JP6537246B2 - Power module and power unit - Google Patents
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Description
本発明は、パワーモジュール及びパワーユニットに関する。 The present invention relates to a power module and a power unit.
従来、特許文献1にも記載されるように、P電極とN電極と間にMOS−FET、IGBTなどの2組の半導体スイッチ素子が直列に接続され、同2組の半導体スイッチ素子同士の接続点をAC電極としたブリッジ回路がDC−ACインバータ等に用いられている。よく知られるように、モータ制御系の多相出力インバータとして、このブリッジ回路を複数相分有した回路が構成される。
特許文献1に記載のパワーユニットにあっては、交流モータの端面に配置するために、複数のパワーモジュールを円環状の配置スペースに放射状に配置する。
Conventionally, as described also in
In the power unit described in
しかしながら、特許文献1に記載のパワーモジュールにあっては、P電極端子及びN電極端子とAC電極端子は反対側(対辺)に配置され、上アーム側の半導体スイッチング素子の信号端子と下アーム側の半導体スイッチング素子の信号端子も、反対側(対辺)に配置され、端子が配置される一組の対辺である辺々の長さが等しくなり、矩形状に構成されている。
図8に示すように、矩形状のパワーモジュール100を、円環状の配置スペースに複数配置すると、無駄なスペース101が生じ、スペース効率が悪化するという問題がある。 無駄なスペース101が生じている分だけ、円環状の配置スペースの外径102が大きくならざるを得ず、徒にパワーユニットを大型化させてしまうという問題がある。
However, in the power module described in
As shown in FIG. 8, when a plurality of
本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、円環状の配置スペースにスペース効率よく複数を配置することができるパワーモジュールを提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and an object of the present invention is to provide a power module capable of arranging a plurality of elements in an annular arrangement space in a space efficient manner.
以上の課題を解決するための請求項1記載の発明は、P電極とN電極と間に2組の半導体スイッチ素子が直列に接続され、同2組の半導体スイッチ素子同士の接続点をAC電極としたブリッジが一の回路基板上に1又は複数構成されたパワーモジュールであって、
前記半導体スイッチ素子のそれぞれに対し並列に接続するフリーホイールダイオードが前記回路基板上に搭載され、
前記回路基板は、幅が異なる相対する端部を有し、そのうち比較的幅広の端部にP電極端子、N電極端子及びAC電極端子が配設され、比較的幅狭の端部に前記2組の半導体スイッチ素子に接続するための信号端子が配設され、
前記回路基板の外形は、前記比較的幅狭の端部で幅方向に延在する直線状の辺を形成し、
前記複数の信号端子が前記辺に沿って配設されてなるパワーモジュールである。
The invention according to
A free wheeling diode connected in parallel to each of the semiconductor switch elements mounted on the circuit board;
The circuit board has opposite ends different in width, and P electrode terminal, N electrode terminal and AC electrode terminal are disposed at relatively wide ends, and the two at the relatively narrow ends. Signal terminals for connection to the set of semiconductor switch elements are provided;
The outer shape of the circuit board forms a straight side extending in the width direction at the relatively narrow end;
It is a power module in which the plurality of signal terminals are disposed along the side.
請求項2記載の発明は、前記P電極と前記信号端子との間に、カソード電極が前記P電極と等電位になるように接続するダイオードが前記回路基板上に搭載された請求項1に記載のパワーモジュールである。
The invention according to
請求項3記載の発明は、前記AC電極端子は、前記P電極端子と前記N電極端子の間に配置されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワーモジュールである。
The invention according to
請求項4記載の発明は、前記回路基板を平面視して、前記AC電極端子の中心位置は、前記P電極端子の中心位置と前記N電極端子の中心位置とを結ぶ直線より、外側に配置されている請求項3に記載のパワーモジュールである。
The invention according to claim 4 places the center position of the AC electrode terminal outside the straight line connecting the center position of the P electrode terminal and the center position of the N electrode terminal in plan view of the circuit board. It is a power module according to
請求項5記載の発明は、前記回路基板を平面視して、前記AC電極端子の長手方向、前記P電極端子の長手方向、及び前記N電極端子の長手方向が同一方向である請求項4に記載のパワーモジュールである。
The invention according to
請求項6記載の発明は、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のパワーモジュールが、前記比較的幅広の端部を外周側とし前記比較的幅狭の端部を内周側として円環状の配置スペースに複数配置されてなるパワーユニットである。 In the power module according to any one of the first to fifth aspects of the present invention, the relatively wide end portion is an outer peripheral side, and the relatively narrow end portion is an inner peripheral side. As a plurality of power units arranged in an annular arrangement space.
本発明のパワーモジュールによれば、比較的大電流を流すために比較的太くなるP電極端子、N電極端子及びAC電極端子が比較的幅広の端部に配設され、比較的小さな電流を流すために比較的細くなる信号端子が比較的幅狭の端部に配設され、比較的幅広の端部を外周側とし比較的幅狭の端部を内周側として円環状の配置スペースに複数配置することができるから、円環状の配置スペースにおいて無駄なスペースを削減してスペース効率よく複数を配置することができる。 According to the power module of the present invention, the P electrode terminal, the N electrode terminal, and the AC electrode terminal, which are relatively thick in order to flow a relatively large current, are disposed at the relatively wide end to flow a relatively small current Therefore, a plurality of signal terminals, which are relatively thin, are disposed at relatively narrow ends, and a plurality of relatively wide end portions are on the outer circumferential side, and relatively narrow end portions are on the inner circumferential side. Since it can arrange, a useless space can be reduced in annular arrangement space, and a plurality can be arranged space-efficiently.
以下に本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following is one embodiment of the present invention and does not limit the present invention.
〔パワーモジュールの回路基本構成〕
まず、パワーモジュールの回路の基本構成につき説明する。図1は、パワーモジュールに構成される1ブリッジ分の回路図を示す。
図1に示すように本回路は、P電極(図上「P」)とN電極(図上「N」)と間に2組の半導体スイッチ素子T1,T2が直列に接続され、同2組の半導体スイッチ素子T1,T2同士の接続点をAC電極(図上「AC」)としたブリッジBRを構成する。半導体スイッチ素子T1はP電極とAC電極とに接続され、半導体スイッチ素子T2はAC電極とN電極とに接続される。
本例では、半導体スイッチ素子T1,T2はIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)であり、半導体スイッチ素子T1にフリーホイールダイオードD1が並列に接続され、半導体スイッチ素子T2にフリーホイールダイオードD2が並列に接続される。
本実施形態のパワーモジュールは、このようなブリッジBRが一の回路基板上に1又は複数構成されたものである。
また、ダイオードD3がP電極と制御信号端子6(18)との間にカソード電極がP電極と等電位になるように接続する。なお、制御信号端子6(18)の内わけは、1つのブリッジにつき、素子T1のゲート電極及びエミッタ電極、ダイオードD3のアノード電極、素子T2のゲート電極及びエミッタ電極である(図2,3,5参照)。
[Basic circuit configuration of power module]
First, the basic configuration of the power module circuit will be described. FIG. 1 shows a circuit diagram of one bridge configured in a power module.
As shown in FIG. 1, in this circuit, two sets of semiconductor switch elements T1 and T2 are connected in series between the P electrode (“P” in the figure) and the N electrode (“N” in the figure) The bridge BR is configured such that the connection point between the semiconductor switch elements T1 and T2 is an AC electrode ("AC" in the figure). The semiconductor switch element T1 is connected to the P electrode and the AC electrode, and the semiconductor switch element T2 is connected to the AC electrode and the N electrode.
In this example, the semiconductor switch elements T1 and T2 are IGBTs (insulated gate bipolar transistors), the free wheel diode D1 is connected in parallel to the semiconductor switch element T1, and the free wheel diode D2 is connected in parallel to the semiconductor switch element T2. Ru.
The power module of this embodiment is configured such that one or more such bridges BR are formed on one circuit board.
The diode D3 is connected between the P electrode and the control signal terminal 6 (18) so that the cathode electrode is equipotential to the P electrode. The control signal terminals 6 (18) are, for one bridge, the gate electrode and emitter electrode of the element T1, the anode electrode of the diode D3, and the gate electrode and emitter electrode of the element T2 (FIGS. 5).
〔第1実施形態〕
図2から図4を参照して第1実施形態のパワーユニットにつき説明する。第1実施形態に係るパワーモジュール1Aの平面図を図2に、第1実施形態に係るパワーモジュール1Bを図3に示す。図4に示すようにパワーモジュールが円環状に配置されてパワーユニットが構成される。パワーモジュール1Aはその外形を五角形としたものであり、パワーモジュール1Bはその外形を六角形としたものであり、その他は互いに同様である。
図2、図3に示すように、本実施形態に適用されるパワーモジュール1A,1Bは、金属製のベースプレート(不図示)に接合された回路基板2に上述したブリッジBRが1つ構成されたものである。1つのブリッジ分の半導体スイッチ素子T1,T2、フリーホイールダイオードD1,D2及び制御用のダイオードD3を図2及び図3に示す。回路基板2は、絶縁基板の一表面(上面とする)に電極パターンが形成されたもので、絶縁基板の下面はベースプレートに接合されている。
First Embodiment
The power unit of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 4. A plan view of a
As shown in FIGS. 2 and 3, in the
図2及び図3により示すようにパワーモジュール1A,1Bには、P電極端子3、N電極端子4、AC電極端子5、制御信号端子6が設けられている。制御信号端子6に駆動回路(不図示)からの制御信号が印加されて半導体スイッチ素子T1,T2をスイッチング動作させる。
図において回路基板2の上側の端部の幅をW1とし、下側の端部の幅をW2とする。幅W1は幅W2より広い。幅W1を有する端部と、幅W2を有する端部とは相対する端部である。すなわち、回路基板2は、幅が異なる相対する端部を有する。そのうち比較的幅広の端部は、幅W1を有する端部であり、幅W1を有する端部にP電極端子3、N電極端子4及びAC電極端子5が配設されている。比較的幅狭の端部は、幅W2を有する端部であり、幅W2を有する端部に2組の半導体スイッチ素子T1,T2に接続するための制御信号端子6が配設されている。AC電極端子5は、P電極端子3とN電極端子4の間に配置されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
In the figure, the width of the upper end of the
図2に示すようにパワーモジュール1Aにおいて、幅W1を有する端部の縁7Aは2辺で構成され、幅W1を有する端部の縁は一辺8で構成される。回路基板2は、縁7Aと、辺8と、これらを繋ぐ側辺9,9とにより、五角形状の外形に形成されている。相対する側辺9と側辺9は等しい長さである。
これに対し図3に示すようにパワーモジュール1Bは、縁7Bを3辺で構成し、六角形状の外形に構成したものである。
また、パワーモジュール1A,1Bの外形は、円環状に複数を配置するための外形である。そのため、図2及び図3に示すように、点Oを中心とする外円弧GTと内円弧GIに挟まれる領域を点Oから伸ばした半径方向の直線により切り取った形状にほぼ一致する。側辺9,9は、この「点Oから伸ばした半径方向の直線」に重なる。
縁7A、7Bの辺々は、外円弧GTに沿ったものである。すなわち、縁7A、7Bは、外円弧GTを複数の線分(弦)の連結により近似的に置き換えたものである。縁7A、7Bを構成する各線分の両端点が外円弧GT上にある。
また、辺8は内円弧GIに沿ったものである。すなわち、辺8は内円弧GIを一つ線分(弦)により近似的に置き換えたものである。辺8の両端点が内円弧GI上にある。
なお、縁7A、7Bを直線状に構成せず、外円弧GTに重なる円弧(外円弧GTを側辺9,9と交わる点で切り取った円弧)としてもよいし、辺8を直線状に構成せず、内円弧GIに重なる円弧(内円弧GIを側辺9,9と交わる点で切り取った円弧)としてもよい。
P電極端子3、N電極端子4及びAC電極端子5は点Oを中心とした半径方向に見て、互いに重ならないように配置され、制御信号端子6を構成する個々の端子も点Oを中心とした半径方向に見て、互いに重ならないように配置される。パワーモジュール1A,1Bの点Oを中心とした半径方向の寸法を抑えるためである。
以上のようにパワーモジュール1A,1Bの外形が構成されるため、図4に示すようにパワーモジュール1A,1Bをスペース効率良く円環状に配置し、パワーユニットを構成することができる。図4では代表してパワーモジュール1Bを示す。
図4に示すように複数のパワーモジュール(1B)が周方向に並べられる。
As shown in FIG. 2, in the
On the other hand, as shown in FIG. 3, in the
Moreover, the external shape of
The edges of the
Also, the
The
The
As described above, since the outer shapes of the
As shown in FIG. 4, a plurality of power modules (1B) are arranged in the circumferential direction.
図2及び図3に示すように回路基板2を平面視して、真ん中のAC電極端子5の中心位置は、P電極端子3の中心位置とN電極端子4の中心位置とを結ぶ直線より、外側に配置されている。この配置によって、P電極端子3、N電極端子4及びAC電極端子5を外円弧GTに沿ってスペース効率よく配置することができる。
When the
図8に示した矩形状のパワーモジュール100を円環状に配置した場合の外径102を図4にも示す。
図8に示したように矩形状のパワーモジュール100を円環状に配置した場合にあっては、パワーモジュール100,100間に無駄なスペース101が生じ、その分外径102が大きくなる。
パワーモジュールの形状的特徴に注目すると、パワーモジュール100の内周側に配置される端部の幅は、外周側に配置される端部の幅に等しい。円環状に配置されたパワーモジュール100の径方向の両端にP電極端子、N電極端子及びAC電極端子のうちのいずれかが配置されるから、径方向の寸法が長くなる。これらが外径102を大きくする要因となっている。
これに対し、図4に示すように本発明の実施形態では、パワーモジュール(1B,1B)間の無駄なスペースが削減され、その分外径を小さくすることができる。
パワーモジュールの形状的特徴に注目すると、パワーモジュール(1B)の内周側に配置される端部の幅W2が狭いために、複数のパワーモジュール(1B)をより中心寄りに集合するように配置することができる。円環状に配置されたパワーモジュール(1B)の外周側の端部のみにP電極端子、N電極端子及びAC電極端子が配置されるから、径方向の寸法が短くなる。これらが外径を小さくする要因となっている。
また、従来、制御信号端子6に接続される制御回路に搭載されていたダイオードD3が本パワーモジュールの回路基板2上に搭載される。そのため、制御回路を小型化することが可能となる。
The
As shown in FIG. 8, in the case where the
Focusing on the shape feature of the power module, the width of the end disposed on the inner peripheral side of the
On the other hand, as shown in FIG. 4, in the embodiment of the present invention, the useless space between the power modules (1B, 1B) is reduced, and the outer diameter can be reduced accordingly.
Focusing on the shape feature of the power module, the width W2 of the end portion disposed on the inner peripheral side of the power module (1B) is narrow, so the plurality of power modules (1B) are arranged to be gathered closer to the center can do. Since the P electrode terminal, the N electrode terminal, and the AC electrode terminal are disposed only at the outer peripheral end of the annularly arranged power module (1B), the dimension in the radial direction becomes short. These are factors that reduce the outer diameter.
Further, the diode D3 conventionally mounted on the control circuit connected to the
〔第2実施形態〕
次に、図5から図7を参照して第2実施形態のパワーユニットにつき説明する。第2実施形態に係るパワーモジュール10を図5及び図7に示す。
図5に示すように、本実施形態に適用されるパワーモジュール10は、金属製のベースプレート11に接合された回路基板12に上述したブリッジBRが2つ構成されたものである。2つのブリッジ分の半導体スイッチ素子T1,T2、フリーホイールダイオードD1,D2及び制御用のダイオードD3を図5に示す。回路基板12は、絶縁基板の一表面(上面とする)に電極パターンが形成されたもので、絶縁基板の下面はベースプレート11に接合されている。
Second Embodiment
Next, the power unit of the second embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 7. The
As shown in FIG. 5, the
図5及び図6により示すように回路基板12には、P電極端子13、N電極端子14,15、AC電極端子16,17、制御信号端子18が立設されている。P電極端子13は、回路基板12に構成された2つのブリッジで共通に用いられている。回路基板12に構成された2つのブリッジのうち一方のブリッジは、N電極端子14及びAC電極端子16にその他の電極が引き出され、他方のブリッジは、N電極端子15及びAC電極端子17にその他の電極が引き出されている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
パワーモジュール10のベースプレート11の側縁に側方に突出した突起11a,11bが設けられている。
図7に示すように、本パワーユニット1は、円盤状のヒートシンク20と、ヒートシンク20に接合される上記パワーモジュール10と、パワーモジュール10に電気的に接続される他のモジュールとして駆動回路基板30とを備える。
複数のパワーモジュール10,10,・・・がヒートシンク20上に円環状に配置されている。図ではパワーモジュール10の数が5の場合を示す。
ベースプレート11の突起11a、及び回路基板12に設けられたP電極端子13、N電極端子14,15、AC電極端子16,17は、当該円環状の配置の外周側に配置されている。ベースプレート11の突起11b、及び回路基板12に設けられた制御信号端子18は、当該円環状の配置の内周側に配置されている。
駆動回路基板30は、パワーモジュール10を動作させる駆動回路が構成されたものであり、ヒートシンク20の逆側でパワーモジュール10に隣接して配置され、制御信号端子18を介してパワーモジュール10と電気的に接続される。
なお、駆動回路基板30には、平滑コンデンサ31も搭載されており、P電極端子13、N電極端子14,15も駆動回路基板30に接続され、平滑コンデンサ31の一端がP極に、他端がN極に接続される。
At the side edge of the
As shown in FIG. 7, the
A plurality of
The
The
A smoothing
一方、ヒートシンク20には、パワーモジュール10の搭載面に対して垂直に突出する棒状の位置決め部材21が設けられている。
突起11a,11bは、位置決め部材21を保持するように切り欠き形状に形成されている。位置決め部材21は、パワーモジュール10の突起11a,11bの位置、数に対応した位置、数で設けられる。図5に示すパワーモジュール10にあっては、外周側に1つ、内周側に1つである。パワーモジュール10は、その突起11a,11bが位置決め部材21,21に当接することでヒートシンク20に対して位置決められている。
On the other hand, the
The
さらに位置決め部材21に対し駆動回路基板30が接続され、駆動回路基板30は位置決め部材21によってヒートシンク20に対して位置決められている。例えば、図7に示すように、駆動回路基板30に接続孔32を設け、接続孔32に位置決め部材21を嵌め入れることで位置決めされる。また、接続孔32でなく、駆動回路基板30に切欠きを設けてこの切欠きで位置決め部材21を保持する形としてもよい。
駆動回路基板30は、円環状に形成された基板をベースとして一体に構成されている。駆動回路基板30に接続される位置決め部材21を、少なくとも2箇所好ましくは3か所以上とすることで安定的に位置決めすることができる。本実施形態では、突起11aが当接する外周側の位置決め部材21が駆動回路基板30と接続し、突起11bが当接する内周側の位置決め部材21は駆動回路基板30と接続しない。
Furthermore, the
The
以上の第2実施形態に係るパワーモジュール10おいては、回路基板12は、幅が異なる相対する端部を有し、そのうち比較的幅広の端部にP電極端子13、N電極端子14,15及びAC電極端子16,17が配設され、比較的幅狭の端部に2組の半導体スイッチ素子T1,T2に接続するための制御信号端子18が配設されてなる。
また、AC電極端子16は、P電極端子13とN電極端子14の間に配置されている。AC電極端子17は、P電極端子13とN電極端子15の間に配置されている。
さらに、回路基板12を平面視して、AC電極端子16の中心位置は、P電極端子13の中心位置とN電極端子14の中心位置とを結ぶ直線より、外側に配置されている。回路基板12を平面視して、AC電極端子17の中心位置は、P電極端子13の中心位置とN電極端子15の中心位置とを結ぶ直線より、外側に配置されている。
以上の構成により、図7に示すように比較的幅広の端部を外周側とし比較的幅狭の端部を内周側として円環状の配置スペースにパワーモジュール10を複数配置することができる。したがって、上記第1実施形態と同様に円環状の配置スペースにおいて無駄なスペースを削減してスペース効率よく複数のパワーモジュール10を配置することができ、パワーユニット1の小型化を図ることができる。
また、従来、制御信号端子18に接続される制御回路に搭載されていたダイオードD3が本パワーモジュールの回路基板12上に搭載される。そのため、制御回路を小型化することが可能となる。
In the
The
Furthermore, when the
With the above configuration, as shown in FIG. 7, a plurality of
In addition, the diode D3 conventionally mounted on the control circuit connected to the
また、第2実施形態にあっては、回路基板12を平面視して、AC電極端子16,17の長手方向、P電極端子13の長手方向、及びN電極端子14,15の長手方向が同一方向)である構成とした。ここで、P,N,ACの各電極端子の長手方向は、図6において突出した部分(接続部分)を図5に示すように平面視した場合の長手方向であり、よって、図5において左右方向である。
かかる構成により、端子の位置決めが容易である。
In the second embodiment, when the
Such a configuration facilitates the positioning of the terminal.
1 パワーユニット
1A,1B パワーモジュール
2 回路基板
3 P電極端子
4 N電極端子
5 AC電極端子
6 制御信号端子
10 パワーモジュール
12 回路基板
13 P電極端子
14,15 N電極端子
16,17 AC電極端子
18 制御信号端子
D1,D2 フリーホイールダイオード
D3 ダイオード
T1,T2 半導体スイッチ素子
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記半導体スイッチ素子のそれぞれに対し並列に接続するフリーホイールダイオードが前記回路基板上に搭載され、
前記回路基板は、幅が異なる相対する端部を有し、そのうち比較的幅広の端部にP電極端子、N電極端子及びAC電極端子が配設され、比較的幅狭の端部に前記2組の半導体スイッチ素子に接続するための複数の信号端子が配設され、
前記回路基板の外形は、前記比較的幅狭の端部で幅方向に延在する直線状の辺を形成し、
前記複数の信号端子が前記辺に沿って配設されてなるパワーモジュール。 Two sets of semiconductor switch elements are connected in series between the P electrode and the N electrode, and one or more bridges having AC electrodes as connection points between the two sets of semiconductor switch elements are formed on one circuit board A power module,
A free wheeling diode connected in parallel to each of the semiconductor switch elements mounted on the circuit board;
The circuit board has opposite ends different in width, and P electrode terminal, N electrode terminal and AC electrode terminal are disposed at relatively wide ends, and the two at the relatively narrow ends. A plurality of signal terminals are provided for connection to the set of semiconductor switch elements;
The outer shape of the circuit board forms a straight side extending in the width direction at the relatively narrow end;
A power module in which the plurality of signal terminals are disposed along the side.
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JP2016082056A (en) | 2016-05-16 |
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