JP6569237B2 - 酸化第一錫の製造方法、Snめっき液の製造方法 - Google Patents
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Description
また、鋼板の上にSnめっきを形成したブリキ材は、従来から様々な用途に使用されている。
また、Snめっき液中の不純物は使用中に蓄積されるため、めっき性が経時変化してしまうおそれがある。そこで、使用後のSnめっき液から効率良く不純物を除去することが求められている。
なお、特許文献1−3には、無電解Snめっき液から不純物としてCuを除去する方法が提案されている。
そして、このSn沈殿物を前記Snイオン含有酸液から分離するSn沈殿物分離工程と、分離したSn沈殿物を純水等の溶媒液に分散させる沈殿物分散工程と、前記Sn沈殿物の分散液に対してアルカリ液を添加して加熱することにより前記Sn沈殿物からSnOを得る第2中和工程と、を備えているので、Na,K,Pb,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdの含有量を低減した酸化第一錫を得ることが可能となる。
このような構成とされた本発明のSnめっき液の製造方法においては、上述の酸化第一錫の製造方法によって得られた酸化第一錫を用いているので、Snめっき液中のNa,K,Pb,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdの含有量が低減されることになり、めっき性を向上させることが可能となる。
まず、本発明の第一の実施形態である酸化第一錫の製造方法、および、酸化第一錫について説明する。
本実施形態である酸化第一錫は、はんだ材や金属Snの原料、Snめっき液のSn供給材等、様々な用途に使用される。
このように、本実施形態である酸化第一錫は、上述した特定の不純物元素が低減されたものとされている。以下に、本実施形態である酸化第一錫における不純物元素の含有量を上述のように規定した理由について説明する。
Pbは、Snと特性が近似しており、Snから分離することが困難な元素である。よって、酸化第一錫をSnめっき液のSn供給材として使用した場合、Snめっき液中に不純物元素としてPbが蓄積され、めっき性に影響を与える。
そこで、本実施形態では、酸化第一錫におけるPbの含有量を重量比で1ppm以下に規定している。
Na,Kといった元素は、Sn原料の精製時に混入することがあり、酸化第一錫をSnめっき液のSn供給材として使用した場合に、Snめっき液中に不純物元素として蓄積され、めっき性に影響を与えるおそれがある。
そこで、本実施形態では、酸化第一錫におけるNa,Kの含有量を重量比でそれぞれ1ppm以下に規定している。
Fe,Ni,Cu,Znといった元素は、被めっき物や下地めっき等からSnめっき液内に混入し、Snめっき液中に不純物元素として蓄積され、めっき性に影響を与えるおそれがある。
そこで、本実施形態では、酸化第一錫におけるFe,Ni,Cu,Znの含有量を重量比でそれぞれ1ppm以下に規定している。
Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdといった元素は、Sn原料中から混入するおそれがあり、酸化第一錫をSnめっき液のSn供給材として使用した場合に、Snめっき液中に不純物元素として蓄積され、めっき性に影響を与えるおそれがある。
そこで、本実施形態では、酸化第一錫におけるAl,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdの含有量を重量比でそれぞれ1ppm以下に規定している。
まず、酸液にSnイオンを含有させてSnイオン含有酸液を形成する。
本実施形態では、高純度の金属Sn(純度99.99mass%以上)を準備し、この金属Snの表面を酸性洗剤で洗浄する(Sn原料洗浄工程S11)。このとき、金属Sn表面の油分と酸化物を除去し、金属Snの表面に金属光沢が出るまで洗浄する。
次に、酸液に、洗浄した金属Snを電気溶解し、Snイオン含有酸液を形成する(電気溶解工程S12)。このとき、酸液としては、特に限定はなく、メタンスルホン酸、塩酸、硝酸、硫酸、ほうふっ酸、フェノールスルホン酸、アルカノースルホン酸、アルキルスルホン酸等やこれらの混酸を用いることができる。また、Snの濃度は、例えば50g/L以上150g/L以下の範囲内とすることが好ましく、本実施形態では、100〜110g/Lとしている。
次に、Snイオン含有酸液に対して、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム、アンモニア水から選択されるいずれか1種以上のアルカリ液を添加してpH3〜6に保持することにより、Sn沈殿物(水酸化錫等)を得る。このとき、Snは、Sn沈殿物(水酸化錫等)として回収されるとともに、Na,K,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdといった元素は、Snイオン含有酸液中に残存することになる。
なお、本実施形態では、重炭酸アンモニウム水溶液を、pHが3.5〜4の範囲となるまで添加している。
次に、Sn沈殿物(水酸化錫等)をSnイオン含有酸液から分離する。
次に、分離したSn沈殿物(水酸化錫等)に対して純水による分散とろ過を2〜3回繰り返し実施し、Sn沈殿物(水酸化錫等)の洗浄を行う。これにより、Sn沈殿物(水酸化錫等)の表面に付着した不純物を除去する。そして、洗浄後のSn沈殿物(水酸化錫等)を純水中に分散させる。
次に、必要に応じて、Sn沈殿物(水酸化錫等)を分散させた分散液に対して、塩酸又はクエン酸を添加する。この酸添加工程S05により、Sn沈殿物(水酸化錫等)中の酸成分が分離されることになる。
次に、Sn沈殿物(水酸化錫等)を分散させた分散液に対して、アルカリ液を添加して加熱することにより、Sn沈殿物(水酸化錫等)からSnO(酸化第一錫)を得る。この第2中和工程S06では、Sn沈殿物(水酸化錫等)を脱水することにより、SnO(酸化第一錫)を形成している。本実施形態では、アルカリ液として重炭酸アンモニウム水溶液をpHが6以上となるまで添加するとともに、100℃以上にまで加熱している。
次に、得られたSnO(酸化第一錫)に対して純水による分散とろ過を2〜3回繰り返し実施し、SnO(酸化第一錫)の洗浄を行う。これにより、SnO(酸化第一錫)の表面に付着した不純物を除去する。そして、洗浄後のSnO(酸化第一錫)をろ過・乾燥する。
以上の工程により、本実施形態である酸化第一錫が製造される。
また、この酸化第一錫をSnめっき液のSn供給材として使用した場合であっても、Snめっき液のめっき性が低下することを抑制でき、高品質のめっき膜を効率的に形成することができる。
そして、このSn沈殿物(水酸化錫等)をSnイオン含有酸液から分離するSn沈殿物分離工程S03と、分離したSn沈殿物(水酸化錫等)を純水等の溶媒液に分散させる沈殿物分散工程S04と、Sn沈殿物(水酸化錫等)の分散液に対してアルカリ液を添加して加熱することによりSn沈殿物(水酸化錫等)からSnO(酸化第一錫)を得る第2中和工程S06と、を備えているので、Na,K,Pb,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdの含有量を低減した酸化第一錫を効率的に得ることが可能となる。
次に、本発明の第二の実施形態であるSnめっき液の製造方法について図2のフロー図を用いて説明する。なお、第一の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
まず、第一の実施形態と同様に、酸液にSnイオンを含有させてSnイオン含有酸液を形成する。このSnイオン含有酸液形成工程S01においては、Sn原料洗浄工程S11及び電気溶解工程S12を実施することにより、Snイオン含有酸液を形成している。
次に、Snイオン含有酸液に対して、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム、アンモニア水から選択されるいずれか1種以上のアルカリ液を添加してpH3〜6に保持することにより、Sn沈殿物(水酸化錫等)を得る。このとき、Snは、Sn沈殿物(水酸化錫等)として回収されるとともに、Na,K,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdといった元素は、Snイオン含有酸液中に残存することになる。
次に、Sn沈殿物(水酸化錫等)をSnイオン含有酸液から分離する。
次に、分離したSn沈殿物(水酸化錫等)に対して純水による分散とろ過を2〜3回繰り返し実施し、Sn沈殿物(水酸化錫等)の洗浄を行う。これにより、Sn沈殿物(水酸化錫等)の表面に付着した不純物を除去する。
そして、洗浄後のSn沈殿物(水酸化錫等)を、Snめっき液として使用される酸液中に溶解する。
これにより、Snめっき液を形成することができる。
そして、Sn沈殿物をSnイオン含有酸液から分離するSn沈殿物分離工程S03と、分離された前記Sn沈殿物を酸液に溶解するSn沈殿物溶解工程S104と、を備えているので、Na,K,Pb,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdの含有量が低減されたSnめっき液を得ることができる。
次に、本発明の第三の実施形態であるSnめっき液の不純物除去方法について図3のフロー図を用いて説明する。なお、第一、第二の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
そこで、本実施形態のSnめっき液の不純物除去方法は、使用済のSnめっき液から不純物元素を効率的に除去するものである。
まず、使用済のSnめっき液に対して、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム、アンモニア水から選択されるいずれか1種以上のアルカリ液を添加してpH3〜6に保持することにより、Sn沈殿物(水酸化錫等)を得る。このとき、Snは、Sn沈殿物(水酸化錫等)として回収されるとともに、Na,K,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdといった元素は、Snめっき液中に残存することになる。
次に、Sn沈殿物(水酸化錫等)をSnイオン含有酸液から分離する。
次に、分離したSn沈殿物(水酸化錫等)に対して純水による分散とろ過を2〜3回繰り返し実施し、Sn沈殿物(水酸化錫等)の洗浄を行う。これにより、Sn沈殿物(水酸化錫等)の表面に付着した不純物を除去する。
そして、洗浄後のSn沈殿物(水酸化錫等)を、Snめっき液として使用される酸液中に溶解する。
これにより、Snめっき液を形成することができる。
そして、このSn沈殿物をSnめっき液から分離するSn沈殿物分離工程S03と、分離されたSn沈殿物を酸液に溶解するSn沈殿物溶解工程S104と、を備えていることから、Na,K,Pb,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdの含有量が低減されたSnめっき液を得ることができる。
例えば、本実施形態では、Snイオン含有酸液形成工程S01において、金属Snを電気溶解するものとして説明したが、これに限定されることはなく、他の方法によって得られたSnイオン含有酸液を用いてもよい。
また、本発明の第一の実施形態では、Sn沈殿物分散工程S04と第2中和工程S06との間に、塩酸又はクエン酸を添加する酸添加工程S05を備えたものとして説明したが、これに限定されることはなく、初めから塩酸又はクエン酸を使用している場合には、酸添加工程S05を省略してもよい。
これに対して、本発明例においては、不純物元素の濃度がいずれも低くなっていた。
以上の実験結果から、本発明例によれば、Na,K,Pb,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdといった元素を効果的に除去することができ、これらの不純物元素が低減された高品質な酸化第一錫が得られることが確認された。
S02 第1中和工程
S03 Sn沈殿物分離工程
S04 Sn沈殿物分散工程
S06 第2中和工程
Claims (2)
- 酸液にSnイオンを含有させてSnイオン含有酸液を得るSnイオン含有酸液形成工程と、
前記Snイオン含有酸液に対して、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム、アンモニア水から選択されるいずれか1種以上のアルカリ液を添加してpH3〜6に保持することにより、Sn沈殿物を得る第1中和工程と、
前記Sn沈殿物を前記Snイオン含有酸液から分離するSn沈殿物分離工程と、
分離された前記Sn沈殿物を、溶媒液に分散させるSn沈殿物分散工程と、
前記Sn沈殿物の分散液に対してアルカリ液を添加して加熱することにより、前記Sn沈殿物からSnOを得る第2中和工程と、を備え、
前記Sn沈殿物分散工程と前記第2中和工程との間に、前記Sn沈殿物の分散液に対して塩酸又はクエン酸を添加する酸添加工程を備えており、
前記第1中和工程において、前記Snイオン含有酸液中にNa,K,Pb,Fe,Ni,Cu,Zn,Al,Mg,Ca,Cr,Mn,Co,In,Cdを残存させることを特徴とする酸化第一錫の製造方法。 - Snめっきを行う際に用いられるSnめっき液の製造方法であって、
請求項1に記載された酸化第一錫の製造方法によって得られた酸化第一錫を酸液中に溶解させることによりSnめっき液を製造することを特徴とするSnめっき液の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015030553A JP6569237B2 (ja) | 2014-03-06 | 2015-02-19 | 酸化第一錫の製造方法、Snめっき液の製造方法 |
CN201580003059.9A CN105813980B (zh) | 2014-03-06 | 2015-03-02 | 氧化亚锡的制造方法、氧化亚锡、Sn电镀液的制造方法及Sn电镀液的杂质去除方法 |
US15/119,215 US10184046B2 (en) | 2014-03-06 | 2015-03-02 | Method of producing stannous oxide, stannous oxide, method of Sn plating solution, and method of removing impurities from Sn plating solution |
EP15758801.3A EP3070055B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-03-02 | Method for producing stannous oxide, stannous oxide and method for producing sn plating solution |
KR1020167016846A KR102146598B1 (ko) | 2014-03-06 | 2015-03-02 | 산화 제 1 주석의 제조 방법, 산화 제 1 주석, Sn 도금액의 제조 방법 및 Sn 도금액의 불순물 제거 방법 |
PCT/JP2015/056057 WO2015133426A1 (ja) | 2014-03-06 | 2015-03-02 | 酸化第一錫の製造方法、酸化第一錫、Snめっき液の製造方法及びSnめっき液の不純物除去方法 |
TW104106824A TWI642625B (zh) | 2014-03-06 | 2015-03-04 | 氧化錫(II)之製造方法、氧化錫(II)、鍍Sn液之製造方法及鍍Sn液之雜質去除方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014044174 | 2014-03-06 | ||
JP2014044174 | 2014-03-06 | ||
JP2015030553A JP6569237B2 (ja) | 2014-03-06 | 2015-02-19 | 酸化第一錫の製造方法、Snめっき液の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015180586A JP2015180586A (ja) | 2015-10-15 |
JP6569237B2 true JP6569237B2 (ja) | 2019-09-04 |
Family
ID=54055232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015030553A Active JP6569237B2 (ja) | 2014-03-06 | 2015-02-19 | 酸化第一錫の製造方法、Snめっき液の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10184046B2 (ja) |
EP (1) | EP3070055B1 (ja) |
JP (1) | JP6569237B2 (ja) |
KR (1) | KR102146598B1 (ja) |
CN (1) | CN105813980B (ja) |
TW (1) | TWI642625B (ja) |
WO (1) | WO2015133426A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6657991B2 (ja) | 2015-02-16 | 2020-03-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化第一錫粉末及び酸化第一錫粉末の製造方法 |
WO2016133017A1 (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化第一錫粉末及び酸化第一錫粉末の製造方法 |
WO2019097831A1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | Jx金属株式会社 | 酸化第一錫及びその製造方法 |
KR102355206B1 (ko) * | 2018-03-05 | 2022-02-08 | 제이엑스금속주식회사 | 산화 제1 주석 분말 |
JP7144427B2 (ja) | 2018-07-25 | 2022-09-29 | Jx金属株式会社 | 酸化第一錫粉末 |
JP7314658B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2023-07-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 低α線放出量の酸化第一錫の製造方法 |
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EP0107284B1 (en) * | 1982-08-13 | 1988-11-23 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Process for the preparation of dispersions and gels |
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JP2754030B2 (ja) * | 1989-03-02 | 1998-05-20 | 三井金属鉱業株式会社 | 高純度錫の製造方法 |
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-
2015
- 2015-02-19 JP JP2015030553A patent/JP6569237B2/ja active Active
- 2015-03-02 EP EP15758801.3A patent/EP3070055B1/en active Active
- 2015-03-02 KR KR1020167016846A patent/KR102146598B1/ko active Active
- 2015-03-02 WO PCT/JP2015/056057 patent/WO2015133426A1/ja active Application Filing
- 2015-03-02 US US15/119,215 patent/US10184046B2/en active Active
- 2015-03-02 CN CN201580003059.9A patent/CN105813980B/zh active Active
- 2015-03-04 TW TW104106824A patent/TWI642625B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160133403A (ko) | 2016-11-22 |
KR102146598B1 (ko) | 2020-08-20 |
US10184046B2 (en) | 2019-01-22 |
EP3070055A4 (en) | 2017-05-31 |
EP3070055B1 (en) | 2018-11-07 |
TWI642625B (zh) | 2018-12-01 |
CN105813980B (zh) | 2017-08-01 |
JP2015180586A (ja) | 2015-10-15 |
WO2015133426A1 (ja) | 2015-09-11 |
CN105813980A (zh) | 2016-07-27 |
US20170009078A1 (en) | 2017-01-12 |
TW201545989A (zh) | 2015-12-16 |
EP3070055A1 (en) | 2016-09-21 |
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