JP6458759B2 - Stress relaxation structure and thermoelectric conversion module - Google Patents
Stress relaxation structure and thermoelectric conversion module Download PDFInfo
- Publication number
- JP6458759B2 JP6458759B2 JP2016070137A JP2016070137A JP6458759B2 JP 6458759 B2 JP6458759 B2 JP 6458759B2 JP 2016070137 A JP2016070137 A JP 2016070137A JP 2016070137 A JP2016070137 A JP 2016070137A JP 6458759 B2 JP6458759 B2 JP 6458759B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stress relaxation
- relaxation structure
- thermoelectric conversion
- metal foil
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 87
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 82
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 82
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 57
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 45
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 37
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 claims description 32
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 30
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 100
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 33
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 14
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 10
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 alkyl carboxylic acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N heptadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCO GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- XGFDHKJUZCCPKQ-UHFFFAOYSA-N nonadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCO XGFDHKJUZCCPKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N octadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCO GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- REIUXOLGHVXAEO-UHFFFAOYSA-N pentadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCO REIUXOLGHVXAEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HLZKNKRTKFSKGZ-UHFFFAOYSA-N tetradecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCO HLZKNKRTKFSKGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical group OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJIOQYGWTQBHNH-UHFFFAOYSA-N undecanol Chemical compound CCCCCCCCCCCO KJIOQYGWTQBHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- MKPXGEVFQSIKGE-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Si] Chemical compound [Mg].[Si] MKPXGEVFQSIKGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFRVVPUIAFSTFO-UHFFFAOYSA-N 1-Tridecanol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCO XFRVVPUIAFSTFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N hexadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCO BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229940087291 tridecyl alcohol Drugs 0.000 description 2
- 229940057402 undecyl alcohol Drugs 0.000 description 2
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 7,7-dimethyloctanoic acid Chemical compound CC(C)(C)CCCCCC(O)=O YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N [Au]=O Chemical compound [Au]=O KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
本発明は、応力緩和構造体及び熱電変換モジュールに関する。 The present invention relates to a stress relaxation structure and a thermoelectric conversion module.
従来から高温体から低温体への熱伝導性と熱応力の緩和性に優れた熱伝導性応力緩和構造体が知られている(下記特許文献1を参照)。特許文献1は、熱を発生する装置や器機を安定して作動させるための効率的な熱伝導の必要性や、装置や器機の高耐久性や高信頼性を図るための熱応力の低減又は緩和の重要性に鑑みて、製造が比較的容易で熱伝導性と熱応力緩和性を両立させ得る構造体を開示している。
Conventionally, a thermal conductive stress relaxation structure excellent in thermal conductivity and thermal stress relaxation from a high temperature body to a low temperature body is known (see
また、接合体及びこれを用いた半導体装置並びにそれらの製造方法に関する発明が知られている(下記特許文献2を参照)。特許文献2は、ハンダ印刷とリフローなどにより形成した接続部材は、アレイを密に配置できず、電気的な抵抗及び熱抵抗が大きくなることを問題とし、応力を緩和可能であり、電気的抵抗及び熱的抵抗を低減可能な接合体を開示している。
Further, an invention relating to a joined body, a semiconductor device using the same, and a method for manufacturing the same is known (see
例えば、廃熱からのエネルギー回収に用いられる熱電変換モジュールや、インバータ等に用いられる半導体装置では、長期間に渡り、高温状態と低温状態が繰り返される熱サイクルが発生する。このような熱サイクルに晒される機器や装置を安定して作動させるためには、高温側から低温側への熱伝達効率を向上させる必要がある。また、装置や器機を構成する各部材には、熱膨張係数の差による熱応力が生じるため、長期信頼性を確保するためには、各部材間の熱応力の緩和が重要になる。 For example, in a thermoelectric conversion module used for energy recovery from waste heat and a semiconductor device used for an inverter or the like, a thermal cycle in which a high temperature state and a low temperature state are repeated over a long period of time occurs. In order to stably operate equipment and devices that are exposed to such a heat cycle, it is necessary to improve the heat transfer efficiency from the high temperature side to the low temperature side. In addition, thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficient is generated in each member constituting the apparatus and equipment. Therefore, in order to ensure long-term reliability, it is important to relax thermal stress between the respective members.
そのための応力緩和構造体として、従来から熱伝導性のリボンやシートを巻回したものが使用されている。この構造の応力緩和構造体とすることで、各部材間に生じるひずみを吸収し熱応力を緩和できる効果が得られるためである。 As a stress relaxation structure for that purpose, a structure in which a thermally conductive ribbon or sheet is wound is conventionally used. This is because by using the stress relaxation structure of this structure, the effect of absorbing the strain generated between the members and relaxing the thermal stress can be obtained.
例えば、前記特許文献1に記載された熱伝導性応力緩和構造体は、熱伝導材が非接合状態で集合した集成体からなり、集成体は、例えば炭素系シート材と金属系シート材を交互に巻回した巻回体である(例えば特許請求の範囲等を参照)。この構造体は、巻回体に炭素系シート材と金属系シート材を用いることで、熱伝導性と熱応力緩和性を両立している。しかし、炭素系シート材は、構造体に接合される部材との接合性に劣り、構造体の接合信頼性を低下させ、耐振動性を低下させる虞がある。
For example, the thermally conductive stress relaxation structure described in
また、前記特許文献2に記載された半導体装置は、第1部材と第2部材とを通電及び熱伝達可能に接合する接合体として巻回部と応力緩和部とを備え、該巻回部は、アルミ等の電気伝導性及び熱伝導性の高い帯状の箔状物が巻き取られて形成されている(例えば請求項1、段落0012〜0017等を参照)。しかし、巻回部が通常の金属箔のみからなる場合、接合体の熱応力緩和性が低下する虞がある。
Further, the semiconductor device described in
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、熱伝導性及び熱応力緩和性を両立することができ、かつ耐振動性に優れた応力緩和構造体及びその応力緩和構造体を備えた熱電変換モジュールを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and includes a stress relaxation structure that can achieve both thermal conductivity and thermal stress relaxation and has excellent vibration resistance, and the stress relaxation structure. An object is to provide a thermoelectric conversion module.
前記目的を達成すべく、本発明の応力緩和構造体は、第1の熱伝導体と第2の熱伝導体とが交互に巻回された巻回体を備える応力緩和構造体であって、前記第1の熱伝導体は金属箔であり、前記第2の熱伝導体は多孔質金属箔であることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the stress relaxation structure of the present invention is a stress relaxation structure including a wound body in which a first thermal conductor and a second thermal conductor are alternately wound, The first heat conductor is a metal foil, and the second heat conductor is a porous metal foil.
本発明によれば、熱伝導性及び熱応力緩和性を両立することができ、かつ耐振動性に優れた応力緩和構造体及びその応力緩和構造体を備えた熱電変換モジュールを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, thermal conductivity and thermal stress relaxation property can be made compatible, and the thermoelectric conversion module provided with the stress relaxation structure body which was excellent in vibration resistance, and the stress relaxation structure body can be provided. .
以下、本発明の応力緩和構造体の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the stress relaxation structure of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[応力緩和構造体]
図1は、本発明の実施形態に係る応力緩和構造体10の模式的な斜視図である。図2は、図1に示すII−II線に沿う応力緩和構造体10の模式的な断面図である。
[Stress relaxation structure]
FIG. 1 is a schematic perspective view of a
本実施形態の応力緩和構造体10は、第1の熱伝導体1と第2の熱伝導体2とが交互に巻回された巻回体3を備えている。第1の熱伝導体1は金属箔であり、第2の熱伝導体2は多孔質金属箔である。また、応力緩和構造体10は、巻回体3を構成する第1の熱伝導体1と第2の熱伝導体2とが接合されているものを用いることができる。
The
第1の熱伝導体1の金属箔及び第2の熱伝導体2の多孔質金属箔の材質は、熱伝導性に優れた金属であれば特に限定されないが、例えば、銅又はニッケルを用いることができ、より熱伝導性の高い銅であることが好ましい。第1の熱伝導体1の金属箔及び第2の熱伝導体2の多孔質金属箔は、一の材料からなるものでも、材質又は特性の異なる二以上の材料の組み合わせからなるものでもよいが、帯状のような、連続体であることが好ましい。
Although the material of the metal foil of the
第2の熱伝導体2の多孔質金属箔としては、例えば、エレクトロニクス実装学会誌、Vol.1(1998)、No.1、P66−69に記載された無電解銅めっきによるポーラス状被膜を用いることができる。
As the porous metal foil of the
本実施形態の応力緩和構造体10において、巻回体3は、中心部に芯材4を備えている。第1の熱伝導体1と第2の熱伝導体2は、芯材4の周囲に交互に巻回されている。図1及び図2に示す例では、芯材4は円柱状の形状を有しているが、芯材4の形状は円柱状に限定されない。芯材4は、例えば、板状、多角形柱状、又は、円筒状等の筒状の形状を有してもよい。芯材4の材質は、熱伝導性及び耐熱性が良好な材料であれば特に限定されず、例えば、金属材料や無機材料を用いることができる。応力緩和構造体10が芯材4を備えることによって、第1の熱伝導体1と第2の熱伝導体2の巻回を容易にすることができる効果がある。なお、応力緩和構造体10は、第1の熱伝導体1と第2の熱伝導体2の巻回が可能であれば、必ずしも芯材4を備えなくてもよい。
In the
また、本実施形態の応力緩和構造体10は、巻回体3の巻回軸方向すなわち芯材4の軸方向の端面において、金属箔である第1の熱伝導体1と多孔質金属箔である第2の熱伝導体2がともに露出している。
Further, the
以下、本実施形態の応力緩和構造体10の製造方法の一例を説明する。図3及び図4は、本実施形態の応力緩和構造体10の製造方法の一例を説明する模式図である。
Hereinafter, an example of the manufacturing method of the
応力緩和構造体10を製造するには、まず、第1の熱伝導体1である金属箔の表面に第2の熱伝導体2である多孔質金属箔を巻回方向に連続的に形成する。より具体的には、第1の熱伝導体1の金属箔として、例えば銅箔を用意し、その表面に前述の無電解銅めっきによるポーラス状被膜からなる多孔質金属箔を形成する。これにより、第1の熱伝導体1である金属箔の表面に、第2の熱伝導体2である多孔質金属箔が形成された状態になる。このめっきにより形成された第2の熱電導体により、各部材間に生じるひずみを吸収し熱応力を緩和できる。
In order to manufacture the
次に、図3に示すように、芯材4を用意し、第2の熱伝導体2が接合された第1の熱伝導体1の長手方向の一端を芯材4に固定する。より具体的には、芯材4として、例えば銅棒を用意し、その銅棒に、例えばレーザ溶接、抵抗溶接、低温度焼結金属接合、はんだ接合、又は樹脂接着によって、第2の熱伝導体2が接合された第1の熱伝導体1の長手方向の一端を接合する。
Next, as shown in FIG. 3, a
次に、芯材4に固定された第1の熱伝導体1及び第2の熱伝導体2を、図4に示すように、芯材4の周りに巻回し、第1の熱伝導体1及び第2の熱伝導体2の終端部を固定する。より具体的には、例えば、第1の熱伝導体1及び第2の熱伝導体2を、外径が概ね5mmになるまで芯材4の周りに巻回し、終端部に焼結銅接合材料の酸化銅ペーストを塗布し、水素中で350℃の温度で5分間に亘って加熱して終端部を固定することができる。また、巻回後の第1の熱伝導体1及び第2の熱伝導体2の終端部は、レーザ溶接、抵抗溶接、はんだ接合、樹脂接着等によって固定してもよい。
Next, the first
最後に、芯材4の周りに巻回された第1の熱伝導体1及び第2の熱伝導体2を、例えば放電ワイヤ、ダイヤモンドカッタ等によって、例えば1mm程度の厚さに切断することで、図1及び図2に示す巻回体3を備えた応力緩和構造体10を得ることができる。
Finally, the
[熱電変換モジュール]
次に、本発明の熱電変換モジュールの実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
[Thermoelectric conversion module]
Next, an embodiment of the thermoelectric conversion module of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図5は、本実施形態の熱電変換モジュール100の模式的な断面図である。本実施形態の熱電変換モジュール100は、前述の応力緩和構造体10と、該応力緩和構造体10に接合された熱電変換素子20とを備えることを特徴としている。本実施形態の熱電変換モジュール100において、応力緩和構造体10と熱電変換素子20は、金属層30を介して接合されている。金属層30の材料としては、例えば、酸化銅からなる低温焼結性金属ペースト材料を用いることができる。なお、応力緩和構造体10と熱電変換素子20は、ろう材によって接合してもよい。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the
本実施形態の熱電変換モジュール100は、P型熱電変換素子20PとN型熱電変換素子20Nの2種類の熱電変換素子20を備えている。熱電変換素子20は、一対の端面20a,20b間の温度差により、電流を発生させる素子である。P型熱電変換素子20Pは、例えばシリコン−ゲルマニウム素子であり、高温側から低温側へ電流を流す。N型熱電変換素子20Nは、例えばシリコン-マグネシウム素子であり、低温側から高温側へ電流を流す。
The
P型熱電変換素子20Pであるシリコン−ゲルマニウム素子の線膨張係数は、例えば約3.5ppm/℃程度である。N型熱電変換素子20Nであるシリコン-マグネシウム素子の線膨張係数は、例えば約15.5ppm/℃程度である。
The linear expansion coefficient of the silicon-germanium element that is the P-type
本実施形態の熱電変換モジュール100は、さらに、応力緩和構造体10に接合される配線基板40と、熱電変換素子20に接合される銅電極50とを備えている。
The
配線基板40は、例えば、窒化アルミ等のセラミック基板41の表面に銅配線42を有し、熱電変換モジュール100の巻回体3の巻回軸方向において、熱電変換素子20が接合された応力緩和構造体10の端面10aとは反対側の端面10bに接合される。本実施形態の熱電変換モジュール100において、応力緩和構造体10と配線基板40は、金属層30を介して接合されている。金属層30の材料としては、例えば、酸化銅からなる低温焼結性金属ペースト材料を用いることができる。
The
銅電極50は、応力緩和構造体10が接合された熱電変換素子20の端面20aとは反対側の端面20bに、例えばシート状のSn−3.5Ag−1.5Cu合金を用いて、はんだ接合されている。すなわち、銅電極50は、はんだ層60を介して熱電変換素子20の端面20bに接合されている。はんだ接合におけるリフロー温度は、例えば、約270℃程度である。
The
なお、熱電変換モジュール100は、ガラス材料、樹脂材料を用いた封止技術により形成されて熱電変換モジュール100を封止する封止層を有してもよい。封止層に用いられる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミドイミド、ポリイミド、シリコン樹脂等が挙げられる。また、封止層に用いられるガラス材料としては、低融点のバナジウムガラス等が挙げられる。また、真空封止や不活性の封止技術を用いて接合部を封止する封止層を形成することで、接合部の信頼性を向上させることが可能である。
The
以下、本実施形態の熱電変換モジュール100の製造方法の一例を説明する。図6Aから図6Fは、熱電変換モジュール100の製造方法の各工程を説明する模式的な断面図である。
Hereinafter, an example of the manufacturing method of the
熱電変換モジュール100を製造するには、まず、図6Aに示すように、配線基板40の銅配線42上の熱電変換素子20の設置位置に対応する領域に、低温焼結性金属材料のペースト30pを塗布する。また、当該領域に低温焼結性金属材料をめっき等で被覆することもできる。
In order to manufacture the
低温焼結性金属材料は、金属粒子、金属酸化物粒子、金属塩粒子のいずれかを含む。金属粒子として、例えば、銀、銅、金、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム、珪素、アルミニウム等の中から1種類の金属あるいは2種類以上の金属からなる合金を用いることができる。酸化物粒子としては、酸化金、酸化第一銀、酸化第二銀、酸化第二銅を用いることができる。金属塩粒子としては、カルボン酸金属塩として酢酸銀、ネオデカン酸銀塩などを用いることができる。 The low-temperature sinterable metal material includes any of metal particles, metal oxide particles, and metal salt particles. Examples of metal particles include silver, copper, gold, platinum, palladium, rhodium, osmium, ruthenium, iridium, iron, tin, zinc, cobalt, nickel, chromium, titanium, tantalum, tungsten, indium, silicon, and aluminum. From one kind of metal or an alloy made of two or more kinds of metals can be used. As the oxide particles, gold oxide, silver oxide, silver oxide, cupric oxide can be used. As a metal salt particle, silver acetate, a neodecanoic acid silver salt, etc. can be used as a carboxylic acid metal salt.
低温焼結性金属材料は、銀あるいは銅粒子を含む場合、平均粒径が1nmより大きく100μm以下の粒子を用いることが好ましい。また、粒子の凝集を防ぐために、これらの粒子を有機物の分散剤を被覆しておくことが好ましい。分散剤としてはアルキルカルボン酸、アルキルアミンが挙げられる。 When the low temperature sinterable metal material contains silver or copper particles, it is preferable to use particles having an average particle size of more than 1 nm and 100 μm or less. In order to prevent the particles from aggregating, it is preferable to coat these particles with an organic dispersant. Examples of the dispersant include alkyl carboxylic acids and alkyl amines.
低温焼結性金属材料は、酸化銀粒子を含む場合、酸化銀粒子の他に有機物からなる還元剤と溶媒とを含む。低温焼結性金属材料は、酸化銅粒子を含む場合、酸化銅粒子の他にペースト用溶剤を含む。低温焼結性金属材料に含まれる金属酸化物粒子の平均粒径は、1nm以上かつ50μm以下であることが好ましい。金属酸化物粒子の含有量としては、低温焼結性金属材料中における全質量部において50質量部超99質量部以下とすることが好ましい。低温焼結性金属材料中における金属含有量が多い方が低温での接合後に有機物残渣が少なくなり、低温で緻密な焼成層を形成でき、また、接合界面での金属結合の形成が可能となる。その結果、接合強度が向上し、さらには高放熱性、高耐熱性を有する金属層を形成することが可能となる。ただし、低温焼結性金属材料中の金属含有量が99質量部を超えると、還元に必要な有機物がなくなり還元焼結できなくなる。 When the low-temperature sinterable metal material contains silver oxide particles, it contains a reducing agent made of an organic substance and a solvent in addition to the silver oxide particles. When the low temperature sinterable metal material contains copper oxide particles, it contains a paste solvent in addition to the copper oxide particles. The average particle diameter of the metal oxide particles contained in the low temperature sinterable metal material is preferably 1 nm or more and 50 μm or less. As content of a metal oxide particle, it is preferable to set it as more than 50 mass parts and 99 mass parts or less in all the mass parts in a low-temperature-sinterable metal material. The higher the metal content in the low-temperature sinterable metal material, the fewer organic residues will be left after bonding at low temperatures, and a dense fired layer can be formed at low temperatures, and metal bonds can be formed at the bonding interface. . As a result, the bonding strength is improved, and furthermore, a metal layer having high heat dissipation and high heat resistance can be formed. However, when the metal content in the low-temperature sinterable metal material exceeds 99 parts by mass, the organic matter necessary for reduction is lost and reduction sintering cannot be performed.
低温焼結性金属材料に含まれる有機物からなる還元剤としては、例えば、アルコール類、カルボン酸類、アミン類のいずれかが好ましい。この中でも、環境負荷の小さいアルコール類が好ましい。利用可能なアルコール基を含む化合物としては、アルキルアルコールが挙げられる、例えば、ヘプチルアルコール,オクチルアルコール,ノニルアルコール,デシルルコール,ウンデシルアルコール,ドデシルアルコール,トリデシルアルコール,テトラデシルアルコール,ペンタデシルアルコール,ヘキサデシルアルコール,ヘプタデシルアルコール,オクタデシルアルコール,ノナデシルアルコール,イコシルアルコール、がある。さらには1級アルコール型に限らず、2級アルコール型,3級アルコール型、及びアルカンジオール,環状型の構造を有するアルコール化合物を用いることが可能である。それ以外にも、エチレングリコール,トリエチレングリコールなど多数のアルコール基を有する化合物を用いてもよい。 As the reducing agent made of an organic substance contained in the low-temperature sinterable metal material, for example, any of alcohols, carboxylic acids, and amines is preferable. Among these, alcohols with a small environmental load are preferable. Examples of usable alcohol-containing compounds include alkyl alcohols, such as heptyl alcohol, octyl alcohol, nonyl alcohol, decyl alcohol, undecyl alcohol, dodecyl alcohol, tridecyl alcohol, tetradecyl alcohol, pentadecyl alcohol, hexa There are decyl alcohol, heptadecyl alcohol, octadecyl alcohol, nonadecyl alcohol, and icosyl alcohol. Furthermore, not only the primary alcohol type, but also alcohol compounds having secondary alcohol type, tertiary alcohol type, alkanediol, and cyclic type structures can be used. In addition, compounds having a large number of alcohol groups such as ethylene glycol and triethylene glycol may be used.
低温焼結性金属材料に含まれる還元剤の含有量は、酸化銀粒子の全重量に対して1質量部以上で50質量部以下の範囲であることが好ましい。還元剤の量が1質量部より少ないと接合材料における金属粒子前駆体を還元して金属粒子を作製するのに十分な量ではないためである。また、還元剤の量が50質量部を超えると接合後における残渣が多くなる。その結果、界面での金属接合と接合銀層中における緻密化が困難となる。接合材料中には比較的粒径の大きい平均粒径が50μmから100μm程度の金属粒子を混合して用いることも可能である。これは、接合中において作製された平均粒径が100nm以下の金属粒子が、平均粒径が50μmから100μm程度の金属粒子同士を焼結させる役割を果たすからである。また、粒径が100nm以下の金属粒子を予め混合しておいてもよい。 The content of the reducing agent contained in the low-temperature sinterable metal material is preferably in the range of 1 part by mass to 50 parts by mass with respect to the total weight of the silver oxide particles. This is because if the amount of the reducing agent is less than 1 part by mass, the amount is not sufficient to reduce the metal particle precursor in the bonding material to produce metal particles. Moreover, when the quantity of a reducing agent exceeds 50 mass parts, the residue after joining will increase. As a result, metal bonding at the interface and densification in the bonding silver layer are difficult. It is also possible to mix and use metal particles having a relatively large average particle size of about 50 μm to 100 μm in the bonding material. This is because the metal particles having an average particle diameter of 100 nm or less produced during bonding play a role of sintering metal particles having an average particle diameter of about 50 μm to 100 μm. Further, metal particles having a particle size of 100 nm or less may be mixed in advance.
低温焼結性金属材料をペースト30pとして用いる場合には、低温焼結性金属材料に溶媒を加えてもよい。溶媒としては、例えばアルコール類等が挙げられる。溶媒として用いることができる。アルコール類としては、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルルコール、ウンデシルアルコール、ドデシルアルコール、トリデシルアルコール、テトラデシルアルコール、ペンタデシルアルコール、ヘキサデシルアルコール、ヘプタデシルアルコール、オクタデシルアルコール、ノナデシルアルコール、イコシルアルコール、がある。また、ジエチレングリコール、エチレングリコール、トリエチレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどのグリコール系が挙げられる。さらには1級アルコール型に限らず、2級アルコール型、3級アルコール型、及びアルカンジオール、環状型の構造を有するアルコール化合物を用いることが可能である。それ以外にも、テルピネオール、エチレングリコール、トリエチレングリコールを用いてもよい。これらの中でもグリコール系の溶媒を用いることが好ましい。グリコール系の溶媒は安価で、人体等に対する毒性も少ないからである。さらに、これらのアルコール系の溶媒は溶媒としてだけでなく、酸化銀に対する還元剤としても作用することが可能であるため、酸化銀粒子の量に対する還元剤として適度な量に調整して用いることができる。ペースト用の溶媒としては、銀粒子、銅粒子を用いた場合と同様に、沸点が350℃以下の溶媒を用いることができる。酸化銀粒子を含む低温焼結性金属材料を、ペースト状にする場合も、沸点が350℃以下の溶媒を用いることができる。
When a low-temperature sinterable metal material is used as the
次に、図6Bに示すように、熱電変換素子20の設置位置に対応する配線基板40上の領域に、低温焼結性金属材料のペースト30pを介して応力緩和構造体10を配置する。
Next, as illustrated in FIG. 6B, the
次に、図6Cに示すように、応力緩和構造体10の配線基板40に対向する端面10bとは反対側の端面10aに低温焼結性金属材料のペースト30pを塗布する。
Next, as shown in FIG. 6C, a
次に、図6Dに示すように、応力緩和構造体10の配線基板40に対向する端面10bとは反対側の端面10aに、低温焼結性金属材料のペースト30pを介して熱電変換素子20を配置する。そして、例えば水素雰囲気中で概ね350℃程度に加熱して、配線基板40と応力緩和構造体10と熱電変換素子20をこれらの積層方向に1.0MPaの圧力で加圧する。これにより、低温焼結性金属材料のペースト30pが焼結され、図6Eに示すように、配線基板40と応力緩和構造体10とが金属層30を介して接合され、応力緩和構造体10と熱電変換素子20とが金属層30を介して接合される。
Next, as shown in FIG. 6D, the
なお、低温焼結性金属材料のペースト30pの焼結時の雰囲気は、低温焼結性金属材料が銀粒子、酸化銀粒子を含む場合には、大気中、窒素中、還元雰囲気中のいずれにおいても実施することができる。一方、低温焼結性金属材料が銅粒子、酸化銅粒子を含む場合には、水素や蟻酸などの還元雰囲気で低温焼結性金属材料の焼結を行う必要がある。これは、銅粒子や酸化銅粒子を還元して接合するためには、還元雰囲気を用いることが必要なためである。
In addition, the atmosphere at the time of sintering the
また、低温焼結性金属材料のペースト30pの焼結時に配線基板40と応力緩和構造体10と熱電変換素子20をこれらの積層方向に加圧する圧力は、0MPaよりも大きく、30MPa以下とすることができる。加圧をすることで、金属層30が緻密化され、接合層の信頼性を向上させることができるが、圧力が30MPaを超えると、熱電変換素子20が損傷する虞がある。焼結時間は、1秒より長く、180分よりも短い時間とすることができる。
Moreover, the pressure which pressurizes the
最後に、図6Fに示すように、例えばシート状のSn−3.5Ag−1.5Cu合金60mを用いて、応力緩和構造体10が接合された熱電変換素子20の端面20aとは反対側の端面20bに、銅電極50をはんだ接合する。これにより、銅電極50は、はんだ層60を介して、熱電変換素子20の端面20bに接合される。はんだ接合におけるリフロー温度は、例えば、約270℃程度である。以上により、図5に示す熱電変換モジュール100を製作することができる。
Finally, as shown in FIG. 6F, for example, using a sheet-like Sn-3.5Ag-1.5
以下、本実施形態の応力緩和構造体10及びそれを用いた熱電変換モジュール100の作用について説明する。
Hereinafter, the operation of the
本実施形態の熱電変換モジュール100は、例えば、配線基板40側を高温側とし、銅電極50側を低温側として使用される。より具体的には、例えば、配線基板40が、自動車の排気管等の発熱源である高温体に熱伝達可能に取り付けられ、銅電極50側が空冷や水冷によって冷却される。
The
これにより、熱電変換モジュール100は、高温側の配線基板40の温度が、例えば500℃程度まで上昇し、冷却された銅電極50が低温側となって、熱電変換素子20の配線基板40側と銅電極50側に温度差が生じる。この温度差により、P型熱電変換素子20Pが高温側から低温側へ電流を流し、N型熱電変換素子20Nが低温側から高温側へ電流を流すことで起電力が発生し、熱電変換モジュール100によって発電することができる。
Thereby, in the
しかし、P型熱電変換素子20Pであるシリコン−ゲルマニウム素子の線膨張係数と、N型熱電変換素子20Nであるシリコン-マグネシウム素子の線膨張係数が異なっている。そのため、応力緩和構造体10を有しない場合には、熱電変換素子100の発電時の熱サイクルや、熱電変換素子100の製造時の熱により、熱電変換素子20と配線基板40との間に熱膨張量の差に起因する応力が作用してひずみが発生し、熱電変換素子20と配線基板40との接合部が破断したり、熱電変換素子20が破損したりする虞がある。
However, the linear expansion coefficient of the silicon-germanium element that is the P-type
これに対し、本実施形態の熱電変換モジュール100は、応力緩和構造体10と、該応力緩和構造体10に接合された熱電変換素子20とを備えている。また、本実施形態の応力緩和構造体10は、第1の熱伝導体1と第2の熱伝導体2とが交互に巻回された巻回体3を備え、第1の熱伝導体1は金属箔であり、第2の熱伝導体2は多孔質金属箔である。
In contrast, the
したがって、応力緩和構造体10を構成する巻回体3の熱伝導性の高い金属箔と多孔質金属箔によって、高温側の熱を効率よく熱電変換素子20に伝達することができる。さらに、応力緩和構造体10の巻回体3は、金属箔と比較して変形しやすい多孔質金属箔によって熱電変換素子20の熱膨張を許容し、熱電変換素子20と高温側の配線基板40との間に作用する熱応力を緩和することができる。
Therefore, the heat on the high temperature side can be efficiently transferred to the
また、第2の熱伝導体2が多孔質金属箔であることから、例えば炭素系シート材と比較して、配線基板40や熱電変換素子20に対する接合性が良好であり、応力緩和構造体10の巻回体3と配線基板40及び熱電変換素子20との接合信頼性が向上する。したがって、本実施形態の応力緩和構造体10を用いることで、熱電変換モジュール100の耐振動性を向上させることができる。
Moreover, since the
また、本実施形態の応力緩和構造体10は、巻回体3の巻回軸方向すなわち芯材4の軸方向の端面において、金属箔である第1の熱伝導体1と多孔質金属箔である第2の熱伝導体2がともに露出している。したがって、配線基板40や熱電変換素子20に対する応力緩和構造体10の接合を容易かつ確実にして、接合信頼性を向上させることができる。
Further, the
また、本実施形態の応力緩和構造体10において、巻回体3を構成する第1の熱伝導体1である金属箔及び第2の熱伝導体2である多孔質金属箔の材質が銅又はニッケルである場合には、応力緩和構造体10の熱伝導性及び接合信頼性をより向上させることができる。
Further, in the
また、本実施形態の応力緩和構造体10において、巻回体3は、芯材4を備え、芯材4の周囲に第1の熱伝導体1と第2の熱伝導体2とが一体化して巻回されている。これにより、巻回体3の巻回を容易にして応力緩和構造体10の製造を容易にすることができる。また、芯材4が、板状の形状を有する場合には、概ね矩形の端面を有する巻回体3を製作することができる。芯材4を板状にすることで巻回体3も板状になる。応力緩和構造体10を設置する素子も板状なので無駄な領域を減少させることができ、素子の充填密度が向上する。
Further, in the
また、本実施形態の熱電変換モジュール100では、応力緩和構造体10と熱電変換素子20とが、金属層30を介して接合されている。金属層30は、高い耐熱性を有するため、熱源に近い高温側の配線基板40と熱電変換素子20との接合信頼性を向上させることができる。また、金属層30は、応力緩和構造体10の巻回体3を構成する第1の熱伝導体1である金属箔及び第2の熱伝導体2である多孔質金属箔に対して強固に接合され、応力緩和構造体10を配線基板40及び熱電変換素子20に対して強固に接合することができる。したがって、応力緩和構造体10と、配線基板40及び熱電変換素子20との接合信頼性を向上させ、熱電変換モジュール100の耐振動性を向上させることができる。
Moreover, in the
以上説明したように、本発明の本実施形態によれば、熱伝導性及び熱応力緩和性を両立することができ、かつ耐振動性に優れた応力緩和構造体10及びその応力緩和構造体10を備えた熱電変換モジュール100を提供することができる。
As described above, according to this embodiment of the present invention, the
[絶縁基板]
本実施形態の応力緩和構造体10は、熱電変換モジュール用の絶縁基板に用いることもできる。図7は、本実施形態の応力緩和構造体10を用いた絶縁基板200の模式的な断面図である。絶縁基板200は、表面がNiめっきされたセラミック基板70と、セラミック基板70の表面に金属層30を介して接合された応力緩和構造体10と、応力緩和構造体10に金属層30を介して接合された銅配線80とを備えている。
[Insulated substrate]
The
セラミック基板70は、例えば、厚さが0.6mmで縦100mm、横100mmの正方形の窒化珪素の薄板であり、銅配線80の厚さは、例えば0.4mmである。金属層30は、例えば、低温焼結性金属材料として平均粒径が1μmの銅粒子をトリエチレングリコールに分散させた銅ペーストを使用し、金属層30を形成する部分に塗布し、水素雰囲気中で15分間に亘って400℃に加熱して焼成することで形成することができる。金属層30の焼成後に、外周部の余剰部分を放電ワイヤによって切断してもよい。
The
図7に示す絶縁基板200は、熱源に近い部分で使用されるため、高温でも高い信頼性が求められるが、前述の応力緩和構造体10を備えることで、熱伝導性及び熱応力緩和性を両立することができ、かつ耐振動性に優れた信頼性の高い絶縁基板200となる。このような絶縁基板200は、使用温度の高温化が進んでいるパワーモジュール等の分野に好適に使用することができる。
Since the insulating
以上、図面を用いて本発明の実施の形態を詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。 The embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, but the specific configuration is not limited to this embodiment, and there are design changes and the like without departing from the gist of the present invention. They are also included in the present invention.
以下、本発明の実施例に係る応力緩和構造体と、その比較対象としての比較例に係る応力緩和構造体とを説明する。 Hereinafter, a stress relaxation structure according to an example of the present invention and a stress relaxation structure according to a comparative example as a comparison target will be described.
[実施例]
第1の熱伝導体の金属箔として、株式会社ニラコ製の厚さ0.020mm、幅100mm、長さ300mmの銅箔(製品番号:CU−113213)を用意した。次に、用意した銅箔の表面に、エレクトロニクス実装学会誌、Vol.1(1998)、No.1、P66−69に記載された無電解銅めっきによって厚さ5μmのポーラス状被膜を形成することで、第2の熱伝導体である多孔質金属箔を第1の熱伝導体の金属箔に接合した。
[Example]
As a metal foil of the first heat conductor, a copper foil (product number: CU-113213) manufactured by Niraco Co., Ltd. having a thickness of 0.020 mm, a width of 100 mm, and a length of 300 mm was prepared. Next, a 5 μm-thick porous film is formed on the surface of the prepared copper foil by electroless copper plating described in Journal of Japan Institute of Electronics Packaging, Vol. 1 (1998), No. 1, P66-69. Then, the porous metal foil which is the second heat conductor was joined to the metal foil of the first heat conductor.
次に、芯材として株式会社ニラコ製の直径2.0mmの円柱状の銅棒(製品番号:CU−112544)を用意し、用意した芯材に、レーザ溶接によって第1の熱伝導体及び第2の熱伝導体の長手方向の一端を固定した。そして、芯材の周りに第1の熱伝導体及び第2の熱伝導体を巻回し、長手方向の終端部に低温焼結金属材料である酸化銅ペーストを塗布し、水素雰囲気中で5分間に亘って350℃に加熱し、長手方向の終端部を固定した。巻回された第1の熱伝導体及び第2の熱伝導体の外径は、約5mmであった。
Next, a cylindrical copper rod having a diameter of 2.0 mm (product number: CU-112544) manufactured by Niraco Co., Ltd. is prepared as a core material, and the first thermal conductor and the first core are prepared by laser welding on the prepared core material. One end in the longitudinal direction of the
最後に、芯材の周りに巻回した第1の熱伝導体及び第2の熱伝導体を、放電ワイヤによって切断して約1mmの厚さの巻回体とし、実施例の応力緩和構造体を得た。得られた応力緩和構造体は、第1の熱伝導体と第2の熱伝導体とが交互に巻回された巻回体を備え、第1の熱伝導体は金属箔であり、第2の熱伝導体は多孔質金属箔であった。また、第1の熱伝導体と第2の熱伝導体とは、互いに接合された。 Finally, the first thermal conductor and the second thermal conductor wound around the core are cut with a discharge wire to form a wound body having a thickness of about 1 mm, and the stress relaxation structure of the example Got. The obtained stress relaxation structure includes a wound body in which the first heat conductor and the second heat conductor are alternately wound, and the first heat conductor is a metal foil, The heat conductor was a porous metal foil. Further, the first heat conductor and the second heat conductor were joined to each other.
次に、応力緩和構造体の接合強度試験を実施した。まず、直径10mm、厚さ5mmの円板状の銅板を2枚用意した。そして、応力緩和構造体の巻回体の捲回軸方向の一方の端面と他方の端面に、それぞれ低温焼結金属材料である酸化銅ペーストを塗布し、用意した銅板を1枚ずつ配置した。その後、水素雰囲気下で銅板と応力緩和構造体の積層方向に1.0MPaの圧力をかけて5分間に亘って350℃に加熱し、応力緩和構造体の巻回体の捲回軸方向の一方の端面と他方の端面に、それぞれ金属層を介して銅板を接合し、試験片を得た。 Next, a joint strength test of the stress relaxation structure was performed. First, two disk-shaped copper plates having a diameter of 10 mm and a thickness of 5 mm were prepared. And the copper oxide paste which is a low-temperature sintering metal material was apply | coated to the one end surface of the winding axis direction of the winding body of a stress relaxation structure body, and the other end surface, respectively, and the prepared copper plate was arrange | positioned 1 sheet at a time. Then, under a hydrogen atmosphere, a pressure of 1.0 MPa is applied in the stacking direction of the copper plate and the stress relaxation structure and heated to 350 ° C. for 5 minutes. One of the windings of the stress relaxation structure in the winding axis direction A copper plate was joined to each of the end face and the other end face through a metal layer to obtain a test piece.
次に、西進商事株式会社製の最大荷重100kgのせん断試験機、ボンドテスターSS−100KPにより、得られた試験片にせん断速度30mm/分のせん断応力を加え、破断時の最大荷重を測定した。そして、測定した最大荷重を接合面積で除して接合強度を求めた。 Next, a shear stress of 30 mm / min was applied to the obtained test piece using a bond tester SS-100KP with a maximum load of 100 kg manufactured by Seishin Shoji Co., Ltd., and the maximum load at break was measured. Then, the bonding strength was obtained by dividing the measured maximum load by the bonding area.
[比較例]
巻回体を構成する第2の熱伝導体としてカーボンシートを用い、第1の熱伝導体と第2の熱伝導体とを接合することなく積層した以外は、前述の実施例の応力緩和構造体と同様に比較例の応力緩和構造体を製作した。カーボンシートは、厚さが0.020mm、幅100mm、長さ300mmのものを用いた。そして、実施例の応力緩和構造体と同様に、試験片を製作し、せん断試験機によって破断時の最大荷重を測定し、測定した最大荷重を接合面積で除して接合強度を求めた。
[Comparative example]
Except for using a carbon sheet as the second thermal conductor constituting the wound body and laminating the first thermal conductor and the second thermal conductor without bonding, the stress relaxation structure of the above-described embodiment The stress relaxation structure of the comparative example was manufactured similarly to the body. A carbon sheet having a thickness of 0.020 mm, a width of 100 mm, and a length of 300 mm was used. And like the stress relaxation structure of an Example, the test piece was manufactured, the maximum load at the time of a fracture | rupture was measured with the shear test machine, and the joint strength was calculated | required by dividing the measured maximum load by a joining area.
図8に、実施例の応力緩和構造体の初期接合強度と比較例の応力緩和構造体の初期接合強度との関係を示す。図8に示すように、比較例の応力緩和構造体の初期接合強度を1としたときに、実施例の応力緩和構造体の初期接合強度は1.2以上に上昇した。ここでは、比較例の応力緩和構造体の初期接合強度は10MPa、実施例の応力緩和構造体の初期接合強度は12MPaであった。 FIG. 8 shows the relationship between the initial bonding strength of the stress relaxation structure of the example and the initial bonding strength of the stress relaxation structure of the comparative example. As shown in FIG. 8, when the initial joint strength of the stress relaxation structure of the comparative example was 1, the initial joint strength of the stress relaxation structure of the example increased to 1.2 or more. Here, the initial bonding strength of the stress relaxation structure of the comparative example was 10 MPa, and the initial bonding strength of the stress relaxation structure of the example was 12 MPa.
実施例の試験片に用いた応力緩和構造体の巻回体は、第2の熱伝導体として多孔質金属箔を用いている。そのため、巻回体の巻回軸方向の端面において、第1の熱伝導体である金属箔が露出した部分だけでなく、多孔質金属箔が露出した部分も、金属層によって銅板に接合され、接合強度が向上した。 The wound body of the stress relaxation structure used for the test piece of the example uses a porous metal foil as the second heat conductor. Therefore, on the end surface in the winding axis direction of the wound body, not only the portion where the metal foil as the first thermal conductor is exposed, but also the portion where the porous metal foil is exposed is joined to the copper plate by the metal layer, Bonding strength was improved.
これに対し、比較例の試験片に用いた応力緩和構造体の巻回体は、第2の熱伝導体としてカーボンシートを用いている。そのため、巻回体の巻回軸方向の端面において、カーボンシートが露出した部分が金属層によって銅板に接合されず、接合強度が低下した。 On the other hand, the wound body of the stress relaxation structure used for the test piece of the comparative example uses a carbon sheet as the second heat conductor. Therefore, on the end surface in the winding axis direction of the wound body, the portion where the carbon sheet is exposed is not bonded to the copper plate by the metal layer, and the bonding strength is reduced.
以上により、本発明の実施例に係る応力緩和構造体は、比較例に係る応力緩和構造体よりも金属製の部材に対する接合性に優れ、耐振動性に優れることが確認された。 From the above, it was confirmed that the stress relaxation structure according to the example of the present invention was superior in bondability to a metal member and superior in vibration resistance than the stress relaxation structure according to the comparative example.
1 第1の熱伝導体
2 第2の熱伝導体
3 巻回体
4 芯材
10 応力緩和構造体
20 熱電変換素子
30 金属層
100 熱電変換モジュール。
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記第1の熱伝導体は金属箔であり、前記第2の熱伝導体は多孔質金属箔であることを特徴とする応力緩和構造体。 A stress relaxation structure comprising a wound body in which a first heat conductor and a second heat conductor are alternately wound,
The stress relaxation structure, wherein the first thermal conductor is a metal foil, and the second thermal conductor is a porous metal foil.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016070137A JP6458759B2 (en) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | Stress relaxation structure and thermoelectric conversion module |
US15/414,139 US20170288116A1 (en) | 2016-03-31 | 2017-01-24 | Stress Relaxation Structure and Thermoelectric Conversion Module |
EP17153473.8A EP3226314B1 (en) | 2016-03-31 | 2017-01-27 | Thermoelectric conversion module comprising stress relaxation structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016070137A JP6458759B2 (en) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | Stress relaxation structure and thermoelectric conversion module |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017183566A JP2017183566A (en) | 2017-10-05 |
JP2017183566A5 JP2017183566A5 (en) | 2018-04-05 |
JP6458759B2 true JP6458759B2 (en) | 2019-01-30 |
Family
ID=57914826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016070137A Expired - Fee Related JP6458759B2 (en) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | Stress relaxation structure and thermoelectric conversion module |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170288116A1 (en) |
EP (1) | EP3226314B1 (en) |
JP (1) | JP6458759B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202420972A (en) * | 2017-10-24 | 2024-05-16 | 日商力森諾科股份有限公司 | Method for manufacturing thermoelectric conversion module, thermoelectric conversion module, and binder for thermoelectric conversion module |
JP7248091B2 (en) * | 2021-02-03 | 2023-03-29 | 三菱マテリアル株式会社 | Thermoelectric conversion module and method for manufacturing thermoelectric conversion module |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55117249A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor supporting electrode |
JPH01183139A (en) * | 1988-01-16 | 1989-07-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Radiation board |
JPH0780272B2 (en) * | 1989-12-12 | 1995-08-30 | 住友特殊金属株式会社 | Thermal conductive composite material |
EP0634794B1 (en) * | 1989-12-12 | 1999-07-28 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Heat-conductive composite material |
US5510650A (en) * | 1994-09-02 | 1996-04-23 | General Motors Corporation | Low mechanical stress, high electrical and thermal conductance semiconductor die mount |
JP4062994B2 (en) * | 2001-08-28 | 2008-03-19 | 株式会社豊田自動織機 | Heat dissipation substrate material, composite material and manufacturing method thereof |
US20040010170A1 (en) * | 2002-01-09 | 2004-01-15 | Vickers George H. | Para-xylene and ethylbenzene separation from mixed C8 aromatics |
JP2003229609A (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Sango Co Ltd | Thermal stress relaxation material for thermoelectric conversion module, its manufacturing method and thermoelectric transducer |
US7663486B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-02-16 | Motorola, Inc. | RFID tag user memory indication |
JP2008010764A (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | Thermoelectric conversion device |
JP2010093009A (en) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Thermoelectric transduction module and thermoelectric transducer |
JP5733678B2 (en) * | 2010-12-24 | 2015-06-10 | 日立化成株式会社 | Thermoelectric conversion module and manufacturing method thereof |
JP6064886B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-01-25 | 株式会社豊田中央研究所 | Thermally conductive stress relaxation structure |
WO2014160033A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Gmz Energy Inc. | Thermoelectric module with flexible connector |
JP2014183256A (en) | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Denso Corp | Joining body, semiconductor device using the same, and manufacturing method for them |
-
2016
- 2016-03-31 JP JP2016070137A patent/JP6458759B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-01-24 US US15/414,139 patent/US20170288116A1/en not_active Abandoned
- 2017-01-27 EP EP17153473.8A patent/EP3226314B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3226314A2 (en) | 2017-10-04 |
JP2017183566A (en) | 2017-10-05 |
US20170288116A1 (en) | 2017-10-05 |
EP3226314A3 (en) | 2017-10-25 |
EP3226314B1 (en) | 2018-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6794732B2 (en) | Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion device | |
KR102049011B1 (en) | Thermoelectric module and method for manufacturing the same | |
JP5579928B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
WO2010111462A2 (en) | Thermoelectric device, electrode materials and method for fabricating thereof | |
EP2377175A2 (en) | Method for fabricating thermoelectric device | |
JP2017059823A (en) | Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion device | |
JP2009117792A (en) | Thermoelectric conversion module and manufacturing method thereof | |
KR20170076358A (en) | Thermoelectric module and method for fabricating the same | |
WO2010103949A1 (en) | Method of producing thermoelectric conversion device | |
CA2768803A1 (en) | Thermoelectric modules with improved contact connection | |
JP2011249801A (en) | Low temperature compression sinter joining method of two junction devices and constitution body manufactured by the same | |
JP4850083B2 (en) | Thermoelectric conversion module, power generation device and cooling device using the same | |
JP2017020101A (en) | Metal particle, paste, molded body and laminate | |
JP6458759B2 (en) | Stress relaxation structure and thermoelectric conversion module | |
WO2017057259A1 (en) | Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion device | |
JP2013062275A (en) | Thermal power generation device | |
JP2014110282A (en) | Bonding method using paste containing metal fine particle | |
CN102569629A (en) | Thermoelectric module and manufacturing method thereof | |
JP2012195441A (en) | Thermoelectric conversion system and method for manufacturing the same | |
JP2006086402A (en) | Tubular thermoelectric module and thermoelectric converting device | |
JP4810652B2 (en) | Thermoelectric conversion module | |
CN115103730A (en) | Bonding sheet and bonding structure | |
WO2016147736A1 (en) | Semiconductor device, and method for manufacturing same | |
CN105762270B (en) | Thermoelectric generator and method of assembling thermoelectric generator | |
JP6933441B2 (en) | Thermoelectric conversion module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180223 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6458759 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |