JP6350095B2 - ポリアルキレングリコールの製造方法 - Google Patents
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(式中、R1,R2は各々独立して炭素数1〜10のアルキル基、無置換の若しくは置換基を有する炭素数6〜10のフェニル基又はアルキルフェニル基を表し、R1とR2又はR2同士が互いに結合して環構造を形成していても良い。Yn−は、活性水素含有化合物中のn個のプロトンが脱離した活性水素含有化合物のアニオンを表し、nは2以上の整数を表す。)
以下に、本発明を詳細に説明する。
(式中、R1,R2は上記一般式(1)におけるR1,R2と同じ官能基を表す。X−は、ヒドロキシアニオン、炭素数1〜4のアルコキシアニオン、カルボキシアニオン、炭素数2〜5のアルキルカルボキシアニオン、又は炭酸水素アニオンを表す。)
そして、該塩基性イミノホスファゼニウム塩は、例えば特開2013−112646号公報、特開2014−118353号公報等に記載の方法により製造することができる。ここで、R1,R2としては、上記したものと同様のものを例示することができる。また、該塩基性イミノホスファゼニウム塩のX−は、ヒドロキシアニオン、炭素数1〜4のアルコキシアニオン、カルボキシアニオン、炭素数2〜5のアルキルカルボキシアニオン、又は炭酸水素アニオンであり、炭素数1〜4のアルコキシアニオンとしては、例えばメトキシアニオン、エトキシアニオン、n−プロポキシアニオン、イソプロポキシアニオン、n−ブトキシアニオン、イソブトキシアニオン、t−ブトキシアニオン等が挙げられ、炭素数2〜5のアルキルカルボキシアニオンとしては、例えばアセトキシアニオン、エチルカルボキシアニオン、n−プロピルカルボキシアニオン、イソプロピルカルボキシアニオン、n−ブチルカルボキシアニオン、イソブチルカルボキシアニオン、t−ブチルカルボキシアニオン等が挙げられる。そして、中でも、該塩基性イミノホスファゼニウム塩の塩基性が強いものとなることから、X−としては、ヒドロキシアニオンまたは炭酸水素アニオンが好ましい。
(Mg1−x Alx (OH)2 )x+ (CO3x/2 ・mH2O)x− (2)
(式中、xおよびmは0<x≦0.33、0<m≦1.0の条件を満たす。)
さらに、該ハイドロタルサイトは、重合活性を損なわない範囲で、他の金属や陰イオンを含んでいても良く、他の金属としては、例えばマンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛など2価の金属;クロム、鉄、コバルト、インジウムなどの3価の金属等を例示できる。また、陰イオンとしては、例えばWO4 2−、MoO4 2−、VO4 3−などを例示することができる。
核磁気共鳴スペクトル測定装置(日本電子製、商品名:GSX270WB)を用い、有機相の分析には、内部標準にテトラメチルシラン(TMS)及び重溶媒に重クロロホルムを用い測定した。水相の分析には、重溶媒として重水を用いて測定した。
ガスクロマトグラフィー−質量分析装置(日本電子製、商品名:JMS−700)を用い、イオン化モードとしてFAB+を用いて測定を行った。
カラム(東ソー(株)製、商品名;TSKgel IC−Anion−PWXL)、溶離液にアニオン標準溶液(東ソー製)を用い、検出器に電気伝導度検出器(東ソー(株)製、商品名;CM−8200)を用い、35℃、流速1.0ml/minにてハロゲン化イミノホスファゼニウム1重量%溶液中の塩素または臭素イオン濃度を測定した。
ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)(東ソー株式会社製、商品名;HLC8020GPC)を用い、テトラヒドロフランを溶媒として40℃で測定した溶出曲線より標準ポリスチレン換算値として測定した。
JIS K 1557記載の測定法に従い測定した。
アルキレンオキシド量:A(g)(生成物全重量−(活性水素含有化合物量+塩基性イミノホスファゼニウム塩+ハイドロタルサイト量))、触媒量:B(mol)、反応時間:C(時間)とした際に、活性=A/(B×C×60)として算出した。
分子量250のグリセリン系ポリプロピレングリコール(活性水素3個)(以下、ポリオールAと記す。)。
分子量1000のグリセリン系ポリプロピレングリコール(活性水素3個)(以下、ポリオールBを記す。)。
分子量400のプロピレングリコール系ポリプロピレングリコール(活性水素2個)(以下、ポリオールCと記す。)。
市販品(和光純薬製)(以下、ハイドロタルサイトAと記す。)。
ハイドロタルサイトAを窒素気流下、400℃で焼成したもの(以下、ハイドロタルサイトBと記す。)。
ハイドロタルサイトAを窒素気流下、800℃で焼成したもの(以下、ハイドロタルサイトCと記す。)。
特開2013−112646号公報の実施例3に従い、塩基性イミノホスファゼニウム塩であるテトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムヒドロキシドの濃度40.1重量%の2−プロパノール溶液を得た。イオンクロマトグラフィーによるイオン交換率は99.3%であり、テトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムヒドロキシドの収率は92.0%であった。
化学シフト:2.92ppm(ホスファゼニウム塩由来のメチル基)。
m/z=487(テトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムカチオンの分子量に一致。)。
特開2014−118353号公報の実施例1に従い、テトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムハイドロゲンカーボネートを得た。得られたテトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムハイドロゲンカーボネートは、1H−NMR、GC−MS、イオンクロマトグラフィーにより同定した。
化学シフト:2.87ppm(ホスファゼニウム塩由来のメチル基)。
m/z=487(テトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムカチオンの分子量に一致。)。
塩基性イミノホスファゼニウム塩として合成例1で得られた40.1重量%のテトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムヒドロキシド(一般式(3)においてR1、R2がメチル基、X−がヒドロキシアニオンである。)溶液を0.5g(0.4mmol)、ポリオールAを5.0g(20mmol)及びハイドロタルサイトA1.0gを、熱伝対、圧力計、攪拌装置及びアルキレンオキシド導入管を装備した実容積200mlのガラス製オートクレーブに仕込んだ。その後、反応器内を乾燥窒素で置換し、80℃に昇温して、0.5kPaの減圧下で、3時間加熱処理を行い、イミノホスファゼニウム塩(Yn−がポリオールA中のプロトンが3個脱離したアニオン)、ポリオールA及びハイドロタルサイトAの混合物を調製した。
ハイドロタルサイトAを用いなかった以外は、実施例1と同様に加熱処理を行い、イミノホスファゼニウム塩(Yn−がポリオールA中のプロトンが3個脱離したアニオン)及びポリオールAの混合物を調製した。
ポリオールA5g(20mmol)の代わりにポリオールB8.7g(8.7mmol)、40重量%のテトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムヒドロキシドを0.5g(0.4mmol)の代わりに0.25g(0.2mmol)用いた以外は、実施例1と同様に加熱処理を行い、イミノホスファゼニウム塩(Yn−がポリオールB中のプロトンが3個脱離したアニオン)、ポリオールB及びハイドロタルサイトAの混合物を調製した。
ポリオールA5g(20mmol)の代わりにポリオールC8g(20mmol)用いた以外は、実施例1と同様の加熱処理を行い、イミノホスファゼニウム塩(Yn−がポリオールC中のプロトンが2個脱離したアニオン)、ポリオールC及びハイドロタルサイトAの混合物を調製した。
ハイドロタルサイトA1gの代わりにハイドロタルサイトB1gを用いた以外は、実施例2と同様に加熱処理を行い、イミノホスファゼニウム塩(Yn−がポリオールB中のプロトンが3個脱離したアニオン)、ポリオールB及びハイドロタルサイトBの混合物を調製した。
ハイドロタルサイトA1gの代わりにハイドロタルサイトC1gを用いた以外は、実施例2と同様の加熱処理に加熱処理を行い、イミノホスファゼニウム塩(Yn−がポリオールB中のプロトンが3個脱離したアニオン)、ポリオールB及びハイドロタルサイトCの混合物を調製した。
テトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムヒドロキシド0.25g(0.2mmol)の代わりに合成例2により得られたテトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムハイドロゲンカーボネート0.11g(0.2mmol)を用いた以外は、実施例2と同様に加熱処理を行い、イミノホスファゼニウム塩(Yn−がポリオールB中のプロトンが3個脱離したアニオン)、ポリオールB及びハイドロタルサイトAの混合物を調製した。
実施例2と同様に加熱処理を行い、イミノホスファゼニウム塩(Yn−がポリオールB中のプロトンが3個脱離したアニオン)、ポリオールB及びハイドロタルサイトBの混合物を調製した。
ハイドロタルサイトA1gの代りにハイドロタルサイトA5gとした以外は、実施例1と同様に加熱処理を行い、イミノホスファゼニウム塩(Yn−がポリオールA中のプロトンが3個脱離したアニオン)、ポリオールA及びハイドロタルサイトAの混合物を調製した。
40重量%のテトラキス(1,1,3,3−テトラメチルグアニジノ)ホスホニウムヒドロキシド溶液0.5g(0.4mmol)を用いなかった以外は、実施例1と同様の操作を行い、ポリオールA及びハイドロタルサイトAの混合物を調製した。
Claims (5)
- 上記一般式(1)で示されるイミノホスファゼニウム塩が、R1,R2共にメチル基のイミノホスファゼニウム塩であることを特徴とする請求項1に記載のポリアルキレングリコールの製造方法。
- ハイドロタルサイトが、300〜900℃の温度範囲で焼成処理されたハイドロタルサイトであることを特徴とする請求項1又は2に記載のポリアルキレングリコールの製造方法。
- ハイドロタルサイトが、下記一般式(2)で示されるハイドロタルサイトであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポリアルキレングリコールの製造方法。
(Mg1−x Alx (OH)2 )x+ (CO3x/2 ・mH2O)x− (2)
(式中、xおよびmは0<x≦0.33、0<m≦1.0の条件を満たす。)
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JP2014162156A JP6350095B2 (ja) | 2014-08-08 | 2014-08-08 | ポリアルキレングリコールの製造方法 |
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