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JP6609008B2 - Lighting device - Google Patents

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JP6609008B2
JP6609008B2 JP2018145100A JP2018145100A JP6609008B2 JP 6609008 B2 JP6609008 B2 JP 6609008B2 JP 2018145100 A JP2018145100 A JP 2018145100A JP 2018145100 A JP2018145100 A JP 2018145100A JP 6609008 B2 JP6609008 B2 JP 6609008B2
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light emitting
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Rohm Co Ltd
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  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Description

本発明は、複数の発光素子で構成された照明装置に関する。   The present invention relates to a lighting device including a plurality of light emitting elements.

近年、照明装置のデザインの多様化に伴い、例えば特許文献1や特許文献2に開示のように、電源供給回路に互いに並列に接続された複数の発光素子群の各々が互いに異なる数の発光素子を有している照明装置が知られている。   In recent years, with diversification of lighting device designs, for example, as disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, a plurality of light emitting element groups connected to a power supply circuit in parallel to each other have different numbers of light emitting elements. A lighting device having the following is known.

特開2010−225413号公報JP 2010-225413 A 特開2008−77944号公報JP 2008-77944 A

上記のような従来の照明装置においては、各発光素子群間で発光に必要な発光基準電圧が異なる場合があり、例えば該照明装置を駆動させるための電源の立ち上がり時や立ち下り時など電源供給回路から供給される電圧が十分なレベルでない場合には、各発光素子群の発光素子の発光や消灯のタイミングがばらついてしまう場合があった。照明装置における各発光素子群の発光や消灯のタイミングがばらつくと、美観を損ね、また、例えば該照明装置が車載のエクステリアランプとして用いられる場合には不鮮明な点灯となってしまい事故につながるおそれもあるため問題となっていた。   In the conventional lighting device as described above, the light emission reference voltage required for light emission may differ between the light emitting element groups. For example, when the power source for driving the lighting device is turned on or off, the power is supplied. When the voltage supplied from the circuit is not at a sufficient level, the timing of light emission and extinction of the light emitting elements of each light emitting element group may vary. If the timing of light emission and extinction of each light emitting element group in the lighting device varies, the aesthetic appearance is impaired, and if the lighting device is used as an in-vehicle exterior lamp, for example, it may become unclear and may lead to an accident. Because there was a problem.

本発明は、電源供給回路に対して互いに並列に接続された複数の発光素子群の発光又は消灯のタイミングのばらつきを防止する照明装置を提供する。   The present invention provides an illumination device that prevents variations in the timing of light emission or extinction of a plurality of light emitting element groups connected in parallel to a power supply circuit.

本発明にかかる照明装置は、駆動電圧を供給する電源供給回路と、前記駆動電圧に基づく第1の発光電圧が第1の発光基準電圧以上にて印加された場合に第1の発光電流が流れて発光する複数の互いに直列に接続された第1の発光素子を備えた第1の発光素子群と、前記駆動電圧に基づく第2の発光電圧が前記第1の発光基準電圧よりも高い第2の発光基準電圧にて印加された場合に第2の発光電流が流れて発光する複数の互いに直列に接続された第2の発光素子を備えた第2の発光素子群と、を備えて前記第2の発光基準電圧に基づく発光基準電圧以上の発光電圧が印加された場合に発光する発光素子群と、前記駆動電圧と前記発光基準電圧との大小関係を検出し、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも大きい場合には前記発光素子群を発光させる発光制御を行い、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも小さい場合には前記発光素子群の発光を停止させる発光停止制御を行う第1の発光制御部を備えて、前記第1の発光素子群と接続された第1の半導体チップと、前記駆動電圧と前記発光基準電圧との大小関係を検出し、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも大きい場合には前記発光素子群を発光させる発光制御を行い、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも小さい場合には前記発光素子群の発光を停止させる発光停止制御を行う第2の発光制御部を備えて、前記第1の半導体チップおよび前記第2の発光素子群と接続された第2の半導体チップと、を有する。   The lighting device according to the present invention has a power supply circuit for supplying a drive voltage, and a first light emission current flows when a first light emission voltage based on the drive voltage is applied at a first light emission reference voltage or higher. A first light emitting element group including a plurality of first light emitting elements connected in series with each other, and a second light emitting voltage based on the driving voltage is higher than the first light emitting reference voltage. And a second light emitting element group comprising a plurality of second light emitting elements connected in series, each of which emits light when a second light emission current flows when applied at the light emission reference voltage. A light emission element group that emits light when a light emission voltage equal to or higher than a light emission reference voltage based on the light emission reference voltage of 2 is detected, and a magnitude relationship between the drive voltage and the light emission reference voltage is detected, and the drive voltage is the light emission reference voltage If the voltage is higher than the voltage, A first light emission control unit that performs light emission control to perform light emission and performs light emission stop control to stop light emission of the light emitting element group when the drive voltage is lower than the light emission reference voltage; A magnitude relationship between the first semiconductor chip connected to the element group and the drive voltage and the light emission reference voltage is detected, and the light emitting element group is caused to emit light when the drive voltage is greater than the light emission reference voltage. A second light emission control unit that performs light emission control and performs light emission stop control for stopping light emission of the light emitting element group when the drive voltage is lower than the light emission reference voltage, and includes the first semiconductor chip and And a second semiconductor chip connected to the second light emitting element group.

本発明にかかる照明装置によれば、電源供給回路に対して互いに並列に接続された複数の発光素子群の発光又は消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   According to the illumination device of the present invention, it is possible to prevent variations in the timing of light emission or extinction of a plurality of light emitting element groups connected in parallel to each other with respect to the power supply circuit.

本発明の第1の実施形態にかかる照明装置10を示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 10 concerning the 1st Embodiment of this invention. 照明装置10を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。It is the figure which showed the transition of each signal waveform between the rising of the power supply for driving the illuminating device 10, and falling. 本発明の第1の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置10aを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 10a concerning the 1st modification of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態の第2の変形例にかかる照明装置10bを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 10b concerning the 2nd modification of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態にかかる照明装置20を示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 20 concerning the 2nd Embodiment of this invention. 照明装置20を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。It is the figure which showed transition of each signal waveform between the rising of the power supply for driving the illuminating device 20, and falling. 本発明の第2の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置20aを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 20a concerning the 1st modification of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態にかかる照明装置30を示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 30 concerning the 3rd Embodiment of this invention. 照明装置30を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。It is the figure which showed the transition of each signal waveform between the rising of the power supply for driving the illuminating device 30, and falling. 本発明の第3の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置30aを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 30a concerning the 1st modification of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態の第2の変形例にかかる照明装置30bを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 30b concerning the 2nd modification of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態の第3の変形例にかかる照明装置30cを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 30c concerning the 3rd modification of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態にかかる照明装置40を示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40 concerning the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置40aを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40a concerning the 1st modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第2の変形例にかかる照明装置40bを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40b concerning the 2nd modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第3の変形例にかかる照明装置40cを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40c concerning the 3rd modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第4の変形例にかかる照明装置40dを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40d concerning the 4th modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第5の変形例にかかる照明装置40eを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40e concerning the 5th modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第6の変形例にかかる照明装置40fを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40f concerning the 6th modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第7の変形例にかかる照明装置40gを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40g concerning the 7th modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第8の変形例にかかる照明装置40hを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40h concerning the 8th modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第9の変形例にかかる照明装置40iを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40i concerning the 9th modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第10の変形例にかかる照明装置40jを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40j concerning the 10th modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態の第11の変形例にかかる照明装置40kを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 40k concerning the 11th modification of the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態にかかる照明装置50を示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 50 concerning the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置50aを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 50a concerning the 1st modification of the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態の第2の変形例にかかる照明装置50bを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 50b concerning the 2nd modification of the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態の第3の変形例にかかる照明装置50cを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 50c concerning the 3rd modification of the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態の第4の変形例にかかる照明装置50dを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 50d concerning the 4th modification of the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態の第5の変形例にかかる照明装置50eを示した図である。It is the figure which showed the illuminating device 50e concerning the 5th modification of the 5th Embodiment of this invention.

以下、図面を参照して本発明の実施形態につき説明する。なお、以下で説明する数値や回路等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜選択可能である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The numerical values, circuits, etc. described below can be selected as appropriate without departing from the spirit of the present invention.

[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態にかかる照明装置10を示した図である。照明装置10は、電源供給回路VSと、発光素子群HSと、発光制御部HCと、を備えている。照明装置10は、例えばヘッドランプ、ウインカー、ハザードランプ、ブレーキランプなどの車載のエクステリアランプとして用いられるものであるが、これに限られない。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram showing an illumination device 10 according to the first embodiment of the present invention. The lighting device 10 includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HS, and a light emission control unit HC. Although the illuminating device 10 is used as vehicle-mounted exterior lamps, such as a headlamp, a blinker, a hazard lamp, a brake lamp, for example, it is not restricted to this.

電源供給回路VSは、例えば12Vの駆動電圧Vkを出力する。また、電源供給回路VSは、駆動電圧Vkの供給先の負荷に応じた大きさの電流値を備えた駆動電流Ikを供給可能である。   The power supply circuit VS outputs a drive voltage Vk of 12V, for example. Further, the power supply circuit VS can supply a drive current Ik having a current value of a magnitude corresponding to the load to which the drive voltage Vk is supplied.

発光素子群HSは、発光素子群HS1と、発光素子群HS2と、を備えている。発光素子群HSは、駆動電圧Vkが供給される負荷である。   The light emitting element group HS includes a light emitting element group HS1 and a light emitting element group HS2. The light emitting element group HS is a load to which the drive voltage Vk is supplied.

発光素子群HS1は、互いに直列に接続された複数の発光素子HS1aと、抵抗素子Rh1と、を備えている。発光素子HS1aは、LED(Light Emitting Diode)であり、自発光素子である。発光素子群HS1の一端としての発光素子HS1aのカソードは、抵抗素子Rh1の一端と接続されている。抵抗素子Rh1の他端は、駆動電圧Vkよりも電位が低い例えば0Vの第1の電源としての電源VSSに接続されている。なお、発光素子HS1aとしては、LEDに限られず、発光ポリマーなど自発光素子としての有機EL(Electro Luminescence)素子全般も適用可能である。   The light emitting element group HS1 includes a plurality of light emitting elements HS1a connected in series with each other, and a resistance element Rh1. The light emitting element HS1a is an LED (Light Emitting Diode) and is a self-light emitting element. The cathode of the light emitting element HS1a as one end of the light emitting element group HS1 is connected to one end of the resistance element Rh1. The other end of the resistance element Rh1 is connected to a power supply VSS as a first power supply having a potential lower than the drive voltage Vk, for example, 0V. Note that the light emitting element HS1a is not limited to an LED, and organic EL (Electro Luminescence) elements as self-luminous elements such as light emitting polymers are also applicable.

発光素子群HS1は、駆動電圧Vkに基づく発光電圧Vh1が発光基準電圧VH1以上にて自己の他端としての発光素子HS1aのアノードに印加されて、発光電流Ih1が発光素子HS1aの各々に流れると発光する。なお、発光電流Ih1の電流値は、抵抗素子Rh1の抵抗値に基づいて決まる。また、発光素子HS1aは、各々が内部抵抗を備えており、発光素子HS1aひとつ当たりの順方向電圧は例えば2Vであるとする。   In the light emitting element group HS1, when the light emission voltage Vh1 based on the drive voltage Vk is higher than the light emission reference voltage VH1 and applied to the anode of the light emitting element HS1a as the other end thereof, the light emission current Ih1 flows to each of the light emitting elements HS1a. Emits light. Note that the current value of the light emission current Ih1 is determined based on the resistance value of the resistance element Rh1. Each light emitting element HS1a has an internal resistance, and the forward voltage per light emitting element HS1a is 2 V, for example.

ここで、本実施形態において発光素子群HS1が発光するための発光基準電圧VH1は、発光素子群HS1が互いに直列に接続された順方向電圧が2Vの発光素子HS1aを3つ備えていることから、例えば6Vとなる。すなわち、発光素子群HS1が発光するためには、他端の発光素子HS1aのアノードに印加される発光電圧Vh1が6V以上である必要がある。   Here, in the present embodiment, the light emission reference voltage VH1 for the light emitting element group HS1 to emit light includes three light emitting elements HS1a having a forward voltage of 2V in which the light emitting element groups HS1 are connected in series. For example, 6V. That is, in order for the light emitting element group HS1 to emit light, the light emission voltage Vh1 applied to the anode of the light emitting element HS1a at the other end needs to be 6V or more.

ここで、「発光素子群HS1の他端としての発光素子HS1aのアノード」をノードNh1と称し、「発光素子群HS1の一端としての発光素子HS1aのカソード」をノードNh1aと称する。また、「発光電流Ih1が発光素子HS1aの各々に流れる」ことを、「発光電流Ih1が発光素子群HS1に流れる」と記載する。   Here, “the anode of the light emitting element HS1a as the other end of the light emitting element group HS1” is referred to as a node Nh1, and “the cathode of the light emitting element HS1a as one end of the light emitting element group HS1” is referred to as a node Nh1a. Further, “the light emission current Ih1 flows through each of the light emitting elements HS1a” is described as “the light emission current Ih1 flows through the light emitting element group HS1”.

発光素子群HS2は、互いに直列に接続された複数の発光素子HS2aと、抵抗素子Rh2と、を備えている。発光素子HS2aは、LED(Light Emitting Diode)であり、自発光素子である。発光素子群HS2の一端としての発光素子HS2aのカソードは、抵抗素子Rh2の一端と接続されている。抵抗素子Rh2の他端は電源VSSに接続されている。なお、発光素子HS2aとしては、LEDに限られず自発光素子としての有機EL(Electro Luminescence)素子全般も適用可能であり、これに限られない。   The light emitting element group HS2 includes a plurality of light emitting elements HS2a connected in series with each other and a resistance element Rh2. The light emitting element HS2a is an LED (Light Emitting Diode) and is a self light emitting element. The cathode of the light emitting element HS2a as one end of the light emitting element group HS2 is connected to one end of the resistance element Rh2. The other end of the resistance element Rh2 is connected to the power supply VSS. Note that the light emitting element HS2a is not limited to an LED, and an organic EL (Electro Luminescence) element as a self light emitting element can be applied in general, and is not limited thereto.

発光素子群HS2は、駆動電圧Vkに基づく発光電圧Vh2が発光基準電圧VH1よりも高い発光基準電圧VH2以上にて自己の他端としての発光素子HS2aのアノードに印加されて、発光電流Ih2が発光素子HS2aの各々に流れると発光する。なお、発光電流Ih2の電流値は、抵抗素子Rh2の抵抗値に基づいて決まる。また、発光素子HS2aは、各々が内部抵抗を備えており、発光素子HS2aひとつ当たりの順方向電圧は例えば2Vであるとする。   The light emitting element group HS2 is applied to the anode of the light emitting element HS2a as its other end when the light emission voltage Vh2 based on the drive voltage Vk is higher than the light emission reference voltage VH2 higher than the light emission reference voltage VH1, and the light emission current Ih2 emits light. Light is emitted when it flows to each of the elements HS2a. Note that the current value of the light emission current Ih2 is determined based on the resistance value of the resistance element Rh2. Further, each of the light emitting elements HS2a has an internal resistance, and the forward voltage per light emitting element HS2a is 2 V, for example.

ここで、本実施形態において発光素子群HS2が発光するための発光基準電圧VH2は、発光素子群HS2が互いに直列に接続された順方向電圧が2Vの発光素子HS2aを4つ備えていることから、例えば8Vとなる。すなわち、発光素子群HS2が発光するためには、他端の発光素子HS2aのアノードに印加される発光電圧Vh2が8V以上である必要がある。   Here, in the present embodiment, the light emission reference voltage VH2 for the light emitting element group HS2 to emit light includes four light emitting elements HS2a having a forward voltage of 2V in which the light emitting element groups HS2 are connected in series. For example, 8V. That is, in order for the light emitting element group HS2 to emit light, the light emission voltage Vh2 applied to the anode of the light emitting element HS2a at the other end needs to be 8V or more.

ここで、「発光素子群HS2の他端としての発光素子HS2aのアノード」をノードNh2と称し、「発光素子群HS2の一端としての発光素子HS2aのカソード」をノードNh2aと称する。また、「発光電流Ih2が発光素子HS2aの各々に流れる」ことを、「発光電流Ih2が発光素子群HS2に流れる」と記載する。   Here, “the anode of the light emitting element HS2a as the other end of the light emitting element group HS2” is referred to as a node Nh2, and “the cathode of the light emitting element HS2a as one end of the light emitting element group HS2” is referred to as a node Nh2a. Further, “the light emission current Ih2 flows through each of the light emitting elements HS2a” is described as “the light emission current Ih2 flows through the light emitting element group HS2.”

ここで、本実施形態において発光素子群HSが内部でばらつくことなく発光するためには、言い換えれば発光素子群HS1と発光素子群2とが同時に発光するためには、8Vである発光基準電圧VH2の方が6Vである発光基準電圧VH1よりも高いことから、発光基準電圧VH2である8Vよりも大きい電圧が発光電圧Vhとして発光素子群HSに印加される必要がある。ここで、発光素子群HSが内部でばらつくことなく発光するための電圧を、発光基準電圧VHと称する。発光素子群HSは、発光基準電圧VH2に基づく発光基準電圧VH以上の発光電圧Vhが印加された場合に発光する。なお、本実施形態においては、発光基準電圧VHは発光基準電圧VH2と同じ8Vである。   Here, in the present embodiment, in order for the light emitting element group HS to emit light without variation inside, in other words, for the light emitting element group HS1 and the light emitting element group 2 to emit light simultaneously, the light emission reference voltage VH2 which is 8V. Since the voltage is higher than the light emission reference voltage VH1 which is 6V, a voltage larger than the light emission reference voltage VH2 which is 8V needs to be applied to the light emitting element group HS as the light emission voltage Vh. Here, a voltage for causing the light emitting element group HS to emit light without variation therein is referred to as a light emission reference voltage VH. The light emitting element group HS emits light when a light emission voltage Vh equal to or higher than the light emission reference voltage VH based on the light emission reference voltage VH2 is applied. In the present embodiment, the light emission reference voltage VH is 8 V, which is the same as the light emission reference voltage VH2.

なお、本実施形態においては、発光素子群HS2は、発光素子群HS1に設けられた発光素子HS1aの数よりも多くの発光素子HS2aを備えている例を示したが、これに限られない。すなわち、本発明にかかる照明装置10は、発光素子群HS1が発光するために必要な発光基準電圧VH1と、発光素子群HS2が発光するために必要な発光基準電圧VH2と、が異なる場合に顕著な効果を奏するものであり、発光素子群HS1と発光素子群HS2とが備える発光素子の数が同じとなることを妨げるものではない。また、同様に、発光素子群HS1と発光素子群HS2とが互いに1つのLEDを備えるものであってもよい。   In the present embodiment, the example in which the light emitting element group HS2 includes more light emitting elements HS2a than the number of light emitting elements HS1a provided in the light emitting element group HS1 has been described, but the present invention is not limited thereto. That is, the illumination device 10 according to the present invention is remarkable when the light emission reference voltage VH1 necessary for the light emitting element group HS1 to emit light and the light emission reference voltage VH2 necessary for the light emitting element group HS2 to emit light are different. This does not prevent the number of light emitting elements included in the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 from being the same. Similarly, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 may include one LED.

ここで、仮に何の制御もなしに発光素子群HSに対して発光基準電圧VH1以上発光基準電圧VH2以下の発光電圧Vhが印加された場合には、発光素子群HS1が発光し、発光素子群HS2が発光しない状態となる。また、その後発光基準電圧VH2以上となった発光電圧Vhが発光素子群HSに印加された場合には、発光素子群HS1に加えて発光素子群HS2が発光することとなる。すなわち、発光素子群HSに基準電圧VH2よりも低い発光電圧Vhが印加された場合には、発光素子群HS1と発光素子群HS2との発光タイミングがばらつき、発光素子群HS全体としての発光が乱れてしまうおそれがある。特に、車載のエクステリアランプに用いられる場合には、発光素子群の発光の乱れが事故につながるおそれもある。本発明にかかる照明装置10では、このような問題の発生を防止する。   Here, if a light emission voltage Vh not lower than the light emission reference voltage VH1 and not higher than the light emission reference voltage VH2 is applied to the light emitting element group HS without any control, the light emitting element group HS1 emits light, and the light emitting element group HS2 does not emit light. Further, when the light emission voltage Vh that is equal to or higher than the light emission reference voltage VH2 is applied to the light emitting element group HS, the light emitting element group HS2 emits light in addition to the light emitting element group HS1. That is, when a light emission voltage Vh lower than the reference voltage VH2 is applied to the light emitting element group HS, the light emission timings of the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 vary, and the light emission as a whole of the light emitting element group HS is disturbed. There is a risk that. In particular, when used in an in-vehicle exterior lamp, disturbance of light emission of the light emitting element group may lead to an accident. In the illumination device 10 according to the present invention, such a problem is prevented from occurring.

発光制御部HCは、比較回路CNと、トランジスタP1と、を備えている。   The light emission control unit HC includes a comparison circuit CN and a transistor P1.

比較回路CNは、抵抗素子R1と、抵抗素子R2と、基準電源Ref1と、コンパレータCp1と、を備えている。   The comparison circuit CN includes a resistance element R1, a resistance element R2, a reference power source Ref1, and a comparator Cp1.

抵抗素子R1は、一端が電源供給回路VSと接続されており、抵抗値は例えば400Ωである。ここで、抵抗素子R1、言い換えれば比較回路CNと電源供給回路VSとの接続点をノードNd1と称する。抵抗素子R2は、一端が抵抗素子R1の他端と接続され、他端が電源VSSと接続されており、抵抗値は例えば200Ωである。ここで、抵抗素子R1の他端と抵抗素子R2の一端との接続点をノードNd2と称し、ノードNd2の電位を比較電圧Vcと称する。ノードNd2の電位は、駆動電圧Vkを抵抗素子R1と抵抗素子R2とによって分圧された電位となる。   One end of the resistance element R1 is connected to the power supply circuit VS, and the resistance value is, for example, 400Ω. Here, the connection point between the resistance element R1, in other words, the comparison circuit CN and the power supply circuit VS is referred to as a node Nd1. One end of the resistance element R2 is connected to the other end of the resistance element R1, the other end is connected to the power source VSS, and the resistance value is, for example, 200Ω. Here, a connection point between the other end of the resistance element R1 and one end of the resistance element R2 is referred to as a node Nd2, and a potential of the node Nd2 is referred to as a comparison voltage Vc. The potential of the node Nd2 is a potential obtained by dividing the drive voltage Vk by the resistance element R1 and the resistance element R2.

基準電源Ref1は、一端が電源VSSに接続されており、第1の基準電圧としての基準電圧Vref1を生成する。基準電圧Vref1は、発光基準電圧VHを抵抗素子R1と抵抗素子R2とで分圧したとする場合に得られる電圧値以上となるように設定されている。すなわち、基準電圧Vref1は、発光基準電圧VHに基づいて設定されている。本実施形態においては、基準電圧Vref1は、発光基準電圧VHである8Vを400Ωの抵抗素子R1と200Ωの抵抗素子R2とで分圧した2.6Vよりも高い、例えば3Vが設定されている。   One end of the reference power source Ref1 is connected to the power source VSS, and generates a reference voltage Vref1 as a first reference voltage. The reference voltage Vref1 is set to be equal to or higher than a voltage value obtained when the light emission reference voltage VH is divided by the resistance element R1 and the resistance element R2. That is, the reference voltage Vref1 is set based on the light emission reference voltage VH. In this embodiment, the reference voltage Vref1 is set to, for example, 3V, which is higher than 2.6V obtained by dividing 8V, which is the light emission reference voltage VH, by the resistance element R1 of 400Ω and the resistance element R2 of 200Ω.

コンパレータCp1は、反転端子にはノードNd2が接続されて比較電圧Vcが入力され、非反転端子には基準電源Ref1の他端が接続されて基準電圧Vref1が入力される。コンパレータCp1は、比較電圧Vcと基準電圧Vref1とを比較し、その比較結果として比較結果信号Vcr1を出力端子から出力する。コンパレータCp1は、比較電圧Vcが基準電圧Vref1よりも小さい場合には、例えば駆動電圧Vkとほぼ同じ電圧レベルでハイレベルの比較結果信号Vcr1を出力し、比較電圧Vcが基準電圧Vref1よりも大きい場合には、例えば0Vでローレベルの比較結果信号Vcr1を出力する。   In the comparator Cp1, the node Nd2 is connected to the inverting terminal and the comparison voltage Vc is input, and the other end of the reference power source Ref1 is connected to the non-inverting terminal and the reference voltage Vref1 is input. The comparator Cp1 compares the comparison voltage Vc with the reference voltage Vref1, and outputs a comparison result signal Vcr1 from the output terminal as the comparison result. For example, when the comparison voltage Vc is smaller than the reference voltage Vref1, the comparator Cp1 outputs a high-level comparison result signal Vcr1 at almost the same voltage level as the drive voltage Vk, and the comparison voltage Vc is larger than the reference voltage Vref1. For example, the low-level comparison result signal Vcr1 is output at 0V.

比較回路CNは、以上のように、電源供給回路VSに接続されており、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Vcr1として出力する。   As described above, the comparison circuit CN is connected to the power supply circuit VS, determines whether the drive voltage Vk is larger or smaller than the voltage based on the light emission reference voltage VH, and outputs the result as the comparison result signal Vcr1. .

トランジスタP1は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源供給回路VSに接続され、ドレイン端子DがノードNh1及びノードNh2に接続され、制御端子としてのゲート端子GがコンパレータCp1の出力端子、言い換えれば比較回路CNに接続されている。トランジスタP1は、比較回路CNから出力されゲート端子Gに入力される比較結果信号Vcr1によってオンオフが制御され、これにより発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御が行われる。   The transistor P1 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the power supply circuit VS, the drain terminal D is connected to the nodes Nh1 and Nh2, and the gate terminal G as a control terminal is the output terminal of the comparator Cp1, in other words It is connected to the comparison circuit CN. The transistor P1 is controlled to be turned on / off by a comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN and input to the gate terminal G, thereby performing light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS.

なお、トランジスタP1のドレイン端子DとノードNh1及びノードNh2の接続点をノードNd3と称する。発光素子群HS1と発光素子群HS2とは、トランジスタP1のドレイン端子Dとの接続点であるノードNd3において、互いに並列に接続されている。   Note that a connection point between the drain terminal D of the transistor P1 and the nodes Nh1 and Nh2 is referred to as a node Nd3. The light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 are connected in parallel to each other at a node Nd3 that is a connection point with the drain terminal D of the transistor P1.

トランジスタP1は、比較回路CNから出力されたハイレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。この場合、ノードNd3における電位は0Vとなり、これにより発光電圧Vhが0Vとなる。このため、発光素子群HS1に印加される発光電圧Vh1が0Vで発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1が停止されて0Aとなるため、発光素子群HS1は発光しない。また、発光素子群HS2に印加される発光電圧Vh2が0Vで発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2が0Aとなるため、発光素子群HS2は発光しない。   The transistor P1 is turned off when the high-level comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN is input to the gate terminal G. In this case, the potential at the node Nd3 becomes 0V, and thereby the light emission voltage Vh becomes 0V. For this reason, when the light emission voltage Vh1 applied to the light emitting element group HS1 is 0V, the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 is stopped and becomes 0A, so the light emitting element group HS1 does not emit light. Further, since the light emission voltage Vh2 applied to the light emitting element group HS2 is 0V and the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 is 0A, the light emitting element group HS2 does not emit light.

また、トランジスタP1は、比較回路CNから出力されたローレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオンする。この場合、ノードNd3における電位は例えば9V以上となり、発光電圧Vhは9V以上となる。このため、発光素子群HS1には、発光基準電圧VH1である6Vよりも高い発光電圧Vh1が印加されて発光電流Ih1が流れて発光素子群HS1が発光する。また、発光素子群HS2には、発光基準電圧VH2である8Vよりも高い発光電圧Vh2が印加されて発光電流Ih2が流れて発光素子群HS2が発光する。   The transistor P1 is turned on when the low-level comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN is input to the gate terminal G. In this case, the potential at the node Nd3 is 9 V or more, for example, and the light emission voltage Vh is 9 V or more. For this reason, the light emitting element group HS1 emits light by applying a light emission voltage Vh1 higher than 6 V, which is the light emission reference voltage VH1, to the light emitting element group HS1 and causing the light emission current Ih1 to flow. In addition, the light emitting element group HS2 emits light when a light emitting voltage Vh2 higher than the light emission reference voltage VH2 of 8V is applied to the light emitting element group HS2 and a light emitting current Ih2 flows.

発光制御部HCは、以上のように、駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には、トランジスタP1をオンさせて発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給可能とし、発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給可能とすることで発光素子群HSを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には、トランジスタP1をオフさせて発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給不可とし、発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給不可とすることで発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置10によれば、発光素子群HS1と発光素子群HS2とを同時に発光及び消灯させることができる。   As described above, the light emission control unit HC detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH, and when the drive voltage Vk is larger than the light emission reference voltage VH, the transistor P1 is turned on to emit light current. When the light emission control for causing the light emitting element group HS to emit light is performed by making it possible to supply Ih1 to the light emitting element group HS1 and supplying the light emission current Ih2 to the light emitting element group HS2, and the drive voltage Vk is smaller than the light emission reference voltage VH The light emission stop control is performed to stop the light emission of the light emitting element group HS by turning off the transistor P1 so that the light emission current Ih1 cannot be supplied to the light emitting element group HS1 and the light emission current Ih2 cannot be supplied to the light emitting element group HS2. Do. For this reason, according to the illuminating device 10 concerning this embodiment, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 can be light-emitted and light-extinguished simultaneously.

図2は、照明装置10を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。図2(a)は、時間変化における駆動電圧Vkの遷移を示している。図2(b)は、時間変化における比較電圧Vcの遷移と基準電圧Vref1との関係を示している。図2(c)は、時間変化における比較結果信号Vcr1の遷移を示している。図2(d)は、時間変化における発光電圧Vhの遷移を示している。図2(e)は、時間変化における発光電流Ih1及び発光電流Ih2の遷移を示している。なお、図2(a)〜(d)は、それぞれ縦軸が電圧V、横軸が時刻tであり、図2(e)は縦軸が電流I、横軸が時刻tであり、時刻t0〜t4は図2(a)〜(e)の共通の時刻として示している。   FIG. 2 is a diagram showing the transition of each signal waveform from the rise to the fall of the power supply for driving the illumination device 10. FIG. 2A shows the transition of the drive voltage Vk over time. FIG. 2B shows the relationship between the transition of the comparison voltage Vc and the reference voltage Vref1 over time. FIG. 2C shows the transition of the comparison result signal Vcr1 over time. FIG. 2D shows the transition of the light emission voltage Vh over time. FIG. 2E shows the transition of the light emission current Ih1 and the light emission current Ih2 over time. 2A to 2D, the vertical axis represents voltage V and the horizontal axis represents time t. In FIG. 2E, the vertical axis represents current I, the horizontal axis represents time t, and time t0. ~ T4 is shown as a common time in FIGS. 2 (a) to 2 (e).

時刻t0で、照明装置10を駆動させるための電源の駆動が開始されて、電源供給回路VSから出力される駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇を開始する。このとき、駆動電圧Vkを分圧して得られる比較電圧Vcは基準電圧Vref1の3V以下であるため、比較結果信号Vcr1は駆動電圧Vkとほぼ同レベルとなっており、トランジスタP1はオフされた状態となっている。このため、トランジスタP1から出力される発光電圧Vhは0Vとなっており、発光素子群HS1には発光電流Ih1が流れず、発光素子群HS2には発光電流Ih2が流れていない状態となっている。つまり、時刻t0では、発光素子群HSは消灯状態となっている。   At time t0, driving of the power source for driving the lighting device 10 is started, and the voltage level of the driving voltage Vk output from the power supply circuit VS starts to increase. At this time, since the comparison voltage Vc obtained by dividing the drive voltage Vk is 3V or less of the reference voltage Vref1, the comparison result signal Vcr1 is substantially at the same level as the drive voltage Vk, and the transistor P1 is turned off. It has become. For this reason, the light emission voltage Vh output from the transistor P1 is 0 V, the light emission current Ih1 does not flow through the light emitting element group HS1, and the light emission current Ih2 does not flow through the light emitting element group HS2. . That is, at the time t0, the light emitting element group HS is in an extinguished state.

時刻t1で、駆動電圧Vkが9Vとなると、比較電圧Vcは3Vとなって、基準電圧Vref1の3V以上となるので、比較結果信号Vcr1がローレベルに遷移する。これにより、トランジスタP1がオンして発光電圧Vhがおよそ9Vにて出力される。このとき、発光素子群HS1に印加されるおよそ9Vの発光電圧Vh1は発光基準電圧VH1である6Vよりも大きいため、発光素子群HS1に発光電流Ih1が流れて発光する。また、発光素子群HS2に印加されるおよそ9Vの発光電圧Vh2は発光基準電圧VH2である8Vよりも大きいため、発光素子群HS2に発光電流Ih2が流れて発光する。つまり、発光素子群HS1と発光素子群HS2とが同じタイミングでばらつくことなく発光する。   When the drive voltage Vk becomes 9V at time t1, the comparison voltage Vc becomes 3V, which is equal to or higher than 3V of the reference voltage Vref1, so that the comparison result signal Vcr1 transitions to a low level. Thereby, the transistor P1 is turned on and the light emission voltage Vh is output at about 9V. At this time, since the light emission voltage Vh1 of about 9V applied to the light emitting element group HS1 is larger than 6V which is the light emission reference voltage VH1, the light emission current Ih1 flows through the light emitting element group HS1 to emit light. Further, since the light emission voltage Vh2 of about 9V applied to the light emitting element group HS2 is higher than the light emission reference voltage VH2, which is 8V, the light emission current Ih2 flows through the light emitting element group HS2 to emit light. That is, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 emit light without variation at the same timing.

時刻t2で、照明装置10を駆動させるための電源の駆動が停止されると、駆動電圧Vkは低下を開始する。このとき、駆動電圧Vkを分圧して得られる比較電圧Vc、発光電圧Vh、駆動電圧Vkに基づきトランジスタP1から出力される発光電圧Vh、発光電流Ih1、及び発光電流Ih2も低下を開始する。   When driving of the power source for driving the illumination device 10 is stopped at time t2, the drive voltage Vk starts to decrease. At this time, the light emission voltage Vh, the light emission current Ih1, and the light emission current Ih2 output from the transistor P1 based on the comparison voltage Vc, the light emission voltage Vh, and the drive voltage Vk obtained by dividing the drive voltage Vk also start to decrease.

時刻t3で、低下した駆動電圧Vkが9V未満となると、比較電圧Vcは3V未満となる。これにより、比較結果信号Vcr1が駆動電圧Vkとほぼ同じレベルに遷移し、トランジスタP1がオフしてトランジスタP1からの発光電圧Vh、発光電流Ih1、及び発光電流Ih2の出力が停止される。これにより、発光素子群HS1への発光電流Ih1の供給及び発光素子群HS2への発光電流Ih2の供給が停止されて、発光素子群HS1と発光素子群HS2とが同時に消灯する。このとき、トランジスタP1は、発光電圧Vhが発光基準電圧VH2である8Vよりも高い状態の時点でオフするので、発光素子群HS1と発光素子群HS2とが異なるタイミングでばらついて消灯することがない。   When the lowered drive voltage Vk becomes less than 9V at time t3, the comparison voltage Vc becomes less than 3V. As a result, the comparison result signal Vcr1 transits to substantially the same level as the drive voltage Vk, the transistor P1 is turned off, and the output of the light emission voltage Vh, the light emission current Ih1, and the light emission current Ih2 from the transistor P1 is stopped. Thereby, the supply of the light emission current Ih1 to the light emitting element group HS1 and the supply of the light emission current Ih2 to the light emitting element group HS2 are stopped, and the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 are turned off simultaneously. At this time, since the transistor P1 is turned off when the light emission voltage Vh is higher than 8V which is the light emission reference voltage VH2, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 do not vary and turn off at different timings. .

時刻t4で、駆動電圧Vkが0Vまで低下する。これにより、照明装置10の駆動が停止状態となる。   At time t4, the drive voltage Vk decreases to 0V. Thereby, the drive of the illuminating device 10 will be in a halt condition.

以上、本発明の第1の実施形態にかかる照明装置10によれば、発光制御部HCにて駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には発光素子群HSを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、発光素子群HS1と発光素子群HS2との発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the lighting device 10 according to the first embodiment of the present invention, the light emission control unit HC detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH, and the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VH. If the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH, light emission stop control is performed to stop the light emission of the light emitting element group HS. For this reason, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2.

[第1の実施形態の第1の変形例]
図3は、本発明の第1の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置10aを示した図である。照明装置10aは、電源供給回路VSと、発光素子群HSと、発光制御部HCと、調光回路LC1と、調光回路LC2と、を備えている。本変形例にかかる照明装置10aは、図1に示した照明装置10と比較して新たに調光回路LC1と調光回路LC2とを備えている点で実質的に異なる。なお、図3に示した照明装置10aにおいては、図1に示した照明装置10と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[First Modification of First Embodiment]
FIG. 3 is a diagram showing an illuminating device 10a according to a first modification of the first embodiment of the present invention. The illumination device 10a includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HS, a light emission control unit HC, a dimming circuit LC1, and a dimming circuit LC2. The illumination device 10a according to the present modification is substantially different from the illumination device 10 shown in FIG. 1 in that it newly includes a dimming circuit LC1 and a dimming circuit LC2. In the lighting device 10a shown in FIG. 3, the same components as those of the lighting device 10 shown in FIG.

調光回路LC1は、一端がノードNd3、すなわちトランジスタP1のドレイン端子Dと接続され、他端がノードNh1と接続されている。言い換えれば、ノードNh1は、調光回路LC1を介してノードNd3に接続されている。調光回路LC1は、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS1の発光輝度を調整する。ここで、トランジスタP1は、オンされた場合には駆動電圧Vkを調光回路LC1に供給し、オフされた場合には、駆動電圧Vkを調光回路LC1に供給することを停止する。   The dimming circuit LC1 has one end connected to the node Nd3, that is, the drain terminal D of the transistor P1, and the other end connected to the node Nh1. In other words, the node Nh1 is connected to the node Nd3 via the dimming circuit LC1. The light control circuit LC1 adjusts the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 to a predetermined current value, and thereby adjusts the light emission luminance of the light emitting element group HS1. Here, the transistor P1 supplies the driving voltage Vk to the dimming circuit LC1 when turned on, and stops supplying the driving voltage Vk to the dimming circuit LC1 when turned off.

なお、調光回路LC1としては、発光素子群HS1に流れている電流値に基づいて発光素子群HS1に流す電流量を調整する構成としても良いし、PWM制御により予め所定の電流量を発光素子群HS1に流すような構成としても良いし、これらに限られず種々構成が適用できる。また、照明装置10aは、調光回路LC1を備えているので、抵抗素子Rh1によらずに、又は抵抗素子Rh1と共に、調光回路LC1にて発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1の電流値を決めるようにしても良い。また、本実施形態にかかる照明装置10aにおいては、調光回路LC1がノードNd3とノードNh1との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路LC1は、ノードNh1aと電源VSSとの間に接続されていても良い。   The dimming circuit LC1 may be configured to adjust the amount of current flowing through the light emitting element group HS1 based on the value of the current flowing through the light emitting element group HS1. It is good also as a structure which flows into group HS1, and it is not restricted to these, Various structures are applicable. Moreover, since the illuminating device 10a includes the dimming circuit LC1, the current value of the light emission current Ih1 that flows through the light emitting element group HS1 in the dimming circuit LC1 without using the resistive element Rh1 or together with the resistive element Rh1. It may be decided. In the lighting device 10a according to the present embodiment, the configuration in which the dimming circuit LC1 is connected between the node Nd3 and the node Nh1 has been described. However, the configuration is not limited thereto, and the dimming circuit LC1 includes the node Nh1a. And the power supply VSS.

調光回路LC2は、一端がノードNd3、すなわちトランジスタP1のドレイン端子Dと接続され、他端がノードNh2と接続されている。言い換えれば、ノードNh2は、調光回路LC2を介してノードNd3に接続されている。これにより、互いに直列に接続された調光回路LC2及び発光素子群HS2は、互いに直列に接続された調光回路LC1及び発光素子群HS1とノードNd3において互いに並列に接続されている。調光回路LC2は、発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS2の発光輝度を調整する。ここで、トランジスタP1は、オンされた場合には駆動電圧Vkを調光回路LC2に供給し、オフされた場合には、駆動電圧Vkを調光回路LC2に供給することを停止する。   The dimming circuit LC2 has one end connected to the node Nd3, that is, the drain terminal D of the transistor P1, and the other end connected to the node Nh2. In other words, the node Nh2 is connected to the node Nd3 via the dimming circuit LC2. Thereby, the light control circuit LC2 and the light emitting element group HS2 connected in series with each other are connected in parallel with each other at the node Nd3 with the light control circuit LC1 and the light emitting element group HS1 connected in series with each other. The light control circuit LC2 adjusts the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 to a predetermined current value, thereby adjusting the light emission luminance of the light emitting element group HS2. Here, the transistor P1 supplies the driving voltage Vk to the dimming circuit LC2 when turned on, and stops supplying the driving voltage Vk to the dimming circuit LC2 when turned off.

なお、調光回路LC2としては、発光素子群HS2に流れている電流値に基づいて発光素子群HS2に流す電流量を調整する構成としても良いし、PWM制御により予め所定の電流量を発光素子群HS2に流すような構成としても良いし、これらに限られず種々構成が適用できる。また、照明装置10aは、調光回路LC2を備えているので、抵抗素子Rh2によらずに、又は抵抗素子Rh2と共に、調光回路LC2にて発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2の電流値を決めるようにしても良い。また、本実施形態にかかる照明装置10aにおいては、調光回路LC2がノードNd3とノードNh2との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路LC2は、ノードNh2aと電源VSSとの間に接続されていても良い。   The dimming circuit LC2 may be configured to adjust the amount of current flowing through the light emitting element group HS2 based on the value of the current flowing through the light emitting element group HS2, or a predetermined current amount may be adjusted in advance by PWM control. It is good also as a structure which flows into group HS2, and it is not restricted to these, Various structures are applicable. Moreover, since the illuminating device 10a includes the dimming circuit LC2, the current value of the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 in the dimming circuit LC2 without using the resistive element Rh2 or together with the resistive element Rh2 is determined. It may be decided. In the lighting device 10a according to the present embodiment, the configuration in which the dimming circuit LC2 is connected between the node Nd3 and the node Nh2 has been described. However, the configuration is not limited thereto, and the dimming circuit LC2 includes the node Nh2a. And the power supply VSS.

[第1の実施形態の第2の変形例]
図4は、本発明の第1の実施形態の第2の変形例にかかる照明装置10bを示した図である。照明装置10bは、電源供給回路VSと、発光素子群HSと、調光回路LC1と、調光回路LC2と、発光制御部HCaと、を備えている。本変形例にかかる照明装置10bは、図3に示した照明装置10aと比較して、発光制御部HCに代えて発光制御部HCaを備えている点で実質的に異なる。なお、図4に示した照明装置10bにおいては、図1に示した照明装置10、又は図3に示した照明装置10aと同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Second Modification of First Embodiment]
FIG. 4 is a view showing an illuminating device 10b according to a second modification of the first embodiment of the present invention. The illumination device 10b includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HS, a dimming circuit LC1, a dimming circuit LC2, and a light emission control unit HCa. The illumination device 10b according to the present modification is substantially different from the illumination device 10a shown in FIG. 3 in that a light emission control unit HCa is provided instead of the light emission control unit HC. In the illumination device 10b shown in FIG. 4, the same components as those in the illumination device 10 shown in FIG. 1 or the illumination device 10a shown in FIG.

調光回路LC1は、一端がノードNd1に接続され、これにより電源供給回路VSに接続されて構成されている。調光回路LC1は、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1が、所定の電流値となるように調整する。   The dimming circuit LC1 is configured such that one end is connected to the node Nd1 and is thereby connected to the power supply circuit VS. The light control circuit LC1 adjusts the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 so as to have a predetermined current value.

調光回路LC2は、一端がノードNd1に接続され、これにより電源供給回路VSに接続されて構成されている。調光回路LC2は、発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2が、所定の電流値となるように調整する。   The dimming circuit LC2 is configured such that one end is connected to the node Nd1 and is thereby connected to the power supply circuit VS. The light control circuit LC2 adjusts the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 so as to have a predetermined current value.

発光制御部HCaは、比較回路CNと、トランジスタP2と、トランジスタP3と、を備えている。   The light emission control unit HCa includes a comparison circuit CN, a transistor P2, and a transistor P3.

トランジスタP2は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC1の他端に接続され、ドレイン端子DがノードNh1に接続され、制御端子としてのゲート端子Gが比較回路CNに接続されている。トランジスタP2は、比較回路CNから出力されゲート端子Gに入力される比較結果信号Vcr1によってオンオフが制御され、これにより、発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御が行われる。トランジスタP2は、オンした場合には、電源供給回路VSから調光回路LC1を介してソース端子Sに供給される駆動電圧Vkを発光電圧Vh1としてドレイン端子Dから出力する。   The transistor P2 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the other end of the dimming circuit LC1, the drain terminal D is connected to the node Nh1, and the gate terminal G as a control terminal is connected to the comparison circuit CN. . The transistor P2 is controlled to be turned on / off by a comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN and input to the gate terminal G, thereby performing light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS. When the transistor P2 is turned on, the drive voltage Vk supplied from the power supply circuit VS to the source terminal S via the dimming circuit LC1 is output from the drain terminal D as the light emission voltage Vh1.

トランジスタP2は、比較回路CNから出力されたハイレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。この場合、発光素子群HS1に印加される発光電圧Vh1は0Vで発光素子群HS1に供給され流れる発光電流Ih1は0Aとなる、すなわち発光電流Ih1の発光素子群HS1への供給が停止されるため、発光素子群HS1は発光しない。また、トランジスタP2は、比較回路CNから出力されたローレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオンする。この場合、発光素子群HS1に印加される発光電圧Vh1は発光基準電圧VH1よりも高い9V以上となる。このため、発光素子群HS1には、発光基準電圧VH1である6Vよりも高い発光電圧Vh1が印加されて発光電流Ih1が供給され流れる。これにより発光素子群HS1が発光する。   The transistor P2 is turned off when the high-level comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN is input to the gate terminal G. In this case, the light emission voltage Vh1 applied to the light emitting element group HS1 is 0V, and the light emission current Ih1 supplied to the light emitting element group HS1 is 0A. That is, the supply of the light emission current Ih1 to the light emitting element group HS1 is stopped. The light emitting element group HS1 does not emit light. The transistor P2 is turned on when the low-level comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN is input to the gate terminal G. In this case, the light emission voltage Vh1 applied to the light emitting element group HS1 is 9 V or higher, which is higher than the light emission reference voltage VH1. For this reason, the light emitting voltage Vh1 higher than 6V which is the light emission reference voltage VH1 is applied to the light emitting element group HS1, and the light emission current Ih1 is supplied and flows. Thereby, the light emitting element group HS1 emits light.

トランジスタP3は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC2の他端に接続され、ドレイン端子DがノードNh2に接続され、制御端子としてのゲート端子Gが比較回路CNに接続されている。トランジスタP3は、比較回路CNから出力されゲート端子Gに入力される比較結果信号Vcr1によってオンオフが制御され、これにより、発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御が行われる。トランジスタP3は、オンした場合には、電源供給回路VSから調光回路LC2を介してソース端子Sに供給される駆動電圧Vkを発光電圧Vh2としてドレイン端子Dから出力する。   The transistor P3 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the other end of the dimming circuit LC2, the drain terminal D is connected to the node Nh2, and the gate terminal G as a control terminal is connected to the comparison circuit CN. . The transistor P3 is controlled to be turned on / off by the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN and input to the gate terminal G, thereby performing light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS. When the transistor P3 is turned on, the drive voltage Vk supplied from the power supply circuit VS to the source terminal S via the dimming circuit LC2 is output from the drain terminal D as the light emission voltage Vh2.

トランジスタP3は、比較回路CNから出力されたハイレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。この場合、発光素子群HS1に印加される発光電圧Vh2は0Vで発光素子群HS2に供給され流れる発光電流Ih2は0Aとなる、すなわち発光電流Ih2の発光素子群HS2への供給が停止されるため、発光素子群HS2は発光しない。また、トランジスタP3は、比較回路CNから出力されたローレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオンする。この場合、発光素子群HS2に印加される発光電圧Vh2は発光基準電圧VH2よりも高い9V以上となる。このため、発光素子群HS2には、発光基準電圧VH2である8Vよりも高い発光電圧Vh2が印加されて発光電流Ih2が供給され流れる。これにより発光素子群HS2が発光する。   The transistor P3 is turned off when the high-level comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN is input to the gate terminal G. In this case, the light emission voltage Vh2 applied to the light emitting element group HS1 is 0V, and the light emission current Ih2 supplied and flowing to the light emitting element group HS2 is 0A. That is, the supply of the light emission current Ih2 to the light emitting element group HS2 is stopped. The light emitting element group HS2 does not emit light. The transistor P3 is turned on when the low-level comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN is input to the gate terminal G. In this case, the light emission voltage Vh2 applied to the light emitting element group HS2 is 9 V or higher, which is higher than the light emission reference voltage VH2. For this reason, a light emission voltage Vh2 higher than 8V, which is the light emission reference voltage VH2, is applied to the light emitting element group HS2 to supply and flow a light emission current Ih2. Thereby, the light emitting element group HS2 emits light.

ここで、互いに直列に接続された調光回路LC1及び発光素子群HS1は、互いに直列に接続された調光回路LC2及び発光素子群HS2と電源供給回路VSにおいて互いに並列に接続されている。   Here, the light control circuit LC1 and the light emitting element group HS1 connected in series with each other are connected in parallel with each other in the light control circuit LC2 and the light emitting element group HS2 connected in series with each other in the power supply circuit VS.

発光制御部HCaは、以上のように、駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には、トランジスタP2をオンさせて発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給可能とし、トランジスタP3をオンさせて発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給可能とすることで発光素子群HSを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には、トランジスタP2をオフさせて発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給不可とし、トランジスタP3をオフさせて発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給不可とすることで発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置10bによれば、発光素子群HS1と発光素子群HS2とを同時に発光及び消灯させることができる。   As described above, the light emission control unit HCa detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH. When the drive voltage Vk is larger than the light emission reference voltage VH, the light emission current is controlled by turning on the transistor P2. Ih1 can be supplied to the light emitting element group HS1, and the transistor P3 is turned on so that the light emission current Ih2 can be supplied to the light emitting element group HS2, thereby performing light emission control for causing the light emitting element group HS to emit light. When the voltage is lower than the voltage VH, the transistor P2 is turned off so that the light emission current Ih1 cannot be supplied to the light emitting element group HS1, and the transistor P3 is turned off so that the light emission current Ih2 cannot be supplied to the light emitting element group HS2. Light emission stop control for stopping the light emission of the element group HS is performed. For this reason, according to the illuminating device 10b concerning this embodiment, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 can be light-emitted and light-extinguished simultaneously.

なお、本発明の第1の実施形態の第2の変形例にかかる照明装置10bは、照明装置10におけるトランジスタP1に代えてトランジスタP2とトランジスタP3とを設けているため、発光素子群HS1を発光させるために発光素子群HS1に流す発光電流Ih1と、発光素子群HS2を発光させるために発光素子群HS2に流す発光電流Ih2と、を電源供給回路VSから異なるトランジスタを経由して発光素子群HS1と発光素子群HS2とに供給することができる。このため、照明装置10にてトランジスタP1に集中していた電流をトランジスタP2とトランジスタP3とに分散することができ、ひいては照明装置内における熱の局所的な集中を防止することができる。本効果は、発光素子群HSが備える発光素子数や互いに並列に接続される発光素子群の数が増えることに比例して大きくなることはいうまでもない。   The illumination device 10b according to the second modification of the first embodiment of the present invention includes the transistor P2 and the transistor P3 instead of the transistor P1 in the illumination device 10, and thus emits the light emitting element group HS1. The light emitting current Ih1 that flows to the light emitting element group HS1 to cause the light emitting element group HS2 to emit light and the light emitting current Ih2 that flows to the light emitting element group HS2 to cause the light emitting element group HS2 to emit light are emitted from the power supply circuit VS via different transistors. And the light emitting element group HS2. For this reason, the current concentrated on the transistor P1 in the lighting device 10 can be distributed to the transistor P2 and the transistor P3, so that local concentration of heat in the lighting device can be prevented. Needless to say, this effect increases in proportion to an increase in the number of light emitting elements included in the light emitting element group HS and the number of light emitting element groups connected in parallel to each other.

[第2の実施形態]
図5は、本発明の第2の実施形態にかかる照明装置20を示した図である。照明装置20は、電源供給回路VSと、発光素子群HSと、発光制御部HCbと、を備えている。本実施形態にかかる照明装置20は、図1に示した照明装置10と比較して、発光制御部HCに代えて発光制御部HCbを備えている点で実質的に異なっている。なお、図5に示した照明装置20においては、図1に示した照明装置10と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Second Embodiment]
FIG. 5 is a view showing an illumination device 20 according to the second embodiment of the present invention. The lighting device 20 includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HS, and a light emission control unit HCb. The illumination device 20 according to the present embodiment is substantially different from the illumination device 10 shown in FIG. 1 in that a light emission control unit HCb is provided instead of the light emission control unit HC. In the illuminating device 20 shown in FIG. 5, the same components as those in the illuminating device 10 shown in FIG.

発光素子群HS1は、他端が電源供給回路VSと接続されている。また、発光素子群HS2は、他端が電源供給回路VSと接続されている。これにより、発光素子群HS1の各々の発光素子HS1aと発光素子群HS2の各々の発光素子HS2aとは、電源供給回路VSにおいて互いに並列に接続されている。なお、照明装置20における発光素子群HS1は、照明装置10の抵抗素子Rh1に代えて、一端が電源供給回路VSと接続され、他端がノードNh1と接続された抵抗素子Rh3と備えている。発光電流Ih1は、各発光素子HS1aと抵抗素子Rh3の抵抗値に基づいて決まる。また、照明装置20における発光素子群HS2は、照明装置10の抵抗素子Rh2に代えて、一端が電源供給回路VSと接続され、他端がノードNh2と接続された抵抗素子Rh4と備えている。発光電流Ih2は、各発光素子HS2aと抵抗素子Rh4の抵抗値に基づいて決まる。また、抵抗素子Rh3の抵抗値は抵抗素子Rh4の抵抗値よりも大きく、発光素子HS1aの内部抵抗と抵抗素子Rh3との直列抵抗値と発光電流Ih1とによって決まる電圧とが、発光素子HS2aの内部抵抗と抵抗素子Rh4との直列抵抗値と発光電流Ih2によって決まる電圧と同じになるように形成されている。これにより、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1と発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2との電流値を同じにして発光素子群HS1と発光素子群HS2との発光輝度が同じになるように形成されている。ただし、発光素子群HS1と発光素子群HS2との発光輝度を同じにする必要がない場合には、必ずしも、抵抗素子Rh3の抵抗値を抵抗素子Rh4の抵抗値よりも大きくする必要はない。   The other end of the light emitting element group HS1 is connected to the power supply circuit VS. The other end of the light emitting element group HS2 is connected to the power supply circuit VS. Thereby, each light emitting element HS1a of the light emitting element group HS1 and each light emitting element HS2a of the light emitting element group HS2 are connected in parallel to each other in the power supply circuit VS. The light emitting element group HS1 in the lighting device 20 includes a resistance element Rh3 having one end connected to the power supply circuit VS and the other end connected to the node Nh1, instead of the resistance element Rh1 of the lighting device 10. The light emission current Ih1 is determined based on the resistance values of the light emitting elements HS1a and the resistance element Rh3. The light emitting element group HS2 in the lighting device 20 includes a resistance element Rh4 having one end connected to the power supply circuit VS and the other end connected to the node Nh2, instead of the resistance element Rh2 of the lighting device 10. The light emission current Ih2 is determined based on the resistance values of the light emitting elements HS2a and the resistance element Rh4. Further, the resistance value of the resistance element Rh3 is larger than the resistance value of the resistance element Rh4, and the voltage determined by the internal resistance of the light emitting element HS1a, the series resistance value of the resistance element Rh3, and the light emission current Ih1 is internal to the light emitting element HS2a. The voltage is determined to be the same as the voltage determined by the series resistance value of the resistor and the resistor element Rh4 and the light emission current Ih2. Thus, the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 and the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 are made the same so that the light emission luminances of the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 are the same. Has been. However, when it is not necessary to make the light emission luminances of the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 the same, the resistance value of the resistance element Rh3 does not necessarily need to be larger than the resistance value of the resistance element Rh4.

発光制御部HCbは、比較回路CNaと、トランジスタN1と、トランジスタN2と、を備えている。   The light emission control unit HCb includes a comparison circuit CNa, a transistor N1, and a transistor N2.

比較回路CNaは、抵抗素子R1と、抵抗素子R2と、基準電源Ref1と、コンパレータCp2と、を備えている。なお、抵抗素子R1と電源供給回路VSとの接続点はNd1であるので、本実施形態においては、ノードNd1は、言い換えれば、比較回路CNaと電源供給回路VSとの接続点となる。   The comparison circuit CNa includes a resistance element R1, a resistance element R2, a reference power source Ref1, and a comparator Cp2. Since the connection point between the resistance element R1 and the power supply circuit VS is Nd1, in this embodiment, the node Nd1 is, in other words, the connection point between the comparison circuit CNa and the power supply circuit VS.

コンパレータCp2は、非反転端子にはノードNd2が接続されて比較電圧Vcが入力され、反転端子には基準電源Ref1の他端が接続されて基準電圧Vref1が入力される。コンパレータCp2は、比較電圧Vcと基準電圧Vref1とを比較し、比較結果として比較結果信号Vcr2を出力端子から出力する。コンパレータCp2は、比較電圧Vcが基準電圧Vref1よりも小さい場合には、例えば0Vでローレベルの比較結果信号Vcr2を出力し、比較電圧Vcが基準電圧Vref1よりも大きい場合には、例えば駆動電圧Vkとほぼ同じ電圧レベルでハイレベルの比較結果信号Vcr2を出力する。   In the comparator Cp2, the node Nd2 is connected to the non-inverting terminal and the comparison voltage Vc is input, and the other end of the reference power source Ref1 is connected to the inverting terminal and the reference voltage Vref1 is input. The comparator Cp2 compares the comparison voltage Vc with the reference voltage Vref1, and outputs a comparison result signal Vcr2 from the output terminal as a comparison result. When the comparison voltage Vc is smaller than the reference voltage Vref1, the comparator Cp2 outputs a low-level comparison result signal Vcr2 at, for example, 0V, and when the comparison voltage Vc is larger than the reference voltage Vref1, for example, the driving voltage Vk. A high-level comparison result signal Vcr2 is output at substantially the same voltage level.

比較回路CNaは、以上のように、電源供給回路VSに接続されており、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Vcr2として出力する。   As described above, the comparison circuit CNa is connected to the power supply circuit VS, determines whether the drive voltage Vk is larger or smaller than the voltage based on the light emission reference voltage VH, and outputs the result as the comparison result signal Vcr2. .

トランジスタN1は、NMOSトランジスタであり、制御端子としてのゲート端子GがコンパレータCp2の出力端子、言い換えれば比較回路CNaに接続され、ドレイン端子DがノードNh1aに接続され、ソース端子Sが電源VSSに接続されている。言い換えれば、ノードNh1aは、トランジスタN1を介して電源VSSに接続されている。トランジスタN1は、比較回路CNaから出力されゲート端子Gに入力される比較結果信号Vcr2によってオンオフが制御され、これにより発光素子群HS1の発光制御及び発光停止制御が行われる。   The transistor N1 is an NMOS transistor, the gate terminal G as a control terminal is connected to the output terminal of the comparator Cp2, in other words, the comparison circuit CNa, the drain terminal D is connected to the node Nh1a, and the source terminal S is connected to the power supply VSS. Has been. In other words, the node Nh1a is connected to the power supply VSS via the transistor N1. The transistor N1 is controlled to be turned on / off by a comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and input to the gate terminal G, thereby performing light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS1.

トランジスタN1は、比較回路CNaから出力されたローレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。この場合、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1は停止されて0Aとなる、すなわち発光電流Ih1の発光素子群HS1への供給が停止されるため、発光素子群HS1は発光しない。また、トランジスタN1は、コンパレータCp2から出力されたハイレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にオンする。この場合、発光素子群HS1には、基準電圧VH1よりも高い発光電圧Vh1が印加されていることから、発光素子群HS1には発光電流Ih1が流れる。これにより、発光素子群HS1が発光する。   The transistor N1 is turned off when the low-level comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa is input to the gate terminal G. In this case, the light emitting current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 is stopped and becomes 0A, that is, the supply of the light emitting current Ih1 to the light emitting element group HS1 is stopped, and thus the light emitting element group HS1 does not emit light. The transistor N1 is turned on when the high-level comparison result signal Vcr2 output from the comparator Cp2 is input to the gate terminal G. In this case, since the light emitting voltage Vh1 higher than the reference voltage VH1 is applied to the light emitting element group HS1, the light emitting current Ih1 flows through the light emitting element group HS1. Thereby, the light emitting element group HS1 emits light.

トランジスタN2は、NMOSトランジスタであり、制御端子としてのゲート端子GがコンパレータCp2の出力端子、言い換えれば比較回路CNaに接続され、ドレイン端子DがノードNh2aに接続され、ソース端子Sが電源VSSに接続されている。言い換えれば、ノードNh2aは、トランジスタN2を介して電源VSSに接続されている。トランジスタN2は、比較回路CNaから出力されゲート端子Gに入力される比較結果信号Vcr2によってオンオフが制御され、これにより発光素子群HS2の発光制御及び発光停止制御が行われる。   The transistor N2 is an NMOS transistor, the gate terminal G as a control terminal is connected to the output terminal of the comparator Cp2, in other words, the comparison circuit CNa, the drain terminal D is connected to the node Nh2a, and the source terminal S is connected to the power supply VSS. Has been. In other words, the node Nh2a is connected to the power supply VSS via the transistor N2. The transistor N2 is controlled to be turned on / off by a comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and input to the gate terminal G, thereby performing light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS2.

トランジスタN2は、比較回路CNaから出力されたローレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。この場合、発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2は停止されて0Aとなる、すなわち発光電流Ih2の発光素子群HS2への供給が停止されるため、発光素子群HS2は発光しない。また、トランジスタN2は、コンパレータCp2から出力されたハイレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にオンする。この場合、発光素子群HS2には、基準電圧VH1よりも高い発光電圧Vh2が印加されていることから、発光素子群HS2には発光電流Ih2が流れる。これにより、発光素子群HS2が発光する。   The transistor N2 is turned off when the low-level comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa is input to the gate terminal G. In this case, the light emitting current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 is stopped and becomes 0A, that is, the supply of the light emitting current Ih2 to the light emitting element group HS2 is stopped, and thus the light emitting element group HS2 does not emit light. The transistor N2 is turned on when the high-level comparison result signal Vcr2 output from the comparator Cp2 is input to the gate terminal G. In this case, since the light emission voltage Vh2 higher than the reference voltage VH1 is applied to the light emitting element group HS2, the light emission current Ih2 flows through the light emitting element group HS2. Thereby, the light emitting element group HS2 emits light.

発光制御部HCbは、以上のように、駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には、トランジスタN1をオンさせて発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給可能とし、トランジスタN2をオンさせて発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給可能とすることで発光素子群HSを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には、トランジスタN1をオフさせて発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給不可とし、トランジスタN2をオフさせて発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給不可とすることで発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置20によれば、発光素子群HS1と発光素子群HS2とを同時に発光及び消灯させることができる。   As described above, the light emission control unit HCb detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH. When the drive voltage Vk is larger than the light emission reference voltage VH, the light emission current is turned on. Ih1 can be supplied to the light emitting element group HS1, the transistor N2 is turned on, and the light emission current Ih2 can be supplied to the light emitting element group HS2, thereby performing light emission control for causing the light emitting element group HS to emit light. When the voltage is lower than the voltage VH, the transistor N1 is turned off so that the light emission current Ih1 cannot be supplied to the light emitting element group HS1, and the transistor N2 is turned off so that the light emission current Ih2 cannot be supplied to the light emitting element group HS2. Light emission stop control for stopping the light emission of the element group HS is performed. For this reason, according to the illuminating device 20 concerning this embodiment, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 can be light-emitted and light-extinguished simultaneously.

なお、照明装置20は、ノードNh1aと電源VSSとに接続したトランジスタN1と、ノードNh2aと電源VSSとに接続したトランジスタN2と、のオンオフを制御することによって発光制御及び発光停止制御を行うようにしているので、第1の実施形態にかかる照明装置10、10a、及び10bのように、発光制御及び発光停止制御を行うためのPMOSトランジスタを電源供給回路VSと発光素子群HS1及び発光素子群HS2との間に接続する必要がない。このため、電源供給回路VSから出力した駆動電圧Vkに基づく発光電圧Vh1を、電圧降下を発生させることなく発光素子群HS1に供給することができ、発光電圧Vh2を、電圧降下を発生させることなく発光素子群HS2に供給することができる。したがって、より低い駆動電圧Vkにて発光素子群HS1及び発光素子群HS2を発光させることができる。   Note that the lighting device 20 performs light emission control and light emission stop control by controlling on / off of the transistor N1 connected to the node Nh1a and the power supply VSS and the transistor N2 connected to the node Nh2a and the power supply VSS. Therefore, as in the illumination devices 10, 10a, and 10b according to the first embodiment, the PMOS transistors for performing the light emission control and the light emission stop control are provided with the power supply circuit VS, the light emitting element group HS1, and the light emitting element group HS2. There is no need to connect between. Therefore, the light emission voltage Vh1 based on the drive voltage Vk output from the power supply circuit VS can be supplied to the light emitting element group HS1 without causing a voltage drop, and the light emission voltage Vh2 can be supplied without causing a voltage drop. The light can be supplied to the light emitting element group HS2. Therefore, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 can be made to emit light at a lower drive voltage Vk.

また、照明装置20は、ノードNh1aと電源VSSとに接続したトランジスタN1と、ノードNh2aと電源VSSとに接続したトランジスタN2と、のオンオフを制御することによって発光制御及び発光停止制御を行うようにしているので、第1の実施形態にかかる照明装置10、10a、及び10bのように、発光制御及び発光停止制御を行うためにPMOSトランジスタを用いる必要がない。つまり、同等の駆動能力をPMOSトランジスタよりも小さなサイズで実現できるNMOSトランジスタにより発光制御及び発光停止制御を行うようにしたので、第1の実施形態にかかる照明装置10、10a、及び10bと比較してより照明装置の省面積化を図ることができる。   The lighting device 20 performs light emission control and light emission stop control by controlling on / off of the transistor N1 connected to the node Nh1a and the power supply VSS and the transistor N2 connected to the node Nh2a and the power supply VSS. Therefore, unlike the lighting devices 10, 10 a, and 10 b according to the first embodiment, it is not necessary to use a PMOS transistor to perform light emission control and light emission stop control. That is, since the light emission control and the light emission stop control are performed by the NMOS transistor that can realize the equivalent driving capability in a smaller size than the PMOS transistor, compared with the illumination devices 10, 10a, and 10b according to the first embodiment. Thus, the area of the lighting device can be reduced.

図6は、照明装置20を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。図6(a)は、時間変化における駆動電圧Vkの遷移を示している。図6(b)は、時間変化における比較電圧Vcの遷移と基準電圧Vref1との関係を示している。図6(c)は、時間変化における比較結果信号Vcr2の遷移を示している。図6(d)は、時間変化における発光電圧Vh1及び発光電圧Vh2の遷移を示している。図6(e)は、時間変化における発光電流Ih1及び発光電流Ih2の遷移を示している。なお、図6(a)〜(d)は、それぞれ縦軸が電圧V、横軸が時刻tであり、図6(e)は縦軸が電流I、横軸が時刻tであり、時刻t10〜t14は図6(a)〜(e)の共通の時刻として示している。また、図6(e)においては、発光電流Ih1と発光電流Ih2とを同じ電流値として示しているが、実際はこれに限られない。また、図6においては、第1の実施形態にかかる図2にて説明した信号波形については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。   FIG. 6 is a diagram illustrating the transition of each signal waveform from the rise to the fall of the power supply for driving the lighting device 20. FIG. 6A shows the transition of the drive voltage Vk over time. FIG. 6B shows the relationship between the transition of the comparison voltage Vc and the reference voltage Vref1 over time. FIG. 6C shows the transition of the comparison result signal Vcr2 over time. FIG. 6D shows transition of the light emission voltage Vh1 and the light emission voltage Vh2 over time. FIG. 6E shows the transition of the light emission current Ih1 and the light emission current Ih2 over time. 6A to 6D, the vertical axis represents voltage V and the horizontal axis represents time t. In FIG. 6E, the vertical axis represents current I, the horizontal axis represents time t, and time t10. ~ T14 is shown as a common time in FIGS. 6 (a) to 6 (e). Further, in FIG. 6E, the light emission current Ih1 and the light emission current Ih2 are shown as the same current value, but the present invention is not limited to this. In FIG. 6, the signal waveforms described in FIG. 2 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate.

時刻t10で、照明装置20を駆動させるための電源の駆動が開始されて駆動電圧Vkの上昇が開始する。このとき、比較電圧Vcは基準電圧Vref1の3V以下であるため、比較結果信号Vcr2はローレベルとなっている。また、比較結果信号Vcr2がローレベルであることからトランジスタN1及びトランジスタN2はオフされた状態となっており、発光素子群HS1には発光電流Ih1が流れず、発光素子群HS2には発光電流Ih2が流れない状態となっている。つまり、時刻t10では発光素子群HSは消灯状態となっている。   At time t10, driving of the power source for driving the lighting device 20 is started, and the drive voltage Vk starts to rise. At this time, since the comparison voltage Vc is 3 V or less of the reference voltage Vref1, the comparison result signal Vcr2 is at a low level. Further, since the comparison result signal Vcr2 is at the low level, the transistor N1 and the transistor N2 are turned off, the light emitting current Ih1 does not flow through the light emitting element group HS1, and the light emitting current Ih2 flows through the light emitting element group HS2. Is in a state that does not flow. That is, at time t10, the light emitting element group HS is in an extinguished state.

時刻t11で、比較電圧Vcが基準電圧Vref1以上となって比較結果信号Vcr2がハイレベルに遷移してトランジスタN1及びトランジスタN2がオンする。このとき、発光電圧Vh1及び発光電圧Vh2はおよそ9Vとなっているため、発光電流Ih1が発光素子群HS1に流れて発光素子群HS1が発光し、また、発光電流Ih2が発光素子群HS2に流れて発光素子群HS2が発光する。つまり、発光素子群HS1の全ての発光素子HS1aと発光素子群HS2の全ての発光素子HS2aが、同じタイミングでばらつくことなく発光する。   At time t11, the comparison voltage Vc becomes equal to or higher than the reference voltage Vref1, the comparison result signal Vcr2 changes to high level, and the transistors N1 and N2 are turned on. At this time, since the light emission voltage Vh1 and the light emission voltage Vh2 are about 9 V, the light emission current Ih1 flows to the light emitting element group HS1, the light emitting element group HS1 emits light, and the light emission current Ih2 flows to the light emitting element group HS2. The light emitting element group HS2 emits light. That is, all the light emitting elements HS1a in the light emitting element group HS1 and all the light emitting elements HS2a in the light emitting element group HS2 emit light without variation at the same timing.

時刻t12で、照明装置20を駆動させるための電源の駆動が停止されると、駆動電圧Vkは低下を開始する。このとき、比較電圧Vc、発光電圧Vh1、発光電流Ih1、発光電圧Vh2、及び発光電流Vh3も低下を開始する。   When the drive of the power source for driving the lighting device 20 is stopped at time t12, the drive voltage Vk starts to decrease. At this time, the comparison voltage Vc, the light emission voltage Vh1, the light emission current Ih1, the light emission voltage Vh2, and the light emission current Vh3 also start to decrease.

時刻t13で、低下した駆動電圧Vkが9V未満になって比較電圧Vcが3V未満になる。これにより、比較結果信号Vcr2がローレベルに遷移し、トランジスタN1及びトランジスタN2がオフして、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1及び発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2が停止されて発光素子群HS1と発光素子群HS2とが同時に消灯する。このとき、トランジスタN1及びトランジスタN2は、発光電圧Vh1及び発光電圧Vh2が基準電圧VH2である8Vよりも高い状態の時点でオフするので、発光素子群HS1と発光素子群HS2とが異なるタイミングでばらついて消灯することがない。   At time t13, the lowered drive voltage Vk becomes less than 9V and the comparison voltage Vc becomes less than 3V. As a result, the comparison result signal Vcr2 transits to a low level, the transistor N1 and the transistor N2 are turned off, and the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 and the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 are stopped. HS1 and the light emitting element group HS2 are turned off simultaneously. At this time, the transistor N1 and the transistor N2 are turned off when the light emission voltage Vh1 and the light emission voltage Vh2 are higher than the reference voltage VH2, which is 8 V. Therefore, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 vary at different timings. Will not turn off.

時刻t14で、駆動電圧Vkが0Vまで低下する。これにより、照明装置20の駆動が停止状態となる。   At time t14, the drive voltage Vk decreases to 0V. Thereby, the drive of the illuminating device 20 will be in a halt condition.

以上、本発明の第2の実施形態にかかる照明装置20によれば、発光制御部HCbにて駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には発光素子群HSを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、発光素子群HS1と発光素子群HS2との発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the illumination device 20 according to the second embodiment of the present invention, the light emission control unit HCb detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH, and the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VH. If the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH, light emission stop control is performed to stop the light emission of the light emitting element group HS. For this reason, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2.

[第2の実施形態の第1の変形例]
図7は、本発明の第2の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置20aを示した図である。照明装置20aは、電源供給回路VSと、発光素子群HSと、発光制御部HCbと、調光回路LC1と、調光回路LC2と、を備えている。本変形例にかかる照明装置20aは、図5に示した照明装置20と比較して新たに調光回路LC1と調光回路LC2とを備えている点で実質的に異なる。なお、図7に示した照明装置20aにおいては、図3に示した照明装置10a、図4に示した照明装置10b、又は図5に示した照明装置20と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[First Modification of Second Embodiment]
FIG. 7 is a diagram showing a lighting device 20a according to a first modification of the second embodiment of the present invention. The illumination device 20a includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HS, a light emission control unit HCb, a dimming circuit LC1, and a dimming circuit LC2. The illuminating device 20a according to the present modification is substantially different from the illuminating device 20 shown in FIG. 5 in that it newly includes a dimming circuit LC1 and a dimming circuit LC2. In addition, in the illuminating device 20a shown in FIG. 7, the same code | symbol is attached about the structure similar to the illuminating device 10a shown in FIG. 3, the illuminating device 10b shown in FIG. 4, or the illuminating device 20 shown in FIG. The description will be omitted as appropriate.

調光回路LC1は、一端がノードNd1に接続され、これにより電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC1は、他端がノードNh1と接続されている。言い換えれば、ノードNh1は、調光回路LC1とノードNd1とを介してノードNd1に接続されている。調光回路LC1は、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1が所定の電流値となるように調整する。   One end of the dimming circuit LC1 is connected to the node Nd1, and thereby connected to the power supply circuit VS. The other end of the dimming circuit LC1 is connected to the node Nh1. In other words, the node Nh1 is connected to the node Nd1 via the dimming circuit LC1 and the node Nd1. The light control circuit LC1 adjusts so that the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 becomes a predetermined current value.

なお、本実施形態にかかる照明装置20aにおいては、調光回路LC1がノードNd1とノードNh1との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路LC1は、ノードNh1aと電源VSSとの間に接続されていても良い。   In the illumination device 20a according to the present embodiment, the configuration in which the dimming circuit LC1 is connected between the node Nd1 and the node Nh1 has been described. However, the configuration is not limited thereto, and the dimming circuit LC1 includes the node Nh1a. And the power supply VSS.

調光回路LC2は、一端がノードNd1に接続され、これにより電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC2は、他端がノードNh2と接続されている。言い換えれば、ノードNh2は、調光回路LC2とノードNd1とを介してノードNd1に接続されている。これにより、互いに直列に接続された調光回路LC2及び発光素子群HS2は、互いに直列に接続された調光回路LC1及び発光素子群HS1とノードNd1において互いに並列に接続されている。調光回路LC2は、発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2が所定の電流値となるように調整する。   One end of the dimming circuit LC2 is connected to the node Nd1, and thereby connected to the power supply circuit VS. The other end of the dimming circuit LC2 is connected to the node Nh2. In other words, the node Nh2 is connected to the node Nd1 via the dimming circuit LC2 and the node Nd1. Thereby, the light control circuit LC2 and the light emitting element group HS2 connected in series with each other are connected in parallel with each other at the node Nd1 with the light control circuit LC1 and the light emitting element group HS1 connected in series with each other. The light control circuit LC2 adjusts the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 to a predetermined current value.

なお、本実施形態にかかる照明装置20aにおいては、調光回路LC2がノードNd2とノードNh2との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路LC2は、ノードNh2aと電源VSSとの間に接続されていても良い。   In the illumination device 20a according to the present embodiment, the configuration in which the dimming circuit LC2 is connected between the node Nd2 and the node Nh2 has been described. However, the configuration is not limited thereto, and the dimming circuit LC2 includes the node Nh2a. And the power supply VSS.

[第3の実施形態]
図8は、本発明の第3の実施形態にかかる照明装置30を示した図である。照明装置30は、電源供給回路VSと、発光素子群HSと、調光回路LC1と、調光回路LC2と、発光制御部HCcと、を備えている。本実施形態にかかる照明装置30は、図3に示した照明装置10aと比較して、発光制御部HCに代えて発光制御部HCcを備えている点で実質的に異なっており、図4に示した照明装置10bと比較して、発光制御部HCaに代えて発光制御部HCcを備えている点で実質的に異なっており、図7に示した照明装置20aと比較して、発光制御部HCbに代えて発光制御部HCcを備えている点で実質的に異なっている。なお、図8に示した照明装置30においては、図3に示した照明装置10a、図4に示した照明装置10b、又は図7に示された照明装置20aと同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Third Embodiment]
FIG. 8 is a view showing an illumination device 30 according to the third embodiment of the present invention. The illumination device 30 includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HS, a light control circuit LC1, a light control circuit LC2, and a light emission control unit HCc. The illumination device 30 according to the present embodiment is substantially different from the illumination device 10a shown in FIG. 3 in that a light emission control unit HCc is provided instead of the light emission control unit HC. Compared with the illumination device 10b shown, the light emission control unit HCc is substantially different from the illumination device 10b in that a light emission control unit HCc is provided. Compared with the illumination device 20a shown in FIG. This is substantially different in that a light emission control unit HCc is provided instead of HCb. In the lighting device 30 shown in FIG. 8, the same components as those in the lighting device 10a shown in FIG. 3, the lighting device 10b shown in FIG. 4, or the lighting device 20a shown in FIG. A description thereof will be omitted as appropriate.

調光回路LC1は、一端がノードNd1と接続され、これにより電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC1は、他端がノードNh1と接続されている。言い換えれば、ノードNh1は、調光回路LC1とノードNd1とを介して電源供給回路VSに接続されている。調光回路LC1は、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS1の発光輝度を調整する。調光回路LC1は、第1の調光スイッチとしてのトランジスタP4と、第1の調光比較回路としての比較回路CNL1とを備えている。   One end of the dimming circuit LC1 is connected to the node Nd1, thereby connecting to the power supply circuit VS. The other end of the dimming circuit LC1 is connected to the node Nh1. In other words, the node Nh1 is connected to the power supply circuit VS via the dimming circuit LC1 and the node Nd1. The light control circuit LC1 adjusts the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 to a predetermined current value, and thereby adjusts the light emission luminance of the light emitting element group HS1. The dimming circuit LC1 includes a transistor P4 as a first dimming switch and a comparison circuit CNL1 as a first dimming comparison circuit.

比較回路CNL1は、抵抗素子R3と、基準電源Ref2と、コンパレータCp3と、を備えている。   The comparison circuit CNL1 includes a resistance element R3, a reference power supply Ref2, and a comparator Cp3.

抵抗素子R3は、一端が電源供給回路VSに接続されており、抵抗値は例えば400Ωである。   One end of the resistance element R3 is connected to the power supply circuit VS, and the resistance value is, for example, 400Ω.

基準電源Ref2は、一端が電源供給回路VSと抵抗素子R3の一端とに接続されており、第1の調光基準電圧としての基準電圧Vref2を出力する。基準電源Ref2は、基準電圧Vref2として、駆動電圧Vkを所定の電位分降下させた電位にて出力する。   One end of the reference power supply Ref2 is connected to the power supply circuit VS and one end of the resistance element R3, and outputs a reference voltage Vref2 as a first dimming reference voltage. The reference power supply Ref2 outputs the drive voltage Vk as a reference voltage Vref2 at a potential that is lowered by a predetermined potential.

コンパレータCp3は、反転端子には抵抗素子R3の他端が接続されて抵抗素子R3の電位である第1の調光比較電圧としてのフィードバック電圧Vfb1が入力され、非反転端子には基準電源Ref2の他端が接続されて基準電圧Vref2が入力される。コンパレータCp3は、フィードバック電圧Vfb1と基準電圧Vref2とを比較し、その比較結果として第1の制御信号としての比較結果信号Vcr3を出力端子から出力する。ここで、抵抗素子R3の他端とコンパレータCp3の反転端子との接続点をノードNd4と称する。なお、フィードバック電圧Vfb1の電圧レベルは、発光電圧Vh1に基づいて決定される。   In the comparator Cp3, the other end of the resistor element R3 is connected to the inverting terminal, and the feedback voltage Vfb1 as the first dimming comparison voltage, which is the potential of the resistor element R3, is input, and the non-inverting terminal of the reference power supply Ref2 is input. The other end is connected and the reference voltage Vref2 is input. The comparator Cp3 compares the feedback voltage Vfb1 with the reference voltage Vref2, and outputs a comparison result signal Vcr3 as a first control signal from the output terminal as the comparison result. Here, a connection point between the other end of the resistance element R3 and the inverting terminal of the comparator Cp3 is referred to as a node Nd4. The voltage level of the feedback voltage Vfb1 is determined based on the light emission voltage Vh1.

トランジスタP4は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが抵抗素子R3の他端でありコンパレータCp3の非反転端子であるノードNd4に接続、言い換えれば抵抗素子R3を介して電源供給回路VSに接続され、ドレイン端子DがノードNh1に接続されている。トランジスタP4は、電源供給回路VSから抵抗素子R3を介してソース端子Sに供給された駆動電圧Vk、発光電圧Vh1及び発光電流Ih1を生成して出力する。   The transistor P4 is a PMOS transistor, and the source terminal S is connected to the node Nd4 which is the other end of the resistor element R3 and is the non-inverting terminal of the comparator Cp3. In other words, the transistor P4 is connected to the power supply circuit VS via the resistor element R3. The drain terminal D is connected to the node Nh1. The transistor P4 generates and outputs the drive voltage Vk, the light emission voltage Vh1, and the light emission current Ih1 supplied to the source terminal S from the power supply circuit VS via the resistance element R3.

ここで、コンパレータCp3は、フィードバック電圧Vfb1と基準電圧Vref2とを比較し、該比較の結果に基づいてノードNd4の電位が基準電圧Vref2と同レベルになるようにトランジスタP4のゲート端子Gに比較結果信号Vcr3を供給して、トランジスタP4から出力される発光電流Vh1の出力レベルの大きさを調整する。コンパレータCp3は、例えばフィードバック電圧Vfb1が基準電圧Vref2よりも小さい場合には、ノードNd4の電位を上昇させるべく、より低い電圧レベルの比較結果信号Vcr3を出力してトランジスタP4の出力が上昇するよう制御し、例えばフィードバック電圧Vfb1が基準電圧Vref2よりも大きい場合には、ノードNd4の電位を低下させるべく、より高い電圧レベルの比較結果信号Vcr3を出力してトランジスタP4の出力が低下するよう制御する。   Here, the comparator Cp3 compares the feedback voltage Vfb1 with the reference voltage Vref2, and based on the comparison result, the comparison result is applied to the gate terminal G of the transistor P4 so that the potential of the node Nd4 becomes the same level as the reference voltage Vref2. The signal Vcr3 is supplied to adjust the output level of the light emission current Vh1 output from the transistor P4. For example, when the feedback voltage Vfb1 is smaller than the reference voltage Vref2, the comparator Cp3 outputs a comparison result signal Vcr3 having a lower voltage level and raises the output of the transistor P4 so as to raise the potential of the node Nd4. For example, when the feedback voltage Vfb1 is larger than the reference voltage Vref2, the control result signal Vcr3 having a higher voltage level is output so that the output of the transistor P4 is lowered in order to lower the potential of the node Nd4.

調光回路LC1は、以上のように、比較回路CNL1から出力される比較結果信号Vcr3にて、トランジスタP4から出力される発光電流Ih1が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS1の発光輝度を調整する。   As described above, the dimming circuit LC1 adjusts the light emission current Ih1 output from the transistor P4 to a predetermined current value by the comparison result signal Vcr3 output from the comparison circuit CNL1, and thereby the light emitting element The light emission luminance of the group HS1 is adjusted.

調光回路LC2は、一端がノードNd1と接続され、これにより電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC2は、他端がノードNh2と接続されている。言い換えれば、ノードNh2は、調光回路LC2とノードNd1とを介して電源供給回路VSに接続されている。調光回路LC2は、発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS2の発光輝度を調整する。調光回路LC2は、第2の調光スイッチとしてのトランジスタP5と、第2の調光比較回路としての比較回路CNL2とを備えている。   One end of the dimming circuit LC2 is connected to the node Nd1, and thereby connected to the power supply circuit VS. The other end of the dimming circuit LC2 is connected to the node Nh2. In other words, the node Nh2 is connected to the power supply circuit VS via the dimming circuit LC2 and the node Nd1. The light control circuit LC2 adjusts the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 to a predetermined current value, thereby adjusting the light emission luminance of the light emitting element group HS2. The dimming circuit LC2 includes a transistor P5 as a second dimming switch and a comparison circuit CNL2 as a second dimming comparison circuit.

比較回路CNL2は、抵抗素子R4と、基準電源Ref3と、コンパレータCp4と、を備えている。   The comparison circuit CNL2 includes a resistance element R4, a reference power supply Ref3, and a comparator Cp4.

抵抗素子R4は、一端が電源供給回路VSに接続されており、抵抗値は例えば400Ωである。   One end of the resistance element R4 is connected to the power supply circuit VS, and the resistance value is, for example, 400Ω.

基準電源Ref3は、一端が電源供給回路VSと抵抗素子R4の一端とに接続されており、第2の調光基準電圧としての基準電圧Vref3を供給する。照明装置30においては、基準電圧Vref3として、駆動電圧Vkを所定の電位分降下させた電位にて供給する。   One end of the reference power supply Ref3 is connected to the power supply circuit VS and one end of the resistor element R4, and supplies a reference voltage Vref3 as a second dimming reference voltage. In the illuminating device 30, the drive voltage Vk is supplied as a reference voltage Vref3 at a potential lowered by a predetermined potential.

コンパレータCp4は、反転端子には抵抗素子R4の他端が接続されて抵抗素子R4の電位である第2の調光比較電圧としてのフィードバック電圧Vfb2が入力され、非反転端子には基準電源Ref3の他端が接続されて基準電圧Vref3が入力される。コンパレータCp4は、フィードバック電圧Vfb2と基準電圧Vref3とを比較し、その比較結果として第2の制御信号としての比較結果信号Vcr4を出力端子から出力する。ここで、抵抗素子R4の他端とコンパレータCp4の反転端子との接続点をノードNd5と称する。なお、フィードバック電圧Vfb2の電圧レベルは、発光電圧Vh2に基づいて決定される。   In the comparator Cp4, the other end of the resistor element R4 is connected to the inverting terminal, the feedback voltage Vfb2 as the second dimming comparison voltage that is the potential of the resistor element R4 is input, and the reference power source Ref3 of the reference power source Ref3 is input to the non-inverting terminal. The other end is connected and the reference voltage Vref3 is input. The comparator Cp4 compares the feedback voltage Vfb2 with the reference voltage Vref3, and outputs a comparison result signal Vcr4 as a second control signal as a comparison result from the output terminal. Here, a connection point between the other end of the resistance element R4 and the inverting terminal of the comparator Cp4 is referred to as a node Nd5. The voltage level of the feedback voltage Vfb2 is determined based on the light emission voltage Vh2.

トランジスタP5は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが抵抗素子R4の他端でありコンパレータCp4の非反転端子であるノードNd5に接続、言い換えれば抵抗素子R4を介して電源供給回路VSに接続され、ドレイン端子DがノードNh2に接続されている。トランジスタP5は、電源供給回路VSから抵抗素子R4を介してソース端子Sに供給された駆動電圧Vk、発光電圧Vh2及び発光電流Ih2を生成して出力する。   The transistor P5 is a PMOS transistor, and the source terminal S is connected to the node Nd5 which is the other end of the resistor element R4 and is the non-inverting terminal of the comparator Cp4. In other words, the transistor P5 is connected to the power supply circuit VS via the resistor element R4. The drain terminal D is connected to the node Nh2. The transistor P5 generates and outputs the drive voltage Vk, the light emission voltage Vh2, and the light emission current Ih2 supplied to the source terminal S from the power supply circuit VS via the resistance element R4.

ここで、コンパレータCp4は、フィードバック電圧Vfb2と基準電圧Vref3とを比較し、該比較の結果に基づいてノードNd5の電位が基準電圧Vref3と同レベルになるようにトランジスタP5のゲート端子Gに比較結果信号Vcr4を供給して、トランジスタP5から出力される発光電流Vh2の出力レベルの大きさを調整する。コンパレータCp4は、例えばフィードバック電圧Vfb2が基準電圧Vref3よりも小さい場合には、ノードNd5の電位を上昇させるべく、より低い電圧レベルの比較結果信号Vcr4を出力してトランジスタP5の出力が上昇するよう制御し、例えばフィードバック電圧Vfb2が基準電圧Vref3よりも大きい場合には、ノードNd5の電位を低下させるべく、より高い電圧レベルの比較結果信号Vcr4を出力してトランジスタP5の出力が低下するよう制御する。   Here, the comparator Cp4 compares the feedback voltage Vfb2 and the reference voltage Vref3, and based on the comparison result, the comparison result is applied to the gate terminal G of the transistor P5 so that the potential of the node Nd5 becomes the same level as the reference voltage Vref3. The signal Vcr4 is supplied to adjust the output level of the light emission current Vh2 output from the transistor P5. For example, when the feedback voltage Vfb2 is smaller than the reference voltage Vref3, the comparator Cp4 outputs a comparison result signal Vcr4 having a lower voltage level and raises the output of the transistor P5 so as to raise the potential of the node Nd5. For example, when the feedback voltage Vfb2 is higher than the reference voltage Vref3, a control result signal Vcr4 having a higher voltage level is output so as to lower the potential of the node Nd5 and the output of the transistor P5 is controlled to be lowered.

調光回路LC2は、以上のように、比較回路CNL2から出力される比較結果信号Vcr4にて、トランジスタP5から出力される発光電流Ih2が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS2の発光輝度を調整する。   As described above, the dimming circuit LC2 adjusts the light emission current Ih2 output from the transistor P5 to a predetermined current value based on the comparison result signal Vcr4 output from the comparison circuit CNL2, and thereby the light emitting element The light emission luminance of the group HS2 is adjusted.

なお、互いに直列に接続された調光回路LC1及び発光素子群HS1は、互いに直列に接続された調光回路LC2及び発光素子群HS2と電源供給回路VSにおいて互いに並列に接続されている。   The light control circuit LC1 and the light emitting element group HS1 connected in series with each other are connected in parallel with each other in the light control circuit LC2 and the light emitting element group HS2 connected in series with each other in the power supply circuit VS.

発光制御部HCcは、トランジスタP6と、トランジスタP7と、比較回路CNaと、を備えている。   The light emission control unit HCc includes a transistor P6, a transistor P7, and a comparison circuit CNa.

トランジスタP6は、PMOSトランジスタであり、一端としてのソース端子Sが電源供給回路VSに接続され、他端としてのドレイン端子DがトランジスタP4のゲート端子Gに接続され、制御端子としてのゲート端子Gが比較回路CNaに接続されている。トランジスタP6は、比較回路CNaから出力されゲート端子Gに入力される比較結果信号Vcr2によってオンオフが制御され、これにより発光素子群HS1の発光制御及び発光停止制御が行われる。   The transistor P6 is a PMOS transistor, the source terminal S as one end is connected to the power supply circuit VS, the drain terminal D as the other end is connected to the gate terminal G of the transistor P4, and the gate terminal G as the control terminal is It is connected to the comparison circuit CNa. The transistor P6 is controlled to be turned on / off by a comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and input to the gate terminal G, thereby performing light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS1.

トランジスタP6は、比較回路CNaからローレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオンする。これにより、トランジスタP4は、ソース端子Sとゲート端子Gとが短絡されて比較結果信号Vcr3の出力に関わらずオフ状態となって、言い換えれば比較結果信号Vcr3によってオンすることが不可となって、発光素子群HS1への発光電流Ihの供給は停止される。つまり、調光回路LC1は、発光制御部HCcの発光停止制御に基づいて発光電流Ih1の生成を停止する。以上により発光素子群HS1の発光停止制御が行われる。   The transistor P6 is turned on when the low-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. As a result, the transistor P4 is short-circuited between the source terminal S and the gate terminal G and is turned off regardless of the output of the comparison result signal Vcr3. In other words, the transistor P4 cannot be turned on by the comparison result signal Vcr3. The supply of the light emission current Ih to the light emitting element group HS1 is stopped. That is, the light control circuit LC1 stops the generation of the light emission current Ih1 based on the light emission stop control of the light emission control unit HCc. The light emission stop control of the light emitting element group HS1 is performed as described above.

トランジスタP6は、比較回路CNaからハイレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。これにより、トランジスタP4のソース端子Sとゲート端子Gとの短絡が解除されて互いに非接続となるため、トランジスタP4から出力する発光素子群HS1への発光電流Ih1の電流値は比較結果信号Vcr3によって制御できるようになる。つまり、調光回路LC1は、発光制御部HCcの発光制御に基づいて発光電流Ih1の生成を行う。以上により発光素子群HS1の発光制御が行われる。   The transistor P6 is turned off when the high-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. As a result, the short-circuit between the source terminal S and the gate terminal G of the transistor P4 is released and the transistors P4 are disconnected from each other, so that the current value of the light emission current Ih1 output from the transistor P4 to the light emitting element group HS1 is determined by the comparison result signal Vcr3 You will be able to control. That is, the light control circuit LC1 generates the light emission current Ih1 based on the light emission control of the light emission control unit HCc. The light emission control of the light emitting element group HS1 is performed as described above.

なお、トランジスタP6がオンするための第1の閾値電圧は、トランジスタP4がオンするための第2の閾値電圧と比べて低いことが好ましい。この理由としては、以下のとおりである。トランジスタP6は、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも低い場合には、ゲート端子Gにローレベルの比較結果信号Vcr2が入力されており、ソース端子Sに駆動電圧Vkが入力されていることから、駆動電圧Vkの上昇に伴ってオンすることとなる。この一方で、トランジスタP4は、ソース端子Sに駆動電圧Vkが入力され、ゲート端子GにトランジスタP6の出力が入力される。このとき、トランジスタP4の第2の閾値電圧がトランジスタP6の第1の閾値電圧よりも低い場合には、トランジスタP6がオンしてトランジスタP4のゲート端子Gとソース端子Sとが短絡される前にトランジスタP4がオンしてしまい、発光電圧Vh1が発光素子群HS1に印加されて僅かながら発光素子群HS1が発光してしまうおそれがあるためである。   Note that the first threshold voltage for turning on the transistor P6 is preferably lower than the second threshold voltage for turning on the transistor P4. The reason for this is as follows. In the transistor P6, when the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH, the low-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G, and the drive voltage Vk is input to the source terminal S. Then, it is turned on as the drive voltage Vk increases. On the other hand, in the transistor P4, the drive voltage Vk is input to the source terminal S, and the output of the transistor P6 is input to the gate terminal G. At this time, if the second threshold voltage of the transistor P4 is lower than the first threshold voltage of the transistor P6, the transistor P6 is turned on before the gate terminal G and the source terminal S of the transistor P4 are short-circuited. This is because the transistor P4 is turned on, and the light emitting voltage Vh1 is applied to the light emitting element group HS1, and the light emitting element group HS1 may slightly emit light.

トランジスタP7は、PMOSトランジスタであり、一端としてのソース端子Sが電源供給回路VSに接続され、他端としてのドレイン端子DがトランジスタP5のゲート端子Gに接続され、制御端子としてのゲート端子Gが比較回路CNaに接続されている。トランジスタP7は、比較回路CNaから出力されゲート端子Gに入力される比較結果信号Vcr2によってオンオフが制御され、これにより発光素子群HS2の発光制御及び発光停止制御が行われる。   The transistor P7 is a PMOS transistor, the source terminal S as one end is connected to the power supply circuit VS, the drain terminal D as the other end is connected to the gate terminal G of the transistor P5, and the gate terminal G as the control terminal is It is connected to the comparison circuit CNa. The transistor P7 is turned on / off by the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and input to the gate terminal G, thereby performing light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS2.

トランジスタP7は、比較回路CNaからローレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオンする。これにより、トランジスタP5は、ソース端子Sとゲート端子Gとが短絡されて比較結果信号Vcr4の出力に関わらずオフ状態となって、言い換えれば比較結果信号Vcr4によってオンすることが不可となって、発光素子群HS2への発光電流Ih2の供給は停止される。つまり、調光回路LC2は、発光制御部HCcの発光停止制御に基づいて発光電流Ih2の生成を停止する。以上により発光素子群HS2の発光停止制御が行われる。   The transistor P7 is turned on when the low-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. As a result, the transistor P5 is short-circuited between the source terminal S and the gate terminal G and is turned off regardless of the output of the comparison result signal Vcr4. In other words, the transistor P5 cannot be turned on by the comparison result signal Vcr4. The supply of the light emission current Ih2 to the light emitting element group HS2 is stopped. That is, the light control circuit LC2 stops the generation of the light emission current Ih2 based on the light emission stop control of the light emission control unit HCc. The light emission stop control of the light emitting element group HS2 is performed as described above.

トランジスタP7は、比較回路CNaからハイレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。これにより、トランジスタP5のソース端子Sとゲート端子Gとの短絡が解除されて互いに非接続となるため、トランジスタP5から出力する発光素子群HS2への発光電流Ih2の電流値は比較結果信号Vcr4によって制御できるようになる。つまり、調光回路LC2は、発光制御部HCcの発光制御に基づいて発光電流Ih2の生成を行う。以上により発光素子群HS2の発光制御が行われる。   The transistor P7 is turned off when the high-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. As a result, the short-circuit between the source terminal S and the gate terminal G of the transistor P5 is released and the transistors P5 are disconnected from each other. Therefore, the current value of the light emission current Ih2 output from the transistor P5 to the light emitting element group HS2 is determined by the comparison result signal Vcr4. You will be able to control. That is, the light control circuit LC2 generates the light emission current Ih2 based on the light emission control of the light emission control unit HCc. The light emission control of the light emitting element group HS2 is performed as described above.

なお、トランジスタP7がオンするための第3の閾値電圧は、トランジスタP5がオンするための第4の閾値電圧と比べて低いことが好ましい。この理由としては、以下のとおりである。トランジスタP7は、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも低い場合には、ゲート端子Gにローレベルの比較結果信号Vcr2が入力されており、ソース端子Sに駆動電圧Vkが入力されていることから、駆動電圧Vkの上昇に伴ってオンすることとなる。この一方で、トランジスタP5は、ソース端子Sに駆動電圧Vkが入力され、ゲート端子GにトランジスタP7の出力が入力される。このとき、トランジスタP5の第4の閾値電圧がトランジスタP7の第3の閾値電圧よりも低い場合には、トランジスタP7がオンしてトランジスタP5のゲート端子Gとソース端子Sとが短絡される前にトランジスタP5がオンしてしまい、発光電圧Vh2が発光素子群HS1に印加されて僅かながら発光素子群HS2が発光してしまうおそれがあるためである。   Note that the third threshold voltage for turning on the transistor P7 is preferably lower than the fourth threshold voltage for turning on the transistor P5. The reason for this is as follows. In the transistor P7, when the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH, the low-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G, and the drive voltage Vk is input to the source terminal S. Then, it is turned on as the drive voltage Vk increases. On the other hand, in the transistor P5, the drive voltage Vk is input to the source terminal S, and the output of the transistor P7 is input to the gate terminal G. At this time, when the fourth threshold voltage of the transistor P5 is lower than the third threshold voltage of the transistor P7, the transistor P7 is turned on before the gate terminal G and the source terminal S of the transistor P5 are short-circuited. This is because the transistor P5 is turned on, and the light emitting voltage Vh2 is applied to the light emitting element group HS1, and the light emitting element group HS2 may slightly emit light.

発光制御部HCcは、以上のように、駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には、トランジスタP6をオフさせてトランジスタP4の出力を比較結果信号Vcr3によって制御可能とし、且つトランジスタP7をオフさせてトランジスタP5の出力を比較結果信号Vcr4によって制御可能として、発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給可能とし且つ発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給可能として発光素子群HSを発光させる発光制御、すなわち、調光回路LC1にて発光電流Ih1を生成可能とし、調光回路LC2にて発光電流Ih2を生成可能とする発光制御を行う。また、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には、トランジスタP6及びトランジスタP7をオンさせて調光回路LC1のトランジスタP4及びトランジスタP5の出力を比較結果信号Vcr3によって制御不可とし強制的に停止することで、発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給不可とし且つ発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給不可として発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御、すなわち、調光回路LC1にて発光電流Ih1を生成不可とし、調光回路LC2にて発光電流Ih2を生成不可とする発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置30によれば、発光素子群HS1と発光素子群HS2とを同時に発光及び消灯させることができる。   As described above, the light emission control unit HCc detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH, and when the drive voltage Vk is larger than the light emission reference voltage VH, the transistor P6 is turned off to turn on the transistor P4. Can be controlled by the comparison result signal Vcr3, the transistor P7 is turned off and the output of the transistor P5 can be controlled by the comparison result signal Vcr4, the light emission current Ih1 can be supplied to the light emitting element group HS1, and the light emission current Ih2 is Light emission control for allowing the light emitting element group HS to emit light that can be supplied to the light emitting element group HS2, that is, light emission control that enables the light control circuit LC1 to generate the light emission current Ih1, and the light control circuit LC2 to generate the light emission current Ih2. I do. When the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH, the transistors P6 and P7 are turned on, and the outputs of the transistors P4 and P5 of the dimming circuit LC1 cannot be controlled by the comparison result signal Vcr3 and forced. By stopping, the light emission current Ih1 cannot be supplied to the light emitting element group HS1, and the light emission current Ih2 cannot be supplied to the light emitting element group HS2, and light emission stop control for stopping the light emission of the light emitting element group HS, that is, the light control circuit LC1. The light emission current Ih1 cannot be generated, and the light emission stop control is performed so that the light control circuit LC2 cannot generate the light emission current Ih2. For this reason, according to the illuminating device 30 concerning this embodiment, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 can be light-emitted and light-extinguished simultaneously.

図9は、照明装置30を駆動させるための電源の立ち上がりから立下りまでの間における各信号波形の遷移を示した図である。図9(a)は、時間変化における駆動電圧Vkの遷移を示している。図9(b)は、時間変化における比較電圧Vcの遷移と基準電圧Vref1との関係を示している。図9(c)は、時間変化における比較結果信号Vcr2の遷移を示している。図9(d)は、時間変化における発光電圧Vh1及び発光電圧Vh2の遷移を示している。図9(e)は、時間変化における発光電流Ih1及び発光電流Ih2の遷移を示している。なお、図9(a)〜(d)は、それぞれ縦軸が電圧V、横軸が時刻tであり、図9(e)は縦軸が電流I、横軸が時刻tであり、時刻t20〜t24は図9(a)〜(e)の共通の時刻として示している。また、図9(e)においては、発光電流Ih1と発光電流Ih2とを同じ電流値として示しているが、実際はこれに限られない。また、図9においては、第2の実施形態にかかる図6にて説明した信号波形については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。   FIG. 9 is a diagram illustrating the transition of each signal waveform from the rise to the fall of the power supply for driving the illumination device 30. FIG. 9A shows the transition of the drive voltage Vk over time. FIG. 9B shows the relationship between the transition of the comparison voltage Vc and the reference voltage Vref1 over time. FIG. 9C shows the transition of the comparison result signal Vcr2 over time. FIG. 9D shows transition of the light emission voltage Vh1 and the light emission voltage Vh2 over time. FIG. 9E shows the transition of the light emission current Ih1 and the light emission current Ih2 over time. 9A to 9D, the vertical axis represents voltage V and the horizontal axis represents time t. In FIG. 9E, the vertical axis represents current I, the horizontal axis represents time t, and time t20. ~ T24 is shown as a common time in FIGS. 9 (a) to 9 (e). In FIG. 9 (e), the light emission current Ih1 and the light emission current Ih2 are shown as the same current value. However, the present invention is not limited to this. In FIG. 9, the signal waveforms described in FIG. 6 according to the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate.

時刻t20で、照明装置30を駆動させるための電源の駆動が開始されて駆動電圧Vkが上昇を開始する。このとき、比較電圧Vcは基準電圧Vref1の3V以下であるため、比較結果信号Vcr2はローレベルとなっている。また、比較結果信号Vcr2がローレベルであることから、駆動電圧Vkが上昇してトランジスタP6のゲート−ソース間電圧が閾値を超えるとトランジスタP6がオンし、トランジスタP7のゲート−ソース間電圧が閾値を超えるとトランジスタP7がオンする。これにより、トランジスタP4のゲート端子Gとソース端子Sとが短絡してトランジスタP4がオフし、また、トランジスタP5のゲート端子Gとソース端子Sとが短絡してトランジスタP5がオフする。このため、発光電圧Vh1が0Vで発光素子群HS1には発光電流Ih1が流れず、発光電圧Vh2が0Vで発光素子群HS2には発光電流Ih2が流れない状態となる。つまり、発光素子群HS1及び発光素子群HS2は共に消灯状態となる。   At time t20, driving of the power source for driving the lighting device 30 is started, and the driving voltage Vk starts to rise. At this time, since the comparison voltage Vc is 3 V or less of the reference voltage Vref1, the comparison result signal Vcr2 is at a low level. Further, since the comparison result signal Vcr2 is at a low level, when the drive voltage Vk rises and the gate-source voltage of the transistor P6 exceeds the threshold value, the transistor P6 is turned on, and the gate-source voltage of the transistor P7 becomes the threshold value. Is exceeded, the transistor P7 is turned on. As a result, the gate terminal G and the source terminal S of the transistor P4 are short-circuited to turn off the transistor P4, and the gate terminal G and the source terminal S of the transistor P5 are short-circuited to turn off the transistor P5. Therefore, the light emission voltage Vh1 is 0V and the light emission element group HS1 does not flow the light emission current Ih1, and the light emission voltage Vh2 is 0V and the light emission element group HS2 does not flow the light emission current Ih2. That is, both the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 are turned off.

時刻t21で、比較電圧Vcが基準電圧Vref1以上となって比較結果信号Vcr2がハイレベルに遷移して、トランジスタP6及びトランジスタP7がオフする。これにより、トランジスタP4のゲート端子Gとソース端子Sとの短絡が解除されてトランジスタP4の出力を比較結果信号Vcr3によって調整できるようになり、ひいては発光素子群HS1の発光輝度を調整できるようになる。ここで、発光電圧Vh1はおよそ9Vとなっていることから、トランジスタP4がオンした場合には、発光電流Ih1が発光素子群HS1に流れて発光素子群HS1が発光する。また、トランジスタP5のゲート端子Gとソース端子Sとの短絡が解除されてトランジスタP5の出力を比較結果信号Vcr4によって調整できるようになり、ひいては発光素子群HS2の発光輝度を調整できるようになる。ここで、発光電圧Vh2はおよそ9Vとなっていることから、トランジスタP5がオンした場合には、発光電流Ih2が発光素子群HS2に流れて発光素子群HS2が発光する。つまり、発光素子群HS1の全ての発光素子HS1aと発光素子群HS2の全ての発光素子HS2aが、同じタイミングでばらつくことなく発光する。   At time t21, the comparison voltage Vc becomes equal to or higher than the reference voltage Vref1, the comparison result signal Vcr2 changes to high level, and the transistors P6 and P7 are turned off. Thereby, the short circuit between the gate terminal G and the source terminal S of the transistor P4 is released, and the output of the transistor P4 can be adjusted by the comparison result signal Vcr3. As a result, the light emission luminance of the light emitting element group HS1 can be adjusted. . Here, since the light emission voltage Vh1 is about 9V, when the transistor P4 is turned on, the light emission current Ih1 flows into the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS1 emits light. In addition, the short circuit between the gate terminal G and the source terminal S of the transistor P5 is released, and the output of the transistor P5 can be adjusted by the comparison result signal Vcr4. As a result, the light emission luminance of the light emitting element group HS2 can be adjusted. Here, since the light emission voltage Vh2 is about 9V, when the transistor P5 is turned on, the light emission current Ih2 flows into the light emitting element group HS2 and the light emitting element group HS2 emits light. That is, all the light emitting elements HS1a in the light emitting element group HS1 and all the light emitting elements HS2a in the light emitting element group HS2 emit light without variation at the same timing.

時刻t22で、照明装置30を駆動させるための電源の駆動が停止されると、駆動電圧Vkは低下を開始する。このとき、比較電圧Vc、発光電圧Vh1、発光電流Ih1、発光電圧Vh2、及び発光電流Vh2も低下を開始する。   When driving of the power source for driving the lighting device 30 is stopped at time t22, the drive voltage Vk starts to decrease. At this time, the comparison voltage Vc, the light emission voltage Vh1, the light emission current Ih1, the light emission voltage Vh2, and the light emission current Vh2 also start to decrease.

時刻t23で、低下した駆動電圧Vkが9V未満になって比較電圧Vcが3V未満になる。これにより、比較結果信号Vcr2がローレベルに遷移し、再びトランジスタP6及びトランジスタP7がオンしてトランジスタP4及びトランジスタP5がオフし、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1及び発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2が停止されて、発光素子群HS1と発光素子群HS2とが同時に消灯する。このとき、トランジスタP4及びトランジスタP5は、発光電圧Vh1及び発光電圧Vh2が基準電圧VH2である8Vよりも高い状態の時点でオフするので、発光素子群HS1と発光素子群HS2とが異なるタイミングでばらついて消灯することがない。   At time t23, the lowered drive voltage Vk becomes less than 9V and the comparison voltage Vc becomes less than 3V. As a result, the comparison result signal Vcr2 transits to a low level, the transistors P6 and P7 are turned on again, the transistors P4 and P5 are turned off, and the light emission current Ih1 that flows through the light emitting element group HS1 and the light emission that flows through the light emitting element group HS2. The current Ih2 is stopped, and the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 are turned off simultaneously. At this time, the transistor P4 and the transistor P5 are turned off when the light emission voltage Vh1 and the light emission voltage Vh2 are higher than the reference voltage VH2, which is 8V. Therefore, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 vary at different timings. Will not turn off.

時刻t24で、駆動電圧Vkが0Vまで低下する。これにより、照明装置30の駆動が停止状態となる。   At time t24, the drive voltage Vk decreases to 0V. Thereby, the drive of the illuminating device 30 will be in a halt condition.

以上、本発明の第3の実施形態にかかる照明装置30によれば、発光制御部HCcにて駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には発光素子群HSを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、発光素子群HS1と発光素子群HS2との発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the illumination device 30 according to the third embodiment of the present invention, the light emission control unit HCc detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH, and the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VH. If the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH, light emission stop control is performed to stop the light emission of the light emitting element group HS. For this reason, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2.

また、本発明の第3の実施形態にかかる照明装置30によれば、調光回路LC1は、発光制御部HCcの発光停止制御に基づいて発光電流Ih1の生成を停止し、発光制御部HCcの発光制御に基づいて発光電流Ih1の生成を行う。また、調光回路LC2は、発光制御部HCcの発光停止制御に基づいて発光電流Ih2の生成を停止し、発光制御部HCcの発光制御に基づいて発光電流Ih2の生成を行う。このため、照明装置10、10a、10b、20、及び20aのように、発光制御又は発光停止制御を行うためのトランジスタを、発光素子群HSを発光させるための電流が通過する経路に配置する必要がなくなるので、本発明を用いることによって生じうる照明装置の回路面積の増大を抑制することができる。   Further, according to the illumination device 30 according to the third embodiment of the present invention, the dimming circuit LC1 stops the generation of the light emission current Ih1 based on the light emission stop control of the light emission control unit HCc, and the light emission control unit HCc The light emission current Ih1 is generated based on the light emission control. Further, the light control circuit LC2 stops the generation of the light emission current Ih2 based on the light emission stop control of the light emission control unit HCc, and generates the light emission current Ih2 based on the light emission control of the light emission control unit HCc. For this reason, it is necessary to arrange a transistor for performing light emission control or light emission stop control in a path through which a current for causing the light emitting element group HS to emit light, as in the lighting devices 10, 10a, 10b, 20, and 20a. Therefore, an increase in the circuit area of the lighting device that can occur by using the present invention can be suppressed.

なお、本実施形態にかかる照明装置30においては、調光回路LC1が電源供給回路VSとノードNh1との間に接続され、調光回路LC2が電源供給回路VSとノードNh2との間に接続されている構成について説明したが、これに限られず、調光回路LC1がノードNh1aと電源VSSとの間に接続され、調光回路LC2がノードNh2aと電源VSSとの間に接続される構成となっていても良い。この場合であっても、調光回路LC1が発光制御に基づいて発光電流Ih1を生成し、発光停止制御に基づいて発光電流Ih1の生成を停止し、調光回路LC2が発光制御に基づいて発光電流Ih2を生成し、発光停止制御に基づいて発光電流Ih2の生成を停止する構成となっていれば、本実施形態によって得られる効果、すなわち回路面積の増大を抑制することができる。   In the lighting device 30 according to the present embodiment, the dimming circuit LC1 is connected between the power supply circuit VS and the node Nh1, and the dimming circuit LC2 is connected between the power supply circuit VS and the node Nh2. The dimming circuit LC1 is connected between the node Nh1a and the power supply VSS, and the dimming circuit LC2 is connected between the node Nh2a and the power supply VSS. May be. Even in this case, the light control circuit LC1 generates the light emission current Ih1 based on the light emission control, stops the generation of the light emission current Ih1 based on the light emission stop control, and the light control circuit LC2 emits light based on the light emission control. If the current Ih2 is generated and the generation of the light emission current Ih2 is stopped based on the light emission stop control, the effect obtained by the present embodiment, that is, an increase in circuit area can be suppressed.

また、本実施形態にかかる照明装置30においては、コンパレータCp4の非反転端子に、基準電源Ref3の他端が接続されて基準電圧Vref3が供給される例を示したが、これに限られず、コンパレータCp4の非反転端子への基準電圧Vref3の供給を基準電源Ref2により行うようにしても良い。この場合には、基準電源Ref3に代えて、一端が電源供給回路VSと抵抗素子R3の一端とに接続された基準電源Ref2の他端が、コンパレータCp3の非反転端子に接続されると共にコンパレータCp4の非反転端子に接続される構成とすれば良い。これにより、照明装置30の面積の増大を抑制することができる。   In the illumination device 30 according to the present embodiment, the example in which the other end of the reference power supply Ref3 is connected to the non-inverting terminal of the comparator Cp4 and the reference voltage Vref3 is supplied is shown. However, the present invention is not limited to this. The reference voltage Vref3 may be supplied to the non-inverting terminal of Cp4 by the reference power supply Ref2. In this case, instead of the reference power supply Ref3, the other end of the reference power supply Ref2 whose one end is connected to the power supply circuit VS and one end of the resistor element R3 is connected to the non-inverting terminal of the comparator Cp3 and the comparator Cp4. It may be configured to be connected to the non-inverting terminal. Thereby, the increase in the area of the illuminating device 30 can be suppressed.

[第3の実施形態の第1の変形例]
図10は、本発明の第3の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置30aを示した図である。照明装置30aは、電源供給回路VSと、発光素子群HSと、調光回路LC1と、調光回路LC2と、発光制御部HCcと、を備えている。本変形例にかかる照明装置30aは、図8に示した照明装置30と比較して、発光制御部HCcにおけるトランジスタP6及びトランジスタP7の各々の接続先が実質的に異なる。なお、図10に示した照明装置30aにおいては、図8に示した照明装置30と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[First Modification of Third Embodiment]
FIG. 10 is a diagram showing an illumination device 30a according to a first modification of the third embodiment of the present invention. The illumination device 30a includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HS, a dimming circuit LC1, a dimming circuit LC2, and a light emission control unit HCc. The lighting device 30a according to the present modification is substantially different in connection destination of each of the transistor P6 and the transistor P7 in the light emission control unit HCc as compared with the lighting device 30 illustrated in FIG. In addition, in the illuminating device 30a shown in FIG. 10, the same code | symbol is attached | subjected about the structure similar to the illuminating device 30 shown in FIG. 8, and the description is abbreviate | omitted suitably.

トランジスタP6は、他端としてのドレイン端子Dが基準電源Ref2の他端とコンパレータCp3の非反転端子に接続されている。   The drain terminal D as the other end of the transistor P6 is connected to the other end of the reference power source Ref2 and the non-inverting terminal of the comparator Cp3.

トランジスタP6は、比較回路CNaからローレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオンする。これにより、コンパレータCp3の非反転端子には基準電源Ref2が供給する電位に関係なく駆動電圧Vkが基準電圧Vref2として供給されて、コンパレータCp3から出力される比較結果信号Vcr3は、フィードバック電圧Vfb1が基準電圧Vref2と同レベルになるように、すなわち駆動電圧Vkが抵抗素子R3によって電圧降下しないように、言い換えれば抵抗素子R3の両端の電位が同じになるようなレベルにてトランジスタP4のゲート端子Gに供給され、トランジスタP4はオフされるように制御されて発光素子群HS1への発光電流Ih1の供給は停止される。つまり、調光回路LC1は、発光制御部HCcの発光停止制御に基づいて発光電流Ih1の生成を停止する。以上により発光素子群HS1の発光停止制御が行われる。   The transistor P6 is turned on when the low-level comparison result signal Vcr1 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. Thus, the drive voltage Vk is supplied as the reference voltage Vref2 to the non-inverting terminal of the comparator Cp3 regardless of the potential supplied by the reference power supply Ref2, and the comparison result signal Vcr3 output from the comparator Cp3 is based on the feedback voltage Vfb1. The gate terminal G of the transistor P4 is set to the same level as the voltage Vref2, that is, the drive voltage Vk is not dropped by the resistance element R3, in other words, the potential at both ends of the resistance element R3 is the same. Then, the transistor P4 is controlled to be turned off, and the supply of the light emission current Ih1 to the light emitting element group HS1 is stopped. That is, the light control circuit LC1 stops the generation of the light emission current Ih1 based on the light emission stop control of the light emission control unit HCc. The light emission stop control of the light emitting element group HS1 is performed as described above.

また、トランジスタP6は、比較回路CNaからハイレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。これにより、コンパレータCp3の非反転端子には基準電源Ref2から供給される電圧が基準電圧Vref2として供給されるため、トランジスタP4から出力する発光素子群HS1への発光電流Ih1の電流値は比較結果信号Vcr3によって制御できるようになる。つまり、調光回路LC1は、発光制御部HCcの発光制御に基づいて発光電流Ih1の生成を行う。以上により発光素子群HS1の発光制御が行われる。   The transistor P6 is turned off when the high-level comparison result signal Vcr1 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. As a result, the voltage supplied from the reference power supply Ref2 is supplied as the reference voltage Vref2 to the non-inverting terminal of the comparator Cp3. Therefore, the current value of the light emission current Ih1 to the light emitting element group HS1 output from the transistor P4 is the comparison result signal. It can be controlled by Vcr3. That is, the light control circuit LC1 generates the light emission current Ih1 based on the light emission control of the light emission control unit HCc. The light emission control of the light emitting element group HS1 is performed as described above.

トランジスタP7は、他端としてのドレイン端子Dが基準電源Ref3の他端とコンパレータCp4の非反転端子に接続されている。   The drain terminal D as the other end of the transistor P7 is connected to the other end of the reference power source Ref3 and the non-inverting terminal of the comparator Cp4.

トランジスタP7は、比較回路CNaからローレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオンする。これにより、コンパレータCp4の非反転端子には基準電源Ref3が供給する電位に関係なく駆動電圧Vkが基準電圧Vref3として供給されて、コンパレータCp4から出力される比較結果信号Vcr4は、フィードバック電圧Vfb2が基準電圧Vref3と同レベルになるように、すなわち駆動電圧Vkが抵抗素子R4によって電圧降下しないように、言い換えれば抵抗素子R4の両端の電位が同じになるようなレベルにてトランジスタP5のゲート端子Gに供給され、トランジスタP5はオフされるように制御されて発光素子群HS2への発光電流Ih2の供給は停止される。つまり、調光回路LC2は、発光制御部HCcの発光停止制御に基づいて発光電流Ih2の生成を停止する。以上により発光素子群HS2の発光停止制御が行われる。   The transistor P7 is turned on when the low-level comparison result signal Vcr1 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. Accordingly, the drive voltage Vk is supplied as the reference voltage Vref3 to the non-inverting terminal of the comparator Cp4 regardless of the potential supplied by the reference power supply Ref3, and the comparison result signal Vcr4 output from the comparator Cp4 is based on the feedback voltage Vfb2. The gate terminal G of the transistor P5 is set at the same level as the voltage Vref3, that is, at a level such that the driving voltage Vk does not drop by the resistor element R4, in other words, the potential at both ends of the resistor element R4 is the same. The transistor P5 is controlled to be turned off, and the supply of the light emission current Ih2 to the light emitting element group HS2 is stopped. That is, the light control circuit LC2 stops the generation of the light emission current Ih2 based on the light emission stop control of the light emission control unit HCc. The light emission stop control of the light emitting element group HS2 is performed as described above.

また、トランジスタP7は、比較回路CNaからハイレベルの比較結果信号Vcr1がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。これにより、コンパレータCp4の非反転端子には基準電源Ref3から供給される電圧が基準電圧Vref3として供給されるため、トランジスタP5から出力する発光素子群HS2への発光電流Ih2の電流値は比較結果信号Vcr4によって制御できるようになる。つまり、調光回路LC2は、発光制御部HCcの発光制御に基づいて発光電流Ih2の生成を行う。以上により発光素子群HS2の発光制御が行われる。   The transistor P7 is turned off when the high-level comparison result signal Vcr1 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. As a result, the voltage supplied from the reference power supply Ref3 is supplied as the reference voltage Vref3 to the non-inverting terminal of the comparator Cp4. Therefore, the current value of the light emission current Ih2 to the light emitting element group HS2 output from the transistor P5 is the comparison result signal. It becomes controllable by Vcr4. That is, the light control circuit LC2 generates the light emission current Ih2 based on the light emission control of the light emission control unit HCc. The light emission control of the light emitting element group HS2 is performed as described above.

発光制御部HCcは、以上のように、駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には、トランジスタP6をオフさせてトランジスタP4の出力を比較結果信号Vcr3によって制御可能とし、且つトランジスタP7をオフさせてトランジスタP5の出力を比較結果信号Vcr4によって制御可能として、発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給可能とし且つ発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給可能として発光素子群HSを発光させる発光制御、すなわち、調光回路LC1にて発光電流Ih1を生成可能とし、調光回路LC2にて発光電流Ih2を生成可能とする発光制御を行う。また、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には、トランジスタP6及びトランジスタP7をオンさせて調光回路LC1のトランジスタP4及びトランジスタP5の出力を強制的に停止することで、発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給不可とし且つ発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給不可として発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御、すなわち、調光回路LC1にて発光電流Ih1を生成不可とし、調光回路LC2にて発光電流Ih2を生成不可とする発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置30によれば、発光素子群HS1と発光素子群HS2とを同時に発光及び消灯させることができる。   As described above, the light emission control unit HCc detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH, and when the drive voltage Vk is larger than the light emission reference voltage VH, the transistor P6 is turned off to turn on the transistor P4. Can be controlled by the comparison result signal Vcr3, the transistor P7 is turned off and the output of the transistor P5 can be controlled by the comparison result signal Vcr4, the light emission current Ih1 can be supplied to the light emitting element group HS1, and the light emission current Ih2 is Light emission control for allowing the light emitting element group HS to emit light that can be supplied to the light emitting element group HS2, that is, light emission control that enables the light control circuit LC1 to generate the light emission current Ih1, and the light control circuit LC2 to generate the light emission current Ih2. I do. When the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH, the transistors P6 and P7 are turned on to forcibly stop the outputs of the transistors P4 and P5 of the dimming circuit LC1, thereby causing the light emission current Ih1. Cannot be supplied to the light emitting element group HS1 and the light emission current Ih2 cannot be supplied to the light emitting element group HS2 to stop the light emission of the light emitting element group HS. That is, the light control circuit LC1 cannot generate the light emission current Ih1. The light control circuit LC2 performs light emission stop control that disables generation of the light emission current Ih2. For this reason, according to the illuminating device 30 concerning this embodiment, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 can be light-emitted and light-extinguished simultaneously.

また、本実施形態にかかる照明装置30aにおいては、発光制御及び発光停止制御を、発光制御部HCcの比較回路CNaとトランジスタP6とトランジスタP7との2つのトランジスタで行っているが、これに限られず、比較回路CNaとトランジスタP6とで行うようにしても良い。この場合には、トランジスタP7に代えて、トランジスタP6のドレイン端子Dを、コンパレータCp3の非反転端子に接続していることに加えて、コンパレータCp4の非反転端子にも接続する構成とすればよい。   In the illumination device 30a according to the present embodiment, the light emission control and the light emission stop control are performed by the two transistors of the comparison circuit CNa, the transistor P6, and the transistor P7 of the light emission control unit HCc. The comparison circuit CNa and the transistor P6 may be used. In this case, instead of the transistor P7, the drain terminal D of the transistor P6 may be connected to the non-inverting terminal of the comparator Cp4 in addition to being connected to the non-inverting terminal of the comparator Cp3. .

[第3の実施形態の第2の変形例]
図11は、本発明の第3の実施形態の第2の変形例にかかる照明装置30bを示した図である。照明装置30bは、電源供給回路VSと、発光素子群HSと、調光回路LC1と、調光回路LC2と、発光制御部HCdと、を備えている。本変形例にかかる照明装置30bは、図8に示した照明装置30と比較して、発光制御部HCcに代えて発光制御部HCdを備えている点で実質的に異なる。なお、図11に示した照明装置30bにおいては、図8に示した照明装置30と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Second Modification of Third Embodiment]
FIG. 11 is a view showing an illumination device 30b according to a second modification of the third embodiment of the present invention. The illumination device 30b includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HS, a light control circuit LC1, a light control circuit LC2, and a light emission control unit HCd. The illumination device 30b according to this modification is substantially different from the illumination device 30 shown in FIG. 8 in that a light emission control unit HCd is provided instead of the light emission control unit HCc. In addition, in the illuminating device 30b shown in FIG. 11, about the structure similar to the illuminating device 30 shown in FIG. 8, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

調光回路LC1のコンパレータCp3は、電源供給回路VSと接続されて、電源供給回路VSから出力される駆動電圧Vkの供給を受けて駆動される。すなわち、比較結果信号Vcr3は、駆動電圧Vkに基づき生成される。   The comparator Cp3 of the dimming circuit LC1 is connected to the power supply circuit VS, and is driven by receiving the drive voltage Vk output from the power supply circuit VS. That is, the comparison result signal Vcr3 is generated based on the drive voltage Vk.

調光回路LC2のコンパレータCp4は、電源供給回路VSと接続されて、電源供給回路VSから出力される駆動電圧Vkの供給を受けて駆動される。すなわち、比較結果信号Vcr4は、駆動電圧Vkに基づき生成される。   The comparator Cp4 of the dimming circuit LC2 is connected to the power supply circuit VS and driven by receiving the drive voltage Vk output from the power supply circuit VS. That is, the comparison result signal Vcr4 is generated based on the drive voltage Vk.

発光制御部HCdは、トランジスタN3と、トランジスタN4と、比較回路CNaと、を備えている。   The light emission control unit HCd includes a transistor N3, a transistor N4, and a comparison circuit CNa.

トランジスタN3は、NMOSトランジスタであり、一端としてのソース端子Sが電源VSSに接続され、他端としてのドレイン端子DがコンパレータCp3に接続されている。これにより、コンパレータCp3はトランジスタN3を介して電源VSSに接続されている。また、トランジスタN3は、制御端子としてのゲート端子Gが比較回路CNaに接続されている。トランジスタN3は、比較回路CNaから出力されゲート端子Gに入力される比較結果信号Vcr2によってオンオフが制御され、これにより発光素子群HS1の発光制御及び発光停止制御が行われる。   The transistor N3 is an NMOS transistor, and has a source terminal S as one end connected to the power source VSS and a drain terminal D as the other end connected to the comparator Cp3. Thereby, the comparator Cp3 is connected to the power supply VSS via the transistor N3. The transistor N3 has a gate terminal G as a control terminal connected to the comparison circuit CNa. The transistor N3 is controlled to be turned on / off by a comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and input to the gate terminal G, thereby performing light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS1.

トランジスタN3は、比較回路CNaからローレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。これにより、コンパレータCp3と電源VSSとの接続が遮断されて、コンパレータCp3から出力される比較結果信号Vcr3は強制的にハイレベルとされて、トランジスタP4のゲート端子Gには駆動電圧Vkとほぼ同レベルの電圧が供給される。これにより、トランジスタP4はコンパレータCp3における基準電圧Vref2とフィードバック電圧Vfb1との比較結果に関わらず強制的にオフ状態とされて発光素子群HS1への発光電流Ih1の供給は停止される。つまり、調光回路LC1は、発光制御部HCdの発光停止制御に基づいて発光電流Ih1の生成を停止する。以上により発光素子群HS1の発光停止制御が行われる。   The transistor N3 is turned off when the low-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. As a result, the connection between the comparator Cp3 and the power source VSS is cut off, the comparison result signal Vcr3 output from the comparator Cp3 is forcibly set to the high level, and the gate terminal G of the transistor P4 has almost the same voltage as the drive voltage Vk. Level voltage is supplied. Thereby, the transistor P4 is forcibly turned off regardless of the comparison result between the reference voltage Vref2 and the feedback voltage Vfb1 in the comparator Cp3, and the supply of the light emission current Ih1 to the light emitting element group HS1 is stopped. That is, the light control circuit LC1 stops the generation of the light emission current Ih1 based on the light emission stop control of the light emission control unit HCd. The light emission stop control of the light emitting element group HS1 is performed as described above.

また、トランジスタN3は、比較回路CNaからハイレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオンする。これにより、コンパレータCp3と電源VSSとが電気的に接続されて、コンパレータCp3は基準電圧Vref2とフィードバック電圧Vfb1との比較結果に基づいた比較結果信号Vcr3を出力できるようになる。このため、トランジスタP4から出力する発光素子群HS1への発光電流Ih1の電流値は比較結果信号Vcr3によって制御できるようになる。つまり、調光回路LC1は、発光制御部HCdの発光制御に基づいて発光電流Ih1の生成を行う。以上により発光素子群HS1の発光制御が行われる。   The transistor N3 is turned on when the high-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. Thereby, the comparator Cp3 and the power source VSS are electrically connected, and the comparator Cp3 can output the comparison result signal Vcr3 based on the comparison result between the reference voltage Vref2 and the feedback voltage Vfb1. Therefore, the current value of the light emission current Ih1 output from the transistor P4 to the light emitting element group HS1 can be controlled by the comparison result signal Vcr3. That is, the light control circuit LC1 generates the light emission current Ih1 based on the light emission control of the light emission control unit HCd. The light emission control of the light emitting element group HS1 is performed as described above.

トランジスタN4は、NMOSトランジスタであり、一端としてのソース端子Sが電源VSSに接続され、他端としてのドレイン端子DがコンパレータCp4に接続されている。これにより、コンパレータCp4はトランジスタN4を介して電源VSSに接続されている。また、トランジスタN4は、制御端子としてのゲート端子Gが比較回路CNaに接続されている。トランジスタN4は、比較回路CNaから出力されゲート端子Gに入力される比較結果信号Vcr2によってオンオフが制御され、これにより発光素子群HS2の発光制御及び発光停止制御が行われる。   The transistor N4 is an NMOS transistor, and has a source terminal S as one end connected to the power source VSS and a drain terminal D as the other end connected to the comparator Cp4. Thereby, the comparator Cp4 is connected to the power supply VSS via the transistor N4. The transistor N4 has a gate terminal G as a control terminal connected to the comparison circuit CNa. The transistor N4 is controlled to be turned on / off by a comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and input to the gate terminal G, thereby performing light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS2.

トランジスタN4は、比較回路CNaからローレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオフする。これにより、コンパレータCp4と電源VSSとの接続が遮断されて、コンパレータCp4から出力される比較結果信号Vcr4は強制的にハイレベルとされて、トランジスタP5のゲート端子Gには駆動電圧Vkとほぼ同レベルの電圧が供給される。これにより、トランジスタP5はコンパレータCp3における基準電圧Vref3とフィードバック電圧Vfb1との比較結果に関わらず強制的にオフ状態とされて発光素子群HS2への発光電流Ih2の供給は停止される。つまり、調光回路LC2は、発光制御部HCdの発光停止制御に基づいて発光電流Ih2の生成を停止する。以上により発光素子群HS2の発光停止制御が行われる。   The transistor N4 is turned off when the low-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. As a result, the connection between the comparator Cp4 and the power source VSS is cut off, the comparison result signal Vcr4 output from the comparator Cp4 is forcibly set to the high level, and the gate terminal G of the transistor P5 has almost the same voltage as the drive voltage Vk. Level voltage is supplied. Thereby, the transistor P5 is forcibly turned off regardless of the comparison result between the reference voltage Vref3 and the feedback voltage Vfb1 in the comparator Cp3, and the supply of the light emission current Ih2 to the light emitting element group HS2 is stopped. That is, the light control circuit LC2 stops the generation of the light emission current Ih2 based on the light emission stop control of the light emission control unit HCd. The light emission stop control of the light emitting element group HS2 is performed as described above.

また、トランジスタN4は、比較回路CNaからハイレベルの比較結果信号Vcr2がゲート端子Gに入力された場合にはオンする。これにより、コンパレータCp4と電源VSSとが電気的に接続されて、コンパレータCp4は基準電圧Vref3とフィードバック電圧Vfb2との比較結果に基づいた比較結果信号Vcr4を出力できるようになる。このため、トランジスタP5から出力する発光素子群HS2への発光電流Ih2の電流値は比較結果信号Vcr4によって制御できるようになる。つまり、調光回路LC2は、発光制御部HCdの発光制御に基づいて発光電流Ih2の生成を行う。以上により発光素子群HS2の発光制御が行われる。   The transistor N4 is turned on when the high-level comparison result signal Vcr2 is input to the gate terminal G from the comparison circuit CNa. Thereby, the comparator Cp4 and the power source VSS are electrically connected, and the comparator Cp4 can output the comparison result signal Vcr4 based on the comparison result between the reference voltage Vref3 and the feedback voltage Vfb2. Therefore, the current value of the light emission current Ih2 output from the transistor P5 to the light emitting element group HS2 can be controlled by the comparison result signal Vcr4. That is, the light control circuit LC2 generates the light emission current Ih2 based on the light emission control of the light emission control unit HCd. The light emission control of the light emitting element group HS2 is performed as described above.

発光制御部HCdは、以上のように、駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には、トランジスタN3をオンさせてトランジスタP4の出力を基準電圧Vref2とフィードバック電圧Vfb1との比較に基づく比較結果信号Vcr3によって制御可能とし、且つトランジスタN4をオンさせてトランジスタP5の出力を基準電圧Vref3とフィードバック電圧Vfb2との比較に基づく比較結果信号Vcr4によって制御可能として、発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給可能とし且つ発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給可能として発光素子群HSを発光させる発光制御、すなわち、調光回路LC1にて発光電流Ih1を生成可能とし、調光回路LC2にて発光電流Ih2を生成可能とする発光制御を行う。また、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には、トランジスタN3をオフさせて調光回路LC1のトランジスタP4の出力基準電圧Vref2とフィードバック電圧Vfb1との比較に基づく比較結果信号Vcr3によって制御不可とし強制的にオフし、トランジスタN4を調光回路LC2のトランジスタP5の出力基準電圧Vref3とフィードバック電圧Vfb2との比較に基づく比較結果信号Vcr4によって制御不可とし強制的にオフすることで、発光電流Ih1を発光素子群HS1に供給不可とし且つ発光電流Ih2を発光素子群HS2に供給不可として発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御、すなわち、調光回路LC1にて発光電流Ih1を生成不可とし、調光回路LC2にて発光電流Ih2を生成不可とする発光停止制御を行う。このため、本実施形態にかかる照明装置30によれば、発光素子群HS1と発光素子群HS2とを同時に発光及び消灯させることができる。   As described above, the light emission control unit HCd detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH. When the drive voltage Vk is larger than the light emission reference voltage VH, the transistor N3 is turned on to turn on the transistor P4. Can be controlled by a comparison result signal Vcr3 based on the comparison between the reference voltage Vref2 and the feedback voltage Vfb1, and the transistor N4 is turned on, and the output of the transistor P5 is compared based on the comparison between the reference voltage Vref3 and the feedback voltage Vfb2. The light emission control that can be controlled by the signal Vcr4 so that the light emission current Ih1 can be supplied to the light emitting element group HS1 and the light emission current Ih2 can be supplied to the light emitting element group HS2 is performed. The light emission current Ih1 can be generated, and the light control circuit LC2 Controlling the light emission to be generated photocurrent Ih2. When the drive voltage Vk is smaller than the light emission reference voltage VH, the transistor N3 is turned off and controlled by the comparison result signal Vcr3 based on the comparison between the output reference voltage Vref2 of the transistor P4 of the dimming circuit LC1 and the feedback voltage Vfb1. The transistor N4 is forcibly turned off, and the transistor N4 is controlled to be uncontrollable by the comparison result signal Vcr4 based on the comparison between the output reference voltage Vref3 of the transistor P5 of the dimming circuit LC2 and the feedback voltage Vfb2. Light emission stop control for stopping the light emission of the light emitting element group HS by disabling the supply of Ih1 to the light emitting element group HS1 and the supply of the light emission current Ih2 to the light emitting element group HS2, that is, the light control circuit LC1 cannot generate the light emission current Ih1 In the dimming circuit LC2, the light emission current Ih2 is not generated. Performing emission stop control to. For this reason, according to the illuminating device 30 concerning this embodiment, the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2 can be light-emitted and light-extinguished simultaneously.

また、本実施形態にかかる照明装置30bにおいては、発光制御及び発光停止制御を、発光制御部HCdの比較回路CNaとトランジスタN3とトランジスタN4との2つのトランジスタで行っているが、これに限られず、比較回路CNaとトランジスタN3とで行うようにしても良い。この場合には、トランジスタN3のドレイン端子Dを、コンパレータCp3に接続していることに加えて、コンパレータCp4にも接続する構成とすればよい。   Further, in the lighting device 30b according to the present embodiment, the light emission control and the light emission stop control are performed by the two transistors of the comparison circuit CNa, the transistor N3, and the transistor N4 of the light emission control unit HCd. The comparison circuit CNa and the transistor N3 may be used. In this case, the drain terminal D of the transistor N3 may be connected to the comparator Cp4 in addition to being connected to the comparator Cp3.

[第3の実施形態の第3の変形例]
図12は、本発明の第3の実施形態の第3の変形例にかかる照明装置30cを示した図である。照明装置30cは、電源供給回路VSと、発光素子群HSと、発光制御部HCeと、調光回路LC11と、調光回路LC12と、を備えている。本変形例にかかる照明装置30cは、図8に示した照明装置30と比較して、発光制御部HCcに代えて発光制御部HCeを備えている点、及び調光回路LC1と調光回路LC2に代えて調光回路LC11と調光回路LC12を備えている点で実質的に異なる。なお、図12に示した照明装置30cにおいては、図8に示した照明装置30と同様の構成については同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Third Modification of Third Embodiment]
FIG. 12 is a diagram showing an illumination device 30c according to a third modification of the third embodiment of the present invention. The illumination device 30c includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HS, a light emission control unit HCe, a light control circuit LC11, and a light control circuit LC12. The illumination device 30c according to the present modification includes a light emission control unit HCe instead of the light emission control unit HCc, and the dimming circuit LC1 and the dimming circuit LC2 compared to the illumination device 30 illustrated in FIG. Instead, it is substantially different in that a light control circuit LC11 and a light control circuit LC12 are provided. In addition, in the illuminating device 30c shown in FIG. 12, about the structure similar to the illuminating device 30 shown in FIG. 8, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

発光制御部HCeは、前記駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には発光素子群HSを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御を行う。発光制御部HCeは、比較回路CNを備えている。   The light emission control unit HCe detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH, and performs light emission control for causing the light emitting element group HS to emit light when the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VH. When the voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH, light emission stop control is performed to stop the light emission of the light emitting element group HS. The light emission control unit HCe includes a comparison circuit CN.

調光回路LC11は、一端がノードNd1と接続され、これにより電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC11は、他端がノードNh1と接続されている。言い換えれば、ノードNh1は、調光回路LC11とノードNd1とを介して電源供給回路VSに接続されている。調光回路LC11は、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS1の発光輝度を調整する。調光回路LC11は、第1の調光スイッチとしてのトランジスタPD1と、第1の電流生成回路としての電流生成回路VC1と、第1の調光比較回路としての比較回路CNL11と、第1の駆動回路としての駆動回路KD1と、を備えている。   One end of the dimming circuit LC11 is connected to the node Nd1, and thereby connected to the power supply circuit VS. The other end of the dimming circuit LC11 is connected to the node Nh1. In other words, the node Nh1 is connected to the power supply circuit VS via the dimming circuit LC11 and the node Nd1. The light control circuit LC11 adjusts the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 to a predetermined current value, and thereby adjusts the light emission luminance of the light emitting element group HS1. The dimming circuit LC11 includes a transistor PD1 as a first dimming switch, a current generation circuit VC1 as a first current generation circuit, a comparison circuit CNL11 as a first dimming comparison circuit, and a first drive. And a drive circuit KD1 as a circuit.

トランジスタPD1は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源供給回路VSに接続されている。   The transistor PD1 is a PMOS transistor, and the source terminal S is connected to the power supply circuit VS.

電流生成回路VC1は、インダクタL1と、コンデンサC1と、整流ダイオードD1とを備えて構成されている。インダクタL1は、一端がトランジスタPD1のドレイン端子Dに接続されている。コンデンサC1は、一端がインダクタL1の他端に接続され、他端が電源VSSに接続されている。整流ダイオードD1は、アノードが電源VSSに接続され、カソードがトランジスタPD1のドレイン端子DとインダクタL1の一端との接続点に接続されている。   The current generation circuit VC1 includes an inductor L1, a capacitor C1, and a rectifier diode D1. One end of the inductor L1 is connected to the drain terminal D of the transistor PD1. One end of the capacitor C1 is connected to the other end of the inductor L1, and the other end is connected to the power source VSS. The rectifier diode D1 has an anode connected to the power supply VSS and a cathode connected to a connection point between the drain terminal D of the transistor PD1 and one end of the inductor L1.

電流生成回路VC1は、トランジスタPD1がオンの場合にトランジスタPD1から出力される駆動電圧Vkに基づく磁気エネルギーをインダクタL1にて蓄積し、コンデンサC1にて平滑化して発光電圧Vh1及び発光電流Ih1を生成して出力する。また、電流生成回路VC1は、トランジスタPD1がオフの場合には、インダクタL1に蓄積された磁気エネルギーが整流ダイオードD1を介してコンデンサC1に供給され、コンデンサC1にて磁気エネルギーが平滑化して、発光電圧Vh1及び発光電流Ih1を生成して出力する。すなわち、電流生成回路VC1は、トランジスタPD1のオンオフに応じて得られる駆動電圧Vkを降圧して発光電圧Vh1及び発光電流Ih1を生成して出力する。   The current generation circuit VC1 accumulates magnetic energy based on the drive voltage Vk output from the transistor PD1 when the transistor PD1 is turned on by the inductor L1, and smoothes it by the capacitor C1 to generate the light emission voltage Vh1 and the light emission current Ih1. And output. Further, when the transistor PD1 is off, the current generation circuit VC1 supplies the magnetic energy accumulated in the inductor L1 to the capacitor C1 via the rectifier diode D1, and the magnetic energy is smoothed by the capacitor C1 to emit light. A voltage Vh1 and a light emission current Ih1 are generated and output. That is, the current generation circuit VC1 steps down the drive voltage Vk obtained according to the on / off state of the transistor PD1 to generate and output the light emission voltage Vh1 and the light emission current Ih1.

比較回路CNL11は、基準電源Ref4と、コンパレータCp5と、を有している。   The comparison circuit CNL11 has a reference power supply Ref4 and a comparator Cp5.

基準電源Ref4は、一端が電源VSSに接続されており、第1の調光基準電圧としての基準電圧Vref4を生成する。基準電圧Vref4は例えば2Vである。   One end of the reference power supply Ref4 is connected to the power supply VSS, and generates a reference voltage Vref4 as a first dimming reference voltage. The reference voltage Vref4 is 2V, for example.

コンパレータCp5は、非反転端子にノードNh1aと抵抗素子Rh1との接続点のノードNd8が接続されてノードNd8の電位である第1の調光比較電圧としてのフィードバック電圧Vfb3が入力され、反転端子に基準電源Ref4が接続されて基準電圧Vref4が入力される。コンパレータCp5は、フィードバック電圧Vfb3と基準電圧Vref4とを比較し、該比較の結果に基づいて、ノードNd8の電位が基準電圧Vref4と同レベルになるように、第1の制御信号としての比較結果信号Vcr5を出力してトランジスタPD1と電流生成回路VC1にて生成される発光電流Vh1の大きさを調整する。コンパレータCp5は、例えばフィードバック電圧Vfb3が基準電圧Vref4よりも小さい場合には、ノードNd8の電位を上昇させるべく、ハイレベルの比較結果信号Vcr5を出力する。また、コンパレータCp5は、例えばフィードバック電圧Vfb3が基準電圧Vref4よりも大きい場合には、ノードNd8の電位を低下させるべく、ローレベルの比較結果信号Vcr5を出力する。   In the comparator Cp5, the node Nd8 at the connection point between the node Nh1a and the resistance element Rh1 is connected to the non-inverting terminal, and the feedback voltage Vfb3 as the first dimming comparison voltage that is the potential of the node Nd8 is input. A reference power supply Ref4 is connected and a reference voltage Vref4 is input. The comparator Cp5 compares the feedback voltage Vfb3 with the reference voltage Vref4 and, based on the comparison result, the comparison result signal as the first control signal so that the potential of the node Nd8 becomes the same level as the reference voltage Vref4. Vcr5 is output to adjust the magnitude of the light emission current Vh1 generated by the transistor PD1 and the current generation circuit VC1. For example, when the feedback voltage Vfb3 is smaller than the reference voltage Vref4, the comparator Cp5 outputs a high-level comparison result signal Vcr5 to increase the potential of the node Nd8. For example, when the feedback voltage Vfb3 is higher than the reference voltage Vref4, the comparator Cp5 outputs a low-level comparison result signal Vcr5 so as to lower the potential of the node Nd8.

比較回路CNL11は、以上のようにして、発光電圧Vh1に基づくフィードバック電圧Vfb3を検出し、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1が所望の値となるように、比較結果信号Vcr5を出力してトランジスタPD1の出力を調整する。   As described above, the comparison circuit CNL11 detects the feedback voltage Vfb3 based on the light emission voltage Vh1, and outputs the comparison result signal Vcr5 so that the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 becomes a desired value. Adjust the output of PD1.

駆動回路KD1は、トランジスタPD1の制御端子としてのゲート端子Gと、比較回路CNL11のコンパレータCp5の出力端子とに接続されており、コンパレータCp5、言い換えれば比較回路CNL11から出力される比較結果信号Vcr5に応じてトランジスタPD1に第1の駆動信号としての駆動信号Vs1を供給する。駆動回路KD1は、例えばローレベルの比較結果信号Vcr5を受信した場合には、例えば5Vでハイレベルの駆動信号Vs1をトランジスタPD1のゲート端子Gに供給する。これにより、トランジスタPD1はオフし、駆動電圧Vkに基づく電圧のインダクタL1への供給は停止される。また、例えばハイレベルの比較結果信号Vcr5を受信した場合には、例えば0Vでローレベルの駆動信号Vs1をトランジスタPD1のゲート端子Gに供給する。これにより、トランジスタPD1はオンし、駆動電圧Vkに基づく電圧がインダクタL1に供給される。なお、駆動回路KD1は、トランジスタPD1のゲート端子Gに対して、所定のデューティ比を持ったPWM信号を供給するPWM制御を行う構成としても良い。   The drive circuit KD1 is connected to the gate terminal G as the control terminal of the transistor PD1 and the output terminal of the comparator Cp5 of the comparison circuit CNL11. The drive circuit KD1 receives the comparison result signal Vcr5 output from the comparator Cp5, in other words, the comparison circuit CNL11. In response, the drive signal Vs1 as the first drive signal is supplied to the transistor PD1. For example, when the low-level comparison result signal Vcr5 is received, the drive circuit KD1 supplies the high-level drive signal Vs1 to, for example, 5V to the gate terminal G of the transistor PD1. Thereby, the transistor PD1 is turned off, and the supply of the voltage based on the drive voltage Vk to the inductor L1 is stopped. For example, when the high-level comparison result signal Vcr5 is received, the low-level drive signal Vs1 of, for example, 0V is supplied to the gate terminal G of the transistor PD1. As a result, the transistor PD1 is turned on, and a voltage based on the drive voltage Vk is supplied to the inductor L1. The drive circuit KD1 may be configured to perform PWM control for supplying a PWM signal having a predetermined duty ratio to the gate terminal G of the transistor PD1.

調光回路LC11は、以上のように、比較回路CNL11から出力される比較結果信号Vcr5に基づく駆動信号Vs1にて、トランジスタPD1から出力される発光電流Ih1が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS1の発光輝度を調整する。   As described above, the dimming circuit LC11 adjusts the light emission current Ih1 output from the transistor PD1 to a predetermined current value by the drive signal Vs1 based on the comparison result signal Vcr5 output from the comparison circuit CNL11. Thus, the light emission luminance of the light emitting element group HS1 is adjusted.

調光回路LC12は、一端がノードNd1に接続され、これにより電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC12は、他端がノードNh2と接続されている。言い換えれば、ノードNh2は、調光回路LC12とノードNd1とを介して電源供給回路VSに接続されている。調光回路LC12は、発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS2の発光輝度を調整する。調光回路LC12は、第2の調光スイッチとしてのトランジスタPD2と、第2の電流生成回路としての電流生成回路VC2と、第2の調光比較回路としての比較回路CNL12と、第2の駆動回路としての駆動回路KD2と、を備えている。   One end of the dimming circuit LC12 is connected to the node Nd1, and thereby connected to the power supply circuit VS. The other end of the dimming circuit LC12 is connected to the node Nh2. In other words, the node Nh2 is connected to the power supply circuit VS via the dimming circuit LC12 and the node Nd1. The light control circuit LC12 adjusts the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 to a predetermined current value, thereby adjusting the light emission luminance of the light emitting element group HS2. The dimming circuit LC12 includes a transistor PD2 as a second dimming switch, a current generation circuit VC2 as a second current generation circuit, a comparison circuit CNL12 as a second dimming comparison circuit, and a second drive. And a drive circuit KD2 as a circuit.

トランジスタPD2は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源供給回路VSに接続されている。   The transistor PD2 is a PMOS transistor, and the source terminal S is connected to the power supply circuit VS.

電流生成回路VC2は、インダクタL2と、コンデンサC2と、整流ダイオードD2とを備えて構成されている。インダクタL2は、一端がトランジスタPD2のドレイン端子Dに接続されている。コンデンサC2は、一端がインダクタL2の他端に接続され、他端が電源VSSに接続されている。整流ダイオードD2は、アノードが電源VSSに接続され、カソードがトランジスタPD2のドレイン端子DとインダクタL2の一端との接続点に接続されている。   The current generation circuit VC2 includes an inductor L2, a capacitor C2, and a rectifier diode D2. One end of the inductor L2 is connected to the drain terminal D of the transistor PD2. One end of the capacitor C2 is connected to the other end of the inductor L2, and the other end is connected to the power source VSS. The rectifier diode D2 has an anode connected to the power supply VSS and a cathode connected to a connection point between the drain terminal D of the transistor PD2 and one end of the inductor L2.

電流生成回路VC2は、トランジスタPD2がオンの場合にトランジスタPD2から出力される駆動電圧Vkに基づく磁気エネルギーをインダクタL2にて蓄積し、コンデンサC2にて平滑化して発光電圧Vh2及び発光電流Ih2を生成して出力する。また、電流生成回路VC2は、トランジスタPD2がオフの場合には、インダクタL2に蓄積された磁気エネルギーが整流ダイオードD2を介してコンデンサD2に供給され、コンデンサC2にて磁気エネルギーが平滑化して、発光電圧Vh2及び発光電流Ih2を生成して出力する。すなわち、電流生成回路VC2は、トランジスタPD2のオンオフに応じて得られる駆動電圧Vkを降圧して発光電圧Vh2及び発光電流Ih2を生成して出力する。   The current generation circuit VC2 accumulates magnetic energy based on the drive voltage Vk output from the transistor PD2 when the transistor PD2 is turned on by the inductor L2, and smoothes it by the capacitor C2 to generate the light emission voltage Vh2 and the light emission current Ih2. And output. In addition, when the transistor PD2 is off, the current generation circuit VC2 supplies the magnetic energy accumulated in the inductor L2 to the capacitor D2 via the rectifier diode D2, and the magnetic energy is smoothed by the capacitor C2 to emit light. A voltage Vh2 and a light emission current Ih2 are generated and output. That is, the current generation circuit VC2 steps down the drive voltage Vk obtained according to the on / off state of the transistor PD2 to generate and output the light emission voltage Vh2 and the light emission current Ih2.

比較回路CNL12は、基準電源Ref5と、コンパレータCp6と、を有している。   The comparison circuit CNL12 has a reference power supply Ref5 and a comparator Cp6.

基準電源Ref5は、一端が電源VSSに接続されており、第2の調光基準電圧としての基準電圧Vref5を生成する。基準電圧Vref5は例えば2Vである。   One end of the reference power supply Ref5 is connected to the power supply VSS, and generates a reference voltage Vref5 as a second dimming reference voltage. The reference voltage Vref5 is 2V, for example.

コンパレータCp6は、非反転端子にノードNh2aと抵抗素子Rh2との接続点のノードNd9が接続されてノードNd9の電位である第2の調光比較電圧としてのフィードバック電圧Vfb4が入力され、反転端子に基準電源Ref5が接続されて基準電圧Vref5が入力される。コンパレータCp6は、フィードバック電圧Vfb4と基準電圧Vref5とを比較し、該比較の結果に基づいて、ノードNd9の電位が基準電圧Vref5と同レベルになるように、第2の制御信号としての比較結果信号Vcr6を出力してトランジスタPD2と電流生成回路VC2にて生成される発光電流Vh2の大きさを調整する。コンパレータCp6は、例えばフィードバック電圧Vfb4が基準電圧Vref5よりも小さい場合には、ノードNd9の電位を上昇させるべく、ハイレベルの比較結果信号Vcr6を出力する。また、コンパレータCp6は、例えばフィードバック電圧Vfb4が基準電圧Vref5よりも大きい場合には、ノードNd9の電位を低下させるべく、ローレベルの比較結果信号Vcr6を出力する。   In the comparator Cp6, the node Nd9 at the connection point between the node Nh2a and the resistance element Rh2 is connected to the non-inverting terminal, and the feedback voltage Vfb4 as the second dimming comparison voltage that is the potential of the node Nd9 is input. A reference power supply Ref5 is connected and a reference voltage Vref5 is input. The comparator Cp6 compares the feedback voltage Vfb4 and the reference voltage Vref5, and based on the comparison result, the comparison result signal as the second control signal is set so that the potential of the node Nd9 becomes the same level as the reference voltage Vref5. Vcr6 is output to adjust the magnitude of the light emission current Vh2 generated by the transistor PD2 and the current generation circuit VC2. For example, when the feedback voltage Vfb4 is smaller than the reference voltage Vref5, the comparator Cp6 outputs a high-level comparison result signal Vcr6 to increase the potential of the node Nd9. For example, when the feedback voltage Vfb4 is higher than the reference voltage Vref5, the comparator Cp6 outputs a low-level comparison result signal Vcr6 so as to lower the potential of the node Nd9.

比較回路CNL12は、以上のようにして、発光電圧Vh2に基づくフィードバック電圧Vfb4を検出し、発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2が所望の値となるように、比較結果信号Vcr6を出力してトランジスタPD2の出力を調整する。   As described above, the comparison circuit CNL12 detects the feedback voltage Vfb4 based on the light emission voltage Vh2, and outputs the comparison result signal Vcr6 so that the light emission current Ih2 flowing in the light emitting element group HS2 becomes a desired value. Adjust the output of PD2.

駆動回路KD2は、トランジスタPD2の制御端子としてのゲート端子Gと、比較回路CNL12のコンパレータCp6の出力端子とに接続されており、コンパレータCp6、言い換えれば比較回路CNL12から出力される比較結果信号Vcr6に応じてトランジスタPD2に第2の駆動信号としての駆動信号Vs2を供給する。駆動回路KD2は、例えばローレベルの比較結果信号Vcr6を受信した場合には、例えば5Vでハイレベルの駆動信号Vs2をトランジスタPD2のゲート端子Gに供給する。これにより、トランジスタPD2はオフし、駆動電圧Vkに基づく電圧のインダクタL2への供給は停止される。また、例えばハイレベルの比較結果信号Vcr6を受信した場合には、例えば0Vでローレベルの駆動信号Vs2をトランジスタPD2のゲート端子Gに供給する。これにより、トランジスタPD2はオンし、駆動電圧Vkに基づく電圧がインダクタL2に供給される。なお、駆動回路KD2は、トランジスタPD2のゲート端子Gに対して、所定のデューティ比を持ったPWM信号を供給するPWM制御を行う構成としても良い。   The drive circuit KD2 is connected to the gate terminal G as a control terminal of the transistor PD2 and the output terminal of the comparator Cp6 of the comparison circuit CNL12. The drive circuit KD2 receives the comparison result signal Vcr6 output from the comparator Cp6, in other words, the comparison circuit CNL12. In response, a drive signal Vs2 as a second drive signal is supplied to the transistor PD2. For example, when the low-level comparison result signal Vcr6 is received, the drive circuit KD2 supplies the high-level drive signal Vs2 to, for example, 5V to the gate terminal G of the transistor PD2. As a result, the transistor PD2 is turned off, and the supply of the voltage based on the drive voltage Vk to the inductor L2 is stopped. For example, when the high-level comparison result signal Vcr6 is received, the low-level driving signal Vs2 at 0V, for example, is supplied to the gate terminal G of the transistor PD2. As a result, the transistor PD2 is turned on, and a voltage based on the drive voltage Vk is supplied to the inductor L2. The drive circuit KD2 may be configured to perform PWM control for supplying a PWM signal having a predetermined duty ratio to the gate terminal G of the transistor PD2.

調光回路LC12は、以上のように、比較回路CNL12から出力される比較結果信号Vcr6に基づく駆動信号Vs2にて、トランジスタPD2から出力される発光電流Ih2が所定の電流値となるように調整し、これにより発光素子群HS2の発光輝度を調整する。   As described above, the dimming circuit LC12 adjusts the light emission current Ih2 output from the transistor PD2 to a predetermined current value with the drive signal Vs2 based on the comparison result signal Vcr6 output from the comparison circuit CNL12. Thus, the light emission luminance of the light emitting element group HS2 is adjusted.

駆動回路KD1は、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも低く発光制御部HCeが発光停止制御を行う必要がある場合には、ローレベルの比較結果信号Vcr1が供給され、比較回路CNL11の出力に関係なくハイレベルの駆動信号Vs1を出力してトランジスタPD1を強制的にオフする。これにより、発光素子群HS1への発光電流Ih1の供給は停止される。また、駆動回路KD1は、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも高く発光制御部HCeが発光制御を行う必要がある場合には、ハイレベルの比較結果信号Vcr1が供給され、比較回路CNL11の出力に応じた駆動信号Vs1を出力してトランジスタPD1のオンオフを制御する。これにより、発光素子群HS1に流れる発光電流Ih1の電流値は比較結果信号Vcr5によって制御できるようになる。   When the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH and the light emission control unit HCe needs to perform light emission stop control, the drive circuit KD1 is supplied with the low-level comparison result signal Vcr1 and is output to the output of the comparison circuit CNL11. Regardless, the high-level drive signal Vs1 is output to forcibly turn off the transistor PD1. Thereby, the supply of the light emission current Ih1 to the light emitting element group HS1 is stopped. Further, when the drive voltage Vk is higher than the light emission reference voltage VH and the light emission control unit HCe needs to perform light emission control, the drive circuit KD1 is supplied with the high-level comparison result signal Vcr1 and the output of the comparison circuit CNL11. A drive signal Vs1 corresponding to the above is output to control on / off of the transistor PD1. As a result, the current value of the light emission current Ih1 flowing through the light emitting element group HS1 can be controlled by the comparison result signal Vcr5.

駆動回路KD2は、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも低く発光制御部HCeが発光停止制御を行う必要がある場合には、ローレベルの比較結果信号Vcr1が供給され、比較回路CNL12の出力に関係なくハイレベルの駆動信号Vs2を出力してトランジスタPD2を強制的にオフする。これにより、発光素子群HS2への発光電流Ih2の供給は停止される。また、駆動回路KD2は、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも高く発光制御部HCeが発光制御を行う必要がある場合には、ハイレベルの比較結果信号Vcr2が供給され、比較回路CNL12の出力に応じた駆動信号Vs2を出力してトランジスタPD2のオンオフを制御する。これにより、発光素子群HS2に流れる発光電流Ih2の電流値は比較結果信号Vcr6によって制御できるようになる。   When the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH and the light emission control unit HCe needs to perform light emission stop control, the drive circuit KD2 is supplied with the low-level comparison result signal Vcr1 and is output to the output of the comparison circuit CNL12. Regardless, the high level drive signal Vs2 is output to forcibly turn off the transistor PD2. Thereby, the supply of the light emission current Ih2 to the light emitting element group HS2 is stopped. Further, when the drive voltage Vk is higher than the light emission reference voltage VH and the light emission control unit HCe needs to perform light emission control, the drive circuit KD2 is supplied with the high-level comparison result signal Vcr2, and the output of the comparison circuit CNL12 A drive signal Vs2 corresponding to the output is output to control on / off of the transistor PD2. Thus, the current value of the light emission current Ih2 flowing through the light emitting element group HS2 can be controlled by the comparison result signal Vcr6.

以上、本発明の第3の実施形態の第3の変形例にかかる照明装置30cによれば、発光制御部HCeにて駆動電圧Vkと発光基準電圧VHとの大小関係を検出し、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも大きい場合には発光素子群HSを発光させる発光制御を行い、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHよりも小さい場合には発光素子群HSの発光を停止させる発光停止制御を行う。このため、発光素子群HS1と発光素子群HS2との発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the illumination device 30c according to the third modified example of the third embodiment of the present invention, the light emission control unit HCe detects the magnitude relationship between the drive voltage Vk and the light emission reference voltage VH, and the drive voltage Vk. Is controlled to emit light when the driving voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VH, light emission stop control is performed to stop the light emission of the light emitting element group HS. Do. For this reason, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS1 and the light emitting element group HS2.

なお、照明装置30cとしては整流ダイオードD1、D2を用いた非同期整流型の降圧コンバータを例に説明したが、これに限られず、同期整流型の降圧コンバータであっても良い。また、降圧コンバータに限られず、昇圧型コンバータであっても良いし、昇降圧型コンバータであっても良い。   In addition, although the asynchronous rectification step-down converter using the rectifier diodes D1 and D2 has been described as an example of the lighting device 30c, the lighting device 30c is not limited thereto, and may be a synchronous rectification step-down converter. Further, the present invention is not limited to the step-down converter, and may be a step-up converter or a step-up / step-down converter.

また、照明装置30cにおいてはトランジスタPD1及びトランジスタPD2としてPMOSトランジスタを採用したが、これらトランジスタとしてNMOSトランジスタを採用するようにしても良い。この場合には、駆動回路KD1は、ローレベルの比較結果信号Vcr5を受信した場合には、例えば0Vでローレベルの駆動信号Vs1をトランジスタPD1のゲート端子Gに供給し、ハイレベルの比較結果信号Vcr5を受信した場合には、例えば5Vでハイレベルの駆動信号Vs1をトランジスタPD1のゲート端子Gに供給するようにすれば良い。また、駆動回路KD2は、ローレベルの比較結果信号Vcr6を受信した場合には、例えば0Vでローレベルの駆動信号Vs2をトランジスタPD2のゲート端子Gに供給し、ハイレベルの比較結果信号Vcr6を受信した場合には、例えば5Vでハイレベルの駆動信号Vs2をトランジスタPD2のゲート端子Gに供給するようにすれば良い。なお、トランジスタPD1にNMOSトランジスタを採用した場合には、駆動回路KD1は比較結果信号Vc5を昇圧して駆動信号Vs1を生成するようにしてもよく、トランジスタPD2にNMOSトランジスタを採用した場合には、駆動回路KD2は比較結果信号Vc6を昇圧して駆動信号Vs2を生成するようにしてもよい。   In the illumination device 30c, PMOS transistors are employed as the transistors PD1 and PD2, but NMOS transistors may be employed as these transistors. In this case, when receiving the low-level comparison result signal Vcr5, the drive circuit KD1 supplies the low-level drive signal Vs1 to, for example, 0V to the gate terminal G of the transistor PD1, and the high-level comparison result signal When Vcr5 is received, for example, a high-level drive signal Vs1 at 5V may be supplied to the gate terminal G of the transistor PD1. In addition, when receiving the low level comparison result signal Vcr6, the drive circuit KD2 supplies the low level drive signal Vs2 to the gate terminal G of the transistor PD2, for example, at 0V, and receives the high level comparison result signal Vcr6. In this case, for example, a high level drive signal Vs2 at 5V may be supplied to the gate terminal G of the transistor PD2. When an NMOS transistor is used as the transistor PD1, the drive circuit KD1 may boost the comparison result signal Vc5 to generate the drive signal Vs1, and when an NMOS transistor is used as the transistor PD2, The drive circuit KD2 may boost the comparison result signal Vc6 to generate the drive signal Vs2.

[第4の実施形態]
図13は、本発明の第4の実施形態にかかる照明装置40を示した図である。照明装置40は、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC1と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC1aと、を備えている。なお、図13に示した照明装置40においては、図1に示した照明装置10、及び図3に示した照明装置10aと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Fourth Embodiment]
FIG. 13 is a diagram showing a lighting device 40 according to the fourth embodiment of the present invention. The lighting device 40 includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC1 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC1a as a second semiconductor chip. In the lighting device 40 shown in FIG. 13, the same components as those of the lighting device 10 shown in FIG. 1 and the lighting device 10a shown in FIG. .

発光素子群HSBは、発光素子群HSと、発光素子群HSaと、を備えている。発光素子群HSは、発光素子群HS1と、第1の発光素子群としての発光素子群HS2と、を備えている。発光素子群HSaは、発光素子群HS11と、第2の発光素子群としての発光素子群HS12と、を備えている。   The light emitting element group HSB includes a light emitting element group HS and a light emitting element group HSa. The light emitting element group HS includes a light emitting element group HS1 and a light emitting element group HS2 as a first light emitting element group. The light emitting element group HSa includes a light emitting element group HS11 and a light emitting element group HS12 as a second light emitting element group.

ここで、本願の特許請求の範囲に記載の請求項における「第1の発光電圧」は発光電圧Vh2に対応し、「第1の発光基準電圧」は発光基準電圧VH2に対応し、「第1の発光電流」は発光電流Ih2に対応し、「第1の発光素子」は発光素子HS2aに対応する。   Here, the “first light emission voltage” in the claims of the present application corresponds to the light emission voltage Vh2, the “first light emission reference voltage” corresponds to the light emission reference voltage VH2, The “light-emitting current” corresponds to the light-emitting current Ih2, and the “first light-emitting element” corresponds to the light-emitting element HS2a.

発光素子群HS11は、互いに直列に接続された複数の発光素子HS11aと、抵抗素子Rh11と、を備えている。発光素子HS11aは、LED(Light Emitting Diode)であり、自発光素子である。発光素子群HS11の一端としての発光素子HS11aのカソードは、抵抗素子Rh11の一端と接続されている。抵抗素子Rh11の他端は、駆動電圧Vkよりも電位が低い例えば0Vの電源VSSに接続されている。なお、発光素子HS11aとしては、LEDに限られず、発光ポリマーなど自発光素子としての有機EL(Electro Luminescence)素子全般も適用可能である。   The light emitting element group HS11 includes a plurality of light emitting elements HS11a connected in series with each other and a resistance element Rh11. The light emitting element HS11a is an LED (Light Emitting Diode) and is a self light emitting element. The cathode of the light emitting element HS11a as one end of the light emitting element group HS11 is connected to one end of the resistance element Rh11. The other end of the resistance element Rh11 is connected to a power supply VSS having a potential lower than the drive voltage Vk, for example, 0V. The light emitting element HS11a is not limited to the LED, and organic EL (Electro Luminescence) elements as self-light emitting elements such as light emitting polymers can be applied.

発光素子群HS11は、駆動電圧Vkに基づく発光電圧Vh11が発光基準電圧VH11以上にて自己の他端としての発光素子HS11aのアノードに印加されて、発光電流Ih11が発光素子HS11aの各々に流れると発光する。なお、発光電流Ih11の電流値は、抵抗素子Rh11の抵抗値に基づいて決まる。また、発光素子HS11aは、各々が内部抵抗を備えており、発光素子HS11aひとつ当たりの順方向電圧は例えば2Vであるとする。   In the light emitting element group HS11, when the light emitting voltage Vh11 based on the driving voltage Vk is applied to the anode of the light emitting element HS11a as the other end of the light emitting reference voltage VH11 or more, and the light emitting current Ih11 flows to each of the light emitting elements HS11a. Emits light. Note that the current value of the light emission current Ih11 is determined based on the resistance value of the resistance element Rh11. Further, each of the light emitting elements HS11a has an internal resistance, and the forward voltage per light emitting element HS11a is 2 V, for example.

ここで、本実施形態において発光素子群HS11が発光するための発光基準電圧VH11は、発光素子群HS11が互いに直列に接続された順方向電圧が2Vの発光素子HS11aを4つ備えていることから、例えば8Vとなる。すなわち、発光素子群HS11が発光するためには、他端の発光素子HS11aのアノードに印加される発光電圧Vh11が8V以上である必要がある。   Here, in the present embodiment, the light emission reference voltage VH11 for the light emitting element group HS11 to emit light includes four light emitting elements HS11a having a forward voltage of 2V in which the light emitting element groups HS11 are connected in series. For example, 8V. That is, in order for the light emitting element group HS11 to emit light, the light emission voltage Vh11 applied to the anode of the light emitting element HS11a at the other end needs to be 8V or more.

ここで、「発光素子群HS11の他端としての発光素子HS11aのアノード」をノードNh11と称し、「発光素子群HS11の一端としての発光素子HS11aのカソード」をノードNh11aと称する。また、「発光電流Ih11が発光素子HS11aの各々に流れる」ことを、「発光電流Ih11が発光素子群HS11に流れる」と記載する。   Here, “the anode of the light emitting element HS11a as the other end of the light emitting element group HS11” is referred to as a node Nh11, and “the cathode of the light emitting element HS11a as one end of the light emitting element group HS11” is referred to as a node Nh11a. Further, “the light emission current Ih11 flows in each of the light emitting elements HS11a” is described as “the light emission current Ih11 flows in the light emitting element group HS11”.

発光素子群HS12は、互いに直列に接続された第2の発光素子としての複数の発光素子HS12aと、抵抗素子Rh12と、を備えている。発光素子HS12aは、LED(Light Emitting Diode)であり、自発光素子である。発光素子群HS12の一端としての発光素子HS12aのカソードは、抵抗素子Rh12の一端と接続されている。抵抗素子Rh12の他端は電源VSSに接続されている。なお、発光素子HS12aとしては、LEDに限られず、発光ポリマーなど自発光素子としての有機EL(Electro Luminescence)素子全般も適用可能である。   The light emitting element group HS12 includes a plurality of light emitting elements HS12a as second light emitting elements connected in series with each other, and a resistance element Rh12. The light emitting element HS12a is an LED (Light Emitting Diode) and is a self light emitting element. The cathode of the light emitting element HS12a as one end of the light emitting element group HS12 is connected to one end of the resistance element Rh12. The other end of the resistance element Rh12 is connected to the power supply VSS. Note that the light emitting element HS12a is not limited to an LED, and organic EL (Electro Luminescence) elements as self light emitting elements such as a light emitting polymer are also applicable.

発光素子群HS12は、駆動電圧Vkに基づく第2の発光電圧としての発光電圧Vh12が発光基準電圧VH11よりも高い第2の発光基準電圧としての発光基準電圧VH12以上にて自己の他端としての発光素子HS12aのアノードに印加されて、第2の発光電流としての発光電流Ih12が発光素子HS12aの各々に流れると発光する。なお、発光電流Ih12の電流値は、抵抗素子Rh12の抵抗値に基づいて決まる。また、発光素子HS12aは、各々が内部抵抗を備えており、発光素子HS12aひとつ当たりの順方向電圧は例えば2Vであるとする。   The light emitting element group HS12 has a light emission voltage Vh12 as a second light emission voltage based on the drive voltage Vk that is higher than the light emission reference voltage VH11. When the light emitting current Ih12 as the second light emitting current is applied to the anode of the light emitting element HS12a and flows into each of the light emitting elements HS12a, light is emitted. Note that the current value of the light emission current Ih12 is determined based on the resistance value of the resistance element Rh12. Each light emitting element HS12a has an internal resistance, and the forward voltage per light emitting element HS12a is 2 V, for example.

ここで、本実施形態において発光素子群HS12が発光するための発光基準電圧VH12は、発光素子群HS12が互いに直列に接続された順方向電圧が2Vの発光素子HS12aを5つ備えていることから、例えば10Vとなる。すなわち、発光素子群HS12が発光するためには、他端の発光素子HS12aのアノードに印加される発光電圧Vh12が10V以上である必要がある。   Here, in the present embodiment, the light emission reference voltage VH12 for the light emitting element group HS12 to emit light includes five light emitting elements HS12a having a forward voltage of 2V in which the light emitting element groups HS12 are connected in series. For example, 10V. That is, in order for the light emitting element group HS12 to emit light, the light emission voltage Vh12 applied to the anode of the light emitting element HS12a at the other end needs to be 10V or more.

ここで、「発光素子群HS12の他端としての発光素子HS12aのアノード」をノードNh12と称し、「発光素子群HS12の一端としての発光素子HS12aのカソード」をノードNh12aと称する。また、「発光電流Ih12が発光素子HS12aの各々に流れる」ことを、「発光電流Ih12が発光素子群HS12に流れる」と記載する。   Here, “the anode of the light emitting element HS12a as the other end of the light emitting element group HS12” is referred to as a node Nh12, and “the cathode of the light emitting element HS12a as one end of the light emitting element group HS12” is referred to as a node Nh12a. Further, “the light emission current Ih12 flows through each of the light emitting elements HS12a” is described as “the light emission current Ih12 flows through the light emitting element group HS12”.

ここで、本実施形態において発光素子群HSaが内部でばらつくことなく発光するためには、言い換えれば発光素子群HS11と発光素子群HS12とが同時に発光するためには、10Vである発光基準電圧VH12の方が8Vである発光基準電圧VH11よりも高いことから、発光基準電圧VH12である10Vよりも大きい電圧が発光電圧Vhaとして発光素子群HSaに印加される必要がある。ここで、発光素子群HSaが内部でばらつくことなく発光するための電圧を、発光基準電圧VHaと称する。発光素子群HSaは、発光基準電圧VH12に基づく発光基準電圧VHa以上の発光電圧Vhaが印加された場合に発光する。なお、本実施形態においては、発光基準電圧VHaは発光基準電圧VH12と同じ10Vである。   Here, in the present embodiment, in order for the light emitting element group HSa to emit light without variation therein, in other words, for the light emitting element group HS11 and the light emitting element group HS12 to emit light simultaneously, the light emission reference voltage VH12 which is 10V. Since this is higher than the light emission reference voltage VH11 which is 8V, a voltage larger than 10V which is the light emission reference voltage VH12 needs to be applied to the light emitting element group HSa as the light emission voltage Vha. Here, a voltage for causing the light emitting element group HSa to emit light without variation therein is referred to as a light emission reference voltage VHa. The light emitting element group HSa emits light when a light emission voltage Vha equal to or higher than the light emission reference voltage VHa based on the light emission reference voltage VH12 is applied. In the present embodiment, the light emission reference voltage VHa is 10 V, which is the same as the light emission reference voltage VH12.

なお、本実施形態においては、発光素子群HS12は、発光素子群HS11に設けられた発光素子HS11aの数よりも多くの発光素子HS12aを備えている例を示したが、これに限られない。すなわち、本発明にかかる照明装置40は、発光素子群HS11が発光するために必要な発光基準電圧VH11と、発光素子群HS12が発光するために必要な発光基準電圧VH12と、が異なる場合に顕著な効果を奏するものであり、発光素子群HS11と発光素子群HS12とが備える発光素子の数が同じとなることを妨げるものではない。また、同様に、発光素子群HS11と発光素子群HS12とが互いに1つのLEDを備えるものであってもよい。   In the present embodiment, the example in which the light emitting element group HS12 includes more light emitting elements HS12a than the number of light emitting elements HS11a provided in the light emitting element group HS11 has been described, but the present invention is not limited thereto. That is, the illuminating device 40 according to the present invention is remarkable when the light emission reference voltage VH11 necessary for the light emitting element group HS11 to emit light and the light emission reference voltage VH12 necessary for the light emitting element group HS12 to emit light are different. This does not prevent the number of light emitting elements included in the light emitting element group HS11 and the light emitting element group HS12 from being the same. Similarly, the light emitting element group HS11 and the light emitting element group HS12 may include one LED.

ここで、仮に何の制御もなしに発光素子群HSaに対して発光基準電圧VH11以上発光基準電圧VH12以下の発光電圧Vhaが印加された場合には、発光素子群HS11が発光し、発光素子群HS12が発光しない状態となる。また、その後発光基準電圧VH12以上となった発光電圧Vhaが発光素子群HSaに印加された場合には、発光素子群HS11に加えて発光素子群HS12が発光することとなる。すなわち、発光素子群HSaに発光基準電圧VH12よりも低い発光電圧Vhが印加された場合には、発光素子群HS11と発光素子群HS12との発光タイミングがばらつき、発光素子群HSa全体としての発光が乱れてしまうおそれがある。特に、車載のエクステリアランプに用いられる場合には、発光素子群の発光の乱れが事故につながるおそれもある。本発明にかかる照明装置40では、このような問題の発生を防止する。   Here, if the light emission voltage Vha of the light emission reference voltage VH11 or more and the light emission reference voltage VH12 or less is applied to the light emitting element group HSa without any control, the light emitting element group HS11 emits light, and the light emitting element group The HS 12 does not emit light. Further, when the light emission voltage Vha that is equal to or higher than the light emission reference voltage VH12 is applied to the light emitting element group HSa, the light emitting element group HS12 emits light in addition to the light emitting element group HS11. That is, when a light emission voltage Vh lower than the light emission reference voltage VH12 is applied to the light emitting element group HSa, the light emission timings of the light emitting element group HS11 and the light emitting element group HS12 vary, and light emission as a whole of the light emitting element group HSa is performed. There is a risk of being disturbed. In particular, when used in an in-vehicle exterior lamp, disturbance of light emission of the light emitting element group may lead to an accident. In the illumination device 40 according to the present invention, such a problem is prevented from occurring.

ここで、本実施形態において発光素子群HSBが内部でばらつくことなく発光するためには、言い換えれば発光素子群HSと発光素子群HSaとが同時に発光するためには、10Vである発光基準電圧VH12の方が8Vである発光基準電圧VH2よりも高いことから、発光基準電圧VH12である10Vよりも大きい電圧が、発光電圧Vhとして発光素子群HSに印加され、発光電圧Vhaとして発光素子群HSaに印加される必要がある。ここで、発光素子群HSBが内部でばらつくことなく発光するための電圧を、発光基準電圧VHBと称する。発光素子群HSBは、発光基準電圧VH12に基づく発光基準電圧VHB以上の発光電圧Vhが発光素子群HSに印加され、且つ発光基準電圧VHB以上の発光電圧Vhaが発光素子群HSaに印加された場合に発光する。なお、本実施形態においては、発光基準電圧VHBは発光基準電圧VH12と同じ10Vである。   Here, in the present embodiment, in order for the light emitting element group HSB to emit light without variation inside, in other words, for the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa to emit light simultaneously, the light emission reference voltage VH12 which is 10V. Is higher than the light emission reference voltage VH2, which is 8V, a voltage higher than 10V, which is the light emission reference voltage VH12, is applied to the light emitting element group HS as the light emission voltage Vh and applied to the light emitting element group HSa as the light emission voltage Vha. Need to be applied. Here, a voltage for causing the light emitting element group HSB to emit light without variation therein is referred to as a light emission reference voltage VHB. In the light emitting element group HSB, a light emission voltage Vh equal to or higher than the light emission reference voltage VHB based on the light emission reference voltage VH12 is applied to the light emitting element group HS, and a light emission voltage Vha equal to or higher than the light emission reference voltage VHB is applied to the light emitting element group HSa. Flashes on. In the present embodiment, the light emission reference voltage VHB is 10 V, which is the same as the light emission reference voltage VH12.

なお、本実施形態においては、発光素子群HS12は、発光素子群HS2に設けられた発光素子HS2aの数よりも多くの発光素子HS12aを備えている例を示したが、これに限られない。すなわち、本発明にかかる照明装置40は、発光素子群HS2が発光するために必要な発光基準電圧VH2と、発光素子群HS12が発光するために必要な発光基準電圧VH12と、が異なる場合に顕著な効果を奏するものであり、発光素子群HS2と発光素子群HS12とが備える発光素子の数が同じとなることを妨げるものではない。また、同様に、発光素子群HS2と発光素子群HS12とが互いに1つのLEDを備えるものであってもよい。   In the present embodiment, the example in which the light emitting element group HS12 includes more light emitting elements HS12a than the number of the light emitting elements HS2a provided in the light emitting element group HS2 is shown, but the present invention is not limited thereto. That is, the illuminating device 40 according to the present invention is remarkable when the light emission reference voltage VH2 necessary for the light emitting element group HS2 to emit light and the light emission reference voltage VH12 necessary for the light emitting element group HS12 to emit light are different. This does not prevent the number of light emitting elements included in the light emitting element group HS2 and the light emitting element group HS12 from being the same. Similarly, the light emitting element group HS2 and the light emitting element group HS12 may include one LED.

ここで、仮に何の制御もなしに発光素子群HSに対して発光基準電圧VH2以上発光基準電圧VH12以下の発光電圧Vhが印加され、発光素子群HSaに対して発光基準電圧VH2以上発光基準電圧VH12以下の発光電圧Vhaが印加された場合には、発光素子群HS2が発光し、発光素子群HS12が発光しない状態となる。また、その後発光基準電圧VH12以上となった発光電圧Vhaが発光素子群HSaに印加された場合には、発光素子群HS2に加えて発光素子群HS12が発光することとなる。すなわち、発光素子群HSaに発光基準電圧VH12よりも低い発光電圧Vhが印加された場合には、発光素子群HS2と発光素子群HS12との発光タイミングがばらつき、発光素子群HSB全体としての発光が乱れてしまうおそれがある。特に、車載のエクステリアランプに用いられる場合には、発光素子群の発光の乱れが事故につながるおそれもある。本発明にかかる照明装置40では、このような問題の発生を防止する。   Here, without any control, a light emission voltage Vh that is equal to or higher than the light emission reference voltage VH2 and equal to or lower than the light emission reference voltage VH12 is applied to the light emitting element group HS, and the light emission reference voltage VH2 is equal to or higher than the light emission reference voltage VH2 to the light emitting element group HSa. When a light emission voltage Vha equal to or lower than VH12 is applied, the light emitting element group HS2 emits light and the light emitting element group HS12 does not emit light. Further, when the light emission voltage Vha that is equal to or higher than the light emission reference voltage VH12 is applied to the light emitting element group HSa, the light emitting element group HS12 emits light in addition to the light emitting element group HS2. That is, when a light emission voltage Vh lower than the light emission reference voltage VH12 is applied to the light emitting element group HSa, the light emission timings of the light emitting element group HS2 and the light emitting element group HS12 vary, and light emission as a whole of the light emitting element group HSB is performed. There is a risk of being disturbed. In particular, when used in an in-vehicle exterior lamp, disturbance of light emission of the light emitting element group may lead to an accident. In the illumination device 40 according to the present invention, such a problem is prevented from occurring.

半導体チップIC1は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT4と、電極パッドT5と、を備えている。また、半導体チップIC1は、第1の発光制御部としての発光制御部HC1と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。   The semiconductor chip IC1 includes an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T4, and an electrode pad T5 as electrode pads for electrical connection with the outside. Further, the semiconductor chip IC1 includes a light emission control unit HC1 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit.

電極パッドT1は、第1の電源配線としての配線W1を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W1は、電源供給回路VSと半導体チップIC1とに接続されている。電極パッドT2は、発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。電極パッドT3は、発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。電極パッドT4は、電源VSSと接続されている。   The electrode pad T1 is connected to the power supply circuit VS via a wiring W1 as a first power supply wiring. In other words, the wiring W1 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC1. The electrode pad T2 is connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1. The electrode pad T3 is connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2. The electrode pad T4 is connected to the power supply VSS.

発光制御部HC1は、第1の比較回路としての比較回路CNと、第1の制御スイッチとしてのトランジスタP1と、第3の制御スイッチとしてのトランジスタP8と、を備えている。   The light emission control unit HC1 includes a comparison circuit CN as a first comparison circuit, a transistor P1 as a first control switch, and a transistor P8 as a third control switch.

比較回路CNは、電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。比較回路CNは、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Vcr1として出力する。   The comparison circuit CN is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The comparison circuit CN determines whether the drive voltage Vk is larger or smaller than the voltage based on the light emission reference voltage VHa, and outputs the result as the comparison result signal Vcr1.

トランジスタP1は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続され、ドレイン端子Dが調光回路LC1の一端と調光回路LC2の一端とに接続され、ゲート端子Gが電極パッドT5に接続されている。   The transistor P1 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the drain terminal D is connected to one end of the dimming circuit LC1 and the dimming circuit LC2. The gate terminal G is connected to the electrode pad T5.

トランジスタP8は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが比較回路CNと接続され、ドレイン端子DがトランジスタP1のゲート端子Gと電極パッドT5とに接続されている。これにより、比較回路CNとトランジスタP1のゲート端子GとはトランジスタP8を介して接続されており、比較回路CNとトランジスタP1のゲート端子Gとの電気的な接続はトランジスタP8により制御される。また、トランジスタP8は、ゲート端子Gが電極パッドT4と接続、言い換えれば電極パッドT4を介して電源VSSと接続されている。これにより、トランジスタP8は、駆動電圧Vkが上昇して比較回路CNから出力されトランジスタP8のソース端子Sに供給される比較結果信号Vcr1の信号レベルが上昇してトランジスタP8のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタP8のドレイン端子DとトランジスタP1のゲート端子Gとの接続点をノードNd10と称する。   The transistor P8 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the comparison circuit CN, and the drain terminal D is connected to the gate terminal G of the transistor P1 and the electrode pad T5. Thus, the comparison circuit CN and the gate terminal G of the transistor P1 are connected via the transistor P8, and the electrical connection between the comparison circuit CN and the gate terminal G of the transistor P1 is controlled by the transistor P8. The transistor P8 has a gate terminal G connected to the electrode pad T4, in other words, connected to the power source VSS via the electrode pad T4. As a result, in the transistor P8, the drive voltage Vk rises, the signal level of the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN and supplied to the source terminal S of the transistor P8 rises, and the gate-source voltage of the transistor P8 increases. Turns on when the voltage exceeds the threshold voltage. Here, a connection point between the drain terminal D of the transistor P8 and the gate terminal G of the transistor P1 is referred to as a node Nd10.

調光回路LC1は、一端が発光制御部HCのトランジスタP1のドレイン端子Dと接続されている。また、調光回路LC1は、他端が電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。   One end of the light control circuit LC1 is connected to the drain terminal D of the transistor P1 of the light emission control unit HC. The other end of the dimming circuit LC1 is connected to the electrode pad T2, in other words, connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1 via the electrode pad T2.

調光回路LC2は、一端が発光制御部HCのトランジスタP1のドレイン端子Dと接続されている。また、調光回路LC2は、他端が電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して発光素子群HS2のノードNh2に接続されている。   One end of the light control circuit LC2 is connected to the drain terminal D of the transistor P1 of the light emission control unit HC. The other end of the light control circuit LC2 is connected to the electrode pad T3, in other words, connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2 via the electrode pad T3.

半導体チップIC1aは、半導体チップIC1と同一構成である。ただし、図13の半導体チップIC1aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC1と区別するために半導体チップIC1にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC1aにおいては、半導体チップIC1にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CN」については、図5等に示した「比較回路CNa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaa」としている。   The semiconductor chip IC1a has the same configuration as the semiconductor chip IC1. However, in the semiconductor chip IC1a of FIG. 13, for the sake of convenience of explanation, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC1 in order to distinguish it from the semiconductor chip IC1. In the semiconductor chip IC1a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC1 is omitted as appropriate. The “comparison circuit CN” is herein referred to as “comparison circuit CNaa” in order to distinguish it from the “comparison circuit CNa” shown in FIG.

半導体チップIC1aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT4aと、電極パッドT5aと、を備えている。また、半導体チップIC1aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC1aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。発光制御部HC1aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタP1aと、トランジスタP8aと、を備えている。   The semiconductor chip IC1a includes an electrode pad T1a, an electrode pad T2a, an electrode pad T3a, an electrode pad T4a, and an electrode pad T5a as electrode pads for electrical connection with the outside. The semiconductor chip IC1a includes a light emission control unit HC1a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit. The light emission control unit HC1a includes a comparison circuit CNaa as a second comparison circuit, a transistor P1a as a second control switch, and a transistor P8a.

電極パッドT1aは、第2の電源配線としての配線W2を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W2は、電源供給回路VSと半導体チップIC1aとに接続されている。電極パッドT2aは、発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。電極パッドT3aは、発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。なお、配線W2は、例えば配線W1よりも配線抵抗が小さい。   The electrode pad T1a is connected to the power supply circuit VS via a wiring W2 as a second power supply wiring. In other words, the wiring W2 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC1a. The electrode pad T2a is connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11. The electrode pad T3a is connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12. The wiring W2 has a lower wiring resistance than the wiring W1, for example.

調光回路LC1aは、一端が発光制御部HC1aのトランジスタP1aのドレイン端子Dと接続されている。また、調光回路LC1aは、他端が電極パッドT2aと接続されており、これにより電極パッドT2aを介して発光素子群HS11のノードNh11に接続されている。   One end of the light control circuit LC1a is connected to the drain terminal D of the transistor P1a of the light emission control unit HC1a. The other end of the dimming circuit LC1a is connected to the electrode pad T2a, and is thereby connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11 via the electrode pad T2a.

調光回路LC2aは、一端が発光制御部HC1aのトランジスタP1aのドレイン端子Dと接続されている。また、調光回路LC2aは、他端が電極パッドT3aと接続されており、これにより電極パッドT3aを介して発光素子群HS12のノードNh12に接続されている。   One end of the light control circuit LC2a is connected to the drain terminal D of the transistor P1a of the light emission control unit HC1a. Further, the other end of the light control circuit LC2a is connected to the electrode pad T3a, and thereby connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12 through the electrode pad T3a.

電極パッドT4aは、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP8aにおいては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP8aは、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4a is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P8a, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P8a is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

電極パッドT5aは、第1の接続配線としての配線W3にて半導体チップIC1の電極パッドT5と接続されている。すなわち、配線W3は、ノードNd10とノードNd10aとを電気的に接続している。これにより、トランジスタP1のゲート端子GとトランジスタP1aのゲート端子Gとが電気的に接続されている。   The electrode pad T5a is connected to the electrode pad T5 of the semiconductor chip IC1 by a wiring W3 as a first connection wiring. That is, the wiring W3 electrically connects the node Nd10 and the node Nd10a. Thereby, the gate terminal G of the transistor P1 and the gate terminal G of the transistor P1a are electrically connected.

以上のように、照明装置40においては、発光制御部HC1において半導体チップIC1のトランジスタP8のゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNからトランジスタP1のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr1の供給がなされており、また、発光制御部HC1aにおいて半導体チップIC1aのトランジスタP8aのゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaからトランジスタP1aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr1aの供給が遮断されている。また、比較回路CNと接続されたトランジスタP1のゲート端子GがトランジスタP1aのゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40は、これにより、半導体チップIC1に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC1aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC1の発光制御部HC1により行っている。   As described above, in the lighting device 40, the gate terminal G of the transistor P8 of the semiconductor chip IC1 is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC1, so that the gate terminal G of the transistor P1 from the comparison circuit CN. Since the comparison result signal Vcr1 is supplied to the power supply circuit VS and the gate terminal G of the transistor P8a of the semiconductor chip IC1a is electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC1a, the comparison circuit CNaa The supply of the comparison result signal Vcr1a to the gate terminal G of the transistor P1a is cut off. The gate terminal G of the transistor P1 connected to the comparison circuit CN is electrically connected to the gate terminal G of the transistor P1a through the wiring W3. Then, the illumination device 40 thereby controls the light emission control and light emission stop of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC1, and the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC1a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC1 of the semiconductor chip IC1.

したがって、照明装置40によれば、半導体チップIC1の比較回路CNと半導体チップIC1aの比較回路CNaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the lighting device 40, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC1 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC1a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

また、照明装置40によれば、半導体チップIC1aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗よりも、半導体チップIC1が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップIC1に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC1aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC1の発光制御部HC1により行うこととしたので、半導体チップIC1の比較回路CNが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇が、配線W1と配線W2との配線抵抗の差に基づいて半導体チップIC1aの比較回路CNaaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the lighting device 40, the semiconductor chip IC1 is driven from the power supply circuit VS rather than the wiring resistance of the wiring W2 for the semiconductor chip IC1a to receive the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. When the wiring resistance of the wiring W1 for receiving the power supply of the voltage Vk and the driving current Ik is larger, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC1, and the connection to the semiconductor chip IC1a Since the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC1 of the semiconductor chip IC1, an increase in the potential of the drive voltage Vk acquired by the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC1 A drive acquired by the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC1a based on the difference in wiring resistance between W1 and the wiring W2. Even when the delay compared to the rise of the potential of the voltage Vk, it is possible to prevent variations in the timing of emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第4の実施形態の第1の変形例]
図14は、本発明の第4の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置40aを示した図である。照明装置40aは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、半導体チップIC1と、半導体チップIC1aと、を備えている。なお、図14に示した照明装置40aにおいては、図13に示した照明装置40と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[First Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 14 is a view showing an illumination device 40a according to a first modification of the fourth embodiment of the present invention. The illumination device 40a includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC1, and a semiconductor chip IC1a. In addition, in the illuminating device 40a shown in FIG. 14, about the structure similar to the illuminating device 40 shown in FIG. 13, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

照明装置40aは、半導体チップIC1の電極パッドT4の接続先と、半導体チップIC1aの電極パッドT4aの接続先と、が照明装置40とは実質的に異なる。   The lighting device 40a is substantially different from the lighting device 40 in the connection destination of the electrode pad T4 of the semiconductor chip IC1 and the connection destination of the electrode pad T4a of the semiconductor chip IC1a.

電極パッドT4は、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP8においては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP8は、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4 is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P8, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P8 is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

また、電極パッドT4aは、電源VSSに接続されている。これにより、トランジスタP8aにおいては、ゲート端子Gが電源VSSと接続されている。したがって、トランジスタP8aは、駆動電圧Vkが上昇してトランジスタP8のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。   The electrode pad T4a is connected to the power supply VSS. Thereby, in the transistor P8a, the gate terminal G is connected to the power supply VSS. Therefore, the transistor P8a is turned on when the drive voltage Vk rises and the gate-source voltage of the transistor P8 becomes equal to or higher than the threshold voltage.

以上のように、照明装置40aにおいては、発光制御部HC1において半導体チップIC1のトランジスタP8のゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNからトランジスタP1のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr1の供給が遮断されており、また、発光制御部HC1aにおいて半導体チップIC1aのトランジスタP8aのゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaからトランジスタP1aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr1aの供給がなされている。また、比較回路CNaaと接続されたトランジスタP1aのゲート端子GがトランジスタP1のゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40は、これにより、半導体チップIC1に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC1aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC1aの発光制御部HC1aにより行っている。   As described above, in the illumination device 40a, the gate terminal G of the transistor P8 of the semiconductor chip IC1 is electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC1, so that the gate of the transistor P1 is compared with the comparison circuit CN. The supply of the comparison result signal Vcr1 to the terminal G is interrupted, and the gate terminal G of the transistor P8a of the semiconductor chip IC1a is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC1a, so that the comparison circuit CNaa. To the gate terminal G of the transistor P1a is supplied with the comparison result signal Vcr1a. In addition, the gate terminal G of the transistor P1a connected to the comparison circuit CNaa is electrically connected to the gate terminal G of the transistor P1 through the wiring W3. Then, the illumination device 40 thereby controls the light emission control and light emission stop of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC1, and the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC1a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC1a of the semiconductor chip IC1a.

したがって、照明装置40aによれば、半導体チップIC1の比較回路CNと半導体チップIC1aの比較回路CNaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the illuminating device 40a, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC1 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC1a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

なお、半導体チップIC1と半導体チップIC1aとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップIC1の発光制御部HC1又は半導体チップIC1aの発光制御部HC1aのいずれか一方にて行われる。   As described above, the light emission control and the light emission stop control in the lighting device configured to include the semiconductor chip IC1 and the semiconductor chip IC1a are performed by the light emission control unit HC1 of the semiconductor chip IC1 or the light emission control unit HC1a of the semiconductor chip IC1a. It is done in either one.

[第4の実施形態の第2の変形例]
図15は、本発明の第4の実施形態の第2の変形例にかかる照明装置40bを示した図である。照明装置40bは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC2と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC2aと、を備えている。なお、図15に示した照明装置40bにおいては、図4に示した照明装置10b、図13に示した照明装置40と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Second Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 15 is a diagram showing an illumination device 40b according to a second modification of the fourth embodiment of the present invention. The illumination device 40b includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC2 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC2a as a second semiconductor chip. In addition, in the illuminating device 40b shown in FIG. 15, about the structure similar to the illuminating device 10b shown in FIG. 4, and the illuminating device 40 shown in FIG. 13, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

半導体チップIC2は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT4と、電極パッドT5と、を備えている。また、半導体チップIC2は、第1の発光制御部としての発光制御部HC2と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。   The semiconductor chip IC2 includes an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T4, and an electrode pad T5 as electrode pads for electrical connection with the outside. In addition, the semiconductor chip IC2 includes a light emission control unit HC2 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit.

電極パッドT1は、第1の電源配線としての配線W1を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W1は、電源供給回路VSと半導体チップIC2とに接続されている。電極パッドT2は、発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。電極パッドT3は、発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。電極パッドT4は、電源VSSと接続されている。   The electrode pad T1 is connected to the power supply circuit VS via a wiring W1 as a first power supply wiring. In other words, the wiring W1 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC2. The electrode pad T2 is connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1. The electrode pad T3 is connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2. The electrode pad T4 is connected to the power supply VSS.

発光制御部HC2は、第1の比較回路としての比較回路CNと、トランジスタP2と、第1の制御スイッチとしてのトランジスタP3と、第3の制御スイッチとしてのトランジスタP9と、を備えている。   The light emission control unit HC2 includes a comparison circuit CN as a first comparison circuit, a transistor P2, a transistor P3 as a first control switch, and a transistor P9 as a third control switch.

調光回路LC1は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。   The dimming circuit LC1 is connected at one end to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1.

調光回路LC2は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。   The dimming circuit LC2 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1.

トランジスタP2は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC1の他端と接続されており、ドレイン端子Dが電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して発光素子群HS1のノードNh1に接続されている。   The transistor P2 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the other end of the dimming circuit LC1, and the drain terminal D is connected to the electrode pad T2, in other words, the node of the light emitting element group HS1 via the electrode pad T2. It is connected to Nh1.

トランジスタP3は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC2の他端と接続されており、ドレイン端子Dが電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して発光素子群HS2のノードNh2に接続されている。   The transistor P3 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the other end of the dimming circuit LC2, and the drain terminal D is connected to the electrode pad T3, in other words, the node of the light emitting element group HS2 via the electrode pad T3. Connected to Nh2.

トランジスタP9は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが比較回路CNと接続され、ドレイン端子DがトランジスタP1のゲート端子Gと電極パッドT5とに接続されている。これにより、比較回路CNとトランジスタP2及びトランジスタP3のゲート端子GとはトランジスタP9を介して接続されており、比較回路CNとトランジスタP2及びトランジスタP3のゲート端子Gとの電気的な接続はトランジスタP9により制御される。また、トランジスタP9は、ゲート端子Gが電極パッドT4と接続、言い換えれば電極パッドT4を介して電源VSSと接続されている。これにより、トランジスタP9は、駆動電圧Vkが上昇して比較回路CNから出力されトランジスタP9のソース端子Sに供給される比較結果信号Vcr1の信号レベルが上昇してトランジスタP9のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタP9のドレイン端子DとトランジスタP2及びトランジスタP3のゲート端子Gとの接続点をノードNd11と称する。   The transistor P9 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the comparison circuit CN, and the drain terminal D is connected to the gate terminal G of the transistor P1 and the electrode pad T5. Thereby, the comparison circuit CN and the gate terminals G of the transistors P2 and P3 are connected via the transistor P9, and the electrical connection between the comparison circuit CN and the gate terminals G of the transistors P2 and P3 is the transistor P9. Controlled by Further, the transistor P9 has a gate terminal G connected to the electrode pad T4, in other words, connected to the power source VSS via the electrode pad T4. As a result, in the transistor P9, the drive voltage Vk rises, the signal level of the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN and supplied to the source terminal S of the transistor P9 rises, and the gate-source voltage of the transistor P9 rises. Turns on when the voltage exceeds the threshold voltage. Here, a connection point between the drain terminal D of the transistor P9 and the gate terminals G of the transistors P2 and P3 is referred to as a node Nd11.

半導体チップIC2aは、半導体チップIC2と同一構成である。ただし、図15の半導体チップIC2aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC2と区別するために半導体チップIC2にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC2aにおいては、半導体チップIC2にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CN」については、図5等に示した「比較回路CNa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaa」としている。   The semiconductor chip IC2a has the same configuration as the semiconductor chip IC2. However, in the semiconductor chip IC2a of FIG. 15, for the sake of convenience of explanation, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC2 in order to distinguish it from the semiconductor chip IC2. In the semiconductor chip IC2a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC2 is omitted as appropriate. The “comparison circuit CN” is herein referred to as “comparison circuit CNaa” in order to distinguish it from the “comparison circuit CNa” shown in FIG.

半導体チップIC2aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT4aと、電極パッドT5aと、を備えている。また、半導体チップIC2aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC2aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。発光制御部HC2aは、比較回路CNaaと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタP2aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタP3aと、トランジスタP9aと、を備えている。   The semiconductor chip IC2a includes an electrode pad T1a, an electrode pad T2a, an electrode pad T3a, an electrode pad T4a, and an electrode pad T5a as electrode pads for electrical connection with the outside. The semiconductor chip IC2a includes a light emission control unit HC2a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit. The light emission control unit HC2a includes a comparison circuit CNaa, a transistor P2a as a second control switch, a transistor P3a as a second control switch, and a transistor P9a.

電極パッドT1aは、第2の電源配線としての配線W2を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W2は、電源供給回路VSと半導体チップIC2aとに接続されている。電極パッドT2aは、発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。電極パッドT3aは、発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。なお、配線W2は、例えば配線W1よりも配線抵抗が小さい。   The electrode pad T1a is connected to the power supply circuit VS via a wiring W2 as a second power supply wiring. In other words, the wiring W2 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC2a. The electrode pad T2a is connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11. The electrode pad T3a is connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12. The wiring W2 has a lower wiring resistance than the wiring W1, for example.

調光回路LC1aは、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されている。   The light control circuit LC1a has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a.

調光回路LC2aは、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されている。   The light control circuit LC2a has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a.

トランジスタP2aは、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC1aの他端と接続されており、ドレイン端子Dが電極パッドT2aと接続、言い換えれば電極パッドT2aを介して発光素子群HS11のノードNh11に接続されている。   The transistor P2a is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the other end of the dimming circuit LC1a, the drain terminal D is connected to the electrode pad T2a, in other words, the node of the light emitting element group HS11 via the electrode pad T2a. Connected to Nh11.

トランジスタP3aは、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC2aの他端と接続されており、ドレイン端子Dが電極パッドT3aと接続、言い換えれば電極パッドT3aを介して発光素子群HS12のノードNh12に接続されている。   The transistor P3a is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the other end of the dimming circuit LC2a, the drain terminal D is connected to the electrode pad T3a, in other words, the node of the light emitting element group HS12 via the electrode pad T3a. It is connected to Nh12.

電極パッドT4aは、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP9aにおいては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP9aは、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4a is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P9a, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P9a is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

電極パッドT5aは、配線W3にて半導体チップIC2の電極パッドT5と接続されている。すなわち、配線W3は、ノードNd11とノードNd11aとを電気的に接続している。これにより、トランジスタP2及びトランジスタP3のゲート端子GとトランジスタP2及びトランジスタP2aのゲート端子Gとが電気的に接続されている。   The electrode pad T5a is connected to the electrode pad T5 of the semiconductor chip IC2 by the wiring W3. That is, the wiring W3 electrically connects the node Nd11 and the node Nd11a. As a result, the gate terminals G of the transistors P2 and P3 and the gate terminals G of the transistors P2 and P2a are electrically connected.

以上のように、照明装置40bにおいては、発光制御部HC2において半導体チップIC2のトランジスタP9のゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNからトランジスタP2及びトランジスタP3のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr1の供給がなされており、また、発光制御部HC2aにおいて半導体チップIC2aのトランジスタP2a及びトランジスタP3aのゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaからトランジスタP2a及びトランジスタP3aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr1aの供給が遮断されている。また、比較回路CNと接続されたトランジスタP2及びトランジスタP3のゲート端子GがトランジスタP2a及びトランジスタP3aのゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40bは、これにより、半導体チップIC2に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC2aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC2の発光制御部HC2により行っている。   As described above, in the lighting device 40b, the gate terminal G of the transistor P9 of the semiconductor chip IC2 is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC2, so that the transistors P2 and P3 of the comparison circuit CN are connected. The comparison result signal Vcr1 is supplied to the gate terminal G, and the transistor P2a of the semiconductor chip IC2a and the gate terminal G of the transistor P3a are electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC2a. Thus, the supply of the comparison result signal Vcr1a from the comparison circuit CNaa to the gate terminals G of the transistors P2a and P3a is cut off. The gate terminals G of the transistors P2 and P3 connected to the comparison circuit CN are electrically connected to the gate terminals G of the transistors P2a and P3a through the wiring W3. The illumination device 40b thereby controls the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC2, and the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC2a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC2 of the semiconductor chip IC2.

したがって、照明装置40bによれば、半導体チップIC2の比較回路CNと半導体チップIC2aの比較回路CNaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the illuminating device 40b, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC2 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC2a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

また、照明装置40bによれば、半導体チップIC2aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗よりも、半導体チップIC2が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップIC2に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC2aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC2の発光制御部HC2により行うこととしたので、半導体チップIC2の比較回路CNが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇が、配線W1と配線W2との配線抵抗の差に基づいて半導体チップIC2aの比較回路CNaaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the lighting device 40b, the semiconductor chip IC2 is driven from the power supply circuit VS rather than the wiring resistance of the wiring W2 for receiving the power supply of the drive voltage Vk and the drive current Ik from the power supply circuit VS. When the wiring resistance of the wiring W1 for receiving the power supply of the voltage Vk and the driving current Ik is larger, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC2, and the connection to the semiconductor chip IC2a Since the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC2 of the semiconductor chip IC2, an increase in the potential of the drive voltage Vk acquired by the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC2 The comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC2a acquires based on the difference in wiring resistance between W1 and the wiring W2. Even when the delay compared to the rise of the potential of the dynamic voltage Vk, it is possible to prevent variations in the timing of emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第4の実施形態の第3の変形例]
図16は、本発明の第4の実施形態の第3の変形例にかかる照明装置40cを示した図である。照明装置40cは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、半導体チップIC2と、半導体チップIC2aと、を備えている。なお、図16に示した照明装置40cにおいては、図15に示した照明装置40bと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Third Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 16 is a view showing an illumination device 40c according to a third modification of the fourth embodiment of the present invention. The lighting device 40c includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC2, and a semiconductor chip IC2a. In addition, in the illuminating device 40c shown in FIG. 16, about the structure similar to the illuminating device 40b shown in FIG. 15, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

照明装置40cは、半導体チップIC2の電極パッドT4の接続先と、半導体チップIC2aの電極パッドT4aの接続先と、が照明装置40bとは実質的に異なる。   The lighting device 40c is substantially different from the lighting device 40b in the connection destination of the electrode pad T4 of the semiconductor chip IC2 and the connection destination of the electrode pad T4a of the semiconductor chip IC2a.

電極パッドT4は、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP9においては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP9は、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4 is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P9, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P9 is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

また、電極パッドT4aは、電源VSSに接続されている。これにより、トランジスタP9aにおいては、ゲート端子Gが電源VSSと接続されている。したがって、トランジスタP9aは、駆動電圧Vkが上昇してトランジスタP9のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。   The electrode pad T4a is connected to the power supply VSS. Thereby, in the transistor P9a, the gate terminal G is connected to the power supply VSS. Therefore, the transistor P9a is turned on when the drive voltage Vk rises and the gate-source voltage of the transistor P9 becomes equal to or higher than the threshold voltage.

以上のように、照明装置40aにおいては、発光制御部HC2において半導体チップIC2のトランジスタP9のゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNからトランジスタP2及びトランジスタP3のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr1の供給が遮断されており、また、発光制御部HC2aにおいて半導体チップIC2aのトランジスタP9aのゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaからトランジスタP2a及びトランジスタP3aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr1aの供給がなされている。また、比較回路CNaaと接続されたトランジスタP2a及びトランジスタP3aのゲート端子GがトランジスタP2及びトランジスタP3のゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40cは、これにより、半導体チップIC2に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC2aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC2aの発光制御部HC2aにより行っている。   As described above, in the lighting device 40a, the gate terminal G of the transistor P9 of the semiconductor chip IC2 is electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC2, so that the transistor P2 and the transistor are compared from the comparison circuit CN. The supply of the comparison result signal Vcr1 to the gate terminal G of P3 is interrupted, and the gate terminal G of the transistor P9a of the semiconductor chip IC2a is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC2a. The comparison result signal Vcr1a is supplied from the comparison circuit CNaa to the gate terminals G of the transistors P2a and P3a. In addition, the gate terminals G of the transistors P2a and P3a connected to the comparison circuit CNaa are electrically connected to the gate terminals G of the transistors P2 and P3 through the wiring W3. The illumination device 40c thereby controls the light emission control and light emission stop of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC2, and the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC2a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC2a of the semiconductor chip IC2a.

したがって、照明装置40cによれば、半導体チップIC2の比較回路CNと半導体チップIC2aの比較回路CNaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the illuminating device 40c, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC2 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC2a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

なお、半導体チップIC2と半導体チップIC2aとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップIC2の発光制御部HC2又は半導体チップIC2aの発光制御部HC2aのいずれか一方にて行われる。   As described above, the light emission control and the light emission stop control in the lighting device including the semiconductor chip IC2 and the semiconductor chip IC2a are performed by the light emission control unit HC2 of the semiconductor chip IC2 or the light emission control unit HC2a of the semiconductor chip IC2a. It is done in either one.

[第4の実施形態の第4の変形例]
図17は、本発明の第4の実施形態の第4の変形例にかかる照明装置40dを示した図である。照明装置40dは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC3と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC3aと、を備えている。なお、図17に示した照明装置40dにおいては、図5に示した照明装置20、図6に示した照明装置20a、図13に示した照明装置40と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Fourth Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 17 is a diagram showing an illumination device 40d according to a fourth modification of the fourth embodiment of the present invention. The illumination device 40d includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC3 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC3a as a second semiconductor chip. In addition, in the illuminating device 40d shown in FIG. 17, about the structure similar to the illuminating device 20 shown in FIG. 5, the illuminating device 20a shown in FIG. 6, and the illuminating device 40 shown in FIG. The description will be omitted as appropriate.

半導体チップIC3は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT4と、電極パッドT5と、電極パッドT6と、電極パッドT7と、を備えている。また、半導体チップIC3は、第1の発光制御部としての発光制御部HC3と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。   The semiconductor chip IC3 has electrode pads T1, electrode pads T2, electrode pads T3, electrode pads T4, electrode pads T5, electrode pads T6, and electrodes as electrode pads for electrical connection with the outside. And a pad T7. The semiconductor chip IC3 includes a light emission control unit HC3 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit.

発光制御部HC3は、第1の比較回路としての比較回路CNaと、トランジスタN1と、第1の制御スイッチとしてのトランジスタN2と、第3の制御スイッチとしてのトランジスタP10と、を備えている。   The light emission control unit HC3 includes a comparison circuit CNa as a first comparison circuit, a transistor N1, a transistor N2 as a first control switch, and a transistor P10 as a third control switch.

比較回路CNaは、電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。比較回路CNaは、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Vcr2として出力する。   The comparison circuit CNa is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The comparison circuit CNa determines whether the drive voltage Vk is larger or smaller than the light emission reference voltage VHa or a voltage based on the light emission reference voltage VHa, and outputs the result as a comparison result signal Vcr2.

調光回路LC1は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT2に接続されている。   The light control circuit LC1 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T2.

調光回路LC2は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT3に接続されている。   The light control circuit LC2 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T3.

トランジスタN1は、NMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源VSSと接続されており、ドレイン端子Dが電極パッドT6と接続されている。   The transistor N1 is an NMOS transistor, the source terminal S is connected to the power supply VSS, and the drain terminal D is connected to the electrode pad T6.

トランジスタN2は、NMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源VSSと接続されており、ドレイン端子Dが電極パッドT7と接続されている。   The transistor N2 is an NMOS transistor, the source terminal S is connected to the power supply VSS, and the drain terminal D is connected to the electrode pad T7.

トランジスタP10は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが比較回路CNaと接続され、ドレイン端子DがトランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子Gと電極パッドT5とに接続されている。これにより、比較回路CNaとトランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子GとはトランジスタP10を介して接続されており、比較回路CNaとトランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子Gとの電気的な接続はトランジスタP10により制御される。また、トランジスタP10は、ゲート端子Gが電極パッドT4と接続、言い換えれば電極パッドT4を介して電源VSSと接続されている。これにより、トランジスタP10は、駆動電圧Vkが上昇して比較回路CNaから出力されトランジスタP10のソース端子Sに供給される比較結果信号Vcr2の信号レベルが上昇してトランジスタP10のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタP10のドレイン端子DとトランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子Gとの接続点をノードNd12と称する。   The transistor P10 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the comparison circuit CNa, and the drain terminal D is connected to the gate terminals G and the electrode pads T5 of the transistors N1 and N2. Thereby, the comparison circuit CNa and the gate terminals G of the transistors N1 and N2 are connected via the transistor P10, and the electrical connection between the comparison circuit CNa and the gate terminals G of the transistors N1 and N2 is the transistor P10. Controlled by The transistor P10 has a gate terminal G connected to the electrode pad T4, in other words, connected to the power source VSS via the electrode pad T4. As a result, in the transistor P10, the drive voltage Vk increases, the signal level of the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and supplied to the source terminal S of the transistor P10 increases, and the gate-source voltage of the transistor P10 increases. Turns on when the voltage exceeds the threshold voltage. Here, a connection point between the drain terminal D of the transistor P10 and the gate terminals G of the transistors N1 and N2 is referred to as a node Nd12.

発光素子群HSBは、発光素子群HSと、発光素子群HSaと、を備えている。発光素子群HSは、発光素子群HS1と、第1の発光素子群としての発光素子群HS2と、を備えている。発光素子群HSaは、発光素子群HS11と、第2の発光素子群としての発光素子群HS12と、を備えている。   The light emitting element group HSB includes a light emitting element group HS and a light emitting element group HSa. The light emitting element group HS includes a light emitting element group HS1 and a light emitting element group HS2 as a first light emitting element group. The light emitting element group HSa includes a light emitting element group HS11 and a light emitting element group HS12 as a second light emitting element group.

発光素子群HS1は、ノードNh1が電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して調光回路LC1の他端に接続されており、ノードNh1aが電極パッドT6と接続、言い換えれば電極パッドT6を介してトランジスタN1のドレイン端子Dと接続されている。   In the light emitting element group HS1, the node Nh1 is connected to the electrode pad T2, in other words, connected to the other end of the dimming circuit LC1 via the electrode pad T2, and the node Nh1a is connected to the electrode pad T6, in other words, the electrode pad T6. Is connected to the drain terminal D of the transistor N1.

発光素子群HS2は、ノードNh2が電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して調光回路LC2の他端に接続されており、ノードNH2aが電極パッドT7と接続、言い換えれば電極パッドT7を介してトランジスタN2のドレイン端子Dと接続されている。   In the light emitting element group HS2, the node Nh2 is connected to the electrode pad T3, in other words, connected to the other end of the dimming circuit LC2 via the electrode pad T3, and the node NH2a is connected to the electrode pad T7, in other words, the electrode pad T7. Is connected to the drain terminal D of the transistor N2.

半導体チップIC3aは、半導体チップIC3と同一構成である。ただし、図17の半導体チップIC3aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC3と区別するために半導体チップIC3にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC3aにおいては、半導体チップIC3にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CNa」については、図13等に示した「比較回路CNaa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaaa」としている。   The semiconductor chip IC3a has the same configuration as the semiconductor chip IC3. However, in the semiconductor chip IC3a of FIG. 17, for the sake of convenience of description, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC3 to distinguish it from the semiconductor chip IC3. In the semiconductor chip IC3a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC3 is omitted as appropriate. Note that the “comparison circuit CNaaa” is used here to distinguish it from the “comparison circuit CNaa” shown in FIG.

半導体チップIC3aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT4aと、電極パッドT5aと、電極パッドT6aと、電極パッドT7aと、を備えている。また、半導体チップIC3aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC3aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。発光制御部HC3aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaaと、トランジスタN1aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタN2aと、トランジスタP10aと、を備えている。   The semiconductor chip IC3a has electrode pads T1a, electrode pads T2a, electrode pads T3a, electrode pads T4a, electrode pads T5a, electrode pads T6a, and electrodes as electrode pads for electrical connection with the outside. And a pad T7a. The semiconductor chip IC3a includes a light emission control unit HC3a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit. The light emission control unit HC3a includes a comparison circuit CNaaa as a second comparison circuit, a transistor N1a, a transistor N2a as a second control switch, and a transistor P10a.

電極パッドT1aは、第2の電源配線としての配線W2を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W2は、電源供給回路VSと半導体チップIC3aとに接続されている。電極パッドT2aは、発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。電極パッドT3aは、発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。なお、配線W2は、例えば配線W1よりも配線抵抗が小さい。   The electrode pad T1a is connected to the power supply circuit VS via a wiring W2 as a second power supply wiring. In other words, the wiring W2 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC3a. The electrode pad T2a is connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11. The electrode pad T3a is connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12. The wiring W2 has a lower wiring resistance than the wiring W1, for example.

発光素子群HS11は、ノードNh11が電極パッドT2aと接続、言い換えれば電極パッドT2aを介して調光回路LC1aの他端に接続されており、ノードNh11aが電極パッドT6aと接続、言い換えれば電極パッドT6aを介してトランジスタN1aのドレイン端子Dと接続されている。   In the light emitting element group HS11, the node Nh11 is connected to the electrode pad T2a, in other words, connected to the other end of the dimming circuit LC1a via the electrode pad T2a, and the node Nh11a is connected to the electrode pad T6a, in other words, the electrode pad T6a. Is connected to the drain terminal D of the transistor N1a.

発光素子群HS12は、ノードNh12が電極パッドT3aと接続、言い換えれば電極パッドT3aを介して調光回路LC2aの他端に接続されており、ノードNh12aが電極パッドT7aと接続、言い換えれば電極パッドT7aを介してトランジスタN2aのドレイン端子Dと接続されている。   In the light emitting element group HS12, the node Nh12 is connected to the electrode pad T3a, in other words, connected to the other end of the dimming circuit LC2a via the electrode pad T3a, and the node Nh12a is connected to the electrode pad T7a, in other words, the electrode pad T7a. Is connected to the drain terminal D of the transistor N2a.

電極パッドT4aは、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP10aにおいては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP10aは、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4a is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P10a, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P10a is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

電極パッドT5aは、配線W3にて半導体チップIC3の電極パッドT5と接続されている。すなわち、配線W3は、ノードNd12とノードNd12aとを電気的に接続している。これにより、トランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子GとトランジスタN1a及びトランジスタN2aのゲート端子Gとが電気的に接続されている。   The electrode pad T5a is connected to the electrode pad T5 of the semiconductor chip IC3 by the wiring W3. That is, the wiring W3 electrically connects the node Nd12 and the node Nd12a. Thereby, the gate terminals G of the transistors N1 and N2 and the gate terminals G of the transistors N1a and N2a are electrically connected.

以上のように、照明装置40dにおいては、発光制御部HC3において半導体チップIC3のトランジスタP10のゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaからトランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2の供給がなされており、また、発光制御部HC3aにおいて半導体チップIC3aのトランジスタN1a及びトランジスタN2aのゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaaからトランジスタN1a及びトランジスタN2aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2aの供給が遮断されている。また、比較回路CNaと接続されたトランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子GがトランジスタN1a及びトランジスタN2aのゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40dは、これにより、半導体チップIC3に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC3aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC3の発光制御部HC3により行っている。   As described above, in the illumination device 40d, the gate terminal G of the transistor P10 of the semiconductor chip IC3 is electrically connected to the power source VSS in the light emission control unit HC3, so that the transistors N1 and N2 are connected from the comparison circuit CNa. The comparison result signal Vcr2 is supplied to the gate terminal G, and the transistor N1a of the semiconductor chip IC3a and the gate terminal G of the transistor N2a are electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC3a. Thus, the supply of the comparison result signal Vcr2a from the comparison circuit CNaaa to the gate terminals G of the transistors N1a and N2a is cut off. The gate terminals G of the transistors N1 and N2 connected to the comparison circuit CNa are electrically connected to the gate terminals G of the transistors N1a and N2a through the wiring W3. The illumination device 40d thereby controls the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC3, and the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC3a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC3 of the semiconductor chip IC3.

したがって、照明装置40dによれば、半導体チップIC3の比較回路CNaと半導体チップIC3aの比較回路CNaaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the lighting device 40d, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC3 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC3a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

また、照明装置40dによれば、半導体チップIC3aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗よりも、半導体チップIC3が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップIC3に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC3aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC3の発光制御部HC3により行うこととしたので、半導体チップIC3の比較回路CNaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇が、配線W1と配線W2との配線抵抗の差に基づいて半導体チップIC3aの比較回路CNaaaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the lighting device 40d, the semiconductor chip IC3 is driven from the power supply circuit VS rather than the wiring resistance of the wiring W2 for the semiconductor chip IC3a to receive the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. When the wiring resistance of the wiring W1 for receiving the power supply of the voltage Vk and the driving current Ik is larger, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC3, and the connection to the semiconductor chip IC3a Since the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC3 of the semiconductor chip IC3, an increase in the potential of the drive voltage Vk acquired by the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC3 Obtained by the comparison circuit CNNaa of the semiconductor chip IC3a based on the difference in wiring resistance between W1 and the wiring W2 Even when the delay compared to the rise of the potential of that driving voltage Vk, it is possible to prevent the timing variation in the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第4の実施形態の第5の変形例]
図18は、本発明の第4の実施形態の第5の変形例にかかる照明装置40eを示した図である。照明装置40eは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、半導体チップIC3と、半導体チップIC3aと、を備えている。なお、図18に示した照明装置40eにおいては、図17に示した照明装置40dと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Fifth Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 18 is a diagram showing an illumination device 40e according to a fifth modification of the fourth embodiment of the present invention. The illumination device 40e includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC3, and a semiconductor chip IC3a. In addition, in the illuminating device 40e shown in FIG. 18, about the structure similar to the illuminating device 40d shown in FIG. 17, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

照明装置40eは、半導体チップIC3の電極パッドT4の接続先と、半導体チップIC3aの電極パッドT4aの接続先と、が照明装置40dとは実質的に異なる。   The lighting device 40e is substantially different from the lighting device 40d in the connection destination of the electrode pad T4 of the semiconductor chip IC3 and the connection destination of the electrode pad T4a of the semiconductor chip IC3a.

電極パッドT4は、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP10においては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP10は、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4 is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P10, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P10 is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

また、電極パッドT4aは、電源VSSに接続されている。これにより、トランジスタP10aにおいては、ゲート端子Gが電源VSSと接続されている。したがって、トランジスタP10aは、駆動電圧Vkが上昇してトランジスタP10のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。   The electrode pad T4a is connected to the power supply VSS. Thereby, in the transistor P10a, the gate terminal G is connected to the power supply VSS. Therefore, the transistor P10a is turned on when the drive voltage Vk rises and the gate-source voltage of the transistor P10 becomes equal to or higher than the threshold voltage.

以上のように、照明装置40eにおいては、発光制御部HC3において半導体チップIC3のトランジスタP10のゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaからトランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2の供給が遮断されており、また、発光制御部HC3aにおいて半導体チップIC3aのトランジスタP10aのゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaaからトランジスタN1a及びトランジスタN2aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2aの供給がなされている。また、比較回路CNaaaと接続されたトランジスタN1a及びトランジスタN2aのゲート端子GがトランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40eは、これにより、半導体チップIC3に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC3aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC3aの発光制御部HC3aにより行っている。   As described above, in the illumination device 40e, the gate terminal G of the transistor P10 of the semiconductor chip IC3 is electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC3, so that the transistor N1 and the transistor are compared from the comparison circuit CNa. The supply of the comparison result signal Vcr2 to the gate terminal G of N2 is cut off, and the gate terminal G of the transistor P10a of the semiconductor chip IC3a is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC3a. The comparison result signal Vcr2a is supplied from the comparison circuit CNaa to the gate terminals G of the transistors N1a and N2a. Further, the gate terminals G of the transistors N1a and N2a connected to the comparison circuit CNaaa are electrically connected to the gate terminals G of the transistors N1 and N2 through the wiring W3. The illumination device 40e thereby controls the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC3, and the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC3a, that is, The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC3a of the semiconductor chip IC3a.

したがって、照明装置40eによれば、半導体チップIC3の比較回路CNaと半導体チップIC3aの比較回路CNaaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the illuminating device 40e, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC3 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC3a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

なお、半導体チップIC3と半導体チップIC3aとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップIC3の発光制御部HC3又は半導体チップIC3aの発光制御部HC3aのいずれか一方にて行われる。   As described above, the light emission control and the light emission stop control in the lighting device configured to include the semiconductor chip IC3 and the semiconductor chip IC3a are performed by the light emission control unit HC3 of the semiconductor chip IC3 or the light emission control unit HC3a of the semiconductor chip IC3a. It is done in either one.

[第4の実施形態の第6の変形例]
図19は、本発明の第4の実施形態の第6の変形例にかかる照明装置40fを示した図である。照明装置40fは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC4と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC4aと、を備えている。なお、図19に示した照明装置40fにおいては、図8に示した照明装置30、図10に示した照明装置30a、図13に示した照明装置40と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Sixth Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 19 is a diagram showing a lighting device 40f according to a sixth modification of the fourth embodiment of the present invention. The illumination device 40f includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC4 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC4a as a second semiconductor chip. In addition, in the illuminating device 40f shown in FIG. 19, the same code | symbol is attached | subjected about the structure similar to the illuminating device 30 shown in FIG. 8, the illuminating device 30a shown in FIG. 10, and the illuminating device 40 shown in FIG. The description will be omitted as appropriate.

半導体チップIC4は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT4と、電極パッドT5と、を備えている。また、半導体チップIC4は、第1の発光制御部としての発光制御部HC4と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。   The semiconductor chip IC4 includes an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T4, and an electrode pad T5 as electrode pads for electrical connection with the outside. Further, the semiconductor chip IC4 includes a light emission control unit HC4 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit.

発光制御部HC4は、第1の比較回路としての比較回路CNaと、トランジスタP6と、第1の制御スイッチとしてのトランジスタP7と、第3の制御スイッチとしてのトランジスタP11と、を備えている。   The light emission control unit HC4 includes a comparison circuit CNa as a first comparison circuit, a transistor P6, a transistor P7 as a first control switch, and a transistor P11 as a third control switch.

比較回路CNaは、電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。比較回路CNaは、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Vcr2として出力する。   The comparison circuit CNa is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The comparison circuit CNa determines whether the drive voltage Vk is larger or smaller than the voltage based on the light emission reference voltage VH, and outputs the result as the comparison result signal Vcr2.

調光回路LC1は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT2に接続されている。   The light control circuit LC1 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T2.

調光回路LC2は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT3に接続されている。   The light control circuit LC2 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T3.

トランジスタP6は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源供給回路VSと接続されており、ドレイン端子Dが調光回路LC1と接続されている。   The transistor P6 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the power supply circuit VS, and the drain terminal D is connected to the dimming circuit LC1.

トランジスタP7は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源供給回路VSと接続されており、ドレイン端子Dが調光回路LC2と接続されている。   The transistor P7 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the power supply circuit VS, and the drain terminal D is connected to the dimming circuit LC2.

トランジスタP11は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが比較回路CNaと接続され、ドレイン端子DがトランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子Gと電極パッドT5とに接続されている。これにより、比較回路CNaとトランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子GとはトランジスタP11を介して接続されており、比較回路CNaとトランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子Gとの電気的な接続はトランジスタP11により制御される。また、トランジスタP11は、ゲート端子Gが電極パッドT4と接続、言い換えれば電極パッドT4を介して電源VSSと接続されている。これにより、トランジスタP11は、駆動電圧Vkが上昇して比較回路CNaから出力されトランジスタP11のソース端子Sに供給される比較結果信号Vcr2の信号レベルが上昇してトランジスタP11のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタP11のドレイン端子DとトランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子Gとの接続点をノードNd13と称する。   The transistor P11 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the comparison circuit CNa, and the drain terminal D is connected to the gate terminals G and the electrode pads T5 of the transistors P6 and P7. Thereby, the comparison circuit CNa and the gate terminals G of the transistors P6 and P7 are connected via the transistor P11, and the electrical connection between the comparison circuit CNa and the gate terminals G of the transistors P6 and P7 is the transistor P11. Controlled by The transistor P11 has a gate terminal G connected to the electrode pad T4, in other words, connected to the power source VSS via the electrode pad T4. As a result, in the transistor P11, the drive voltage Vk increases, the signal level of the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and supplied to the source terminal S of the transistor P11 increases, and the gate-source voltage of the transistor P11 increases Turns on when the voltage exceeds the threshold voltage. Here, a connection point between the drain terminal D of the transistor P11 and the gate terminals G of the transistors P6 and P7 is referred to as a node Nd13.

半導体チップIC4aは、半導体チップIC4と同一構成である。ただし、図19の半導体チップIC4aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC4と区別するために半導体チップIC4にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC4aにおいては、半導体チップIC4にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CNa」については、図13等に示した「比較回路CNaa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaaa」としている。   The semiconductor chip IC4a has the same configuration as the semiconductor chip IC4. However, in the semiconductor chip IC4a of FIG. 19, for the sake of convenience of description, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC4 to distinguish it from the semiconductor chip IC4. In the semiconductor chip IC4a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC4 is omitted as appropriate. Note that the “comparison circuit CNaaa” is used here to distinguish it from the “comparison circuit CNaa” shown in FIG.

半導体チップIC4aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT4aと、電極パッドT5aと、を備えている。また、半導体チップIC4aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC4aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。発光制御部HC4aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaaと、トランジスタP6aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタP7aと、トランジスタP11aと、を備えている。   The semiconductor chip IC4a includes an electrode pad T1a, an electrode pad T2a, an electrode pad T3a, an electrode pad T4a, and an electrode pad T5a as electrode pads for electrical connection with the outside. The semiconductor chip IC4a includes a light emission control unit HC4a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit. The light emission control unit HC4a includes a comparison circuit CNaaa as a second comparison circuit, a transistor P6a, a transistor P7a as a second control switch, and a transistor P11a.

調光回路LC11は、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT2aに接続されている。   The dimming circuit LC11 has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a, and the other end connected to the electrode pad T2a.

調光回路LC12は、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT3aに接続されている。   The light control circuit LC12 has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a, and the other end connected to the electrode pad T3a.

電極パッドT4aは、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP11aにおいては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP11aは、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4a is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P11a, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P11a is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

電極パッドT5aは、配線W3にて半導体チップIC4の電極パッドT5と接続されている。すなわち、配線W3は、ノードNd13とノードNd13aとを電気的に接続している。これにより、トランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子GとトランジスタP6a及びトランジスタP7aのゲート端子Gとが電気的に接続されている。   The electrode pad T5a is connected to the electrode pad T5 of the semiconductor chip IC4 by the wiring W3. That is, the wiring W3 electrically connects the node Nd13 and the node Nd13a. Thereby, the gate terminals G of the transistors P6 and P7 and the gate terminals G of the transistors P6a and P7a are electrically connected.

以上のように、照明装置40fにおいては、発光制御部HC4において半導体チップIC4のトランジスタP11のゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaからトランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2の供給がなされており、また、発光制御部HC4aにおいて半導体チップIC4aのトランジスタP6a及びトランジスタP7aのゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaaからトランジスタP6a及びトランジスタP7aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2aの供給が遮断されている。また、比較回路CNaと接続されたトランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子GがトランジスタP6a及びトランジスタP7aのゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40fは、これにより、半導体チップIC4に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC4aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC4の発光制御部HC4により行っている。   As described above, in the lighting device 40f, the gate terminal G of the transistor P11 of the semiconductor chip IC4 is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC4, so that the comparison circuit CNa to the transistor P6 and the transistor P7. The comparison result signal Vcr2 is supplied to the gate terminal G, and the transistor P6a and the gate terminal G of the transistor P7a of the semiconductor chip IC4a are electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC4a. Thus, the supply of the comparison result signal Vcr2a from the comparison circuit CNaaa to the gate terminals G of the transistors P6a and P7a is cut off. The gate terminals G of the transistors P6 and P7 connected to the comparison circuit CNa are electrically connected to the gate terminals G of the transistors P6a and P7a through the wiring W3. The illumination device 40f thereby controls the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC4, and the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC4a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC4 of the semiconductor chip IC4.

したがって、照明装置40fによれば、半導体チップIC4の比較回路CNaと半導体チップIC4aの比較回路CNaaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the lighting device 40f, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC4 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC4a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

また、照明装置40fによれば、半導体チップIC4aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗よりも、半導体チップIC4が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップIC4に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC4aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC4の発光制御部HC4により行うこととしたので、半導体チップIC4の比較回路CNaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇が、配線W1と配線W2との配線抵抗の差に基づいて半導体チップIC4aの比較回路CNaaaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the lighting device 40f, the semiconductor chip IC4 is driven from the power supply circuit VS rather than the wiring resistance of the wiring W2 for the semiconductor chip IC4a to receive the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. When the wiring resistance of the wiring W1 for receiving the power supply of the voltage Vk and the driving current Ik is larger, the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC4, and the connection to the semiconductor chip IC4a Since the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC4 of the semiconductor chip IC4, the increase in the potential of the drive voltage Vk acquired by the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC4 Based on the difference in wiring resistance between W1 and wiring W2, the comparison circuit CNNaa of the semiconductor chip IC4a acquires Even when the delay compared to the rise of the potential of that driving voltage Vk, it is possible to prevent the timing variation in the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第4の実施形態の第7の変形例]
図20は、本発明の第4の実施形態の第7の変形例にかかる照明装置40gを示した図である。照明装置40gは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、半導体チップIC4と、半導体チップIC4aと、を備えている。なお、図20に示した照明装置40gにおいては、図19に示した照明装置40fと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Seventh Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 20 is a diagram showing a lighting device 40g according to a seventh modification of the fourth embodiment of the present invention. The illumination device 40g includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC4, and a semiconductor chip IC4a. In addition, in the illuminating device 40g shown in FIG. 20, about the structure similar to the illuminating device 40f shown in FIG. 19, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

照明装置40gは、半導体チップIC4の電極パッドT4の接続先と、半導体チップIC4aの電極パッドT4aの接続先と、が照明装置40fとは実質的に異なる。   The lighting device 40g is substantially different from the lighting device 40f in the connection destination of the electrode pad T4 of the semiconductor chip IC4 and the connection destination of the electrode pad T4a of the semiconductor chip IC4a.

電極パッドT4は、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP11においては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP11は、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4 is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P11, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P11 is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

また、電極パッドT4aは、電源VSSに接続されている。これにより、トランジスタP11aにおいては、ゲート端子Gが電源VSSと接続されている。したがって、トランジスタP11aは、駆動電圧Vkが上昇してトランジスタP11のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。   The electrode pad T4a is connected to the power supply VSS. Thereby, in the transistor P11a, the gate terminal G is connected to the power supply VSS. Accordingly, the transistor P11a is turned on when the drive voltage Vk increases and the gate-source voltage of the transistor P11 becomes equal to or higher than the threshold voltage.

以上のように、照明装置40gにおいては、発光制御部HC4において半導体チップIC4のトランジスタP11のゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaからトランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2の供給が遮断されており、また、発光制御部HC4aにおいて半導体チップIC4aのトランジスタP11aのゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaaからトランジスタP6a及びトランジスタP7aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2aの供給がなされている。また、比較回路CNaaaと接続されたトランジスタP6a及びトランジスタP7aのゲート端子GがトランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40gは、これにより、半導体チップIC4に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC4aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC4aの発光制御部HC4aにより行っている。   As described above, in the lighting device 40g, the gate terminal G of the transistor P11 of the semiconductor chip IC4 is electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC4. The supply of the comparison result signal Vcr2 to the gate terminal G of P7 is interrupted, and the gate terminal G of the transistor P11a of the semiconductor chip IC4a is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC4a. The comparison result signal Vcr2a is supplied from the comparison circuit CNaa to the gate terminals G of the transistors P6a and P7a. In addition, the gate terminals G of the transistors P6a and P7a connected to the comparison circuit CNaa are electrically connected to the gate terminals G of the transistors P6 and P7 through the wiring W3. The illumination device 40g thereby controls the light emission control and light emission stop of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC4, and the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC4a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC4a of the semiconductor chip IC4a.

したがって、照明装置40gによれば、半導体チップIC4の比較回路CNaと半導体チップIC4aの比較回路CNaaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the illuminating device 40g, even when there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC4 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC4a, light emission between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

なお、半導体チップIC4と半導体チップIC4aとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップIC4の発光制御部HC4又は半導体チップIC4aの発光制御部HC4aのいずれか一方にて行われる。   As described above, the light emission control and the light emission stop control in the illumination device configured to include the semiconductor chip IC4 and the semiconductor chip IC4a are performed by the light emission control unit HC4 of the semiconductor chip IC4 or the light emission control unit HC4a of the semiconductor chip IC4a. It is done in either one.

[第4の実施形態の第8の変形例]
図21は、本発明の第4の実施形態の第8の変形例にかかる照明装置40hを示した図である。照明装置40hは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC5と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC5aと、を備えている。なお、図21に示した照明装置40hにおいては、図11に示した照明装置30b、図13に示した照明装置40と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Eighth Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 21 is a diagram showing a lighting device 40h according to an eighth modification of the fourth embodiment of the present invention. The lighting device 40h includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC5 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC5a as a second semiconductor chip. In addition, in the illuminating device 40h shown in FIG. 21, about the structure similar to the illuminating device 30b shown in FIG. 11, and the illuminating device 40 shown in FIG. 13, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

半導体チップIC5は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT4と、電極パッドT5と、を備えている。また、半導体チップIC5は、第1の発光制御部としての発光制御部HC5と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。   The semiconductor chip IC5 includes an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T4, and an electrode pad T5 as electrode pads for electrical connection with the outside. The semiconductor chip IC5 includes a light emission control unit HC5 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit.

発光制御部HC5は、第1の比較回路としての比較回路CNaと、トランジスタN3と、第1の制御スイッチとしてのトランジスタN4と、第3の制御スイッチとしてのトランジスタP12と、を備えている。   The light emission control unit HC5 includes a comparison circuit CNa as a first comparison circuit, a transistor N3, a transistor N4 as a first control switch, and a transistor P12 as a third control switch.

比較回路CNaは、電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。比較回路CNaは、駆動電圧Vkが発光基準電圧VH又は発光基準電圧VHに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Vcr2として出力する。   The comparison circuit CNa is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The comparison circuit CNa determines whether the drive voltage Vk is larger or smaller than the light emission reference voltage VH or a voltage based on the light emission reference voltage VH, and outputs the result as a comparison result signal Vcr2.

調光回路LC1は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT2に接続されている。   The light control circuit LC1 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T2.

調光回路LC2は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT3に接続されている。   The light control circuit LC2 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T3.

トランジスタN3は、NMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源供給回路VSと接続されており、ドレイン端子Dが調光回路LC1と接続されている。   The transistor N3 is an NMOS transistor, the source terminal S is connected to the power supply circuit VS, and the drain terminal D is connected to the dimming circuit LC1.

トランジスタN4は、NMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源供給回路VSと接続されており、ドレイン端子Dが調光回路LC2と接続されている。   The transistor N4 is an NMOS transistor, the source terminal S is connected to the power supply circuit VS, and the drain terminal D is connected to the dimming circuit LC2.

トランジスタP12は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが比較回路CNaと接続され、ドレイン端子DがトランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子Gと電極パッドT5とに接続されている。これにより、比較回路CNaとトランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子GとはトランジスタP12を介して接続されており、比較回路CNaとトランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子Gとの電気的な接続はトランジスタP12により制御される。また、トランジスタP12は、ゲート端子Gが電極パッドT4と接続、言い換えれば電極パッドT4を介して電源VSSと接続されている。これにより、トランジスタP12は、駆動電圧Vkが上昇して比較回路CNaから出力されトランジスタP12のソース端子Sに供給される比較結果信号Vcr2の信号レベルが上昇してトランジスタP12のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタP12のドレイン端子DとトランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子Gとの接続点をノードNd14と称する。   The transistor P12 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the comparison circuit CNa, and the drain terminal D is connected to the gate terminals G and the electrode pads T5 of the transistors N3 and N4. Thereby, the comparison circuit CNa and the gate terminals G of the transistors N3 and N4 are connected via the transistor P12. The electrical connection between the comparison circuit CNa and the gate terminals G of the transistors N3 and N4 is connected to the transistor P12. Controlled by Further, the transistor P12 has a gate terminal G connected to the electrode pad T4, in other words, connected to the power source VSS via the electrode pad T4. As a result, in the transistor P12, the drive voltage Vk rises, the signal level of the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and supplied to the source terminal S of the transistor P12 rises, and the gate-source voltage of the transistor P12 rises. Turns on when the voltage exceeds the threshold voltage. Here, a connection point between the drain terminal D of the transistor P12 and the gate terminals G of the transistors N3 and N4 is referred to as a node Nd14.

半導体チップIC5aは、半導体チップIC5と同一構成である。ただし、図21の半導体チップIC5aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC5と区別するために半導体チップIC5にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC5aにおいては、半導体チップIC5にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CNa」については、図13等に示した「比較回路CNaa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaaa」としている。   The semiconductor chip IC5a has the same configuration as the semiconductor chip IC5. However, in the semiconductor chip IC5a of FIG. 21, for the convenience of explanation, “a” is added to the end of the configuration of the semiconductor chip IC5 to distinguish it from the semiconductor chip IC5. In the semiconductor chip IC5a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC5 is omitted as appropriate. Note that the “comparison circuit CNaaa” is used here to distinguish it from the “comparison circuit CNaa” shown in FIG.

半導体チップIC5aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT4aと、電極パッドT5aと、を備えている。また、半導体チップIC5aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC5aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。発光制御部HC5aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaaと、トランジスタN3aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタN4aと、トランジスタP12aと、を備えている。   The semiconductor chip IC5a includes an electrode pad T1a, an electrode pad T2a, an electrode pad T3a, an electrode pad T4a, and an electrode pad T5a as electrode pads for electrical connection with the outside. In addition, the semiconductor chip IC5a includes a light emission control unit HC5a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit. The light emission control unit HC5a includes a comparison circuit CNaaa as a second comparison circuit, a transistor N3a, a transistor N4a as a second control switch, and a transistor P12a.

調光回路LC11は、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT2aに接続されている。   The dimming circuit LC11 has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a, and the other end connected to the electrode pad T2a.

調光回路LC12は、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT3aに接続されている。   The light control circuit LC12 has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a, and the other end connected to the electrode pad T3a.

電極パッドT4aは、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP12aにおいては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP12aは、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4a is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P12a, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P12a is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

電極パッドT5aは、配線W3にて半導体チップIC5の電極パッドT5と接続されている。すなわち、配線W3は、ノードNd14とノードNd14aとを電気的に接続している。これにより、トランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子GとトランジスタN3a及びトランジスタN4aのゲート端子Gとが電気的に接続されている。   The electrode pad T5a is connected to the electrode pad T5 of the semiconductor chip IC5 by the wiring W3. That is, the wiring W3 electrically connects the node Nd14 and the node Nd14a. As a result, the gate terminals G of the transistors N3 and N4 are electrically connected to the gate terminals G of the transistors N3a and N4a.

以上のように、照明装置40hにおいては、発光制御部HC5において半導体チップIC5のトランジスタP12のゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaからトランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2の供給がなされており、また、発光制御部HC5aにおいて半導体チップIC5aのトランジスタN3a及びトランジスタN4aのゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaaからトランジスタN3a及びトランジスタN4aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2aの供給が遮断されている。また、比較回路CNaと接続されたトランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子GがトランジスタN3a及びトランジスタN4aのゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40hは、これにより、半導体チップIC5に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC5aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC5の発光制御部HC5により行っている。   As described above, in the lighting device 40h, the gate terminal G of the transistor P12 of the semiconductor chip IC5 is electrically connected to the power source VSS in the light emission control unit HC5, so that the comparison circuit CNa to the transistors N3 and N4 The comparison result signal Vcr2 is supplied to the gate terminal G, and the gate terminals G of the transistors N3a and N4a of the semiconductor chip IC5a are electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC5a. Thus, the supply of the comparison result signal Vcr2a from the comparison circuit CNaaa to the gate terminals G of the transistors N3a and N4a is cut off. The gate terminals G of the transistors N3 and N4 connected to the comparison circuit CNa are electrically connected to the gate terminals G of the transistors N3a and N4a through the wiring W3. Then, the lighting device 40h thereby controls the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC5, and the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC5a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC5 of the semiconductor chip IC5.

したがって、照明装置40hによれば、半導体チップIC5の比較回路CNaと半導体チップIC5aの比較回路CNaaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the illuminating device 40h, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC5 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC5a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

また、照明装置40hによれば、半導体チップIC5aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗よりも、半導体チップIC5が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップIC5に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC5aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC5の発光制御部HC5により行うこととしたので、半導体チップIC5の比較回路CNaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇が、配線W1と配線W2との配線抵抗の差に基づいて半導体チップIC5aの比較回路CNaaaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the lighting device 40h, the semiconductor chip IC5 is driven from the power supply circuit VS rather than the wiring resistance of the wiring W2 for the semiconductor chip IC5a to receive the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. When the wiring resistance of the wiring W1 for receiving the power supply of the voltage Vk and the driving current Ik is larger, the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC5, and the connection to the semiconductor chip IC5a Since the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC5 of the semiconductor chip IC5, the increase in the potential of the drive voltage Vk acquired by the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC5 Based on the difference in wiring resistance between W1 and wiring W2, the comparison circuit CNNaa of the semiconductor chip IC5a acquires Even when the delay compared to the rise of the potential of that driving voltage Vk, it is possible to prevent the timing variation in the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第4の実施形態の第9の変形例]
図22は、本発明の第4の実施形態の第9の変形例にかかる照明装置40iを示した図である。照明装置40iは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、半導体チップIC5と、半導体チップIC5aと、を備えている。なお、図22に示した照明装置40iにおいては、図21に示した照明装置40hと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Ninth Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 22 is a diagram showing an illuminating device 40i according to a ninth modification of the fourth embodiment of the present invention. The lighting device 40i includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC5, and a semiconductor chip IC5a. In addition, in the illuminating device 40i shown in FIG. 22, about the structure similar to the illuminating device 40h shown in FIG. 21, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

照明装置40iは、半導体チップIC5の電極パッドT4の接続先と、半導体チップIC5aの電極パッドT4aの接続先と、が照明装置40hとは実質的に異なる。   The illumination device 40i is substantially different from the illumination device 40h in the connection destination of the electrode pad T4 of the semiconductor chip IC5 and the connection destination of the electrode pad T4a of the semiconductor chip IC5a.

電極パッドT4は、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP12においては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP12は、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4 is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P12, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P12 is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

また、電極パッドT4aは、電源VSSに接続されている。これにより、トランジスタP12aにおいては、ゲート端子Gが電源VSSと接続されている。したがって、トランジスタP12aは、駆動電圧Vkが上昇してトランジスタP12のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。   The electrode pad T4a is connected to the power supply VSS. Thereby, in the transistor P12a, the gate terminal G is connected to the power supply VSS. Therefore, the transistor P12a is turned on when the drive voltage Vk rises and the gate-source voltage of the transistor P12 becomes equal to or higher than the threshold voltage.

以上のように、照明装置40iにおいては、発光制御部HC5において半導体チップIC5のトランジスタP12のゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaからトランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2の供給が遮断されており、また、発光制御部HC5aにおいて半導体チップIC5aのトランジスタP12aのゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaaからトランジスタN3a及びトランジスタN4aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr2aの供給がなされている。また、比較回路CNaaaと接続されたトランジスタN3a及びトランジスタN4aのゲート端子GがトランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子Gと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40iは、これにより、半導体チップIC5に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC5aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC5aの発光制御部HC5aにより行っている。   As described above, in the lighting device 40i, the gate terminal G of the transistor P12 of the semiconductor chip IC5 is electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC5, so that the comparison circuit CNa to the transistor N3 and the transistor The supply of the comparison result signal Vcr2 to the gate terminal G of N4 is interrupted, and the gate terminal G of the transistor P12a of the semiconductor chip IC5a is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC5a. The comparison result signal Vcr2a is supplied from the comparison circuit CNaa to the gate terminals G of the transistors N3a and N4a. In addition, the gate terminals G of the transistors N3a and N4a connected to the comparison circuit CNaaa are electrically connected to the gate terminals G of the transistors N3 and N4 via the wiring W3. Then, the illumination device 40i thereby controls the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC5, and the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC5a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC5a of the semiconductor chip IC5a.

したがって、照明装置40iによれば、半導体チップIC5の比較回路CNaと半導体チップIC5aの比較回路CNaaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the illumination device 40i, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC5 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC5a, light emission between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

なお、半導体チップIC5と半導体チップIC5aとを備えて構成された照明装置における発光制御及び発光停止制御は、以上のように、半導体チップIC5の発光制御部HC5又は半導体チップIC5aの発光制御部HC5aのいずれか一方にて行われる。   As described above, the light emission control and the light emission stop control in the lighting device including the semiconductor chip IC5 and the semiconductor chip IC5a are performed by the light emission control unit HC5 of the semiconductor chip IC5 or the light emission control unit HC5a of the semiconductor chip IC5a. It is done in either one.

[第4の実施形態の第10の変形例]
図23は、本発明の第4の実施形態の第10の変形例にかかる照明装置40jを示した図である。照明装置40jは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC6と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC6aと、を備えている。なお、図23に示した照明装置40jにおいては、図12に示した照明装置30c、図13に示した照明装置40と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Tenth Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 23 is a diagram showing an illumination device 40j according to a tenth modification of the fourth embodiment of the present invention. The illumination device 40j includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC6 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC6a as a second semiconductor chip. In addition, in the illuminating device 40j shown in FIG. 23, about the structure similar to the illuminating device 30c shown in FIG. 12, and the illuminating device 40 shown in FIG. 13, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

半導体チップIC6は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT4と、電極パッドT5と、電極パッドT6と、電極パッドT7と、を備えている。また、半導体チップIC4は、第1の発光制御部としての発光制御部HC4と、調光回路LC11と、第1の調光部としての調光回路LC12と、を備えている。   The semiconductor chip IC6 has an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T4, an electrode pad T5, an electrode pad T6, and an electrode as electrode pads for electrical connection with the outside. And a pad T7. The semiconductor chip IC4 includes a light emission control unit HC4 as a first light emission control unit, a light control circuit LC11, and a light control circuit LC12 as a first light control unit.

発光制御部HC6は、第1の比較回路としての比較回路CNと、第3の制御スイッチとしてのトランジスタP13と、を備えている。   The light emission control unit HC6 includes a comparison circuit CN as a first comparison circuit and a transistor P13 as a third control switch.

比較回路CNは、電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。比較回路CNは、駆動電圧Vkが発光基準電圧VH又は発光基準電圧VHに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Vcr1として出力する。   The comparison circuit CN is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The comparison circuit CN determines whether the drive voltage Vk is larger or smaller than the light emission reference voltage VH or a voltage based on the light emission reference voltage VH, and outputs the result as a comparison result signal Vcr1.

調光回路LC11は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して発光素子群HS1の一端に接続され、電極パッドT6と接続、言い換えれば電極パッドT6を介して発光素子群HS1のノードNd8と接続されている。なお、調光回路LC11は、図12に示した駆動回路KD1を備えている。   The light control circuit LC11 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T2, in other words, light emission via the electrode pad T2. Connected to one end of the element group HS1 and connected to the electrode pad T6, in other words, connected to the node Nd8 of the light emitting element group HS1 via the electrode pad T6. The light control circuit LC11 includes the drive circuit KD1 shown in FIG.

調光回路LC12は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して発光素子群HS2の一端に接続され、電極パッドT7と接続、言い換えれば電極パッドT7を介して発光素子群HS2のノードNd9と接続されている。なお、調光回路LC12は、図12に示した駆動回路KD2を備えている。   The light control circuit LC12 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T3, in other words, light emission via the electrode pad T3. It is connected to one end of the element group HS2, connected to the electrode pad T7, in other words, connected to the node Nd9 of the light emitting element group HS2 via the electrode pad T7. The dimming circuit LC12 includes the drive circuit KD2 shown in FIG.

トランジスタP13は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが比較回路CNと接続され、ドレイン端子Dが調光回路LC11の駆動回路KD1と調光回路12の駆動回路KD2とに接続されている。これにより、比較回路CNと駆動回路KD1、及び比較回路CNと駆動回路KD2とはそれぞれトランジスタP13を介して接続されており、比較回路CNと駆動回路KD1、及び比較回路CNと駆動回路KD2との電気的な接続はトランジスタP13により制御される。また、トランジスタP13は、ゲート端子Gが電極パッドT4と接続、言い換えれば電極パッドT4を介して電源VSSと接続されている。これにより、トランジスタP13は、駆動電圧Vkが上昇して比較回路CNから出力されトランジスタP13のソース端子Sに供給される比較結果信号Vcr1の信号レベルが上昇してトランジスタP13のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。ここで、トランジスタP13のドレイン端子Dと、駆動回路KD1及び駆動回路KD2との接続点をノードNd15と称する。   The transistor P13 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the comparison circuit CN, and the drain terminal D is connected to the drive circuit KD1 of the dimming circuit LC11 and the drive circuit KD2 of the dimming circuit 12. Thereby, the comparison circuit CN and the drive circuit KD1, and the comparison circuit CN and the drive circuit KD2 are connected via the transistor P13, respectively. The comparison circuit CN and the drive circuit KD1, and the comparison circuit CN and the drive circuit KD2 are connected. The electrical connection is controlled by the transistor P13. Further, the transistor P13 has a gate terminal G connected to the electrode pad T4, in other words, connected to the power source VSS via the electrode pad T4. As a result, in the transistor P13, the drive voltage Vk rises, the signal level of the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN and supplied to the source terminal S of the transistor P13 rises, and the gate-source voltage of the transistor P13 increases. Turns on when the voltage exceeds the threshold voltage. Here, a connection point between the drain terminal D of the transistor P13 and the drive circuit KD1 and the drive circuit KD2 is referred to as a node Nd15.

半導体チップIC6aは、半導体チップIC6と同一構成である。ただし、図23の半導体チップIC6aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC6と区別するために半導体チップIC6にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC6aにおいては、半導体チップIC6にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CN」については、図13等に示した「比較回路CNa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaa」としている。   The semiconductor chip IC6a has the same configuration as the semiconductor chip IC6. However, in the semiconductor chip IC6a of FIG. 23, for convenience of explanation, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC6 in order to distinguish it from the semiconductor chip IC6. In the semiconductor chip IC6a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC6 is omitted as appropriate. The “comparison circuit CN” is herein referred to as “comparison circuit CNaa” in order to distinguish it from the “comparison circuit CNa” shown in FIG.

半導体チップIC6aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT4aと、電極パッドT5aと、電極パッドT6aと、電極パッドT7aと、を備えている。また、半導体チップIC6aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC6aと、調光回路LC11aと、第2の調光部としての調光回路LC12aと、を備えている。発光制御部HC6aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaと、トランジスタP13aと、を備えている。   The semiconductor chip IC6a has electrode pads T1a, electrode pads T2a, electrode pads T3a, electrode pads T4a, electrode pads T5a, electrode pads T6a, and electrodes as electrode pads for electrical connection with the outside. And a pad T7a. Further, the semiconductor chip IC6a includes a light emission control unit HC6a as a second light emission control unit, a light control circuit LC11a, and a light control circuit LC12a as a second light control unit. The light emission control unit HC6a includes a comparison circuit CNaa as a second comparison circuit and a transistor P13a.

調光回路LC11aは、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT2aと接続、言い換えれば電極パッドT2aを介して発光素子群HS11の一端に接続され、電極パッドT6aと接続、言い換えれば電極パッドT6aを介して発光素子群HS11のノードNd8aと接続されている。   The light control circuit LC11a has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a, and the other end connected to the electrode pad T2a, in other words, light emission via the electrode pad T2a. Connected to one end of the element group HS11, connected to the electrode pad T6a, in other words, connected to the node Nd8a of the light emitting element group HS11 via the electrode pad T6a.

調光回路LC12aは、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されており、他端が電極パッドT3aと接続、言い換えれば電極パッドT3aを介して発光素子群HS12の一端に接続され、電極パッドT7aと接続、言い換えれば電極パッドT7aを介して発光素子群HS12のノードNd9aと接続されている。   The light control circuit LC12a has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a, and the other end connected to the electrode pad T3a, in other words, light emission via the electrode pad T3a. Connected to one end of the element group HS12 and connected to the electrode pad T7a, in other words, connected to the node Nd9a of the light emitting element group HS12 via the electrode pad T7a.

電極パッドT4aは、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP13aにおいては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP13aは、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4a is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P13a, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P13a is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

電極パッドT5aは、配線W3にて半導体チップIC6の電極パッドT5と接続されている。すなわち、配線W3は、ノードNd15とノードNd15aとを電気的に接続している。これにより、駆動回路KD1及び駆動回路KD2と駆動回路KD1a及び駆動回路KD2aとが電気的に接続されている。   The electrode pad T5a is connected to the electrode pad T5 of the semiconductor chip IC6 by the wiring W3. That is, the wiring W3 electrically connects the node Nd15 and the node Nd15a. As a result, the drive circuit KD1 and the drive circuit KD2 are electrically connected to the drive circuit KD1a and the drive circuit KD2a.

以上のように、照明装置40jにおいては、発光制御部HC6において半導体チップIC6のトランジスタP13のゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNから駆動回路KD1及び駆動回路KD2への比較結果信号Vcr1の供給がなされており、また、発光制御部HC6aにおいて半導体チップIC6aのトランジスタP13aのゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaから駆動回路KD1及び駆動回路KD2への比較結果信号Vcr1aの供給が遮断されている。また、比較回路CNと接続された駆動回路KD1及び駆動回路KD2が駆動回路KD1a及び駆動回路KD2aと配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40jは、これにより、半導体チップIC6に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC6aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC6の発光制御部HC6により行っている。   As described above, in the lighting device 40j, the gate terminal G of the transistor P13 of the semiconductor chip IC6 is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC6, so that the driving circuit KD1 and the driving circuit are connected from the comparison circuit CN. The comparison result signal Vcr1 is supplied to KD2, and the gate terminal G of the transistor P13a of the semiconductor chip IC6a is electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC6a. Supply of the comparison result signal Vcr1a to the drive circuit KD1 and the drive circuit KD2 is cut off. In addition, the drive circuit KD1 and the drive circuit KD2 connected to the comparison circuit CN are electrically connected to the drive circuit KD1a and the drive circuit KD2a via the wiring W3. The illumination device 40j thereby controls the light emission control and light emission stop of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC6, and the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC6a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC6 of the semiconductor chip IC6.

したがって、照明装置40jによれば、半導体チップIC6の比較回路CNと半導体チップIC6aの比較回路CNaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the illuminating device 40j, even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC6 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC6a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

また、照明装置40jによれば、半導体チップIC6aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗よりも、半導体チップIC6が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗の方が大きい場合において、半導体チップIC6に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC6aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC6の発光制御部HC6により行うこととしたので、半導体チップIC6の比較回路CNaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇が、配線W1と配線W2との配線抵抗の差に基づいて半導体チップIC6aの比較回路CNaaaが取得する駆動電圧Vkの電位の上昇に比べて遅延する場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the lighting device 40j, the semiconductor chip IC6 is driven from the power supply circuit VS rather than the wiring resistance of the wiring W2 for the semiconductor chip IC6a to receive the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. When the wiring resistance of the wiring W1 for receiving the power supply of the voltage Vk and the driving current Ik is larger, the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC6, and the connection to the semiconductor chip IC6a Since the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC6 of the semiconductor chip IC6, the increase in the potential of the drive voltage Vk acquired by the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC6 Based on the difference in wiring resistance between W1 and wiring W2, the comparison circuit CNNaa of the semiconductor chip IC6a acquires Even when the delay compared to the rise of the potential of that driving voltage Vk, it is possible to prevent the timing variation in the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第4の実施形態の第11の変形例]
図24は、本発明の第4の実施形態の第11の変形例にかかる照明装置40kを示した図である。照明装置40kは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、半導体チップIC6と、半導体チップIC6aと、を備えている。なお、図24に示した照明装置40kにおいては、図23に示した照明装置40jと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Eleventh Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 24 is a diagram showing a lighting device 40k according to an eleventh modification of the fourth embodiment of the present invention. The illumination device 40k includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC6, and a semiconductor chip IC6a. In addition, in the illuminating device 40k shown in FIG. 24, about the structure similar to the illuminating device 40j shown in FIG. 23, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

照明装置40kは、半導体チップIC6の電極パッドT4の接続先と、半導体チップIC6aの電極パッドT4aの接続先と、が照明装置40jとは実質的に異なる。   The lighting device 40k is substantially different from the lighting device 40j in the connection destination of the electrode pad T4 of the semiconductor chip IC6 and the connection destination of the electrode pad T4a of the semiconductor chip IC6a.

電極パッドT4は、電源供給回路VSに接続されている。これにより、トランジスタP13においては、ゲート端子Gが常時電源供給回路VSに接続された状態となっている。したがって、トランジスタP13は、駆動電圧Vkの電圧レベルが上昇した場合であってもオンすることはなく、常にオフ状態となっている。   The electrode pad T4 is connected to the power supply circuit VS. Thereby, in the transistor P13, the gate terminal G is always connected to the power supply circuit VS. Therefore, the transistor P13 is not turned on even when the voltage level of the drive voltage Vk is increased, and is always in the off state.

また、電極パッドT4aは、電源VSSに接続されている。これにより、トランジスタP13aにおいては、ゲート端子Gが電源VSSと接続されている。したがって、トランジスタP13aは、駆動電圧Vkが上昇してトランジスタP13のゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上となった場合にオンする。   The electrode pad T4a is connected to the power supply VSS. Thereby, in the transistor P13a, the gate terminal G is connected to the power supply VSS. Therefore, the transistor P13a is turned on when the drive voltage Vk rises and the gate-source voltage of the transistor P13 becomes equal to or higher than the threshold voltage.

以上のように、照明装置40kにおいては、発光制御部HC6において半導体チップIC6のトランジスタP13のゲート端子Gが電源供給回路VSと電気的に接続されていることで、比較回路CNから駆動回路KD1及び駆動回路KD2への比較結果信号Vcr1の供給が遮断されており、また、発光制御部HC6aにおいて半導体チップIC6aのトランジスタP13aのゲート端子Gが電源VSSと電気的に接続されていることで、比較回路CNaaから駆動回路KD1a及び駆動回路KD2aのゲート端子Gへの比較結果信号Vcr1aの供給がなされている。また、比較回路CNaaと接続された駆動回路KD1a及び駆動回路KD2aが駆動回路KD1及び駆動回路KD2と配線W3を介して電気的に接続されている。そして、照明装置40kは、これにより、半導体チップIC6に接続された発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御、並びに半導体チップIC6aに接続された発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御、すなわち、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC6aの発光制御部HC6aにより行っている。   As described above, in the lighting device 40k, the gate terminal G of the transistor P13 of the semiconductor chip IC6 is electrically connected to the power supply circuit VS in the light emission control unit HC6, so that the comparison circuit CN to the drive circuit KD1 and The supply of the comparison result signal Vcr1 to the drive circuit KD2 is cut off, and the gate terminal G of the transistor P13a of the semiconductor chip IC6a is electrically connected to the power supply VSS in the light emission control unit HC6a. The comparison result signal Vcr1a is supplied from the CNaa to the gate terminals G of the drive circuit KD1a and the drive circuit KD2a. Further, the drive circuit KD1a and the drive circuit KD2a connected to the comparison circuit CNaa are electrically connected to the drive circuit KD1 and the drive circuit KD2 via the wiring W3. The illumination device 40k thereby controls the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS connected to the semiconductor chip IC6, and the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa connected to the semiconductor chip IC6a. The light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC6a of the semiconductor chip IC6a.

したがって、照明装置40kによれば、半導体チップIC6の比較回路CNと半導体チップIC6aの比較回路CNaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Therefore, according to the illuminating device 40k, even when there is a manufacturing variation between the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC6 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC6a, the light emission of the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. In addition, it is possible to prevent variations in the timing of turning off the lights.

[第5の実施形態]
図25は、本発明の第5の実施形態にかかる照明装置50を示した図である。照明装置50は、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC7と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC7aと、を備えている。なお、図25に示した照明装置50においては、図1に示した照明装置10、図3に示した照明装置10a、及び図13に示した照明装置40と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Fifth Embodiment]
FIG. 25 is a view showing an illumination device 50 according to the fifth embodiment of the present invention. The illumination device 50 includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC7 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC7a as a second semiconductor chip. In the lighting device 50 shown in FIG. 25, the same reference numerals are used for the same configurations as those of the lighting device 10 shown in FIG. 1, the lighting device 10a shown in FIG. 3, and the lighting device 40 shown in FIG. A description thereof will be omitted as appropriate.

発光素子群HSBは、発光素子群HSと、発光素子群HSaと、を備えている。発光素子群HSは、発光素子群HS1と、第1の発光素子群としての発光素子群HS2と、を備えている。発光素子群HSaは、発光素子群HS11と、第2の発光素子群としての発光素子群HS12と、を備えている。   The light emitting element group HSB includes a light emitting element group HS and a light emitting element group HSa. The light emitting element group HS includes a light emitting element group HS1 and a light emitting element group HS2 as a first light emitting element group. The light emitting element group HSa includes a light emitting element group HS11 and a light emitting element group HS12 as a second light emitting element group.

半導体チップIC7は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT8と、電極パッドT9と、を備えている。また、半導体チップIC7は、第1の発光制御部としての発光制御部HC7と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。   The semiconductor chip IC7 includes an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T8, and an electrode pad T9 as electrode pads for electrical connection with the outside. Further, the semiconductor chip IC7 includes a light emission control unit HC7 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit.

電極パッドT1は、第1の電源配線としての配線W1を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W1は、電源供給回路VSと半導体チップIC7とに接続されている。電極パッドT2は、発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。電極パッドT3は、発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。   The electrode pad T1 is connected to the power supply circuit VS via a wiring W1 as a first power supply wiring. In other words, the wiring W1 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC7. The electrode pad T2 is connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1. The electrode pad T3 is connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2.

発光制御部HC7は、第1の比較回路としての比較回路CNと、第1検出部としての検出部K1と、第1の制御スイッチとしてのトランジスタP1と、を備えている。   The light emission control unit HC7 includes a comparison circuit CN as a first comparison circuit, a detection unit K1 as a first detection unit, and a transistor P1 as a first control switch.

比較回路CNは、電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。比較回路CNは、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Vcr1として出力する。なお、比較回路CNの出力端子は電極パッドT8に接続されている。   The comparison circuit CN is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The comparison circuit CN determines whether the drive voltage Vk is larger or smaller than the light emission reference voltage VHa or a voltage based on the light emission reference voltage VHa, and outputs the result as a comparison result signal Vcr1. The output terminal of the comparison circuit CN is connected to the electrode pad T8.

検出部K1は、例えば第1入力端子と第2入力端子とを備えたOR回路である。検出部K1の第1入力端子には、比較回路CNの出力端子が接続されており、比較結果信号Vcr1が入力される。また、検出部K1の第1入力端子は電極パッドT8に接続されており、第2入力端子は電極パッドT9に接続されている。検出部K1は、第1入力端子に入力される信号と第2入力端子に入力される信号との論理和を出力信号Ko1として出力する。ここで、検出部K1の第1入力端子と比較回路CNとの接続点をノードNd16と称する。なお、検出部K1は、結果として第1入力端子に入力される信号と第2入力端子に入力される信号との論理和を出力信号Ko1として出力するものであれば、OR回路に限られず、種々論理回路を適用することができる。   The detection unit K1 is, for example, an OR circuit including a first input terminal and a second input terminal. The output terminal of the comparison circuit CN is connected to the first input terminal of the detection unit K1, and the comparison result signal Vcr1 is input. The first input terminal of the detection unit K1 is connected to the electrode pad T8, and the second input terminal is connected to the electrode pad T9. The detection unit K1 outputs a logical sum of the signal input to the first input terminal and the signal input to the second input terminal as the output signal Ko1. Here, a connection point between the first input terminal of the detection unit K1 and the comparison circuit CN is referred to as a node Nd16. The detection unit K1 is not limited to an OR circuit as long as it outputs a logical sum of a signal input to the first input terminal and a signal input to the second input terminal as an output signal Ko1, as a result. Various logic circuits can be applied.

トランジスタP1は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続され、ゲート端子Gが検出部K1の出力端子に接続されている。トランジスタP1は、検出部K1から供給される出力信号Ko1によってオンオフ制御がなされる。   The transistor P1 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the gate terminal G is connected to the output terminal of the detection unit K1. . The transistor P1 is on / off controlled by an output signal Ko1 supplied from the detection unit K1.

調光回路LC1は、一端が発光制御部HC7のトランジスタP1のドレイン端子Dと接続されている。また、調光回路LC1は、他端が電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。   One end of the light control circuit LC1 is connected to the drain terminal D of the transistor P1 of the light emission control unit HC7. The other end of the dimming circuit LC1 is connected to the electrode pad T2, in other words, connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1 via the electrode pad T2.

調光回路LC2は、一端が発光制御部HC7のトランジスタP1のドレイン端子Dと接続されている。また、調光回路LC2は、他端が電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して発光素子群HS2のノードNh2に接続されている。   One end of the light control circuit LC2 is connected to the drain terminal D of the transistor P1 of the light emission control unit HC7. The other end of the light control circuit LC2 is connected to the electrode pad T3, in other words, connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2 via the electrode pad T3.

半導体チップIC7aは、半導体チップIC7と同一構成である。ただし、図25の半導体チップIC7aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC7と区別するために半導体チップIC7にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC7aにおいては、半導体チップIC7にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CN」については、図5等に示した「比較回路CNa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaa」としている。   The semiconductor chip IC7a has the same configuration as the semiconductor chip IC7. However, in the semiconductor chip IC7a of FIG. 25, for convenience of explanation, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC7 in order to distinguish it from the semiconductor chip IC7. In the semiconductor chip IC7a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC7 is omitted as appropriate. The “comparison circuit CN” is herein referred to as “comparison circuit CNaa” in order to distinguish it from the “comparison circuit CNa” shown in FIG.

半導体チップIC7aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT8aと、電極パッドT9aと、を備えている。また、半導体チップIC7aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC7aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。   The semiconductor chip IC7a includes an electrode pad T1a, an electrode pad T2a, an electrode pad T3a, an electrode pad T8a, and an electrode pad T9a as electrode pads for electrical connection with the outside. Further, the semiconductor chip IC 7a includes a light emission control unit HC7a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit.

電極パッドT1aは、第2の電源配線としての配線W2を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W2は、電源供給回路VSと半導体チップIC7aとに接続されている。電極パッドT2aは、発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。電極パッドT3aは、発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。なお、配線W2の配線抵抗は、配線W1の配線抵抗とは異なっていても良い。   The electrode pad T1a is connected to the power supply circuit VS via a wiring W2 as a second power supply wiring. In other words, the wiring W2 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC7a. The electrode pad T2a is connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11. The electrode pad T3a is connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12. Note that the wiring resistance of the wiring W2 may be different from the wiring resistance of the wiring W1.

発光制御部HC7aは、第2の比較回路としての比較回路CNaと、第2検出部としての検出部K1aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタP1aと、を備えている。   The light emission control unit HC7a includes a comparison circuit CNa as a second comparison circuit, a detection unit K1a as a second detection unit, and a transistor P1a as a second control switch.

調光回路LC1aは、一端が発光制御部HC7aのトランジスタP1aのドレイン端子Dと接続されている。また、調光回路LC1aは、他端が電極パッドT2aと接続、言い換えれば電極パッドT2aを介して発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。   One end of the light control circuit LC1a is connected to the drain terminal D of the transistor P1a of the light emission control unit HC7a. The other end of the light control circuit LC1a is connected to the electrode pad T2a, in other words, connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11 via the electrode pad T2a.

調光回路LC2aは、一端が発光制御部HC7aのトランジスタP1aのドレイン端子Dと接続されている。また、調光回路LC2aは、他端が電極パッドT3aと接続、言い換えれば電極パッドT3aを介して発光素子群HS12のノードNh12に接続されている。   One end of the dimming circuit LC2a is connected to the drain terminal D of the transistor P1a of the light emission control unit HC7a. The other end of the light control circuit LC2a is connected to the electrode pad T3a, in other words, connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12 via the electrode pad T3a.

電極パッドT8aは、第2の接続配線としての配線W4にて半導体チップIC7の電極パッドT9と接続されている。すなわち、配線W4は、ノードNd16aと検出部K1の第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T8a is connected to the electrode pad T9 of the semiconductor chip IC7 through a wiring W4 as a second connection wiring. That is, the wiring W4 electrically connects the node Nd16a and the second input terminal of the detection unit K1.

電極パッドT9aは、第3の接続配線としての配線W5にて半導体チップIC7の電極パッドT8と接続されている。すなわち、配線W5は、ノードNd16と検出部K1aの第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T9a is connected to the electrode pad T8 of the semiconductor chip IC7 by a wiring W5 as a third connection wiring. That is, the wiring W5 electrically connects the node Nd16 and the second input terminal of the detection unit K1a.

ここで、半導体チップIC7の検出部K1は、第1入力端子に比較回路CNから出力された比較結果信号Vcr1が入力され、第2入力端子に半導体チップIC7aの比較回路CNaaから出力された比較結果信号Vcr1aが入力され、これらの論理和を第1の出力信号としての出力信号Ko1としてトランジスタP1のゲート端子Gに供給することでトランジスタP1のオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC7と半導体チップIC7aの発光制御部HC7aとにより行われている。   Here, in the detection unit K1 of the semiconductor chip IC7, the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN is input to the first input terminal, and the comparison result output from the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC7a is input to the second input terminal. The signal Vcr1a is input, and these logical sums are supplied to the gate terminal G of the transistor P1 as an output signal Ko1 as a first output signal, thereby controlling the on / off of the transistor P1. That is, light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS are performed by the light emission control unit HC7 and the light emission control unit HC7a of the semiconductor chip IC7a.

また、半導体チップIC7aの検出部K1aは、第1入力端子に半導体チップIC7の比較回路CNから出力された比較結果信号Vcr1が入力され、第2入力端子に比較回路CNaaから出力された比較結果信号Vcr1aが入力され、これらの論理和を第2の出力信号としての出力信号Ko1aとしてトランジスタP1aのゲート端子Gに供給することでトランジスタP1aのオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC7aと半導体チップIC7の発光制御部HC7とにより行われている。   In the detection unit K1a of the semiconductor chip IC7a, the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC7 is input to the first input terminal, and the comparison result signal output from the comparison circuit CNaa to the second input terminal. Vcr1a is input, and these logical sums are supplied to the gate terminal G of the transistor P1a as the output signal Ko1a as the second output signal, thereby controlling the on / off of the transistor P1a. That is, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC7a and the light emission control unit HC7 of the semiconductor chip IC7.

ここで、トランジスタP1のオンオフは、検出部K1の出力信号Ko1の信号レベル、及び検出部K1aの出力信号Ko1aの信号レベルにより決まる。そして、検出部K1の出力信号Ko1の信号レベル、及び検出部K1aの出力信号Ko1aの信号レベルは、比較回路CNが出力する比較結果信号Vcr1のレベルと、比較回路CNaaが出力する比較結果信号Vcr1aのレベルと、により決定される。   Here, ON / OFF of the transistor P1 is determined by the signal level of the output signal Ko1 of the detection unit K1 and the signal level of the output signal Ko1a of the detection unit K1a. The signal level of the output signal Ko1 of the detection unit K1 and the signal level of the output signal Ko1a of the detection unit K1a are the level of the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN and the comparison result signal Vcr1a output from the comparison circuit CNaa. And the level of

比較回路CN及び比較回路CNaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Vcr1及び比較結果信号Vcr1aはハイレベルとなる。このため、検出部K1及び検出部K1aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ko1及び出力信号Ko1aはハイレベルとなる。この場合、トランジスタP1及びトランジスタP1aのゲート端子Gにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタP1及びトランジスタP1aはいずれもオフとなる。   When both the comparison circuit CN and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VHa or a voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr1 and the comparison result signal Vcr1a are at a high level. Become. Therefore, a high level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K1 and the detection unit K1a, and the output signal Ko1 and the output signal Ko1a are at the high level. In this case, since a high-level signal is input to the gate terminals G of the transistors P1 and P1a, both the transistors P1 and P1a are turned off.

比較回路CNが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路CNaaが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr1はハイレベルとなり、比較結果信号Vcr1aはローレベルとなる。このとき、検出部K1の第2入力端子及び検出部K1aの第1入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されるが、検出部K1の第1入力端子及び検出部K1aの第2入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるため、出力信号Ko1及び出力信号Ko1aはハイレベルとなる。この場合、トランジスタP1及びトランジスタP1aのゲート端子Gにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタP1及びトランジスタP1aはいずれもオフとなる。   The comparison circuit CN determines that the drive voltage Vk is smaller than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa, and the comparison circuit CNaa determines that the drive voltage Vk is larger than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa. Is determined, the comparison result signal Vcr1 is at a high level, and the comparison result signal Vcr1a is at a low level. At this time, a low level signal is input to both the second input terminal of the detection unit K1 and the first input terminal of the detection unit K1a, but the first input terminal of the detection unit K1 and the second input of the detection unit K1a. Since a high level signal is input to both terminals, the output signal Ko1 and the output signal Ko1a are at a high level. In this case, since a high-level signal is input to the gate terminals G of the transistors P1 and P1a, both the transistors P1 and P1a are turned off.

比較回路CN及び比較回路CNaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr1及び比較結果信号Vcr1aはローレベルとなる。このため、検出部K1及び検出部K1aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ko1及び出力信号Ko1aはローレベルとなる。この場合、トランジスタP1及びトランジスタP1aのゲート端子Gにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタP1及びトランジスタP1aはいずれもオンとなる。   When both the comparison circuit CN and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VHa or a voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr1 and the comparison result signal Vcr1a are at a low level. Become. Therefore, a low level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K1 and the detection unit K1a, and the output signal Ko1 and the output signal Ko1a become low level. In this case, since a low level signal is input to the gate terminals G of the transistors P1 and P1a, both the transistors P1 and P1a are turned on.

以上のように、照明装置50によれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC7の発光制御部HC7と半導体チップIC7aの発光制御部HC7aとにより行うようにしたので、半導体チップIC7の比較回路CNと半導体チップIC7aの比較回路CNaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the illumination device 50, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC7 of the semiconductor chip IC7 and the light emission control unit HC7a of the semiconductor chip IC7a. Even when there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC7 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC7a, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa. be able to.

また、照明装置50によれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC7の発光制御部HC7と半導体チップIC7aの発光制御部HC7aとにより行うようにしたので、半導体チップIC7aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗と、半導体チップIC7が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the lighting device 50, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC7 of the semiconductor chip IC7 and the light emission control unit HC7a of the semiconductor chip IC7a. Has a wiring resistance of the wiring W2 for receiving the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS, and the semiconductor chip IC7 for receiving the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. Even when the wiring resistance of the wiring W1 is different, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第5の実施形態の第1の変形例]
図26は、本発明の第5の実施形態の第1の変形例にかかる照明装置50aを示した図である。照明装置50aは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC8と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC8aと、を備えている。なお、図26に示した照明装置50aにおいては、図4に示した照明装置10b、及び図15に示した照明装置40bと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[First Modification of Fifth Embodiment]
FIG. 26 is a diagram showing an illumination device 50a according to a first modification of the fifth embodiment of the present invention. The illumination device 50a includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC8 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC8a as a second semiconductor chip. In addition, in the illuminating device 50a shown in FIG. 26, about the structure similar to the illuminating device 10b shown in FIG. 4, and the illuminating device 40b shown in FIG. 15, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably. .

発光素子群HSBは、発光素子群HSと、発光素子群HSaと、を備えている。発光素子群HSは、発光素子群HS1と、第1の発光素子群としての発光素子群HS2と、を備えている。発光素子群HSaは、発光素子群HS11と、第2の発光素子群としての発光素子群HS12と、を備えている。   The light emitting element group HSB includes a light emitting element group HS and a light emitting element group HSa. The light emitting element group HS includes a light emitting element group HS1 and a light emitting element group HS2 as a first light emitting element group. The light emitting element group HSa includes a light emitting element group HS11 and a light emitting element group HS12 as a second light emitting element group.

半導体チップIC8は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT8と、電極パッドT9と、を備えている。また、半導体チップIC8は、第1の発光制御部としての発光制御部HC7と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。   The semiconductor chip IC8 includes an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T8, and an electrode pad T9 as electrode pads for electrical connection with the outside. Further, the semiconductor chip IC8 includes a light emission control unit HC7 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit.

電極パッドT1は、第1の電源配線としての配線W1を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W1は、電源供給回路VSと半導体チップIC8とに接続されている。電極パッドT2は、発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。電極パッドT3は、発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。   The electrode pad T1 is connected to the power supply circuit VS via a wiring W1 as a first power supply wiring. In other words, the wiring W1 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC8. The electrode pad T2 is connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1. The electrode pad T3 is connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2.

発光制御部HC8は、第1の比較回路としての比較回路CNと、第1検出部としての検出部K1と、トランジスタP2と、第1の制御スイッチとしてのトランジスタP3と、を備えている。   The light emission control unit HC8 includes a comparison circuit CN as a first comparison circuit, a detection unit K1 as a first detection unit, a transistor P2, and a transistor P3 as a first control switch.

調光回路LC1は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。   The dimming circuit LC1 is connected at one end to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1.

調光回路LC2は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。   The dimming circuit LC2 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1.

トランジスタP2は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC1の他端と接続されており、ドレイン端子Dが電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して発光素子群HS1のノードNh1に接続されている。また、トランジスタP2は、ゲート端子Gが検出部K1の出力端子に接続されている。トランジスタP2は、検出部K1から供給される出力信号Ko1によってオンオフ制御がなされる。   The transistor P2 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the other end of the dimming circuit LC1, and the drain terminal D is connected to the electrode pad T2, in other words, the node of the light emitting element group HS1 via the electrode pad T2. It is connected to Nh1. Further, the transistor P2 has a gate terminal G connected to the output terminal of the detection unit K1. The transistor P2 is ON / OFF controlled by the output signal Ko1 supplied from the detection unit K1.

トランジスタP3は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC2の他端と接続されており、ドレイン端子Dが電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して発光素子群HS2のノードNh2に接続されている。また、トランジスタP3は、ゲート端子Gが検出部K1の出力端子に接続されている。トランジスタP3は、検出部K1から供給される出力信号Ko1によってオンオフ制御がなされる。   The transistor P3 is a PMOS transistor, the source terminal S is connected to the other end of the dimming circuit LC2, and the drain terminal D is connected to the electrode pad T3, in other words, the node of the light emitting element group HS2 via the electrode pad T3. Connected to Nh2. Further, the gate terminal G of the transistor P3 is connected to the output terminal of the detection unit K1. The transistor P3 is ON / OFF controlled by the output signal Ko1 supplied from the detection unit K1.

半導体チップIC8aは、半導体チップIC8と同一構成である。ただし、図26の半導体チップIC8aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC8と区別するために半導体チップIC8にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC8aにおいては、半導体チップIC8にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CN」については、図5等に示した「比較回路CNa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaa」としている。   The semiconductor chip IC8a has the same configuration as the semiconductor chip IC8. However, in the semiconductor chip IC8a of FIG. 26, for convenience of explanation, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC8 in order to distinguish it from the semiconductor chip IC8. In the semiconductor chip IC8a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC8 is omitted as appropriate. The “comparison circuit CN” is herein referred to as “comparison circuit CNaa” in order to distinguish it from the “comparison circuit CNa” shown in FIG.

半導体チップIC8aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT8aと、電極パッドT9aと、を備えている。また、半導体チップIC8aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC8aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。発光制御部HC8aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaと、第2検出部としての検出部K1aと、トランジスタP2aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタP3aと、を備えている。   The semiconductor chip IC8a includes an electrode pad T1a, an electrode pad T2a, an electrode pad T3a, an electrode pad T8a, and an electrode pad T9a as electrode pads for electrical connection with the outside. The semiconductor chip IC8a includes a light emission control unit HC8a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit. The light emission control unit HC8a includes a comparison circuit CNaa as a second comparison circuit, a detection unit K1a as a second detection unit, a transistor P2a, and a transistor P3a as a second control switch.

電極パッドT1aは、第2の電源配線としての配線W2を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W2は、電源供給回路VSと半導体チップIC8aとに接続されている。電極パッドT2aは、発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。電極パッドT3aは、発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。なお、配線W2の配線抵抗は、配線W1の配線抵抗とは異なっていても良い。   The electrode pad T1a is connected to the power supply circuit VS via a wiring W2 as a second power supply wiring. In other words, the wiring W2 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC8a. The electrode pad T2a is connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11. The electrode pad T3a is connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12. Note that the wiring resistance of the wiring W2 may be different from the wiring resistance of the wiring W1.

調光回路LC1aは、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されている。   The light control circuit LC1a has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a.

調光回路LC2aは、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続されている。   The light control circuit LC2a has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a.

電極パッドT8aは、第2の接続配線としての配線W4にて半導体チップIC8の電極パッドT9と接続されている。すなわち、配線W4は、ノードNd16aと検出部K1の第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T8a is connected to the electrode pad T9 of the semiconductor chip IC8 by a wiring W4 as a second connection wiring. That is, the wiring W4 electrically connects the node Nd16a and the second input terminal of the detection unit K1.

電極パッドT9aは、第3の接続配線としての配線W5にて半導体チップIC8の電極パッドT8と接続されている。すなわち、配線W5は、ノードNd16と検出部K1aの第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T9a is connected to the electrode pad T8 of the semiconductor chip IC8 by a wiring W5 as a third connection wiring. That is, the wiring W5 electrically connects the node Nd16 and the second input terminal of the detection unit K1a.

ここで、半導体チップIC8の検出部K1は、第1入力端子に比較回路CNから出力された比較結果信号Vcr1が入力され、第2入力端子に半導体チップIC8aの比較回路CNaaから出力された比較結果信号Vcr1aが入力され、これらの論理和を第1の出力信号としての出力信号Ko1としてトランジスタP2及びトランジスタP3のゲート端子Gに供給することでトランジスタP2及びトランジスタP3のオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC8と半導体チップIC8aの発光制御部HC8aとにより行われている。   Here, in the detection unit K1 of the semiconductor chip IC8, the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN is input to the first input terminal, and the comparison result output from the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC8a is input to the second input terminal. The signal Vcr1a is input, and these logical sums are supplied to the gate terminals G of the transistors P2 and P3 as an output signal Ko1 as a first output signal, thereby controlling the on / off of the transistors P2 and P3. That is, light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS are performed by the light emission control unit HC8 and the light emission control unit HC8a of the semiconductor chip IC8a.

また、半導体チップIC8aの検出部K1aは、第1入力端子に半導体チップIC8の比較回路CNから出力された比較結果信号Vcr1が入力され、第2入力端子に比較回路CNaaから出力された比較結果信号Vcr1aが入力され、これらの論理和を第2の出力信号としての出力信号Ko1aとしてトランジスタP2a及びトランジスタP3aのゲート端子Gに供給することでトランジスタP2a及びトランジスタP3aのオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC8aと半導体チップIC8の発光制御部HC8とにより行われている。   The detection unit K1a of the semiconductor chip IC8a receives the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC8 at the first input terminal, and the comparison result signal output from the comparison circuit CNaa at the second input terminal. Vcr1a is input, and these logical sums are supplied as the output signal Ko1a as the second output signal to the gate terminals G of the transistors P2a and P3a, thereby controlling on / off of the transistors P2a and P3a. That is, the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC8a and the light emission control unit HC8 of the semiconductor chip IC8.

ここで、トランジスタP2及びトランジスタP3のオンオフは、検出部K1の出力信号Ko1の信号レベル、及び検出部K1aの出力信号Ko1aの信号レベルにより決まる。そして、検出部K1の出力信号Ko1の信号レベル、及び検出部K1aの出力信号Ko1aの信号レベルは、比較回路CNが出力する比較結果信号Vcr1のレベルと、比較回路CNaaが出力する比較結果信号Vcr1aのレベルと、により決定される。   Here, ON / OFF of the transistor P2 and the transistor P3 is determined by the signal level of the output signal Ko1 of the detection unit K1 and the signal level of the output signal Ko1a of the detection unit K1a. The signal level of the output signal Ko1 of the detection unit K1 and the signal level of the output signal Ko1a of the detection unit K1a are the level of the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN and the comparison result signal Vcr1a output from the comparison circuit CNaa. And the level of

比較回路CN及び比較回路CNaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Vcr1及び比較結果信号Vcr1aはハイレベルとなる。このため、検出部K1及び検出部K1aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ko1及び出力信号Ko1aはハイレベルとなる。この場合、トランジスタP2、トランジスタP3、トランジスタP2a及びトランジスタP3aのゲート端子Gにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタP2、トランジスタP3、トランジスタP2a及びトランジスタP3aはいずれもオフとなる。   When both the comparison circuit CN and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VHa or a voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr1 and the comparison result signal Vcr1a are at a high level. Become. Therefore, a high level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K1 and the detection unit K1a, and the output signal Ko1 and the output signal Ko1a are at the high level. In this case, since a high level signal is input to the gate terminals G of the transistors P2, P3, P2a, and P3a, the transistors P2, P3, P2a, and P3a are all turned off.

比較回路CNが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路CNaaが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr1はハイレベルとなり、比較結果信号Vcr1aはローレベルとなる。このとき、検出部K1の第2入力端子及び検出部K1aの第1入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されるが、検出部K1の第1入力端子及び検出部K1aの第2入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるため、出力信号Ko1及び出力信号Ko1aはハイレベルとなる。この場合、トランジスタP2、トランジスタP3、トランジスタP2a及びトランジスタP3aのゲート端子Gにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタP2、トランジスタP3、トランジスタP2a及びトランジスタP3aはいずれもオフとなる。   The comparison circuit CN determines that the drive voltage Vk is smaller than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa, and the comparison circuit CNaa determines that the drive voltage Vk is larger than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa. Is determined, the comparison result signal Vcr1 is at a high level, and the comparison result signal Vcr1a is at a low level. At this time, a low level signal is input to both the second input terminal of the detection unit K1 and the first input terminal of the detection unit K1a, but the first input terminal of the detection unit K1 and the second input of the detection unit K1a. Since a high level signal is input to both terminals, the output signal Ko1 and the output signal Ko1a are at a high level. In this case, since a high level signal is input to the gate terminals G of the transistors P2, P3, P2a, and P3a, the transistors P2, P3, P2a, and P3a are all turned off.

比較回路CN及び比較回路CNaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr1及び比較結果信号Vcr1aはローレベルとなる。このため、検出部K1及び検出部K1aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ko1及び出力信号Ko1aはローレベルとなる。この場合、トランジスタP2、トランジスタP3、トランジスタP2a及びトランジスタP3aのゲート端子Gにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタP2、トランジスタP3、トランジスタP2a及びトランジスタP3aはいずれもオンとなる。   When both the comparison circuit CN and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VHa or a voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr1 and the comparison result signal Vcr1a are at a low level. Become. Therefore, a low level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K1 and the detection unit K1a, and the output signal Ko1 and the output signal Ko1a become low level. In this case, since a low level signal is input to the gate terminals G of the transistors P2, P3, P2a, and P3a, the transistors P2, P3, P2a, and P3a are all turned on.

以上のように、照明装置50aによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC8の発光制御部HC8と半導体チップIC8aの発光制御部HC8aとにより行うようにしたので、半導体チップIC8の比較回路CNと半導体チップIC8aの比較回路CNaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the illumination device 50a, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC8 of the semiconductor chip IC8 and the light emission control unit HC8a of the semiconductor chip IC8a. Even when there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC8 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC8a, the variation in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa is prevented. be able to.

また、照明装置50aによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC8の発光制御部HC8と半導体チップIC8aの発光制御部HC8aとにより行うようにしたので、半導体チップIC8aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗と、半導体チップIC8が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the illumination device 50a, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC8 of the semiconductor chip IC8 and the light emission control unit HC8a of the semiconductor chip IC8a. For the wiring W2 for receiving the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS, and for the semiconductor chip IC8 to receive the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. Even when the wiring resistance of the wiring W1 is different, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第5の実施形態の第2の変形例]
図27は、本発明の第5の実施形態の第2の変形例にかかる照明装置50bを示した図である。照明装置50bは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC9と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC9aと、を備えている。なお、図27に示した照明装置50bにおいては、図7に示した照明装置20a、及び図25に示した照明装置50と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Second Modification of Fifth Embodiment]
FIG. 27 is a diagram showing an illumination device 50b according to a second modification of the fifth embodiment of the present invention. The illumination device 50b includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC9 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC9a as a second semiconductor chip. In addition, in the illuminating device 50b shown in FIG. 27, about the structure similar to the illuminating device 20a shown in FIG. 7, and the illuminating device 50 shown in FIG. 25, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably. .

発光素子群HSBは、発光素子群HSと、発光素子群HSaと、を備えている。発光素子群HSは、発光素子群HS1と、第1の発光素子群としての発光素子群HS2と、を備えている。発光素子群HSaは、発光素子群HS11と、第2の発光素子群としての発光素子群HS12と、を備えている。   The light emitting element group HSB includes a light emitting element group HS and a light emitting element group HSa. The light emitting element group HS includes a light emitting element group HS1 and a light emitting element group HS2 as a first light emitting element group. The light emitting element group HSa includes a light emitting element group HS11 and a light emitting element group HS12 as a second light emitting element group.

半導体チップIC9は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT6と、電極パッドT7と、電極パッドT8と、電極パッドT9と、を備えている。また、半導体チップIC9は、第1の発光制御部としての発光制御部HC9と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。   The semiconductor chip IC9 has an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T6, an electrode pad T7, an electrode pad T8, and an electrode as electrode pads for electrical connection with the outside. And a pad T9. Further, the semiconductor chip IC9 includes a light emission control unit HC9 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit.

電極パッドT1は、第1の電源配線としての配線W1を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W1は、電源供給回路VSと半導体チップIC9とに接続されている。電極パッドT2は、発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。電極パッドT3は、発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。電極パッドT6は、発光素子群HS1のノードNh1a一端と接続されている。電極パッドT7は、発光素子群HS2のノードNh2aと接続されている。   The electrode pad T1 is connected to the power supply circuit VS via a wiring W1 as a first power supply wiring. In other words, the wiring W1 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC9. The electrode pad T2 is connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1. The electrode pad T3 is connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2. The electrode pad T6 is connected to one end of the node Nh1a of the light emitting element group HS1. The electrode pad T7 is connected to the node Nh2a of the light emitting element group HS2.

発光制御部HC9は、第1の比較回路としての比較回路CNaと、第1検出部としての検出部K2と、トランジスタN1と、第1の制御スイッチとしてのトランジスタN2と、を備えている。   The light emission control unit HC9 includes a comparison circuit CNa as a first comparison circuit, a detection unit K2 as a first detection unit, a transistor N1, and a transistor N2 as a first control switch.

比較回路CNaは、電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続されている。比較回路CNaは、駆動電圧Vkが発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいか小さいかを判定して結果を比較結果信号Vcr2として出力する。なお、比較回路CNaの出力端子は電極パッドT8に接続されている。   The comparison circuit CNa is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The comparison circuit CNa determines whether the drive voltage Vk is larger or smaller than the light emission reference voltage VHa or a voltage based on the light emission reference voltage VHa, and outputs the result as a comparison result signal Vcr2. The output terminal of the comparison circuit CNa is connected to the electrode pad T8.

検出部K2は、例えば第1入力端子と第2入力端子とを備えたAND回路である。検出部K2の第1入力端子には、比較回路CNaの出力端子が接続されており、比較結果信号Vcr2が入力される。また、検出部K2の第1入力端子は電極パッドT8に接続されており、第2入力端子は電極パッドT9に接続されている。検出部K2は、第1入力端子に入力される信号と第2入力端子に入力される信号との論理積を出力信号Ko2として出力する。ここで、検出部K2の第1入力端子と比較回路CNaとの接続点をノードNd17と称する。なお、検出部K2は、結果として第1入力端子に入力される信号と第2入力端子に入力される信号との論理積を出力信号Ko2として出力するものであれば、AND回路に限られず、種々論理回路を適用することができる。   The detection unit K2 is an AND circuit including a first input terminal and a second input terminal, for example. The output terminal of the comparison circuit CNa is connected to the first input terminal of the detection unit K2, and the comparison result signal Vcr2 is input. The first input terminal of the detection unit K2 is connected to the electrode pad T8, and the second input terminal is connected to the electrode pad T9. The detection unit K2 outputs a logical product of the signal input to the first input terminal and the signal input to the second input terminal as the output signal Ko2. Here, a connection point between the first input terminal of the detection unit K2 and the comparison circuit CNa is referred to as a node Nd17. The detection unit K2 is not limited to an AND circuit as long as it outputs a logical product of a signal input to the first input terminal and a signal input to the second input terminal as an output signal Ko2, as a result. Various logic circuits can be applied.

トランジスタN1は、NMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電源VSSと接続され、ドレイン端子Dが電極パッドT6と接続、言い換えれば電極パッドT6を介して発光素子群HS1の一端に接続され、ゲート端子Gが検出部K1の出力端子に接続されている。トランジスタN1は、検出部K2から供給される出力信号Ko2によってオンオフ制御がなされる。   The transistor N1 is an NMOS transistor, the source terminal S is connected to the power supply VSS, the drain terminal D is connected to the electrode pad T6, in other words, connected to one end of the light emitting element group HS1 via the electrode pad T6, and the gate terminal G Is connected to the output terminal of the detector K1. The transistor N1 is on / off controlled by the output signal Ko2 supplied from the detection unit K2.

調光回路LC1は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC1は、他端が電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。   One end of the dimming circuit LC1 is connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The other end of the dimming circuit LC1 is connected to the electrode pad T2, in other words, connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1 via the electrode pad T2.

調光回路LC2は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC2は、他端が電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。   The dimming circuit LC2 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The other end of the light control circuit LC2 is connected to the electrode pad T3, in other words, connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2 via the electrode pad T3.

半導体チップIC9aは、半導体チップIC9と同一構成である。ただし、図27の半導体チップIC9aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC9と区別するために半導体チップIC9にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC9aにおいては、半導体チップIC9にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CNa」については、図25等に示した「比較回路CNaa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaaa」としている。   The semiconductor chip IC9a has the same configuration as the semiconductor chip IC9. However, in the semiconductor chip IC9a of FIG. 27, for the sake of convenience of explanation, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC9 in order to distinguish it from the semiconductor chip IC9. In the semiconductor chip IC9a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC9 is omitted as appropriate. Note that the “comparison circuit CNaaa” is used here to distinguish it from the “comparison circuit CNaa” shown in FIG.

半導体チップIC9aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT6aと、電極パッドT7aと、電極パッドT8aと、電極パッドT9aと、を備えている。また、半導体チップIC9aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC9aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。発光制御部HC9aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaaと、第2検出部としての検出部K2aと、トランジスタN1aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタN2aと、を備えている。   The semiconductor chip IC9a has an electrode pad T1a, an electrode pad T2a, an electrode pad T3a, an electrode pad T6a, an electrode pad T7a, an electrode pad T8a, and an electrode as electrode pads for electrical connection with the outside. And a pad T9a. In addition, the semiconductor chip IC9a includes a light emission control unit HC9a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit. The light emission control unit HC9a includes a comparison circuit CNaaa as a second comparison circuit, a detection unit K2a as a second detection unit, a transistor N1a, and a transistor N2a as a second control switch.

電極パッドT1aは、第2の電源配線としての配線W2を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W2は、電源供給回路VSと半導体チップIC9aとに接続されている。電極パッドT2aは、発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。電極パッドT3aは、発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。電極パッドT6aは、発光素子群HS11の一端と接続されている。電極パッドT7aは、発光素子群HS12の一端と接続されている。なお、配線W2の配線抵抗は、配線W1の配線抵抗とは異なっていても良い。   The electrode pad T1a is connected to the power supply circuit VS via a wiring W2 as a second power supply wiring. In other words, the wiring W2 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC9a. The electrode pad T2a is connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11. The electrode pad T3a is connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12. The electrode pad T6a is connected to one end of the light emitting element group HS11. The electrode pad T7a is connected to one end of the light emitting element group HS12. Note that the wiring resistance of the wiring W2 may be different from the wiring resistance of the wiring W1.

発光制御部HC9aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaaと、第2検出部としての検出部K2aと、トランジスタN1aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタN2aと、を備えている。   The light emission control unit HC9a includes a comparison circuit CNaaa as a second comparison circuit, a detection unit K2a as a second detection unit, a transistor N1a, and a transistor N2a as a second control switch.

調光回路LC11は、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC11は、他端が電極パッドT2aと接続、言い換えれば電極パッドT2aを介して発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。   The dimming circuit LC11 has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a. The other end of the light control circuit LC11 is connected to the electrode pad T2a, in other words, connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11 via the electrode pad T2a.

調光回路LC12は、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC12は、他端が電極パッドT3aと接続、言い換えれば電極パッドT3aを介して発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。   The dimming circuit LC12 has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a. The other end of the light control circuit LC12 is connected to the electrode pad T3a, in other words, connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12 via the electrode pad T3a.

電極パッドT8aは、第2の接続配線としての配線W4にて半導体チップIC9の電極パッドT9と接続されている。すなわち、配線W4は、ノードNd17aと検出部K2の第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T8a is connected to the electrode pad T9 of the semiconductor chip IC9 through a wiring W4 as a second connection wiring. That is, the wiring W4 electrically connects the node Nd17a and the second input terminal of the detection unit K2.

電極パッドT9aは、第3の接続配線としての配線W5にて半導体チップIC9の電極パッドT8と接続されている。すなわち、配線W5は、ノードNd17と検出部K2aの第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T9a is connected to the electrode pad T8 of the semiconductor chip IC9 by a wiring W5 as a third connection wiring. That is, the wiring W5 electrically connects the node Nd17 and the second input terminal of the detection unit K2a.

ここで、半導体チップIC9の検出部K2は、第1入力端子に比較回路CNaから出力された比較結果信号Vcr2が入力され、第2入力端子に半導体チップIC9aの比較回路CNaaaから出力された比較結果信号Vcr2aが入力され、これらの論理積を第1の出力信号としての出力信号Ko2としてトランジスタN1及びトランジスタN2のゲート端子Gに供給することでトランジスタN1及びトランジスタN2のオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC9と半導体チップIC9aの発光制御部HC9aとにより行われている。   Here, in the detection unit K2 of the semiconductor chip IC9, the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa is input to the first input terminal, and the comparison result output from the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC9a is input to the second input terminal. The signal Vcr2a is input, and the logical product of these signals is supplied to the gate terminals G of the transistors N1 and N2 as an output signal Ko2 as a first output signal, thereby controlling the on / off of the transistors N1 and N2. That is, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS are performed by the light emission control unit HC9 and the light emission control unit HC9a of the semiconductor chip IC9a.

また、半導体チップIC9aの検出部K2aは、第1入力端子に半導体チップIC9の比較回路CNaから出力された比較結果信号Vcr2が入力され、第2入力端子に比較回路CNaaaから出力された比較結果信号Vcr2aが入力され、これらの論理積を第2の出力信号としての出力信号Ko2aとしてトランジスタN1a及びトランジスタN2aのゲート端子Gに供給することでトランジスタN1a及びトランジスタN2aのオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC9aと半導体チップIC9の発光制御部HC9とにより行われている。   The detection unit K2a of the semiconductor chip IC9a receives the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC9 at the first input terminal and the comparison result signal output from the comparison circuit CNaa at the second input terminal. Vcr2a is input, and these logical products are supplied as the output signal Ko2a as the second output signal to the gate terminals G of the transistors N1a and N2a, thereby controlling on / off of the transistors N1a and N2a. That is, light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC9a and the light emission control unit HC9 of the semiconductor chip IC9.

ここで、トランジスタN1及びトランジスタN2のオンオフは、検出部K2の出力信号Ko2の信号レベル、及び検出部K2aの出力信号Ko2aの信号レベルにより決まる。そして、検出部K2の出力信号Ko2の信号レベル、及び検出部K2aの出力信号Ko2aの信号レベルは、比較回路CNaが出力する比較結果信号Vcr2のレベルと、比較回路CNaaaが出力する比較結果信号Vcr2aのレベルと、により決定される。   Here, ON / OFF of the transistor N1 and the transistor N2 is determined by the signal level of the output signal Ko2 of the detection unit K2 and the signal level of the output signal Ko2a of the detection unit K2a. The signal level of the output signal Ko2 of the detection unit K2 and the signal level of the output signal Ko2a of the detection unit K2a are the level of the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and the comparison result signal Vcr2a output from the comparison circuit CNaa. And the level of

比較回路CNa及び比較回路CNaaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Vcr2及び比較結果信号Vcr2aはローレベルとなる。このため、検出部K2及び検出部K2aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ko2及び出力信号Ko2aはローレベルとなる。この場合、トランジスタN1、トランジスタN2、トランジスタN1a、及びトランジスタN2aのゲート端子Gにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタN1、トランジスタN2、トランジスタN1a、及びトランジスタN2aはいずれもオフとなる。   When both of the comparison circuit CNa and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is smaller than the light emission reference voltage VHa or the voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr2 and the comparison result signal Vcr2a are set to the low level. Become. Therefore, a low level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K2 and the detection unit K2a, and the output signal Ko2 and the output signal Ko2a become the low level. In this case, since the low-level signal is input to the gate terminals G of the transistors N1, N2, N1a, and N2a, the transistors N1, N2, N1a, and N2a are all turned off.

比較回路CNaが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路CNaaaが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr2はローレベルとなり、比較結果信号Vcr2aはハイレベルとなる。このとき、検出部K2の第2入力端子及び検出部K2aの第1入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるが、検出部K2の第1入力端子及び検出部K2aの第2入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力される。このため、出力信号Ko2及び出力信号Ko2aはローレベルとなる。この場合、トランジスタN1、トランジスタN2、トランジスタN1a、及びトランジスタN2aのゲート端子Gにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタN1、トランジスタN2、トランジスタN1a、及びトランジスタN2aはいずれもオフとなる。   The comparison circuit CNa determines that the drive voltage Vk is lower than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa, and the comparison circuit CNaa determines that the drive voltage Vk is higher than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa. Is determined, the comparison result signal Vcr2 is at a low level, and the comparison result signal Vcr2a is at a high level. At this time, a high level signal is input to both the second input terminal of the detection unit K2 and the first input terminal of the detection unit K2a, but the first input terminal of the detection unit K2 and the second input of the detection unit K2a. A low level signal is input to each terminal. For this reason, the output signal Ko2 and the output signal Ko2a are at a low level. In this case, since the high-level signal is input to the gate terminals G of the transistors N1, N2, N1a, and N2a, the transistors N1, N2, N1a, and N2a are all turned off.

比較回路CNa及び比較回路CNaaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr2及び比較結果信号Vcr2aはハイレベルとなる。このため、検出部K2及び検出部K2aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ko2及び出力信号Ko2aはハイレベルとなる。この場合、トランジスタN1、トランジスタN2、トランジスタN1a、及びトランジスタN2aのゲート端子Gにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタN1、トランジスタN2、トランジスタN1a、及びトランジスタN2aはいずれもオンとなる。   When both the comparison circuit CNa and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VHa or the voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr2 and the comparison result signal Vcr2a are at a high level. Become. Therefore, a high level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K2 and the detection unit K2a, and the output signal Ko2 and the output signal Ko2a are at the high level. In this case, since a low-level signal is input to the gate terminals G of the transistors N1, N2, N1a, and N2a, the transistors N1, N2, N1a, and N2a are all turned on.

以上のように、照明装置50bによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC9の発光制御部HC9と半導体チップIC9aの発光制御部HC9aとにより行うようにしたので、半導体チップIC9の比較回路CNaと半導体チップIC9aの比較回路CNaaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the illumination device 50b, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC9 of the semiconductor chip IC9 and the light emission control unit HC9a of the semiconductor chip IC9a. Even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC9 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC9a, variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa are prevented. be able to.

また、照明装置50bによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC9の発光制御部HC9と半導体チップIC9aの発光制御部HC9aとにより行うようにしたので、半導体チップIC9aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗と、半導体チップIC9が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the illumination device 50b, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC9 of the semiconductor chip IC9 and the light emission control unit HC9a of the semiconductor chip IC9a. Wiring resistance of the wiring W2 for receiving the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS, and the semiconductor chip IC9 for receiving the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. Even when the wiring resistance of the wiring W1 is different, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第5の実施形態の第3の変形例]
図28は、本発明の第5の実施形態の第3の変形例にかかる照明装置50cを示した図である。照明装置50cは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC10と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC10aと、を備えている。なお、図28に示した照明装置50cにおいては、図8に示した照明装置30、図10に示した照明装置30a、図25に示した照明装置50a、及び図27に示した照明装置50cと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Third Modification of Fifth Embodiment]
FIG. 28 is a diagram showing an illumination device 50c according to a third modification of the fifth embodiment of the present invention. The illumination device 50c includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC10 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC10a as a second semiconductor chip. 28, the lighting device 30 shown in FIG. 8, the lighting device 30a shown in FIG. 10, the lighting device 50a shown in FIG. 25, and the lighting device 50c shown in FIG. About the same structure, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably.

発光素子群HSBは、発光素子群HSと、発光素子群HSaと、を備えている。発光素子群HSは、発光素子群HS1と、第1の発光素子群としての発光素子群HS2と、を備えている。発光素子群HSaは、発光素子群HS11と、第2の発光素子群としての発光素子群HS12と、を備えている。   The light emitting element group HSB includes a light emitting element group HS and a light emitting element group HSa. The light emitting element group HS includes a light emitting element group HS1 and a light emitting element group HS2 as a first light emitting element group. The light emitting element group HSa includes a light emitting element group HS11 and a light emitting element group HS12 as a second light emitting element group.

半導体チップIC10は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT8と、電極パッドT9と、を備えている。また、半導体チップIC10は、第1の発光制御部としての発光制御部HC10と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。発光制御部HC10は、第1の比較回路としての比較回路CNaと、第1検出部としての検出部K2と、トランジスタP6と、第1の制御スイッチとしてのトランジスタP7と、を備えている。   The semiconductor chip IC10 includes an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T8, and an electrode pad T9 as electrode pads for electrical connection with the outside. Further, the semiconductor chip IC10 includes a light emission control unit HC10 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit. The light emission control unit HC10 includes a comparison circuit CNa as a first comparison circuit, a detection unit K2 as a first detection unit, a transistor P6, and a transistor P7 as a first control switch.

電極パッドT1は、第1の電源配線としての配線W1を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W1は、電源供給回路VSと半導体チップIC10とに接続されている。電極パッドT2は、発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。電極パッドT3は、発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。   The electrode pad T1 is connected to the power supply circuit VS via a wiring W1 as a first power supply wiring. In other words, the wiring W1 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC10. The electrode pad T2 is connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1. The electrode pad T3 is connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2.

トランジスタP6は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSと接続され、ドレイン端子Dが調光回路LC1の一端と接続され、ゲート端子Gが検出部K2の出力端子に接続されている。トランジスタP6は、検出部K2から供給される出力信号Ko2によってオンオフ制御がなされる。   The transistor P6 is a PMOS transistor having a source terminal S connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, a drain terminal D connected to one end of the dimming circuit LC1, and a gate. The terminal G is connected to the output terminal of the detection unit K2. The transistor P6 is ON / OFF controlled by the output signal Ko2 supplied from the detection unit K2.

トランジスタP7は、PMOSトランジスタであり、ソース端子Sが電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSと接続され、ドレイン端子Dが調光回路LC2の一端と接続され、ゲート端子Gが検出部K2の出力端子に接続されている。トランジスタP7は、検出部K2から供給される出力信号Ko2によってオンオフ制御がなされる。   The transistor P7 is a PMOS transistor having a source terminal S connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, a drain terminal D connected to one end of the dimming circuit LC2, and a gate. The terminal G is connected to the output terminal of the detection unit K2. The transistor P7 is on / off controlled by the output signal Ko2 supplied from the detection unit K2.

調光回路LC1は、他端が電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。   The other end of the light control circuit LC1 is connected to the electrode pad T2, in other words, connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1 via the electrode pad T2.

調光回路LC2は、他端が電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。   The other end of the light control circuit LC2 is connected to the electrode pad T3, in other words, connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2 via the electrode pad T3.

半導体チップIC10aは、半導体チップIC10と同一構成である。ただし、図28の半導体チップIC10aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC10と区別するために半導体チップIC10にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC10aにおいては、半導体チップIC10にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CNa」については、図25等に示した「比較回路CNaa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaaa」としている。   The semiconductor chip IC10a has the same configuration as the semiconductor chip IC10. However, in the semiconductor chip IC10a of FIG. 28, for convenience of explanation, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC10 in order to distinguish it from the semiconductor chip IC10. In the semiconductor chip IC 10a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC 10 is omitted as appropriate. Note that the “comparison circuit CNaaa” is used here to distinguish it from the “comparison circuit CNaa” shown in FIG.

半導体チップIC10aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT8aと、電極パッドT9aと、を備えている。また、半導体チップIC10aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC10aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。発光制御部HC10aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaaと、第2検出部としての検出部K2aと、トランジスタN1aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタN2aと、を備えている。   The semiconductor chip IC10a includes an electrode pad T1a, an electrode pad T2a, an electrode pad T3a, an electrode pad T8a, and an electrode pad T9a as electrode pads for electrical connection with the outside. Further, the semiconductor chip IC 10a includes a light emission control unit HC10a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit. The light emission control unit HC10a includes a comparison circuit CNaaa as a second comparison circuit, a detection unit K2a as a second detection unit, a transistor N1a, and a transistor N2a as a second control switch.

電極パッドT1aは、第2の電源配線としての配線W2を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W2は、電源供給回路VSと半導体チップIC10aとに接続されている。電極パッドT2aは、発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。電極パッドT3aは、発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。なお、配線W2の配線抵抗は、配線W1の配線抵抗とは異なっていても良い。   The electrode pad T1a is connected to the power supply circuit VS via a wiring W2 as a second power supply wiring. In other words, the wiring W2 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC 10a. The electrode pad T2a is connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11. The electrode pad T3a is connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12. Note that the wiring resistance of the wiring W2 may be different from the wiring resistance of the wiring W1.

発光制御部HC10aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaaと、第2検出部としての検出部K2aと、トランジスタP6aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタP7aと、を備えている。   The light emission control unit HC10a includes a comparison circuit CNaaa as a second comparison circuit, a detection unit K2a as a second detection unit, a transistor P6a, and a transistor P7a as a second control switch.

調光回路LC11は、他端が電極パッドT2aと接続、言い換えれば電極パッドT2aを介して発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。   The other end of the light control circuit LC11 is connected to the electrode pad T2a, in other words, connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11 via the electrode pad T2a.

調光回路LC12は、他端が電極パッドT3aと接続、言い換えれば電極パッドT3aを介して発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。   The other end of the light control circuit LC12 is connected to the electrode pad T3a, in other words, connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12 via the electrode pad T3a.

電極パッドT8aは、第2の接続配線としての配線W4にて半導体チップIC10の電極パッドT9と接続されている。すなわち、配線W4は、ノードNd17aと検出部K2の第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T8a is connected to the electrode pad T9 of the semiconductor chip IC10 by a wiring W4 as a second connection wiring. That is, the wiring W4 electrically connects the node Nd17a and the second input terminal of the detection unit K2.

電極パッドT9aは、第3の接続配線としての配線W5にて半導体チップIC10の電極パッドT8と接続されている。すなわち、配線W5は、ノードNd17と検出部K2aの第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T9a is connected to the electrode pad T8 of the semiconductor chip IC10 by a wiring W5 as a third connection wiring. That is, the wiring W5 electrically connects the node Nd17 and the second input terminal of the detection unit K2a.

ここで、半導体チップIC10の検出部K2は、第1入力端子に比較回路CNaから出力された比較結果信号Vcr2が入力され、第2入力端子に半導体チップIC10aの比較回路CNaaaから出力された比較結果信号Vcr2aが入力され、これらの論理積を第1の出力信号としての出力信号Ko2としてトランジスタP6及びトランジスタP7のゲート端子Gに供給することでトランジスタP6及びトランジスタP7のオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC10と半導体チップIC10aの発光制御部HC10aとにより行われている。   Here, in the detection unit K2 of the semiconductor chip IC10, the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa is input to the first input terminal, and the comparison result output from the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC10a is input to the second input terminal. The signal Vcr2a is input, and the logical product of these signals is supplied to the gate terminals G of the transistors P6 and P7 as an output signal Ko2 as a first output signal, thereby controlling on / off of the transistors P6 and P7. That is, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS are performed by the light emission control unit HC10 and the light emission control unit HC10a of the semiconductor chip IC10a.

また、半導体チップIC10aの検出部K2aは、第1入力端子に半導体チップIC10の比較回路CNaから出力された比較結果信号Vcr2が入力され、第2入力端子に比較回路CNaaaから出力された比較結果信号Vcr2aが入力され、これらの論理積を第2の出力信号としての出力信号Ko2aとしてトランジスタN1a及びトランジスタN2aのゲート端子Gに供給することでトランジスタP6a及びトランジスタP7aのオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC10aと半導体チップIC10の発光制御部HC10とにより行われている。   The detection unit K2a of the semiconductor chip IC10a receives the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC10 at the first input terminal and the comparison result signal output from the comparison circuit CNaa at the second input terminal. Vcr2a is input, and these logical products are supplied as the output signal Ko2a as the second output signal to the gate terminals G of the transistors N1a and N2a, thereby controlling on / off of the transistors P6a and P7a. That is, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC10a and the light emission control unit HC10 of the semiconductor chip IC10.

ここで、トランジスタP6及びトランジスタP7のオンオフは、検出部K2の出力信号Ko2の信号レベル、及び検出部K2aの出力信号Ko2aの信号レベルにより決まる。そして、検出部K2の出力信号Ko2の信号レベル、及び検出部K2aの出力信号Ko2aの信号レベルは、比較回路CNaが出力する比較結果信号Vcr2のレベルと、比較回路CNaaaが出力する比較結果信号Vcr2aのレベルと、により決定される。   Here, ON / OFF of the transistor P6 and the transistor P7 is determined by the signal level of the output signal Ko2 of the detection unit K2 and the signal level of the output signal Ko2a of the detection unit K2a. The signal level of the output signal Ko2 of the detection unit K2 and the signal level of the output signal Ko2a of the detection unit K2a are the level of the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and the comparison result signal Vcr2a output from the comparison circuit CNaa. And the level of

比較回路CNa及び比較回路CNaaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Vcr2及び比較結果信号Vcr2aはローレベルとなる。このため、検出部K2及び検出部K2aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ko2及び出力信号Ko2aはローレベルとなる。この場合、トランジスタP6、トランジスタP7、トランジスタP6a、及びトランジスタP7aのゲート端子Gにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタP6、トランジスタP7、トランジスタP6a、及びトランジスタP7aはいずれもオンとなる。   When both of the comparison circuit CNa and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is smaller than the light emission reference voltage VHa or the voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr2 and the comparison result signal Vcr2a are set to the low level. Become. Therefore, a low level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K2 and the detection unit K2a, and the output signal Ko2 and the output signal Ko2a become the low level. In this case, since a low-level signal is input to the gate terminals G of the transistors P6, P7, P6a, and P7a, the transistors P6, P7, P6a, and P7a are all turned on.

比較回路CNaが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路CNaaaが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr2はローレベルとなり、比較結果信号Vcr2aはハイレベルとなる。このとき、検出部K2の第2入力端子及び検出部K2aの第1入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるが、検出部K2の第1入力端子及び検出部K2aの第2入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力される。このため、出力信号Ko2及び出力信号Ko2aはローレベルとなる。この場合、トランジスタP6、トランジスタP7、トランジスタP6a、及びトランジスタP7aのゲート端子Gにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタP6、トランジスタP7、トランジスタP6a、及びトランジスタP7aはいずれもオンとなる。   The comparison circuit CNa determines that the drive voltage Vk is lower than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa, and the comparison circuit CNaa determines that the drive voltage Vk is higher than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa. Is determined, the comparison result signal Vcr2 is at a low level, and the comparison result signal Vcr2a is at a high level. At this time, a high level signal is input to both the second input terminal of the detection unit K2 and the first input terminal of the detection unit K2a, but the first input terminal of the detection unit K2 and the second input of the detection unit K2a. A low level signal is input to each terminal. For this reason, the output signal Ko2 and the output signal Ko2a are at a low level. In this case, since a high level signal is input to the gate terminal G of the transistor P6, the transistor P7, the transistor P6a, and the transistor P7a, the transistor P6, the transistor P7, the transistor P6a, and the transistor P7a are all turned on.

比較回路CNa及び比較回路CNaaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr2及び比較結果信号Vcr2aはハイレベルとなる。このため、検出部K2及び検出部K2aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ko2及び出力信号Ko2aはハイレベルとなる。この場合、トランジスタP6、トランジスタP7、トランジスタP6a、及びトランジスタP7aのゲート端子Gにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタP6、トランジスタP7、トランジスタP6a、及びトランジスタP7aはいずれもオフとなる。   When both the comparison circuit CNa and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VHa or the voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr2 and the comparison result signal Vcr2a are at a high level. Become. Therefore, a high level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K2 and the detection unit K2a, and the output signal Ko2 and the output signal Ko2a are at the high level. In this case, since a low-level signal is input to the gate terminals G of the transistors P6, P7, P6a, and P7a, the transistors P6, P7, P6a, and P7a are all turned off.

以上のように、照明装置50cによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC10の発光制御部HC10と半導体チップIC10aの発光制御部HC10aとにより行うようにしたので、半導体チップIC10の比較回路CNaと半導体チップIC10aの比較回路CNaaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the illumination device 50c, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC10 of the semiconductor chip IC10 and the light emission control unit HC10a of the semiconductor chip IC10a. Even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC10 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC10a, the variation in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa is prevented. be able to.

また、照明装置50cによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC10の発光制御部HC10と半導体チップIC10aの発光制御部HC10aとにより行うようにしたので、半導体チップIC10aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗と、半導体チップIC10が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the illumination device 50c, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC10 of the semiconductor chip IC10 and the light emission control unit HC10a of the semiconductor chip IC10a. Has a wiring resistance for the wiring W2 for receiving the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS, and for the semiconductor chip IC10 to receive the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. Even when the wiring resistance of the wiring W1 is different, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第5の実施形態の第4の変形例]
図29は、本発明の第5の実施形態の第4の変形例にかかる照明装置50dを示した図である。照明装置50dは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC11と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC11aと、を備えている。なお、図29に示した照明装置50dにおいては、図11に示した照明装置30b、及び図28に示した照明装置50dと同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Fourth Modification of Fifth Embodiment]
FIG. 29 is a diagram showing a lighting device 50d according to a fourth modification of the fifth embodiment of the present invention. The illumination device 50d includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC11 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC11a as a second semiconductor chip. In addition, in the illuminating device 50d shown in FIG. 29, about the structure similar to the illuminating device 30b shown in FIG. 11, and the illuminating device 50d shown in FIG. 28, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted suitably. .

発光素子群HSBは、発光素子群HSと、発光素子群HSaと、を備えている。発光素子群HSは、発光素子群HS1と、第1の発光素子群としての発光素子群HS2と、を備えている。発光素子群HSaは、発光素子群HS11と、第2の発光素子群としての発光素子群HS12と、を備えている。   The light emitting element group HSB includes a light emitting element group HS and a light emitting element group HSa. The light emitting element group HS includes a light emitting element group HS1 and a light emitting element group HS2 as a first light emitting element group. The light emitting element group HSa includes a light emitting element group HS11 and a light emitting element group HS12 as a second light emitting element group.

半導体チップIC11は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT8と、電極パッドT9と、を備えている。また、半導体チップIC11は、第1の発光制御部としての発光制御部HC11と、調光回路LC1と、第1の調光部としての調光回路LC2と、を備えている。発光制御部HC11は、第1の比較回路としての比較回路CNaと、第1検出部としての検出部K2と、トランジスタN3と、第1の制御スイッチとしてのトランジスタN4と、を備えている。   The semiconductor chip IC11 includes an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T8, and an electrode pad T9 as electrode pads for electrical connection with the outside. In addition, the semiconductor chip IC11 includes a light emission control unit HC11 as a first light emission control unit, a light control circuit LC1, and a light control circuit LC2 as a first light control unit. The light emission control unit HC11 includes a comparison circuit CNa as a first comparison circuit, a detection unit K2 as a first detection unit, a transistor N3, and a transistor N4 as a first control switch.

電極パッドT1は、第1の電源配線としての配線W1を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W1は、電源供給回路VSと半導体チップIC11とに接続されている。電極パッドT2は、発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。電極パッドT3は、発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。   The electrode pad T1 is connected to the power supply circuit VS via a wiring W1 as a first power supply wiring. In other words, the wiring W1 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC11. The electrode pad T2 is connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1. The electrode pad T3 is connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2.

トランジスタN3は、NMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC1と接続され、ドレイン端子Dが電源VSSと接続され、ゲート端子Gが検出部K2の出力端子に接続されている。トランジスタN3は、検出部K2から供給される出力信号Ko2によってオンオフ制御がなされる。   The transistor N3 is an NMOS transistor, the source terminal S is connected to the dimming circuit LC1, the drain terminal D is connected to the power supply VSS, and the gate terminal G is connected to the output terminal of the detection unit K2. The transistor N3 is ON / OFF controlled by the output signal Ko2 supplied from the detection unit K2.

トランジスタN4は、NMOSトランジスタであり、ソース端子Sが調光回路LC2と接続され、ドレイン端子Dが電源VSSと接続され、ゲート端子Gが検出部K2の出力端子に接続されている。トランジスタN4は、検出部K2から供給される出力信号Ko2によってオンオフ制御がなされる。   The transistor N4 is an NMOS transistor, the source terminal S is connected to the dimming circuit LC2, the drain terminal D is connected to the power source VSS, and the gate terminal G is connected to the output terminal of the detection unit K2. The transistor N4 is on / off controlled by the output signal Ko2 supplied from the detection unit K2.

調光回路LC1は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続され、他端が電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。   The light control circuit LC1 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T2, in other words, the light emitting element group via the electrode pad T2. It is connected to the node Nh1 of HS1.

調光回路LC2は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSに接続され、他端が電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。   The light control circuit LC2 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1, and the other end connected to the electrode pad T3, in other words, the light emitting element group via the electrode pad T3. It is connected to the node Nh2 of HS2.

半導体チップIC11aは、半導体チップIC11と同一構成である。ただし、図29の半導体チップIC11aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC11と区別するために半導体チップIC11にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC11aにおいては、半導体チップIC11にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CNa」については、図25等に示した「比較回路CNaa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaaa」としている。   The semiconductor chip IC11a has the same configuration as the semiconductor chip IC11. However, in the semiconductor chip IC11a of FIG. 29, for convenience of explanation, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC11 to distinguish it from the semiconductor chip IC11. In the semiconductor chip IC11a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC11 is omitted as appropriate. Note that the “comparison circuit CNaaa” is used here to distinguish it from the “comparison circuit CNaa” shown in FIG.

半導体チップIC11aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT8aと、電極パッドT9aと、を備えている。また、半導体チップIC11aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC11aと、調光回路LC1aと、第2の調光部としての調光回路LC2aと、を備えている。発光制御部HC11aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaaと、第2検出部としての検出部K2aと、トランジスタN3aと、第2の制御スイッチとしてのトランジスタN4aと、を備えている。   The semiconductor chip IC11a includes an electrode pad T1a, an electrode pad T2a, an electrode pad T3a, an electrode pad T8a, and an electrode pad T9a as electrode pads for electrical connection with the outside. The semiconductor chip IC11a includes a light emission control unit HC11a as a second light emission control unit, a light control circuit LC1a, and a light control circuit LC2a as a second light control unit. The light emission control unit HC11a includes a comparison circuit CNaaa as a second comparison circuit, a detection unit K2a as a second detection unit, a transistor N3a, and a transistor N4a as a second control switch.

電極パッドT1aは、第2の電源配線としての配線W2を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W2は、電源供給回路VSと半導体チップIC11aとに接続されている。電極パッドT2aは、発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。電極パッドT3aは、発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。なお、配線W2の配線抵抗は、配線W1の配線抵抗とは異なっていても良い。   The electrode pad T1a is connected to the power supply circuit VS via a wiring W2 as a second power supply wiring. In other words, the wiring W2 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC11a. The electrode pad T2a is connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11. The electrode pad T3a is connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12. Note that the wiring resistance of the wiring W2 may be different from the wiring resistance of the wiring W1.

調光回路LC11は、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続され、他端が電極パッドT2aと接続、言い換えれば電極パッドT2aを介して発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。   The light control circuit LC11 has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a, and the other end connected to the electrode pad T2a, in other words, the light emitting element group via the electrode pad T2a. It is connected to the node Nh11 of the HS11.

調光回路LC12は、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSに接続され、他端が電極パッドT3aと接続、言い換えれば電極パッドT3aを介して発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。   The light control circuit LC12 has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a, and the other end connected to the electrode pad T3a, in other words, the light emitting element group via the electrode pad T3a. It is connected to the node Nh12 of the HS12.

電極パッドT8aは、第2の接続配線としての配線W4にて半導体チップIC11の電極パッドT9と接続されている。すなわち、配線W4は、ノードNd17aと検出部K2の第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T8a is connected to the electrode pad T9 of the semiconductor chip IC11 by a wiring W4 as a second connection wiring. That is, the wiring W4 electrically connects the node Nd17a and the second input terminal of the detection unit K2.

電極パッドT9aは、第3の接続配線としての配線W5にて半導体チップIC11の電極パッドT8と接続されている。すなわち、配線W5は、ノードNd17と検出部K2aの第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T9a is connected to the electrode pad T8 of the semiconductor chip IC11 by a wiring W5 as a third connection wiring. That is, the wiring W5 electrically connects the node Nd17 and the second input terminal of the detection unit K2a.

ここで、半導体チップIC11の検出部K2は、第1入力端子に比較回路CNaから出力された比較結果信号Vcr2が入力され、第2入力端子に半導体チップIC11aの比較回路CNaaaから出力された比較結果信号Vcr2aが入力され、これらの論理積を第1の出力信号としての出力信号Ko2としてトランジスタN3及びトランジスタN4のゲート端子Gに供給することでトランジスタN3及びトランジスタN4のオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC11と半導体チップIC11aの発光制御部HC11aとにより行われている。   Here, in the detection unit K2 of the semiconductor chip IC11, the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa is input to the first input terminal, and the comparison result output from the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC11a is input to the second input terminal. The signal Vcr2a is input, and the logical product of these signals is supplied to the gate terminals G of the transistors N3 and N4 as an output signal Ko2 as a first output signal, thereby controlling on / off of the transistors N3 and N4. That is, light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HS are performed by the light emission control unit HC11 and the light emission control unit HC11a of the semiconductor chip IC11a.

また、半導体チップIC11aの検出部K2aは、第1入力端子に半導体チップIC11の比較回路CNaから出力された比較結果信号Vcr2が入力され、第2入力端子に比較回路CNaaaから出力された比較結果信号Vcr2aが入力され、これらの論理積を第2の出力信号としての出力信号Ko2aとしてトランジスタN1a及びトランジスタN2aのゲート端子Gに供給することでトランジスタN3a及びトランジスタN4aのオンオフを制御している。つまり、発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC11aと半導体チップIC11の発光制御部HC11とにより行われている。   Further, the detection unit K2a of the semiconductor chip IC11a receives the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC11 at the first input terminal, and the comparison result signal output from the comparison circuit CNaa at the second input terminal. Vcr2a is input, and these logical products are supplied as the output signal Ko2a as the second output signal to the gate terminals G of the transistors N1a and N2a, thereby controlling on / off of the transistors N3a and N4a. That is, light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC11a and the light emission control unit HC11 of the semiconductor chip IC11.

ここで、トランジスタN3及びトランジスタN4のオンオフは、検出部K2の出力信号Ko2の信号レベル、及び検出部K2aの出力信号Ko2aの信号レベルにより決まる。そして、検出部K2の出力信号Ko2の信号レベル、及び検出部K2aの出力信号Ko2aの信号レベルは、比較回路CNaが出力する比較結果信号Vcr2のレベルと、比較回路CNaaaが出力する比較結果信号Vcr2aのレベルと、により決定される。   Here, ON / OFF of the transistor N3 and the transistor N4 is determined by the signal level of the output signal Ko2 of the detection unit K2 and the signal level of the output signal Ko2a of the detection unit K2a. The signal level of the output signal Ko2 of the detection unit K2 and the signal level of the output signal Ko2a of the detection unit K2a are the level of the comparison result signal Vcr2 output from the comparison circuit CNa and the comparison result signal Vcr2a output from the comparison circuit CNaa. And the level of

比較回路CNa及び比較回路CNaaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Vcr2及び比較結果信号Vcr2aはローレベルとなる。このため、検出部K2及び検出部K2aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ko2及び出力信号Ko2aはローレベルとなる。この場合、トランジスタN3、トランジスタN4、トランジスタN3a、及びトランジスタN4aのゲート端子Gにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタN3、トランジスタN4、トランジスタN3a、及びトランジスタN4aはいずれもオフとなる。   When both of the comparison circuit CNa and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is smaller than the light emission reference voltage VHa or the voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr2 and the comparison result signal Vcr2a are set to the low level. Become. Therefore, a low level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K2 and the detection unit K2a, and the output signal Ko2 and the output signal Ko2a become the low level. In this case, since a low-level signal is input to the gate terminals G of the transistors N3, N4, N3a, and N4a, the transistors N3, N4, N3a, and N4a are all turned off.

比較回路CNaが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路CNaaaが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr2はローレベルとなり、比較結果信号Vcr2aはハイレベルとなる。このとき、検出部K2の第2入力端子及び検出部K2aの第1入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるが、検出部K2の第1入力端子及び検出部K2aの第2入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力される。このため、出力信号Ko2及び出力信号Ko2aはローレベルとなる。この場合、トランジスタN3、トランジスタN4、トランジスタN3a、及びトランジスタN4aのゲート端子Gにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタN3、トランジスタN4、トランジスタN3a、及びトランジスタN4aはいずれもオフとなる。   The comparison circuit CNa determines that the drive voltage Vk is lower than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa, and the comparison circuit CNaa determines that the drive voltage Vk is higher than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa. Is determined, the comparison result signal Vcr2 is at a low level, and the comparison result signal Vcr2a is at a high level. At this time, a high level signal is input to both the second input terminal of the detection unit K2 and the first input terminal of the detection unit K2a, but the first input terminal of the detection unit K2 and the second input of the detection unit K2a. A low level signal is input to each terminal. For this reason, the output signal Ko2 and the output signal Ko2a are at a low level. In this case, since a high-level signal is input to the gate terminals G of the transistors N3, N4, N3a, and N4a, the transistors N3, N4, N3a, and N4a are all turned off.

比較回路CNa及び比較回路CNaaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr2及び比較結果信号Vcr2aはハイレベルとなる。このため、検出部K2及び検出部K2aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ko2及び出力信号Ko2aはハイレベルとなる。この場合、トランジスタN3、トランジスタN4、トランジスタN3a、及びトランジスタN4aのゲート端子Gにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタN3、トランジスタN4、トランジスタN3a、及びトランジスタN4aはいずれもオンとなる。   When both the comparison circuit CNa and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VHa or the voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr2 and the comparison result signal Vcr2a are at a high level. Become. Therefore, a high level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K2 and the detection unit K2a, and the output signal Ko2 and the output signal Ko2a are at the high level. In this case, since a low-level signal is input to the gate terminals G of the transistors N3, N4, N3a, and N4a, the transistors N3, N4, N3a, and N4a are all turned on.

以上のように、照明装置50dによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC11の発光制御部HC11と半導体チップIC11aの発光制御部HC11aとにより行うようにしたので、半導体チップIC11の比較回路CNaと半導体チップIC11aの比較回路CNaaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the illumination device 50d, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC11 of the semiconductor chip IC11 and the light emission control unit HC11a of the semiconductor chip IC11a. Even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC11 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC11a, the variation in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa is prevented. be able to.

また、照明装置50dによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC11の発光制御部HC11と半導体チップIC11aの発光制御部HC11aとにより行うようにしたので、半導体チップIC11aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗と、半導体チップIC10が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the illumination device 50d, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC11 of the semiconductor chip IC11 and the light emission control unit HC11a of the semiconductor chip IC11a. Has a wiring resistance for the wiring W2 for receiving the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS, and for the semiconductor chip IC10 to receive the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. Even when the wiring resistance of the wiring W1 is different, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

[第5の実施形態の第5の変形例]
図30は、本発明の第5の実施形態の第5の変形例にかかる照明装置50eを示した図である。照明装置50eは、電源供給回路VSと、発光素子群HSBと、第1の半導体チップとしての半導体チップIC12と、第2の半導体チップとしての半導体チップIC12aと、を備えている。なお、図30に示した照明装置50eにおいては、図12に示した照明装置30c、及び図25に示した照明装置50と同様の構成については、同一符号を付してその説明を適宜省略する。
[Fifth Modification of Fifth Embodiment]
FIG. 30 is a diagram showing an illumination device 50e according to a fifth modification of the fifth embodiment of the present invention. The illumination device 50e includes a power supply circuit VS, a light emitting element group HSB, a semiconductor chip IC12 as a first semiconductor chip, and a semiconductor chip IC12a as a second semiconductor chip. In the lighting device 50e shown in FIG. 30, the same components as those in the lighting device 30c shown in FIG. 12 and the lighting device 50 shown in FIG. .

発光素子群HSBは、発光素子群HSと、発光素子群HSaと、を備えている。発光素子群HSは、発光素子群HS1と、第1の発光素子群としての発光素子群HS2と、を備えている。発光素子群HSaは、発光素子群HS11と、第2の発光素子群としての発光素子群HS12と、を備えている。   The light emitting element group HSB includes a light emitting element group HS and a light emitting element group HSa. The light emitting element group HS includes a light emitting element group HS1 and a light emitting element group HS2 as a first light emitting element group. The light emitting element group HSa includes a light emitting element group HS11 and a light emitting element group HS12 as a second light emitting element group.

半導体チップIC12は、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1と、電極パッドT2と、電極パッドT3と、電極パッドT6と、電極パッドT7と、電極パッドT8と、電極パッドT9と、を備えている。また、半導体チップIC12は、第1の発光制御部としての発光制御部HC12と、調光回路LC11と、第1の調光部としての調光回路LC12と、を備えている。   The semiconductor chip IC12 has an electrode pad T1, an electrode pad T2, an electrode pad T3, an electrode pad T6, an electrode pad T7, an electrode pad T8, and an electrode as electrode pads for electrical connection with the outside. And a pad T9. The semiconductor chip IC12 includes a light emission control unit HC12 as a first light emission control unit, a light control circuit LC11, and a light control circuit LC12 as a first light control unit.

電極パッドT1は、第1の電源配線としての配線W1を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W1は、電源供給回路VSと半導体チップIC12とに接続されている。電極パッドT2は、発光素子群HS1のノードNh1と接続されている。電極パッドT3は、発光素子群HS2のノードNh2と接続されている。電極パッドT6は、発光素子群HS1の一端と接続されている。電極パッドT7は、発光素子群HS2の一端と接続されている。   The electrode pad T1 is connected to the power supply circuit VS via a wiring W1 as a first power supply wiring. In other words, the wiring W1 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC12. The electrode pad T2 is connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1. The electrode pad T3 is connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2. The electrode pad T6 is connected to one end of the light emitting element group HS1. The electrode pad T7 is connected to one end of the light emitting element group HS2.

調光回路LC11は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC11は、他端が電極パッドT2と接続、言い換えれば電極パッドT2を介して発光素子群HS1のノードNh1と接続され、且つ他端が電極パッドT6と接続、言い換えれば電極パッドT6を介して発光素子群HS1のノードNd8と接続されている。なお、調光回路LC11は、図12に示した駆動回路KD1とトランジスタN5とを備えている。   The dimming circuit LC11 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The other end of the dimming circuit LC11 is connected to the electrode pad T2, in other words, connected to the node Nh1 of the light emitting element group HS1 via the electrode pad T2, and the other end is connected to the electrode pad T6. It is connected to the node Nd8 of the light emitting element group HS1 via T6. The dimming circuit LC11 includes the drive circuit KD1 and the transistor N5 shown in FIG.

調光回路LC12は、一端が電極パッドT1と接続、言い換えれば電極パッドT1を介して電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC12は、他端が電極パッドT3と接続、言い換えれば電極パッドT3を介して発光素子群HS2のノードNh2と接続され、且つ他端が電極パッドT7と接続、言い換えれば電極パッドT7を介して発光素子群HS2のノードNd9と接続されている。なお、調光回路LC12は、図12に示した駆動回路KD2とトランジスタN6とを備えている。   The dimming circuit LC12 has one end connected to the electrode pad T1, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1. The light control circuit LC12 has the other end connected to the electrode pad T3, in other words, connected to the node Nh2 of the light emitting element group HS2 via the electrode pad T3, and the other end connected to the electrode pad T7, in other words, the electrode pad. It is connected to the node Nd9 of the light emitting element group HS2 via T7. The dimming circuit LC12 includes the drive circuit KD2 and the transistor N6 shown in FIG.

発光制御部HC12は、第1の比較回路としての比較回路CNと、検出部K1と、を備えている。検出部K1の出力端子は、調光回路LC11の駆動回路KD1と調光回路12の駆動回路KD2とに接続されている。言い換えれば、比較回路CNの出力端子は、検出部K1の出力端子を介して調光回路LC11の駆動回路KD1と調光回路12の駆動回路KD2とに接続されている。検出部K1の出力信号Ko1は、駆動回路KD1と駆動回路KD2にそれぞれ入力される。   The light emission control unit HC12 includes a comparison circuit CN as a first comparison circuit and a detection unit K1. The output terminal of the detection unit K1 is connected to the drive circuit KD1 of the dimmer circuit LC11 and the drive circuit KD2 of the dimmer circuit 12. In other words, the output terminal of the comparison circuit CN is connected to the drive circuit KD1 of the dimming circuit LC11 and the drive circuit KD2 of the dimming circuit 12 via the output terminal of the detection unit K1. The output signal Ko1 of the detection unit K1 is input to the drive circuit KD1 and the drive circuit KD2, respectively.

半導体チップIC12aは、半導体チップIC12と同一構成である。ただし、図30の半導体チップIC12aにおいては、説明の便宜上、半導体チップIC12と区別するために半導体チップIC12にて示した構成の語尾に「a」を付して示している。また、半導体チップIC12aにおいては、半導体チップIC12にて説明した構成については適宜その説明を省略する。なお、「比較回路CN」については、図5等に示した「比較回路CNa」と区別するため、ここでは「比較回路CNaa」としている。   The semiconductor chip IC12a has the same configuration as the semiconductor chip IC12. However, in the semiconductor chip IC12a of FIG. 30, for the sake of convenience of description, “a” is added to the end of the configuration shown in the semiconductor chip IC12 to distinguish it from the semiconductor chip IC12. In the semiconductor chip IC 12a, the description of the configuration described in the semiconductor chip IC 12 is omitted as appropriate. The “comparison circuit CN” is herein referred to as “comparison circuit CNaa” in order to distinguish it from the “comparison circuit CNa” shown in FIG.

半導体チップIC12aは、外部との電気的接続を行うための電極パッドとして、電極パッドT1aと、電極パッドT2aと、電極パッドT3aと、電極パッドT6aと、電極パッドT7aと、電極パッドT8aと、電極パッドT9aと、を備えている。また、半導体チップIC12aは、第2の発光制御部としての発光制御部HC12aと、調光回路LC11aと、第2の調光部としての調光回路LC12aと、を備えている。   The semiconductor chip IC12a has electrode pads T1a, electrode pads T2a, electrode pads T3a, electrode pads T6a, electrode pads T7a, electrode pads T8a, and electrodes as electrode pads for electrical connection with the outside. And a pad T9a. In addition, the semiconductor chip IC12a includes a light emission control unit HC12a as a second light emission control unit, a light control circuit LC11a, and a light control circuit LC12a as a second light control unit.

電極パッドT1aは、第2の電源配線としての配線W2を介して電源供給回路VSに接続されている。言い換えれば、配線W2は、電源供給回路VSと半導体チップIC12aとに接続されている。電極パッドT2aは、発光素子群HS11のノードNh11と接続されている。電極パッドT3aは、発光素子群HS12のノードNh12と接続されている。なお、配線W2の配線抵抗は、配線W1の配線抵抗とは異なっていても良い。   The electrode pad T1a is connected to the power supply circuit VS via a wiring W2 as a second power supply wiring. In other words, the wiring W2 is connected to the power supply circuit VS and the semiconductor chip IC12a. The electrode pad T2a is connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11. The electrode pad T3a is connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12. Note that the wiring resistance of the wiring W2 may be different from the wiring resistance of the wiring W1.

調光回路LC11aは、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC11aは、他端が電極パッドT2aと接続、言い換えれば電極パッドT2aを介して発光素子群HS11のノードNh11と接続され、且つ他端が電極パッドT6aと接続、言い換えれば電極パッドT6aを介して発光素子群HS11のノードNd8aと接続されている。なお、調光回路LC11aは、駆動回路KD1aとトランジスタN5aとを備えている。   The dimming circuit LC11a has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a. The light control circuit LC11a has the other end connected to the electrode pad T2a, in other words, connected to the node Nh11 of the light emitting element group HS11 via the electrode pad T2a, and the other end connected to the electrode pad T6a, in other words, the electrode pad. It is connected to the node Nd8a of the light emitting element group HS11 via T6a. The dimming circuit LC11a includes a drive circuit KD1a and a transistor N5a.

調光回路LC12aは、一端が電極パッドT1aと接続、言い換えれば電極パッドT1aを介して電源供給回路VSと接続されている。また、調光回路LC12aは、他端が電極パッドT3aと接続、言い換えれば電極パッドT3aを介して発光素子群HS12のノードNh12と接続され、且つ他端が電極パッドT7aと接続、言い換えれば電極パッドT7aを介して発光素子群HS12のノードNd9aと接続されている。なお、調光回路LC12aは、駆動回路KD2aとトランジスタN6aとを備えている。   The dimming circuit LC12a has one end connected to the electrode pad T1a, in other words, connected to the power supply circuit VS via the electrode pad T1a. The other end of the dimming circuit LC12a is connected to the electrode pad T3a, in other words, connected to the node Nh12 of the light emitting element group HS12 via the electrode pad T3a, and the other end is connected to the electrode pad T7a. It is connected to the node Nd9a of the light emitting element group HS12 through T7a. The light control circuit LC12a includes a drive circuit KD2a and a transistor N6a.

発光制御部HC12aは、第2の比較回路としての比較回路CNaaと、第2検出部としての検出部K1aと、を備えている。検出部K1aの出力端子は、調光回路LC11aの駆動回路KD1aと調光回路12aの駆動回路KD2aとに接続されている。言い換えれば、比較回路CNaaの出力端子は、検出部K1aの出力端子を介して調光回路LC11aの駆動回路KD1aと調光回路12aの駆動回路KD2aとに接続されている。検出部K1aの出力信号Ko1aは、駆動回路KD1aと駆動回路KD2aにそれぞれ入力される。   The light emission control unit HC12a includes a comparison circuit CNaa as a second comparison circuit and a detection unit K1a as a second detection unit. The output terminal of the detection unit K1a is connected to the drive circuit KD1a of the dimming circuit LC11a and the drive circuit KD2a of the dimming circuit 12a. In other words, the output terminal of the comparison circuit CNaa is connected to the drive circuit KD1a of the dimming circuit LC11a and the drive circuit KD2a of the dimming circuit 12a via the output terminal of the detection unit K1a. The output signal Ko1a from the detection unit K1a is input to the drive circuit KD1a and the drive circuit KD2a, respectively.

電極パッドT8aは、第2の接続配線としての配線W4にて半導体チップIC12の電極パッドT9と接続されている。すなわち、配線W4は、ノードNd16aと検出部K1の第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T8a is connected to the electrode pad T9 of the semiconductor chip IC12 by a wiring W4 as a second connection wiring. That is, the wiring W4 electrically connects the node Nd16a and the second input terminal of the detection unit K1.

電極パッドT9aは、第3の接続配線としての配線W5にて半導体チップIC12の電極パッドT8と接続されている。すなわち、配線W5は、ノードNd16と検出部K1aの第2入力端子とを電気的に接続している。   The electrode pad T9a is connected to the electrode pad T8 of the semiconductor chip IC12 by a wiring W5 as a third connection wiring. That is, the wiring W5 electrically connects the node Nd16 and the second input terminal of the detection unit K1a.

ここで、半導体チップIC12の検出部K1は、第1入力端子に比較回路CNから出力された比較結果信号Vcr1が入力され、第2入力端子に半導体チップIC12aの比較回路CNaaから出力された比較結果信号Vcr1aが入力され、これらの論理和を第1の出力信号としての出力信号Ko1として駆動回路KD1及び駆動回路KD2に供給することで駆動回路KD1及び駆動回路KD2の出力を制御している。つまり、発光素子群HSの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC12と半導体チップIC12aの発光制御部HC12aとにより行われている。   Here, in the detection unit K1 of the semiconductor chip IC12, the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN is input to the first input terminal, and the comparison result output from the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC12a is input to the second input terminal. The signal Vcr1a is input, and these logical sums are supplied to the drive circuit KD1 and the drive circuit KD2 as the output signal Ko1 as the first output signal, thereby controlling the outputs of the drive circuit KD1 and the drive circuit KD2. That is, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HS are performed by the light emission control unit HC12 and the light emission control unit HC12a of the semiconductor chip IC12a.

また、半導体チップIC12aの検出部K1aは、第1入力端子に半導体チップIC12の比較回路CNから出力された比較結果信号Vcr1が入力され、第2入力端子に比較回路CNaaから出力された比較結果信号Vcr1aが入力され、これらの論理和を第2の出力信号としての出力信号Ko1aとして駆動回路KD1a及び駆動回路KD2aに供給することで駆動回路KD1a及び駆動回路KD2aの出力を制御している。つまり、発光素子群HSaの発光制御及び発光停止制御は、発光制御部HC12aと半導体チップIC12の発光制御部HC12とにより行われている。   In the detection unit K1a of the semiconductor chip IC12a, the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN of the semiconductor chip IC12 is input to the first input terminal, and the comparison result signal output from the comparison circuit CNaa to the second input terminal. Vcr1a is input, and these logical sums are supplied to the drive circuit KD1a and the drive circuit KD2a as the output signal Ko1a as the second output signal, thereby controlling the outputs of the drive circuit KD1a and the drive circuit KD2a. That is, the light emission control and light emission stop control of the light emitting element group HSa are performed by the light emission control unit HC12a and the light emission control unit HC12 of the semiconductor chip IC12.

ここで、駆動回路KD1及び駆動回路KD2の出力は、検出部K1の出力信号Ko1の信号レベル、及び検出部K1aの出力信号Ko1aの信号レベルにより決まる。そして、検出部K1の出力信号Ko1の信号レベル、及び検出部K1aの出力信号Ko1aの信号レベルは、比較回路CNが出力する比較結果信号Vcr1のレベルと、比較回路CNaaが出力する比較結果信号Vcr1aのレベルと、により決定される。   Here, the outputs of the drive circuit KD1 and the drive circuit KD2 are determined by the signal level of the output signal Ko1 of the detection unit K1 and the signal level of the output signal Ko1a of the detection unit K1a. The signal level of the output signal Ko1 of the detection unit K1 and the signal level of the output signal Ko1a of the detection unit K1a are the level of the comparison result signal Vcr1 output from the comparison circuit CN and the comparison result signal Vcr1a output from the comparison circuit CNaa. And the level of

比較回路CN及び比較回路CNaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定した場合には、比較結果信号Vcr1及び比較結果信号Vcr1aはハイレベルとなる。このため、検出部K1及び検出部K1aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されて、出力信号Ko1及び出力信号Ko1aはハイレベルとなる。この場合、駆動回路KD1、駆動回路KD2、駆動回路KD1a及び駆動回路KD2aにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタN5、トランジスタN6、トランジスタN5a、及びトランジスタN6aはいずれもオフとなる。   When both the comparison circuit CN and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is lower than the light emission reference voltage VHa or a voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr1 and the comparison result signal Vcr1a are at a high level. Become. Therefore, a high level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K1 and the detection unit K1a, and the output signal Ko1 and the output signal Ko1a are at the high level. In this case, since high-level signals are input to the drive circuit KD1, the drive circuit KD2, the drive circuit KD1a, and the drive circuit KD2a, the transistors N5, N6, N5a, and N6a are all turned off.

比較回路CNが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも小さいと判定し、比較回路CNaaが駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr1はハイレベルとなり、比較結果信号Vcr1aはローレベルとなる。このとき、検出部K1の第2入力端子及び検出部K1aの第1入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されるが、検出部K1の第1入力端子及び検出部K1aの第2入力端子にはいずれもハイレベルの信号が入力されるため、出力信号Ko1及び出力信号Ko1aはハイレベルとなる。この場合、駆動回路KD1、駆動回路KD2、駆動回路KD1a及び駆動回路KD2aにはハイレベルの信号が入力されるため、トランジスタN5、トランジスタN6、トランジスタN5a、及びトランジスタN6aはいずれもオフとなる。   The comparison circuit CN determines that the drive voltage Vk is smaller than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa, and the comparison circuit CNaa determines that the drive voltage Vk is larger than the voltage based on the light emission reference voltage VHa or the light emission reference voltage VHa. Is determined, the comparison result signal Vcr1 is at a high level, and the comparison result signal Vcr1a is at a low level. At this time, a low level signal is input to both the second input terminal of the detection unit K1 and the first input terminal of the detection unit K1a, but the first input terminal of the detection unit K1 and the second input of the detection unit K1a. Since a high level signal is input to both terminals, the output signal Ko1 and the output signal Ko1a are at a high level. In this case, since high-level signals are input to the drive circuit KD1, the drive circuit KD2, the drive circuit KD1a, and the drive circuit KD2a, the transistors N5, N6, N5a, and N6a are all turned off.

比較回路CN及び比較回路CNaaの双方が、駆動電圧Vkは発光基準電圧VHa又は発光基準電圧VHaに基づく電圧よりも大きいと判定した場合には、比較結果信号Vcr1及び比較結果信号Vcr1aはローレベルとなる。このため、検出部K1及び検出部K1aの各々の第1入力端子及び第2入力端子にはいずれもローレベルの信号が入力されて、出力信号Ko1及び出力信号Ko1aはローレベルとなる。この場合、駆動回路KD1、駆動回路KD2、駆動回路KD1a及び駆動回路KD2aにはローレベルの信号が入力されるため、トランジスタN5、トランジスタN6、トランジスタN5a、及びトランジスタN6aはいずれもオンとなる。   When both the comparison circuit CN and the comparison circuit CNaa determine that the drive voltage Vk is greater than the light emission reference voltage VHa or a voltage based on the light emission reference voltage VHa, the comparison result signal Vcr1 and the comparison result signal Vcr1a are at a low level. Become. Therefore, a low level signal is input to each of the first input terminal and the second input terminal of each of the detection unit K1 and the detection unit K1a, and the output signal Ko1 and the output signal Ko1a become low level. In this case, since the low-level signal is input to the driver circuit KD1, the driver circuit KD2, the driver circuit KD1a, and the driver circuit KD2a, the transistors N5, N6, N5a, and N6a are all turned on.

以上のように、照明装置50eによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC12の発光制御部HC12と半導体チップIC12aの発光制御部HC12aとにより行うようにしたので、半導体チップIC12の比較回路CNと半導体チップIC12aの比較回路CNaaとの間に製造ばらつきがある場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   As described above, according to the illumination device 50e, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC12 of the semiconductor chip IC12 and the light emission control unit HC12a of the semiconductor chip IC12a. Even if there is a manufacturing variation between the comparison circuit CNa of the semiconductor chip IC12 and the comparison circuit CNaa of the semiconductor chip IC12a, the variation in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa is prevented. be able to.

また、照明装置50eによれば、発光素子群HSBの発光制御及び発光停止制御を、半導体チップIC12の発光制御部HC12と半導体チップIC12aの発光制御部HC12aとにより行うようにしたので、半導体チップIC12aが電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W2の配線抵抗と、半導体チップIC7が電源供給回路VSから駆動電圧Vk及び駆動電流Ikの電源供給を受けるための配線W1の配線抵抗とが異なる場合であっても、発光素子群HSと発光素子群HSaとの発光及び消灯のタイミングのばらつきを防止することができる。   Further, according to the illumination device 50e, the light emission control and the light emission stop control of the light emitting element group HSB are performed by the light emission control unit HC12 of the semiconductor chip IC12 and the light emission control unit HC12a of the semiconductor chip IC12a. Has a wiring resistance of the wiring W2 for receiving the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS, and the semiconductor chip IC7 for receiving the power supply of the driving voltage Vk and the driving current Ik from the power supply circuit VS. Even when the wiring resistance of the wiring W1 is different, it is possible to prevent variations in the timing of light emission and extinction between the light emitting element group HS and the light emitting element group HSa.

本発明にかかる照明装置は、各発光素子群の発光素子の発光タイミングのばらつきを防止できるので、産業上の利用可能性は極めて高い。   Since the illumination device according to the present invention can prevent variations in the light emission timing of the light emitting elements of each light emitting element group, the industrial applicability is extremely high.

VS 電源供給回路
HC、HCa、HCb、HCc、HCd、HCe、HC1、HC2、HC3、HC4、HC5、HC6、HC7、HC8、HC9、HC10、HC11、HC12、HC1a、HC2a、HC3a、HC4a、HC5a、HC6a、HC7a、HC8a、HC9a、HC10a、HC11a、HC12a 発光制御部
CN、CNa、CNL1、CNL2、CNL1a、CNL2a、CNaa、CNaaa 比較回路
LC1、LC2、LC1a、LC2a、LC11、LC12、LC11a、LC12a 調光回路
Vk 駆動電圧
Ik 駆動電流
Vh1、Vh2 発光電圧
Ih1、Ih2 発光電流
HS、HS1、HS2、HSa、HS11、HS12、HSB 発光素子群
HS1a、HS2a 発光素子
Vc 比較電圧
Vref1、Vref2、Vref3 基準電圧
Ref1、Ref2、Ref3、Ref4、Ref5 基準電源
Vcr1、Vcr2、Vcr3、Vcr4、Vcr5、Vcr6 比較結果電圧
Cp1、Cp2、Cp3、Cp4、Cp5、Cp6 コンパレータ
Rh1、Rh2、Rh3、Rh4、R1、R2、R3、R4、Rh1a、Rh2 抵抗素子
N1、N2、N3、N4、N5、N6、P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9、P10、P11、P12、P13、N1a、N2a、N3a、N4a、N5a、N6a、P1a、P2a、P3a、P4a、P5a、P6a、P7a、P8a、P9a、P10a、P11a、P12a、P13a トランジスタ
IC1、IC2、IC3、IC4、IC5、IC6、IC7、IC8、IC9、IC10、IC11、IC12、IC1a、IC2a、IC3a、IC4a、IC5a、IC6a、IC7a、IC8a、IC9a、IC10a、IC11a、IC12a 半導体チップ
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T1a、T2a、T3a、T4a、T5a、T6a、T7a、T8a、T9a 電極パッド
VS power supply circuit HC, HCa, HCb, HCc, HCd, HCe, HC1, HC2, HC3, HC4, HC5, HC6, HC7, HC8, HC9, HC10, HC11, HC12, HC1a, HC2a, HC3a, HC4a, HC5a, HC6a, HC7a, HC8a, HC9a, HC10a, HC11a, HC12a Light emission control unit CN, CNa, CNL1, CNL2, CNL1a, CNL2a, CNaa, CNAaa comparison circuit LC1, LC2, LC1a, LC2a, LC11, LC12, LC11a, LC12 Circuit Vk Drive voltage Ik Drive current Vh1, Vh2 Light emission voltage Ih1, Ih2 Light emission current HS, HS1, HS2, HSa, HS11, HS12, HSB Light emitting element group HS1a, HS2a Light emitting element Vc Comparison voltage Vref1 , Vref2, Vref3 Reference voltage Ref1, Ref2, Ref3, Ref4, Ref5 Reference power supply Vcr1, Vcr2, Vcr3, Vcr4, Vcr5, Vcr6 Comparison result voltage Cp1, Cp2, Cp3, Cp4, Cp5, Cp3Rh, Cp6Rh , R1, R2, R3, R4, Rh1a, Rh2 resistance elements N1, N2, N3, N4, N5, N6, P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8, P9, P10, P11, P12, P13, N1a, N2a, N3a, N4a, N5a, N6a, P1a, P2a, P3a, P4a, P5a, P6a, P7a, P8a, P9a, P10a, P11a, P12a, P13a Transistors IC1, IC2, IC3, IC4, IC5 IC6, IC7, IC8, IC9 IC10, IC11, IC12, IC1a, IC2a, IC3a, IC4a, IC5a, IC6a, IC7a, IC8a, IC9a, IC10a, IC11a, IC12a Semiconductor chips T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8, T9, T1a , T2a, T3a, T4a, T5a, T6a, T7a, T8a, T9a Electrode pads

Claims (8)

発光素子群に流れる発光電流を調整する少なくとも一つの調光部と、
駆動電圧と発光基準電圧との大小関係を検出して前記調光部を制御する発光制御部と、
前記駆動電圧を供給する電源供給回路と、
を有し、
前記発光制御部は、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも大きい場合には、前記調光部で前記発光電流を生成可能とし、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも小さい場合には、前記調光部で前記発光電流を生成不可とし、
前記発光制御部は、
前記駆動電圧に基づく比較電圧と所定の基準電圧とを比較して比較結果信号を出力する比較回路と、
前記比較結果信号に基づいてオンオフが制御される制御スイッチと、
を含み、
前記調光部は、前記制御スイッチのオンオフにより、前記発光電流の生成可否が制御され、
前記調光部は、
前記発光電流に基づく調光比較電圧が所定の調光基準電圧と一致するように調光制御信号を出力する調光比較回路と、
前記電源供給回路と前記発光素子群との間に接続されており前記調光制御信号に応じて出力レベルが制御される調光スイッチと、
を含み、
前記制御スイッチは、一端が前記電源供給回路に接続されて他端が前記調光比較回路の調光基準電圧入力端に接続されていることを特徴とする発光素子駆動回路。
At least one dimming unit for adjusting a light emission current flowing in the light emitting element group;
A light emission control unit that detects the magnitude relationship between the drive voltage and the light emission reference voltage and controls the light control unit;
A power supply circuit for supplying the drive voltage;
Have
The light emission control unit can generate the light emission current in the dimming unit when the drive voltage is larger than the light emission reference voltage, and when the drive voltage is smaller than the light emission reference voltage, The light emitting unit cannot generate the light emission current ,
The light emission control unit
A comparison circuit that compares the comparison voltage based on the drive voltage with a predetermined reference voltage and outputs a comparison result signal;
A control switch whose on / off is controlled based on the comparison result signal;
Including
The dimming unit is configured to control whether the light emission current is generated by turning on and off the control switch.
The light control unit is
A dimming comparison circuit that outputs a dimming control signal so that a dimming comparison voltage based on the light emission current matches a predetermined dimming reference voltage;
A dimming switch connected between the power supply circuit and the light emitting element group, the output level of which is controlled according to the dimming control signal;
Including
One end of the control switch is connected to the power supply circuit, and the other end is connected to a dimming reference voltage input terminal of the dimming comparison circuit.
発光素子群に流れる発光電流を調整する少なくとも一つの調光部と、
駆動電圧と発光基準電圧との大小関係を検出して前記調光部を制御する発光制御部と、
前記駆動電圧を供給する電源供給回路と、
を有し、
前記発光制御部は、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも大きい場合には、前記調光部で前記発光電流を生成可能とし、前記駆動電圧が前記発光基準電圧よりも小さい場合には、前記調光部で前記発光電流を生成不可とし、
前記発光制御部は、
前記駆動電圧に基づく比較電圧と所定の基準電圧とを比較して比較結果信号を出力する比較回路と、
前記比較結果信号に基づいてオンオフが制御される制御スイッチと、
を含み、
前記調光部は、前記制御スイッチのオンオフにより、前記発光電流の生成可否が制御され、
前記調光部は、
前記発光電流に基づく調光比較電圧が所定の調光基準電圧と一致するように調光制御信号を出力する調光比較回路と、
前記電源供給回路と前記発光素子群との間に接続されており前記調光制御信号に応じて出力レベルが制御される調光スイッチと、
を含み、
前記制御スイッチは、前記調光比較回路の下側電源端と接地端との間に接続されていることを特徴とする発光素子駆動回路。
At least one dimming unit for adjusting a light emission current flowing in the light emitting element group;
A light emission control unit that detects the magnitude relationship between the drive voltage and the light emission reference voltage and controls the light control unit;
A power supply circuit for supplying the drive voltage;
Have
The light emission control unit can generate the light emission current in the dimming unit when the drive voltage is larger than the light emission reference voltage, and when the drive voltage is smaller than the light emission reference voltage, The light emitting unit cannot generate the light emission current ,
The light emission control unit
A comparison circuit that compares the comparison voltage based on the drive voltage with a predetermined reference voltage and outputs a comparison result signal;
A control switch whose on / off is controlled based on the comparison result signal;
Including
The dimming unit is configured to control whether the light emission current is generated by turning on and off the control switch.
The light control unit is
A dimming comparison circuit that outputs a dimming control signal so that a dimming comparison voltage based on the light emission current matches a predetermined dimming reference voltage;
A dimming switch connected between the power supply circuit and the light emitting element group, the output level of which is controlled according to the dimming control signal;
Including
The light emitting element drive circuit , wherein the control switch is connected between a lower power supply terminal and a ground terminal of the dimming comparison circuit.
前記調光部として、
第1発光素子群に流れる第1発光電流を調整する第1調光部と、
第2発光素子群に流れる第2発光電流を調整する第2調光部と、
を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子駆動回路。
As the light control unit,
A first dimming unit for adjusting a first light emission current flowing in the first light emitting element group;
A second light control unit for adjusting a second light emission current flowing in the second light emitting element group;
The light-emitting element driving circuit according to claim 1 , wherein the light-emitting element driving circuit is provided.
前記調光部と前記発光制御部は、複数組設けられており、
前記複数組の発光制御部は、いずれか一つだけを前記複数組の調光部全ての制御主体として択一的に動作させる機能を備えていることを特徴とする請求項1請求項3のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
A plurality of sets of the light control unit and the light emission control unit are provided,
Wherein the plurality of sets of light emission control unit, claims 1 to 3, characterized in that it comprises a function to selectively operate only any one as all control main dimmer of the plurality of sets The light emitting element drive circuit according to any one of the above.
前記発光素子群は、前記駆動電圧に基づく発光電圧が前記発光基準電圧以上にて印加された場合に前記発光電流が流れて発光する複数の互いに直列に接続された発光素子を備えていることを特徴とする請求項1〜請求項のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。 The light emitting element group includes a plurality of light emitting elements connected in series that emit light when the light emission voltage based on the drive voltage is applied at the light emission reference voltage or higher and the light emission current flows. light-emitting element driving circuit according to any one of claims 1 to 4, characterized. 前記調光スイッチは、ソースが前記電源供給回路に接続されてドレインが前記発光素子群に接続されたPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。 The dimmer switch has a source according to any one of claims 1 to 5, wherein the drain is connected to the power supply circuit is connected PMOS transistor to the light emitting element group Light emitting element driving circuit. 発光素子群への発光電流を供給する電流経路に含まれるスイッチを制御する発光素子駆動回路であって、  A light emitting element driving circuit for controlling a switch included in a current path for supplying a light emitting current to the light emitting element group,
前記スイッチの一端の電圧に比例する電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を出力するように構成される比較回路と、  A comparison circuit configured to output a comparison result signal for controlling on and off of the switch by comparing a voltage proportional to a voltage at one end of the switch and a predetermined reference voltage;
前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否を制御するように構成される調光部と、  A dimming unit configured to adjust the light-emitting current flowing through the light-emitting element group, and configured to control whether the light-emitting current is generated according to on and off of the switch;
を有することを特徴とする発光素子駆動回路。  A light emitting element driving circuit comprising:
発光素子群への発光電流を供給する電流経路に含まれるスイッチを制御する発光素子駆動回路であって、  A light emitting element driving circuit for controlling a switch included in a current path for supplying a light emitting current to the light emitting element group,
前記スイッチの一端に接続される比較端子と、  A comparison terminal connected to one end of the switch;
前記比較端子の電圧に比例する電圧と所定の基準電圧とを比較することにより前記スイッチのオン及びオフを制御する比較結果信号を出力するように構成される比較回路と、  A comparison circuit configured to output a comparison result signal for controlling on and off of the switch by comparing a voltage proportional to the voltage of the comparison terminal and a predetermined reference voltage;
前記発光素子群に流れる前記発光電流を調整するように構成され、前記スイッチのオン及びオフに応じて前記発光電流の生成可否を制御するように構成される調光部と、  A dimming unit configured to adjust the light-emitting current flowing through the light-emitting element group, and configured to control whether the light-emitting current is generated according to on and off of the switch;
を有することを特徴とする発光素子駆動回路。  A light emitting element driving circuit comprising:
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