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JP6658508B2 - Epoxy resin composition and capacitance type fingerprint sensor - Google Patents

Epoxy resin composition and capacitance type fingerprint sensor Download PDF

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JP6658508B2
JP6658508B2 JP2016510292A JP2016510292A JP6658508B2 JP 6658508 B2 JP6658508 B2 JP 6658508B2 JP 2016510292 A JP2016510292 A JP 2016510292A JP 2016510292 A JP2016510292 A JP 2016510292A JP 6658508 B2 JP6658508 B2 JP 6658508B2
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裕貴 野嵜
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昌治 伊東
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Description

本発明は、エポキシ樹脂組成物および静電容量型指紋センサーに関する。   The present invention relates to an epoxy resin composition and a capacitance type fingerprint sensor.

指紋センサーについては、様々な技術が検討されている。たとえば特許文献1では、静電容量方式によって指紋情報を検出する半導体指紋センサーについて検討されている。
特許文献1には、シリコンなどの基板上に、層間膜を介して、電極がアレイ状に配置され、その上面を絶縁膜でオーバーコートした指紋読み取りセンサーが記載されている。
Various technologies are being studied for fingerprint sensors. For example, Patent Document 1 discusses a semiconductor fingerprint sensor that detects fingerprint information by a capacitance method.
Patent Document 1 describes a fingerprint reading sensor in which electrodes are arranged in an array on a substrate such as silicon via an interlayer film, and the upper surface thereof is overcoated with an insulating film.

特開2004−234245号公報JP 2004-234245 A

基板と、上記基板上に設けられた検出電極と、上記検出電極を封止する絶縁膜と、を備える静電容量型指紋センサーについて、その感度を向上させることが求められている。   It is required to improve the sensitivity of a capacitance type fingerprint sensor including a substrate, a detection electrode provided on the substrate, and an insulating film for sealing the detection electrode.

本発明によれば、
基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する前記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂(A)と、
無機充填剤(B)と、
硬化剤(C)と、
を含み、
前記無機充填材(B)が、当該エポキシ樹脂組成物全体に対して、50質量%以上97質量%以下の量であり、
前記無機充填材(B)が、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される少なくとも種と、シリカ粒子とを含む、
エポキシ樹脂組成物が提供される。
According to the present invention,
Board and
A detection electrode provided on the substrate,
An insulating film for sealing the detection electrode,
An epoxy resin composition used for forming the insulating film constituting a capacitance type fingerprint sensor comprising:
Epoxy resin (A),
An inorganic filler (B),
A curing agent (C),
Including
The amount of the inorganic filler (B) is 50% by mass or more and 97% by mass or less with respect to the entire epoxy resin composition;
Wherein the inorganic filler (B) comprises at least one kind selected from titanium oxide and barium titanate, and silica particles,
An epoxy resin composition is provided.

また、本発明によれば、
基板と、
上記基板上に設けられた検出電極と、
上記検出電極を封止し、かつ、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーが提供される。
According to the present invention,
Board and
A detection electrode provided on the substrate,
Sealing the detection electrode, and an insulating film formed of a cured product of the epoxy resin composition,
A capacitive fingerprint sensor comprising:

本発明によれば、静電容量型指紋センサーの感度を向上させることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the sensitivity of a capacitance-type fingerprint sensor can be improved.

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。   The above and other objects, features and advantages will become more apparent from the preferred embodiments described below and the accompanying drawings.

本実施形態に係る静電容量型指紋センサーを模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating a capacitance type fingerprint sensor according to an embodiment.

以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

図1は、本実施形態に係る静電容量型指紋センサー100を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る静電容量型指紋センサー100は、基板101と、基板101上に設けられた検出電極103と、検出電極103を封止する絶縁膜105と、を備えている。絶縁膜105は、エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されている。また、上記エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A)と、無機充填剤(B)と、を含む。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a capacitance type fingerprint sensor 100 according to the present embodiment.
The capacitance type fingerprint sensor 100 according to the present embodiment includes a substrate 101, a detection electrode 103 provided on the substrate 101, and an insulating film 105 sealing the detection electrode 103. The insulating film 105 is formed of a cured product of an epoxy resin composition. Further, the epoxy resin composition contains an epoxy resin (A) and an inorganic filler (B).

本発明者は、検出電極を封止する絶縁膜を、エポキシ樹脂(A)と、無機充填剤(B)とを含むエポキシ樹脂組成物の硬化物によって構成することにより、静電容量型指紋センサーの感度を向上させることができることを新たに知見し、本実施形態の構成に至った。
本実施形態によれば、検出電極103を封止する絶縁膜105は、エポキシ樹脂(A)と、無機充填剤(B)と、を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物により構成される。このような硬化物は誘電特性に優れている。このため、静電容量型指紋センサー100の感度を向上させることができる。ここで、本実施形態において、誘電特性に優れるとは、たとえば、比誘電率および誘電正接が高く、静電容量が大きいことを意味する。
The present inventor provides a capacitance type fingerprint sensor by forming an insulating film for sealing a detection electrode with a cured product of an epoxy resin composition containing an epoxy resin (A) and an inorganic filler (B). Has newly found that the sensitivity of the present invention can be improved, and has arrived at the configuration of the present embodiment.
According to the present embodiment, the insulating film 105 for sealing the detection electrode 103 is made of a cured product of the epoxy resin composition containing the epoxy resin (A) and the inorganic filler (B). Such a cured product has excellent dielectric properties. Therefore, the sensitivity of the capacitance type fingerprint sensor 100 can be improved. Here, in the present embodiment, “excellent in dielectric properties” means that, for example, the relative dielectric constant and the dielectric loss tangent are high, and the capacitance is large.

以下、本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物について詳細に説明する。
エポキシ樹脂組成物は、基板101上に設けられた検出電極103を封止する絶縁膜105を形成するために用いられる。エポキシ樹脂組成物を用いた封止成形は、とくに限定されないが、たとえばトランスファー成形法、または圧縮成形法により行うことができる。エポキシ樹脂組成物は、たとえばタブレット状または粉粒体である。エポキシ樹脂組成物がタブレット状である場合、たとえばトランスファー成形法を用いてエポキシ樹脂組成物を成形することができる。また、エポキシ樹脂組成物が粉粒体である場合には、たとえば圧縮成形法を用いてエポキシ樹脂組成物を成形することができる。エポキシ樹脂組成物が粉粒体であるとは、粉末状または顆粒状のいずれかである場合を指す。
Hereinafter, the epoxy resin composition according to the present embodiment will be described in detail.
The epoxy resin composition is used to form an insulating film 105 that seals the detection electrode 103 provided on the substrate 101. The sealing molding using the epoxy resin composition is not particularly limited, but can be performed by, for example, a transfer molding method or a compression molding method. The epoxy resin composition is, for example, in the form of a tablet or powder. When the epoxy resin composition is in the form of a tablet, the epoxy resin composition can be molded using, for example, a transfer molding method. When the epoxy resin composition is a granular material, the epoxy resin composition can be molded by, for example, a compression molding method. The phrase “the epoxy resin composition is in the form of a powder” refers to a case where the epoxy resin composition is in a powdery or granular form.

(エポキシ樹脂(A))
エポキシ樹脂(A)としては、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。
本実施形態において、エポキシ樹脂(A)としては、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂;スチルベン型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂;フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂;ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの2量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂が挙げられ、これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。
これらのうち、耐湿信頼性と成形性のバランスを向上させる観点からは、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、およびトリフェノールメタン型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含むことがより好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂およびフェノールアラルキル型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがとくに好ましい。
(Epoxy resin (A))
As the epoxy resin (A), all monomers, oligomers and polymers having two or more epoxy groups in one molecule can be used, and the molecular weight and molecular structure are not particularly limited.
In the present embodiment, as the epoxy resin (A), for example, a biphenyl type epoxy resin; a bisphenol type epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a tetramethyl bisphenol F type epoxy resin; a stilbene type epoxy resin; Novolak type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin; polyfunctional epoxy resins such as triphenolmethane type epoxy resin and alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin; phenol aralkyl type epoxy resin having a phenylene skeleton; Aralkyl-type epoxy resins such as phenol-aralkyl-type epoxy resins having a biphenylene skeleton; dihydroxynaphthalene-type epoxy resins, dimer of dihydroxynaphthalene Naphthol type epoxy resin such as epoxy resin obtained by glycidyl etherification of epoxy resin; triazine nucleus containing epoxy resin such as triglycidyl isocyanurate and monoallyl diglycidyl isocyanurate; bridged cyclic hydrocarbon such as dicyclopentadiene-modified phenol type epoxy resin Compound-modified phenolic epoxy resins may be mentioned, and these may be used alone or in combination of two or more.
Among these, from the viewpoint of improving the balance between moisture resistance reliability and moldability, bisphenol-type epoxy resins, novolak-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, phenol-aralkyl-type epoxy resins, and triphenolmethane-type epoxy resins It is more preferable to include at least one, and particularly preferable to include at least one of a biphenyl type epoxy resin and a phenol aralkyl type epoxy resin.

エポキシ樹脂(A)としては、下記式(1)で表されるエポキシ樹脂、下記式(2)で表されるエポキシ樹脂、および下記式(3)で表されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも1種を含有するものを用いることがとくに好ましい。   The epoxy resin (A) is selected from the group consisting of an epoxy resin represented by the following formula (1), an epoxy resin represented by the following formula (2), and an epoxy resin represented by the following formula (3). It is particularly preferable to use one containing at least one of the following.

Figure 0006658508
(式(1)中、Arはフェニレン基またはナフチレン基を表し、Arがナフチレン基の場合、グリシジルエーテル基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Arはフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基のうちのいずれか1つの基を表す。RおよびRは、それぞれ独立に炭素数1〜10の炭化水素基を表す。gは0〜5の整数であり、hは0〜8の整数である。nは重合度を表し、その平均値は1〜3である)
Figure 0006658508
(In the formula (1), Ar 1 represents a phenylene group or a naphthylene group. When Ar 1 is a naphthylene group, the glycidyl ether group may be bonded to either the α-position or the β-position. Ar 2 is a phenylene group. , A biphenylene group or a naphthylene group, wherein R a and R b each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, g is an integer of 0 to 5, and h Is an integer of 0 to 8. n3 represents the degree of polymerization, and the average value is 1 to 3. )

Figure 0006658508
(式(2)中、複数存在するRは、それぞれ独立に水素原子または炭素数1〜4の炭化水素基を表す。nは重合度を表し、その平均値は0〜4である)
Figure 0006658508
(In the formula (2), a plurality of R c independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. N 5 represents a degree of polymerization, and the average value thereof is 0 to 4)

Figure 0006658508
(式(3)中、複数存在するRおよびRは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜4の炭化水素基を表す。nは重合度を表し、その平均値は0〜4である)
Figure 0006658508
(In formula (3), a plurality of R d and R e independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. N 6 represents a degree of polymerization, and the average value thereof is 0 to 4 Is)

本実施形態において、エポキシ樹脂組成物中におけるエポキシ樹脂(A)の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体を100質量%としたとき、2質量%以上であることが好ましく、3質量%以上であることがより好ましく、4質量%以上であることがとくに好ましい。エポキシ樹脂(A)の含有量を上記下限値以上とすることにより、成形時において、十分な流動性を実現し、充填性や成形性の向上を図ることができる。
一方で、エポキシ樹脂組成物中におけるエポキシ樹脂(A)の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体を100質量%としたとき、30質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがとくに好ましい。エポキシ樹脂(A)の含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の硬化物を絶縁膜105として用いる静電容量型指紋センサー100について、耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。
In this embodiment, the content of the epoxy resin (A) in the epoxy resin composition is preferably 2% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more when the entire epoxy resin composition is 100% by mass. It is more preferable that the content be 4% by mass or more. By setting the content of the epoxy resin (A) to the above lower limit or more, sufficient fluidity can be realized at the time of molding, and the filling property and moldability can be improved.
On the other hand, the content of the epoxy resin (A) in the epoxy resin composition is preferably 30% by mass or less, and more preferably 20% by mass or less, when the entire epoxy resin composition is 100% by mass. It is more preferable that the content be 10% by mass or less. By setting the content of the epoxy resin (A) to the above upper limit or less, the moisture resistance reliability and the reflow resistance of the capacitance type fingerprint sensor 100 using the cured product of the epoxy resin composition as the insulating film 105 are improved. be able to.

(無機充填剤(B))
無機充填剤(B)の構成材料としては、とくに限定されないが、たとえば酸化チタン、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、チタン酸バリウム、シリカ、アルミナ、カオリン、タルク、クレイ、マイカ、ロックウール、ウォラストナイト、ガラスパウダー、ガラスフレーク、ガラスビーズ、ガラスファイバー、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミ、カーボンブラック、グラファイト、二酸化チタン、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、硫酸マグネシウム、硫酸バリウム、セルロース、アラミド、木材、またはフェノール樹脂成形材料やエポキシ樹脂成形材料の硬化物を粉砕した粉砕粉等が挙げられ、これらのうちいずれか1種以上を使用できる。
これらの中でも、比誘電率(1MHz)が5以上の無機充填剤であることが好ましく、得られるエポキシ樹脂組成物の硬化体の比誘電率を特に向上できる観点から、酸化チタン、アルミナ、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、チタン酸バリウムから選択される一種または二種以上を用いることがより好ましく、アルミナ、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上を用いることがさらに好ましく、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上を用いることがさらに好ましく、樹脂の酸化劣化を抑制する観点から、ルチル型の酸化チタンを用いることがとくに好ましい。
(Inorganic filler (B))
The constituent material of the inorganic filler (B) is not particularly limited. For example, titanium oxide, tantalum pentoxide, niobium pentoxide, barium titanate, silica, alumina, kaolin, talc, clay, mica, rock wool, wollast Knight, glass powder, glass flake, glass beads, glass fiber, silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, carbon black, graphite, titanium dioxide, calcium carbonate, calcium sulfate, barium carbonate, magnesium carbonate, magnesium sulfate, barium sulfate, cellulose , Aramid, wood, or pulverized powder obtained by pulverizing a cured product of a phenol resin molding material or an epoxy resin molding material, and any one or more of these can be used.
Among these, inorganic fillers having a relative dielectric constant (1 MHz) of preferably 5 or more are preferable, and titanium oxide, alumina, pentoxide, and the like can be particularly improved from the viewpoint of improving the relative dielectric constant of a cured product of the obtained epoxy resin composition. It is more preferable to use one or more selected from tantalum, niobium pentoxide, barium titanate, and it is more preferable to use one or more selected from alumina, titanium oxide and barium titanate, It is more preferable to use one or two or more selected from titanium and barium titanate. From the viewpoint of suppressing the oxidative deterioration of the resin, it is particularly preferable to use rutile type titanium oxide.

本実施形態において、エポキシ樹脂組成物中における無機充填剤(B)の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体を100質量%としたとき、エポキシ樹脂組成物全体に対して50質量%以上であることが好ましく、70質量%以上であることがより好ましく、80質量%以上であることが特に好ましい。無機充填剤(B)の含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー100の感度をより一層向上させることができる。
一方で、エポキシ樹脂組成物中における無機充填剤(B)の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体を100質量%としたとき、97質量%以下であることが好ましく、95質量%以下であることがより好ましい。無機充填剤(B)の含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の成形時における流動性や充填性をより効果的に向上させることが可能となる。
In the present embodiment, the content of the inorganic filler (B) in the epoxy resin composition is 50% by mass or more based on the entire epoxy resin composition, when the entire epoxy resin composition is 100% by mass. Is preferably 70% by mass or more, and particularly preferably 80% by mass or more. By setting the content of the inorganic filler (B) to the above lower limit or more, the dielectric properties of the epoxy resin composition can be further improved, and the sensitivity of the capacitance type fingerprint sensor 100 can be further improved.
On the other hand, the content of the inorganic filler (B) in the epoxy resin composition is preferably 97% by mass or less, and more preferably 95% by mass or less when the entire epoxy resin composition is 100% by mass. Is more preferred. When the content of the inorganic filler (B) is equal to or less than the above upper limit, it is possible to more effectively improve the fluidity and the filling property during molding of the epoxy resin composition.

無機充填剤(B)の平均粒径D50は、0.01μm以上50μm以下であることが好ましく、0.1μm以上30μm以下であることがより好ましい。平均粒径D50を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。また、平均粒径D50を上記上限値以下とすることにより、ゲート詰まり等が生じることを確実に抑制できる。また、指紋センサーの感度を向上させるために、基板101(例えば、シリコンチップ)上の絶縁膜105の厚みDを50μm以下のような薄いものにした場合、エポキシ樹脂組成物の未充填不良を抑制するために、無機充填剤(B)の平均粒径D50は10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。なお、平均粒径D50は、市販のレーザー式粒度分布計(たとえば、(株)島津製作所製、SALD−7000)を用いて、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径(D50)を平均粒径D50とすることができる。The average particle diameter D 50 of the inorganic filler (B) is preferably 0.01μm or more 50μm or less, more preferably 0.1μm or 30μm or less. By the average particle diameter D 50 of less than the above lower limit, the fluidity of the epoxy resin composition is made excellent, it is possible to improve the formability more effectively. Further, by the average particle diameter D 50 and more than the above upper limit can reliably prevent the gate clogging occurs. In addition, when the thickness D of the insulating film 105 on the substrate 101 (for example, a silicon chip) is made as thin as 50 μm or less to improve the sensitivity of the fingerprint sensor, unfilling failure of the epoxy resin composition is suppressed. to, it is preferable that the average particle size D 50 of the inorganic filler (B) is 10μm or less, more preferably 5μm or less. The average particle diameter D 50 is a commercially available laser particle size distribution analyzer (e.g., manufactured by Shimadzu Corporation, SALD-7000) was used to measure the particle size distribution of the particles on a volume basis, the median diameter (D 50 ) can be taken as the average particle size D 50 .

酸化チタンは、当業者にて公知のものを用いることができる。
無機充填剤(B)中における酸化チタンの含有量は、とくに限定されないが、たとえば無機充填剤(B)全体に対して、1質量%以上100質量%以下であることが好ましく、2質量%以上80質量%以下であることがより好ましく、5質量%以上50質量%以下であることがとくに好ましい。
酸化チタンの含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー100の感度をより一層向上させることができる。また、酸化チタンの含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。
酸化チタンの平均粒径D50は、0.01μm以上20μm以下であることが好ましく、0.1μm以上15μm以下であることがより好ましい。平均粒径D50を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。また、平均粒径D50を上記上限値以下とすることにより、ゲート詰まり等が生じることを確実に抑制できる。また、指紋センサーの感度を向上させるために、基板101(例えば、シリコンチップ)上の絶縁膜105の厚みDを50μm以下のような薄いものにした場合、エポキシ樹脂組成物の未充填不良を抑制するために、酸化チタンの平均粒径D50は10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。
As the titanium oxide, those known to those skilled in the art can be used.
The content of titanium oxide in the inorganic filler (B) is not particularly limited, but is, for example, preferably 1% by mass or more and 100% by mass or less, and more preferably 2% by mass or more based on the entire inorganic filler (B). The content is more preferably 80% by mass or less, particularly preferably 5% by mass or more and 50% by mass or less.
When the content of titanium oxide is equal to or more than the lower limit, the dielectric properties of the epoxy resin composition can be further improved, and the sensitivity of the capacitance fingerprint sensor 100 can be further improved. When the content of the titanium oxide is equal to or less than the upper limit, the fluidity of the epoxy resin composition can be improved, and the moldability can be more effectively improved.
The average particle diameter D 50 of the titanium oxide is preferably 0.01μm or more 20μm or less, more preferably 0.1μm or 15μm or less. By the average particle diameter D 50 of less than the above lower limit, the fluidity of the epoxy resin composition is made excellent, it is possible to improve the formability more effectively. Further, by the average particle diameter D 50 and more than the above upper limit can reliably prevent the gate clogging occurs. In addition, when the thickness D of the insulating film 105 on the substrate 101 (for example, a silicon chip) is made as thin as 50 μm or less to improve the sensitivity of the fingerprint sensor, unfilling failure of the epoxy resin composition is suppressed. to an average particle diameter D 50 of titanium oxide is preferably 10μm or less, more preferably 5μm or less.

チタン酸バリウムは、当業者にて公知のものを用いることができる。
無機充填剤(B)中におけるチタン酸バリウムの含有量は、とくに限定されないが、たとえば無機充填剤(B)全体に対して、10質量%以上100質量%以下であることが好ましく、25質量%以上90質量%以下であることがより好ましく、40質量%以上75質量%以下であることがとくに好ましい。
チタン酸バリウムの含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー100の感度をより一層向上させることができる。また、チタン酸バリウムの含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。
チタン酸バリウムの平均粒径D50は、0.01μm以上20μm以下であることが好ましく、0.1μm以上15μm以下であることがより好ましい。平均粒径D50を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。また、平均粒径D50を上記上限値以下とすることにより、ゲート詰まり等が生じることを確実に抑制できる。また、指紋センサーの感度を向上させるために、基板101(例えば、シリコンチップ)上の絶縁膜105の厚みDを50μm以下のような薄いものにした場合、エポキシ樹脂組成物の未充填不良を抑制するために、チタン酸バリウムの平均粒径D50は10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。
As the barium titanate, those known to those skilled in the art can be used.
The content of barium titanate in the inorganic filler (B) is not particularly limited, but is preferably, for example, from 10% by mass to 100% by mass, and more preferably 25% by mass, based on the entire inorganic filler (B). The content is more preferably 90% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass or more and 75% by mass or less.
When the content of barium titanate is equal to or more than the above lower limit, the dielectric properties of the epoxy resin composition can be further improved, and the sensitivity of the capacitance type fingerprint sensor 100 can be further improved. When the content of barium titanate is not more than the above upper limit, the fluidity of the epoxy resin composition can be improved, and the moldability can be more effectively improved.
The average particle diameter D 50 of Barium titanate is preferably 0.01μm or more 20μm or less, more preferably 0.1μm or 15μm or less. By the average particle diameter D 50 of less than the above lower limit, the fluidity of the epoxy resin composition is made excellent, it is possible to improve the formability more effectively. Further, by the average particle diameter D 50 and more than the above upper limit can reliably prevent the gate clogging occurs. In addition, when the thickness D of the insulating film 105 on the substrate 101 (for example, a silicon chip) is made as thin as 50 μm or less to improve the sensitivity of the fingerprint sensor, unfilling failure of the epoxy resin composition is suppressed. to, it is preferable that the average particle size D 50 of barium titanate is 10μm or less, more preferably 5μm or less.

また、得られる指紋センサーの感度を向上させつつ、指紋センサーの反りを抑制する観点から、無機充填剤(B)は酸化チタン、アルミナ、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、チタン酸バリウムから選択される一種または二種以上の無機充填剤と、シリカとを併用することが好ましく、アルミナ、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上の無機充填剤と、とシリカ粒子とを併用することがより好ましく、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上の無機充填剤と、とシリカ粒子とを併用することが特に好ましい。
また、本実施形態においては、無機充填剤(B)が平均粒径1μm以下の微粉シリカを含むことが、エポキシ樹脂組成物の充填性を向上させる観点や、指紋センサーの反りを抑制する観点から、好ましい態様の一つとして挙げられる。
In addition, from the viewpoint of suppressing the warpage of the fingerprint sensor while improving the sensitivity of the obtained fingerprint sensor, the inorganic filler (B) is selected from titanium oxide, alumina, tantalum pentoxide, niobium pentoxide, and barium titanate. One or more inorganic fillers and silica are preferably used in combination, and one or more inorganic fillers selected from alumina, titanium oxide and barium titanate, and silica particles are used in combination. More preferably, it is particularly preferable to use one or more inorganic fillers selected from titanium oxide and barium titanate together with silica particles.
In the present embodiment, the inorganic filler (B) contains finely divided silica having an average particle diameter of 1 μm or less from the viewpoint of improving the filling property of the epoxy resin composition and suppressing the warpage of the fingerprint sensor. As one of preferred embodiments.

(硬化剤(C))
エポキシ樹脂組成物は、たとえば硬化剤(C)を含むことができる。硬化剤(C)としては、エポキシ樹脂(A)と反応して硬化させるものであればとくに限定されないが、たとえばエチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数2〜20の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルプロパン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノジシクロヘキサン、ビス(4−アミノフェニル)フェニルメタン、1,5−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミン類;アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂;フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、トリスフェノールメタン型フェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂;ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物等;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
(Curing agent (C))
The epoxy resin composition can include, for example, a curing agent (C). The curing agent (C) is not particularly limited as long as it cures by reacting with the epoxy resin (A). For example, the curing agent (C) has 2 to 20 carbon atoms such as ethylenediamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, and hexamethylenediamine. Linear aliphatic diamine, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, paraxylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenyl Sulfone, 4,4'-diaminodicyclohexane, bis (4-aminophenyl) phenylmethane, 1,5-diaminonaphthalene, metaxylenediamine, paraxylenediamine, 1,1-bis (4-aminophenyl) cyclohexane, dicyano Amid such as diamide Phenolic resins such as aniline-modified resole resins and dimethyl ether resole resins; phenol novolak resins, cresol novolak resins, tert-butylphenol novolak resins, nonylphenol novolak resins, and trisphenolmethane phenol novolak resins; Phenol aralkyl resins such as skeleton-containing phenol aralkyl resins and biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resins; phenol resins having a condensed polycyclic structure such as a naphthalene skeleton or an anthracene skeleton; polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene; hexahydrophthalic anhydride (HHPA) ), Alicyclic acid anhydrides such as methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA), trimellitic anhydride (TMA) , Pyromellitic anhydride (PMDA), benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA) and other acid anhydrides including aromatic acid anhydrides, etc .; polysulfides, thioesters, polymercaptan compounds such as thioethers; isocyanate prepolymers, blocked isocyanates, etc. Isocyanate compounds; and organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resins. These may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂組成物中における硬化剤(C)の含有量は、とくに限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂組成物全体を100質量%としたとき、0.5質量%以上20質量%以下であることが好ましく、1.5質量%以上20質量%以下であることがより好ましく、2質量%以上15質量%以下であることがさらに好ましく、2質量%以上10質量%以下であることがとくに好ましい。   The content of the curing agent (C) in the epoxy resin composition is not particularly limited, but may be, for example, 0.5% by mass or more and 20% by mass or less when the entire epoxy resin composition is 100% by mass. Preferably, the content is 1.5% by mass or more and 20% by mass or less, further preferably 2% by mass or more and 15% by mass or less, particularly preferably 2% by mass or more and 10% by mass or less.

(カップリング剤(D))
エポキシ樹脂組成物は、たとえばカップリング剤(D)を含むことができる。カップリング剤(D)としては、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム/ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を用いることができる。
これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−[ビス(β−ヒドロキシエチル)]アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(β−アミノエチル)アミノプロピルジメトキシメチルシラン、N−(トリメトキシシリルプロピル)エチレンジアミン、N−(ジメトキシメチルシリルイソプロピル)エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、N−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミンの加水分解物等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチル−アミノエチル)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート等のチタネート系カップリング剤が挙げられる。これらは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(Coupling agent (D))
The epoxy resin composition can include, for example, a coupling agent (D). Examples of the coupling agent (D) include known silane compounds such as epoxy silane, mercapto silane, amino silane, alkyl silane, ureido silane, and vinyl silane, titanium compounds, aluminum chelates, and aluminum / zirconium compounds. A ring agent can be used.
Examples thereof include vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxy. Silane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane , Vinyltriacetoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, γ-anilinopropylmethyldimethoxysilane, -[Bis (β-hydroxyethyl)] aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ- (β-aminoethyl) aminopropyldimethoxymethylsilane, N- (trimethoxysilylpropyl) ) Ethylenediamine, N- (dimethoxymethylsilylisopropyl) ethylenediamine, methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, methyltriethoxysilane, N-β- (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ- Chloropropyl trime Xysilane, hexamethyldisilane, vinyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl Silane coupling agents such as hydrolysates of -butylidene) propylamine, isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, isopropyl tri (N-aminoethyl-aminoethyl) titanate, tetraoctyl bis (ditriethyl) (Decyl phosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) Oxyacetate titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate, isopropyl trioctanoyl titanate, isopropyl dimethacryl isostearyl titanate, isopropyl tridodecyl benzenesulfonyl titanate, isopropyl isostearyl diacryl titanate, isopropyl tri (dioctyl phosphate) titanate, isopropyl tric Titanate coupling agents such as millphenyl titanate and tetraisopropyl bis (dioctyl phosphite) titanate. These may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂組成物中におけるカップリング剤(D)の含有量は、とくに限定されないが、たとえばエポキシ樹脂組成物全体を100質量%としたとき、0.01質量%以上3質量%以下であることが好ましく、0.1質量%以上2質量%以下であることがとくに好ましい。カップリング剤(D)の含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物中における無機充填剤(B)の分散性を良好なものとすることができる。また、カップリング剤(D)の含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性の向上を図ることができる。   The content of the coupling agent (D) in the epoxy resin composition is not particularly limited, but may be, for example, 0.01% by mass or more and 3% by mass or less when the entire epoxy resin composition is 100% by mass. It is particularly preferred that the content be 0.1% by mass or more and 2% by mass or less. By setting the content of the coupling agent (D) to the above lower limit or more, the dispersibility of the inorganic filler (B) in the epoxy resin composition can be improved. When the content of the coupling agent (D) is equal to or less than the above upper limit, the fluidity of the epoxy resin composition can be improved, and the moldability can be improved.

(その他の成分(E))
エポキシ樹脂組成物は、上記成分の他に、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、もしくはホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物、または1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7、イミダゾールなどのアミジン系化合物、ベンジルジメチルアミンなどの3級アミンや上記化合物の4級オニウム塩であるアミジニウム塩、もしくはアンモニウム塩などに代表される窒素原子含有化合物等の硬化促進剤;カーボンブラック等の着色剤;ポリブタジエン化合物、アクリロニトリルブタジエン共重合化合物、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤;シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤;ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤;水酸化アルミニウム等の難燃剤;酸化防止剤等の各種添加剤を含むことができる。
(Other components (E))
The epoxy resin composition contains, in addition to the above components, a phosphorus atom-containing compound such as an organic phosphine, a tetra-substituted phosphonium compound, a phosphobetaine compound, an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, or an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. Compounds or amidine compounds such as 1,8-diazabicyclo (5.4.0) undecene-7 and imidazole; tertiary amines such as benzyldimethylamine; and amidinium salts which are quaternary onium salts of the above compounds, or ammonium salts A curing accelerator such as a nitrogen atom-containing compound, etc .; a coloring agent such as carbon black; a polybutadiene compound, an acrylonitrile butadiene copolymer compound, a natural wax, a synthetic wax, a higher fatty acid or a metal salt thereof, paraffin, polyethylene oxide, and the like. Type agents; can contain various additives such as antioxidants; ion scavenger, such as hydrotalcite; flame retardants such as aluminum hydroxide silicone oil, low-stress agent such as silicone rubber.

エポキシ樹脂組成物の硬化体の1MHzにおける比誘電率(ε)は、好ましくは5以上であり、より好ましくは7以上であり、特に好ましくは8以上である。比誘電率(ε)が上記下限値以上であることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー100の感度をより一層向上させることができる。
エポキシ樹脂組成物がタブレット状である場合、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間300秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、直径50mm、厚さ3mmである。
また、エポキシ樹脂組成物が粉粒体である場合には、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力9.8MPa、硬化時間300秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、直径50mm、厚さ3mmである。
硬化体の比誘電率(ε)は、例えば、YOKOGAWA−HEWLETT PACKARD社製Q−METER 4342Aにより測定できる。
比誘電率(ε)の上限は特に限定されないが、例えば、300以下である。
The relative permittivity (ε r ) at 1 MHz of the cured product of the epoxy resin composition is preferably 5 or more, more preferably 7 or more, and particularly preferably 8 or more. When the relative dielectric constant (ε r ) is equal to or greater than the lower limit, the dielectric properties of the epoxy resin composition can be further improved, and the sensitivity of the capacitance fingerprint sensor 100 can be further improved.
When the epoxy resin composition is in the form of a tablet, the cured product of the epoxy resin composition is prepared, for example, using a transfer molding machine under the conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 300 seconds. It is obtained by injection molding of an epoxy resin composition. This cured product has, for example, a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm.
When the epoxy resin composition is a powder, the cured body of the epoxy resin composition is, for example, molded using a compression molding machine at a mold temperature of 175 ° C., a molding pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 300 seconds. It is obtained by injecting and molding the above epoxy resin composition under the following conditions. This cured product has, for example, a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm.
The relative dielectric constant (ε r ) of the cured product can be measured by, for example, Q-METER 4342A manufactured by YOKOGAWA-HEWLETT PACKARD.
The upper limit of the relative dielectric constant (ε r ) is not particularly limited, but is, for example, 300 or less.

また、エポキシ樹脂組成物の硬化体の1MHzにおける誘電正接(tanδ)は、好ましくは0.005以上であり、より好ましくは0.006以上であり、さらに好ましくは0.007以上である。
誘電正接(tanδ)が上記下限値以上であることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー100の感度をより一層向上させることができる。
エポキシ樹脂組成物がタブレット状である場合、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間300秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、直径50mm、厚さ3mmである。
また、エポキシ樹脂組成物が粉粒体である場合には、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力9.8MPa、硬化時間300秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、直径50mm、厚さ3mmである。
硬化体の誘電正接(tanδ)は、例えば、YOKOGAWA−HEWLETT PACKARD社製Q−METER 4342Aにより測定できる。
誘電正接(tanδ)の上限は特に限定されないが、例えば、0.07以下である。
The dielectric loss tangent (tan δ) at 1 MHz of the cured product of the epoxy resin composition is preferably 0.005 or more, more preferably 0.006 or more, and further preferably 0.007 or more.
When the dielectric loss tangent (tan δ) is equal to or more than the lower limit, the dielectric properties of the epoxy resin composition can be further improved, and the sensitivity of the capacitance type fingerprint sensor 100 can be further improved.
When the epoxy resin composition is in the form of a tablet, the cured product of the epoxy resin composition is prepared, for example, using a transfer molding machine under the conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 300 seconds. It is obtained by injection molding of an epoxy resin composition. This cured product has, for example, a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm.
When the epoxy resin composition is a powder, the cured body of the epoxy resin composition is, for example, molded using a compression molding machine at a mold temperature of 175 ° C., a molding pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 300 seconds. It is obtained by injecting and molding the above epoxy resin composition under the following conditions. This cured product has, for example, a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm.
The dielectric loss tangent (tan δ) of the cured product can be measured by, for example, Q-METER 4342A manufactured by YOKOGAWA-HEWLETT PACKARD.
The upper limit of the dielectric loss tangent (tan δ) is not particularly limited, but is, for example, 0.07 or less.

上記比誘電率(εr)および上記誘電正接(tanδ)は、エポキシ樹脂組成物を構成する各成分の種類や配合割合を適切に調節することにより制御することが可能である。本実施形態においては、とくに無機充填剤(B)の種類を適切に選択することが、上記比誘電率(εr)および上記誘電正接(tanδ)を制御するための因子として挙げられる。例えば、誘電率が大きい無機充填剤を多く使用するほど、エポキシ樹脂組成物の硬化体の上記比誘電率(εr)および上記誘電正接(tanδ)を向上させることができる。The relative dielectric constant (ε r ) and the dielectric loss tangent (tan δ) can be controlled by appropriately adjusting the types and mixing ratios of the components constituting the epoxy resin composition. In the present embodiment, in particular, appropriately selecting the type of the inorganic filler (B) can be cited as a factor for controlling the relative dielectric constant (ε r ) and the dielectric loss tangent (tan δ). For example, the more the inorganic filler having a large dielectric constant is used, the more the relative dielectric constant (ε r ) and the dielectric loss tangent (tan δ) of the cured product of the epoxy resin composition can be improved.

エポキシ樹脂組成物は、スパイラルフロー測定により測定される流動長が、たとえば30cm以上200cm以下であることが好ましく、40cm以上150cm以下であることがより好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の成形性の向上を図ることができる。本実施形態において、エポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー測定は、たとえばトランスファー成形機を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型に金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、注入時間15秒、硬化時間120〜180秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定することにより行われる。   The epoxy resin composition preferably has a flow length measured by spiral flow measurement of, for example, 30 cm or more and 200 cm or less, and more preferably 40 cm or more and 150 cm or less. Thereby, the moldability of the epoxy resin composition can be improved. In the present embodiment, the spiral flow of the epoxy resin composition is measured, for example, using a transfer molding machine in a mold for spiral flow measurement according to EMMI-1-66 at a mold temperature of 175 ° C. and an injection pressure of 9.8 MPa. This is performed by injecting the epoxy resin composition under the conditions of an injection time of 15 seconds and a curing time of 120 to 180 seconds, and measuring the flow length.

本実施形態においては、エポキシ樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度が、100℃以上であることが好ましく、120℃以上であることがより好ましい。これにより、指紋センサーの耐熱性をより効果的に向上させることができる。一方で、上記ガラス転移温度の上限値は、とくに限定されないが、たとえば250℃とすることができる。   In this embodiment, the glass transition temperature of the cured product of the epoxy resin composition is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher. Thereby, the heat resistance of the fingerprint sensor can be more effectively improved. On the other hand, the upper limit of the glass transition temperature is not particularly limited, but may be, for example, 250 ° C.

本実施形態においては、エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度以下における線膨張係数(CTE1)が、3ppm/℃以上であることが好ましく、6ppm/℃以上であることがより好ましい。また、ガラス転移温度以下における線膨張係数(CTE1)は、たとえば50ppm/℃以下であることが好ましく、30ppm/℃以下であることがより好ましい。CTE1をこのように制御することによって、基板101(例えば、シリコンチップ)と絶縁膜105の線膨張係数の差に起因した指紋センサーの反りを、より確実に抑制することができる。   In the present embodiment, the cured product of the epoxy resin composition preferably has a linear expansion coefficient (CTE1) of 3 ppm / ° C. or higher at a glass transition temperature or lower, and more preferably 6 ppm / ° C. or higher. The coefficient of linear expansion (CTE1) at or below the glass transition temperature is, for example, preferably 50 ppm / ° C. or less, and more preferably 30 ppm / ° C. or less. By controlling the CTE 1 in this manner, the warpage of the fingerprint sensor due to the difference in the linear expansion coefficient between the substrate 101 (for example, a silicon chip) and the insulating film 105 can be more reliably suppressed.

本実施形態においては、エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度超過における線膨張係数(CTE2)が、10ppm/℃以上であることが好ましい。また、ガラス転移温度超過における線膨張係数(CTE2)は、たとえば100ppm/℃以下であることが好ましい。CTE2をこのように制御することによって、とくに高温環境下において、基板101(例えば、シリコンチップ)と絶縁膜105の線膨張係数の差に起因した指紋センサーの反りを、より確実に抑制することができる。   In the present embodiment, the cured product of the epoxy resin composition preferably has a linear expansion coefficient (CTE2) of 10 ppm / ° C. or higher when the glass transition temperature is exceeded. Further, the coefficient of linear expansion (CTE2) at a temperature exceeding the glass transition temperature is preferably, for example, 100 ppm / ° C. or less. By controlling the CTE 2 in this manner, it is possible to more reliably suppress the warpage of the fingerprint sensor due to the difference in the linear expansion coefficient between the substrate 101 (for example, a silicon chip) and the insulating film 105, particularly in a high-temperature environment. it can.

エポキシ樹脂組成物の硬化体の上記ガラス転移温度、および上記線膨張係数(CTE1、CTE2)は、たとえば次のように測定することができる。
まず、エポキシ樹脂組成物がタブレット状である場合、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間300秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、長さ10mm、幅4mm、厚さ4mmである。
また、エポキシ樹脂組成物が粉粒体である場合には、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、圧縮成形機を用いて、金型温度175℃、成形圧力9.8MPa、硬化時間300秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、長さ10mm、幅4mm、厚さ4mmである。
次いで、得られた硬化体を175℃、4時間で後硬化した後、熱機械分析装置(セイコー電子工業(株)製、TMA100)を用いて、測定温度範囲0℃〜320℃、昇温速度5℃/分の条件下で測定を行う。この測定結果から、ガラス転移温度、ガラス転移温度以下における線膨張係数(CTE1)、ガラス転移温度超過における線膨張係数(CTE2)を算出する。
The glass transition temperature and the linear expansion coefficients (CTE1, CTE2) of the cured product of the epoxy resin composition can be measured, for example, as follows.
First, when the epoxy resin composition is in the form of a tablet, a cured body of the epoxy resin composition is prepared, for example, using a transfer molding machine under the conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 300 seconds. And the above-mentioned epoxy resin composition is obtained by injection molding. This cured product has, for example, a length of 10 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 4 mm.
When the epoxy resin composition is a powder, the cured body of the epoxy resin composition is, for example, molded using a compression molding machine at a mold temperature of 175 ° C., a molding pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 300 seconds. It is obtained by injecting and molding the above epoxy resin composition under the following conditions. This cured product has, for example, a length of 10 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 4 mm.
Next, after the obtained cured body was post-cured at 175 ° C. for 4 hours, the measurement temperature range was 0 ° C. to 320 ° C. using a thermomechanical analyzer (TMA100, manufactured by Seiko Instruments Inc.), and the rate of temperature increase. The measurement is performed at 5 ° C./min. From this measurement result, the glass transition temperature, the coefficient of linear expansion below the glass transition temperature (CTE1), and the coefficient of linear expansion above the glass transition temperature (CTE2) are calculated.

上記ガラス転移温度、ガラス転移温度以下における線膨張係数(CTE1)、ガラス転移温度超過における線膨張係数(CTE2)は、エポキシ樹脂組成物を構成する各成分の種類や配合割合を適切に調節することにより制御することが可能である。本実施形態においては、とくに無機充填剤(B)の種類を適切に選択することが、CTE1、CTE2を制御するための因子として挙げられる。例えば、無機充填剤(B)として線膨張係数が小さいシリカ粒子を使用することで、エポキシ樹脂組成物の硬化体のCTE1およびCTE2を低下させることができる。   The above-mentioned glass transition temperature, the coefficient of linear expansion below the glass transition temperature (CTE1), and the coefficient of linear expansion above the glass transition temperature (CTE2) are determined by appropriately adjusting the types and mixing ratios of the components constituting the epoxy resin composition. Can be controlled by In the present embodiment, in particular, appropriately selecting the type of the inorganic filler (B) can be cited as a factor for controlling CTE1 and CTE2. For example, by using silica particles having a small linear expansion coefficient as the inorganic filler (B), CTE1 and CTE2 of the cured product of the epoxy resin composition can be reduced.

以下、本実施形態に係る静電容量型指紋センサー100の構成ついて詳細に説明する。   Hereinafter, the configuration of the capacitance type fingerprint sensor 100 according to the present embodiment will be described in detail.

本実施形態に係る静電容量型指紋センサー100は、たとえば指との静電容量を感知する静電容量方式によって、指紋情報を読み取る指紋センサーである。ここで、指紋センサーは、当該指紋センサーに載せられた指の凹凸を読み取る。例えば、静電容量型指紋センサー100には、指紋の凹凸よりも細かい検出電極103が設けられている。そして、指紋の凹凸と検出電極103との間に蓄積される静電容量により指紋の凹凸を表した2次元画像を作成する。例えば、指紋の凸部と凹部では検出される静電容量が異なるため、この静電容量の差から指紋の凹凸を表した2次元画像を作成できる。この2次元画像により指紋情報を読み取ることができる。   The capacitance-type fingerprint sensor 100 according to the present embodiment is a fingerprint sensor that reads fingerprint information by, for example, a capacitance method of detecting capacitance with a finger. Here, the fingerprint sensor reads unevenness of a finger placed on the fingerprint sensor. For example, the capacitance type fingerprint sensor 100 is provided with a detection electrode 103 finer than the unevenness of the fingerprint. Then, a two-dimensional image representing the irregularities of the fingerprint is created by the capacitance accumulated between the irregularities of the fingerprint and the detection electrode 103. For example, since the detected capacitance is different between the convex part and the concave part of the fingerprint, a two-dimensional image representing the irregularities of the fingerprint can be created from the difference in the capacitance. Fingerprint information can be read from this two-dimensional image.

図1は、本実施形態に係る静電容量型指紋センサー100を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る静電容量型指紋センサー100は、基板101と、基板101上に設けられた検出電極103と、検出電極103を封止する絶縁膜105と、を備えている。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a capacitance type fingerprint sensor 100 according to the present embodiment.
The capacitance type fingerprint sensor 100 according to the present embodiment includes a substrate 101, a detection electrode 103 provided on the substrate 101, and an insulating film 105 sealing the detection electrode 103.

本実施形態において、絶縁膜105は、エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されている。エポキシ樹脂組成物としては、たとえば前述の各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕したもの、粉砕後にタブレット状に打錠成型したもの、また必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したもの等を用いることができる。   In the present embodiment, the insulating film 105 is formed of a cured product of the epoxy resin composition. As the epoxy resin composition, for example, the above-mentioned components are mixed by a known means, further melt-kneaded by a kneader such as a roll, a kneader or an extruder, cooled, and then pulverized. Tablet-formed ones, or ones whose dispersity, fluidity, and the like are appropriately adjusted as necessary can be used.

指紋センサーの感度を向上させるために、基板101(例えば、シリコンチップ)上の絶縁膜105の厚みDは、例えば、100μm以下、より好ましくは75μm以下、さらに好ましくは50μm以下である。   In order to improve the sensitivity of the fingerprint sensor, the thickness D of the insulating film 105 on the substrate 101 (for example, a silicon chip) is, for example, 100 μm or less, more preferably 75 μm or less, and further preferably 50 μm or less.

基板101は、たとえば、チップ状のシリコン基板である。検出電極103は、たとえばAl膜により形成され、基板101上に層間膜107を介して一次元または二次元アレイ状に配置されている。層間膜107は、例えば、SiO2等により形成される。
検出電極103の上面は絶縁膜105により被覆されている。検出電極103は、例えば、ワイヤボンディングが施されている。
The substrate 101 is, for example, a chip-shaped silicon substrate. The detection electrodes 103 are formed of, for example, an Al film, and are arranged in a one-dimensional or two-dimensional array on the substrate 101 via an interlayer film 107. The interlayer film 107 is formed of, for example, SiO 2 or the like.
The upper surface of the detection electrode 103 is covered with an insulating film 105. The detection electrode 103 is, for example, subjected to wire bonding.

本実施形態に係る静電容量型指紋センサー100は公知の情報に基づいて製造することができる。たとえば次のように製造される。
まず、基板101上に層間膜107を設けた後、層間膜107上に検出電極103を形成する。次いで、検出電極103を、エポキシ樹脂組成物により封止成形する。成形法としては、たとえばトランスファー成形法や圧縮成型法、注型等が挙げられる。次いで、エポキシ樹脂組成物を熱硬化させ、絶縁膜105を形成する。これにより、本実施形態に係る静電容量型指紋センサー100が得られることとなる。
The capacitance type fingerprint sensor 100 according to the present embodiment can be manufactured based on known information. For example, it is manufactured as follows.
First, after the interlayer film 107 is provided on the substrate 101, the detection electrode 103 is formed on the interlayer film 107. Next, the detection electrode 103 is molded by sealing with an epoxy resin composition. Examples of the molding method include a transfer molding method, a compression molding method, and a casting method. Next, the epoxy resin composition is thermally cured to form an insulating film 105. Thereby, the capacitance type fingerprint sensor 100 according to the present embodiment is obtained.

次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態によれば、検出電極103を封止する絶縁膜105は、エポキシ樹脂(A)と、無機充填剤(B)と、を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物により構成される。エポキシ樹脂組成物の硬化物は誘電特性に優れるため、静電容量型指紋センサー100の感度を向上させることができる。
Next, effects of the present embodiment will be described.
According to the present embodiment, the insulating film 105 for sealing the detection electrode 103 is made of a cured product of the epoxy resin composition containing the epoxy resin (A) and the inorganic filler (B). Since the cured product of the epoxy resin composition has excellent dielectric properties, the sensitivity of the capacitance-type fingerprint sensor 100 can be improved.

次に、本発明の実施例について説明する。   Next, examples of the present invention will be described.

(エポキシ樹脂組成物の調製)
実施例および参考例について、以下のようにエポキシ樹脂組成物を調整した。まず、表1に従い配合された各成分を、高速混合機を用いて常温で混合した。次いで、得られた混合物を、ロール混練(高温側ロール表面温度90℃、低温側ロール表面温度25℃)した後、冷却、ブレンダーによる粉砕によりエポキシ樹脂組成物を得た。なお、表1中における各成分の詳細は下記のとおりである。
(Preparation of epoxy resin composition)
About an Example and a reference example , the epoxy resin composition was adjusted as follows. First, the components blended according to Table 1 were mixed at room temperature using a high-speed mixer. Next, the obtained mixture was roll-kneaded (high-temperature roll surface temperature 90 ° C., low-temperature roll surface temperature 25 ° C.), cooled, and pulverized by a blender to obtain an epoxy resin composition. The details of each component in Table 1 are as follows.

(A)エポキシ樹脂
エポキシ樹脂1:ビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YX−4000K)
(B)無機充填剤
無機充填剤1:アルミナ(電気化学工業社製、DAB−45SI、D50=17μm)
無機充填剤2:シリカ(電気化学工業社製、FB105、D50=10μm)
無機充填剤3:シリカ(トクヤマ社製、REOLOSIL CP−102、D50=1μm以下)
無機充填剤4:シリカ(アドマテックス社製、SO−25R、D50=0.5μm)
無機充填剤5:酸化チタン(IV)(石原産業社製、PF−726、D50=1μm、ルチル型、粒子径が32μm以上の酸化チタンの含有量5質量%以下)
無機充填剤6:チタン酸バリウム(日本化学工業社製、パルセラムBT−UP2、D50=2μm、粒子径が32μm以上のチタン酸バリウムの含有量5質量%以下)
無機充填剤7:アルミナ(マイクロン社製、AX3−15R、粒子径が15um以上のアルミナの含有量5質量%以下、D50=4μm)
(C)硬化剤
硬化剤1:トリスフェノールメタン型フェノールノボラック樹脂(MEH−7500、明和化成社製)
硬化剤2:トリスフェノールメタン型フェノールノボラック樹脂(HE910−20、エア・ウォーター社製)
(D)カップリング剤
カップリング剤1:N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン(東レ・ダウコーニング社製、CF4083)
(E)その他の成分
硬化促進剤1:下記式(4)で示される硬化促進剤
(A) Epoxy resin Epoxy resin 1: biphenyl type epoxy resin (YX-4000K, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
(B) Inorganic filler Inorganic filler 1: Alumina (DAB-45SI, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., D 50 = 17 μm)
Inorganic filler 2: silica (FB105, D 50 = 10 μm, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.)
Inorganic filler 3: silica (manufactured by Tokuyama Corporation, REOLOSIL CP-102, D 50 = 1 μm or less)
Inorganic filler 4: silica (AD-25, SO-25R, D 50 = 0.5 μm)
Inorganic filler 5: titanium oxide (IV) (PF-726, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd., D 50 = 1 μm, rutile type, content of titanium oxide having a particle diameter of 32 μm or more 5% by mass or less)
Inorganic filler 6: Barium titanate (Nippon Chemical Industrial Co., Paruseramu BT-UP2, D 50 = 2μm , less content of 5 wt% of the barium titanate particle size of more than 32μm acid)
Inorganic filler 7: Alumina (manufactured by Micron, AX3-15R, content of alumina having a particle diameter of 15 μm or more, 5% by mass or less, D 50 = 4 μm)
(C) Curing agent Curing agent 1: Trisphenolmethane type phenol novolak resin (MEH-7500, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.)
Curing agent 2: Trisphenolmethane type phenol novolak resin (HE910-20, manufactured by Air Water)
(D) Coupling agent Coupling agent 1: N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane (CF4083, manufactured by Dow Corning Toray)
(E) Other component curing accelerator 1: a curing accelerator represented by the following formula (4)

Figure 0006658508
Figure 0006658508

[硬化促進剤1の合成方法]
撹拌装置付きのセパラブルフラスコに4,4'−ビスフェノールS37.5g(0.15モル)、メタノール100mlを仕込み、室温で撹拌溶解し、更に攪拌しながら予め50mlのメタノールに水酸化ナトリウム4.0g(0.1モル)を溶解した溶液を添加した。次いで予め150mlのメタノールにテトラフェニルホスホニウムブロマイド41.9g(0.1モル)を溶解した溶液を加えた。しばらく攪拌を継続し、300mlのメタノールを追加した後、フラスコ内の溶液を大量の水に撹拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥し、白色結晶の硬化促進剤1を得た。
[Synthesis method of curing accelerator 1]
A separable flask equipped with a stirrer was charged with 37.5 g (0.15 mol) of 4,4'-bisphenol S and 100 ml of methanol, and dissolved by stirring at room temperature, and 4.0 g of sodium hydroxide was previously added to 50 ml of methanol while stirring. (0.1 mol) was added. Next, a solution in which 41.9 g (0.1 mol) of tetraphenylphosphonium bromide was dissolved in 150 ml of methanol in advance was added. Stirring was continued for a while, and after adding 300 ml of methanol, the solution in the flask was dropped into a large amount of water while stirring to obtain a white precipitate. The precipitate was filtered and dried to obtain a hardening accelerator 1 as white crystals.

硬化促進剤2:下記式(5)で示される硬化促進剤

Figure 0006658508
Curing accelerator 2: Curing accelerator represented by the following formula (5)
Figure 0006658508

[硬化促進剤2の合成方法]
メタノール1800gを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン249.5g、2,3−ジヒドロキシナフタレン384.0gを加えて溶かし、次に室温攪拌下28%ナトリウムメトキシド−メタノール溶液231.5gを滴下した。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド503.0gをメタノール600gに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、桃白色結晶の硬化促進剤2を得た。
[Synthesis method of curing accelerator 2]
In a flask containing 1800 g of methanol, 249.5 g of phenyltrimethoxysilane and 384.0 g of 2,3-dihydroxynaphthalene were added and dissolved, and then 231.5 g of a 28% sodium methoxide-methanol solution was added dropwise with stirring at room temperature. Further, a solution prepared by dissolving 503.0 g of tetraphenylphosphonium bromide prepared in advance in 600 g of methanol was added dropwise thereto with stirring at room temperature to precipitate crystals. The precipitated crystals were filtered, washed with water, and dried under vacuum to obtain a hardening accelerator 2 of pink white crystals.

低応力剤1:アクリロニトリルブタジエンゴム(宇部興産社製、カルボキシル基末端ブタジエンアクリルゴム、CTBN1008SP)
低応力剤2:シリコーンオイル
着色剤:カーボンブラック
離型剤:カルナバワックス
イオン捕捉剤:ハイドロタルサイト
Low stress agent 1: Acrylonitrile butadiene rubber (manufactured by Ube Industries, carboxyl-terminated butadiene acrylic rubber, CTBN1008SP)
Low stress agent 2: Silicone oil Colorant: Carbon black Release agent: Carnauba wax Ion scavenger: Hydrotalcite

(比誘電率および誘電正接の測定)
実施例および参考例について、次のようにエポキシ樹脂組成物の比誘電率および誘電正接の測定を行った。低圧トランスファー成形機(コータキ精機(株)製「KTS−30」)を用いて、金型に、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間300秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することによりエポキシ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体は、直径50mm、厚さ3mmであった。
次いで、得られた硬化体について、YOKOGAWA−HEWLETT PACKARD社製Q−METER 4342Aにより、1MHz、室温(25℃)における比誘電率および誘電正接を測定した。結果を表1に示す。
(Measurement of relative permittivity and dielectric loss tangent)
About the Example and the reference example , the relative dielectric constant and the dielectric loss tangent of the epoxy resin composition were measured as follows. Using a low-pressure transfer molding machine (“KTS-30” manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd.), the epoxy resin composition was molded into a mold under the conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 300 seconds. By injection molding to obtain a cured product of the epoxy resin composition. This cured product had a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm.
Next, the obtained cured product was measured for relative dielectric constant and dielectric loss tangent at 1 MHz and room temperature (25 ° C.) using Q-METER 4342A manufactured by YOKOGAWA-HEWLETT PACKARD. Table 1 shows the results.

(スパイラルフローの測定)
実施例および参考例について、次のようにエポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー測定を行った。低圧トランスファー成形機(コータキ精機(株)製「KTS−15」)を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型に金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、注入時間15秒、硬化時間180秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。表1における単位はcmである。結果を表1に示す。
(Measurement of spiral flow)
For the examples and the reference examples , the spiral flow of the epoxy resin composition was measured as follows. Using a low-pressure transfer molding machine (“KTS-15” manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd.), mold temperature 175 ° C., injection pressure 9.8 MPa, injection into a die for spiral flow measurement according to EMMI-1-66. The epoxy resin composition was injected under the conditions of a time of 15 seconds and a curing time of 180 seconds, and the flow length was measured. The unit in Table 1 is cm. Table 1 shows the results.

(ガラス転移温度、線膨張係数)
各実施例および参考例について、エポキシ樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度(Tg)、線膨張係数(CTE1、CTE2)を、以下のように測定した。低圧トランスファー成形機(コータキ精機(株)製「KTS−30」)を用いて、金型に、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間300秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することによりエポキシ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体は、長さ10mm、幅4mm、厚さ4mmであった。
次いで、得られた硬化体を175℃、4時間で後硬化した後、熱機械分析装置(セイコー電子工業(株)製、TMA100)を用いて、測定温度範囲0℃〜320℃、昇温速度5℃/分の条件下で測定を行った。この測定結果から、ガラス転移温度(Tg)、ガラス転移温度以下における線膨張係数(CTE1)、ガラス転移温度超過における線膨張係数(CTE2)を算出した。結果を表1に示す。
(Glass transition temperature, linear expansion coefficient)
About each Example and the reference example , the glass transition temperature (Tg) and the coefficient of linear expansion (CTE1, CTE2) of the cured body of the epoxy resin composition were measured as follows. Using a low-pressure transfer molding machine (“KTS-30” manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd.), the epoxy resin composition was molded into a mold under the conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 300 seconds. By injection molding to obtain a cured product of the epoxy resin composition. This cured product had a length of 10 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 4 mm.
Next, after the obtained cured body was post-cured at 175 ° C. for 4 hours, the measurement temperature range was 0 ° C. to 320 ° C. using a thermomechanical analyzer (TMA100, manufactured by Seiko Instruments Inc.), and the rate of temperature increase. The measurement was performed under the condition of 5 ° C./min. From the measurement results, the glass transition temperature (Tg), the coefficient of linear expansion below the glass transition temperature (CTE1), and the coefficient of linear expansion above the glass transition temperature (CTE2) were calculated. Table 1 shows the results.

(静電容量型指紋センサーの感度測定)
実施例および参考例のそれぞれについて、得られたエポキシ樹脂組成物を用いて図1に示す静電容量型指紋センサーを作製した。次いで、得られた静電容量型指紋センサーを用いて指紋の凹凸を表した2次元画像を作成した。
(Sensitivity measurement of capacitance type fingerprint sensor)
For each of the examples and reference examples, the capacitance type fingerprint sensor shown in FIG. 1 was produced using the obtained epoxy resin composition. Next, a two-dimensional image showing the unevenness of the fingerprint was created using the obtained capacitance fingerprint sensor.

Figure 0006658508
Figure 0006658508

実施例より得られた静電容量型指紋センサーは、いずれも指紋の2次元画像が明確に表示され、感度が良好な結果を示した。これらの中でも誘電特性が特に優れる実施例2〜6、および8〜9は、参考例1と比較してより鮮明な指紋の2次元画像が得られ、優れた感度を示した。また、実施例〜3、6および9は、成形性試験において優れた結果を示した。
また、実施例により得られた静電容量型指紋センサーは、いずれも反りが抑制されていた。なお、実施例により得られたエポキシ樹脂組成物の硬化体のCTE1は、いずれも3ppm/℃以上50ppm/℃以下の範囲内であった。また、実施例により得られたエポキシ樹脂組成物の硬化体のCTE2は、いずれも10ppm/℃以上100ppm/℃以下の範囲内であった。
また、絶縁膜105の厚みDを薄くすることが指紋センサーの感度につながるため、無機充填剤(B)は粗粒をカットしたものを使用することが成形時の未充填等を抑制することができるため好ましい。実施例〜9のエポキシ樹脂組成物は絶縁膜105の厚みDを50μmとしても指紋センサーを未充填なく成形でき、実施例〜6および参考例1のエポキシ樹脂組成物に比べて成形性に優れていた。また、実施例〜9のエポキシ樹脂組成物は絶縁膜105の厚みDを50μmとしても指紋センサーの反りは生じなかった。すなわち、実施例〜9のエポキシ樹脂組成物は指紋の2次元画像が明確に表示され、良好な感度を示しながら、より優れた成形性を示した。
Capacitive fingerprint sensor obtained Ri by example, both the two-dimensional image of the fingerprint is clearly displayed, the sensitivity showed good results. Among these, Examples 2 to 6 and 8 to 9, which have particularly excellent dielectric properties, provided clearer two-dimensional images of fingerprints as compared with Reference Example 1, and exhibited excellent sensitivity. In Examples 2-3, 6 Contact and 9 showed excellent results in the formability test.
Further, the electrostatic capacitance type fingerprint sensor more obtained in the examples, any warping was suppressed. Incidentally, CTE1 of the cured product of more obtained epoxy resin composition in the examples, were each in the range of 3 ppm / ° C. or higher 50 ppm / ° C. or less. Further, CTE2 of the cured product of more obtained epoxy resin composition in the examples, were each in the range of 10 ppm / ° C. or higher 100 ppm / ° C. or less.
Further, since reducing the thickness D of the insulating film 105 leads to the sensitivity of the fingerprint sensor, the use of the inorganic filler (B) obtained by cutting coarse particles suppresses unfilling during molding. It is preferable because it is possible. The epoxy resin compositions of Examples 8 to 9 can be molded without filling the fingerprint sensor even when the thickness D of the insulating film 105 is 50 μm, and have better moldability than the epoxy resin compositions of Examples 2 to 6 and Reference Example 1. It was excellent. Also, the epoxy resin compositions of Examples 8 to 9 did not warp the fingerprint sensor even when the thickness D of the insulating film 105 was 50 μm. That is, the epoxy resin compositions of Examples 8 to 9 clearly displayed a two-dimensional image of a fingerprint, and exhibited excellent moldability while exhibiting good sensitivity.

この出願は、2014年3月25日に出願された日本出願特願2014−062446号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
以下、参考形態の例を付記する。
1. 基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する前記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂(A)と、
無機充填剤(B)と、
を含むエポキシ樹脂組成物。
2. 1.に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の1MHzにおける比誘電率(ε )が5以上であるエポキシ樹脂組成物。
3. 2.に記載の封止用樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の1MHzにおける比誘電率(ε )が8以上であるエポキシ樹脂組成物。
4. 1.乃至3.いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の1MHzにおける誘電正接(tanδ)が0.005以上であるエポキシ樹脂組成物。
5. 1.乃至4.いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤(B)がアルミナ、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上を含むエポキシ樹脂組成物。
6. 5.記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤(B)が前記酸化チタンを含み、
前記酸化チタンがルチル型であるエポキシ樹脂組成物。
7. 5.または6.に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤(B)がシリカ粒子をさらに含むエポキシ樹脂組成物。
8. 1.乃至7.いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、注入時間15秒の条件でのスパイラルフロー測定により測定される流動長が30cm以上200cm以下であるエポキシ樹脂組成物。
9. 1.乃至8.いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度が100℃以上であるエポキシ樹脂組成物。
10. 1.乃至9.いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度以下における線膨張係数(CTE1)が、3ppm/℃以上50ppm/℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
11. 1.乃至10.いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度超過における線膨張係数(CTE2)が、10ppm/℃以上100ppm/℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
12. 基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止し、かつ、1.乃至11.いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサー。
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2014-062446 filed on March 25, 2014, and incorporates the entire disclosure thereof.
Hereinafter, examples of the reference embodiment will be additionally described.
1. Board and
A detection electrode provided on the substrate,
An insulating film for sealing the detection electrode,
An epoxy resin composition used for forming the insulating film constituting a capacitance type fingerprint sensor comprising:
Epoxy resin (A),
An inorganic filler (B),
An epoxy resin composition containing:
2. 1. In the epoxy resin composition according to the,
An epoxy resin composition, wherein the cured product of the epoxy resin composition has a relative dielectric constant (ε r ) at 1 MHz of 5 or more.
3. 2. In the sealing resin composition according to the,
An epoxy resin composition wherein the cured product of the epoxy resin composition has a relative dielectric constant (ε r ) at 1 MHz of 8 or more.
4. 1. To 3. The epoxy resin composition according to any of the above,
An epoxy resin composition wherein the cured product of the epoxy resin composition has a dielectric loss tangent (tan δ) at 1 MHz of 0.005 or more.
5. 1. To 4. The epoxy resin composition according to any of the above,
An epoxy resin composition in which the inorganic filler (B) contains one or more selected from alumina, titanium oxide, and barium titanate.
6. 5. In the epoxy resin composition described,
The inorganic filler (B) contains the titanium oxide,
An epoxy resin composition wherein the titanium oxide is a rutile type.
7. 5. Or 6. In the epoxy resin composition according to the,
An epoxy resin composition wherein the inorganic filler (B) further contains silica particles.
8. 1. To 7. The epoxy resin composition according to any of the above,
An epoxy resin composition having a flow length of 30 cm or more and 200 cm or less as measured by spiral flow measurement at a mold temperature of 175 ° C, an injection pressure of 9.8 MPa, and an injection time of 15 seconds.
9. 1. To 8. The epoxy resin composition according to any of the above,
An epoxy resin composition wherein the cured product of the epoxy resin composition has a glass transition temperature of 100 ° C. or higher.
10. 1. To 9. The epoxy resin composition according to any of the above,
An epoxy resin composition wherein the cured product of the epoxy resin composition has a linear expansion coefficient (CTE1) at a glass transition temperature or lower of 3 ppm / ° C. or more and 50 ppm / ° C. or less.
11. 1. To 10. The epoxy resin composition according to any of the above,
An epoxy resin composition in which a cured product of the epoxy resin composition has a linear expansion coefficient (CTE2) at a temperature exceeding the glass transition temperature of 10 ppm / ° C or more and 100 ppm / ° C or less.
12. Board and
A detection electrode provided on the substrate,
Sealing the detection electrode; To 11. An insulating film formed of a cured product of the epoxy resin composition according to any of the above,
Capacitive fingerprint sensor with.

Claims (9)

基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する前記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂(A)と、
無機充填剤(B)と、
硬化剤(C)と、
を含み、
前記無機充填材(B)が、当該エポキシ樹脂組成物全体に対して、50質量%以上97質量%以下の量であり、
前記無機充填材(B)が、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される少なくとも種と、シリカ粒子とを含む、
エポキシ樹脂組成物。
Board and
A detection electrode provided on the substrate,
An insulating film for sealing the detection electrode,
An epoxy resin composition used for forming the insulating film constituting a capacitance type fingerprint sensor comprising:
Epoxy resin (A),
An inorganic filler (B),
A curing agent (C),
Including
The amount of the inorganic filler (B) is 50% by mass or more and 97% by mass or less with respect to the entire epoxy resin composition;
Wherein the inorganic filler (B) comprises at least one kind selected from titanium oxide and barium titanate, and silica particles,
Epoxy resin composition.
請求項1に記載の封止用樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の1MHzにおける比誘電率(ε)が8以上であるエポキシ樹脂組成物。
The sealing resin composition according to claim 1,
An epoxy resin composition wherein the cured product of the epoxy resin composition has a relative dielectric constant (ε r ) at 1 MHz of 8 or more.
請求項1または2に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の1MHzにおける誘電正接(tanδ)が0.006以上であるエポキシ樹脂組成物。
The epoxy resin composition according to claim 1 or 2,
An epoxy resin composition wherein the cured product of the epoxy resin composition has a dielectric loss tangent (tan δ) at 1 MHz of 0.006 or more.
請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤(B)が前記酸化チタンを含み、
前記酸化チタンがルチル型であるエポキシ樹脂組成物。
The epoxy resin composition according to claim 1,
The inorganic filler (B) contains the titanium oxide,
An epoxy resin composition wherein the titanium oxide is a rutile type.
請求項1乃至4いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、注入時間15秒の条件でのスパイラルフロー測定により測定される流動長が30cm以上200cm以下であるエポキシ樹脂組成物。
The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 4,
An epoxy resin composition having a flow length of 30 cm or more and 200 cm or less as measured by spiral flow measurement at a mold temperature of 175 ° C, an injection pressure of 9.8 MPa, and an injection time of 15 seconds.
請求項1乃至5いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度が100℃以上であるエポキシ樹脂組成物。
The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 5,
An epoxy resin composition wherein the cured product of the epoxy resin composition has a glass transition temperature of 100 ° C. or higher.
請求項1乃至6いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度以下における線膨張係数(CTE1)が、3ppm/℃以上50ppm/℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 6,
An epoxy resin composition wherein the cured product of the epoxy resin composition has a linear expansion coefficient (CTE1) at a glass transition temperature or lower of 3 ppm / ° C. or more and 50 ppm / ° C. or less.
請求項1乃至7いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度超過における線膨張係数(CTE2)が、10ppm/℃以上100ppm/℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 7,
An epoxy resin composition, wherein a cured product of the epoxy resin composition has a linear expansion coefficient (CTE2) at a temperature exceeding the glass transition temperature of 10 ppm / ° C or more and 100 ppm / ° C or less.
基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止し、かつ、請求項1乃至8いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサー。
Board and
A detection electrode provided on the substrate,
An insulating film formed by curing the epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 8, which seals the detection electrode, and
Capacitive fingerprint sensor with.
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