JP6612018B2 - 磁界発生装置、磁界発生装置の制御方法、および磁気記録媒体処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、妨害磁界を発生する磁界発生装置、磁界発生装置の制御方法、並びに磁気記録媒体に記録された磁気データの読み取りおよび／または磁気記録媒体への磁気データの書き込みを行う磁界発生装置を備えた磁気記録媒体処理装置に関する。

従来、磁気記録媒体としてカード状をした磁気記録媒体（以下、「カード」という。）に記録された磁気データの読み取りおよび／またはカードへの磁気データの書き込みを行う磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダが広く利用されている。この種のカードリーダは、たとえば、銀行等の金融機関に設置されるＡＴＭ（Ａｕｔｏｍａｔｅ Ｔｅｌｌｅｒ Ｍａｃｈｉｎｅ）等の上位装置に搭載されて使用されている。
また、カードリーダが使用される金融機関等の業界では、従来、不正行為者がカードリーダのカード挿入口の前方に磁気ヘッドを取り付けて、この磁気ヘッドでカードの磁気データを不正に取得するいわゆるスキミングが大きな問題となっている。

そこで、従来、カード挿入口の前方に取り付けられるスキミング用の磁気ヘッド（以下、「スキミング用磁気ヘッド」とする。）によるカードの磁気データの読み取りを妨害するための妨害磁界を発生させる磁界発生装置を備えたカードリーダが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載のカードリーダでは、カードリーダのカード挿入口に磁界（磁気）発生装置を備え、磁界（磁気）発生装置から放出される妨害磁界（磁気）により、スキミング用磁気ヘッドがカード利用者の磁気データを読み取ることを妨害する技術が開示されている。

この技術において、妨害磁界を発生する回路は、コイル（インダクタ）の電源を、スイッチ機能を有するトランジスタにて駆動させる構成が採用される。

特許文献１に示すカードリーダにおいて、上記した磁界（磁気）発生装置は、次のように適用される。不正行為者が、カードの磁気データを読み取るために、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッドであるスキミング用磁気ヘッドと磁気読み取り回路を取り付ける。このスキミング用磁気ヘッドに対し、磁気データが読み取れないようにするため、スキミング用磁気ヘッドに向けて妨害磁界を発生させている。

特開２００１−６７５２４号公報（または特許第３９３６４９６号）

しかしながら、特許文献１で使用されている磁界発生装置では、コイル（インダクタ）の電源を、スイッチ機能を有するトランジスタにて駆動させる回路であるので、単発的な磁界発生となり、妨害している時間が短いとか、または、その磁界が弱い場合があった。

そこで、本発明の課題は、妨害磁界を継続的にかつ効率的に発生することが可能な磁界発生装置、磁界発生装置の制御方法、および磁気記録媒体処理装置を提供することにある。

本発明の第１の観点の磁界発生装置は、インダクタおよびキャパシタが接続される共振部を含み、前記キャパシタへの電荷のチャージと、チャージした電荷を放電することより前記インダクタと前記キャパシタ間に交流の電流を流し共振により磁界を発生する磁界発生部と、前記磁界発生部の前記インダクタに流れる電流の方向を監視する電流方向監視部と、前記電流方向監視部の監視により得られる前記インダクタに流れる電流方向に応じて前記磁界発生部のチャージするタイミングを制御する判定部とを有する。

これにより、妨害磁界の発生を継続させることが可能で、インダクタに流れる電流の方向監視を実施することにより、共振部のキャパシタに直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができ、高い精度で効率の良い妨害磁界制御が可能となる。

好適には、前記インダクタには、一端側から他端側に向かう第１方向電流と、他端側から一端側に向かう第２方向電流とが交互に流れ、前記判定部は、前記電流方向監視部の監視結果により前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じたか否かを判定する電流方向判定部と、前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じたことにより前記磁界発生部をチャージするように駆動制御する動作指示部とを有する。
これにより、電流方向監視部の監視結果によりインダクタに流れる電流が第１方向電流に転じたか否かを判定するので、共振部のキャパシタに直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を高い精度で実現することが可能となる。

好適には、前記判定部は、前記チャージを停止させてからあらかじめ設定した共振時間が経過したか否かを判定する時間判定部を有し、前記動作指示部は、前記共振時間を経過し、前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じたことを確認して前記磁界発生部をチャージするように駆動制御する。
これにより、あらかじめ設定した共振時間の判定を行い、適正な時間が経過してから電流が第１方向に転じたことを確認していることから、さらに共振部のキャパシタに直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を高い精度で実現することが可能となる。

好適には、前記判定部の前記時間判定部は、前記共振時間が経過後あらかじめ設定した監視時間を経過したか否かを判定し、前記動作指示部は、前記監視時間を経過し、前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じないときは前記磁界発生部をチャージするように駆動制御する。
これにより、時間判定部はあらかじめ設定した監視時間を経過したか否かを判定しており、動作指示部は、監視時間を経過後、インダクタに流れる電流が第１方向電流に転じないときは磁界発生部をチャージするように駆動制御するので、チャージと共振を所望の期間継続的に行うことが可能となる。

好適には、前記判定部の前記時間判定部は、あらかじめ設定したチャージ時間を経過したか否かを判定し、前記動作指示部は、前記チャージ時間内に、前記電流方向監視部の監視結果により前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じた場合には、チャージ時間が終了してから共振を開始させる。
これにより、動作指示部は、あらかじめ設定したチャージ時間Ｔｃが経過したと認識すると、磁界発生部を共振状態に駆動制御するので、共振を適正なタイミングで開始させることが可能となる。

好適には、前記判定部の動作指示部は、前記チャージ時間内に、前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じない場合には、異常として前記磁界発生部の駆動制御を終了する。
これにより、判定部がインダクタに流れる電流が第１方向電流に転じない場合には、異常として前記磁界発生部の駆動制御を終了するので、共振部の損傷等による機能不能を検出することが可能となり、磁界発生装置としての信頼性向上を図ることが可能となる。

好適には、前記判定部は、前記チャージを停止させてからあらかじめ設定した共振時間が経過したか否かを判定し、共振時間経過後あらかじめ設定した監視時間を経過したか否かを判定する時間判定部を有し、前記電流方向判定部は、前記共振時間内に、前記電流方向監視部の監視結果により前記インダクタに流れる電流の反転回数を取得し、前記動作指示部は、前記共振時間内に、前記取得した反転回数が規定回数以上である場合には、前記監視時間内に前記電流方向監視部の監視結果により前記インダクタに流れる電流に応じた前記磁界発生部の駆動制御を行う。
これにより、電流方向判定部は、共振時間内にインダクタに流れる電流の反転回数を取得し、動作指示部は、取得した反転回数が規定回数以上である場合にはインダクタに流れる電流に応じた前記磁界発生部の駆動制御をするので、共振部のキャパシタに直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化をさらに高い精度で実現することができる。

好適には、前記判定部の前記動作指示部は、前記共振時間内に、前記取得した反転回数が規定回数に達しない場合には、異常として前記磁界発生部の駆動制御を終了する。
あるいは、前記判定部の前記時間判定部は、あらかじめ設定した監視時間を経過したか否かを判定し、前記動作指示部は、前記監視時間を経過して前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じないときは前記磁界発生部をチャージするように駆動制御することなく異常として前記磁界発生部の駆動制御を終了する。
これにより、判定部がインダクタであるコイルの電流状態を常時監視することにより、共振部の損傷等による機能不能を検出することが可能となり、磁界発生装置としての信頼性向上を図ることが可能となる。

本発明の第２の観点の磁気記録媒体処理装置の制御方法は、インダクタおよびキャパシタが接続される共振部を含み、前記キャパシタへの電荷のチャージと、チャージした電荷を放電することより前記インダクタと前記キャパシタ間に交流の電流を流し共振により磁界を発生する磁界発生部の駆動を制御するに際し、前記磁界発生部の前記インダクタに流れる電流の方向を監視し、前記監視により得られる前記インダクタに流れる電流方向に応じて前記磁界発生部のチャージするタイミングを制御する。

これにより、妨害磁界の発生を継続させることが可能で、インダクタに流れる電流の方向監視を実施することにより、共振部のキャパシタに直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができ、かつ高い精度で効率の良い妨害磁界制御が可能となる。

本発明の第３の観点は、磁気記録媒体上に記録されている磁気情報を処理する磁気記録媒体処理装置であって、磁気記録媒体の磁気情報の読み取りを妨害する磁界を発生する磁界発生装置を有し、前記磁界発生装置は、インダクタおよびキャパシタが接続される共振部を含み、前記キャパシタへの電荷のチャージと、チャージした電荷を放電することより前記インダクタと前記キャパシタ間に交流の電流を流し共振により磁界を発生する磁界発生部と、前記磁界発生部の前記インダクタに流れる電流の方向を監視する電流方向監視部と、前記電流方向監視部の監視により得られる前記インダクタに流れる電流方向に応じて前記磁界発生部のチャージするタイミングを制御する判定部とを有する。
これにより、共振部のキャパシタに直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができ、高い精度で効率の良い妨害磁界制御が可能となる。
そして、磁気記録媒体処理装置において、妨害磁界を適正な時間、強度をもって継続的にかつ効率的に発生することが可能で、かつ、磁気データの不正取得を高い精度で確実に防止することが可能となる。

本発明によれば、妨害磁界を継続的にかつ効率的に発生することが可能となる。

本発明の実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダの主要部の概略構成を示す図である。 本実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダのカード挿入部の概略構成を示す図である。 図１に示すカードリーダの制御部およびその関連部分の概略構成を示すブロック図である。 本実施形態に係る駆動制御回路の第１の構成例を示すブロック図である。 本実施形態に係る駆動制御回路の第２の構成例を示すブロック図である。 装置外部側にスキミング用磁気ヘッド装置が取り付けられた状態を模式的に示す図である。 本発明の実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生部、駆動制御回路、および電流方向監視回路を示す回路図である。 本実施形態に係る磁界発生装置の動作を説明するための波形図である。 駆動制御回路として図４の第１の構成例を採用した場合の動作を説明するためのフローチャートである。 駆動制御回路として図５の第２の構成例を採用した場合の動作を説明するためのフローチャートである。 電流方向の監視を実施しない場合のチャージおよび共振動作が正常に行われた場合の状態を示す波形図である。 電流方向の監視を実施しない場合のチャージおよび共振動作が正常に行わなかった場合の状態を示す波形図である。 カード取込み時の動作を説明するためのフローチャートである。 カード取込み時の動作を説明するための図である。 カード排出時の動作を説明するためのフローチャートである。 カード排出時の動作を説明するための図である。 図１に示すカードリーダの制御部およびその関連部分の他の概略構成を示すブロック図である。

以下、本発明の実施形態を図面に関連付けて説明する。

本実施形態においては、磁気記録媒体処理装置として、カード状をした記録媒体等に記録された磁気データを読み取りあるいは磁気データを記録するカードリーダを例に説明する。

以下では、まず、本実施形態に係るカードリーダの概略構成を説明した後、妨害磁界を発生する磁界発生装置の具体的な回路構成および動作等を説明する。そして、このカードリーダのカードの取り込みおよび排出動作を磁界発生装置の駆動タイミングと関連付けて説明する。

［カードリーダの概略構成］
図１は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダの主要部の概略構成を示す図である。
図２は、本実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としてのカードリーダのカード挿入部の概略構成を示す図である。

本実施形態のカードリーダ１０は、カードＭＣに形成された磁気ストライプｍｐ上に記録された磁気データの読み取りおよび／またはカードＭＣへの磁気データの書き込みを行うための磁気記録媒体処理装置であり、たとえば、金融機関等に設置される自動取引装置（ＡＴＭ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｔｅｌｌｅｒ Ｍａｃｈｉｎｅ））等の所定の上位装置に搭載されて使用される。
カードリーダ１０は、上位装置の筺体の前面を構成するフロントパネル２０の奥側に配置されている。フロントパネル２０には、磁気データが記録された磁気記録媒体としてのカードＭＣが挿入または排出される開口２１が形成されている。

カードリーダ１０は、図１に示すように、カードＭＣに記録された磁気データの読み取りおよび／またはカードＭＣへの磁気データの書き込みを行うカード処理部３０と、カードＭＣが挿入、排出されるカード挿入口３１１が形成されるカード挿入部３１と、カードリーダ１０を制御する制御部４０と、スキミング用磁気ヘッドでカードＭＣの磁気データの読み取りを阻止するための妨害磁界を発生させる磁界発生装置５０とを備えている。
カードリーダ１０の内部には、カード挿入口３１１から挿入されたカードＭＣが搬送されるカード搬送路３２が形成されている。また、カードリーダ１０の各種の制御を行う制御部４０は、回路基板（図示省略）に実装されている。

本実施形態では、図１および図２のＸ方向（左右方向）にカードＭＣが搬送される。すなわち、Ｘ方向は、カードＭＣの搬送方向である。また、図１のＺ方向（上下方向）は、カードＭＣの厚さ方向であり、Ｘ方向とＺ方向とに直交する図１および図２のＹ方向（図１の紙面垂直方向）は、カードＭＣの幅方向（短手幅方向）である。

カードＭＣは、たとえば、厚さが０．７〜０．８ｍｍ程度の矩形状の塩化ビニール製のカードである。このカードＭＣには、磁気ストライプｍｐが形成されている。なお、カードＭＣには、ＩＣチップが固定されても良いし、通信用のアンテナが内蔵されても良い。また、カードＭＣは、厚さが０．１８〜０．３６ｍｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）カードであっても良いし、所定の厚さの紙カード等であっても良い。

カード処理部３０は、カード搬送路３２でカードＭＣを搬送するためのカード搬送機構３３と、磁気データの読み取りおよび／または書き込みを行う磁気ヘッド３４と、カード搬送路３２内のカードＭＣの有無を検出するためのフォトセンサ３５とを備えている。

カード搬送機構３３は、３個の搬送ローラ３３１〜３３３と、搬送ローラ３３１〜３３３を回転駆動する駆動用モータ３６と、駆動用モータ３６の動力を搬送ローラ３３１〜３３３に伝達する動力伝達機構（図示せず）とを備えている。また、カード搬送機構３３は、搬送ローラ３３１〜３３３にそれぞれ対向配置されるとともに搬送ローラ３３１〜３３３に向かって付勢されるパッドローラ３３４〜３３６を備えている。３個の搬送ローラ３３１〜３３３は、カードＭＣの搬送方向で所定の間隔をあけた状態で配置されている。

各搬送ローラ３３１，３３２，３３３は、制御部４０の制御の下、駆動用モータ３６によって回転駆動される。

磁気ヘッド３４は、図１に示すように、カードＭＣの搬送方向において、カード処理部３０の中央部に配置される搬送ローラ３３２の回転中心と磁気ヘッド３４の中心とがＸ方向で略一致するように配置されている。また、磁気ヘッド３４には、カード搬送路３２を通過するカードＭＣに対して磁気ヘッド３４に向かう付勢力を与えるための対向するパッドローラ３３５が対向配置されている。

フォトセンサ３５は、発光素子と受光素子とを有する光学式のセンサである。本実施形態では、磁気ヘッド３４は、フォトセンサ３５１によってカードＭＣの先端が検出された直後から磁気ストライプｍｐに記録された磁気データを読み取り、フォトセンサ３５１によってカードＭＣが検出されなくなる直前に磁気データの読み取りを終える。すなわち、本実施形態では、フォトセンサ３５１によって磁気ヘッド３４で磁気データの読み取りが行われているか否かを検出することが可能である。

カード挿入部３１は、カード挿入口３１１からカードＭＣが挿入されたか否かを検出するためのカード挿入検出機構３７と、カード搬送路３２を開閉するシャッター３８と、磁気ストライプｍｐに記録された磁気データを読み取るプリヘッド（磁気ヘッド）３９とを備えている。

カード挿入検出機構３７は、たとえば図２に示すように、挿入されるカードＭＣの幅方向の一方の端部が横方向（Ｙ方向）に押し付けられるとオンし、離れて押し付け状態が解除されるとオフするカード検出センサとしてのカード幅センサ３７１を有する。

カード挿入検出機構３７は、たとえばカードＭＣの幅方向の一方の端部に接触可能な図示しないセンサレバーがカードＭＣに接触しているか否かを検出するカード幅センサ（カード検出センサ）を備えるように構成することも可能である。この場合、カードの挿入を検出するセンサのレバーは、所定の回動軸を中心に回動可能となっており、カード搬送路３２に出没可能に配置される。

なお、カード幅センサ３７１は、発光素子と受光素子とを有する光学式のセンサであっても良い。また、カード挿入検出機構３７は、カードＭＣの幅方向の端部に直接、接触する接点を有する機械式の検出機構であっても良い。

プリヘッド３９は、カードＭＣの搬送方向において、カード挿入口３１１の近傍に配置されている。具体的には、プリヘッド３９は、カード挿入検出機構３７の近傍、たとえばカード幅センサ３７１のカードＭＣとの当接部分の近傍に配置されている。本実施形態では、プリヘッド３９は、カード挿入検出機構３７によってカードＭＣの先端が検出された直後から磁気ストライプｍｐに記録された磁気データを読み取り、カード挿入検出機構３７によってカードＭＣが検出されなくなる前に磁気データの読み取りを終える。すなわち、本実施形態では、カード挿入検出機構３７によってプリヘッド３９で磁気データの読み取りが行われているか否かを検出することが可能である。

なお、磁界発生装置５０は、インダクタおよびキャパシタが接続される共振部（共振回路）を含み、キャパシタへの電荷のチャージと、チャージした電荷を放電することよりインダクタとキャパシタ間に交流の電流を流し共振により磁界を発生する磁界発生部と、磁界発生部のインダクタに流れる電流の方向を監視する電流方向監視回路と、磁界発生部を駆動制御する駆動制御部とを有している。
この磁界発生装置５０の具体的な構成については、後で詳細に説明する。

［カードリーダの制御部の概略構成］
図３は、図１に示すカードリーダ１０の制御部４０およびその関連部分の概略構成を示すブロック図である。図３は、本実施形態に係るカードリーダに設けられている、妨害磁界を発生する磁界発生装置のインダクタの構成例およびキャパシタとの接続例をあわせて示している。

制御部４０は、回路基板（図示省略）に実装されている。制御部４０は、カードリーダ１０の各種、各部の制御を行い、たとえば、ＣＰＵ４１を含んで構成されている。制御部４０は、その内蔵ＲＯＭ内に格納されている制御プログラムに従って、カードＭＣの搬送動作、磁気ヘッド３４による読み取り動作等を制御する。さらに、制御部４０には、フォトセンサ３５、カード検出センサとしてのカード幅センサ３７１、プリヘッド３９が接続されており、これらの各構成からの出力信号が入力される。また、制御部４０には、ドライバ４２を介して駆動用モータ３６が接続される。さらに、制御部４０には、エンコーダ３６１が接続されており、駆動用モータ３６の回転状態等を検出するエンコーダ３６１からの出力信号が入力される。

また、本実施形態では、制御部４０は、不正に取り付けられたスキミング用磁気ヘッドに妨害磁界を発生する磁界発生装置５０が接続される。磁界発生装置５０は、カード幅センサ３７１のカード検出結果、プリヘッド３９の磁気検出結果等に応じて、磁界発生や磁界発生の停止等の駆動制御を行われる。

［磁界発生装置の概略構成］
本実施形態の磁界発生装置５０は、磁界発生部５１と、磁界発生部５１による磁界発生や磁界発生部５１の停止等を駆動制御する駆動制御回路（駆動制御部）５２と、磁界発生部５１のインダクタに流れる電流の方向を監視する電流方向監視回路５３を有している。

磁界発生部５１は、磁界を発生するためのインダクタとしてのコイルＬ５１を含んで構成されている。コイルＬ５１は、たとえば図３に示すように、鉄心ＦＣにコイルＣＬを巻いて形成される。本実施形態では、磁界発生部５１は、カード挿入部３１に配置されている。
磁界発生部５１は、後で詳述する例ように、コイルＬ５１はキャパシタＣ５１と並列に接続されて共振部（並列共振回路）を形成し、妨害磁界を継続して発生する。磁界発生部５１は、妨害磁界を適正な時間、強度をもって継続的に発生するように駆動制御される。

このように、磁界発生装置５０は、コイル（インダクタ）Ｌ５１とキャパシタ（コンデンサ）Ｃ５１を並列に接続した並列共振回路により構成することが可能である。
この並列共振回路では、まずキャパシタＣ５１に直流の電流を流して電気（電荷、共振エネルギー）を蓄え（以降、これを“チャージ”と呼称する）、次にキャパシタＣ５１に蓄えられた電気（電荷）を放電させることによりコイル（インダクタ）Ｌ５１とキャパシタＣ５１間に交流の電流を流す（以降、これを“共振”と呼称する）。
これにより、磁界発生装置５０は、スキミング用磁気ヘッドのコイルに相互誘導作用を与えて出力を乱し、不正行為者による磁気データ搾取を妨害する。

ただし、磁界発生装置において、チャージと共振を繰り返し連続して行う場合、共振中にコイルＬ５１の電流が逆向きに流れているタイミング（キャパシタが放電中）でチャージを行うと、逆起電力が発生して電源回路（駆動電源部）にダメージを与えるおそれがあるとともに、この逆起電力の影響によりキャパシタＣ５１へのチャージ効率が低下し、スキミング用磁気ヘッドへの妨害出力強度も低下する可能性がある。
そこで、本実施形態においては、以下に詳細に説明するように、磁界発生装置５０において、コイルＬ５１に流れる交流電流の方向監視を実施することにより、並列共振回路のキャパシタＣ５１に直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図るために、電流方向監視回路５３の監視により得られるコイルＬ５１に流れる電流方向に応じて磁界発生部５１のチャージするタイミングを制御する。

磁界発生装置５０は、共振時において、インダクタであるコイルＬ５１には、コイルＬ５１の一端側から他端側に向かう第１方向電流（正方向電流）と、他端側から一端側に向かう第２方向電流（逆方向電流）とが交互に流れる。
本実施形態では、図３中に示すように、コイルＬ５１の一端部ＴＰ１側から他端部ＴＰ２側に向かって流れる電流を第１方向電流（正方向電流）ＩＬ１とし、他端部ＴＰ２側から一端部ＴＰ１側に向かって流れる電流を第２方向電流（逆方向電流）ＩＬ２とする。

電流方向監視回路５３は、コイルＬ５１の両端部ＴＰ１、ＴＰ２の電位を検知し、その電位の高低を比較して、その比較結果を示す比較出力信号ＤＩＲを駆動制御回路５２に出力する。
本実施形態において、電流方向監視回路５３は、コイルＬ５１の一端部ＴＰ１側の電位が他端部ＴＰ２側の電位より高いときは比較出力信号ＤＩＲを、たとえばローレベル（Ｌ）で駆動制御回路５２に出力する。
一方、電流方向監視回路５３は、コイルＬ５１の一端部ＴＰ１側の電位が他端部ＴＰ２側の電位より低い（または以下の）ときは比較出力信号ＤＩＲを、たとえばハイレベル（Ｈ）で駆動制御回路５２に出力する。

駆動制御回路５２は、電流方向監視回路５３の監視により得られるコイルＬ５１に流れる電流方向に応じて磁界発生部５１のチャージするタイミングを制御する。
駆動制御回路５２は、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことにより、たとえばコイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に切り替わったタイミングで磁界発生部５１をチャージするように駆動制御する。
これにより、磁界発生装置５０は、共振回路のキャパシタに直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を高い精度で実現する。

駆動制御回路５２は、磁界発生部５１をチャージさせる場合、あらかじめ設定した所定のチャージ時間Ｔｃの間、チャージ信号ＣＨＧを、アクティブレベルのたとえばハイレベルで磁界発生部５１に出力する。
駆動制御回路５２は、チャージ時間（期間）Ｔｃが経過すると、磁界発生部５１を共振状態に駆動制御するために、チャージ信号ＣＨＧを、非アクティブレベルのローレベルに切り替えて磁界発生部５１に出力する。

駆動制御回路５２は、チャージを停止させてから（チャージ時間（期間）が経過してから）、あらかじめ設定した共振時間Ｔｒが経過すると、電流方向監視回路５３の監視結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認して磁界発生部５１をチャージするように駆動制御する。
すなわち、駆動制御回路５２は、磁界発生部５１をチャージさせる場合、あらかじめ設定した所定のチャージ時間Ｔｃの間、チャージ信号ＣＨＧを、アクティブレベルのたとえばハイレベルで磁界発生部５１に出力する。

駆動制御回路５２は、共振時間Ｔｒが経過し、あらかじめ設定した監視時間Ｔｍを経過してもコイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１に転じないときは磁界発生部５１をチャージするように駆動制御するような構成を採用することも可能である。
これにより、磁界発生装置５０は、チャージと共振を所望の期間継続的に行うことが可能となる。

［駆動制御回路の第１の構成例］
図４は、本実施形態に係る駆動制御回路の第１の構成例を示すブロック図である。
図４の駆動制御回路５２Ａは、記憶部５２１、時計部５２２、判定部５２３、および駆動部としてのドライバ５２４を有している。

記憶部５２１は、たとえ不揮発性メモリにより構成され、あらかじめ設定されたチャージ時間（期間）Ｔｃ、共振時間（期間）Ｔｒ、および監視時間（期間）Ｔｍの各種データが記憶されている。
記憶部５２１に記憶されているチャージ時間（期間）Ｔｃ、共振時間（期間）Ｔｒ、および監視時間（期間）Ｔｍの各種データは判定部５２３で参照される。
時計部５２２は、現在の時間情報ＣＴＭを判定部５２３に供給する。

判定部５２３は、時間（期間）判定部５２３１、電流方向判定部５２３２、および動作指示部５２３３を含んで構成されている。

判定部５２３の動作指示部５２３３は、基本的に、時間判定部５２３１、電流方向判定部５２３２、およびドライバ５２４の動作を指示して制御する。
動作指示部５２２３は、チャージ時間（期間）Ｔｃ、共振時間（期間）Ｔｒ、および監視時間（期間）Ｔｍの経過情報、コイルＬ５１に流れる電流方向に応じて、ドライバ５２４が出力するチャージ信号ＣＨＧの出力タイミングを制御する。

時間判定部５２３１は、動作指示部５２３３による動作指示情報に応じて、時計部５２２による供給される現在時間ＣＴＭから、記憶部５２１に記憶されているチャージ時間（期間）Ｔｃ、共振時間（期間）Ｔｒ、および監視時間（期間）Ｔｍが経過したか否かを判定し、その結果を動作指示部５２３３に供給する。
また、時間判定部５２３１は、共振時間Ｔｒが経過したことを示す情報等を電流方向判定部５２３２に供給する。なお、この共振時間Ｔｒが経過したことを示す情報は、動作指示部５２３３を経由して電流方向判定部５２３２に供給するように構成することも可能である。

電流方向判定部５２３２は、共振時間Ｔｒが経過したことを示す情報を受けると、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたか否かを判定し、その結果を動作指示部５２３３に供給する。

動作指示部５２３３は、妨害磁界発生時には、まず、チャージを開始するために、ドライバ５２４に対してチャージ信号ＣＨＧをアクティブレベルのハイレベルで出力するように指示する。
動作指示部５２３３は、チャージ開始を指示したことを時間判定部５２３１および電流方向判定部５２３２に報知する。
動作指示部５２３３は、時間判定部５２３１による情報によりチャージ時間（期間）Ｔｃが経過したことを認識すると、磁界発生部５１を共振状態に駆動制御するために、チャージ信号ＣＨＧを、非アクティブレベルのローレベルに切り替えるようにドライバ５２４に指示する。
動作指示部５２３３は、時間判定部５２３１による情報により共振時間Ｔｒが経過したことを認識して、電流方向判定部５２３２の判定結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認すると、ドライバ５２４に対してチャージ信号ＣＨＧをアクティブレベルのハイレベルで出力するように指示する。
動作指示部５２３３は、時間判定部５２３１による情報により共振時間Ｔｒが経過し、さらに監視時間Ｔｍが経過したことを認識すると、強制的に、ドライバ５２４に対してチャージ信号ＣＨＧをアクティブレベルのハイレベルで出力するように指示する。

以上に本実施形態の駆動制御回路５２の第１の構成例について説明した。
本実施形態の駆動制御回路５２は、この第１の構成例の機能に加えて、あるいは第１の構成例とは別に、以下に示すような第２の構成例を採用することも可能である。

［駆動制御回路の第２の構成例］
第２の構成例においては、駆動制御回路５２は、チャージを開始してからあらかじめ設定したチャージ時間（期間）Ｔｃ内に、電流方向監視回路５３の監視結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１に転じた場合には、チャージ期間が終了してから共振を開始させ、また、チャージ時間（期間）Ｔｃ内に、コイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１に転じない場合には、異常として磁界発生部の駆動制御を終了するように構成することも可能である。
これにより、磁界発生装置５０は正常な状態の場合にチャージおよび共振を行うことができる。

また、駆動制御回路５２は、共振を開始してからあらかじめ設定した共振時間（期間）Ｔｃ内に、電流方向監視回路５３の監視結果によりコイルＬ５１に流れる電流の反転回数を取得し、取得した反転回数Ｎが規定回数Ｎｃ以上である場合には、あらかじめ設定した監視時間Ｔｍ内に電流方向監視回路５３の監視結果によりコイルＬ５１に流れる電流に応じた磁界発生部５１の駆動制御を行う。
具体的には、第１の構成例の場合と同様に、駆動制御回路５２は、チャージを停止させてから（チャージ期間が経過してから）、あらかじめ設定した共振時間Ｔｒが経過すると、電流方向監視回路５３の監視結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認して磁界発生部５１をチャージするように駆動制御する。
すなわち、駆動制御回路５２は、磁界発生部５１をチャージさせる場合、あらかじめ設定した所定のチャージ時間Ｔｃの間、チャージ信号ＣＨＧを、アクティブレベルのたとえばハイレベルで磁界発生部５１に出力する。
これにより、磁界発生装置５０は、共振回路のキャパシタに直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化をさらに高い精度で実現することができる。

また、駆動制御回路６２は、共振期間Ｔｃ内に、取得した反転回数Ｎが規定回数Ｎｃに達しない場合には、異常として磁界発生部の駆動制御を終了する。
また、駆動制御回路６２は、あらかじめ設定した監視時間Ｔｍを経過してコイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流に転じないときは磁界発生部をチャージするように駆動制御することなく異常として磁界発生部の駆動制御を終了する。
これにより、磁界発生装置５０は、正常な状態の場合、すなわち、チャージ中あるいは共振中のコイルＬ５１に流れる電流の方向が正しく変化していると判断した場合にチャージおよび共振の駆動制御を行うことができる。

図５は、本実施形態に係る駆動制御回路の第２の構成例を示すブロック図である。
図５の駆動制御回路５２Ｂが図４の駆動制御回路５２Ａと異なる点は、以下の通りである。

記憶部５２１Ｂは、あらかじめ設定されたチャージ時間（期間）Ｔｃ、共振時間（期間）Ｔｒ、および監視時間（期間）Ｔｍの各種データに加えて、電流方向反転回数の規定回数Ｎｃが記憶されている。
記憶部５２１Ｂに記憶されているチャージ時間（期間）Ｔｃ、共振時間（期間）Ｔｒ、および監視時間（期間）Ｔｍの各種データは判定部５２３の時間判定部５２３１で参照される。
記憶部５２１Ｂに記憶されている規定回数Ｎｃは電流方向判定部５２３２Ｂで参照される。

なお、チャージ時間Ｔｃ、共振時間Ｔｒは妨害磁界の制御方法により、任意に定められる。たとえば、チャージ時間Ｔｃは１００μｓ〜７００μｓに設定され、共振時間Ｔｒは１０００μｓ〜２０００μｓに設定される。
また、監視時間Ｔｍも並列共振回路の共振周期(1/共振周波数)を基に、任意に定められる。監視時間Ｔｍはたとえば１００μｓ〜２００μｓに設定される。

電流方向判定部５２３２Ｂは、チャージ時間Ｔｃ内であることを示す情報を受けると、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたか否かを判定し、その結果を動作指示部５２３３Ｂに供給する。
電流方向判定部５２３２Ｂは、共振時間Ｔｒ内であることを示す情報を受けると、共振時間（期間）Ｔｒ内にコイル電流方向のフラグＦＬＧを「０」と「１」で切り替えながら、電流方向回転数Ｎを計数し、その結果を動作指示部５２３３Ｂに供給する。
電流方向判定部５２３２Ｂは、共振時間Ｔｒが経過したことを示す情報を受けると、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたか否かを判定し、その結果を動作指示部５２３３Ｂに供給する。

動作指示部５２３３Ｂは、妨害磁界発生時には、まず、チャージを開始するために、ドライバ５２４に対してチャージ信号ＣＨＧをアクティブレベルのハイレベルで出力するように指示する。
動作指示部５２３３Ｂは、チャージ開始を指示したことを時間判定部５２３１および電流方向判定部５２３２に報知する。
動作指示部５２３３Ｂは、チャージ時間Ｔｃ内に、電流方向監視回路５３の監視結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１である場合には、磁界発生部５１を共振状態に駆動制御するために、チャージ時間Ｔｃが経過した時点でチャージ信号ＣＨＧを、非アクティブレベルのローレベルに切り替えるようにドライバ５２４に指示する。
動作指示部５２３３Ｂは、チャージ時間Ｔｃ内に、コイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１にならない場合（転じない場合）には、異常として磁界発生部の駆動制御を終了する。
動作指示部５２３３Ｂは、時間判定部５２３１による情報によりチャージ時間Ｔｃが経過したことを認識すると、磁界発生部５１を共振状態に駆動制御するために、チャージ信号ＣＨＧを、非アクティブレベルのローレベルに切り替えるようにドライバ５２４に指示する。
動作指示部５２３３Ｂは、共振時間Ｔｒ内に、取得した反転回数Ｎが規定回数Ｎｃ以上である場合には、時間判定部５２３１による情報により共振時間Ｔｒが経過したことを認識して、電流方向判定部５２３２Ｂの判定結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認すると、ドライバ５２４に対してチャージ信号ＣＨＧをアクティブレベルのハイレベルで出力するように指示する。
動作指示部５２３３Ｂは、共振時間Ｔｒ内に、取得した反転回数Ｎが規定回数Ｎｃに達しない場合や、時間判定部５２３１による情報により監視時間Ｔｍが経過しても、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じない場合には、異常として磁界発生部の駆動制御を終了する。

以上、本実施形態の駆動制御回路５２の第１の構成例および第２の構成例について説明したが、これら第１の構成例および第２の構成例の動作例については、後でフローチャートに関連付けて説明する。

［磁界発生装置の配置例］
磁界発生装置５０は、制御部４０により統合的に制御される駆動制御回路５２の制御の下に、コイルＣＬには交流あるいは直流電流が流される。電流が流されると、開口２１あるいはカード挿入部３１の外側部分に妨害磁界が発生するように構成され、配置される。妨害磁界の発生領域は、カード挿入部３１を介して挿入あるいは排出される磁気カードＭＣに形成されている磁気ストライプｍｐの通過領域を含む領域となるように構成されている。

以上の構成を有する磁界発生装置５０は、回路配置としては、図１に示すように、フロントパネル２０の内部側（裏面側）近傍に磁界発生部５１、駆動制御回路５２、および電流方向監視回路５３を、全体回路を含んで配置することができる。
ただし、たとえばコイル（インダクタ）Ｌ５１およびキャパシタＣ５１により構成される磁界発生部５１としての共振部をフロントパネル２０の内部側近傍に配置し、残りの回路系を他の位置、たとえば制御部４０側に配置する等、種々の態様が可能である。

図６は、装置外部側にスキミング用磁気ヘッド（を含むスキマー）が取り付けられた状態を模式的に示す図である。

カードリーダ１０では、カードＭＣの挿入時には、その先端がカード挿入口３１１に挿入されると同時に、カードＭＣが搬送ローラ３３１によって一定の速度で搬送される。同様に、磁気カードＭＣの排出時にも、磁気カードＭＣがカード挿入口３１１から実質的に外部に排出されるまで搬送ローラ３３１によって一定の速度で搬送される。

したがって、カード挿入口３１１の外部側にスキミング用磁気ヘッドおよび磁気読み取り回路を含むスキマー（不正に磁気カードのデータを読み取る装置）を取り付けた場合には、スキミング用磁気ヘッドに沿って、一定の速度でカードが移動することになる。このため、このようなカードスロットの外部側に取り付けた磁気ヘッドにより、カードの記録データを読み取ることが可能である。

本実施形態に係るカードリーダ１０においては、たとえば図６に示すように、カードスロット用開口２１が形成されているフロントパネル２０の表面に不正にスキミング用磁気ヘッド６１を含むスキマー６０が取り付けられたとしても、このようなスキミング用磁気ヘッド６１によるカードＭＣの読み取り動作を、磁界発生装置５０による妨害磁界によって阻止することができる。

すなわち、本実施形態の磁界発生装置５０においては、妨害磁界の発生を継続させることが可能で、インダクタであるコイルに流れる交流電流の方向監視を実施することにより、並列共振回路のキャパシタＣ５１に直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができ、かつエネルギー効率の良い妨害磁界制御が可能である。
また、本磁界発生装置５０においては、インダクタであるコイルの電流状態を常時監視することにより、共振回路素子の損傷やコイルの断線による機能不能を検出することが可能となり、妨害磁界発生装置としての信頼性向上を図ることができる。
また、本磁界発生装置５０においては、電流方向監視回路４３をコンパレータ(比較器)回路素子の追加で実現可能である。
次に、このような特徴的効果を奏する磁界発生装置５０のより具体的な構成および機能について説明する。

［磁界発生装置５０の磁界発生部５１、駆動制御回路５２、電流方向監視回路５３の構成例］
次に、磁界発生装置５０の磁界発生部５１および駆動制御回路５２、並びに電流方向監視回路５３の具体的な回路構成および動作を実施形態として詳細に説明する。なお、以下の説明では、駆動制御回路５２に関しては、図４および図５の構成を除く駆動回路系について説明する。
以下の説明において、図７に関連付けて説明する本実施形態に係る磁界発生装置５０の磁界発生部５１を構成する共振部５１１は、基本的に、インダクタであるコイルＬおよびキャパシタＣを接続して形成されるＬＣ並列共振回路を有し、このＬＣ並列共振回路により磁界を継続的に発生する機能を有する。

さらに、本実施形態において、この磁界発生部５１は、ＬＣ並列共振回路により、コイルのみの従来のものより強い磁界を発生させる機能を有している。これにより、磁界発生装置５０は、妨害磁界の出力を増大させ、磁界を所定期間にわたり継続的に発生することができ、妨害磁界を適正な時間、強度をもって継続的に発生することが可能で、スキミング用磁気ヘッドを用いて磁気データを不正に取得することを確実に防止することができる。

さらに、本実施形態においては、電流方向監視回路５３の監視により得られるコイルＬ５１に流れる電流方向に応じて磁界発生部５１のチャージするタイミングを制御する。
このように、本実施形態においては、磁界発生装置５０において、コイルＬ５１に流れる交流電流の方向監視を実施することにより、並列共振回路のキャパシタＣ５１に直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができる。
そのため、高い精度で効率の良い妨害磁界制御が可能であり、スキミング用磁気ヘッドを用いて磁気データを不正に取得することを確実に防止することができる。
また、本磁界発生装置５０においては、インダクタであるコイルの電流状態を常時監視することにより、共振回路素子の損傷やコイルの断線による機能不能を検出することが可能となり、妨害磁界発生装置としての信頼性向上を図ることができる。

［磁界発生装置の実施形態］
次に、本実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生部等の構成について説明する。
図７は、本発明の本実施形態に係る磁界発生装置の磁界発生部、駆動制御回路、および電流方向監視回路を示す回路図である。

図７の磁界発生装置５０Ｃは、基本的に、磁界発生部５１Ｃを構成する共振部５１１、駆動制御回路５２Ｃとしての駆動電源電圧ＶＣＣを供給する駆動電源部（電源回路）５２５、基準電位部５２６、共振駆動部５２７、および電流方向監視回路５３Ｃを有する。

本実施形態においては、駆動電源部５２５が供給する（以下、駆動電圧という）ＶＣＣは、２４Ｖあるいは２０Ｖに設定される。駆動電源部５２５は、電源回路として駆動電圧ＶＣＣの供給源ＳＶＣＣに接続された接続ノードＮＤ５１を通して駆動電圧ＶＣＣを共振部５１１に供給する。
駆動電源部５２５は、接続ノードＮＤ５１と共振部５１１の電力入力ノード（第１のノードＮＤ５２）との間に逆流防止用のダイオードＤ５１が接続されている。ダイオードＤ５１は、接続ノードＮＤ５１から共振部５１１の第１のノードＮＤ５２に向かって順方向となるように接続されている。すなわち、ダイオードＤ５１は、アノードが接続ノードＮＤ５１に接続され、カソードが共振部５１１の第１のノードＮＤ５２に接続されている。

基準電位部５２６は、基準電位ＶＳＳに設定される。本実施形態において、基準電位は接地電位ＧＮＤである。

共振部５１１は、第１のノードＮＤ５２と第２のノードＮＤ５３との間にインダクタであるコイルＬ５１、およびキャパシタＣ５１が並列接続された並列共振回路を含んで構成されている。
共振部５１１は、第１のノードＮＤ５２に駆動電圧ＶＣＣを受け、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２６に電気的に接続された後、基準電位部５２６が電気的に切り離された状態で共振し、コイルＬ５１に流れる電流に応じた磁界を発生する。
すなわち、共振部５１１は、スキミング用磁気ヘッドに対し妨害磁界を発生させて、不正に磁気データを取得することを防止するように構成されている。

本実施形態において、共振回路は、図７に一例として示すように、第１のノードＮＤ５２と第２のノードＮＤ５３との間にインダクタＬ５１およびキャパシタＣ５１が並列に接続されたＬＣ並列共振回路により構成されている。
インダクタであるコイルＬ５１の一端部ＴＰ１が第１のノードＮＤ５２に接続され、コイルＬ５１の他端部ＴＰ２が第２のノードＮＤ５３に接続されている。キャパシタＣ５１一方の電極（端子）が第１のノードＮＤ５２に接続され、他方の電極（端子）が第２のノードＮＤ５３に接続される。
第１のノードＮＤ５２は、駆動電源部５２５の駆動電圧ＶＣＣの供給ラインに接続されている。第２のノードＮＤ５３は、共振駆動部５２７の大電力用の駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１を介して基準電位部５２６に選択的に接続される。

ＬＣ並列共振回路においては、ＬＣの互いの電流が打消しあい、共振周波数において外部からはインピーダンスが無限大に見える。このときキャパシタＣ５１の内部に電界として蓄えられたエネルギーと、インダクタであるコイルＬ５１の内部に磁界として蓄えられたエネルギーが並列共振回路の内部で互いに移動する。
本実施形態では、共振部５１１は、共振駆動部５２７を通してパルス状の制御信号であるチャージ信号ＣＨＧにより周期的に継続して共振するように制御される。

なお、パルス状のチャージ信号ＣＨＧは、チャージを停止させてから（チャージ期間が経過してから）、あらかじめ設定した共振時間Ｔｒが経過すると、電流方向監視回路５３Ｃの監視結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことが確認されると、磁界発生部５１である共振部５１１をチャージするように駆動制御される。
本実施形態においては、磁界発生部５１の共振部５１１をチャージさせる場合、あらかじめ設定した所定のチャージ時間Ｔｃの間、チャージ信号ＣＨＧは、アクティブレベルのたとえばハイレベルで供給される。

共振部５１１は、共振駆動部５２７を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６との接続状態および非接続状態が切り替えられることにより、共振が誘起されて、磁界を発生するように制御される。
また、共振部５１１は、共振駆動部５２７を通して、カード挿入口３１１にカードＭＣが挿入され、カード幅センサ３７１がカードＭＣを検出してから、発生した磁界が妨害磁界としての機能を保持できない程度となる、あるいは発生した磁界がなくなるまで、上述した周期より長い時間、妨害磁界を発生しないように制御（磁界発生停止制御）される。この妨害磁界の発生が停止された所定期間にプリヘッド３９で磁気が検出されたか否かの判断が制御部４０で行われる。

ここでいう周期とは、共振作用が誘起されて磁界を発生した後、共振部に蓄積された共振エネルギーの減衰に伴い磁界が減衰するが、この減衰する磁界が妨害磁界としての機能を保持している間に、共振を誘起することができる期間をいう。

共振駆動部５２７は、制御部４０（駆動制御回路５２のドライバ５２４）によるチャージ信号ＣＨＧに応じて、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６との接続状態および非接続状態が切り替えられることにより、共振が誘起されて、磁界を発生するように制御する。
また、共振駆動部５２７は、チャージ信号ＣＨＧに応じて、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６とが非接続状態に周期的または/および非周期的に切り替えられることにより、発生した磁界が妨害磁界としての機能を保持できない程度となる上述した周期より長い時間、妨害磁界を発生しないように制御される。

本実施形態の共振駆動部５２７は、たとえばバイポーラ等のトランジスタにより形成される大電力用の駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１を含んで構成される。
図７の例では、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１はｎｐｎ型バイポーラスイッチにより形成されており、コレクタが共振部５１１の第２のノードＮＤ５３に接続され、エミッタが基準電位部５２６に接続され、ベースがチャージ信号ＣＨＧの供給ラインに接続されている。

このように、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１は、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６との間に接続され、チャージ信号ＣＨＧに応じて導通状態と非導通状態が切り替えられ、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６との接続状態、非接続状態を切り替える。

共振駆動部５２７は、チャージ信号ＣＨＧをたとえばアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１を導通状態に駆動する。共振駆動部５２７は、チャージ信号ＣＨＧを非アクティブのローレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１を非導通状態に駆動する。

［電流方向監視回路の構成例］
ここで、共振部５１１を構成するコイルＬ５１に流れる電流方向を監視する電流方向監視回路５３Ｃの具体的な構成例について説明する。

電流方向監視回路５３Ｃは、コイルＬ５１の両端部ＴＰ１、ＴＰ２の電位を検知し、その電位の高低を比較して、その比較出力信号ＤＩＲを図３、図４および図５に示すような駆動制御回路５２（５２Ａ，５２Ｂ）に出力する。
本実施形態において、電流方向監視回路５３Ｃは、コイルＬ５１の一端部ＴＰ１側の電位が他端部ＴＰ２側の電位より高いときは比較出力信号ＤＩＲを、たとえばローレベル（Ｌ）で駆動制御回路５２に出力する。
一方、電流方向監視回路５３Ｃは、コイルＬ５１の一端部ＴＰ１側の電位が他端部ＴＰ２側の電位より低い（または以下の）ときは比較出力信号ＤＩＲを、たとえばハイレベル（Ｈ）で駆動制御回路５２に出力する。

電流方向監視回路５３Ｃは、図７に示すように、抵抗素子Ｒ５１，Ｒ５２，Ｒ５３，Ｒ５４、およびコンパレータ５３１を有する。
共振部５１１のコイルＬ５１の一端部ＴＰ１と基準電位部５２６との間に抵抗素子Ｒ５１とＲ５２が直列に接続されている。直列に接続された抵抗素子Ｒ５１とＲ５２の接続ノードＮＤ５３１がコンパレータ５３１の反転入力端子（−）に接続されている。
共振部５１１のコイルＬ５１の他端部ＴＰ２と基準電位部５２６との間に抵抗素子Ｒ５３とＲ５４が直列に接続されている。直列に接続された抵抗素子Ｒ５３とＲ５４の接続ノードＮＤ５３２がコンパレータ５３１の非反転入力端子（＋）に接続されている。

コンパレータ５３１は、接続ノードＮＤ５３１の電位と接続ノードＮＤ５３２の電位、すなわち、コイルＬ５１の一端部ＴＰ１側の電位と他端部ＴＰ２側の電位とを比較する。
コンパレータ５３１は、コイルＬ５１の一端部ＴＰ１側の電位が他端部ＴＰ２側の電位より高いときは比較出力信号ＤＩＲを、たとえばローレベル（Ｌ）で駆動制御回路５２に出力する。
コンパレータ５３１は、コイルＬ５１の一端部ＴＰ１側の電位が他端部ＴＰ２側の電位より低い（または以下の）ときは比較出力信号ＤＩＲを、たとえばハイレベル（Ｈ）で駆動制御回路５２に出力する。

図３、図４および図５に示すような駆動制御回路５２は、コンパレータ５３１の比較出力信号ＤＩＲを受けて、磁界発生部５１のチャージするタイミングを制御する。
前述したように、駆動制御回路５２は、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことにより、たとえばコイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に切り替わったタイミングで磁界発生部５１をチャージするように駆動制御する。
これにより、磁界発生装置５０は、共振回路のキャパシタに直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を高い精度で実現する。

次に、本実施形態に係る磁界発生装置５０Ｃの動作を、図８、図９、および図１０に関連付けて説明する。
図８は、本実施形態に係る磁界発生装置の動作を説明するための波形図である。図８は、図１のカードリーダ１０に図７の磁界発生装置５０Ｃを搭載した場合の波形を示している。図８（ａ）はチャージ信号ＣＨＧを示し、図８（ｂ）はコイル電流ＩＬ（１，２）を示し、図８（ｃ）は電源電流ＩＣＳを示し、図８（ｄ）はヘッド出力である妨害磁界ＤＭＧを示し、図８（ｅ）は比較出力信号ＤＩＲを示している。
また、図９は、駆動制御回路として図４の第１の構成例を採用した場合の動作を説明するためのフローチャートである。
図１０は、駆動制御回路として図５の第２の構成例を採用した場合の動作を説明するためのフローチャートである。

［第１の構成例の駆動制御回路を採用した場合の動作例］
まず、図８および図９に関連付けて、駆動制御回路として図４の第１の構成例を採用した場合の動作を説明する。

まず、妨害磁界を発生させていない状態で、図８（ａ）に示すように、妨害磁界を発生するように、チャージ信号ＣＨＧが制御部４０の駆動制御回路５２のドライバ５２４から磁界発生装置５０Ｃにおける駆動制御回路５２Ａの共振駆動部５２７に供給される。
この場合、チャージ信号ＣＨＧがアクティブのハイレベル（Ｈ）で供給される。共振駆動部５２７では、チャージ信号ＣＨＧをアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が導通状態に駆動される。
これにより、チャージが開始される（図９のステップＳＴ１）。
このとき、駆動制御回路５２Ａの時間判定部５２３１は、チャージが開始された時点において時計部５２２から供給されるチャージ開始時点の現在時間ＣＴＭ１を図示しないメモリに記憶しておく（図９のステップＳＴ２）。

共振部５１１において、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２６と電気的に接続状態となる。共振部５１１においては、第１のノードＮＤ５２には、駆動電源部５２５から駆動電圧ＶＣＣが供給されている。
すなわち、共振部５１１は、共振駆動部５２７を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６との接続状態に切り替えられることにより、キャパシタＣ５１へのチャージが開始されて共振機能が誘起されて、図８（ｂ）に示すように、コイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる正方向の第１電流ＩＬ１が増大し、妨害磁界を発生するように制御される。

ここで、駆動制御回路５２Ａの時間判定部５２３１において、現在時間ＣＴＭ２とステップＳＴ２で記憶したチャージ開始時点の時間ＴＭＣ１との差が所定のチャージ時間Ｔｃを超えたか否かの判定が行われ（図９のステップＳＴ３）、その結果が動作指示部５２３３に供給される。
動作指示部５２３３は、時間判定部５２３１の判定結果によりチャージを開始してから所定のチャージ時間Ｔｃが経過したと認識すると（図９のステップＳＴ３）、磁界発生部５１を共振状態に駆動制御するために、チャージ信号ＣＨＧを、非アクティブレベルのローレベルに切り替えるようにドライバ５２４に指示する。
これにより、チャージ信号ＣＨＧは非アクティブのローレベル（Ｌ）に切り替えられ、共振駆動部５２７に供給される。共振駆動部５２７では、チャージ信号ＣＨＧを非アクティブのローレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が非導通状態に駆動される。
これに伴い、チャージが停止して、共振が開始される（図９のステップＳＴ４）。
なお、動作指示部５２３３は、チャージ時間Ｔｃ内に、時間判定部５２３１の判定結果によりコイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる電流が正方向の第１方向電流ＩＬ１に転じた場合には、チャージ時間Ｔｃが終了してから共振が開始するようにしている。

このとき、駆動制御回路５２Ａの時間判定部５２３１は、共振が開始された時点において時計部５２２から供給される共振開始時点の現在時間ＣＴＭ３を図示しないメモリに記憶しておく（図９のステップＳＴ５）。

ここで、駆動制御回路５２Ａの時間判定部５２３１において、現在時間ＣＴＭ４とステップＳＴ５で記憶した時間ＴＭＣ３との差が所定の共振時間Ｔｒを超えたか否かの判定が行われ（図９のステップＳＴ６）、その結果が動作指示部５２３３に供給される。
動作指示部５２３３は、時間判定部５２３１の判定結果により共振を開始してから所定の共振時間Ｔｒが経過したと認識すると（図９のステップＳＴ６）、共振時間Ｔｒが経過した時点において時計部５２２から供給される現在時間ＣＴＭ５を図示しないメモリに記憶しておく（図９のステップＳＴ７）。

そして、動作指示部５２３３は、電流方向判定部５２３２の判定結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認する（図９のステップＳＴ８）。
ステップＳＴ８において、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認すると、ドライバ５２４に対してチャージ信号ＣＨＧをアクティブレベルのハイレベルで出力するように指示する。
この場合、ステップＳＴ１の処理に戻り、チャージ信号ＣＨＧがアクティブのハイレベル（Ｈ）で供給される。共振駆動部５２７では、チャージ信号ＣＨＧをアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が導通状態に駆動される。

共振部５１１において、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２６と電気的に接続状態となる。共振部５１１においては、第１のノードＮＤ５２には、駆動電源部５２５から駆動電圧ＶＣＣが供給されている。
すなわち、共振部５１１は、共振駆動部５２７を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６との接続状態に切り替えられることにより、キャパシタＣ５１へのチャージが開始されて共振機能が誘起されて、図８（ｂ）に示すように、コイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる正方向の第１電流ＩＬ１が増大し、磁界を発生するように制御される。
すなわち、コイルＬ５１に流れる電流が正方向（第１電流方向）に切り替わったタイミングでチャージを再開することから、チャージ効率の良い妨害磁界の発生が行われる。

ステップＳＴ８において、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認できない場合には、駆動制御回路５２Ａの時間判定部５２３１において、現在時間ＣＴＭ６とステップＳＴ７で記憶した時間ＴＭＣ５との差が所定の監視時間Ｔｍを超えたか否かの判定が行われ（図９のステップＳＴ９）、その結果が動作指示部５２３３に供給される。
動作指示部５２３３は、時間判定部５２３１の判定結果により共振を開始してから所定の監視時間Ｔｒが経過するまで、ステップ８の処理を繰り返す。
一方、動作指示部５２３３は、時間判定部５２３１の判定結果により共振を開始してから所定の監視時間Ｔｍが経過したと認識すると（図９のステップＳＴ９）、強制的に、ドライバ５２４に対してチャージ信号ＣＨＧをアクティブレベルのハイレベルで出力するように指示する。
すなわち、この場合もステップＳＴ１からの処理が繰り返される。

なお、共振時においては、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２６と電気的に切り離されることになるが、共振部５１１は誘起された共振エネルギーによりコイル（インダクタ）Ｌ５１の電流ＩＬが減衰しながら流れ、これに伴い、妨害磁界も減衰しながらもその発生が継続された状態となっている。

ここで、制御部４０の駆動制御回路５２Ａは、たとえばパルス状のチャージ信号ＣＨＧを共振駆動部５２７に供給することにより、共振部５１１で共振作用が誘起されて磁界が発生した後、共振エネルギーの減衰に伴い磁界が減衰する。ただし、制御部４０は、この減衰する磁界が妨害磁界としての機能を保持している間に、共振を誘起することができるように、前回の出力（供給）から一定の周期または／および非周期（ランダム）でチャージ信号ＣＨＧをアクティブのハイレベル（Ｈ）で共振駆動部５２７に供給する。

すなわち、上述したと同様に、図８（ａ）〜（ｄ）に示すように、再度磁界を発生するように、チャージ信号ＣＨＧが制御部４０から駆動制御回路５２Ａの共振駆動部５２７にアクティブのハイレベル（Ｈ）で供給される。共振駆動部５２７では、チャージ信号ＣＨＧをアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が導通状態に駆動される。

これにより、共振部５１１において、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２６と電気的に接続状態となる。共振部５１１においては、第１のノードＮＤ５２には、駆動電源部５２５から駆動電圧ＶＣＣが供給されている。すなわち、共振部５１１は、共振駆動部５２７を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６との接続状態に切り替えられることにより、共振機能が再度誘起されて、コイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる電流が増大し、磁界を発生するように制御される。

ここで、パルス状のチャージ信号ＣＨＧは非アクティブのローレベル（Ｌ）に切り替えられ、共振駆動部５２７に供給される。共振駆動部５２７では、チャージ信号ＣＨＧを非アクティブのローレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が非導通状態に駆動される。

このとき、共振部５１１の第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２６と電気的に切り離されることになるが、共振部５１１は誘起された共振エネルギーによりコイル（インダクタ）Ｌ５１の電流が減衰しながら流れ、これに伴い、妨害磁界も減衰しながらもその発生が継続された状態となっている。

以上の動作が妨害磁界を発生する期間に繰り返し行われる。

このように、本実施形態の磁界発生装置５０Ｃを搭載したカードリーダ１０においては、カード挿入口３１１に不正に取り付けられたスキミング用磁気ヘッドに対し、妨害磁界を発生させることにより、磁気データが読み取られることを防止することができる。

ところで、本実施形態の磁界発生装置５０Ｃを搭載したカードリーダ１０においては、妨害磁界を共振部（並列共振回路）５１１によって発生させている場合において、カード検出センサとしてのカード幅センサ３７１でカードが検出されると、プリヘッド３９により磁気検知を行う必要があることから、妨害磁界の発生を停止する必要がある。
したがって、磁界発生装置５０Ｃを搭載したカードリーダ１０においては、カード幅センサ３７１でカードを検出したことをトリガとして、妨害磁界の発生を停止すべく、制御部４０は、周期的または／および非周期的なチャージ信号ＣＨＧの駆動制御回路５２Ｃの共振駆動部５２７に対する出力を停止するように構成されている。

［第２の構成例の駆動制御回路を採用した場合の動作例］
次に、図８および図１０に関連付けて、駆動制御回路として図５の第２の構成例を採用した場合の動作を説明する。

まず、妨害磁界を発生させていない状態で、図８（ａ）に示すように、妨害磁界を発生するように、チャージ信号ＣＨＧが制御部４０の駆動制御回路５２のドライバ５２４から磁界発生装置５０Ｃにおける駆動制御回路５２Ｃの共振駆動部５２７に供給される。
この場合、チャージ信号ＣＨＧがアクティブのハイレベル（Ｈ）で供給される。共振駆動部５２７では、チャージ信号ＣＨＧをアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が導通状態に駆動される。
これにより、チャージが開始される（図１０のステップＳＴ１１）。
このとき、駆動制御回路５２Ｂの時間判定部５２３１は、チャージが開始された時点において時計部５２２から供給されるチャージ開始時点の現在時間ＣＴＭ１１を図示しないメモリに記憶しておく（図１０のステップＳＴ１２）。

共振部５１１において、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２６と電気的に接続状態となる。共振部５１１においては、第１のノードＮＤ５２には、駆動電源部５２５から駆動電圧ＶＣＣが供給されている。
すなわち、共振部５１１は、共振駆動部５２７を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６との接続状態に切り替えられることにより、キャパシタＣ５１へのチャージが開始されて共振機能が誘起されて、図８（ｂ）に示すように、コイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる正方向の第１電流ＩＬ１が増大し、妨害磁界を発生するように制御される。

ここで、駆動制御回路５２Ｂの動作指示部５２３３Ｂは、電流方向判定部５２３２Ｂの判定結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１であるか否かを確認する（図１０のステップＳＴ１３）。
動作指示部５２３３Ｂは、チャージ時間Ｔｃ内に、電流方向監視回路５３Ｃの監視結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１である場合には、磁界発生部５１を共振状態に駆動制御するためにチャージ時間Ｔｃが経過したか否かを確認する（図１０のステップＳＴ１４）。
具体的には、駆動制御回路５２Ｂの時間判定部５２３１において、現在時間ＣＴＭ１２とステップＳＴ１２で記憶したチャージ開始時点の時間ＴＭＣ１１との差が所定のチャージ期間Ｔｃを超えたか否かの判定が行われ（図１０のステップＳＴ１４）、その結果が動作指示部５２３３Ｂに供給される。
動作指示部５２３３Ｂは、時間判定部５２３１の判定結果によりチャージを開始してから所定のチャージ時間Ｔｃが経過したと認識すると（図１０のステップＳＴ１４）、磁界発生部５１を共振状態に駆動制御するために、チャージ信号ＣＨＧを、非アクティブレベルのローレベルに切り替えるようにドライバ５２４に指示する。
これにより、チャージ信号ＣＨＧは非アクティブのローレベル（Ｌ）に切り替えられ、共振駆動部５２７に供給される。共振駆動部５２７では、チャージ信号ＣＨＧを非アクティブのローレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が非導通状態に駆動される。
これに伴い、チャージが停止して、共振が開始される（図１０のステップＳＴ１５）。
なお、動作指示部５２３３は、チャージ時間Ｔｃ内に、時間判定部５２３１の判定結果によりコイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる電流が正方向の第１方向電流ＩＬ１に転じた場合には、チャージ時間Ｔｃが終了してから共振が開始するようにしている。

なお、ステップＳＴ１３において、チャージ時間Ｔｃ内に、コイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１にならない場合（転じない場合）には、駆動制御回路５２Ｂは異常として磁界発生部の駆動制御を終了する。

ステップＳＴ１５において、共振を開始すると、駆動制御回路５２Ｂの時間判定部５２３１は、共振が開始された時点において時計部５２２から供給される共振開始時点の現在時間ＣＴＭ１３を図示しないメモリに記憶しておく（図１０のステップＳＴ１６）。
次に、駆動制御回路５２Ｂの電流方向判定部５２３２Ｂは、電流方向フラグＦＬＧをたとえば“１”（または“０”）に設定し、電流方向反転回数Ｎを“０”に設定する（図１０のステップＳＴ１７）。すなわち、電流方向判定部５２３２Ｂは、電流方向フラグＦＬＧと電流方向反転回数Ｎを初期化する。
次に、電流方向判定部５２３２Ｂは、電流方向監視回路５３Ｃによる比較出力信号ＤＩＲに基づいてコイルＬ５１に流れる電流方向が、設定されている電流方向フラグＦＬＧが示す方向と一致する否かを判定する（図１０のステップＳＴ１８）。
ステップＳＴ１８において、一致すると判定した場合にはステップＳＴ１９の処理に移行し、一致しないと判定した場合にはステップＳＴ１９の処理を行わず、ステップＳＴ２０の処理に移行する。
ステップＳＴ１９においては、電流方向フラグＦＬＧの設定値を排他的論理和（ＸＯＲ）した値、たとえば“０”に設定し、電流方向反転回数Ｎを１だけ加算する。そして、ステップＳＴ２０の処理に移行する。

ステップＳＴ２０においては、駆動制御回路５２Ｂの時間判定部５２３１において、現在時間ＣＴＭ１４とステップＳＴ１６で記憶した共振開始時点の時間ＴＭＣ１３との差が所定の共振時間Ｔｒを超えたか否かの判定が行われ、その結果が動作指示部５２３３に供給される。
動作指示部５２３３は、時間判定部５２３１の判定結果により共振を開始してから所定の共振時間Ｔｒが経過したと認識すると（図１０のステップＳＴ２０）、ステップＳＴ２１の処理に移行し、経過していない場合にはステップＳＴ１８の処理に戻り、共振時間Ｔｒが経過するまで、電流方向フラグＦＬＧの設定と、電流方向反転回数Ｎを計数する（インクリメントする）。
ステップＳＴ２１においては、駆動制御回路５２Ｂの電流方向判定部５２３２Ｂにおいて、計数した電流方向反転回数Ｎが記憶部５２１Ｂに記憶されている規定回数Ｎｃ以上であるか否かの判定が行われ、その結果が動作指示部５２３３Ｂに供給される。
動作指示部５２３３Ｂは、計数した電流方向反転回数Ｎが規定回数Ｎｃ以上であることを確認すると、動作指示部５２３３Ｂは、時間判定部５２３１に指示を出す。
これにより、駆動制御回路５２Ｂの時間判定部５２３１は、共振時間が経過した時点において時計部５２２から供給される共振経過時点の現在時間ＣＴＭ１５を図示しないメモリに記憶しておく（図１０のステップＳＴ２２）。

そして、動作指示部５２３３Ｂは、電流方向判定部５２３２Ｂの判定結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認する（図１０のステップＳＴ２３）。
ステップＳＴ２３において、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認すると（図１０のステップＳＴ２３）、ドライバ５２４に対してチャージ信号ＣＨＧをアクティブレベルのハイレベルで出力するように指示する。
この場合、ステップＳＴ１１の処理に戻り、チャージ信号ＣＨＧがアクティブのハイレベル（Ｈ）で供給される。共振駆動部５２７では、チャージ信号ＣＨＧをアクティブのハイレベルで受けると、駆動スイッチング素子ＤＳＷ５１が導通状態に駆動される。

共振部５１１において、第２のノードＮＤ５３が基準電位部５２６と電気的に接続状態となる。共振部５１１においては、第１のノードＮＤ５２には、駆動電源部５２５から駆動電圧ＶＣＣが供給されている。
すなわち、共振部５１１は、共振駆動部５２７を通して第２のノードＮＤ５３と基準電位部５２６との接続状態に切り替えられることにより、キャパシタＣ５１へのチャージが開始されて共振機能が誘起されて、図８（ｂ）に示すように、コイル（インダクタ）Ｌ５１に流れる正方向の第１電流ＩＬ１が増大し、妨害磁界を発生するように制御される。
すなわち、コイルＬ５１に流れる電流が正方向（第１電流方向）に切り替わったタイミングでチャージを再開することから、チャージ効率の良い妨害磁界の発生が行われる。
すなわち、この場合もステップＳＴ１１からの処理が繰り返される。

ステップＳＴ２３において、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認できない場合には、駆動制御回路５２Ｂの時間判定部５２３１において、現在時間ＣＴＭ１６とステップＳＴ２２で記憶した共振終了時点の時間ＴＭＣ１５との差が所定の監視時間Ｔｍを超えたか否かの判定が行われ（図１０のステップＳＴ２４）、その結果が動作指示部５２３３Ｂに供給される。
動作指示部５２３３Ｂは、時間判定部５２３１の判定結果により共振を開始してから所定の監視時間Ｔｍが経過するまで、ステップ２３の処理を繰り返す。

一方、動作指示部５２３３Ｂは、ステップＳＴ２１において、共振時間Ｔｃ内に、取得した反転回数Ｎが規定回数Ｎｃに達しない場合、ステップＳＴ２４において、時間判定部５２３１による情報により監視時間Ｔｍが経過しても、コイルＬ５１に流れる電流が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じない場合には、異常として磁界発生部の駆動制御を終了する。

以上のように、本実施形態においては、電流方向監視回路５３Ｃの監視により得られるコイルＬ５１に流れる電流方向に応じて磁界発生部５１のチャージするタイミングを制御する。
すなわち、本実施形態においては、磁界発生装置５０において、コイルＬ５１に流れる交流電流の方向の監視および／または電流方向反転回数の監視を実施することにより、並列共振回路のキャパシタＣ５１に直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができる。
そのため、高い精度で効率の良い妨害磁界制御が可能であり、スキミング用磁気ヘッドを用いて磁気データを不正に取得することを確実に防止することができる。
また、磁界発生装置５０においては、インダクタであるコイルの電流状態を常時監視することにより、共振回路素子の損傷や異常として磁界発生部の駆動制御を終了する。
さらに、本磁界発生装置５０においては、コイルの電流状態を常時監視することにより、共振回路素子の損傷やコイルの断線による機能不能を検出することが可能となり、妨害磁界発生装置としての信頼性向上を図ることができる。
また、電流方向監視回路５３は、にコンパレータ(比較器)回路素子の追加で実現可能となる利点がある。

ここで、比較例として、本実施形態のようにコイルＬ５１に流れる電流方向の監視および／または電流方向反転回数の監視を実施しない場合のチャージおよび共振動作について考察する。
図１１は、電流方向の監視を実施しない場合のチャージおよび共振動作が正常に行われた場合の状態を示す波形図である。
図１２は、電流方向の監視を実施しない場合のチャージおよび共振動作が正常に行わなかった場合の状態を示す波形図である。
図１１および図１２において、（ａ）はチャージ信号ＣＨＧを示し、図８（ｂ）はコイル電流ＩＬ（１，２）を示し、（ｃ）は電源電流ＩＣＳを示し、（ｄ）は妨害磁界発生装置出力である妨害磁界ＤＭＧを示している。

電流方向の監視を実施しない場合の磁界発生装置の並列共振回路においても、まずキャパシタに直流の電流を流して電荷を蓄えるチャージを行い、次にキャパシタに蓄えられた電気を放電させることによりコイルとキャパシタ間に交流の電流を流す共振動作を行う。
このチャージおよび共振動作において、偶然に、図１１（ａ）および〈ｂ〉に示すように、電流方向が第２方向電流ＩＬ２から第１方向電流ＩＬ１に転じたタイミングで次のチャージを行うと、適正にキャパシタに電荷を蓄えることができる。
これにより、スキミングヘッドのコイルに相互誘導作用を与えて出力を乱し、磁気データ搾取を妨害することができる。

しかしながら、磁界発生装置５０において、チャージと共振を繰り返し連続して行う場合、図１２（ａ）〜（ｄ）に示すように、共振中にコイルの電流が逆向きに流れているタイミング（キャパシタが放電中）でチャージを行うと、キャパシタへのチャージ効率が低下し、スキミング用磁気ヘッドへの妨害出力強度も低下する可能性がある。

これに対して、本実施形態においては、コイルＬ５１に流れる電流方向の監視および／または電流方向反転回数の監視を実施することにより、並列共振回路のキャパシタＣ５１に直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができる。
そのため、高い精度で効率の良い妨害磁界制御が可能であり、スキミング用磁気ヘッドを用いて磁気データを不正に取得することを確実に防止することができる。

なお、このような特徴を有する磁界発生装置５０をカードリーダ１０に適用した場合、残留妨害磁界が磁気検出に影響を与えないように、一旦、磁界発生を停止させ、駆動制御回路５２の共振部５１１に蓄積された共振エネルギーを放出（放電）させるような構成を採用することも可能である。
この構成では、たとえば、磁界発生装置５０において、共振部５１１の第１のノードＮＤ５２に放電用の第１のスイッチング素子としてのトランジスタを接続して共振エネルギーの放出経路（放電経路、逃げ道）を確保する。
また、磁界発生装置５０Ｃにおいては、駆動電源部５２５の駆動電圧ＶＣＣの共振部５１１への供給ラインに妨害磁界発生動作の停止時に駆動電圧ＶＣＣの共振部５１１の第１のノードＮＤ５２への供給を停止させる第２のスイッチング素子としてのトランジスタを接続する。
この場合、妨害磁界発生動作の停止時には、好適には、第２のスイッチング素子をオフして第１のノードＮＤ５２を駆動電圧ＶＣＣの供給源から切り離した後に、第１のスイッチング素子をオンして共振エネルギーを放出する。
一方、磁界発生動作の開始時には、第１のスイッチング素子をオフにして放電経路を閉鎖してから、第２のスイッチング素子をオンして駆動電圧ＶＣＣの供給源に接続する。

［カードリーダのカード取り込みおよび排出動作］
最後に、一例として、カードリーダ１０のカードＭＣの取り込みおよび排出動作を磁界発生装置５０の駆動タイミングと関連付けて説明する。
なお、以下の説明では、磁界の発生については既に詳述した電流方向の監視による動作は省略し、単に妨害磁界発生として述べる。換言すれば、妨害磁界発生ステップにおいては、上述した電流方向の監視によるチャージ開始制御動作等の全てを含めて行われ、妨害磁界の発生においては図９や図１０と同様の処理が行われる。

まず、取り込み動作を図１３および図１４に関連付けて説明する。図１３は、カード取込み時の動作を説明するためのフローチャートである。図１４は、カード取込み時の動作を説明するための図である。

ここでは、制御部４０による制御の下、磁界発生装置５０の駆動制御回路５２が駆動されてスキミング用磁気ヘッドに対して妨害磁界が発生されている（ステップＳＴ３１）。妨害磁界の発生は図９や図１０と同様の処理が行われる。
この妨害磁界の発生状態で、利用者がカードＭＣをカード挿入口３１１に挿入すると（ステップＳＴ３２）、カード幅センサ３７１によって挿入されたカードが検出される（ステップＳＴ３３）。この検出情報は制御部４０に供給される。

制御部４０は、カードＭＣの挿入が検出されると、次にプリヘッド３９がカードＭＣに形成された磁気ストライプｍｐを摺動し、磁気ストライプｍｐ上に書き込まれている磁気データを読み取る。
このとき、制御部４０は、プリヘッド３９がカードＭＣの磁気データを読み取る、磁気検出が行われる際に、残留妨害磁界が磁気検出に影響を与えないように、上述した動作と同様に、磁界発生を停止させ、駆動制御回路５２の共振部５１１に蓄積された共振エネルギーを放出（放電）させる（ステップＳＴ３４、ＳＴ３５）。
この状態で、挿入されたカードＭＣに形成されている磁気ストライプ部がカード挿入検出用のプリヘッド３９によって検出される（ステップＳＴ３６）。そして、このプリヘッド３９による検出信号により、制御部４０は、磁界発生装置５０の駆動制御回路５２を所定時間駆動して、妨害磁界を発生させる（ステップＳＴ３７）。
そして、妨害磁界を発生した状態で、制御部４０は、シャッター３８を開き（ステップＳＴ８）、駆動用モータ３６を起動して（ステップＳＴ３９）、取込み用の搬送ローラ３３１を含む搬送系を駆動する。

この結果、カードＭＣを内部に取込み可能になる。カードＭＣがシャッター３８の位置を超えて奥まで挿入されると、その先端が搬送ローラ３３１にくわえ込まれて、カードＭＣの取込み動作が開始される（ステップＳＴ４０）。

ここで、本例では、カードＭＣの取り込みが開始された後は、たとえばカードＭＣの後端がカード挿入口３１１から突出している状態の間は、磁界発生装置５０により妨害磁界を発生させ、その後、妨害磁界の発生を停止するようにしている（ステップＳＴ４１）。妨害磁界の発生時間は、カード挿入検出用のプリヘッド３９による検出時点からの経過時間やカード幅センサ３７１等によって管理できる。

次に、カードＭＣを読み取り用の磁気ヘッド３４の位置まで取り込んだ後は、磁気ヘッド３４により、カードＭＣの読み取り動作あるいは書き込み動作を行う（ステップＳＴ４２）。

このように、本例のカードＭＣの取込み動作においては、カードＭＣの後端がカード挿入口３１１から突出している時点で、妨害磁界を発生させるようにしている。
この結果、たとえば、図１４において想像線で示すように、カード挿入口３１１の外部側位置、たとえば、上位装置のフロントパネル２０の表面にスキミング用磁気ヘッド６１が取り付けられていたとしても、妨害磁界の発生により、挿入されるカードＭＣの磁気データをスキミング用磁気ヘッド６１によっては完全に読み取ることはできない。よって、このようなスキミング用磁気ヘッド６１による磁気データの不正な読み取りを阻止できる。

次に、排出動作を図１５および図１６に関連付けて説明する。図１５は、カード排出時の動作を説明するためのフローチャートである。図１６は、カード排出時の動作を説明するための図である。

この場合、搬送ローラ３３１，３３２，３３３によってカードＭＣの排出動作を開始し（ステップＳＴ５１）、排出されるカードＭＣの排出方向の先端がカード幅センサ３７１によって検出されると（ステップＳＴ５２）、磁界発生装置５０が駆動され、妨害磁界が発生される（ステップＳＴ５３）。妨害磁界の発生は図９や図１０と同様の処理が行われる。

この後は、フォトセンサ３５２によって排出されるカードＭＣの後端が検出されると（ステップＳＴ５４）、駆動用モータ３６を停止して（ステップＳＴ５５）、カード排出動作を終了する。この後、制御部４０は、磁界発生装置５０の駆動制御回路５２の駆動を止め、妨害磁界の発生を停止させる（ステップＳＴ５６）。

カード排出動作が終了した時点では、カードＭＣの後端が搬送ローラ３３１にくわえ込まれた状態にある。利用者が軽くカードＭＣを引っ張ることにより、カード挿入口３１１からカードＭＣを取り出すことができる。なお、利用者がカードＭＣを取り出すことを忘れた場合には、所定の時間経過後に、搬送ローラを駆動して、カードＭＣを内部に回収できるようになっている。

このように、本例のカードリーダ１０では、カードの排出時においても、その排出側の先端部分がカード挿入口３１１から外部の突き出た状態で、一時的に妨害磁界を発生させるようにしている。したがって、フロントパネル表面にスキミング用磁気ヘッド６１が取り付けられていたとしても、このスキミング用磁気ヘッド６１によって排出されるカードＭＣの磁気データが読み取られてしまうことを阻止できる。

なお、本例では、一例であって、磁界発生装置５０の駆動を、カード挿入時および排出時に所定の期間にわたり１回だけ駆動しているが、２回以上に亘り間欠的に駆動してもよく、種々の態様が可能である。

［実施形態の主な効果］
上述したように、本実施形態においては、以下の効果を得ることができる。
本実施形態においては、基本的に、インダクタであるコイルＬおよびキャパシタＣを接続して形成されるＬＣ並列共振回路を有し、このＬＣ並列共振回路により強い磁界を共振エネルギーの保持特性により所定期間継続的に発生する。
そして、本実施形態においては、電流方向監視回路５３の監視により得られるコイルＬ５１に流れる電流方向に応じて磁界発生部５１のチャージするタイミングを制御する。
また、磁界発生装置５０は、チャージと共振を繰り返し連続して行う場合、共振中にコイルＬ５１の電流が逆向きに流れているタイミング（キャパシタＣ５１が放電中）でチャージを行うこともなくなる。そのため、逆起電力が発生して駆動電源部５２５（電源回路）にダメージを与えるおそれも無くなり、安全でかつエネルギー効率、例えば、キャパシタＣ５１へのチャージ効率の良い妨害磁界制御が可能となる。

磁界発生装置５０において、判定部５２３は、チャージを停止させてからあらかじめ設定した共振時間Ｔｒが経過したか否かを判定する時間判定部５２３１を有し、動作指示部５２３３は、共振時間Ｔｒを経過し、コイルＬ５１に流れる電流が正方向の第１方向電流ＩＬ１に転じたことを確認して磁界発生部５１をチャージするように駆動制御する。これにより、あらかじめ設定した共振時間Ｔｒの判定をおこない、適正な時間が経過してから電流が第１方向に転じたことを確認していることから、さらに共振部５１１（磁界発生部５１）のキャパシタＣ５１に直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を高い精度で実現することが可能となる。

また、磁界発生装置５０は、判定部５２３の時間判定部５２３１は、共振時間Ｔｒが経過後あらかじめ設定した監視時間Ｔｍを経過したか否かを判定し、動作指示部５２３３は、監視時間Ｔｍを経過し、コイルＬ５１に流れる電流が正方向の第１方向電流ＩＬ１に転じないときは磁界発生部５１をチャージするように駆動制御する。これにより、磁界発生装置５０は、動作指示部５２３３は、監視時間Ｔｍを経過後、コイルＣ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１に転じないときは磁界発生部５１をチャージするように駆動制御するので、チャージと共振を所望の期間継続的に行うことが可能となる。

さらに、磁界発生装置５０の時間判定部５２３１は、あらかじめ設定したチャージ時間Ｔｃを経過したか否かを判定し、動作指示部５２３３は、チャージ時間Ｔｃ内に、電流方向監視回路５３の監視結果によりコイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１に転じた場合には、チャージ時間Ｔｃが終了してから共振を開始させる。これにより、動作指示部５２３３は、あらかじめ設定したチャージ時間Ｔｃが経過したと認識すると、磁界発生部５１を共振状態に駆動制御するので、共振を適正なタイミングで開始させることが可能となる。

また、判定部５２３の動作指示部５２３３は、チャージ時間Ｔｃ内に、コイルＬ５１に流れる電流が第１方向電流ＩＬ１に転じない場合には、異常として前記磁界発生部の駆動制御を終了するので、共振部５１１を構成する共振回路素子（コイルＬ５１やキャパシタＣ５１など）の損傷やコイルＬ５１の断線による機能不能を検出することが可能となり、磁界発生装置５０としての信頼性向上を図ることが可能となる。

次に、本実施形態においては、磁界発生装置５０において、コイルＬ５１に流れる交流電流の方向の監視および／または電流方向反転回数の監視を実施することにより、並列共振回路のキャパシタＣ５１に直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができる。
そのため、高い精度で効率の良い妨害磁界制御が可能であり、スキミング用磁気ヘッドを用いて磁気データを不正に取得することを確実に防止することができる。
また、本磁界発生装置５０においては、コイルＬ５１に流れる電流の電流方向反転回数を監視することにより、共振回路素子の損傷やコイルの断線による機能不能を検出することが可能となり、装置としての信頼性向上を図ることができる。
また、電流方向反転回数が規定回数に達した場合にチャージするタイミングを制御することから、より高精度に電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができる。

本実施形態においては、カードＭＣに記録されている磁気データを処理するカードリーダ１０であって、カードＭＣの磁気データの読み取りを妨害する磁界を発生する磁界発生装置５０を有しているが、電流方向監視回路５３には、コンパレータ(比較器)回路素子で構成したので、構成の大型化を抑制でき、共振回路のキャパシタＣ５１に直流電流を流して電荷を蓄えるタイミングの適正化を図ることができ、高い精度で効率の良い妨害磁界制御が可能となる。さらに、カードリーダ１０において、妨害磁界を適正な時間、強度をもって継続的にかつ効率的に発生することが可能で、かつ、磁気データの不正取得を高い精度で確実に防止することが可能となる。

したがって、本実施形態によれば、不正行為者が、カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側において、カードリーダのカード挿入口に、スキミング用磁気ヘッドと磁気読み取り回路を含むいわゆるスキミング用磁気ヘッド装置（スキマー）６０を取り付けていたとしても、強い磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力を増大させることはもとより、エネルギー効率の良い妨害磁界制御が可能であり、スキミング用磁気ヘッドを用いて磁気データを不正に取得することを高い確度で確実に防止することができる。

［他の実施形態］
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能であることはいうまでもない。

たとえば、上述した実施形態では、図３に示すように、コイル（インダクタ）Ｌ５１とキャパシタ（コンデンサ）Ｃ５１を並列に接続したＬＣ並列共振回路により構成したがこれに限定されるものではなく、たとえば、コイル（インダクタ）Ｌ５１とキャパシタ（コンデンサ）Ｃ５１を直列に接続したＬＣ直列共振回路であってもよい。
たとえば、上述した実施形態では、図３に示すように、磁界発生部５１の並列共振回路をＬ１を鉄心ＦＣにコイルＬ５１を巻いて形成したが、図１７に示すように、鉄心を用いずコイルＬ１により形成することも可能である。

また、磁界発生装置５０をカードリーダ１０に適用した場合、残留妨害磁界が磁気検出に影響を与えないように、一旦、磁界発生を停止させ、駆動制御回路５２の共振部５１１の共振エネルギーを放出（放電）させるような構成を採用することも可能である。
この構成では、たとえば、磁界発生装置５０Ｃにおいて、共振部５１１の第１のノードＮＤ５２に放電用の第１のスイッチング素子としてのトランジスタを接続して共振エネルギーの放出経路（放電経路、逃げ道）を確保することができる。

また、磁界発生装置５０Ｃにおいては、駆動電源部５２５の駆動電圧ＶＣＣの共振部５１１への供給ラインに妨害磁界発生動作の停止時に駆動電圧ＶＣＣの共振部５１１の第１のノードＮＤ５２への供給を停止させる第２のスイッチング素子としてのトランジスタを接続する。
この場合、磁界発生動作の停止時には、好適には、第２のスイッチング素子をオフして第１のノードＮＤ５２を駆動電圧ＶＣＣの供給源から切り離した後に、第１のスイッチング素子をオンして共振エネルギーを放出する。その結果、効率良く共振エネルギーの放出（放電）を行うことができる。

一方、磁界発生開始時には、第１のスイッチング素子をオフにして放電経路を閉鎖してから、第２のスイッチング素子をオンして駆動電圧ＶＣＣの供給源に接続する。その結果、効率良く磁界発生を開始または再開させることができる。
このような構成を採用することにより、プリヘッド３９による磁界の誤検知を防止でき、また、シャッターの開閉制御を応答性良く行うことができ、ひいては素早くカードを挿入した場合であっても、カードがシャッターにぶつかる（衝突する）といった事象の発生を抑止することができる。

１０・・・カードリーダ（磁気記録媒体理装置）、２０・・・フロントパネル、２１・・・開口、３０・・・カード処理部、３４・・・磁気ヘッド、３１１・・・カード挿入口、３７・・・カード挿入検出機構、３７１・・・カード検出センサ、３８・・・シャッター、３９・・・プリヘッド、４０・・・制御部、５０，５０Ｃ・・・磁界発生装置、５１・・・磁界発生部、５１１・・・共振部、５２，５２Ａ，５２Ｂ・・・駆動制御回路、５２１，５２１Ｂ・・・記憶部、５２２・・・時計部、５２３，５２３Ｂ・・・判定部、５２３１・・・時間判定部、５２３２，５２３２Ｂ・・・電流方向判定部、５２３３，５２３３Ｂ・・・動作指示部、５２４・・・ドライバ、５２５・・・駆動電源部、５２６・・・基準電位部、５２７・・・共振駆動部、５３，５３Ｃ・・・電流方向監視回路、５３１・・・コンパレータ，Ｒ５１〜Ｒ５４・・・抵抗素子、Ｌ５１・・・インダクタ（コイル）、Ｃ５１・・・キャパシタ、ＤＳＷ５１・・・駆動スイッチング素子、ＭＣ・・・カード。

Claims (19)

1. インダクタおよびキャパシタが接続される共振部を含み、前記キャパシタへの電荷のチャージと、チャージした電荷を放電することより前記インダクタと前記キャパシタ間に交流の電流を流し共振により磁界を発生する磁界発生部と、
   前記磁界発生部の前記インダクタに流れる電流の方向を監視する電流方向監視部と、
   前記電流方向監視部の監視により得られる前記インダクタに流れる電流方向に応じて前記磁界発生部のチャージするタイミングを制御する判定部と
   を有することを特徴とする磁界発生装置。
2. 前記インダクタには、一端側から他端側に向かう第１方向電流と、他端側から一端側に向かう第２方向電流とが交互に流れ、
   前記判定部は、
   前記電流方向監視部の監視結果により前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じたか否かを判定する電流方向判定部と、
   前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じたことにより前記磁界発生部をチャージするように駆動制御する動作指示部と
   を有することを特徴とする請求項１記載の磁界発生装置。
3. 前記判定部は、
   前記チャージを停止させてからあらかじめ設定した共振時間が経過したか否かを判定する時間判定部を有し、
   前記動作指示部は、
   前記共振時間を経過し、前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じたことを確認して前記磁界発生部をチャージするように駆動制御する
   ことを特徴とする請求項２記載の磁界発生装置。
4. 前記判定部の前記時間判定部は、
   前記共振時間が経過後あらかじめ設定した監視時間を経過したか否かを判定し、
   前記動作指示部は、
   前記監視時間を経過し、前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じないときは前記磁界発生部をチャージするように駆動制御する
   ことを特徴とする請求項３記載の磁界発生装置。
5. 前記判定部の前記時間判定部は、
   あらかじめ設定したチャージ時間を経過したか否かを判定し、
   前記動作指示部は、
   前記チャージ時間内に、前記電流方向監視部の監視結果により前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じた場合には、チャージ期間が終了してから共振を開始させる
   ことを特徴とする請求項３または４に記載の磁界発生装置。
6. 前記判定部の動作指示部は、
   前記チャージ期間内に、前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じない場合には、異常終了する
   ことを特徴とする請求項５記載の磁界発生装置。
7. 前記判定部は、
   前記チャージを停止させてからあらかじめ設定した共振時間が経過したか否かを判定し、共振時間経過後あらかじめ設定した監視時間を経過したか否かを判定する時間判定部を有し、
   前記電流方向判定部は、
   前記共振時間内に、前記電流方向監視部の監視結果により前記インダクタに流れる電流の反転回数を取得し、
   前記動作指示部は、
   前記共振時間内に、前記取得した反転回数が規定回数以上である場合には、前記監視時間内に前記電流方向監視部の監視結果により前記インダクタに流れる電流に応じた前記磁界発生部の駆動制御を行う
   ことを特徴とする請求項２から６のいずれか一に記載の磁界発生装置。
8. 前記判定部の前記動作指示部は、
   前記共振時間内に、前記取得した反転回数が規定回数に達しない場合には、異常とし
   て前記磁界発生部の駆動制御を終了する
   ことを特徴とする請求項７記載の磁界発生装置。
9. 前記判定部の前記時間判定部は、
   あらかじめ設定した監視時間を経過したか否かを判定し、
   前記動作指示部は、
   前記監視時間を経過して前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じないときは前記磁界発生部をチャージするように駆動制御することなく異常として前記磁界発生部の駆動制御を終了する
   ことを特徴とする請求項５から８のいずれか一に記載の磁界発生装置。
10. インダクタおよびキャパシタが接続される共振部を含み、前記キャパシタへの電荷のチャージと、チャージした電荷を放電することより前記インダクタと前記キャパシタ間に交流の電流を流し共振により磁界を発生する磁界発生部の駆動を制御するに際し、
    前記磁界発生部の前記インダクタに流れる電流の方向を監視し、
    前記監視により得られる前記インダクタに流れる電流方向に応じて前記磁界発生部のチャージするタイミングを制御する
    ことを特徴とする磁界発生装置の制御方法。
11. 前記インダクタには、一端側から他端側に向かう第１方向電流と、他端側から一端側に向かう第２方向電流とが交互に流れ、
    前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じたことにより前記磁界発生部をチャージするように駆動制御する
    ことを特徴とする請求項１０記載の磁界発生装置の制御方法。
12. 前記チャージを停止させてからあらかじめ設定した共振時間が経過すると、前記監視の監視結果により前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じたことを確認して前記磁界発生部をチャージするように駆動制御する
    ことを特徴とする請求項１１記載の磁界発生装置の制御方法。
13. あらかじめ設定した監視時間を経過して前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じないときは前記磁界発生部をチャージするように駆動制御する
    ことを特徴とする請求項１２記載の磁界発生装置の制御方法。
14. チャージを開始してからあらかじめ設定したチャージ時間内に、前記監視の監視結果により前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じた場合には、チャージ時間が終了してから共振を開始させる
    ことを特徴とする請求項１１から１３のいずれか一に記載の磁界発生装置の制御方法。
15. 前記チャージ時間内に、前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じない場合には、異常終了する
    ことを特徴とする請求項１４記載の磁界発生装置の制御方法。
16. 共振を開始してからあらかじめ設定した共振時間内に、前記監視の監視結果により前記インダクタに流れる電流の反転回数を取得し、当該取得した反転回数が規定回数以上である場合には、あらかじめ設定した監視時間内に前記監視の監視結果により前記インダクタに流れる電流に応じた前記磁界発生部の駆動制御を行う
    ことを特徴とする請求項１１から１５のいずれか一に記載の磁界発生装置の制御方法。
17. 前記共振時間内に、前記取得した反転回数が規定回数に達しない場合には、異常として前記磁界発生部の駆動制御を終了する
    ことを特徴とする請求項１６記載の磁界発生装置の制御方法。
18. あらかじめ設定した監視時間を経過して前記インダクタに流れる電流が前記第１方向電流に転じないときは前記磁界発生部をチャージするように駆動制御することなく異常として前記磁界発生部の駆動制御を終了する
    ことを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一に記載の磁界発生装置の制御方法。
19. 磁気記録媒体上に記録されている磁気情報を処理する磁気記録媒体処理装置であって、
    磁気記録媒体の磁気情報の読み取りを妨害する磁界を発生する磁界発生装置を有し、
    前記磁界発生装置は、
    インダクタおよびキャパシタが接続される共振部を含み、前記キャパシタへの電荷のチャージと、チャージした電荷を放電することより前記インダクタと前記キャパシタ間に交流の電流を流し共振により磁界を発生する磁界発生部と、
    前記磁界発生部の前記インダクタに流れる電流の方向を監視する電流方向監視部と、
    前記電流方向監視部の監視により得られる前記インダクタに流れる電流方向に応じて
    前記磁界発生部のチャージするタイミングを制御する判定部と
    を有することを特徴とする磁気記録媒体処理装置。

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