided, and a carrier that transports the carrier C between the first mounting table 14, the second mounting table 15, and the carrier storage unit 16. A transport mechanism 17 is provided. Further, as shown in FIG. 1, an opening 10 communicating the inside of the carrier C with the loading area S2, a door 18 of the opening 10, and a lid opening / closing mechanism 19 for opening and closing the lid of the carrier C are provided.
ローディングエリアS2の奥側上方には、下端が炉口20として開口する縦型の熱処理炉2が設けられている。熱処理炉2は、ウエハを収容して熱処理を行うための処理容器である。炉口20は、熱処理炉2の開口部をなす。この熱処理炉2には、例えば図4に示すように、熱処理炉2内に処理ガスを供給するための処理ガス供給路2Aと、熱処理炉2内の雰囲気を排気するための排気路2Bとが接続されている。処理ガス供給路2A及び排気路2Bは、夫々図示しない処理ガス供給源及び排気機構に接続されている。なお、図1〜図3においては、図示の便宜上、処理ガス供給路2A及び排気路2Bを省略している。 A vertical heat treatment furnace 2 whose lower end opens as a furnace port 20 is provided above the loading area S2 on the far side. The heat treatment furnace 2 is a processing container for accommodating a wafer and performing heat treatment. The furnace port 20 forms an opening of the heat treatment furnace 2. In the heat treatment furnace 2, for example, as shown in FIG. 4, a treatment gas supply path 2A for supplying a treatment gas into the heat treatment furnace 2 and an exhaust path 2B for exhausting the atmosphere in the heat treatment furnace 2 are provided. It is connected. The processing gas supply path 2A and the exhaust path 2B are respectively connected to a processing gas supply source and an exhaust mechanism (not shown). 1 to 3, the processing gas supply path 2A and the exhaust path 2B are omitted for convenience of illustration.
また、ローディングエリアS2内には、例えば2基のウエハボート3(3A,3B)が設けられている。これらウエハボート3(3A,3B)は、夫々多数枚のウエハWを、鉛直方向に所定間隔を有して重ねるように配列保持する基板保持具をなすものであり、例えば石英により構成されている。ここで、ウエハボート3について図4を参照して簡単に説明すると、天板31と底板32との間に例えば4本の支柱33が設けられており、この支柱33に形成された図示しない溝部にウエハWの周縁部が保持されて、例えば100枚のウエハWを所定の間隔で上下に配列して保持できるように構成されている。底板32の下部には支持部34が設けられている。 In the loading area S2, for example, two wafer boats 3 (3A, 3B) are provided. The wafer boats 3 (3A, 3B) serve as substrate holders for holding a large number of wafers W so as to be stacked with a predetermined interval in the vertical direction, and are made of, for example, quartz. . Here, the wafer boat 3 will be briefly described with reference to FIG. 4. For example, four columns 33 are provided between the top plate 31 and the bottom plate 32, and a groove (not shown) formed in the column 33 is formed. The peripheral portion of the wafer W is held, and for example, 100 wafers W can be arranged and held vertically at predetermined intervals. A support portion 34 is provided below the bottom plate 32.
そして、ローディングエリアS2内には、保持具昇降機構をなすボートエレベータ41が設けられている。このボートエレベータ41は、上下方向に伸びるガイドレール43に沿って移動機構42により昇降自在に構成され、その上には、熱処理炉2の蓋体21と断熱材22とがこの順序で設けられている。断熱材22は例えば石英等により構成されており、その上にウエハボート3が搭載されるようになっている。 And, in the loading area S2, a boat elevator 41 serving as a holder raising / lowering mechanism is provided. The boat elevator 41 is configured to be able to move up and down along a guide rail 43 extending in the vertical direction by a moving mechanism 42, on which a lid 21 and a heat insulating material 22 of the heat treatment furnace 2 are provided in this order. I have. The heat insulating material 22 is made of, for example, quartz or the like, and the wafer boat 3 is mounted thereon.
こうしてウエハボート3は、ボートエレベータ41により熱処理炉2内のロード位置とアンロード位置との間で昇降されるようになっている。ロード位置とは、ウエハボート3が熱処理炉2内に搬入され、熱処理炉2の炉口20を蓋体21が覆う処理位置であり、アンロード位置とは、ウエハボート3が熱処理炉2の下方側に搬出される位置(図2〜図4に示す位置)である。 Thus, the wafer boat 3 is moved up and down by the boat elevator 41 between the load position and the unload position in the heat treatment furnace 2. The loading position is a processing position in which the wafer boat 3 is carried into the heat treatment furnace 2 and the furnace port 20 of the heat treatment furnace 2 is covered by the lid 21, and the unloading position is a position in which the wafer boat 3 is positioned below the heat treatment furnace 2. This is the position (the position shown in FIGS. 2 to 4) to be carried out.
また、ローディングエリアS2には、ウエハボート3を載置するための第1のステージ44及び第2のステージ45と、これらボートエレベータ41、第1のステージ44及び第2のステージ45の間でウエハボート3の移載を行うボート搬送機構46が設けられている。このボート搬送機構46は、ウエハボート3の支持部34を載置する保持アーム47が、昇降自在、水平軸周りに回転自在、進退自在に構成されている。なお図2では図示の便宜上、ボート搬送機構46を省略している。 In the loading area S2, a first stage 44 and a second stage 45 for mounting the wafer boat 3 and a wafer between the boat elevator 41, the first stage 44, and the second stage 45 are provided. A boat transport mechanism 46 for transferring the boat 3 is provided. The boat transfer mechanism 46 is configured such that a holding arm 47 on which the support portion 34 of the wafer boat 3 is placed can freely move up and down, rotate around a horizontal axis, and move forward and backward. In FIG. 2, the boat transport mechanism 46 is omitted for convenience of illustration.
さらに、ローディングエリアS2には、例えば第1のステージ44に隣接してウエハ搬送機構48が設けられている。ウエハ搬送機構48は、例えば第1のステージ44上のウエハボート3、ボートエレベータ上41のウエハボート3及び第2の載置台15上のキャリアCの間でウエハの移載を行うものである。ウエハ搬送機構48は、ウエハWを保持する複数枚例えば5枚のフォーク49と、フォーク49を進退自在に支持する搬送基体49aとを備えており、搬送基体49aは、鉛直軸回りに回転自在及び昇降自在に構成されている。 Further, in the loading area S2, for example, a wafer transfer mechanism 48 is provided adjacent to the first stage 44. The wafer transfer mechanism 48 transfers a wafer between the wafer boat 3 on the first stage 44, the wafer boat 3 on the boat elevator 41, and the carrier C on the second mounting table 15, for example. The wafer transfer mechanism 48 includes a plurality of, for example, five forks 49 for holding the wafer W, and a transfer base 49a that supports the forks 49 so as to be able to move forward and backward. The transfer base 49a is rotatable about a vertical axis. It is configured to be able to move up and down freely.
さらに、ローディングエリアS2における熱処理炉2以外の領域には、例えば熱処理炉2の開口部近傍の高さ位置に天井部23が形成されている。また、ローディングエリアS2の左右方向の一方側の側面には、フィルタユニット5が設けられている。フィルタユニット5は、図3に示すように、フィルタ部51と通気空間52とを備えており、通気空間52は、ローディングエリアS2の底板24の下方に形成された通気室25と連通するように構成されている。 Further, in a region other than the heat treatment furnace 2 in the loading area S2, for example, a ceiling portion 23 is formed at a height position near an opening of the heat treatment furnace 2. A filter unit 5 is provided on one side surface of the loading area S2 in the left-right direction. As shown in FIG. 3, the filter unit 5 includes a filter portion 51 and a ventilation space 52, and the ventilation space 52 communicates with the ventilation chamber 25 formed below the bottom plate 24 of the loading area S2. It is configured.
通気室25の一端側には、第1のファン53及び第1のゲートバルブ54が設けられている。また、他端側は第2のゲートバルブ55及び第2のファン56を介して工場の排気設備に接続されている。図1及び図3に示されるように、底板24には排気口26が形成されている。 On one end side of the ventilation chamber 25, a first fan 53 and a first gate valve 54 are provided. The other end is connected to a factory exhaust system via a second gate valve 55 and a second fan 56. As shown in FIGS. 1 and 3, an exhaust port 26 is formed in the bottom plate 24.
さらに、ローディングエリアS2における天井部23の近傍には、熱処理炉2の炉口20を塞ぐための蓋体60を備えた蓋体開閉機構6が設けられている。蓋体60は、例えば熱処理炉2後にウエハボート3がアンロードされたときに、熱処理炉2の炉口20を塞ぐために設けられており、炉口20を塞ぐ大きさに形成されている。 Further, a lid opening / closing mechanism 6 having a lid 60 for closing the furnace port 20 of the heat treatment furnace 2 is provided near the ceiling portion 23 in the loading area S2. The lid 60 is provided to close the furnace port 20 of the heat treatment furnace 2 when the wafer boat 3 is unloaded after the heat treatment furnace 2, for example, and is formed in a size to close the furnace port 20.
蓋体開閉機構6は、図4に示すように、蓋体60を支持する支持部材7と、蓋体60を、炉口20を塞ぐ位置と、炉口20を開く位置との間で移動させる蓋体移動機構8と、を備えている。炉口20を開く位置とは、この例では炉口20の側方の位置であり、ここを待機位置としている。また、蓋体移動機構8は、例えば支持部材7の基端側を昇降自在に支持する昇降機構8Aと、昇降機構8Aを鉛直軸まわりに回転させる回転機構8Bとを組み合わせて構成されている。この蓋体移動機構8は、図3に示すように、例えば筐体1の側壁部に設けられた載置部材9上に設けられている。 As shown in FIG. 4, the lid opening / closing mechanism 6 moves the support member 7 that supports the lid 60 and the lid 60 between a position that closes the furnace port 20 and a position that opens the furnace port 20. A cover moving mechanism 8. The opening position of the furnace port 20 is a position beside the furnace port 20 in this example, and this position is a standby position. Further, the lid moving mechanism 8 is configured by combining, for example, an elevating mechanism 8A that supports the base end side of the support member 7 so as to be able to move up and down, and a rotating mechanism 8B that rotates the elevating mechanism 8A around a vertical axis. As shown in FIG. 3, the lid moving mechanism 8 is provided on a mounting member 9 provided on a side wall of the housing 1, for example.
ここで、待機位置は、炉口20の下方側の側方であって、炉口20と、回転機構8Bを中心とする同心円状に隣接する位置である。そして、蓋体60は待機位置から回転機構8Bにより炉口20の下方側まで旋回し、次いで、昇降機構8Aにより上昇することにより、炉口20を塞ぐ位置に移動することになる。なお、図1及び図2では蓋体60は待機位置にあり、図3では炉口20を塞ぐ位置にある様子を示している。この際、蓋体開閉機構6は、ローディングエリアS2内において、例えばウエハボート3のロード及びアンロードや、ウエハボート3のステージ44,45及び断熱材22間の移動を妨げずに、蓋体60を前記待機位置と炉口20を塞ぐ位置との間で移動できるように構成されている。 Here, the standby position is a position on the lower side of the furnace port 20 and concentrically adjacent to the furnace port 20 around the rotation mechanism 8B. Then, the lid body 60 pivots from the standby position to the lower side of the furnace port 20 by the rotating mechanism 8B, and then moves up to a position for closing the furnace port 20 by being lifted by the elevating mechanism 8A. Note that FIGS. 1 and 2 show a state in which the lid body 60 is at the standby position, and FIG. 3 shows a state in which the furnace port 20 is closed. At this time, the lid opening / closing mechanism 6 does not obstruct the loading and unloading of the wafer boat 3 and the movement between the stages 44 and 45 of the wafer boat 3 and the heat insulating material 22 in the loading area S2. Can be moved between the standby position and a position for closing the furnace port 20.
このように、蓋体60は、ウエハボート3がアンロードされたときや、熱処理炉2の内部をクリーニングする際に、炉口20を塞ぐために設けられる。本発明の実施形態に係る蓋体は、必ずしもこのような熱処理炉2の炉口20を一時的に塞ぐ用途に限定されるものではないが、このような用途にも好適に利用できる。 As described above, the lid 60 is provided for closing the furnace port 20 when the wafer boat 3 is unloaded or when cleaning the inside of the heat treatment furnace 2. The lid according to the embodiment of the present invention is not necessarily limited to the use in which the furnace port 20 of the heat treatment furnace 2 is temporarily closed, but can be suitably used in such use.
以下、本発明の実施形態に係る蓋体60について、より詳細に説明する。まず、本発明の実施形態に係る蓋体60について説明する前に、参考例に係る蓋体160について説明する。 Hereinafter, the lid 60 according to the embodiment of the present invention will be described in more detail. First, before describing the lid 60 according to the embodiment of the present invention, the lid 160 according to the reference example will be described.
図5は、本発明の参考例に係る蓋体160を示した図である。参考例に係る蓋体160は、金属板161と、石英板162とを備える。また、金属板161の内部には、冷却路63が設けられ、金属板161の外周部には、O−リング64が設けられている。 FIG. 5 is a diagram showing a lid 160 according to a reference example of the present invention. The lid 160 according to the reference example includes a metal plate 161 and a quartz plate 162. Further, a cooling path 63 is provided inside the metal plate 161, and an O-ring 64 is provided on the outer peripheral portion of the metal plate 161.
参考例に係る蓋体160は、金属板161の上に石英板162が設置された構成を有し、熱処理炉2からウエハボート3がアンロードされた場合等に用いられるが、熱処理炉2を用いてALD(Atomic Layer Deposition、原子堆積法)成膜を行った場合、石英板162と金属板161との間に、塩化アンモニウム(NH4Cl)163が付着し、蓋体160のクリーニングを定期的(例えば、週1回等)に行わなければならないという問題がある。本実施形態に係る蓋体60では、塩化アンモニウムが付着し易い金属板161と石英板162との間にパージガスを供給し、このような塩化アンモニウムの付着を防止し、蓋体60のクリーニング頻度を低下させることができる構成としている。なお、図5で説明した冷却炉63及びO−リング64については、本発明の実施形態に係る蓋体60においても同様であるので、同一の参照符号を用いるものとする。 The lid 160 according to the reference example has a configuration in which a quartz plate 162 is installed on a metal plate 161, and is used when the wafer boat 3 is unloaded from the heat treatment furnace 2. When performing ALD (Atomic Layer Deposition, atomic deposition) film formation, ammonium chloride (NH 4 Cl) 163 adheres between the quartz plate 162 and the metal plate 161, and the cover 160 is periodically cleaned. There is a problem that it has to be performed on a target (for example, once a week). In the lid 60 according to the present embodiment, a purge gas is supplied between the metal plate 161 and the quartz plate 162 to which ammonium chloride easily adheres to prevent such adhesion of ammonium chloride and reduce the cleaning frequency of the lid 60. The configuration is such that it can be lowered. Note that the cooling furnace 63 and the O-ring 64 described with reference to FIG.
図6は、本発明の実施形態に係る蓋体60の一例の表面を示した平面図である。本発明の実施形態に係る蓋体60は、金属板61の上に石英板62が設置された構成を有する。金属板61は、種々の金属から構成されてよいが、例えば、ステンレス鋼から構成されてもよい。また、石英板62は、文字通り、石英から構成される。石英板62は、金属板61に比較して、厚さが薄く構成されてもよく、例えば、石英板62を、石英キャップ62と呼んでもよい。 FIG. 6 is a plan view showing the surface of an example of the lid 60 according to the embodiment of the present invention. The lid 60 according to the embodiment of the present invention has a configuration in which a quartz plate 62 is provided on a metal plate 61. The metal plate 61 may be made of various metals, but may be made of, for example, stainless steel. The quartz plate 62 is made of quartz, as the name suggests. The quartz plate 62 may be configured to be thinner than the metal plate 61. For example, the quartz plate 62 may be called a quartz cap 62.
金属板61は、石英板62よりも大きく構成される。金属板61及び石英板62は、処理容器の形状に合わせて種々の形状に構成されてよいが、熱処理炉2のように、円筒形の処理容器に用いられる場合には、図6に示されるように、円形の形状を有する。 The metal plate 61 is configured to be larger than the quartz plate 62. The metal plate 61 and the quartz plate 62 may be formed in various shapes according to the shape of the processing container. However, when the metal plate 61 and the quartz plate 62 are used in a cylindrical processing container like the heat treatment furnace 2, they are shown in FIG. As such, it has a circular shape.
石英板62は、金属板61上に設置されるだけでなく、ネジ65により固定される。ネジ65は、石英板62を金属板61に適切に固定できれば、種々の個数とされてよいが、例えば、図6に示すように、中心を通る反対側同士に対向して2個設置されてもよい。また、ネジ65よりも内側に、パージガス供給孔68が金属板61の表面に設けられる。図6においては、対向するネジ65同士を結ぶ金属板61及び石英板62の中心を通る直径上の2個のパージガス供給孔68を含んで合計16個のパージガス供給孔68が設けられている。なお、パージガス供給孔68の位置・個数等は用途により適宜変更されてよい。また、これらの断面形状の詳細については後述する。 The quartz plate 62 is fixed not only on the metal plate 61 but also by screws 65. The number of screws 65 may be various as long as the quartz plate 62 can be appropriately fixed to the metal plate 61. For example, as shown in FIG. 6, two screws 65 are provided facing opposite sides passing through the center. Is also good. Further, a purge gas supply hole 68 is provided on the surface of the metal plate 61 inside the screw 65. In FIG. 6, a total of 16 purge gas supply holes 68 are provided, including two purge gas supply holes 68 having a diameter passing through the center of the metal plate 61 and the quartz plate 62 connecting the screws 65 facing each other. Note that the position, number, and the like of the purge gas supply holes 68 may be appropriately changed depending on the application. The details of these cross-sectional shapes will be described later.
図7は、本実施形態に係る蓋体60の一例の裏面を示した平面図である。図7に示されるように、蓋体60の裏面には、パージガス供給管73が設けられる。図7に示されるように、丸で囲まれた裏面の4箇所からパージガスが供給される。つまり、金属板61の裏面側にパージガス供給管73が設けられ、金属板61を貫通して石英板62と金属板61との間にパージガスが供給される構成となっている。なお、パージガスは、窒素ガス、Arガス、Heガス等、希ガスを含む種々の不活性ガスを用いることができる。また、パージガス供給管73からのパージガスの供給箇所は、図7では4箇所となっているが、供給箇所の位置、個数等は、用途により適宜変更されてよい。 FIG. 7 is a plan view showing the back surface of an example of the lid 60 according to the present embodiment. As shown in FIG. 7, a purge gas supply pipe 73 is provided on the back surface of the lid 60. As shown in FIG. 7, the purge gas is supplied from four locations on the back surface surrounded by a circle. That is, the purge gas supply pipe 73 is provided on the back side of the metal plate 61, and the purge gas is supplied between the quartz plate 62 and the metal plate 61 through the metal plate 61. As the purge gas, various inert gases including a rare gas such as a nitrogen gas, an Ar gas, and a He gas can be used. Further, the number of the supply points of the purge gas from the purge gas supply pipe 73 is four in FIG. 7, but the position, the number, and the like of the supply points may be appropriately changed depending on the application.
図8は、図6のA−A断面を示した図である。図8に示される通り、金属板61の表面の窪み61aにはカバー部材67が嵌め込まれるように設けられ、カバー部材67にパージガス供給孔68が形成されている。そして、カバー部材67は、ネジ69により金属板61に固定されている。カバー部材67の下方には、バッファ領域72が設けられ、バッファ領域72とパージガス供給孔68とが連通した構成となっている。カバー部材67よりも外側には、石英板62の底面と金属板61の上面との間に吹き出し隙間70が設けられ、吹き出し隙間70を通じてパージガスが外側に向けて流通し、石英板62と金属板61との間の隙間に塩化ナトリウム等の副生成物が付着するのを防止する構成となっている。なお、窪み61aの内側では、金属板61と石英板62が密着しており、石英板62の底面に向けて供給されたパージガスは、内側は行き止まりとなっているため、最終的には必ず外側の吹き出し隙間70に向かって流れる構成となっている。 FIG. 8 is a diagram showing an AA cross section of FIG. As shown in FIG. 8, a cover member 67 is provided so as to fit into a depression 61 a on the surface of the metal plate 61, and a purge gas supply hole 68 is formed in the cover member 67. The cover member 67 is fixed to the metal plate 61 by screws 69. A buffer region 72 is provided below the cover member 67, and the buffer region 72 and the purge gas supply hole 68 communicate with each other. Outside the cover member 67, a blowing gap 70 is provided between the bottom surface of the quartz plate 62 and the top surface of the metal plate 61, and the purge gas flows outward through the blowing gap 70, and the quartz plate 62 and the metal plate 61 This structure prevents by-products such as sodium chloride from adhering to the gap between the first and second members. Note that the metal plate 61 and the quartz plate 62 are in close contact with each other inside the recess 61a, and the purge gas supplied toward the bottom surface of the quartz plate 62 has a dead end inside, so that the purge gas always ends up being always outside. Flows toward the air outlet gap 70.
図9は、図6のB−B断面を示した図である。図9に示される通り、石英板62は、金属板61にネジ65により固定されている。なお、石英板62及び金属板61には、ネジ65が挿入されるネジ孔66が形成されており、ネジ孔66は、石英板62を貫通し、金属板61の表面から所定深さまで形成されている。また、図8のA−A断面と同様、カバー部材67に形成されたパージガス供給孔68からパージガスが供給され、ネジ65とネジ孔66との間の隙間71を介してパージガスが通流する。これにより、ネジ65の周辺も、副生成物の付着が防止される。なお、図9に示されるように、バッファ領域72にはパージガス供給管73が接続され、バッファ領域72にパージガスが直接的に供給され、バッファ領域72と連通するパージガス供給孔68からパージガスが隙間71に供給される構成となっている。 FIG. 9 is a diagram showing a BB cross section of FIG. As shown in FIG. 9, the quartz plate 62 is fixed to the metal plate 61 by screws 65. A screw hole 66 into which the screw 65 is inserted is formed in the quartz plate 62 and the metal plate 61, and the screw hole 66 penetrates the quartz plate 62 and is formed from the surface of the metal plate 61 to a predetermined depth. ing. 8, a purge gas is supplied from a purge gas supply hole 68 formed in the cover member 67, and the purge gas flows through a gap 71 between the screw 65 and the screw hole 66. Thereby, the adhesion of the by-product is also prevented around the screw 65. As shown in FIG. 9, a purge gas supply pipe 73 is connected to the buffer area 72, the purge gas is directly supplied to the buffer area 72, and the purge gas is supplied from the purge gas supply hole 68 communicating with the buffer area 72 to the gap 71. Is supplied to the system.
図10は、図6のB−B断面を示した斜視図である。図10に示されるように、カバー部材67は円環状に形成され、その下にバッファ領域72がやはり円環状に形成されて設けられている。ネジ65及びネジ孔66は、パージガス供給孔68よりも外側に設けられているため、必ずパージガスにパージされる。ネジ65等の金属部品は、パーティクルを発生するおそれがあるため、パージガスでパージすることが好ましい。本実施形態に係る蓋体60においては、ネジ65及びネジ孔66をパージガス供給孔68よりも外側に設けることにより、副生成物の石英板62と金属板61との間への侵入を防ぐだけでなく、ネジ65及びネジ孔66のパージも同時に行うことができ、蓋体60を清浄化するのに非常に効果的な構成となっている。 FIG. 10 is a perspective view showing a BB cross section of FIG. As shown in FIG. 10, the cover member 67 is formed in an annular shape, and the buffer region 72 is also formed and provided thereunder. Since the screw 65 and the screw hole 66 are provided outside the purge gas supply hole 68, the screw 65 and the screw hole 66 are always purged by the purge gas. Metal parts such as the screws 65 may generate particles, and therefore are preferably purged with a purge gas. In the lid body 60 according to the present embodiment, by providing the screw 65 and the screw hole 66 outside the purge gas supply hole 68, it is only necessary to prevent the by-product from entering between the quartz plate 62 and the metal plate 61. In addition, the screw 65 and the screw hole 66 can be purged at the same time, which is a very effective configuration for cleaning the lid 60.
なお、図10において、O−リング64が最外周付近に設けられている。かかる構成は、図5で説明したのと同様である。 In FIG. 10, an O-ring 64 is provided near the outermost periphery. Such a configuration is the same as that described with reference to FIG.
また、バッファ領域72は、本実施形態においては、円環状に設けられているが、パージガス供給孔68の設ける位置に応じて、その形状や配置等が適宜変更可能であることは言うまでもない。 Further, in the present embodiment, the buffer region 72 is provided in an annular shape, but it goes without saying that the shape, arrangement, and the like can be appropriately changed according to the position where the purge gas supply hole 68 is provided.
図11は、本発明の実施形態に係る蓋体60の石英板62の一例の平面形状を示した図である。図11に示されるように、石英板62のネジ65が挿入される箇所には、切り欠き62aが形成されている。以下、この点についてより詳細に説明する。 FIG. 11 is a diagram illustrating a planar shape of an example of the quartz plate 62 of the lid 60 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 11, a notch 62a is formed at a place where the screw 65 of the quartz plate 62 is inserted. Hereinafter, this point will be described in more detail.
図12は、図6のA−A断面を示した第2の図である。図12に係るA−A断面は、図8と類似しているが、カバー部材67aのパージガス供給孔68とネジ69との間に隆起部67aが形成されている点で、図8と異なっている。このように、カバー部材67aに隆起部67bを設け、隆起部67bと石英板62とを密着させる構成としてもよい。かかる構成により、パージガスがパージガス供給孔68から供給された後、内側に流れることなく直ちに外側の吹き出し隙間70に流れることになり、より効率的に外周側へのパージガスの供給を行うことができる。 FIG. 12 is a second diagram showing a cross section taken along line AA of FIG. The cross section taken along the line AA in FIG. 12 is similar to FIG. 8, but differs from FIG. 8 in that a protrusion 67 a is formed between the purge gas supply hole 68 of the cover member 67 a and the screw 69. I have. As described above, the protrusion 67b may be provided on the cover member 67a, and the protrusion 67b may be closely attached to the quartz plate 62. With this configuration, after the purge gas is supplied from the purge gas supply hole 68, the purge gas immediately flows into the outer blowing gap 70 without flowing inward, so that the purge gas can be more efficiently supplied to the outer peripheral side.
図13は、図6のB−B断面を示した第2の図である。図13に係るB−B断面は、図12と同様、カバー部材67aが隆起部67bを有する点で、図9と異なっている。更に、図13に係るB−B断面は、ネジ65の外側において、切り欠き62aが設けられている点で、図9と異なっている。 FIG. 13 is a second diagram showing a BB cross section of FIG. The BB cross section according to FIG. 13 is different from FIG. 9 in that the cover member 67a has a raised portion 67b as in FIG. Further, the BB cross section according to FIG. 13 differs from FIG. 9 in that a cutout 62 a is provided outside the screw 65.
図14は、図13の上面拡大図である。図14に示されるように、ネジ65の外側に切り欠き62aが形成され、ネジ65の外側が露出する構成となる。これは、図8で説明したように、ネジ65にパージガスを供給すべく、ネジ65を石英板62の外周側に配置したが、あまりネジ65を石英板62の外周側に配置すると、石英板62の外側に割れが生じ、破損する場合がある。そのような破損を回避すべく、ネジ65の外側の石英板62に切り欠き62aを設け、ネジ65の応力を逃がしている。このように、ネジ65の外側に切り欠き62aを設けることにより、ネジ65をパージガス供給孔68よりも外側に設けることが可能となり、破損を防ぎつつ蓋体60の清浄化を図ることが可能となる。 FIG. 14 is an enlarged top view of FIG. As shown in FIG. 14, a notch 62a is formed outside the screw 65, and the outside of the screw 65 is exposed. This is because, as described with reference to FIG. 8, the screw 65 is arranged on the outer peripheral side of the quartz plate 62 in order to supply the purge gas to the screw 65. Cracks may occur on the outside of 62 and may be damaged. In order to avoid such breakage, a notch 62 a is provided in the quartz plate 62 outside the screw 65 to release the stress of the screw 65. Thus, by providing the notch 62a outside the screw 65, the screw 65 can be provided outside the purge gas supply hole 68, and the lid 60 can be cleaned while preventing damage. Become.
図15及び図16は、本実施形態に係る蓋体60の振動抑制のための構成について説明するための図である。図6乃至図14において、パージガスの供給により、蓋体60への副生成物の付着を防止する構成について説明したが、パージガスの流量を増加させた場合、パージガスの供給圧力の影響により、石英板62に振動が発生する懸念が生じる。そのような場合、弾性体をネジ65の周囲、つまりネジ65とネジ孔66との間に配置することにより、振動の発生を抑制することができる。 FIG. 15 and FIG. 16 are diagrams for explaining a configuration for suppressing vibration of the lid 60 according to the present embodiment. 6 to 14, the configuration in which by-products are prevented from adhering to the lid 60 by supplying the purge gas has been described. However, when the flow rate of the purge gas is increased, the quartz plate is affected by the supply pressure of the purge gas. There is a concern that vibration will occur at 62. In such a case, the generation of vibration can be suppressed by disposing the elastic body around the screw 65, that is, between the screw 65 and the screw hole 66.
図15は、本発明の実施形態に係る蓋体60の振動抑制構成の一例を示した斜視図である。図15(a)は、振動抑制構成採用前の斜視図であり、図15(b)は、振動抑制構成を採用した斜視図である。図15(b)に示すように、弾性体からなるフッ素ゴムシート75をネジ65の周囲に配置することにより、振動を吸収し、抑制することができる。フッ素ゴムシートは、ゴム等の弾性体からなる帯状のリングであり、O−リング等と同様の機能を有する。 FIG. 15 is a perspective view illustrating an example of the vibration suppressing configuration of the lid 60 according to the embodiment of the present invention. FIG. 15A is a perspective view before adopting the vibration suppression configuration, and FIG. 15B is a perspective view adopting the vibration suppression configuration. As shown in FIG. 15B, the vibration can be absorbed and suppressed by disposing the fluorine rubber sheet 75 made of an elastic body around the screw 65. The fluoro rubber sheet is a band-like ring made of an elastic material such as rubber, and has the same function as an O-ring or the like.
図16は、本発明の実施形態に係る蓋体60の振動抑制構成の一例を示した断面図である。図16(a)は、振動抑制構成採用前の断面図であり、図16(b)は、振動抑制構成を採用した断面図である。図16(b)に示すように、弾性体からなるフッ素ゴムシート75をネジ65とネジ孔66との間の空間に配置することにより、振動を吸収し、抑制することができる。 FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating an example of the vibration suppressing configuration of the lid 60 according to the embodiment of the present invention. FIG. 16A is a cross-sectional view before adopting the vibration suppression configuration, and FIG. 16B is a cross-sectional view using the vibration suppression configuration. As shown in FIG. 16B, the vibration can be absorbed and suppressed by disposing the fluororubber sheet 75 made of an elastic body in the space between the screw 65 and the screw hole 66.
なお、フッ素ゴムシート75を設けても、隙間71を維持することができ、パージガスのパージガス供給孔68からの供給により、ネジ65のパージはそのまま行うことができる。よって、清浄度を維持したまま、振動の抑制を図ることが可能である。 Even if the fluoro rubber sheet 75 is provided, the gap 71 can be maintained, and the supply of the purge gas from the purge gas supply hole 68 allows the screw 65 to be directly purged. Therefore, it is possible to suppress the vibration while maintaining the cleanliness.
図17は、本発明の実施形態に係る蓋体60の一例の全体構成を示した図である。図17に示されるように、金属板61の下方には冷却路63が形成され、最外周にはO−リング64が配置されている。そして、金属板61の裏面側には、パージガス供給管73が設けられ、副生成物の付着をパージガスで抑制できる構成となっている。また、金属板61の上には石英板62が設置され、石英板62はネジ65で金属板61に固定されている。そして、ネジ65よりも内側の金属板61の内部には、バッファ領域72が設けられ、パージガス供給管73が接続されている。パージガス供給管73は、図示しないパージガス供給源に接続されている。バッファ領域72の上方には、カバー部材67が設けられ、ネジ69で固定されている。カバー部材67にはパージガス供給孔68が形成され、ネジ65よりも内側から外側に向かって、石英板62の底面に沿ってパージガスの供給が可能な構成となっている。かかる構成により、副生成物が石英板62と金属板61との間に付着することを防止することができる。また、必要に応じて、石英板62のネジ65の外側の部分に切り欠き62aを設けたり、ネジ65とネジ孔66との間に弾性体を設け、石英板62の破損や振動を防止したりする構成としてもよい。 FIG. 17 is a diagram showing the entire configuration of an example of the lid 60 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 17, a cooling path 63 is formed below the metal plate 61, and an O-ring 64 is arranged on the outermost periphery. In addition, a purge gas supply pipe 73 is provided on the back side of the metal plate 61, so that the adhesion of by-products can be suppressed by the purge gas. A quartz plate 62 is provided on the metal plate 61, and the quartz plate 62 is fixed to the metal plate 61 with screws 65. A buffer region 72 is provided inside the metal plate 61 inside the screw 65, and a purge gas supply pipe 73 is connected to the buffer region 72. The purge gas supply pipe 73 is connected to a purge gas supply source (not shown). A cover member 67 is provided above the buffer area 72 and is fixed with screws 69. A purge gas supply hole 68 is formed in the cover member 67 so that the purge gas can be supplied along the bottom surface of the quartz plate 62 from inside to outside of the screw 65. With this configuration, it is possible to prevent by-products from adhering between the quartz plate 62 and the metal plate 61. Further, if necessary, a notch 62a is provided in a portion of the quartz plate 62 outside the screw 65, or an elastic body is provided between the screw 65 and the screw hole 66 to prevent breakage and vibration of the quartz plate 62. Or a configuration in which
図18は、パージガス供給管73にガス加熱器74を設ける構成について説明するための図である。副生成物は、蓋体60が低温になると発生し易くなるため、副生成物の発生を更に効果的に防止すべく、パージガス供給管73にガス加熱器74を設ける構成としてもよい。この場合、ガス加熱器74は、パージガス供給管73の任意の箇所に設けることができ、図示しないパージガス供給源と蓋体60付近のパージガス供給管73との間の所望の位置に設けることができる。 FIG. 18 is a diagram for describing a configuration in which a gas heater 74 is provided in the purge gas supply pipe 73. By-products are likely to be generated when the temperature of the lid 60 is low. Therefore, a gas heater 74 may be provided in the purge gas supply pipe 73 in order to more effectively prevent the generation of by-products. In this case, the gas heater 74 can be provided at an arbitrary position of the purge gas supply pipe 73, and can be provided at a desired position between a purge gas supply source (not shown) and the purge gas supply pipe 73 near the lid 60. .
このように、本実施形態に係る蓋体60によれば、副生成物の付着を効果的に防止することができる。また、本実施形態においては、基板処理装置、特に縦型熱処理装置の蓋体に適用する例を挙げて説明したが、副生成物の付着の防止が必要な種々の用途に利用することができる。 As described above, according to the lid 60 according to the present embodiment, adhesion of by-products can be effectively prevented. Further, in the present embodiment, an example in which the present invention is applied to the lid of a substrate processing apparatus, particularly a vertical heat treatment apparatus, has been described. However, the present invention can be used for various applications that require prevention of adhesion of by-products. .
以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。 As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described in detail. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions may be made to the above-described embodiments without departing from the scope of the present invention. Can be added.
2 熱処理炉
3A、3B ウエハボート
41 ボートエレベータ
6 蓋体開閉機構
60 蓋体
61 金属板
62 石英板
62a 切り欠き
65 ネジ
66 ネジ孔
68 パージガス供給孔
70 吹き出し隙間
71 隙間
72 バッファ領域
73 ガス供給管
74 ガス加熱機構
75 フッ素ゴムシート
W 半導体ウエハ
C FOUP
2 Heat Treatment Furnace 3A, 3B Wafer Boat 41 Boat Elevator 6 Lid Opening / Closing Mechanism 60 Lid 61 Metal Plate 62 Quartz Plate 62a Notch 65 Screw 66 Screw Hole 68 Purge Gas Supply Hole 70 Blowout Gap 71 Gap 72 Buffer Area 73 Gas Supply Pipe 74 Gas heating mechanism 75 Fluororubber sheet W Semiconductor wafer C FOUP
Claims (10)
該金属板上に設置された石英板と、
前記石英板を貫通し、前記金属板の所定深さまで設けられたネジ孔と、
該ネジ孔に挿入され、前記石英板を前記金属板に固定するネジと、
上面視にて該ネジよりも内側に設けられ、前記石英板と前記金属板との間の隙間にパージガスの供給が可能なように、前記金属板の内部から前記石英板の底面に向かってパージガスを供給可能なパージガス供給孔が形成された前記金属板に固定されるカバー部材と、
前記カバー部材が前記金属板に嵌め込まれることで前記カバー部材の下方に形成されるバッファ領域と、
該バッファ領域に接続され、該バッファ領域に前記パージガスを供給するパージガス供給管と、を有する蓋体。 A metal plate,
A quartz plate installed on the metal plate,
A screw hole penetrating the quartz plate and provided to a predetermined depth of the metal plate,
A screw inserted into the screw hole and fixing the quartz plate to the metal plate;
The purge gas is provided from the inside of the metal plate toward the bottom surface of the quartz plate so that the purge gas is provided inside the screw when viewed from above and is supplied to a gap between the quartz plate and the metal plate. A cover member fixed to the metal plate formed with a purge gas supply hole capable of supplying
A buffer region formed below the cover member by the cover member being fitted into the metal plate;
A purge gas supply pipe connected to the buffer area and supplying the purge gas to the buffer area .
前記パージガス供給孔よりも外側では前記石英板と前記金属板との間に前記隙間と連設された第2の隙間が設けられ、前記パージガスは前記パージガス供給孔から外側に向かって流れるように誘導される請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蓋体。 At a predetermined position inside the purge gas supply hole, the quartz plate and the metal plate are in close contact with each other,
Outside the purge gas supply hole, a second gap connected to the gap is provided between the quartz plate and the metal plate, and the purge gas is guided to flow outward from the purge gas supply hole. The lid according to any one of claims 1 to 3, wherein the lid is formed.
前記パージガス供給孔は、前記ネジよりも多く設けられ、
前記石英板の中心と前記ネジとを結ぶ直線上に設けられた前記パージガス供給孔を含む請求項1乃至7のいずれか一項に記載された蓋体。 The screw is provided in plurality,
The purge gas supply hole is provided more than the screw,
The lid according to any one of claims 1 to 7, comprising the purge gas supply hole provided on a straight line connecting the center of the quartz plate and the screw.
所定の開口部を介して該基板保持具に保持された前記複数の基板を収容し、所定の基板処理が可能な基板処理容器と、
該基板処理容器に前記基板保持具が収容されていないときに、前記所定の開口部を塞ぐ請求項1乃至8のいずれか一項に記載された蓋体と、を有する基板処理装置。 A substrate holder capable of holding a plurality of substrates at predetermined intervals in the vertical direction,
A substrate processing container that accommodates the plurality of substrates held by the substrate holder through a predetermined opening and that can perform predetermined substrate processing,
A substrate processing apparatus comprising: the lid according to claim 1, wherein the predetermined opening is closed when the substrate holder is not stored in the substrate processing container.
前記所定の基板処理は熱処理であり、
前記蓋体は、前記底部より下方の高さに旋回移動可能に支持されている請求項9に記載の基板処理装置。 The predetermined opening is provided at a bottom of the substrate processing container,
The predetermined substrate processing is a heat treatment,
The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the lid is pivotally supported at a height below the bottom.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016152914A JP6675948B2 (en) | 2016-08-03 | 2016-08-03 | Lid and substrate processing apparatus using the same |
KR1020170096746A KR102171647B1 (en) | 2016-08-03 | 2017-07-31 | Lid member and substrate processing apparatus using the same |
CN201710651619.2A CN107689336B (en) | 2016-08-03 | 2017-08-02 | Cover and substrate processing apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016152914A JP6675948B2 (en) | 2016-08-03 | 2016-08-03 | Lid and substrate processing apparatus using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018022773A JP2018022773A (en) | 2018-02-08 |
JP6675948B2 true JP6675948B2 (en) | 2020-04-08 |
Family
ID=61152475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016152914A Active JP6675948B2 (en) | 2016-08-03 | 2016-08-03 | Lid and substrate processing apparatus using the same |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6675948B2 (en) |
KR (1) | KR102171647B1 (en) |
CN (1) | CN107689336B (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7344942B2 (en) * | 2021-09-24 | 2023-09-14 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing equipment, cleaning method, semiconductor device manufacturing method and program |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56144415U (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-31 | ||
JPH09289173A (en) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Tokyo Electron Ltd | Vertical thermal treatment equipment |
JP4361668B2 (en) * | 2000-06-22 | 2009-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment apparatus and method |
JP3881567B2 (en) * | 2002-03-05 | 2007-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment boat and vertical heat treatment apparatus |
JP2005093489A (en) | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing equipment |
JP2012204645A (en) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | Lid opening/closing device |
JP5724713B2 (en) * | 2011-07-22 | 2015-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment equipment |
-
2016
- 2016-08-03 JP JP2016152914A patent/JP6675948B2/en active Active
-
2017
- 2017-07-31 KR KR1020170096746A patent/KR102171647B1/en active Active
- 2017-08-02 CN CN201710651619.2A patent/CN107689336B/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107689336B (en) | 2022-05-27 |
KR102171647B1 (en) | 2020-10-29 |
CN107689336A (en) | 2018-02-13 |
JP2018022773A (en) | 2018-02-08 |
KR20180015583A (en) | 2018-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5109376B2 (en) | Heating device, heating method and storage medium | |
TWI500105B (en) | Lid opening and closing device | |
JP4763841B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
KR100668585B1 (en) | Bell type heat treatment device | |
US11189511B2 (en) | Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs | |
US11749537B2 (en) | Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating equipment front end modules | |
JP2019062194A (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and program | |
TW201736068A (en) | Substrate processing apparatus method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium | |
JP4498362B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP2022505397A (en) | Side storage pod, electronic device processing system and how to operate it | |
US9818630B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JPWO2017163376A1 (en) | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and recording medium | |
TW201724393A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5724713B2 (en) | Heat treatment equipment | |
JP6675948B2 (en) | Lid and substrate processing apparatus using the same | |
JP2015142016A (en) | substrate processing apparatus | |
JP2015167240A (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP7126425B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE LOADING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
JP6789171B2 (en) | Substrate processing equipment, particle coating method in processing gas nozzle and substrate processing method | |
KR102378336B1 (en) | Bake apparatus and bake method | |
JP2009224457A (en) | Substrate treating apparatus | |
JP2005347667A (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
JP7358576B1 (en) | Film deposition equipment and method for manufacturing film-coated wafers | |
JP7286847B1 (en) | Film forming apparatus and film-coated wafer manufacturing method | |
JP6880913B2 (en) | Substrate processing equipment, substrate processing method and storage medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170620 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200311 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6675948 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |