JP6638576B2 - Vacuum processing device, vacuum processing method, and storage medium - Google Patents
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Description
本発明は、処理容器内において被処理体に対して所定の真空処理を行うにあたり、処理容器内の圧力制御を行う技術に関する。 The present invention relates to a technique for controlling the pressure in a processing container when performing a predetermined vacuum processing on an object to be processed in the processing container.
FPD(フラットパネルディスプレイ)基板の製造工程においては、減圧雰囲気下で被処理体にエッチング処理や、成膜処理等の所定の真空処理を施す工程がある。これらの工程は、例えば処理容器の内部に、被処理体例えばFPD基板(以下「基板」という)を載置するための載置台を設けると共に、この載置台に対向するガス供給部を備えた真空処理装置にて実施される。例えば真空処理装置では、処理容器内を真空引きしてガス供給部から処理ガスを供給する一方、上部電極を兼用するガス供給部に高周波電力を印加することにより、プラズマを形成して処理が行われる。 In a manufacturing process of an FPD (flat panel display) substrate, there is a process of performing a predetermined vacuum process such as an etching process or a film forming process on a target object under a reduced pressure atmosphere. In these steps, for example, a mounting table for mounting an object to be processed, such as an FPD substrate (hereinafter, referred to as “substrate”), is provided inside a processing container, and a vacuum provided with a gas supply unit facing the mounting table. The processing is performed in the processing device. For example, in a vacuum processing apparatus, a processing gas is supplied from a gas supply unit by evacuating the processing container, and high-frequency power is applied to a gas supply unit also serving as an upper electrode, thereby forming plasma to perform processing. Will be
このような真空処理装置では、処理ガスの流量や処理容器内の圧力等の処理条件が異なる種々のプロセスが実施され、広い圧力範囲において安定して圧力制御を行うことが要求される。特許文献1には、真空チャンバに、真空ポンプに接続された複数の排気路を設けると共に、これら排気路の数本に開度が3段階に固定された半固定バルブを設け、残りの排気路に自動圧力制御バルブを設ける構成が記載されている。この構成では、レシピに圧力設定値と半固定バルブの開度とが対応付けて記載され、レシピの選択により圧力設定値を読み取って半固定バルブの開度が設定される。自動圧力制御バルブについては、圧力設定値と圧力検出値とに基づいて開度が調整され、圧力制御が行われる。
In such a vacuum processing apparatus, various processes having different processing conditions such as the flow rate of the processing gas and the pressure in the processing vessel are performed, and it is required to stably control the pressure in a wide pressure range. In
特許文献1によれば、自動圧力制御バルブと半固定バルブとの組み合わせにより、従来よりも広い範囲で安定した圧力制御を行うことができる。しかしながら、自動圧力制御バルブには、その機構上、圧力の調整範囲に制限があり、半固定バルブは、予め圧力設定値と対応付けて開度が設定されているため、後述するように、僅かながら圧力調整が不可能な領域が存在する。一方、装置のユーザ側から、製品の多様化により、予め装置に格納されたレシピとは異なるプロセス条件で処理を行う要請があるが、このような場合に安定した圧力制御ができなくなる懸念があり、更なる改善が求められている。
According to
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、広い圧力範囲において、安定して圧力制御を行うことができる技術を提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique capable of performing stable pressure control in a wide pressure range.
このため、本発明の真空処理装置は、
その内部において被処理体に対して真空処理が行われる処理容器と、
前記処理容器に夫々一端側が接続された第1の排気路及び第2の排気路と、
前記処理容器内の圧力を検出する圧力検出部と、
前記第1の排気路に設けられ、前記圧力検出部の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて排気路のコンダクタンスを自動調整する自動調整バルブと、
前記第2の排気路に設けられ、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブと、
前記自動調整バルブの開度を検出する開度検出部と、
前記開度検出部にて検出された開度検出値が圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、前記半固定バルブの開度を、圧力調整範囲を広げるために、前記予め決められた開度の中で他の開度に変更するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
For this reason, the vacuum processing apparatus of the present invention
A processing container in which vacuum processing is performed on the object to be processed,
A first exhaust path and a second exhaust path each having one end connected to the processing container,
A pressure detector for detecting the pressure in the processing container,
An automatic adjustment valve that is provided in the first exhaust path and that automatically adjusts the conductance of the exhaust path based on a pressure detection value and a pressure set value of the pressure detection unit;
A semi-fixed valve provided in the second exhaust path and set to an opening selected from at least three predetermined openings;
An opening detection unit that detects the opening of the automatic adjustment valve,
When the opening detection value detected by the opening detection unit exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the opening of the semi-fixed valve is increased in order to extend a pressure adjustment range. And a control unit that outputs a control signal so as to change the opening to another opening among the openings.
また、本発明の真空処理方法は、
第1の排気路及び第2の排気路が接続された処理容器内にて被処理体に対して真空処理を行う方法において、
被処理体を処理容器内に搬入する工程と、
前記第2の排気路に設けられ、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブを、真空処理を行うときの圧力の圧力設定値と処理容器内に供給されるガスの流量設定値との組み合わせに応じて決められた開度に設定する工程と、
その後、前記第1の排気路に設けられた自動調整バルブにより、処理容器内の圧力検出値が圧力設定値となるように開度を自動調整しながら真空処理を行う工程と、
前記自動調整バルブの開度を検出する工程と、
前記工程で検出された開度検出値が圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、前記半固定バルブの開度を、圧力調整範囲を広げるために、前記予め決められた開度の中で他の開度に変更する工程と、を含むことを特徴とする。
Further, the vacuum processing method of the present invention,
In a method for performing vacuum processing on an object to be processed in a processing vessel to which a first exhaust path and a second exhaust path are connected,
A step of loading the object to be processed into the processing container;
The semi-fixed valve, which is provided in the second exhaust path and is set to an opening selected from at least three predetermined openings, is provided with a pressure setting value for performing vacuum processing and a processing container. Setting the opening determined according to the combination with the flow rate set value of the gas supplied into,
Thereafter, a step of performing vacuum processing while automatically adjusting an opening degree by an automatic adjustment valve provided in the first exhaust path so that a pressure detection value in the processing container becomes a pressure set value,
Detecting the opening of the automatic adjustment valve,
When the opening detection value detected in the step exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the opening of the semi-fixed valve, in order to expand the pressure adjustment range, the predetermined opening of the predetermined opening And changing the opening to another opening.
さらに、本発明の記憶媒体は、
第1の排気路及び第2の排気路が接続された処理容器内にて被処理体に対して真空処理を行う装置に用いられるソフトウェアを記憶した記憶媒体であって、
前記ソフトウェアは、本発明の真空処理方法を実行するようにステップ群が組まれたコンピュータプログラムを含むことを特徴とする。
Further, the storage medium of the present invention
A storage medium storing software used for an apparatus that performs vacuum processing on a processing target in a processing container to which a first exhaust path and a second exhaust path are connected,
The software is characterized by including a computer program in which steps are set to execute the vacuum processing method of the present invention.
本発明によれば、処理容器に第1の排気路と第2の排気路を接続すると共に、第1の排気路に自動調整バルブを設け、第2の排気路に少なくとも3段階の開度から選択される半固定バルブを設けている。自動調整バルブの開度は、処理容器内の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて自動調整され、半固定バルブの開度は、自動調整バルブの開度検出値に基づいて、当該バルブの圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、自動的に変更するように制御される。これにより、自動調整バルブによる圧力制御が有効ではなくなる前に、半固定バルブの開度が自動的に変更されるので、広い範囲で安定して圧力制御を行うことができる。 According to the present invention, the first exhaust path and the second exhaust path are connected to the processing container, and the first exhaust path is provided with an automatic adjustment valve, and the second exhaust path is provided with at least three stages of opening. A semi-fixed valve to be selected is provided. The opening of the automatic adjustment valve is automatically adjusted based on the pressure detection value and the pressure set value in the processing container, and the opening of the semi-fixed valve is adjusted based on the opening detection value of the automatic adjustment valve. When the pressure exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the pressure is automatically changed. Thus, before the pressure control by the automatic adjustment valve becomes ineffective, the opening degree of the semi-fixed valve is automatically changed, so that pressure control can be stably performed in a wide range.
以下、本発明の実施の形態について、基板に対してエッチング処理を行うためのエッチング処理装置に本発明の真空処理装置を適用した場合を例にして説明する。図1はエッチング処理装置1の縦断断面図である。このエッチング処理装置1は、その内部において基板Sに対して、エッチング処理を施すための接地された処理容器10を備えている。基板Sは角型被処理体であり、処理容器10は例えば水平断面形状が四角形状に形成され、例えばアルミニウム(Al)等の熱伝導性の良好な材質により構成されている。図中11は基板Sの搬送口であり、12は搬送口11を開閉するゲートバルブである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to an example in which the vacuum processing apparatus of the present invention is applied to an etching apparatus for performing an etching process on a substrate. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of the
処理容器10の内部には、基板Sの載置台2が配置されている。この載置台2は、プラズマ発生用の高周波電源部21に電気的に接続されており、処理容器10内にプラズマを発生させるための下部電極として機能している。この載置台2は例えばアルミニウムにより構成され、処理容器10の底面上に絶縁部材22を介して配設されている。一方、処理容器10内部の載置台2の上方には、上部電極を兼用するガス供給部3が載置台2と対向するように設けられている。このガス供給部3は例えばアルミニウムにより構成され、その下面には多数のガス供給孔31が形成されている。処理容器10には、ガス供給部3の内部空間に処理ガスを供給するためのガス供給路32が設けられており、このガス供給路32の他端側は処理ガスの供給源33に接続されている。また、処理容器10には、その内部の圧力を検出するための圧力検出部14が設けられている。
The mounting table 2 for the substrate S is disposed inside the
処理容器10の底壁には、第1の排気路41及び第2の排気路42が設けられている。これら第1の排気路41及び第2の排気路42は、夫々複数例えば3本ずつ設けられており、例えば処理容器10の底面において、処理容器10の周方向に沿って設けられている。これら第1及び第2の排気路41、42の夫々の他端側には、例えば真空ポンプよりなる図示しない排気機構が接続されており、例えば第1の排気路41の排気機構は共通化され、第2の排気路42の排気機構は共通化されている。第1の排気路41には自動調整バルブよりなる第1のバルブ51が設けられ、第2の排気路42には半固定バルブよりなる第2のバルブ52が設けられている。図1及び図2の第1のバルブ51及び第2のバルブ52は、代表して記載されているが、各バルブ51、52に対して同様な制御ラインがあるものとする。
A
第1のバルブ51は、バルブ本体及びバルブ本体の開度を調整するコントローラ50を含むAPC(Adaptive Pressure Controller)バルブであり、圧力検出部14の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて開度が自動調整され、第1の排気路41のコンダクタンスを自動調整するバルブである。3つの第1のバルブ51の開度は、圧力検出部14の圧力検出値に基づいてほぼ同じ開度で自動調整される。このため、例えば3つの第1のバルブ51の内の一の第1のバルブ51のコントローラ50が、第1のバルブ51の開度を検出する開度検出部として機能し、この開度検出部の検出結果は後述する制御部6に出力される。
The first valve 51 is an APC (Adaptive Pressure Controller) valve including a valve body and a
第2のバルブ52は、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定されるバルブである。例えば第2のバルブ52は、制御部6からの制御信号により開度を自由に調整できるバルブよりなり、例えばバルブ本体及びバルブ本体の開度を調整するコントローラ53を含むAPCバルブにより構成される。例えば第2のバルブ52の開度は、このバルブの最大開度と、最小開度と、最大開度と最小開度との間の開度から選択される開度に予め設定されている。最大開度とは、バルブの最大開度よりも僅かに絞った開度、例えば最大開度よりも5%絞った開度も含み、最小開度とは、バルブの最小開度よりも僅かに開いた開度、例えば最小開度よりも5%開いた開度も含むものとする。ここでいう5%とは、最大開度を100%としたときの値である。最大開度と最小開度との間の開度は適宜設定できるが、ここでは、説明の便宜上、最大開度を「全開」、最小開度を「全閉」、最大開度と最小開度の間の開度を「半開」とする。
The
エッチング処理装置1は制御部6により制御されるように構成されている。制御部6は、図2に示すように、バス60に各々接続された、CPU61、プログラム格納部62、ワークメモリ63、メモリ64、入力部65、レシピ格納部66を備えている。また、バス60には、第1のバルブ51のコントローラ50及び第2のバルブ52のコントローラ53が夫々接続されている。こうして、一の第1のバルブ51の開度がコントローラ50により検出され、その開度検出値が制御部6に出力されると共に、制御部6から全て第2のバルブ52に開度設定値が出力されるように構成されている。
The
CPU61により後述するエッチング処理工程のフローを実行するための各種の演算が行われる。プログラム格納部62には、エッチング処理装置1の各部に制御信号を送り、所定のエッチング処理を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれた各種のプログラムが格納されている。メモリ64には、第1のバルブ51の2つの閾値が記憶されており、この閾値は第1のバルブ51の圧力調整限界として予め決められたものである。
The
入力部65はマウスやキーボードやタッチパネルなどによって構成され、装置のユーザが、第1のバルブ51の閾値を入力できるように構成されている。レシピ格納部66は、種々の処理プロセスに対応したプロセスレシピを格納する部位であり、例えば処理プロセス毎に、真空処理を行うときの処理容器10内に供給されるガスの流量設定値と、処理容器10内の圧力設定値と、第2のバルブ52の初期の開度が「全開」、「全閉」のどちらかとして記載されている。この第2のバルブ52の初期の開度は、予め評価試験を行い、例えば図3に示すように、処理容器10内の圧力設定値と、処理ガスの流量設定値との相関データを取得して、これら圧力設定値と流量設定値との組み合わせに応じて決められる。
The
また、制御部6は、コントローラ(開度検出部)50にて検出された一の第1のバルブ51の開度検出値が閾値を越えたときに、全ての第2のバルブ52の開度を、他の開度に変更するように制御信号を出力するプログラムを備えている。このプログラムは、後述のフローを実行できるようにステップ群が組まれており、例えばハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体から制御部6にインストールされる。
When the detected value of the opening of one first valve 51 detected by the controller (opening detecting unit) 50 exceeds the threshold value, the
既述のように、図3は、エッチング処理装置1において、第1のバルブ51及び第2のバルブ52の開度と、処理ガスの流量と、処理容器10内の圧力との関係を示す特性図である。図中横軸はガス流量、縦軸は圧力を夫々示す。図3中、一点鎖線で示す第1の曲線A1は、全ての第2のバルブ52が「全閉」であって第1のバルブ51の開度が「300」のときのデータである。また、点線で示す第2の曲線A2は、全ての第2のバルブ52が「全開」であって第1のバルブ51の開度が「1」のときのデータ、実線で示す第3の曲線A3は、全ての第2のバルブ52が「全開」であって第1のバルブ51の開度が「300」のときのデータである。
As described above, FIG. 3 shows characteristics indicating the relationship among the opening degrees of the first valve 51 and the
第1のバルブ51及び第2のバルブ52の開度は、既述のようにコントローラ50、53により制御され、「1」、「300」とはコントローラ50、53上の設定値である。コントローラ50、53では、第1及び第2のバルブ51、52の開度は、「1」〜「1000」まで設定できるが、「1」より絞っても、「300」より開いても処理容器10内の圧力変化がほとんどない。このように、開度が「1」とは極めて「全閉」に近い状態であり、開度が「300」とは極めて「全開」に近い状態であるので、ここでは開度「1」以下を「全閉」、開度「300」以上を「全開」として説明する。
The opening degrees of the first valve 51 and the
図3において、第1の曲線A1よりも左側の領域S1は、第2のバルブ52を「全閉」にし、第1のバルブ51を「全閉」から「全開」まで調整することにより、圧力調整を行うことができる領域である。一方、第2の曲線A2と第3の曲線A3との間の領域S2は、第2のバルブ52を「全開」にし、第1のバルブ51を「全閉」から「全開」まで調整することにより、圧力調整を行うことができる領域である。これに対し、第1の曲線A1と第2の曲線A2との間の斜線にて領域S3は、第2のバルブ52を「全開」又は「全閉」にしたときには、第1のバルブ51を「全閉」から「全開」まで調整しても、圧力調整を行うことができない調圧不可能領域となる。
In FIG. 3, a region S1 on the left side of the first curve A1 has a pressure higher by setting the
本発明は、この調圧不可能領域をなくして圧力調整範囲を広げるために、第2のバルブ52の開度を「全閉」又は「全開」から「半開」に変更するものであり、この第2のバルブ52の開度の変更を第1のバルブ51の開度検出値に基づいて行っている。このため、予め第2のバルブ52の初期位置を「全開」または「全閉」に設定すると共に、第1のバルブ51の開度に閾値を設け、閾値を越えたときに、第2のバルブ52の開度を「半開」に変更する制御信号を出力するように構成されている。
The present invention changes the opening of the
第1のバルブ51の閾値は圧力調整限界として予め決められており、例えば、第1のバルブ51の開度を絞る側の閾値(第1の閾値)と、開く側の閾値(第2の閾値)として設定され、例えばオペレータが入力部65から入力することにより、夫々メモリ64に記憶される。第1の閾値とは、図3において、第1の領域S1側から第3の領域S3に向かうときの閾値であり、例えば開度「200」〜「300」から選択される開度に設定される。この場合、閾値を越えるとは、第1のバルブ51の開度が、第1の閾値をなす開度「200」〜「300」から選択される開度よりも大きくなることをいう。
The threshold value of the first valve 51 is predetermined as a pressure adjustment limit. For example, a threshold value (first threshold value) on the side that reduces the opening of the first valve 51 and a threshold value (second threshold value) on the opening side ) Are stored in the
また、第2の閾値とは、図3において、第2の領域S2側から第3の領域S3に向かうときの閾値であり、例えば開度「1」〜「100」から選択される開度に設定される。この場合、閾値を越えるとは、第1のバルブ51の開度が、第2の開度をなす開度「1」〜「100」から選択される開度よりも小さくなることをいう。圧力調整限界とは、発明の理解が容易となり、かつ記述が簡潔になるように使用している用語である。従って、バルブの機構的に圧力調整限界となる場合に限られず、マージンを見て決めている場合、例えば調整感度が悪くなる領域に入る前の開度など、事前に装置メーカあるいはユーザが使いやすいように決めた開度なども含まれる意味である。 In addition, the second threshold is a threshold when moving from the second area S2 side to the third area S3 in FIG. 3, and is, for example, an opening selected from the opening “1” to “100”. Is set. In this case, exceeding the threshold value means that the opening degree of the first valve 51 is smaller than the opening degree selected from the opening degrees “1” to “100” forming the second opening degree. The pressure regulation limit is a term used to facilitate understanding of the invention and to simplify the description. Therefore, the present invention is not limited to the case where the pressure adjustment limit is mechanically applied to the valve, but is easily determined by the margin, for example, the opening degree before entering the region where the adjustment sensitivity is deteriorated. This means that the opening degree determined as described above is also included.
続いて、本発明のエッチング処理方法について、図4のフローチャートを参照して説明する。先ず制御部6により、レシピ格納部66から目的のプロセスレシピを選択して読み込む(ステップS1)。制御部6では、このプロセスレシピに基づいて、エッチング処理装置1の各部に制御信号を出力し、基板Sに対して所定のエッチング処理を行う。具体的には、基板Sを処理容器10に搬入して載置部2上に載置し、ゲートバルブ12を閉じる。この時点では、第1のバルブ51及び第2のバルブの開度52を「全開」にして、各排気機構を作動する。次いで、ガス供給部3から、ガスを基板Sに向けて吐出すると共に、高周波電源部21から載置部2に高周波電力を供給する。
Next, the etching method of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. First, the
処理容器10の圧力制御について説明すると、制御部6では選択されたプロセスレシピに基づいて、例えば各排気機構を作動させてから、第2のバルブ52の開度を、圧力設定値とガスの流量設定値との組み合わせに応じて決められた初期の開度である「全閉」または「全開」に設定する。その後、制御部6から第1のバルブ51の夫々のコントローラ50に対して、当該プロセスレシピに記載された圧力設定値を出力し、各コントローラ50では処理容器10内の圧力検出値が圧力設定値となるように夫々の第1のバルブ51の開度を自動調整する。
The pressure control of the
第2のバルブ52の初期の開度が「全閉」である場合について述べると、第2のバルブ52の開度が「全閉」であるか否かを判断し(ステップS2)、「全閉」になっていれば、ステップS3においてプロセスを開始する。つまり、基板Sの上の空間にプラズマを形成し、このプラズマによりガス供給部3からの処理ガスを活性化して基板Sに対するエッチング処理を行う。そして、プロセス中、一の第1のバルブ51の開度を常時検出し、その開度検出値を制御部6に出力する。制御部6では、第1のバルブ51の開度が第1の閾値以下であるか否かを判定し(ステップS4)、第1の閾値以下であればプロセスを続行する。
Describing a case where the initial opening of the
一方、第1のバルブ51の開度が第1の閾値を越えていれば(第1の閾値よりも大きければ)、ステップS5において、全ての第2のバルブ52の開度を「全閉」から「半開」に例えば同期して変更してプロセスを続行する。第2のバルブ52の開度を「全閉」から「半開」にすると、第1のバルブ51の開度は「全開」に近い状態から絞られ、圧力が自動調整できる状態に戻される。具体的に図5を参照して説明する。図5は、図3の特性図に、第2のバルブ52の開度が「半開」のときのデータを合わせて示すものである。図5中、2点鎖線で示す第4の曲線A4は、全ての第2のバルブ52が「半開」であって第1のバルブ51の開度が「300(全開)」のときのデータである。
On the other hand, if the opening degrees of the first valves 51 exceed the first threshold value (if larger than the first threshold value), in step S5, the opening degrees of all the
第1のバルブ51が第1の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を「半開」にすると、第1の排気路41と第2の排気路42を合わせた排気能力は向上するので、第1のバルブ51の開度は一旦絞られる。そして、再び開度が「300」になるまで自動調整することが可能になるため、第1の曲線A1と第4の曲線A4との間の領域S4も圧力調整を行うことができる領域となる。このように当該領域S4は領域S2をカバーするため、調圧不可能領域S2を無くすことができる。こうして、第1のバルブ51により圧力の自動調整を行いながらプロセスを続行し、プロセスを終了する(ステップS6)。
If the
続いて、第2のバルブ52の初期の開度が「全開」である場合について述べると、ステップS2において、第2のバルブ52の開度が「全開」になっていれば、ステップS7においてプロセスを開始する。そして、プロセス中、一の第1のバルブ51の開度を常時検出して、その開度検出値を制御部6に出力する。制御部6では、第1のバルブ51の開度が第2の閾値以上か否かを判定し(ステップS8)、第2の閾値以上であればプロセスを続行する。一方、第1のバルブ51の開度が第2の閾値を越えていれば(第2の閾値より小さければ)、ステップS5において、全ての第2のバルブ52の開度を「全開」から「半開」に例えば同期して変更させてプロセスを続行する。第2のバルブ52の開度を「全開」から「半開」にすると、第1の排気路41と第2の排気路42を合わせた排気能力は低下するので、第1のバルブ51の開度は「全閉」に近い状態から開かれ、圧力が自動調整できる状態に戻されるので、既述のように調圧不可能領域S2を無くすことができる。こうして、第1のバルブ51により圧力の自動調整を行いながらプロセスを続行し、プロセスを終了する(ステップS6)。
Subsequently, the case where the initial opening degree of the
上述の実施形態によれば、自動調整バルブよりなる第1のバルブ51と、少なくとも3段階の開度から選択される半固定バルブよりなる第2のバルブ52と、を用い、第1のバルブ51の開度を検出し、圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、第2のバルブ52の開度を自動的に変更している。これにより、第1のバルブ51による圧力制御が有効ではなくなる前に、第2のバルブ52の開度が自動的に変更されるので、既述のように調圧不可能領域S2が無くなり、広い範囲で安定して圧力制御を行うことができる。
According to the above-described embodiment, the first valve 51 is formed by using the first valve 51 formed of an automatic adjustment valve and the
このため、例えば装置のユーザ側にてプロセス条件を変更する場合であっても、第2のバルブ52の初期の開度が条件に合わせて適切な開度に自動的に変更されるため、常に良好な圧力制御を行うことができる。また、安定した圧力制御を行うことができることから、処理容器10内において、例えば放電状態の安定化を図ることができ、真空処理を安定した状態で行うことができる。これにより、製品の安定性が向上するため、歩留りの改善を期待することができる。
Therefore, for example, even when the process conditions are changed on the user side of the apparatus, the initial opening degree of the
既述のように、第2のバルブ52の初期の開度は、予め評価試験を行って決められるが、処理容器10内において製品とは異なる基板に対して処理を行ったときと、製品用基板に対して処理を行ったときとでは放電状態が変化することがある。このため、事前の評価において、第2のバルブ52の開度を適切な位置に設定したとしても、本発明のように、プロセス中に第2のバルブ52の開度の自動調整を行うことは有効である。
As described above, the initial opening degree of the
さらに、メタル膜のエッチング処理などでは、基板S上のエッチング種がなくなると、処理容器10内の圧力が急激に変化することがある。この圧力変化に圧力調整機構が対応できない場合には、プラズマのインピーダンスが一気に変化し、基板Sの配線に電流が流れてダメージを与える現象が発生してしまう。従来は、処理容器10内の急激な圧力変化に対応できず、さらには調圧不可能な領域では圧力制御が困難であったため、プロセスに制約が発生していた。
Further, in an etching process of a metal film or the like, if there is no more etching species on the substrate S, the pressure in the
これに対して、本発明では、処理容器10内の圧力変化に対応して、第1のバルブ51の開度が速やかに変化し、これによって第2のバルブ52の開度も変化するので、処理容器10内の圧力を短時間で安定化させ、さらに従来の調圧不可能な領域の圧力調整も行うことができる。処理容器10内の圧力変化により、先ず応答性の良好な第1のバルブ51の開度が変化し、この開度変化に追従して第2のバルブ52の開度が変化するからである。このように、処理容器10内の急激な圧力変化の際にも、プラズマを短時間で安定させることができるので、基板Sの製造を安定して行うことができ、歩留りの低下を抑えることができる上、プロセス上の制約が発生しにくいという利点がある。
On the other hand, in the present invention, the opening degree of the first valve 51 changes quickly in response to the pressure change in the
上述の実施形態では、第2のバルブ52の開度は「全閉」→「半開」、または「全閉」→「半開」のように2段階で変更したが、プロセス中における圧力の変化量が大きい場合には、第2のバルブ52の開度を「全閉」→「半開」→「全開」または、「全開」→「半開」→「全閉」のように3段階で変更してもよい。この場合には、例えば第1のバルブ51を絞る側の閾値として、第2のバルブ52を「全閉」から「半開」にするとき用の閾値と、第2のバルブ52を「半開」から「全開」にするとき用の閾値との2つの閾値をメモリ64に記憶させる。また、例えば第1のバルブ51を開く側の閾値として、第2のバルブ52を「全開」から「半開」にするとき用の閾値と、第2のバルブ52を「半開」から「全閉」にするとき用の閾値との2つの閾値をメモリ64に記憶させる。
In the above-described embodiment, the opening degree of the
そして、第1のバルブ51の開度の検出値に基づいて、対応する閾値を越えたときに、全ての第2のバルブ52の開度を「全閉」→「半開」→「全開」または、「全開」→「半開」→「全閉」のように変更する。この場合においても、第1のバルブ51の開度検出値に基づいて、第2のバルブ52の開度が適切な位置に適宜変更されるので、広い圧力範囲において安定した圧力制御を行うことができる。
Then, based on the detected value of the opening degree of the first valve 51, when the corresponding threshold value is exceeded, the opening degrees of all the
さらに、上述の実施形態では、第2のバルブ52の初期の開度を「全閉」または「全開」としたが、この初期の開度を「半開」とし、第1のバルブ51の閾値を越えたときに、「全閉」または「全開」に開度変更してもよい。この場合には、例えば第1のバルブ51を絞る側の閾値として、第2のバルブ52を「半開」から「全開」にするとき用の閾値と、第1のバルブ51を開く側の閾値として、第2のバルブ52を「半開」から「全閉」にするとき用の閾値とをメモリ64に記憶させる。そして、第1のバルブ51の開度が絞る側の閾値を越えていれば、全ての第2のバルブ52の開度を「半開」から「全開」に変更する。一方、第1のバルブ51の開度が開く側の閾値を越えていれば、全ての第2のバルブ52の開度を「半開」から「全閉」に変更する。この場合においても、第1のバルブ51の開度検出値に基づいて、第2のバルブ52の開度が適宜変更されるので、広い圧力範囲において安定した圧力制御を行うことができる。
Furthermore, in the above-described embodiment, the initial opening of the
また、第2のバルブ52の開度の変更に合わせて、第1のバルブ51のゲインを調整し、第1のバルブ51の応答性を低下させるようにしてもよい。第2のバルブ52の開度の変更により、第1のバルブ51も絞る側や開く側に開度が変わるが、例えば第2のバルブ52の開度の変更から、予め設定された時間は第1のバルブ51の応答性を低下させることにより、第1のバルブ51の急激な開度変化が抑えられる。このため、処理容器10内の急な圧力変動を抑えて、より一層安定した圧力制御を行うことができる。
Further, the responsiveness of the first valve 51 may be reduced by adjusting the gain of the first valve 51 in accordance with the change in the opening of the
さらに、第2のバルブ52の位置の推移データに基づいて、第2のバルブ52の初期の開度を変更するようにしてもよい。例えば同じレシピにて多数枚の基板Sを処理する間、第2のバルブ52の開度を監視し、推移データとして取得する。そして、第2のバルブ52の開度の変更が早いタイミングで起こる場合などには、第2のバルブ52の初期の開度を、当初設定されていた「全開」または「全閉」から、「半開」に設定変更してもよい。
Further, the initial opening of the
この場合、第2のバルブ52の初期の開度をオペレータが設定し直してもよいし、オペレータがレシピの書き換えを行ってもよい。また、自動的にレシピの書き換えを行うようにしてもよい。例えば自動的に行う場合には、制御部6に第2のバルブ52の推移データを取得し、予め決められたタイミングで第2のバルブ52の開度が変更されているか否かを判定し、変更されているときには、レシピに記載される第2のバルブ52の初期の開度を変更して書き換えるプログラムを格納する。そして、例えば同じレシピの次のロットの基板Sに対しては、第2のバルブ52の初期の開度を書き換えられた位置に設定して処理を行う。
In this case, the initial opening degree of the
さらにまた、第2のバルブ52の予め決められた開度は、少なくとも3つであればよく、4つ以上の開度を備えるようにしてもよい。例えば第1の開度(「全閉」)、第2の開度、第2の開度よりも大きい第3の開度、第4の開度(「全開」)の4つの開度が設定されるときには、第1のバルブ51について、2段階の絞る側の閾値を用意すると共に、2段階の開く側の閾値を用意する。
Further, the predetermined opening degree of the
そして、第2のバルブ52の初期の開度を第1の開度(「全閉」)に設定したときには、第1のバルブ51の開度が一番目の絞る側の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を第2の開度に設定し、第1のバルブ51の開度が二番目の絞る側の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を第3の開度に設定するように制御する。一方、第2のバルブ52の初期の開度を第4の開度(「全開」)に設定したときには、第1のバルブ51の開度が一番目の開く側の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を第3の開度に設定し、第1のバルブ51の開度が二番目の開く側の閾値を越えたときに、第2のバルブ52を第2の開度に設定するように制御する。
When the initial opening degree of the
以上において、本発明では、例えば予めメモリ64に、真空処理を行うときの圧力の圧力設定値と処理容器内に供給されるガスの流量設定値との組み合わせに対応付けて、第2のバルブ52の初期の開度を記憶させておく。一方、プロセスレシピには前記圧力設定値と前記ガスの流量設定値との組み合わせを記載する。そして、プロセスレシピの選択により、メモリ64から対応する第2のバルブ52の初期の開度を読み出して、第2のバルブ52の初期の位置を設定してもよい。
In the above, in the present invention, for example, the
さらに、第2のバルブ52の初期の開度は、真空処理を行うときの圧力の圧力設定値のみに基づいて設定してもよい。この場合には、プロセスレシピに圧力設定値と第2のバルブ52の初期の開度を記載し、このプロセスレシピの選択により、第2のバルブ52を初期の位置に設定してもよい。また、プロセスレシピには圧力設定値を記載すると共に、メモリ64に圧力設定値と第2のバルブ52の初期の開度を対応付けて格納し、このプロセスレシピの選択により、メモリ64から対応する第2のバルブ52を読み出して初期の位置に設定してもよい。
Furthermore, the initial opening degree of the
さらにまた、第1のバルブ51の閾値や第2のバルブ52の開度は適宜設定変更できる。例えば第1のバルブ51や第2のバルブ52の開度の推移データや、処理容器10内の圧力変化の推移データを取得して、より適切な閾値や、第2のバルブ52の開度に設定し直してもよい。例えば第2のバルブ52の開度の変更は、例えば「全開」状態の開度を現行が「300」であるときに「200」程度にする場合や、「全閉」の開度を現行が「1」であるときに「10」程度する場合、「半開」の開度を現行が「150」であるときに「100」程度にするなどである。
Furthermore, the threshold value of the first valve 51 and the opening degree of the
以上において本発明においては、半固定バルブとして開度が数箇所に固定されるバルブを用いたが、本発明でいう予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブは、開度自体が選択される場合に限らず、排気コンダクタンスを複数の値に切り替えるバルブも含むものである。また、第1の排気路と第2の排気路の本数は上述の例に限らず、これら第1の排気路の夫々及び第2の排気路の夫々が専用の排気機構に接続されていてもよい。また、本発明の真空処理装置はエッチング処理のみならず、アッシングやCVD等、他の真空処理を行う処理に適用することができる。また、真空処理は、必ずしもプラズマ処理に限定されるものではなく、他のガス処理であってもよいし、ガス処理以外の真空処理であってもよい。さらにまた、被処理体としてはFPD基板の他、半導体基板であってもよい。 In the above, in the present invention, a valve whose opening is fixed at several places is used as a semi-fixed valve, but the valve is set to an opening selected from at least three predetermined degrees of opening according to the present invention. The semi-fixed valve is not limited to the case where the opening itself is selected, but also includes a valve that switches the exhaust conductance to a plurality of values. Further, the numbers of the first exhaust path and the second exhaust path are not limited to the above example, and even if each of the first exhaust path and each of the second exhaust paths are connected to a dedicated exhaust mechanism. Good. Further, the vacuum processing apparatus of the present invention can be applied not only to etching processing but also to processing for performing other vacuum processing such as ashing and CVD. Further, the vacuum processing is not necessarily limited to the plasma processing, and may be another gas processing or a vacuum processing other than the gas processing. Furthermore, the object to be processed may be a semiconductor substrate other than the FPD substrate.
S 基板
1 エッチング処理装置
10 処理容器
2 載置台
3 ガス供給部(上部電極)
41 第1の排気路
42 第2の排気路
51 第1のバルブ(自動調整バルブ)
52 第2のバルブ(半固定バルブ)
6 制御部
41
52 Second valve (semi-fixed valve)
6 control unit
Claims (8)
前記処理容器に夫々一端側が接続された第1の排気路及び第2の排気路と、
前記処理容器内の圧力を検出する圧力検出部と、
前記第1の排気路に設けられ、前記圧力検出部の圧力検出値と圧力設定値とに基づいて排気路のコンダクタンスを自動調整する自動調整バルブと、
前記第2の排気路に設けられ、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブと、
前記自動調整バルブの開度を検出する開度検出部と、
前記開度検出部にて検出された開度検出値が圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、前記半固定バルブの開度を、圧力調整範囲を広げるために、前記予め決められた開度の中で他の開度に変更するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。 A processing container in which vacuum processing is performed on the object to be processed,
A first exhaust path and a second exhaust path each having one end connected to the processing container,
A pressure detector for detecting the pressure in the processing container,
An automatic adjustment valve that is provided in the first exhaust path and that automatically adjusts the conductance of the exhaust path based on a pressure detection value and a pressure set value of the pressure detection unit;
A semi-fixed valve provided in the second exhaust path and set to an opening selected from at least three predetermined openings;
An opening detection unit that detects the opening of the automatic adjustment valve,
When the opening detection value detected by the opening detection unit exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the opening of the semi-fixed valve is increased in order to extend a pressure adjustment range. And a control unit that outputs a control signal so as to change the opening degree to another opening degree.
被処理体を処理容器内に搬入する工程と、
前記第2の排気路に設けられ、予め決められた少なくとも3つの開度の中から選択された開度に設定される半固定バルブを、真空処理を行うときの圧力の圧力設定値と処理容器内に供給されるガスの流量設定値との組み合わせに応じて決められた開度に設定する工程と、
その後、前記第1の排気路に設けられた自動調整バルブにより、処理容器内の圧力検出値が圧力設定値となるように開度を自動調整しながら真空処理を行う工程と、
前記自動調整バルブの開度を検出する工程と、
前記工程で検出された開度検出値が圧力調整限界として予め決めた閾値を越えたときに、前記半固定バルブの開度を、圧力調整範囲を広げるために、前記予め決められた開度の中で他の開度に変更する工程と、を含むことを特徴とする真空処理方法。 In a method for performing vacuum processing on an object to be processed in a processing vessel to which a first exhaust path and a second exhaust path are connected,
A step of loading the object to be processed into the processing container;
The semi-fixed valve provided in the second exhaust path and set to an opening selected from at least three predetermined openings is provided with a pressure set value for performing vacuum processing and a processing container. Setting the opening determined according to the combination with the flow rate set value of the gas supplied into,
Thereafter, a step of performing vacuum processing while automatically adjusting an opening degree by an automatic adjustment valve provided in the first exhaust path so that a pressure detection value in the processing container becomes a pressure set value,
Detecting the opening of the automatic adjustment valve,
When the opening detection value detected in the step exceeds a predetermined threshold as a pressure adjustment limit, the opening of the semi-fixed valve, in order to expand the pressure adjustment range, the predetermined opening of the predetermined opening And a step of changing to another opening degree in the vacuum processing method.
前記ソフトウェアは、請求項6または7に記載された真空処理方法を実行するようにステップ群が組まれたコンピュータプログラムを含むことを特徴とする記憶媒体。 A storage medium storing software used for an apparatus that performs vacuum processing on a processing target in a processing container to which a first exhaust path and a second exhaust path are connected,
A storage medium, characterized in that the software includes a computer program in which steps are set to execute the vacuum processing method according to claim 6.
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Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4705789B2 (en) * | 2005-02-08 | 2011-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Vacuum processing equipment |
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JP5257328B2 (en) * | 2009-11-04 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
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