JP6504021B2 - 電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、フィルタを備えた電子部品に関する。

従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタ（以下、単にフィルタと呼ぶ）が知られている。該フィルタは、５つのＬＣ並列共振器を備えている。５つのＬＣ並列共振器はそれぞれ、互いに並列に接続されているインダクタ及びコンデンサを含んでいる。

インダクタは、線路電極、第１のビア電極及び第２のビア電極を有している。線路電極は、前後方向に延在する直線の導体層である。第１のビア電極及び第２のビア電極は、線路電極の両端から下方に向かって延在している。コンデンサは、コンデンサ電極及びグランド電極を有している。コンデンサ電極は、第１のビア電極の下端に接続されている。グランド電極は、第２のビア電極の下端に接続されている。このようなＬＣ並列共振器は、インダクタ及びコンデンサにより囲まれたループ面を形成している。そして、５つのＬＣ並列共振器は、隣り合うもの同士のループ面が対向するように、左右方向に一列に並んでいる。これにより、隣り合うＬＣ並列共振器同士が電磁気的に結合している。以上のようなフィルタは、バンドパスフィルタを構成している。

ところで、フィルタにおいて、通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくしたいという要望がある。しかしながら、上記バンドパスフィルタでは、通過帯域外の高周波領域における減衰量が十分ではない。

国際公開第２００７／１１９３５６号公報

そこで、本発明の目的は、通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくすることができる電子部品を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている積層体と、前記積層体に設けられているフィルタと、前記積層体に設けられている入出力端子と、前記積層体に設けられ、かつ、前記フィルタと前記入出力端子との間に接続されているインピーダンス整合用インダクタであって、インピーダンス整合用インダクタ導体層と、該インピーダンス整合用インダクタ導体層から前記積層方向に向かって延在する第１のインピーダンス整合用ビアホール導体及び第２のインピーダンス整合用ビアホール導体と、を含むインピーダンス整合用ループビアインダクタと、を備えており、前記第１のインピーダンス整合用ビアホール導体と前記第２のインピーダンス整合用ビアホール導体とのそれぞれに接続された２以上の導体層により構成されるコンデンサが設けられておらず、前記第１のインピーダンス整合用ビアホール導体と前記第２のインピーダンス整合用ビアホールとの間に浮遊容量が発生していること、を特徴とする。

本発明によれば、通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくすることができる。

一実施形態に係るダイプレクサ１０ａの等価回路図である。 ダイプレクサ１０ａ，１０ｂの外観斜視図である。 ダイプレクサ１０ａの分解斜視図である。 ダイプレクサ１０ａの分解斜視図である。 ダイプレクサ１０ａの分解斜視図である。 ダイプレクサ１０ａの絶縁体層１６ｂ〜１６ｄを上側から透視した図である。 第１のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 第２のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 変形例に係るダイプレクサ１０ｂの等価回路図である。 ダイプレクサ１０ｂの分解斜視図である。 ダイプレクサ１０ｂの分解斜視図である。 第３のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。 その他の実施形態に係るダイプレクサ１０ｃの絶縁体層１６ｂ〜１６ｄを上側から透視した図である。

（ダイプレクサの構成）
以下に本発明の一実施形態に係るダイプレクサ１０ａ（電子部品の一例）の回路構成について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係るダイプレクサ１０ａの等価回路図である。なお、ループビアインダクタとは、インダクタ導体層の一端に接続したビアホール導体とインダクタ導体層の他端に接続したビアホール導体で構成されるインダクタある。

ダイプレクサ１０ａは、図１に示すように、信号経路ＳＬ１，ＳＬ２、外部電極１４ａ〜１４ｆ、インダクタＬ１〜Ｌ７，Ｌ１００及びコンデンサＣ１〜Ｃ７，Ｃ１１〜Ｃ１７を備えている。

外部電極１４ａ〜１４ｃは、高周波信号の入出力端子である。外部電極１４ｄ〜１４ｆは、接地電位に接続されるグランド端子である。信号経路ＳＬ１の一端は、外部電極１４ａに接続されている。信号経路ＳＬ１の他端は、外部電極１４ｂに接続されている。信号経路ＳＬ２の一端は、外部電極１４ａに接続されている。信号経路ＳＬ２の他端は、外部電極１４ｃに接続されている。すなわち、ダイプレクサ１０ａは、信号経路ＳＬ１と信号経路ＳＬ２とが枝分かれした構造を有している。

コンデンサＣ７とインダクタＬ７とは、並列に接続されることによりＬＣ並列共振器ＬＣ７を構成しており、外部電極１４ａと信号経路ＳＬ１，ＳＬ２が枝分かれする位置との間に設けられている。従って、ＬＣ並列共振器ＬＣ７の一端は、外部電極１４ａに接続されている。

コンデンサＣ１１〜Ｃ１３及びインダクタＬ１００（インピーダンス整合用ループビアインダクタの一例）は、信号経路ＳＬ１に設けられており、外部電極１４ａから外部電極１４ｂへと向かう方向においてこの順に直列に接続されている。また、コンデンサＣｐは、インダクタＬ１００に発生している浮遊容量であり、インダクタＬ１００に並列に接続されている。これにより、インダクタＬ１００とコンデンサＣｐとは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１００を構成している。

コンデンサＣ１とインダクタＬ１とは、並列に接続されることによりＬＣ並列共振器ＬＣ１を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ１の一端は、コンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２との間において信号経路ＳＬ１に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１の他端は、外部電極１４ｅ，１４ｆに接続されている。

コンデンサＣ２とインダクタＬ２（第１のループインダクタの一例）とは、並列に接続されることによりＬＣ並列共振器ＬＣ２（第１のＬＣ並列共振器の一例）を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ２の一端は、コンデンサＣ１２とコンデンサＣ１３との間において信号経路ＳＬ１に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ２の他端は、外部電極１４ｅ，１４ｆに接続されている。また、インダクタＬ１とインダクタＬ２とは、電磁界結合している。

コンデンサＣ３とインダクタＬ３（第２のループインダクタの一例）とは、並列に接続されることによりＬＣ並列共振器ＬＣ３（第２のＬＣ並列共振器の一例）を構成している。ＬＣ並列共振器ＬＣ３の一端は、コンデンサＣ１３とインダクタＬ１００との間において信号経路ＳＬ１に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ３の他端は、外部電極１４ｅ，１４ｆに接続されている。また、インダクタＬ２とインダクタＬ３とは、電磁界結合している。

コンデンサＣ１４の一方の電極は、コンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２との間において信号経路ＳＬ１に接続されている。コンデンサＣ１５の一方の電極は、コンデンサＣ１２とコンデンサＣ１３との間において信号経路ＳＬ１に接続されている。コンデンサＣ１６の一方の電極は、コンデンサＣ１３とインダクタＬ１００との間において信号経路ＳＬ１に接続されている。コンデンサＣ１４〜Ｃ１６の他方の電極は互いに接続されている。

以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３及びコンデンサＣ１１〜Ｃ１６は、例えば、５ＧＨｚを中心周波数とする第１の通過帯域を有するバンドパスフィルタＢＰＦ（第１のバンドパスフィルタの一例）を構成している。

コンデンサＣ４とインダクタＬ４とは、並列に接続されることによりＬＣ並列共振器ＬＣ４を構成している。コンデンサＣ５とインダクタＬ５は、並列に接続されることによりＬＣ並列共振器ＬＣ５を構成している。並列共振器ＬＣ４，ＬＣ５は、信号経路ＳＬ２に設けられており、外部電極１４ａから外部電極１４ｃへと向かう方向においてこの順に直列に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ４の一端は、ＬＣ並列共振器ＬＣ７の他端に接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ５の他端は、外部電極１４ｃに接続されている。

コンデンサＣ６とインダクタＬ６とは、直列に接続されることによりＬＣ直列共振器ＬＣ６を構成している。ＬＣ直列共振器ＬＣ６の一端は、ＬＣ並列共振器ＬＣ４とＬＣ並列共振器ＬＣ５との間において信号経路ＳＬ２に接続されている。ＬＣ直列共振器ＬＣ６の他端は、外部電極１４ｄに接続されている。

コンデンサＣ１７の一方の電極は、ＬＣ並列共振器ＬＣ５と外部電極１４ｃとの間に接続されている。コンデンサＣ１７の他方の電極は、外部電極１４ｄに接続されている。

以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ４，ＬＣ５、ＬＣ直列共振器ＬＣ６及びコンデンサＣ１７は、第１の通過帯域よりも低い中心周波数とする第２の通過帯域を有するローパスフィルタＬＰＦを構成している。すなわち、ローパスフィルタＬＰＦは、外部電極１４ａと外部電極１４ｃとの間において、第２の通過帯域の高周波信号を通過させる。

また、ＬＣ並列共振器ＬＣ４，ＬＣ５は、共振周波数の高周波信号を外部電極１４ａと外部電極１４ｃにおいて通過させない。ＬＣ並列共振器ＬＣ４，ＬＣ５の共振周波数は、例えば、第２の通過帯域の高周波側の近傍の周波数である。ＬＣ直列共振器ＬＣ６は、ＬＣ直列共振器ＬＣ６の共振周波数となる高周波信号を外部電極１４ａと外部電極１４ｃの間において通過させない。

以上のように構成されたダイプレクサ１０ａは、前記の通り、ダイプレクサとして機能する。例えば、外部電極１４ａから入力してきた高周波信号のうち、第１の通過帯域（例えば、５ＧＨｚ付近）の高周波信号は、外部電極１４ｂから出力する。外部電極１４ａから入力してきた高周波信号のうち、第２の周波数帯域（例えば、２ＧＨｚ）の高周波信号は、外部電極１４ｃから出力する。なお、ダイプレクサのそれぞれのフィルタに対応するグランドは分離して構成されており、分離することにより、ローパスフィルタの通過帯域外の減衰量を改善することができる。

（ダイプレクサの具体的構成）
次に、ダイプレクサ１０ａの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図２は、ダイプレクサ１０ａの外観斜視図である。図３ないし図５は、ダイプレクサ１０ａの分解斜視図である。図６は、ダイプレクサ１０ａの絶縁体層１６ｂ〜１６ｄを上側から透視した図である。図６では、インダクタＬ１〜Ｌ３及びインダクタＬ１００のみを示した。ダイプレクサ１０ａにおいて、積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、ダイプレクサ１０ａを上側から見たときに、ダイプレクサ１０ａの上面の長辺が延在する方向を左右方向（第２の方向の一例）と定義し、ダイプレクサ１０ａの上面の短辺が延在する方向を前後方向（第１の方向の一例）と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は互いに直交している。

ダイプレクサ１０ａは、図２ないし図５に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｆ、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ，２２ａ，２２ｂ，２６ａ，２６ｂ，５０ａ，５０ｂ，５２，６０ａ，６０ｂ，６２ａ，６２ｂ，６６ａ，６６ｂ，６８ａ，６８ｂ，８０、コンデンサ導体層２０，２４，２７，３０，３２，３４，３６，４０，４２，４４，４６，５６，７０ａ，７０ｂ，７２，７６，７８，８４、グランド導体層２８，８２、接続導体層５１，５４，７４及びビアホール導体ｖ１〜ｖ１１，ｖ１５〜ｖ１７，ｖ２０〜ｖ２３，ｖ２５〜ｖ３０，ｖ３５〜ｖ３８を具体的な構成として備えている。

積層体１２は、図２に示すように、直方体状をなしており、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａが上側から下側へとこの順に積層されることにより構成されている。積層体１２の底面は、積層体１２の下側に位置する面であり、ダイプレクサ１０ａが回路基板に実装される際に回路基板と対向する実装面である。

絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａは、上側から見たときに、左右方向に延在する長辺を有する長方形状をなしており、例えば、セラミック等により作製されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａの上面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａの下面を裏面と呼ぶ。

一例として、外部電極１４ａ〜１４ｆは、積層体１２の底面に設けられており、積層体１２の前面、後面、右面及び左面には設けられていない。外部電極１４ａ〜１４ｆは、長方形状をなしている。外部電極１４ｃ，１４ｅ，１４ｂは、積層体１２の底面の前側の長辺に沿って左側から右側へとこの順に一列に並んでいる。外部電極１４ｄ，１４ａ，１４ｆは、積層体１２の底面の後側の長辺に沿って左側から右側へとこの順に一列に並んでいる。外部電極１４ａ〜１４ｆは、例えば、銅等からなる下地電極上にＮｉめっき及びＳｎめっき、又は、Ｎｉめっき及びＡｕめっきが施されることにより作製されている。

まず、ＬＣ並列共振器ＬＣ７について説明する。インダクタＬ７は、積層体１２に設けられ、インダクタ導体層５２を含んでいる。インダクタ導体層５２は、絶縁体層１６ｗの表面の後ろ側の長辺の中央近傍に設けられており、上側から見たときに、時計回り方向に周回する線状の導体層である。以下では、インダクタ導体層５２の時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層５２の時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

インダクタＬ７の一端（インダクタ導体層の上流端）は、接続導体層５４及びビアホール導体ｖ２０，ｖ２１を介して外部電極１４ａに接続されている。接続導体層５４は、絶縁体層１６ｚの表面の後ろ側の長辺の中央近傍に設けられており、左右方向に延在する線状の導体層である。ビアホール導体ｖ２０は、絶縁体層１６ｚ，１６ａａを上下方向に貫通しており、接続導体層５４の右端と外部電極１４ａとを接続している。ビアホール導体ｖ２１は、絶縁体層１６ｗ〜１６ｙを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層５２の上流端と接続導体層５４の左端とを接続している。

コンデンサＣ７は、上側から見たときに、コンデンサ導体層５６とインダクタ導体層５２とが重なることにより形成されている微小な容量である。

次に、信号経路ＳＬ１側の構成について説明する。まず、コンデンサＣ１１〜Ｃ１３及びインダクタＬ１００について説明する。コンデンサＣ１１は、積層体１２に設けられ、コンデンサ導体層３０，４０，５６を含んでいる。コンデンサ導体層５６は、絶縁体層１６ｓの表面の中央近傍に設けられており、左右に延在する帯状部を有する導体層である。コンデンサ導体層３０は、絶縁体層１６ｒの表面の中央近傍に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層３０は、絶縁体層１６ｒを介してコンデンサ導体層５６と対向している。コンデンサ導体層４０は、絶縁体層１６ｔの表面の中央近傍に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層４０は、絶縁体層１６ｓを介してコンデンサ導体層５６と対向している。

コンデンサＣ１１の一方の電極（コンデンサ導体層５６）は、ビアホール導体ｖ２２を介してインダクタＬ７の他端（インダクタ導体層５２の下流端）に接続されている。ビアホール導体ｖ２２は、絶縁体層１６ｓ〜１６ｖを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層５２の下流端とコンデンサ導体層５６とを接続している。

コンデンサＣ１２は、積層体１２に設けられ、コンデンサ導体層３０，３６を含んでいる。コンデンサ導体層３６は、絶縁体層１６ｑの表面の右半分の領域の設けられており、左右方向に延在する帯状の導体層である。コンデンサ導体層３６は、絶縁体層１６ｑを介してコンデンサ導体層３０と対向している。これにより、コンデンサＣ１１の他方の電極（コンデンサ導体層３０）とコンデンサＣ１２の一方の電極（コンデンサ導体層３０）とが接続されている。

コンデンサＣ１３は、積層体１２に設けられ、コンデンサ導体層３４，３６を含んでいる。コンデンサ導体層３４は、絶縁体層１６ｒの表面の右端に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層３６は、絶縁体層１６ｑを介してコンデンサ導体層３４と対向している。これにより、コンデンサＣ１２の他方の電極（コンデンサ導体層３６）とコンデンサＣ１３の一方の電極（コンデンサ導体層３６）とが接続されている。

インダクタＬ１００（インピーダンス整合用ループビアインダクタの一例）は、積層体１２に設けられ、インダクタ導体層５０ａ，５０ｂ（インピーダンス整合用インダクタ導体層の一例）及びビアホール導体ｖ１５，ｖ１６を含んでいる。インダクタ導体層５０ａ，５０ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ，１６ｃの表面の右半分の領域に設けられており、前後方向に延在する線状の導体層である。インダクタ導体層５０ａ，５０ｂは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、一致した状態で重なっている。ビアホール導体ｖ１５（第１のインピーダンス整合用ビアホール導体の一例）は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｑを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層５０ａ，５０ｂの後端とコンデンサ導体層３４とを接続している。これにより、コンデンサＣ１３の他方の電極（コンデンサ導体層３４）とインダクタＬ１００の一端（ビアホール導体ｖ１５の下端）とが接続されている。

ビアホール導体ｖ１６（第２のインピーダンス整合用ビアホール導体の一例）は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｙを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層５０ａ，５０ｂの前端に接続されている。以上のように、インダクタＬ１００は、ビアホール導体ｖ１５，ｖ１６がインダクタ導体層５０ａ，５０ｂから下側（積層方向の一例）に向かって延在する構造を有している。これにより、図６に示すように、インダクタ導体層５０ａ，５０ｂ及びビアホール導体ｖ１５，ｖ１６により囲まれる長方形状のループ面Ｓ１００（インピーダンス整合用ループ面の一例）が形成されている。ループ面Ｓ１００は、左右方向に垂直な平面である。

インダクタＬ１００の他端（ビアホール導体ｖ１６の下端）は、接続導体層５１及びビアホール導体ｖ１７を介して外部電極１４ｂに接続されている。接続導体層５１は、絶縁体層１６ｚの表面の右前の角近傍に設けられており、左右方向に延在する線状の導体層である。ビアホール導体ｖ１６の下端は、接続導体層５１の左端に接続されている。ビアホール導体ｖ１７は、絶縁体層１６ｚ，１６ａａを上下方向に貫通しており、接続導体層５１の右端と外部電極１４ｂとを接続している。

ところで、ビアホール導体ｖ１５とビアホール導体ｖ１６との間には浮遊容量が発生している。この浮遊容量は、コンデンサＣｐである。これにより、コンデンサＣｐは、インダクタＬ１００に並列に接続されている。そして、インダクタＬ１００及びコンデンサＣｐは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１００を構成している。

なお、ＬＣ並列共振器ＬＣ１００には、ビアホール導体ｖ１５，ｖ１６のそれぞれに接続された２以上のコンデンサ導体層により構成されるコンデンサが設けられていない。すなわち、インダクタＬ１００に並列に接続されるコンデンサが設けられない。よって、ＬＣ並列共振器ＬＣ１００は、見かけ上では、インダクタＬ１００のみにより構成されている。

次に、信号経路ＳＬ１に接続するＬＣ並列共振器ＬＣ１について説明する。インダクタＬ１は、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ及びビアホール導体ｖ１，ｖ２を含んでいる。インダクタ導体層１８ａ，１８ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ，１６ｅの表面の中央近傍に設けられており、前後方向に延在する線状の導体層である。インダクタ導体層１８ａ，１８ｂは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、一致した状態で重なっている。ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｑを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂの後端とコンデンサ導体層３０とを接続している。これにより、コンデンサＣ１１の他方の電極（コンデンサ導体層３０）及びコンデンサＣ１２の一方の電極（コンデンサ導体層３０）とインダクタＬ１の一端（ビアホール導体ｖ１の一端）とが接続されている。

ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｙを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂの前端に接続されている。以上のように、インダクタＬ１は、ビアホール導体ｖ１，ｖ２がインダクタ導体層１８ａ，１８ｂから下側（積層方向の一例）に向かって延在する構造を有している。これにより、図６に示すように、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ及びビアホール導体ｖ１，ｖ２により囲まれる長方形状のループ面Ｓ１が形成されている。ループ面Ｓ１は、左右方向に垂直な平面である。

インダクタＬ１の他端（ビアホール導体ｖ２の下端）は、グランド導体層２８及びビアホール導体ｖ１０，ｖ１１を介して外部電極１４ｅ，１４ｆに接続されている。グランド導体層２８は、絶縁体層１６ｚの表面の右半分の領域に設けられている面状の導体層である。ビアホール導体ｖ２の下端は、グランド導体層２８に接続されている。ビアホール導体ｖ１０，ｖ１１はそれぞれ、絶縁体層１６ｚ，１６ａａを上下方向に貫通しており、グランド導体層２８と外部電極１４ｅ，１４ｆとを接続している。

コンデンサＣ１は、コンデンサ導体層２０及びグランド導体層２８を含んでいる。コンデンサ導体層２０は、絶縁体層１６ｙの表面の中央近傍に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層２０は、絶縁体層１６ｙを介してグランド導体層２８と対向している。

コンデンサＣ１の一方の電極（コンデンサ導体層２０）は、コンデンサ導体層３０及びビアホール導体ｖ３を介してインダクタＬ１の一端（ビアホール導体ｖ１の下端）に接続されている。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｒ〜１６ｘを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層４０とコンデンサ導体層３０とコンデンサ導体層２０とを接続している。

コンデンサＣ１の他方の電極（グランド導体層２８）は、ビアホール導体ｖ１０，ｖ１１を介して外部電極１４ｅ，１４ｆに接続されている。

次に、ＬＣ並列共振器ＬＣ２（第１のＬＣ並列共振器の一例）について説明する。インダクタＬ２（第１のループビアインダクタの一例）は、インダクタ導体層２２ａ，２２ｂ及びビアホール導体ｖ４，ｖ５を含んでいる。インダクタ導体層２２ａ，２２ｂ（第１のインダクタ導体層の一例）はそれぞれ、絶縁体層１６ｄ，１６ｅの表面においてインダクタ導体層１８ａ，１８ｂの右側に設けられており、前後方向に延在する線状の導体層である。インダクタ導体層２２ａ，２２ｂは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、一致した状態で重なっている。ビアホール導体ｖ４（第１のビアホール導体の一例）は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｓを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２２ａ，２２ｂの後端とコンデンサ導体層３２，３６，４２とを接続している。これにより、コンデンサＣ１２の他方の電極（コンデンサ導体層３６）及びコンデンサＣ１３の一方の電極（コンデンサ導体層３６）とインダクタＬ２の一端（ビアホール導体ｖ４）とが接続されている。

ビアホール導体ｖ５（第２のビアホール導体の一例）は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｙを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２２ａ，２２ｂの前端に接続されている。以上のように、インダクタＬ２は、ビアホール導体ｖ４，ｖ５がインダクタ導体層２２ａ，２２ｂから下側（積層方向の一例）に向かって延在する構造を有している。これにより、図６に示すように、インダクタ導体層２２ａ，２２ｂ及びビアホール導体ｖ４，ｖ５により囲まれる長方形状のループ面Ｓ２（第１のループ面の一例）が形成されている。ループ面Ｓ２は、左右方向に垂直な平面であり、ループ面Ｓ１の右側においてループ面Ｓ１と対向している。これにより、インダクタＬ１（ＬＣ並列共振器ＬＣ１）とインダクタＬ２（ＬＣ並列共振器ＬＣ２）とが電磁気的に結合している。

インダクタＬ２の他端（ビアホール導体ｖ５の下端）は、グランド導体層２８及びビアホール導体ｖ１０，ｖ１１を介して外部電極１４ｅ，１４ｆに接続されている。

コンデンサＣ２は、コンデンサ導体層２４及びグランド導体層２８を含んでいる。コンデンサ導体層２４は、絶縁体層１６ｙの表面においてコンデンサ導体層２０の右側に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層２４は、絶縁体層１６ｙを介してグランド導体層２８と対向している。

コンデンサＣ２の一方の電極（コンデンサ導体層２４）は、コンデンサ導体層３２，４２及びビアホール導体ｖ６を介してインダクタＬ２の一端（ビアホール導体ｖ４の下端）に接続されている。コンデンサ導体層３２は、絶縁体層１６ｒの表面においてコンデンサ導体層３０の右側に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層４２は、絶縁体層１６ｔの表面においてコンデンサ導体層４０の右側に設けられており、長方形状をなす導体層である。ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｔ〜１６ｘを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層３２，４２とコンデンサ導体層２４とを接続している。

コンデンサＣ２の他方の電極（グランド導体層２８）は、ビアホール導体ｖ１０，ｖ１１を介して外部電極１４ｅ，１４ｆに接続されている。

次に、ＬＣ並列共振器ＬＣ３（第２のＬＣ並列共振器の一例）について説明する。インダクタＬ３（第２のループビアインダクタの一例）は、インダクタ導体層２６ａ，２６ｂ及びビアホール導体ｖ７，ｖ８を含んでいる。インダクタ導体層２６ａ，２６ｂ（第２のインダクタ導体層の一例）はそれぞれ、絶縁体層１６ｄ，１６ｅの表面においてインダクタ導体層２２ａ，２２ｂの右側に設けられており、前後方向に延在する線状の導体層である。インダクタ導体層２６ａ，２６ｂは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、一致した状態で重なっている。ビアホール導体ｖ７（第３のビアホール導体の一例）は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｑを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２６ａ，２６ｂの後端とコンデンサ導体層３４とを接続している。これにより、コンデンサＣ１３の他方の電極（コンデンサ導体層３４）とインダクタＬ１００の一端（ビアホール導体ｖ１５の下端）とインダクタＬ３の一端（ビアホール導体ｖ７の下端）とが接続されている。

ビアホール導体ｖ８（第４のビアホール導体の一例）は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｙを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層２６ａ，２６ｂの前端に接続されている。以上のように、インダクタＬ３は、ビアホール導体ｖ７，ｖ８がインダクタ導体層２６ａ，２６ｂから下側（積層方向の一例）に向かって延在する構造を有している。これにより、図６に示すように、インダクタ導体層２６ａ，２６ｂ及びビアホール導体ｖ７，ｖ８により囲まれる長方形状のループ面Ｓ３（第２のループ面の一例）が形成されている。ループ面Ｓ３は、左右方向に垂直な平面であり、ループ面Ｓ２の右側においてループ面Ｓ２と対向している。これにより、インダクタＬ２（ＬＣ並列共振器ＬＣ２）とインダクタＬ３（ＬＣ並列共振器ＬＣ３）とが電磁気的に結合している。

インダクタＬ３の他端（ビアホール導体ｖ８の下端）は、グランド導体層２８及びビアホール導体ｖ１０，ｖ１１を介して外部電極１４ｅ，１４ｆに接続されている。

コンデンサＣ３は、コンデンサ導体層２７及びグランド導体層２８を含んでいる。コンデンサ導体層２７は、絶縁体層１６ｙの表面においてコンデンサ導体層２４の右側に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層２７は、絶縁体層１６ｙを介してグランド導体層２８と対向している。

コンデンサＣ３の一方の電極（コンデンサ導体層２７）は、コンデンサ導体層３４，４４及びビアホール導体ｖ９を介してインダクタＬ３の一端（ビアホール導体ｖ７の下端）に接続されている。コンデンサ導体層３４は、絶縁体層１６ｒの表面においてコンデンサ導体層３２の右側に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層４４は、絶縁体層１６ｔの表面においてコンデンサ導体層４２の右側に設けられており、長方形状をなす導体層である。ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｒ〜１６ｘを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層３４，４４とコンデンサ導体層２７とを接続している。

コンデンサＣ３の他方の電極（グランド導体層２８）は、ビアホール導体ｖ１０，ｖ１１を介して外部電極１４ｅ，１４ｆに接続されている。

次に、コンデンサＣ１４〜Ｃ１６について説明する。コンデンサＣ１４は、コンデンサ導体層４０及びコンデンサ導体層４６を含んでいる。コンデンサ導体層４６は、絶縁体層１６ｖの表面の右半分の領域に設けられており、左右方向に延在する帯状の導体層である。コンデンサ導体層４０は、絶縁体層１６ｔ，１６ｕを介してコンデンサ導体層４６と対向している。コンデンサＣ１４の一方の電極（コンデンサ導体層４０）は、コンデンサ導体層３０及びビアホール導体ｖ３を介してインダクタＬ１の一端（ビアホール導体ｖ１の下端）に接続されている。

コンデンサＣ１５は、コンデンサ導体層４２及びコンデンサ導体層４６を含んでいる。コンデンサ導体層４２は、絶縁体層１６ｔ，１６ｕを介してコンデンサ導体層４６と対向している。コンデンサＣ１５の一方の電極（コンデンサ導体層４２）は、インダクタＬ２の一端（ビアホール導体ｖ４の下端）に接続されている。

コンデンサＣ１６は、コンデンサ導体層４４及びコンデンサ導体層４６を含んでいる。コンデンサ導体層４４は、絶縁体層１６ｔ，１６ｕを介してコンデンサ導体層４６と対向している。コンデンサＣ１６の一方の電極（コンデンサ導体層４４）は、コンデンサ導体層３４及びビアホール導体ｖ９を介してインダクタＬ３の一端（ビアホール導体ｖ７の下端）に接続されている。

また、コンデンサＣ１４〜Ｃ１６の他方の電極（コンデンサ導体層４６）は、互いに接続されている。

ここで、ループ面Ｓ２，Ｓ３，Ｓ１００の関係について説明する。図６に示すように、ループ面Ｓ１００は、ループ面Ｓ２，Ｓ３に対向している。本実施形態では、ループ面Ｓ１００は、上側から見たときに、左右方向において、ループ面Ｓ２とループ面Ｓ３との間に位置している。これにより、インダクタＬ１００とインダクタＬ２，Ｌ３とが電磁気的に結合している。

また、インダクタ導体層５０ａ，５０ｂは、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ，２２ａ，２２ｂ，２６ａ，２６ｂよりも長い。更に、ビアホール導体ｖ１６は、ビアホール導体ｖ２，ｖ５，ｖ８よりも長い。これにより、ループ面Ｓ２，Ｓ３は、右側から見たときに、ループ面Ｓ１００に収まってはみ出していない。

次に、信号経路ＳＬ２側の構成について説明する。まず、ＬＣ並列共振器ＬＣ４について説明する。インダクタＬ４は、積層体１２に設けられ、インダクタ導体層６０ａ，６０ｂ，６２ａ，６２ｂ，６４ａ，６４ｂ及びビアホール導体ｖ２５，ｖ２６を含んでいる。インダクタ導体層６０ａ，６０ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ，１６ｅの左後ろの角近傍に設けられており、上側から見たときに、反時計回り方向に周回する線状の導体層である。インダクタ導体層６０ａ，６０ｂは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、一致した状態で重なっている。インダクタ導体層６２ａ，６２ｂはそれぞれ、上側から見たときに、絶縁体層１６ｆ，１６ｇの左後ろの角近傍に設けられており、反時計回り方向に周回する線状の導体層である。インダクタ導体層６２ａ，６２ｂは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、一致した状態で重なっている。インダクタ導体層６４ａ，６４ｂはそれぞれ、上側から見たときに、絶縁体層１６ｈ，１６ｉの左後ろの角近傍に設けられており、反時計回り方向に周回する線状の導体層である。インダクタ導体層６４ａ，６４ｂは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、一致した状態で重なっている。以下では、インダクタ導体層６０ａ，６０ｂ，６２ａ，６２ｂ，６４ａ，６４ｂの反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層６０ａ，６０ｂ，６２ａ，６２ｂ，６４ａ，６４ｂの反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

ビアホール導体ｖ２５は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層６０ａ，６０ｂの下流端とインダクタ導体層６２ａ，６２ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２６は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｈを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層６２ａ，６２ｂの下流端とインダクタ導体層６４ａ，６４ｂの上流端とを接続している。これにより、インダクタＬ４は、上側から見たときに、反時計回り方向に周回しながら下側に向かって進行する螺旋状をなしている。

インダクタＬ４の一端（インダクタ導体層６０ａ，６０ｂの上流端）は、コンデンサ導体層５６及びビアホール導体ｖ２２，ｖ２３を介してインダクタＬ７の他端（インダクタ導体層５２の下流端）に接続されている。ビアホール導体ｖ２３は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｒを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層６０ａ，６０ｂの上流端とコンデンサ導体層５６，７６とを接続している。

コンデンサＣ４は、コンデンサ導体層７０ａ，７６を含んでいる。コンデンサ導体層７０ａは、絶縁体層１６ｍの表面の左半分の領域に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層７６は、絶縁体層１６ｌの左半分の領域に設けられており、左右方向に延在する帯状の導体層である。コンデンサ導体層７６は、絶縁体層１６ｌを介してコンデンサ導体層７０ａと対向している。

コンデンサＣ４の一方の電極（コンデンサ導体層７６）は、ビアホール導体ｖ２３を介してインダクタＬ４の一端（インダクタ導体層６０ａ，６０ｂの上流端）に接続されている。コンデンサＣ４の他方の電極（コンデンサ導体層７０ａ）は、ビアホール導体ｖ２７を介してインダクタＬ４の他端（インダクタ導体層６４ａ，６４ｂの下流端）に接続されている。ビアホール導体ｖ２７は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｌを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層６４ａ，６４ｂの下流端とコンデンサ導体層７０ａとを接続している。

次に、ＬＣ並列共振器ＬＣ５について説明する。インダクタＬ５は、積層体１２に設けられ、インダクタ導体層６６ａ，６６ｂ，６８ａ，６８ｂ及びビアホール導体ｖ２８を含んでいる。インダクタ導体層６６ａ，６６ｂはそれぞれ、上側から見たときに、絶縁体層１６ｈ，１６ｉの左前の角近傍に設けられており、反時計回り方向に周回する線状の導体層である。インダクタ導体層６６ａ，６６ｂは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、一致した状態で重なっている。インダクタ導体層６８ａ，６８ｂはそれぞれ、上側から見たときに、絶縁体層１６ｊ，１６ｋの左前の角近傍に設けられており、反時計回り方向に周回する線状の導体層である。インダクタ導体層６８ａ，６８ｂは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、一致した状態で重なっている。以下では、インダクタ導体層６６ａ，６６ｂ，６８ａ，６８ｂの反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層６６ａ，６６ｂ，６８ａ，６８ｂの反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

ビアホール導体ｖ２８は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｊを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層６６ａ，６６ｂの下流端とインダクタ導体層６８ａ，６８ｂの上流端とを接続している。これにより、インダクタＬ５は、上側から見たときに、反時計回り方向に周回しながら下側に向かって進行する螺旋状をなしている。

インダクタＬ５の一端（インダクタ導体層６６ａ，６６ｂの上流端）は、インダクタＬ４の他端（インダクタ導体層６４ａ，６４ｂの下流端）に接続されている。インダクタＬ５の他端（インダクタ導体層６８ａ，６８ｂの下流端）は、接続導体層７４及びビアホール導体ｖ２９，ｖ３０を介して外部電極１４ｃに接続されている。接続導体層７４は、絶縁体層１６ｚの表面の右前の角近傍に設けられており、左右方向に延在する線状の導体層である。ビアホール導体ｖ２９は、絶縁体層１６ｊ〜１６ｙを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層６８ａ，６８ｂの下流端と接続導体層７４の左端とを接続している。ビアホール導体ｖ３０は、絶縁体層１６ｚ，１６ａａを上下方向に貫通しており、接続導体層７４の右端と外部電極１４ｃとを接続している。

コンデンサＣ５は、コンデンサ導体層７０ａ，７０ｂ，７２を含んでいる。コンデンサ導体層７０ｂは、絶縁体層１６ｏの表面の左半分の領域に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層７２は、絶縁体層１６ｎの左半分の領域に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層７２は、絶縁体層１６ｍを介してコンデンサ導体層７０ａと対向し、絶縁体層１６ｎを介してコンデンサ導体層７０ｂと対向している。

コンデンサＣ５の一方の電極（コンデンサ導体層７０ａ，７０ｂ）は、ビアホール導体ｖ２７を介してインダクタＬ４の他端（インダクタ導体層６４ａ，６４ｂの下流端）及びインダクタＬ５の一端（インダクタ導体層６６ａ，６６ｂの上流端）に接続されている。ビアホール導体ｖ２７は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｌを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層６４ａ，６４ｂの下流端及びインダクタ導体層６６ａ，６６ｂの上流端とコンデンサ導体層７０ａとを接続している。また、ビアホール導体ｖ３５は、絶縁体層１６ｍ，１６ｎを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層７０ａとコンデンサ導体層７０ｂとを接続している。

コンデンサＣ５の他方の電極（コンデンサ導体層７２）は、接続導体層７４及びビアホール導体ｖ２９，ｖ３０を介して外部電極１４ｃに接続されている。

次に、ＬＣ直列共振器ＬＣ６について説明する。コンデンサＣ６は、積層体１２に設けられており、コンデンサ導体層７０ｂ，７８を含んでいる。コンデンサ導体層７８は、絶縁体層１６ｐの左後ろの角近傍に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層７８は、絶縁体層１６ｏを介してコンデンサ導体層７０ｂと対向している。

コンデンサＣ６の一方の電極（コンデンサ導体層７０ｂ）は、コンデンサ導体層７０ａ及びビアホール導体ｖ２７，ｖ３５を介して、インダクタＬ４の他端（インダクタ導体層６４ａ，６４ｂの下流端）及びインダクタＬ５（インダクタ導体層６６ａ，６６ｂの上流端）の一端に接続されている。

インダクタＬ６は、インダクタ導体層８０を含んでいる。インダクタ導体層８０は、絶縁体層１６ｕの表面の左後ろの角近傍に設けられており、時計回り方向に周回する線状の導体層である。以下では、インダクタ導体層８０の時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層８０の時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

インダクタＬ６の一端（インダクタ導体層８０の上流端）は、ビアホール導体ｖ３６を介してコンデンサＣ６の他方の電極（コンデンサ導体層７８）に接続されている。ビアホール導体ｖ３６は、絶縁体層１６ｐ〜１６ｔを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体層７８とインダクタ導体層８０の上流端とを接続している。

インダクタＬ６の他端（インダクタ導体層８０の下流端）は、グランド導体層８２及びビアホール導体ｖ３７，ｖ３８を介して外部電極１４ｄに接続されている。グランド導体層８２は、絶縁体層１６ｚの表面の左半分の領域に設けられており、長方形状をなす導体層である。グランド導体８２は、グランド導体２８と分離されている。ビアホール導体ｖ３７は、絶縁体層１６ｕ〜１６ｙを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層８０の下流端とグランド導体層８２とを接続している。ビアホール導体ｖ３８は、絶縁体層１６ｚ，１６ａａを上下方向に貫通しており、グランド導体層８２と外部電極１４ｄとを接続している。

次に、コンデンサＣ１７について説明する。コンデンサＣ１７は、グランド導体層８２，コンデンサ導体層８４を含んでいる。コンデンサ導体層８４は、絶縁体層１６ｘの表面の左前の角近傍に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層８４は、絶縁体層１６ｘ，１６ｙを介して、グランド導体層８２と対向している。

コンデンサＣ１７の一方の電極（コンデンサ導体層８４）は、ビアホール導体ｖ２９を介して、コンデンサＣ５の他方の電極（コンデンサ導体層７２）及びインダクタＬ５の他端（インダクタ導体層６８ａ，６８ｂの下流端）に接続されている。コンデンサＣ１７の他方の電極（グランド導体層８２）は、ビアホール導体ｖ３８を介して外部電極１４ｄに接続されている。

（効果）
以上のように構成されたダイプレクサ１０ａによれば、バンドパスフィルタＢＰＦの通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくすることができる。より詳細には、ダイプレクサ１０ａは、インダクタＬ１００を備えている。インダクタＬ１００は、２本のビアホール導体ｖ１５，ｖ１６及びインダクタ導体層５０ａ，５０ｂにより構成されている。このようなインダクタＬ１００では、２本のビアホール導体ｖ１５，ｖ１６の間に浮遊容量（コンデンサＣｐ）が発生している。これにより、バンドパスフィルタＢＰＦと外部電極１４ｂとの間には、インダクタＬ１００及びコンデンサＣｐにより構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ１００が接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１００は、共振周波数ｆ１００を有している。そこで、バンドパスフィルタＢＰＦの高周波側のカットオフ周波数付近に共振周波数ｆ１００が位置するように、インダクタＬ１００のインダクタンス値及びコンデンサＣｐの容量値を適切な値に調整するように形状を変更すればよい。これにより、ダイプレクサ１０ａのバンドパスフィルタＢＰＦの通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくすることができる。

本願発明者は、ダイプレクサ１０ａにおいてバンドパスフィルタＢＰＦの通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくすることができることを明らかにするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、本願発明者は、ダイプレクサ１０ａの構造を有する第１のモデル（実施例）を作成するとともに、ダイプレクサ１０ａにおいてインダクタＬ１００を除いた構造を有する第２のモデル（比較例）を作成した。なお、第２のモデルでは、インダクタＬ１００を除く際に、インピーダンスが変動したため、インピーダンス補正を行った上で評価した。

図７Ａは、第１のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図７Ｂは、第２のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は、通過特性を示し、横軸は、周波数を示す。通過特性は、外部電極１４ａから入力される高周波信号の強度に対する外部電極１４ｂから出力される高周波信号の強度の比の値である。

図７Ａと図７Ｂとを比較すると、第１のモデルでは、１０ＧＨｚ近傍に減衰極が発生しているのに対して、第２のモデルでは、１０ＧＨｚ近傍に減衰極が発生していないことが分かる。すなわち、インダクタＬ１００が設けられると、１０ＧＨｚ近傍に減衰極が発生する。１０ＧＨｚは、バンドパスフィルタＢＰＦの高周波側のカットオフ周波数である。よって、本シミュレーションによって、ダイプレクサ１０ａにおいてバンドパスフィルタＢＰＦの通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくすることができることが分かる。

また、ダイプレクサ１０ａによれば、素子の大型化を抑制できる。比較例に係るダイプレクサとして、ダイプレクサ１０ａのコンデンサＣｐの代わりに第１のコンデンサ導体層と第２のコンデンサ導体層とが絶縁体層を介して対向するコンデンサが用いられたダイプレクサを用いて説明する。なお、比較例に係るダイプレクサの構成は、基本的にはダイプレクサ１０ａと同じであるので、比較例に係るダイプレクサの各構成の参照符号についてはダイプレクサ１０ａの参照符号を流用する。

比較例に係るダイプレクサの通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくするためには、前記の通り、バンドパスフィルタＢＰＦと外部電極１４ｂとの間にＬＣ並列共振器ＬＣ１００が接続されていればよい。ＬＣ並列共振器ＬＣ１００が設けられる場合、一般的には、ビアホール導体ｖ１５に第１のコンデンサ導体層を接続し、ビアホール導体ｖ１６に第２のコンデンサ導体層を接続する。そして、第１のコンデンサ導体層と第２のコンデンサ導体層とが絶縁体層を介して対向することにより、インダクタＬ１００に並列に接続されたコンデンサが形成される。

しかしながら、コンデンサの形成に第１のコンデンサ導体層及び第２のコンデンサ導体層が用いられると、比較例に係るダイプレクサ内に第１のコンデンサ導体層及び第２のコンデンサ導体層が設けられるためのスペースが必要となる。その結果、比較例に係るダイプレクサの大型化につながってしまう。

そこで、ダイプレクサ１０ａでは、ビアホール導体ｖ１５とビアホール導体ｖ１６とのそれぞれに接続された２以上の導体層により構成されるコンデンサは存在しない。その代わりに、ビアホール導体ｖ１５とビアホール導体ｖ１６との間に発生している浮遊容量によりコンデンサＣｐが形成されている。すなわち、ダイプレクサ１０ａでは、導体層が追加されてコンデンサが形成されているのではなく、インダクタＬ１００に発生している浮遊容量を利用してコンデンサＣｐが形成されている。そのため、ダイプレクサ１０ａの大型化が抑制される。

また、ダイプレクサ１０ａでは、以下の理由によっても、素子の大型化が抑制される。インダクタＬ１００のループ面Ｓ１００は、図６に示すように、インダクタＬ２のループ面Ｓ２とインダクタＬ３のループ面Ｓ３との間に位置している。すなわち、ループ面Ｓ１００は、左右方向において、バンドパスフィルタＢＰＦが設けられている領域内に位置している。そのため、ダイプレクサ１０ａにおいて、インダクタＬ１００を設けるスペースを新たに追加する必要がない。よって、ダイプレクサ１０ａでは、素子の大型化が抑制される。

また、ダイプレクサ１０ａでは、インダクタ１００がインダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気的な結合を阻害することが抑制される。より詳細には、ループ面Ｓ２，Ｓ３は、右側から見たときに、ループ面Ｓ１００に収まってはみ出していない。これにより、インダクタＬ２，Ｌ３が発生した磁束がインダクタＬ１００のインダクタ導体層５０ａ，５０ｂ及びビアホール導体ｖ１５，ｖ１６を通過することが抑制される。その結果、インダクタ１００がインダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気的な結合を阻害することが抑制される。

なお、ダイプレクサ１０ａにおいて、インダクタ導体層５０ａ，５０ｂ及びビアホール導体ｖ１５，ｖ１６の長さを調整することにより、インダクタＬ１００のインダクタンス値を調整し、ＬＣ並列共振器ＬＣ１００の共振周波数ｆ１００を調整することが可能である。

（変形例）
以下に、変形例に係るダイプレクサ１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図８は、変形例に係るダイプレクサ１０ｂの等価回路図である。図９及び図１０は、ダイプレクサ１０ｂの分解斜視図である。なお、ダイプレクサ１０ｂの絶縁体層１６ａから絶縁体層１６ｉまでの間の構造は、ダイプレクサ１０ａの絶縁体層１６ａから絶縁体層１６ｉまでの間の構造と同じであるので、図３を援用する。

ダイプレクサ１０ｂは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２０を更に備えている点においてダイプレクサ１０ａと相違する。以下に、かかる相違点を中心に、ダイプレクサ１０ｂについて説明する。

ＬＣ並列共振器ＬＣ２０は、図８に示すように、バンドパスフィルタＢＰＦとＬＣ並列共振器ＬＣ１００との間に接続されており、インダクタＬ２０及びコンデンサＣ２０を含んでいる。インダクタＬ２０とコンデンサＣ２０とは並列接続されている。

インダクタＬ２０は、図９に示すように、インダクタ導体層９０ａ，９０ｂを含んでいる。インダクタ導体層９０ａ，９０ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｊ，１６ｋの表面の右後ろの角近傍に設けられており、上側から見たときに、反時計回り方向に周回する線状の導体層である。インダクタ導体層９０ａとインダクタ導体層９０ｂとは、同じ形状をなしており、上側から見たときに、重なっている。以下では、インダクタ導体層９０ａ，９０ｂの反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、インダクタ導体層９０ａ，９０ｂの反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

インダクタＬ２０の一端は、インダクタ導体層９０ａ，９０ｂの上流端がビアホール導体ｖ７に接続されることにより、インダクタＬ３に接続されている。インダクタＬ２０の他端は、インダクタ導体層９０ａ，９０ｂの下流端がビアホール導体ｖ１５に接続されることにより、インダクタＬ１００に接続されている。

また、コンデンサＣ２０は、コンデンサ導体層３４，４４，９２を含んでいる。ダイプレクサ１０ｂのコンデンサ導体層３４は、ビアホール導体ｖ１５には接続されていない。コンデンサ導体層９２は、絶縁体層１６ｓの表面の右半分の領域に設けられている導体層である。コンデンサ導体層９２は、絶縁体層１６ｒを介してコンデンサ導体層３４と対向しており、絶縁体層１６ｓを介してコンデンサ導体層４４と対向している。

コンデンサＣ２０の一方の電極（コンデンサ導体層３２，３４，４２，４４）は、コンデンサＣ３の一方の電極（コンデンサ導体層２７）、コンデンサＣ１３の他方の電極（コンデンサ導体層３６）及びコンデンサＣ１６の一方の電極（コンデンサ導体層４４）に接続されている。

以上のように構成されたダイプレクサ１０ｂは、ダイプレクサ１０ａと同様の作用効果を奏することができる。

また、ダイプレクサ１０ｂでは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２０がトラップ回路として機能する。これにより、バンドパスフィルタＢＰＦの高周波側の通過帯域周波数の近傍に減衰極を形成することが可能となり、バンドパスフィルタＢＰＦの通過帯域外の高周波側における減衰量を大きくすることができる。

本願発明者は、ダイプレクサ１０ｂにおいてバンドパスフィルタＢＰＦの通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくすることができることを明らかにするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、本願発明者は、ダイプレクサ１０ｂの構造を有する第３のモデル（実施例）を作成した。図１１は、第３のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。

図１１によれば、第３のモデルでは、７ＧＨｚ近傍に減衰極が発生していることが分かる。すなわち、ＬＣ並列共振器ＬＣ２０が設けられると、７ＧＨｚ近傍に減衰極が発生する。よって、本シミュレーションによって、ダイプレクサ１０ｂにおいてバンドパスフィルタＢＰＦの通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくすることができることが分かる。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記ダイプレクサ１０ａ，１０ｂに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。

なお、ダイプレクサ１０ａ，１０ｂの構成を任意に組み合わせてもよい。

また、本発明に係る電子部品は、ダイプレクサでなくてもよい。本発明に係る電子部品は、フィルタを備えた電子部品であればよい。

また、ダイプレクサ１０ａ，１０ｂは、バンドパスフィルタＢＰＦ及びローパスフィルタＬＰＦを備えているが、ローパスフィルタＬＰＦの代わりにバンドパスフィルタＢＰＦ'（第２のバンドパスフィルタの一例）を備えていてもよい。バンドパスフィルタＢＰＦ'の通過帯域は、バンドパスフィルタＢＰＦの通過帯域よりも低い。

なお、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂは、上側から見たときに、後端が右側に折り曲げられた形状を有しているが、後端が右側に折り曲げられていない形状を有していてもよいし、後端が左側に折り曲げられた形状を有していてもよい。また、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂは、上側から見たときに、前端が右側に折り曲げられた形状を有していてもよいし、前端が左側に折り曲げられた形状を有していてもよい。インダクタ導体層１８ａ，１８ｂでは、インダクタＬ１とインダクタＬ２との電磁気的な結合の強度に応じて、その両端の折り曲げの有無や方向が決定される。具体的には、容量性の結合が強い場合、インダクタＬ１とインダクタＬ２との距離が小さくなり、これらの誘導性の結合が強くなるとバンドパスフィルタの通過帯域が狭帯域化される。同様に容量性の結合が強い場合、インダクタＬ１とインダクタＬ２との距離が大きくなり、これらの誘導性の結合が弱くなるとバンドパスフィルタの通過帯域が広帯域化される。なお、インダクタ導体層２６ａ，２６ｂについてもインダクタ導体層１８ａ，１８ｂと同じである。

また、インダクタ導体層５０ａ，５０ｂは、上側から見たときに、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ，２２ａ，２２ｂ，２６ａ，２６ｂよりも長いが、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ，２２ａ，２２ｂ，２６ａ，２６ｂよりも短くてもよい。これにより、インダクタＬ１００のインダクタンス値を小さくすることができる。

なお、ダイプレクサ１０ａ，１０ｂにおいて、インダクタＬ１００のビアホール導体ｖ１５，ｖ１６は、インダクタＬ１〜Ｌ３のビアホール導体ｖ１，ｖ２，ｖ４，ｖ５，ｖ７，ｖ８よりも長くてもよいし、インダクタＬ１〜Ｌ３のビアホール導体ｖ１，ｖ２，ｖ４，ｖ５，ｖ７，ｖ８よりも短くてもよい。ビアホール導体ｖ１５，ｖ１６がビアホール導体ｖ１，ｖ２，ｖ４，ｖ５，ｖ７，ｖ８よりも長い場合には、インダクタＬ１００のインダクタンス値が大きくなる。ビアホール導体ｖ１５，ｖ１６がビアホール導体ｖ１，ｖ２，ｖ４，ｖ５，ｖ７，ｖ８よりも短い場合には、インダクタＬ１００のインダクタンス値が小さくなる。すなわち、ビアホール導体ｖ１５，ｖ１６の長さを調整することにより、インダクタＬ１００のインダクタンス値を調整することができる。従って、インダクタＬ１００の値が変化することでコンデンサＣｐ（浮遊容量）が変化し、減衰極周波数が変化する。

また、インダクタＬ１００は、インダクタＬ２とインダクタＬ３との間に限らない。図１２は、その他の実施形態に係るダイプレクサ１０ｃの絶縁体層１６ｂ〜１６ｄを上側から透視した図である。

ダイプレクサ１０ｃでは、インダクタＬ１００は、インダクタＬ３の右側に設けられている。すなわち、ループ面Ｓ２、ループ面Ｓ３及びループ面Ｓ１００は、上側から見たときに、左側から右側へとこの順に並んでいる。更に、ループ面Ｓ３の右側には、インダクタＬ１００以外のループビアインダクタが設けられていない。このように、ループ面Ｓ１００は、左右方向において、バンドパスフィルタＢＰＦが設けられている領域内に位置していなくてもよい。

以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、通過帯域外の高周波領域における減衰量を大きくすることができる点において優れている。

１０ａ，１０ｂ，１０ｃ：ダイプレクサ
１２：積層体
１４ａ〜１４ｆ：外部電極
１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ：絶縁体層
１８ａ，１８ｂ，２２ａ，２２ｂ，２６ａ，２６ｂ，５０ａ，５０ｂ：インダクタ導体層
Ｃ１〜Ｃ７，Ｃ１１〜Ｃ１７，Ｃ２０，Ｃｐ：コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ７，Ｌ２０，Ｌ１００：インダクタ
ＬＣ１〜ＬＣ３，ＬＣ２０，ＬＣ１００ ＬＣ並列共振器
Ｓ１〜Ｓ３，Ｓ１００：ループ面
ｖ１〜ｖ１１，ｖ１５〜ｖ１７，ｖ２０〜ｖ２３，ｖ２５〜ｖ３０，ｖ３５〜ｖ３８：ビアホール導体

Claims (11)

1. 複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている積層体と、
   前記積層体に設けられているフィルタと、
   前記積層体に設けられている入出力端子と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記フィルタと前記入出力端子との間に接続されているインピーダンス整合用インダクタであって、インピーダンス整合用インダクタ導体層と、該インピーダンス整合用インダクタ導体層から前記積層方向に向かって延在する第１のインピーダンス整合用ビアホール導体及び第２のインピーダンス整合用ビアホール導体と、を含むインピーダンス整合用ループビアインダクタと、
   を備えており、
   前記第１のインピーダンス整合用ビアホール導体と前記第２のインピーダンス整合用ビアホール導体とのそれぞれに接続された２以上の導体層により構成されるコンデンサが設けられておらず、
   前記第１のインピーダンス整合用ビアホール導体と前記第２のインピーダンス整合用ビアホールとの間に浮遊容量が発生していること、
   を特徴とする電子部品。
2. 前記インピーダンス整合用インダクタ導体層が延在する方向を第１の方向とし、
   前記積層方向及び前記第１の方向に直交する方向を第２の方向とし、
   前記フィルタは、
   前記第１の方向に沿って延在する第１のインダクタ導体層と、該第１のインダクタ導体層から前記積層方向に向かって延在する第１のビアホール導体及び第２のビアホール導体と、を含む第１のループビアインダクタを含む第１のＬＣ並列共振器と、
   前記第１の方向に沿って延在する第２のインダクタ導体層と、該第２のインダクタ導体層から前記積層方向に向かって延在する第３のビアホール導体及び第４のビアホール導体と、を含む第２のループビアインダクタを含む第２のＬＣ並列共振器と、
   を含んでおり、
   前記インピーダンス整合用ループビアインダクタにより囲まれているインピーダンス整合用ループ面が形成されており、
   前記第１のＬＣ並列共振器により囲まれている第１のループ面が形成されており、
   前記第２のＬＣ並列共振器により囲まれている第２のループ面が形成されており、
   前記第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器とは、前記第１のループ面と前記第２のループ面とが互いに対向することによって、電磁気的に結合しており、
   前記インピーダンス整合用ループ面は、前記第１のループ面及び前記第２のループ面と対向していること、
   を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記インピーダンス整合用ループ面は、前記第２の方向において、前記第１のループ面と前記第２のループ面との間に位置していること、
   を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
4. 前記第１のループ面及び前記第２のループ面は、前記第２の方向から見たときに、該インピーダンス整合用ループ面に収まってはみ出していないこと、
   を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
5. 前記第１のループ面、前記第２のループ面及び前記インピーダンス整合用ループ面は、前記第２の方向において、この順に並んでいること、
   を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
6. 前記第１のインピーダンス整合用ビアホール導体及び前記第２のインピーダンス整合用ビアホール導体は、前記第１のビアホール導体ないし前記第４のビアホール導体よりも長いこと、
   を特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
7. 前記インピーダンス整合用インダクタ導体層は、前記第１のインダクタ導体層及び前記第２のインダクタ導体層よりも長いこと、
   を特徴とする請求項２ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
8. 前記インピーダンス整合用インダクタ導体層は、前記第１のインダクタ導体層及び前記第２のインダクタ導体層よりも短いこと、
   を特徴とする請求項２、請求項３又は請求項５のいずれかに記載の電子部品。
9. 前記フィルタは、第１のバンドパスフィルタであること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品。
10. 前記電子部品は、
    ローパスフィルタ又は第２のバンドパスフィルタを、
    更に備えており、
    前記フィルタ、及び、前記ローパスフィルタ又は前記第２のバンドパスフィルタは、ダイプレクサを構成していること、
    を特徴とする請求項９に記載の電子部品。
11. 前記インピーダンス整合用インダクタは、前記積層方向から見たときに、前記第２のバンドパスフィルタのグランド導体と重なっていること
    を特徴とする請求項１０に記載の電子部品。

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