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JP6527194B2 - Display device - Google Patents

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JP6527194B2
JP6527194B2 JP2017080090A JP2017080090A JP6527194B2 JP 6527194 B2 JP6527194 B2 JP 6527194B2 JP 2017080090 A JP2017080090 A JP 2017080090A JP 2017080090 A JP2017080090 A JP 2017080090A JP 6527194 B2 JP6527194 B2 JP 6527194B2
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哲理 青柳
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Description

本技術は、表示装置に関する。 The present technology relates to a display device .

特許文献1には、格子状に配置された信号線および走査線をオンオフすることにより、信号線と走査線との交点に設けられた各LED(Light Emitting Diode)を駆動する表示装置が開示されている。この駆動方法では、走査線の順次走査によって映像表示がなされるので、表示輝度を高くすることが容易ではない。そこで、例えば、特許文献2に記載されているように、画素ごとにLEDと駆動ICを設け、各LEDをアクティブ駆動することが考えられる。   Patent Document 1 discloses a display device which drives each LED (Light Emitting Diode) provided at an intersection of a signal line and a scanning line by turning on and off signal lines and scanning lines arranged in a lattice. ing. In this driving method, since image display is performed by sequential scanning of the scanning lines, it is not easy to increase the display luminance. Therefore, for example, as described in Patent Document 2, it is conceivable to provide an LED and a drive IC for each pixel and to actively drive each LED.

特開2009−37164号公報JP, 2009-37164, A 特開2003−115613号公報Japanese Patent Application Publication No. 2003-115613

特許文献2に記載の方法では、駆動ICに接続する多くの配線を、配線基板上の配線層の表面(実装面)に設けることが必要となるので、実装面の配線ピッチが狭くなる。しかし、配線基板は、ビア接合を利用した積層基板であるので、実装面の配線ピッチに応じて配線基板の配線ピッチを狭くすることは技術的な側面またはコストの側面から容易ではない。そのため、実装面の配線ピッチと配線基板の配線ピッチとが乖離するような場合には、例えば、配線層を多層にして、実装面の配線ピッチと配線基板の配線ピッチとの中間値を採る配線ピッチの層を設けることが考えられる。ただし、そのようにした場合には、配線層を多層にした分だけコストが増大してしまう。   In the method described in Patent Document 2, it is necessary to provide many wirings connected to the drive IC on the surface (mounting surface) of the wiring layer on the wiring substrate, so the wiring pitch on the mounting surface becomes narrow. However, since the wiring substrate is a laminated substrate using via bonding, it is not easy to narrow the wiring pitch of the wiring substrate according to the wiring pitch of the mounting surface from the technical side or the cost side. Therefore, when the wiring pitch of the mounting surface and the wiring pitch of the wiring substrate are separated, for example, the wiring layer is formed in multiple layers, and the wiring having an intermediate value between the wiring pitch of the mounting surface and the wiring pitch of the wiring substrate It is conceivable to provide a layer of pitch. However, in such a case, the cost increases as the number of wiring layers is increased.

なお、このような問題は、表示装置の分野だけでなく、配線基板の配線ピッチと、配線基板上の配線層の配線ピッチとが異なる分野において生じ得るものである。   Such a problem may occur not only in the field of display devices, but also in fields where the wiring pitch of the wiring substrate and the wiring pitch of the wiring layer on the wiring substrate are different.

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、配線基板上の配線層を多層にすることなく、実装面の配線ピッチを狭くすることの可能な表示装置を提供することにある。 The present technology has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a display device capable of narrowing the wiring pitch on the mounting surface without forming the wiring layers on the wiring substrate in multiple layers. is there.

本技術の表示装置は、複数のユニット基板を備えている。各ユニット基板は、複数の第1配線と複数のビアを含む配線基板と、配線基板上に設けられた複数の第2配線と、複数の第2配線と接続され、発光素子と発光素子を駆動する駆動ICとを含む複数の画素とを有している。複数のビアは、複数の第1配線複数の第2配線とを電気的に接続ている。複数の画素は、1または複数の第2配線を介して、複数のビアの1つと共通に接続されている。複数の第2配線のL/Sは、複数の前記第1配線のL/Sより小さい。
The display device of the present technology includes a plurality of unit substrates. Each unit substrate is connected to a wiring substrate including a plurality of first wires and a plurality of vias , a plurality of second wires provided on the wiring substrate, and a plurality of second wires, and a light emitting element and a light emitting element And a plurality of pixels including a driving IC to be driven . A plurality of vias electrically connects a plurality of first wirings and the plurality of second wires. A plurality of pixels, through one or more second wires, are connected to one common multiple vias. The L / S of the plurality of second wires is smaller than the L / S of the plurality of first wires.

本技術の第1の実施の形態に係る表示装置の斜視構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the perspective view composition of the display concerning a 1st embodiment of this art. 図1の実装基板の斜視構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the perspective view structure of the mounted substrate of FIG. 図2のユニット基板の斜視構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the perspective view structure of the unit substrate of FIG. 図3のセルにおける回路構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the circuit structure in the cell of FIG. 図4の発光素子の平面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the planar structure of the light emitting element of FIG. 図4の駆動ICの平面構成の一例を表す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a planar configuration of a drive IC of FIG. 4. 図3のセルの断面構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the cross-sectional structure of the cell of FIG. 図3のセルの配線レイアウトの一例を表す図である。It is a figure showing an example of the wiring layout of the cell of FIG. 図7のセルの製造方法の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the manufacturing method of the cell of FIG. 図9に続く工程の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the process of following FIG. 図10に続く工程の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the process of following FIG. 図11に続く工程の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the process of following FIG. 図12に続く工程の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the process of following FIG. 図3のセルの配線レイアウトの一変形例を表す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a modification of the wiring layout of the cell of FIG. 3; 本技術の第2の実施の形態に係る照明装置の斜視構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the perspective view composition of the lighting installation concerning a 2nd embodiment of this art. 本技術の第3の実施の形態に係る受光装置の斜視構成の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the perspective view composition of the light sensing device concerning a 3rd embodiment of this art. 図1の表示装置の斜視構成の一変形例を表す図である。It is a figure showing one modification of the perspective view composition of the display of FIG. 図15の照明装置の斜視構成の一変形例を表す図である。It is a figure showing one modification of the perspective view structure of the illuminating device of FIG. 図16の受光装置の斜視構成の一変形例を表す図である。It is a figure showing one modification of the perspective view structure of the light-receiving device of FIG.

以下、本技術を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

1.第1の実施の形態(表示装置)
2.変形例(表示装置)
3.第2の実施の形態(照明装置)
4.変形例(照明装置)
5.第3の実施の形態(受光装置)
6.各実施の形態に共通の変形例
Hereinafter, embodiments of the present technology will be described in detail with reference to the drawings. The description will be made in the following order.

1. First Embodiment (Display Device)
2. Modified example (display device)
3. Second Embodiment (Lighting Device)
4. Modified example (lighting device)
5. Third embodiment (light receiving device)
6. Modification common to each embodiment

<1.第1の実施の形態>
[構成]
図1は、本技術の第1の実施の形態に係る表示装置1の斜視構成の一例を表す。表示装置1は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてLEDが用いられたものである。表示装置1は、例えば、図1に示したように、表示パネル10と、表示パネル10(具体的には後述するセル10E)を制御する制御回路20とを備えている。
<1. First embodiment>
[Constitution]
FIG. 1 illustrates an example of a perspective configuration of a display device 1 according to a first embodiment of the present technology. The display device 1 is a so-called LED display, and an LED is used as a display pixel. For example, as shown in FIG. 1, the display device 1 includes a display panel 10 and a control circuit 20 that controls the display panel 10 (specifically, a cell 10E described later).

(表示パネル10)
表示パネル10は、実装基板10Aと、対向基板10Bとを互いに重ね合わせたものである。対向基板10Bの表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域を有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域を有している。対向基板10Bは、例えば、所定の間隙を介して、実装基板10Aと対向する位置に配置されている。なお、対向基板10Bが、実装基板10Aの上面に接していてもよい。対向基板10Bは、例えば、可視光を透過する光透過性の基板を有しており、例えば、ガラス基板、透明樹脂基板、または透明樹脂フィルムなどを有している。
(Display panel 10)
The display panel 10 is a combination of the mounting substrate 10A and the counter substrate 10B. The surface of the opposing substrate 10B is an image display surface, and has a display area in the center portion, and a frame area which is a non-display area around the display area. The opposing substrate 10B is disposed, for example, at a position facing the mounting substrate 10A via a predetermined gap. The counter substrate 10B may be in contact with the upper surface of the mounting substrate 10A. The opposing substrate 10B includes, for example, a light transmitting substrate that transmits visible light, and includes, for example, a glass substrate, a transparent resin substrate, or a transparent resin film.

(実装基板10A)
図2は、実装基板10Aの斜視構成の一例を表す。実装基板10Aは、例えば、図2に示したように、タイル状に配置された複数のユニット基板10Cで構成されている。図3は、ユニット基板10Cの斜視構成の一例を表す。ユニット基板12Cは、例えば、タイル状に配置された複数のセル10Eと、各セル10Eを支持する支持基板10Dとを有している。各ユニット基板10Cは、さらに、制御基板(図示せず)を有している。制御基板は、例えば、後述の各電極パッド34を介して、各セル10Eと電気的に接続されている。支持基板10Dは、例えば、金属フレーム、もしくは、配線基板などで構成されている。支持基板10Dが配線基板で構成されている場合には、制御基板を兼ねることも可能である。このとき、支持基板10Dおよび制御基板の少なくとも一方が、各電極パッド34を介して、各セル10E(または後述の配線基板30)と電気的に接続されている。支持基板10Dが、本技術の「支持基板」の一具体例に相当する。電極パッド34が、本技術の「電極パッド」の一具体例に相当する。
(Mounting substrate 10A)
FIG. 2 shows an example of a perspective view of the mounting substrate 10A. For example, as shown in FIG. 2, the mounting substrate 10A is configured of a plurality of unit substrates 10C arranged in a tile shape. FIG. 3 shows an example of a perspective view of the unit substrate 10C. The unit substrate 12C includes, for example, a plurality of cells 10E arranged in a tile shape, and a support substrate 10D for supporting the cells 10E. Each unit substrate 10C further includes a control substrate (not shown). The control substrate is electrically connected to each cell 10E, for example, via each electrode pad 34 described later. The support substrate 10D is configured of, for example, a metal frame or a wiring substrate. When the support substrate 10D is formed of a wiring substrate, it can also serve as a control substrate. At this time, at least one of the support substrate 10D and the control substrate is electrically connected to each cell 10E (or a wiring substrate 30 described later) via each electrode pad 34. Support substrate 10D is equivalent to one example of a "support substrate" of this art. The electrode pad 34 corresponds to one specific example of the “electrode pad” of the present technology.

(セル10Eの回路構成)
図4は、セル10Eにおける回路構成の一例を表す。セル10Eは、上述の表示領域と対向する領域に、所定の方向(具体的には列方向)に延在する複数のデータ線Sigと、所定の方向(具体的には行方向)に延在する複数のゲート線Gateとを有している。データ線Sigおよびゲート線Gateは、例えば、銅によって形成されている。セル10Eは、さらに、上述の表示領域と対向する領域に、行列状に配置された複数の画素11を有している。各画素11は、発光素子12と、発光素子12を駆動する駆動IC13とを含んでいる。発光素子12が、本技術の「発光素子」の一具体例に相当する。駆動IC13が、本技術の「駆動回路」の一具体例に相当する。
(Circuit configuration of cell 10E)
FIG. 4 shows an example of a circuit configuration in the cell 10E. The cell 10E extends in a predetermined direction (more specifically, a row direction) with a plurality of data lines Sig extending in a predetermined direction (more specifically, a column direction) in the area facing the above-described display area. And a plurality of gate lines Gate. The data line Sig and the gate line Gate are formed of, for example, copper . Cell Le 10E further in the area facing the above-mentioned display area has a plurality of pixels 11 arranged in a matrix. Each pixel 11 includes a light emitting element 12 and a drive IC 13 for driving the light emitting element 12. The light emitting element 12 corresponds to one specific example of the “light emitting element” of the present technology. The drive IC 13 corresponds to one specific example of the “drive circuit” of the present technology.

セル10Eは、さらに、上述の表示領域と対向する領域に、例えば、複数ののこぎり電圧線Sawと、複数の電源線VDD1,VDD2と、複数の参照電圧線Ref1,Ref2と、複数のグラウンド線GNDとを有している。各のこぎり電圧線Sawは、例えば、所定の方向(具体的には行方向)に延在している。各電源線VDD1、各電源線VDD2、各参照電圧線Ref1、各参照電圧線Ref2および各グラウンド線GNDは、それぞれ、例えば、所定の方向(具体的には列方向)に延在している。のこぎり電圧線Saw、電源線VDD1,VDD2、参照電圧線Ref1,Ref2およびグラウンド線GNDの少なくとも1つについては、駆動方式によっては省略され得る。のこぎり電圧線Saw、電源線VDD1,VDD2、参照電圧線Ref1,Ref2およびグラウンド線GNDは、例えば、銅によって形成されている。なお、以下では、データ線Sig、電源線VDD1、電源線VDD2、参照電圧線Ref1、参照電圧線Ref2およびグラウンド線GNDの総称として、列配線を用いる。また、以下では、ゲート線Gateおよびのこぎり電圧線Sawの総称として、行配線を用いる。   The cell 10E further includes, for example, a plurality of saw voltage lines Saw, a plurality of power supply lines VDD1 and VDD2, a plurality of reference voltage lines Ref1 and Ref2, and a plurality of ground lines GND in a region facing the display region described above. And. Each saw voltage line Saw extends, for example, in a predetermined direction (specifically, in the row direction). Each power supply line VDD1, each power supply line VDD2, each reference voltage line Ref1, each reference voltage line Ref2, and each ground line GND extend, for example, in a predetermined direction (specifically, the column direction). At least one of saw voltage line Saw, power supply lines VDD1 and VDD2, reference voltage lines Ref1 and Ref2, and ground line GND may be omitted depending on the drive system. Saw voltage line Saw, power supply lines VDD1 and VDD2, reference voltage lines Ref1 and Ref2, and ground line GND are formed of, for example, copper. In the following, column wiring is used as a generic term for the data line Sig, the power supply line VDD1, the power supply line VDD2, the reference voltage line Ref1, the reference voltage line Ref2 and the ground line GND. Also, in the following, row wiring is used as a generic term for the gate line Gate and the saw voltage line Saw.

各データ線Sigは、映像信号に応じた信号が制御回路20によって入力される配線である。映像信号に応じた信号は、例えば、発光素子12の発光輝度を制御する信号である。複数のデータ線Sigは、例えば、発光素子12の発光色数に対応した種類の配線からなる。発光素子12が3色の発光色を有する場合には、複数のデータ線Sigは、例えば、複数のデータ線SigRと、複数のデータ線SigGと、複数のデータ線SigBとを含む。各データ線SigRは、赤色の映像信号に応じた信号が制御回路20によって入力される配線である。各データ線SigGは、緑色の映像信号に応じた信号が制御回路20によって入力される配線である。各データ線SigBは、青色の映像信号に応じた信号が制御回路20によって入力される配線である。   Each data line Sig is a wiring through which a signal corresponding to the video signal is input by the control circuit 20. The signal corresponding to the video signal is, for example, a signal for controlling the light emission luminance of the light emitting element 12. The plurality of data lines Sig are made of, for example, a wire of a type corresponding to the number of light emitting colors of the light emitting element 12. When the light emitting element 12 has three light emission colors, the plurality of data lines Sig include, for example, a plurality of data lines SigR, a plurality of data lines SigG, and a plurality of data lines SigB. Each data line SigR is a wiring through which a signal corresponding to the red video signal is input by the control circuit 20. Each data line SigG is a wiring through which a signal corresponding to a green video signal is input by the control circuit 20. Each data line SigB is a wiring through which a signal corresponding to a blue video signal is input by the control circuit 20.

発光素子12の発光色は、3色に限られず、4色以上であってもよい。複数のデータ線Sigが、複数のデータ線SigRと、複数のデータ線SigGと、複数のデータ線SigBとを含む場合には、1つのデータ線SigR、1つのデータ線SigGおよび1つのデータ線SigRからなる一組のデータ線Sigが、例えば、1画素列ごとに割り当てられる。駆動方式によっては、上記の一組のデータ線Sigは、複数画素列ごとに割り当てられる。また、駆動方式によっては、上記の一組のデータ線Sigは、単一のデータ線Sigに置き換えられ得る。   The light emission color of the light emitting element 12 is not limited to three colors, and may be four or more colors. When the plurality of data lines Sig include the plurality of data lines SigR, the plurality of data lines SigG, and the plurality of data lines SigB, one data line SigR, one data line SigG and one data line SigR One set of data lines Sig is assigned, for example, for each pixel column. Depending on the driving method, the set of data lines Sig is allocated for each of a plurality of pixel columns. In addition, depending on the driving method, the set of data lines Sig can be replaced with a single data line Sig.

各ゲート線Gateは、発光素子12を選択する信号が制御回路20によって入力される配線である。発光素子12を選択する信号は、例えば、データ線Sigに入力された信号のサンプリングを開始するとともに、サンプリングされた信号を発光素子12に入力させ、発光素子12の発光を開始させる信号である。1つのゲート線Gateが、例えば、1画素行ごとに割り当てられる。各のこぎり電圧線Sawは、例えば、のこぎり状の波形を有する信号が制御回路20によって入力される配線である。のこぎり状の波形を有する信号は、サンプリングされた信号と対比され、例えば、のこぎり状の波形を有する信号の波高値が、サンプリングされた信号の波高値よりも高くなっている期間だけ、サンプリングされた信号が発光素子12に入力される。1つののこぎり電圧線Sawが、例えば、2画素行ごとに割り当てられる。各電源線VDD2は、発光素子12に対して供給する駆動電流が制御回路20によって入力される配線である。1つの電源線VDD2が、例えば、2画素列ごとに割り当てられる。各電源線VDD1、各参照電圧線Ref1、各参照電圧線Ref2および各グラウンド線GNDは、固定の電圧が制御回路20によって入力される配線である。各グラウンド線GNDには、グラウンド電位が入力される。1つの電源線VDD1が、例えば、2画素列ごとに割り当てられる。1つの参照電圧線Ref1が、例えば、2画素列ごとに割り当てられている。1つの参照電圧線Ref2が、例えば、2画素列ごとに割り当てられている。1つのグラウンド線GNDが、例えば、2画素列ごとに割り当てられる。   Each gate line Gate is a wiring through which a signal for selecting the light emitting element 12 is input by the control circuit 20. The signal for selecting the light emitting element 12 is, for example, a signal for starting sampling of the signal input to the data line Sig, and inputting the sampled signal to the light emitting element 12 to start light emission of the light emitting element 12. One gate line Gate is assigned, for example, for each pixel row. Each saw voltage line Saw is, for example, a wiring through which a signal having a sawtooth waveform is input by the control circuit 20. A signal having a sawtooth waveform is contrasted with the sampled signal, eg, sampled for a period during which the peak value of the signal having the sawtooth waveform is higher than the peak value of the sampled signal. A signal is input to the light emitting element 12. One sawtooth voltage line Saw is assigned, for example, every two pixel rows. Each power supply line VDD2 is a wiring through which a drive current supplied to the light emitting element 12 is input by the control circuit 20. One power supply line VDD2 is allocated, for example, every two pixel columns. Each power supply line VDD 1, each reference voltage line Ref 1, each reference voltage line Ref 2, and each ground line GND are wirings through which a fixed voltage is input by the control circuit 20. A ground potential is input to each ground line GND. One power supply line VDD1 is allocated, for example, every two pixel columns. One reference voltage line Ref1 is assigned, for example, every two pixel columns. One reference voltage line Ref2 is assigned, for example, every two pixel columns. One ground line GND is allocated, for example, every two pixel columns.

図5は、発光素子12の平面構成の一例を表す。図5において四角で囲まれた記号は、その記号に隣接する端子が後述の図6に記載の同一の記号に隣接する端子に電気的に接続されることを示している。発光素子12は、複数色の光を発するチップ状部品である。発光素子12の発光色が3色である場合、発光素子12は、例えば、赤色光を発する発光素子12R、緑色光を発する発光素子12Gおよび青色光を発する発光素子12Bを含んでいる。発光素子12R,12G,12Bは、例えば、樹脂などからなる保護体12iによって被覆されている。   FIG. 5 shows an example of a planar configuration of the light emitting element 12. The symbol enclosed by a square in FIG. 5 indicates that the terminal adjacent to the symbol is electrically connected to the terminal adjacent to the same symbol described in FIG. 6 described later. The light emitting element 12 is a chip-like component that emits light of a plurality of colors. When the light emitting elements 12 emit light in three colors, the light emitting elements 12 include, for example, a light emitting element 12R that emits red light, a light emitting element 12G that emits green light, and a light emitting element 12B that emits blue light. The light emitting elements 12R, 12G, 12B are covered with a protective body 12i made of, for example, a resin.

発光素子12R,12G,12Bは、例えば、LEDチップである。ここで、上記のLEDチップは、マイクロメータオーダーのチップサイズとなっており、例えば、数10μm角となっている。LEDチップは、例えば、導電型の互いに異なる半導体層で活性層を挟み込んだ積層構造を含む半導体層と、この半導体層の共通の面(同一面)に配置された2つの電極とを有している。発光素子12R,12G,12Bは、互いに別々のチップとなっていてもよいし、互いに共通の単一のチップとなっていてもよい。   The light emitting elements 12R, 12G, 12B are, for example, LED chips. Here, the above-mentioned LED chip has a chip size of micrometer order, for example, several tens of μm square. The LED chip has, for example, a semiconductor layer including a laminated structure in which active layers are sandwiched by semiconductor layers different in conductivity type, and two electrodes disposed on a common surface (the same surface) of the semiconductor layers. There is. The light emitting elements 12R, 12G, and 12B may be separate chips from each other, or may be a single common chip.

発光素子12は、例えば、6つの電極パッド12a〜12fを有している。発光素子12Gにおいて、一方の電極は、電極パッド12aおよび配線16(図4参照)を介して駆動IC13の電極パッド13mと電気的に接続されており、他方の電極は、電極パッド12bおよび配線16を介してグラウンド線GNDと電気的に接続されている。発光素子12Rにおいて、一方の電極は、電極パッド12cおよび配線16を介して駆動IC13の電極パッド13oと電気的に接続されており、他方の電極は、電極パッド12dおよび配線16を介してグラウンド線GNDと電気的に接続されている。発光素子12Bにおいて、一方の電極は、電極パッド12eおよび配線16を介して駆動IC13の電極パッド13pと電気的に接続されており、他方の電極は、電極パッド12fおよび配線16を介してグラウンド線GNDと電気的に接続されている。   The light emitting element 12 has, for example, six electrode pads 12a to 12f. In the light emitting element 12G, one electrode is electrically connected to the electrode pad 13m of the drive IC 13 via the electrode pad 12a and the wiring 16 (see FIG. 4), and the other electrode is the electrode pad 12b and the wiring 16 Are electrically connected to the ground line GND. In the light emitting element 12R, one electrode is electrically connected to the electrode pad 13o of the drive IC 13 via the electrode pad 12c and the wiring 16, and the other electrode is a ground line via the electrode pad 12d and the wiring 16. It is electrically connected to GND. In the light emitting element 12 B, one electrode is electrically connected to the electrode pad 13 p of the drive IC 13 via the electrode pad 12 e and the wiring 16, and the other electrode is a ground line via the electrode pad 12 f and the wiring 16. It is electrically connected to GND.

配線16は、例えば、画素11と、データ線Sig、ゲート線Gate、電源線VDD1、電源線VDD2、参照電圧線Ref1、参照電圧線Ref2、のこぎり電圧線Saw、またはグラウンド線GNDとを互いに電気的に接続する配線である。配線16は、例えば、画素11内において、発光素子12と、駆動IC13とを互いに電気的に接続する配線でもある。配線16は、例えば、スパッタリングやめっきによって形成されている。複数の配線16のうち一部の配線16は、画素11と、上記各種行配線や上記各種列配線とを互いに直接、接続している。複数の配線16のうち他の配線16は、断続的に形成された複数の部分配線からなっている。複数の部分配線からなる各配線16では、各部分電極は、例えば、後述の配線基板30の上面(例えば後述の配線層32E)に形成された1または複数の中継配線15を介して連結されている。中継配線15は、例えば、銅で形成されている。   For example, the wiring 16 electrically connects the pixel 11 and the data line Sig, the gate line Gate, the power supply line VDD1, the power supply line VDD2, the reference voltage line Ref1, the reference voltage line Ref2, the saw voltage line Saw, or the ground line GND. It is a wire connected to The wiring 16 is also a wiring that electrically connects the light emitting element 12 and the driving IC 13 to each other in the pixel 11, for example. The wiring 16 is formed by, for example, sputtering or plating. A part of the wirings 16 in the plurality of wirings 16 directly connects the pixels 11 with the various row wirings and the various column wirings. The other wirings 16 among the plurality of wirings 16 are composed of a plurality of partial wirings formed intermittently. In each wiring 16 composed of a plurality of partial wirings, each partial electrode is connected, for example, via one or more relay wirings 15 formed on the upper surface (for example, the wiring layer 32E described later) of the wiring substrate 30 described later There is. The relay wiring 15 is formed of, for example, copper.

図6は、駆動IC13の平面構成の一例を表す。図6において四角で囲まれた配線名は、その配線名に隣接する端子に電気的に接続される配線の名称を示している。駆動IC13は、発光素子12の発光を制御する。駆動IC13は、例えば、14個の電極パッド13a,13b,13c,13d,13e,13f,13g,13h,13i,13k,13m,13n,13o,13pを有している。   FIG. 6 shows an example of a planar configuration of the drive IC 13. The wiring name enclosed by a square in FIG. 6 indicates the name of the wiring electrically connected to the terminal adjacent to the wiring name. The drive IC 13 controls the light emission of the light emitting element 12. The drive IC 13 has, for example, fourteen electrode pads 13a, 13b, 13c, 13d, 13e, 13f, 13g, 13h, 13i, 13k, 13m, 13n, 13o, 13p.

電極パッド13a,13b,13cは、配線16を介して、データ線SigG,SigR,SigBに電気的に接続されている。電極パッド13d,13eは、配線16を介して、電源線VDD1,VDD2に電気的に接続されている。電極パッド13f,13gは、配線16を介して、参照電位線Ref1,Ref2に電気的に接続されている。電極パッド13hは、配線16を介して、グラウンド線GNDに電気的に接続されている。電極パッド13iは、配線16を介して、ゲート線Gateに電気的に接続されている。電極パッド13kは、配線16を介して、のこぎり電圧線Sawに電気的に接続されている。電極パッド13m,13o,13nは、配線16を介して、発光素子12の電極パッド12a,12c,12eに電気的に接続されている。電極パッド13pは、配線16に接続されていない。   The electrode pads 13a, 13b, 13c are electrically connected to the data lines SigG, SigR, SigB through the wiring 16. The electrode pads 13 d and 13 e are electrically connected to the power supply lines VDD 1 and VDD 2 through the wiring 16. The electrode pads 13 f and 13 g are electrically connected to the reference potential lines Ref 1 and Ref 2 through the wiring 16. The electrode pad 13 h is electrically connected to the ground line GND via the wiring 16. The electrode pad 13 i is electrically connected to the gate line Gate via the wiring 16. The electrode pad 13 k is electrically connected to the saw voltage line Saw via the wiring 16. The electrode pads 13 m, 13 o and 13 n are electrically connected to the electrode pads 12 a, 12 c and 12 e of the light emitting element 12 through the wiring 16. The electrode pad 13 p is not connected to the wiring 16.

(セル10Eの構造)
図7は、セル10Eの断面構成の一例を表す。図7には、セル10Eにおいて、発光素子12、駆動IC13、データ線SigB1およびゲート線Gate2の形成されている箇所の断面構成の一例が示されている。図8は、セル10Eの配線レイアウトの一例を表す。図8には、2x2行列に対応する4つの画素11に接続された配線16等の配線レイアウトの一例が示されている。各セル10Eの配線レイアウトは、例えば、図8に記載のレイアウトが行方向および列方向に繰り返し配置されたレイアウトとなっている。図8において四角で囲まれた配線名は、その配線名に隣接するビア14(後述)に電気的に接続される配線の名称を示している。
(Structure of cell 10E)
FIG. 7 shows an example of the cross-sectional configuration of the cell 10E. FIG. 7 shows an example of the cross-sectional configuration of the portion where the light emitting element 12, the drive IC 13, the data line SigB1 and the gate line Gate2 are formed in the cell 10E. FIG. 8 shows an example of the wiring layout of the cell 10E. FIG. 8 shows an example of a wiring layout such as the wiring 16 connected to four pixels 11 corresponding to the 2 × 2 matrix. The wiring layout of each cell 10E is, for example, a layout in which the layout shown in FIG. 8 is repeatedly arranged in the row direction and the column direction. The wiring name enclosed by a square in FIG. 8 indicates the name of the wiring electrically connected to the via 14 (described later) adjacent to the wiring name.

セル10Eは、配線基板30と、配線基板30の上面に接して形成された微細L/S層40と、微細L/S層40の上面に行列状に配置された複数の画素11とを有している。配線基板30は、配線基板10Dとの関係では中間基板としての役割を有している。配線基板30は、本技術の「配線基板」の一具体例に相当する。微細L/S層40は、本技術の「微細L/S層」の一具体例に相当する。画素11が、本技術の「素子」の一具体例に相当する。   The cell 10E includes the wiring substrate 30, the fine L / S layer 40 formed in contact with the upper surface of the wiring substrate 30, and the plurality of pixels 11 arranged in a matrix on the upper surface of the fine L / S layer 40. doing. The wiring substrate 30 has a role as an intermediate substrate in relation to the wiring substrate 10D. The wiring substrate 30 corresponds to one specific example of the “wiring substrate” of the present technology. The fine L / S layer 40 corresponds to one specific example of the “fine L / S layer” of the present technology. The pixel 11 corresponds to one specific example of the “element” of the present technology.

セル10Eは、さらに、例えば、各画素11を含む表面を被覆する埋め込み層44と、埋め込み層44に接して形成された遮光層45と、配線基板30の裏面に接して形成された絶縁層50とを有している。埋め込み層44は、可視光を透過する光透過性の材料で構成されている。遮光層45は、可視光を吸収する材料を含んで構成されている。絶縁層50は、例えば、紫外線硬化樹脂、または、熱硬化性樹脂で形成されている。   The cell 10E further includes, for example, a buried layer 44 covering the surface including the respective pixels 11, a light shielding layer 45 formed in contact with the buried layer 44, and an insulating layer 50 formed in contact with the back surface of the wiring substrate 30. And. The buried layer 44 is made of a light transmissive material that transmits visible light. The light shielding layer 45 includes a material that absorbs visible light. The insulating layer 50 is formed of, for example, an ultraviolet curing resin or a thermosetting resin.

遮光層45は、各発光素子12と対向する箇所に開口45Aを有している。各発光素子12から発せられた光は各開口45Aを介して外部に出射される。絶縁層50は、セル10Eの外部接続端子としての各電極パッド34と対向する箇所に開口50Aを有している。従って、各電極パッド34は、開口50Aを介して、セル10E(配線基板30)の裏面に露出している。例えば、開口50A内に設けた金属バンプや半田バンプを介して、電極パッド34と配線基板10Dとが互いに電気的に接続されている。   The light shielding layer 45 has an opening 45 </ b> A at a position facing the light emitting elements 12. The light emitted from each light emitting element 12 is emitted to the outside through each opening 45A. The insulating layer 50 has openings 50A at locations facing the respective electrode pads 34 as external connection terminals of the cell 10E. Therefore, each electrode pad 34 is exposed to the back surface of the cell 10E (wiring substrate 30) through the opening 50A. For example, the electrode pad 34 and the wiring substrate 10D are electrically connected to each other through a metal bump or a solder bump provided in the opening 50A.

(配線基板30)
配線基板30は、例えば、層間の電気的な接続がビアでなされた積層基板である。配線基板30は、配線基板30の裏面に、外部接続端子としての複数の電極パッド34を有している。複数の電極パッド34は、例えば、データ線SigR1、データ線SigG1、データ線SigB1、ゲート線Gate1、ゲート線Gate2、電源線VDD1、参照電圧線Ref1、参照電圧線Ref2およびのこぎり電圧線Sawごとに、1つ以上設けられている。
(Wiring board 30)
The wiring substrate 30 is, for example, a laminated substrate in which electrical connection between layers is made by vias. The wiring substrate 30 has a plurality of electrode pads 34 as external connection terminals on the back surface of the wiring substrate 30. The plurality of electrode pads 34 are formed, for example, for each of data line SigR1, data line SigG1, data line SigB1, gate line Gate1, gate line Gate2, power supply line VDD1, reference voltage line Ref1, reference voltage line Ref2 and saw voltage line Saw. One or more are provided.

配線基板30は、微細L/S層40内で引き回された複数の配線16と、複数の電極パッド34とを電気的に接続する。配線基板30は、複数の配線16と、複数の電極パッド34とを電気的に接続する複数の貫通配線17を有している。各貫通配線17は、配線基板30を厚さ方向に貫通する配線である。ある貫通配線17は、ある層内で列方向に延在するデータ線Sigと、データ線Sigの上(または上方)に形成されると共に配線基板30の上面に露出する複数のビア14とを含んでいる。ある貫通配線17は、ある層内で行方向に延在するゲート線Gateと、ゲート線Gateの上(または上方)に形成されると共に配線基板30の上面に露出する複数のビア14とを含んでいる。   The wiring substrate 30 electrically connects the plurality of wirings 16 drawn around in the fine L / S layer 40 and the plurality of electrode pads 34. The wiring substrate 30 has a plurality of through wires 17 that electrically connect the plurality of wires 16 and the plurality of electrode pads 34. Each through wiring 17 is a wiring which penetrates the wiring substrate 30 in the thickness direction. A through wiring 17 includes a data line Sig extending in the column direction in a layer, and a plurality of vias 14 formed on (or above) data line Sig and exposed on the upper surface of wiring substrate 30. It is. A through wiring 17 includes a gate line Gate extending in the row direction in a layer, and a plurality of vias 14 formed on (or above) the gate line Gate and exposed on the upper surface of the wiring substrate 30. It is.

ある貫通配線17は、ある層内で列方向に延在する電源線VDD1と、電源線VDD1の上(または上方)に形成されると共に配線基板30の上面に露出する複数のビア14とを含んでいる。ある貫通配線17は、ある層内で列方向に延在する参照電圧線Ref1と、参照電圧線Ref1の上(または上方)に形成されると共に配線基板30の上面に露出する複数のビア14とを含んでいる。ある貫通配線17は、ある層内で列方向に延在する参照電圧線Ref2と、参照電圧線Ref2の上(または上方)に形成されると共に配線基板30の上面に露出する複数のビア14とを含んでいる。ある貫通配線17は、ある層内で列方向に延在するのこぎり電圧線Sawと、のこぎり電圧線Sawの上(または上方)に形成されると共に配線基板30の上面に露出する複数のビア14とを含んでいる。   A through wiring 17 includes power supply line VDD1 extending in the column direction in a certain layer, and a plurality of vias 14 formed on (or above) power supply line VDD1 and exposed on the upper surface of wiring substrate 30. It is. A through wiring 17 has a reference voltage line Ref1 extending in the column direction in a layer, and a plurality of vias 14 formed on (or above) the reference voltage line Ref1 and exposed on the upper surface of the wiring substrate 30. Contains. A through wiring 17 has a reference voltage line Ref2 extending in the column direction in a certain layer, and a plurality of vias 14 formed on (or above) the reference voltage line Ref2 and exposed on the upper surface of the wiring substrate 30. Contains. A through wiring 17 is formed in a certain layer with a saw voltage line Saw extending in the column direction, and a plurality of vias 14 formed on (or above) the saw voltage line Saw and exposed on the top surface of the wiring substrate 30. Contains.

つまり、配線基板30において、複数のビア14は、データ線SigR1、データ線SigG1、データ線SigB1、ゲート線Gate1、ゲート線Gate2、電源線VDD1、参照電圧線Ref1、参照電圧線Ref2およびのこぎり電圧線Sawごとに、複数個ずつ設けられている。   That is, in the wiring substrate 30, the plurality of vias 14 are the data line SigR1, the data line SigG1, the data line SigB1, the gate line Gate1, the gate line Gate2, the power line VDD1, the reference voltage line Ref1, the reference voltage line Ref2, and the saw voltage line A plurality is provided for each Saw.

ビア14は、絶縁層(例えば後述の絶縁層32D)の開口内に設けられている。ビア14は、絶縁層(例えば後述の絶縁層32D)の上面の配線(例えば配線16)と、絶縁層(例えば後述の絶縁層32D)の裏面の配線(例えばデータ線Sigやゲート線Gateなど)とを互いに電気的に接続する柱状配線である。ビア14は、例えば、コンフォーマルビア、または、フィルドビア(filled via)である。   The vias 14 are provided in the openings of the insulating layer (for example, an insulating layer 32D described later). The vias 14 are a wiring (for example, the wiring 16) on the upper surface of the insulating layer (for example, the insulating layer 32D described later) and a wiring (for example, the data line Sig or the gate line Gate) on the back surface of the insulating layer (for example, the insulating layer 32D described later) And are connected to each other electrically. The vias 14 are, for example, conformal vias or filled vias.

複数のビア14は、複数の画素11の配列周期の整数倍の周期で配置されている。具体的には、データ線Sigの上(または上方)に形成された複数のビア14は、複数の画素11における、データ線Sigの延在方向(列方向)の配列周期の整数倍の周期で配置されている。同様に、ゲート線Gateの上(または上方)に形成された複数のビア14は、複数の画素11における、ゲート線Gateの延在方向(行方向)の配列周期の整数倍の周期で配置されている。電源線VDD1の上(または上方)に形成された複数のビア14は、複数の画素11における、電源線VDD1の延在方向(列方向)の配列周期の整数倍の周期で配置されている。参照電圧線Ref1の上(または上方)に形成された複数のビア14は、複数の画素11における、参照電圧線Ref1の延在方向(列方向)の配列周期の整数倍の周期で配置されている。参照電圧線Ref2の上(または上方)に形成された複数のビア14は、複数の画素11における、参照電圧線Ref2の延在方向(列方向)の配列周期の整数倍の周期で配置されている。のこぎり電圧線Sawの上(または上方)に形成された複数のビア14は、複数の画素11における、のこぎり電圧線Sawの延在方向(行方向)の配列周期の整数倍の周期で配置されている。   The plurality of vias 14 are arranged in a cycle that is an integral multiple of the arrangement cycle of the plurality of pixels 11. Specifically, the plurality of vias 14 formed on (or above) the data line Sig have a cycle of an integral multiple of the arrangement cycle of the extension direction (column direction) of the data line Sig in the plurality of pixels 11. It is arranged. Similarly, the plurality of vias 14 formed on (or above) the gate line Gate are arranged at a cycle that is an integral multiple of the arrangement cycle of the extending direction (row direction) of the gate lines Gate in the plurality of pixels 11. ing. The plurality of vias 14 formed above (or above) the power supply line VDD1 are arranged at a cycle that is an integral multiple of the arrangement cycle of the power supply lines VDD1 in the extending direction (column direction) of the plurality of pixels 11. The plurality of vias 14 formed on (or above) the reference voltage line Ref 1 are arranged in a cycle of an integral multiple of the arrangement cycle of the extension direction (column direction) of the reference voltage line Ref 1 in the plurality of pixels 11 There is. The plurality of vias 14 formed on (or above) the reference voltage line Ref2 are arranged at a period that is an integral multiple of the arrangement period of the extension direction (column direction) of the reference voltage line Ref2 in the plurality of pixels 11. There is. The plurality of vias 14 formed on (or above) the sawtooth voltage line Saw are arranged at a cycle that is an integral multiple of the arrangement cycle of the sawtooth voltage lines Saw extending direction (row direction) in the plurality of pixels 11. There is.

隣り合う複数の画素11が、1または複数の配線16を介して、共通の1つのビア14に電気的に接続されている。具体的には、データ線Sigの延在方向(列方向)に並んだ複数の画素11が、1または複数の配線16を介して、データ線Sigの上(または上方)に形成された共通の1つのビアに電気的に接続されている。同様に、ゲート線Gateの延在方向(行方向)に並んだ複数の画素11が、1または複数の配線16を介して、ゲート線Gateの上(または上方)に形成された共通の1つのビアに電気的に接続されている。電源線VDD1の延在方向(列方向)に並んだ複数の画素11が、1または複数の配線16を介して、電源線VDD1の上(または上方)に形成された共通の1つのビアに電気的に接続されている。参照電圧線Ref1の延在方向(列方向)に並んだ複数の画素11が、1または複数の配線16を介して、参照電圧線Ref1の上(または上方)に形成された共通の1つのビアに電気的に接続されている。参照電圧線Ref2の延在方向(列方向)に並んだ複数の画素11が、1または複数の配線16を介して、参照電圧線Ref2の上(または上方)に形成された共通の1つのビアに電気的に接続されている。のこぎり電圧線Sawの延在方向(行方向)に並んだ複数の画素11が、1または複数の配線16を介して、のこぎり電圧線Sawの上(または上方)に形成された共通の1つのビアに電気的に接続されている。   Adjacent pixels 11 are electrically connected to one common via 14 via one or more wirings 16. Specifically, a plurality of pixels 11 arranged in the extending direction (column direction) of the data line Sig are formed on (or above) the data line Sig via one or more wirings 16. It is electrically connected to one via. Similarly, a plurality of pixels 11 arranged in the extending direction (row direction) of the gate line Gate is formed in common on one side (or upper side) of the gate line Gate via one or more wirings 16. It is electrically connected to the via. A plurality of pixels 11 arranged in the extending direction (column direction) of the power supply line VDD1 are electrically connected to one common via formed on (or above) the power supply line VDD1 via the one or more wirings 16 Connected. Common vias formed on (or above) the reference voltage line Ref1 with the plurality of pixels 11 arranged in the extension direction (column direction) of the reference voltage line Ref1 via the one or more wirings 16 Are connected electrically. Common vias formed on (or above) the reference voltage line Ref2 via the one or more wirings 16 and a plurality of pixels 11 arranged in the extending direction (column direction) of the reference voltage line Ref2 Are connected electrically. A plurality of pixels 11 arranged in the extending direction (row direction) of the sawtooth voltage line Saw are formed via the one or plural wirings 16 on a common one via on (or above) the sawtooth voltage line Saw. Are connected electrically.

図8では、行方向に並んだ2つの画素11、列方向に並んだ2つの画素11、および2x2行列に対応する4つの画素11において、ビア14の共有化がなされている。例えば、列方向に並んだ2つの画素11が、1または複数の配線16を介して、データ線SigB1に電気的に接続された共通の1つのビア14に電気的に接続されている。このとき、データ線SigB1に電気的に接続された複数のビア14は、複数の画素11の列方向の配列周期の2倍の周期で配置されている。例えば、行方向に並んだ2つの画素11が、1または複数の配線16を介して、ゲート線Gate1に電気的に接続された共通の1つのビア14に電気的に接続されている。このとき、ゲート線Gate1に電気的に接続された複数のビア14は、複数の画素11の行方向の配列周期の2倍の周期で配置されている。例えば、2x2に対応する4つの画素11が、1または複数の配線16を介して、参照電圧線Ref1に電気的に接続された共通の1つのビア14に電気的に接続されている。このとき、参照電圧線Ref1に電気的に接続された複数のビア14は、複数の画素11の列方向の配列周期の2倍の周期で配置されている。   In FIG. 8, the vias 14 are shared in two pixels 11 arranged in the row direction, two pixels 11 arranged in the column direction, and four pixels 11 corresponding to the 2 × 2 matrix. For example, two pixels 11 arranged in the column direction are electrically connected to one common via 14 electrically connected to the data line SigB1 via one or more wirings 16. At this time, the plurality of vias 14 electrically connected to the data line SigB1 are arranged in a cycle twice as long as the arrangement cycle of the plurality of pixels 11 in the column direction. For example, two pixels 11 arranged in the row direction are electrically connected to one common via 14 electrically connected to the gate line Gate1 through one or more wirings 16. At this time, the plurality of vias 14 electrically connected to the gate line Gate 1 are arranged in a cycle twice as long as the arrangement cycle of the plurality of pixels 11 in the row direction. For example, four pixels 11 corresponding to 2 × 2 are electrically connected to one common via 14 electrically connected to the reference voltage line Ref 1 through one or more wirings 16. At this time, the plurality of vias 14 electrically connected to the reference voltage line Ref 1 are arranged in a cycle twice as long as the arrangement cycle of the plurality of pixels 11 in the column direction.

図8に記載の配線レイアウト(実施例の配線レイアウト)と、下記の比較例の配線レイアウトとを比較すると、2x2に対応する4つの画素11において必要となるビア14の数は、以下のようになる。なお、比較例では、各画素11において、データ線SigR1、データ線SigG1、データ線SigB1、ゲート線Gate1、ゲート線Gate2、電源線VDD1、参照電圧線Ref1、参照電圧線Ref2およびのこぎり電圧線Sawごとに、1つずつ、ビア14が設けられている。   Comparing the wiring layout shown in FIG. 8 (wiring layout of the embodiment) with the wiring layout of the following comparative example, the number of vias 14 required in the four pixels 11 corresponding to 2 × 2 is as follows: Become. In the comparative example, in each pixel 11, each of data line SigR1, data line SigG1, data line SigB1, gate line Gate1, gate line Gate2, power line VDD1, reference voltage line Ref1, reference voltage line Ref2, and saw voltage line Saw , Vias 14 are provided one by one.

実施例 比較例
SigR1 2 2
SigG1 1 2
SigB1 1 2
SigR2 1 2
SigG2 1 2
SigB2 1 2
VDD1 1 4
Ref1 1 4
Ref2 1 4
Gate1 1 2
Gate2 1 2
Saw 2 4
合計 14 32
Example Comparative Example SigR1 2 2
SigG1 1 2
SigB1 1 2
SigR2 1 2
SigG2 1 2
SigB2 1 2
VDD1 1 4
Ref1 1 4
Ref2 1 4
Gate1 1 2
Gate2 1 2
Saw 2 4
Total 14 32

以上のことから、隣り合う複数の画素11でビア14を共有することにより、画素11ごとにビア14を設けた場合と比べて、1つの画素11あたりに必要となるビア14の数が少なくなることがわかる。   From the above, by sharing the vias 14 by a plurality of adjacent pixels 11, the number of vias 14 required for one pixel 11 is reduced compared to the case where the vias 14 are provided for each pixel 11. I understand that.

ところで、上述したように、各セル10Eの配線レイアウトは、例えば、図8に記載のレイアウトが行方向および列方向に繰り返し配置されたレイアウトとなっている。このとき、画素11のピッチは、各セル10E内だけでなく、隣接する2つのセル10E間においても、等ピッチとなっていることが好ましい。各セル10Eでは、各セル10Eの外部接続端子としての複数の電極パッド34が、セル10Eの裏面に設けられている。そのため、実装面の上面の外縁に外部接続端子を設けたときのような、画素11配置に使用できない額縁領域を省略したり、最小限にしたりすることができる。従って、各セル10Eから、そのような額縁領域が省略されているか、または、各セル10Eにおける、そのような額縁領域が最小限となっている場合には、隣接する2つのセル10E間においても、画素11のピッチを等ピッチにすることができる。   By the way, as described above, the wiring layout of each cell 10E is, for example, a layout in which the layout shown in FIG. 8 is repeatedly arranged in the row direction and the column direction. At this time, it is preferable that the pitch of the pixels 11 be equal not only in each cell 10E but also between two adjacent cells 10E. In each cell 10E, a plurality of electrode pads 34 as external connection terminals of each cell 10E are provided on the back surface of the cell 10E. Therefore, it is possible to omit or minimize the frame area which can not be used for the arrangement of the pixels 11 as in the case where the external connection terminal is provided on the outer edge of the upper surface of the mounting surface. Therefore, in each cell 10E, such a frame area is omitted, or in the case where such a frame area in each cell 10E is minimized, even between two adjacent cells 10E. The pitch of the pixels 11 can be equal.

配線基板30は、例えば、ビルドアップ基板であり、コア基板31と、コア基板31の上面に接して形成されたビルドアップ層32と、コア基板31の裏面に接して形成されたビルドアップ層33とを有している。配線基板30は、本技術の「ビルドアップ基板」の一具体例に相当する。ビルドアップ層32,33は、本技術の「ビルドアップ層」の一具体例に相当する。   The wiring substrate 30 is, for example, a buildup substrate, and the core substrate 31, the buildup layer 32 formed in contact with the upper surface of the core substrate 31, and the buildup layer 33 formed in contact with the back surface of the core substrate 31. And. The wiring substrate 30 corresponds to one specific example of the “build up substrate” of the present technology. The buildup layers 32 and 33 correspond to one specific example of the “buildup layer” of the present technology.

コア基板31は、セル10Eの剛性の確保するものであり、例えば、ガラスエポキシ基板である。ビルドアップ層32は、1層以上の配線層を有している。ビルドアップ層32は、例えば、図7に示したように、配線層32A、絶縁層32B、配線層32C、絶縁層32Dおよび配線層32Eを、コア基板31の上面側からこの順に有している。ビルドアップ層33は、1層以上の配線層を有している。ビルドアップ層33は、例えば、図7に示したように、配線層33A、絶縁層33B、配線層33C、絶縁層33Dおよび配線層33Eを、コア基板31の裏面側からこの順に有している。配線層32A,32C,32E,33A,33C,33Eは、例えば、銅で形成されている。絶縁層32B,32D,33B,33Dは、例えば、紫外線硬化樹脂、または、熱硬化性樹脂で形成されている。   The core substrate 31 secures the rigidity of the cell 10E, and is, for example, a glass epoxy substrate. The buildup layer 32 has one or more wiring layers. For example, as shown in FIG. 7, the buildup layer 32 includes the wiring layer 32A, the insulating layer 32B, the wiring layer 32C, the insulating layer 32D, and the wiring layer 32E in this order from the upper surface side of the core substrate 31. . The buildup layer 33 has one or more wiring layers. For example, as shown in FIG. 7, the buildup layer 33 includes the wiring layer 33A, the insulating layer 33B, the wiring layer 33C, the insulating layer 33D, and the wiring layer 33E in this order from the back surface side of the core substrate 31. . The wiring layers 32A, 32C, 32E, 33A, 33C, and 33E are formed of, for example, copper. The insulating layers 32B, 32D, 33B, and 33D are formed of, for example, an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin.

各データ線Sigは、例えば、配線層32Cに形成されている。図7には、データ線SigB1が、配線層32Cに形成されている様子が例示されている。各ゲート線Gateは、データ線Sigとは異なる層に形成されており、例えば、配線層32Aに形成されている。図7には、ゲート線Gate2が、配線層32Aに形成されている様子が例示されている。各電源線VDD2および各グラウンド線GNDは、例えば、配線層32Eに形成されている。各ビア14は、少なくともビルドアップ層32に形成されており、例えば、少なくとも絶縁層32Dと同一の層内に形成されている。図7には、各ビア14が、絶縁層32Dおよび配線層32Eと同一の層内に形成されている様子が例示されている。各電極パッド34は、ビルドアップ層33に形成されており、例えば、配線層33Eと同一の層内に形成されている。後述の中継配線15は、配線基板30の上面の配線層である配線層32Eに形成されている。   Each data line Sig is formed, for example, in the wiring layer 32C. FIG. 7 exemplifies how the data line SigB1 is formed in the wiring layer 32C. Each gate line Gate is formed in a layer different from the data line Sig, and is formed, for example, in the wiring layer 32A. FIG. 7 illustrates how the gate line Gate2 is formed in the wiring layer 32A. Each power supply line VDD2 and each ground line GND are formed, for example, in the wiring layer 32E. Each via 14 is formed at least in the buildup layer 32, for example, in the same layer as at least the insulating layer 32D. FIG. 7 exemplifies how each via 14 is formed in the same layer as the insulating layer 32D and the wiring layer 32E. Each electrode pad 34 is formed in the buildup layer 33, and is formed, for example, in the same layer as the wiring layer 33E. The relay wiring 15 described later is formed in a wiring layer 32E which is a wiring layer on the upper surface of the wiring substrate 30.

(微細L/S層40)
微細L/S層40は、配線層42と、配線層42と配線基板30の上面との間に設けられた絶縁層41とを有している。絶縁層41は、配線層42と、配線基板30の上面とに接している。配線層42は、各配線16を含む層である。従って、絶縁層41は、各配線16と配線基板30の上面との間に設けられており、各配線16と、配線基板30の上面とに接している。絶縁層41は、各ビア14の上面と対向する位置に開口41Aを有している。絶縁層41は、ビア14と対向する位置ではなく、ビア14と電気的に接続された中継配線15と対向する位置に開口41Aを有していてもよい。絶縁層41は、さらに、上記部分電極と電気的に接続された中継配線15と対向する位置に開口41Aを有している。開口41Aの底面には、ビア14の一部、または、中継配線15の一部が露出している。絶縁層41は、例えば、VPAで形成されている。VPAは、レジストとして一般に使われるものであり、例えば、新日鉄化学社製のVPAが上市されている。絶縁層41がVPAで形成されている場合、例えば、VPAを選択的に露光・現像することによりVPAに開口41を形成することができる。
(Fine L / S layer 40)
The fine L / S layer 40 has a wiring layer 42 and an insulating layer 41 provided between the wiring layer 42 and the top surface of the wiring substrate 30. The insulating layer 41 is in contact with the wiring layer 42 and the upper surface of the wiring substrate 30. The wiring layer 42 is a layer including the respective wirings 16. Accordingly, the insulating layer 41 is provided between each of the wires 16 and the upper surface of the wiring substrate 30, and is in contact with each of the wires 16 and the upper surface of the wiring substrate 30. The insulating layer 41 has an opening 41 A at a position facing the upper surface of each via 14. The insulating layer 41 may have an opening 41 </ b> A not at a position facing the via 14 but at a position facing the relay wiring 15 electrically connected to the via 14. The insulating layer 41 further has an opening 41A at a position facing the relay wiring 15 electrically connected to the partial electrode. At the bottom of the opening 41A, a part of the via 14 or a part of the relay wiring 15 is exposed. The insulating layer 41 is formed of, for example, VPA. VPA is generally used as a resist, and for example, VPA manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. is put on the market. When the insulating layer 41 is formed of VPA, for example, the opening 41 can be formed in the VPA by selectively exposing and developing the VPA.

配線層42において、一部の配線16は、ビア14ごとに1本ずつ以上設けられており、別の配線16は、中間配線15ごとに1本ずつ以上設けられており、残りの配線16は、電源線VDD2およびグラウンド線GNDごとに複数本ずつ以上設けられている。配線層42(各配線16)は、例えば、開口41Aの底面および側面を含む配線基板30の上面に接するシード層42Aと、シード層42Aの上面に接するめっき層42Bとを有している。シード層42Aは、製造過程においてめっき層42Bをめっきで形成する際のめっき成長面となる。シード層42Aは、開口41Aの底面と接しており、ビア14および中継配線15と電気的に接続されている。シード層42Aは、例えば、銅で形成されている。めっき層42Bは、製造過程においてシード層42Aをめっき成長面としてめっき処理により形成されたものである。なお、配線層42(各配線16)は、例えば、スパッタリングにより形成された層であってもよい。   In the wiring layer 42, a part of the wirings 16 is provided at least one for each of the vias 14, another wiring 16 is provided at least one for each of the intermediate wirings 15, and the remaining wirings 16 are More than one are provided for each of the power supply line VDD2 and the ground line GND. The wiring layer 42 (each wiring 16) has, for example, a seed layer 42A in contact with the top surface of the wiring substrate 30 including the bottom and side surfaces of the opening 41A, and a plating layer 42B in contact with the top surface of the seed layer 42A. The seed layer 42A is a plating growth surface when the plating layer 42B is formed by plating in the manufacturing process. The seed layer 42A is in contact with the bottom of the opening 41A, and is electrically connected to the via 14 and the relay wiring 15. The seed layer 42A is formed of, for example, copper. The plating layer 42B is formed by plating using the seed layer 42A as a plating growth surface in the manufacturing process. The wiring layer 42 (each wiring 16) may be, for example, a layer formed by sputtering.

上述したように、配線層42(各配線16)は、絶縁層41の上面に接して形成されている。一方、各画素11の電極は、シード層42Aの上面に接して形成されている。そのため、発光素子12および駆動IC13は、互いに同一の面(シード層42Aの上面)上に形成されているが、厳密には、配線層42(各配線16)の形成面(絶縁層41の上面)とは別の面に形成されている。しかし、各画素11の実装という観点からは、絶縁層41の上面とシード層42Aの上面とを含む面が実装面41Sとなっていると言える。従って、配線層42(各配線16)は、各画素11の実装面41Sに形成されており、かつ、各画素11と実質的に共通の面に形成されている。   As described above, the wiring layer 42 (each wiring 16) is formed in contact with the upper surface of the insulating layer 41. On the other hand, the electrode of each pixel 11 is formed in contact with the upper surface of the seed layer 42A. Therefore, although the light emitting element 12 and the drive IC 13 are formed on the same surface (upper surface of the seed layer 42A), strictly speaking, the upper surface of the wiring layer 42 (wiring 16) (upper surface of the insulating layer 41) ) Is formed on the other side. However, from the viewpoint of mounting each pixel 11, it can be said that the surface including the upper surface of the insulating layer 41 and the upper surface of the seed layer 42A is the mounting surface 41S. Therefore, the wiring layer 42 (each wiring 16) is formed on the mounting surface 41S of each pixel 11, and is formed on a surface substantially common to each pixel 11.

配線層42(各配線16)は、例えば、ビア14、ビア14と電気的に接続された部材(例えば中継配線15)、および、上記部分電極と電気的に接続された中継配線15とめっき接合されている。配線層42(各配線16)をめっきにより形成する際に、配線層42(各配線16)と、ビア14等との接合が、配線層42(各配線16)の形成プロセスの中で一括して行われてもよい。配線層42(各配線16)は、例えば、画素11(発光素子12および駆動IC13)とめっき接合されている。配線層42(各配線16)をめっきにより形成する際に、配線層42(各配線16)と、画素11との接合が、配線層42(各配線16)の形成プロセスの中で一括して行われてもよい。   The wiring layer 42 (each wiring 16) is, for example, plated-bonded to the via 14, a member electrically connected to the via 14 (for example, the relay wiring 15), and the relay wiring 15 electrically connected to the partial electrode. It is done. When forming the wiring layer 42 (each wiring 16) by plating, the connection between the wiring layer 42 (each wiring 16) and the via 14 etc. is collectively performed in the process of forming the wiring layer 42 (each wiring 16). May be performed. The wiring layer 42 (each wiring 16) is, for example, joined by plating to the pixel 11 (the light emitting element 12 and the drive IC 13). When forming the wiring layer 42 (each wiring 16) by plating, the connection between the wiring layer 42 (each wiring 16) and the pixel 11 is collectively performed in the process of forming the wiring layer 42 (each wiring 16). It may be done.

微細L/S層40のL/S(line and space)は、配線基板30のL/Sよりも小さくなっている。L/Sとは、面内で最も狭い配線ピッチを指している。微細L/S層40のL/Sは、複数の信号線Sig、複数のゲート線Gate、複数の電圧線VDD1、複数の参照電圧線Ref1、複数の参照電圧線Ref2、およびのこぎり電圧線SawのL/Sよりも小さくなっている。微細L/S層40のL/Sは、例えば、25μm程度である。一方、配線基板30のL/Sは、例えば、75μm程度である。   The L / S (line and space) of the fine L / S layer 40 is smaller than the L / S of the wiring substrate 30. L / S indicates the narrowest wiring pitch in the plane. The L / S of the fine L / S layer 40 includes a plurality of signal lines Sig, a plurality of gate lines Gate, a plurality of voltage lines VDD1, a plurality of reference voltage lines Ref1, a plurality of reference voltage lines Ref2, and a saw voltage line Saw. It is smaller than L / S. The L / S of the fine L / S layer 40 is, for example, about 25 μm. On the other hand, L / S of the wiring substrate 30 is, for example, about 75 μm.

[製造方法]
次に、図9〜図13を参照しつつ、セル10Eの製造方法の一例について説明する。図9〜図13は、セル10Eの製造過程の一例を工程順に表す。
[Production method]
Next, an example of a method for manufacturing the cell 10E will be described with reference to FIGS. 9 to 13 show an example of the manufacturing process of the cell 10E in the order of steps.

まず、配線基板30を用意する。次に、配線基板30の上面に絶縁層41を形成したのち、所定の方法で、絶縁層41のうち、ビア14の上面と対向する位置に開口41Aを形成する(図9)。このとき、図示しないが、所定の方法で、ビア14や上記部分配線と電気的に接続された中継配線15の上面と対向する位置にも開口41Aを形成する。次に、開口41Aの底面および側面を含む配線基板30の上面にシード層42Aを形成する(図10)。   First, the wiring board 30 is prepared. Next, the insulating layer 41 is formed on the upper surface of the wiring substrate 30, and then the opening 41A is formed at a position facing the upper surface of the via 14 in the insulating layer 41 by a predetermined method (FIG. 9). At this time, although not shown, an opening 41A is also formed at a position opposite to the upper surface of the relay wiring 15 electrically connected to the via 14 and the partial wiring by a predetermined method. Next, a seed layer 42A is formed on the top surface of the wiring substrate 30 including the bottom and side surfaces of the opening 41A (FIG. 10).

次に、表面全体に絶縁性の接着剤を塗布するなどして、発光素子12や駆動IC13を仮固定するための固定層43Aを形成する(図11参照)。接着剤の代わりに、シリコーン系やアクリル系で代表されるような粘着剤の層を固定層43Aとして形成してもよい。続いて、発光素子12や駆動IC13を固定層43Aによって仮固定する(図11)。このとき、発光素子12の電極パッド12a〜12eや、駆動IC13の電極パッド13a〜13pを、後述のめっき処理において成長する金属体(めっき層42B)と接続可能となる程度に近づけて配置する。   Next, a fixing layer 43A for temporarily fixing the light emitting element 12 and the drive IC 13 is formed by, for example, applying an insulating adhesive on the entire surface (see FIG. 11). Instead of the adhesive, a layer of an adhesive represented by silicone or acrylic may be formed as the fixing layer 43A. Subsequently, the light emitting element 12 and the drive IC 13 are temporarily fixed by the fixing layer 43A (FIG. 11). At this time, the electrode pads 12a to 12e of the light emitting element 12 and the electrode pads 13a to 13p of the drive IC 13 are disposed close to the extent that they can be connected to a metal body (plating layer 42B) grown in plating described later.

次に、発光素子12や駆動IC13を仮固定している部分(固定層43Aのうち、発光素子12や駆動IC13の底面に存在する部分)以外の固定層43Aを除去する。その結果、発光素子12や駆動IC13の底面だけに固定層43Aが残る(図12)。図12では、残った固定層43Aを固定層43と記載した。固定層43Aの除去に際して、例えば、ドライエッチングや有機溶剤浸漬等を行うことができる。なお、あらかじめ、発光素子12や駆動IC13を仮固定する場所にだけ、絶縁性の接着剤を塗布しておいてもよい。   Next, the fixed layer 43A other than the portion where the light emitting element 12 and the drive IC 13 are temporarily fixed (the part of the fixed layer 43A present on the bottom surface of the light emitting element 12 and the drive IC 13) is removed. As a result, the fixed layer 43A remains only on the bottom surfaces of the light emitting element 12 and the drive IC 13 (FIG. 12). In FIG. 12, the remaining fixed layer 43 </ b> A is described as the fixed layer 43. At the time of removing the fixed layer 43A, for example, dry etching or immersion in an organic solvent can be performed. Note that an insulating adhesive may be applied in advance only to the place where the light emitting element 12 and the drive IC 13 are temporarily fixed.

次に、シード層42Aをめっき成長面としてめっき処理を行い、シード層42Aの上面にめっき層42Bを形成する(図13)。これにより、配線層42(各配線16)が形成される。このとき、配線層42(各配線16)と、ビア14等との接合が、配線層42(各配線16)の形成プロセスの中で一括して行われる。また、配線層42(各配線16)と、画素11との接合が、配線層42(各配線16)の形成プロセスの中で一括して行われる。その後は、発光素子12や駆動IC13を埋め込み層43で埋め込んだ後に、遮光層45を形成する(図7参照)。このようにして、セル10Eが製造される。   Next, plating is performed using the seed layer 42A as a plating growth surface, and a plating layer 42B is formed on the top surface of the seed layer 42A (FIG. 13). Thereby, the wiring layer 42 (each wiring 16) is formed. At this time, the connection between the wiring layer 42 (each wiring 16) and the via 14 or the like is collectively performed in the process of forming the wiring layer 42 (each wiring 16). In addition, the connection between the wiring layer 42 (each wiring 16) and the pixel 11 is collectively performed in the process of forming the wiring layer 42 (each wiring 16). Thereafter, after the light emitting element 12 and the drive IC 13 are buried with the buried layer 43, the light shielding layer 45 is formed (see FIG. 7). Thus, the cell 10E is manufactured.

[作用・効果]
次に、表示装置1の作用、効果について説明する。本実施の形態では、配線基板30において、層内で所定の方向に延在する配線(例えば、データ線Sig、ゲート線Gate)ごとに複数のビア14が設けられている。層内で所定の方向に延在する配線ごとに設けられた複数のビア14が、複数の画素11の配列周期の整数倍の周期で配置されている。そして、微細L/S層40上で隣り合う複数の画素11が、微細L/S層40内の1または複数の配線16を介して、共通のビア14に電気的に接続されている。このように、隣り合う複数の画素11でビア14を共有することにより、画素11ごとにビア14を設けた場合と比べて、1つの画素11あたりに必要となるビア14の数が少なくなる。その結果、配線基板30上の微細L/S層40のL/Sを、配線基板30内の複数の配線(例えば、複数のデータ線Sig、または、複数のゲート線Gate)のL/Sよりも小さくした場合に、配線基板30上の配線層42の数を1つとすることができる。従って、本実施の形態では、配線基板30上の配線層42を多層にすることなく、実装面41Sの配線ピッチを狭くすることができる。
[Operation / effect]
Next, the operation and effects of the display device 1 will be described. In the present embodiment, in the wiring substrate 30, a plurality of vias 14 are provided for each wiring (for example, data line Sig, gate line Gate) extending in a predetermined direction in the layer. A plurality of vias 14 provided for each wiring extending in a predetermined direction in the layer are arranged at a cycle that is an integral multiple of the arrangement cycle of the plurality of pixels 11. A plurality of pixels 11 adjacent to each other on the fine L / S layer 40 are electrically connected to the common via 14 via one or more wirings 16 in the fine L / S layer 40. In this manner, by sharing the vias 14 by the plurality of adjacent pixels 11, the number of the vias 14 required for one pixel 11 is reduced compared to the case where the vias 14 are provided for each pixel 11. As a result, the L / S of the fine L / S layer 40 on the wiring substrate 30 is determined by the L / S of a plurality of wirings (for example, a plurality of data lines Sig or a plurality of gate lines Gate) in the wiring substrate 30. In the case where the size is also reduced, the number of wiring layers 42 on the wiring substrate 30 can be one. Therefore, in the present embodiment, the wiring pitch of the mounting surface 41S can be narrowed without forming the wiring layer 42 on the wiring substrate 30 in multiple layers.

<2.変形例>
[変形例1]
上記実施の形態において、例えば、図14に示したように、画素11が、発光素子12および駆動IC13を一体に形成したものであってもよい。
<2. Modified example>
[Modification 1]
In the above embodiment, for example, as shown in FIG. 14, the pixel 11 may be formed integrally with the light emitting element 12 and the drive IC 13.

[変形例2]
上記実施の形態およびその変形例において、発光素子12の発光色が単一であってもよい。この場合に、セル10Eが、例えば、開口45A内に、複数色のカラーフィルタを有していてもよい。また、上記変形例2において、発光素子12の発光色が単一であってもよい。この場合に、対向基板10Bが、例えば、開口45A内に、複数色のカラーフィルタを有していてもよい。
[Modification 2]
In the above embodiment and its modification, the light emission color of the light emitting element 12 may be single. In this case, the cell 10E may have, for example, color filters of a plurality of colors in the opening 45A. In the second modification, the light emission color of the light emitting element 12 may be single. In this case, the counter substrate 10B may have color filters of a plurality of colors, for example, in the opening 45A.

<3.第2の実施の形態>
図15は、本技術の第2の実施の形態に係る照明装置2の斜視構成の一例を表す。照明装置2は、上記第1の実施の形態の表示装置1およびその変形例(変形例1,2)において、データ線Sigに入力される信号が、映像信号のような時々刻々、変化するものではなく、照明光の明るさに応じた固定値となっているものに相当する。照明装置2は、例えば、図15に示したように、照明パネル60と、照明パネル60を制御する制御回路70とを備えている。
<3. Second embodiment>
FIG. 15 illustrates an example of a perspective configuration of a lighting device 2 according to a second embodiment of the present technology. In the display device 1 according to the first embodiment and its modification (Modifications 1 and 2), the illumination device 2 changes a signal inputted to the data line Sig every moment like a video signal. It corresponds to what is not the fixed value according to the brightness of illumination light. The lighting device 2 includes, for example, a lighting panel 60 and a control circuit 70 for controlling the lighting panel 60, as shown in FIG.

照明パネル60は、実装基板60Aと、対向基板60Bとを互いに重ね合わせたものである。対向基板60Bの表面が光出射面となっている。対向基板60Bは、所定の間隙を介して、実装基板60Aと対向する位置に配置されている。対向基板60Bは、例えば、可視光を透過する光透過性の基板を有しており、例えば、ガラス基板、または透明樹脂基板などを有している。   The lighting panel 60 is a combination of the mounting substrate 60A and the counter substrate 60B. The surface of the opposing substrate 60B is a light emitting surface. The opposing substrate 60B is disposed at a position facing the mounting substrate 60A via a predetermined gap. The opposing substrate 60B includes, for example, a light transmitting substrate that transmits visible light, and includes, for example, a glass substrate or a transparent resin substrate.

実装基板60Aは、例えば、図2と同様に、タイル状に配置された複数のユニット基板で構成されている。ユニット基板は、例えば、タイル状に配置された複数のセルと、各セルを支持する配線基板とを有している。各セルでは、例えば、図4、図7、図8、図14において、データ線Sigに入力される信号が、照明光の明るさに応じた固定値となっている場合に、画素11の駆動にとって必要のない配線が、適宜、省略される。   The mounting substrate 60A is configured of, for example, a plurality of unit substrates arranged in a tile, as in FIG. The unit substrate has, for example, a plurality of cells arranged in a tile and a wiring substrate for supporting each cell. In each cell, for example, in FIG. 4, FIG. 7, FIG. 8, and FIG. 14, when the signal input to the data line Sig has a fixed value according to the brightness of the illumination light, the pixel 11 is driven. Unnecessary wiring is omitted as appropriate.

[作用・効果]
次に、照明装置2の作用、効果について説明する。本実施の形態では、上記第1の実施の形態およびその変形例に係る表示装置1と同様に、配線基板30において、層内で所定の方向に延在する配線ごとに複数のビア14が設けられている。層内で所定の方向に延在する配線ごとに設けられた複数のビア14が、複数の画素11の配列周期の整数倍の周期で配置されている。そして、微細L/S層40上で隣り合う複数の受光素子が、微細L/S層40内の1または複数の配線16を介して、共通のビア14に電気的に接続されている。このように、隣り合う複数の画素11でビア14を共有することにより、画素11ごとにビア14を設けた場合と比べて、1つの画素11あたりに必要となるビア14の数が少なくなる。その結果、配線基板30上の微細L/S層40のL/Sを、配線基板30内の複数の配線のL/Sよりも小さくした場合に、配線基板30上の配線層42の数を1つとすることができる。従って、本実施の形態では、配線基板30上の配線層42を多層にすることなく、実装面41Sの配線ピッチを狭くすることができる。
[Operation / effect]
Next, the operation and effects of the lighting device 2 will be described. In the present embodiment, as in the display device 1 according to the first embodiment and the modification thereof, in the wiring substrate 30, a plurality of vias 14 are provided for each wiring extending in a predetermined direction in the layer. It is done. A plurality of vias 14 provided for each wiring extending in a predetermined direction in the layer are arranged at a cycle that is an integral multiple of the arrangement cycle of the plurality of pixels 11. A plurality of light receiving elements adjacent to each other on the fine L / S layer 40 are electrically connected to the common via 14 via one or more wirings 16 in the fine L / S layer 40. In this manner, by sharing the vias 14 by the plurality of adjacent pixels 11, the number of the vias 14 required for one pixel 11 is reduced compared to the case where the vias 14 are provided for each pixel 11. As a result, when L / S of the fine L / S layer 40 on the wiring substrate 30 is smaller than L / S of a plurality of wires in the wiring substrate 30, the number of wiring layers 42 on the wiring substrate 30 is set. It can be one. Therefore, in the present embodiment, the wiring pitch of the mounting surface 41S can be narrowed without forming the wiring layer 42 on the wiring substrate 30 in multiple layers.

<4.第3の実施の形態>
図16は、本技術の第3の実施の形態に係る受光装置3の斜視構成の一例を表す。受光装置3は、上記第1の実施の形態の表示装置1において、画素11の代わりに受光素子を設けたものに相当する。受光装置2は、例えば、図16に示したように、受光パネル80と、受光パネル80を制御する制御回路90とを備えている。
<4. Third embodiment>
FIG. 16 illustrates an example of a perspective view of a light receiving device 3 according to a third embodiment of the present technology. The light receiving device 3 corresponds to one in which a light receiving element is provided instead of the pixel 11 in the display device 1 according to the first embodiment. For example, as shown in FIG. 16, the light receiving device 2 includes a light receiving panel 80 and a control circuit 90 that controls the light receiving panel 80.

受光パネル80は、実装基板80Aと、対向基板80Bとを互いに重ね合わせたものである。対向基板80Bの表面が受光面となっている。対向基板80Bは、所定の間隙を介して、実装基板80Aと対向する位置に配置されている。対向基板80Bは、例えば、可視光を透過する光透過性の基板を有しており、例えば、ガラス基板、または透明樹脂基板などを有している。   The light receiving panel 80 is a combination of the mounting substrate 80A and the counter substrate 80B. The surface of the counter substrate 80B is a light receiving surface. The opposing substrate 80B is disposed at a position facing the mounting substrate 80A via a predetermined gap. The opposing substrate 80B includes, for example, a light transmitting substrate that transmits visible light, and includes, for example, a glass substrate or a transparent resin substrate.

実装基板80Aは、例えば、図2と同様に、タイル状に配置された複数のユニット基板で構成されている。ユニット基板は、例えば、タイル状に配置された複数のセルと、各セルを支持する配線基板とを有している。各セルは、例えば、図4、図7、図14において、画素11の代わりに受光素子を設けたものに相当する。ただし、受光素子の駆動にとって必要のない配線は、適宜、省略される。   The mounting substrate 80A is configured of, for example, a plurality of unit substrates arranged in a tile shape, as in FIG. The unit substrate has, for example, a plurality of cells arranged in a tile and a wiring substrate for supporting each cell. Each cell corresponds to, for example, one in which a light receiving element is provided instead of the pixel 11 in FIGS. 4, 7 and 14. However, wiring unnecessary for driving the light receiving element is omitted as appropriate.

[作用・効果]
次に、受光装置3の作用、効果について説明する。本実施の形態では、上記第1の実施の形態およびその変形例に係る表示装置1と同様に、配線基板30において、層内で所定の方向に延在する配線ごとに複数のビア14が設けられている。層内で所定の方向に延在する配線ごとに設けられた複数のビア14が、複数の受光素子の配列周期の整数倍の周期で配置されている。そして、微細L/S層40上で隣り合う複数の受光素子が、微細L/S層40内の1または複数の配線16を介して、共通のビア14に電気的に接続されている。このように、隣り合う複数の受光素子でビア14を共有することにより、受光素子ごとにビア14を設けた場合と比べて、1つの画素11あたりに必要となるビア14の数が少なくなる。その結果、配線基板30上の微細L/S層40のL/Sを、配線基板30内の複数の配線のL/Sよりも小さくした場合に、配線基板30上の配線層42の数を1つとすることができる。従って、本実施の形態では、配線基板30上の配線層42を多層にすることなく、実装面41Sの配線ピッチを狭くすることができる。
[Operation / effect]
Next, the operation and effects of the light receiving device 3 will be described. In the present embodiment, as in the display device 1 according to the first embodiment and the modification thereof, in the wiring substrate 30, a plurality of vias 14 are provided for each wiring extending in a predetermined direction in the layer. It is done. A plurality of vias 14 provided for each wiring extending in a predetermined direction in the layer are arranged at a cycle that is an integral multiple of the arrangement cycle of the plurality of light receiving elements. A plurality of light receiving elements adjacent to each other on the fine L / S layer 40 are electrically connected to the common via 14 via one or more wirings 16 in the fine L / S layer 40. Thus, by sharing the vias 14 by a plurality of adjacent light receiving elements, the number of the vias 14 required for one pixel 11 is reduced compared to the case where the vias 14 are provided for each light receiving element. As a result, when L / S of the fine L / S layer 40 on the wiring substrate 30 is smaller than L / S of a plurality of wires in the wiring substrate 30, the number of wiring layers 42 on the wiring substrate 30 is set. It can be one. Therefore, in the present embodiment, the wiring pitch of the mounting surface 41S can be narrowed without forming the wiring layer 42 on the wiring substrate 30 in multiple layers.

<5.各実施の形態に共通の変形例>
上記各実施の形態およびその変形例において、遮光層45が対向基板10B,60B,80Bの裏面(実装基板10A,60A,80A側の表面)に配置されていてもよい。
<5. Modification common to each embodiment>
In each of the above-described embodiments and the modifications thereof, the light shielding layer 45 may be disposed on the back surface (surface on the mounting substrate 10A, 60A, 80A side) of the counter substrate 10B, 60B, 80B.

上記各実施の形態およびその変形例において、例えば、図17〜図19に示したように、対向基板10B,60B,80Bが省略されていてもよい。また、上記各実施の形態およびその変形例において、対向基板10B,60B,80Bが、ユニット基板10Cごとに、またはセル12Eごとに1つずつ設けられていてもよい。   In each of the above-described embodiments and their modifications, for example, as shown in FIGS. 17 to 19, the opposing substrates 10B, 60B, and 80B may be omitted. Further, in each of the above-described embodiments and the modifications thereof, one of the counter substrates 10B, 60B, and 80B may be provided for each unit substrate 10C or for each cell 12E.

上記各実施の形態およびその変形例において、遮光層45が省略されていてもよい。   The light shielding layer 45 may be omitted in each of the above embodiments and their modifications.

また、上記各実施の形態およびその変形例では、各画素11(発光素子12および駆動IC13)が、配線層42(各配線16)とめっき接合されていたが、例えば、半田接合されていてもよい。例えば、発光素子12および駆動IC13の電極パッドに半田バンプを設けた上で、発光素子12および駆動IC13を、各配線16上に配置したのち、リフローを行う。これにより、発光素子12および駆動IC13を、各配線16に半田接合することができる。なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。   In each of the above-described embodiments and the modifications thereof, each pixel 11 (the light emitting element 12 and the driving IC 13) is plated and connected to the wiring layer 42 (each wiring 16). Good. For example, after providing solder bumps on the electrode pads of the light emitting element 12 and the drive IC 13, the light emitting element 12 and the drive IC 13 are disposed on the respective wirings 16, and then reflow is performed. Thus, the light emitting element 12 and the drive IC 13 can be soldered to the respective wirings 16. In addition, the effect described in this specification is an illustration to the last, is not limited, and may have other effects.

また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
(1)
配線基板と、
前記配線基板の上面に接して形成された微細L/S(line and space)層と、
前記微細L/S層の上面に行列状に配置された複数の素子と
を備え、
前記配線基板は、
層内で所定の方向に延在する複数の第1配線と、
前記第1配線ごとに複数設けられ、かつ複数の前記素子の配列周期の整数倍の周期で配置された複数のビアと
を有し、
前記微細L/S層は、
前記ビアごとに1つ以上設けられた複数の第2配線と、
各前記第2配線と、前記配線基板の上面との間に設けられ、各前記第2配線と、前記配線基板の上面とに接する絶縁層と
を有し、
前記微細L/S層のL/Sは、複数の前記第1配線のL/Sよりも小さくなっており、
隣り合う複数の前記素子が、1または複数の前記第2配線を介して、共通の前記ビアに電気的に接続されている
実装基板。
(2)
複数の前記第1配線は、行方向または列方向に延在し、
複数の前記ビアは、複数の前記素子における、前記第1配線の延在方向の配列周期の整数倍の周期で配置され、
前記第1配線の延在方向に並んだ複数の前記素子が、1または複数の前記第2配線を介して、共通の前記ビアに電気的に接続されている
(1)に記載の実装基板。
(3)
各前記ビアは、前記第2配線の上または上方に形成されると共に前記配線基板の上面に露出している
(1)または(2)に記載の実装基板。
(4)
前記配線基板は、前記第1配線ごとに1つ以上設けられ、前記配線基板の裏面に露出する複数の電極パッドを有する
(1)ないし(3)のいずれか1つに記載の実装基板。
(5)
前記第2配線は、前記ビアまたは前記ビアと電気的に接続された部材とめっき接合されており、さらに、各前記素子とめっき接合されている
(1)ないし(4)のいずれか1つに記載の実装基板。
(6)
前記配線基板は、コア基板と、前記コア基板の両面にそれぞれ1層以上形成されたビルドアップ層とを有するビルドアップ基板であり、
各前記ビアは、少なくとも前記配線基板の上面側の前記ビルドアップ層に形成され、
各前記電極パッドは、前記配線基板の裏面側の前記ビルドアップ層に形成されている
(1)ないし(5)のいずれか1つに記載の実装基板。
(7)
各前記素子は、発光素子と、前記発光素子を駆動する駆動回路とを含む
(1)ないし(6)のいずれか1つに記載の実装基板。
(8)
1または複数の実装基板と、
1または複数の前記実装基板を制御する制御回路と
を備え、
前記実装基板は、
配線基板と、
前記配線基板の上面に接して形成された微細L/S(line and space)層と、
前記微細L/S層の上面に行列状に配置された複数の素子と
を有し、
前記配線基板は、
層内で所定の方向に延在する複数の第1配線と、
前記第1配線ごとに複数設けられ、かつ複数の前記素子の配列周期の整数倍の周期で配置された複数のビアと
を有し、
前記微細L/S層は、
前記ビアごとに1つ以上設けられた複数の第2配線と、
各前記第2配線と、前記配線基板の上面との間に設けられ、各前記第2配線と、前記配線基板の上面とに接する絶縁層と
を有し、
前記微細L/S層のL/S(line and space)は、複数の前記第1配線のL/Sよりも小さくなっており、
隣り合う複数の前記素子が、1または複数の前記第2配線を介して、共通の前記ビアに電気的に接続されている
電子機器。
(9)
当該電子機器は、
複数の前記実装基板を支持する支持基板と、
複数の前記実装基板を制御する制御基板と
をさらに備え、
複数の前記実装基板は、前記支持基板上にタイル状に配置され、
各前記配線基板は、前記第1配線ごとに1つ以上設けられ、前記第1配線と電気的に接続されると共に、前記配線基板の裏面に露出する複数の電極パッドを有し、
前記支持基板および前記制御基板の少なくとも一方は、各前記電極パッドを介して、各前記配線基板と電気的に接続されている
(8)に記載の電子機器。
Also, for example, the present technology can have the following configurations.
(1)
A wiring board,
A fine L / S (line and space) layer formed in contact with the upper surface of the wiring substrate;
A plurality of elements arranged in a matrix on the upper surface of the fine L / S layer;
The wiring board is
A plurality of first wires extending in a predetermined direction in the layer;
A plurality of vias provided for each of the first wires, and arranged at a cycle that is an integral multiple of an array cycle of the plurality of the elements,
The fine L / S layer is
A plurality of second wires provided one or more for each of the vias;
An insulating layer provided between each of the second wires and the upper surface of the wiring substrate, and in contact with each of the second wires and the upper surface of the wiring substrate;
The L / S of the fine L / S layer is smaller than the L / S of the plurality of first wires,
A plurality of adjacent elements are electrically connected to the common via via one or more of the second wires.
(2)
The plurality of first wires extend in the row direction or the column direction,
The plurality of vias are arranged in a cycle of an integral multiple of the arrangement cycle of the extending direction of the first wiring in the plurality of elements.
The mounting substrate according to (1), wherein the plurality of elements arranged in the extending direction of the first wiring are electrically connected to the common via via one or more second wirings.
(3)
The mounting substrate according to (1) or (2), wherein each of the vias is formed on or above the second wiring and exposed to the upper surface of the wiring substrate.
(4)
The mounting substrate according to any one of (1) to (3), wherein the wiring substrate is provided with one or more for each of the first wires and has a plurality of electrode pads exposed on the back surface of the wiring substrate.
(5)
The second wiring is plated and joined to the via or a member electrically connected to the via, and is further plated and joined to each of the elements (1) to (4). Mounting board described.
(6)
The wiring substrate is a buildup substrate having a core substrate and a buildup layer formed on one or more layers on both sides of the core substrate,
Each of the vias is formed in the buildup layer at least on the upper surface side of the wiring substrate,
Each of the said electrode pads is formed in the said buildup layer of the back surface side of the said wiring board, The mounting board as described in any one of (1) thru | or (5).
(7)
Each of the elements includes a light emitting element and a drive circuit for driving the light emitting element. The mounting substrate according to any one of (1) to (6).
(8)
One or more mounting boards,
A control circuit that controls one or more of the mounting boards;
The mounting board is
A wiring board,
A fine L / S (line and space) layer formed in contact with the upper surface of the wiring substrate;
A plurality of elements arranged in a matrix on the upper surface of the fine L / S layer;
The wiring board is
A plurality of first wires extending in a predetermined direction in the layer;
A plurality of vias provided for each of the first wires, and arranged at a cycle that is an integral multiple of an array cycle of the plurality of the elements,
The fine L / S layer is
A plurality of second wires provided one or more for each of the vias;
An insulating layer provided between each of the second wires and the upper surface of the wiring substrate, and in contact with each of the second wires and the upper surface of the wiring substrate;
The L / S (line and space) of the fine L / S layer is smaller than the L / S of the plurality of first wires,
An electronic device in which a plurality of adjacent elements are electrically connected to a common via via one or more second wirings.
(9)
The electronic device is
A support substrate for supporting a plurality of the mounting substrates;
And a control board for controlling a plurality of the mounting boards,
The plurality of mounting substrates are arranged in a tile on the support substrate,
Each of the wiring boards is provided with one or more for each of the first wirings, and has a plurality of electrode pads electrically connected to the first wirings and exposed on the back surface of the wiring board
The electronic device according to (8), wherein at least one of the support substrate and the control substrate is electrically connected to each of the wiring substrates via each of the electrode pads.

1…表示装置、10…表示パネル、10A…実装基板、10B…対向基板、10C…ユニット基板、10D…配線基板、10E…セル、11…画素、12,12B,12G,12R…発光素子、12a,12b,12c,12d,12e,12f,13a,13b,13c,13d,13e,13f,13g,13h,13i,13k,13m,13n,13o,13p…電極パッド、12i…保護体、13…駆動IC、15…中継配線、16…配線、17…貫通配線、20…制御回路、30…配線基板、31…コア基板、32,33…ビルドアップ基板、32A,32C,32E,33A,33C,33E…配線層、32B,32D,33B,33D…絶縁層、34…電極パッド、40…微細L/S層、41…絶縁層、41A…開口、41S…実装面、42…配線層、42A…シード層、42B…めっき層、43,43A…固定層、44…埋め込み層、45…遮光層、45A…開口、50…絶縁層、50A…開口、Gate,Gate1,Gate2…ゲート線、GND…グラウンド線、Ref1,Ref2…参照電圧線、Saw…のこぎり電圧線、Sig,SigB,SigB1,SigB2,SigG,SigG1,SigG2,SigR,SigR1,SigR2…データ線、VDD1,VDD2…電源線。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 display device 10 display panel 10A mounting substrate 10B opposing substrate 10C unit substrate 10D wiring substrate 10E cell 11 pixel 12 12B 12G 12R light emitting element 12a 12, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f, 13a, 13c, 13e, 13e, 13f, 13g, 13h, 13k, 13m, 13n, 13o, 13p ... electrode pad, 12i ... protective body, 13 ... 13 IC 15 relay wiring 16 wiring 17 through wiring 20 control circuit 30 wiring board 31 core substrate 32 33 buildup substrate 32A 32C 32E 33A 33C 33E ... Wiring layer, 32B, 32D, 33B, 33D ... Insulating layer, 34 ... Electrode pad, 40 ... Fine L / S layer, 41 ... Insulating layer, 41A ... Opening, 41 ... mounting surface, 42 ... wiring layer, 42A ... seed layer, 42B ... plating layer, 43, 43A ... fixed layer, 44 ... embedded layer, 45 ... light shielding layer, 45A ... opening, 50 ... insulating layer, 50A ... opening, Gate , Gate1, Gate2 ... gate line, GND ... ground line, Ref1, Ref2 ... reference voltage line, Saw ... saw voltage line, Sig, SigB, SigB1, SigB2, SigG, SigG1, SigG2, SigR, SigR1, SigR2 ... data line, VDD1, VDD2 ... power supply lines.

Claims (6)

複数のユニット基板を備え、
各前記ユニット基板は、
複数の第1配線と複数のビアを含む配線基板と、
前記配線基板上に設けられた複数の第2配線と、
複数の前記第2配線と接続され、発光素子と前記発光素子を駆動する駆動ICとを含む複数の画素と
を有し、
複数の前記ビアは、複数の前記第1配線複数の前記第2配線とを電気的に接続
複数の前記画素は、1または複数の前記第2配線を介して、複数の前記ビアの1つと共通に接続され
複数の前記第2配線のL/Sは、複数の前記第1配線のL/Sより小さい
表示装置。
Equipped with multiple unit boards,
Each unit substrate is
A wiring board including a plurality of first wirings and the plurality of vias,
A plurality of second wires provided on the wiring substrate;
A plurality of pixels connected to the plurality of second wirings and including a light emitting element and a driving IC for driving the light emitting element ;
A plurality of said vias electrically connect the plurality of the first wiring and the plurality of the second wirings,
The plurality of pixels are commonly connected to one of the plurality of vias via one or more of the second wires ,
A display device in which the L / S of the plurality of second wirings is smaller than the L / S of the plurality of first wirings .
複数の前記第1配線は、行方向または列方向に延在し、
複数の前記ビアは、複数の前記画素における、前記第配線の延在方向の配列周期の整数倍の周期で配置され、
前記第配線の延在方向に並んだ複数の前記画素が、1または複数の前記第配線を介して、共通の前記ビアに電気的に接続されている
請求項1に記載の表示装置。
A plurality of the first wiring is to extend in the row direction or the column direction,
The plurality of vias are arranged at a cycle that is an integral multiple of the arrangement cycle of the extending direction of the first wiring in the plurality of pixels.
2. The display device according to claim 1, wherein the plurality of pixels arranged in the extending direction of the first wiring are electrically connected to the common via via one or more second wirings.
各前記ビアは、前記第1配線の上または上方に形成されると共に前記配線基板の上面に露出している
請求項2に記載の表示装置。
The display device according to claim 2, wherein each of the vias is formed on or above the first wiring and is exposed on the top surface of the wiring substrate.
前記配線基板は、前記第配線ごとに1つ以上設けられ、前記配線基板の裏面に露出する複数の電極パッドを有する
請求項3に記載の表示装置。
The display device according to claim 3, wherein one or more of the wiring substrates are provided for each of the first wirings, and the plurality of electrode pads exposed on a back surface of the wiring substrate are provided.
前記第配線は、前記ビアまたは前記ビアと電気的に接続された部材とめっき接合されており、さらに、各前記画素とめっき接合されている
請求項4に記載の表示装置。
5. The display device according to claim 4, wherein the second wiring is plated and bonded to the via or a member electrically connected to the via, and is further plated and connected to each pixel.
前記配線基板は、コア基板と、前記コア基板の両面にそれぞれ1層以上形成されたビルドアップ層とを有するビルドアップ基板であり、
各前記ビアは、少なくとも前記配線基板の上面側の前記ビルドアップ層に形成され、
各前記電極パッドは、前記配線基板の裏面側の前記ビルドアップ層に形成されている
請求項5に記載の表示装置。
The wiring substrate is a buildup substrate having a core substrate and a buildup layer formed on one or more layers on both sides of the core substrate,
Each of the vias is formed in the buildup layer at least on the upper surface side of the wiring substrate,
The display device according to claim 5, wherein each of the electrode pads is formed in the buildup layer on the back surface side of the wiring substrate.
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