JP6640688B2 - 無線通信装置および無線通信方法 - Google Patents
無線通信装置および無線通信方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6640688B2 JP6640688B2 JP2016180773A JP2016180773A JP6640688B2 JP 6640688 B2 JP6640688 B2 JP 6640688B2 JP 2016180773 A JP2016180773 A JP 2016180773A JP 2016180773 A JP2016180773 A JP 2016180773A JP 6640688 B2 JP6640688 B2 JP 6640688B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- component
- transistor
- output
- bias voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
- H03F3/2173—Class D power amplifiers; Switching amplifiers of the bridge type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/351—Pulse width modulation being used in an amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/462—Indexing scheme relating to amplifiers the current being sensed
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/516—Some amplifier stages of an amplifier use supply voltages of different value
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21127—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers the input bias current of a power amplifier being controlled, e.g. by an active current source or a current mirror
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21139—An impedance adaptation circuit being added at the output of a power amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21142—Output signals of a plurality of power amplifiers are parallel combined to a common output
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21157—A filter circuit being added at the output of a power amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
図1は、第1実施形態の無線通信装置の構成を示す回路図である。
図8は、第2実施形態の無線通信装置の構成を示す回路図である。
3a:第1可変抵抗、3b:第2可変抵抗、3c:第3可変抵抗、
4:マッチング回路、5:アンテナ、6:フィルタ回路、
6a:電気抵抗、6b:コンデンサ、7:検出回路、
7a:第1可変抵抗、7b:第2可変抵抗、7c:比較器、
10:第1回路、11:第1コンデンサ、12:第2コンデンサ、
13:第1インバータ、14:第2インバータ、15:電力増幅器、
15a:第3インバータ、15b:第4インバータ、
15c:第1トランジスタ、15d:第2トランジスタ、
20:第2回路、21:第1コンデンサ、22:第2コンデンサ、
23:第1インバータ、24:第2インバータ、25:電力増幅器、
25a:第3インバータ、25b:第4インバータ、
25c:第1トランジスタ、25d:第2トランジスタ
Claims (8)
- 信号を発生する信号発生部と、
インバータを構成する第1および第2トランジスタを有し、前記信号発生部からの信号から直流成分が除去されて得られた第1信号を前記第1トランジスタに供給し、前記信号発生部からの信号から直流成分が除去されて得られた第2信号を前記第2トランジスタに供給し、前記第1トランジスタから出力された第1電流と、前記第2トランジスタから出力された第2電流とに基づいて、出力信号を生成する電力増幅器と、
前記出力信号の高周波成分を除去するフィルタ回路と、
前記フィルタ回路を通過した前記出力信号を利用して、前記出力信号の直流成分を検出する検出回路と、
前記信号発生部からの信号から直流成分が除去されて得られた前記第1信号に第1バイアス電圧を印加し、前記信号発生部からの信号から直流成分が除去されて得られた前記第2信号に第2バイアス電圧を印加するバイアス印加部であって、前記検出回路により検出された前記直流成分に基づいて前記第1および第2バイアス電圧を制御し、前記第1バイアス電圧を制御することで前記第1信号のデューティ比を調整し、前記第2バイアス電圧を制御することで前記第2信号のデューティ比を調整するバイアス印加部と、
を備え、
前記電力増幅器は、前記第1バイアス電圧が印加された前記第1信号を前記第1トランジスタに供給し、前記第2バイアス電圧が印加された前記第2信号を前記第2トランジスタに供給する、無線通信装置。 - 前記出力信号をアンテナに供給するマッチング回路をさらに備え、
前記検出回路は、前記マッチング回路および前記フィルタ回路を通過した前記出力信号から前記直流成分を検出する、
請求項1に記載の無線通信装置。 - 前記出力信号をアンテナに供給するマッチング回路をさらに備え、
前記マッチング回路は、第1電力増幅器から出力された前記出力信号を前記アンテナに供給し、
前記検出回路は、前記第1電力増幅器と異なる第2電力増幅器から出力されて前記フィルタ回路を通過した前記出力信号から前記直流成分を検出する、
請求項1に記載の無線通信装置。 - 前記バイアス印加部は、
前記第1信号が正弦波である第1ノードで前記第1信号に前記第1バイアス電圧を印加することで、前記第1信号の平均値を変化させ、
前記第2信号が正弦波である第2ノードで前記第2信号に前記第2バイアス電圧を印加することで、前記第2信号の平均値を変化させ、
前記第1信号は、前記第1ノードから前記第1トランジスタに伝播する間に、前記正弦波から、前記第1バイアス電圧に応じたデューティ比を有する矩形波に変化し、
前記第2信号は、前記第2ノードから前記第2トランジスタに伝播する間に、前記正弦波から、前記第2バイアス電圧に応じたデューティ比を有する矩形波に変化する、
請求項1から3のいずれか1項に記載の無線通信装置。 - 前記信号発生部からの信号から直流成分を除去する第1コンデンサと、
前記信号発生部からの信号から直流成分を除去する第2コンデンサとをさらに備え、
前記バイアス印加部は、
前記信号発生部からの信号から前記第1コンデンサにより直流成分が除去されて得られた前記第1信号に、前記第1バイアス電圧を、抵抗を介して前記第1ノードで印加し、
前記信号発生部からの信号から前記第2コンデンサにより直流成分が除去されて得られた前記第2信号に、前記第2バイアス電圧を、抵抗を介して前記第2ノードで印加し、
前記電力増幅器は、
前記信号発生部からの信号から前記第1コンデンサにより直流成分が除去されて得られた前記第1信号を、前記第1ノードを介して前記第1トランジスタに供給し、
前記信号発生部からの信号から前記第2コンデンサにより直流成分が除去されて得られた前記第2信号が、前記第2ノードを介して前記第2トランジスタに供給する、
請求項4に記載の無線通信装置。 - 前記検出回路は、
前記フィルタ回路を通過した前記出力信号である第1電圧と第2電圧とを比較し、
前記第1電圧が前記第2電圧よりも大きい場合には第1値を示し、前記第1電圧が前記第2電圧よりも小さい場合には第2値を示す信号を、前記出力信号の前記直流成分の検出結果として出力する、
請求項1から5のいずれか1項に記載の無線通信装置。 - 信号発生部から信号を発生し、
インバータを構成する第1および第2トランジスタを有する電力増幅器において、前記信号発生部からの信号から直流成分が除去されて得られた第1信号を前記第1トランジスタに供給し、前記信号発生部からの信号から直流成分が除去されて得られた第2信号を前記第2トランジスタに供給し、前記第1トランジスタから出力された第1電流と、前記第2トランジスタから出力された第2電流とに基づいて、出力信号を生成し、
前記出力信号の高周波成分をフィルタ回路により除去し、
検出回路が、前記フィルタ回路を通過した前記出力信号を利用して、前記出力信号の直流成分を検出し、
前記信号発生部からの信号から直流成分が除去されて得られた前記第1信号に第1バイアス電圧を印加し、前記信号発生部からの信号から直流成分が除去されて得られた前記第2信号に第2バイアス電圧を印加するバイアス印加部が、前記検出回路により検出された前記直流成分に基づいて前記第1および第2バイアス電圧を制御し、前記第1バイアス電圧を制御することで前記第1信号のデューティ比を調整し、前記第2バイアス電圧を制御することで前記第2信号のデューティ比を調整する、
ことを含み、
前記電力増幅器は、前記第1バイアス電圧が印加された前記第1信号を前記第1トランジスタに供給し、前記第2バイアス電圧が印加された前記第2信号を前記第2トランジスタに供給する、無線通信方法。 - さらに、前記第1および第2バイアス電圧に基づいて生成された前記出力信号を、前記電力増幅器からアンテナに供給することを含む、請求項7に記載の無線通信方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016180773A JP6640688B2 (ja) | 2016-09-15 | 2016-09-15 | 無線通信装置および無線通信方法 |
US15/444,233 US9847756B1 (en) | 2016-09-15 | 2017-02-27 | Wireless communication device and wireless communication method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016180773A JP6640688B2 (ja) | 2016-09-15 | 2016-09-15 | 無線通信装置および無線通信方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018046460A JP2018046460A (ja) | 2018-03-22 |
JP6640688B2 true JP6640688B2 (ja) | 2020-02-05 |
Family
ID=60629050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016180773A Active JP6640688B2 (ja) | 2016-09-15 | 2016-09-15 | 無線通信装置および無線通信方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9847756B1 (ja) |
JP (1) | JP6640688B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7559552B2 (ja) | 2020-12-28 | 2024-10-02 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置及び発振器 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7038535B2 (en) * | 2003-03-29 | 2006-05-02 | Wai Laing Lee | PWM digital amplifier with high-order loop filter |
JP2004328555A (ja) | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用電子部品および無線通信システム |
US8115540B2 (en) | 2006-09-14 | 2012-02-14 | Nec Corporation | Amplifying apparatus, method of output control and control program |
JP2008113424A (ja) | 2006-10-03 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | D級アンプの制御方法、d級アンプの制御回路、容量性負荷の駆動回路、トランスデューサ、超音波スピーカ、表示装置、指向性音響システム、及び印刷装置 |
JP5095312B2 (ja) | 2007-08-31 | 2012-12-12 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | D級増幅回路 |
CN101939909A (zh) | 2008-12-10 | 2011-01-05 | 罗姆股份有限公司 | D类功率放大器 |
JP5537461B2 (ja) | 2011-02-17 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 送信器及び送受信器 |
KR101579657B1 (ko) | 2013-12-16 | 2015-12-22 | 숭실대학교산학협력단 | 관통 전류 제어를 위한 인버터 체인 회로 |
US10454517B2 (en) * | 2014-02-10 | 2019-10-22 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Circuits for reducing out-of-band-modulated transmitter self-interference |
US10063130B2 (en) * | 2014-09-19 | 2018-08-28 | Intersil Americas LLC | Multi-stage amplifier |
US10277180B2 (en) * | 2016-01-15 | 2019-04-30 | Honeywell International Inc. | Dual port transimpedance amplifier with separate feedback |
US9673782B1 (en) * | 2016-08-16 | 2017-06-06 | Qualcomm Inc. | Center frequency and Q tuning of biquad filter by amplitude-limited oscillation-based calibration |
-
2016
- 2016-09-15 JP JP2016180773A patent/JP6640688B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-27 US US15/444,233 patent/US9847756B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9847756B1 (en) | 2017-12-19 |
JP2018046460A (ja) | 2018-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112042117A (zh) | 具有多个独立输出级的d类放大器 | |
JP5390932B2 (ja) | 電源回路 | |
JP2018510609A (ja) | 再構成可能なインダクタンスをもつスイッチングレギュレータ回路および方法 | |
CN103124164A (zh) | 切换系统、用以控制电流路由器的方法与切换系统的控制方法以及对映方法 | |
CN104426523A (zh) | 具有减小的抖动的波形转换电路 | |
US20140218094A1 (en) | Method and Circuit Arrangement for Converting a Sine Wave Signal into a Square Wave Signal | |
JP2018513613A5 (ja) | ||
Goyal et al. | Analysis and design of a two stage cmos op-amp with 180nm using miller compensation technique | |
US9705485B1 (en) | High-resolution current and method for generating a current | |
JP6640688B2 (ja) | 無線通信装置および無線通信方法 | |
CN107968637B (zh) | 包络检测电路 | |
CN107040227A (zh) | 放大器系统和控制主放大器的方法 | |
US10855234B2 (en) | Power amplifier and wireless communication device | |
US10205423B1 (en) | Rail-to-rail source follower | |
JP2008154117A (ja) | D級アンプ | |
JP2016111430A (ja) | Pwm変調装置および音声信号出力装置 | |
JP2012178670A (ja) | バッファ回路 | |
JP2003152538A (ja) | A/dコンバータ | |
JP6254014B2 (ja) | ハーモニックリジェクション電力増幅器 | |
US10483914B2 (en) | Very high fidelity audio amplifier | |
JP4623286B2 (ja) | デューティ調整回路 | |
US9935619B2 (en) | Semiconductor device and communication module | |
US9312849B2 (en) | Analog signal soft switching control with precise current steering generator | |
CN104865999B (zh) | 驱动电路和用于驱动外部负载的方法 | |
CN202535324U (zh) | 开关电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170907 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20170911 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6640688 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |