JP6445826B2 - ホスホン酸誘導体、不飽和基含有ホスホン酸誘導体及びこれらの製造方法 - Google Patents
ホスホン酸誘導体、不飽和基含有ホスホン酸誘導体及びこれらの製造方法 Download PDFInfo
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よって、このようなホスホン酸誘導体において、純度が高い化合物が得られれば、アクリル樹脂の重合モノマーやエネルギー線硬化性樹脂組成物の成分として有用である。
本発明のホスホン酸誘導体は、ホスホン酸基と水酸基との両方を有する化合物である。このため、ホスホン酸基による密着性や難燃性を有し、かつ、水酸基を利用して各種化合物に誘導することができる。
(式中、R4,R5は、メチル基又はエチル基であり、同一であっても相違していてもよい)
式中、R8,R21は、炭素数1〜10の飽和又は不飽和の炭化水素基であってもよく、R8,R21中が、炭素数1〜10の飽和又は不飽和の炭化水素基が、更に上記一般式(3)で表される構造で置換されたものであってもよい。
上記構造において、R8とR21とが結合していて、環状構造を形成したものであってもよい。
の−NHR基又は−NH2基に対して、下記一般式(8)
なお、上記反応において、触媒等は特に必要とされないが、触媒を添加することを妨げるものではない。
上記反応において、触媒等は特に必要とされないが、触媒などを添加することを妨げるものではない。
(下記一般式による化合物101の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR δ=3.75(6H,d), 3.62(2H,t), 2.72(2H,tt), 2.53(2H,t), 2.28(3H,s), 2.00(2H,tt),
31P NMR δ= 34.96
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(上記反応によって得られた化合物101を原料とする下記一般式による化合物102の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR δ= 6.11(1H,s), 5.57(1H,s), 4.25(2H,t), 3.74(6H,d), 2.76(2H,m), 2.71(2H,t), 2.32(3H,s), 1.98(2H,m), 1.95(3H,s)
31P NMR δ= 33.80
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(下記一般式による化合物103の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR =3.75(6H,d), 3.59(2H,t), 2.81(2H,m), 2.57(4H,m), 1.96(2H,tt), 1.04(3H,t),
31P NMR = 34.82
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(上記反応によって得られた化合物103を原料とする下記一般式による化合物104の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR 6.10(1H,s), 5.57(1H,s), 4.21(2H,t), 3.74(6H,d), 2.85(2H,m), 2.75(2H,t), 2.58(2H,q), 1.95(5H,m), 1.04(3H,t)
31P NMR δ=34.02
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(上記反応によって得られた化合物103を原料とする下記一般式による化合物105の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR δ=6.41(1H,d), 6.13(1H,q), 5.83(1H,d), 4.22(2H,t), 3.74(6H,d), 2.84(2H,q), 2.74(2H,t), 2.58(2H,q), 1.94(2H,tt), 1.04(3H,t)
31P NMR δ= 34.05
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(下記一般式による化合物106の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR δ= 3.75(6H,d), 3.62(2H,t), 2.66(2H,q), 2.54(10H,m), 1.98(2H,tt)
31P NMR δ= 33.75
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(上記反応によって得られた化合物106を原料とする下記一般式による化合物107の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMRδ=6.11(1H,s), 5.57(1H,s), 4.25(2H,t), 3.74(6H,d), 2.76(2H,m), 2.71(2H,t), 2.32(3H,s), 1.98(2H,m), 1.95(3H,s)
31P NMR δ= 33.80
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(化合物108の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR δ= 3.75(18H,d), 3.56(2H,t), 2.83(6H,m), 2.56(6H,m), 1.95(6H,m),
31P NMR δ=34.13
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(上記反応によって得られた化合物108を原料とする下記一般式による化合物109の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR δ=6.10(1H,s), 5.58(1H,s), 4.19(2H,t), 3.74(18H,d), 2.85(2H,m), 2.76(4H,m), 2.59(2H,m), 2.52(2H,m), 1.95(9H,m)
31P NMR δ= 33.64
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(化合物110の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR δ= 3.78(6H,d), 3.60(4H,q), 2.85(2H,m), 2.63(4H,q), 1.97(2H,m),
31P NMR δ=35.79
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
(上記反応によって得られた化合物110を原料とする下記一般式による化合物111の合成)
得られた化合物について、NMR測定を行った。測定溶媒はCDCl3を使用し、基準物質は、1H NMRにおいてはTMSとした。
1H NMR δ=6.09(2H,s), 5.57(2H,s), 4.21(4H,t), 3.74(6H,d), 2.90(2H,m), 2.84(2H,m), 1.99(2H,m), 1.94(6H,s),
31P NMR δ= 33.46
なお、31P NMRの測定結果においては、単一ピークのみが観察されたことから、不純物は実質的に存在しない。
冷却管・温度計・窒素封入管を備えた4つ口の50mlフラスコに実施例5で得られた化合物0.5gとメタクリル酸メチル4.5gをとり、ついでメチルイソブチルケトン7.0mlを加え、窒素を封入しながら30分間室温で撹拌した後70℃に加温した。次に、V-59(和光純薬(株)製;重合開始剤)0.15gをメチルイソブチルケトン0.5mlに溶解し、フラスコ内に投入し、70℃で5時間反応させた。反応終了後、得られたポリマー溶液をn-ヘキサン中に滴下し、ポリマーの再沈殿操作を実施した。沈殿したポリマーを濾別により回収し、更にn-ヘキサンにて洗浄を行いポリマーに付着している未反応モノマーを除去した。得られたポリマーについて、31PNMR測定を行い、Pのピークを検出した。このことから、ポリマー中にPの導入を確認したと同時に重合性の確認も同時に実施できた。なお、測定溶媒はCDCl3を使用した。
Claims (1)
- 下記式(A)または(B)であらわされる構造を有する不飽和基含有ホスホン酸誘導体。
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JP2014207377A JP6445826B2 (ja) | 2014-10-08 | 2014-10-08 | ホスホン酸誘導体、不飽和基含有ホスホン酸誘導体及びこれらの製造方法 |
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JP2014207377A JP6445826B2 (ja) | 2014-10-08 | 2014-10-08 | ホスホン酸誘導体、不飽和基含有ホスホン酸誘導体及びこれらの製造方法 |
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