JP6544082B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6544082B2 JP6544082B2 JP2015131149A JP2015131149A JP6544082B2 JP 6544082 B2 JP6544082 B2 JP 6544082B2 JP 2015131149 A JP2015131149 A JP 2015131149A JP 2015131149 A JP2015131149 A JP 2015131149A JP 6544082 B2 JP6544082 B2 JP 6544082B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- light emitting
- point
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
本開示は、発光装置に関する。
発光ダイオード（Light emitting diode、以下、「ＬＥＤ」と呼ぶ。）のような発光素子を用いる発光装置として、青色発光の発光素子及び黄色発光等の蛍光体を用いる白色系の発光装置がよく知られている。このような発光装置は、一般照明、車載照明、ディスプレイ、液晶用バックライト等の幅広い分野で使用されている。
一方、特殊照明、特に露光室用の照明、防虫・低誘虫照明には、紫外から青色の発光成分が少ない黄色蛍光灯が一般的に使用されてきた。近年ではＬＥＤを利用した白色系発光の発光装置へ紫外から青色の光をカットするポリカーボネート製の黄色カバー、安価なシリコーン製の黄色フィルムなどを装着した黄色照明が利用されている。また、ＬＥＤを用いて濃い黄色系に発光する高輝度の発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
黄色照明の光源として白色系発光の発光装置を用いる場合には、発光装置とは別に黄色カバー、黄色フィルム等の部材を準備する必要があり、また、それらの部材の材料（例えば、樹脂）が劣化する等の課題があった。また特許文献１に記載の発光装置では蛍光体とは別にフィルターとなる部材が必須であった。
本開示の一実施形態は、青色発光が抑制され、発光特性に優れる発光装置を提供することを目的とする。
本開示の一実施形態は、青色発光が抑制され、発光特性に優れる発光装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りであり、本開示に係る実施形態は以下の態様を包含する。
第一の態様は、４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する発光素子と、下記式（Ｉ）で表される組成を有し、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第一蛍光体と結着剤とを含む蛍光部材と、を備え、前記蛍光部材中の第一蛍光体の含有量が、結着剤に対して８０重量％以上であり、ＣＩＥ１９３１の色度図において、色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．４４４，０．５５５）である第一の点、（０．４１６，０．４９９）である第二の点、（０．３４０，０．５７０）である第三の点及び（０．３７３，０．６２４）である第四の点について、第一の点及び第二の点を結ぶ第一の直線と、第二の点及び第三の点を結ぶ第二の直線と、第三の点及び第四の点を結ぶ第三の直線と、第四の点及び第一の点を結ぶ色度図の曲線とで囲まれる範囲の光を発する発光装置である。
（Ｌｕ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉ）
第一の態様は、４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する発光素子と、下記式（Ｉ）で表される組成を有し、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第一蛍光体と結着剤とを含む蛍光部材と、を備え、前記蛍光部材中の第一蛍光体の含有量が、結着剤に対して８０重量％以上であり、ＣＩＥ１９３１の色度図において、色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．４４４，０．５５５）である第一の点、（０．４１６，０．４９９）である第二の点、（０．３４０，０．５７０）である第三の点及び（０．３７３，０．６２４）である第四の点について、第一の点及び第二の点を結ぶ第一の直線と、第二の点及び第三の点を結ぶ第二の直線と、第三の点及び第四の点を結ぶ第三の直線と、第四の点及び第一の点を結ぶ色度図の曲線とで囲まれる範囲の光を発する発光装置である。
（Ｌｕ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉ）
第二の態様は、４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する発光素子と、下記式（Ｉ）で表される組成を有し、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第一蛍光体、下記（ＩＩ）で表される組成を有し、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第二の蛍光体及び結着剤を含む蛍光部材と、を備え、ＣＩＥ１９３１の色度図において、色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．５１２，０．４８７）である第五の点、（０．４６７，０．４４８）である第六の点、（０．３４０，０．５７０）である第三の点及び（０．３７３，０．６２４）である第四の点について、第五の点及び第六の点を結ぶ第四の直線と、第六の点及び第三の点を結ぶ第五の直線と、第三の点及び第四の点を結ぶ第三の直線と、第四の点及び第五の点を結ぶ色度図の曲線とで囲まれる範囲の光を発する発光装置である。
（Ｌｕ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉ）
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）８ＭｇＳｉ４Ｏ１６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ）２：Ｅｕ （ＩＩ）
（Ｌｕ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉ）
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）８ＭｇＳｉ４Ｏ１６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ）２：Ｅｕ （ＩＩ）
本開示の一実施形態によれば、青色発光が抑制され、発光特性に優れる発光装置を提供することができる。
以下、本開示に係る発光装置を、実施の形態及び実施例に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための、発光装置を例示するものであって、本発明は、発光装置を以下のものに特定しない。
なお、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係等は、ＪＩＳ Ｚ８１１０に従う。
本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
なお、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係等は、ＪＩＳ Ｚ８１１０に従う。
本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
発光装置
第一の態様の発光装置は、４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する発光素子と、下記式（Ｉ）で表される組成を有し、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第一蛍光体と結着剤とを含む蛍光部材と、を備え、前記蛍光部材中の第一蛍光体の含有量が、結着剤に対して８０重量％以上であり、ＣＩＥ１９３１の色度図において、色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．４４４，０．５５５）である第一の点、（０．４１６，０．４９９）である第二の点、（０．３４０，０．５７０）である第三の点及び（０．３７３，０．６２４）である第四の点について、第一の点及び第二の点を結ぶ第一の直線と、第二の点及び第三の点を結ぶ第二の直線と、第三の点及び第四の点を結ぶ第三の直線と、第四の点及び第一の点を結ぶ色度図の曲線とで囲まれる範囲（以下、「第一の色度座標範囲」ともいう。）の光を発する。
（Ｌｕ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉ）
第一の態様の発光装置は、４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する発光素子と、下記式（Ｉ）で表される組成を有し、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第一蛍光体と結着剤とを含む蛍光部材と、を備え、前記蛍光部材中の第一蛍光体の含有量が、結着剤に対して８０重量％以上であり、ＣＩＥ１９３１の色度図において、色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．４４４，０．５５５）である第一の点、（０．４１６，０．４９９）である第二の点、（０．３４０，０．５７０）である第三の点及び（０．３７３，０．６２４）である第四の点について、第一の点及び第二の点を結ぶ第一の直線と、第二の点及び第三の点を結ぶ第二の直線と、第三の点及び第四の点を結ぶ第三の直線と、第四の点及び第一の点を結ぶ色度図の曲線とで囲まれる範囲（以下、「第一の色度座標範囲」ともいう。）の光を発する。
（Ｌｕ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉ）
また、第二の態様の発光装置は、４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する発光素子と、下記式（Ｉ）で表される組成を有し、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第一蛍光体、下記（ＩＩ）で表される組成を有し、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第二の蛍光体及び結着剤を含む蛍光部材と、を備え、ＣＩＥ１９３１の色度図において、色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．５１２，０．４８７）である第五の点、（０．４６７，０．４４８）である第六の点、（０．３４０，０．５７０）である第三の点及び（０．３７３，０．６２４）である第四の点について、第五の点及び第六の点を結ぶ第四の直線と、第六の点及び第三の点を結ぶ第五の直線と、第三の点及び第四の点を結ぶ第三の直線と、第四の点及び第五の点を結ぶ色度図の曲線とで囲まれる範囲（以下、「第二の色度座標範囲」ともいう。）の光を発する。
（Ｌｕ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉ）
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）８ＭｇＳｉ４Ｏ１６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ）２：Ｅｕ （ＩＩ）
（Ｌｕ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉ）
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）８ＭｇＳｉ４Ｏ１６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ）２：Ｅｕ （ＩＩ）
本実施形態に係る発光装置はいずれも、特定の発光ピーク波長の発光素子と、式（Ｉ）で表される組成を有し、特定範囲に発光ピーク波長を有する第一蛍光体及び結着剤を含む蛍光部材とを備え、第一の色度座標範囲の光を発するように構成されていることで、フィルター等の他の部材を要することなく、青色領域における発光が抑制され、発光特性に優れる発光装置を構成することができる。図９に本実施形態に係る発光装置が発する光の色度座標範囲を示す。図９は色度図を部分的に拡大した図であり、第一の色度座標範囲が第二の色度座標範囲に包含されている。
本実施形態に係る発光装置においては青色領域の発光が抑制される。この青色領域は例えば、４６０ｎｍ以下の波長範囲である。発光装置の発光スペクトルは、その波長領域における最大発光強度が、５００ｎｍ以上の波長範囲における最大発光強度に対して、５％未満であることが好ましく、３．０％以下がより好ましく、２．５％以下であることがより好ましく、２．０％以下であることがより好ましく、１．５％以下であることが更に好ましい。
発光装置の形式は特に制限されず、通常用いられる形式から適宜選択することができる。発光装置の形式としては、ピン貫通型、表面実装型等を挙げることができる。一般にピン貫通型とは、実装基板に設けられたスルーホールに発光装置のリード（ピン）を貫通させて発光装置を固定するものを指す。また表面実装型とは、実装基板の表面において発光装置のリードを固定するものを指す。
本実施形態に係る発光装置の一例を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置の一例を示す概略断面図である。この発光装置は、表面実装型発光装置の一例である。
発光装置１００は、可視光の短波長側（例えば、３８０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の範囲）の光を発し、発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下である窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子１０と、発光素子１０を載置する成形体４０と、を有する。成形体４０は第１のリード２０と第２のリード３０とを有しており、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂である封止樹脂により一体成形されている。成形体４０は底面と側面を持つ凹部を形成しており、凹部の底面に発光素子１０が載置されている。発光素子１０は一対の正負の電極を有しており、その一対の正負の電極はそれぞれ第１のリード２０及び第２のリード３０とワイヤ６０を介して電気的に接続されている。発光素子１０は蛍光部材５０により被覆されている。蛍光部材５０は発光素子１０からの光を波長変換する第一蛍光体７１と結着剤とを含有してなる。蛍光部材５０を構成する結着剤には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。
発光装置１００は、可視光の短波長側（例えば、３８０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の範囲）の光を発し、発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下である窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子１０と、発光素子１０を載置する成形体４０と、を有する。成形体４０は第１のリード２０と第２のリード３０とを有しており、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂である封止樹脂により一体成形されている。成形体４０は底面と側面を持つ凹部を形成しており、凹部の底面に発光素子１０が載置されている。発光素子１０は一対の正負の電極を有しており、その一対の正負の電極はそれぞれ第１のリード２０及び第２のリード３０とワイヤ６０を介して電気的に接続されている。発光素子１０は蛍光部材５０により被覆されている。蛍光部材５０は発光素子１０からの光を波長変換する第一蛍光体７１と結着剤とを含有してなる。蛍光部材５０を構成する結着剤には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。
蛍光部材５０は、発光装置１００の凹部内に載置された発光素子１０を覆うように透光性の樹脂で充填されて形成される。製造の容易性を考慮すると、蛍光部材に含まれる結着剤は透光性樹脂が好ましい。透光性樹脂は、シリコーン樹脂組成物を使用することが好ましいが、エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の絶縁樹脂組成物を用いることもできる。蛍光部材５０は透光性樹脂に代えてガラスを含んでいてもよい。
蛍光部材５０には第一蛍光体７１が含有されているが、さらに適宜、その他の材料を添加することもできる。例えば、光拡散材を含むことで、発光素子からの指向性を緩和させ、視野角を増大させることができる。
蛍光部材５０には第一蛍光体７１が含有されているが、さらに適宜、その他の材料を添加することもできる。例えば、光拡散材を含むことで、発光素子からの指向性を緩和させ、視野角を増大させることができる。
蛍光部材５０は、発光素子１０や第一蛍光体７１を外部環境から保護するための部材としてだけではなく、波長変換部材としても機能する。図１では、第一蛍光体７１は蛍光部材５０中で部分的に偏在している。このように発光素子１０に接近して第一蛍光体７１を配置することにより、発光素子１０からの光を効率よく波長変換することができ、発光効率の優れた発光装置とできる。なお、第一蛍光体７１を含む蛍光部材５０と、発光素子１０との配置は、それらを接近して配置させる形態に限定されることなく、第一蛍光体７１への熱の影響を考慮して、蛍光部材５０中で発光素子１０と、第一蛍光体７１との間隔を空けて配置することもできる。また、第一蛍光体７１を蛍光部材５０の全体にほぼ均一の割合で混合することによって、色ムラがより抑制された光を得るようにすることもできる。
図２は、本実施形態に係る発光装置の別の一例を示す概略断面図である。図２に示す発光装置では、蛍光部材５０が、蛍光体として第一蛍光体７１及び第二蛍光体７２を含んでいること以外は、図１に示す発光装置と同様の構成を有している。図２では、第一蛍光体７１及び第二蛍光体７２が混合された状態で蛍光部材５０に含まれている。
図３は、本実施形態に係る発光装置の別の一例を示す概略断面図である。図３では、第一蛍光体７１及び第二蛍光体７２が積層されて配置されている。更に図３に示すように、発光素子１０により近い側から第一蛍光体７１、第二蛍光体７２の順番に配置することもできる。これにより、第一蛍光体７１に吸収されることがなかった青色領域の余分な光を第二蛍光体７２が吸収するので、第一蛍光体７１及び第二蛍光体７２が混合された状態よりも、より青色領域の光を発光装置の外に漏らさないようにすることができる。
図３は、本実施形態に係る発光装置の別の一例を示す概略断面図である。図３では、第一蛍光体７１及び第二蛍光体７２が積層されて配置されている。更に図３に示すように、発光素子１０により近い側から第一蛍光体７１、第二蛍光体７２の順番に配置することもできる。これにより、第一蛍光体７１に吸収されることがなかった青色領域の余分な光を第二蛍光体７２が吸収するので、第一蛍光体７１及び第二蛍光体７２が混合された状態よりも、より青色領域の光を発光装置の外に漏らさないようにすることができる。
発光素子
発光素子の発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の波長範囲にある。この波長範囲に発光ピーク波長を有する発光素子を励起光源として用いることにより、発光素子からの光と蛍光体からの蛍光との混色光を発する発光装置を構成することが可能となる。発光素子の発光ピーク波長は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下が好ましく、４４５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下がより好ましい。
発光素子の発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の波長範囲にある。この波長範囲に発光ピーク波長を有する発光素子を励起光源として用いることにより、発光素子からの光と蛍光体からの蛍光との混色光を発する発光装置を構成することが可能となる。発光素子の発光ピーク波長は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下が好ましく、４４５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下がより好ましい。
発光素子の発光スペクトルの半値幅は特に制限されない。半値幅は例えば、３０ｎｍ以下とすることができる。
発光素子には半導体発光素子を用いることが好ましい。光源として半導体発光素子を用いることによって、高効率で入力に対する出力のリニアリティが高く、機械的衝撃にも強い安定した発光装置を得ることができる。
発光素子としては、例えば、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、ここでＸ及びＹは、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１を満たす）を用いた青色、緑色等に発光する半導体発光素子を用いることができる。
発光素子には半導体発光素子を用いることが好ましい。光源として半導体発光素子を用いることによって、高効率で入力に対する出力のリニアリティが高く、機械的衝撃にも強い安定した発光装置を得ることができる。
発光素子としては、例えば、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、ここでＸ及びＹは、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１を満たす）を用いた青色、緑色等に発光する半導体発光素子を用いることができる。
第一蛍光体
発光装置を構成する蛍光部材は、上記式（Ｉ）で表される組成を有し、発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する第一蛍光体の少なくとも１種を含む。第一蛍光体は下記式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）の少なくともいずれか一方で表される組成を有することが好ましい。
（Ｙ,Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉａ）
Ｙ３（Ａｌ,Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉｂ）
発光装置を構成する蛍光部材は、上記式（Ｉ）で表される組成を有し、発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する第一蛍光体の少なくとも１種を含む。第一蛍光体は下記式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）の少なくともいずれか一方で表される組成を有することが好ましい。
（Ｙ,Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉａ）
Ｙ３（Ａｌ,Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉｂ）
第一蛍光体の発光ピーク波長は、５２０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下が好ましく、５３０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下がより好ましい。第一蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、例えば１４０ｎｍ以下であり、１３０ｎｍ以下が好ましい。また半値幅は、例えば９０ｎｍ以上であり、１００ｎｍ以上が好ましい。
第一蛍光体の反射率は、基準試料の反射率を１００％とする場合に、４３０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長範囲の最小値が３０％以下であることが好ましく、２０％以下がより好ましい。
蛍光体の反射率は、日立ハイテクノロジーズ製の分光蛍光光度計Ｆ−４５００を用い、基準試料としてリン酸水素カルシウム（ＣａＨＰＯ4）を用いて測定される。測定した光の強度を以下の数式で計算することにより各波長における反射率を求めた。
反射率（％）＝（試料による反射光の強度÷基準試料による反射光の強度）×１００
蛍光体の反射率は、日立ハイテクノロジーズ製の分光蛍光光度計Ｆ−４５００を用い、基準試料としてリン酸水素カルシウム（ＣａＨＰＯ4）を用いて測定される。測定した光の強度を以下の数式で計算することにより各波長における反射率を求めた。
反射率（％）＝（試料による反射光の強度÷基準試料による反射光の強度）×１００
第一蛍光体の平均粒径は特に制限されず、例えば５μｍ以上１０μｍ以下であり、５μｍ以上８μｍ以下が好ましく、５μｍ以上８μｍ未満が好ましく、５μｍ以上６μｍ以下がより好ましい。
本明細書において蛍光体の平均粒径は、フィッシャー・サブ・シーブ・サイザーズ・ナンバー（Fisher Sub Sieve Sizer's No.）と呼ばれる数値であり、空気透過法を用いて測定される。
蛍光部材は第一蛍光体を１種単独でも、２種以上を組合せて含んでいてもよい。
本明細書において蛍光体の平均粒径は、フィッシャー・サブ・シーブ・サイザーズ・ナンバー（Fisher Sub Sieve Sizer's No.）と呼ばれる数値であり、空気透過法を用いて測定される。
蛍光部材は第一蛍光体を１種単独でも、２種以上を組合せて含んでいてもよい。
蛍光部材に含まれる第一蛍光体の含有量は、例えば、結着剤に対して８０重量％以上であり、１３０重量％以上が好ましく、１７０重量％以上がより好ましい。また第一蛍光体の含有量は、例えば、結着剤に対して２３０重量％以下であり、２１０重量％以下が好ましい。
第二蛍光体
発光装置を構成する蛍光部材は、第一蛍光体に加えて、上記式（ＩＩ）で表される組成を有し、発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する第二蛍光体の少なくとも１種を含んでいてもよい。
第二蛍光体はＣａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選択される少なくとも１種を含むが、少なくともＣａを含むことが好ましく、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａの総量に対してＣａ含有率が９０モル％以上であることがより好ましい。また第二蛍光体はＦ、Ｃｌ及びＢｒからなる群から選択される少なくとも１種を含むが、少なくともＣｌを含むことが好ましく、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒの総量に対してＣｌ含有率が９０モル％以上であることがより好ましい。
更に第二蛍光体は下記式（IIａ）で表される組成を有することが好ましい。
Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ （IIａ）
発光装置を構成する蛍光部材は、第一蛍光体に加えて、上記式（ＩＩ）で表される組成を有し、発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する第二蛍光体の少なくとも１種を含んでいてもよい。
第二蛍光体はＣａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選択される少なくとも１種を含むが、少なくともＣａを含むことが好ましく、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａの総量に対してＣａ含有率が９０モル％以上であることがより好ましい。また第二蛍光体はＦ、Ｃｌ及びＢｒからなる群から選択される少なくとも１種を含むが、少なくともＣｌを含むことが好ましく、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒの総量に対してＣｌ含有率が９０モル％以上であることがより好ましい。
更に第二蛍光体は下記式（IIａ）で表される組成を有することが好ましい。
Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ （IIａ）
第二蛍光体の発光ピーク波長は、５１０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、５１５ｎｍ以上５２５ｎｍ以下がより好ましい。
第二蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、例えば７５ｎｍ以下であり、６５ｎｍ以下が好ましい。また半値幅は、例えば４５ｎｍ以上であり、５５ｎｍ以上が好ましい。
第二蛍光体の反射率は、４００ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長範囲の最大値が３０％以下であることが好ましく、２０％以下がより好ましい。
第二蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、例えば７５ｎｍ以下であり、６５ｎｍ以下が好ましい。また半値幅は、例えば４５ｎｍ以上であり、５５ｎｍ以上が好ましい。
第二蛍光体の反射率は、４００ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長範囲の最大値が３０％以下であることが好ましく、２０％以下がより好ましい。
第二蛍光体の平均粒径は特に制限されず、例えば５μｍ以上２０μｍ以下であり、８μｍ以上１５μｍ以下が好ましく、９μｍ以上１３μｍ以下がより好ましい。
蛍光部材は第二蛍光体を１種単独でも、２種以上を組合せて含んでいてもよい。
蛍光部材は第二蛍光体を１種単独でも、２種以上を組合せて含んでいてもよい。
蛍光部材に含まれる第二蛍光体の含有量は、例えば、第一蛍光体に対して４５重量％以下であり、４０重量％以下が好ましく、３０重量％以下がより好ましい。また第二蛍光体の含有量は、例えば、第一蛍光体に対して１０重量％以上であり、２０重量％以上が好ましい。
蛍光部材における第一蛍光体及び第二蛍光体の総含有量は、例えば、結着剤に対して８０重量％以上であり、１３０重量％以上が好ましく、１５０重量％以上がより好ましい。また総含有量は、例えば、結着剤に対して２３０重量％以下であり、２１０重量％以下が好ましい。蛍光体の量が多くなり過ぎると蛍光体を含む結着剤の粘度が高くなるため、発光装置の製造工程において、蛍光体を含む結着剤を所定の位置に配置する作業性が悪くなるためである。
その他の蛍光体
蛍光部材は、第一蛍光体、第二蛍光体以外の蛍光体を含むことを排除するものではなく、第一蛍光体及び第二蛍光体以外の蛍光体を本開示の目的を損なわない程度に含んでいてもよい。その他の蛍光体としては、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）３Ｓｉ６Ｏ９Ｎ４：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ)Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｋ２（Ｓｉ，Ｔｉ，Ｇｅ）Ｆ６：Ｍｎ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＯＨ）２：Ｅｕ、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ、（Ｓｉ,Ａｌ）６（Ｏ,Ｎ）８：Ｅｕ等を挙げることができる。蛍光部材がその他の蛍光体を含む場合、その含有量は目的等に応じて適宜選択することができる。その他の蛍光体の含有量は、例えば、蛍光体の総量中に３０重量％以下であり、１重量％以下としてもよい。
蛍光部材が第一蛍光体７１及び第二蛍光体７２に加え、その他の蛍光体を含み、それぞれの蛍光体が配置される場合、蛍光体同士の間での光の吸収の影響をより効果的に抑えるため、例えば、発光素子の側から順に、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、第一の蛍光体または第二の蛍光体を配置することができる。
蛍光部材は、第一蛍光体、第二蛍光体以外の蛍光体を含むことを排除するものではなく、第一蛍光体及び第二蛍光体以外の蛍光体を本開示の目的を損なわない程度に含んでいてもよい。その他の蛍光体としては、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）３Ｓｉ６Ｏ９Ｎ４：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ)Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｋ２（Ｓｉ，Ｔｉ，Ｇｅ）Ｆ６：Ｍｎ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＯＨ）２：Ｅｕ、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ、（Ｓｉ,Ａｌ）６（Ｏ,Ｎ）８：Ｅｕ等を挙げることができる。蛍光部材がその他の蛍光体を含む場合、その含有量は目的等に応じて適宜選択することができる。その他の蛍光体の含有量は、例えば、蛍光体の総量中に３０重量％以下であり、１重量％以下としてもよい。
蛍光部材が第一蛍光体７１及び第二蛍光体７２に加え、その他の蛍光体を含み、それぞれの蛍光体が配置される場合、蛍光体同士の間での光の吸収の影響をより効果的に抑えるため、例えば、発光素子の側から順に、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、第一の蛍光体または第二の蛍光体を配置することができる。
結着剤
蛍光部材は、結着剤の少なくとも１種を含む。蛍光部材を構成する結着剤としては、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂として、具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂等の変性シリコーン樹脂などを挙げることができる。
蛍光部材は、結着剤の少なくとも１種を含む。蛍光部材を構成する結着剤としては、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂として、具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂等の変性シリコーン樹脂などを挙げることができる。
蛍光部材は、蛍光体及び結着剤に加えてその他の成分を必要に応じて含んでいてもよい。その他の成分としては、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム等のフィラー、光安定化剤、着色剤等を挙げることができる。蛍光部材がその他の成分を含む場合、その含有量は特に制限されず、目的等に応じて適宜選択することができる。例えば、その他の成分として、フィラーを含む場合、その含有量は結着剤１００重量部に対して、０．０１〜２０重量部とすることができる。
以下、本開示に係る実施例を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
以下に示す蛍光体をそれぞれ準備した。
第一蛍光体として、下記式（Ｉａ）で表される組成を有し、発光ピーク波長が５７０ｎｍであって、平均粒径がそれぞれ１０μｍ、８μｍ、７μｍ、６μｍ又は５μｍである蛍光体１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ及び１ｅと、下記式（Ｉｂ）で表される組成を有し、発光ピーク波長が５３３ｎｍであり、平均粒径が９μｍである蛍光体２とを準備した。
（Ｙ０．８１Ｇｄ０．１９）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉａ）
Ｙ３（Ａｌ０．８Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉｂ）
また第二蛍光体として、下記式（IIａ）で表される組成を有し、発光ピーク波長が５２０ｎｍであり、平均粒径が１１μｍである蛍光体３を準備した。
Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ （IIａ）
準備した蛍光体１ａ、２、３について、励起波長４５０ｎｍにおける発光スペクトルを図４Ａに示す。図４Ａでは、それぞれの蛍光体について波長に対する相対発光強度を示す規格化された発光スペクトルが示されている。また、それらの蛍光体の反射スペクトルを図４Ｂに示す。図４Ｂでは、波長に対する反射率を示す反射スペクトルが示されている。
第一蛍光体として、下記式（Ｉａ）で表される組成を有し、発光ピーク波長が５７０ｎｍであって、平均粒径がそれぞれ１０μｍ、８μｍ、７μｍ、６μｍ又は５μｍである蛍光体１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ及び１ｅと、下記式（Ｉｂ）で表される組成を有し、発光ピーク波長が５３３ｎｍであり、平均粒径が９μｍである蛍光体２とを準備した。
（Ｙ０．８１Ｇｄ０．１９）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉａ）
Ｙ３（Ａｌ０．８Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ （Ｉｂ）
また第二蛍光体として、下記式（IIａ）で表される組成を有し、発光ピーク波長が５２０ｎｍであり、平均粒径が１１μｍである蛍光体３を準備した。
Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ （IIａ）
準備した蛍光体１ａ、２、３について、励起波長４５０ｎｍにおける発光スペクトルを図４Ａに示す。図４Ａでは、それぞれの蛍光体について波長に対する相対発光強度を示す規格化された発光スペクトルが示されている。また、それらの蛍光体の反射スペクトルを図４Ｂに示す。図４Ｂでは、波長に対する反射率を示す反射スペクトルが示されている。
評価方法
（１）平均粒径
蛍光体の平均粒径は、Ｆ．Ｓ．Ｓ．Ｓ．Ｎｏ．（Fisher Sub Sieve Sizer's No.）と呼ばれる値であり、空気透過法で得られる。具体的には、気温２５℃、湿度７０％の環境下において、１ｃｍ３分の試料を計り取り、専用の管状容器にパッキングした後、一定圧力の乾燥空気を流し、差圧から比表面積を読み取り、平均粒径に換算した値である。平均粒径は、Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製 Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ−Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒ Ｍｏｄｅｌ９５を用いて測定した。
（１）平均粒径
蛍光体の平均粒径は、Ｆ．Ｓ．Ｓ．Ｓ．Ｎｏ．（Fisher Sub Sieve Sizer's No.）と呼ばれる値であり、空気透過法で得られる。具体的には、気温２５℃、湿度７０％の環境下において、１ｃｍ３分の試料を計り取り、専用の管状容器にパッキングした後、一定圧力の乾燥空気を流し、差圧から比表面積を読み取り、平均粒径に換算した値である。平均粒径は、Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製 Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ−Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒ Ｍｏｄｅｌ９５を用いて測定した。
（２）青色ピーク強度
発光装置の発光スペクトルから、５００ｎｍ以上の波長範囲における最大発光強度に対する４６０ｎｍ以下の波長範囲における最大発光強度の比率（％）として、青色ピーク強度を算出した。
（３）相対光束
発光装置の全光束を、積分式全光束測定装置を用いて測定し、実施例１の発光装置の全光束を１００％とした場合の相対光束（％）として示す。
発光装置の発光スペクトルから、５００ｎｍ以上の波長範囲における最大発光強度に対する４６０ｎｍ以下の波長範囲における最大発光強度の比率（％）として、青色ピーク強度を算出した。
（３）相対光束
発光装置の全光束を、積分式全光束測定装置を用いて測定し、実施例１の発光装置の全光束を１００％とした場合の相対光束（％）として示す。
（４）反射率
蛍光体の反射率の測定には、日立ハイテクノロジーズ製の分光蛍光光度計Ｆ−４５００を用いた。以下に反射率の測定方法を具体的に説明する。光源としてキセノンランプを使用し、光源からの光を第一のモノクロメーターに導入した。導入された光のうち目的とする波長のみを第一のモノクロメーターで選択して反射率を求める試料に照射した。試料で反射された光を第二のモノクロメーターに導入し、第一のモノクロメーターで選択した波長と同一の波長を第二のモノクロメーターでも選択した。第二のモノクロメーターで選択された光を光電子倍増管に導入して光の強度を測定した。引き続いて第一のモノクロメーターおよび第二のモノクロメーターで選択する波長を同期して変化させ、所望の波長範囲での光の強度を測定した。反射率の基準試料としてはリン酸水素カルシウム（ＣａＨＰＯ４）とし、前述の試料と同様の手順で基準試料から反射される光の強度を測定した。測定した光の強度を以下の数式で計算することにより各波長における反射率を求めた。
反射率（％）＝（試料による反射光の強度÷基準試料による反射光の強度）×１００
蛍光体の反射率の測定には、日立ハイテクノロジーズ製の分光蛍光光度計Ｆ−４５００を用いた。以下に反射率の測定方法を具体的に説明する。光源としてキセノンランプを使用し、光源からの光を第一のモノクロメーターに導入した。導入された光のうち目的とする波長のみを第一のモノクロメーターで選択して反射率を求める試料に照射した。試料で反射された光を第二のモノクロメーターに導入し、第一のモノクロメーターで選択した波長と同一の波長を第二のモノクロメーターでも選択した。第二のモノクロメーターで選択された光を光電子倍増管に導入して光の強度を測定した。引き続いて第一のモノクロメーターおよび第二のモノクロメーターで選択する波長を同期して変化させ、所望の波長範囲での光の強度を測定した。反射率の基準試料としてはリン酸水素カルシウム（ＣａＨＰＯ４）とし、前述の試料と同様の手順で基準試料から反射される光の強度を測定した。測定した光の強度を以下の数式で計算することにより各波長における反射率を求めた。
反射率（％）＝（試料による反射光の強度÷基準試料による反射光の強度）×１００
（実施例１）
発光装置の作製
発光ピーク波長が４５５ｎｍの青色発光ＬＥＤに、第一蛍光体である蛍光体１ａを組合せて、表面実装型の発光装置を作製した。
蛍光体１ａの含有量が結着剤であるシリコーン樹脂に対して１８０重量％になるように蛍光体１ａとシリコーン樹脂を配合し、混合分散した後、更に脱泡することにより蛍光体含有樹脂組成物を得た。次にこの蛍光体含有樹脂組成物を発光素子の上に注入、充填し、さらに加熱することで樹脂組成物を硬化させた。このような工程により発光装置を作製した。
得られた発光装置について、発光色の色度座標（ｘ，ｙ）、青色ピーク強度及び相対光束を測定した。その結果を以下の表１に示す。また、得られた実施例１の発光装置の発光スペクトルを図５Ａ、５Ｂに示す。なお、図５Ｂは、図５Ａにおける４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲を部分的に拡大した図である。図５Ａ及び５Ｂでは、波長に対する相対発光強度を示す規格化された発光スペクトルが示されていている。
発光装置の作製
発光ピーク波長が４５５ｎｍの青色発光ＬＥＤに、第一蛍光体である蛍光体１ａを組合せて、表面実装型の発光装置を作製した。
蛍光体１ａの含有量が結着剤であるシリコーン樹脂に対して１８０重量％になるように蛍光体１ａとシリコーン樹脂を配合し、混合分散した後、更に脱泡することにより蛍光体含有樹脂組成物を得た。次にこの蛍光体含有樹脂組成物を発光素子の上に注入、充填し、さらに加熱することで樹脂組成物を硬化させた。このような工程により発光装置を作製した。
得られた発光装置について、発光色の色度座標（ｘ，ｙ）、青色ピーク強度及び相対光束を測定した。その結果を以下の表１に示す。また、得られた実施例１の発光装置の発光スペクトルを図５Ａ、５Ｂに示す。なお、図５Ｂは、図５Ａにおける４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲を部分的に拡大した図である。図５Ａ及び５Ｂでは、波長に対する相対発光強度を示す規格化された発光スペクトルが示されていている。
(実施例２〜４、比較例１)
蛍光体の種類及び含有量を以下の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして発光装置を作製し、同様に評価した。その結果を以下の表１に示す。また得られた実施例２の発光装置の発光スペクトルを図５Ａ及び５Ｂに実施例１と併せて示す。また得られた実施例３、４の発光装置の発光スペクトルを図６Ａ及び６Ｂに示す。なお、図６Ｂは、図６Ａにおける４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲を部分的に拡大した図である。図６Ａ及び６Ｂでは、波長に対する相対発光強度を示す規格化された発光スペクトルが示されていている。
蛍光体の種類及び含有量を以下の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして発光装置を作製し、同様に評価した。その結果を以下の表１に示す。また得られた実施例２の発光装置の発光スペクトルを図５Ａ及び５Ｂに実施例１と併せて示す。また得られた実施例３、４の発光装置の発光スペクトルを図６Ａ及び６Ｂに示す。なお、図６Ｂは、図６Ａにおける４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲を部分的に拡大した図である。図６Ａ及び６Ｂでは、波長に対する相対発光強度を示す規格化された発光スペクトルが示されていている。
表１から、第一蛍光体の含有量が結着剤に対して８０重量％未満であると青色ピーク強度が５％以上と大きくなることが分かる。また、第一蛍光体の含有量が増えると青色ピーク強度がより小さくなることが分かる。
蛍光体１ａを使用した発光装置よりも、蛍光体２を使用した発光装置の方が、光束が高い。これは例えば、図４Ａに示されるように蛍光体１ａよりも蛍光体２のほうが視感度曲線との重なりが多いためと考えられる。
蛍光体１ａを使用した発光装置よりも、蛍光体２を使用した発光装置の方が、光束が高い。これは例えば、図４Ａに示されるように蛍光体１ａよりも蛍光体２のほうが視感度曲線との重なりが多いためと考えられる。
（実施例５〜８）
第一蛍光体として、平均粒径が以下の表２に示すように異なる蛍光体１ｂ〜１ｅを用いたこと以外は実施例１と同様にして発光装置を作製し、同様に評価した。その結果を以下の表２に示す。また、実施例５〜８の発光装置の発光スペクトルの部分拡大図を実施例１のそれと併せて図７に示す。図７は、波長に対する相対発光強度を示す発光スペクトルが示されていている。
第一蛍光体として、平均粒径が以下の表２に示すように異なる蛍光体１ｂ〜１ｅを用いたこと以外は実施例１と同様にして発光装置を作製し、同様に評価した。その結果を以下の表２に示す。また、実施例５〜８の発光装置の発光スペクトルの部分拡大図を実施例１のそれと併せて図７に示す。図７は、波長に対する相対発光強度を示す発光スペクトルが示されていている。
表２に示すように、蛍光体の含有量が同じであっても、小さい平均粒径の蛍光体を使用することで青色ピーク強度が小さくなることが分かる。言い換えると、青色ピーク強度が同じくする場合、使用する蛍光体の平均粒径を小さくするほど蛍光体含有量はできるだけ少なくすることができる。
（実施例９〜１２）
蛍光体の種類及び含有量を以下の表３に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして発光装置を作製し、同様に評価した。その結果を以下の表３に示す。
蛍光体の種類及び含有量を以下の表３に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして発光装置を作製し、同様に評価した。その結果を以下の表３に示す。
表３より、蛍光体の平均粒径が小さいほど、蛍光体の含有量が少なくても青色ピーク強度の値が５％未満となることが分かる。これは例えば、以下のように説明することができる。蛍光体の平均粒径が小さいと蛍光体が蛍光部材中で密集し易くなる、すなわち、蛍光体と蛍光体との間の隙間が小さくなる。発光素子から発せられる４６０ｎｍ以下の青色光が蛍光体と蛍光体との間の隙間を通り抜けることなく蛍光体に効率よく吸収されるようになり、発光装置の外部に放出され難くなるためと推測される。
（実施例１３〜１５）
第一蛍光体である蛍光体１ａと第二蛍光体である蛍光体３とを、蛍光体の総含有量がシリコーン樹脂に対して１８０重量％になるように、表４に示す配合比で用いたこと以外は実施例１と同様にして発光装置を作製し、同様に評価した。その結果を以下の表４に示す。また実施例１３〜１５の発光装置の発光スペクトルを実施例１のそれと併せて図８Ａ、８Ｂに示す。なお、図８Ｂは、図８Ａにおける４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲を部分的に拡大した図である。図８Ａ及び８Ｂでは、波長に対する相対発光強度を示す規格化された発光スペクトルが示されていている。
第一蛍光体である蛍光体１ａと第二蛍光体である蛍光体３とを、蛍光体の総含有量がシリコーン樹脂に対して１８０重量％になるように、表４に示す配合比で用いたこと以外は実施例１と同様にして発光装置を作製し、同様に評価した。その結果を以下の表４に示す。また実施例１３〜１５の発光装置の発光スペクトルを実施例１のそれと併せて図８Ａ、８Ｂに示す。なお、図８Ｂは、図８Ａにおける４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲を部分的に拡大した図である。図８Ａ及び８Ｂでは、波長に対する相対発光強度を示す規格化された発光スペクトルが示されていている。
第二蛍光体である蛍光体３の配合割合を増やすと、青色ピーク強度の値が低下する傾向が見られた。これは例えば、図４Ｂに示されるように、第二蛍光体の反射率が、第一蛍光体に比べて短波長領域（例えば４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下付近）において低く、この短波長領域内の波長の光を吸収しやすいためと推測される。このことは例えば、図８Ｂに示す発光ピークにおいて、実施例１３から１５へと第二蛍光体である蛍光体３の配合比が増えていくに従って、発光のピーク波長がより波長の長い側へシフトしており、より短波長領域の光が吸収されていることから確認できる。
また、第二蛍光体の配合比を増やすと光束が向上する。これは、発光スペクトルが視感度曲線のピーク（５５５ｎｍ付近）に近づくため、結果として光束が向上したと推測される。
また、第二蛍光体の配合比を増やすと光束が向上する。これは、発光スペクトルが視感度曲線のピーク（５５５ｎｍ付近）に近づくため、結果として光束が向上したと推測される。
本開示に係る発光装置は、特に照明器具の用途に有用である。
１０：発光素子、５０：蛍光部材、７１：第一蛍光体、７２：第二蛍光体、１００：発光装置
Claims (4)
- ４３０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する発光素子と、
下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表される組成を有し、平均粒径が１０μｍ以下であり、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第一蛍光体、下記（ＩＩａ）で表される組成を有し、前記発光素子からの光により励起されて５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光を発する第二蛍光体及び結着剤を含む蛍光部材と、を備え、
前記蛍光部材中の第一蛍光体及び第二蛍光体の総含有量が、前記結着剤に対して８０重量％以上であり、
ＣＩＥ１９３１の色度図において、色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．５１２，０．４８７）である第五の点、（０．４６７，０．４４８）である第六の点、（０．３４０，０．５７０）である第三の点及び（０．３７３，０．６２４）である第四の点について、第五の点及び第六の点を結ぶ第四の直線と、第六の点及び第三の点を結ぶ第五の直線と、第三の点及び第四の点を結ぶ第三の直線と、第四の点及び第五の点を結ぶ色度図の曲線とで囲まれる範囲の光を発する発光装置。
（Ｙ，Ｇｄ） ３ Ａｌ ５ Ｏ １２ ：Ｃｅ （Ｉａ）
Ｙ ３ （Ａｌ，Ｇａ） ５ Ｏ １２ ：Ｃｅ （Ｉｂ）
Ｃａ ８ ＭｇＳｉ ４ Ｏ １６ Ｃｌ ２ ：Ｅｕ （ＩＩａ） - 前記第二蛍光体の含有量が、前記第一蛍光体に対して４５重量％以下である請求項１に記載の発光装置。
- 前記第二蛍光体の含有量が、前記第一蛍光体に対して１０重量％以上である請求項１又は２に記載の発光装置。
- ４６０ｎｍ以下の波長範囲における最大発光強度が、５００ｎｍ以上の波長範囲における最大発光強度に対して５％未満である発光スペクトルを有する請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015131149A JP6544082B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015131149A JP6544082B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017017132A JP2017017132A (ja) | 2017-01-19 |
| JP6544082B2 true JP6544082B2 (ja) | 2019-07-17 |
Family
ID=57831003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015131149A Active JP6544082B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6544082B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10401682B2 (en) * | 2017-01-25 | 2019-09-03 | Innolux Corporation | Display device capable of generating color of light close to or identical to blue primary color of DCI-P3 color gamut |
| JP7304680B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2023-07-07 | デクセリアルズ株式会社 | 光源、白色光源装置、及び表示装置 |
| JP6940764B2 (ja) | 2017-09-28 | 2021-09-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US20200407634A1 (en) | 2019-06-26 | 2020-12-31 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
| CN112042615A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-12-08 | 杭州汉徽光电科技有限公司 | 害虫的防控固态光电器件、防治装置和用途 |
| CN112042613A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-12-08 | 杭州汉徽光电科技有限公司 | 通过蓝光和其转换光进行害虫控制的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| US7723740B2 (en) * | 2003-09-18 | 2010-05-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2009054989A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-03-12 | Sharp Corp | 発光装置、照明装置及び当該照明装置を備えたクリーンルーム |
| TWI476961B (zh) * | 2010-10-12 | 2015-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體裝置 |
-
2015
- 2015-06-30 JP JP2015131149A patent/JP6544082B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017017132A (ja) | 2017-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6544082B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP5864851B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6148395B2 (ja) | 高演色性白色発光素子 | |
| KR102262785B1 (ko) | 발광 장치 | |
| JP5410342B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6275829B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6156440B2 (ja) | 赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光装置 | |
| WO2017164214A1 (ja) | 光源装置および発光装置 | |
| CN102687296A (zh) | 白色半导体发光装置 | |
| TW200849669A (en) | White light-emitting lamp and illuminating device using the same | |
| JP6773018B2 (ja) | 発光装置 | |
| CN105324860A (zh) | 发光装置 | |
| JP2019016632A (ja) | 発光装置 | |
| JP2008270781A (ja) | 発光装置 | |
| WO2016159141A1 (ja) | 発光装置 | |
| JP6524860B2 (ja) | 発光装置 | |
| CN104037308A (zh) | 发光装置 | |
| JP2023036729A (ja) | 発光装置 | |
| JP6460040B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2018182028A (ja) | 発光装置 | |
| JP6428245B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6405738B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR101706600B1 (ko) | 고연색성 백색 발광 소자 | |
| KR101652258B1 (ko) | 고연색성 백색 발광 소자 | |
| KR20180021748A (ko) | 고연색성 백색 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20161019 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20161019 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171205 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180813 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180905 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180914 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181218 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190214 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190226 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190521 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190603 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6544082 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |