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JP6638576B2 - Vacuum processing device, vacuum processing method, and storage medium - Google Patents

Vacuum processing device, vacuum processing method, and storage medium Download PDF

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JP6638576B2 JP2016126836A JP2016126836A JP6638576B2 JP 6638576 B2 JP6638576 B2 JP 6638576B2 JP 2016126836 A JP2016126836 A JP 2016126836A JP 2016126836 A JP2016126836 A JP 2016126836A JP 6638576 B2 JP6638576 B2 JP 6638576B2
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Description

本発明は、処理容器内において被処理体に対して所定の真空処理を行うにあたり、処理容器内の圧力制御を行う技術に関する。   The present invention relates to a technique for controlling the pressure in a processing container when performing a predetermined vacuum processing on an object to be processed in the processing container.

FPD(フラットパネルディスプレイ)基板の製造工程においては、減圧雰囲気下で被処理体にエッチング処理や、成膜処理等の所定の真空処理を施す工程がある。これらの工程は、例えば処理容器の内部に、被処理体例えばFPD基板(以下「基板」という)を載置するための載置台を設けると共に、この載置台に対向するガス供給部を備えた真空処理装置にて実施される。例えば真空処理装置では、処理容器内を真空引きしてガス供給部から処理ガスを供給する一方、上部電極を兼用するガス供給部に高周波電力を印加することにより、プラズマを形成して処理が行われる。   In a manufacturing process of an FPD (flat panel display) substrate, there is a process of performing a predetermined vacuum process such as an etching process or a film forming process on a target object under a reduced pressure atmosphere. In these steps, for example, a mounting table for mounting an object to be processed, such as an FPD substrate (hereinafter, referred to as “substrate”), is provided inside a processing container, and a vacuum provided with a gas supply unit facing the mounting table. The processing is performed in the processing device. For example, in a vacuum processing apparatus, a processing gas is supplied from a gas supply unit by evacuating the processing container, and high-frequency power is applied to a gas supply unit also serving as an upper electrode, thereby forming plasma to perform processing. Will be

このような真空処理装置では、処理ガスの流量や処理容器内の圧力等の処理条件が異なる種々のプロセスが実施され、広い圧力範囲において安定して圧力制御を行うことが要求される。特許文献1には、真空チャンバに、真空ポンプに接続された複数の排気路を設けると共に、これら排気路の数本に開度が3段階に固定された半固定バルブを設け、残りの排気路に自動圧力制御バルブを設ける構成が記載されている。この構成では、レシピに圧力設定値と半固定バルブの開度とが対応付けて記載され、レシピの選択により圧力設定値を読み取って半固定バルブの開度が設定される。自動圧力制御バルブについては、圧力設定値と圧力検出値とに基づいて開度が調整され、圧力制御が行われる。   In such a vacuum processing apparatus, various processes having different processing conditions such as the flow rate of the processing gas and the pressure in the processing vessel are performed, and it is required to stably control the pressure in a wide pressure range. In Patent Document 1, a plurality of exhaust paths connected to a vacuum pump are provided in a vacuum chamber, and a semi-fixed valve whose opening is fixed in three stages is provided in several of these exhaust paths, and the remaining exhaust paths are provided. Discloses a configuration in which an automatic pressure control valve is provided. In this configuration, the pressure setting value and the opening degree of the semi-fixed valve are described in association with the recipe, and the pressure setting value is read by selecting the recipe to set the opening degree of the semi-fixed valve. The opening of the automatic pressure control valve is adjusted based on the pressure set value and the detected pressure value, and pressure control is performed.

特許文献1によれば、自動圧力制御バルブと半固定バルブとの組み合わせにより、従来よりも広い範囲で安定した圧力制御を行うことができる。しかしながら、自動圧力制御バルブには、その機構上、圧力の調整範囲に制限があり、半固定バルブは、予め圧力設定値と対応付けて開度が設定されているため、後述するように、僅かながら圧力調整が不可能な領域が存在する。一方、装置のユーザ側から、製品の多様化により、予め装置に格納されたレシピとは異なるプロセス条件で処理を行う要請があるが、このような場合に安定した圧力制御ができなくなる懸念があり、更なる改善が求められている。   According to Patent Literature 1, stable pressure control can be performed in a wider range than in the past by using a combination of an automatic pressure control valve and a semi-fixed valve. However, the automatic pressure control valve has a limited pressure adjustment range due to its mechanism, and the semi-fixed valve has an opening set in advance in association with a pressure set value. However, there is an area where the pressure cannot be adjusted. On the other hand, there is a request from the user of the apparatus to perform processing under process conditions different from the recipe stored in the apparatus in advance due to diversification of products, but in such a case, there is a concern that stable pressure control may not be performed. Further improvement is required.

特許第5322254号公報(段落0034、0037参照)Japanese Patent No. 5322254 (see paragraphs 0034 and 0037)

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、広い圧力範囲において、安定して圧力制御を行うことができる技術を提供することにある。   The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique capable of performing stable pressure control in a wide pressure range.

このため、本発明の真空処理装置は、
その内部において被処理体に対して真空処理が行われる処理容器と、
前記処理容器に夫々一端側が接続された第1の排気路及び第2の排気路と、
前記処理容器内の圧力を検出する圧力検出部と、
前記第1の排気路に設けられ、前記圧力検出部の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて排気路のコンダクタンスを自動調整する自動調整バルブと、
前記第2の排気路に設けられ、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブと、
前記自動調整バルブの開度を検出する開度検出部と、
前記開度検出部にて検出された開度検出値が圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、前記半固定バルブの開度を、圧力調整範囲を広げるために、前記予め決められた開度の中で他の開度に変更するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
For this reason, the vacuum processing apparatus of the present invention
A processing container in which vacuum processing is performed on the object to be processed,
A first exhaust path and a second exhaust path each having one end connected to the processing container,
A pressure detector for detecting the pressure in the processing container,
An automatic adjustment valve that is provided in the first exhaust path and that automatically adjusts the conductance of the exhaust path based on a pressure detection value and a pressure set value of the pressure detection unit;
A semi-fixed valve provided in the second exhaust path and set to an opening selected from at least three predetermined openings;
An opening detection unit that detects the opening of the automatic adjustment valve,
When the opening detection value detected by the opening detection unit exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the opening of the semi-fixed valve is increased in order to extend a pressure adjustment range. And a control unit that outputs a control signal so as to change the opening to another opening among the openings.

また、本発明の真空処理方法は、
第1の排気路及び第2の排気路が接続された処理容器内にて被処理体に対して真空処理を行う方法において、
被処理体を処理容器内に搬入する工程と、
前記第2の排気路に設けられ、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブを、真空処理を行うときの圧力の圧力設定値と処理容器内に供給されるガスの流量設定値との組み合わせに応じて決められた開度に設定する工程と、
その後、前記第1の排気路に設けられた自動調整バルブにより、処理容器内の圧力検出値が圧力設定値となるように開度を自動調整しながら真空処理を行う工程と、
前記自動調整バルブの開度を検出する工程と、
前記工程で検出された開度検出値が圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、前記半固定バルブの開度を、圧力調整範囲を広げるために、前記予め決められた開度の中で他の開度に変更する工程と、を含むことを特徴とする。
Further, the vacuum processing method of the present invention,
In a method for performing vacuum processing on an object to be processed in a processing vessel to which a first exhaust path and a second exhaust path are connected,
A step of loading the object to be processed into the processing container;
The semi-fixed valve, which is provided in the second exhaust path and is set to an opening selected from at least three predetermined openings, is provided with a pressure setting value for performing vacuum processing and a processing container. Setting the opening determined according to the combination with the flow rate set value of the gas supplied into,
Thereafter, a step of performing vacuum processing while automatically adjusting an opening degree by an automatic adjustment valve provided in the first exhaust path so that a pressure detection value in the processing container becomes a pressure set value,
Detecting the opening of the automatic adjustment valve,
When the opening detection value detected in the step exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the opening of the semi-fixed valve, in order to expand the pressure adjustment range, the predetermined opening of the predetermined opening And changing the opening to another opening.

さらに、本発明の記憶媒体は、
第1の排気路及び第2の排気路が接続された処理容器内にて被処理体に対して真空処理を行う装置に用いられるソフトウェアを記憶した記憶媒体であって、
前記ソフトウェアは、本発明の真空処理方法を実行するようにステップ群が組まれたコンピュータプログラムを含むことを特徴とする。
Further, the storage medium of the present invention
A storage medium storing software used for an apparatus that performs vacuum processing on a processing target in a processing container to which a first exhaust path and a second exhaust path are connected,
The software is characterized by including a computer program in which steps are set to execute the vacuum processing method of the present invention.

本発明によれば、処理容器に第1の排気路と第2の排気路を接続すると共に、第1の排気路に自動調整バルブを設け、第2の排気路に少なくとも3段階の開度から選択される半固定バルブを設けている。自動調整バルブの開度は、処理容器内の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて自動調整され、半固定バルブの開度は、自動調整バルブの開度検出値に基づいて、当該バルブの圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、自動的に変更するように制御される。これにより、自動調整バルブによる圧力制御が有効ではなくなる前に、半固定バルブの開度が自動的に変更されるので、広い範囲で安定して圧力制御を行うことができる。   According to the present invention, the first exhaust path and the second exhaust path are connected to the processing container, and the first exhaust path is provided with an automatic adjustment valve, and the second exhaust path is provided with at least three stages of opening. A semi-fixed valve to be selected is provided. The opening of the automatic adjustment valve is automatically adjusted based on the pressure detection value and the pressure set value in the processing container, and the opening of the semi-fixed valve is adjusted based on the opening detection value of the automatic adjustment valve. When the pressure exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the pressure is automatically changed. Thus, before the pressure control by the automatic adjustment valve becomes ineffective, the opening degree of the semi-fixed valve is automatically changed, so that pressure control can be stably performed in a wide range.

本発明の真空処理装置を適用したエッチング処理装置の一実施形態を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows one Embodiment of the etching processing apparatus to which the vacuum processing apparatus of this invention is applied. エッチング処理装置の制御部を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram illustrating a control unit of the etching processing apparatus. 第1のバルブ及び第2のバルブの開度と、処理ガスの流量と、処理容器内の圧力と、の関係を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram illustrating a relationship among opening degrees of a first valve and a second valve, a flow rate of a processing gas, and a pressure in a processing container. 本発明のエッチング処理装置の作用を示すフローチャートである。5 is a flowchart showing the operation of the etching apparatus of the present invention. 第1のバルブ及び第2のバルブの開度と、処理ガスの流量と、処理容器内の圧力と、の関係を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram illustrating a relationship among opening degrees of a first valve and a second valve, a flow rate of a processing gas, and a pressure in a processing container.

以下、本発明の実施の形態について、基板に対してエッチング処理を行うためのエッチング処理装置に本発明の真空処理装置を適用した場合を例にして説明する。図1はエッチング処理装置1の縦断断面図である。このエッチング処理装置1は、その内部において基板Sに対して、エッチング処理を施すための接地された処理容器10を備えている。基板Sは角型被処理体であり、処理容器10は例えば水平断面形状が四角形状に形成され、例えばアルミニウム(Al)等の熱伝導性の良好な材質により構成されている。図中11は基板Sの搬送口であり、12は搬送口11を開閉するゲートバルブである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to an example in which the vacuum processing apparatus of the present invention is applied to an etching apparatus for performing an etching process on a substrate. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of the etching apparatus 1. The etching processing apparatus 1 includes a grounded processing container 10 for performing an etching process on a substrate S inside thereof. The substrate S is a square-shaped object to be processed, and the processing container 10 is formed, for example, in a horizontal cross-sectional shape in a square shape, and is made of a material having good heat conductivity such as aluminum (Al). In the figure, reference numeral 11 denotes a transfer port for the substrate S, and reference numeral 12 denotes a gate valve for opening and closing the transfer port 11.

処理容器10の内部には、基板Sの載置台2が配置されている。この載置台2は、プラズマ発生用の高周波電源部21に電気的に接続されており、処理容器10内にプラズマを発生させるための下部電極として機能している。この載置台2は例えばアルミニウムにより構成され、処理容器10の底面上に絶縁部材22を介して配設されている。一方、処理容器10内部の載置台2の上方には、上部電極を兼用するガス供給部3が載置台2と対向するように設けられている。このガス供給部3は例えばアルミニウムにより構成され、その下面には多数のガス供給孔31が形成されている。処理容器10には、ガス供給部3の内部空間に処理ガスを供給するためのガス供給路32が設けられており、このガス供給路32の他端側は処理ガスの供給源33に接続されている。また、処理容器10には、その内部の圧力を検出するための圧力検出部14が設けられている。   The mounting table 2 for the substrate S is disposed inside the processing container 10. The mounting table 2 is electrically connected to a high-frequency power supply unit 21 for generating plasma, and functions as a lower electrode for generating plasma in the processing chamber 10. The mounting table 2 is made of, for example, aluminum, and is disposed on the bottom surface of the processing container 10 via an insulating member 22. On the other hand, a gas supply unit 3 also serving as an upper electrode is provided above the mounting table 2 inside the processing container 10 so as to face the mounting table 2. The gas supply unit 3 is made of, for example, aluminum, and has a plurality of gas supply holes 31 formed on the lower surface thereof. The processing container 10 is provided with a gas supply path 32 for supplying a processing gas to the internal space of the gas supply unit 3. The other end of the gas supply path 32 is connected to a processing gas supply source 33. ing. Further, the processing container 10 is provided with a pressure detection unit 14 for detecting the pressure inside the processing container 10.

処理容器10の底壁には、第1の排気路41及び第2の排気路42が設けられている。これら第1の排気路41及び第2の排気路42は、夫々複数例えば3本ずつ設けられており、例えば処理容器10の底面において、処理容器10の周方向に沿って設けられている。これら第1及び第2の排気路41、42の夫々の他端側には、例えば真空ポンプよりなる図示しない排気機構が接続されており、例えば第1の排気路41の排気機構は共通化され、第2の排気路42の排気機構は共通化されている。第1の排気路41には自動調整バルブよりなる第1のバルブ51が設けられ、第2の排気路42には半固定バルブよりなる第2のバルブ52が設けられている。図1及び図2の第1のバルブ51及び第2のバルブ52は、代表して記載されているが、各バルブ51、52に対して同様な制御ラインがあるものとする。   A first exhaust path 41 and a second exhaust path 42 are provided on the bottom wall of the processing container 10. Each of the first exhaust path 41 and the second exhaust path 42 is provided in a plurality, for example, three each. For example, the first exhaust path 41 and the second exhaust path 42 are provided on the bottom surface of the processing container 10 along the circumferential direction of the processing container 10. The other end side of each of the first and second exhaust passages 41 and 42 is connected to an exhaust mechanism (not shown) formed of, for example, a vacuum pump. For example, the exhaust mechanism of the first exhaust passage 41 is shared. The exhaust mechanism of the second exhaust path 42 is shared. The first exhaust path 41 is provided with a first valve 51 formed of an automatic adjustment valve, and the second exhaust path 42 is provided with a second valve 52 formed of a semi-fixed valve. Although the first valve 51 and the second valve 52 in FIGS. 1 and 2 are described as representatives, it is assumed that there are similar control lines for each of the valves 51 and 52.

第1のバルブ51は、バルブ本体及びバルブ本体の開度を調整するコントローラ50を含むAPC(Adaptive Pressure Controller)バルブであり、圧力検出部14の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて開度が自動調整され、第1の排気路41のコンダクタンスを自動調整するバルブである。3つの第1のバルブ51の開度は、圧力検出部14の圧力検出値に基づいてほぼ同じ開度で自動調整される。このため、例えば3つの第1のバルブ51の内の一の第1のバルブ51のコントローラ50が、第1のバルブ51の開度を検出する開度検出部として機能し、この開度検出部の検出結果は後述する制御部6に出力される。   The first valve 51 is an APC (Adaptive Pressure Controller) valve including a valve body and a controller 50 for adjusting the opening degree of the valve body, and the opening degree is determined based on a pressure detection value of the pressure detection unit 14 and a pressure set value. Is a valve that is automatically adjusted to automatically adjust the conductance of the first exhaust path 41. The opening degrees of the three first valves 51 are automatically adjusted at substantially the same opening degree based on the pressure detection values of the pressure detection unit 14. Therefore, for example, the controller 50 of the first valve 51 of the three first valves 51 functions as an opening detection unit that detects the opening of the first valve 51, and the opening detection unit Is output to the control unit 6 described later.

第2のバルブ52は、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定されるバルブである。例えば第2のバルブ52は、制御部6からの制御信号により開度を自由に調整できるバルブよりなり、例えばバルブ本体及びバルブ本体の開度を調整するコントローラ53を含むAPCバルブにより構成される。例えば第2のバルブ52の開度は、このバルブの最大開度と、最小開度と、最大開度と最小開度との間の開度から選択される開度に予め設定されている。最大開度とは、バルブの最大開度よりも僅かに絞った開度、例えば最大開度よりも5%絞った開度も含み、最小開度とは、バルブの最小開度よりも僅かに開いた開度、例えば最小開度よりも5%開いた開度も含むものとする。ここでいう5%とは、最大開度を100%としたときの値である。最大開度と最小開度との間の開度は適宜設定できるが、ここでは、説明の便宜上、最大開度を「全開」、最小開度を「全閉」、最大開度と最小開度の間の開度を「半開」とする。   The second valve 52 is a valve that is set to an opening selected from at least three predetermined openings. For example, the second valve 52 is a valve whose opening can be freely adjusted by a control signal from the control unit 6, and is constituted by, for example, an APC valve including a valve body and a controller 53 for adjusting the opening of the valve body. For example, the opening of the second valve 52 is preset to an opening selected from the maximum opening, the minimum opening, and the opening between the maximum opening and the minimum opening of the valve. The maximum opening includes an opening that is slightly smaller than the maximum opening of the valve, for example, an opening that is 5% smaller than the maximum opening, and the minimum opening is slightly smaller than the minimum opening of the valve. It also includes an opening that is open, for example, an opening that is 5% larger than the minimum opening. Here, 5% is a value when the maximum opening is 100%. Although the opening between the maximum opening and the minimum opening can be set as appropriate, here, for convenience of explanation, the maximum opening is “fully open”, the minimum opening is “fully closed”, and the maximum opening and the minimum opening are The degree of opening between is defined as “half open”.

エッチング処理装置1は制御部6により制御されるように構成されている。制御部6は、図2に示すように、バス60に各々接続された、CPU61、プログラム格納部62、ワークメモリ63、メモリ64、入力部65、レシピ格納部66を備えている。また、バス60には、第1のバルブ51のコントローラ50及び第2のバルブ52のコントローラ53が夫々接続されている。こうして、一の第1のバルブ51の開度がコントローラ50により検出され、その開度検出値が制御部6に出力されると共に、制御部6から全て第2のバルブ52に開度設定値が出力されるように構成されている。   The etching apparatus 1 is configured to be controlled by the control unit 6. As shown in FIG. 2, the control unit 6 includes a CPU 61, a program storage unit 62, a work memory 63, a memory 64, an input unit 65, and a recipe storage unit 66 connected to a bus 60, respectively. Further, a controller 50 of the first valve 51 and a controller 53 of the second valve 52 are connected to the bus 60, respectively. In this way, the opening of one first valve 51 is detected by the controller 50, and the detected value of the opening is output to the control unit 6, and the opening set value is entirely sent from the control unit 6 to the second valve 52. It is configured to be output.

CPU61により後述するエッチング処理工程のフローを実行するための各種の演算が行われる。プログラム格納部62には、エッチング処理装置1の各部に制御信号を送り、所定のエッチング処理を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれた各種のプログラムが格納されている。メモリ64には、第1のバルブ51の2つの閾値が記憶されており、この閾値は第1のバルブ51の圧力調整限界として予め決められたものである。   The CPU 61 performs various calculations for executing a flow of an etching process described later. The program storage unit 62 stores various programs in which commands (each step) for sending a control signal to each unit of the etching processing apparatus 1 and for causing a predetermined etching process to proceed are stored. The memory 64 stores two thresholds of the first valve 51, and the threshold is predetermined as a pressure adjustment limit of the first valve 51.

入力部65はマウスやキーボードやタッチパネルなどによって構成され、装置のユーザが、第1のバルブ51の閾値を入力できるように構成されている。レシピ格納部66は、種々の処理プロセスに対応したプロセスレシピを格納する部位であり、例えば処理プロセス毎に、真空処理を行うときの処理容器10内に供給されるガスの流量設定値と、処理容器10内の圧力設定値と、第2のバルブ52の初期の開度が「全開」、「全閉」のどちらかとして記載されている。この第2のバルブ52の初期の開度は、予め評価試験を行い、例えば図3に示すように、処理容器10内の圧力設定値と、処理ガスの流量設定値との相関データを取得して、これら圧力設定値と流量設定値との組み合わせに応じて決められる。   The input unit 65 includes a mouse, a keyboard, a touch panel, and the like, and is configured to allow a user of the device to input a threshold value of the first valve 51. The recipe storage unit 66 is a unit that stores process recipes corresponding to various processing processes. For example, for each processing process, a set value of a flow rate of a gas supplied into the processing container 10 when performing vacuum processing, The pressure set value in the container 10 and the initial opening degree of the second valve 52 are described as either “fully open” or “fully closed”. The initial opening degree of the second valve 52 is subjected to an evaluation test in advance, and for example, as shown in FIG. 3, correlation data between the pressure set value in the processing container 10 and the flow rate set value of the processing gas is acquired. Thus, it is determined according to the combination of the pressure set value and the flow rate set value.

また、制御部6は、コントローラ(開度検出部)50にて検出された一の第1のバルブ51の開度検出値が閾値を越えたときに、全ての第2のバルブ52の開度を、他の開度に変更するように制御信号を出力するプログラムを備えている。このプログラムは、後述のフローを実行できるようにステップ群が組まれており、例えばハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体から制御部6にインストールされる。   When the detected value of the opening of one first valve 51 detected by the controller (opening detecting unit) 50 exceeds the threshold value, the controller 6 controls the opening of all the second valves 52. Is provided with a program for outputting a control signal so as to change the opening degree to another opening degree. The program has a group of steps so that a flow described later can be executed, and is installed in the control unit 6 from a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magneto-optical disk, a memory card, and a flexible disk.

既述のように、図3は、エッチング処理装置1において、第1のバルブ51及び第2のバルブ52の開度と、処理ガスの流量と、処理容器10内の圧力との関係を示す特性図である。図中横軸はガス流量、縦軸は圧力を夫々示す。図3中、一点鎖線で示す第1の曲線A1は、全ての第2のバルブ52が「全閉」であって第1のバルブ51の開度が「300」のときのデータである。また、点線で示す第2の曲線A2は、全ての第2のバルブ52が「全開」であって第1のバルブ51の開度が「1」のときのデータ、実線で示す第3の曲線A3は、全ての第2のバルブ52が「全開」であって第1のバルブ51の開度が「300」のときのデータである。   As described above, FIG. 3 shows characteristics indicating the relationship among the opening degrees of the first valve 51 and the second valve 52, the flow rate of the processing gas, and the pressure in the processing chamber 10 in the etching processing apparatus 1. FIG. In the figure, the horizontal axis indicates the gas flow rate, and the vertical axis indicates the pressure. In FIG. 3, a first curve A1 indicated by a dashed line is data when all the second valves 52 are “fully closed” and the opening degrees of the first valves 51 are “300”. The second curve A2 indicated by a dotted line is data when all the second valves 52 are “fully open” and the opening degree of the first valves 51 is “1”, and the third curve indicated by a solid line is A3 is data when all the second valves 52 are “fully open” and the opening degrees of the first valves 51 are “300”.

第1のバルブ51及び第2のバルブ52の開度は、既述のようにコントローラ50、53により制御され、「1」、「300」とはコントローラ50、53上の設定値である。コントローラ50、53では、第1及び第2のバルブ51、52の開度は、「1」〜「1000」まで設定できるが、「1」より絞っても、「300」より開いても処理容器10内の圧力変化がほとんどない。このように、開度が「1」とは極めて「全閉」に近い状態であり、開度が「300」とは極めて「全開」に近い状態であるので、ここでは開度「1」以下を「全閉」、開度「300」以上を「全開」として説明する。   The opening degrees of the first valve 51 and the second valve 52 are controlled by the controllers 50 and 53 as described above, and “1” and “300” are set values on the controllers 50 and 53. In the controllers 50 and 53, the opening degree of the first and second valves 51 and 52 can be set from "1" to "1000". There is almost no change in pressure in 10. As described above, the opening degree of “1” is extremely close to “fully closed”, and the opening degree of “300” is extremely close to “fully open”. Is described as “fully closed” and an opening degree of “300” or more as “fully opened”.

図3において、第1の曲線A1よりも左側の領域S1は、第2のバルブ52を「全閉」にし、第1のバルブ51を「全閉」から「全開」まで調整することにより、圧力調整を行うことができる領域である。一方、第2の曲線A2と第3の曲線A3との間の領域S2は、第2のバルブ52を「全開」にし、第1のバルブ51を「全閉」から「全開」まで調整することにより、圧力調整を行うことができる領域である。これに対し、第1の曲線A1と第2の曲線A2との間の斜線にて領域S3は、第2のバルブ52を「全開」又は「全閉」にしたときには、第1のバルブ51を「全閉」から「全開」まで調整しても、圧力調整を行うことができない調圧不可能領域となる。   In FIG. 3, a region S1 on the left side of the first curve A1 has a pressure higher by setting the second valve 52 to “fully closed” and adjusting the first valve 51 from “fully closed” to “fully open”. This is the area where adjustments can be made. On the other hand, in a region S2 between the second curve A2 and the third curve A3, the second valve 52 is set to “fully open”, and the first valve 51 is adjusted from “fully closed” to “fully open”. Is an area where pressure adjustment can be performed. On the other hand, in a region S3 indicated by a diagonal line between the first curve A1 and the second curve A2, when the second valve 52 is set to “fully open” or “fully closed”, the first valve 51 is switched to “closed”. Even if the adjustment is performed from "fully closed" to "fully opened", the pressure cannot be adjusted.

本発明は、この調圧不可能領域をなくして圧力調整範囲を広げるために、第2のバルブ52の開度を「全閉」又は「全開」から「半開」に変更するものであり、この第2のバルブ52の開度の変更を第1のバルブ51の開度検出値に基づいて行っている。このため、予め第2のバルブ52の初期位置を「全開」または「全閉」に設定すると共に、第1のバルブ51の開度に閾値を設け、閾値を越えたときに、第2のバルブ52の開度を「半開」に変更する制御信号を出力するように構成されている。   The present invention changes the opening of the second valve 52 from "fully closed" or "fully open" to "half open" in order to eliminate the pressure uncontrollable region and expand the pressure adjustment range. The opening of the second valve 52 is changed based on the detected value of the opening of the first valve 51. For this reason, the initial position of the second valve 52 is set in advance to “fully open” or “fully closed”, a threshold value is provided for the opening degree of the first valve 51, and when the threshold value is exceeded, the second valve 52 is opened. It is configured to output a control signal for changing the opening of 52 to “half open”.

第1のバルブ51の閾値は圧力調整限界として予め決められており、例えば、第1のバルブ51の開度を絞る側の閾値(第1の閾値)と、開く側の閾値(第2の閾値)として設定され、例えばオペレータが入力部65から入力することにより、夫々メモリ64に記憶される。第1の閾値とは、図3において、第1の領域S1側から第3の領域S3に向かうときの閾値であり、例えば開度「200」〜「300」から選択される開度に設定される。この場合、閾値を越えるとは、第1のバルブ51の開度が、第1の閾値をなす開度「200」〜「300」から選択される開度よりも大きくなることをいう。   The threshold value of the first valve 51 is predetermined as a pressure adjustment limit. For example, a threshold value (first threshold value) on the side that reduces the opening of the first valve 51 and a threshold value (second threshold value) on the opening side ) Are stored in the memory 64, for example, when the operator inputs from the input unit 65. The first threshold in FIG. 3 is a threshold when moving from the first area S1 side to the third area S3, and is set to, for example, an opening degree selected from the opening degrees “200” to “300”. You. In this case, exceeding the threshold value means that the opening degree of the first valve 51 is larger than the opening degree selected from the opening degrees “200” to “300” that form the first threshold value.

また、第2の閾値とは、図3において、第2の領域S2側から第3の領域S3に向かうときの閾値であり、例えば開度「1」〜「100」から選択される開度に設定される。この場合、閾値を越えるとは、第1のバルブ51の開度が、第2の開度をなす開度「1」〜「100」から選択される開度よりも小さくなることをいう。圧力調整限界とは、発明の理解が容易となり、かつ記述が簡潔になるように使用している用語である。従って、バルブの機構的に圧力調整限界となる場合に限られず、マージンを見て決めている場合、例えば調整感度が悪くなる領域に入る前の開度など、事前に装置メーカあるいはユーザが使いやすいように決めた開度なども含まれる意味である。   In addition, the second threshold is a threshold when moving from the second area S2 side to the third area S3 in FIG. 3, and is, for example, an opening selected from the opening “1” to “100”. Is set. In this case, exceeding the threshold value means that the opening degree of the first valve 51 is smaller than the opening degree selected from the opening degrees “1” to “100” forming the second opening degree. The pressure regulation limit is a term used to facilitate understanding of the invention and to simplify the description. Therefore, the present invention is not limited to the case where the pressure adjustment limit is mechanically applied to the valve, but is easily determined by the margin, for example, the opening degree before entering the region where the adjustment sensitivity is deteriorated. This means that the opening degree determined as described above is also included.

続いて、本発明のエッチング処理方法について、図4のフローチャートを参照して説明する。先ず制御部6により、レシピ格納部66から目的のプロセスレシピを選択して読み込む(ステップS1)。制御部6では、このプロセスレシピに基づいて、エッチング処理装置1の各部に制御信号を出力し、基板Sに対して所定のエッチング処理を行う。具体的には、基板Sを処理容器10に搬入して載置部2上に載置し、ゲートバルブ12を閉じる。この時点では、第1のバルブ51及び第2のバルブの開度52を「全開」にして、各排気機構を作動する。次いで、ガス供給部3から、ガスを基板Sに向けて吐出すると共に、高周波電源部21から載置部2に高周波電力を供給する。   Next, the etching method of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. First, the control unit 6 selects and reads a target process recipe from the recipe storage unit 66 (step S1). The control unit 6 outputs a control signal to each unit of the etching processing apparatus 1 based on the process recipe, and performs a predetermined etching process on the substrate S. Specifically, the substrate S is carried into the processing container 10 and placed on the placement unit 2, and the gate valve 12 is closed. At this time, the opening degree 52 of the first valve 51 and the second valve is set to “fully open”, and each exhaust mechanism is operated. Next, gas is discharged from the gas supply unit 3 toward the substrate S, and high-frequency power is supplied to the mounting unit 2 from the high-frequency power supply unit 21.

処理容器10の圧力制御について説明すると、制御部6では選択されたプロセスレシピに基づいて、例えば各排気機構を作動させてから、第2のバルブ52の開度を、圧力設定値とガスの流量設定値との組み合わせに応じて決められた初期の開度である「全閉」または「全開」に設定する。その後、制御部6から第1のバルブ51の夫々のコントローラ50に対して、当該プロセスレシピに記載された圧力設定値を出力し、各コントローラ50では処理容器10内の圧力検出値が圧力設定値となるように夫々の第1のバルブ51の開度を自動調整する。   The pressure control of the processing container 10 will be described. The control unit 6 operates, for example, each exhaust mechanism based on the selected process recipe, and then sets the opening degree of the second valve 52 to the pressure set value and the gas flow rate. The initial opening degree determined according to the combination with the set value is set to “fully closed” or “fully opened”. After that, the control unit 6 outputs the pressure set value described in the process recipe to each controller 50 of the first valve 51, and in each controller 50, the detected pressure value in the processing container 10 is changed to the pressure set value. The opening degree of each first valve 51 is automatically adjusted so that

第2のバルブ52の初期の開度が「全閉」である場合について述べると、第2のバルブ52の開度が「全閉」であるか否かを判断し(ステップS2)、「全閉」になっていれば、ステップS3においてプロセスを開始する。つまり、基板Sの上の空間にプラズマを形成し、このプラズマによりガス供給部3からの処理ガスを活性化して基板Sに対するエッチング処理を行う。そして、プロセス中、一の第1のバルブ51の開度を常時検出し、その開度検出値を制御部6に出力する。制御部6では、第1のバルブ51の開度が第1の閾値以下であるか否かを判定し(ステップS4)、第1の閾値以下であればプロセスを続行する。   Describing a case where the initial opening of the second valve 52 is “fully closed”, it is determined whether or not the opening of the second valve 52 is “fully closed” (step S2). If "closed", the process starts in step S3. That is, a plasma is formed in a space above the substrate S, and the processing gas from the gas supply unit 3 is activated by the plasma to perform an etching process on the substrate S. During the process, the opening of one first valve 51 is constantly detected, and the detected opening is output to the control unit 6. The control unit 6 determines whether or not the opening of the first valve 51 is equal to or smaller than a first threshold (step S4). If the opening is equal to or smaller than the first threshold, the process is continued.

一方、第1のバルブ51の開度が第1の閾値を越えていれば(第1の閾値よりも大きければ)、ステップS5において、全ての第2のバルブ52の開度を「全閉」から「半開」に例えば同期して変更してプロセスを続行する。第2のバルブ52の開度を「全閉」から「半開」にすると、第1のバルブ51の開度は「全開」に近い状態から絞られ、圧力が自動調整できる状態に戻される。具体的に図5を参照して説明する。図5は、図3の特性図に、第2のバルブ52の開度が「半開」のときのデータを合わせて示すものである。図5中、2点鎖線で示す第4の曲線A4は、全ての第2のバルブ52が「半開」であって第1のバルブ51の開度が「300(全開)」のときのデータである。   On the other hand, if the opening degrees of the first valves 51 exceed the first threshold value (if larger than the first threshold value), in step S5, the opening degrees of all the second valves 52 are set to “fully closed”. To “half open”, for example, synchronously and continue the process. When the degree of opening of the second valve 52 is changed from "fully closed" to "half open", the degree of opening of the first valve 51 is reduced from a state close to "fully open" and returned to a state where the pressure can be automatically adjusted. This will be specifically described with reference to FIG. FIG. 5 shows the characteristic diagram of FIG. 3 together with data when the opening of the second valve 52 is “half open”. In FIG. 5, a fourth curve A4 indicated by a two-dot chain line is data when all the second valves 52 are "half open" and the opening degrees of the first valves 51 are "300 (fully open)". is there.

第1のバルブ51が第1の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を「半開」にすると、第1の排気路41と第2の排気路42を合わせた排気能力は向上するので、第1のバルブ51の開度は一旦絞られる。そして、再び開度が「300」になるまで自動調整することが可能になるため、第1の曲線A1と第4の曲線A4との間の領域S4も圧力調整を行うことができる領域となる。このように当該領域S4は領域S2をカバーするため、調圧不可能領域S2を無くすことができる。こうして、第1のバルブ51により圧力の自動調整を行いながらプロセスを続行し、プロセスを終了する(ステップS6)。   If the second valve 52 is set to “half open” when the first valve 51 exceeds the first threshold value, the combined exhaust capacity of the first exhaust path 41 and the second exhaust path 42 is improved. The opening of the first valve 51 is once reduced. Then, since the automatic adjustment can be performed again until the opening degree becomes “300”, the area S4 between the first curve A1 and the fourth curve A4 is also an area where the pressure adjustment can be performed. . As described above, since the area S4 covers the area S2, the pressure-adjustable area S2 can be eliminated. Thus, the process is continued while the pressure is automatically adjusted by the first valve 51, and the process is terminated (step S6).

続いて、第2のバルブ52の初期の開度が「全開」である場合について述べると、ステップS2において、第2のバルブ52の開度が「全開」になっていれば、ステップS7においてプロセスを開始する。そして、プロセス中、一の第1のバルブ51の開度を常時検出して、その開度検出値を制御部6に出力する。制御部6では、第1のバルブ51の開度が第2の閾値以上か否かを判定し(ステップS8)、第2の閾値以上であればプロセスを続行する。一方、第1のバルブ51の開度が第2の閾値を越えていれば(第2の閾値より小さければ)、ステップS5において、全ての第2のバルブ52の開度を「全開」から「半開」に例えば同期して変更させてプロセスを続行する。第2のバルブ52の開度を「全開」から「半開」にすると、第1の排気路41と第2の排気路42を合わせた排気能力は低下するので、第1のバルブ51の開度は「全閉」に近い状態から開かれ、圧力が自動調整できる状態に戻されるので、既述のように調圧不可能領域S2を無くすことができる。こうして、第1のバルブ51により圧力の自動調整を行いながらプロセスを続行し、プロセスを終了する(ステップS6)。   Subsequently, the case where the initial opening degree of the second valve 52 is “fully open” will be described. If the opening degree of the second valve 52 is “full open” in step S2, the process proceeds to step S7. To start. During the process, the opening of one first valve 51 is constantly detected, and the detected opening is output to the control unit 6. The controller 6 determines whether or not the opening of the first valve 51 is equal to or greater than a second threshold (step S8). If the opening is equal to or greater than the second threshold, the process is continued. On the other hand, if the opening degrees of the first valves 51 exceed the second threshold value (if smaller than the second threshold value), in step S5, the opening degrees of all the second valves 52 are changed from "full open" to "full open". The process is continued, for example, in synchronization with "half open". When the opening degree of the second valve 52 is changed from “full opening” to “half opening”, the exhaust capacity of the first exhaust path 41 and the second exhaust path 42 is reduced. Is opened from a state close to “fully closed”, and the pressure is returned to a state where the pressure can be automatically adjusted. Therefore, the pressure-adjustable region S2 can be eliminated as described above. Thus, the process is continued while the pressure is automatically adjusted by the first valve 51, and the process is terminated (step S6).

上述の実施形態によれば、自動調整バルブよりなる第1のバルブ51と、少なくとも3段階の開度から選択される半固定バルブよりなる第2のバルブ52と、を用い、第1のバルブ51の開度を検出し、圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、第2のバルブ52の開度を自動的に変更している。これにより、第1のバルブ51による圧力制御が有効ではなくなる前に、第2のバルブ52の開度が自動的に変更されるので、既述のように調圧不可能領域S2が無くなり、広い範囲で安定して圧力制御を行うことができる。   According to the above-described embodiment, the first valve 51 is formed by using the first valve 51 formed of an automatic adjustment valve and the second valve 52 formed of a semi-fixed valve selected from at least three degrees of opening. Is detected, and when the pressure exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the opening of the second valve 52 is automatically changed. As a result, before the pressure control by the first valve 51 becomes ineffective, the opening of the second valve 52 is automatically changed. Therefore, as described above, the non-adjustable area S2 is eliminated, and the area is wide. Pressure control can be stably performed within the range.

このため、例えば装置のユーザ側にてプロセス条件を変更する場合であっても、第2のバルブ52の初期の開度が条件に合わせて適切な開度に自動的に変更されるため、常に良好な圧力制御を行うことができる。また、安定した圧力制御を行うことができることから、処理容器10内において、例えば放電状態の安定化を図ることができ、真空処理を安定した状態で行うことができる。これにより、製品の安定性が向上するため、歩留りの改善を期待することができる。   Therefore, for example, even when the process conditions are changed on the user side of the apparatus, the initial opening degree of the second valve 52 is automatically changed to an appropriate opening degree according to the conditions. Good pressure control can be performed. In addition, since stable pressure control can be performed, for example, the discharge state can be stabilized in the processing container 10, and the vacuum processing can be performed in a stable state. Thereby, the stability of the product is improved, so that an improvement in yield can be expected.

既述のように、第2のバルブ52の初期の開度は、予め評価試験を行って決められるが、処理容器10内において製品とは異なる基板に対して処理を行ったときと、製品用基板に対して処理を行ったときとでは放電状態が変化することがある。このため、事前の評価において、第2のバルブ52の開度を適切な位置に設定したとしても、本発明のように、プロセス中に第2のバルブ52の開度の自動調整を行うことは有効である。   As described above, the initial opening degree of the second valve 52 is determined by performing an evaluation test in advance, and when the processing is performed on a substrate different from the product in the processing container 10 and the product In some cases, the discharge state changes when the substrate is processed. For this reason, even if the opening of the second valve 52 is set to an appropriate position in the preliminary evaluation, it is not possible to automatically adjust the opening of the second valve 52 during the process as in the present invention. It is valid.

さらに、メタル膜のエッチング処理などでは、基板S上のエッチング種がなくなると、処理容器10内の圧力が急激に変化することがある。この圧力変化に圧力調整機構が対応できない場合には、プラズマのインピーダンスが一気に変化し、基板Sの配線に電流が流れてダメージを与える現象が発生してしまう。従来は、処理容器10内の急激な圧力変化に対応できず、さらには調圧不可能な領域では圧力制御が困難であったため、プロセスに制約が発生していた。   Further, in an etching process of a metal film or the like, if there is no more etching species on the substrate S, the pressure in the processing chamber 10 may change rapidly. If the pressure adjustment mechanism cannot cope with this pressure change, the impedance of the plasma changes at a stretch, causing a phenomenon in which a current flows through the wiring of the substrate S and damages it. Conventionally, it was not possible to cope with a sudden change in pressure in the processing vessel 10, and furthermore, it was difficult to control the pressure in a region where the pressure could not be adjusted.

これに対して、本発明では、処理容器10内の圧力変化に対応して、第1のバルブ51の開度が速やかに変化し、これによって第2のバルブ52の開度も変化するので、処理容器10内の圧力を短時間で安定化させ、さらに従来の調圧不可能な領域の圧力調整も行うことができる。処理容器10内の圧力変化により、先ず応答性の良好な第1のバルブ51の開度が変化し、この開度変化に追従して第2のバルブ52の開度が変化するからである。このように、処理容器10内の急激な圧力変化の際にも、プラズマを短時間で安定させることができるので、基板Sの製造を安定して行うことができ、歩留りの低下を抑えることができる上、プロセス上の制約が発生しにくいという利点がある。   On the other hand, in the present invention, the opening degree of the first valve 51 changes quickly in response to the pressure change in the processing container 10, and the opening degree of the second valve 52 also changes. It is possible to stabilize the pressure in the processing container 10 in a short time and to perform the conventional pressure adjustment in a region where pressure cannot be adjusted. This is because the opening degree of the first valve 51 having good responsiveness changes first due to the pressure change in the processing container 10, and the opening degree of the second valve 52 changes following this opening degree change. As described above, the plasma can be stabilized in a short time even when the pressure in the processing container 10 changes suddenly, so that the production of the substrate S can be performed stably and the reduction in the yield can be suppressed. In addition, there is an advantage that constraints on the process hardly occur.

上述の実施形態では、第2のバルブ52の開度は「全閉」→「半開」、または「全閉」→「半開」のように2段階で変更したが、プロセス中における圧力の変化量が大きい場合には、第2のバルブ52の開度を「全閉」→「半開」→「全開」または、「全開」→「半開」→「全閉」のように3段階で変更してもよい。この場合には、例えば第1のバルブ51を絞る側の閾値として、第2のバルブ52を「全閉」から「半開」にするとき用の閾値と、第2のバルブ52を「半開」から「全開」にするとき用の閾値との2つの閾値をメモリ64に記憶させる。また、例えば第1のバルブ51を開く側の閾値として、第2のバルブ52を「全開」から「半開」にするとき用の閾値と、第2のバルブ52を「半開」から「全閉」にするとき用の閾値との2つの閾値をメモリ64に記憶させる。   In the above-described embodiment, the opening degree of the second valve 52 is changed in two stages such as “fully closed” → “half open” or “fully closed” → “half open”. Is large, the opening degree of the second valve 52 is changed in three stages such as “fully closed” → “half open” → “fully open” or “full open” → “half open” → “fully closed”. Is also good. In this case, for example, as the threshold value on the side on which the first valve 51 is throttled, a threshold value for changing the second valve 52 from “fully closed” to “half open” and a second valve 52 from “half open” The memory 64 stores two thresholds, that is, a threshold for “full opening”. Further, for example, as the threshold value on the side where the first valve 51 is opened, a threshold value when the second valve 52 is changed from “fully open” to “half open”, and the second valve 52 is changed from “half open” to “fully closed” Are stored in the memory 64.

そして、第1のバルブ51の開度の検出値に基づいて、対応する閾値を越えたときに、全ての第2のバルブ52の開度を「全閉」→「半開」→「全開」または、「全開」→「半開」→「全閉」のように変更する。この場合においても、第1のバルブ51の開度検出値に基づいて、第2のバルブ52の開度が適切な位置に適宜変更されるので、広い圧力範囲において安定した圧力制御を行うことができる。   Then, based on the detected value of the opening degree of the first valve 51, when the corresponding threshold value is exceeded, the opening degrees of all the second valves 52 are changed from “fully closed” → “half open” → “full open” or , "Fully open" → "Half open" → "Fully closed". Also in this case, since the opening of the second valve 52 is appropriately changed to an appropriate position based on the detected value of the opening of the first valve 51, stable pressure control can be performed in a wide pressure range. it can.

さらに、上述の実施形態では、第2のバルブ52の初期の開度を「全閉」または「全開」としたが、この初期の開度を「半開」とし、第1のバルブ51の閾値を越えたときに、「全閉」または「全開」に開度変更してもよい。この場合には、例えば第1のバルブ51を絞る側の閾値として、第2のバルブ52を「半開」から「全開」にするとき用の閾値と、第1のバルブ51を開く側の閾値として、第2のバルブ52を「半開」から「全閉」にするとき用の閾値とをメモリ64に記憶させる。そして、第1のバルブ51の開度が絞る側の閾値を越えていれば、全ての第2のバルブ52の開度を「半開」から「全開」に変更する。一方、第1のバルブ51の開度が開く側の閾値を越えていれば、全ての第2のバルブ52の開度を「半開」から「全閉」に変更する。この場合においても、第1のバルブ51の開度検出値に基づいて、第2のバルブ52の開度が適宜変更されるので、広い圧力範囲において安定した圧力制御を行うことができる。   Furthermore, in the above-described embodiment, the initial opening of the second valve 52 is “fully closed” or “fully open”. However, the initial opening is “half open” and the threshold of the first valve 51 is When it exceeds, the opening degree may be changed to “fully closed” or “fully opened”. In this case, for example, as the threshold value on the side that throttles the first valve 51, the threshold value when the second valve 52 is changed from “half open” to “fully open” and the threshold value on the side that opens the first valve 51 are used. , The threshold value for changing the second valve 52 from “half open” to “fully closed” is stored in the memory 64. Then, if the opening degrees of the first valves 51 exceed the threshold value on the throttle side, the opening degrees of all the second valves 52 are changed from “half open” to “full open”. On the other hand, if the opening degrees of the first valves 51 exceed the threshold value on the opening side, the opening degrees of all the second valves 52 are changed from “half open” to “fully closed”. Also in this case, since the opening of the second valve 52 is appropriately changed based on the detected value of the opening of the first valve 51, stable pressure control can be performed in a wide pressure range.

また、第2のバルブ52の開度の変更に合わせて、第1のバルブ51のゲインを調整し、第1のバルブ51の応答性を低下させるようにしてもよい。第2のバルブ52の開度の変更により、第1のバルブ51も絞る側や開く側に開度が変わるが、例えば第2のバルブ52の開度の変更から、予め設定された時間は第1のバルブ51の応答性を低下させることにより、第1のバルブ51の急激な開度変化が抑えられる。このため、処理容器10内の急な圧力変動を抑えて、より一層安定した圧力制御を行うことができる。   Further, the responsiveness of the first valve 51 may be reduced by adjusting the gain of the first valve 51 in accordance with the change in the opening of the second valve 52. By changing the opening of the second valve 52, the opening of the first valve 51 is also changed to the side to be squeezed or opened, but for example, from the change of the opening of the second valve 52, the preset time is equal to the second time. By reducing the responsiveness of the first valve 51, a sudden change in the opening degree of the first valve 51 can be suppressed. For this reason, it is possible to suppress a sudden pressure fluctuation in the processing container 10 and perform more stable pressure control.

さらに、第2のバルブ52の位置の推移データに基づいて、第2のバルブ52の初期の開度を変更するようにしてもよい。例えば同じレシピにて多数枚の基板Sを処理する間、第2のバルブ52の開度を監視し、推移データとして取得する。そして、第2のバルブ52の開度の変更が早いタイミングで起こる場合などには、第2のバルブ52の初期の開度を、当初設定されていた「全開」または「全閉」から、「半開」に設定変更してもよい。   Further, the initial opening of the second valve 52 may be changed based on the transition data of the position of the second valve 52. For example, while processing a large number of substrates S using the same recipe, the opening of the second valve 52 is monitored and acquired as transition data. If the change in the opening of the second valve 52 occurs at an early timing, the initial opening of the second valve 52 is changed from the initially set “full open” or “fully closed” to “ The setting may be changed to “half open”.

この場合、第2のバルブ52の初期の開度をオペレータが設定し直してもよいし、オペレータがレシピの書き換えを行ってもよい。また、自動的にレシピの書き換えを行うようにしてもよい。例えば自動的に行う場合には、制御部6に第2のバルブ52の推移データを取得し、予め決められたタイミングで第2のバルブ52の開度が変更されているか否かを判定し、変更されているときには、レシピに記載される第2のバルブ52の初期の開度を変更して書き換えるプログラムを格納する。そして、例えば同じレシピの次のロットの基板Sに対しては、第2のバルブ52の初期の開度を書き換えられた位置に設定して処理を行う。   In this case, the initial opening degree of the second valve 52 may be reset by the operator, or the operator may rewrite the recipe. Further, the recipe may be automatically rewritten. For example, in the case of performing automatically, the transition data of the second valve 52 is acquired by the control unit 6, and it is determined whether or not the opening degree of the second valve 52 is changed at a predetermined timing, If it has been changed, a program for changing and rewriting the initial opening of the second valve 52 described in the recipe is stored. Then, for example, for the substrate S of the next lot of the same recipe, the processing is performed by setting the initial opening of the second valve 52 to the rewritten position.

さらにまた、第2のバルブ52の予め決められた開度は、少なくとも3つであればよく、4つ以上の開度を備えるようにしてもよい。例えば第1の開度(「全閉」)、第2の開度、第2の開度よりも大きい第3の開度、第4の開度(「全開」)の4つの開度が設定されるときには、第1のバルブ51について、2段階の絞る側の閾値を用意すると共に、2段階の開く側の閾値を用意する。   Further, the predetermined opening degree of the second valve 52 may be at least three, and may be four or more. For example, four opening degrees are set: a first opening degree ("fully closed"), a second opening degree, a third opening degree larger than the second opening degree, and a fourth opening degree ("fully opened"). In this case, two levels of threshold values for the first valve 51 are prepared, and two levels of threshold values for the open side are prepared.

そして、第2のバルブ52の初期の開度を第1の開度(「全閉」)に設定したときには、第1のバルブ51の開度が一番目の絞る側の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を第2の開度に設定し、第1のバルブ51の開度が二番目の絞る側の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を第3の開度に設定するように制御する。一方、第2のバルブ52の初期の開度を第4の開度(「全開」)に設定したときには、第1のバルブ51の開度が一番目の開く側の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を第3の開度に設定し、第1のバルブ51の開度が二番目の開く側の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を第2の開度に設定するように制御する。   When the initial opening degree of the second valve 52 is set to the first opening degree (“fully closed”), the opening degree of the first valve 51 exceeds the threshold value on the first throttle side. , The second valve 52 is set to the second opening, and when the opening of the first valve 51 exceeds the second throttle-side threshold, the second valve 52 is set to the third opening. Control to set. On the other hand, when the initial opening degree of the second valve 52 is set to the fourth opening degree ("full open"), when the opening degree of the first valve 51 exceeds the threshold value on the first opening side, The second valve 52 is set to the third opening, and when the opening of the first valve 51 exceeds the second opening threshold, the second valve 52 is set to the second opening. To control.

以上において、本発明では、例えば予めメモリ64に、真空処理を行うときの圧力の圧力設定値と処理容器内に供給されるガスの流量設定値との組み合わせに対応付けて、第2のバルブ52の初期の開度を記憶させておく。一方、プロセスレシピには前記圧力設定値と前記ガスの流量設定値との組み合わせを記載する。そして、プロセスレシピの選択により、メモリ64から対応する第2のバルブ52の初期の開度を読み出して、第2のバルブ52の初期の位置を設定してもよい。   In the above, in the present invention, for example, the second valve 52 is stored in advance in the memory 64 in association with the combination of the pressure set value of the pressure at the time of performing the vacuum processing and the flow rate set value of the gas supplied into the processing container. Is stored in advance. On the other hand, the process recipe describes a combination of the pressure set value and the gas flow rate set value. Then, by selecting a process recipe, the initial opening of the corresponding second valve 52 may be read from the memory 64 and the initial position of the second valve 52 may be set.

さらに、第2のバルブ52の初期の開度は、真空処理を行うときの圧力の圧力設定値のみに基づいて設定してもよい。この場合には、プロセスレシピに圧力設定値と第2のバルブ52の初期の開度を記載し、このプロセスレシピの選択により、第2のバルブ52を初期の位置に設定してもよい。また、プロセスレシピには圧力設定値を記載すると共に、メモリ64に圧力設定値と第2のバルブ52の初期の開度を対応付けて格納し、このプロセスレシピの選択により、メモリ64から対応する第2のバルブ52を読み出して初期の位置に設定してもよい。   Furthermore, the initial opening degree of the second valve 52 may be set based only on the pressure set value of the pressure when performing the vacuum processing. In this case, the pressure set value and the initial opening of the second valve 52 may be described in the process recipe, and the second valve 52 may be set to the initial position by selecting the process recipe. In addition, the pressure set value is described in the process recipe, and the pressure set value and the initial opening degree of the second valve 52 are stored in the memory 64 in association with each other. The second valve 52 may be read out and set to the initial position.

さらにまた、第1のバルブ51の閾値や第2のバルブ52の開度は適宜設定変更できる。例えば第1のバルブ51や第2のバルブ52の開度の推移データや、処理容器10内の圧力変化の推移データを取得して、より適切な閾値や、第2のバルブ52の開度に設定し直してもよい。例えば第2のバルブ52の開度の変更は、例えば「全開」状態の開度を現行が「300」であるときに「200」程度にする場合や、「全閉」の開度を現行が「1」であるときに「10」程度する場合、「半開」の開度を現行が「150」であるときに「100」程度にするなどである。   Furthermore, the threshold value of the first valve 51 and the opening degree of the second valve 52 can be appropriately changed. For example, the transition data of the opening degree of the first valve 51 and the second valve 52 and the transition data of the pressure change in the processing container 10 are acquired, and a more appropriate threshold value and the opening degree of the second valve 52 are obtained. You may set it again. For example, the opening degree of the second valve 52 is changed, for example, when the opening degree of the “fully open” state is set to about “200” when the current state is “300”, or when the opening degree of the “fully closed” state is When the value is about "10" when the value is "1", the opening degree of "half open" is set to about "100" when the current value is "150".

以上において本発明においては、半固定バルブとして開度が数箇所に固定されるバルブを用いたが、本発明でいう予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブは、開度自体が選択される場合に限らず、排気コンダクタンスを複数の値に切り替えるバルブも含むものである。また、第1の排気路と第2の排気路の本数は上述の例に限らず、これら第1の排気路の夫々及び第2の排気路の夫々が専用の排気機構に接続されていてもよい。また、本発明の真空処理装置はエッチング処理のみならず、アッシングやCVD等、他の真空処理を行う処理に適用することができる。また、真空処理は、必ずしもプラズマ処理に限定されるものではなく、他のガス処理であってもよいし、ガス処理以外の真空処理であってもよい。さらにまた、被処理体としてはFPD基板の他、半導体基板であってもよい。   In the above, in the present invention, a valve whose opening is fixed at several places is used as a semi-fixed valve, but the valve is set to an opening selected from at least three predetermined degrees of opening according to the present invention. The semi-fixed valve is not limited to the case where the opening itself is selected, but also includes a valve that switches the exhaust conductance to a plurality of values. Further, the numbers of the first exhaust path and the second exhaust path are not limited to the above example, and even if each of the first exhaust path and each of the second exhaust paths are connected to a dedicated exhaust mechanism. Good. Further, the vacuum processing apparatus of the present invention can be applied not only to etching processing but also to processing for performing other vacuum processing such as ashing and CVD. Further, the vacuum processing is not necessarily limited to the plasma processing, and may be another gas processing or a vacuum processing other than the gas processing. Furthermore, the object to be processed may be a semiconductor substrate other than the FPD substrate.

S 基板
1 エッチング処理装置
10 処理容器
2 載置台
3 ガス供給部(上部電極)
41 第1の排気路
42 第2の排気路
51 第1のバルブ(自動調整バルブ)
52 第2のバルブ(半固定バルブ)
6 制御部
S substrate 1 etching processing apparatus 10 processing container 2 mounting table 3 gas supply unit (upper electrode)
41 first exhaust path 42 second exhaust path 51 first valve (automatic adjustment valve)
52 Second valve (semi-fixed valve)
6 control unit

Claims (8)

その内部において被処理体に対して真空処理が行われる処理容器と、
前記処理容器に夫々一端側が接続された第1の排気路及び第2の排気路と、
前記処理容器内の圧力を検出する圧力検出部と、
前記第1の排気路に設けられ、前記圧力検出部の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて排気路のコンダクタンスを自動調整する自動調整バルブと、
前記第2の排気路に設けられ、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブと、
前記自動調整バルブの開度を検出する開度検出部と、
前記開度検出部にて検出された開度検出値が圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、前記半固定バルブの開度を、圧力調整範囲を広げるために、前記予め決められた開度の中で他の開度に変更するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。
A processing container in which vacuum processing is performed on the object to be processed,
A first exhaust path and a second exhaust path each having one end connected to the processing container,
A pressure detector for detecting the pressure in the processing container,
An automatic adjustment valve that is provided in the first exhaust path and that automatically adjusts the conductance of the exhaust path based on a pressure detection value and a pressure set value of the pressure detection unit;
A semi-fixed valve provided in the second exhaust path and set to an opening selected from at least three predetermined openings;
An opening detection unit that detects the opening of the automatic adjustment valve,
When the opening detection value detected by the opening detection unit exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the opening of the semi-fixed valve is increased in order to extend a pressure adjustment range. And a control unit that outputs a control signal so as to change the opening degree to another opening degree.
前記閾値は、前記半固定バルブの選択された開度に応じて、前記自動調整バルブの開度を絞る側の閾値または開く側の閾値として設定されていることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。   2. The threshold value according to claim 1, wherein the threshold value is set as a threshold value on a side that reduces the opening degree of the automatic adjustment valve or a threshold value on an opening side according to a selected opening degree of the semi-fixed valve. Vacuum processing equipment. 前記半固定バルブにおける初期の開度は、真空処理を行うときの圧力の圧力設定値と処理容器内に供給されるガスの流量設定値との組み合わせに応じて決められることを特徴とする請求項1または2記載の真空処理装置。   The initial opening degree of the semi-fixed valve is determined according to a combination of a pressure set value of a pressure at the time of performing vacuum processing and a flow rate set value of a gas supplied into the processing container. 3. The vacuum processing apparatus according to 1 or 2. 前記半固定バルブについて、予め決められた少なくとも3つの開度は、当該バルブの最大開度と、最小開度と、最大開度と最小開度との間の開度を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の真空処理装置。   For the semi-fixed valve, at least three predetermined opening degrees include a maximum opening degree, a minimum opening degree, and an opening degree between the maximum opening degree and the minimum opening degree of the valve. The vacuum processing apparatus according to claim 1. 前記半固定バルブは、制御信号により開度を自由に調整できるバルブが用いられることを特徴とする請求項1ないし4のいずか一項に記載の真空処理装置。   The vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the semi-fixed valve is a valve whose opening can be freely adjusted by a control signal. 第1の排気路及び第2の排気路が接続された処理容器内にて被処理体に対して真空処理を行う方法において、
被処理体を処理容器内に搬入する工程と、
前記第2の排気路に設けられ、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブを、真空処理を行うときの圧力の圧力設定値と処理容器内に供給されるガスの流量設定値との組み合わせに応じて決められた開度に設定する工程と、
その後、前記第1の排気路に設けられた自動調整バルブにより、処理容器内の圧力検出値が圧力設定値となるように開度を自動調整しながら真空処理を行う工程と、
前記自動調整バルブの開度を検出する工程と、
前記工程で検出された開度検出値が圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、前記半固定バルブの開度を、圧力調整範囲を広げるために、前記予め決められた開度の中で他の開度に変更する工程と、を含むことを特徴とする真空処理方法。
In a method for performing vacuum processing on an object to be processed in a processing vessel to which a first exhaust path and a second exhaust path are connected,
A step of loading the object to be processed into the processing container;
The semi-fixed valve provided in the second exhaust path and set to an opening selected from at least three predetermined openings is provided with a pressure set value for performing vacuum processing and a processing container. Setting the opening determined according to the combination with the flow rate set value of the gas supplied into,
Thereafter, a step of performing vacuum processing while automatically adjusting an opening degree by an automatic adjustment valve provided in the first exhaust path so that a pressure detection value in the processing container becomes a pressure set value,
Detecting the opening of the automatic adjustment valve,
When the opening detection value detected in the step exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the opening of the semi-fixed valve, in order to expand the pressure adjustment range, the predetermined opening of the predetermined opening And a step of changing to another opening degree in the vacuum processing method.
前記半固定バルブについて、予め決められた少なくとも3つの開度は、当該バルブの最大開度と、最小開度と、最大開度と最小開度との間の開度を含むことを特徴とする請求項6記載の真空処理方法。   For the semi-fixed valve, at least three predetermined opening degrees include a maximum opening degree, a minimum opening degree, and an opening degree between the maximum opening degree and the minimum opening degree of the valve. The vacuum processing method according to claim 6. 第1の排気路及び第2の排気路が接続された処理容器内にて被処理体に対して真空処理を行う装置に用いられるソフトウェアを記憶した記憶媒体であって、
前記ソフトウェアは、請求項6または7に記載された真空処理方法を実行するようにステップ群が組まれたコンピュータプログラムを含むことを特徴とする記憶媒体。
A storage medium storing software used for an apparatus that performs vacuum processing on a processing target in a processing container to which a first exhaust path and a second exhaust path are connected,
A storage medium, characterized in that the software includes a computer program in which steps are set to execute the vacuum processing method according to claim 6.
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