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JP6327140B2 - 電子装置 - Google Patents

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Description

本発明は、樹脂基板に実装された回路素子が封止樹脂で封止されてなる電子装置に関する。
従来、電子装置の一例として特許文献1に開示された混成集積回路装置がある。この混成集積回路装置は、アルミニウムからなる回路基板と、回路基板の表面に設けられた導電パターンに固着された回路素子と、回路基板の少なくとも裏面を露出させてトランスファーモールドにより被覆する熱硬化性樹脂から成る封止樹脂などとを備えている。そして、混成集積回路装置は、封止樹脂の熱膨張係数を回路基板の熱膨張係数よりも小さく設定することで、アフターキュアの工程に於ける回路基板の反りを防止するものである。また、混成集積回路装置は、封止樹脂の線膨張係数をフィラーが入った状態で15×10−6/℃から23×10−6/℃までの範囲としている。
特開2006−100752号公報
ところで、従来技術ではないが、電子装置は、回路基板として樹脂基板を用いると共に、樹脂基板の一面に実装された発熱素子を封止樹脂で封止すると共に、封止樹脂側を放熱部材に接触させて、回路素子の熱を封止樹脂側から放熱させる構成も考えられる。しかしながら、この電子装置は、上記のような線膨張係数の封止樹脂を採用すると、封止樹脂の成形収縮率が非常に大きくなるため、樹脂基板側が凸となる形状に反る可能性がある。このように反った場合、電子装置は、封止樹脂における角部のみが放熱部材と接触し、封止樹脂と放熱部材との接触面積が小さくなり、放熱性が低下するという問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、反りによる放熱性の低下を抑制できる電子装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、
絶縁性の樹脂に導電性部材からなる配線が形成された樹脂基板(10)と、
樹脂基板の一面(S1)に実装されている回路素子であり、自身が動作することで熱を発する発熱素子(21)と、
一面に設けられ、発熱素子を封止している封止樹脂(40)と、を備えており、封止樹脂における一面に接した面の反対面(S2)が放熱部材に熱的に接続された状態で放熱部材に搭載されてなる電子装置であって、
樹脂基板と封止樹脂とは、自身の周辺温度が常温時に反対面側に凸となる反り形状であり、且つ、周辺温度が常温よりも高い高温時にも反対面側に凸となる反り形状を維持可能な線膨張係数であることを特徴とする。
このように、電子装置は、樹脂基板の一面に発熱素子が実装されており、この発熱素子が封止樹脂で封止されている。また、電子装置は、封止樹脂が放熱部材に熱的に接続された状態で、放熱部材に搭載されてなるものである。つまり、電子装置は、発熱素子から発せられた熱を封止樹脂から放熱部材に放熱するものである。
そして、電子装置は、樹脂基板と一面に設けられた封止樹脂とが、自身の周辺温度が常温時に反対面側に凸となる反り形状であり、且つ、周辺温度が常温よりも高い高温時にも反対面側に凸となる反り形状を維持可能な線膨張係数で形成されている。このため、電子装置は、常温から高温の温度範囲において、反対面側に凸となる反り形状とすることができる。
従って、電子装置は、常温から高温の温度範囲において、封止樹脂の角部だけが放熱部材に接した状態になることを防止しつつ、封止樹脂の反対面が放熱部材に熱的に接続された状態を維持できる。つまり、電子装置は、常温から高温の温度範囲において、反対面と放熱部材との接触面積が狭くなることを抑えることができ、発熱素子から発せられた熱を放熱部材に放熱できる。このため、電子装置は、放熱性の低下を抑制できる。
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
実施形態におけるモールドパッケージの概略構成を示す平面図である。 図1のII−II線に沿った断面図である。 実施形態におけるモールパッケージの反り状態を示す斜視図である。 実施形態におけるモールドパッケージの常温時と高温時の反り状態を示す断面図である。 実施形態におけるモールドパッケージの反り状態と、モールド樹脂の線膨張係数の関係を示すグラフである。 モールドパッケージがクライ反りとなる条件を示すグラフである。
以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
本実施形態では、本発明の電子装置を図1などに示すモールドパッケージ100に適用した例を採用する。モールドパッケージ100は、図2に示すように、樹脂基板10と、樹脂基板10の一面S1に実装された発熱素子21と、樹脂基板10の一面S1に設けられて発熱素子21を封止しているモールド樹脂40とを備えて構成されている。本実施形態では、一例として、車両のエンジンルーム内に搭載されてなる車載電子装置にモールドパッケージ100を適用した例を採用する。更に、モールドパッケージ100は、車載電子装置の一例として、インバータ装置に適用できる。しかしながら、モールドパッケージ100は、車載電子装置とは異なる装置に適用することもできる。なお、エンジンルームは、通常、家屋内などと比べて温度変化が大きい空間である。
なお、モールドパッケージ100は、図1及び図2に示すように、モールド樹脂40で封止されていないモールド外素子51,52が、樹脂基板10における一面S1の裏面S3に実装されていてもよい。このモールド外素子としては、一例として、アルミ電解コンデンサ51やコイル52などを採用できる。アルミ電解コンデンサ51は、はんだ61を介して樹脂基板10の裏面S3に実装されている。同様に、コイル52は、はんだ62を介して樹脂基板10の裏面S3に実装されている。このように、モールドパッケージ100は、両面に回路素子が実装された両面実装基板である樹脂基板10を備えている、と言うことができる。モールドパッケージ100は、両面実装基板である樹脂基板10を採用することで、片面実装基板を採用する場合よりも体格を小型化することができる。ここでの体格とは、モールドパッケージ100の厚みに方向に直交する平面方向の大きさである。
しかしながら、モールド外素子は、これに限定されない。また、モールドパッケージ100は、三つ以上のモールド外素子が実装されていてもよいし、モールド外素子が実装されていなくてもよい。なお、アルミ電解コンデンサ51やコイル52は、はんだ61やはんだ62とは異なる導電性の接着剤を介して樹脂基板10に実装されていてもよい。
また、モールドパッケージ100は、図2に示すように、発熱素子21に加えて、樹脂基板10の一面S1に、はんだ33を介してチップコンデンサ22が実装され、モールド樹脂40で封止されていてもよい。本実施形態では、一例として、セラミックコンデンサからなるチップコンデンサ22を採用している。このチップコンデンサ22は、線膨張係数α3が8×10−6/℃〜9×10−6/℃程度である。
なお、モールドパッケージ100は、チップコンデンサ22とは異なる回路素子が実装されていてもよい。また、モールドパッケージ100は、発熱素子21に加えて、二つ以上の回路素子が樹脂基板10の一面S1に実装されていてもよいし、発熱素子21のみが実装されていてもよい。また、モールドパッケージ100は、これらの回路素子に加えて、インバータの制御回路を構成する回路素子が樹脂基板10に実装されていてもよい。
樹脂基板10は、絶縁性の樹脂に導電性部材からなる配線10aが形成されたものである。樹脂基板10は、例えば、コア層と、コア層に積層されたビルドアップ層とを含む所謂ビルドアップ基板を採用できる。また、樹脂基板10は、コア層が設けられておらず、複数のビルドアップ層が積層された所謂エニーレイヤー基板であっても採用できる。また、樹脂基板10は、一面S1及び裏面S3に、発熱素子21、アルミ電解コンデンサ51、コイル52などが実装されるランドが設けられている。このランドは、配線10aと電気的に接続されている。このように、樹脂基板10は、プリント基板と言い換えることができる。
また、樹脂基板10は、はんだ31,33,61〜62が所定の個所以外に付着することを防止するために、一面S1及び裏面S3にソルダーレストが設けられている。よって、樹脂基板10は、絶縁性の樹脂と配線10aとを含む回路部と、回路部の表面S1,S3に形成されたソルダーレジストとを備えて構成されている、と言うことができる。なお、ソルダーレジストは、周知技術であるため詳しい説明を省略する。このソルダーレジストは、図示を省略している。
樹脂基板10は、線膨張係数α2が13×10−6/℃〜14×10−6/℃程度である。詳述すると、線膨張係数α2は、ソルダーレジストの線膨張係数α3と回路部の線膨張係数α4とを加算した値に相当する。また、樹脂基板10は、異方性の線膨張係数α2を有している。つまり、線膨張係数α2は、樹脂基板10におけるxyの合成膨張係数であり、樹脂基板10の面方向における線膨張係数である。なお、面方向とは、樹脂基板10の厚み方向に直交する面に沿った方向である。
また、樹脂基板10は、例えば直方体形状を有している。つまり、樹脂基板10は、一面S1及び裏面S3が矩形形状を有しており、一面S1と裏面S3とに連続して設けられた四つの側面12を有している。
なお、樹脂基板10は、自身の厚み方向に貫通した貫通穴11が設けられている。この貫通穴11は、特許請求の範囲における基板貫通穴に相当する。貫通穴11は、一面S1から裏面S3に達する穴である。この貫通穴11は、ねじ400が挿入される穴である。樹脂基板10は、例えば、自身の厚み方向に水平な平面における四隅に貫通穴11が設けられている。しかしながら、本発明は、貫通穴11が設けられていなくも目的を達成できる。なお、ねじ400は、特許請求の範囲における固定部材に相当し、図2に示すように、ねじ頭410と、ねじ頭410から突出して設けられた部位の先端側にねじ溝部420が形成されている。
発熱素子21は、樹脂基板10の一面S1に実装されている回路素子であり、自身が動作することで熱を発するものである。発熱素子21は、例えば、MOSFETやIGBTなどを採用できる。また、モールドパッケージ100がインバータ装置に適用された場合、発熱素子21は、インバータ装置におけるインバータの一部として設けられたスイッチング素子などである。なお、発熱素子21は、パワー素子と言い換えることもできる。
また、発熱素子21は、例えば、両面に電極が形成されたベアチップ状態の半導体素子である。発熱素子21は、自身の実装面が樹脂基板10の一面S1と対向した状態ではんだ31を介して樹脂基板10に実装されている。つまり、発熱素子21は、実装面側の電極がはんだ31と電気的及び機械的に接続されて、樹脂基板10に実装されている。また、発熱素子21は、はんだ31を介して、樹脂基板10の一面S1に設けられたランドに実装されている。なお、発熱素子21は、はんだ31とは異なる導電性の接着剤を介して樹脂基板10に実装されていてもよい。
この発熱素子21は、モールド樹脂40における厚みに直交する平面(以下、直交平面)の中央に配置されている。この直交平面は、一面S1や反対面S2と平行な仮想平面である。
図1に示す二つの太い一点鎖線は、直交平面の中央を示すための基準線である。そして、モールド樹脂40は、一点鎖線が交わる位置が直交平面の中央である。言い換えると、一点鎖線が交わる位置は、直交平面の中心点である。この直交平面の中心点は、発熱素子21の中心点及び樹脂基板10における一面S1の中心点と対向する位置関係にある。つまり、直交平面の中心点は、発熱素子21の中心点及び樹脂基板10における一面S1の中心点と同軸上にある。よって、発熱素子21は、樹脂基板10における一面S1の中心点に実装されている、と言うこともできる。
このように、発熱素子21は、自身の中心点を通る自身の厚み方向に沿った仮想直線が、直交平面の中心点を通るように、樹脂基板10に実装されている。また、モールドパッケージ100は、上記仮想直線が、反対面S2の中心点を通るように、発熱素子21が配置されている、と言うことができる。なお、本発明は、発熱素子21の中心点と直交平面の中心点とのずれが、発熱素子21を樹脂基板10に実装する際の誤差程度であれば、発熱素子21の中心点と直交平面の中心点とが同軸上にあるとみなせる。
また、本発明はこれに限定されない。つまり、発熱素子21は、自身の中心点と直交平面の中心点とが同軸上になくてもよい。更に、直交平面の中央は、上記のように中心点ではなく、中心点を含む領域とみなすこともできる。よって、発熱素子21は、自身の中心点と直交平面の中心点とが一致せず、直交平面の中心点を含む領域内に実装されていてもよい。このため、樹脂基板10は、一面S1の中心点の周辺に複数の発熱素子21が実装されていてもよい。また、モールドパッケージ100は、一面S1の中心点の周辺に複数の発熱素子21が配置されている、と言うこともできる。
更に、発熱素子21は、樹脂基板10への実装面の反対面である非実装面にクリップ32が機械的及び電気的に接続されている。クリップ32は、例えば銅などの金属を主成分とした部材である。クリップ32は、発熱素子21の非実装面に対向する素子側部位と、樹脂基板10の一面S1に対向する基板側部位と、素子側部位と基板側部位とを連結している連結部位とが一体的に設けられた部材である。クリップ32は、素子側部位が発熱素子21における非実装面側の電極に電気的及び機械的に接続されており、基板側部位が樹脂基板10のランドに電気的及び機械的に接続されている。例えば、クリップ32は、はんだなどの導電性接続部材を介して、発熱素子21及び樹脂基板10と電気的及び機械的に接続されている。
クリップ32は、発熱素子21と樹脂基板10とを電気的に接続するためのターミナルとしての機能に加えて、発熱素子21から発せられた熱を放熱するためのヒートシンクとしての機能を有している。上記のように、発熱素子21は、非実装面にクリップ32が電気的及び機械的に接続されている。このため、発熱素子21から発せられた熱は、非実装面からクリップ32の素子側部位に伝達される。よって、クリップ32は、発熱素子21から発せられた熱が非実装面側から放熱されやすくなるように設けられている、と言うことができる。
なお、クリップ32は、素子側部位が発熱素子21における非実装面の全域と対向しつつ、非実装面側の電極と電気的及び機械的に接続されている。このようにすることで、クリップ32は、素子側部位が非実装面の一部のみに対向している場合よりも放熱性を向上できる。しかしながら、クリップ32は、素子側部位が非実装面の一部のみに対向しつつ、非実装面側の電極と電気的及び機械的に接続されていてもよい。また、本発明は、クリップ32が設けられていなくても目的を達成できる。
モールド樹脂40は、例えば、エポキシ系などの樹脂にALなどのフィラーが混ぜられたものなどからなり、特許請求の範囲における封止樹脂に相当する。モールド樹脂40は、樹脂とフィラーの割合によって、自身の線膨張係数α1を調整可能である。モールド樹脂40は、等方性の線膨張係数α1を有している。なお、線膨張係数α1は、TMA測定などによって評価される。線膨張係数α1の値は、例えば、実際に使用されるマイナス40℃から150℃の間の歪/温度で割った値を用いる。TMAは、Thermomechanical Analysisの略称である。
モールド樹脂40は、一面S1に設けられ、発熱素子21を封止している。また、モールド樹脂40は、発熱素子21に加えて、発熱素子21と樹脂基板10との接続部位、すなわちランドやはんだ31を一体的に封止している。また、モールド樹脂40は、発熱素子21と共に、クリップ32、及びクリップ32と樹脂基板10との接続部位を一体的に封止している。なお、本実施形態のモールド樹脂40は、発熱素子21と共に、チップコンデンサ22、及びチップコンデンサ22と樹脂基板10との接続部位、すなわちランドやはんだ33を一体的に封止している。
更に、モールド樹脂40は、樹脂基板10における一面S1の少なくとも一部に密着しつつ、回路素子20などを封止していると言うことができる。本実施形態では、樹脂基板10における一面S1の全域に密着して設けられたモールド樹脂40を採用している。つまり、樹脂基板10は、一面S1の全域がモールド樹脂40によって封止されている。
なお、上記のようにモールド樹脂40は、クリップ32の素子側部位上にも設けられている。つまり、モールド樹脂40は、素子側部位における発熱素子21が接続されている側の反対側にも設けられている。この反対側に設けられているモールド樹脂40の厚みは、クリップ32の絶縁性が確保でき、且つ、できるだけ薄い方が好ましい。これは、モールドパッケージ100は、クリップ32及びモールド樹脂40を介して、発熱素子21から発せられた熱を放熱するためである。
モールドパッケージ100は、発熱素子21やチップコンデンサ22をモールド樹脂40で封止しているので、これらの素子に埃などが付着することを抑制できる。また、モールドパッケージ100は、発熱素子21と樹脂基板10との接続部位やチップコンデンサ22と樹脂基板10との接続部位などを封止しているので、発熱素子21やチップコンデンサ22などと樹脂基板10との接続信頼性を確保できる。
このように、モールドパッケージ100は、樹脂基板10の一面S1側だけがモールド樹脂40で封止されている。よって、モールドパッケージ100は、ハーフモールドパッケージと言うこともできる。モールド樹脂40は、例えばコンプレッション成形やトランスファー成形によって形成することができる。
また、モールド樹脂40は、樹脂基板10の各側面12に沿って側面42が設けられている。よって、各側面12と各側面42とは、面一に設けられている。そして、モールド樹脂40は、一面S1に接した面の反対面S2が平坦に設けられている。よって、樹脂基板10にモールド樹脂40が形成された樹脂構造体は、直方体形状を有している。
なお、モールド樹脂40は、樹脂基板10の貫通穴11に対向する位置に、自身の厚み方向に貫通した貫通穴41が設けられている。この貫通穴41は、特許請求の範囲における樹脂貫通穴に相当する。そして、貫通穴41は、貫通穴11と連通して設けられている。よって、樹脂構造体は、裏面S3から反対面S2に亘って貫通した貫通穴11,41が設けられている、と言うことができる。しかしながら、本発明は、貫通穴41が設けられていなくも目的を達成できる。
このように構成されたモールドパッケージ100は、図2に示すように、放熱ゲル300を介して金属ベース200に搭載されている。つまり、モールドパッケージ100は、モールド樹脂40における反対面S2が金属ベース200に熱的に接続された状態で、金属ベース200に搭載されてなるものである。また、モールドパッケージ100は、貫通穴11,41にねじ400が挿入されて、ねじ溝部420が金属ベース200のねじ穴に締結されることで、金属ベース200に固定される。つまり、モールドパッケージ100は、金属ベース200に対して、ねじ400によってねじ止めされる。言い換えると、モールドパッケージ100は、ねじ400を締め付けることで、金属ベース200に固定されている。
モールドパッケージ100は、四隅の貫通穴11,41にねじ400が挿入され、このねじ400によって金属ベース200に固定されているため、振動などによって金属ベース200から外れたりすることを抑制できる。同様に、モールドパッケージ100は、反対面S2が金属ベース200から浮いたりすることを抑制できる。つまり、車両は、走行している道路状況によっては大きく振動することがあったり、振動が継続したりすることがある。しかしながら、モールドパッケージ100は、このように場合であっても、金属ベース200から外れたり、反対面S2が金属ベース200から浮いたりすることを抑制できる。このため、モールドパッケージ100は、金属ベース200から外れて放熱性が低下することを抑制できる。言い換えると、モールドパッケージ100は、振動などによって、金属ベース200との接触面積が小さくなること抑制できるため、放熱性が低下することを抑制できる。
本実施形態では、図1に示すように、四本のねじ400で金属ベース200に固定されるモールドパッケージ100を採用している。しかしながら、本発明は、ねじ400とは異なる固定部材で金属ベース200に固定されるものであってもよい。例えば、本発明は、モールドパッケージ100と金属ベース200とを挟み込んで、モールドパッケージ100を金属ベース200に固定するばね性のある固定部材であっても採用できる。
金属ベース200は、特許請求の範囲における放熱部材に相当する。金属ベース200は、アルミニウムや銅などの金属を主成分とした部材である。金属ベース200は、例えば、モールドパッケージ100を収容するためのケースの一部や、モールドパッケージ100の搭載機器の一部などである。なお、搭載機器としては、車両の走行用モータやエンジンなどを採用できる。なお、金属ベース200は、モールドパッケージ100が搭載されるものであるため、被搭載部材と言い換えることもできる。
放熱ゲル300は、ゲル状の放熱部材であり、特許請求の範囲における熱伝導性部材に相当する。モールド樹脂40は、図2に示すように、反対面S2が放熱ゲル300を介して金属ベース200に熱的に接続されている。つまり、放熱ゲル300は、金属ベース200に接触して設けられている。そして、モールドパッケージ100は、モールド樹脂40の反対面S2が放熱ゲル300に接触している。モールドパッケージ100は、放熱ゲル300を介して金属ベース200に固定されるため、放熱ゲル300がない場合よりも金属ベース200との接触面積を大きくできる。同様に、モールドパッケージ100は、放熱ゲル300がない場合よりも金属ベース200との間における熱抵抗を小さくできる。よって、モールドパッケージ100は、放熱ゲル300がない場合よりも放熱性を向上できる。なお、本発明は、放熱ゲル300のかわりに、シリコーンを主成分とした放熱グリースなどを採用することもできる。
ここで、モールドパッケージ100の製造方法に関して説明する。まず、最初の工程である第1工程では、配線10aやランドが形成された樹脂基板10の一面S1に、はんだ31を介して発熱素子21を実装する。つまり、第1工程では、一面S1に設けられたランド上に、はんだ31を介して発熱素子21を実装する。この第1工程では、リフローはんだ付けなどによって、樹脂基板10に発熱素子21を実装する。なお、第1工程では、発熱素子21と同時に、チップコンデンサ22を樹脂基板10に実装してもよい。
第1工程後に行なわれる第2工程では、発熱素子21が実装された樹脂基板10にクリップ32を実装する。第2工程では、発熱素子21とクリップ32の素子側部位との間、及び樹脂基板10のランドとクリップ32の基板側部位との間をはんだによって機械的及び電気的に接続する。なお、第1工程と第2工程は、同時に実行することも可能である。また、アルミ電解コンデンサ51やコイル52は、第2工程後且つ第3工程前に、樹脂基板10の裏面S3にリフローはんだ付けされる。
第2工程後に行なわれる第3工程では、第2工程で製造された構造体に対して、コンプレッション成形によってモールド樹脂40を成形する。この第3工程では、貫通穴11が樹脂材料によって塞がれないように、ピンなどで貫通穴11を塞ぎつつ、コンプレッション成形する。このようにすることで、第3工程では、モールド樹脂40に対して、貫通穴11に連通した貫通穴41を設けることができる。
なお、本発明は、複数のモールドパッケージ100が一体的に形成されたパッケージ構造体をダイシングすることで、個別のモールドパッケージ100に分割してもよい。この場合、第1工程では、複数の樹脂基板10が一体的に設けられたベース基板を採用する。そして、第1工程では、ベース基板における個別の樹脂基板10となる予定の各基板領域に発熱素子21などを実装する。また、第2工程では、各発熱素子21と各基板領域にクリップ32を機械的及び電気的に接続する。
その後、第3工程では、各基板領域に発熱素子21やクリップ32などが実装されたベース基板に対して、コンプレッション成形によってモールド樹脂40を一体的に成形する。つまり、第3工程では、各基板領域に対して一体的にモールド樹脂40を形成する。この第3工程によって、モールドパッケージ構造体が製造される。その後、第4工程では、モールドパッケージ構造体をダイシングする。この第4工程によって、パッケージ構造体が複数のモールドパッケージ100に分割される。この製造方法によって、樹脂基板10における一面S1の全域にモールド樹脂40が設けられたモールドパッケージ100を容易に製造することができる。
ところで、モールドパッケージ100は、モールド樹脂40の線膨張係数α1と樹脂基板10の線膨張係数α2との差によって反りが生じることがある。また、モールドパッケージ100は、反り形状として、反対面S2側に凸となる反り形状であるクライ反りと、裏面S3側に凸となる反り形状であるスマイル反りとがある。つまり、クライ反りの場合、モールドパッケージ100は、図3に示すように、モールド樹脂40の反対面S2が縁部よりも中心側の方が突出した状態であり、且つ、樹脂基板10の裏面S3が縁部側よりも中心側の方が凹んだ状態である。一方、スマイル反りの場合、モールドパッケージ100は、樹脂基板10の裏面S3が縁部よりも中心側の方が突出した状態であり、且つ、モールド樹脂40の反対面S2が縁部側よりも中心側の方が凹んだ状態である。なお、図3は、モールドパッケージ100を簡略化した図面であり、ねじ400や発熱素子21などを省略している。
しかしながら、モールドパッケージ100は、自身の周辺温度が常温時にクライ反りであり、且つ、周辺温度が常温よりも高い高温時にもクライ反りを維持可能なものである。つまり、モールドパッケージ100は、図4に示すように、常温から高温までの温度範囲において、反り量は変化するものの、クライ反りとなるように構成されている。図4は、モールドパッケージ100を簡略化した図面であり、ねじ400、アルミ電解コンデンサ51、放熱ゲル300などを省略している。以下においては、常温から高温までの温度範囲を第1温度範囲と記載することもある。
ここで、第1温度範囲において、常に、モールドパッケージ100がクライ反りとなる条件に関して説明する。モールドパッケージ100が第1温度範囲でクライ反りとなる条件は、図6に示すように、成型後の反りと、線膨張係数α1,α2との関係で、反りが常にクライ側にあることである。また、成型後の反りは、モールド樹脂40の成型収縮率と、樹脂基板10単体の残留反り(樹脂基板単体のクライ側反り)とで決まる。なお、成型後の反りとは、成形後における初期の反りである。また、成形後初期時は、環境温度が例えば175℃程度となる。
詳述すると、モールドパッケージ100は、線膨張係数α2+線膨張係数α1の関係において、以下の関係を満たす場合に、クライ反りとなる。条件1は、回路部とソルダーレジストの構成が、第1温度範囲において樹脂基板10単体でクライ反りとなること。つまり、樹脂基板10は、線膨張係数α3>線膨張係数α4となること。条件2は、線膨張係数α2>線膨張係数α1となること。条件3は、モールド樹脂40の硬化収縮による曲げ応力<樹脂基板10の構成による曲げ応力となること。
更に、モールドパッケージ100は、条件1〜条件3となる条件において、以下に示す第1因子>第2因子となる場合に、第1温度範囲において、常にクライ反りとなる。第1因子は、クライ側に反る因子であり、樹脂基板10の曲げモーメント+第1温度範囲におけるα差である。第2因子は、スマイル側に反る因子であり、モールド樹脂40の硬化収縮による曲げモーメントである。なお、α差は、線膨張係数α1−線膨張係数α2である。
なお、周辺温度とは、モールドパッケージ100が搭載されている搭載環境の環境温度である。本実施形態では、エンジンルーム内の温度が周辺温度に相当する。また、常温とは、平常時の温度でありRTとも言うことができる。RTは、room temperatureの略称である。言い換えると、常温は、エンジンや走行用モータなどの車両の駆動原が動作していないときの温度である。
一方、高温とは、エンジンや走行用モータなどの車両の駆動原が動作しているときの温度であり、例えば150℃〜170℃である。なお、高温とは、駆動原に加えて発熱素子21が動作しているときの温度、と言うこともできる。
また、モールドパッケージ100は、樹脂基板10とモールド樹脂40とが、第1温度範囲においてクライ反りを維持可能な線膨張係数α1,α2である。詳述すると、モールドパッケージ100は、|α1−α2|<5×10−6/℃である。モールドパッケージ100は、α1とα2との差が大きくなると、樹脂基板10とモールド樹脂40との界面で剥離が生じる可能性がある。しかしながら、モールドパッケージ100は、樹脂基板10とモールド樹脂40とが、少なくとも|α1−α2|<5×10−6/℃の関係を満たすことで、樹脂基板10とモールド樹脂40との界面で剥離が生じることなく、第1温度範囲においてクライ反りを維持できる。つまり、モールドパッケージ100は、第1温度範囲において、信頼性を確保しつつクライ反りを維持できる。
このように、モールドパッケージ100は、樹脂基板10の一面S1に発熱素子21が実装されており、この発熱素子21がモールド樹脂40で封止されている。また、モールドパッケージ100は、モールド樹脂40が金属ベース200に熱的に接続された状態で、金属ベース200に搭載されてなるものである。つまり、モールドパッケージ100は、発熱素子21から発せられた熱をモールド樹脂40から金属ベース200に放熱するものである。特に、モールドパッケージ100は、両面実装基板である樹脂基板10を含み、樹脂基板10の一面S1に発熱素子21が実装さ、且つ一面S1がモールド樹脂40で封止されている。このため、モールドパッケージ100は、モールド樹脂40を金属ベース200に熱的に接続することで、発熱素子21を放熱しやすくなる。
そして、モールドパッケージ100は、樹脂基板10とモールド樹脂40とが、第1温度範囲においてクライ反りとなるような線膨張係数α1,α2で形成されている。従って、モールドパッケージ100は、第1温度範囲において、モールド樹脂40の角部だけが金属ベース200に接した状態になることを防止しつつ、モールド樹脂40の反対面S2が金属ベース200に熱的に接続された状態を維持できる。例えば、図4に示すように、モールドパッケージ100は、第1温度範囲において、反り量は変化するものの、クライ反りを維持できる。
つまり、モールドパッケージ100は、第1温度範囲において、反対面S2と金属ベース200との接触面積が狭くなることを抑えることができ、発熱素子21から発せられた熱を金属ベース200に放熱できる。このため、モールドパッケージ100は、放熱性の低下を抑制できる。言い換えると、モールドパッケージ100は、第1温度範囲において、安定的に放熱性を確保できる。
なお、モールドパッケージ100は、高温時のクライ反り量が、50×50mmサイズで0μm<50μmであると好ましい。この反り量の計測は、例えば、載置工程、第1計測工程、加熱工程、第2計測工程、差分算出工程の順番で行う。載置工程では、反っていない状態のモールドパッケージ100を平坦面に載置する。このとき、モールドパッケージ100は、反対面S2が平坦面に接触するように載置する。次に、第1計測工程では、平坦面からモールドパッケージ100の裏面S3までの高さを計測する。
次に、加熱工程では、モールドパッケージ100の周辺温度を高温状態にまで加熱する。この加熱工程では、モールドパッケージ100を加熱炉などに配置しておき、この加熱炉によって、周辺温度を高温状態にまで加熱する。
次に、第2計測工程では、平坦面からモールドパッケージ100の裏面S3までの高さを計測する。この第2計測工程では、平坦面を基準として、モールドパッケージ100の裏面S3における最も高い位置までの高さを計測する。そして、差分算出工程では、第1計測工程で計測した高さと、第2計測工程で計測した高さとの差分を算出する。モールドパッケージ100の反り量は、この差分算出工程で算出された値である。
また、モールドパッケージ100は、モールド樹脂40の中央に発熱素子21が配置されている。モールドパッケージ100は、上記のように、第1温度範囲においてクライ反りを維持できる。従って、モールドパッケージ100は、第1温度範囲において、反対面S2における発熱素子21の対向領域と金属ベース200との接触面積が狭くなることを抑えることができる。よって、モールドパッケージ100は、発熱素子21を効率的に放熱できる。また、同様の理由によって、モールドパッケージ100は、四隅に設けられたねじ400で囲まれた矩形領域に発熱素子21を配置すると好ましい。
なお、モールドパッケージ100は、周辺温度が常温よりも低い低温時の場合、スマイル反りとなることもある。以下においては、低温から常温までの温度範囲を第2温度範囲と記載することもある。しかしながら、モールドパッケージ100は、第2温度範囲の場合、高温時よりも発熱素子21の放熱を考慮する必要がない。従って、モールドパッケージ100は、第1温度範囲及び第2温度範囲において、発熱素子21が熱による悪影響をうけることを抑制できる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明の変形例1〜3に関して説明する。上述の実施形態及び変形例1〜3は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。
(変形例1)
モールドパッケージ100は、樹脂基板10とモールド樹脂40とが、第1温度範囲においてクライ反りを維持可能なα1,α2であり、且つ、α1>10×10−6/℃であるモールド樹脂40を採用すると好ましい。モールドパッケージ100は、α1を下げていくことでクライ反りとすることもできる。しかしながら、モールドパッケージ100は、α1とα2との差異が大きくなると、モールド樹脂40とモールド樹脂40で封止されている回路素子との界面で剥離が発生する可能性がある。特に、チップコンデンサ22は、通常、αがα1やα2よりも小さく、発熱素子21よりも体格が大きい。このため、モールドパッケージ100は、α1とα2との差異が大きくなると、チップコンデンサ22とモールド樹脂40との界面が剥離するだけではなく、樹脂基板10にクラックが発生することもありうる。つまり、モールドパッケージ100は、樹脂基板10とはんだ33との接続部に応力が集中して樹脂基板10にクラックが発生することがある。
そこで、モールドパッケージ100は、第1温度範囲においてクライ反りを維持可能で、且つ樹脂基板10にクラックが発生しないようなα1のモールド樹脂40を採用すると好ましい。モールドパッケージ100は、樹脂基板10とモールド樹脂40とが、第1温度範囲においてクライ反りを維持可能なα1,α2であり、且つ、α1>10×10−6/℃であるモールド樹脂40を採用すると、樹脂基板10へのクラックを抑制できる。このようにすることで、モールドパッケージ100は、第1温度範囲においてクライ反りを維持しつつ、樹脂基板10へのクラックを抑制できる。また、モールドパッケージ100は、樹脂基板10へのクラックを抑制できるため、上記実施形態で説明した効果に加えて、樹脂基板10内に設けられた配線10aがクラックによって断線することを抑えることができ、電気的な信頼性を確保できる。
更に、モールドパッケージ100は、上記に加えて、図5に示すように、10×10−6/℃<α1<17×10−6/℃であるモールド樹脂40を採用すると好ましい。モールド樹脂40で封止されている発熱素子21は、ベアチップ状態の半導体素子である。このため、発熱素子21は、厚みが比較的薄く、例えばチップコンデンサ22よりも十分に薄い。このため、モールドパッケージ100は、α1の値が大きなモールド樹脂40を採用した場合、モールド樹脂40から発熱素子21に印加される応力が大きくなる。発熱素子21は、モールド樹脂40からの応力によって、クラックが入ったり、割れたりすることも考えられる。図5は、縦軸がモールドパッケージ100の反り状態で、横軸がモールド樹脂40の線膨張係数α1である。
そこで、モールドパッケージ100は、α1<17×10−6/℃であるモールド樹脂40を採用すると好ましい。モールドパッケージ100は、このようなα1のモールド樹脂40を採用することで、モールド樹脂40から発熱素子21に対して、発熱素子21にクラックが入ったりするほどの応力が印加されないようにできる。つまり、モールドパッケージ100は、第1温度範囲において、発熱素子21にクラックが入ったりするほどの応力が印加されないようにできる。
よって、モールドパッケージ100は、発熱素子21をモールド樹脂40の応力から保護することができる。すなわち、モールドパッケージ100は、モールド樹脂40の線膨張係数α1が17×10−6/℃よりも小さければ、発熱素子21を保護できる。このため、モールドパッケージ100は、発熱素子21がクラックなどによって正常に動作しなくなることを抑制できる。従って、モールドパッケージ100は、第1温度範囲においてクライ反りを維持可能なα1,α2であり、且つ、図5のグラフにおいて、ハッチングを施した範囲のα1であるモールド樹脂40を採用することで、上記効果に加えて、電気的な信頼性を向上できる。なお、モールドパッケージ100は、10×10−6/℃<α1<15×10−6/℃であるモールド樹脂40を採用するとことで、モールド樹脂40から発熱素子21に対する応力をより一層低減できるので好ましい。
更に、クリップ32は、銅を主成分としたものを採用した場合、線膨張係数が17×10−6/℃となる。このため、モールドパッケージ100は、17×10−6/℃に近い値のα1であるモールド樹脂40を採用することで、モールド樹脂40とクリップ32との界面での剥離も抑制できる。
(変形例2)
モールドパッケージ100は、上記実施形態で説明した線膨張係数の関係に加えて、モールド樹脂40の弾性率E1と樹脂基板10の弾性率E2とが(E1+10)≦E2の関係を満たしていると好ましい。モールドパッケージ100は、このような関係を満たすことによって、第1温度範囲においてクライ反りとしやすくなる。モールド樹脂40は、例えば、弾性率E1が10〜20GPa程度のものである。よって、樹脂基板10は、弾性率E2が20〜30GPa程度となる。モールドパッケージ100は、このような弾性率E1,E2のモールド樹脂40及び樹脂基板10を採用することで、第1温度範囲においてクライ反りとしやすくなる。
なお、モールドパッケージ100は、変形例1で説明した線膨張係数の関係に加えて、変形例2で説明した弾性率の関係を満たすものであっても採用できる。
(変形例3)
また、モールドパッケージ100は、上記実施形態で説明した線膨張係数の関係に加えて、モールド樹脂40の厚みが樹脂基板10の厚みの2倍以上であると好ましい。モールドパッケージ100は、モールド樹脂40の厚みが、樹脂基板10の厚みの2倍以上である場合、第1温度範囲においてクライ反りとしやすくなる。例えば、モールドパッケージ100は、厚みが1mm程度の樹脂基板10と、厚みが2mm以上のモールド樹脂40とを採用できる。
なお、モールドパッケージ100は、変形例1で説明した線膨張係数の関係、及び変形例2で説明した弾性率の関係に加えて、変形例3で説明した厚みの関係を満たすものであっても採用できる。また、モールドパッケージ100は、変形例1で説明した線膨張係数の関係に加えて、変形例3で説明した厚みの関係を満たすものであっても採用できる。また、モールドパッケージ100は、変形例2で説明した弾性率の関係に加えて、変形例3で説明した厚みの関係を満たすものであっても採用できる。
10 樹脂基板、11 基板貫通穴、12 基板側面、 21 発熱素子、22 チップコンデンサ、31 はんだ、32 クリップ、40 モールド樹脂、41 樹脂貫通穴、42 樹脂側面、51,52 モールド外素子、61,62 はんだ、100 電子装置、200 金属ベース、300 放熱ゲル、400 ねじ、410 ねじ頭、420 ねじ溝部

Claims (8)

  1. 絶縁性の樹脂に導電性部材からなる配線(10a)が形成された樹脂基板(10)と、
    前記樹脂基板の一面(S1)に実装されている回路素子であり、自身が動作することで熱を発する発熱素子(21)と、
    前記一面に設けられ、前記発熱素子を封止している封止樹脂(40)と、を備えており、前記封止樹脂における前記一面に接した面の反対面(S2)が放熱部材に熱的に接続された状態で前記放熱部材に搭載されてなる電子装置であって、
    前記樹脂基板と前記封止樹脂とは、自身の周辺温度が常温時に前記反対面側に凸となる反り形状であり、且つ、前記周辺温度が常温よりも高い高温時にも前記反対面側に凸となる反り形状を維持可能な線膨張係数であることを特徴とする電子装置。
  2. 前記発熱素子は、前記封止樹脂における厚み方向に直交する平面の中央に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
  3. 前記封止樹脂の線膨張係数α1と前記樹脂基板の線膨張係数α2は、|α1−α2|<5×10−6/℃であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子装置。
  4. 前記封止樹脂は、10×10−6/℃<α1であることを特徴とする請求項3に記載の電子装置。
  5. 前記封止樹脂は、10×10−6/℃<α1<17×10−6/℃であることを特徴とする請求項4に記載の電子装置。
  6. 前記樹脂基板は、前記一面の全域が前記封止樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電子装置。
  7. 前記樹脂基板は、自身の厚み方向に水平な平面における四隅に、自身の厚み方向に貫通した基板貫通穴が設けられており、
    前記封止樹脂は、前記基板貫通穴に対向した位置に、自身の厚み方向に貫通した樹脂貫通穴が設けられており、
    前記樹脂基板と前記封止樹脂は、前記基板貫通穴及び前記樹脂貫通穴に挿入された固定部材によって前記放熱部材に固定されていることを特徴とする請求項6に記載の電子装置。
  8. 前記封止樹脂は、前記反対面が熱伝導性部材(300)を介して前記放熱部材に熱的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電子装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6233260B2 (ja) 2014-09-22 2017-11-22 株式会社デンソー 電子装置の製造方法、及び電子装置
KR102495931B1 (ko) * 2015-12-15 2023-02-02 엘지디스플레이 주식회사 인쇄 회로 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
US10721841B2 (en) * 2016-06-29 2020-07-21 Yu Qin Technology, Ltd. Heart dissipator structure
US11088046B2 (en) 2018-06-25 2021-08-10 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device package with clip interconnect and dual side cooling
JP7557476B2 (ja) 2019-10-24 2024-09-27 ローム株式会社 半導体装置
CN111836460B (zh) * 2020-07-21 2022-09-06 昆山大洋电路板有限公司 一种线路板及其制备方法
TWI747582B (zh) * 2020-10-29 2021-11-21 創意電子股份有限公司 檢測裝置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077831A (ja) 1998-08-28 2000-03-14 Hitachi Ltd 保護回路装置およびこれを使用した二次電池
JP3740117B2 (ja) * 2002-11-13 2006-02-01 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP2006100752A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP4948160B2 (ja) 2006-12-29 2012-06-06 三洋電機株式会社 回路モジュール
JP5109422B2 (ja) * 2007-03-16 2012-12-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
US8154114B2 (en) * 2007-08-06 2012-04-10 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module
JP2009130048A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Elpida Memory Inc 半導体装置及び電子装置
JP5690466B2 (ja) * 2008-01-31 2015-03-25 インヴェンサス・コーポレイション 半導体チップパッケージの製造方法
JP2012054487A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Denso Corp 電子装置
JP5847165B2 (ja) * 2011-04-22 2016-01-20 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2014063844A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Sony Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器
JP6107197B2 (ja) * 2013-02-13 2017-04-05 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6233260B2 (ja) 2014-09-22 2017-11-22 株式会社デンソー 電子装置の製造方法、及び電子装置
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