JP6313591B2 - インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法に関する。
インプリント技術は、ナノスケールの微細なパターンの形成を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。インプリント技術を用いたインプリント装置は、微細なパターン（凹凸）が形成されたモールド（型）を原版として用いて、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板上にパターンを形成する。例えば、インプリント装置では、基板上に光硬化性樹脂（例えば、紫外線硬化樹脂）を塗布し、かかる樹脂をモールドで成形する。そして、光（例えば、紫外線）を照射して樹脂を硬化させてからモールドを引き離すことで、樹脂のパターンが基板上に形成される。
インプリント装置は、モールドと基板（上の樹脂）とを直接接触させるため、プロセス空間に異物（パーティクル）が存在すると、基板上に形成されるパターンに欠陥（転写不良）が生じたり、モールドの破損が生じたりする。
基板上に存在する異物を除去するための技術は従来から幾つか提案されている（特許文献１及び２参照）。特許文献１では、基板上に存在する異物を除去するために、基板上の空間を吸引する吸引機構を設けることが開示されている。また、特許文献２には、基板上の空間を吸引する吸引機構に加えて、基板上から異物を剥離しやすくするために、基板に向けて流体（気体）を吹き付ける吹付機構を設けることが開示されている。
しかしながら、従来技術では、基板から剥離した異物が基板上又は基板チャック上に再付着する可能性があり、プロセス空間に存在する異物を除去する技術としては十分ではない。特に、特許文献２では、基板に向けて流体を吹き付けているため、基板から剥離した異物がプロセス空間に撒き散らされることになる。
また、インプリント装置では、基板を保持する基板チャックと、基板チャックの周囲を取り囲む保護板（同面板）との隙間に異物が溜まりやすい傾向がある。インプリント装置では、基板ステージの可動範囲を制限することで装置の小型化が図られているため、吸引機構や吹付機構の配置の自由度は低く、従来技術では、基板チャックと保護板との隙間に存在する異物を効率的に除去することができない。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板チャックと保護板との隙間に存在する異物を除去するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材をモールドで成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板を保持する基板チャックと、前記基板チャックの周囲に配置された板と、前記基板チャックと前記板との間の隙間に対向して配置されるノズルを含み、前記ノズルを介して前記隙間に含まれる気体を吸引する吸引機構と、を有し、前記吸引機構によって前記隙間に含まれる気体を吸引している間は、前記パターンが形成される基板とは異なるプレートを前記基板チャックに保持させることを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、基板チャックと保護板との隙間に存在する異物を除去するのに有利な技術を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、例えば、半導体デバイスなどのデバイスの製造に用いられ、基板上のインプリント材（未硬化の樹脂）をモールド（型）で成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。
インプリント装置１００は、図１に示すように、モールドチャック４と、ガス供給機構５と、基板ステージ８と、照射部１０と、樹脂供給機構１１と、制御部１４と、吸引機構３０とを有する。更に、インプリント装置１００は、後述するように、図２に示す各部材も有する。
照射部１０は、光源や光学素子などを含み、基板１の上の樹脂７を硬化させるための光を照射する。照射部１０の光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、各種エキシマランプ、エキシマレーザー又は発光ダイオードなどを用いることができる。例えば、樹脂７として光の照射で硬化する光硬化性樹脂を用いている場合には、照射部１０の光源から紫外線が照射される。但し、照射部１０の光源から照射される光（の波長）は、樹脂７の種類に応じて決定される。
基板ステージ８は、基板チャック２を介して、樹脂７が供給（塗布）された基板１を保持して移動可能なステージである。基板チャック２は、真空吸着力や静電力によって基板１を保持する。基板ステージ８の位置は、例えば、レーザ干渉計やリニアエンコーダなどの計測器に計測される。また、基板ステージ８には、基板チャック２の周囲を取り囲むように、保護板（同面板）９が配置されている。保護板９は、基板チャック２に保持された基板１の表面と基板１の外側の領域とを同一面にする。
モールド３は、基板１に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンを有し、モールドチャック４に保持される。モールドチャック４は、真空吸着力や静電力によってモールド３を保持し、モールドステージに配置される。モールドチャック４には、モールド３を通して基板１の上の樹脂７に光を照射することができるように、照射部１０からの光を通過させる孔が形成されている。
樹脂供給機構１１は、未硬化の樹脂を液滴化して吐出するディスペンサなどを含み、基板１の上に樹脂７を供給する。例えば、樹脂供給機構１１から樹脂７を供給しながら基板ステージ８を移動させることで、基板１の上に樹脂を塗布することが可能となる。
ガス供給機構５は、モールド３の近傍に配置され、モールド３と基板１との間の空間に特殊な流体（特殊ガス）を供給し、モールド３と基板１との間の空間を特殊ガス６で置換する。特殊ガス６としては、二酸化炭素、ヘリウム、窒素、炭素、水素、キセノンなどが用いられる。
吸引機構３０は、ノズル１２と、ノズル１２に接続された吸引ポンプ１３とを含み、基板チャック２と保護板９との間の隙間の少なくとも一部を吸引する。本実施形態では、吸引機構３０は、基板チャック２と保護板９との間の隙間の上にノズル１２が位置するように構成されている。但し、吸引機構３０は、基板チャック２と保護板９との間の隙間を基板ステージ側から吸引するように構成してもよい。
制御部１４は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体を制御する。制御部１４は、インプリント装置１００の各部を制御して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。また、制御部１４は、インプリント装置１００の各部を制御してインプリント装置１００のメンテナンス処理、例えば、インプリント装置１００から異物を除去する異物除去処理を行う。
図２（ａ）乃至図２（ｃ）を参照して、インプリント装置１００におけるインプリント処理について説明する。まず、図２（ａ）に示すように、樹脂供給機構１１から基板１の上に樹脂７を供給する。次いで、図２（ｂ）に示すように、モールド３を基板１の上の樹脂７に押し付ける（モールド３と樹脂７とを接触させる）。モールド３を樹脂７に押し付けることによって、樹脂７は、モールド３の凹凸パターンに沿って流動し、凹凸パターンに充填される。そして、モールド３と樹脂７とが接触した状態において、照射部１０からの光を、モールド３を介して基板１の上の樹脂７に照射し、樹脂７を硬化させる。次に、図２（ｃ）に示すように、基板１の上の硬化した樹脂７からモールド３を剥離（離型）する。これにより、モールド３の凹凸パターンに対応する樹脂７のパターンが基板１の上に形成される。
本実施形態では、モールド３を基板１の上の樹脂７に押し付ける動作及び樹脂７からモールド３を剥離する動作は、モールド３（モールドステージ）を鉛直方向に移動させることで実現している。但し、基板１（基板ステージ８）を鉛直方向に移動させること、或いは、モールド３と基板１の両方を鉛直方向に移動させることで、モールド３を基板１の上の樹脂７に押し付ける動作及び樹脂７からモールド３を剥離する動作を実現してもよい。
モールド３を樹脂７に押し付ける際には、樹脂７がモールド３の凹凸パターンに完全に充填されている必要がある。モールド３と基板１との間の空気などの泡が樹脂７に捕捉された状態で樹脂７を硬化すると、基板１の上に形成される樹脂７のパターンの欠陥となり、半導体デバイスの不良を生じさせることになる。モールド３の凹凸パターンの全体に良好に樹脂７を充填させるためには、モールド３と基板１との間の空間を特殊ガス６で置換するとよい。そこで、本実施形態では、ガス供給機構５からモールド３と基板１との間の空間に特殊ガス６を供給している。
モールド３と基板１との間の空間において、特殊ガス６を高い濃度で維持するために、基板ステージ８には、上述したように、保護板９が配置されている。基板１のインプリント処理の対象となるショット領域に樹脂７を供給するために、樹脂供給機構１１の直下に基板ステージ８を移動させると、基板１がモールド３の下から外れる場合がある。この場合、モールド３と基板１との間の空間における特殊ガス６の濃度が大きく低下することになる。これを防ぐために、基板１の任意のショット領域（基板１の上のいかなる位置）に樹脂７を供給する際に、基板１の外側の領域が基板１と略同じ高さを維持することが可能なように保護板９を配置している。これにより、モールド３と基板１との間の空間における特殊ガス６の濃度を常に高く維持することができる。
基板１及び基板チャック２は、一般的には、円形形状を有するため、保護板９は、基板１及び基板チャック２よりも僅かに大きな孔を有するリング状の板部材で構成される。従って、図１に示すように、基板チャック２と保護板９との間の隙間に異物（パーティクル）が付着し、かかる異物が基板ステージ８の動作（移動）によって拡散され、基板１の上に付着してしまう可能性がある。
ナノスケールのパターンを基板１の上に形成するインプリント装置１００では、基板１の上に異物が存在（付着）すると、基板１の上に形成される樹脂７のパターンに欠陥を生じたり、モールド３を樹脂７に押し付けた際にモールド３を破損してしまったりする。そこで、本実施形態では、吸引機構３０によって、基板チャック２と保護板９との間の隙間の少なくとも一部を吸引し、基板チャック２と保護板９との間の隙間に存在する異物を除去する（即ち、異物除去処理を行う）。
図３は、吸引機構３０の動作時（即ち、吸引機構３０によって基板チャック２と保護板９との間の隙間の少なくとも一部を吸引している間）のインプリント装置１００の状態を示す図である。吸引機構３０によって基板チャック２と保護板９との間の隙間の少なくとも一部を吸引している間は、図３に示すように、パターンが形成される基板１とは異なるメンテナンス用基板（プレート）１５を基板チャック２に保持させる。これにより、吸引機構３０によって吸引することができなかった異物が基板チャック２と保護板９との間の隙間から拡散したとしても、かかる異物が基板チャック２や基板１に付着することを防止することができる。また、メンテナンス用基板１５の表面には、異物を捕捉するための粗面又は粘着面を含む捕捉面１５ａが形成されている。これにより、メンテナンス用基板１５に付着した異物が再びインプリント装置１００の内部に拡散することを抑制することができる。
インプリント装置１００は、一般に、インプリント装置１００の装置状態を最適に維持するためのメンテナンスに用いられる管理用基板を収納するストッカ１９を有している。ストッカ１９は、基板チャック２の平坦度を計測するための基板、基板チャック２に付着した異物を除去するための基板などの複数種類の管理用基板に加えて、本実施形態では、メンテナンス用基板１５を収納する（第１ストッカとして機能する）。また、インプリント装置１００は、ストッカ１９に収納されたメンテナンス用基板１５や管理用基板を、ストッカ１９と基板チャック２との間で搬送する搬送系（第１搬送系）１８を有している。
同様に、吸引機構３０によって基板チャック２と保護板９との間の隙間の少なくとも一部を吸引している間は、図３に示すように、モールド３とは異なるダミーモールド１６をモールドチャック４に保持させるとよい。これにより、吸引機構３０によって吸引することができなかった異物が基板チャック２と保護板９との間の隙間から拡散したとしても、かかる異物がモールドチャック４やモールド３に付着することを防止することができる。また、ダミーモールド１６の表面には、異物を捕捉するための粗面又は粘着面を含む捕捉面１６ａが形成されている。これにより、ダミーモールド１６に付着した異物が再びインプリント装置１００の内部に拡散することを抑制することができる。
インプリント装置１００は、一般に、インプリント装置１００の装置状態を最適に維持するためのメンテナンスに用いられる管理用モールドを収納するストッカ２１を有している。ストッカ２１は、複数種類の管理用モールドに加えて、本実施形態では、ダミーモールド１６を収納する（第２ストッカとして機能する）。また、搬送系１８は、ストッカ２１に収納されたダミーモールド１６や管理用モールドを、ストッカ２１とモールドチャック４との間で搬送する（第２搬送系として機能する）。但し、ストッカ２１に収納されたダミーモールド１６や管理用モールドを、ストッカ２１とモールドチャック４との間で搬送する専用の搬送系を設けてもよい。
インプリント装置１００において、吸引機構３０を構成するノズル１２は、真空吸引可能なノズルである。ノズル１２は、ノズル１２による吸引効果をより高めるために、基板チャック２と保護板９との間の隙間に近接させて配置するとよい。また、ノズル１２を基板チャック２の保持面に垂直な方向に移動させる移動機構を設けて、基板チャック２と保護板９との間の隙間に存在する異物を除去する際に、基板チャック２と保護板９との間の隙間（基板ステージ側）に近接させるようにしてもよい。
ここで、基板チャック２の保持面に平行な面内において、ノズル１２が基板チャック２と保護板９との間の隙間の一部の領域を吸引するように、吸引機構３０が構成されている場合を考える。この場合、吸引機構３０の動作中に、基板チャック２の保持面に平行な面内において、基板チャック２と保護板９との間の隙間の全ての領域がノズル１２の下に順次位置するように基板ステージ８を移動させる。例えば、基板チャック２と保護板９との間の隙間は、一般には、円弧状の溝であるため、ノズル１２の下に基板チャック２と保護板９との間の隙間が常に位置するように、基板ステージ８を円弧状に移動させればよい。
一方、基板チャック２の保持面に平行な面内において、ノズル１２が基板チャック２と保護板９との間の隙間の全ての領域を吸引するように、吸引機構３０を構成してもよい。この場合、吸引機構３０の動作中に基板ステージ８を移動させる必要はない。
また、異物は、基板チャック２と保護板９との間の隙間だけではなく、基板ステージ８や基板チャック２の上の様々な箇所に付着する可能性があるが、基板ステージ８に付着した異物も吸引機構３０によって除去することができる。例えば、プロセスを経た基板１は、その周囲が汚れやすくなっているため、基板１を介して、基板チャック２の上に異物が付着してしまうことがある。このような場合には、メンテナンス用基板１５を、基板チャック２の保持面の大きさよりも小さい大きさで構成し、メンテナンス用基板１５を基板チャック２に保持させた際に露出する保持面を吸引機構３０によって吸引すればよい。また、保護板９には、センサなどが配置されているが、その周辺にも異物が付着しやすい。保護板９に付着した異物を除去する際にも吸引機構３０を用いることが可能である。
インプリント装置１００が基板１に対して１ショット領域ごとに樹脂７を供給する場合、一般的に、基板ステージ８の可動範囲を最小限にするために、樹脂供給機構１１は、モールド３の近くに配置される。図１では、インプリント装置１００の構成をわかりやすくするために、吸引機構３０（ノズル１２）がモールド３と樹脂供給機構１１との間に配置されているように図示している。但し、実際には、樹脂供給機構１１は、上述したように、モールド３に最も近い位置に配置するとよい。従って、吸引機構３０は、図４に示すように、モールド３と吸引機構３０との間の距離がモールド３と樹脂供給機構１１との間の距離と等しくなるように配置するとよい。図４は、モールド３と、樹脂供給機構１１と、吸引機構３０との位置関係を示す図である。図４に示すように、基板１の上に樹脂７を供給する際に基板ステージ８が移動する方向に対して、モールド３と樹脂供給機構１１との距離とモールド３とノズル１２との距離がほぼ等しくなるように、吸引機構３０を構成する。更に、基板ステージ８が移動する方向に直交する方向に対して、樹脂供給機構１１に近い位置にノズル１２が位置するように、吸引機構３０を構成する。これにより、基板ステージ８の可動範囲を最小限にすることができる。
また、図５に示すように、ノズル１２には、基板チャック２と保護板９との間の隙間に気体を吹き付ける吹付機構４０を設けてもよい。吹付機構４０は、吹付ノズル４１と、レギュレータ１７とを含み、レギュレータ１７によって最適な流量に調整された気体（例えば、圧縮クリーンエアー）を、吹付ノズル４１を介して、基板チャック２と保護板９との間の隙間に吹き付ける。本実施形態では、吹付機構４０によって基板チャック２と保護板９との間の隙間に気体を吹き付けながら、吸引機構３０によって基板チャック２と保護板９との間の隙間の少なくとも一部を吸引する。これにより、基板チャック２と保護板９との間の隙間に付着した異物を剥離させて、基板チャック２と保護板９との間の隙間に存在する異物をより効果的に除去することができる。
また、上述したように、インプリント装置では、一般的に、フィルタを通したクリーンエアーでプロセス空間を空調することが行われている。インプリント装置１００は、図３に示すように、モールド３（ダミーモールド１６）と基板チャック２との間の空間を含むプロセス空間にクリーンエアー（気体）５１を流す空調機構５０を有する。本実施形態では、空調機構５０によってメンテナンス用基板１５の中心から吸引機構３０による吸引箇所に向かう方向にクリーンエアー５１を流しながら、吸引機構３０によって基板チャック２と保護板９との間の隙間の少なくとも一部を吸引する。これにより、基板チャック２と保護板９との間の隙間に存在する異物の拡散を防止して、かかる異物を効率的に除去することができる。なお、本実施形態では、空調機構５０は、吸引機構３０が動作している間にプロセス空間に流す流量がインプリント処理を行っている間にプロセス空間に流す流量よりも大きくなるように、プロセス空間に気体を流している。これにより、基板チャック２と保護板９との間の隙間に存在する異物を更に効率的に除去することができる。
本実施形態のインプリント装置１００は、吸引機構３０によって基板チャック２と保護板９との隙間に存在する異物を除去することができる。従って、インプリント装置１００は、基板１の上に形成される樹脂７のパターンに欠陥を生じたり、モールド３を樹脂７に押し付けた際にモールド３を破損してしまったりすることを防止することができる。これにより、インプリント装置１００は、高いスループットで経済性よく高品位な半導体デバイスなどの物品を提供することができる。
物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１００を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成するステップを含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を加工するステップを更に含む。当該加工ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
Claims (19)
- 基板上のインプリント材をモールドで成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板チャックと、
前記基板チャックの周囲に配置された板と、
前記基板チャックと前記板との間の隙間に対向して配置されるノズルを含み、前記ノズルを介して前記隙間に含まれる気体を吸引する吸引機構と、を有し、
前記吸引機構によって前記隙間に含まれる気体を吸引している間は、前記パターンが形成される基板とは異なるプレートを前記基板チャックに保持させることを特徴とするインプリント装置。 - 前記モールドを保持するモールドチャックを更に有し、
前記吸引機構によって前記隙間に含まれる気体を吸引している間は、前記基板に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンを有するモールドとは異なるダミーモールドを前記モールドチャックに保持させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。 - 前記ダミーモールドの表面には、異物を捕捉するための粗面又は粘着面を含む捕捉面が形成されていることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
- 前記基板チャック及び前記板を保持して移動可能な基板ステージを更に有し、
前記ノズルは、前記隙間の一部の領域に含まれる気体を吸引し、
前記吸引機構によって前記隙間の一部の領域に含まれる気体を吸引している間に、前記隙間の領域のうち前記ノズルと対向する前記一部の領域が順次変わるように前記基板ステージを移動させることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。 - 前記ノズルは、前記隙間の全ての領域に含まれる気体を吸引することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
- 基板上のインプリント材をモールドで成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板チャックと、
前記モールドを保持するモールドチャックと、
前記基板チャックの周囲に配置された板と、
前記基板チャックと前記板との間の隙間に含まれる気体を吸引する吸引機構と、を有し、
前記吸引機構によって前記隙間に含まれる気体を吸引している間は、前記パターンが形成される基板とは異なるプレートを前記基板チャックに保持させ、前記基板に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンを有するモールドとは異なるダミーモールドを前記モールドチャックに保持させることを特徴とするインプリント装置。 - 前記ダミーモールドの表面には、異物を捕捉するための粗面又は粘着面を含む捕捉面が形成されていることを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
- 前記ダミーモールドを収納する第２ストッカと、
前記第２ストッカに収納された前記ダミーモールドを前記第２ストッカと前記モールドチャックとの間で搬送する第１搬送系と、を更に有することを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント装置。 - 前記プレートの表面には、異物を捕捉するための粗面又は粘着面を含む捕捉面が形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
- 前記隙間に気体を吹き付ける吹付機構を更に有し、
前記吹付機構によって前記隙間に気体を吹き付けながら、前記吸引機構によって前記隙間に含まれる気体を吸引することを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。 - 前記モールドと前記基板チャックとの間の空間に気体を流す空調機構を更に有し、
前記空調機構によって前記プレートの中心から前記吸引機構による前記隙間の吸引箇所に向かう方向に気体を流しながら、前記吸引機構によって前記隙間に含まれる気体を吸引することを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。 - 前記空調機構は、前記吸引機構によって前記隙間に含まれる気体を吸引している間において前記空間に流す流量が前記インプリント処理を行っている間において前記空間に流す流量よりも大きくなるように、前記空間に気体を流すことを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
- 前記基板上にインプリント材を供給する供給機構を有し、
前記吸引機構は、前記モールドと前記供給機構との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。 - 前記プレートを収納する第１ストッカと、
前記第１ストッカに収納された前記プレートを前記第１ストッカと前記基板チャックとの間で搬送する第１搬送系と、を更に有することを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。 - 前記板は、前記基板チャックの周囲を取り囲んでいることを特徴とする請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
- 前記板の表面の高さは、前記基板チャックに保持された前記基板の表面の高さと同じであることを特徴とする請求項１乃至１５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
- 基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置から異物を除去する異物除去方法であって、
前記基板を保持する基板チャックと、前記基板チャックの周囲に配置された板との間の隙間に対向して配置されるノズルを介して前記隙間に含まれる気体を吸引する工程を有し、
前記工程では、前記パターンが形成される基板とは異なるプレートを前記基板チャックに保持させていることを特徴とする異物除去方法。 - 基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置から異物を除去する異物除去方法であって、
前記基板を保持する基板チャックと、前記基板チャックの周囲に配置された板との間の隙間に含まれる気体を吸引する工程を有し、
前記工程では、前記パターンが形成される基板とは異なるプレートを前記基板チャックに保持させ、前記基板に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンを有するモールドとは異なるダミーモールドを前記モールドチャックに保持させていることを特徴とする異物除去方法。 - 請求項１乃至１６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
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