JP6317115B2 - 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法 - Google Patents
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ることから、母基板の主面の分割溝から貫通孔内分割溝にかけて母基板が容易に破断され得る。例えば、母基板の第1主面の分割溝の底部を亀裂の起点とした場合には、進行する亀裂は第1部分の縦溝に沿って段差部上の分割溝に導かれやすい。さらに、第2部分において、段差部から進行した亀裂は第2部分の縦溝によって母基板の第2主面に形成された分割溝に導かれ易い。このため、母基板を個片に分割する際のバリや欠けの発生が抑制される。
界、106は分割溝、106aは貫通孔内分割溝、106bは縦溝、107は貫通孔、107aは段差部
、108は貫通孔の第1部分、109は貫通孔の第2部分、110は搭載部、111は枠状メタライズ層、112は配線導体、113は側面導体、114は捨て代領域、115はめっき用端子、116はレー
ザー光、117は貫通部、118は外部接続導体、202は配線基板、208は凹み、209は溝である
。
配列されている。第1絶縁層103aの貫通部は、後述する個片の配線基板における枠部を
形成する部分である。以下の説明において、第1絶縁層103aに関して枠状等という場合
がある。母基板101の第1主面(本実施形態においては上面)に、配線基板領域102の境界105に沿って分割溝106が形成されて、多数個取り配線基板が基本的に構成されている。
示すような個片の配線基板が作製される。作製される配線基板は、第2絶縁層104aの上
面に枠状の第1絶縁層103aが積層されてなる絶縁基板202に、上記枠状メタライズ層111
および配線導体112等が設けられて、基本的に構成されている。
ルミニウム質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化珪素質焼結体またはムライト質焼結体等のセラミック焼結体により形成されている。
された複数の配線基板領域102を取り囲むように捨て代領域114が設けられている。捨て代領域114は、多数個取り配線基板の取り扱いを容易とすること等のために設けられている
。また、捨て代領域114の対向する辺部には、各配線基板領域102の配線導体112等に電解
めっきを被着させるため、めっき用端子115が設けられている。
ている。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の、ガラス成分を含む原料粉末に適当な有機溶剤およびバインダーを添加してシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製し、この一部のものについて打ち抜き加工を施して枠状に成形した後、打ち抜き加工を施していない平板状のセラミックグリーンシートの上に枠状のセラミックグリーンシートを積層し、この積層体を一体焼成すれば、第1および第2絶縁層103a、104aが積層されてなる母基板101を作製することができる。
電子部品(図示せず)の凹状の搭載部110を有している。それぞれの配線基板領域102は個片の配線基板となる領域である。それぞれの配線基板領域102は、平板状の第2絶縁層104aの上面に枠状の第1絶縁層103aが積層された形態である。枠状の第1絶縁層103aは、搭載部110に搭載される電子部品を保護するためのものである。
子,半導体集積回路素子(IC)等の半導体素子,容量素子,インダクタ素子,抵抗器等の種々の電子部品を挙げることができる。
る。搭載部110に搭載される電子部品が配線導体112に電気的に接続されることにより、配線導体112を介して電子部品が外部の電気回路に電気的に接続される。
マンガン等の金属材料からなる。配線導体112は、例えば、モリブデンからなる場合であ
れば、モリブデンの粉末に有機溶剤およびバインダーを添加して作製した金属ペースト(図示せず)を母基板101となるセラミックグリーンシートに所定パターンに塗布しておき
、同時焼成することによって形成することができる。
配線基板領域102の境界105)で母基板101に応力を加えて母基板101を厚み方向に破断させることによって、母基板101が個片の配線基板に分割されることになる。
されている。枠状メタライズ層111に蓋体(図示せず)が接合されて、搭載部110が封止される。この実施形態の例においては、枠状メタライズ層111の上面にニッケルめっき層お
よび金めっき層(図示せず)が順次被着されている。
、枠状メタライズ層111がモリブデンのメタライズ層からなる場合であれば、モリブデン
の粉末に有機溶剤、バインダー等を添加して作製した金属ペーストを、セラミック絶縁層(上記枠部)となるセラミックグリーンシートの上面に所定パターンで印刷しておくことにより形成することができる。金属ペーストは、例えば、焼成後の枠状メタライズ層111
の厚みが8〜20μm程度となるように形成される。
度、金めっき層は0.1〜1.0μm程度に形成される。これらの金属めっき膜は、例えばめっき液中で被めっき部(枠状メタライズ層111の表面)にめっき被着用の電流を供給し、電
解めっきを施すことにより形成することができる。
している貫通孔107が設けられている。貫通孔107は、例えばその内周面にメタライズ層(図示せず)が被着されて、個片の配線基板における外部接続用等の端子が設けられる部分である。
、段差部107aよりも第1主面103に近い第1部分108において第2主面104に近い第2部分109よりも小径となっている。
における開口の大きさが、これと反対側の第2主面104における開口の大きさよりも小さ
い。これにより、例えば、第1主面103における封止領域を十分に確保しながら、母基板101を貫通する貫通孔107が実現されている。貫通孔107が母基板101を厚み方向に貫通して
いるため、例えば、貫通孔107の内周面にめっき層が被着される際のめっき液の貫通孔107内への流入および排出が容易であり、上記めっき層の被着が容易である。
内分割溝106aが設けられている。さらに、貫通孔107の第1部分108および、第2部分109における内側面に、分割溝106から貫通孔内分割溝106aにかけて延びる縦溝106bが設け
られている。なお、段差部107a上とは、段差部107aのうち母基板101の下面視において
外側から見える面部分であり、第1および第2主面103、104と平行な面である。
抑制された多数個取り配線基板を提供できる。すなわち、上記貫通孔内分割溝106aが設
けられており、貫通孔107の第1部分108および、第2部分109における内側面に上記縦溝106bが設けられていることから、母基板101の主面の分割溝106から貫通孔内分割溝106a
にかけて母基板101が容易に破断され得る。
行する亀裂は第1部分108の縦溝106bに沿って段差部107a上の分割溝106に導かれやすい。さらに、第2部分109において、段差部107aから進行した亀裂は第2部分109の縦溝106bによって母基板101の第2主面104に形成された分割溝106に導かれ易い。このため、母
基板101を個片に分割する際のバリや欠けの発生が抑制される。
ーザー光(以下、単にレーザーという)による加工方法(レーザー加工)を用いることができる。レーザー加工の特徴として、非接触加工であり機械的応力を加えることなく分割溝を形成できることから、配線基板領域102の変形を防止できるとともに、被加工物の表
面高さが変化しても、加工ラインに沿った分割溝106を形成できるということが挙げられ
る。つまり、配線基板領域102の境界に沿って、母基板101の第2主面104から貫通孔107の内周面の段差部107a上にかけて、連続してレーザーが照射されて、図2(b)で示すような分割溝106、貫通孔内分割溝106aおよび縦溝106bが形成される。
。引き続いてレーザーは第2部分109の内側面に沿って照射されるため、この内側面に上
下方向に縦溝106bが形成される。さらに、レーザーが段差部107aに照射されるため、段
差部107a上に貫通孔内分割溝106aが形成される。この場合、レーザーの照射位置は、平
面視で直線状であることから、貫通孔内分割溝106aと母基板101の上面の分割溝106とが
互いに重なる。さらに引き続いて、配線基板領域102の境界に沿って連続してレーザーが
照射されるため、第1部分108の内側面にも上下方向にレーザーが照射され、第1部分108の内側面にも縦溝106bが形成される。
孔106を挟んだ反対側についても、上記で説明した逆の工程で、第1部分108の内側面の縦溝106b、貫通孔内分割溝106a、第2部分109の内側面の縦溝106bおよび第2主面104の
分割溝106が順次形成される。
らのレーザーによる分割溝106等の形成時には、前述した第2主面104側から第1部分108
の側面に形成された縦溝106bとの位置合わせが行なわれることが望ましい。なお、分割
溝106と同様に縦溝106bにおいてもV字状に形成されることから、縦溝106bは第1主面103側の縦溝106bと第2主面104側の縦溝106bとが側面視で重なる部分において、最も幅
が狭く浅く形成されることとなる。
ザーの照射位置は、例えば画像処理装置を併用した位置合わせ用のシステムにより適宜調整される。
らず、カッター刃による機械的な加工によって行なうこともできる。この場合には、貫通孔107の部分に深く入れられるとともに、第1部分108および第2部分109において、その
内側面に対して斜めに切り込みを入れられるような特殊な形状の刃を用いてもよい。
続する部分である。この場合には、側面導体113が分割溝106によって切断されないため、互いに隣り合う配線基板領域102の配線導体112同士の電気的な接続が容易に確保される。つまり、分割溝106や縦溝106bが形成されたのちにおいても、互いに隣り合う配線基板領域102の配線導体112同士は、側面導体113により電気的に接続された状態を維持している
。この場合の縦溝106bも、例えば前述した実施形態の場合と同様のレーザー加工により
形成することができる。
部107aに向かって、漸次狭くなる。さらに、第1主面103側の分割溝106およびこれと連
続した第1部分108の内側面の縦溝106bは、第1絶縁層103aの厚み方向の中央付近から
段差部107aにかけて漸次広くなるように形成される。これは、レーザー加工では、分割
溝106がほぼV字状の縦断面で形成されるためであり、縦溝106bの形状はこのV字状に沿った形で加工痕が残るためである。
主面104側からのレーザー加工のみにより形成されるものであり、第1主面103側からのレーザー加工では形成されない。これは、第1主面103側から照射されたレーザーが段差部107aが形成される第1絶縁層103aで遮られるために、第1主面103側からのレーザーが側面導体113に照射されないためである。よって、貫通孔107に段差部107aを形成すること
は、側面導体113が隣り合う配線基板領域102同士の電気的な接続を確保して、分割溝106
によって切断されない構造とすることに効果的である。
配線導体112同士の電気的な接続状態に影響を与える場合がある。例えば、第2主面104側に形成されている分割溝106の深さが第2絶縁層104aの厚みを超えない場合でも、縦溝106bが側面導体113の厚みを超えて形成された場合、側面導体113が縦方向に分断(断線)
する。そのため、隣り合う配線基板領域102の配線導体112同士の、側面導体113による電
気的な接続状態を維持できない。よって、隣り合う配線基板領域102の配線導体112同士の電気的な接続状態を維持できるように、縦溝106bは第2部絶縁層104aの厚み方向のうち、側面導体113の厚みを超えない状態で形成される。言い換えれば、隣り合う配線基板領
域102の境界105において側面導体113が残っている領域が途切れないようにする必要があ
る。側面導体113は、例えばその厚みが10〜20μm程度で形成されている。
置に吸引孔を有する載置台の上にセラミックグリーンシートを載置するとともに、このセラミックグリーンシートの上面に貫通孔107を露出させる開口部を有する印刷マスクを載
置する。次に、この印刷マスクの上から貫通孔107内にスキージの摺動によりメタライズ
ペーストを供給するとともに、そのメタライズペーストを吸引孔から吸引する。以上の工程によって貫通孔107の内側面にメタライズペーストを塗布することができる。塗布され
たメタライズペーストは、焼成後に焼結して側面導体113として第2部分109に形成される。そして、分割溝106や貫通孔内分割溝106a、縦溝106bが形成されたのちにおいても、
配線導体112同士の電気的な接続状態が維持される。これにより、母基板101の複数の配線
基板領域102に形成された配線導体112や他の露出した導体(図示せず)の露出表面に、電解めっき法により金めっき層やニッケルめっき層等の金属めっき層が形成される。また、この場合には側面導体113の露出表面にも同様にめっき層が形成される。
よる効果であったが、焼成およびめっき工程後の母基板101に分割溝106等を形成する場合にも次のような効果が得られる。例えば、隣接する配線基板領域102の配線導体112等同士が互いに電気的に接続された状態でこれらの配線導体112に電気チェック等が行なわれる
場合、電気的に接続された複数の配線基板領域102の配線導体112が共通な電位の端子になり得る。そのため、電気チェック等の作業性の向上等に対して有効な構造の多数個取り配線基板となる。
り配線基板の第2の変形例における要部を拡大して示す上面図である。この第2の変形例において、枠状メタライズ層111は、平面透視において貫通孔107の段差部107aと重なっ
ている部分において、非形成部を含んでいる。このような構造とした場合には、レーザーによる加工を採用することにより、母基板101を個片に分割する際にバリや欠けが発生し
やすい貫通孔107周辺の段差部107aにおいて、第1主面103の分割溝106をより深く形成できる。この場合には、分割溝106がより深いため、母基板の分割性が向上する。つまり、
平面透視で段差部107aと重なっている部分において、第1主面103側には枠状メタライズ層111が存在しない。そのため、レーザー加工の際に存在していない枠状メタライズ層111の仮想の厚み分だけ母基板101に対するレーザーの直接の照射量が増えて分割溝106が深く形成される。そのため、上記のようにこの部分の分割性がさらに良好になり、母基板101
の分割をより容易に行なうことができ、母基板101を個片に分割する際のバリや欠けをよ
り効果的に抑制できる。
あり、このメタライズ層の厚みに相当する分だけ、貫通孔107の段差部107aと重なっている部分における第1主面103側に形成される分割溝106を深くすることができる。
層は0.1〜1.0μm程度の厚みで形成されている。つまり、金めっき層の露出表面から枠状メタライズ層111の表面(ニッケルめっき層との界面)までの厚みの合計が10〜30μm程
度である。このときに、枠状メタライズ層111、金めっき層、ニッケルめっき層の厚みの
合計に相当する分だけさらに分割溝106が深く形成されるため、この部分(非形成部)の
分割性を良好にすることができ、母基板101を個片に分割する際のバリや欠けを抑制でき
る。すなわち、この場合の母基板101には、これら枠状メタライズ層111,ニッケルめっき層,金めっき層を含んで30〜80μm程度の深さの分割溝106が形成されている。
離間しており、電気的に電位が異なるものである場合、枠状メタライズ層111と側面導体113とが電気的に短絡してはならない。配線基板の小型化により、枠状メタライズ層111の
外周端部と側面導体113との間隔はさらに小さなものとなってきているが、このように平
面透視において貫通孔107の段差部10aと重なっている部分に非形成部を設けることによ
り、枠状メタライズ層111に蓋体を接合する際のロウ材の流れ出しによる短絡の可能性を
低減できるという効果もある。
)、(b)は、図1に示す多数個取り配線基板の第1の変形例における要部を拡大して示す上面図および断面図である。この第1の変形例において、第1主面103の分割溝106から貫通孔内分割溝106aにかけて貫通している貫通部117が含まれている。またこの図3の例においては、第1主面103の分割溝106と第2部分109に設けられた分割溝106とが、それぞれの底部同士において互いに連通している。言い換えれば、上下二つの分割溝106が互い
に上下につながっている部分を含んでいる。このような構造とした場合には、母基板101
を個片に分割する際にバリや欠けが発生しやすい貫通孔107周辺の段差部107a(母基板101のうち平面透視で段差部107aと重なっている部分)において、第1主面103側からは亀
裂が発生しない。つまり、貫通孔107の段差部107aと重なっている部分における第1主面103において、第1絶縁層103aを既に貫通している、または第1主面103側の分割溝106と第2主面104側の分割溝106との間でそれぞれの底部間が連通していることにより、この部分の分割性を考慮することなく、母基板101を個片に分割する際のバリや欠けを抑制でき
る。
凹側)になるように折り曲げて(曲げ応力を加えて)各配線基板領域102を個片に分割す
る際に次のような利点がある。すなわち、本来であれば配線基板のコーナー部は、分割時の上記応力を受けやすい部分であるが、貫通部117によって、隣り合う配線基板領域102の第1部分108同士が接触することが抑制される。そのため、第1部分108にバリや欠けが発生することが、さらに効果的に抑制される。
層104aの領域では分割溝106が第2絶縁層104aの途中まで形成されるとともに、縦溝106bが第2主面104から段差部107aにかけて漸次狭くなるように形成される。また、第1絶縁層103aの領域では、分割溝106が第1主面103から第1絶縁層103aの途中まで形成される。また、貫通孔内分割溝106aは、段差部107aから第1絶縁層103aの途中まで形成さ
れる。その結果、分割溝106等の形成時に、段差部107aにおいて、第1絶縁層103aを既
に貫通している、または第1主面103側から形成される分割溝106と第2主面104側から形
成される分割溝106のそれぞれの底部同士が互いに接する構造となる。このような構造と
なるのは、レーザー加工では分割溝106がほぼV字状に加工されるためであり、分割溝106や縦溝106bの形状はこのV字状に沿った形で加工痕が残るためである。
1主面103側の分割溝106が段差部107a上まで貫通している)形態(図示せず)でも構わ
ない。例えば、第1絶縁層103aと第2絶縁層104aの厚み関係(厚みの比率)や配線導体の位置、またはレーザーの強度(レーザー加工装置の出力)等の各種の条件により、分割溝106の深さは種々に設定され得る。したがって、例えば第1主面103側のみ、または第2主面104側のみに分割溝(図示せず)が設けられ、この分割溝が段差部7a上まで貫通し
ている形態でもよい。
aの第2部分109に側面導体113を形成することが望ましい。また、この場合には、縦溝106bが貫通部117内に含まれているとみなすことができる。
された配線基板であり、配線基板の外周コーナー部に形成された第1部分108および第2
部分109からなるキャスタレーションにバリや欠けがなく、外形寸法精度に優れている。
搭載する際のチャッキング等による配線基板の位置決めを、外周形状でしっかり行うことができ、電子部品の実装性を向上できる。
れてなる四角板状の絶縁基板202の上面に搭載部110を有し、搭載部110に一対の配線導体112が設けられている。また、第1主面103の全面が枠状メタライズ層111で覆われている。また、絶縁基板202は、その外周コーナー部の4箇所に溝209(いわゆるキャスタレーション)を有している。このキャスタレーションの両端においては、例えば、図3で示した母基板101を個片にしてなる配線基板であれば、分割溝106の貫通部117の跡が段状の凹み208になって残っている。この凹み208は各辺の仮想の延長線(図示せず)よりも内側(搭載
部110側)に位置している。そして、バリや欠けの発生がなく外形寸法精度に優れている
ことから、配線基板の梱包性や実装性に優れた配線基板を提供できる。
ば、上記の配線基板と同様に搭載部110に一対の配線導体112が設けられている。また、枠状メタライズ層111が、平面透視でキャスタレーションの周辺の段差部107aと重なっている部分において非形成部を有している。非形成部以外において、枠状メタライズ層111は
、搭載部110を囲む枠状の第1主面103を覆っている。この場合にも、図3で示した母基板101を個片にしてなる配線基板と同様に、配線基板の梱包性や実装性に優れた配線基板を
提供できる。
材が濡れ拡がらないことから、枠状メタライズ層111に蓋体を接合する際のロウ材の流れ
出しによる側面導体113と枠状メタライズ層111との間等の電気的短絡の可能性を低減できるという効果がある。ここで、図4の例では非形成部は平面透視でキャスタレーションの周辺の段差部107aと重なっている部分としたが、これと異なっていてもよい。例えば、
枠状メタライズ層111と蓋体との接合面積が十分に確保できるなら、平面透視でキャスタ
レーションの周辺の段差部107aと重なっている部分よりも、搭載部107a側に広く非形成部を設けてもよい。
面104にかけて貫通している貫通孔107を形成する。貫通孔107は、前述したように第1主
面103側の第1部分108において第2主面104側の第2部分109よりも小径となるように形成する。次に、配線基板領域102の外周に沿って母基板101の第1主面103および第2主面104にレーザー加工により分割溝106を形成する。次に、貫通孔107内の第1部分108と第2部
分109との間の段差部107a上にレーザー加工により貫通孔内分割溝106aを形成する。
することもできる。したがって、例えば上記実施形態の構成の多数個取り配線基板を容易に製作できる。
において、配線基板領域102間の境界105に沿って母基板101の第2主面104に分割溝106を
形成したのち、そのレーザー116を引き続き貫通孔107の内側面に照射しようとしている状態を示している。
の底部とが互いにつながっていれば(上下に連通していれば)、第1部分108における内
側面に貫通部117が形成される。さらにその後、段差部107aから段差部107aの端部を超
えて平面視における貫通孔107の中央方向に移動しながらレーザー116が照射される際に、第1部分108における内側面に引き続いてレーザー116が照射されて第1部分108の側面に
縦溝106bが形成される。この縦溝106bは、上述したように、貫通部117内に含まれた形
態になる。
線領域の波長のレーザー116は、固体レーザーによるパルス周波数10〜200kHz、
パルス幅5ns以上、加工点出力1〜100W、好ましくは1〜40W程度のものである。紫外線領域の波長の固体レーザーとしては、YAG、YVO4などの結晶より励起されるものがあり、それぞれのパルス特性および、被加工物の加工性に応じて最適なものを選定すればよい。
が埋まってしまい、実質的に分割溝が形状よく形成されないことがあるが、紫外線領域の波長のレーザー116は、枠状メタライズ層111や金属めっき膜(図示せず)に対して吸収性が高く反射性が低い。また、母基板101に対しても吸収性が高いため、めっき工程後の母
基板101において枠状メタライズ層111を被覆する金属めっき膜の上から照射しても、V字
状の分割溝106を形状よく形成することができる。
形成する際に、確実に段差部107aの表面に貫通孔内分割溝106aを形成できるとともに、外周にバリや欠けが発生することが抑制された、外形寸法精度に優れた配線基板を製作できる製造方法を提供することができる。
るとともに、母基板101を構成する第1絶縁層103a(枠部を構成する絶縁層)に対して第2絶縁層104a(基部を構成する絶縁層)が薄く形成されており、レーザー116が照射される高さが変化し難いことから、第2主面104におけるレーザー116による分割溝の加工状態と段差部107aの主面におけるレーザー116による分割溝の加工状態がほとんど変化しないことによる。なお、本工程においても貫通孔107の第1部分108における内側面、および第2部分109における内側面に縦溝106bが形成される。
を1層の第1絶縁層103aと1層の第2絶縁層104aの計2層の絶縁層で構成したが、3層以上の絶縁層で母基板101を構成してもよい。また、配線基板の枠状メタライズ層111は、ニッケルめっき層および金めっき層が上面に被着されたものとしたが、金属層106は、被
着されためっき層に、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金からなる金属枠体(図示せず)が接合されていてもよい。また、レーザー加工装置のレーザーの種類をYAGレーザーとしたが、必要とする分割溝106の形状に応じて他のレーザーを用いて適切にレーザー加工
条件を変化させてもよい。
102・・・配線基板領域
103・・・第1主面
103a・・・第1絶縁層(枠部)
104・・・第2主面
104a・・・第2絶縁層(基部)
105・・・境界
106・・・分割溝
106a・・・貫通孔内分割溝
106b・・・縦溝
107・・・貫通孔
107a・・・段差部
108・・・第1部分(小径)
109・・・第2部分(大径)
110・・・搭載部
111・・・枠状メタライズ層
112・・・配線導体
113・・・側面導体
114・・・捨て代領域
115・・・めっき用端子
116・・・レーザー(レーザー光)
117・・・貫通孔
118・・・外部接続導体
202・・・絶縁基板
208・・・凹み
209・・・溝(キャスタレーション)
Claims (5)
- 第1主面および該第1主面と反対側の第2主面を有しているとともに、複数の配線基板領域が配列された母基板を備えており、
該母基板は、前記配線基板領域の境界に沿って前記第1主面および前記第2主面に互いに対向し合うように設けられた分割溝と、
該分割溝が設けられた部分において前記母基板を厚み方向に貫通しているとともに、内周面に段差部を含んでおり、該段差部よりも前記第1主面に近い第1部分において前記第2主面に近い第2部分よりも小径となっている複数の貫通孔とをさらに有しており、
前記段差部上に、平面透視で前記分割溝と重なる貫通孔内分割溝が設けられており、
前記貫通孔の前記第1部分および、前記第2部分における内側面に、前記分割溝から前記貫通孔内分割溝にかけて延びる縦溝が設けられており、
前記貫通孔における前記第2部分の内側面に形成された側面導体を備えており、前記縦溝の底部は前記側面導体内に位置していることを特徴とする、多数個取り配線基板。 - 前記第1主面に、前記配線基板領域の外周部に設けられた枠状メタライズ層をさらに備えており、該枠状メタライズ層は、平面透視において前記貫通孔の前記段差部と重なっている部分において、非形成部を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の多数個取り配線基板。
- 前記分割溝の底部と前記貫通孔内分割溝の底部とが互いに連通している貫通部をさらに有していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多数個取り配線基板。
- 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された前記多数個取り配線基板が、前記配線基板領域毎に分割されてなることを特徴とする配線基板。
- 互いに積層された複数のセラミック絶縁層を含んでおり、第1主面と該第1主面と反対側の第2主面とを有する母基板を作製するとともに、該母基板に互いに配列された複数の配線基板領域を設ける工程と、
該母基板に、前記配線基板領域の外周に跨っているとともに前記第1主面から前記第2主面にかけて貫通しており、前記第1主面側の第1部分において前記第2主面側の第2部分よりも小径の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔における前記第2部分の内側面に側面導体を形成する工程と、
前記配線基板領域の外周に沿って、前記母基板の前記第1主面および前記第2主面にレーザー加工により分割溝を形成する工程と、
前記貫通孔内の前記第1部分と前記第2部分との間の段差部上にレーザー加工により貫通孔内分割溝を形成し、前記貫通孔の前記第1部分および、前記第2部分における内側面に、前記分割溝から前記貫通孔内分割溝にかけて延びる縦溝を形成し、前記縦溝の底部が前記側面導体内に位置するように形成する工程と、
を備えることを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
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