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JP6403876B2 - レーザ装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

レーザ装置及び極端紫外光生成装置 Download PDF

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Description

本発明は、レーザ装置に関し、特にレーザ装置を固定するマウントの構造に関するとともに、このレーザ装置の出力レーザ光を用いた極端紫外光生成装置に関するものである。
従来のレーザ装置としては、レーザ装置を複数台連結して、大きな出力のレーザ光を得るものがある(例えば、特許文献1参照)。
このようなレーザ装置のマウント構造としては、キネマティックマウントがある(例えば、特許文献2参照)。
この構造は、過剰拘束が無いため、被支持物体と支持ベースとの間に熱変形差が発生しても、それぞれを歪ませる力が発生しないことが知られている。
また、押さえ機構を備えたキネマティックマウントにレーザ装置を搭載し、光軸が、0自由度と1自由度とを結ぶ線上を通ように配置することで、熱膨張による光軸の変化を防止する構造を提案したものがある(例えば、特許文献3参照)。
なお、以下、「自由度」は、DOF(Degree Of Freedom)とも称する。
特開2006−78187号公報([0004]〜[0005]、図6) 特開2011−159901号公報(図1) 特開2008−60261号公報
一般に、高出力を与えるレーザ装置は、大型で、温度変化も大きいため、レーザ装置を搭載したシステムでは、レーザ装置の熱膨張・収縮によって、光軸が変化し、レーザの品質が悪化する。
上記の特許文献3の場合は、押さえ機構により、キネマティックマウントの動きが阻害され、熱膨張によって、レーザ装置、或いは、支持ベースが歪み、光軸が変化するという課題がある。
本発明は、斯かる課題を解決するためになされたもので、その目的は、レーザ装置を固定するキネマティックマウントの構造に熱膨張・収縮が生じても、光軸が変化せず、レーザの品質が悪化することが無いレーザ装置及びその出力レーザ光を用いた極端紫外光生成装置を提供することに在る。
上記の目的を達成するため、本発明に係るレーザ装置は、ベースフレーム上にキネマティックマウントを介して増幅装置が搭載されるレーザ装置において、前記キネマティックマウントが、0自由度、1自由度、及び2自由度を有する3点で構成され、前記3点で構成される平面に垂直な方向から見て、レーザ光の前記増幅装置への入射光軸及び前記増幅装置からの射出光軸の延長線が前記0自由度の点を向いており、前記1自由度の点の並進方向が前記0自由度の点を向いており、前記入射光軸の延長線及び前記射出光軸の延長線の少なくとも一方は、前記1自由度の点の側より前記2自由度の点の側を通るものである。
さらに、本発明では、ターゲット物質に照射される少なくとも1つのレーザ光を、上記のレーザ装置から導入するための開口部が設けられたチャンバと、前記チャンバが搭載された基準部材と、前記設定された領域に供給される前記ターゲット物質に前記少なくとも1つのレーザ光を集光して前記ターゲット物質をプラズマ化するためのレーザ光集光光学系と、前記基準部材に固定され、前記プラズマ化した前記ターゲット物質から放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーとを備えた極端紫外光生成装置が提供される。
本発明によるレーザ装置は、キネマティックマウントが、0自由度、1自由度、及び2自由度を有する3点で構成され、これら3点で構成される平面に垂直な方向から見て、レーザ光の増幅装置への入射光軸又は増幅装置からの射出光軸の延長線が0自由度の点を向いており、1自由度の点の並進方向が0自由度の点を向いており、光軸の延長線は、1自由度の点の側より2自由度の点の側を通るように構成したので、レーザ装置の均一な熱膨張成分に対しては、レーザ装置に入射或いは射出する光軸の平面方向のズレを防止することができる。また、1自由度の点側に転倒することを防止でき、2自由度の押さえ機構が不要となるため、押さえによる歪みの発生を防止することで、光軸変化を防止できる。
本発明の実施の形態1によるレーザ装置を示す斜視図である。 図1に示したレーザ装置の熱膨張時の変化を示す平面図である。 本発明の実施の形態2によるレーザ装置を示す斜視図である。 図3に示したレーザ装置の熱膨張時の変化を示す平面図である。 本発明の実施の形態3によるレーザ装置を示す斜視図である。 図5に示したレーザ装置の線A−Aで切断したときの正面断面図である。 本発明の実施の形態4によるレーザ装置を示す斜視図である。 従来より知られているレーザ装置の増幅装置の構造例を示す斜視図である。 特許文献3のレーザ装置を示す平面図である。 図9に示したレーザ装置を矢視Bから見たときの側面図である。 本発明の実施の形態によるレーザ装置の出力レーザ光を使用した極端紫外光生成装置とその露光装置を示す平面図である。 図11に示すEUV光生成装置及び露光装置のIIB−IIB面における断面図である。
レーザ装置
まず、本発明に係るレーザ装置の各実施の形態について、以下に図を参照して説明する。
実施の形態1.
図1に示す本発明の実施の形態1によるレーザ装置1は、概略的に、ベースフレーム17上にキネマティックマウント31〜33を介して増幅部26が搭載される構造を有する。増幅部26はフレーム27の上に搭載されている。ベースフレーム17には、発振装置2及びレーザ光伝搬装置3も図示のように搭載されている。なお、増幅部26及びフレーム27で、以下、増幅装置28と称する。
<増幅装置の構造例>
上記の増幅装置としては、従来より知られている、例えば、国際公開2014/156538号公報及び特開2011−159901号公報に開示された、直交励起型ガスレーザ装置を用いることができる。
例えば、前者の増幅装置の場合には図8に示す構造を有している。この増幅装置は、CO2ガス等のレーザ媒介ガスを封入した密閉構造の筐体11Aを有しており、筐体内にレーザ媒介ガス放電励起用の放電電極21A,21B、レーザ媒介ガスを冷却する熱交換器22A,22B、及びレーザ媒介ガスを循環させる送風器23Aが設けられている。
また、この例では、放電電極21A,21B、熱交換器22A,22B、送風器23A及びガスダクト24A,24Bがそれぞれ2組づつ設けられている。具体的には、本体部10AのX軸方向の長さのほぼ半分の長さを有する放電電極21A,21Bが、X軸方向に配置され、これらの放電電極21A,21Bのそれぞれに熱交換器、送風器及びガスダクトが設けられている。なお、ここでは、それぞれの送風器の送風方向が対向するように配置されている。
図1に戻って、発振装置2のウィンドウ6から出力されたレーザ光18は、増幅装置28における増幅部26の入射ウィンドウ4から入射され、増幅部26で増幅された後、射出ウィンドウ5から射出され、レーザ光伝搬装置3の入射ウィンドウ7に入射する。そして、レーザ光伝搬装置3を経て、次のユニット(図示せず)に高出力なレーザ光が供給される。
このような高出力なレーザ光は、次世代露光機用極端紫外(EUV(Extreme Ultra Violet):以下、EUVと略称する。)光源のドライバー光源として用いられる。このEUV装置の例としては、特開2008−85292号の他、後述するように、特開2013−69655号に記載されたものがある。
高出力な増幅装置28は大きな発熱体である。EUV用の場合、100KWもの電力が投入される。その大部分は、熱に変わるため、大型のレーザ媒質冷却系が必要で、増幅部26は、図8に示す通り、数百kg〜1tもの重量となる。
また、レーザ装置が、大きな熱膨張によって光軸が変化した場合は、レーザ光がアパーチャやウィンドウやミラーの端部等に蹴られ、ビームプロファイルが悪化する。その結果、EUV光のドライバ光源として使用する場合は、集光性が悪化することでEUV光の出力が低下してしまう。また、レーザ加工においては、集光性が低下することで、加工品質が悪化する。
これについては、後でより詳しく説明する。
<キネマティックマウントの説明>
増幅装置28は、ベースフレーム17上にキネマティックマウント31〜33の3点を介して固定されている。
キネマティックマウント31〜33は、それぞれ下記の第1〜第3の支持部を構成し、円錐状又は半球状の凹部及びV型溝を有するフレーム27の底面又は下面16との間に球体8〜10が挿入された構造で、3点とも回転成分は拘束されない。
第1の支持部は、キネマティックマウント31の上面に設けられた円錐状の凹部11と、増幅部26を支持するフレーム27の底面16に設けられた円錐状の凹部14と、円錐状の凹部11、14に挿入される球体8とで構成され、並進方向の動きは拘束され、自由度は無い。この0自由度を、ここでは、0DOFと呼ぶ。
第2の支持部は、キネマティックマウント32の上面に設けられたV型溝12と、増幅部26のフレーム27の底面に設けられたV型溝15と、V型溝12、15に挿入される球体9とで構成される。V型溝12、15は、第1の支持部を構成するOを向いており、AO軸に垂直な並進方向の動きは拘束され、AO軸方向の1自由度を持つ。ここでは、これを1DOFと呼ぶ。
第3の支持部は、キネマティックマウント32の上面、すなわち平面13と、増幅部26のフレーム27の底面16と、この底面16に接触する球体10とで構成される。平面13及び16は、キネマティックマウント31〜33の球体8〜10の3点を含む平面と平行になっている。この平面13及び16と垂直な方向は拘束され、平面方向の2自由度を持つ。ここでは、これを2DOFと呼ぶ。
このように構成されたキネマティックマウントは、過剰拘束が無いため、増幅装置28が熱膨張しても、増幅装置28やベースフレームを歪ませる力が発生しないことが知られている。
<第1の支持部を構成する0DOFの点Oを向く入射・射出光軸の説明>
図2は、キネマティックマウント31〜33の3点からなる平面に垂直な上方向から図1を見たときの平面図である。0DOF、1DOF、及び2DOFの位置を、それぞれ、O、A、及びBとし、ウィンドウ4及び5の中心位置を、それぞれ、U及びCとする。本実施の形態では、すなわち増幅部26への入射光軸SUの延長線が0DOFの点Oを向くようにした。また、増幅部26からの射出光軸CTも延長線が0DOFの点Oを向くようにした。
<0DOFを向く作用の説明>
本発明の作用を図2を用いて説明する。増幅装置28の熱膨張後の形状を破線で示す。点A及び点Cの熱膨張した後の位置を、それぞれ、A’及びC’とする。0DOFの点Oは並進方向に動かない。均一に熱膨張する成分について考えた場合、膨張前の三角形AOCと、膨張後の三角形A’OC’とは、三辺の長さの比が同じであるため、相似形であり、従って、角AOCと角A’OC’は同じである。
さらに、1DOFの並進方向を0DOFの方に向けているため、点A’は直線AOの延長上にある。このため、点C’は点Oとを結ぶ直線OCの延長線上にあると言える。本実施の形態では、射出光軸を直線OC上にしているため、射出ウィンドウの中心C’は、射出光軸OCからずれない。
このように、均一な熱膨張成分に対しては、入射或いは射出する光軸の上記平面方向のズレを防止することができるため、レーザ光が、ウィンドウ端部によって蹴られることなく、高品質なレーザ光を伝搬できる。
この結果、レーザ加工においては、良く集光されたレーザ光で、高い加工品質が得られ、また、EUV光源のドライバ光源として使用する場合は、集光性が高いため高出力のEUV光が得られる。
<1DOFの点よりも2DOFの点側を入射・射出光軸が通る作用の説明>
また、本実施の形態では、増幅部26からの射出光軸CTの延長線、又は増幅部26への入射光軸SUの延長線が、1DOFの点Aよりも2DOFの点B側を通るようにした。すなわち、点Aは、点Cより点B側に位置させないということである。
この作用について、図9及び図10を用いて説明する。
図9は、特許文献3の構成を示し、射出光軸CTの延長線が1DOFの点Aの上を通っており、図10は図9の矢視Bから見た図である。光軸上にある増幅部26等の光学部品はOA上に配置される。増幅部26の重心をWとすると、重力は、1DOFのA点及び0DOFのB点だけに作用し、B点には重力が作用しない。
この状態で、水平方向の振動等によってfの力が働きAO軸回りの回転モーメントMaoが発生すれば、2DOFのB点が浮き上がって装置が転倒する。これを防ぐには、B点が浮き上がらないように、押さえる機構(例えば、特許文献3の構造)が必要となるが、マウントを押さえると、マウントの動きが阻害され、レーザ装置、或いはベースフレームを変形させる力が発生し、変形によって光軸が変化する問題がある。特に装置重量が大きい場合は、強い押さえ機構が必要となり、問題は顕著となる。
これに対して、本実施の形態では、図2に示すように、射出光軸CTの延長線が1DOFの点Aより2DOFの点B側を通るようにしたため、光軸上に配置される増幅部26等の重量物を、点B側に寄せることができる。このため、水平方向の振動等が発生しても、AO軸回りに回転して転倒することを防止でき、2DOFの押さえ機構が不要となる。この結果、押さえによる歪みの発生を防止することで、光軸変化を防止することができる。
これは、言うまでもなく、入射側の光軸SUについても同様に説明できる。
本実施の形態では、レーザ装置としたが、上記ウィンドウの代わりに、全反射鏡と部分反射鏡を設けて光共振器を構成し、レーザ発振器として機能させてもよい。また、その他レーザ光を扱うものなら何でもよい。
さらに、増幅部26からの射出光軸CTの延長線、又は増幅部26への入射光軸SUの延長線が、2DOFの点Bよりも1DOFの点A側を通るようにしてもよい。この場合、OB軸回りに転倒することも防止でき、1DOFの押さえ機構が不要となるため、押さえによる歪みの発生を防止することで、光軸変化を防止できる。
上記のことを簡潔に言えば、光軸が点Aと点Bの間を通ればよいことを示しているが、少なくとも点Aが点CよりB点側にないことが必要であり、そして更に、点Bが点Cより点A側に無いことが望ましいことを示している。
実施の形態2.
図3は、本発明の実施の形態2によるレーザ装置を示しており、図4はキネマティックマウント31〜33の3点で構成された平面に垂直な上方向から見た平面図である。
本実施の形態は、増幅部26のフレーム27の平面上にミラーH、I、J、Kを配置し、光路を水平面上で折り曲げたものである。レーザ装置に入射したレーザ光はミラーH、I、増幅部26、及びミラーJ、Kを経由して射出される。このため、増幅部26は、図示のように、上側にずらして配置される。
本実施の形態では、入射光軸SHと射出光軸KTの延長線は、キネマティックマウント31〜33の3点から成る平面に垂直な方向から見て、点Oを通るように配置してある。その他の構成は実施の形態1と同様である。
上記の実施の形態1のレーザ装置においては、点Cの熱膨張後の動きを説明したが、これは、増幅装置28上の任意の点において成り立ち、熱膨張後の任意の点は、O点とC点とを結ぶ線OCの延長線上にあり、O点からの距離の伸び率は均一となる。すなわち、増幅装置28上の任意の図形と膨張後の図形との関係は、点Oを中心とした回転しない相似となる。従って、ミラーで折り返された光路も、膨張後は、点Oを中心とした回転しない相似形状となるため、図中の二点鎖線経路を通ることとなる。
本実施の形態では、入射・射出光軸の延長線が点Oを通るようにしているため、熱膨張しても、入射・射出光軸は、熱膨張前と同じ線上にあり、前記平面方向で光軸変化は発生しない。
また、特許文献3では、0DOFの点と1DOFの点との間の線上にしか光学部品を配置できなかったが、本構成では、光軸を折り曲げるミラーを備えたことで、2DOFの方にも広く、光学部品を配置できるため、転倒防止効果があり、キネマティックマウントの押さえが不要となる。また、押さえによる歪みの発生を防止することができるので、光軸の変化を防止できる。
実施の形態3.
図5は本発明の実施の形態3によるレーザ装置を示す図である。増幅部26に入射されたレーザ光はミラーL、M、N、Pを経て射出される。
図6は、図5の線A−Aで切った時の断面図である。このA−A断面は、入射光軸SL及び射出光軸PTを含み、キネマティックマウント31〜33の3点から成る平面に対して垂直な面である。
本実施の形態では、実施の形態2に加えて、入射・射出光軸の延長線が、キネマティックマウント31〜33の3点から成る平面に対して垂直方向成分も0DOFの点Oの方向を向くようにしたものである。
作用については、図6に示すように、1DOFの点と2DOFの点とを結ぶ直線と平面AAとの交点をQとすると、本実施の形態では、1DOFと2DOFの並進方向をキネマティックマウント31〜33の3点から成る平面上にしているため、点Qの増幅装置28の熱膨張後の位置Q’は図6に示すように、点Oとを結ぶ直線OQの延長線上になる。
図6に示すように、増幅部26内のレーザ光の光路中の任意の点、例えばPを考えた場合、増幅部26の熱膨張後の点P’は、実施の形態1及び2における点Aを点Qに、点Cを点Pにそれぞれ置き換えれば、A―A断面においても、熱膨張前後は回転しない相似形の関係が存在する。従って、ミラーで折り返された光路も、熱膨張後は、点Oを中心とした回転しない相似形状となるため、図中の破線となる。
本実施の形態では、入射光軸SL及び射出光軸PTの延長線が点Oを通るようにしているため、熱膨張しても、光軸は、熱膨張前と同じ線上にあり、A−A正面断面においても光軸変化の発生を防止できる。
実施の形態4.
図7は本発明の実施の形態3によるレーザ装置を示す図である。
上記の実施の形態1〜3では、0DOF、1DOF、及び2DOFのキネマティックマウント31〜33を設けていたが、本実施の形態4では、1DOFを3個用いている。各1DOFの点の熱膨張時の並進方向は、キネマティックマウント31〜33点から成る三角形平面内の点Rを向くように配置した。なお、点Rは、キネマティックマウント31〜33の3点から成る三角形の内側に配置する。
点Rは並進の自由度が無い点(0DOF)となるため、この点Rが実施の形態1〜3の点Oに相当する点となり、増幅装置28が均一な熱膨張をした場合、膨張後の増幅装置28は、点Rを中心とした相似形状となる。このため、増幅部26への入射光軸及び増幅部26からの射出光軸を点Rに向けておけば、実施の形態1〜3と同じ作用効果が得られる。
また、点Rを、キネマティックマウント31〜33の3点から成る三角形の内側に配置しているため、上記の特許文献3よりも、キネマティックマウント31〜33の3点から成る三角形の内側に光学部品を配置することが可能となり、転倒防止効果が得られる。
これによって、キネマティックマウントの押さえが不要となり、押さえによる歪みの発生を防止することで、光軸の変化を防止できる。
EUV光生成装置と露光装置
ここで、上記の本発明によるレーザ装置が用いられるEUV光生成装置及びその露光装置について、図11及び図12を参照して詳細に説明する。
<構成>
図11及び図12に示すように、EUV光生成装置100は、移動機構107と、位置決め機構108と、チャンバ基準部材109と、レーザ光導入光学系135と、レーザ光集光光学系136と、レーザ光計測器137と、チャンバ102とを含んでいる。図12に示す床の表面は、EUV光生成装置100及び露光装置106等が設置される基準面となっている。基準面である床の表面上に設置された移動機構107によってチャンバ基準部材109が支持され、EUV光生成装置100の主要部が、移動機構107と共に、露光装置106に対して移動可能となっている。位置決め機構108によってチャンバ基準部材109が位置決めされて、EUV光生成装置100が露光装置106に接続されている。
図12に示すように、チャンバ102には、ターゲット物質に照射される、上記の本発明の各実施の形態によるレーザ光を導入するための開口部102aが設けられ、チャンバ102は、開口部102aがチャンバ基準部材109によって覆われるように、チャンバ基準部材109上に搭載されている。例えば、チャンバ基準部材109に傾斜面が形成され、チャンバ102がチャンバ基準部材109の傾斜面に固定されている。
チャンバ102には、ターゲット供給装置(図示せず。)が取り付けられており、チャンバ102内には、EUV集光ミラー123が配置されている。ターゲット供給装置は、チャンバ102に固定されており、プラズマ生成領域125にターゲットを供給するよう構成されている。
EUV集光ミラー123は、好ましくは、EUV集光ミラーホルダ123aを介してチャンバ基準部材9に固定されている。EUV集光ミラー123をチャンバ基準部材109に固定することにより、チャンバ基準部材109を基準としてEUV集光ミラー123の位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、露光装置106に対するチャンバ基準部材109の位置を正確に調整することにより、露光装置106に対するEUV集光ミラー123の位置も正確に調整されている。
また、レーザ光導入光学系135、レーザ光集光光学系136、及び、レーザ光計測器137等の光学素子も、チャンバ基準部材109に固定されることが好ましい。EUV集光ミラー123と同様に、レーザ光集光光学系136をチャンバ基準部材109に固定することにより、EUV集光ミラー123に対するレーザ光集光光学系136の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光集光光学系136によってレーザ光が集光される位置が、EUV集光ミラー123に対して正確に設定され得る。
さらに、レーザ光導入光学系135をチャンバ基準部材109に固定することにより、レーザ光集光光学系136に対するレーザ光導入光学系135の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光がレーザ光集光光学系136に入射する位置が正確に設定され得る。加えて、レーザ光計測器137をチャンバ基準部材109に固定することにより、レーザ光導入光学系135に対するレーザ光計測器137の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光導入光学系135を介して供給されるレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等を正確に計測することが可能となる。
レーザ光導入光学系135、レーザ光集光光学系136、及び、レーザ光計測器137等の光学素子を収納するために、チャンバ基準部材109は、貫通孔を介してチャンバ102の開口部102aに連通する収納室109aと、収納室109aに隣接する収納室109bとを含んでいる。収納室109aと収納室109bとの間には、ウインドウ138が設けられている。これにより、チャンバ102内の圧力が維持されると共に、チャンバ102内のガスが密閉されている。例えば、収納室109a内にレーザ光集光光学系136が配置され、収納室109b内にレーザ光導入光学系135及びレーザ光計測器137が配置されている。
チャンバ基準部材109には、フレキシブル管44を介して光学ユニット42が取り付けられている。光学ユニット42には、光路管41が接続されると共に、少なくとも1つの高反射ミラー43が配置されている。光路管41内を、例えば、上記の各実施の形態によるレーザ装置から出力されるレーザ光が光学ユニット42に向かって通過する。
光学ユニット42において、高反射ミラー43で、光路管41を通過したレーザ光がチャンバ基準部材109の収納室109bに向けて反射されることにより、レーザ光がレーザ光導入光学系135に供給されている。
レーザ光導入光学系135は、光学ユニット42を経由して供給されるレーザ光を、ウインドウ138を介してチャンバ基準部材109の収納室109a内に導入するよう構成されている。レーザ光導入光学系135は、高反射ミラー51と、ビームスプリッタ52と、高反射ミラー53と、それらのミラー及びビームスプリッタを保持するホルダとを含んでいる。
高反射ミラー51は、光学ユニット42を経由して供給されるレーザ光をビームスプリッタ52に向けて反射する。ビームスプリッタ52は、入射したレーザ光を高い透過率で高反射ミラー53に向けて透過させると共に、入射したレーザ光の一部をレーザ光計測器137に向けて反射する。高反射ミラー53は、入射したレーザ光を、ウインドウ138及びレーザ光集光光学系136に向けて反射する。
レーザ光集光光学系136は、レーザ光導入光学系135によって収納室109a内に導入されたレーザ光が、前記ターゲット供給装置からプラズマ生成領域125に供給されるターゲットに集光されるよう構成されている。レーザ光集光光学系136は、高反射ミラー61と、レーザ光集光ミラー62と、それらのミラーを保持するホルダとを含んでいる。
高反射ミラー61は、レーザ光導入光学系135から供給されるレーザ光をレーザ光集光ミラー62に向けて反射する。レーザ光集光ミラー62は、例えば、軸外放物面ミラーでよく、入射したレーザ光をプラズマ生成領域125に集光する。プラズマ生成領域125において、レーザ光がターゲット物質に照射されることにより、ターゲット物質がプラズマ化し、EUV光が生成され得る。
EUV集光ミラー123は、チャンバ102内において、EUV集光ミラーホルダ123aを介して、チャンバ基準部材109の傾斜面に固定されている。EUV集光ミラー123は、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するミラーでよく、第1の焦点がプラズマ生成領域125に位置し、第2の焦点が中間集光点(IF)292に位置するように配置されている。
露光装置106は、マスク照射部106aと、ワークピース照射部106bとを含んでいる。マスク照射部106aは、マスクテーブルMT上のマスクにEUV光を照射するための光学系であり、複数の高反射ミラーを含む反射光学系として構成されている。ワークピース照射部106bは、マスクの像をワークピーステーブルWT上のワークピース(半導体ウエハ等)に投影するための光学系であり、複数の高反射ミラーを含む反射光学系として構成されている。
<動作>
上記の各実施の形態によるレーザ装置から出力されるレーザ光は、光学ユニット42の高反射ミラー43によって反射され、レーザ光導入光学系135の高反射ミラー51に入射される。高反射ミラー51によって反射されたレーザ光は、ビームスプリッタ52に入射される。ビームスプリッタ52に入射したレーザ光の大部分は、ビームスプリッタ52を透過して、高反射ミラー53に入射される。ビームスプリッタ52に入射したレーザ光の一部は、ビームスプリッタ52によって反射され、レーザ光計測器137に入射される。レーザ光計測器137は、レーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、広がり角度等を計測する。
高反射ミラー53によって反射されたレーザ光は、ウインドウ138を介して、レーザ光集光光学系136に入射される。ウインドウ138を透過したレーザ光は、レーザ光集光光学系136の高反射ミラー61及びレーザ光集光ミラー62によって反射され、チャンバ基準部材109に形成された貫通孔を通過してチャンバ102の開口部102aに入射される。さらに、開口部102aに入射したレーザ光は、EUV集光ミラー123に形成された貫通孔を通過してプラズマ生成領域125に集光される。
プラズマ生成領域125に集光されたレーザ光は、ターゲット供給装置から出力されてプラズマ生成領域125に供給されるターゲット物質に照射される。その結果、ターゲット物質がプラズマ化し、EUV光が生成され得る。生成されたEUV光は、EUV集光ミラー123によって中間集光点292に集光されて、露光装置106に入射される。
露光装置106において、マスク照射部106aによって、中間集光点292に集光されたEUV光が、反射光学系を介してマスクテーブルMT上のマスクに照射される。また、ワークピース照射部106bによって、マスクによって反射されたEUV光が、反射光学系を介してワークピーステーブルWT上のワークピース(半導体ウエハ等)上に結像される。ここで、マスクテーブルMTとワークピーステーブルWTとを同時に平行移動させることにより、マスクのパターンがワークピース上に転写され得る。
1 レーザ装置、2 発振装置、3 レーザ光伝搬装置、4 レーザ装置の入射ウィンドウ、5 レーザ装置の射出ウィンドウ、6 発振装置の入射ウィンドウ、7 レーザ光伝搬装置の入射ウィンドウ、8〜10 DOF用球体、11 円錐状の凹部、12 V型溝、13 平面、14 円錐状の凹部、15 V型溝、16 平面、17 ベースフレーム、18 レーザ光、19 ミラー、20〜25 V型溝、26 増幅部、27 フレーム、28 増幅装置、31〜33 キネマティックマウント、42 光学ユニット、51 高反射ミラー、62 レーザ光集光ミラー、100 極端紫外(EUV)光生成装置、102 チャンバ、106 露光装置、107 移動機構、108 位置決め機構、109 チャンバ基準部材、123 EUV集光ミラー、125 プラズマ生成領域125、136 レーザ光集光光学系。

Claims (6)

  1. ベースフレーム上にキネマティックマウントを介して増幅装置が搭載されるレーザ装置において、
    前記キネマティックマウントが、0自由度、1自由度、及び2自由度を有する3点で構成され、
    前記3点で構成される平面に垂直な方向から見て、レーザ光の前記増幅装置への入射光軸及び前記増幅装置からの射出光軸の延長線が前記0自由度の点を向いており、
    前記1自由度の点の並進方向が前記0自由度の点を向いており、
    前記入射光軸の延長線及び前記射出光軸の延長線の少なくとも一方は、前記1自由度の点の側より前記2自由度の点の側を通る
    レーザ装置。
  2. 前記入射光軸の延長線及び前記射出光軸の延長線の少なくとも一方は、さらに、前記2自由度の側よりも前記1自由度側を通る
    請求項1に記載のレーザ装置。
  3. 前記入射光軸の延長線及び前記射出光軸の延長線の少なくとも一方上以外に光路を曲げるミラーを、前記増幅装置を構成するフレームの水平面上に設けた
    請求項1又は2に記載のレーザ装置。
  4. 前記入射光軸の延長線及び前記射出光軸の延長線の少なくとも一方上以外に光路を曲げるミラーを、前記増幅装置を構成するフレームの垂直面上に設けた
    請求項1又は2に記載のレーザ装置。
  5. 前記平面に垂直な方向から見て、前記入射光軸の延長線及び前記射出光軸の延長線の少なくとも一方が前記0自由度の点上を向いている
    請求項4に記載のレーザ装置。
  6. ターゲット物質に照射される少なくとも1つのレーザ光を、請求項1からのいずれか一項に記載のレーザ装置から導入するための開口部が設けられたチャンバと、
    前記チャンバが搭載された基準部材と、
    設定された領域に供給される前記ターゲット物質に前記少なくとも1つのレーザ光を集光して前記ターゲット物質をプラズマ化するためのレーザ光集光光学系と、
    前記基準部材に固定され、前記プラズマ化した前記ターゲット物質から放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーとを備えた
    極端紫外光生成装置。
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