JP6627001B1 - Wafer peeling cleaning equipment - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェーハへのダメージを与えることなく、剥離作業から受渡装置によって枚葉洗浄部に搬送するまでの時間を短縮して全体として効率を向上する。【解決手段】ウェーハ剥離洗浄装置において、ウェーハ剥離枚葉部100は、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201と、倒止板214と、倒止板214の上部にスリット216aが形成された2枚取り防止板216と、を有し、受渡装置118は、受渡用吸着パッド300と、受渡用吸着パッド300にウェーハWが吸着保持されたこと検知する圧力スイッチと、を有し、圧力スイッチによる検知信号によって、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201の真空吸着を解除すると共に、受渡用吸着パッド300の後退及び第1及び第2剥離用吸着パッド200、201の下降を開始する。【選択図】図7An object of the present invention is to improve the efficiency as a whole by shortening the time from a peeling operation to a transfer to a single-wafer cleaning unit by a delivery device without damaging a wafer. In a wafer peeling and cleaning apparatus, a wafer peeling single wafer portion (100) has first and second peeling suction pads (200, 201), a stopper plate (214), and a slit (216a) formed on the stopper plate (214). The delivery device 118 includes a delivery suction pad 300 and a pressure switch for detecting that the wafer W is sucked and held by the delivery suction pad 300. In response to the detection signal from the switch, the vacuum suction of the first and second peeling suction pads 200 and 201 is released, and the retreating of the delivery suction pad 300 and the lowering of the first and second peeling suction pads 200 and 201 are started. I do. [Selection diagram] FIG.
Description
本発明はウェーハ剥離洗浄装置に係り、特にワイヤソーで多数枚に同時切断され、バッチ状態(束ねられた)とされたウェーハをスライスベースから剥離して枚葉化し、洗浄するウェーハ剥離洗浄装置に関する。 The present invention relates to a wafer peeling and cleaning apparatus, and more particularly, to a wafer peeling and cleaning apparatus that peels wafers cut in batches (bundled) from a slice base into single wafers and cleaned at the same time with a wire saw.
ワイヤソーでインゴットを切断すると、ウェーハは全てスライスベースに接着された状態で切り出される。このため、ウェーハはスライスベースから剥離して枚葉化する必要がある。また、ワイヤソーで切断された直後のウェーハには、加工液等が付着しているため、洗浄して加工液を除去する必要がある。 When the ingot is cut with a wire saw, all the wafers are cut out while being bonded to the slice base. For this reason, it is necessary to separate the wafer from the slice base to form a single wafer. Further, since the processing liquid or the like is attached to the wafer immediately after being cut by the wire saw, it is necessary to wash the processing liquid to remove the processing liquid.
従来、このウェーハの剥離作業と洗浄作業は、一台のウェーハ剥離洗浄装置で行っていた。また、ウェーハ剥離洗浄装置は、粗洗浄部、ウェーハ剥離枚葉部、洗浄部及び回収部で構成されており、切断直後のウェーハは、まず、粗洗浄部に搬送されて粗洗浄される。そして、粗洗浄されたバッチ状態のウェーハは、ウェーハ剥離枚葉部に搬送されて、そこで1枚ずつスライスベースから剥離されて枚葉化される。スライスベースから剥離されたウェーハは、受渡装置によって枚葉洗浄部に搬送される。そして、枚葉洗浄され、回収部において1枚ずつ回収されてカセットに収納される。 Conventionally, the wafer peeling operation and the cleaning operation have been performed by a single wafer peeling and cleaning apparatus. Further, the wafer peeling and cleaning apparatus includes a rough cleaning section, a wafer peeling single wafer section, a cleaning section, and a collecting section. The wafer immediately after cutting is first transported to the rough cleaning section and roughly cleaned. Then, the batch-cleaned wafers that have been roughly cleaned are transported to a wafer peeling single-wafer portion, where the wafers are peeled one by one from the slice base and made into single wafers. The wafer peeled from the slice base is transported to the single wafer cleaning unit by the delivery device. Then, the wafers are washed one by one, and are collected one by one in a collection unit and stored in a cassette.
ウェーハ剥離枚葉部では、剥離作業位置においてウェーハを剥離用吸着パッドで吸着してスライスベースから剥離した後、剥離用吸着パッドを上方に移動し、所定の受渡位置で停止する。受渡位置には、受渡装置の受渡用吸着パッドが待機しており、ウェーハは受渡用吸着パッドに受け渡される。次いで、受渡用吸着パッドを剥離用吸着パッドから後退させる。その後、剥離用吸着パッドを下方に移動させて、元の剥離作業位置に復帰させることが知られ、特許文献1に記載されている。 In the wafer peeling single wafer portion, after the wafer is sucked by the peeling suction pad at the peeling operation position and peeled from the slice base, the peeling suction pad is moved upward and stopped at a predetermined delivery position. At the delivery position, a delivery suction pad of the delivery device is on standby, and the wafer is delivered to the delivery suction pad. Next, the delivery suction pad is retracted from the peeling suction pad. Thereafter, it is known that the peeling suction pad is moved downward to return to the original peeling operation position, which is described in Patent Document 1.
特許文献1に記載のものでは、ウェーハを剥離用吸着パッドで吸着して剥離用吸着パッドを上方に移動する速度を速めるとウェーハの表面を傷付ける恐れがある。また、受渡位置において、受渡用吸着パッドを剥離用吸着パッド位置から後退させてから剥離用吸着パッドを元の剥離作業位置に復帰させるので、剥離作業を開始するタイミングが遅れ、剥離作業を順次行う上で無駄な時間が生じる。さらに、ウェーハが受渡用吸着パッドに受け渡されるタイミングが明確でないため、剥離用吸着パッドを下方に移動するタイミングが早すぎると、却ってウェーハの表面を傷付けたり、割れや欠け、チッピング、マイクロクラック等のダメージを与える恐れが有る。 In the device described in Patent Document 1, if the speed at which the wafer is suctioned by the peeling suction pad and the peeling suction pad is moved upward is increased, the wafer surface may be damaged. In the delivery position, the delivery suction pad is retracted from the peeling suction pad position, and then the peeling suction pad is returned to the original peeling work position. Therefore, the timing for starting the peeling work is delayed, and the peeling work is sequentially performed. Wasted time. Furthermore, since the timing at which the wafer is delivered to the delivery suction pad is not clear, if the timing for moving the peeling suction pad downward is too early, the surface of the wafer may be damaged, cracked or chipped, chipped, micro cracked, etc. There is a risk of causing damage.
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、ウェーハへのダメージを与えることなく、剥離作業から受渡装置によって枚葉洗浄部に搬送するまでの時間を短縮して、全体として効率を向上したウェーハ剥離洗浄装置を得ることにある。 An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to shorten the time from the peeling operation to the transfer to the single-wafer cleaning unit by the delivery device without damaging the wafer, thereby improving the efficiency as a whole. It is an object of the present invention to obtain an improved wafer peeling and cleaning apparatus.
上記課題を解決するため、本発明は、多数枚同時に切断されたバッチ状態のウェーハをウェーハ剥離枚葉部において1枚ずつスライスベースから剥離して枚葉化し、剥離した前記ウェーハを受渡位置で受渡装置に受け渡し、該受渡装置により枚葉洗浄部に搬送して枚葉洗浄し、洗浄後、回収部でカセットに回収するウェーハ剥離洗浄装置において、前記ウェーハの端面を吸着保持する剥離用吸着パッドと、前記剥離用吸着パッドを鉛直上方に昇降移動する昇降用ロータリーアクチュエータと、前記昇降用ロータリーアクチュエータが設置された支持プレートに設けられた倒止板と、該倒止板の上部にスリットが形成され前記倒止板に固着された2枚取り防止板と、を有した前記ウェーハ剥離枚葉部と、前記ウェーハ剥離枚葉部で剥離された前記ウェーハを前記剥離用吸着パッドから受け取る受渡用吸着パッドと、該受渡用吸着パッドに前記ウェーハが吸着保持されたこと検知する圧力スイッチと、を有した前記受渡装置と、前記圧力スイッチによる検知信号によって、前記剥離用吸着パッドの真空吸着を解除すると共に、前記受渡用吸着パッドの前記剥離用吸着パッドから後退及び前記剥離用吸着パッドの下降を開始する制御装置と、を備えたものである。 In order to solve the above-mentioned problem, the present invention provides a method for separating a large number of wafers in a batch state, which are simultaneously cut, from a slice base one by one in a wafer separation part, and transferring the separated wafers at a delivery position. In the wafer peeling and cleaning apparatus, which is transferred to the apparatus, transported to the single-wafer cleaning unit by the transfer apparatus to perform single-wafer cleaning, and washed, and then collected in a cassette by the recovery unit, a peeling suction pad for suction-holding an end surface of the wafer; A rotary actuator for raising and lowering the peeling suction pad vertically upward and downward, a detent plate provided on a support plate on which the rotary actuator for elevating is installed, and a slit formed in an upper part of the detent plate. The wafer peeling single-wafer portion having a two-sheet take-off prevention plate fixed to the stopper plate, and before the wafer is peeled off at the wafer peeling single-wafer portion. A delivery suction pad for receiving a wafer from the peeling suction pad, a pressure switch for detecting that the wafer is sucked and held by the delivery suction pad, and a delivery device having a delivery signal, and a detection signal from the pressure switch. A control device for releasing vacuum suction of the peeling suction pad and for starting the retreating of the delivery suction pad from the peeling suction pad and starting the lowering of the peeling suction pad.
また、上記において、前記倒止板は、ウェーハの端面側に樹脂製の押し当て板を設けることが望ましい。 In the above, it is desirable that the stopper plate is provided with a resin pressing plate on the end surface side of the wafer.
さらに、前記押し当て板の反対側にステンレス製のステンレスプレートを設けることが望ましい。 Further, it is desirable to provide a stainless steel plate on the opposite side of the pressing plate.
さらに、前記剥離用吸着パッドに吸着保持された前記ウェーハは、前記押し当て板にガイドされて、前記スリットを通過して前記受渡位置で停止することが望ましい。 Further, it is preferable that the wafer sucked and held by the peeling suction pad is guided by the pressing plate, passes through the slit, and stops at the delivery position.
さらに、前記受渡用吸着パッド及び前記剥離用吸着パッドは平形真空パッドとされることが望ましい。 Further, it is desirable that the delivery suction pad and the peeling suction pad be flat vacuum pads.
さらに、前記スリットの幅は、前記ウェーハの厚さの1.1〜1.5倍の幅とされることが望ましい。 Further, the width of the slit is desirably 1.1 to 1.5 times the thickness of the wafer.
さらに、前記受渡用吸着パッドを先端部に設けた旋回アームを有し、前記受渡位置は前記旋回アームが水平となる位置であることが望ましい。 Further, it is preferable that the apparatus further includes a swivel arm provided with the delivery suction pad at a distal end, and the delivery position is a position where the swing arm is horizontal.
さらに、前記受渡位置において、前記ウェーハは前記受渡用吸着パッドの軸心と同軸上に位置することが望ましい。 Further, in the delivery position, it is preferable that the wafer is located coaxially with the axis of the delivery suction pad.
本発明によれば、ウェーハ剥離枚葉部は、剥離用吸着パッドと、倒止板と、倒止板の上部にスリットが形成された2枚取り防止板と、を有し、受渡装置は、受渡用吸着パッドと、受渡用吸着パッドにウェーハが吸着保持されたことを検知する圧力スイッチと、を有し、圧力スイッチによる検知信号によって、剥離用吸着パッドの真空吸着を解除すると共に、受渡用吸着パッドの後退及び剥離用吸着パッドの下降を開始するので、ウェーハへのダメージを与えることなく、剥離作業から受渡装置によって枚葉洗浄部に搬送するまでの時間を短縮して全体として効率を向上したウェーハ剥離洗浄装置を得ることができる。 According to the present invention, the wafer peeling single-wafer portion has a peeling suction pad, a stopper plate, and a two-sheet removal preventing plate in which a slit is formed on an upper part of the stopper plate, A delivery suction pad, and a pressure switch for detecting that the wafer is sucked and held by the delivery suction pad. The vacuum suction of the peeling suction pad is released by a detection signal from the pressure switch, and the delivery suction pad is released. Since the suction pad recedes and the peeling suction pad begins to descend, the time from the peeling operation to the transfer to the single-wafer cleaning unit by the delivery device is shortened without damaging the wafer, and overall efficiency is improved. The obtained wafer peeling and cleaning apparatus can be obtained.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係るウェーハ剥離洗浄装置1の構成を示す平面図、図2は、ウェーハ剥離枚葉部100の構成を示す平面図である。図1に示すように、本実施の形態のウェーハ剥離洗浄装置1は、粗洗浄部10、ウェーハ剥離枚葉部100、搬送部310、枚葉洗浄部350、検出部400及び回収部500を主要部として構成されている。各主要部の概要を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a wafer peeling and cleaning apparatus 1 according to the present invention, and FIG. As shown in FIG. 1, the wafer peeling and cleaning apparatus 1 of the present embodiment mainly includes a rough cleaning unit 10, a wafer peeling single wafer unit 100, a transport unit 310, a single wafer cleaning unit 350, a detection unit 400, and a collection unit 500. It is configured as a unit. The outline of each main part is explained.
粗洗浄部10は、ワイヤソーで切断された直後のバッチ状態のウェーハW(スライスベースSに接着されたウェーハW)をシャワー洗浄して切断時に付着したスラリを除去する。粗洗浄部10は、ウェーハWの洗浄を行う粗洗浄装置12を備えている。粗洗浄装置12では、マウンティングプレートMを上側にして、スライス溝を下側にして浸漬し、洗浄する洗浄工程を有する。洗浄する際に上下にゆすりながら、溝内に水流を起こして洗浄する。洗浄が終了すると、粗洗浄部10から搬出されたウェーハは、そのままリフターによって次のウェーハ剥離枚葉部100に搬送される。 The rough cleaning unit 10 shower-cleans the batch-processed wafers W (the wafers W bonded to the slice base S) immediately after being cut by the wire saw, and removes the slurry attached during cutting. The rough cleaning unit 10 includes a rough cleaning device 12 for cleaning the wafer W. The rough cleaning device 12 has a cleaning step of immersing and cleaning with the mounting plate M facing upward and the slice grooves facing downward. While rinsing up and down during cleaning, a water flow is generated in the groove to perform cleaning. When the cleaning is completed, the wafer carried out of the rough cleaning unit 10 is transported to the next wafer peeling single wafer unit 100 by the lifter.
ウェーハ剥離枚葉部100は、バッチ状態のウェーハWをスライスベースSから1枚ずつ剥離して枚葉化する。そして、ウェーハ剥離枚葉部100は、図2に示すように熱水槽112、剥離装置114、受渡装置118を主要装置として構成されている。受渡装置118は、剥離装置114によってスライスベースSから剥離されたウェーハを受け取り、搬送部310のシャトルコンベア312に受け渡す装置である。
The wafer peeling single wafer unit 100 peels the wafers W in a batch state from the slice base S one by one to form a single wafer. As shown in FIG. 2, the wafer peeling single-wafer portion 100 includes a hot water tank 112, a peeling device 114, and a delivery device 118 as main devices. The delivery device 118 is a device that receives the wafer separated from the slice base S by the separation device 114 and transfers the wafer to the shuttle conveyor 312 of the transport unit 310.
搬送部310は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離、枚葉したウェーハWを受け取り、次の枚葉洗浄部350に搬送する。そして、搬送部310に備えられたシャトルコンベア312によってウェーハWを枚葉洗浄部350に搬送する。 The transport unit 310 receives the wafer W peeled and separated at the wafer peeling single wafer unit 100 and transports the wafer W to the next single wafer cleaning unit 350. Then, the wafer W is transferred to the single wafer cleaning unit 350 by the shuttle conveyor 312 provided in the transfer unit 310.
枚葉洗浄部350は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離枚葉されたウェーハWを1枚ずつ枚葉洗浄する。枚葉洗浄部350は、枚葉ブラシ洗浄部352と枚葉プレリンス部354と枚葉リンス部356とから構成されている。枚葉ブラシ洗浄部352は、搬送されてきたウェーハWの裏表面に洗浄液をかけながらブラシ洗浄する。洗浄後は、洗浄液を次工程に持ち込まないようにするために、圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、ブラシ洗浄が終了したウェーハWは、次工程の枚葉プレリンス部354に搬送される。 The single-wafer cleaning unit 350 performs single-wafer cleaning of the wafers W peeled off in the wafer peeling single-wafer unit 100 one by one. The single-wafer cleaning unit 350 includes a single-wafer brush cleaning unit 352, a single-wafer pre-rinsing unit 354, and a single-wafer rinsing unit 356. The single-wafer brush cleaning unit 352 performs brush cleaning while applying a cleaning liquid to the back surface of the transferred wafer W. After washing, compressed air is blown off to drain the washing liquid so that the washing liquid is not carried into the next step. Then, the wafer W having been subjected to the brush cleaning is transported to the single wafer pre-rinsing unit 354 in the next step.
枚葉プレリンス部354は、搬送されてきたウェーハの裏表面にプレリンス液ノズルからプレリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、次工程の枚葉リンス部356に搬送する。 The single-wafer pre-rinse unit 354 performs brush cleaning with a rotating brush while applying a pre-rinse liquid from a pre-rinse liquid nozzle to the back surface of the transferred wafer. After cleaning, the compressed air is injected to drain the liquid. Then, the sheet is conveyed to the single wafer rinsing section 356 in the next step.
枚葉リンス部356は、ウェーハの裏表面にリンス液ノズルからリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、液切りされたウェーハWは、検出部400の丸ベルトコンベア411上に移送され、検出部400の所定の受取位置に搬送される。 The single-wafer rinsing unit 356 performs brush cleaning with a rotating brush while applying a rinsing liquid from a rinsing liquid nozzle to the back surface of the wafer. After the cleaning, the drained wafer W is transferred onto the round belt conveyor 411 of the detection unit 400, and transferred to a predetermined receiving position of the detection unit 400.
検出部400は、洗浄が終了したウェーハWについて1枚1枚、割れ、欠け、及び接着剤残りの有無を検出すると共に、1枚1枚厚さを測定する。そして、検出が終了したウェーハWを回収部500のウェーハ搬送ロボット508に受け渡す。 The detection unit 400 detects the presence / absence of cracks, chips, and adhesive residue on each of the wafers W that have been cleaned, and measures the thickness of each wafer. Then, the detected wafer W is transferred to the wafer transfer robot 508 of the collection unit 500.
ウェーハ搬送ロボット508は、多関節形のロボットであり、先端に、旋回自在なハンド部520が設けられ、ウェーハWは、そのハンド部520の先端に設けられた吸着パッド522で吸着保持されて搬送される。回収部500は、接着剤残りウェーハと不良ウェーハ(割れウェーハ、欠けウェーハ、厚さ不良ウェーハ、端材)を分別するため、正常なウェーハを回収する二つのウェーハ回収部502A、502Bと、不良ウェーハを回収する不良ウェーハ回収部504と、接着剤残りウェーハを回収する接着剤残りウェーハ回収部506とで構成される。 The wafer transfer robot 508 is an articulated robot, and is provided with a rotatable hand unit 520 at the end, and the wafer W is suctioned and held by a suction pad 522 provided at the end of the hand unit 520 to transfer. Is done. The collecting unit 500 includes two wafer collecting units 502A and 502B for collecting normal wafers and a defective wafer in order to separate adhesive remaining wafers from defective wafers (cracked wafers, chipped wafers, defective thickness wafers, and scraps). And an adhesive remaining wafer collecting unit 506 for collecting the adhesive remaining wafer.
そして、ウェーハ搬送ロボット508は、検出部400からウェーハWを受け取り、その検出結果に基づいてウェーハWを各ウェーハ回収部502、504、506のカセットに分別して収納する。 Then, the wafer transfer robot 508 receives the wafer W from the detection unit 400, and sorts and stores the wafer W in a cassette of each of the wafer collection units 502, 504, and 506 based on the detection result.
次に、ウェーハ剥離枚葉部100の詳細について説明する。図2はウェーハ剥離枚葉部100の構成を示す平面図、図3は剥離装置114の構成を示す平面図、図4は受渡装置118の構成を示す平面部分断面図、図5は剥離装置114の構成を示す正面図、図6は剥離装置114の構成を示す側面図、図7はウェーハ剥離枚葉部100の構成を示す正面図、図8は受渡装置118の構成を示す正面図、図9は受渡装置118の構成を示す側面部分断面図である。ウェーハ剥離枚葉部100は、熱水槽112、剥離装置114、受渡装置118を主要装置として構成されている。 Next, the details of the wafer peeling single wafer unit 100 will be described. FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the wafer peeling unit 100, FIG. 3 is a plan view showing the configuration of a peeling device 114, FIG. 4 is a partial plan sectional view showing the configuration of a delivery device 118, and FIG. 6, FIG. 6 is a side view showing the configuration of the peeling device 114, FIG. 7 is a front view showing the configuration of the wafer peeling unit 100, and FIG. 8 is a front view showing the configuration of the delivery device 118. 9 is a partial side sectional view showing the configuration of the delivery device 118. The wafer peeling single-wafer portion 100 includes a hot water tank 112, a peeling device 114, and a delivery device 118 as main devices.
熱水槽112の構成について説明する。熱水槽112は矩形の箱型に形成されており、その内部に熱水120が貯留されている。スライスベースSから剥離するウェーハWは、熱水槽112内に設けられたワーク保持部122にセットされる。そして、ウェーハWがワーク保持部122にセットされることにより、ウェーハWに接着されたスライスベースSが熱水120中に浸漬される。 The configuration of the hot water tank 112 will be described. The hot water tank 112 is formed in a rectangular box shape, and hot water 120 is stored therein. The wafer W to be separated from the slice base S is set on a work holding part 122 provided in the hot water tank 112. When the wafer W is set on the work holding unit 122, the slice base S bonded to the wafer W is immersed in the hot water 120.
剥離装置114の概略構成について、主に図3にしたがって説明する。剥離装置114は、熱水槽112内にセットされたウェーハWをスライスベースSから1枚ずつ剥離する装置である。図2及び図5示すように、熱水槽112の右側部近傍には、熱水槽112の長手方向に沿って一対の第1ガイドレール136、136が配設されている。この第1ガイドレール136、136上には、リニアガイド138、138(図5)を介して第1スライドテーブル(走行体)140がスライド自在に支持されている。 The schematic configuration of the peeling device 114 will be described mainly with reference to FIG. The peeling device 114 is a device that peels the wafers W set in the hot water tank 112 one by one from the slice base S. As shown in FIGS. 2 and 5, a pair of first guide rails 136, 136 are arranged near the right side of the hot water tank 112 along the longitudinal direction of the hot water tank 112. A first slide table (running body) 140 is slidably supported on the first guide rails 136 and 136 via linear guides 138 and 138 (FIG. 5).
第1スライドテーブル140の下面にはナット部材142(図5)が固着されており、ナット部材142は、一対の第1ガイドレール136、136の間に配設されたネジ棒144に螺合されている。ネジ棒144の両端部は、軸受部材146、146によって回動自在に支持されており、また、ネジ棒144の一方端には、第1ガイドレール136、136の一方端に設置された第1送りモータ148(図6)が連結されている。ネジ棒144は、第1送りモータ148を駆動することにより回動し、この結果、第1スライドテーブル140が第1ガイドレール136、136に沿って移動する。 A nut member 142 (FIG. 5) is fixed to the lower surface of the first slide table 140, and the nut member 142 is screwed to a screw rod 144 disposed between the pair of first guide rails 136, 136. ing. Both ends of the screw rod 144 are rotatably supported by bearing members 146 and 146, and a first end of the first guide rails 136 and 136 is provided at one end of the screw rod 144. The feed motor 148 (FIG. 6) is connected. The screw rod 144 rotates by driving the first feed motor 148, and as a result, the first slide table 140 moves along the first guide rails 136, 136.
第1スライドテーブル140上には、スライスベースSからウェーハWを剥離するための剥離ユニット150が設けられている。剥離ユニット150は、図3、5、6に示すように、第1スライドテーブル140上に軸受ブロック152が設けられている。軸受ブロック152には、揺動フレーム154の基端部に設けられた支軸156が揺動自在に支持されている。 On the first slide table 140, a peeling unit 150 for peeling the wafer W from the slice base S is provided. The peeling unit 150 has a bearing block 152 provided on a first slide table 140 as shown in FIGS. A support shaft 156 provided at the base end of the swing frame 154 is swingably supported by the bearing block 152.
第1スライドテーブル140上にはブラケット158を介して揺動用ロータリーアクチュエータ160が設置されており、揺動用ロータリーアクチュエータ160の出力軸には駆動ギア162が固着されている。駆動ギア162には、従動ギア164が噛合されており、従動ギア164は回転軸168の先端部に固着されている。回転軸168は軸受部材170によって回動自在に支持されており、軸受部材170は、揺動用ロータリーアクチュエータ160に固定された支持プレート172に支持されている。 A swing rotary actuator 160 is mounted on the first slide table 140 via a bracket 158, and a drive gear 162 is fixed to an output shaft of the swing rotary actuator 160. A driven gear 164 is meshed with the drive gear 162, and the driven gear 164 is fixed to a tip end of the rotating shaft 168. The rotation shaft 168 is rotatably supported by a bearing member 170, and the bearing member 170 is supported by a support plate 172 fixed to the swing rotary actuator 160.
従動ギア164には、円盤状に形成された回転プレート174(図5、6)が同軸上に固着されており、回転プレート174には、コネクティングロッド176の一方端がピン178によって連結されている。そして、コネクティングロッド176の他方端は、揺動フレーム154にピン180によって連結されている。 A disk-shaped rotary plate 174 (FIGS. 5 and 6) is coaxially fixed to the driven gear 164, and one end of a connecting rod 176 is connected to the rotary plate 174 by a pin 178. . The other end of the connecting rod 176 is connected to the swing frame 154 by a pin 180.
以上の構成により、揺動フレーム154は揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動することにより、その基端部に設けられた支軸156を中心に揺動する。すなわち、揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動すると回転プレート174が180°の範囲で往復回転し、その往復回転がコネクティングロッド176を介して揺動フレーム154に伝達され、揺動フレーム154が揺動する。 With the above configuration, the swing frame 154 swings around the support shaft 156 provided at the base end thereof by driving the swing rotary actuator 160. That is, when the rotary actuator 160 for swing is driven, the rotary plate 174 reciprocates in the range of 180 °, and the reciprocating rotation is transmitted to the swing frame 154 via the connecting rod 176, and the swing frame 154 swings.
揺動フレーム154の上端部には、軸受ユニット182が設けられており、軸受ユニット182には二本の回転軸186、188が回動自在に支持されている。回転軸186、188の先端部には、それぞれアーム190、192が固着されており、アーム190、192の先端は、互いにピン194、196を介してパッド支持プレート198に連結されている。パッド支持プレート198には、所定の間隔をもって一対の第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が配設されており、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201はウェーハWを真空吸着して保持する。 A bearing unit 182 is provided at an upper end of the swing frame 154, and two rotating shafts 186 and 188 are rotatably supported by the bearing unit 182. Arms 190 and 192 are fixed to the ends of the rotating shafts 186 and 188, respectively. The ends of the arms 190 and 192 are connected to the pad support plate 198 via pins 194 and 196, respectively. The pad support plate 198 is provided with a pair of first and second peeling suction pads 200 and 201 at predetermined intervals, and the first and second peeling suction pads 200 and 201 vacuum suction the wafer W. And hold.
揺動フレーム154の背面部には、支持プレート202が取り付けられており、支持プレート202には昇降用ロータリーアクチュエータ204が設置されている。昇降用ロータリーアクチュエータ204の出力軸には、扇形状に形成された回転プレート206が固着されており、回転プレート206にはコネクティングロッド208の一方端がピン210によって連結されている。そして、コネクティングロッド208の他方端は、一方のアーム190にピン212によって連結されている。 A support plate 202 is attached to the back surface of the swing frame 154, and a lifting rotary actuator 204 is installed on the support plate 202. A rotary plate 206 formed in a fan shape is fixed to the output shaft of the rotary actuator 204 for lifting and lowering, and one end of a connecting rod 208 is connected to the rotary plate 206 by a pin 210. The other end of the connecting rod 208 is connected to one arm 190 by a pin 212.
以上の構成により、パッド支持プレート198に設けられた第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動することにより鉛直上方に昇降移動する。すなわち、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動すると回転プレート206が180°の範囲で往復回転し、その往復回転がコネクティングロッド208を介してアーム190に伝達され、一方のアーム190が上下方向に往復角運動を行う。アーム190が往復角運動を行うと、他方側のアーム192も搖動テコとなって往復角運動を行い、この結果、パッド支持プレート198に設けられた第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が鉛直上方に持ち上げられる。 With the above configuration, the first and second peeling suction pads 200 and 201 provided on the pad support plate 198 move vertically upward and downward by driving the rotary actuator 204 for lifting and lowering. In other words, when the rotary actuator 204 for elevation is driven, the rotary plate 206 reciprocates in the range of 180 °, and the reciprocation is transmitted to the arm 190 via the connecting rod 208, and the one arm 190 reciprocates in the vertical direction. I do. When the arm 190 performs the reciprocating angular movement, the arm 192 on the other side also performs the reciprocating angular movement as a swinging lever, and as a result, the first and second peeling suction pads 200 and 201 provided on the pad support plate 198. Is lifted vertically upward.
ウェーハWを吸着保持する第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、昇降用ロータリーアクチュエータ204が駆動することにより昇降移動する。また、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が設けられているパッド支持プレート198は、アーム190、192を介して揺動フレーム154に接続されているので、揺動フレーム154が揺動することにより前後方向に揺動する。 The first and second peeling suction pads 200 and 201 for holding the wafer W by suction are moved up and down by driving the lifting rotary actuator 204. Further, since the pad support plate 198 provided with the first and second peeling suction pads 200 and 201 is connected to the swing frame 154 via the arms 190 and 192, the swing frame 154 swings. By doing so, it swings back and forth.
すなわち、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、揺動用ロータリーアクチュエータ160が駆動することにより前後方向に揺動し、昇降用ロータリーアクチュエータ204が駆動することにより昇降移動する。そして、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201でスライスベースSからウェーハWを次のように剥離する。 That is, the first and second peeling suction pads 200 and 201 swing back and forth when the swing rotary actuator 160 is driven, and move up and down when the lift rotary actuator 204 is driven. Then, the wafer W is peeled from the slice base S by the first and second peeling suction pads 200 and 201 as follows.
熱水槽112内にセットされたウェーハWの端面を第1及び第2剥離用吸着パッド200、201で吸着保持する。次いで、揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動して第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を前後方向(ウェーハの軸線に沿った方向)に揺動させる。ここで、ウェーハWとスライスベースSとを接着している接着剤は、熱水120中に浸漬されているため十分に熱軟化している。このため、ウェーハWは、複数回揺動が与えられることでスライスベースSから剥離される。 The end surface of the wafer W set in the hot water tank 112 is suction-held by the first and second separation suction pads 200 and 201. Next, the swing rotary actuator 160 is driven to swing the first and second peeling suction pads 200 and 201 in the front-back direction (the direction along the axis of the wafer). Here, the adhesive bonding the wafer W and the slice base S is sufficiently softened by heat because it is immersed in the hot water 120. Therefore, the wafer W is separated from the slice base S by being rocked a plurality of times.
ウェーハWがスライスベースSから剥離されると、昇降用ロータリーアクチュエータ204が駆動され、剥離したウェーハWを保持した状態で第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が上方に向かって移動する。そして、所定の受渡位置で停止する。受渡位置に移送されたウェーハWは受渡装置118に受け渡されたのち、受渡装置118によってシャトルコンベア312に移送され、該シャトルコンベア312によって次工程に搬送されていく。 When the wafer W is peeled from the slice base S, the rotary actuator 204 for elevation is driven, and the first and second suction pads 200 and 201 for peeling move upward while holding the wafer W that has been peeled. Then, it stops at a predetermined delivery position. The wafer W transferred to the transfer position is transferred to the shuttle conveyor 312 by the transfer device 118 after being transferred to the transfer device 118, and is transferred to the next process by the shuttle conveyor 312.
一方、ウェーハWの受け渡しが終了した第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、昇降用ロータリーアクチュエータ204に駆動されて下方に移動し、元の剥離作業位置に復帰する。ウェーハWは、その端面を第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって揺動を与えることによりスライスベースSから剥離されるが、ウェーハWの中には第1及び第2剥離用吸着パッド200、201で揺動を与えられる前から、スライスベースSから剥離してしまっているものもある。 On the other hand, the first and second peeling suction pads 200 and 201 for which the transfer of the wafer W has been completed are driven downward by the rotary actuator 204 for lifting and lowering, and return to the original peeling operation position. The wafer W is peeled from the slice base S by oscillating the end face thereof by the first and second peeling suction pads 200 and 201, and the first and second peeling suction pads are included in the wafer W. Some of them have been peeled off from the slice base S before being shaken at 200 and 201.
この場合、ウェーハWが前方に倒れて回収不能になるおそれがある。このため、剥離するウェーハWの前方位置には、ウェーハWが前方に倒れるのを防止するための倒止板214が配設されている。倒止板214は、昇降用ロータリーアクチュエータ204が設置された支持プレート202に設けられており、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201と共に揺動する。 In this case, the wafer W may fall forward and cannot be collected. For this reason, a stopper plate 214 for preventing the wafer W from falling forward is provided at a position in front of the wafer W to be separated. The stopper plate 214 is provided on the support plate 202 on which the elevating rotary actuator 204 is installed, and swings together with the first and second peeling suction pads 200 and 201.
第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、倒止板214に形成された通路214aを通って昇降移動する。また、倒止板214の上部には、2枚取り防止板216が固着されており、スライスベースSから剥離されたウェーハWは、2枚取り防止板216に形成されたスリット216aを通って所定の受渡位置まで移送される。スリット216aは、ウェーハWが丁度1枚通れる幅(例えば、ウェーハWの厚さの1.1〜1.5倍の幅)で形成されており、これにより、ウェーハが2枚同時に剥離されたような場合に、その2枚のウェーハが互いに貼りついて2枚同時に受渡位置まで移送されることを防止することができる。具体的には、スリット216aの幅は、ウェーハWの厚さの1.1〜1.5倍の幅とすることで、2枚同時の移送を防ぐと共に、表面の傷付き防止を図ることができる。 The first and second peeling suction pads 200 and 201 move up and down through a passage 214 a formed in the stopper plate 214. Further, a two-piece prevention plate 216 is fixed to the upper part of the stopper plate 214, and the wafer W peeled from the slice base S passes through a slit 216 a formed in the two-piece prevention plate 216. To the delivery position. The slit 216a is formed with a width (for example, a width of 1.1 to 1.5 times the thickness of the wafer W) through which one wafer W can pass, so that two wafers are simultaneously peeled off. In such a case, it is possible to prevent the two wafers from sticking to each other and being simultaneously transferred to the delivery position. Specifically, by setting the width of the slit 216a to be 1.1 to 1.5 times the thickness of the wafer W, it is possible to prevent simultaneous transfer of two wafers and to prevent surface damage. it can.
これにより、スライスベースから2枚のウェーハが同時に剥離され、互いに貼りついた場合であっても、2枚取り防止板216のスリット216aを通過する際に、その1枚目のウェーハに貼りついた2枚目のウェーハが、スリット216aを通過できずに落下するので、常に1枚ずつ受渡位置に移送することができる。なお、この場合、スリット216aを通過できずに落下したウェーハは、倒止板214によって前方に倒れるのを防止されるので、次回の剥離時に確実に回収することができる。 Thereby, even when the two wafers are simultaneously peeled off from the slice base and adhered to each other, the wafers are adhered to the first wafer when passing through the slit 216a of the two-sheet removal prevention plate 216. Since the second wafer falls without passing through the slit 216a, it can always be transferred one by one to the delivery position. In this case, since the wafer that has fallen without passing through the slit 216a is prevented from falling forward by the stopper plate 214, it can be reliably collected at the next peeling.
次に、受渡装置118の概略構成について説明する。受渡装置118は、剥離装置114の第1剥離用吸着パッド200によってスライスベースSから剥離されたウェーハWを第1剥離用吸着パッド200から受け取り、シャトルコンベア312に受け渡す装置である。受渡装置118は、図2、4及び図7、8、9に示すように、駆動ユニット222の第2スライドテーブル240上に設けられており、第2送りモータ248を駆動することにより、第2ガイドレール236、236に沿って移動する。 Next, a schematic configuration of the delivery device 118 will be described. The delivery device 118 is a device that receives the wafer W separated from the slice base S by the first separation suction pad 200 of the separation device 114 from the first separation suction pad 200 and transfers the wafer W to the shuttle conveyor 312. The delivery device 118 is provided on the second slide table 240 of the drive unit 222 as shown in FIGS. 2 and 4 and FIGS. It moves along the guide rails 236, 236.
駆動ユニット222の第2スライドテーブル240上には、支柱274が垂直に立設されている。この支柱274の頂部には、支持フレーム276が垂直に立設されており、支持フレーム276には旋回用ロータリーアクチュエータ278が水平に設置されている。旋回用ロータリーアクチュエータ278の出力軸には駆動ギア280が噛合されており、駆動ギア280には旋回軸284に固着された従動ギア282が噛合されている。旋回軸284は、支持フレーム276の頂部に設置された軸受ユニット286に回動自在に支持されており、旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動することにより180°の範囲で回動する。 On the second slide table 240 of the drive unit 222, a column 274 is set up vertically. A support frame 276 is provided upright on the top of the column 274, and a rotary actuator 278 for turning is horizontally installed on the support frame 276. A drive gear 280 is meshed with the output shaft of the turning rotary actuator 278, and a driven gear 282 fixed to the turning shaft 284 is meshed with the drive gear 280. The turning shaft 284 is rotatably supported by a bearing unit 286 installed on the top of the support frame 276, and turns within a range of 180 ° by driving a turning rotary actuator 278.
旋回軸284の基端部には、旋回フレーム288が固着されており、旋回フレーム288には回転軸290が回動自在に支持されている。回転軸290の基端部には、旋回フレーム288に設置された方向転換用ロータリーアクチュエータ292の出力軸が固着されており、方向転換用ロータリーアクチュエータ292を駆動することにより、90°の範囲で回動する。 A turning frame 288 is fixed to the base end of the turning shaft 284, and a rotating shaft 290 is rotatably supported by the turning frame 288. At the base end of the rotating shaft 290, an output shaft of a turning rotary actuator 292 mounted on the turning frame 288 is fixed, and by driving the turning rotary actuator 292, the rotation within a range of 90 ° is achieved. Move.
回転軸290の先端部には、L字状に形成された旋回アーム294が固着されており、旋回アーム294の先端部には支持プレート296が固着されている。支持プレート296にはパッド進退用シリンダ298が設けられており、パッド進退用シリンダ298のロッド先端部には、受渡用吸着パッド300が設けられている。剥離装置114の第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって剥離されたウェーハWは、所定の受渡位置まで搬送されたのち、受渡用吸着パッド300に受け渡される。 A turning arm 294 formed in an L shape is fixed to the tip of the rotating shaft 290, and a support plate 296 is fixed to the tip of the turning arm 294. A pad advance / retreat cylinder 298 is provided on the support plate 296, and a delivery suction pad 300 is provided at the tip of the rod of the pad advance / retreat cylinder 298. The wafer W separated by the first and second suction pads 200 and 201 of the separation device 114 is transferred to a predetermined delivery position, and then transferred to the delivery suction pad 300.
受渡装置118において、受渡用吸着パッド300に吸着保持されたウェーハWは、旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動することにより、垂直面上を180°の範囲で旋回し、方向転換用ロータリーアクチュエータ292を駆動することにより、垂直状態から水平状態に方向転換される。 In the delivery device 118, the wafer W sucked and held by the delivery suction pad 300 is rotated by 180 ° on a vertical plane by driving the rotation rotary actuator 278 to drive the direction change rotary actuator 292. By doing so, the direction is changed from the vertical state to the horizontal state.
剥離装置114で剥離したウェーハWの受け取り、及び、その受け取ったウェーハWのシャトルコンベア312上への受け渡しは、次のように行う。スライスベースSから剥離されたウェーハWは、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201に吸着保持された状態で上昇して所定の受渡位置に移送される。受渡位置には、すでに受渡用吸着パッド300が待機しており、ウェーハWは、受渡用吸着パッド300の軸心と同軸上に位置する。 The reception of the wafer W separated by the separation device 114 and the transfer of the received wafer W onto the shuttle conveyor 312 are performed as follows. The wafer W separated from the slice base S is lifted while being held by the first and second suction pads 200 and 201 for separation, and transferred to a predetermined delivery position. The delivery suction pad 300 is already waiting at the delivery position, and the wafer W is positioned coaxially with the axis of the delivery suction pad 300.
ウェーハWが受渡位置に移送されると、次いで、パッド進退用シリンダ298が駆動されて、受渡用吸着パッド300がウェーハWに向かって所定量前進する。この結果、ウェーハWの端面に受渡用吸着パッド300が密着する。次に、受渡用吸着パッド300が駆動され、受渡用吸着パッド300によってウェーハWが吸着保持される。受渡用吸着パッド300にウェーハWが吸着保持されたことが受渡用吸着パッド300側に設けられた圧力スイッチ(図示せず)によって検知される。そして、この検知信号によって、第1剥離用吸着パッド200の真空吸着が解除、つまり空気が流入される。これにより、ウェーハWが第1剥離用吸着パッド200から受渡用吸着パッド300に受け渡される。なお、第2剥離用吸着パッド201の真空吸着の解除は、第1剥離用吸着パッド200の解除と同時でも良い。ただし、ウェーハWが上昇する前、あるいは受渡位置に移送される前に解除しても良く、その方がウェーハWの姿勢が安定する。 When the wafer W is transferred to the delivery position, the pad advance / retreat cylinder 298 is driven, and the delivery suction pad 300 moves forward by a predetermined amount toward the wafer W. As a result, the delivery suction pad 300 comes into close contact with the end surface of the wafer W. Next, the delivery suction pad 300 is driven, and the wafer W is sucked and held by the delivery suction pad 300. The pressure switch (not shown) provided on the delivery suction pad 300 side detects that the wafer W is held by suction on the delivery suction pad 300. Then, by this detection signal, the vacuum suction of the first peeling suction pad 200 is released, that is, air flows in. Thereby, the wafer W is transferred from the first peeling suction pad 200 to the delivery suction pad 300. The release of the vacuum suction of the second peeling suction pad 201 may be simultaneously performed with the release of the first peeling suction pad 200. However, the release may be performed before the wafer W is lifted or transferred to the delivery position, so that the posture of the wafer W is stabilized.
ウェーハWを受け取った受渡用吸着パッド300は、圧力スイッチによる検知信号によってパッド進退用シリンダ298の駆動を開始し、第1剥離用吸着パッド200から後退する。同様に、ウェーハWを受け渡した第1剥離用吸着パッド200は、圧力スイッチによる検知信号によって下降を開始して元の剥離作業位置に復帰する。受渡用吸着パッド300が後退すると、次いで、旋回用ロータリーアクチュエータ278が駆動されて、旋回アーム294が180°旋回する。この結果、ウェーハWがシャトルコンベア312の上方位置に移送される。 The delivery suction pad 300 that has received the wafer W starts driving the pad advance / retreat cylinder 298 according to the detection signal from the pressure switch, and retreats from the first peeling suction pad 200. Similarly, the first peeling suction pad 200 that has delivered the wafer W starts descending according to the detection signal from the pressure switch and returns to the original peeling operation position. When the delivery suction pad 300 retreats, the turning rotary actuator 278 is driven, and the turning arm 294 turns 180 °. As a result, the wafer W is transferred to a position above the shuttle conveyor 312.
シャトルコンベア312の上方に移送されたウェーハWは、シャトルコンベア312に対して直交した状態にあるので、移送後、方向転換用ロータリーアクチュエータ292が駆動されて、旋回アーム294が回転軸290を中心に90°回転する。この結果、ウェーハWがシャトルコンベア312から所定高さの位置に水平な状態で位置する。 Since the wafer W transferred above the shuttle conveyor 312 is orthogonal to the shuttle conveyor 312, after the transfer, the direction changing rotary actuator 292 is driven, and the turning arm 294 is rotated about the rotation shaft 290. Rotate 90 °. As a result, the wafer W is positioned at a predetermined height from the shuttle conveyor 312 in a horizontal state.
方向転換用ロータリーアクチュエータ292の駆動後、パッド進退用シリンダ298が駆動されて、受渡用吸着パッド300がシャトルコンベア312に向かって所定量前進する。この結果、ウェーハWが、シャトルコンベア312上に載置される。ウェーハWが、シャトルコンベア312上に載置されると、受渡用吸着パッド300の駆動が停止される。そして、パッド進退用シリンダ298が駆動されて受渡用吸着パッド300がシャトルコンベア312から後退する。 After the direction changing rotary actuator 292 is driven, the pad advance / retreat cylinder 298 is driven, and the delivery suction pad 300 moves forward by a predetermined amount toward the shuttle conveyor 312. As a result, the wafer W is placed on the shuttle conveyor 312. When the wafer W is placed on the shuttle conveyor 312, the driving of the delivery suction pad 300 is stopped. Then, the pad advance / retreat cylinder 298 is driven, and the delivery suction pad 300 is retracted from the shuttle conveyor 312.
ウェーハWの受渡作業の終了後、受渡用吸着パッド300は、上記と逆の動作で元の受渡位置に復帰する。一方、ウェーハWが受け渡されたシャトルコンベア312は、図示しない駆動手段に駆動されて、その受け渡されたウェーハWを次工程に搬送する。なお、このウェーハ剥離枚葉部100の駆動は、全て図示しない制御装置によって自動制御されており、この制御装置から出力される駆動信号に基づいて各構成装置が作動する。 After the completion of the delivery operation of the wafer W, the delivery suction pad 300 returns to the original delivery position by an operation reverse to the above. On the other hand, the shuttle conveyor 312 to which the wafer W has been transferred is driven by a driving unit (not shown), and transports the transferred wafer W to the next step. The driving of the wafer peeling unit 100 is automatically controlled by a control device (not shown), and each component device operates based on a drive signal output from the control device.
次に、ウェーハ剥離枚葉部100におけるウェーハの剥離方法の詳細について説明する。始動前の状態において、剥離ユニット150が設置された第1スライドテーブル140は、第1ガイドレール136の一方端(図2において下端)に位置している(この位置を剥離作業開始位置という。)。一方、受渡装置118が設置された第2スライドテーブル240は、第2ガイドレール236の他方端(図2において上端)に位置している。 Next, a method of peeling a wafer in the wafer peeling single wafer unit 100 will be described in detail. Before the start, the first slide table 140 on which the peeling unit 150 is installed is located at one end (the lower end in FIG. 2) of the first guide rail 136 (this position is referred to as a peeling start position). . On the other hand, the second slide table 240 on which the delivery device 118 is installed is located at the other end (the upper end in FIG. 2) of the second guide rail 236.
ワイヤソーでマルチ切断されたウェーハWを熱水槽112内に設けられたワーク保持部122にセットする。これにより、ウェーハWが接着されたスライスベースSが熱水槽112内に貯留された熱水120中に浸漬される。なお、ウェーハWのセッティングは、オペレータが手動で行ってもよいし、図示しないマニピュレータによって自動でワーク保持部122に搬送して、自動でセットするようにしてもよい。 The wafer W multi-cut by the wire saw is set on the work holding part 122 provided in the hot water tank 112. Thus, the slice base S to which the wafer W is bonded is immersed in the hot water 120 stored in the hot water tank 112. The setting of the wafer W may be performed manually by an operator, or may be automatically transferred to the work holding unit 122 by a manipulator (not shown) and set automatically.
ウェーハWが熱水槽112内にセットされると、制御装置は、まず、第2送りモータ248を駆動して第2スライドテーブル240を図2中で下側に向けて移動させる。次に、その第2スライドテーブル240を所定の受渡作業の開始位置に位置させる。そして、第2スライドテーブル240が受渡作業の開始位置に位置したところで、ウェーハWの剥離作業が開始される。 When the wafer W is set in the hot water tank 112, the controller first drives the second feed motor 248 to move the second slide table 240 downward in FIG. Next, the second slide table 240 is positioned at a predetermined start position of the delivery work. Then, when the second slide table 240 is located at the start position of the delivery operation, the separation operation of the wafer W is started.
次に、制御装置は、第1送りモータ148と第2送りモータ248を同期させて駆動し、第1スライドテーブル140と第2スライドテーブル240を前進させる(図2中上方向に移動させる)。第1スライドテーブル140上に設けられた剥離装置114のパッド支持プレート198には、非接触式の位置センサ214Sが設けられており、位置センサ214Sは、ウェーハWの端面までの距離が所定距離に達すると作動する。 Next, the control device drives the first feed motor 148 and the second feed motor 248 in synchronization with each other, and advances the first slide table 140 and the second slide table 240 (moves upward in FIG. 2). A non-contact type position sensor 214S is provided on the pad support plate 198 of the peeling device 114 provided on the first slide table 140, and the position sensor 214S is configured such that the distance to the end surface of the wafer W is a predetermined distance. Activated when reached.
制御装置は、位置センサ214Sの作動信号を入力することにより、第1送りモータ148と第2送りモータ248の駆動を停止し、第1スライドテーブル140と第2スライドテーブル240とを停止させる。この結果、第1スライドテーブル140上に設けられた剥離装置114の第1及び第2剥離用吸着パッド200、201がウェーハWの端面に当接する。制御装置は、ウェーハWの端面に当接した第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を駆動し、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201にウェーハWを吸着保持させる。 The control device stops the driving of the first feed motor 148 and the second feed motor 248 and stops the first slide table 140 and the second slide table 240 by inputting the operation signal of the position sensor 214S. As a result, the first and second peeling suction pads 200 and 201 of the peeling device 114 provided on the first slide table 140 come into contact with the end surface of the wafer W. The control device drives the first and second peeling suction pads 200 and 201 that are in contact with the end surface of the wafer W, and causes the first and second peeling suction pads 200 and 201 to suck and hold the wafer W.
図10は、剥離用吸着部の詳細を示す要部の拡大側面図、図11は、拡大正面図である。倒止板214は、ウェーハWの端面側が基準面となり、表面を保護する樹脂製の押し当て板214−1、反対側が押し当て板214−1の平面度を確保するためステンレス製のステンレスプレート214−2となっている。また、第1剥離用吸着パッド200は、その中心軸がウェーハWの中心軸と一致するように配置され、第2剥離用吸着パッド201は第1剥離用吸着パッド200より下側に配置される。なお、第1剥離用吸着パッド200は、表面がフラットなワークの搬送に適した平形真空パッドであり、第2剥離用吸着パッド201より吸着力が強くなっている。また、第2剥離用吸着パッド201は、軸方向に伸縮するじゃばら形状のベローズ型真空吸着パッドである。 FIG. 10 is an enlarged side view of a main part showing details of the peeling suction unit, and FIG. 11 is an enlarged front view. The stopper plate 214 has a reference surface on the end surface side of the wafer W, and a resin pressing plate 214-1 for protecting the surface, and a stainless steel plate 214 on the opposite side for ensuring flatness of the pressing plate 214-1. -2. Further, the first peeling suction pad 200 is arranged such that the central axis thereof coincides with the central axis of the wafer W, and the second peeling suction pad 201 is arranged below the first peeling suction pad 200. . The first peeling suction pad 200 is a flat vacuum pad suitable for transporting a work having a flat surface, and has a stronger suction force than the second peeling suction pad 201. In addition, the second peeling suction pad 201 is a bellows-type vacuum suction pad having a bellows shape that expands and contracts in the axial direction.
ウェーハWは、接着剤によりスライスベースSと接着され、マウンティングプレートMに対して上側になるように配置させられたのち、熱水槽112のワーク保持部122にセットされている。ここで、ウェーハWとスライスベースSとを接着している接着剤は、熱水120中に浸漬されているため十分に熱軟化している。スライスベースSの横にはエアー供給機構が設けられ、エアノズル80、81がウェーハWの下側両側面に設けられている。そして、エアノズル80、81は、ウェーハWの側面2方向より下側から上側に向かってエアーをブロー供給する、つまりエアーを勢いよく吹き付けるように設置されている。また、ウェーハWの鉛直上方でウェーハ中央部付近には水供給ノズル(図示せず)が設けられる。 The wafer W is adhered to the slice base S with an adhesive, is arranged so as to be on the upper side with respect to the mounting plate M, and is set in the work holding part 122 of the hot water tank 112. Here, the adhesive bonding the wafer W and the slice base S is sufficiently softened by heat because it is immersed in the hot water 120. An air supply mechanism is provided beside the slice base S, and air nozzles 80 and 81 are provided on both lower side surfaces of the wafer W. The air nozzles 80 and 81 are installed so as to blow and supply air from the lower side to the upper side from the side 2 direction of the wafer W, that is, to blow the air vigorously. A water supply nozzle (not shown) is provided vertically above the wafer W and near the center of the wafer.
第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によるウェーハWの吸着保持は、次のように行われる。まず、ウェーハWの端面に第2剥離用吸着パッド201が当接する。第2剥離用吸着パッド201は、ウェーハWの中心軸より下側でベローズ型真空吸着パッドとされているので、接着部近傍を中心としてウェーハWの根本を倒止板214側へ引き寄せる。これにより、剥離作業が確実に、かつ効率良く開始される。 Suction holding of the wafer W by the first and second peeling suction pads 200 and 201 is performed as follows. First, the second peeling suction pad 201 comes into contact with the end surface of the wafer W. Since the second peeling suction pad 201 is a bellows-type vacuum suction pad below the central axis of the wafer W, it pulls the root of the wafer W toward the stopper plate 214 around the vicinity of the bonding portion. Thereby, the peeling operation is started reliably and efficiently.
図12は、剥離作業の作用の説明図であり、ウェーハWを1枚剥離する際に、複数枚に対してエアノズル80、81から矢印F、Gに示すようにウェーハWの両側面において、下側から上側に向かってエアーをブロー供給する。 FIG. 12 is an explanatory diagram of the operation of the peeling operation. When one wafer W is peeled, a plurality of wafers W are separated from the air nozzles 80 and 81 on both sides of the wafer W as indicated by arrows F and G. The air is blown from the side to the upper side.
具体的には図12で剥離する最左端の1枚目となるウェーハWに対して、少なくとも1枚目と2枚目との間にエアーをブロー供給する。なお、さらに2枚目と3枚目との間、3枚目と4枚目との間にもエアーをブロー供給することが効率良く剥離する上で望ましい。ただし、数枚の剥離作業を行っている内にウェーハWとスライスベースSとを接着している接着剤は、熱水120中に浸漬されているため十分に熱軟化して行くので、剥離作業の進行と共に、同時にブロー供給する枚数を減らしても良い。 Specifically, air is blow-supplied between at least the first and second wafers W, which is the leftmost first wafer to be peeled off in FIG. In addition, it is desirable that the air be blow-supplied between the second and third sheets and between the third and fourth sheets for efficient peeling. However, since the adhesive bonding the wafer W and the slice base S is immersed in the hot water 120 and sufficiently heat-softened while performing several peeling operations, the peeling operation is performed. , The number of blow-supplied sheets may be reduced at the same time.
一方、ウェーハWの鉛直上方で中心付近から矢印Hに示すように熱水又は水を供給することで、中央から水が供給され、中央は必ず一定の隙間を確保するようにできる。そして、ウェーハWの両側面からエアーを流すことで両サイドの隙間をバランス良く保つことができ、ウェーハ間をきれいに縁切りできる。 On the other hand, by supplying hot water or water from the vicinity of the center vertically above the wafer W as shown by the arrow H, water is supplied from the center, and a certain gap can always be ensured at the center. By flowing air from both sides of the wafer W, the gap between both sides can be maintained in a well-balanced manner, and the edges between the wafers can be cut cleanly.
つまり、エアーを供給することで水膜が除去され、ウェーハW間が水の表面張力で貼りつくことを防いで縁切りし、1枚のウェーハWを持ち上げた際に次のウェーハが連れ立って持ち上げられることを防止することができる。また、複数枚に対してエアーをブロー供給、特に、1枚目と2枚目との間及び2枚目と3枚目との間にエアーをブロー供給することで、持ち上げたウェーハWの次の待機ウェーハW(2枚目)とその次にある待機ウェーハW(3枚目)の密着も回避できる。これにより、剥離作業を順次継続する上で、効率を向上することができる。 That is, the water film is removed by supplying air, the wafers W are cut off by preventing the water W from sticking to each other due to the surface tension, and when one wafer W is lifted, the next wafer is lifted along with the next wafer. Can be prevented. In addition, air is blow-supplied to a plurality of wafers, and in particular, air is blow-supplied between the first and second wafers and between the second and third wafers to blow the next wafer W. Of the standby wafer W (the second wafer) and the subsequent standby wafer W (the third wafer) can be avoided. Thereby, efficiency can be improved when the peeling operation is sequentially continued.
第2剥離用吸着パッド201により、ウェーハWを倒止板214側へ引き寄せた後は、表面がフラットな平形真空パッドである第1剥離用吸着パッド200により、ウェーハWの中心軸をしっかりと吸着する。したがって、ウェーハWの搬送に適した状態、短時間でウェーハWのハンドリングが可能となり、途中で落下等の恐れも無くすことができる。 After the wafer W is drawn toward the stopper plate 214 by the second peeling suction pad 201, the central axis of the wafer W is firmly sucked by the first peeling suction pad 200, which is a flat vacuum pad having a flat surface. I do. Therefore, it is possible to handle the wafer W in a short time in a state suitable for transporting the wafer W, and it is possible to eliminate the possibility of dropping or the like on the way.
次に、制御装置は、揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動して揺動フレーム154を前後に揺動させ、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を前後(ウェーハの軸線に沿った方向)に揺動させる。また、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、ウェーハWとスライスベースSとの接着部近傍を揺動中心として揺動している。このため、ウェーハWは、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって複数回揺動が与えられ、簡単にスライスベースSから剥離される。また、引きはがし時に前後の揺動により、ウェーハWを根元から剥離し、全体として効率良く剥離することが可能となる。 Next, the control device drives the swing rotary actuator 160 to swing the swing frame 154 back and forth, and moves the first and second peeling suction pads 200 and 201 back and forth (in a direction along the axis of the wafer). Rock. Further, the first and second peeling suction pads 200 and 201 swing around the vicinity of the bonding portion between the wafer W and the slice base S as the swing center. For this reason, the wafer W is given a plurality of swings by the first and second suction pads 200 and 201 for separation, and is easily separated from the slice base S. In addition, the wafer W can be peeled from the root by swinging back and forth during peeling, and the whole can be efficiently peeled.
制御装置は、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を所定回数揺動させたところで揺動用ロータリーアクチュエータ160の駆動を停止する。次いで、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動してアーム190、192を上方に旋回させ、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を上方に移動させる。この際、第1剥離用吸着パッド200により、ウェーハWの中心軸がしっかりと固定されている。 The control device stops driving the swing rotary actuator 160 when the first and second peeling suction pads 200 and 201 have been swung a predetermined number of times. Next, the lifting / lowering rotary actuator 204 is driven to pivot the arms 190 and 192 upward, and the first and second peeling suction pads 200 and 201 are moved upward. At this time, the center axis of the wafer W is firmly fixed by the first peeling suction pad 200.
第1剥離用吸着パッド200に吸着保持されたウェーハWは、摺動性が良い樹脂製(例えば、フッ素樹脂)の押し当て板214−1にガイドされて、倒止板214の上部に固着された2枚取り防止板216のスリット216a(図3)を通過する。これにより、2枚取りが防止される。 The wafer W sucked and held by the first peeling suction pad 200 is guided by a pressing plate 214-1 made of a resin (for example, fluororesin) having good slidability, and is fixed to the upper part of the stopper plate 214. It passes through the slit 216a (FIG. 3) of the two-sheet taking prevention plate 216. This prevents two sheets from being taken.
すなわち、主に第1剥離用吸着パッド200で吸着保持したウェーハWに、次に剥離するウェーハWが貼りついてきた場合であっても、スリット216aを通過する際に、貼りついてきたウェーハWがスリット216aを通過する際に剥がされるので、常に第1剥離用吸着パッド200で吸着しているウェーハW1枚のみを取り出すことができる。 That is, even when the wafer W to be peeled next adheres to the wafer W mainly sucked and held by the first peeling suction pad 200, the wafer W that is adhered to the slit W passes through the slit 216a. Since the wafer W is peeled off when passing through the 216a, it is possible to always take out only one wafer W sucked by the first peeling suction pad 200.
また、スリット216aを通過できずに落下したウェーハは、倒止板214によって前方に倒れるのを防止されるので、次回の剥離時に確実に回収される。このとき、ウェーハWの端面側は、非常に高い表面潤滑性を持った樹脂製(例えば、フッ素樹脂)の押し当て板214−1に当接するので、傷付きが防止される。 In addition, since the wafer that has fallen without passing through the slit 216a is prevented from falling forward by the stopper plate 214, it is reliably collected at the next peeling. At this time, the end face side of the wafer W comes into contact with the pressing plate 214-1 made of resin (for example, fluororesin) having extremely high surface lubricity, so that damage is prevented.
上方に移動した第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、図8の鎖線位置を受渡位置として停止する。受渡位置には、受渡装置118の受渡用吸着パッド300が待機しており、ウェーハWの中心軸をしっかりと吸着した第1剥離用吸着パッド200に端面が吸着保持されたウェーハWは、受渡用吸着パッド300の軸心と同軸上に位置する。 The first and second peeling suction pads 200 and 201 that have moved upward are stopped with the chain line position in FIG. 8 being the delivery position. At the delivery position, the delivery suction pad 300 of the delivery device 118 is on standby, and the wafer W whose end face is sucked and held by the first peeling suction pad 200 that firmly sucks the center axis of the wafer W is used for delivery. It is located coaxially with the axis of the suction pad 300.
受渡位置は、受渡用吸着パッド300が略水平(図8で旋回アーム294が水平となる位置)となる位置であり、かつウェーハWは鉛直状態のままであるので、重力によるウェーハたわみの影響を受け難い位置である。また、受け渡した後、吸着パッド200、201が次のウェーハWの引き剥がし動作にすぐ戻ることが可能で効率良い剥離作業が順次継続できる。 The delivery position is a position where the delivery suction pad 300 is substantially horizontal (the position where the turning arm 294 is horizontal in FIG. 8) and the wafer W remains in a vertical state. It is difficult to receive. Further, after the transfer, the suction pads 200 and 201 can immediately return to the peeling operation of the next wafer W, so that the efficient peeling operation can be sequentially continued.
制御装置は、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が所定の受渡位置で停止すると、パッド進退用シリンダ298を駆動して、受渡用吸着パッド300をウェーハWに向かって所定量前進させる。この結果、第1剥離用吸着パッド200に吸着されたウェーハWの端面に対して裏面に受渡用吸着パッド300が密着する。そして、ウェーハWは、第1剥離用吸着パッド200側の端面と共に裏面も受渡用吸着パッド300によってウェーハWが吸着保持される。 When the first and second peeling suction pads 200 and 201 stop at a predetermined delivery position, the control device drives the pad advance / retreat cylinder 298 to advance the delivery suction pad 300 toward the wafer W by a predetermined amount. . As a result, the delivery suction pad 300 comes into close contact with the back surface of the wafer W sucked by the first peeling suction pad 200. Then, the wafer W is suction-held by the delivery suction pad 300 on the back surface as well as the end surface on the side of the first peeling suction pad 200.
受渡用吸着パッド300にウェーハWが吸着保持されたことが受渡用吸着パッド300側に設けられた圧力スイッチ(図示せず)によって検知される。そしてこの検知信号によって、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201の真空吸着が解除、つまり空気が流入される。受渡用吸着パッド300は、第1剥離用吸着パッド200と同様に表面がフラットな平形真空パッドであり、ウェーハWの中心軸をしっかりと吸着する。これにより、ウェーハWは第1剥離用吸着パッド200から受渡用吸着パッド300に受け渡され、受渡用吸着パッド300でウェーハWの中心軸をしっかりと吸着する。したがって、ウェーハWの搬送に適した状態でハンドリングが可能となり、途中で落下等の恐れも無くすことができる。 The pressure switch (not shown) provided on the delivery suction pad 300 side detects that the wafer W is held by suction on the delivery suction pad 300. Then, by the detection signal, the vacuum suction of the first and second peeling suction pads 200 and 201 is released, that is, air flows in. The delivery suction pad 300 is a flat vacuum pad having a flat surface like the first peeling suction pad 200, and firmly sucks the central axis of the wafer W. Thus, the wafer W is transferred from the first peeling suction pad 200 to the delivery suction pad 300, and the delivery suction pad 300 firmly sucks the central axis of the wafer W. Therefore, handling can be performed in a state suitable for carrying the wafer W, and the possibility of dropping or the like on the way can be eliminated.
次いで、制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動して、受渡用吸着パッド300を第1剥離用吸着パッド200から後退させる。受渡用吸着パッド300の後退と共に、制御装置は、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動してアーム190、192を下方に旋回させ、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を下方に移動させて、元の剥離作業位置に復帰させる。 Next, the control device drives the pad advancing / retreating cylinder 298 to retract the delivery suction pad 300 from the first peeling suction pad 200. With the retreat of the delivery suction pad 300, the control device drives the lifting / lowering rotary actuator 204 to pivot the arms 190 and 192 downward, and moves the first and second peeling suction pads 200 and 201 downward. And return to the original peeling operation position.
一方、制御装置はパッド進退用シリンダ298の駆動後、旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動して、旋回アーム294を180°旋回させ、ウェーハWをシャトルコンベア312の上方位置に移送する。そして、移送後、方向転換用ロータリーアクチュエータ292を駆動する。旋回アーム294は、回転軸290を中心に90°回転する。 On the other hand, after driving the pad moving cylinder 298, the control device drives the turning rotary actuator 278 to turn the turning arm 294 by 180 °, and transfers the wafer W to a position above the shuttle conveyor 312. Then, after the transfer, the direction changing rotary actuator 292 is driven. The swing arm 294 rotates 90 ° about the rotation axis 290.
これにより、ウェーハWの両端面がシャトルコンベア312に対して平行な状態になる。制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動して、受渡用吸着パッド300をシャトルコンベア312に向けて前進させる。この結果、ウェーハWが、シャトルコンベア312上に載置される。次いで、制御装置は、受渡用吸着パッド300の駆動を停止して、ウェーハWをシャトルコンベア312に受け渡す。 Thereby, both end surfaces of the wafer W are in a state parallel to the shuttle conveyor 312. The control device drives the pad advance / retreat cylinder 298 to advance the delivery suction pad 300 toward the shuttle conveyor 312. As a result, the wafer W is placed on the shuttle conveyor 312. Next, the control device stops driving the delivery suction pad 300 and delivers the wafer W to the shuttle conveyor 312.
受渡用吸着パッド300の駆動を停止したのち、制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動して受渡用吸着パッド300をシャトルコンベア312から後退させると共に、シャトルコンベア312を駆動してウェーハWを次工程に搬送する。また、制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動後、方向転換用ロータリーアクチュエータ292及び旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動して受渡用吸着パッド300を元の受渡位置に復帰させる。 After stopping the driving of the delivery suction pad 300, the control device drives the pad advance / retreat cylinder 298 to retreat the delivery suction pad 300 from the shuttle conveyor 312, and drives the shuttle conveyor 312 to transfer the wafer W to the next. Convey to the process. After driving the pad advance / retreat cylinder 298, the control device drives the direction change rotary actuator 292 and the turn rotary actuator 278 to return the delivery suction pad 300 to the original delivery position.
受渡用吸着パッド300が受渡位置に復帰するまでに、吸着パッド200、201が次のウェーハWの引き剥がし動作を行っているので、2枚目のウェーハWの剥離作業が完了している。したがって、無駄な時間を少なくして効率良い剥離作業が順次継続される。 By the time the delivery suction pad 300 returns to the delivery position, the suction pads 200 and 201 perform the peeling operation of the next wafer W, and thus the peeling operation of the second wafer W is completed. Therefore, efficient stripping work is sequentially continued with less wasted time.
つまり、一連の工程で1枚目のウェーハWの受け渡しが終了し、受渡用吸着パッド300の後退と共に、吸着パッド200、201を元の剥離作業位置に復帰させる。そして、制御装置は、第1送りモータ148と第2送りモータ248を同期させて駆動し、第1スライドテーブル140と第2スライドテーブル240を所定量前進させる。これにより、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が、2枚目に剥離するウェーハWの端面に当接する。制御装置は、2枚目のウェーハWを上記同様の方法で剥離する。 That is, the delivery of the first wafer W is completed in a series of steps, and the suction pads 200 and 201 are returned to the original peeling operation position with the retreat of the delivery suction pad 300. Then, the control device drives the first feed motor 148 and the second feed motor 248 in synchronization with each other, and advances the first slide table 140 and the second slide table 240 by a predetermined amount. Thus, the first and second suction pads 200 and 201 for separation come into contact with the end surface of the wafer W to be separated for the second sheet. The control device peels the second wafer W by the same method as described above.
以上のようにしてスライスベースSに接着されているウェーハWを順次剥離し、次工程に搬送して行き、1サイクルの剥離作業が終了する。次に、搬送部310は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離、枚葉したウェーハWを受け取り、次の枚葉洗浄部350に搬送する。そして、搬送部310には、シャトルコンベア312が備えられており、シャトルコンベア312によってウェーハWを枚葉洗浄部350に搬送する。 As described above, the wafers W adhered to the slice base S are sequentially peeled, transported to the next step, and one cycle of the peeling operation is completed. Next, the transport unit 310 receives the wafer W peeled and separated at the wafer peeling single wafer unit 100 and transports the wafer W to the next single wafer cleaning unit 350. The transport unit 310 is provided with a shuttle conveyor 312, and transports the wafer W to the single wafer cleaning unit 350 by the shuttle conveyor 312.
枚葉洗浄部350は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離枚葉されたウェーハWを1枚ずつ枚葉洗浄する。この枚葉洗浄部350は、枚葉ブラシ洗浄部352と枚葉プレリンス部354と枚葉リンス部356とから構成されている。 The single-wafer cleaning unit 350 performs single-wafer cleaning of the wafers W peeled off in the wafer peeling single-wafer unit 100 one by one. The single-wafer cleaning unit 350 includes a single-wafer brush cleaning unit 352, a single-wafer pre-rinsing unit 354, and a single-wafer rinsing unit 356.
図13は枚葉洗浄部350の構成を示す側面図であり、枚葉ブラシ洗浄部352は、チャンバー構造の洗浄槽を有しており(図示せず)、洗浄槽内には、図13に示すように、一対の回転ブラシ378、378と、洗浄液を流す一対の洗浄液ノズル380、380と、二対のウェーハ搬送用のローラコンベア382、382、382、382と、液切り用の一対のエアーナイフノズル384、384が配設されている。 FIG. 13 is a side view showing the configuration of the single-wafer cleaning unit 350. The single-wafer brush cleaning unit 352 has a cleaning tank having a chamber structure (not shown). As shown, a pair of rotating brushes 378, 378, a pair of cleaning liquid nozzles 380, 380 for flowing the cleaning liquid, two pairs of roller conveyors 382, 382, 382, 382 for transporting the wafer, and a pair of air for draining the liquid. Knife nozzles 384, 384 are provided.
枚葉ブラシ洗浄部352では、搬送部310のシャトルコンベア312によって搬送されてきたウェーハWの裏表面に洗浄液ノズル380、380から洗浄液をかけながら回転ブラシ378、378によってブラシ洗浄する。洗浄後は、洗浄液を次工程に持ち込まないようにするために、エアーナイフノズル384、384から圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、ブラシ洗浄が終了したウェーハWは、ローラコンベア382によって次工程の枚葉プレリンス部354に搬送する。 In the single-wafer brush cleaning unit 352, brush cleaning is performed by the rotating brushes 378 and 378 while applying cleaning liquid from the cleaning liquid nozzles 380 and 380 to the back surface of the wafer W transferred by the shuttle conveyor 312 of the transfer unit 310. After cleaning, compressed air is jetted from the air knife nozzles 384 and 384 to remove the cleaning liquid so that the cleaning liquid is not carried into the next step. Then, the wafer W having been subjected to the brush cleaning is conveyed by the roller conveyor 382 to the single wafer pre-rinse unit 354 in the next step.
枚葉プレリンス部354は、枚葉ブラシ洗浄部352と同様の構成を有している。枚葉プレリンス部354では、枚葉ブラシ洗浄部352のローラコンベア382によって搬送されてきたウェーハの裏表面にプレリンス液ノズルからプレリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、ブラシ洗浄が終了したウェーハWは、ローラコンベアによって次工程の枚葉リンス部356に搬送される。 The single-wafer pre-rinsing unit 354 has the same configuration as the single-wafer brush cleaning unit 352. In the single-wafer pre-rinsing unit 354, brush cleaning is performed by a rotary brush while applying a pre-rinsing liquid from a pre-rinsing liquid nozzle to the back surface of the wafer conveyed by the roller conveyor 382 of the single-wafer brush cleaning unit 352. After cleaning, the compressed air is injected to drain the liquid. Then, the wafer W having been subjected to the brush cleaning is transported to the next-step single-wafer rinsing unit 356 by the roller conveyor.
枚葉リンス部356も枚葉ブラシ洗浄部352とほぼ同様の構成を有している。枚葉リンス部356では、枚葉リンス洗浄部のローラコンベアによって搬送されてきたウェーハの裏表面にリンス液ノズルからリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、ウェーハWは、ローラコンベアによって次の検出部400に搬送される。 The single-wafer rinse unit 356 has substantially the same configuration as the single-wafer brush cleaning unit 352. In the single-wafer rinsing unit 356, the rinsing liquid is applied from the rinsing liquid nozzle to the back surface of the wafer conveyed by the roller conveyor of the single-wafer rinsing unit, and the cleaning liquid is washed with a rotary brush. After the cleaning, the wafer W is transferred to the next detection unit 400 by the roller conveyor.
検出部400は、洗浄の終了したウェーハWについて1枚1枚、割れ、欠け、及び接着剤残りの有無を検出すると共に、1枚1枚厚さを測定する。検出部400は、枚葉洗浄部350で洗浄が終了したウェーハWを所定の受取位置まで搬送するための搬送ユニット402と、その受取位置に搬送されてきたウェーハWを所定の検出位置まで持ち上げて回転させる回転駆動ユニットと、回転駆動ユニットによって回転させられたウェーハWの厚さを測定する厚さ測定ユニットと、回転駆動ユニットによって回転させられたウェーハWの割れ、欠け、接着剤残りを検出する不良ウェーハ検出ユニットと、検出が終了したウェーハWを次の回収部500のウェーハ搬送ロボットに受け渡すための受渡ユニットとから構成されている。 The detection unit 400 detects the presence or absence of cracks, chips, and adhesive residue on each wafer W after cleaning, and measures the thickness of each wafer. The detecting unit 400 transports the wafer W cleaned by the single wafer cleaning unit 350 to a predetermined receiving position, and lifts the wafer W transported to the receiving position to a predetermined detecting position. A rotary drive unit for rotating, a thickness measuring unit for measuring the thickness of the wafer W rotated by the rotary drive unit, and a crack, a chip, and an adhesive residue of the wafer W rotated by the rotary drive unit are detected. It comprises a defective wafer detection unit and a delivery unit for delivering the detected wafer W to the next wafer transfer robot of the collection unit 500.
図14は、搬送ユニット402の構成を示す平面図であり、搬送ユニット402は、丸ベルトコンベア411を備えている。丸ベルトコンベア411は、枚葉洗浄部350の終端部に連設されている。この丸ベルトコンベア411の両側部には、一対のガイド部材411a、411aが配設されており、このガイド部材411a、411aによってウェーハWが直進するようにガイドされる。 FIG. 14 is a plan view showing the configuration of the transport unit 402. The transport unit 402 includes a round belt conveyor 411. The round belt conveyor 411 is connected to the end of the single wafer cleaning unit 350. A pair of guide members 411a and 411a are provided on both sides of the round belt conveyor 411, and the wafer W is guided by the guide members 411a and 411a so as to advance straight.
丸ベルトコンベア411の終端位置には、図14に示すように、5本の位置決めピン412、412、…が円弧をなすように配設されており、位置決めピン412、412、…に丸ベルトコンベア411によって搬送されてきたウェーハWが当接することにより、ウェーハWが所定の受取位置に位置決めされる。また、位置決めピン412、412…にウェーハWが当接すると、図示しないセンサが作動し、このセンサが作動することにより、丸ベルトコンベア411の駆動が停止される。そして、検出が終了したウェーハWは、回収部500のウェーハ搬送ロボット508に受け渡される。 At the end position of the round belt conveyor 411, as shown in FIG. 14, five positioning pins 412, 412,... Are arranged so as to form an arc, and the positioning pins 412, 412,. The wafer W conveyed by 411 abuts, and the wafer W is positioned at a predetermined receiving position. Further, when the wafer W comes into contact with the positioning pins 412, 412,..., A sensor (not shown) is operated, and the driving of the round belt conveyor 411 is stopped by operating this sensor. Then, the detected wafer W is transferred to the wafer transfer robot 508 of the collection unit 500.
図15は、回収部500の構成を示す平面図であり、ウェーハ回収部502A、502Bには、それぞれ上下二段式のカセットホルダーが備えられている(図示せず)。カセットホルダーは図示しないカセット位置決め機構によって昇降移動自在に支持されており、ウェーハWを回収するウェーハ回収カセット510A、510Bは、このカセットホルダーに二台ずつセットされる。 FIG. 15 is a plan view showing the configuration of the collection unit 500. Each of the wafer collection units 502A and 502B is provided with a two-stage cassette holder (not shown). The cassette holder is supported by a cassette positioning mechanism (not shown) so as to be able to move up and down freely, and two wafer collection cassettes 510A and 510B for collecting the wafer W are set in the cassette holder.
不良ウェーハ回収部504及び接着剤残りウェーハ回収部506もウェーハ回収部502A、502Bと同様に、それぞれ図示しないカセットホルダーを備えており、カセットホルダーは、図示しないカセット位置決め機構によって昇降移動自在に支持されている。そして、このカセットホルダーに不良ウェーハWを回収する不良ウェーハ回収カセット512と、接着剤残りウェーハWを回収する接着剤残りウェーハ回収カセット514がセットされる。 Similarly to the wafer collecting units 502A and 502B, the defective wafer collecting unit 504 and the adhesive remaining wafer collecting unit 506 each include a cassette holder (not shown). ing. Then, a defective wafer collecting cassette 512 for collecting the defective wafer W and an adhesive remaining wafer collecting cassette 514 for collecting the adhesive remaining wafer W are set in the cassette holder.
また、ウェーハWが1枚収納されると、図示しないカセット位置決め機構が駆動されて、仕切一段分ウェーハ回収カセット510Aが上昇する。本実施の形態のウェーハ剥離洗浄装置1は、以上のように構成される。なお、このウェーハ剥離洗浄装置1を構成する各機器は、全て図示しない制御装置に駆動制御されており、この制御装置が出力する駆動信号に基づいて作動する。 When one wafer W is stored, a cassette positioning mechanism (not shown) is driven, and the wafer collection cassette 510A is moved up by one stage. The wafer peeling and cleaning apparatus 1 of the present embodiment is configured as described above. The components of the wafer peeling and cleaning apparatus 1 are all driven and controlled by a controller (not shown), and operate based on a drive signal output from the controller.
以上説明したウェーハ剥離洗浄装置1は、通常の切断方式(一回の切断に対して一本のインゴットのみを切断する方式)で切断されたスライスドウェーハの剥離、洗浄を行う場合である。ワイヤソーで切断されたバッチ状態のウェーハWは、図示しない搬送装置によって、ウェーハ剥離洗浄装置1まで搬送される。 The wafer peeling / cleaning apparatus 1 described above is a case where the sliced wafers peeled and cleaned by a normal cutting method (a method of cutting only one ingot for one cutting). The wafer W in a batch state cut by the wire saw is transferred to the wafer peeling and cleaning apparatus 1 by a transfer device (not shown).
そして、ウェーハ剥離洗浄装置1に備えられた図示しないリフターに搭載される。リフターに搭載されたウェーハWは、まず、リフターによって粗洗浄部10に搬送される。そして、そこでシャワー洗浄され、切断時に付着したスラリが除去される。粗洗浄部10におけるシャワー洗浄は、リフターに搭載されたまま行われ、シャワー洗浄が終了すると、ウェーハは、ウェーハ剥離枚葉部100に搬送される。 Then, it is mounted on a lifter (not shown) provided in the wafer peeling and cleaning apparatus 1. First, the wafer W mounted on the lifter is transported to the rough cleaning unit 10 by the lifter. Then, it is shower-washed there, and the slurry attached at the time of cutting is removed. The shower cleaning in the rough cleaning unit 10 is performed while being mounted on the lifter. When the shower cleaning is completed, the wafer is transferred to the wafer peeling single wafer unit 100.
ウェーハ剥離枚葉部100に搬送されたウェーハWは、まず、リフターに備えられた反転機構によって上下が反転させられたのち(ウェーハWがマウンティングプレートMに対して上側になるように配置させられたのち)、熱水槽112のワーク保持部122にセットされる。ワーク保持部122にセットされたウェーハWは、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって1枚ずつスライスベースSから剥離され、剥離されたウェーハWは、順次、搬送部310のシャトルコンベア312に移送される。そして、このシャトルコンベア312によって枚葉洗浄部350に搬送される。 The wafer W conveyed to the wafer peeling unit 100 is first turned upside down by a reversing mechanism provided in the lifter (the wafer W is arranged so that the wafer W is located above the mounting plate M). After that, it is set in the work holding part 122 of the hot water tank 112. The wafers W set on the work holding unit 122 are separated from the slice base S one by one by the first and second suction pads 200 and 201 for separation, and the separated wafers W are sequentially transferred to the shuttle conveyor of the transport unit 310. Transferred to 312. Then, the sheet is conveyed to the single wafer cleaning section 350 by the shuttle conveyor 312.
上記の作業をスライスベースSから剥離したウェーハW1枚1枚に対して行い、全てのウェーハWがカセットに収納された時点で作業が終了する。終了後、各装置は、始動前の状態に復帰する。 The above operation is performed for each wafer W separated from the slice base S, and the operation is completed when all the wafers W are stored in the cassette. After the end, each device returns to the state before starting.
ウェーハ剥離洗浄装置1は、マルチ切断方式(一回の切断に対して種類の異なるインゴットを同時に切断する方式)で切断されたスライスドウェーハの剥離、洗浄を行うことができる。マルチ切断方式によって切断されたウェーハの剥離、洗浄を行う場合について説明する。 The wafer peeling and cleaning apparatus 1 can peel and clean a sliced wafer cut by a multi-cutting method (a method of simultaneously cutting different kinds of ingots for one cutting). A case where a wafer cut by the multi-cutting method is peeled and cleaned will be described.
マルチ切断方式によって切断されたウェーハは、ウェーハの種類ごとに回収する必要があるので、次のように処理される。なお、ウェーハ剥離枚葉部100に搬送されるまでの工程は、上述した通常の切断方式によって切断されたウェーハと同じである。 Since the wafers cut by the multi-cutting method need to be collected for each type of wafer, they are processed as follows. The process up to the transfer to the wafer peeling single wafer unit 100 is the same as the wafer cut by the above-described normal cutting method.
マルチ切断されたウェーハWが、ウェーハ剥離枚葉部100のワーク保持部122にセットされると、各ウェーハWのロット間に仕切装置の仕切板(図示せず)がセットされる。そして、仕切板がセットされたところで、第1剥離用吸着パッド200による剥離作業が開始される。剥離作業は、まず、第1ロットのウェーハWから行われ、剥離されたウェーハWは、順次、搬送部310のシャトルコンベア312上に移送される。 When the multi-cut wafer W is set on the work holding unit 122 of the wafer peeling single wafer unit 100, a partition plate (not shown) of a partition device is set between lots of each wafer W. Then, when the partition plate is set, the peeling operation by the first peeling suction pad 200 is started. The peeling operation is first performed from the wafer W of the first lot, and the peeled wafers W are sequentially transferred onto the shuttle conveyor 312 of the transport unit 310.
第1ロットのウェーハWの剥離が全て終了すると、第1ロットと第2ロット間に挿入された第1仕切板(図示せず)が検出される。第1仕切板が検出されると、制御装置は、以後剥離されるウェーハは、第2ロットのウェーハWと判断する。これにより、ロットごとにウェーハを分別することができ、種類の異なるウェーハを混入させることなくウェーハを回収することができる。 When the peeling of all the wafers W of the first lot is completed, a first partition plate (not shown) inserted between the first lot and the second lot is detected. When the first partition plate is detected, the control device determines that the wafer to be peeled thereafter is the wafer W of the second lot. As a result, the wafers can be sorted for each lot, and the wafers can be collected without mixing different types of wafers.
また、第2ロットのウェーハWの剥離が全て終了すると、第2ロットと第3ロット間に挿入された第2仕切板(図示せず)が検出され、制御装置は、第2仕切板を検出する。以後、剥離されるウェーハは、第3ロットのウェーハWと判断する。 Further, when the peeling of all the wafers W of the second lot is completed, the second partition plate (not shown) inserted between the second lot and the third lot is detected, and the control device detects the second partition plate. I do. Thereafter, the wafer to be peeled is determined to be the third lot wafer W.
以上によれば、ウェーハ剥離枚葉部100において、ウェーハの端面を剥離用吸着パッドで吸着保持して1枚ずつ剥離する際に、エアノズルによりエアーをブロー供給するので、バッチ状態のウェーハの隙間をバランス良く確保し、ウェーハへのダメージをなくして、1枚だけを効率的に持ち上げることができる。そして、その後、搬送部310、枚葉洗浄部350、検出部400及び回収部500の工程を円滑に進行でき、効率の良いウェーハ剥離洗浄装置1を提供できる。 According to the above, in the wafer peeling single-wafer portion 100, when the end face of the wafer is suction-held by the peeling suction pad and peeled one by one, the air is blow-supplied by the air nozzle. A good balance can be ensured, and only one wafer can be efficiently lifted without damaging the wafer. After that, the processes of the transport unit 310, the single-wafer cleaning unit 350, the detecting unit 400, and the collecting unit 500 can smoothly proceed, and the efficient wafer peeling and cleaning apparatus 1 can be provided.
1…ウェーハ剥離洗浄装置、10…粗洗浄部、12…粗洗浄装置、100…ウェーハ剥離枚葉部、310…搬送部、350…枚葉洗浄部、400…検出部、500…回収部
112…熱水槽、114…剥離装置、118…受渡装置、120 熱水、
122…ワーク保持部、312…シャトルコンベア、352…枚葉ブラシ洗浄部、354…枚葉プレリンス部、356…枚葉リンス部、402…搬送ユニット、508…ウェーハ搬送ロボット、
136…第1ガイドレール、138…リニアガイド、140…第1スライドテーブル、142…ナット部材、144…ネジ棒、148…第1送りモータ、
150…剥離ユニット
152…軸受ブロック、154…揺動フレーム、160…揺動用ロータリーアクチュエータ、162…駆動ギア、164…従動ギア、168…回転軸、170…軸受部材、172…支持プレート、174…回転プレート、176…コネクティングロッド、178、180、194、196、210,212…ピン、182…軸受ユニット、186、188…回転軸、190、192…アーム、198…パッド支持プレート、200…第1剥離用吸着パッド、201…第2剥離用吸着パッド、202…支持プレート、204…昇降用ロータリーアクチュエータ、206…回転プレート、208…コネクティングロッド、214…倒止板、214a…通路、214S…位置センサ、214−1…押し当て板、214−2…ステンレスプレート、80、81…エアノズル、216…2枚取り防止板、216a…スリット、
222…駆動ユニット、240…第2スライドテーブル、248…第2送りモータ、236…第2ガイドレール、274…支柱、276…支持フレーム、278…旋回用ロータリーアクチュエータ、280…駆動ギア、284…旋回軸、282…従動ギア、286…軸受ユニット、288…旋回フレーム、290…回転軸、292…方向転換用ロータリーアクチュエータ、294…旋回アーム、296…支持プレート、298…パッド進退用シリンダ、300…受渡用吸着パッド、
378…回転ブラシ、380…洗浄液ノズル、382…ローラコンベア、384…エアーナイフノズル、
402…搬送ユニット
411…丸ベルトコンベア、411a…ガイド部材、412…位置決めピン、
502,502A、502B…ウェーハ回収部、510A、510B…ウェーハ回収カセット、504…不良ウェーハ回収部、506…接着剤残りウェーハ回収部、514…接着剤残りウェーハ回収カセット、
M…マウンティングプレート、S…スライスベース、W…ウェーハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer peeling cleaning apparatus, 10 ... Rough cleaning part, 12 ... Rough cleaning apparatus, 100 ... Wafer peeling single wafer part, 310 ... Transport part, 350 ... Single wafer cleaning part, 400 ... Detection part, 500 ... Recovery part 112 ... Hot water tank, 114: peeling device, 118: delivery device, 120 hot water,
122: Work holding unit, 312: Shuttle conveyor, 352: Single wafer brush cleaning unit, 354: Single wafer pre-rinsing unit, 356: Single wafer rinsing unit, 402: Transfer unit, 508: Wafer transfer robot,
136: first guide rail, 138: linear guide, 140: first slide table, 142: nut member, 144: screw rod, 148: first feed motor,
150: peeling unit 152: bearing block, 154: swing frame, 160: rotary actuator for swing, 162: drive gear, 164: driven gear, 168: rotary shaft, 170: bearing member, 172: support plate, 174: rotation Plate, 176: Connecting rod, 178, 180, 194, 196, 210, 212: Pin, 182: Bearing unit, 186, 188: Rotating shaft, 190, 192: Arm, 198: Pad support plate, 200: First peeling Suction pad, 201: second peeling suction pad, 202: support plate, 204: elevating rotary actuator, 206: rotating plate, 208: connecting rod, 214: stopper plate, 214a: passage, 214S: position sensor, 214-1 ... pressing plate, 214-2 ... Down less plate, 80, 81 ... air nozzle, 216 ... two up prevention plate, 216a ... slit,
222 drive unit, 240 second slide table, 248 second feed motor, 236 second guide rail, 274 support column, 276 support frame, 278 rotary actuator for rotation, 280 drive gear, 284 rotation Shaft, 282: driven gear, 286: bearing unit, 288: revolving frame, 290: rotary shaft, 292: rotary actuator for turning direction, 294: revolving arm, 296: support plate, 298: cylinder for pad advance / retreat, 300: delivery Suction pad,
378: rotating brush, 380: cleaning liquid nozzle, 382: roller conveyor, 384: air knife nozzle,
402: transport unit 411: round belt conveyor, 411a: guide member, 412: positioning pin,
502, 502A, 502B: Wafer collecting section, 510A, 510B: Wafer collecting cassette, 504: Defective wafer collecting section, 506: Adhesive remaining wafer collecting section, 514: Adhesive remaining wafer collecting cassette,
M: Mounting plate, S: Slice base, W: Wafer
Claims (8)
前記ウェーハの端面を吸着保持する剥離用吸着パッドと、上部にスリットが形成された前記ウェーハが倒れることを防止するための倒止板と、前記ウェーハと前記スライスベースとを接着する接着剤を軟化させるための熱水が貯留される熱水槽とを有した前記ウェーハ剥離枚葉部と、
前記ウェーハの鉛直上方に設けられ、前記熱水槽において前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記剥離用吸着パッドが前記ウェーハに吸着した状態で前記ウェーハの鉛直上方で中心付近から熱水又は水を供給するための水供給ノズルと、
前記ウェーハ剥離枚葉部で剥離された前記ウェーハを前記剥離用吸着パッドから受け取る受渡用吸着パッドと、該受渡用吸着パッドに前記ウェーハが吸着保持されたこと検知する圧力スイッチと、を有した前記受渡装置と、
前記圧力スイッチによる検知信号によって、前記剥離用吸着パッドの真空吸着を解除すると共に、前記受渡用吸着パッドの前記剥離用吸着パッドから後退及び前記剥離用吸着パッドの下降を開始する制御装置と、
を備えたことを特徴とするウェーハ剥離洗浄装置。 A large number of batch-cut wafers that have been cut at the same time are peeled one by one from the slice base at a wafer peeling single wafer portion to form a single wafer, and the peeled wafer is transferred to a transfer device at a transfer position, and the single wafer is cleaned by the transfer device. In the wafer peeling and cleaning device, the wafers are transported to the cleaning unit, and the wafers are washed.
A peeling suction pad for sucking and holding an end surface of the wafer, a stopper plate for preventing the wafer having a slit formed thereon from falling , and an adhesive for bonding the wafer and the slice base is softened. The wafer peeling single-wafer portion having a hot water tank in which hot water for storing is stored ,
Provided vertically above the wafer, and when peeling the wafers one by one in the hot water tank, hot water or water from vertically near the center of the wafer in a state where the peeling suction pad is suctioned to the wafer. A water supply nozzle for supplying
A delivery suction pad for receiving the wafer separated from the wafer separation sheet from the separation suction pad, and a pressure switch for detecting that the wafer is suction-held by the delivery suction pad, A delivery device,
A control device that releases the vacuum suction of the peeling suction pad by the detection signal from the pressure switch and starts retreating from the peeling suction pad of the delivery suction pad and lowering of the peeling suction pad,
A wafer peeling and cleaning apparatus comprising:
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