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JP6317178B2 - Circuit board and electronic device - Google Patents

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JP6317178B2
JP6317178B2 JP2014104381A JP2014104381A JP6317178B2 JP 6317178 B2 JP6317178 B2 JP 6317178B2 JP 2014104381 A JP2014104381 A JP 2014104381A JP 2014104381 A JP2014104381 A JP 2014104381A JP 6317178 B2 JP6317178 B2 JP 6317178B2
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Description

本発明は、回路基板および電子装置に関するものである。
The present invention relates to a circuit board contact and the electronic device.

従来、パワーモジュールまたはスイッチングモジュール等の例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などの電子部品が搭載された電子装置に用いられる回路基板として、例えば、絶縁基板の上面および下面にそれぞれ金属板が接合されたものが用いられる。また、特許文献1では、上面および下面のそれぞれの金属板は、絶縁基板を挟んで略面対称に設けられている。   Conventionally, as a circuit board used for an electronic device on which electronic parts such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) such as a power module or a switching module are mounted, for example, metal plates are joined to the upper surface and the lower surface of an insulating substrate, respectively. Things are used. Moreover, in patent document 1, each metal plate of an upper surface and a lower surface is provided substantially plane-symmetrically on both sides of the insulating substrate.

このような構成によれば、金属板と絶縁基板との熱膨張差に起因する曲げ応力の発生を小さくし、絶縁基板のクラック発生、又は金属板の剥離を抑制することができる。   According to such a configuration, the generation of bending stress due to the difference in thermal expansion between the metal plate and the insulating substrate can be reduced, and the generation of cracks in the insulating substrate or the peeling of the metal plate can be suppressed.

特開2002−343911号公報JP 2002-343911 A

しかしながら、上記従来技術の回路基板においては、例えば、絶縁基板の下面に複数の金属板が設けられていた場合、これらの金属板間に間隙が生じるので、下側の金属板の面積が減少しやすかった。よって、このような回路基板における金属板の下面をヒートシンク等に実装した場合、電子部品で発生した熱をヒートシンク側に逃がすための放熱経路である下側の金属板の面積が減少することとなり、放熱効率が減少していた。   However, in the above-described prior art circuit board, for example, when a plurality of metal plates are provided on the lower surface of the insulating substrate, gaps are generated between these metal plates, so that the area of the lower metal plate is reduced. It was easy. Therefore, when the lower surface of the metal plate in such a circuit board is mounted on a heat sink or the like, the area of the lower metal plate that is a heat dissipation path for releasing the heat generated in the electronic component to the heat sink side will be reduced. The heat dissipation efficiency was decreasing.

本発明の目的は、前記の問題を鑑みて、絶縁基板のクラック発生、又は金属板の剥離を抑制しつつ、放熱効率の低下を抑制することができる回路基板および電子装置を提供することにある。
The purpose of the present invention, in view of the above problems, cracking of the insulating substrate, or while suppressing peeling of the metal plate, to provide an electronic device and contact the circuit board it is possible to prevent deterioration of the radiation efficiency It is in.

本発明の一つの態様の回路基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に、互いに間隙を空けて接合された複数の第1金属板と、該複数の第1金属板と対向しており、前記絶縁基板の下面に接合された第2金属板と、を有しており、前記第2金属板の上面又は下面に、上面視において、前記間隙と重なって沿うように形成された溝が設けられており、上面視において、前記間隙の側面の位置と、前記溝の側面の位置とが異なっている。
A circuit board according to one aspect of the present invention includes an insulating substrate, a plurality of first metal plates bonded to each other on the upper surface of the insulating substrate with a gap therebetween, and the plurality of first metal plates. A second metal plate bonded to the lower surface of the insulating substrate, and a groove formed on the upper surface or the lower surface of the second metal plate so as to overlap the gap in a top view. In the top view, the position of the side surface of the gap is different from the position of the side surface of the groove .

本発明の一つの態様の電子装置は、上記の回路基板と、該回路基板に搭載された電子部品とを含んでいる。   An electronic device according to one aspect of the present invention includes the above circuit board and an electronic component mounted on the circuit board.

本発明の回路基板によれば、第2金属板の上面又は下面に形成された溝が、上面視において、間隙と重なって沿うように設けられていることにより、間隙の両側の第1金属板の体積と、溝の両側の第2金属板の体積とは、絶縁基板を挟んで略等しくなる。よって、複
数の第1金属板と絶縁基板との熱膨張差に起因する曲げ応力は、第2金属板と絶縁基板との熱膨張差に起因する曲げ応力と略等しくなるので、全体の曲げ応力は低下し、絶縁基板のクラック発生、又は金属板の剥離を抑制することができる。また、第2金属板の上面又は下面に形成されているのは溝であり、この溝の底部は溝とは反対側の面まで到達していないので、放熱経路である第2金属板の下面又は上面の面積の減少を抑制できる。従って、第2金属板の放熱効率を向上させることができる。また、上面視において、間隙の側面の位置と溝の側面の位置とが異なっていることから、複数の第1金属板との間で生じる熱応力と、第2金属板との間で生じる熱応力とが重なることを防ぐことができる。よって、絶縁基板のクラック発生を抑制することができる。
According to the circuit board of the present invention, the groove formed on the upper surface or the lower surface of the second metal plate is provided so as to overlap the gap when viewed from above, so that the first metal plate on both sides of the gap is provided. And the volume of the second metal plate on both sides of the groove are substantially equal across the insulating substrate. Therefore, since the bending stress due to the difference in thermal expansion between the plurality of first metal plates and the insulating substrate is substantially equal to the bending stress due to the difference in thermal expansion between the second metal plate and the insulating substrate, the entire bending stress is reduced. And the occurrence of cracks in the insulating substrate or peeling of the metal plate can be suppressed. In addition, a groove is formed on the upper surface or the lower surface of the second metal plate, and the bottom of the groove does not reach the surface opposite to the groove, so that the lower surface of the second metal plate, which is a heat dissipation path, is formed. Or the reduction of the area of the upper surface can be suppressed. Therefore, the heat dissipation efficiency of the second metal plate can be improved. Further, since the position of the side surface of the gap is different from the position of the side surface of the groove in a top view, the thermal stress generated between the plurality of first metal plates and the heat generated between the second metal plates. It is possible to prevent the stress from overlapping. Therefore, generation of cracks in the insulating substrate can be suppressed.

本発明の電子装置によれば、上述の回路基板を有することから、絶縁基板のクラック発生、又は金属板の剥離を抑制することができるとともに、放熱効率を維持することができる電子装置とすることができる。   According to the electronic device of the present invention, since it has the above-described circuit board, it is possible to suppress the generation of cracks in the insulating substrate or the peeling of the metal plate and to maintain the heat dissipation efficiency. Can do.

(a)は本発明の実施形態の回路基板および電子装置の上面図であり、(b)は(a)のA−A線での断面図であり、(c)は下面図である。(A) is a top view of the circuit board and electronic device of embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in the AA of (a), (c) is a bottom view. (a)、(b)は、図1(b)の要部であるB部の他の例を示す断面図である。(A), (b) is sectional drawing which shows the other example of the B section which is the principal part of FIG.1 (b). (a)〜(e)は、本発明の実施形態の回路基板の製造工程の例を示す断面図である。(A)-(e) is sectional drawing which shows the example of the manufacturing process of the circuit board of embodiment of this invention. (a)、(b)は、図1(b)の要部であるB部の他の例を示す断面図である。(A), (b) is sectional drawing which shows the other example of the B section which is the principal part of FIG.1 (b). (a)は本発明の実施形態の回路基板の他の例を示す上面図であり、(b)は(a)のB−B線での断面図であり、(c)は下面図である。(A) is a top view which shows the other example of the circuit board of embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in the BB line of (a), (c) is a bottom view. . (a)は本発明の実施形態の回路基板の他の例を示す上面図であり、(b)は(a)のC−C線での断面図であり、(c)は下面図である。(A) is a top view which shows the other example of the circuit board of embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in CC line of (a), (c) is a bottom view. .

以下、図面を参照して本発明の実施形態における回路基板および電子装置について説明する。なお、図面において、回路基板および電子装置は、仮想のxyz空間内に設けられており、xy平面上に載置されている。また、本実施形態における上方、上面、上部とは仮想のz軸の正方向を示しており、下方、下面、下部とは仮想のz軸の負方向を示している。   Hereinafter, a circuit board and an electronic device according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the circuit board and the electronic device are provided in a virtual xyz space and are placed on the xy plane. In the present embodiment, the upper, upper, and upper portions indicate the positive direction of the virtual z axis, and the lower, lower surface, and lower portion indicate the negative direction of the virtual z axis.

図1に示す例においては、回路基板10は、絶縁基板1と、複数の第1金属板2と第2
金属板3とを備えている。また、図1に示す例において、電子装置20は、回路基板10と、電子部品5とを備えている。
In the example shown in FIG. 1, the circuit board 10 includes an insulating substrate 1, a plurality of first metal plates 2, and a second one.
And a metal plate 3. In the example shown in FIG. 1, the electronic device 20 includes a circuit board 10 and an electronic component 5.

絶縁基板1は、電気絶縁材料からなり、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス,ムライト質セラミックス,炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックス,または窒化ケイ素質セラミックス等のセラミックスからなる。これらセラミック材料の中では放熱性に影響する熱伝導性の点に関して、炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックス,または窒化ケイ素質セラミックスが好ましく、強度の点に関して、窒化ケイ素質セラミックスまたは炭化ケイ素質セラミックスが好ましい。   The insulating substrate 1 is made of an electrically insulating material, for example, ceramics such as aluminum oxide ceramics, mullite ceramics, silicon carbide ceramics, aluminum nitride ceramics, or silicon nitride ceramics. Among these ceramic materials, silicon carbide ceramics, aluminum nitride ceramics, or silicon nitride ceramics are preferred in terms of thermal conductivity that affects heat dissipation, and silicon nitride ceramics or silicon carbide ceramics in terms of strength. Is preferred.

絶縁基板1が窒化ケイ素質セラミックスのように比較的強度の高いセラミック材料からなる場合、金属板2と絶縁基板1との熱膨張率差に起因する熱応力により絶縁基板1にクラックが入る可能性が低減されるので、小型化を図りつつより大きな電流を流すことができる回路基板を実現することができる。   When the insulating substrate 1 is made of a ceramic material having relatively high strength such as silicon nitride ceramics, the insulating substrate 1 may be cracked due to thermal stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the metal plate 2 and the insulating substrate 1. Therefore, it is possible to realize a circuit board capable of flowing a larger current while achieving downsizing.

絶縁基板1の厚みは、薄い方が熱伝導性の点ではよく、例えば約0.1mm〜1mmであ
り、回路基板の大きさまたは用いる材料の熱伝導率または強度に応じて選択すればよい。
The thinner insulating substrate 1 may be in terms of thermal conductivity, for example, about 0.1 mm to 1 mm, and may be selected according to the size of the circuit board or the thermal conductivity or strength of the material used.

絶縁基板1は、例えば窒化ケイ素質セラミックスからなる場合であれば、窒化ケイ素,酸化アルミニウム,酸化マグネシウム,および酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー,可塑剤,および溶剤を添加混合して泥漿物に従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工等を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒化雰囲気等の非酸化性雰囲気にて1600〜2000℃の温度で焼成することによって製作される。   If the insulating substrate 1 is made of, for example, silicon nitride ceramics, an appropriate organic binder, plasticizer, and solvent are added to and mixed with raw material powders such as silicon nitride, aluminum oxide, magnesium oxide, and yttrium oxide, and then mixed with slurry. A ceramic green sheet (ceramic raw sheet) is formed by adopting a conventionally known doctor blade method or calendar roll method, and then a suitable punching process is applied to the ceramic green sheet to obtain a predetermined shape. If necessary, a plurality of sheets are laminated to form a molded body, and then, this is manufactured by firing at a temperature of 1600 to 2000 ° C. in a non-oxidizing atmosphere such as a nitriding atmosphere.

複数の第1金属板2は、図1に示す例のように、絶縁基板1の上面に、互いに間隙2aを空けて接合されている。図1に示す例においては、複数の第1金属板2の下面が、絶縁基板1への接合面となっている。   The plurality of first metal plates 2 are joined to the upper surface of the insulating substrate 1 with a gap 2a therebetween as in the example shown in FIG. In the example shown in FIG. 1, the lower surfaces of the plurality of first metal plates 2 are bonding surfaces to the insulating substrate 1.

図1に示す例においては、絶縁基板1の上面に、3つの第1金属板2A、2B、2Cが設けられている。第1金属板2A、2Cは、絶縁基板1の上面のx方向における両側にそれぞれ設けられている。また、第1金属板2Bは、絶縁基板1の上面の中央部に位置しており、第1金属板2A、2Cの2つに挟まれている。   In the example shown in FIG. 1, three first metal plates 2 </ b> A, 2 </ b> B, and 2 </ b> C are provided on the upper surface of the insulating substrate 1. The first metal plates 2A and 2C are provided on both sides in the x direction on the upper surface of the insulating substrate 1, respectively. The first metal plate 2B is located at the center of the upper surface of the insulating substrate 1, and is sandwiched between the first metal plates 2A and 2C.

間隙とは、互いに隣接して設けられる複数の第1金属板2同士の間の空間であると解釈してよい。図1(a)に示す例において、y方向における中央部では、間隙は、第1金属板2Aと第1金属板2Bとの間の空間、および第1金属板2Bと第1金属板2Cとの間の空間と解することができる。また、図1(a)に示す例において、y方向における両端部では、間隙は、第1金属板2Aと第1金属板2Cとの間の空間と解することができる。   The gap may be interpreted as a space between the plurality of first metal plates 2 provided adjacent to each other. In the example shown in FIG. 1 (a), in the central portion in the y direction, the gap is a space between the first metal plate 2A and the first metal plate 2B, and the first metal plate 2B and the first metal plate 2C. It can be interpreted as a space between. In the example shown in FIG. 1A, the gap can be understood as a space between the first metal plate 2A and the first metal plate 2C at both ends in the y direction.

間隙2aの幅は、回路基板10に使用される電圧を考慮し、絶縁性を確保できる程度に設定される。例えば、複数の第1金属板2の配置及び寸法にもよるが、間隙2aの幅は、約0.5〜10mmである。   The width of the gap 2a is set to such an extent that insulation can be ensured in consideration of the voltage used for the circuit board 10. For example, although it depends on the arrangement and dimensions of the plurality of first metal plates 2, the width of the gap 2a is about 0.5 to 10 mm.

複数の第1金属板2は、絶縁基板1の上面に、例えば、Ag−Cu系のろう材4を介して接合されている。このろう材4は、絶縁基板1に対して濡れることにより強固に接合されるために、例えば、チタン、ハフニウムおよびジルコニウムのうち少なくとも1種の活性金属材料を含有している。また、このろう材は、例えば、In、Snのうち少なくとも
1つを有していてもよい。なお、このろう材4の厚みは、例えば約5〜100μm程度であ
ればよい。
The plurality of first metal plates 2 are joined to the upper surface of the insulating substrate 1 via, for example, an Ag—Cu-based brazing material 4. The brazing material 4 contains, for example, at least one active metal material of titanium, hafnium, and zirconium in order to be firmly bonded to the insulating substrate 1 by being wetted. Moreover, this brazing material may have at least one of In and Sn, for example. In addition, the thickness of this brazing material 4 should just be about 5-100 micrometers, for example.

複数の第1金属板2は、例えば平板状の銅板であり、その厚みは、例えば、20〜600μ
mである。銅板は、電気抵抗が低く高熱伝導性を有するので、第1金属板2を構成する部材として好ましい。
The plurality of first metal plates 2 are, for example, flat copper plates, and the thickness thereof is, for example, 20 to 600 μm.
m. The copper plate is preferable as a member constituting the first metal plate 2 because it has low electrical resistance and high thermal conductivity.

第1金属板2が銅板である場合、第1金属板2は、例えば無酸素銅である。第1金属板2として無酸素銅を用いた場合には、第1金属板2と絶縁基板1とを接合する際に、第1金属板2表面が銅中に存在する酸素によって酸化されることが低減されるとともに、ろう材との濡れ性が良好となるので、絶縁基板1との接合強度が向上する。   When the first metal plate 2 is a copper plate, the first metal plate 2 is, for example, oxygen-free copper. When oxygen-free copper is used as the first metal plate 2, the surface of the first metal plate 2 is oxidized by oxygen present in the copper when the first metal plate 2 and the insulating substrate 1 are joined. And the wettability with the brazing material is improved, so that the bonding strength with the insulating substrate 1 is improved.

また、第1金属板2が銅板であり、かつ、ろう材が銅成分を有する場合には、ろう材および第1金属板2の両部材の接合部において互いの部材中の銅成分が拡散し合うことによって拡散層が形成されるので、第1金属板2およびろう材が互いに強固に接合されることとなり好ましい。   In addition, when the first metal plate 2 is a copper plate and the brazing material has a copper component, the copper component in each member diffuses at the joint portion of both the brazing material and the first metal plate 2. Since the diffusion layer is formed by fitting, the first metal plate 2 and the brazing material are preferably firmly bonded to each other.

また、図1に示す例において、中央部の第1金属板2Bの上面には接合材を介して電子部品5が実装されており、この電子部品5は、他の第1金属板2A、2Cに、ボンディングワイヤ6等の導電性接続材によって接続される。このように、図1に示す例において、第1金属板2は、回路導体として機能している。また、第1金属板2は、回路基板に搭載される電子部品5のマウント用の金属部材、接地導体用の金属部材としても用いることができる。また、後述する第2金属板3は主に放熱板として用いられる。このように、第1金属板2は、例えば数十A程度の比較的大きな電流を通電するための導電路として、セラミックス等からなる絶縁基板1に接合されて用いられる。   Moreover, in the example shown in FIG. 1, the electronic component 5 is mounted on the upper surface of the first metal plate 2B at the center via a bonding material, and the electronic component 5 includes the other first metal plates 2A and 2C. Are connected by a conductive connecting material such as a bonding wire 6. Thus, in the example shown in FIG. 1, the first metal plate 2 functions as a circuit conductor. The first metal plate 2 can also be used as a metal member for mounting the electronic component 5 mounted on the circuit board and a metal member for the ground conductor. Moreover, the 2nd metal plate 3 mentioned later is mainly used as a heat sink. As described above, the first metal plate 2 is used by being bonded to the insulating substrate 1 made of ceramics or the like as a conductive path for supplying a relatively large current of, for example, several tens of A.

電子部品5は、例えば、トランジスタ、CPU(Central Processing Unit)用のLS
I(Large Scale Integrated circuit)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、またはMOS−FET(Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor)等の半導体素子である。
The electronic component 5 is, for example, a transistor or an LS for a CPU (Central Processing Unit).
It is a semiconductor element such as I (Large Scale Integrated circuit), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), or MOS-FET (Metal Oxide Semiconductor-Field Effect Transistor).

電子部品5を金属板2に接合する接合材は、例えば、金属または導電性樹脂等からなる。金属から成る接合材は、例えば、半田、金−スズ(Au−Sn)合金、またはスズ−銀−銅(Sn−Ag−Cu)合金等である。導電性樹脂から成る接合材は、例えば、Agエポキシ樹脂等の熱伝導率の高い接着剤等である。   The bonding material for bonding the electronic component 5 to the metal plate 2 is made of, for example, metal or conductive resin. The bonding material made of metal is, for example, solder, a gold-tin (Au—Sn) alloy, or a tin-silver-copper (Sn—Ag—Cu) alloy. The bonding material made of conductive resin is, for example, an adhesive with high thermal conductivity such as Ag epoxy resin.

なお、第1金属板2表面に、めっき法によってめっき膜を形成しても良い。この構成によれば、接合材との濡れ性が良好となるので電子部品5を第1金属板2の表面に強固に接合することができる。めっき膜は、導電性および耐食性が高い金属を用いれば良く、例えば、ニッケル、コバルト、銅、若しくは金、またはこれらの金属材料を主成分とする合金材料が挙げられる。めっき膜の厚みは、例えば1.5〜10μmであれば良い。   A plating film may be formed on the surface of the first metal plate 2 by a plating method. According to this configuration, since the wettability with the bonding material is improved, the electronic component 5 can be firmly bonded to the surface of the first metal plate 2. The plating film may be made of a metal having high conductivity and corrosion resistance, and examples thereof include nickel, cobalt, copper, gold, and alloy materials containing these metal materials as main components. The thickness of the plating film may be, for example, 1.5 to 10 μm.

また、めっき膜は内部にリンを含有することが好ましい。例えば、ニッケル−リンのアモルファス合金のめっき膜であれば、ニッケルめっき膜の表面酸化を抑制して接合材等の濡れ性等を長く維持することができるので好ましい。また、ニッケルに対するリンの含有量が8〜15質量程度であると、ニッケル−リンのアモルファス合金が形成されやすくなって、めっき膜に対する接合材等の接着強度を更に向上させることができる。   The plating film preferably contains phosphorus inside. For example, a nickel-phosphorus amorphous alloy plating film is preferable because surface oxidation of the nickel plating film can be suppressed and wettability of a bonding material or the like can be maintained for a long time. Further, when the content of phosphorus with respect to nickel is about 8 to 15 mass, an amorphous alloy of nickel-phosphorus is easily formed, and the adhesive strength of a bonding material or the like to the plating film can be further improved.

第2金属板3は、複数の第1金属板2と対向しており、絶縁基板1の下面に接合されている。また、図1に示す例においては、この第2金属板3の上面に、上面視において、間
隙2aと重なって沿うように形成された溝3aが設けられている。この構成によれば、間隙2aの両側の第1金属板2の体積と、溝3aの両側の第2金属板3の体積とは、絶縁基板1を挟んで略等しくなる。また、複数の第1金属板2と絶縁基板1との接合面の形状は、第2金属板3と絶縁基板1との接合面の形状と、絶縁基板1を挟んで略面対称となる。よって、複数の第1金属板2と絶縁基板1との熱膨張差に起因する曲げ応力は、第2金属板3と絶縁基板1との熱膨張差に起因する曲げ応力と略等しくなるので、全体の曲げ応力は低下し、絶縁基板1のクラック発生、又は金属板2、3の剥離を抑制することができる。また、第2金属板3の上面に形成されているのは溝3aであり、この溝3aの底部は下面まで到達していないので、第2金属板3の下面の面積の減少を抑制できる。従って、第2金属板3の下面からの放熱効率を維持することができる。
The second metal plate 3 faces the plurality of first metal plates 2 and is bonded to the lower surface of the insulating substrate 1. In the example shown in FIG. 1, a groove 3a is formed on the upper surface of the second metal plate 3 so as to overlap the gap 2a when viewed from above. According to this configuration, the volume of the first metal plate 2 on both sides of the gap 2a and the volume of the second metal plate 3 on both sides of the groove 3a are substantially equal across the insulating substrate 1. In addition, the shape of the joint surface between the plurality of first metal plates 2 and the insulating substrate 1 is substantially plane symmetric with respect to the shape of the joint surface between the second metal plate 3 and the insulating substrate 1. Therefore, the bending stress resulting from the difference in thermal expansion between the plurality of first metal plates 2 and the insulating substrate 1 is substantially equal to the bending stress resulting from the difference in thermal expansion between the second metal plate 3 and the insulating substrate 1. The overall bending stress is reduced, and cracks in the insulating substrate 1 or peeling of the metal plates 2 and 3 can be suppressed. Further, the groove 3a is formed on the upper surface of the second metal plate 3, and the bottom of the groove 3a does not reach the lower surface, so that the reduction of the area of the lower surface of the second metal plate 3 can be suppressed. Therefore, the heat dissipation efficiency from the lower surface of the second metal plate 3 can be maintained.

第2金属板3の材料及び寸法、第2金属板3上のめっき膜、並びに第2金属板3の絶縁基板1への接合方法は、第1金属板2と同様である。   The material and dimensions of the second metal plate 3, the plating film on the second metal plate 3, and the method of joining the second metal plate 3 to the insulating substrate 1 are the same as those of the first metal plate 2.

図1に示す例においては、第2金属板3の上面が、絶縁基板1への接合面となっている。   In the example shown in FIG. 1, the upper surface of the second metal plate 3 is a bonding surface to the insulating substrate 1.

図1(b)、(c)に示す例のように、第2金属板3の上面に形成されているのは溝3aである。この溝3aの底部は、第2金属板3の下面まで到達していない。よって、図1(b)、(c)に示す例のように、第2金属板3は、各第1金属板2A、2B、2Cに絶縁基板1を介して対向する複数の対向領域を有しており、かつ、これら複数の対向領域は互いに下面側(z方向の負の側)で連結している。   As in the example shown in FIGS. 1B and 1C, the groove 3 a is formed on the upper surface of the second metal plate 3. The bottom of the groove 3 a does not reach the lower surface of the second metal plate 3. Therefore, as in the example shown in FIGS. 1B and 1C, the second metal plate 3 has a plurality of facing regions that face each of the first metal plates 2A, 2B, and 2C via the insulating substrate 1. In addition, the plurality of facing regions are connected to each other on the lower surface side (the negative side in the z direction).

溝3aの幅は、第2金属板3の形状及び寸法にもよるが、例えば、約0.5〜12mmであ
る。また、溝3aの深さは、第2金属板3の厚みにもよるが、例えば、約5〜500μmで
ある。
The width of the groove 3a is, for example, about 0.5 to 12 mm, although it depends on the shape and dimensions of the second metal plate 3. Moreover, although the depth of the groove | channel 3a is based also on the thickness of the 2nd metal plate 3, it is about 5-500 micrometers, for example.

図1(b)に示す例のように、溝3aと間隙2aとは上面視において側面の位置が同一であり、かつ、溝3aの幅は、間隙2aの幅と同一であることが好ましい。この場合には、複数の第1金属板2と絶縁基板1との接合面は、形状だけでなく大きさにおいても、第2金属板3と絶縁基板1との接合面と同一となる。よって、絶縁基板1上面における第1金属板2との熱膨張差、および、絶縁基板1下面における第2金属板3との熱膨張差は、さらに等しくなるので、絶縁基板1のクラック発生、又は金属板2、3の剥離をさらに抑制することができる。   As in the example shown in FIG. 1 (b), it is preferable that the groove 3a and the gap 2a have the same side surface position in a top view, and the width of the groove 3a is the same as the width of the gap 2a. In this case, the bonding surfaces of the plurality of first metal plates 2 and the insulating substrate 1 are the same as the bonding surfaces of the second metal plate 3 and the insulating substrate 1 not only in shape but also in size. Therefore, the difference in thermal expansion with the first metal plate 2 on the upper surface of the insulating substrate 1 and the difference in thermal expansion with the second metal plate 3 on the lower surface of the insulating substrate 1 are further equal. The peeling of the metal plates 2 and 3 can be further suppressed.

なお、上記の「同一」とは、完全同一だけでなく、実質同一の場合も含む。実質同一の場合とは、その差が、例えば、約0.1〜1mmの場合である。   The above “same” includes not only completely the same but also substantially the same. The case where it is substantially the same is a case where the difference is about 0.1 to 1 mm, for example.

また、図1(b)に示す例のように、溝3aの幅は、間隙2aの幅と同一であり、かつ、溝3aの深さは、第2金属板3の厚みの半分以上であることが好ましい。この構成のように、溝3aの幅が、間隙2aの幅と同一であれば、溝3aの深さが深くなるほど、第2金属板3の金属量は、複数の第1金属板2の金属量に近接するので、両部材の熱膨張量も近似する。従って、絶縁基板1上面における第1金属板2との熱膨張差、および、絶縁基板1下面における第2金属板3との熱膨張差は、さらに等しくなるので、絶縁基板1のクラック発生、又は金属板2、3の剥離をさらに抑制することができる。   Further, as in the example shown in FIG. 1B, the width of the groove 3a is the same as the width of the gap 2a, and the depth of the groove 3a is more than half of the thickness of the second metal plate 3. It is preferable. If the width of the groove 3a is the same as the width of the gap 2a as in this configuration, the metal amount of the second metal plate 3 increases as the depth of the groove 3a increases. Since it is close to the amount, the amount of thermal expansion of both members is also approximated. Accordingly, the difference in thermal expansion with the first metal plate 2 on the upper surface of the insulating substrate 1 and the difference in thermal expansion with the second metal plate 3 on the lower surface of the insulating substrate 1 are further equal. The peeling of the metal plates 2 and 3 can be further suppressed.

次に、図2を用いて、本発明の他の実施形態の例を説明する。図2(a)、(b)の断面図は、それぞれ図1(b)の要部であるB部の他の例を示している。   Next, an example of another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The cross-sectional views of FIGS. 2A and 2B show other examples of the B part, which is the main part of FIG.

図2(a)、(b)に示す例においては、複数の第1金属板2は、間隙2aを介して、
互いに側面が対向しており、この側面は、厚み方向の中央部が第1金属板2の上面側及び下面側よりも突き出ている。この構成により、突き出ていない下面側では、第1金属板2同士の沿面距離が近接しないので、沿面放電の発生を抑制できる。また、上面側でも、第1金属板2の角部同士の距離が近接しないので、空中での放電を抑制できる。また、このように、下面側および上面側で放電を抑制できると同時に、厚み方向の中央部は突き出ているので、第1金属板2の体積を増大させることができ、電気抵抗を低下させることができる。
In the example shown in FIGS. 2A and 2B, the plurality of first metal plates 2 are interposed via gaps 2a.
The side surfaces are opposed to each other, and the central portions in the thickness direction of the side surfaces protrude from the upper surface side and the lower surface side of the first metal plate 2. With this configuration, the creeping distance between the first metal plates 2 is not close on the lower surface side that does not protrude, so that the occurrence of creeping discharge can be suppressed. Moreover, since the distance between the corners of the first metal plate 2 is not close even on the upper surface side, discharge in the air can be suppressed. Moreover, since the discharge can be suppressed on the lower surface side and the upper surface side in this way, the central portion in the thickness direction protrudes, so that the volume of the first metal plate 2 can be increased and the electrical resistance can be reduced. Can do.

図2(a)に示す例のように、複数の第1金属板2の側面において、厚み方向の中央部は突起状に突き出ていても良い。   As in the example illustrated in FIG. 2A, the central portion in the thickness direction may protrude in a protruding shape on the side surfaces of the plurality of first metal plates 2.

図2(b)に示す例のように、複数の第1金属板2の側面は、凸形状の曲面となっていることが好ましい。この場合には、側面において突き出ている中央部同士で空中放電が起きる可能性をより低減することができる。   As in the example shown in FIG. 2B, the side surfaces of the plurality of first metal plates 2 are preferably convex curved surfaces. In this case, it is possible to further reduce the possibility that air discharge occurs between the central portions protruding on the side surfaces.

次に、本発明の図2に示す例の実施形態に係る回路基板1の製造方法について図3(a)〜(e)を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the circuit board 1 according to the embodiment of the example shown in FIG. 2 of the present invention will be described with reference to FIGS.

(1)まず、第1工程として、絶縁基板1と、下面に第1溝22aを有しており、第1溝22aを隔てて配置された複数の第1金属板領域22A、22B、22Cを有する第1金属板母材22と、上面に第1溝22aと線対称な形状の第2溝3a(前述の溝3a)が設けられた第2金属板3と、を準備する。なお、ここでは、第1金属板母材22、および第2金属板3の材料として、例えば、銅を用いた例を示す。   (1) First, as a first step, an insulating substrate 1 and a plurality of first metal plate regions 22A, 22B, and 22C that have a first groove 22a on the lower surface and are disposed with the first groove 22a therebetween are provided. A first metal plate base material 22 and a second metal plate 3 provided with a second groove 3a (symmetrical to the first groove 22a) on the upper surface (the groove 3a described above) are prepared. Here, for example, copper is used as the material for the first metal plate base material 22 and the second metal plate 3.

第1溝22aを有する第1金属板母材22を形成するには、平板状の金属板21における絶縁基板1との接合面側に、例えばエッチング処理を行って溝を形成する。エッチング液には、例えば、塩化第二鉄が用いられる。当該エッチング処理に際しては、まず、図3(a)のように、第1金属板領域22A、22B、22Cに対応する部分にマスキング7を施す。   In order to form the first metal plate base material 22 having the first groove 22a, a groove is formed by performing, for example, an etching process on the joining surface side of the flat metal plate 21 with the insulating substrate 1. For example, ferric chloride is used as the etching solution. In the etching process, masking 7 is first applied to the portions corresponding to the first metal plate regions 22A, 22B, and 22C as shown in FIG.

次に、金属の厚みの60%程度の深さまでエッチング処理を行い、所定位置に第1溝22aを形成する。その後マスキング7を剥離することで、図3(b)のように第1溝22aが形成された第1金属板母材22を得ることができる。   Next, etching is performed to a depth of about 60% of the thickness of the metal to form the first groove 22a at a predetermined position. Thereafter, the masking 7 is peeled off to obtain the first metal plate base material 22 in which the first grooves 22a are formed as shown in FIG.

上記のようにエッチング処理を用い、かつ、エッチング時間等の条件を調節することによって、絶縁基板1との接合面側から厚み方向の中央部に向かって幅が狭くなっている第1溝22aを容易に形成することができる。   By using the etching process as described above and adjusting the conditions such as the etching time, the first groove 22a whose width is narrowed from the joint surface side with the insulating substrate 1 toward the central portion in the thickness direction is formed. It can be formed easily.

第2金属板3には、その上面(絶縁基板1との接合面)に、第1溝22aと線対称な形状の第2溝3a(前述の溝3a)を設ける。第2溝3aの形成方法は、前述した第1溝22aの形成方法と同様である。   The second metal plate 3 is provided with a second groove 3a (the groove 3a described above) having a shape symmetrical to the first groove 22a on the upper surface (bonding surface with the insulating substrate 1). The method of forming the second groove 3a is the same as the method of forming the first groove 22a described above.

(2)次に、第2工程として、図3(c)に示すように、第1金属板母材22の下面を絶縁基板1の上面に配置し、上面視した際に第2溝3aが第1溝22aと重なって沿うように、かつ、第2金属板3が複数の第1金属板領域22A、22B、22Cと対向するように、第2金属板3の上面を絶縁基板1の下面に配置する。この配置の結果、第1溝22aと第2溝3aとは絶縁基板1を介して面対称な形状となる。   (2) Next, as a second step, as shown in FIG. 3C, the lower surface of the first metal plate base material 22 is disposed on the upper surface of the insulating substrate 1, and the second groove 3a is formed when viewed from above. The upper surface of the second metal plate 3 is placed on the lower surface of the insulating substrate 1 so as to overlap the first groove 22a and so that the second metal plate 3 faces the first metal plate regions 22A, 22B, 22C. To place. As a result of this arrangement, the first groove 22a and the second groove 3a have a plane-symmetric shape through the insulating substrate 1.

なお、本工程においては、第1金属板母材22および第2金属板3の配置前に、図3(c)に示すように、絶縁基板1の両主面にろう材を予め所定の位置に例えばスクリーン印刷等の方法で所定の形状に塗布する。このろう材は、例えば、銀、銅を主成分とし、さらに
Tiを含み、In、又はSnによって融点を790℃程度に調整したものが用いられる。
In this step, before placing the first metal plate base material 22 and the second metal plate 3, as shown in FIG. 3C, a brazing material is previously placed on both main surfaces of the insulating substrate 1 at predetermined positions. For example, it is applied in a predetermined shape by a method such as screen printing. As this brazing material, for example, a material mainly composed of silver and copper, further containing Ti, and having a melting point adjusted to about 790 ° C. with In or Sn is used.

(3)次に、第3工程として、加熱処理によって、第1金属板母材22および第2金属板3を絶縁基板1に接合させる。この工程では、第2工程で得られた積層体を、真空炉内に載置し、真空状態において830℃程度で熱処理を行う。これにより、ろう材が溶融し、冷却することでろう材が固化し、第1金属板母材22および第2金属板3を絶縁基板1に接合される。   (3) Next, as a third step, the first metal plate base material 22 and the second metal plate 3 are joined to the insulating substrate 1 by heat treatment. In this step, the laminated body obtained in the second step is placed in a vacuum furnace, and heat treatment is performed at about 830 ° C. in a vacuum state. Thus, the brazing material is melted and cooled to solidify the brazing material, and the first metal plate base material 22 and the second metal plate 3 are joined to the insulating substrate 1.

(4)次に、第4工程として、第1金属板母材22の上面から第1溝22aの底部までの部分を除去し、互いに間隙2aを空けて分離された複数の第1金属板2を形成する。   (4) Next, as a fourth step, a plurality of first metal plates 2 separated from each other with a gap 2a are removed by removing a portion from the upper surface of the first metal plate base material 22 to the bottom of the first groove 22a. Form.

本工程は、例えば、エッチング処理によって、第1金属板母材22の上面から第1溝22aの底部までの部分を除去する。エッチング処理を行う場合には、まず、図3(d)に示すように、第1金属板母材22の上面、および第2金属板3の下面にマスキング7を施す。第1金属板母材22の上面のマスキング7は、第1溝22aに対応する部分を除くようにする。   In this step, for example, a portion from the upper surface of the first metal plate base material 22 to the bottom of the first groove 22a is removed by an etching process. When performing the etching process, first, masking 7 is applied to the upper surface of the first metal plate base material 22 and the lower surface of the second metal plate 3 as shown in FIG. The masking 7 on the upper surface of the first metal plate base material 22 excludes a portion corresponding to the first groove 22a.

そして、前述と同様、塩化第二鉄によって2回目のエッチング処理を行った後、マスキング7を除去することによって、図3(e)のような、本発明の回路基板10を得る。   Then, after the second etching process with ferric chloride as described above, the masking 7 is removed to obtain the circuit board 10 of the present invention as shown in FIG.

このようにエッチング処理を用いることによって除去した部分は、エッチング時間等の条件を調節することによって、上面から厚み方向の中央部に向かって幅が狭くなる。よって、図2に示す例のように、厚み方向の中央部が第1金属板2の上面側及び下面側よりも突き出ている側面を形成することができる。   Thus, the width of the portion removed by using the etching process becomes narrower from the upper surface toward the central portion in the thickness direction by adjusting the conditions such as the etching time. Therefore, as in the example shown in FIG. 2, it is possible to form side surfaces in which the central portion in the thickness direction protrudes from the upper surface side and the lower surface side of the first metal plate 2.

また、第1金属板2の側面を、凸形状の曲面とするためには、中央部が突き出た側面に対して、さらにエッチング処理を行い、突起形状等を除去すれば良い。   Further, in order to make the side surface of the first metal plate 2 have a convex curved surface, the side surface from which the central portion protrudes may be further subjected to etching treatment to remove the projection shape and the like.

なお、図2に示す例の製造方法においては、例えば、切削等の機械加工によって、中央部が突き出た側面を形成しても良い。この場合には、切削の刃を所定の形状に調整すれば良い。   In the example manufacturing method shown in FIG. 2, the side surface with the central portion protruding may be formed by machining such as cutting. In this case, the cutting blade may be adjusted to a predetermined shape.

また、必要に応じて第1金属板2および第2金属板3の表面にニッケルめっきを施してもよい。   Moreover, you may nickel-plat on the surface of the 1st metal plate 2 and the 2nd metal plate 3 as needed.

上述したように、本発明の製造方法においては、間隙2aの形成工程を2回に分けている。2回のうち1回目は、第1金属板母材22において、絶縁基板1との接合面に、マスキング7をした後エッチング処理を施して、間隙2aの一部である第1溝22aを形成する。   As described above, in the manufacturing method of the present invention, the step of forming the gap 2a is divided into two times. In the first of the two times, the first metal plate base material 22 is subjected to an etching process after masking 7 on the joint surface with the insulating substrate 1 to form a first groove 22a which is a part of the gap 2a. To do.

一方、一般的に、エッチングによって形成する溝は、その深さが深いほど、溝の幅も広くなる。よって、例えば、第1溝を有さない第1金属板母材をろう付け後、絶縁基板1との接合面とは反対側の面(上面)から、1回のみのエッチング処理で間隙2aを形成する場合、絶縁基板1表面上における、複数の第1金属板2同士の間隙2aは比較的大きくなってしまう。よって、間隙2aの形成を2回に分け、1回目のエッチングを絶縁基板1と
の接合面側から行って第1溝22aを形成した場合、第1金属板2の高密度配置が可能となる。
On the other hand, in general, the depth of the groove formed by etching increases as the depth increases. Therefore, for example, after brazing the first metal plate base material not having the first groove, the gap 2a is formed by etching only once from the surface (upper surface) opposite to the bonding surface with the insulating substrate 1. When formed, the gap 2a between the plurality of first metal plates 2 on the surface of the insulating substrate 1 becomes relatively large. Therefore, when the formation of the gap 2a is divided into two times and the first etching is performed from the bonding surface side with the insulating substrate 1 to form the first groove 22a, the first metal plate 2 can be arranged at high density. .

なお、以上の効果は、第1溝22aをエッチングで形成した場合だけでなく、前述したように機械加工で形成した場合も同様である。   The above effect is the same not only when the first groove 22a is formed by etching but also when it is formed by machining as described above.

また、本発明の製造方法においては、間隙2aの形成工程を2回に分け、1回目の形成
工程では、あえて溝(第1溝22a)の状態で形成を止めている。よって、第1溝22aの底部は第1金属板母材22の上面まで到達していないので、第3工程の加熱処理中、複数の第1金属板領域22A、22B、22Cは互いに連結している状態である。よって、例えば、複数の第1金属板が互いに分離した状態で加熱処理を行う場合と比較して、加熱中の絶縁基板1における曲げ変形は第1金属板母材22によって抑制される。よって、製造中における絶縁基板1のクラック発生、又は金属板2、3の剥離を抑制することができる。
In the manufacturing method of the present invention, the formation process of the gap 2a is divided into two, and the formation is stopped in the state of the groove (first groove 22a) in the first formation process. Therefore, since the bottom of the first groove 22a does not reach the upper surface of the first metal plate base material 22, the plurality of first metal plate regions 22A, 22B, and 22C are connected to each other during the heat treatment in the third step. It is in a state. Therefore, for example, the bending deformation in the insulating substrate 1 during heating is suppressed by the first metal plate base material 22 as compared with the case where the heat treatment is performed in a state where the plurality of first metal plates are separated from each other. Therefore, the generation of cracks in the insulating substrate 1 or the peeling of the metal plates 2 and 3 during manufacture can be suppressed.

次に、本発明の図1に示す例の実施形態に係る回路基板1の製造方法について、前述した図2の例と異なる点を説明する。   Next, the manufacturing method of the circuit board 1 according to the embodiment of the example shown in FIG. 1 of the present invention will be described while referring to differences from the example of FIG.

まず、第1溝22aを有する第1金属板母材22を形成する第1工程では、例えば、平板状の金属板21における絶縁基板1との接合面側に、側面が平坦な切削工具等を用いた機械加工によって、第1溝22aを形成する。このような機械加工により、内側面が平坦である第1溝22aを容易に形成することができる。   First, in the first step of forming the first metal plate base material 22 having the first groove 22a, for example, a cutting tool having a flat side surface is provided on the side of the flat metal plate 21 joined to the insulating substrate 1. The first groove 22a is formed by the used machining. By such machining, the first groove 22a having a flat inner surface can be easily formed.

また、第1金属板母材22の上面から第1溝22aの底部までの部分を除去する第4工程では、例えば、側面が平坦な切削工具等を用いた機械加工によって、第1金属板母材22の上面から第1溝22aの底部までの部分を除去する。このような機械加工によって、側面が平坦である複数の第1金属板2を容易に形成することができる。   Further, in the fourth step of removing the portion from the upper surface of the first metal plate base material 22 to the bottom of the first groove 22a, the first metal plate base is performed by machining using a cutting tool having a flat side surface, for example. The part from the upper surface of the material 22 to the bottom of the first groove 22a is removed. By such machining, a plurality of first metal plates 2 whose side surfaces are flat can be easily formed.

なお、図1に示す例の製造方法において、例えば、エッチング処理によって、側面が平坦である複数の第1金属板2を形成しても良い。この場合には、エッチングの条件を適宜調整すれば良い。   In the manufacturing method of the example shown in FIG. 1, a plurality of first metal plates 2 whose side surfaces are flat may be formed by, for example, etching. In this case, the etching conditions may be adjusted as appropriate.

次に、図4を用いて、本発明の他の実施形態の例を説明する。図4(a)、(b)の断面図は、それぞれ図1(b)の要部であるB部の他の例を示している。   Next, an example of another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The cross-sectional views of FIGS. 4A and 4B show other examples of the B part, which is the main part of FIG.

図4(a)、(b)に示す例においては、上面視において、間隙2aの側面の位置と、溝3aの側面の位置とが異なっている。このような構成によれば、絶縁基板1は、上面視した際における特定の位置で、複数の第1金属板2との間で生じる熱応力と、第2金属板3との間で生じる熱応力とが重なることを防ぐことができる。よって、絶縁基板1のクラック発生を抑制することができる。   In the example shown in FIGS. 4A and 4B, the position of the side surface of the gap 2a is different from the position of the side surface of the groove 3a in the top view. According to such a configuration, the insulating substrate 1 has the thermal stress generated between the plurality of first metal plates 2 and the heat generated between the second metal plates 3 at a specific position when viewed from above. It is possible to prevent the stress from overlapping. Therefore, generation of cracks in the insulating substrate 1 can be suppressed.

図4(a)に示す例のように、溝3aの幅は、間隙2aの幅より狭いことが好ましい。この場合には、溝3a周辺において、絶縁基板1への接合面積は、第2金属板3の方が第1金属板2より大きくなる。従って、電子部品5の作動で生じた熱が、複数の第1金属板2を介して第2金属板3に伝わる際の経路の幅が広くなる。よって、第2金属板3に伝わった熱は、厚み方向だけでなく、x−y平面方向にも広がるので、放熱効率が高まり、熱膨張量の差を小さくできるので、絶縁基板1のクラック発生、または、金属板2、3の剥離を抑制することができる。   As in the example shown in FIG. 4A, the width of the groove 3a is preferably narrower than the width of the gap 2a. In this case, the bonding area to the insulating substrate 1 is larger in the second metal plate 3 than in the first metal plate 2 around the groove 3a. Accordingly, the width of the path when the heat generated by the operation of the electronic component 5 is transmitted to the second metal plate 3 via the plurality of first metal plates 2 is widened. Therefore, since the heat transmitted to the second metal plate 3 spreads not only in the thickness direction but also in the xy plane direction, the heat dissipation efficiency can be increased and the difference in thermal expansion can be reduced. Or peeling of the metal plates 2 and 3 can be suppressed.

なお、図4(a)に示す寸法の例としては、例えば、間隙2aの幅が約5mmである場合、溝3aの幅は、約0.5〜4mmであればよい。   As an example of the dimensions shown in FIG. 4A, for example, when the width of the gap 2a is about 5 mm, the width of the groove 3a may be about 0.5 to 4 mm.

また、図4(a)に示す例のように、溝3aの幅は、間隙2aの幅より狭く、かつ、溝3aの深さは、第2金属板3の厚みの半分以上であることが好ましい。この構成においては、溝3aの幅を間隙2aの幅より狭くした分、第2金属板3の金属量が複数の第1金属板2の金属量より多くなっているが、前述した場合と同様、溝3aの深さが深くなるほど、第2金属板3の金属量は、複数の第1金属板2の金属量に近接するので、両部材の熱膨張量も近似させることができる。従って、絶縁基板1上面における第1金属板2との熱膨
張差、および、絶縁基板1下面における第2金属板3との熱膨張差は、さらに等しくなるので、絶縁基板1のクラック発生、又は金属板2、3の剥離をさらに抑制することができる。
4A, the width of the groove 3a is narrower than the width of the gap 2a, and the depth of the groove 3a is not less than half the thickness of the second metal plate 3. In the example shown in FIG. preferable. In this configuration, the amount of metal in the second metal plate 3 is larger than the amount of metal in the plurality of first metal plates 2 because the width of the groove 3a is narrower than the width of the gap 2a. As the depth of the groove 3a becomes deeper, the amount of metal of the second metal plate 3 is closer to the amount of metal of the plurality of first metal plates 2, so that the amount of thermal expansion of both members can be approximated. Accordingly, the difference in thermal expansion with the first metal plate 2 on the upper surface of the insulating substrate 1 and the difference in thermal expansion with the second metal plate 3 on the lower surface of the insulating substrate 1 are further equal. The peeling of the metal plates 2 and 3 can be further suppressed.

図4(b)に示す例のように、溝3aの幅は、間隙2aの幅より広いことが好ましい。図4(b)に示す例では、第2金属板3が溝3aの両側で完全に分離していない分、間隙2aの両側で完全に分離している複数の第1金属板2より金属量が多くなっているが、溝3aの幅を、間隙2aの幅より広げることによって、第2金属板3の金属量は、複数の第1金属板2の金属量に近接するので、両部材の熱膨張量も近似する。従って、絶縁基板1上面における第1金属板2との熱膨張差、および、絶縁基板1下面における第2金属板3との熱膨張差は、さらに等しくなるので、絶縁基板1のクラック発生、又は金属板2、3の剥離をさらに抑制することができる。   As in the example shown in FIG. 4B, the width of the groove 3a is preferably wider than the width of the gap 2a. In the example shown in FIG. 4B, the amount of metal is more than that of the plurality of first metal plates 2 that are completely separated on both sides of the gap 2a because the second metal plate 3 is not completely separated on both sides of the groove 3a. However, since the metal amount of the second metal plate 3 is close to the metal amount of the plurality of first metal plates 2 by making the width of the groove 3a wider than the width of the gap 2a, The amount of thermal expansion is also approximate. Accordingly, the difference in thermal expansion with the first metal plate 2 on the upper surface of the insulating substrate 1 and the difference in thermal expansion with the second metal plate 3 on the lower surface of the insulating substrate 1 are further equal. The peeling of the metal plates 2 and 3 can be further suppressed.

なお、図4(b)に示す寸法の例としては、例えば、間隙2aの幅が約1mmである場合、溝3aの幅は、約2〜5mmであればよい。   As an example of the dimensions shown in FIG. 4B, for example, when the width of the gap 2a is about 1 mm, the width of the groove 3a may be about 2 to 5 mm.

また、図4(b)に示す例のように、溝3aの幅が、間隙2aの幅より広く、かつ、溝3aの深さは、第2金属板3の厚みの半分以下であることが好ましい。この構成によれば、溝3aの底部から第2金属板3の下面にかけて、第2金属板3の厚みを確保できるため、当該厚み部分を通過する熱容量を増大させることができ、第2金属板3からの放熱量を増大させることができる。   Further, as in the example shown in FIG. 4B, the width of the groove 3 a is wider than the width of the gap 2 a and the depth of the groove 3 a is less than half the thickness of the second metal plate 3. preferable. According to this structure, since the thickness of the 2nd metal plate 3 can be ensured from the bottom part of the groove | channel 3a to the lower surface of the 2nd metal plate 3, the heat capacity which passes the said thickness part can be increased, and the 2nd metal plate The amount of heat released from 3 can be increased.

次に、図5を用いて、本発明の他の実施形態の例を説明する。図5(a)は、当該他の実施形態の上面図を示し、図5(b)は、当該他の実施形態の断面図を示しており、(c)は下面図である。   Next, an example of another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5A shows a top view of the other embodiment, FIG. 5B shows a cross-sectional view of the other embodiment, and FIG. 5C is a bottom view.

図5に示す例においても、図4と同様に、上面視において、間隙2aの側面の位置と、溝3aの側面の位置とが異なっている。よって、上記と同様の効果を有する。   Also in the example shown in FIG. 5, as in FIG. 4, the position of the side surface of the gap 2a and the position of the side surface of the groove 3a are different in a top view. Therefore, it has an effect similar to the above.

図5に示す例のように、溝3aの基板内部側の側面は、間隙2aの基板外縁側の側面に近接していることが好ましい。このような構成によれば、第2金属板3における、電子部品5が搭載された第1金属板2Bに対する対向領域の幅を、第1金属板2Bの幅より大幅に広くすることができる。従って、電子部品5で発生し、第1金属板2Bを介して伝わってきた熱を、第1金属板2Bに対する対向領域から良好に放熱することができる。   As in the example shown in FIG. 5, the side surface of the groove 3a on the substrate inner side is preferably close to the side surface of the gap 2a on the outer edge side of the substrate. According to such a structure, the width | variety of the opposing area | region with respect to the 1st metal plate 2B in which the electronic component 5 was mounted in the 2nd metal plate 3 can be made significantly wider than the width | variety of the 1st metal plate 2B. Therefore, the heat generated in the electronic component 5 and transmitted through the first metal plate 2B can be radiated favorably from the region facing the first metal plate 2B.

なお、本発明の金属板等は上記実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。   In addition, the metal plate of this invention is not limited to the example of the said embodiment, A various change is possible if it is in the range of the summary of this invention.

例えば、活性金属入りのろう材4で絶縁基板1の上下面に第1金属板2、第2金属板3を接合する構造について説明したが、ろう付けの代わりに、銅直接接合法(DBC法)を用いてもよい。   For example, the structure in which the first metal plate 2 and the second metal plate 3 are bonded to the upper and lower surfaces of the insulating substrate 1 with the brazing material 4 containing active metal has been described. Instead of brazing, a copper direct bonding method (DBC method) is used. ) May be used.

また、複数の第1金属板2、および第2金属板3の材料としては、上述した銅の代わりに、例えば、アルミニウムを使用してもよい。なお、アルミニウムから成る金属板2,3を絶縁基板1に接合する際には、例えば、アルミろうが用いられる。   Moreover, as a material of the plurality of first metal plates 2 and the second metal plate 3, for example, aluminum may be used instead of the copper described above. When joining the metal plates 2 and 3 made of aluminum to the insulating substrate 1, for example, an aluminum brazing is used.

次に、図6を用いて、本発明の他の実施形態の例を説明する。図6(a)は、当該他の実施形態の上面図を示し、図6(b)は、当該他の実施形態の断面図を示しており、図6(c)は下面図である。   Next, an example of another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6A shows a top view of the other embodiment, FIG. 6B shows a cross-sectional view of the other embodiment, and FIG. 6C is a bottom view.

図6に示す例においては、この第2金属板3の下面に、上面視において、間隙2aと重なって沿うように形成された溝3aが設けられている。この構成によれば、間隙2aの両側の第1金属板2の体積と、溝3aの両側の第2金属板3の体積とは、絶縁基板1を挟んで略等しくなる。よって、複数の第1金属板2と絶縁基板1との熱膨張差に起因する曲げ応力は、第2金属板3と絶縁基板1との熱膨張差に起因する曲げ応力と略等しくなるので、全体の曲げ応力は低下し、絶縁基板1のクラック発生、又は金属板2、3の剥離を抑制することができる。また、第2金属板3の下面に形成されているのは溝3aであり、この溝3aの底部は上面まで到達していないので、第2金属板3の上面の面積の減少を抑制できる。従って、第1金属板2を経て絶縁基板1に伝わった熱が、効率的に第2金属板3に伝わるので、第2金属板3の下面からの放熱効率を向上することができる。   In the example shown in FIG. 6, a groove 3a is formed on the lower surface of the second metal plate 3 so as to overlap the gap 2a when viewed from above. According to this configuration, the volume of the first metal plate 2 on both sides of the gap 2a and the volume of the second metal plate 3 on both sides of the groove 3a are substantially equal across the insulating substrate 1. Therefore, the bending stress resulting from the difference in thermal expansion between the plurality of first metal plates 2 and the insulating substrate 1 is substantially equal to the bending stress resulting from the difference in thermal expansion between the second metal plate 3 and the insulating substrate 1. The overall bending stress is reduced, and cracks in the insulating substrate 1 or peeling of the metal plates 2 and 3 can be suppressed. In addition, the groove 3a is formed on the lower surface of the second metal plate 3, and the bottom of the groove 3a does not reach the upper surface, so that a reduction in the area of the upper surface of the second metal plate 3 can be suppressed. Therefore, the heat transferred to the insulating substrate 1 through the first metal plate 2 is efficiently transferred to the second metal plate 3, so that the heat radiation efficiency from the lower surface of the second metal plate 3 can be improved.

1・・・絶縁基板
2・・・第1金属板
2a・・・間隙
3・・・第2金属板
3a・・溝(第2溝)
4・・・ろう材
5・・・電子部品
6・・・ボンディングワイヤ
7・・・マスキング
10・・・回路基板
20・・・電子装置
22・・・第1金属板母材
22a・・・第1溝
22A、22B、22C・・・複数の第1金属板領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate 2 ... 1st metal plate 2a ... Gap 3 ... 2nd metal plate 3a .... groove | channel (2nd groove | channel)
4 ... brazing material 5 ... electronic component 6 ... bonding wire 7 ... masking
10 ... Circuit board
20 ... Electronic device
22 ... 1st metal plate base material
22a ... 1st groove
22A, 22B, 22C ... Multiple first metal plate regions

Claims (8)

絶縁基板と、
該絶縁基板の上面に、互いに間隙を空けて接合された複数の第1金属板と、
該複数の第1金属板と対向しており、前記絶縁基板の下面に接合された第2金属板と、を有しており、
前記第2金属板の上面又は下面に、上面視において、前記間隙と重なって沿うように形成された溝が設けられており、
上面視において、前記間隙の側面の位置と、前記溝の側面の位置とが異なっている
回路基板。
An insulating substrate;
A plurality of first metal plates joined to the upper surface of the insulating substrate with a gap therebetween;
A second metal plate facing the plurality of first metal plates and bonded to the lower surface of the insulating substrate;
On the upper surface or the lower surface of the second metal plate, there is provided a groove formed so as to overlap the gap in the top view ,
A circuit board in which a position of a side surface of the gap is different from a position of a side surface of the groove in a top view .
前記複数の第1金属板は、前記間隙を介して、互いに側面が対向しており、
該側面は、厚み方向の中央部が前記第1金属板の上面側及び下面側よりも突き出ている
請求項1記載の回路基板。
The side surfaces of the plurality of first metal plates are opposed to each other through the gap,
The circuit board according to claim 1, wherein a central portion in the thickness direction of the side surface protrudes from an upper surface side and a lower surface side of the first metal plate.
前記側面は、凸形状の曲面となっている
請求項2記載の回路基板。
The circuit board according to claim 2, wherein the side surface is a convex curved surface.
前記溝の幅は、前記間隙の幅より狭い
請求項1乃至3のいずれかに記載の回路基板。
Width of the groove, the circuit board according to any one of the narrow claims 1 to 3 than the width of the gap.
前記溝の深さは、前記第2金属板の厚みの半分以上である
請求項に記載の回路基板。
The circuit board according to claim 4 , wherein a depth of the groove is at least half of a thickness of the second metal plate.
前記溝の幅は、前記間隙の幅より広い
請求項1乃至3のいずれかに記載の回路基板。
Width of the groove, the circuit board according to any one of a wide claims 1 to 3 than the width of the gap.
前記溝の深さは、前記第2金属板の厚みの半分以下である
請求項に記載の回路基板。
The circuit board according to claim 6 , wherein a depth of the groove is not more than half of a thickness of the second metal plate.
請求項1乃至請求項のいずれかに記載の回路基板と、
該回路基板に搭載された電子部品とを含んでいる
電子装置。
A circuit board according to any one of claims 1 to 7 ,
And an electronic component mounted on the circuit board.
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JP6805743B2 (en) * 2015-12-24 2020-12-23 アイシン精機株式会社 Insulated substrate
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05136290A (en) * 1991-11-11 1993-06-01 Toshiba Corp Ceramics circuit substrate
JP3491414B2 (en) * 1995-11-08 2004-01-26 三菱電機株式会社 Circuit board
JP3333409B2 (en) * 1996-11-26 2002-10-15 株式会社日立製作所 Semiconductor module
JP2000238753A (en) * 1999-02-18 2000-09-05 Chuoh Pack Industry Co Ltd Folding type double wall structure packing box
JP2001332854A (en) * 2000-05-24 2001-11-30 Toshiba Corp Ceramic circuit board
JP4969738B2 (en) * 2001-06-28 2012-07-04 株式会社東芝 Ceramic circuit board and semiconductor module using the same
JP2003133662A (en) * 2001-10-29 2003-05-09 Kyocera Corp Ceramic circuit board
JP2010238753A (en) * 2009-03-30 2010-10-21 Kyocera Corp Heat dissipation member and module using the same
JP5637719B2 (en) * 2010-03-31 2014-12-10 Dowaメタルテック株式会社 Method for manufacturing metal-ceramic bonded circuit board
TWI446495B (en) * 2011-01-19 2014-07-21 Subtron Technology Co Ltd Package carrier board and manufacturing method thereof
JP5853724B2 (en) * 2012-01-26 2016-02-09 三菱マテリアル株式会社 Manufacturing method of power module substrate with heat sink

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